JPS61145584A - Active matrix array - Google Patents

Active matrix array

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JPS61145584A
JPS61145584A JP59269051A JP26905184A JPS61145584A JP S61145584 A JPS61145584 A JP S61145584A JP 59269051 A JP59269051 A JP 59269051A JP 26905184 A JP26905184 A JP 26905184A JP S61145584 A JPS61145584 A JP S61145584A
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JP
Japan
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wiring
active matrix
matrix array
ladder
active
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JP59269051A
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Japanese (ja)
Inventor
哲也 川村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液晶ディスプレイやEL(エレクトロルミネ
ッセンス)ディスプレイ等を駆動するためのスイッチン
グ素子等アクティブ素子を基板上に多数マトリックス配
置してなるアクティブマトリックスアレーに関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an active matrix array in which a large number of active elements such as switching elements for driving a liquid crystal display, an EL (electroluminescent) display, etc. are arranged in a matrix on a substrate. It is something.

従来の技術 以下、液晶ディスプレー駆動用のアクティブマトリック
スアレー金側に説明を行う。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the following, the active matrix array metal for driving a liquid crystal display will be explained.

第2図は液晶ディスプレー駆動用のアクティブマトリッ
クスアレーの従来の構成例を示す平面図である。絶縁基
板上知縦方向配線11と横方向配線12が絶縁層を介し
て互いに交差して配置されている(以下この2方向の配
線群を行列配線と略す)。13はアクティブ素子、例え
ば薄膜電界効果トランジスタ(以下TPTと略す)であ
り、縦方向配線11と横方向配線12の一部はT F 
T13のゲート電極12&とソース電極112Lとなっ
ている。14は画素電極であり142LはFET13の
ドレイン電極を形成している。上記の構成で従来の液晶
ディスプレー駆動用のアクティブマトリックスアレーが
形成されている、(例えば、 NIKKEIELECT
RONIC81984,9,10,P、216 )。
FIG. 2 is a plan view showing a conventional configuration example of an active matrix array for driving a liquid crystal display. On an insulating substrate, vertical wiring 11 and horizontal wiring 12 are arranged to intersect with each other with an insulating layer interposed therebetween (hereinafter, a group of wiring in these two directions will be abbreviated as matrix wiring). 13 is an active element, for example, a thin film field effect transistor (hereinafter abbreviated as TPT), and a portion of the vertical wiring 11 and the horizontal wiring 12 are T F
These are the gate electrode 12 & of T13 and the source electrode 112L. 14 is a pixel electrode, and 142L forms a drain electrode of the FET 13. The above configuration forms an active matrix array for driving a conventional liquid crystal display (for example, NIKKEI ELECT
RONIC81984, 9, 10, P, 216).

なおこの様な液晶ディスプレー駆動用のアクティブマト
リックスアレーにおいては、横方向電極12(ゲートバ
ス)に走査信号を印加することによりTFTl 3をス
イッチングして、縦方向電極11(ソースバス)に印加
された画像信号を各両温2図の様な従来の配線では、配
線が1ケ所で又も断線してしまうと、その断線箇所で必
要な信号が伝達されなくなってしまった(以下この状態
を信号の中断と称する)。第3図は第2図の横方向配線
の一本分を取り出した図である。横方向配線21への走
査信号は左から右へ伝達されるものとする。第3図のA
点で横方向配線21が断線した場合、画像信号は22&
 、22b 、220の各画素電極のうち22&にしか
伝達されず、液晶ディスプレーにおいては断線地点ム点
より右側に線状の画像欠陥を生じた。
In such an active matrix array for driving a liquid crystal display, the TFT 3 is switched by applying a scanning signal to the horizontal electrode 12 (gate bus), and the scanning signal is applied to the vertical electrode 11 (source bus). With conventional wiring that transmits image signals to both sides, if the wiring breaks again at one location, the necessary signal will no longer be transmitted at that location. (referred to as interruption). FIG. 3 is a diagram showing one horizontal wiring line in FIG. 2. It is assumed that the scanning signal to the horizontal wiring 21 is transmitted from left to right. A in Figure 3
If the horizontal wiring 21 is disconnected at a point, the image signal is
, 22b, and 220, the signal was transmitted only to 22&, and a linear image defect occurred on the right side of the disconnection point in the liquid crystal display.

また、走査信号や画像信号を各画素に伝達する行列配線
は、液晶ディスプレーの大型化に伴い大変長いものとな
る。さらに高密度の画像表示用の液晶ディスプレーの場
合は行列配線の線巾は広くても数10μm8度のもので
あり、液晶ディスプレー製造時における小さなダスト等
により簡単に行列配線は断線してしまう。従来の構成で
は行列配線の断線が画像不良の原因となる確率が高く、
画像欠陥のない大面積で高密度のアクティブマトリック
スアレーを歩留りよく製造することは非常に困難であっ
た。
Further, as liquid crystal displays become larger, the matrix and matrix wirings that transmit scanning signals and image signals to each pixel become very long. Furthermore, in the case of a liquid crystal display for displaying high-density images, the line width of the matrix wiring is several tens of micrometers and 8 degrees at the widest, and the matrix wiring is easily broken by small dust etc. during the manufacturing of the liquid crystal display. With conventional configurations, there is a high probability that disconnections in the matrix wiring will cause image defects.
It has been extremely difficult to manufacture large-area, high-density active matrix arrays with good yield without image defects.

本発明は行列配線の断線による画像不良を低減し歩留り
よく製造できるアクティブマトリックスアレーを提供す
ることを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an active matrix array that can reduce image defects caused by disconnections in matrix wiring and can be manufactured with high yield.

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明は行列配線の少くと
も一方向の配線群を複数列のバス配線を1giとし複数
ケ所で連結したパターンとし、配線が1ケ所断線しても
画像信号や走査信号がバイパスを通して伝達され画像と
しては線状の欠陥にならない構成とするものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a pattern in which the wiring group in at least one direction of the matrix wiring is made up of multiple columns of bus wiring of 1 gi and connected at multiple locations, and the wiring is connected at one location. Even if the wire is broken, the image signal and scanning signal are transmitted through the bypass, so that the image does not become a linear defect.

作用 本発明は上記の複数列のバス配線を1組とし複数ケ所で
連結したパターンの配線を用いることにより配線中に断
線が生じても線状の画像欠陥になる確率がきわめて小さ
くなり、アクティブマトリックスアレーの製造歩留りが
大きく向上される。
Function The present invention uses the above-mentioned plurality of rows of bus wiring as one set and uses patterned wiring that is connected at a plurality of locations, so that even if a disconnection occurs in the wiring, the probability of a linear image defect is extremely small, and the active matrix The manufacturing yield of the array is greatly improved.

実施例 以下、本発明の実施例を液晶ディスプレー駆動用のアク
ティブマトリックスアレーの場合について更に詳細に説
明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be explained in more detail regarding the case of an active matrix array for driving a liquid crystal display.

第1図は本発明の第1の実施例を示したものである。縦
方向配線1と横方向配線2は、絶縁層を介して互いに交
差する行列配線であり絶縁基板上に形成烙れている。横
方向配線1は2列のバス配線を1組とし、画素ピッチ毎
に連結した梯子状パターンとなっている。3はスイッチ
ング用のTPTであり、縦方向配線1と横方向配線2の
一部はTPT3のゲート電極2aとソース電極1&とな
っている。4は透明導電膜による画素電極であり4aは
T FT3のドレイン電極を形成している。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. The vertical wiring 1 and the horizontal wiring 2 are matrix wirings that intersect with each other via an insulating layer, and are formed on an insulating substrate. The horizontal wiring 1 has two rows of bus wiring as one set, and has a ladder-like pattern connected at each pixel pitch. 3 is a TPT for switching, and a portion of the vertical wiring 1 and the horizontal wiring 2 serve as the gate electrode 2a and source electrode 1& of the TPT 3. 4 is a pixel electrode made of a transparent conductive film, and 4a forms the drain electrode of the TFT 3.

横方向配線2を梯子状にすることで、横方向配線の断線
による横方向の画像の線状不良は著るしく少なくなった
。第4図は第1図の横方向配線と同様の梯子状配線を示
したものである。第一列目の配線23ではB点で断線が
認められるが、図より理解される様に、走査信号などの
電気信号はB点で伝達されなくなることはない。また梯
子状のパターンの形状にもよるがB点の断線による配線
23の全体の抵抗(配線の両端間の抵抗)の増加もきわ
めて小さくなり、たとえば640段の梯子状パターンの
場合B点のことくの断線が1ケ所あっても抵抗は1/6
408度しか増加しない。梯子状配線における信号の中
断は配線26の様に梯子状パターンの同一段で0点、D
点のごとく2ケ所の断線が起る場合に限られ、梯子状配
線の信号の中段の起こる確率はきわめて小さくなる。
By forming the horizontal wiring 2 into a ladder shape, line defects in the horizontal image due to disconnection of the horizontal wiring are significantly reduced. FIG. 4 shows ladder-like wiring similar to the horizontal wiring shown in FIG. Although a disconnection is observed at point B in the first row of wiring 23, as can be understood from the figure, electrical signals such as scanning signals do not cease to be transmitted at point B. Also, although it depends on the shape of the ladder pattern, the increase in the overall resistance of the wiring 23 (resistance between both ends of the wiring) due to a disconnection at point B is extremely small. Even if there is one broken wire, the resistance is 1/6
It only increases by 408 degrees. Interruption of signals in ladder-like wiring occurs at point 0 and D at the same level of the ladder-like pattern, as shown in wiring 26.
This is limited to the case where a disconnection occurs at two points, such as a dot, and the probability of this occurring at the middle stage of a signal in a ladder-like wiring is extremely small.

第5図を用いて、モデル計算を行ってみる。aは従来の
配線でbは梯子状配線である。いずれも、配線ピッチ巾
eでm本の配線を作っている。ここで第6図a、bの配
線形成時にそれぞれ1個のダストが有ったと仮定する。
Let's perform model calculations using Figure 5. A is conventional wiring, and b is ladder-like wiring. In both cases, m wires are made with a wire pitch width e. Here, it is assumed that one piece of dust was present during the formation of the wirings shown in FIGS. 6a and 6b.

ダストの中心が配線ノくターン上に有る場合に断線が起
こると仮定した場合のモデル計算を行う。
A model calculation is performed assuming that a wire break occurs when the center of the dust is on a turn of the wire.

第6図aの従来の配線の場合、線巾(i−dとすると配
線群のいずれか1本に信号の中断が起る確率P、は P、=:dx    となる。
In the case of the conventional wiring shown in FIG. 6a, the probability P of signal interruption occurring in any one of the wiring groups is P,=:dx, where the line width (i-d).

これに対し第5図すの梯子状配線において、線巾ヲd′
としn段の梯子状パターンの場合に配線群のいずれか1
本に信号の中断が起る確率P2はP2=lx2iX(l
−1)X−L−×1 となる。
On the other hand, in the ladder-like wiring shown in Figure 5, the line width is d'
In the case of a ladder-like pattern with n steps, any one of the wiring groups
The probability P2 that a signal interruption occurs in a book is P2=lx2iX(l
-1) X-L-×1.

e             wee    nP、と
P2の比は 配線の本数m’1400.梯子状パターンの段数nを6
40とし、線巾と配線ピンチ巾の比がd’ / e=1
/10.d/+5:1/6のときに、ダストの個数4が
100個の場合、第6図すの梯子状配線に信号の中断の
起る確率P2は第6図1の従来の配線で信号の中断の起
る確率P、の約2万64分の1となり、きわめて信号の
中断は起りにくいと結論される。
The ratio of e wee nP and P2 is the number of wires m'1400. The number of steps n in the ladder pattern is 6.
40, and the ratio of line width to wiring pinch width is d'/e=1
/10. When d/+5:1/6 and the number of dust particles 4 is 100, the probability P2 of signal interruption occurring in the ladder-like wiring shown in Fig. 6 is the same as the probability P2 of signal interruption occurring in the conventional wiring shown in Fig. 6 1. The probability of interruption occurring is approximately 1/20,064 of P, and it is concluded that signal interruption is extremely unlikely to occur.

また1つのダストによる断線について考えた場合、信号
の中断は第4図のパターンの線巾す程度の大きさのダス
トでは起こらず、第4図の梯子状パターンの巾a程度の
大きさのダストで始めて起こる事になり、従来と同一の
製造条件下でも梯子状配線を用いる事によりアクティブ
マトリックスアレーの信号の中断を極めて少くできる。
Furthermore, when considering a disconnection caused by a single piece of dust, signal interruption will not occur if the dust is as large as the line width of the pattern in Figure 4, but if the dust is as large as the width a of the ladder pattern in Figure 4. Even under the same manufacturing conditions as before, interruption of the active matrix array signal can be minimized by using ladder-like wiring.

次に本発明の他の実施例について説明する。Next, other embodiments of the present invention will be described.

第6図は本発明の第2の実施例を示したものである。縦
方向配線31と横方向配線32は、絶縁層を介して互い
に交差する行列配線でるシ絶縁基板上に形成されている
縦方向配線31と、横方向配線32はともに2列のバス
配線を1組とし画素ピッチ毎に連結した梯子状パターン
になっている。
FIG. 6 shows a second embodiment of the invention. The vertical wiring 31 and the horizontal wiring 32 are formed on an insulating substrate. Both the vertical wiring 31 and the horizontal wiring 32 are matrix wiring that crosses each other through an insulating layer. A ladder-like pattern is formed in which groups are connected at each pixel pitch.

33はスイッチング用のTPTであり、横方向配線32
と縦方向配線31の一部は’l’FT33のゲート電極
321Lとソース電極31&となっている。
33 is a TPT for switching, and horizontal wiring 32
A part of the vertical wiring 31 becomes the gate electrode 321L and the source electrode 31& of the 'l' FT 33.

34Fi透明導電膜にょる画累電衡であり3421はT
FT33のドレイン電極を形成している。第2の実施例
も第1の実施例の場合と同様の理由により行列配線の断
線による画像の線状不良は著るしく少くなった。
34Fi is the image accumulation balance due to the transparent conductive film, and 3421 is T
It forms the drain electrode of FT33. In the second embodiment, for the same reason as in the first embodiment, the number of line defects in the image due to disconnections in the matrix wiring was significantly reduced.

発明の効果 本発明によるアクティブマトリックスアレーは、製造時
におけるダストや剥がれなどによる行列配線の断線によ
る信号の中断をきわめて低減する効果があり、線状の画
像不良のない、大面積で高密度なアクティブマトリック
スアレーの製造歩留りを大きく改善する効果がある。ま
た以上は液晶ディスプレー駆動用のアクティブマトリッ
クスアレーについて詳細に説明したがKLディスプレイ
等性行列配線有するものであれば本発明はまったく同様
の効果をもたらす。しかも次のような効果も生じる。す
なわち、フォトマスクを用いたフォトエツチングにより
、たとえば梯子状配[−形成する場合、フォトマスクの
上に欠陥があっても、同様の理由により実際のアクティ
ブマトリックスの動作への悪影響全従来のものに比べて
極めて小さくでき、結果としてフォトマスクの作成及び
管理に関するコストを減じる効果もある。
Effects of the Invention The active matrix array according to the present invention has the effect of greatly reducing signal interruption due to breakage of matrix wiring due to dust or peeling during manufacturing, and is a large-area, high-density active matrix array without linear image defects. This has the effect of greatly improving the manufacturing yield of matrix arrays. Further, although the active matrix array for driving a liquid crystal display has been described in detail above, the present invention can bring about exactly the same effects as long as it has a KL display with homogeneous matrix wiring. Moreover, the following effects also occur. In other words, when forming, for example, a ladder-like pattern by photoetching using a photomask, even if there is a defect on the photomask, it will not adversely affect the actual operation of the active matrix for the same reason as in conventional methods. It can be made extremely small in comparison, and as a result, it also has the effect of reducing costs related to the production and management of photomasks.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例のアクティブマトリックスア
レーの要部平面図、第2図は従来のアクティブマトリッ
クスアレーの要部平面図、第3図は第2図のアレーの部
分平面図、第4図は本発明のアレーにおける部分平面図
、第6図a、bは従来と本発明の配線パターン図、第6
図は本発明の第2の実施例のアレーの平面図である。 1.11.31・・・・・・縦方向配線、2,12゜3
2・・・・・・横方向配線、3,13.33・・・・・
・アクティブ素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図    1 j(1−ソースfm 2−i■ラー゛ず−+KA目!2(佛3秋〕1゛ダーン
)2トーゲーp電七に 3−・−丁FT 4−4%、1罹 4er−’ド′しくンti 第2図    11 137     A 第4図 υ 第5図 1’l−J 第6図 知−逼魚電誓
FIG. 1 is a plan view of a main part of an active matrix array according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a main part of a conventional active matrix array, and FIG. 3 is a partial plan view of the array shown in FIG. FIG. 4 is a partial plan view of the array of the present invention, FIGS. 6 a and b are wiring pattern diagrams of the conventional and present invention, and FIG.
The figure is a plan view of an array according to a second embodiment of the invention. 1.11.31...Vertical wiring, 2,12゜3
2... Horizontal wiring, 3,13.33...
・Active element. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person No. 1
Figure 1 j (1-source fm 2-i ■ Razu- + KA eye! 2 (Buddha 3 Autumn) 1゛Dan) 2 Toge p Den 7ni 3--Ding FT 4-4%, 1 affected 4er- 'Do' Shikunti Figure 2 11 137 A Figure 4 υ Figure 5 1'l-J Figure 6 Wisdom - Taoyu Densho

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims]  (1) 絶縁性基板に絶縁膜を介して互いに交差する
第1の電極配線群と第2の電極配線群と、前記第1,第
2の電極配線群に電気的に接続された複数のアクティブ
素子とを有するアクティブマトリックスアレーにおいて
、前記第1,第2の電極配線群の両方又は少くとも一方
の配線群が、複数列のバス配線を一組とし複数ケ所で連
結したパターンを有することを特徴とするアクティブマ
トリックスアレー。
(1) A first electrode wiring group and a second electrode wiring group that intersect with each other via an insulating film on an insulating substrate, and a plurality of active electrode wirings electrically connected to the first and second electrode wiring groups. In the active matrix array having an active matrix element, both or at least one of the first and second electrode wiring groups has a pattern in which a plurality of rows of bus wirings are connected as a set at a plurality of locations. active matrix array.
 (2) アクティブ素子が薄膜電界効果トランジスタ
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のア
クティブマトリックスアレー。
(2) The active matrix array according to claim 1, wherein the active elements are thin film field effect transistors.
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