JPS60157741A - Optical memory medium and manufacture thereof - Google Patents

Optical memory medium and manufacture thereof

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JPS60157741A
JPS60157741A JP59194933A JP19493384A JPS60157741A JP S60157741 A JPS60157741 A JP S60157741A JP 59194933 A JP59194933 A JP 59194933A JP 19493384 A JP19493384 A JP 19493384A JP S60157741 A JPS60157741 A JP S60157741A
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JP
Japan
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thin film
optical
layer
wavelengths
film layers
Prior art date
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Japanese (ja)
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ボリス マクニツク
ロバート リーベイ
フレツド スポング
フランクリン コーク
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Original Assignee
Storage Technology Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光学的記憶媒体に関し、より詳細に言えば、
多層式計数型光学的記憶媒体の設計及び製造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to optical storage media, and more specifically,
This invention relates to the design and manufacture of multilayer counting type optical storage media.

(従来の技術) 過去数年間において、記憶媒体の単位面積当たりの記憶
密度は、著しく増大した。1960年代初期のテープ式
記憶装置は、記憶密度が、僅が2ビツト/dc13ビツ
ト/1nch”)であった。
BACKGROUND OF THE INVENTION In the past few years, the storage density per unit area of storage media has increased significantly. Tape storage devices in the early 1960's had a storage density of only 2 bits/dc13 bits/1 nch").

現在使用されている磁気ディスクは、20.5×106
ビツト/d(132X 10’ビツト/1nch2)ま
で記憶させることができ、かつめっき磁気媒体の場合に
は、それよりも大きな記憶密度をもつ。
The magnetic disk currently in use is 20.5 x 106
It can store up to bit/d (132 x 10' bits/1 nch2) and has a higher storage density in the case of plated magnetic media.

これらと比較して、光学的記憶装置は、長さ方向にさら
に大きな記憶密度をもっており、93×106ビツト/
cd(600X、 10’ビツト/1nch2)まで記
録させることができる。
Compared to these, optical storage devices have a much higher storage density in the longitudinal direction, 93 x 106 bits/
It is possible to record up to CD (600X, 10' bit/1nch2).

光学的記憶装置は、通常、適当な光学的記憶媒体を担持
する回転ディスクまたは回転レコード板からなる。
Optical storage devices usually consist of a rotating disk or phonograph carrying a suitable optical storage medium.

書込み作業の際には、入力されるデータは、順次半導体
レーザーダイオードにより変調されて出力される。レー
ザーは、回転レコード板の活性層内に記号を生成するこ
とにより、パターン化したデータを、光学的に記憶媒体
に記録する。コーヒレント光ビームは、非常に狭小な領
域に集中させることができるので、データを構成する個
々のデータ信号及びそのトラックは、互いに極端に接近
させることができる。実際に、光学的記憶装置は、通常
、それと同程度の磁気ディスクよりも、単位面積当たり
において40倍またはそれ以上のデータを記憶させるこ
とができる。
During a write operation, input data is sequentially modulated by a semiconductor laser diode and output. The laser optically records patterned data onto the storage medium by creating symbols in the active layer of the rotating record plate. Since the coherent light beam can be focused into a very narrow area, the individual data signals and their tracks making up the data can be brought extremely close to each other. In fact, optical storage devices can typically store 40 times or more data per unit area than comparable magnetic disks.

読出し作業の際には、ガスレーザー装置から発生した光
が、回転レコード板を走査する。その反射光は、データ
信号により変形され、かつ一群のフォトダイオードによ
り検知される。
During a readout operation, light generated by a gas laser device scans the rotating record plate. The reflected light is modified by a data signal and detected by a group of photodiodes.

データファイルは、1ミクロン単位の間隔をもって、同
心状に配置されたトラックからなる。
The data file consists of tracks arranged concentrically with a spacing of 1 micron.

書込みレーザー光または読出しレーザー光を集中させる
位置は、それらのレーザー光とは機能的に異なる反射光
から得られる位置情報によって、設定される。
The position at which the writing laser beam or the reading laser beam is focused is set by position information obtained from reflected light that is functionally different from those laser beams.

回転レコード板は、その光学的特性が、入射光の波長に
より変化する光学的記憶媒体を担持している。
A rotating record plate carries an optical storage medium whose optical properties vary with the wavelength of the incident light.

読出し、書込み及び位置決め作用が、それぞれ異なった
波長でなされる場合には、特に困難な問題が生じる。1
つの光学的記憶媒体を、ただ1つの作用のためにのみ利
用する場合には、その他の作用のために利用される他の
波長の入射光に対する該記憶媒体の反応を考慮しなけれ
ばならない。
A particularly difficult problem arises when reading, writing and positioning operations are each performed at different wavelengths. 1
When an optical storage medium is used for only one function, the response of the storage medium to incident light of other wavelengths used for other functions must be considered.

記録用回転レコード板上に同心状に形成されたユーザー
データの記録用トラックからなるトラックバンドは、そ
の数が、全部で、700またはそれ以上にもなるが、コ
ースアクセス探索機構(coarse access 
5eek mechanism)によって、第1のアク
チュエータにより、アクセスすることができる。
The total number of track bands consisting of user data recording tracks formed concentrically on a rotating record plate is 700 or more.
5eek mechanism), it can be accessed by the first actuator.

所望のトラックバンドが検知されると、第2のアクチュ
エータによりレーザー光は、該トラックバンド内の所望
のトラックに位置決めされる。正確な位置に関する情報
は、その他のレーザー光と機能的に異なる別個のレーザ
ー光によって、得ることができる。
When a desired track band is detected, a second actuator positions the laser beam at a desired track within the track band. Information regarding the precise position can be obtained by a separate laser beam that is functionally different from other laser beams.

(発明が解決しようとする問題点) 前記回転レコード板は、それぞれ厚さの異なる複数の反
射性、透過性、光学活性または光吸収性を有する薄膜層
から構成されるので、いくつかの波長に対して、様々な
薄膜層を選択して、最適の特性のものを得るための作業
は、様々に試行錯誤を繰り返すことにより行なわれてい
る。
(Problems to be Solved by the Invention) The rotating record plate is composed of a plurality of thin film layers each having different thicknesses, each having a reflective property, a transparent property, an optically active property, or a light-absorbing property. On the other hand, the selection of various thin film layers to obtain the optimum characteristics is carried out through repeated trial and error.

このような記憶装置の製造に使用される材料は、非常に
高価であり、かつその製造工程も複雑であるので、全ゆ
る波長について試行錯誤による作業を行なうことは、困
難であり、かつ多くの費用と時間とを必要とする。
The materials used to manufacture such storage devices are very expensive and the manufacturing process is complex, making trial-and-error work for every wavelength difficult and requiring a lot of effort. It requires cost and time.

(問題点を解決するための手段) 本発明の第1の目的は、光学的記憶媒体を作るための複
数の材料及びそれらによって形成される薄膜層のシーケ
ンスを選択して、最適の特性を有する光学的記憶媒体を
設計する方法を提供することにある。
(Means for Solving the Problems) A first object of the present invention is to select a plurality of materials for making an optical storage medium and a sequence of thin film layers formed by them to have optimal properties. An object of the present invention is to provide a method for designing an optical storage medium.

本発明の第2の目的は、一定範囲の波長に亘って、予め
選択された材料の光学的特性を記憶し、かつ参照するこ
とができるようにすることによって、多層式光学的記憶
媒体が、特定の波長について所望の光学的特性をもつよ
うにするための装置を提供することにある。
A second object of the invention is to enable the multilayer optical storage medium to store and reference the optical properties of preselected materials over a range of wavelengths. The object of the present invention is to provide a device for achieving desired optical characteristics for a specific wavelength.

本発明の第3の目的は、多数の波長が適用される場合に
、最新のコンピュータ技術の高速性及び能力を利用して
、互いに異なる複数の薄膜層からなる光学的記憶媒体を
設計できるようにすることである。
A third object of the present invention is to take advantage of the high speed and capabilities of modern computer technology to allow the design of optical storage media consisting of a plurality of different thin film layers when a large number of wavelengths are applied. It is to be.

本発明の第4の目的は、適用される複数の波長について
、最適の光学特性を有する1種または2種以上の光学的
活性層を含む複数の薄膜層を備える光学的記憶媒体を設
計し、かつ組立てることにある。
A fourth object of the present invention is to design an optical storage medium comprising a plurality of thin film layers comprising one or more optically active layers with optimal optical properties for a plurality of applied wavelengths, And it's about assembling.

前述の目的は、複数の光の波長を、別個に使用すること
ができるような光学的記憶媒体によって達成さね、該記
憶媒体の感度は、その内部の光学活性層が、書込み用の
波長に対して吸収する最大エネルギーの関数として、読
出し信号の質は、読出し用の波長に対する光学特性の関
数として、書込み処理及び読出し処理における該記憶媒
体の性能は、位置検出用の波長に対する光学特性の関数
として考えることができる。
The aforementioned object is achieved by an optical storage medium in which a plurality of wavelengths of light can be used separately, the sensitivity of the storage medium being such that an optically active layer therein is sensitive to the wavelength for writing. The quality of the readout signal is a function of the maximum energy it absorbs, the quality of the readout signal is a function of the optical properties for the readout wavelength, and the performance of the storage medium in writing and readout operations is a function of the optical properties for the position detection wavelength. It can be thought of as

本発明によれば、反射性を有する基盤上に積層された複
数の薄膜層からなる前記光学的記憶媒体を製造する方法
は、各薄膜層の材料を選択する工程と、前記各薄膜層の
厚さを選択する工程と、前記各薄膜層を一体化した場合
に、それらの前記各波長に対する光学特性を計算する工
程と、前記複数の波長の全ての場合について、その各波
長に対する前記記憶媒体の光学特性を測定するために、
前記計算を、複数の厚さについて繰り返し行なう工程と
、前記複数の波長の全ての場合について、その各波長に
ついて最適の光学特性が得られるように、各薄膜層の厚
さの組合せを選択する工程と、前記選択により決定され
た厚さを有する薄膜層からなる前記光学的記憶媒体を組
立てる工程とからなる。
According to the present invention, the method for manufacturing the optical storage medium consisting of a plurality of thin film layers stacked on a reflective substrate includes the steps of selecting the material of each thin film layer and the thickness of each thin film layer. a step of calculating optical characteristics for each of the wavelengths when the respective thin film layers are integrated; and a step of calculating the optical characteristics of the storage medium for each of the wavelengths in all cases of the plurality of wavelengths. To measure optical properties,
a step of repeatedly performing the calculation for a plurality of thicknesses; and a step of selecting a combination of thicknesses of each thin film layer so as to obtain optimal optical characteristics for each of the plurality of wavelengths. and assembling the optical storage medium of thin film layers having a thickness determined by the selection.

さらに、本発明によれば、前述の方法における各選択工
程及び計算工程は、コンピュータを使用することによっ
て容易に行なわれ、各薄膜層の材料の特性を、その目的
のために作成された適当なプログラムに入力すると、予
め決定されている各波長について、計算結果を得ること
ができる。これらの計算結果は、一覧表に印字されるか
、または図形表示される。
Furthermore, according to the invention, each selection and calculation step in the aforementioned method is facilitated by the use of a computer to determine the properties of the material of each thin film layer in a suitable When input into the program, calculation results can be obtained for each predetermined wavelength. These calculation results are printed on a list or displayed graphically.

より詳細に言えば、本発明によれば、反射層の上に形成
される多層構造の薄膜層に使用される複数の材料に関し
て、各材料の識別ラベル及びそれらの、200ナノメー
トル(109メートル)から900ナノメートルまでの
範囲内において10ナノメートル毎に設定された各波長
における光学定数を含む様々のデータを、コンピュータ
に記憶させる。記憶されている数値間で一次補間を行な
うことにより、所望の波長についての数値が得られる。
More specifically, in accordance with the present invention, for the plurality of materials used in the thin film layers of the multilayer structure formed on the reflective layer, the identification labels of each material and their 200 nanometer (109 meter) Various data including optical constants at each wavelength set every 10 nanometers within the range from 900 nanometers to 900 nanometers is stored in the computer. By performing linear interpolation between the stored values, a value for the desired wavelength can be obtained.

実際の作業においては、指定された多層体を構成する各
薄膜層の材料の組合せに従って、指定された組合せによ
る前記各薄膜層の厚さとともに、前記各薄膜層の材料名
を順次入力する。各薄膜層の厚さ及び光学定数は、特定
の波長について、多層式光学的記憶媒体の光学特性を決
定する数学的モデルを用いて計算される。前記計算は、
本発明による光学的記憶装置に使用される複波長の各波
長について、繰り返し行なわれる。最終的な計算結果と
しては、前記多層体を構成する各薄膜層における反射率
、反射光の位相及び吸収率が、適用される波長の関数と
して得られる。
In actual work, according to the combination of materials for each thin film layer constituting a specified multilayer body, the thickness of each thin film layer according to the specified combination and the material name of each thin film layer are sequentially input. The thickness and optical constants of each thin film layer are calculated using a mathematical model that determines the optical properties of the multilayer optical storage medium for a particular wavelength. The said calculation is
This is repeated for each wavelength of the multiple wavelengths used in the optical storage device according to the invention. The final calculation results are the reflectance, phase and absorption of the reflected light in each thin film layer of the multilayer as a function of the applied wavelength.

このようにして、それぞれ異なった厚さを有する複数の
薄膜層の様々なシーケンスについて、データを入力する
ことにより、複波長に対して、できる限り所望の反応に
近い最適の構成を決定することができる。
In this way, by entering data for various sequences of thin film layers, each with different thicknesses, it is possible to determine the optimal configuration for multiple wavelengths that is as close as possible to the desired response. can.

また、本発明によれば、薄膜層の多層体からなる光学的
記憶媒体は、入射される複数の異なった波長について最
適の光学特性を有するように、製造することができる。
Furthermore, according to the present invention, an optical storage medium consisting of a multilayer body of thin film layers can be manufactured such that it has optimal optical properties for a plurality of different incident wavelengths.

(実施例) 以下に、本発明及びその目的について、添付図面を参照
しつつ、より明らかにする。
(Example) Hereinafter, the present invention and its objects will be more clearly explained with reference to the accompanying drawings.

第1図において、本発明による光学的記憶媒体に使用さ
れる多層体の構成を例示する。
FIG. 1 illustrates the configuration of a multilayer body used in an optical storage medium according to the invention.

図示するように、前記多層体は、基盤(lO)と、たと
えばアルミニウムで形成される第1層(12)と、たと
えばシリカからなる第2層(14)と、活性層として作
用する第3層(16)と、誘電体からなる第4層(18
)と、適当な保護用の被膜として作用する第5層(20
)とからなる。
As shown, the multilayer body comprises a substrate (IO), a first layer (12) made of aluminum, for example, a second layer (14) made of silica, and a third layer acting as an active layer. (16) and a fourth layer (18) made of dielectric material.
) and a fifth layer (20
).

これらの薄膜層及びそれらの光学特性については、19
83年5月31日付の米国特許出願第499666号明
細書「活性構造体における現場化学反応を伴なう光学的
記録構造体J (Optical Recording
 5tructure Involving In−5
itu ChemicalReaction in t
he Active 5tructure)に、詳細に
開示されている。この米国特許出願に関する権利は、本
願出願人に譲渡されている。
For information on these thin film layers and their optical properties, see 19
U.S. Pat.
5structure Involving In-5
itu Chemical Reaction in t
It is disclosed in detail in he Active 5 structure). Rights in this U.S. patent application are assigned to the assignee of this application.

第1図に示されている薄膜層の数は、5層であるが、本
発明によれば、理論上、薄膜層の数は、いくつであって
もよい。実際には、光学的記憶媒体は、5乃至20層で
構成するのがよい。
Although the number of thin film layers shown in FIG. 1 is five, in theory any number of thin film layers may be used according to the present invention. In practice, the optical storage medium may consist of 5 to 20 layers.

本発明の目的を達成するために、最適の光学的記憶装置
は、以下の光学特性を備えている。すなわち、書込みレ
ーザーの波長に対して、吸収率が最大となること、たと
えばヘリウム−ネオンレーザ−を使用した焦点検知レー
ザーの波長に対して、反射率が約15%であること、及
びレーザーをいずれかのトラックバンド内に位置決めす
るための、コースアクセス探索位置を決めるために使用
される波長に対して、反射率が低くなることである。
To achieve the objectives of the present invention, an optimal optical storage device has the following optical properties: That is, the absorption must be at a maximum for the wavelength of the writing laser, the reflectance must be approximately 15% for the wavelength of a focus detection laser using, for example, a helium-neon laser, and the laser The reflectivity is low for the wavelength used to determine the course access search position for positioning within the track band.

たとえば、書込み用の波長として、820〜850ナノ
メートル(109メートル)、読出し及び焦点検知用の
波長として633ナノメートル(109メートル)、及
びコースアクセス探索用の波長しとて790ナノメート
ル(109メートル)の3種類の波長のレーザーが使用
される。これらのパラメータ及び波長は、様々な数値を
とりうるものであるが、本発明の特徴に限定して、言え
ば、最適のものである。
For example, the write wavelength is 820-850 nanometers (109 meters), the readout and focus detection wavelength is 633 nanometers (109 meters), and the course access search wavelength is 790 nanometers (109 meters). ) lasers with three different wavelengths are used. Although these parameters and wavelengths can take various values, they are the optimum values insofar as they are limited to the characteristics of the present invention.

これより、互いに数10ナノメートルの差で異なる3種
類の波長が、同じ光学的記憶媒体に適用されることがわ
かる。従って、スペトクル特性が、3種類の全ての波長
に対して最適のものであることが、必要条件である。
From this, it can be seen that three types of wavelengths, which differ from each other by a few tens of nanometers, are applied to the same optical storage medium. Therefore, it is a necessary condition that the spectral characteristics be optimal for all three types of wavelengths.

光学特性を決定するために、一定の基準値が、理論上の
薄膜層の多層構造モデルに使用される。
To determine the optical properties, certain reference values are used in a multilayer structure model of theoretical thin film layers.

本発明によれば、たとえばアルミニウムからなる所定の
基盤の上に、薄膜層の多層構造体が組立てられる。
According to the invention, a multilayer structure of thin film layers is assembled on a predetermined substrate, for example made of aluminum.

さらに本発明によれば、薄膜層の数はいくつであっても
よい。薄膜層の前記多層構造体の光学特性を決定するパ
ラメーターは、各薄膜層の物理的厚さ及び光学定数であ
る。
Furthermore, according to the invention, there can be any number of thin film layers. The parameters that determine the optical properties of said multilayer structure of thin film layers are the physical thickness and optical constants of each thin film layer.

従来の薄膜光学理論において定義されている光学定数を
、本発明による数学モデルに使用する。
Optical constants defined in conventional thin film optical theory are used in the mathematical model according to the invention.

n及びkで表示される2個のパラメーター値を用いる。Two parameter values are used, denoted n and k.

ここで、パラメーターnは、複屈折における常光線部分
の屈折率であり、パラメーターには、その異常光線部分
の屈折率である。各材料の屈折率は、入射光の波長によ
り変化する。
Here, the parameter n is the refractive index of the ordinary ray part in birefringence, and the parameter is the refractive index of the extraordinary ray part. The refractive index of each material changes depending on the wavelength of incident light.

各薄膜層の厚さ及び光学定数により、それらが構成する
多層体の3つの関連のある光学特性が決定される。その
第1は、適用される光の波長の関数として表わされる前
記多層体の反射率である。
The thickness and optical constants of each thin film layer determine three relevant optical properties of the multilayer they constitute. The first is the reflectance of the multilayer as a function of the wavelength of the applied light.

第2の特性は、適用される光の波長の関数として表わさ
れる、活性層におけるレーザー光の吸収率である。第3
の特性は、同様に適用される光の波長の関数として表わ
される、入射光に関する反射光の位相である。
The second property is the absorption of laser light in the active layer as a function of the wavelength of the applied light. Third
is the phase of the reflected light with respect to the incident light, which is also expressed as a function of the wavelength of the applied light.

選択された各材料について、光学定数が、200ナノメ
ートルから900ナノメートルの範囲において10ナノ
メートル毎に、前記数学モデル中の各テーブルに記憶さ
れる。プログラムは、特定の薄膜層について、2個のデ
ータ源の一方から得られる光学定数を採用する。
For each material selected, optical constants are stored in each table in the mathematical model every 10 nanometers in the range 200 nanometers to 900 nanometers. The program employs optical constants obtained from one of two data sources for a particular thin film layer.

ニューメリック値が、オペレータにより、多層体のいず
れかの薄膜層を特定して与えられた場合には、その数値
が使用される。他方、ニューメリック値が与えられない
場合には、プログラムは、その内部のテーブルから適切
な数値を検索する。
If a numeric value is provided by the operator specifying any thin film layer of the multilayer body, that numerical value is used. On the other hand, if no numeric value is given, the program looks up the appropriate number from its internal table.

記憶されている数値間において、1次補間が行なわれる
A linear interpolation is performed between the stored numerical values.

前述の基本原則に基づいて、反射性を有する基盤の上に
形成された複数の薄膜層からなる光学的記憶媒体の設計
は、各薄膜層の材料を選択する工程と、複数の波長につ
いて、それぞれ前記各簿膜層を一体化した場合の全体に
おける光学特性を計算する工程と、前記各薄膜層の厚さ
を様々にして前記計算を繰り返し行ない、前記複数の波
長の全ての場合について、その各波長についての前記記
憶媒体の光学特性を測定する工程と、前記複数の波長の
全ての場合について、その各波長について最適の光学特
性が得られるような各薄膜層の厚さの組合せを選択する
工程と、前記各薄膜層が、前記選択により決定された厚
さを有するように、前記光学的記憶媒体を製造する工程
とにより、行なわれる。
Based on the basic principles described above, the design of an optical storage medium consisting of multiple thin film layers formed on a reflective substrate involves the process of selecting the material for each thin film layer and A step of calculating the overall optical characteristics when the respective thin film layers are integrated, and repeating the calculation while varying the thickness of each of the thin film layers, and calculating the optical characteristics of each of the plurality of wavelengths for all cases of the plurality of wavelengths. measuring the optical properties of the storage medium with respect to wavelength; and selecting, for all of the plurality of wavelengths, a combination of thicknesses of each thin film layer that provides the optimum optical properties for each wavelength. and manufacturing the optical storage medium such that each thin film layer has a thickness determined by the selection.

本発明による各工程のシーケンスを、第2図に示す。The sequence of each step according to the present invention is shown in FIG.

図示されているように、データは、ユーザーにとって利
用し易い対話型のシーケンスにより、コンピュータに入
力される。前記シーケンスによれば、使用される光の波
長、入射角度及び偏光状態が、最初に要求される。所望
のいずれの記憶装置についても、その多層体の各薄膜層
の厚さを記述することを条件として、該記憶装置につい
て、波長を記述することができる。入射角度は、度数で
記述され、かつ偏光状態は、S偏光、P偏光または円偏
光のいずれかで記述される。
As shown, data is entered into the computer in a user-friendly interactive sequence. According to said sequence, the wavelength, angle of incidence and polarization state of the light used are first required. The wavelength can be described for any desired storage device, provided the thickness of each thin film layer of the multilayer is described. The angle of incidence is described in degrees, and the polarization state is described as either S-polarized, P-polarized, or circularly polarized.

前記多層体の各薄膜層について、それを形成する材料の
標識ラベル、n値、k値及び厚さを、前記コンピュータ
に入力する。全ての光学定数が、前記モデルに予め記憶
されている材料からなる薄膜層については、n及びkに
、たとえば星印を付して表示される。これは、薄膜層の
多層体の光学特性を計算する際に、前記モデルに、その
星印が、付された薄膜層については、その内部のテーブ
ルから数値を検索すべきであることを支持するためのも
のである。
For each thin film layer of the multilayer, the identification label, n value, k value, and thickness of the material from which it is formed are entered into the computer. For a thin film layer made of a material for which all optical constants are stored in advance in the model, n and k are indicated, for example, with an asterisk. This supports that when calculating the optical properties of a multilayer body of thin film layers, the model should retrieve values from its internal table for those thin film layers marked with an asterisk. It is for.

前記モデルのデータを入力した状態を表示する画面の一
例を、以下に参考のためしこ示す。
An example of a screen displaying the input state of the model data is shown below for reference.

MATERIAL THICKNESS N Ksil
ica 8001.32 圏■服■棒ヅ小り 全てのデータが入力されると、rRUNJのコマンドに
対して、計算結果が表示される。特定の波長に対する多
層体の反射率、透過率及び反射における位相のすわが、
該多層体の各薄膜層の吸収率とともに生成され、かつ表
示される。
MATERIAL THICKNESS N Ksil
ica 8001.32 When all the data is input, the calculation result will be displayed in response to the rRUNJ command. The reflectance, transmittance, and phase shift in reflection of a multilayer body for a specific wavelength are
The absorption rate of each thin film layer of the multilayer is generated and displayed.

基盤上の4つの薄膜層に関して行なわれた計算結果を表
示する画面の一例を、以下に参考のために示す。
An example of a screen displaying the results of the calculations performed on the four thin film layers on the substrate is shown below for reference.

口君ΣRαmの= run for d(21= 10 SY105YNONY : PI(ASE 3COMP
[Jr工NG、、。
Kuchi-kun ΣRαm = run for d(21= 10 SY105YNONY: PI(ASE 3COMP
[Jr Engineering NG,,.

S P コ ) LA雪4氾開■閏 0.0564370.056437
0.056437m mMMANIll: この画面から判断して、基盤上に形成される所定の数の
薄膜層の厚さ及び材料が選択されることにより、特定の
波長に対する、前記薄膜層の光学特性が、決定される過
程がわかる。
S P Co) LA Snow 4 Flood Open ■ Leap 0.0564370.056437
0.056437mmMANIll: Judging from this screen, the thickness and material of a predetermined number of thin film layers formed on the substrate are selected, thereby determining the optical properties of the thin film layers for a specific wavelength. Understand the process.

予期される波長のそれぞれについて、所望の応答にでき
る限り近い応答を示す構成が見つかるまで、様々な構成
について、前記計算を繰返し行なう。
The above calculations are repeated for various configurations until a configuration is found that exhibits a response as close as possible to the desired response for each expected wavelength.

特定の薄膜層の厚さを変化させ、かつ特定の波長に対す
る光学特性を、その厚さの関数として表示するように、
コンピュータに指令することも可能である。
In order to change the thickness of a specific thin film layer and display the optical properties for a specific wavelength as a function of the thickness,
It is also possible to instruct a computer.

また、多層体を構成する1組の薄膜層について、その各
薄膜層の厚さを同時に変化させ、かつそれから得られる
スペクトル応答を観測させるようにすることも可能であ
る。
It is also possible to simultaneously change the thickness of each of a set of thin film layers constituting a multilayer body and observe the resulting spectral response.

反射される光波の位相についても、第4図13例示した
ように、座標表示して分析することができる。
The phase of the reflected light wave can also be analyzed by displaying the coordinates as shown in FIG. 4, 13.

前述のプログラムは、アイピーエム社(IBM)のVM
/CMS処理システムに基づいて実行されるが、他の同
等のコンピュータシステムを使用することにより、同一
の目的を達成することができることは、明らかである。
The above program uses IBM's VM.
/CMS processing system, it is clear that the same objectives can be achieved using other equivalent computer systems.

添付した説明書Aに、前記光学応答を計算するために使
用される数学モデルすなわちアルゴリズムを示す。この
数学モデルは、使用される各波長に対する光学的記憶媒
体の光学特性を計算するための公式の一例である。
Attached Document A shows the mathematical model or algorithm used to calculate the optical response. This mathematical model is an example of a formula for calculating the optical properties of an optical storage medium for each wavelength used.

また、添付した別の説明書Bには、前述の様々なデータ
を入力して、適切な光学特性が、得られるように、数学
モデルに基づいて計算が行なわれるようにするために、
及びその結果得られたデータが図形表示されるようにす
るために作成されたプログラムの全ての使用が説明され
ている。
In addition, in the attached separate manual B, in order to input the various data mentioned above and perform calculations based on a mathematical model so that appropriate optical characteristics can be obtained,
and all uses of the programs created to cause the resulting data to be displayed graphically are described.

各薄膜層について、適切な材料及び厚さが選択されると
、次に、それらの各薄膜層の多層体が製造される。各薄
膜層は、適当な材料から”なる基盤上に、スパッタリン
グまたは蒸着によって順次積層され、多層体が完成する
。前記各薄膜層の厚さは、公知の技術により、正確に制
御される。
Once the appropriate materials and thicknesses have been selected for each thin film layer, a multilayer of each of those thin film layers is then manufactured. Each thin film layer is successively deposited by sputtering or vapor deposition on a substrate of a suitable material to complete the multilayer. The thickness of each thin film layer is precisely controlled by known techniques.

第1図示の5層からなる多層体を参照しつつ、複数の、
特に3種類の波長に対して最適の光学特性を有する光学
的記憶媒体の一実施例について説明する。この本発明に
よる光学的記憶媒体の実施例は、第1表に示されている
材料及び厚さの各薄膜層からなる多層体を構成する。
With reference to the multilayer body consisting of five layers shown in the first diagram, a plurality of
In particular, one embodiment of an optical storage medium having optimal optical characteristics for three types of wavelengths will be described. This embodiment of the optical storage medium according to the invention constitutes a multilayer body consisting of thin film layers of the materials and thicknesses shown in Table 1.

第1表 このような構成の場合には、820ナノメートル、63
2.8ナノメートル及び790ナノメートルの3波長に
対して、最適の光学特性が得られる。このように構成さ
れた状態での各薄膜層についての数値を、第2表に示す
Table 1 In such a configuration, 820 nanometers, 63
Optimal optical properties are obtained for three wavelengths: 2.8 nanometers and 790 nanometers. Table 2 shows the numerical values for each thin film layer in the state configured in this way.

第2表 本発明は、これらの実施例により示された技術的範囲に
限定されるものではなく、様々な変更または変形を加え
て実施できることは、明らかである。
Table 2 It is clear that the present invention is not limited to the technical scope shown by these Examples, and can be implemented with various changes or modifications.

一説明書A− 07,2J″ 9One manual A- 07,2J″9

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による多層式薄膜構造の断面を示す概
略図である。 第2図は、本発明による選択過程において行なわれる処
理のシーケンスを表わすフローチャートである。 第3図は、本発明による光学特性に関する計算結果に基
づいて図表化されたデータの一例である。 第4図は、第3図と同様にして図表化されたデータの別
の例である。 (10)基盤 (12)第1層、反射層(14)第2層
、位相層 (16)第3層、活性層(18)第4層、マ
トリックス層 (20)第5層、保護用被膜 ゝ−X < o o o o o chi cs o θ (層
 0 勺 (町 θ 喝 (−(憤 (噴 (袷ス考 
な褌ジ≧た七ミ艷 01% 第1頁の続き 0発 明 者 フレッド スポンゾ アメリカ合衆ロオ
ークドライフ 0発 明 者 フランクリン コーク アメリカ合衆ロ
スブロードウコ 4 コロラド州 80303 ブールダー ホリ’ 2
208 1 コロラド州 80302 ブールダー ノー:イ 
3100 ナンバー 212 手続補正書彷式) 昭和60年2月28日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第194933号 2、発明の名称 光学的記憶媒体及びその製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ストレイン テクノロジー コーポレーション
4、代理人 5、補正命令の日付 昭和60年 1月 9日(発送日
 昭和60年 1月29日) 6、補正の対象 (1)願書の出願人の欄(2)代理人
の欄 (3)委任状及びその訳文 (4)明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な
説明の欄 (5)図面 7、補正の内容 (1) (2) (3) (4)別紙
の通り(5)図面の浄書(内容に変更なし)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a multilayer thin film structure according to the present invention. FIG. 2 is a flowchart representing the sequence of processing performed in the selection process according to the present invention. FIG. 3 is an example of data graphed based on calculation results regarding optical characteristics according to the present invention. FIG. 4 is another example of data graphed in the same manner as FIG. (10) Base (12) First layer, reflective layer (14) Second layer, phase layer (16) Third layer, active layer (18) Fourth layer, matrix layer (20) Fifth layer, protective coatingゝ-X < o o o o o chi cs o θ
な褌じ≧TAnanami艷 01% Continued from page 1 0 Inventor: Fred Sponzo United States of America, United States of America Roach Drift 0 Inventor: Franklin Cork United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America, United States of America
208 1 Colorado 80302 Boulder No:I
3100 Number 212 Procedural Amendment Form) February 28, 1985 Manabu Shiga, Commissioner of the Japan Patent Office1, Indication of the case 1984 Patent Application No. 1949332, Name of the invention Optical storage medium and its manufacturing method 3 , Relationship to the case of the person making the amendment Patent applicant name Strain Technology Corporation 4, Agent 5, Date of amendment order January 9, 1985 (Shipping date January 29, 1985) 6. Subject of amendment ( 1) Applicant's column in the application (2) Agent's column (3) Power of attorney and its translation (4) Detailed explanation of the invention and brief explanation of the drawings in the specification (5) Drawing 7, Contents of the amendment (1) (2) (3) (4) As shown in the attached sheet (5) Engraving of the drawing (no change in content)

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基盤と、位相層を構成する前記基盤上の第1層と
、活性光吸収層を構成する前記第1層上の第2層と、別
の位相層を構成する前記第2層上の第3層とからなり、
かつその光学特性が、複数の波長に対して最適となるよ
うに、前記各層の厚さ及び構成が選択されている光学的
記憶媒体。
(1) a base, a first layer on the base constituting a phase layer, a second layer on the first layer constituting an active light absorption layer, and a second layer on the base constituting another phase layer; It consists of the third layer of
An optical storage medium in which the thickness and configuration of each layer are selected such that the optical properties thereof are optimal for a plurality of wavelengths.
(2)光学特性が、3種類の異なる波長に対して最適で
あることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載
の光学的記憶媒体。
(2) The optical storage medium according to claim (1), wherein the optical properties are optimal for three different wavelengths.
(3)反射性基盤の上に積層された複数の薄膜層からな
り、複数の光の波長を別個に使用することができ、かつ
前記各波長に対する光学特性の関数としての性能を有す
る光学的記憶媒体の製造方法であって・ 前記各薄膜層の材料を選択する過程と、前記各薄膜層の
厚さを選択する過程と、前記各薄膜層を一体化した場合
に、それらの前記各波長に対する光学特性を計算する過
程と、前記複数の波長の全ての場合について、その各波
長に対する前記光学的記憶媒体による光の吸収率を測定
するために、前記計算を、複数の厚さについて繰り返し
行なう過程と、 前記複数の波長の全ての場合について、その各波長につ
いて最適の光学特性が得られるように、前記各薄膜層の
厚さの組合せを選択する過程と、前記選択により決定さ
れた厚さを有する薄膜層からなる前記光学的記憶媒体を
組み立てる過程とからなる方法。
(3) Optical storage consisting of a plurality of thin film layers stacked on a reflective substrate, capable of separately using a plurality of wavelengths of light, and having performance as a function of optical properties for each said wavelength. A method for manufacturing a medium, comprising: a process of selecting a material for each of the thin film layers, a process of selecting a thickness of each of the thin film layers, and a process of selecting a material for each of the thin film layers, and a process of selecting a material for each of the wavelengths when the thin film layers are integrated. calculating optical properties; and repeating said calculations for a plurality of thicknesses in order to measure the absorption of light by said optical storage medium for each of said plurality of wavelengths. and a step of selecting a combination of thicknesses of the respective thin film layers so as to obtain optimal optical characteristics for each of the plurality of wavelengths in all cases of the plurality of wavelengths, and a step of selecting the thickness combination determined by the selection. assembling said optical storage medium comprising thin film layers comprising:
(4)薄膜層の材料が、それぞれ複数の関連する光学定
数をもっており、選択された複数の前記材料について、
それぞれ光学定数をコンピュータに記憶させ、前記各材
料に付された識別ラベルに基づいて、前記光学定数を前
記コンピュータに検索させ、かつそれによって得られた
前記光学定数に基づいて、各波長に対する光学特性を計
算することを特徴とする特許請求の範囲第(3)項に記
載の方法。
(4) The materials of the thin film layer each have a plurality of associated optical constants, and for the plurality of selected materials,
The optical constants are stored in a computer, the computer is searched for the optical constants based on the identification label attached to each material, and the optical properties for each wavelength are determined based on the optical constants obtained thereby. 3. A method according to claim 3, characterized in that:
(5)薄膜多層構造の光学特性に関するフレネルの干渉
理論に基づいて、光学特性が計算されることを特徴とす
る特許請求の範囲第(3)項に記載の方法。
(5) The method according to claim (3), wherein the optical properties are calculated based on Fresnel's interference theory regarding the optical properties of a thin film multilayer structure.
(6)200ナノメートルから900ナノメートルの範
囲の波長について、基盤の上に形成される薄膜多層体の
特性に基づいて予め決定されるシーケンスに従い入力さ
れた、複数の異なる材料がそれぞれ有する複数の光学定
数が記憶されているコンピュータを使用することにより
、光学特性を計算することを特徴とする特許請求の範囲
第(3)項に記載の方法。
(6) For wavelengths in the range of 200 nanometers to 900 nanometers, a plurality of different materials, each having a plurality of A method according to claim 3, characterized in that the optical properties are calculated by using a computer in which optical constants are stored.
(7)光反射性材料と光吸収性材料とを含む薄膜多層体
を調整する方法であって、 前記薄膜多層体を構成する各薄膜層の光学特性を、入射
光の複数の波長について、その各波長に対する前記各薄
膜層の厚さに基づいて測定する過程と、 前記各波長に対して、所定のスペクトル特性にできる限
り近くなるように、前記各薄膜層の厚さを調整する過程
と、 前記各薄膜層が、前記各波長に対して、所望のスペクト
ル応答に最も近くなるように選択された厚さを有し、か
つ所定の材料からなる薄膜多層体を組み立てる過程 とからなる方法。
(7) A method for adjusting a thin film multilayer body containing a light reflective material and a light absorbing material, the method comprising: adjusting the optical properties of each thin film layer constituting the thin film multilayer body for a plurality of wavelengths of incident light; measuring based on the thickness of each thin film layer for each wavelength; adjusting the thickness of each thin film layer for each wavelength so as to be as close to a predetermined spectral characteristic as possible; assembling a thin film multilayer of a predetermined material, each of said thin film layers having a thickness selected to most closely approximate a desired spectral response for each of said wavelengths.
(8)反射性基盤の上に積層された薄膜多層体を構成す
る複数の薄膜層からなる光学的記憶媒体を製造する方法
であって、 複数の波長について、その各波長に対する前記各薄膜層
の光学的厚さを計算する過程と、前記各波長に対して、
所望の光学応答が得られるように、前記各薄膜層の厚さ
を選択する過程と、そのように選択された前記各薄膜層
の厚さに基づいて、前記薄膜多層体を組み立てる過程と
からなる方法。 (以下4台ン 明細書の浄書(内容に変更なし)
(8) A method for manufacturing an optical storage medium consisting of a plurality of thin film layers constituting a thin film multilayer stacked on a reflective substrate, the method comprising the steps of: The process of calculating the optical thickness and for each wavelength,
The method includes the steps of selecting the thickness of each of the thin film layers so as to obtain a desired optical response, and assembling the thin film multilayer body based on the thickness of each of the thin film layers so selected. Method. (Engraving of the following 4 unit specifications (no changes to the contents)
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