JPS62188135A - Color picture tube - Google Patents

Color picture tube

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JPS62188135A
JPS62188135A JP2784886A JP2784886A JPS62188135A JP S62188135 A JPS62188135 A JP S62188135A JP 2784886 A JP2784886 A JP 2784886A JP 2784886 A JP2784886 A JP 2784886A JP S62188135 A JPS62188135 A JP S62188135A
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electron
shadow mask
absorption layer
wall surface
picture tube
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JP2784886A
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Kinji Kida
木田 金治
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To hold down mislanding all over the effective faceplate, by forming an electron absorbing layer on the main surface of the electron gun side of the shadow mask of a color picture tube. CONSTITUTION:An electron absorbing layer 31 is formed on the center side wall surface 17a of a transmitting hole 27 of a shadow mask 17, and a part of the layer is located on the main surface 17b of the side of the shadow mask where electron beams collide. Thereby, when electron beams are deflection- scanned, the layer is negatively charged corresponding to the density of the electron beams. The negative electric charge on the center side wall surface of the transmitting hole 27 deflects an electron beam 15C as shown by the solid line 15a. Therefore, the landing spot 42a of an electron beam which is apt to move in a pipe axis 47 direction more than a prescribed landing spot 42 owing to a doming phenomenon is counterbalancely operated to return to the landing spot 42 again. Thus, even if the doming phenomenon is brought about, the mislanding of electron beams can be held down and reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、シt・ドウマスク型カラー受像管に係わり、
特にそのシャドウスフに関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a color picture tube of the dow mask type,
Especially regarding that shadow.

(従来の技術) 一般にシャドウマスクをカラー受像管は、受像管のフェ
ース部内面に形成された各色の発光領域を持つ蛍光スク
リーンと、多数の透孔を右し、曲面状の有効面を有する
シャドウマスクと、複数の電子ビームを発生する電子銃
とを備え、前記電子ビームを前記シャドウマスクの有効
面の透孔を通過させて前記蛍光スクリーンの決められた
発光領成上に電子ビームが射突するようにしてカラー画
像を表示するものである。このようなカラー受像管では
、そのIf4道上重上電子ビーム73以上がシャドウマ
スクに衝突してシャドウマスクを熱膨張させ、電子ビー
ムの発光fr1域へのランディング位置がずれて色純度
劣化を起すことがあり、このようないわゆるドーミング
現象によるミスランディングを抑えるために種々の提案
が成されている。例えば、特開昭60−54139号公
報にはシャドウマスクの主表面にセラミック層を形成し
てシャドウマスクに残留引張り応力を掛でシャドウマス
クのドーミングを抑え、また、熱伝導率の低減によりシ
ャドウマスクそのものの温度上昇を抑えるものが、また
特公昭57−1882/1号公報には電子ビームが射突
する蛍光スクリーンの表面の非発光領域に対応して低い
導電率の電子吸収層を形成し、電子吸収層を負に帯電さ
せて静電的に電子ビームの軌道を修正するものがある。
(Prior Art) In general, a color picture tube with a shadow mask consists of a fluorescent screen with light-emitting areas of each color formed on the inner surface of the face of the picture tube, and a shadow mask having a curved effective surface with a large number of through holes. a mask and an electron gun that generates a plurality of electron beams, the electron beam is made to pass through a hole in the effective surface of the shadow mask so that the electron beam impinges on a predetermined light emitting area of the fluorescent screen. Color images are displayed in this way. In such a color picture tube, the If4 Michigami Shigegami electron beam 73 or more collides with the shadow mask, thermally expanding the shadow mask, and the landing position of the electron beam in the emission fr1 region shifts, causing deterioration of color purity. Various proposals have been made to suppress such mislandings caused by the so-called doming phenomenon. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-54139 discloses that a ceramic layer is formed on the main surface of the shadow mask to apply residual tensile stress to the shadow mask to suppress doming of the shadow mask, and to reduce the thermal conductivity of the shadow mask. In Japanese Patent Publication No. 57-1882/1, an electron absorbing layer of low conductivity is formed corresponding to the non-emissive area on the surface of the fluorescent screen where the electron beam strikes. Some devices charge the electron absorption layer negatively to electrostatically correct the trajectory of the electron beam.

しかしながらシャドウマスク主表面にセラミック層を形
成するだけではミスランディングの抑制という意味では
未だ不十分である。一方、蛍光スクリーンの非発光領域
に電子吸収層を形成するものは第一にドーミング現象に
よるランディング後に負帯電ににる減速電界が作用し始
めるので時間の遅れを伴なうこと、第二に電子吸収層の
負帯電部分はミスランディングを生じた部分のみで、減
速電界としては小面積で不十分であること、第三に動作
初期のドーミングによるミスランディングに対しては有
効でないこと、第四に形成方法は作業的にも精度的にも
日産に不向きという問題がある。
However, simply forming a ceramic layer on the main surface of the shadow mask is still insufficient in terms of suppressing mislanding. On the other hand, in the case of forming an electron absorption layer in the non-emissive area of a fluorescent screen, the first problem is that after landing due to the doming phenomenon, a decelerating electric field that becomes negatively charged begins to act, resulting in a time delay; The negatively charged part of the absorption layer is only the part where mislanding occurred, and its small area is insufficient as a deceleration electric field.Thirdly, it is not effective against mislanding due to doming in the early stage of operation.Fourthly, The problem is that the forming method is not suitable for Nissan in terms of work and precision.

(発明が解決しようとする問題点) このようにシャドウマスクの主表面あるいは蛍光スクリ
ーンの非発光領域にセラミック層あるいは電子吸収層を
付けるだけでは、ドーミングによるミスランディングに
即座に対応して色ずれを修正できない、あるいは修正作
用を及ばず部分が小さ過ぎるなどの理由で十分にミスラ
ンディングを修正できない問題がある。 本発明は動作
初期も含めて有効画面全面にわたって充分にミスランデ
インクを抑制することを目的とするものである。
(Problems to be Solved by the Invention) In this way, simply adding a ceramic layer or an electron absorption layer to the main surface of the shadow mask or the non-emissive area of the fluorescent screen will immediately respond to mislanding due to doming and prevent color shift. There is a problem in which the mislanding cannot be sufficiently corrected because it cannot be corrected or the portion is too small to be affected by the corrective action. An object of the present invention is to sufficiently suppress mislandish ink over the entire effective screen including the initial stage of operation.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は上記問題を解決するために成されたもので、蛍
光スクリーンとこの蛍光スクリーンに近接して配置され
たシャドウマスクと、このシャドウマスクの透孔を通過
してスクリーン上の蛍光体を選択的に発光させる電子ビ
ームを射出する電子銃とを少なくとも具備するカラー受
像管であって、少なくともシャドウマスクの透孔のシャ
ドウマスクの中心側の壁面に電子流密度に応じて帯電し
、電子ビームを偏向する電子吸収層を有するものである
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention has been made to solve the above problems, and includes a fluorescent screen, a shadow mask disposed close to the fluorescent screen, and a shadow mask disposed near the fluorescent screen. A color picture tube comprising at least an electron gun that emits an electron beam that passes through a hole in the mask and causes a phosphor on a screen to selectively emit light, the color picture tube including at least the center side of the shadow mask of the hole in the shadow mask. It has an electron absorption layer on the wall surface that is charged according to the electron flow density and deflects the electron beam.

電子吸収層はシャドウマスクの電子銃側の主表面に形成
することができる。  ゛ 透孔のシャドウマスクの中心側の壁面と対向している壁
面に形成することもできる。その場合、中心側と対向す
る壁面の電子吸収層の最大厚さは、中心側の壁面に形成
された電子吸収層の最大厚さの175以下とすることが
望ましい。
The electron absorption layer can be formed on the main surface of the shadow mask on the electron gun side. It can also be formed on the wall surface of the through-hole that is opposite to the wall surface on the center side of the shadow mask. In that case, it is desirable that the maximum thickness of the electron absorption layer on the wall surface facing the center side be 175 mm or less of the maximum thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side.

また、電子銃側の電子吸収層の主表面には実質的に電子
を透過させる低導W:AF3を設けることができる。
Furthermore, low conductivity W:AF3 that substantially transmits electrons can be provided on the main surface of the electron absorption layer on the electron gun side.

(作用) シャドウマスク透孔のシャドウマスク中心側の壁面(以
下中心側壁面という)に形成された電子吸収層に電子ビ
ームが射突すると、この電子吸収層が電子流密度に対応
した強さで負に帯電し、透孔を通過する時の電子ビーム
がこの負帯電部分と反発してこの部分から遠ざかる方向
すなわちマスク中心側から遠ざかるように軌道を修正し
、電子流密度に対応して起きるドーミング現象により蛍
光スクリーン上の所定のランディング地点より管軸方向
にずれようとする電子ビームのランディング地点を、元
の正確なランディング地点に戻ずように相殺的に作用す
る。
(Function) When an electron beam impinges on the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side of the shadow mask (hereinafter referred to as the "center side wall surface") of the shadow mask through hole, this electron absorption layer has a strength corresponding to the electron flow density. The electron beam that is negatively charged and passes through the hole is repelled by this negatively charged part and corrects its trajectory so that it moves away from this part, that is, away from the center of the mask, and doming occurs in response to the electron flow density. Due to this phenomenon, the landing point of the electron beam, which tends to deviate from a predetermined landing point on the fluorescent screen in the direction of the tube axis, acts in a countervailing manner so that it does not return to the original accurate landing point.

(実施例) 以下、本発明の一実施例につぎ、詳細に説明する。(Example) Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail.

第4図は、本発明によるカラー受@管の縦断面を示すも
のである。この第4図から明らかなように、前面部の外
形が実質的に矩形状のパネル(10)と、漏斗状のファ
ンネル(12)及びネック(13)から真空外囲器が構
成されている。そしてパネル(10)の内面には赤、緑
及び青色に夫々発光するストライプ状の蛍光体層からな
る蛍光スクリーン(14)が被着形成されており、ネッ
ク(13)にはパネル(1G)の水平軸に沿って一列に
配列され、赤、緑及び青に対応する3本の電子ビーム(
15)を射出するいわゆるインライン型電子銃(16)
が配設されている。
FIG. 4 shows a longitudinal section of a collar receiver tube according to the present invention. As is clear from FIG. 4, the vacuum envelope is composed of a panel (10) whose front portion has a substantially rectangular outer shape, a funnel-shaped funnel (12), and a neck (13). A fluorescent screen (14) consisting of a striped phosphor layer that emits red, green, and blue light is adhered to the inner surface of the panel (10), and the neck (13) of the panel (1G). Three electron beams arranged in a line along the horizontal axis and corresponding to red, green and blue (
A so-called in-line electron gun (16) that emits 15)
is installed.

また、蛍光スクリーン(14)に近接対向する位置には
、多数のスリット状の透孔が垂直方向に配列され、この
垂直配列が水平方向に多数配列された曲面状の右動面を
有するシャドウマスク(17)がマスクフレーム(18
)によって支持固定されている。さらにマスクフレーム
(18)は弾性部材(19)を介してパネル(10)の
直立端部内壁に埋め込まれたスタッドピン(20)で係
止されることにより、パネル内に支持されている。3本
のインライン配列の電子ビーム(15)は、ファンネル
(12)の外部の偏向装置(22)によって偏向され、
矩形状のパネル(10)に対応する矩形の範囲を走査し
、かつシャドウマスク(17)の透孔を通ることにより
選択されてストライプ状蛍光体層にランディングし、カ
ラー映像を再現させるようになっている。また、電子ビ
ームは地磁気等の外部磁界の影響を受(ブストライプ状
蛍光体層に正確にランディングしない場合があり、再現
映像の色純度が劣化するのを防止するためファンネル(
12)内部に強磁性体金属板よりなる磁気遮蔽体(21
)がフレーム(18)を介して係止されている。
Further, in a position close to and facing the fluorescent screen (14), a large number of slit-shaped through holes are arranged in the vertical direction, and a large number of the vertical arrangements are arranged in the horizontal direction. (17) is the mask frame (18
) is supported and fixed. Furthermore, the mask frame (18) is supported within the panel by being engaged with stud pins (20) embedded in the inner wall of the upright end of the panel (10) via elastic members (19). The three in-line array electron beams (15) are deflected by a deflection device (22) external to the funnel (12);
By scanning a rectangular area corresponding to a rectangular panel (10) and passing through a hole in a shadow mask (17), the selected light beam lands on a striped phosphor layer to reproduce a color image. ing. In addition, the electron beam is affected by external magnetic fields such as the earth's magnetism (it may not land accurately on the striped phosphor layer, and in order to prevent the color purity of the reproduced image from deteriorating, a funnel (
12) A magnetic shield (21) made of a ferromagnetic metal plate inside
) is locked through the frame (18).

蛍光スクリーン(14)に近接対向して配rQ’rJれ
るシャドウマスク(17)は、熱膨張係数が1.2X 
10’/℃と大きい鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延
鋼からなる厚さ0.IJllll” 0.371111
1の薄板から形成され、各透孔のシャドウマスクの中心
側壁面には第1図に示すように例えば酸化鉛(pbo 
)を約70重但%含む低導電性の結晶性鉛はう酸塩ガラ
スからなる電子吸収層(31)が高温加熱処理によって
封着接合されている。
The shadow mask (17) arranged close to and facing the fluorescent screen (14) has a coefficient of thermal expansion of 1.2X.
It is made of so-called cold-rolled steel whose main component is iron, which is as large as 10'/℃ and has a thickness of 0. IJllll” 0.371111
As shown in FIG. 1, for example, lead oxide (pbo
) is sealed and bonded by high-temperature heat treatment.

この電子吸収層は、以下のように形成される。This electron absorption layer is formed as follows.

パネル(10)とファンネル(12)とが封着される前
に、ニトロセルローズを数%溶かした酢酸ブチルアルコ
ール溶液で溶かされた結晶性鉛はう酸塩ガラスをシャド
ウマスク(17)の中心側壁面(17a)に塗布し、こ
の結晶性鉛はうWa@ガラスを塗布したシャドウマスク
(17)をパネル(10)内に装着する。その後、パネ
ル(10)とファンネル(12)を所定の枠台に載せて
、最高温度が約400℃でその保持時間が35分以上あ
る炉を通過させて鉛はう酸塩ガラスを結晶化させること
により、導電率が約1o −12Ω−1゜1o−1の低
導電率の鉛はう酸塩ガラス層をシャドウマスク(17)
の透孔(27)の中心側壁面(17a)に形成する。こ
のガラス層の塗布方法としては、例えば通常のエッヂン
グ手段により多数の透孔を形成し、プレス成形した後、
スプレー塗布により形成することができ、その際にスプ
レーノズルをシャドウマスクの周辺側から中央側に向C
プるよう斜めにしてシャドウマスクの周辺側にノズルを
固定し、スプレー塗布すれば透孔の中心側壁面に電子吸
収層を形成することができる。
Before the panel (10) and funnel (12) are sealed together, crystalline lead borate glass dissolved in acetic butyl alcohol solution containing several percent nitrocellulose is applied to the center side of the shadow mask (17). A shadow mask (17) coated with this crystalline lead-covered Wa@glass is mounted inside the panel (10). After that, the panel (10) and the funnel (12) are placed on a predetermined frame and passed through a furnace with a maximum temperature of about 400°C and a holding time of 35 minutes or more to crystallize the lead borate glass. By shadow masking a low conductivity lead borate glass layer with a conductivity of approximately 1o-12Ω-1°1o-1 (17)
It is formed in the center side wall surface (17a) of the through hole (27). The method for applying this glass layer is, for example, by forming a large number of through holes using ordinary etching means, press-molding, and then
It can be formed by spray coating, at which time the spray nozzle is moved from the periphery to the center of the shadow mask.
By fixing the nozzle on the peripheral side of the shadow mask at an angle so as to tilt the mask and spraying it, an electron absorption layer can be formed on the wall surface on the center side of the through hole.

このような構成によるカラー受像管を動作させた場合の
シャドウマスクのドーミングによる電子ビームの軌道の
変化について第1図及び第3図をに於て、シャドウマス
ク(17)がドーミング現象を生じていない状態での電
子ビーム(15)は蛍光スクリーン(14)の所定位置
(42)にランディングするように構成されている。こ
こで、仮にシャドウマスク(17)に入射する電子ビー
ム密度が増大し、シャドウマスク(17)が加熱されド
ーミング現象を生じた場合、即ちシャドウマスク(17
)が加熱されて第3図の破線(17a)に示す位置に移
動すると、電子ビームの蛍光スクリーン(14)へのラ
ンディング地点は(42)から管軸(47)の方向の蛍
光スクリーンの位置(12a)へ移動す°る。即ち、本
来のランディング地点【42)へランディングすべき電
子ビームは、ドーミング現象によって管軸側の地点(4
2a)にミスランディングし、地点(42)と(42a
)のミスランディング世が各色発光蛍光体群の配列によ
るランディング余裕度の限界を越えると色純度の劣化を
生ずることになる。
Regarding changes in the trajectory of the electron beam due to doming of the shadow mask when operating a color picture tube with such a configuration, Figures 1 and 3 show that the shadow mask (17) does not cause any doming phenomenon. The electron beam (15) in this state is configured to land at a predetermined position (42) on the fluorescent screen (14). Here, if the electron beam density incident on the shadow mask (17) increases and the shadow mask (17) is heated and a doming phenomenon occurs, that is, the shadow mask (17)
) is heated and moves to the position shown by the dashed line (17a) in FIG. 3, the landing point of the electron beam on the fluorescent screen (14) is at the position ( Move to 12a). In other words, the electron beam that should land at the original landing point (42) lands at the point (42) on the tube axis side due to the doming phenomenon.
2a), and landed at points (42) and (42a).
) exceeds the limit of the landing margin due to the arrangement of the light emitting phosphor groups of each color, deterioration of color purity occurs.

ここで本発明の場合第1図に示すように、シャドウマス
クの透孔の中心側壁面(17a)にガラス層即ち電子吸
収層(31)が形成され、その一部がシャドウマスクの
電子ビームがQ=I突する側の主表面(17b)にある
ので電子ビームを偏向走査した場合、電子流密度(応じ
て負に帯電することになるにのことは、この電子吸収層
が電子の侵入する平均深さ程度またはそれ以上の厚さ、
本実施例では約10IJInを有すると共に、−次電子
エネルギー、通常は10keV乃至30keVに対し二
次電子放出係数を有していることを意味する。ぞして、
この負の帯電、特に透孔(27)の中心側壁面の表面に
帯電した負電荷は、ドーミングによって移動した電子ビ
ーム〔15c)を管軸(47)より遠ざける方向に軌道
を曲げて実線(15a)の如く偏向させる。
Here, in the case of the present invention, as shown in FIG. 1, a glass layer, that is, an electron absorption layer (31) is formed on the center side wall surface (17a) of the through hole of the shadow mask, and a part of it is exposed to the electron beam of the shadow mask. Since Q=I is located on the main surface (17b) on the impacting side, when the electron beam is deflected and scanned, the electron flow density (accordingly, it becomes negatively charged) is that this electron absorption layer is negatively charged due to the penetration of electrons. Thickness about average depth or more,
In this example, it has approximately 10 IJIn, which means that it has a secondary electron emission coefficient with respect to negative electron energy, usually 10 keV to 30 keV. Then,
This negative charge, especially the negative charge charged on the surface of the center side wall surface of the through hole (27), bends the trajectory of the electron beam [15c] moved by doming in a direction away from the tube axis (47), and bends the trajectory of the electron beam [15c] as shown by the solid line (15a). ).

従って、ドーミング現象にJ:り所定のランディング地
点(42)より管軸(47)方向に移動しようとする電
子ビームのランディング地点(42a)を再び元のラン
ディング地点(42)に戻すように相殺的に作用するこ
ととなり、ドーミング現象が生じても電子ビームのミス
ランディングを抑制減少させることができる。このよう
に、電子吸収層(31)がシャドウマスクの透孔の中心
側壁面(17a)に形成されているので、ドーミング現
像を生じせしめるような大電流時には、そのシャドウマ
スク右効面各部の電子流密度に対応して負に帯電し、電
子吸収層の低熱伝導性を利用したドーミング抑制作用と
協調してより有効に作用する。また、電子吸収層には受
像管が動作している限り常に電子ビームおよびスクリー
ン面等からの二次電子が射突しているので、従来の例え
ば特公昭57−18824号公報に示されているような
スクリーンの非発光領域に電子吸収層を形成したものに
比べてその作用面積は非常に大きく、また抑制作用の生
ずる時間的遅れは殆どない。
Therefore, due to the doming phenomenon, the landing point (42a) of the electron beam that is about to move from a predetermined landing point (42) in the direction of the tube axis (47) is offset to return to the original landing point (42) again. Therefore, even if a doming phenomenon occurs, mislanding of the electron beam can be suppressed and reduced. In this way, since the electron absorption layer (31) is formed on the center side wall surface (17a) of the through hole of the shadow mask, when a large current that causes doming development occurs, electrons in various parts of the right effect surface of the shadow mask are absorbed. It is negatively charged in accordance with the flow density, and works more effectively in cooperation with the doming suppressing action that utilizes the low thermal conductivity of the electron absorption layer. In addition, as long as the picture tube is in operation, the electron absorption layer is constantly bombarded by electron beams and secondary electrons from the screen surface, etc. Compared to a similar screen in which an electron absorption layer is formed in the non-emissive area, the effective area is much larger, and there is almost no time delay for the suppression effect to occur.

この電子吸収層による電子ビームの移動量の低減効果に
ついてみると、第2図に示す結果が得られた。すなわち
、第2図において、縦軸は透孔の中心側壁面に電子吸収
層がない場合の値を基準として電子ビームの移動量を相
対値で示し、横軸は中心側壁面の電子吸収層の厚さを示
しており、電子吸収層を塗布することにより電子ビーム
移動量を減少させることができることがわかる。本発明
者等の実験では21インチ管のシャドウマスク形カラー
受像管において、50〜100JjI11の厚さで電子
吸収層を塗布したが、いずれも従来のものに比ベドーミ
ング現象によるビーム移動量の60〜65%前後に抑え
ることができた。
Looking at the effect of reducing the amount of movement of the electron beam by this electron absorption layer, the results shown in FIG. 2 were obtained. That is, in FIG. 2, the vertical axis indicates the relative value of the movement of the electron beam based on the value when there is no electron absorption layer on the center side wall of the through hole, and the horizontal axis indicates the relative value of the electron absorption layer on the center side wall. It can be seen that the amount of electron beam movement can be reduced by coating the electron absorption layer. In experiments conducted by the present inventors, an electron absorption layer was applied to a 21-inch shadow mask type color picture tube with a thickness of 50 to 100JjI11, but in both cases, the amount of beam movement due to the bedoming phenomenon was 60 to 100% compared to the conventional one. We were able to keep it down to around 65%.

ここで重要なことはシャドウマスク(17)の透孔(2
7)のマスク中心側と相対向する壁面(17C)  (
以下反対側壁面という)には電子吸収層を設しプないよ
うにすることである。仮に反対側壁面(17C)にも電
子吸収層が形成され上述した様に負に帯電したとすると
、シャドウマスクの透孔(27)の中央を通過する電子
ビーム(15C)は透孔(27)の領域内ではシャドウ
マスクに対する電子ビームの入射角との関係により、中
心側壁面(17a)に形成される電子吸収層(31)よ
りも反対側壁面(17c)に形成される電子吸収層の影
響を多く受Cプるこになる。そのため、中心側壁面(1
7a)に形成された電子吸収層(31)に帯電した負電
荷による電子ビームの軌道修正効果を打ち消したり、ミ
スランデインクを助長したりすることになる。ざらに、
反対側壁面に電子吸収層があると、電子ビームの入射角
との関係によりその電子吸収層によって電子ビームが蹴
られ、蛍光スクリーンに投影されるビームが初期の目的
としているサイズ、形状でないものとなってしまう。
The important thing here is that the through hole (2) of the shadow mask (17)
7) The wall facing the center side of the mask (17C) (
The electron absorption layer should not be provided on the opposite side wall surface (hereinafter referred to as the opposite side wall surface). Assuming that an electron absorption layer is also formed on the opposite wall surface (17C) and is negatively charged as described above, the electron beam (15C) passing through the center of the through hole (27) of the shadow mask will pass through the through hole (27). In the area of , the influence of the electron absorption layer formed on the opposite side wall surface (17c) is greater than that of the electron absorption layer (31) formed on the center side wall surface (17a) due to the relationship with the incident angle of the electron beam with respect to the shadow mask. I will receive a lot of C. Therefore, the center side wall surface (1
This will cancel out the orbit correction effect of the electron beam due to the negative charge charged on the electron absorption layer (31) formed in 7a), or promote misland ink. Roughly,
If there is an electron absorption layer on the opposite wall surface, the electron absorption layer kicks the electron beam due to the relationship with the incident angle of the electron beam, and the beam projected onto the fluorescent screen may not be of the originally intended size or shape. turn into.

次に他の実施例につき第5図を用いて説明する。Next, another embodiment will be explained using FIG. 5.

第5図に示すように、シャドウマスク(17)の電子銃
側の主面にも電子吸収層(31)を塗布すると、この層
は熱伝導性が低いので、ざらにドーミング現象を押える
効果および即応性に浸れている。この実施例においても
上述の実施例と同様にドーミング現象によるミスランデ
ィングを抑制する効果がおる。さらに、他の実施例を第
6図を用いて説明する(図中符号は第1図および第5図
の符号と同一部分を示す)。すなわち、電子吸収層(3
1)は酸化鉛(Pbo)を約75重ω%含む鉛はう酸塩
ガラスからなり、導電率が約10−14Ω−1・m−1
とほとんど絶縁体的性質を帯びシャドマスクの透孔(2
7)の中心側壁面(17a)とシVドマスクの電子銃側
の主表面(17b)に形成され、これらは連続した層と
なっている。さらに、′電子銃側主表面(17b)に形
成される電子吸収層(31)の表面には、例えばバリウ
ムを主体とする被覆層(45)が形成されている。この
バリウムを主体とする被覆層は実質的に電子を透過する
低導電層として、例えばゲッターの被膜を用いることが
できる。このゲッター被膜は゛、例えばBaとA1の金
属化合物とNiの重但比が約1:1の分散制ゲッターを
充填したボートをシャドウマスクと対向するように配置
して、排気後に高周波加熱することにより形成すること
ができる。ここで、このゲッター被膜はカラー受像管内
で発生してガスを吸着する性質を右していることは言う
までもない。このような構成のカラー受像管を動作させ
た場合、前述の実施例と同様の効果が得られた。
As shown in FIG. 5, if an electron absorption layer (31) is also applied to the main surface of the shadow mask (17) on the electron gun side, this layer has low thermal conductivity, so it has the effect of roughly suppressing the doming phenomenon. Immersed in responsiveness. This embodiment also has the effect of suppressing mislanding due to the doming phenomenon, similar to the above-mentioned embodiments. Furthermore, another embodiment will be described using FIG. 6 (numerals in the figure indicate the same parts as those in FIGS. 1 and 5). That is, the electron absorption layer (3
1) is made of lead borate glass containing approximately 75w% lead oxide (Pbo), and has an electrical conductivity of approximately 10-14Ω-1 m-1.
The holes in the shadow mask (2) have almost insulating properties.
7) and the main surface (17b) of the side V mask on the electron gun side, and these form a continuous layer. Further, a coating layer (45) mainly made of barium, for example, is formed on the surface of the electron absorption layer (31) formed on the electron gun side main surface (17b). This coating layer mainly composed of barium can be a low conductivity layer that substantially transmits electrons, for example, a getter coating. This getter film is produced by placing a boat filled with a dispersion control getter, for example, a metal compound of Ba and A1 and Ni in a weight ratio of about 1:1, so as to face the shadow mask, and heating it with high frequency after exhausting the boat. can be formed. It goes without saying that this getter film has the property of adsorbing gas generated within the color picture tube. When the color picture tube having such a configuration was operated, the same effects as in the above-mentioned embodiments were obtained.

ところで、上述の実施例では反対側壁面(17c)には
電子吸収層が存在しないのが好ましいの述べたが、製造
上まったく存在しないようにするのは非常に困難である
。しかし、本発明者等の実験結果では、マスク中心側の
壁面に形成される電子吸収層の175以下であれば、負
帯電による偏向効果あるいはその他の問題に対して影響
ないことが確認された。例えば21型カラー受像管にお
いて第7図に示すように、中心側壁面(17a)には厚
さ50即の電子吸収層(31a)を反対側壁面(17c
)には厚さ10tmの電子吸収層(31b)塗布した場
合電子ビーム移動量は許容範囲内に納まることが確認さ
れた。
By the way, in the above-mentioned embodiment, it was stated that it is preferable that no electron absorption layer exists on the opposite side wall surface (17c), but it is very difficult to eliminate it at all in terms of manufacturing. However, according to the experimental results of the present inventors, it was confirmed that if the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side of the mask is 175 or less, there is no influence on the deflection effect due to negative charging or other problems. For example, in a 21-inch color picture tube, as shown in FIG.
), it was confirmed that when an electron absorption layer (31b) with a thickness of 10 tm was applied, the amount of electron beam movement was within the permissible range.

この反対側壁面の電子吸収層の厚さの変化と電子ビーム
移動量についてみると、第8図示す結果が得られた。す
なわち、第8図において、縦軸は反対側壁面の電子吸収
層(31b)の厚さが中心側壁面の電子吸収層(31b
)の厚さの175のときの値を基準として電子ビームの
移動量を相対値で示し、横軸には中心側壁面の電子吸収
e (A>と反対側壁面の電子吸収層(B)の厚さの比
B/Aを示し、反対側電子吸収層の厚さが中心側の電子
吸収層の約175よりも小さければ電子ビーム移動量が
少ないことが判明した。また、このような電子吸収層(
31)は、例えば局部的に高い電子流密度が消失した場
合、電子吸収層(31)に帯電していた負の電荷がドー
ミングの消失の変化に対応して減少してGXなければな
らない。即ち、電子吸収層の導電率が良いと負帯電現象
が充分に作用せず、逆に悪いと絶縁物に近く負帯電現象
が所定の時間内に解消されず逆にミスランディングを助
長することになる。
Looking at the change in the thickness of the electron absorption layer on the opposite wall surface and the amount of electron beam movement, the results shown in FIG. 8 were obtained. That is, in FIG. 8, the vertical axis indicates that the thickness of the electron absorption layer (31b) on the opposite side wall is the thickness of the electron absorption layer (31b) on the center side wall.
) The amount of movement of the electron beam is shown as a relative value based on the value when the thickness is 175. It was found that the amount of electron beam movement is small if the thickness of the opposite side electron absorption layer is smaller than about 175 mm of the center side electron absorption layer. layer(
31), for example, when a locally high electron current density disappears, the negative charge charged on the electron absorption layer (31) must decrease in response to the change in the disappearance of doming and become GX. In other words, if the conductivity of the electron absorption layer is good, the negative charging phenomenon will not work sufficiently, and if it is bad, the electron absorption layer will be close to an insulator and the negative charging phenomenon will not be resolved within a predetermined period of time, thereby promoting mislanding. Become.

本発明の第1、第2の実施例のように、電子吸収層が設
けられている場合は、この電子吸収層を、一方、第3の
実施例のように電子吸収層の表面に実質的に電子ビーム
を透過させ得る低導電層(45)が設けられている場合
は、この低導電層(45)の導電率を変化させることに
Jこり、この現象を抑制することができる。例えば、本
発明者等の実験によると、前述の本発明の第3の実施例
による21インチ型カラー受像管を動作させた場合のド
ーミングによる電子ビームの移動量を測定した結果、第
9図に示す結果が得られた。この第9図に於て、縦軸に
21インチ型カラー受像管で150mgのゲッターをシ
ャドウマスク中心に飛散させた時の値を基準として電子
ビームの移動量を相対値で示し、横軸にはシャドウマス
クの電子銃側に設けた鉛はう酸塩ガラス層の表面に形成
された1 cm当りのゲッター塗布量を示している。
When an electron absorption layer is provided as in the first and second embodiments of the present invention, this electron absorption layer is substantially covered with the surface of the electron absorption layer as in the third embodiment. If a low conductivity layer (45) through which an electron beam can pass is provided, this phenomenon can be suppressed by changing the conductivity of the low conductivity layer (45). For example, according to experiments conducted by the present inventors, the amount of movement of the electron beam due to doming when operating the 21-inch color picture tube according to the third embodiment of the present invention was measured, and the results are shown in FIG. The following results were obtained. In this Figure 9, the vertical axis shows the relative value of the movement of the electron beam based on the value when 150 mg of getter is scattered at the center of the shadow mask with a 21-inch color picture tube, and the horizontal axis shows the relative value. The amount of getter coated per 1 cm formed on the surface of the lead borate glass layer provided on the electron gun side of the shadow mask is shown.

測定条件として、陽極高電圧Eb= 26KV、陽極電
流1b=1100μ八で、画面再生パターンは第10図
に示すような部分白色パターンを用いた。第10図にお
いて斜線部は黒色すなわち非発光部である。
The measurement conditions were: anode high voltage Eb = 26 KV, anode current 1b = 1100 μ8, and a partial white pattern as shown in FIG. 10 was used as the screen reproduction pattern. In FIG. 10, the shaded area is black, that is, a non-light-emitting area.

また、*印は測定点を示している。この第9図から絶縁
物よりなる電子吸収層の表面に設【プられ実質的に電子
ビームを透過しうるバリウムを主体とする低導電層の厚
さを変化させることにより、電子吸収層(31)の表面
に一時的に帯電した電荷の密度を抑制でき、従6て、そ
の帯電によるドーミン抑制効果を最適に選択することが
可能となることが判る。そして、この低導電層かバリウ
ムを主体としてなる場合、その厚さが30人乃至300
0人にすれば、初期の目的が達成されることもIM認し
た。
In addition, *marks indicate measurement points. As shown in FIG. 9, the electron absorption layer (31 It can be seen that the density of charges temporarily charged on the surface of ) can be suppressed, and therefore, it is possible to optimally select the domin suppressing effect due to the charging. When this low conductivity layer is mainly made of barium, its thickness is 30 to 300 mm.
IM acknowledged that the initial objective would be achieved if the number of people was reduced to zero.

勿論、この電子透過性の低導電層は、他の金属、例えば
、アルミニウムを用いてもよいが、ゲラクー以外の金属
を用いる場合は、それを蒸着させる設備が新たに必要と
なるため、カラー受像管に不可欠なゲッター物質を用い
ることは口産的に非常に好適といえる。
Of course, other metals, such as aluminum, may be used for this electron-transparent, low-conductivity layer, but if a metal other than Gerakhu is used, additional equipment is required to deposit it, so color image reception is difficult. The use of getter substances, which are essential for tubes, can be said to be very suitable for oral production.

尚、本発明では、バインダーとして結晶性鉛はう酸塩ガ
ラスを示したが、これに限定されるものではなく、他の
バインダー例えば、ジルコニアのアルコキシド化合物、
例えばZr5i(OC411a)を用いても本発明の目
的は充分達成することができる。
In the present invention, crystalline lead borate glass is shown as a binder, but the present invention is not limited to this, and other binders such as zirconia alkoxide compounds,
For example, the object of the present invention can be fully achieved using Zr5i (OC411a).

[発明の効果] 以上のように、本発明によればカラー受像管の動作初期
はもちろん画面上における局部的なあるいは短時間の大
電流時でも画面全面にわたって充分に色ずれや色むら等
の色Ir!度劣化を防止することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, colors such as color shift and color unevenness can be sufficiently eliminated over the entire screen, not only during the initial operation of a color picture tube but also during localized or short-time large currents on the screen. Ir! degree deterioration can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す拡大簡略図、第2図は
電子吸収図の厚さとビーム移動量を示すグラフ、第3図
は本発明の一実施例によるカラー受像管の作用を説明す
るための模式図、第4図はカラー受像管の構成を示す概
略断面図、第5図は本発明による他の実施例を示ずシャ
ドウマスクの拡大簡略図、第6図は本発明による他の実
施例を示すシャドウマスクの拡大簡略図、第7図はさら
に他の実施例を示すシャドウマスクの拡大簡略図、第8
図は電子吸収層の厚さの変化による電子ビーム移動量を
グラフ、第9図はゲッター付@最と電子ビーム移111
fuを示すグラフ、第10図は測定時の画面パターンを
示す簡略図である。
FIG. 1 is an enlarged simplified diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing the thickness of an electron absorption diagram and the amount of beam movement, and FIG. 3 is a graph showing the operation of a color picture tube according to an embodiment of the present invention. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a color picture tube, FIG. 5 is an enlarged simplified view of a shadow mask without showing another embodiment according to the present invention, and FIG. 6 is a schematic diagram according to the present invention. FIG. 7 is an enlarged and simplified diagram of a shadow mask showing another embodiment. FIG. 8 is an enlarged and simplified diagram of a shadow mask showing another embodiment.
The figure is a graph of the amount of electron beam movement due to changes in the thickness of the electron absorption layer.
The graph showing fu, FIG. 10, is a simplified diagram showing the screen pattern at the time of measurement.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)蛍光スクリーンと、この蛍光スクリーンに近接し
て配置される多数の透孔の穿設されたシャドウマスクと
、このシャドウマスクを介して前記スクリーンの蛍光体
を選択発光せしめる電子ビームを射出する電子銃とを少
なくとも備えたカラー受像管において、前記シャドウマ
スクの少なくとも各透孔のシャドウスクの中心側の壁面
に電子流密度に応じて帯電し、電子ビームを偏向する電
子吸収層を有することを特徴とするカラー受像管。
(1) A fluorescent screen, a shadow mask with a large number of through holes arranged close to the fluorescent screen, and an electron beam that selectively causes the fluorescent material of the screen to emit light through the shadow mask. In the color picture tube equipped with at least an electron gun, the shadow mask may include an electron absorption layer on a wall surface of at least the center side of the shadow mask of each through hole, which is charged according to the electron flow density and deflects the electron beam. Features a color picture tube.
(2)電子吸収層がシャドウマスクの電子銃側の主面に
形成されている特許請求の範囲第1項記載のカラー受像
管。
(2) The color picture tube according to claim 1, wherein the electron absorption layer is formed on the main surface of the shadow mask on the electron gun side.
(3)透孔のシャドウマスクの中心側の壁面と対向する
壁面に電子吸収層を有する特許請求の範囲第2項記載の
カラー受像管。
(3) The color picture tube according to claim 2, further comprising an electron absorption layer on a wall surface opposite to the wall surface on the center side of the through-hole shadow mask.
(4)透孔のシャドウマスクの中心側の壁面と対向する
壁面に形成された電子吸収層の最大厚さが、前記中心側
の壁面に形成された電子吸収層の最大厚さの1/5以下
である特許請求の範囲第3項記載のカラー受像管。
(4) The maximum thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side of the through-hole shadow mask and the opposite wall surface is 1/5 of the maximum thickness of the electron absorption layer formed on the wall surface on the center side. A color picture tube according to claim 3, which is as follows.
(5)電子銃側の電子吸収層の表面に実質的に電子を透
過させる低導電層を有する特許請求の範囲第2項または
第3項記載のカラー受像管。
(5) A color picture tube according to claim 2 or 3, which has a low conductivity layer that substantially transmits electrons on the surface of the electron absorption layer on the electron gun side.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5368648A (en) * 1991-02-26 1994-11-29 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Sealing apparatus
US5533736A (en) * 1992-06-01 1996-07-09 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Thermal processing apparatus

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US5884917A (en) * 1992-06-01 1999-03-23 Tokyo Electron Tohoku Kabushiki Kaisha Thermal processing apparatus

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