JPS62264835A - Combined machine for manufacturing thin substrate - Google Patents

Combined machine for manufacturing thin substrate

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JPS62264835A
JPS62264835A JP10384686A JP10384686A JPS62264835A JP S62264835 A JPS62264835 A JP S62264835A JP 10384686 A JP10384686 A JP 10384686A JP 10384686 A JP10384686 A JP 10384686A JP S62264835 A JPS62264835 A JP S62264835A
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JP
Japan
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ingot
fixing frame
blade
blade fixing
thin substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP10384686A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigehiro Fuwa
不破 茂裕
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Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS62264835A publication Critical patent/JPS62264835A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/003Multipurpose machines; Equipment therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PURPOSE:To permit a single set of machine to perform grinding and cutting, by providing a means flatly printing the end surface of an ingot, means cutting and end surface side of the ingot into a thin piece and a means supporting the ingot. CONSTITUTION:A moving bed 21 of an ingot supporting means 20 and its indexing slide 23 are respectively vertically and laterally moved performing positioning of an ingot 24. Next, a blade fixing frame 12, that is, a blade 13 is rotated while the ingot 24 is gradually lifted, and an end surface side of the ingot 24 is cut into an thin piece shape. After a thin substrate 27 is cut to be separated, the indexing slide 23 is retracted, and the ingot 24 is positioned so as to slightly protrude from the surface of a grinding tool 16. Subsequently, the moving bed 21 is lifted while the blade fixing frame 12 is rotated, and a warped part 24b in the end surface of the ingot 24 is successively ground. If grinding is finished, the ingot supporting means 20 lowers the moving bed 21 while the indexing slide 23 to a predetermined position.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、水晶、シリコン、ヒ化ガリウム等の薄基板を
製造する際に用いられる複合加工機に関し、特に、一台
の機械で、インゴット端面の研削加工と、研削したイン
ゴット端面側の薄片切断加工を行なえるようにした薄基
板製造用の複合加工機に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a multi-processing machine used for manufacturing thin substrates of crystal, silicon, gallium arsenide, etc. The present invention relates to a multi-purpose processing machine for manufacturing thin substrates that is capable of grinding end faces and cutting thin pieces of the ground end faces of ingots.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、水晶やシリコン等の結晶のインゴットを薄く切断
して薄基板、例えば、ウエーノ・を製造する方法として
′は、通常、第5図に示すような工程(主要工程)から
なる方法が採用されて(・る。
Conventionally, as a method for manufacturing thin substrates, such as wafers, by cutting ingots of crystals such as quartz or silicon into thin pieces, a method consisting of the steps (main steps) shown in Fig. 5 has usually been adopted. Te(・ru.

すなわち、インゴットを、ウェーハ切断工程501に於
て薄く切断し、この切断したウェー7・の周縁ヲ、ラッ
ピングの際にチップ、スクラッチ、割れなどが生じない
ようにベベリング工程502で面取り加工している。次
(・で、両面ラッピング工程503に於て、ウェーハの
両面乞ラッピングし、切断時に発生した反りの除去と、
ウェーハ表面におけるクラック層、ソーマークの除去を
行なうと共に、ウェーハが所定の厚み寸法となるように
加工している。その後、ポリシング工程504に於て、
ウェーハの反りを除去して平滑度を向上させるために、
ウェーハ両面のボリシング加工を行ない、更に、エツチ
ング加工505で、機械加工によって生じたウェーハ表
面の変質層を除去するためのエツチング加工を行なって
いる。そして最後に、鏡面ポリンング加工506に於て
、ウェーハのミラー面を再度ポリシングして仕上加工を
行ない、最終的なウェーハとしている。
That is, the ingot is cut into thin pieces in a wafer cutting process 501, and the periphery of the cut wafer 7 is chamfered in a beveling process 502 to prevent chips, scratches, cracks, etc. from occurring during lapping. . Next, in a double-sided lapping step 503, both sides of the wafer are lapped, and the warpage generated during cutting is removed.
Crack layers and saw marks on the wafer surface are removed, and the wafer is processed to a predetermined thickness. After that, in a polishing step 504,
To remove wafer warpage and improve smoothness,
Boring processing is performed on both sides of the wafer, and further, etching processing 505 is performed to remove the altered layer on the wafer surface caused by machining. Finally, in a mirror polishing process 506, the mirror surface of the wafer is again polished and finished to form a final wafer.

〔発明が解決すべき問題点〕[Problems to be solved by the invention]

このようなウェーハの製造に於ては、ウェーハの加工時
、特に、ウェーハの切断時に発生する反りの除去が大き
な課題となっている。そこで、ウェーハ切断方法が種々
提案されているが、いずれの方法も、反りの発生を大幅
に減少させた状態で切断を行なうことは困難であった。
In manufacturing such wafers, removing warpage that occurs during wafer processing, especially when cutting the wafer, is a major issue. Therefore, various wafer cutting methods have been proposed, but with any of the methods, it is difficult to cut the wafer while significantly reducing the occurrence of warpage.

このため、ウェーハ切断後の加工工程で反りを確実に除
く必要があるが、従来のウェーハ製造方法では反りを十
分に除去できなかった。
For this reason, it is necessary to reliably remove the warp in a processing step after cutting the wafer, but conventional wafer manufacturing methods have not been able to sufficiently remove the warp.

従来のウェーハ製造方法に於て、ウェーハ切断時て発生
した反りを、十分に除去できない原因は次の点にあると
考えられる。
In conventional wafer manufacturing methods, the following reasons are thought to be the reasons why warpage generated during wafer cutting cannot be sufficiently removed.

すなわち、ウェーハ切断工程でウェーハを切断すると、
切断中の切り込みによる切断抵抗の変1ヒ及び、発熱等
によって一生じるブレードの変形(座屈)等により、ウ
ェーハ61に反りが発生する(第6図(a)〕。そこで
、ララッピング程及び、ポリシング工程に於て、ウェー
ハ61を上下の定盤65.66により圧力をかけつつ加
工を行ない反りを除去する(第6図(b))。
In other words, when cutting a wafer in the wafer cutting process,
Warpage occurs in the wafer 61 due to changes in cutting resistance due to the incision during cutting and deformation (buckling) of the blade caused by heat generation etc. (Fig. 6(a)). In the polishing step, the wafer 61 is processed while applying pressure with upper and lower surface plates 65 and 66 to remove warpage (FIG. 6(b)).

しかしこの場合、ウェーハ61は、薄片であると共に、
−面が凹状で、他面が凸となっていて、(両面が凹状、
あるいは凹状のこともある)、全体が弓なりにそってい
るため、定盤65.66により上下方向から圧力を加え
ろとウェーハ61の有する弾力性によって、ウェーハ6
1は撓んで平坦形状となる。
However, in this case, the wafer 61 is a thin piece, and
- One side is concave and the other side is convex (both sides are concave,
(or it may be concave), and since the whole is arched, the elasticity of the wafer 61 forces the wafer 61 to apply pressure from above and below using the surface plates 65 and 66.
1 is bent into a flat shape.

このため、撓んで平坦状となった際に生じている反りは
、ランピング加工及びボリシング加工によって除去でき
ろものの、加圧時に撓んで平坦となる反りは除去できな
かった。従って、定盤65.66による上下方向の圧力
を取り除くと、ウェーハは反りを有する形状に戻って゛
しまい(第6図(C))、所定量以上の反りはどうして
も除去することができなかった。
For this reason, although the warpage that occurs when the material is bent and becomes flat can be removed by the ramping process and the borising process, the warpage that occurs when the material is bent and becomes flat when pressurized cannot be removed. Therefore, when the vertical pressure from the surface plates 65 and 66 is removed, the wafer returns to its warped shape (FIG. 6(C)), and it has been impossible to remove more than a predetermined amount of warpage.

そこで、上記の問題点を解消した薄基板の製造方法に関
し、第4図に示すような主要な製造工程も考えられる。
Therefore, regarding a method of manufacturing a thin substrate that eliminates the above-mentioned problems, a main manufacturing process as shown in FIG. 4 may be considered.

即ち端面研削工程401に於てインゴットの端面を研削
して平坦状の基準面とし、その後ウェーハ切断工程40
2に於てインゴットの端面側を薄片に切断してウェーハ
を作成し、次いで、ベベリング工程406で周縁の面取
りを行なった後、片面ラッピング工程404、ポリシン
グ工程405.406等を介してウェーハを製造するも
のである。
That is, in the end face grinding step 401, the end face of the ingot is ground to make a flat reference surface, and then the wafer cutting step 40
In step 2, the end face side of the ingot is cut into thin pieces to create a wafer, and then the peripheral edge is chamfered in a beveling step 406, and then the wafer is manufactured through a single-sided lapping step 404, polishing steps 405, 406, etc. It is something to do.

ここで、ラッピング加工404及びポリシング工程40
5.406は、従来の製造方法と同様にウェーハの反り
とソーマークの除去を目的とするものであるが、本発明
の製造方法の場合には、最初の端面研削工程401で創
成した平坦状基準面を基準としてウェーハのラッピング
加工及びボリシング加工を行なっているので、上下の定
盤によりウェーハの上下方向に圧力を加えても、ウェー
ハの全体が撓んで変形したりすることがなく、ラッピン
グ加工及びボリシング加工て於て、反りを確実に、かつ
十分に除去できろといった優れた効果を有している。
Here, lapping process 404 and polishing process 40
5.406 is intended to remove wafer warpage and saw marks as in the conventional manufacturing method, but in the case of the manufacturing method of the present invention, the flat standard created in the first edge grinding step 401 Since the wafer is lapped and borated using the surface as a reference, even if pressure is applied to the wafer in the vertical direction using the upper and lower surface plates, the entire wafer will not bend or deform. It has an excellent effect of being able to reliably and sufficiently remove warpage during the bolling process.

本発明は、上述した薄基板の製造方法に於ける端面研削
加工とウェーハ切断加工を、一台の機械で行なえろよう
にすることによって、製造工程の簡略fヒ、及び一層高
精度、高品質なウェーハ(薄基板)の製造を可能とした
薄基板製造用複合加工機の提供を目的とする。
The present invention simplifies the manufacturing process and achieves higher precision and higher quality by making it possible to perform edge grinding and wafer cutting in one machine in the thin substrate manufacturing method described above. The purpose of the present invention is to provide a multi-tasking machine for manufacturing thin substrates, which enables the manufacture of thin wafers (thin substrates).

〔問題点の解決手段と作用〕[Means for solving problems and their effects]

上記目的を達成するため、本発明における薄基板製造用
の複合加工機は、前部にブレードを有し、筒状に形成し
たブレード固定枠と、このブレード固定枠を回転自在に
支承した支持部材とからなる薄基板切断手段、割出しス
ライド載置部が前記ブレード固定枠に対向して位置し、
かつ、前記ブレード固定枠に対し、半径方向に移動する
移動台と、インゴットを固定して上記割出しスライド載
置部に、前記ブレード固定枠に対し、軸線方向に移動可
能に載置された割出しスライドとからなるインゴット支
持手段と、前記ブレード固定枠の前面の、前記移動台側
に取り付けられ、前記ブレードと共に回転可能に設けら
れた研削工具からなる研削手段とで構成しである。
In order to achieve the above object, the multi-tasking machine for manufacturing thin substrates according to the present invention includes a blade fixing frame formed in a cylindrical shape and having a blade at the front, and a support member rotatably supporting the blade fixing frame. A thin substrate cutting means comprising: an index slide mounting section located opposite to the blade fixing frame;
and a movable stage that moves in the radial direction with respect to the blade fixing frame, and a split plate that fixes the ingot and places it on the index slide mounting section so as to be movable in the axial direction with respect to the blade fixing frame. The ingot supporting means includes an ejecting slide, and the grinding means includes a grinding tool that is attached to the movable table side on the front side of the blade fixing frame and is rotatable together with the blade.

そして、このように構成することにより、一台の機械で
、インゴットの端面を研削して平坦状の基準面を創成す
ると共に、このインゴットの端面側を薄片に切断して薄
基板を作成している。
With this configuration, one machine can grind the end face of the ingot to create a flat reference surface, and also cut the end face of the ingot into thin pieces to create a thin substrate. There is.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を第1図ないし第3図に基づいて
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.

第1図は、本実施例の一部截断右側面図、第2図(a)
及び(b)は薄基板切断状態を示す側面図及び一部正面
図、第3図(a)及び(b)は端面研削状態を示す側面
図及び一部正面図である。
Fig. 1 is a partially cutaway right side view of this embodiment, Fig. 2(a)
3(b) is a side view and a partial front view showing a thin substrate cutting state, and FIGS. 3(a) and 3(b) are a side view and a partial front view showing an end face grinding state.

これら図面に於て、1は基台、10は薄基板切断手段及
び研削工具支持手段、20はインゴット支持手段、30
は薄基板保持搬送手段を示す。
In these drawings, 1 is a base, 10 is a thin substrate cutting means and a grinding tool supporting means, 20 is an ingot supporting means, and 30 is an ingot supporting means.
indicates a thin substrate holding and conveying means.

薄基板切断手段及び研削工具支持手段10は、基台1の
ほぼ中央に軸受11を固着し、この軸受11に、よって
ブレード固定枠12を回転自在に支承している。ブレー
ド固定枠12は円筒状に形成してあり、その前部にはブ
レード16がブレード押え14により装着されている。
The thin substrate cutting means and grinding tool supporting means 10 has a bearing 11 firmly fixed to the substantially center of the base 1, and a blade fixing frame 12 is rotatably supported by this bearing 11. The blade fixing frame 12 is formed into a cylindrical shape, and the blade 16 is attached to the front part thereof by a blade presser 14.

又、ブレード固定枠12のブレード押え14の外側には
台金15に接着又は嵌め込みで固着されている砥石等の
研削工具16が装着されている。又、ブレード固定枠1
2は、ベルト等の伝達部材17を介して、モータ18の
回転が伝達されるようにしである。
Further, a grinding tool 16 such as a grindstone is attached to the outside of the blade holder 14 of the blade fixing frame 12 and is fixed to the base metal 15 by adhesive or fitting. Also, blade fixing frame 1
2 is such that the rotation of the motor 18 is transmitted via a transmission member 17 such as a belt.

インゴット支持手段20はブレード固定枠12の前方に
位置し、基台1に上下動可能に取り付けられた移動台2
1を有している。この移動台21の上部にはブレード固
定枠12の内方に延長する割出しスライド載置部22が
形成しである。割出しスライド載置部22には、割出し
スライド23がブレード固定枠12の軸線方向、すなわ
ち左右方向に移動可能に載置しである。割出しスライド
23には、カーボン等の接着用基材25を介してインゴ
ット24が同方向に装着しである。従ってインゴット2
4はブレード固定枠12に対して上下動及びブレード固
定枠12の軸方向である左右動が可能となる。又、割出
しスライド載置部22には、インゴット24を接着用基
材25と共にクランプするクランプ機構26が装着され
ている。
The ingot support means 20 is located in front of the blade fixing frame 12, and has a movable base 2 attached to the base 1 so as to be movable up and down.
1. An index slide mounting portion 22 extending inward of the blade fixing frame 12 is formed at the upper portion of the movable table 21. An index slide 23 is mounted on the index slide mounting portion 22 so as to be movable in the axial direction of the blade fixing frame 12, that is, in the left-right direction. An ingot 24 is attached to the index slide 23 in the same direction via an adhesive base material 25 such as carbon. Therefore ingot 2
4 is capable of vertical movement with respect to the blade fixing frame 12 and horizontal movement in the axial direction of the blade fixing frame 12. Further, a clamp mechanism 26 for clamping the ingot 24 together with the adhesive base material 25 is attached to the index slide mounting section 22 .

薄基板保持搬送手段30はブレード固定枠12の後方、
ロンドロ、4を所定の長さだけ出し入れが可能で、かつ
90度回転可能なロッド保持台35が設けられている。
The thin substrate holding and conveying means 30 is located behind the blade fixing frame 12,
A rod holding stand 35 is provided which allows the rod rod 4 to be taken in and taken out by a predetermined length and which can be rotated 90 degrees.

このロッド64は先端に薄基板保持用の真空チャック6
1を有するアーム62と、このアーム32を90度回転
させるモータ33とを有している。36は、真空チャッ
ク31で保持搬送して米た薄基板27を搬出するための
搬出部である。
This rod 64 has a vacuum chuck 6 at its tip for holding a thin substrate.
1 and a motor 33 that rotates the arm 32 by 90 degrees. Reference numeral 36 denotes an unloading section for unloading the thin substrate 27 held and conveyed by the vacuum chuck 31.

次に第2図(a)及び(b)と、第3図(a)及び(b
)を参照しつつ、本複合加工機の一動作例について説明
を行なう。
Next, Figure 2 (a) and (b) and Figure 3 (a) and (b)
), an example of the operation of this multitasking machine will be explained.

インゴット支持手段20の移動台21と、割出しスライ
ド26とをそれぞれ上下動及び左右動させ、インゴット
24乞、ブレード固定枠12のほぼ中央に位置させると
共に、その端面が、ブレード16の中央孔より僅かに突
出するように位置決メスる。この場合、インゴット端面
のブレード13より突出する量は、通常、反り部24a
と、薄基板27の厚み分をプラスした量にしておく。
The moving table 21 of the ingot support means 20 and the indexing slide 26 are moved up and down and left and right, respectively, so that the ingot 24 is positioned approximately in the center of the blade fixing frame 12, and its end surface is positioned closer to the center hole of the blade 16. Position the knife so that it protrudes slightly. In this case, the amount that the ingot end surface protrudes from the blade 13 is usually the warped portion 24a.
and the thickness of the thin substrate 27 is added.

(第2図(a)のA)。次いで、ブレード固定枠12、
すなわちブレード13を回転させると共にインゴット2
4を徐々に上昇させインゴット24の端面側を薄片状に
切断して(・く(第2図(a)  ′のB)。
(A in Figure 2(a)). Next, the blade fixing frame 12,
That is, while rotating the blade 13, the ingot 2
4 was gradually raised and the end face side of the ingot 24 was cut into thin pieces (B in Fig. 2(a)').

この加工中に薄基板保持搬出手段300ロノド64を前
進させ、真空チャック61を待避位置から薄基板27と
近接した位置まで移動させておく。
During this processing, the rotor 64 of the thin substrate holding/unloading means 300 is advanced, and the vacuum chuck 61 is moved from the retracted position to a position close to the thin substrate 27.

インゴット24が所定の位置まで上昇すると、薄基板2
7の切断が終り分離される。一方、真空チャック31は
、薄基板27の切断と同時に、分離された薄基板27を
吸着して保持する(第2図(a)のB)。続いて薄基板
27ば、ロッド64の後退により搬送され(第2図(a
)のC)、搬出部36の上方に於てアーム32がモータ
66により90度回転されることによりその向きを変え
られ、更にロッド64が90度回転することにより真空
チャック31を下向きにしく第2図(a)のD)、その
後、真空チャック61の吸引解除により、静かに搬出部
66に降ろされる。
When the ingot 24 rises to a predetermined position, the thin substrate 2
7 is completed and separated. On the other hand, the vacuum chuck 31 sucks and holds the separated thin substrate 27 at the same time as cutting the thin substrate 27 (B in FIG. 2(a)). Subsequently, the thin substrate 27 is transported by the retraction of the rod 64 (see FIG. 2(a)).
C), the arm 32 is rotated 90 degrees by the motor 66 above the unloading section 36 to change its direction, and the rod 64 is further rotated 90 degrees to direct the vacuum chuck 31 downward. 2(a) D), the suction of the vacuum chuck 61 is then released and the paper is gently lowered into the unloading section 66.

一方、薄基板27の切断分離後、割出しスライド23は
後退し、インゴット24が、砥石等の研削工具160面
より僅かに突出するように位置決めする。この場合、イ
ンゴット24の突出量は、通常、反り部24bの世とし
ておく(第3図(a)のE)。次いで、ブレード固定枠
12を回転させつつ、移動台21を上昇させ、インゴッ
ト24の端面の反り部分24bを順次研削する(第3図
(a)のF)。研削が終了しインゴット24の端面の反
つ部分24bが除去されて平坦状に加工されると、移動
台21が下降し、割出しスライド26を所定の位置まで
下降させる(第1図の状態)。
On the other hand, after cutting and separating the thin substrate 27, the indexing slide 23 is moved back, and the ingot 24 is positioned so as to slightly protrude from the surface of the grinding tool 160, such as a grindstone. In this case, the amount of protrusion of the ingot 24 is usually set to the extent of the warped portion 24b (E in FIG. 3(a)). Next, while rotating the blade fixing frame 12, the movable table 21 is raised, and the warped portions 24b of the end face of the ingot 24 are sequentially ground (F in FIG. 3(a)). When the grinding is completed and the warped portion 24b of the end face of the ingot 24 is removed and processed into a flat shape, the moving table 21 is lowered and the indexing slide 26 is lowered to a predetermined position (the state shown in FIG. 1). .

これにより、インゴット24の端面研削加工が終了する
This completes the end face grinding process of the ingot 24.

このようにして−面を研削加工により平坦状の基準面と
された薄基板27は、順次、次工程に搬送され、基準面
を基準としてラッピング、ボリンング等の加工が行なわ
れる。
The thin substrate 27 whose negative surface has been ground into a flat reference surface in this manner is sequentially transported to the next process, where processing such as lapping and boring is performed using the reference surface as a reference.

このような複合加工機によれば、一台の構造簡潔な機械
で、インゴットの端面研削、換言すれば薄基板の基準面
創成加工と、薄基板の切断加工を連続的に行なうことが
できる。従って、反りあろいQエン−マークを確実に除
去して高精度、高品質の薄基板を製造する方法を効率的
に実施することが可能となる。
According to such a multi-tasking machine, the end face grinding of an ingot, in other words, the process of creating a reference surface of a thin substrate, and the cutting process of a thin substrate can be continuously performed with one machine having a simple structure. Therefore, it is possible to efficiently implement a method of manufacturing a thin substrate with high precision and high quality by reliably removing the warped Qen-mark.

なお、本発明は、上記実施例の複合加工機に限定されろ
ものでなく、例えば次のような変形例を含むものである
It should be noted that the present invention is not limited to the multitasking machine of the above embodiment, but includes, for example, the following modifications.

■ インゴット端面の切断及び研削加工を、移動台を上
方向から下方向へ移動させることにより行なうもの。
■ Cutting and grinding of the ingot end face is performed by moving a moving table from the top to the bottom.

■ インゴット端面の切断及び研削加工を、移動台をブ
レード固定枠前面から見そ左右あるいは斜めの方向に移
動させろことにより行なうもの。
■ Cutting and grinding of the ingot end face is performed by moving the movable table to the left, right, or diagonally when viewed from the front of the blade fixing frame.

■ インゴット端面の切断及び研削加工を、ブレード固
定枠の軸受けを上下あるいは左右あるいは斜め、及び前
後に移動させることにより行なうもの。
■ Cutting and grinding of the ingot end face is performed by moving the bearing of the blade fixing frame up and down, left and right, diagonally, and back and forth.

また、本発明の複合加工機が加工対象とする薄基板は、
微小回路あるいはICの基板として用いるウェーハだけ
でなく、これに類する種々の薄基板を含むものである。
In addition, the thin substrate to be processed by the multitasking machine of the present invention is
It includes not only wafers used as microcircuit or IC substrates, but also various similar thin substrates.

更て、薄基板の材質としては、水晶、シリコン、ヒfヒ
ガリウムは勿論のことタンタル酸リチウム等を材質とす
る薄基板にも適用できる。
Furthermore, as for the material of the thin substrate, not only crystal, silicon, and hygallium, but also thin substrates made of lithium tantalate, etc. can be applied.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明の複合加工機によれば、一台の機
械で、インゴット端面の研削加工と、薄基板の切断加工
とを可能ならしめるといった効果を有する。
As described above, the multitasking machine of the present invention has the effect of making it possible to grind the end face of an ingot and cut a thin substrate with a single machine.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第3図に、本発明の一実施例を示すもので
、第1図は本実施例の一部截断右側面図、第2図(a)
及び(b)は薄基板切断状態を示す側面図及び一部上面
図、第3図(a)及び(b)は端面研削状態を示す側面
図及び一部上面図である。第4図は本発明の加工機を実
施する薄基板製造方法の一実施例工程図、第5図は従来
の薄基板製造方法の一実施例工程図、第6図(a)、(
b)及び(C)は反り発生説明図である。 1・・・・・・基台、 10・・・・・・薄基板切断手段及び研削工具支持手段
、11・・・・・・軸受、12・・・・・・ブレード固
定枠、16・・・・・・ブレード、16・・・・・・砥
石等の研削工具、20・・・・・・インゴット支持手段
、21・・・・・・移動台。 22・・・・・・割出しスライド載置台、26・・・・
・・割出しスライド、24・・・・・・インゴット、2
4a、24b・・・・・・反り部分、27・・・・・・
薄基板、60・・・・・・薄基板保持搬送手段、61・
・・・・・真空チャンク、66・・・・・・薄基板搬送
部。 第4図 第5図 第6図 (a)
1 to 3 show an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a partially cutaway right side view of the embodiment, and FIG. 2(a)
3(b) is a side view and a partial top view showing a thin substrate cutting state, and FIGS. 3(a) and 3(b) are a side view and a partial top view showing an end face grinding state. FIG. 4 is a process diagram of an embodiment of a thin substrate manufacturing method using the processing machine of the present invention, FIG. 5 is a process diagram of an embodiment of a conventional thin substrate manufacturing method, and FIGS.
b) and (C) are diagrams illustrating the occurrence of warpage. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Base, 10... Thin substrate cutting means and grinding tool support means, 11... Bearing, 12... Blade fixing frame, 16... ... Blade, 16 ... Grinding tool such as a grindstone, 20 ... Ingot support means, 21 ... Moving table. 22... Index slide mounting stand, 26...
... Index slide, 24 ... Ingot, 2
4a, 24b... warped portion, 27...
Thin substrate, 60...Thin substrate holding and conveying means, 61.
...Vacuum chunk, 66...Thin substrate transfer section. Figure 4 Figure 5 Figure 6 (a)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)インゴットの端面を平坦に研削し、その後インゴ
ットの端面側を薄片に切断する下記イ、ロ、ハ、の要件
を具備したことを特徴とする薄基板製造用の複合加工機
。 イ、前部にブレードを有し、筒状に形成したブレード固
定枠を回転自在に支承した支持部材とからなる薄基板切
断手段。 ロ、割り出しスライド載置部が、前記ブレード固定枠に
対向して位置し、かつ、前記ブレード固定枠に対し、半
径方向に移動する移動台と、インゴットを固定して、上
記割り出しスライド載置部に、前記ブレード固定枠に対
し、軸線方向に移動可能に載置された割り出しスライド
とからなるインゴット支持手段。 ハ、前記ブレード固定枠の前面の、前記移動台側に取り
付けられ、前記ブレードと共に回転可能に設けられた研
削工具からなる研削手段。
(1) A multi-tasking machine for manufacturing thin substrates, which is characterized by meeting the following requirements (a), (b), and (c): grinding the end face of an ingot flat and then cutting the end face side of the ingot into thin pieces. A thin substrate cutting means comprising a blade at the front and a support member rotatably supporting a cylindrical blade fixing frame. b. An indexing slide mounting section is located opposite to the blade fixing frame, and a movable table that moves in a radial direction with respect to the blade fixing frame, and fixing the ingot, the indexing slide mounting section and an ingot support means comprising an indexing slide mounted movably in the axial direction with respect to the blade fixing frame. C. Grinding means comprising a grinding tool attached to the movable table side on the front side of the blade fixing frame and rotatable together with the blade.
(2)インゴット支持手段の移動台が、上下動すること
を特徴とした特許請求の範囲第1項記載の薄基板製造用
の複合加工機。
(2) The multi-tasking machine for manufacturing thin substrates according to claim 1, wherein the movable stage of the ingot supporting means moves up and down.
JP10384686A 1986-05-08 1986-05-08 Combined machine for manufacturing thin substrate Pending JPS62264835A (en)

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