JPS60152108A - Amplifier circuit - Google Patents

Amplifier circuit

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Publication number
JPS60152108A
JPS60152108A JP59007099A JP709984A JPS60152108A JP S60152108 A JPS60152108 A JP S60152108A JP 59007099 A JP59007099 A JP 59007099A JP 709984 A JP709984 A JP 709984A JP S60152108 A JPS60152108 A JP S60152108A
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JP
Japan
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transistor
power supply
voltage
turned
trs
Prior art date
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Pending
Application number
JP59007099A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ritsuji Takeshita
竹下 律司
Norihisa Kato
加藤 典久
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59007099A priority Critical patent/JPS60152108A/en
Publication of JPS60152108A publication Critical patent/JPS60152108A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To protect a power supply side output transistor (TR) and a resistor between a current and a bootstrap capacitor by detecting fluctuation of power supply so as to interrupt the current path of said resistor. CONSTITUTION:An input signal Vin is applied to a circuit I conducting class A voltage amplification and class B current amplification via an operational amplifier 1, where the signal is power-amplified and outputted, and when a power supply is normal, an overvoltage detecting TRQ1 is turned off and control TRs Q21-Q23 are turned off and power supply side output TRs Q8, Q9 and common side output TRs Q10, Q11 are driven. If a surge is mixed to the power supply, the overvoltage detection TRQ1 is turned on and the TRs Q2, Q21-Q23 are turned on, the TRs Q3, Q4 are turned off and since no current flows to a bootstrap resistor R6, no heat dissipation is caused. Moreover, the TRs Q5-Q9 are all turned off and the destruction of the output TRs is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、過亀圧保獲機能を有する増幅回路に関J−る
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to an amplifier circuit having an overpressure retention function.

〔背景技術〕[Background technology]

各種オーディオ機器においては、電源リリブル等から増
幅回路を検眼するため、過電圧検膜回路が設けられてい
る。
In various audio devices, an overvoltage testing circuit is provided to check the amplifier circuit from a power source or the like.

本願発明に先立ち、本発明者は第1図に示す如き電力増
幅回路を検討した。
Prior to the invention of the present application, the present inventor studied a power amplifier circuit as shown in FIG.

人力(A号vin’よ、直流阻止用コンデンサCIを介
して、演算増幅器10入力端子田に供給される。
The human power (No. A vin') is supplied to the operational amplifier 10 input terminal via the DC blocking capacitor CI.

トランジスタQ+はA級屯圧増幅を行ない、ダイオード
D、、D、liレベルシフト用であり、抵抗Rx ld
 トランジスタQ、のコレクタ負荷を構成するものであ
る。また、電源側トランジスタリ、と接地側トランジス
タQ、とは、出力用トランジスタとして動作する。負帰
還抵抗”A ’ RB は、演算増幅器工の閉ループ電
圧利得を設定し、負帰還コンデンサC2は交流分を接地
点にバスして、負帰還端子Hに直流電圧を供給する。
Transistor Q+ performs class A voltage amplification, diodes D, , D, li are for level shifting, and resistor Rx ld
This constitutes the collector load of transistor Q. Further, the power supply side transistor Q and the ground side transistor Q operate as output transistors. Negative feedback resistor "A'RB" sets the closed loop voltage gain of the operational amplifier, and negative feedback capacitor C2 busses the AC component to ground to supply DC voltage to negative feedback terminal H.

入力信号Vinが供給されると、出力トランジスタQ、
、Q、が駆動され、X点の電圧にベルが変・比し゛〔出
力コンデンサC8な介してスピーカSPが駆動される。
When the input signal Vin is supplied, the output transistor Q,
, Q are driven, and the voltage at point X is changed and compared to the voltage at point X, and the speaker SP is driven via the output capacitor C8.

一方、回路プロ・νりAは過電圧検膜回路であって、過
電圧検出トランジスタQ、のベース電圧は。
On the other hand, circuit pro-vriA is an overvoltage detection circuit, and the base voltage of the overvoltage detection transistor Q is.

抵抗R1,、ツェナダイオード’DIlKよっ工#マは
一定のツェナー電圧V。に保持されている。抵抗R,,
,R,,は分圧抵抗であり1.Ia電圧検出トランジス
タQ4のエミヴタ屯圧を規定スル。
The resistor R1, the zener diode DIlK, has a constant zener voltage V. is maintained. Resistance R,,
, R,, are voltage dividing resistors, and 1. The emitter voltage of Ia voltage detection transistor Q4 is specified.

前記増幅回路において、十vccIM、源にサージ電圧
がかかると、ベース電圧VCがほぼ一定でエミツタfl
圧が上昇するので、過電圧検出トランジスタQ、がオン
状態に動作する。そして、制御トランジスタQllKも
ベース電流が供給され、これがオン状態に動作する。こ
の結果、電源側出力トランジスタQ、のベースがほぼ接
地状態になり、これがオフ状態になる。
In the amplifier circuit, when a surge voltage of 10 VccIM is applied to the source, the base voltage VC remains almost constant and the emitter fl
As the voltage increases, the overvoltage detection transistor Q is turned on. The base current is also supplied to the control transistor QllK, which turns it on. As a result, the base of the power supply side output transistor Q is almost grounded, and it is turned off.

ところで、電源側出力トランジスタQ、のエミダタは、
負帰還コンデン?C1,或いは出力コンデンサC3の充
[!電圧によって、tよは2QQm8ec・・ l もの間−2−Vcc の電圧レベルに保持される。これ
に対し、l!源側出力トランジスタQ、のベースは接地
状態になるので、このベース・エミッタ間が逆バイアス
され、トランジスタQ、の保護はトランジスタ特性の範
囲で最大に向上されることが本発明者の検討により明ら
か圧された。
By the way, the emitter data of the output transistor Q on the power supply side is
Negative feedback capacitor? Charging C1 or output capacitor C3 [! The voltage holds t at a voltage level of -2-Vcc for 2QQm8ec...l. On the other hand, l! Since the base of the source side output transistor Q is grounded, the base-emitter is reverse biased, and the inventor's studies have revealed that the protection of the transistor Q is maximized within the range of transistor characteristics. I felt pressured.

さらに、本発明者は、前記電力増幅回路のみでなく、ブ
ートスドラ、ブコンデンサを設けた電力増幅回路につい
ても検討した。ブートスドラ9プコンデンサを有する電
力増幅回路では、+vcc電源とブートストラップコン
デンサによって電圧上昇が行われる電源vcc’との間
にブートスドラ9プ抵抗が設けられている。そして、X
点の電位がvccの時眠ブートスドラタブコンデンサに
よる電圧保持作用によって、前記電源VC,’tLv’
=v +↓V ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(11CCCC2CC で与えられる最高電圧レベルまで上昇する。この[11
式で与えられる最高電圧レベルにより電源側出力トラン
ジスタのベースが駆動されるため、このトランジスタは
飽和状態忙なる。また、サージ電圧がVcowL源が印
加されたとき前記(1)式、に示すVcc′電源忙より
、+vcc電源とvcc′電源との間に設ゆられたブー
トストラップ抵抗の両端間電圧差が最大になる。前記ブ
ートストラップ抵抗は50Ω〜100Ωと比較的低抵抗
値であるため、サージ電圧がV。ct源に印加されたと
き大電流が流れる。
Furthermore, the present inventors have studied not only the power amplification circuit described above but also a power amplification circuit provided with a bootstrapper and a boot capacitor. In a power amplifier circuit having a bootstrap capacitor, a bootstrap resistor is provided between the +vcc power supply and the power supply vcc' whose voltage is increased by the bootstrap capacitor. And X
Due to the voltage holding action of the bootstrap capacitor whose potential at the point is vcc, the power supply VC, 'tLv'
=v +↓V ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(11CCCC2CC rises to the highest voltage level given by this [11
Since the highest voltage level given by the equation drives the base of the power supply side output transistor, this transistor is in saturation. In addition, when the surge voltage is applied to the VcowL source, the voltage difference between both ends of the bootstrap resistor set between the +vcc power supply and the vcc' power supply is maximum, from the Vcc' power supply shown in equation (1) above. become. Since the bootstrap resistor has a relatively low resistance value of 50Ω to 100Ω, the surge voltage is V. A large current flows when applied to a ct source.

従って、IC内のブートストラップ抵抗によってIC内
部に高熱が発生するが、これを防止するためには、IC
内のブートストラップ抵抗の面積を大にしなければなら
ないことが、本発明者の検討により明らかにされた。I
C&Cおいて、1個の抵抗のため大垣な面積を使用する
ことは、集積度の向上が損われ、好ましくない。しかる
に%前記ブートストラップ抵抗の抵抗値は、ブートスド
ラ。
Therefore, the bootstrap resistor inside the IC generates high heat inside the IC, but in order to prevent this, it is necessary to
The inventor's studies have revealed that the area of the bootstrap resistor within the circuit must be increased. I
In C&C, it is not preferable to use a large area for one resistor because it impairs the improvement of the degree of integration. However, the resistance value of the bootstrap resistor is the bootstrap resistor.

プコンデンサとの時定数により1周波数特性を補償する
機能もあるので、その抵抗値は単にサージ電圧供給時の
発熱を考慮して決定することはできない。
Since the capacitor also has a function of compensating for one frequency characteristic by a time constant with the capacitor, its resistance value cannot be determined simply by considering heat generation when a surge voltage is supplied.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、電源にサージ電圧等が供給されたとき
、電源側出力トランジスタを保護するとともに、ブート
スドラ、プコンデンサを用いた場合ブートスドラ・ツブ
抵抗を保護し得る増I@回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an I increase circuit that can protect the output transistor on the power supply side when a surge voltage or the like is supplied to the power supply, and also protect the bootstrap resistor when using a bootstrap capacitor. It is in.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面がら明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願明細書において開示される発明の概要を簡単に述べ
れば下記のとおりである。
A brief summary of the invention disclosed in this specification is as follows.

すなわち、 +vcc亀iの電圧変動なツェナーダイオ
ードで得られる基準電圧との比較忙より検出し、過電圧
検出トランジスタQ1をオン状態に切換えることにより
ブートストラップ抵抗86に直列接続されたスイ9チ・
トランジスタQ4をオフ状態となし、+vcc電源と十
′vcc 電源との間の電流径路を遮断するとともに、
制御トランジスタQ□。
That is, the switch 9 connected in series with the bootstrap resistor 86 is detected by comparing the voltage fluctuation of +vcc with the reference voltage obtained from the Zener diode and turns on the overvoltage detection transistor Q1.
Turns off the transistor Q4, cuts off the current path between the +vcc power supply and the +vcc power supply, and
Control transistor Q□.

Q□、Q□をオン動作せしめて電力増幅回路を構成する
定電流負荷トランジスタQ7及び電源側出力トランジス
タQa 、Q*を非動作状態になし。
By turning on Q□ and Q□, the constant current load transistor Q7 and the power supply side output transistors Qa and Q*, which constitute the power amplifier circuit, are rendered inactive.

電源電圧変動時における電源側出力トランジスタQa 
= Q*を保護する、という本発明の目的を達成するも
のである。
Power supply side output transistor Qa when power supply voltage fluctuates
= This achieves the purpose of the present invention, which is to protect Q*.

〔実施例〕〔Example〕

以下、第2図を参照し【、本発明を適用した電力増幅回
路の一実施例を述べる。なお1本実施例に示す電力増幅
回路は、半導体集積回路(以下においてICという)V
Cて構成されているものとする。
An embodiment of a power amplifier circuit to which the present invention is applied will be described below with reference to FIG. Note that the power amplifier circuit shown in this embodiment is a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC) V.
It is assumed that the system is configured as C.

入力信号vJ、1は、直流阻止用コンデンサco%1番
端子を介して演算増幅器lの入力端子t+−JVc供給
さチする。演豹:増幅器1の出力信号V。は、A級僧幅
トランジスタQ□のベースに供給される。なお、負帰還
抵抗RA、RBは演算増幅器lの閉ループ′t′1圧利
得を設定し、コンデンサC1は負帰還端子Hに11流直
圧を供給ずろものである。点線で囲った回路プロ・・ク
エは、A RrK圧増幅及びB級?ll流増幅釦より1
力増1を行5ものであろう定電流負荷トランジスタQ、
とレベルシフト・ダイオード1)、、 L)、、 D、
とはA級増幅トランジスタQltのコレクタ負荷回路を
構成する。なお、ダーリントン接続されたトランジスタ
Q、、Q。
The input signal vJ,1 is supplied to the input terminal t+-JVc of the operational amplifier l via the DC blocking capacitor co%1 terminal. Deduction: Output signal V of amplifier 1. is supplied to the base of the A-class band width transistor Q□. The negative feedback resistors RA and RB set the closed loop 't'1 pressure gain of the operational amplifier l, and the capacitor C1 supplies 11 current direct voltage to the negative feedback terminal H. The circuit pro question surrounded by the dotted line is A RrK pressure amplification and B class? 1 from the flow amplification button
A constant current load transistor Q, which would have a force increase of 1 and 5 in a row,
and level shift diode 1), L), D,
constitutes the collector load circuit of the class A amplification transistor Qlt. Note that the Darlington-connected transistors Q,,Q.

は電流増幅用電源側出力トランジスタであり、トランジ
スタQIo、QIlt/″ilk流増幅用の接地側出力
トランジスタであり、これらのトランジスタQ、。
are power supply side output transistors for current amplification, and transistors QIo and QIlt/''ilk are ground side output transistors for current amplification;

Q、h Qllll + Q++はBiプ、Vシェブル
出力段をS成する。
Q, h Qllll + Q++ form the Bi-pu, V-chable output stage.

回路プロ・Vり■と制御トランジスタQ□、Q□。Circuit pro Vri■ and control transistors Q□, Q□.

Qt8は、サージ1に圧がかかったとき、前記遡源側ト
ランジスタを保護するために動作する。また。
Qt8 operates to protect the source side transistor when surge 1 is applied. Also.

回路プロ0.り川は、サージ′電圧がかかったとき。circuit pro 0. When a surge voltage is applied to the river.

ブートスドラ、プ抵抗R6を保護するためのものである
This is to protect the bootstrap resistor R6.

先ず、+vcc電源が正常な電圧レベルが供給されたと
鎗の回路動作を述べる。
First, we will describe the operation of the circuit when the +vcc power supply is supplied with a normal voltage level.

通観圧検出トランジスタR3のベースを圧ti、抵抗R
HとツェナーダイオードDIとにより、はt丁一定の電
圧レベルに保持されるっ分圧抵抗R3゜R1は、過電圧
検出トランジスタQ1のエミ・ツタ1圧を規定し1通常
状態ではこのトランジスタQ。
The base of the transparent pressure detection transistor R3 is connected to the pressure ti, and the resistance R
The voltage dividing resistor R3 and the Zener diode DI maintain the voltage at a constant voltage level.The voltage dividing resistor R3 and R1 define the voltage across the emitter of the overvoltage detection transistor Q1.

はオフ状態になされている。従って、ト、ランジスタQ
、もオフ状態になり、抵抗R6を介してトランジスタQ
、にベース電圧が供給される。
has been turned off. Therefore, transistor Q
, is also turned off, and the transistor Q is connected via the resistor R6.
, is supplied with a base voltage.

そして、トランジスタQs がオン状態に動作し、抵抗
R,の電圧降下によって回路プロ、ツク■のスイッチ−
トランジスタQ4にバイアス電圧が供給され、これがオ
ン状態に動作する。従って、スイッチ・トランジスタQ
、のコレクタ曇エミヴタ間は実質的にシッート状態とな
り、ラインAIにはブートストラップコンデンサC8に
よりブートストラップ電圧+vccが発生し、このブー
トスドラリブ電圧+Vccの時定数はブートスドラ、y
プ抵抗R6とブートストラップコンデンサC3の積では
#了設定される。
Then, the transistor Qs operates in the on state, and the voltage drop across the resistor R causes the switch of the circuit
A bias voltage is supplied to transistor Q4, which turns on. Therefore, the switch transistor Q
The voltage between the collector and emitter of , is substantially in a shut state, and a bootstrap voltage +Vcc is generated in the line AI by the bootstrap capacitor C8, and the time constant of this bootstrap voltage +Vcc is the bootstrap voltage +Vcc.
The product of the pull-up resistor R6 and the bootstrap capacitor C3 is set.

また、トランジスタQw、Qaはカレントミラー回路を
構成し、バイアス抵抗R,,R8を介してトランジスタ
QIIK入力側屯流が流Jする。この際、す1.、プル
除去コンデンサC,[よって、十vcc成源からのす9
プル分が除去される。+Vc、: 電源からダイオード
D、を介してトランジスタQ、 K出力側電流が流れ、
ダイオードD3の順方向′電圧VF Kよって定電流負
荷トランジスタQ7にバイアスH4圧が供給される。
Further, the transistors Qw and Qa form a current mirror circuit, and the input side current of the transistor QIIK flows through the bias resistors R, , R8. At this time, 1. , pull-removal capacitor C, [thus, the pull-removal capacitor C, [thus, 9
The pull portion is removed. +Vc,: The output side current of transistors Q and K flows from the power supply through diode D,
A bias H4 voltage is supplied to the constant current load transistor Q7 by the forward voltage VFK of the diode D3.

+vcct源が西宮の電圧レベルの場合、前述の如く過
電圧検出トランジスタQ、がオフ状態であるから制御ト
ランジスタQ□、Q□、Q!3 にはベース電流が供給
されない。従って、制御トランジスタQ□、Q□、Q、
3 は何れもオフ状態となり、回路ブロヅクIは正常な
回路動作を行う。すなわち、入力(it号vinが供給
されることにより、電源fllll出力トランジスタQ
8 、Q、、更に接地伊り出力トランジスタQ、。、Q
□が駆動され、4番端子に出力信号V。ut が得られ
る。出力信号V。ut は。
When the +vcct source is at the Nishinomiya voltage level, the overvoltage detection transistor Q is off as described above, so the control transistors Q□, Q□, Q! 3 is not supplied with base current. Therefore, the control transistors Q□, Q□, Q,
3 are all turned off, and circuit block I performs normal circuit operation. That is, by supplying the input (it number vin), the power supply fullll output transistor Q
8, Q,, and a grounded output transistor Q,. ,Q
□ is driven and the output signal V is output to the 4th terminal. ut is obtained. Output signal V. ut is.

出力コンデンサC,を介してスピーカSP[供給され、
音声出力が得られる。
The speaker SP [supplied through the output capacitor C,
You can get audio output.

次忙、十VCC電源にサージ電圧が供給されたときの回
路動作を述べる。
Next, we will describe the circuit operation when a surge voltage is supplied to the 10 VCC power supply.

一+−vcc寛源がサージ電圧によって急上昇しても。Even if the +-vcc voltage source suddenly rises due to surge voltage.

ツェナーダイオードD1により過電圧検出トランジスタ
Q、のベース電圧はほぼ一定に保持される。
The base voltage of the overvoltage detection transistor Q is held substantially constant by the Zener diode D1.

しかるに、エミ、ツタ電圧はサージ磁圧に対応して急上
昇するので、過電圧検出トランジスタQIKペース・エ
ミ、νり間電圧VBIQ□が供給されたことになり、こ
れがオン状態に動作する。
However, since the emitter voltage rises rapidly in response to the surge magnetic pressure, the overvoltage detection transistor QIK is supplied with the voltage VBIQ□ between the pace emitter and the voltage VBIQ□, which operates in the on state.

従って、トランジスタQ、にベース電流が供給され、こ
れがオン状態に動作すると同時に、制御トランジスタQ
□、Q□eQ13にもベース電流が供給されるので、こ
れらが同時にオン状態に動作する。
Therefore, the base current is supplied to the transistor Q, and at the same time it turns on, the control transistor Q
Since the base current is also supplied to □, Q□eQ13, these operate in the on state at the same time.

トランジスタQ、の前記動作により、そのコレクタ喧圧
が低下し、トランジスタQ、がオフ状態になる。そして
、抵抗R5[[流が流れず、スイッチOトランジスタQ
4のベースが+VcctlL源とはぼ回−レベルになり
、これがオフ状aK動作スる。従って、ブートスドラ清
ブ抵抗R,には1つたく電流が流れず、I”Rで決定さ
れる発熱がない。
The above operation of transistor Q reduces its collector pressure and turns transistor Q off. Then, resistor R5 [[current does not flow, switch O transistor Q
The base of 4 is at a negative level with respect to the +VcctlL source, which causes off-state aK operation. Therefore, no additional current flows through the bootstrap clean resistor R, and no heat is generated as determined by I''R.

7j、fljllltj トランジスタQ2.〜Q□忙
ベース電流が供給さtl、ることにより、以下に述べる
如ぎ回路動作が行われる。
7j, fljllltj transistor Q2. ~Q□ By supplying the busy base current tl, the circuit operates as described below.

′ジなわち、制御トランジスタQ2.がオン状態に動作
することにより、トランジスタJeQ1 の各ベースが
接地されるので、出力側電流がυILれない。故に、ダ
イオードD3の順方向電圧も得られず、定fl流負荷ト
ランジスタ07にバイアス電圧が供給さ幻ず、こ素しが
オフ状態になる。
', that is, the control transistor Q2. Since each base of the transistor JeQ1 is grounded by operating in the on state, the output side current does not reach υIL. Therefore, the forward voltage of the diode D3 cannot be obtained, and a bias voltage is not supplied to the constant fl flow load transistor 07, so that the transistor is turned off.

マタ、制御トランジスタQttがオン状態に動作するこ
とにより、定電流負荷トランジスタQ、のコレクタ及び
出力トランジスタQ8のベースが接地さチする。従って
、両トランジスタQ7 、Q、Rオフ状態になる。
By turning on the master control transistor Qtt, the collector of the constant current load transistor Q and the base of the output transistor Q8 are grounded. Therefore, both transistors Q7, Q, and R are turned off.

更に、制御トランジスタQ23がオン状P、II Ii
CWJh作することにより、出力トランジスタQ8のエ
ミッタと出力トランジスタQ、のベースとが接地される
。従って、出力トランジスタQ、も強制的にオフ状態に
なる。
Further, the control transistor Q23 is in the on state P, II Ii
By operating CWJh, the emitter of the output transistor Q8 and the base of the output transistor Q are grounded. Therefore, the output transistor Q is also forcibly turned off.

以上の如く1回路ブロックエの各トランジスタQt =
 Qa −Qeがすべてオフ状態になされ、これらの破
壊防止が行われる。
As described above, each transistor Qt of one circuit block E =
Qa - Qe are all turned off to prevent their destruction.

〔効 果〕〔effect〕

+11 +V、。電源にサージ電圧等が供給されたとき
、これを検出してブートスドラ、プ抵抗R6の電流径路
を遮断することにより、ブートスドラ・シブ抵抗R6に
過大電流が流れることを防止する、という効果が得られ
る。
+11 +V,. When a surge voltage or the like is supplied to the power supply, by detecting this and cutting off the current path of the bootstrap resistor R6, it is possible to prevent excessive current from flowing through the bootstrap resistor R6. .

121 前記(1)により、ブートスドラ、ツブ抵抗R
8を増幅回路と同一の半導体基板に形成しても、発熱防
止のため面積を拡大する必要がなく、半導体乗積度の集
積度を向上させる。という効果が得られる。
121 According to (1) above, the bootstrap resistance and the knob resistance R
Even if 8 is formed on the same semiconductor substrate as the amplifier circuit, there is no need to expand the area to prevent heat generation, and the degree of integration of semiconductor multipliers is improved. This effect can be obtained.

(31増幅回路の電源側出力トランジスタを非動作状態
に切換えることにより、サージ電圧供給時の破壊が防止
さ矛する、という効果が1jIられる。
(By switching the power supply side output transistor of the 31 amplifier circuit to a non-operating state, the effect of preventing damage when a surge voltage is supplied is obtained.

〔利用外m!〕[Not available!] ]

以上の説明では、主として本発明者によってなさJまた
発明をその71i’景となった利用分野である増幅回路
K ym用したツ今について説明したが、それに限定さ
れるものではない。
In the above description, the present invention has mainly been described in terms of the use of an amplifier circuit, which is the field of application in which the invention was made by the present inventor, but is not limited thereto.

例えば、奄源屯圧の変動の激しい自動車用オーディオ機
器などに利用することができる。
For example, it can be used in automobile audio equipment, etc., which have severe fluctuations in pressure.

さらに、スイッチ・トランジスタQ、が11 方向ri
b 作する場合のコレクタ・エミッタ底流と逆方向動作
する場合のコレクタ・エミッタ1戎流との相違が大きい
場合は、このトランジスタのコレクタ・エミ1.タ間に
ダイオードを並列に接続することにより上記相違を相殺
するようにしても良い。
Furthermore, the switch transistor Q, is 11 directions ri
If there is a large difference between the collector-emitter bottom current when the transistor operates in the opposite direction and the collector-emitter bottom current when the transistor operates in the opposite direction, the collector-emitter bottom current of this transistor. The above difference may be canceled out by connecting diodes in parallel between the terminals.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に先立ち、本発明者が検討した増幅回路
の回路図を示し、 第2図は本発明を適用した増1pim回路の一実施例を
示す回路図を示す。 1 ・=intv幅器、Q+ 、Qa 、Qs 、C4
。 QHa Qs a Qt e Qs + Qa # Q
+osQ1zQ 11 a Q **・Qffi3°°
°トラ′ジスタ・i)1 ・U、・D、、D、、I)、
、D、・・・ダイオード、C0。 C1a CR* C11e C4・・・コンデンサ、i
、n。 m・・・回路ブロック、+Vcc、+vcc・・・電源
、v五。 ・・・入力信号、■。ut・・・出力信号。 第 l 図 A 第 2 図 E!
FIG. 1 shows a circuit diagram of an amplifier circuit studied by the inventor prior to the present invention, and FIG. 2 shows a circuit diagram showing an embodiment of an amplifier circuit to which the present invention is applied. 1 ・=intv width unit, Q+, Qa, Qs, C4
. QHa Qs a Qt e Qs + Qa # Q
+osQ1zQ 11 a Q **・Qffi3°°
°Tra'dister・i)1・U,・D,,D,,I),
, D, ... diode, C0. C1a CR* C11e C4...Capacitor, i
, n. m...Circuit block, +Vcc, +vcc...Power supply, v5. ...Input signal, ■. ut...output signal. Figure l Figure A Figure 2 E!

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.16源11工圧の変動を検出し、1α源電圧とブー
トストラップコンデン+jvcより得られる電位点との
間に接続さJまたブートスドラ、ソゲ抵抗の4流径路を
遮断にな−4ことを特徴とする増柵回路。
1.16 Source 11 Detect the fluctuation of the work pressure and connect between the 1α source voltage and the potential point obtained from the bootstrap capacitor + jvc. Features a fence expansion circuit.
JP59007099A 1984-01-20 1984-01-20 Amplifier circuit Pending JPS60152108A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153724U (en) * 1988-04-15 1989-10-23
JPH0714718U (en) * 1993-07-28 1995-03-10 日本コロムビア株式会社 DC detection circuit
EP0789452B1 (en) * 1996-02-08 2001-05-30 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS Pte Ltd. A power amplifier with bootstrap voltage clamp

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153724U (en) * 1988-04-15 1989-10-23
JPH0714718U (en) * 1993-07-28 1995-03-10 日本コロムビア株式会社 DC detection circuit
EP0789452B1 (en) * 1996-02-08 2001-05-30 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS Pte Ltd. A power amplifier with bootstrap voltage clamp

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