JPS62127975A - Picture memory controller - Google Patents

Picture memory controller

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Publication number
JPS62127975A
JPS62127975A JP26858685A JP26858685A JPS62127975A JP S62127975 A JPS62127975 A JP S62127975A JP 26858685 A JP26858685 A JP 26858685A JP 26858685 A JP26858685 A JP 26858685A JP S62127975 A JPS62127975 A JP S62127975A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
address
row
column address
writing
Prior art date
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Pending
Application number
JP26858685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeki Kamimura
神村 茂樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Audio Video Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Audio Video Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP26858685A priority Critical patent/JPS62127975A/en
Publication of JPS62127975A publication Critical patent/JPS62127975A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To attain data write of plural picture elements at a high speed by updating m sets (m<=2<n>; n is a positive integer) of values taken by high-order n bits of column address data once in each data write cycle according to the page mode. CONSTITUTION:The m sets of values taken by the high-order n bits of the column address data are updated once at each data write cycle according to the page mode (m<=2<n>; n is a positive integer). The value of the most significant bit of the column address data is updated only once sequentially at each data write cycle to write drawn picture data by 2 lines, that is, by one row. That is, the data write at the page mode is executed by updating the most significant bit WA7 of the column address data WA0-WA7 from 0 to 1 at each data write cycle. Since the drawn data is written on plural picture elements at once, the data write speed is nearly doubled.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は画像メモリ制郊装置に係り、特に復数画素の
書込みを行う画像メモリ制雑装躍に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an image memory randomization device, and more particularly to an image memory randomization device for writing multiple pixels.

[発明の技術的背景] 一般に、1フレ一ム分の描画データを格納する画像メモ
リ(以下、フレームメモリと記す)で使用される画素に
は2つの種類がある。1つは、装置そのものがもつ最小
単位の1ドツトのことで、これは物理的な1画素(以下
、物理画素と記す)といわれる。他の1つは、上記物理
画素が縦横数ドツト集まったもので、これは論理的な1
画素(以下、論理画素と記す)といわれる。
[Technical Background of the Invention] Generally, there are two types of pixels used in an image memory (hereinafter referred to as a frame memory) that stores drawing data for one frame. One is one dot, which is the smallest unit of the device itself, and is called one physical pixel (hereinafter referred to as a physical pixel). The other one is a collection of several vertical and horizontal dots of the above physical pixels, which is a logical one.
It is called a pixel (hereinafter referred to as a logical pixel).

ここで、例えばビデオテックスシステムの縦方向(行方
向)の画素サイズに着目してみると、これは高密画面で
は、2物理画素サイズに一致し、標準画面では1物理画
素サイズに一致する。したがって、標準画面のデータ書
込みを行なう場合は、まず、各行の上位のラインに描画
データを書き込み、次に下位のラインに同じデータをよ
き込むという手順を踏まなければならない。この様子を
示すのが、第9図である。この第9図において、Vtは
行方向の物理画素サイズであり、y2は同じく物理画素
サイズの2倍の論理画素サイズである。標準画面のデー
タの書込みでは、上記論理画素サイズy2を行単位とし
て行アドレスが指定される。
For example, if we focus on the pixel size in the vertical direction (row direction) of the Videotex system, this corresponds to the size of 2 physical pixels on a high-density screen, and corresponds to the size of 1 physical pixel on a standard screen. Therefore, when writing data on a standard screen, it is necessary to first write drawing data to the upper line of each row, and then write the same data to the lower line. FIG. 9 shows this situation. In FIG. 9, Vt is the physical pixel size in the row direction, and y2 is the logical pixel size which is twice the physical pixel size. When writing data on the standard screen, a row address is specified using the logical pixel size y2 as a row unit.

なお、上記データ書込みは一般にマイクロプロセッサの
ソフトウェアによって行われる。
Note that the above data writing is generally performed by software of a microprocessor.

[背景技術の問題点] しかし、上記の如く、標準画面、高密画面兼用の装置に
おりる標準画面のデータ書込みを各ライン毎に行う構成
では、I準画面専用の装置におけるデータ書込みに比べ
、マイクロプロセッサのデータ書込み処理が2倍となる
。その結果、画像情報が高速で送られてくる場合、デー
タ書込み速度が情報伝送速度より遅れ、リアルタイムで
のデータ書込みが行えないという問題があった。
[Problems in the Background Art] However, as described above, in the configuration in which data is written for each line on a standard screen in a device that is used for both standard screens and high-density screens, compared to data writing in a device that is dedicated to I semi-screens, The data writing process of the microprocessor is doubled. As a result, when image information is sent at high speed, the data writing speed is slower than the information transmission speed, resulting in a problem that real-time data writing cannot be performed.

[発明の目的] この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、複
′数画素に対するデータ書込みを高速で行いう^メモリ
制御装置を提供することを目的とする。
[Object of the Invention] The present invention has been made in order to cope with the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a memory control device that can write data to a plurality of pixels at high speed.

[発明の概要] 上記目的を達成するためにこの発明は、列アドレスデー
タの上位nビットがとりうる値m  (m≦2”;nは
正の整数)個のを、ページモードに従って各データ書込
みサイクルに−通り更新することにより、各データ書込
みサイクルに行または列方向に関してはm画素を1行ま
たは1列単位で描画データを書き込むようにしたもので
ある。
[Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention writes each data in accordance with the page mode to m (m≦2''; n is a positive integer) values that the upper n bits of column address data can take. By updating once per cycle, drawing data is written for m pixels in units of rows or columns in each data write cycle in the row or column direction.

[発明の実施例コ 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
[Embodiment of the Invention] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図である
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.

この第1図において、11はフレームメモリである。こ
のフレームメモリ11は描画データを書込むためのI1
0ボートと、画像表示のために描画データを読み出すた
めのシリアルボートをもつデュアルポートメモリである
In FIG. 1, 11 is a frame memory. This frame memory 11 is I1 for writing drawing data.
It is a dual port memory with a 0 port and a serial port for reading drawing data for image display.

上記フレームメモリ11の画面上からみた表示構成を第
2図に示す。図示の如く、フレームメモリ11は列方向
(水平方向)、行方向く垂直方向)のいずれの方向にも
512ドツト分の物理画素をもつ。標準画面の論理画素
サイズは、行方向についてだけいえば、上記の如く2物
理画素サイズに相当し、これを1行として行アドレスの
指定がなされる。
The display configuration of the frame memory 11 viewed from above is shown in FIG. As shown in the figure, the frame memory 11 has 512 physical pixels in both the column direction (horizontal direction) and the row direction (vertical direction). In terms of the row direction, the logical pixel size of the standard screen corresponds to two physical pixel sizes as described above, and a row address is specified using this as one row.

また、フレームメモリ11は4ピツト構成であり、これ
が列方向の4ビツト分のパターンに対応するものとする
と、フレームメモリ11は1ライン当り、128の列ア
ドレスをもつ。したがって、標準画面では、フレームメ
モリ11は1行当り、256の列アドレスをもつ。
Further, the frame memory 11 has a 4-pit configuration, and assuming that this corresponds to a pattern of 4 bits in the column direction, the frame memory 11 has 128 column addresses per line. Therefore, on a standard screen, the frame memory 11 has 256 column addresses per row.

以上から第2図のフレームメモリ11では、行アドレス
、列アドレスのいずれも8ビツトのアドレスデータでア
クセスすることができる。
From the above, in the frame memory 11 of FIG. 2, both row addresses and column addresses can be accessed using 8-bit address data.

ここで、標準画面1行当りの列アドレスをみると、2ラ
イン目の各列アドレスは1ライン目の各列アドレスに1
28を加えた値となっている。したがって、各行の2ラ
イン目の列アドレスデータは1ライン目の列アドレスデ
ータの最上位ピッ1−を0から1に変換することにより
得ることができる。
Here, looking at the column addresses per row of the standard screen, each column address on the second line is equal to each column address on the first line.
The value is the sum of 28. Therefore, the column address data on the second line of each row can be obtained by converting the most significant bit 1- of the column address data on the first line from 0 to 1.

この実施例はこの点に看目し、各データ書込みサイクル
ごとに、列アドレスデータの最上位ビットの値を順次1
回だけ更新することにより、各データ書込みサイクルに
、2ライン分、つまり1イ1分の描画データを書込むよ
うにしたものである。
This embodiment focuses on this point, and in each data write cycle, the value of the most significant bit of the column address data is sequentially changed to 1.
By updating the data once, two lines of drawing data, that is, one minute of drawing data, are written in each data write cycle.

具体的には、最初に列アドレスデータの最上位ビットに
0を立て、1ライン目に描画データを書き込み、次に最
上位ビットに1を立て、2ライン目に描画データを書込
むという処理を、各データ書込みサイクルごとに繰り返
すようにしたものである。
Specifically, the most significant bit of the column address data is set to 0, the drawing data is written to the first line, the most significant bit is set to 1, and the drawing data is written to the second line. , is repeated for each data write cycle.

このようなデータ書込み処理は、フレームメモリ11と
してダイナミックRAMを用い、このメモリ11に対す
るアドレスデータの取込みにページモード方式を採用す
ることにより可能である。
Such data writing processing is possible by using a dynamic RAM as the frame memory 11 and by adopting a page mode method for taking in address data to this memory 11.

ここで、ページモード方式とは、ダイナミックRAMに
対し、行アドレスを一定にし、列アドレスを複数与える
ことにより、複数のデータのアクセスを行う方式である
Here, the page mode method is a method for accessing a plurality of pieces of data by keeping the row address constant and giving a plurality of column addresses to the dynamic RAM.

では、第1図に戻り、上述したようなデータ書込み処理
を具体的に説明する。第1図では、書込み用のアドレス
データは行アドレスデータW A a〜WAr s 、
列アドレスデータWAo=WA7のいずれもマイクロプ
ロセッサ12によって作られる。このマイクロプロセッ
サ12から出力される列アドレスデータWAa=WA7
の最上位ビットWA7は0に固定されており、その値の
切換えはオア回路13を使ってなされる。すなわち、オ
ア回路13には、上記最上位ビットWA7とデータ変換
信号ACHGが与えられている。この信号ACHGはタ
イミング発生回路14から与えられるもので、各データ
書込みサイクルの前半(1ライン目の書込み時)ではO
1後半(2ライン目の占込み時)では1となる。したが
って、オア回路13の出力は上記書込みサイクルの前半
で○、後半で1となり、これが列アドレスデータWAo
〜W A 7の最上位ビットWA7として使われる。
Now, returning to FIG. 1, the data writing process as described above will be specifically explained. In FIG. 1, address data for writing is row address data WAa to WArs,
Both column address data WAo=WA7 are generated by the microprocessor 12. Column address data WAa output from this microprocessor 12 = WA7
The most significant bit WA7 is fixed at 0, and its value is switched using the OR circuit 13. That is, the OR circuit 13 is supplied with the most significant bit WA7 and the data conversion signal ACHG. This signal ACHG is given from the timing generation circuit 14, and in the first half of each data write cycle (when writing the first line), the signal ACHG is
In the second half of the first half (at the time of fortune-telling on the second line), it becomes 1. Therefore, the output of the OR circuit 13 becomes ○ in the first half of the write cycle and 1 in the second half, and this is the column address data WAo.
~Used as the most significant bit WA7 of WA7.

ここで、上記タイミング発生回路14についてて説明す
ると、この回路14は、マイクロプロセッサ12からの
ライト信号WRと図示しない表示カウンタのカウント値
をデコードした基本クロックCPに従って1込み用のア
ドレスデータをメモリ11に取り込むための各種タイミ
ング信号を作る。また、このタイミング発生回路14は
、マイクロプロセッサ12から与えられる書込みモード
信号WMODに従って高密画面モードと標準画面モード
とで上記タイミング信号の内容を切り換える。すなわち
、前者モードでは、各データ書込みサイクルに行アドレ
スデータと列アドレスデータをそれぞれ1回取込む通常
のタイミングを作り、後者モードでは、列アドレスデー
タを複数回(この実施例では2回)取り込むページモー
ドタイミングを作る。
Here, to explain the timing generation circuit 14, this circuit 14 outputs address data for 1 to the memory 11 in accordance with a write signal WR from the microprocessor 12 and a basic clock CP obtained by decoding the count value of a display counter (not shown). Create various timing signals to be imported into the system. Further, this timing generation circuit 14 switches the contents of the timing signal between the high-density screen mode and the standard screen mode in accordance with the write mode signal WMOD given from the microprocessor 12. That is, in the former mode, the normal timing is created to capture row address data and column address data once each in each data write cycle, and in the latter mode, the page is created to capture column address data multiple times (twice in this example). Create mode timing.

ページモードにおける1回分のデータ書込みサイクルを
第3図に示す。この第3図に従って、標準画面用のデー
タ書込みを説明する。行アドレスデータWAa =WA
t s及び列アドレスデータW A o〜WA7はマイ
クロプロセッサ12からアドレスバス上に同時に出力さ
れるものであるが、これらはアドレスバッファ15.1
6を使って、タイミング発生回路14からのゲート信号
ROW17に与えられる。なお、アドレスバッファ16
から出力される列アドレスデータWAG〜WA7の最上
位ビットWA7はオア回路13から出力されたものであ
る。
FIG. 3 shows one data write cycle in page mode. Data writing for the standard screen will be explained with reference to FIG. Row address data WAa =WA
ts and column address data WAo to WA7 are simultaneously output from the microprocessor 12 onto the address bus, and these are stored in the address buffer 15.1.
6 is used to provide the gate signal ROW17 from the timing generation circuit 14. Note that the address buffer 16
The most significant bit WA7 of the column address data WAG-WA7 outputted from the OR circuit 13 is the most significant bit WA7.

アドレスセレクタ17は、標準画面や高密画面のための
データ書込み時は、アドレスバッファ15、1f3から
のアドレスデータを選択し、画像表示のためのデータ読
み出し時は、上記表示カウンタからの表示用のアドレス
データRAo〜RA7゜RAa〜RA+ sを選択し、
フレームメモリ11に与える。この制御は、上記表示カ
ウンタのカウント値をデコードした制御信号REFに従
ってなされる。
The address selector 17 selects address data from the address buffers 15 and 1f3 when writing data for a standard screen or high-density screen, and selects the display address from the display counter when reading data for image display. Select data RAo~RA7゜RAa~RA+s,
It is applied to the frame memory 11. This control is performed according to a control signal REF decoded from the count value of the display counter.

フレームメモリー1に与えられた1込み用アドレスデー
タWA口〜WA7.WA8〜WAt s は、タイミン
グ発生回路14から与えられる行1列アドレスストロー
ブ信号RASW、CASWに従ってメモリー1に取り込
まれる。これにより、アドレスデータWAo =WA7
.WAa 〜WAt sによって指定されるアドレスに
マイクロプロセッサ12から与えられる描画データDo
〜D3が古き込まれる。なお、この書込みのための書込
みパルスWはタイミング発生回路14から与えられる。
1-inclusive address data given to frame memory 1 WA-WA7. WA8 to WAts are taken into the memory 1 in accordance with row 1 column address strobe signals RASW and CASW applied from the timing generation circuit 14. As a result, address data WAo = WA7
.. Drawing data Do given from the microprocessor 12 to the address specified by WAa to WAts
~D3 is outdated. Note that the write pulse W for this write is given from the timing generation circuit 14.

列アドレスストローブ信号RASWは、第3図に示すよ
うに、列方向の1回の書込みサイクルに2回出力され、
その2度目の発生時に、データ変換信号ACHGが1と
なって、2ライン目に描画データが書き込まれるように
なっている。
As shown in FIG. 3, the column address strobe signal RASW is output twice in one write cycle in the column direction.
At the second occurrence, the data conversion signal ACHG becomes 1, and the drawing data is written to the second line.

なお、上記書込み用の行1列アドレスストローブ信号R
ASW、CASWは、ストローブ1g号セレクタ18に
より制御信号REFに従って、上記表示カウンタのカウ
ント値をデコードして得た読み出し用の行2列ストロー
ブ信QRASR,CASRと択一的にメモリ11に与え
られるようになっている。
Note that the above-mentioned write row 1 column address strobe signal R
ASW and CASW are supplied to the memory 11 by the strobe 1g selector 18 in accordance with the control signal REF as an alternative to the read row and 2 column strobe signals QRASR and CASR obtained by decoding the count value of the display counter. It has become.

高密画面のデータ書込みは、第4図に示すように、1回
のデータ書込みサイクルに列アドレスストローブ信号C
ASWを1回出力する通常の書込み処理によってなされ
る。この第4図におけるデータ書込みサイクルと先の第
3図におけるデータ書込みサイクルを比較すると、後者
は前者より若干長いが、これは、標準画面のデータ書込
み時、タイミング信号発生回路14からマイクロプロセ
ッサ12にウェイト信号WTを与えることにより実現し
ている。
Data writing for a high-density screen requires a column address strobe signal C in one data writing cycle, as shown in FIG.
This is done by normal write processing that outputs the ASW once. Comparing the data write cycle in FIG. 4 with the data write cycle in FIG. This is realized by applying a weight signal WT.

ここで、フレームメモリ11に対するデータ書込みとメ
モリ11からのデータ読出しとの関係を説明する。例え
ば、メモリ11を256にビット(64にワード×4ビ
ット)のメモリセルアレイからなるRAMボートと25
6ワード×4ビツトのデータレジスタからなるlシリア
ルポートを有するダイナミックRAMで構成する場合、
第5図に示すような64にワード×4ビットのメモリセ
ルアレイから256ワード×4ビツトのデータをデータ
レジスタに転送するデータ転送サイクルという動作によ
り、表示では、データ転送処理を2水平走査に1回行え
ばよい。したがって、1回データ転送処理を行うと、次
のデータ転送サイクルまでの時間をリフレッシュと書込
みに費やすことができる。表示期間と書込みサイクル期
間との関係を第6図に示すが、書込みサイクル期間は転
送サイクル期間とリフレッシュ期間以外の所であれば、
どこにでも設定することができる。このため、書込みサ
イクル期間の設定は非常に容易である。
Here, the relationship between writing data to frame memory 11 and reading data from memory 11 will be explained. For example, the memory 11 is a RAM boat consisting of a memory cell array of 256 bits (64 words x 4 bits) and 256 bits (64 words x 4 bits).
When configured with a dynamic RAM having a serial port consisting of a 6 word x 4 bit data register,
As shown in Fig. 5, the data transfer process is performed once every two horizontal scans by the data transfer cycle, which transfers 256 words x 4 bits of data from the 64 words x 4 bits memory cell array to the data register. Just go. Therefore, once data transfer processing is performed, the time until the next data transfer cycle can be spent on refreshing and writing. The relationship between the display period and the write cycle period is shown in FIG. 6. If the write cycle period is outside the transfer cycle period and the refresh period,
Can be set anywhere. Therefore, setting the write cycle period is very easy.

上記のようにして256ワード×4ビツトのデータレジ
スタに転送された描画データの読出しは、第7図に示す
ようなりロックSCに従って4ビツトパラレルに行われ
る。この読み出し出力は、ロードパルスLDに従ってパ
ラレル/シリアル変換回路1♀に取り込まれ、この回路
19より、表示用クロックCPに従って1ビツトずつシ
リアルに読み出される。
The drawing data transferred to the 256 word x 4 bit data register as described above is read out in 4 bits in parallel according to the lock SC as shown in FIG. This readout output is taken into the parallel/serial conversion circuit 1♦ in accordance with the load pulse LD, and serially read out bit by bit from this circuit 19 in accordance with the display clock CP.

なお、上記制御信@REFは、第6図に示すように、書
込みサイクル期間はOとなり、データ転送サイクル期間
及びリフレッシュサイクル期間は1となる。
Note that, as shown in FIG. 6, the control signal @REF is O during the write cycle period and 1 during the data transfer cycle period and the refresh cycle period.

以上詳述したようにこの実施例は、各データ書込みサイ
クルに、列アドレスデータW A a〜W A 7の最
上位ビットWA7を0→1と更新することにより、ペー
ジモードによるデータ書込みを行うようにしたものであ
る。
As detailed above, in this embodiment, in each data write cycle, the most significant bit WA7 of column address data W A a to W A 7 is updated from 0 to 1 to perform data writing in page mode. This is what I did.

したがって、この実施例によれば、1度に複数画素に描
画データを書込むことができるので、従来のデータ書込
み処理に比べ、データ書込み速度を約2倍にすることが
でき、画像情報の伝送速度が早くても、リアルタイムの
データ書込みを行うことができる。従来のデータ書込み
処理Aとこの実施例のデータ書込み処理Bとの比較を第
8図に示す。
Therefore, according to this embodiment, since drawing data can be written to multiple pixels at once, the data writing speed can be approximately doubled compared to conventional data writing processing, and image information can be transmitted. Even at high speeds, real-time data writing can be performed. FIG. 8 shows a comparison between the conventional data write process A and the data write process B of this embodiment.

またこの実施例では、マイクロプロセッサ12は1ライ
ン目の列アドレスデータW A a〜W A 7だけを
出力すればよく、2ライン目の列アドレスデータW A
 o〜WA7はオア回路13とタイミング発生回路14
によって自動的に作られるので、従来に比べ、マイクロ
プロセッサ12におけるデータ書き込み処理を半分にす
ることができる。
Further, in this embodiment, the microprocessor 12 only needs to output the column address data W A a to W A 7 of the first line, and the column address data W A of the second line.
o~WA7 is OR circuit 13 and timing generation circuit 14
Since the data is automatically created by the microprocessor 12, the data writing process in the microprocessor 12 can be halved compared to the conventional method.

なお、以上の説明では、フレームメモリ11としてデー
タレジスタ内蔵のメモリを説明したが、各データ書込み
サイクルにおけるページモードのアクセスタイムだけ表
示用の描画データを格納できるレジスタをメモリに接続
するようにしてもよい。
In the above explanation, a memory with a built-in data register has been described as the frame memory 11, but it is also possible to connect a register to the memory that can store drawing data for display only during the page mode access time in each data write cycle. good.

また、列アドレスデータの更新はオア回路13ではなく
、エクスクル−シブオア回路によって行ってもよい。
Further, the column address data may be updated by an exclusive OR circuit instead of the OR circuit 13.

また、この発明は2ラインを1行とするデータ書込みだ
けでなく、一般には、2n ライン(nは正の整yil
)を1行とするデータ書込みに適用できる。この場合、
列アドレスデータの更新はその上位nビットに関して行
えばよい、、但し、列アドレスのデータ更新を2n の
途中で停止し、m  (m≦2n)ラインを1行として
もよいことは勿論である。
Furthermore, this invention is applicable not only to data writing using two lines as one line, but also to data writing in general to 2n lines (n is a positive integer yil).
) can be applied to data writing in one line. in this case,
Column address data may be updated with respect to the upper n bits thereof. However, it is of course possible to stop updating column address data in the middle of 2n and make m (m≦2n) lines one row.

さらにまた、元の実施例では、行方向の複数ラインをま
とめて1行としたが、表示画面とメモリとの対応関係を
変更することによって、列方向の複数画素をまとめて1
列としてもよい。
Furthermore, in the original embodiment, multiple lines in the row direction were combined into one line, but by changing the correspondence between the display screen and memory, multiple pixels in the column direction were combined into one line.
May be used as a column.

[発明の効果] この発明によれば、各データ書込みサイクルに1度に複
数画素に描画データを工き込むことができるので、デー
タ書込み能力を大幅に向上させることができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, drawing data can be written into a plurality of pixels at once in each data writing cycle, so data writing ability can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図、第2
図は一実施例のメモリ構成を示す図、第3図、第4図は
一実施例の動作を説明するためのタイミングチャート、
第5図は第1図の画像表示を説明するための図、第6図
乃至第8図は一実施例の動作を説明するためのタイミン
グチャート、第9図は従来のデータ読出しを説明するた
めの図である。 11・・・フレームメモリ、12・・・マイクロプロセ
ッサ、13・・・オア回路、14・・・タイミング発生
回路、15.16・・・アドレスバッファ、17川アド
レスセレクタ、18・・・ストローブ信号セレクタ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure shows a memory configuration of one embodiment, and FIGS. 3 and 4 are timing charts for explaining the operation of one embodiment.
FIG. 5 is a diagram for explaining the image display of FIG. 1, FIGS. 6 to 8 are timing charts for explaining the operation of one embodiment, and FIG. 9 is for explaining conventional data reading. This is a diagram. 11... Frame memory, 12... Microprocessor, 13... OR circuit, 14... Timing generation circuit, 15.16... Address buffer, 17 Address selector, 18... Strobe signal selector . Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue

Claims (1)

【特許請求の範囲】 行または列方向のm(m≦2^n;nは正の整数)物理
画素分を行または列単位として行アドレスが指定される
とともに、ページモードで描画データを書き込み可能な
画像メモリと、 この画像メモリの行アドレスを指定するアドレスデータ
を発生する行アドレス発生手段と、上記画像メモリの列
アドレスを指定するアドレスデータを発生するものであ
って、このアドレスデータの上位nビットがとりうるm
個の値を上記ページモードに従つて各データ書込みサイ
クルに1回更新する列アドレス発生手段と、 上記行アドレス発生手段から出力されるアドレスデータ
と上記列アドレス発生手段から出力されるアドレスデー
タを上記ページモードに従つて上記画像メモリに取り込
み、各データ書込みサイクルに行または列方向に関して
行または列単位で描画データを書き込むデータ書込み手
段とを具備した画像メモリ制御装置。
[Claims] A row address is specified in units of rows or columns of m (m≦2^n; n is a positive integer) physical pixels in the row or column direction, and drawing data can be written in page mode. an image memory, a row address generating means for generating address data specifying a row address of the image memory, and a means for generating address data specifying a column address of the image memory, the top n of the address data being m that the bit can take
column address generation means for updating the value of 1 once in each data write cycle according to the page mode; An image memory control device comprising: data writing means for loading data into the image memory according to a page mode and writing drawing data in units of rows or columns in the row or column direction in each data writing cycle.
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