JPS60116749A - Substrate for polishing gallium-arsenic wafer - Google Patents
Substrate for polishing gallium-arsenic waferInfo
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- JPS60116749A JPS60116749A JP58227562A JP22756283A JPS60116749A JP S60116749 A JPS60116749 A JP S60116749A JP 58227562 A JP58227562 A JP 58227562A JP 22756283 A JP22756283 A JP 22756283A JP S60116749 A JPS60116749 A JP S60116749A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ガリウム・ヒ素ウェハのボリシング後の平Ｊ
ｆｌ＆の悪化を防止するためのボ□リジング用基板に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a flat J after boring of a gallium arsenide wafer.
This invention relates to a board for boring to prevent deterioration of fl&.
（従来技術とその問題点）
第１図に示すようにガリウム・ヒ素ウェハ３はボクシン
グ時に、接着剤ワックス２により、ボリシング用基板１
に接着される。従来は、ボリシング用基板１はガラス、
ステンレス、セラミックス等の相和で製作されていた。(Prior art and its problems) As shown in FIG.
is glued to. Conventionally, the borizing substrate 1 is made of glass,
It was made of Aiwa materials such as stainless steel and ceramics.
前記ウェハ３をボリシング用基板１にワックス２等の接
着剤で加熱接着する際に、ウェハと接着用基板との熱膨
張率の違いにより歪が発生する。然る後ボリシングし、
ウェハを所望の幾伺学的精良に仕上げても、ボリシング
終了後ボリシング基板より取外す際、応力が解放される
ことにより、ウェハにソリか発生ずる。このため、ウェ
ハに■Ｃパターンを形成する際に不良の要因となる。When the wafer 3 is thermally bonded to the borizing substrate 1 with an adhesive such as wax 2, distortion occurs due to the difference in thermal expansion coefficient between the wafer and the bonding substrate. After that, borishing,
Even if the wafer is finished to the desired geometrical precision, warpage occurs in the wafer due to the stress being released when the wafer is removed from the boring substrate after the completion of the boring. For this reason, it becomes a cause of defects when forming the ■C pattern on a wafer.
最近、ガリウム・ヒ素ウェハの大口径化およびパターン
の微細化に伴い、ガリウム・ヒ素ウェハのボリシング後
の平坦度の悪化いわゆるソリが問題となっている。Recently, with the increase in diameter of gallium arsenide wafers and the miniaturization of patterns, deterioration in the flatness of gallium arsenide wafers after boring, so-called warpage, has become a problem.
（発明の構成）
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものでボリシン
グ後のガリウム・ヒ素ウェハのソリをｌ（／ｊ止するポ
リシング用基板を提供するものである。(Structure of the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a polishing substrate that prevents warping of a gallium arsenide wafer after polishing.
すなわち、本発明はガリウム・ヒ素ウェハと同−の膨１
１１＋係数（８Ｘ １０″１０Ｃ）を有する材質のポリ
ソング用基板で、このポリソング用基板のｌＡｔはｌＩ
２〜ＳＯ％Ｎ１含看ｌｊ’ｃ合金を用いる−１のである
。That is, the present invention has the same expansion as a gallium arsenide wafer.
This polysong substrate is made of material with a coefficient of 11+ (8X 10″10C), and lAt of this polysong substrate is lI
-1 using a lj'c alloy containing 2~SO%N1.
この合金はＮ１の含に４’ （ｔＪによりその膨張係数
が変化するため、ガリウム・ヒ素と同じ熱膨張係数を得
るためには＃、２−３０％Ｎ１を含有したものを用いる
のかよい。Since the expansion coefficient of this alloy changes depending on the N1 content (tJ), in order to obtain the same thermal expansion coefficient as gallium arsenide, it is best to use an alloy containing 2-30% N1.
（実施例）
まず比較例（従来例）について説明する。 −曲径７５
ｍ−１のカリウム・ヒ素つエノ１を両１ｍ同時ラッピ
ング後、第１図に示す如くガラスをボリシング基板１と
して用い、接着用ワックス２により接着した後、ミラー
ボリンングを行った。接着状態でのｔ枚のウェハ３の平
坦度が２！’ｍ以下工あったか、ワックス２奈加熱溶融
後、ウエノ・を取外すと１′・現反（ソリ）は８〜／Ｑ
、ｌｔｍへ大きく悪化した。(Example) First, a comparative example (conventional example) will be described. -Curve diameter 75
After simultaneously lapping both 1 m of potassium arsenic eno-1 (m-1), as shown in FIG. 1, glass was used as the bolling substrate 1 and bonded with adhesive wax 2, followed by mirror bolling. The flatness of t wafers 3 in the bonded state is 2! It was less than 'm.After heating and melting the wax, when I removed the wax, it was 1'.The current warp was 8~/Q
, it greatly deteriorated to ltm.
上記の比較例におけるポリソング用基板１を、第２図の
ように本発明の１１−２〜５０％Ｎ’ｉ’ｆ１’Ｆｅ合
金を用いたポリソング用基板１１とし、同様のボリシン
グ条件にてミラーボリシングを実施し、しかる後上記基
板１１よりウェハを取外した場合は、平坦度が接着状態
で、ニア 、ｕ ｍ以下であったものは、（′：Ａとん
ど変化せず最大のものでも３１μｍとなったのみ−Ｃあ
る。The polysong substrate 1 in the above comparative example was replaced with a polysong substrate 11 using the 11-2 to 50% N'i'f1'Fe alloy of the present invention as shown in FIG. When the wafer is removed from the substrate 11 after performing boringing, the flatness of the wafer in the bonded state is less than or equal to near, um. However, it only became 31 μm -C.
上述のように本発明のポリソング用基板は優れたもので
あることか判る。As mentioned above, it can be seen that the polysong substrate of the present invention is excellent.
さらに≠２〜ＳＯ％Ｎ１含Ｍ’Ｆｅ合金について説明を
補足する。Furthermore, a supplementary explanation will be given regarding the M'Fe alloy containing ≠2~SO%N1.
ＧａＡｓウェハは、そのドーパントの種類および濃度に
よって熱膨張係数が変化する。従って、ＧａＡｓウェハ
と同一の熱膨張係数とするため、ヴ２〜３０％Ｎｉ含有
量から適したＮ１含有量のＦｅ合金を用いれはよい。A GaAs wafer has a thermal expansion coefficient that changes depending on the type and concentration of the dopant. Therefore, in order to have the same coefficient of thermal expansion as the GaAs wafer, it is preferable to use an Fe alloy with a suitable N1 content from V2 to 30% Ni content.
今、ｇｘｌＯｌｏＣの熱膨張係数を有するＧａＡｓウェ
ハでは、同一の熱ｊ膨張係数わ有するＩｌ夕％Ｎｉ含有
ｉ（’Ｃ合金をポリソング用基板として用いればよい。Now, for a GaAs wafer having a thermal expansion coefficient of gxlOloC, an Il%Ni-containing I('C) alloy having the same thermal expansion coefficient may be used as a polysong substrate.
以下、１１．ｊ％Ｎｉ含有ＦＣ合金で例示する。Below, 11. An example of this is an FC alloy containing j%Ni.
ＧａＡｓウェハの熱１ｊφ脹係数より、ポリソング用基
板の熱膨張係数か小さい場合、すなわち、’Ａ３％より
も小さな値、特に’／−２％以下ではポリソング用基板
からの取外しの際に、極端に凸側へ変形する。If the thermal expansion coefficient of the polysong substrate is smaller than the thermal expansion coefficient of the GaAs wafer (1jφ), that is, if the value is smaller than 'A3%, especially less than '/-2%, it will be extremely difficult to remove it from the polysong substrate. Deforms to the convex side.
また、６ａ、Ａｓウェハの熱膨張係数よりボリシング用
Ｊ１（板の熱１ｊω脹係数かＩＩ５９６よりも大きな値
、特に５０％以上では基板からのＧａＡｓウェハ取外し
の際にイ１υｉ端に四側へ変形する。6a, the thermal expansion coefficient of the As wafer is larger than J1 (thermal 1jω expansion coefficient of the plate or II596), especially when it is 50% or more, the GaAs wafer is deformed to the four sides at the 1υi end when removed from the substrate. do.
従って、ｌ Ｘ １０ ／ ００ ｌ７）ＧａＡｓウェ
ハのボリシングＩＬＩノ１（板の拐質としては１「ＩＪ
−のｔｉｓ％Ｎ１含有Ｆｅ合金が最適であるか、ｌＩ２
〜ＳＯ％でも効果がある。Therefore, l x 10 / 00 l7) Boring of GaAs wafer ILI No. 1
-is%N1-containing Fe alloy is optimal or lI2
~SO% is also effective.
（発明の効果）
本発明のポリソング用基板は、
■ カリウム・ヒ素と同一の熱膨張係数をもつポリソン
グ用基板を用いるため、ウェハを上記基板にワックスに
より接着する場合、ウェハに歪か発生せずに接着できる
ので、ガリウム・ヒ素ウェハのボクシング後、ポリソン
グ用基板から取外す場合にもウェハにソリか発生しない
。(Effects of the Invention) The polysong substrate of the present invention uses a polysong substrate that has the same coefficient of thermal expansion as potassium arsenic, so when a wafer is bonded to the above substrate with wax, no distortion occurs in the wafer. Since the gallium arsenide wafer can be bonded to the wafer after boxing, warping will not occur on the wafer when it is removed from the polysong substrate.
（２） ウェハにソリかなく平坦度が良いため、ボクシ
ング後のウェハプロセスにおいて、微細加工におりる加
工精良か向上する。(2) Since the wafer does not warp and has good flatness, it improves the precision of microfabrication in the wafer process after boxing.
青の効果を治している。゛
なお、本発明のポリソング用基板について晶；明を補足
する。It cures the blue effect.゛Additional details regarding the polysong substrate of the present invention will be added.
（１１ラッピングは両面同時ラッピングでも、片面ラッ
ピングでも、あるいは砥石による研削で行っても、よい
。(11 Lapping may be performed by simultaneous lapping on both sides, lapping on one side, or grinding with a whetstone.
（２１片面ラッピング、あるいは（ｕ！削からボリンン
グまで、同じ基板に接着したま＼で加工する場合でもよ
い。(21 Single-sided lapping, or (u!) Processing from cutting to boring may be performed while bonded to the same substrate.
（３１ウェハの片面に電極を形成した後に、残りの面を
ボリシングする場合の基板としてもよい。(It may also be used as a substrate for forming electrodes on one side of a 31 wafer and then bollising the remaining side.
第１Ｎは従来の、第２図は本発明の実施例のそ１・・・
ポリソング用基板（カラス）、２・・・ワックス接着剤
、３・・・ガリウム・ヒ素ウェハ、１１・・・本発明の
ポリソング用基板。1N is the conventional one, and FIG. 2 is the first embodiment of the present invention...
Polysong substrate (crow), 2... Wax adhesive, 3... Gallium arsenide wafer, 11... Polysong substrate of the present invention.
Claims (1)
２〜５０％Ｎ１含有Ｆｅ合金よりなることを特徴とする
ガリウム・ヒ素ウェハのボリシングＪｆｉ板。 ！、 ガラ１クム・ヒ素ウェハをワックス等によってボ
リシング用基板に接着されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のガリウム・ヒ素ウェハのボリシング
用基板。[Claims] / 41, ., which loses the same coefficient of thermal expansion as gallium arsenide.
A Boring Jfi plate of gallium arsenide wafer, characterized in that it is made of an Fe alloy containing 2 to 50% N1. ! 2. A substrate for bollination of a gallium arsenide wafer according to claim 1, wherein the gallium arsenide wafer is bonded to the substrate for borising with wax or the like.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227562A JPS60116749A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Substrate for polishing gallium-arsenic wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58227562A JPS60116749A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Substrate for polishing gallium-arsenic wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116749A true JPS60116749A (en) | 1985-06-24 |
Family
ID=16862851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58227562A Pending JPS60116749A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Substrate for polishing gallium-arsenic wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116749A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123645A (en) * | 1986-11-12 | 1988-05-27 | Nec Corp | Manufacture of semi-conductor device |
| WO2003077311A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrate |
| US6960490B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-11-01 | Epitactix Pty Ltd. | Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrates |
| JP2012519381A (en) * | 2009-02-27 | 2012-08-23 | アルタ デバイセズ，インコーポレイテッド | Tile substrates for deposition and epitaxial lift-off processes. |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58227562A patent/JPS60116749A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123645A (en) * | 1986-11-12 | 1988-05-27 | Nec Corp | Manufacture of semi-conductor device |
| WO2003077311A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrate |
| US6919261B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-07-19 | Epitactix Pty Ltd | Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrates |
| US6960490B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-11-01 | Epitactix Pty Ltd. | Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrates |
| JP2012519381A (en) * | 2009-02-27 | 2012-08-23 | アルタ デバイセズ，インコーポレイテッド | Tile substrates for deposition and epitaxial lift-off processes. |
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