JPS60214911A - Dicing device - Google Patents

Dicing device

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JPS60214911A
JPS60214911A JP60046595A JP4659585A JPS60214911A JP S60214911 A JPS60214911 A JP S60214911A JP 60046595 A JP60046595 A JP 60046595A JP 4659585 A JP4659585 A JP 4659585A JP S60214911 A JPS60214911 A JP S60214911A
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JP
Japan
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wafer
dicing
wafers
chuck
air
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Japanese (ja)
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巳又 力
樺島 章
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は自動ハンドリング機構を備えたダイシング装置
、特に半導体ウェハを対象としたダイシング装置に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a dicing apparatus equipped with an automatic handling mechanism, and particularly to a dicing apparatus for semiconductor wafers.

例えば、基本的なダイシング装置の構成に関しては、特
開昭51−28754号公報に開示されている。
For example, the basic configuration of a dicing apparatus is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 51-28754.

以下余白 〔従来技術〕 トランジスタ、半導体集積回路(IC)等の半導体素子
の製造においては、先ずインゴット状の単結晶半導体材
料を用意しこれら半導体インゴットを多数の半導体ウェ
ハに切断する作業からスタートされる。上記半導体イン
ゴットの切断作業は通常スライシングとして知られ【お
り、ダイヤモンドカッター等により半導体インゴットを
切断することが行われる。
Blank space below [Prior Art] In the manufacture of semiconductor elements such as transistors and semiconductor integrated circuits (ICs), the process begins with preparing ingot-shaped single crystal semiconductor materials and cutting these semiconductor ingots into a number of semiconductor wafers. . The cutting operation of the semiconductor ingot is generally known as slicing, and the semiconductor ingot is cut using a diamond cutter or the like.

このようにして得られた半導体ウェハは以後酸化、拡散
、蒸着等の各工程へ送られ半導体ウェハ内には多数の半
導体素子領域が形成される。
The semiconductor wafer thus obtained is then sent to various steps such as oxidation, diffusion, and vapor deposition, and a large number of semiconductor element regions are formed within the semiconductor wafer.

そし【半導体ウェハ内に形成された多数の半導体素子を
個々に分離するため、半導体ウェハは次にダイシング作
業が施され、各素子を囲むようにウニへ表面I/c縦横
方向の多数の溝が造られる。次にウェハはブレーキング
作業が施され、上記ダイシング溝に沿9てウェハを割る
ことによりクエハを多数の半導体ベレット(ダイスある
いはチップ)に分離する。これらベレットは次に選別作
業を受けて特性ととに分類された後、各々のベレットは
リードフレームあるいはステム尋の支持体上にろう付け
され、続いてワイヤボンディング作業、封止作業を受け
て半導体素子として組み立てられる。
[In order to separate the large number of semiconductor elements formed within the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is then subjected to a dicing operation, and a large number of grooves are formed in the vertical and horizontal directions on the surface I/C surrounding each element. built. Next, the wafer is subjected to a breaking operation, which breaks the wafer along the dicing grooves 9 to separate the wafer into a number of semiconductor pellets (dice or chips). These pellets are then subjected to a sorting operation to classify them according to their characteristics, after which each pellet is brazed onto a lead frame or stem support, followed by wire bonding and encapsulation operations to form semiconductors. assembled as an element.

ところで以上のような一連の製造工程において、上記ダ
イシング作業は多数の半導体素子が形成されている状態
の一枚の半導体ウニノーから多数の半導体ベレットを分
離する作業であるため、作業は迅速に、Lかも能率的に
行う必要がある。
By the way, in the above-mentioned series of manufacturing processes, the dicing work is a work to separate a large number of semiconductor pellets from a single semiconductor unit in which a large number of semiconductor elements are formed, and therefore the work can be performed quickly and with L. It also needs to be done efficiently.

第1図は従来における一連のダイシング作業を工程順に
示すものである。先ず(A)のように。
FIG. 1 shows a series of conventional dicing operations in order of process. First, like (A).

多数のダイシングすべきウェハlを収納したケース2を
用意し、次に(B)のようにピンセット3により上記ケ
ース2からウェハ1を一枚ずつ拾い上げ、ダイシングテ
ープ/I/4上に載せて位置決めした後、(C)のよう
にダイシングブレード5により本来のダイシング作業を
施こす。次に(D)のようにダイシングの終了したウェ
ハ1はピンセット2によりテーブル4上から移されて、
(E)のように再びケース2内に収納される。
Prepare a case 2 containing a large number of wafers l to be diced, then pick up the wafers 1 one by one from the case 2 with tweezers 3 as shown in (B), place them on the dicing tape/I/4, and position them. After that, the original dicing operation is performed using the dicing blade 5 as shown in (C). Next, as shown in (D), the diced wafer 1 is transferred from the table 4 using tweezers 2.
It is stored in the case 2 again as shown in (E).

しかし従来におけるダイシング作業は、本来のダイシン
グ作業自体に必要な時間よりもその前後の工程との関連
での準備作業に費やされる時間の方が大となって非能率
的であった。
However, conventional dicing operations are inefficient because more time is spent on preparatory work related to the steps before and after the dicing operation than the time required for the actual dicing operation itself.

即ち、ダイシング作業の前後におけるウニへの取扱い作
業いわゆるハンドリングはすべて手作業であるため、ま
たダイシングすべきウェハを所定のテーブル上に位置決
め(アライメント)するのに時間がかかったため、本来
のダイシングの着工数が伸びなかった。
In other words, the handling of the sea urchins before and after the dicing process was all done manually, and because it took time to position (align) the wafers to be diced on a predetermined table, it was difficult to start the original dicing process. The numbers did not increase.

また、上記ダイシングテーブルに対するウェハのセット
および取りはずし等のハンドリングを手作業でやってい
る関係上、ウェハの槓椋的外力の加え方や強さが不安定
となるため、つ壺ハに対し機械的損傷を与えるのは避け
られなかった。
In addition, since handling such as setting and removing the wafer from the dicing table is done manually, the method and strength of the external force applied to the wafer from the wafer is unstable. Damage was inevitable.

本発明者らが検討したところによると、ローダとアンロ
ーダをブレードに対して両側にレイアウトすると、一方
のローダ部がブレードの一ト嬬の運動方向となるため、
そのローダ部に水滴、切削(ずが飛散してウェハ、治具
等を汚染することがわかった。
According to the inventors' studies, if the loader and unloader are laid out on both sides of the blade, one loader section will move in the same direction as the blade.
It was found that water droplets and cutting chips were scattered on the loader section, contaminating wafers, jigs, etc.

本発明は、このような問題を解決するためになされたも
のであり、その要旨は、半導体ウェハ又は集積回路ウェ
ハの表面を回転ブレードにより切削するためのダイシン
グ装置において、ウェハを供給するためのローダ部およ
び処理済のウェハな送り出す為のアンローダ部を上記回
転ブレードに対して同じ側にレイアウトしたことにより
、ウェハや治具をクリーンにたもつことのできるダイシ
ング装置とするものである。
The present invention has been made to solve such problems, and its gist is to provide a dicing device for cutting the surface of a semiconductor wafer or an integrated circuit wafer with a rotating blade, in which a loader for feeding the wafer is used. By arranging the unloader section and unloader section for sending out processed wafers on the same side with respect to the rotating blade, the dicing apparatus can hold wafers and jigs cleanly.

以下余白 (*施例〕 以下では本発明者が、初めて開発【7た自動ダイシング
装置を例にとり説明する。
Margins below (*Example) The following describes an example of an automatic dicing device that the inventor developed for the first time [7].

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図はダイシング装置(以下装置と称する)はクエハ
ローダ部A、ウェハ位置決め部B、ウェ八へライメント
部およびダイシング部C,ウニノ1洗浄部り、ウェハア
ンローブ部Eおよびウヱノ1チャック部F等から構成さ
れている値以上の構成におい′1:特に重壁なのはクエ
ハチャツク部Fでありチャック機構としては流体(エア
#$)と被処理体に吹き付けた場合の浮力を利用したい
わゆるベルヌイチャックが用いられ、咎構成部間にウニ
ノ・を移送する場合のハンドリング作業は直接手で被処
理体には触れないでこのチャックにより行われる。
Figure 2 shows the dicing equipment (hereinafter referred to as the equipment) that includes a wafer loader section A, a wafer positioning section B, a wafer alignment section and a dicing section C, a wafer unlobe section E, a wafer unlobe section E, a wafer 1 chuck section F, etc. '1: Particularly heavy-walled is the square chuck part F, and the chuck mechanism is a so-called Bernoulli chuck that uses fluid (air #$) and the buoyant force when it is blown onto the object to be processed. Handling work when transferring the material between the parts is carried out using this chuck without directly touching the object with hands.

以下各構成部ごとに詳細VC説明する。第3図はウェハ
ローダ部を示すもので、ダイシングすべきウェハ1を一
定数(例えば20〜25枚程度)収納したカートリッジ
6を装置の所定位置7にセットする。この位fi7には
エアシェード8が設けられており上記カートリッジ6か
らウェハ1がエアシェード8の端部に載置(供給)され
ると、そのウェハlは直ちにエアシェート8上で矢印で
示されたエアの吹き付は方向に移送される。カートリッ
ジ6内には例えば縦方向に一列に規則的に並べられてウ
ェハが充填されており、特にこのうち最下部にあるウェ
ハ(エアシェード上に載置されるウェハ)は、光源9か
ら発せられた光がフォトトランジスタ1(l至る光線通
路中に置かれる。フォトトランジスタ10の出力信号は
モータ11に伝えられており、この出力信号に応じてモ
ータ11の動作は制御される。例えばウェハが(B)の
よ54C上記通路中にあれば(光線を遮え切りている状
ml)、フォトトランジスタ10からは「ウェハ有り」
の信号が七−夕11に伝えられこの時モータ11は動作
しない。しかしくA)のように上記ウェハが次の瞬間エ
アシェード上に移送されてしt5と、上記光線通路は導
通した状][Cなリフォトトランジスタ10からは「ウ
ェハ無し」の信号力モータ11に伝えられるのでこの時
モータ11は動作して上記カートリッジ6内のウェハ1
を一ピッチずつ下降させるよ5に働(。第3図(C)お
よび(D)はウェハ検知方法の他の例を示すもので、(
C)はカートリッジ6の後方から検知する方法、(D)
は上記(C)の方法に更にもう一つの検知手段なエアシ
ェードの裏側に付加した構成を示すものである。(D)
の方法はウェハがエアシェード入口において何らかの原
因で引掛った場合フォトトランジスタ10からフィード
バック信号がモータに伝えられて後続のウェハの供給を
防止するように働ら(。以上の各方法は目的に応じて適
宜選ぶことができる。
The detailed VC will be explained below for each component. FIG. 3 shows a wafer loader section, in which a cartridge 6 containing a certain number (for example, about 20 to 25) of wafers 1 to be diced is set at a predetermined position 7 of the apparatus. An air shade 8 is provided at this point fi7, and when the wafer 1 is placed (supplied) from the cartridge 6 onto the end of the air shade 8, the wafer l is immediately placed on the air shade 8 as indicated by an arrow. The air blow is transferred in the direction. The cartridge 6 is filled with wafers that are regularly arranged in a vertical row, for example, and the wafers at the bottom of the cartridges (the wafers placed on the air shade) receive light emitted from the light source 9. The output signal of the phototransistor 10 is transmitted to the motor 11, and the operation of the motor 11 is controlled according to this output signal.For example, when a wafer is B) If 54C is in the above passage (the light beam is completely blocked), the phototransistor 10 says "wafer present".
The signal is transmitted to the Tanabata 11, and at this time the motor 11 does not operate. However, as shown in A), when the wafer is transferred to the air shade at the next instant t5, the light beam path becomes conductive. At this time, the motor 11 operates to remove the wafer 1 in the cartridge 6.
The wafer is lowered one pitch at a time (5). Figures 3 (C) and (D) show other examples of the wafer detection method.
C) is a method of detecting from the rear of the cartridge 6; (D)
This shows a configuration added to the method (C) above as yet another detection means on the back side of the air shade. (D)
In this method, if a wafer is caught for some reason at the air shade entrance, a feedback signal is transmitted from the phototransistor 10 to the motor to prevent the subsequent wafer from being fed. You can choose as appropriate.

エアシェード上に送られたウェハはエアシェードの他端
部において鎖4図のような位置合せテーブル上に入る。
The wafer fed onto the air shade enters the alignment table as shown in chain 4 at the other end of the air shade.

先ずエアシ具−ト8他端部に移送されてきたウェハlは
位置合せテーブル12上に送られるが、この表面におい
て設けられた真空吸引孔に吸引されてブレーキがかけら
れ移送速度が抑えられる。そして二つのガイド13によ
って一定の方向に向きが変えられる。二つのガイド13
間の中央部#には位置決め用ピン14が(C)のようV
C三本設けられており、このうち両端の二本のビンは固
定されたままであるが、中央の一本のビンは前後に可動
するようになっている。なおテーブル12上では上記真
9吸孔とは別にエア吹き出し孔も設けられているので、
ウェハは浮き上った状態になっている。このような状態
で(E)のよ5にテーブル12をエアシリンダ15によ
って傾かせかつウェハlを浮かせた状態で回転させてウ
ェハな回転する。そし−C(C)のように矢印方向に徐
々に回転させるとウェハlの周囲部のうち平坦な基準面
16が上記位置決め用ビン1403本の1べてに接触し
た状態で(D)のように自動的に停止した位置決めが行
なわれる。この時点で傾いていたテーブル12は元の位
置に戻される。
First, the wafer l transferred to the other end of the air sheet tool 8 is transferred onto the alignment table 12, and is sucked into a vacuum suction hole provided on the surface of the wafer l, and a brake is applied to suppress the transfer speed. Then, the two guides 13 change the direction in a fixed direction. two guides 13
A positioning pin 14 is placed in the center part # between V as shown in (C).
There are three C bottles, of which the two at both ends remain fixed, but the one in the middle can move back and forth. In addition, on the table 12, there is also an air blowing hole in addition to the above-mentioned true 9 suction holes, so
The wafer is in a floating state. In this state, as shown in (E), the table 12 is tilted by the air cylinder 15 and rotated with the wafer 1 floating thereon, thereby causing the wafer to rotate. Then, when the wafer is gradually rotated in the direction of the arrow as shown in (C), the flat reference surface 16 of the periphery of the wafer l comes into contact with all of the three positioning bins 140, as shown in (D). Automatically stopped positioning is performed. The table 12, which was tilted at this point, is returned to its original position.

以上のよ5に一定の方向に位置決めされたウェハはこの
位置合せ方向を保持した状態で次忙りエハチャックによ
って空間的にダイシングテーブル上に移送される。第5
Ij!Jはウェハチャックとして用いられるベルヌイチ
ャックを示すものである。
The wafer, which has been positioned in a certain direction as described in 5 above, is spatially transferred onto the dicing table by the next wafer chuck while maintaining this alignment direction. Fifth
Ij! J indicates a Bernoulli chuck used as a wafer chuck.

クエへの面!1ttC応じた大きさのウェハ保持面17
のはぼ中央部に設けられた複数のノズル18から、保持
面17の背面のチ為−プ19から供給されたエアが吹き
付けられるよ5になっており、エアはウェハ等の処理体
に吹き付けていわゆるペルヌイの原理に従り【ウェハl
を吸引するよ54C働く。
The face to the quest! Wafer holding surface 17 sized according to 1ttC
Air supplied from a tip 19 on the back side of the holding surface 17 is blown from a plurality of nozzles 18 provided in the center of the holder, and the air is blown onto the processing object such as a wafer. According to the so-called Pernoulli principle, [wafer l]
54C works by suctioning.

20は保持面170周縁部の一部に設けられたクエへの
位置決め部であり、ウェハはこの部分を基準として保持
面17に吸引される。しかしこの位置決め部は必ずしも
必要ではない。
Reference numeral 20 denotes a positioning portion for the groove provided on a part of the peripheral edge of the holding surface 170, and the wafer is attracted to the holding surface 17 with this portion as a reference. However, this positioning part is not always necessary.

ダイシングテーブル21(第2図)上に移送されたウェ
ハはこのテーブル端部′に載置された真空チャックによ
り吸着された状態で、テーブル自体を後退させることに
より顕微鏡22直下に運ばれダイシングな行うための位
置決め(アライメント)がなされる。この位置決め作条
はダイシングテーブル21下に設けられであるX、Yお
よびθ方向の徴vI4機構(図示せず)を制御すること
によりウェハを顕微鏡に設けられた基準面(ダイシング
ブレードの位置と一致させ【ある)にそのダイシングエ
リア中心を合わせることにより行われる。以下第6図を
参照して位置決め作業を具体例を説明する。(A)は顕
微錦上に最初に現れた上記基準線22とダイシングエリ
ア23との関係を示し、当然ながら両者は一致し【いな
い。従って次K(13)のように先ず0方向機構を調整
して0方向の位置決めを完了し、次に(C)のようにY
方向4Msをa1整してY方向の位置決めを完了し、最
後に同様に(D)のようVcX方向機構を調整して完全
に基mta22とダイシングエリア23との中心とを一
致させて位置決め作業を完了する。
The wafer transferred onto the dicing table 21 (Fig. 2) is sucked by a vacuum chuck placed on the end of this table, and by retracting the table itself, the wafer is transported directly below the microscope 22 and subjected to dicing. Positioning (alignment) is performed for this purpose. This positioning strip is installed under the dicing table 21 and controls the X, Y, and θ direction mechanism (not shown) to move the wafer to a reference plane (coinciding with the position of the dicing blade) provided on the microscope. This is done by aligning the center of the dicing area with the area. A specific example of the positioning work will be described below with reference to FIG. (A) shows the relationship between the reference line 22 and the dicing area 23 that first appeared on the microscopic brocade, and naturally the two do not match. Therefore, first adjust the 0 direction mechanism to complete positioning in the 0 direction as shown in K (13), and then complete the positioning in the 0 direction as shown in (C).
Align the direction 4Ms by a1 to complete the positioning in the Y direction, and finally adjust the VcX direction mechanism as shown in (D) to completely align the center of the base mta 22 and the dicing area 23 to complete the positioning work. Complete.

次に上記基準線22に沿ってダイシングブレードを走査
させて先ずY方向(あるいはX方向)のダイシングエリ
アのダイシングを行い、続いてダイシングテーブルを9
0°回転させてX方向(あるいはY方向)のダイシング
エリアのダイシングを行う。上記ダイシングテーブルの
回転は自動的に行わせることができる。またウェハとダ
イシングテーブルとの回転中心が一致し【いなくとも9
0c′回転させる際に支障は生じない。
Next, the dicing blade is scanned along the reference line 22 to perform dicing in the dicing area in the Y direction (or X direction), and then the dicing table is moved to the 9
Rotate by 0° and perform dicing in the dicing area in the X direction (or Y direction). The rotation of the dicing table can be performed automatically. Also, the centers of rotation of the wafer and dicing table are aligned [at least 9
No problem occurs when rotating 0c'.

なお従来におけるダイシング装置にはθおよびY方向の
二方向のみの位置決め機構しか備わっていなかったため
、実際にダイシングを行うに当っては16図において(
C)において一度Y方向のダイシングを行った後、ダイ
シングテーブルを90@ 回転させて再びX方向の位置
決めを行なって(D)のようになした後改めてX方向の
ダイシングを行わねばならなか2だ。このため、X、Y
方向の連続ダイシングは不可能であり、作業を途中で中
断しCFjび位置決めをし直さなければならず作業が非
能率となるのは避けられなかった。
In addition, since conventional dicing equipment was equipped with a positioning mechanism only in two directions, θ and Y directions, when actually dicing, the
After performing dicing in the Y direction once in C), the dicing table must be rotated 90 degrees and positioned in the X direction again, as shown in (D), and then dicing in the X direction must be performed again. . For this reason, X, Y
Continuous dicing in different directions is impossible, and the work must be interrupted midway to perform CFj and positioning again, which inevitably leads to inefficiency in the work.

*@鋺における基準線22の巾は、ダイシングブレード
の巾、ダイシング作条中のチッピングの程度を考値して
決定される。例えばダイシングブレードの巾を30μに
選んだ場合、チッピングを含めて約50μに選ばれる。
*The width of the reference line 22 in the @hogo is determined by taking into account the width of the dicing blade and the degree of chipping during dicing. For example, when the width of the dicing blade is selected to be 30μ, the width is selected to be approximately 50μ including chipping.

従って基単線上にこの寸法を表示しておけばいちいち他
の測定機構で測ることは小会となり一目で知ることがで
きる。
Therefore, if you display this dimension on the basic single line, you can know it at a glance if you measure it with other measuring mechanisms each time.

ダイシング作業が完了したウェハはダイシングテーブル
を移動″1−ることによって再び元の位置に戻される。
After the dicing operation has been completed, the wafer is returned to its original position by moving the dicing table.

そして真空吸着を解かれると共に、エアを吹き上1rで
テーブルより浮上させて、上で待機している前記ベルヌ
イチャックにより吸引されて次の洗浄工程へと送られる
ことになる。
Then, the vacuum suction is released, the air is blown up 1r to float above the table, and the table is sucked by the Bernoulli chuck waiting above and sent to the next cleaning process.

ところで上記ウェハはダイシングの際、水等の液体によ
り冷却された状態で作業が行われるため、ダイシングテ
ーブルからテーブルに水等で密着しているウェハを取り
はずすことは非常に困難であり、多くの割れ不良を発生
させていた。このため次のような手段を考えた。#V7
図はエアブロ一方法を示すもので、(A)は上面図、(
B)は断面図を示し、ウェハ1の斜め上方から管24よ
り部分的にエア25をウェハ1に対し吹き付けることに
よりウェハ周辺の液体を排除しよ5とするものである。
By the way, when dicing the above-mentioned wafers, the wafers are cooled with liquid such as water, so it is very difficult to remove the wafers from the dicing table that are in close contact with the table due to water, etc., and many cracks occur. It was causing defects. For this reason, we considered the following method. #V7
The figure shows an air blowing method, (A) is a top view, (A) is a top view, (
B) shows a cross-sectional view in which air 25 is partially blown onto the wafer 1 from a pipe 24 from diagonally above the wafer 1 to remove liquid around the wafer 5.

ダイシングテーブルからベルヌイチャックにより吸引さ
れたウェハはチャックのアームを900回転することに
より次の洗浄工程へ送られる。
The wafer sucked from the dicing table by the Bernoulli chuck is sent to the next cleaning step by rotating the arm of the chuck 900 times.

亀8図(A)および(B)はチャックにより移送された
ウェハな洗浄する方法を示すもので、真空チャック26
によりウェハ1を保持した状態で回転し上下からノズル
27により水を吹き付けることにより洗浄する。終了後
水を切り(B)のように回転乾燥させる。この洗浄工程
によりウニノ・に付着していた付着物は除去され、清浄
に保たれる。
Figures 8 (A) and (B) show a method for cleaning wafers transferred by the chuck.
The wafer 1 is rotated while being held by the wafer 1, and water is sprayed from above and below by the nozzle 27, thereby cleaning the wafer. After finishing, drain the water and spin dry as shown in (B). This cleaning process removes the deposits that had adhered to the sea urchin and keeps it clean.

次にウェハは再びチャックにより吸引され、チャックア
ームを90回転させることにより、ウェハアンローダ部
に移送される。すなわちウェハはエアシュート上に供給
され、μmダの時とは逆の方向に移送される。エアシ晶
−トの端部には空のカートリッジがセットされており、
ウェハは順次このカートリッジに供給され【いく。
Next, the wafer is sucked by the chuck again and transferred to the wafer unloader section by rotating the chuck arm 90 times. That is, the wafer is supplied onto an air chute and is transferred in the opposite direction to that used for micrometer wafers. An empty cartridge is set at the end of the air sheet.
Wafers are sequentially supplied to this cartridge.

カートリッジはウニへの供給タイミングに合わせて一ピ
ツチずつ自動的に上昇していき、これらの動作機構はロ
ーダの時と逆に動作させれば良い。
The cartridge automatically rises one pitch at a time in accordance with the timing of supply to the sea urchins, and these operating mechanisms can be operated in the opposite direction to the loader.

カートリッジが満杯になると自動的に警報が発せられ、
作業者は空のカートリッジをセットする。
Automatically alerts you when the cartridge is full,
The operator sets an empty cartridge.

しかしこれらのカートリッジのセット、リセットは自動
的に操作させることができる。
However, the setting and resetting of these cartridges can be performed automatically.

カートリッジに収納されたウニノへは次のブレーキング
工程に送られ、所望の作業が施こされて個々のペレット
に分離される。
The unino particles stored in the cartridge are sent to the next breaking process, where they are subjected to the desired operations and separated into individual pellets.

以上説明して明らかなように上記のダイシング装置によ
れは、ダイシングすべきウニノ為はロードされる状態か
らダイシングされてアンロードされる状態までのノーン
ドリンクはすべて自動的に行われ手作業は一度も行われ
ないので、従来のように余分な準備作業に時間を費やさ
れることはなくなってダイシング作業自体が集中的に行
えるようになり、着工数が著るしく増加するようになっ
た。
As is clear from the above explanation, with the above-mentioned dicing device, all the non-linking from the loading state to the dicing and unloading state of the sea urchin to be diced is automatically performed, and manual work is only required once. Since the dicing process itself is not performed, time is no longer wasted on extra preparatory work as in the past, and the dicing work itself can be performed more intensively, resulting in a significant increase in the number of work starts.

またハンドリングに手作業は不要であるためこれが原因
で発生し【いたウニへの機械的損傷は完全に防止するこ
とができた。
In addition, since manual handling was not required, mechanical damage to the sea urchins caused by this process could be completely prevented.

艮にまたウェハのp−ダ部とアン 一→゛部を隣接して構成することにより装置自体の寸法
を極めてコンパクトに設計できるようになった。各作業
工猫関のウェハを空間的に移送させるためのチャック装
置の上部空間に設けられているため特に余部のスペース
をとることはない。このチャックはまた第9図に示ずよ
5VC當に一定方向に間けり的に回転するととkより各
工程で処理済みのウェハを同時に火工@に移送するよう
Kなりているため移動にムダがなく極め【能率的に働く
Furthermore, by configuring the p-da part and the annular part of the wafer adjacent to each other, the dimensions of the apparatus itself can be designed to be extremely compact. Since it is provided in the upper space of the chuck device for spatially transferring the wafers of each worker, it does not take up any extra space. Also, if this chuck is rotated intermittently in a fixed direction (not shown in Fig. 9), the wafers processed in each process are simultaneously transferred to the pyrotechnic chamber, which results in wasted movement. [Work efficiently.]

各機構の種々の変形例については本文中に示したがそれ
らの組み合せは目的に応じて種々変更することが可能で
あり、この変更によって本発明装置が特定の組み合せに
限定されることはない。
Although various modifications of each mechanism have been shown in the text, their combinations can be variously modified depending on the purpose, and the device of the present invention is not limited to any particular combination by these modifications.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(人)乃至(E)は従来装置を用〜・てダイシン
グ作業を行う場合を示す工程図、節2図41本発明装置
の概要を示す上面図、第3図(A)乃至(D)はフェノ
10−ダ機構を示す断面図、第4図はウニノ・位置合せ
msを示し、(A)、(C)。 (D)は上面図、(B)、(E)は断面図、第5図はチ
ャック機構を示しくA)は断面図、(B)は下面図、第
6図(A)乃至(D)はウニノ・のタ゛イシングテーブ
ル上への位置決め方法を示す断面図、第7図はウニノ1
のエアブロ−機構を示しくA)は上面図、(B)は断面
図、第8図(A)および(B)はウニノ・の洗浄機構を
示す断面図、第9図はウニノ1チャックの動作状態を示
す軌跡である。 l・・・9xノ1.2・・・ケース、3・・・ビンセッ
ト、4゜21・・・ダイシングテーブル、5・・・ダイ
シングテーブル、6・・・カートリッジ、7・・・ウニ
ノS−−ダ位置、8・・・エアシュート、9・・・光源
、10・・・フォトトランジスタ、11・・・モータ、
12・・・位置合せテーブル−13・・・ガイド、14
・・・位置決め用ビン、15・・・エアシリンダ、16
・・・ウニノーの基準面、17・・・チャックの保持面
、18.27・・・ノズル、19゜24・・・管、20
・・・ストッパ、22・・・顕微鏡の基単線、23・・
・クエへのダイシングエリア、25・・・エア、26・
・・真空チャック。 第 1 図 第 2 図 (CI (D J 第5図 とA) cBン /U 第 6 図 第 7 図 第 8 図
Figures 1 (man) to (E) are process diagrams showing the case of performing dicing work using conventional equipment, Section 2 Figure 41 is a top view showing an overview of the present invention equipment, and Figures 3 (A) to ( D) is a sectional view showing the phenol 10-da mechanism, FIG. (D) is a top view, (B) and (E) are cross-sectional views, Figure 5 shows the chuck mechanism, A) is a cross-sectional view, (B) is a bottom view, Figures 6 (A) to (D) Figure 7 is a cross-sectional view showing how to position the Unino 1 on the tasing table.
A) is a top view, (B) is a cross-sectional view, Figures 8 (A) and (B) are cross-sectional views showing the cleaning mechanism of UNINO, and Figure 9 is the operation of UNINO 1 chuck. This is a trajectory showing the state. l...9xノ1.2...Case, 3...Bin set, 4゜21...Dicing table, 5...Dicing table, 6...Cartridge, 7...Unino S- - da position, 8... air chute, 9... light source, 10... phototransistor, 11... motor,
12... Alignment table-13... Guide, 14
...Positioning bottle, 15...Air cylinder, 16
... Unino reference surface, 17 ... Chuck holding surface, 18.27 ... Nozzle, 19° 24 ... Pipe, 20
...Stopper, 22...Microscope base single wire, 23...
・Dicing area for cube, 25...air, 26・
...Vacuum chuck. Figure 1 Figure 2 (CI (D J Figure 5 and A) cBn/U Figure 6 Figure 7 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、半導体ウェハ又は集積回路ウェハの表面を回転ブレ
ードにより切削するた灼のダイシング装置において、ウ
ェハな供給するためのローダ部および処理済のウェハを
送り出す為のアンローダ部を上記回転ブレードに対して
同じ側にレイアウトしたことを特徴とするダイシング装
置。
1. In a dicing device that cuts the surface of a semiconductor wafer or an integrated circuit wafer with a rotating blade, the loader section for supplying wafers and the unloader section for sending out processed wafers are the same as the above-mentioned rotating blade. A dicing device characterized by a side layout.
JP60046595A 1985-03-11 1985-03-11 Dicing device Granted JPS60214911A (en)

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