JPS5989417A - Method for setting of mask in printing device - Google Patents

Method for setting of mask in printing device

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JPS5989417A
JPS5989417A JP57200062A JP20006282A JPS5989417A JP S5989417 A JPS5989417 A JP S5989417A JP 57200062 A JP57200062 A JP 57200062A JP 20006282 A JP20006282 A JP 20006282A JP S5989417 A JPS5989417 A JP S5989417A
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JP
Japan
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mask
alignment
wafer
mark
objective lens
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JP57200062A
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Japanese (ja)
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JPS6352767B2 (en
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Naoki Ayada
綾田 直樹
Yasumi Yamada
山田 保美
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6352767B2 publication Critical patent/JPS6352767B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the searching period for the titled printing device by a method wherein the stage supporting a mask is fixed when the alignment marks located on the mask are detected. CONSTITUTION:A detecting device moves on the mask and detects the alignment marks 54 and 54' provided on the mask, the mask 1 is shifted by driving the shifting means based on the detected signal and, at the same time, the reference mark and the alignment mark on the wafer are brought in the range of detection of the detecting means by moving the detecting means. Then, an automatic alignment of the reference mark and the alignment mark is performed. As a result, the searching period is cut down, and the alignment mark and the reference mark can be brought to closer to the position before a fine alignment is performed, thereby enabling to perform the alignment operation in a short period.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2つの物体を位置合わせするための装置に関し
、特にマスクあるいはレチクルの半導体集積回路パター
ンをウェハー上に焼付けるに先立って、マスクとウェハ
ーをアライメントするための装置に適する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for aligning two objects, and more particularly to an apparatus for aligning a mask or a wafer before printing a semiconductor integrated circuit pattern on a mask or reticle onto a wafer. suitable for

半導体製造工程には幾つかのパターンをウェハー上に順
次転写し、半導体集積回路を形成する工程が含まれてい
る。その場合、既に前工程のパターンが転写されたウェ
ハー上に更に別のパターンを正確に位置合わせするため
に、パターンを具エタマスクとウェハーを高精度でアラ
イメントする必要がある。そしてこのアライメントは、
マスクとウェハー上にそれぞれ書込まれたアライメント
マークを光電検知し、検知した信号により自動的に達成
されるのが普通である。
The semiconductor manufacturing process includes a step of sequentially transferring several patterns onto a wafer to form a semiconductor integrated circuit. In this case, in order to accurately position another pattern on the wafer onto which the previous pattern has already been transferred, it is necessary to align the pattern, the etymask, and the wafer with high precision. And this alignment is
Normally, alignment marks written on the mask and wafer are photoelectrically detected and automatically achieved using the detected signals.

一方、最近はマスクを収納するマスク、キャリア中のマ
スクを自動的にマスク・セット位置に装着するマスクe
チェンジiffを備えた装置が知られている。この機構
にはマスクを焼付はステージの所定の位置に正確にセッ
トするための予備位置合わせ(マスク−アライメントと
称す)機能が要求される。
On the other hand, recently there are masks that store masks, and masks that automatically attach masks in carriers to the mask set position.
Devices equipped with a change if are known. This mechanism requires a preliminary positioning function (referred to as mask alignment) to accurately set the mask at a predetermined position on the printing stage.

本発明の目的は、短時間で正確なマスクアライメントを
実現する装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an apparatus that achieves accurate mask alignment in a short time.

/ 7/ / /′ 、/′ / /′ / /′ 以下、図面に従って本発明の詳細な説明するが、第1図
は外観を示している。1は集積回路パターンを具えたマ
スクで、他のマスクアライメントマークやマスク・ウェ
ハーアライメントマークを具えるものとする。2はマス
ク・ステージで、マスクlを保持してマスク1を平面内
並びに回転方向に移動させる。3は縮小投影レンズ、4
は感光層を具えるウェハーで、マスク・ウェハーアライ
メントマークとウェハ−アライメントマークを具えるも
のとする。5はウェハー1ステージである。ウェハー1
ステージ5はウェハー4を保持してそれを平面内並びに
回転方向に移動させるものであり、またウェハー焼付位
置(投影針内)とテレビ・ウェハーアライメント位置間
を移動する。6は、テレビウェハーアライメント用検知
装置の対物レンズ、7は撮像管又は固体撮像素子、8は
映像観察用のテレビ受像器である。9は双眼ユニットで
、投影レンズ3を介してウエノ・−4の表面を観察する
ために役立つ。10は、光源10&を発したマスク照明
光を収束させるだめの照明光学系並びにマスク・ウェハ
ーアライメント用の検知装置を収容する上部ユニットで
ある。ウェハー・ステージ5は、図示しないウェハー搬
送手段によシ搬送されたウェハーを所定の位置で保持し
、まずテレビ・ウェハーアライメント用対物レンズ6の
視野内にウェハー上のアライメントマークが入る位置ま
で移動する。この時の位置精度は機械的なアライメント
精度によるものであシ、対物レンズ6の視野はおよそ直
径1 mm〜2朋程度である。この視野内のアライメン
ト・マークは撮像管7で検知され、テレビ・ウエノ・−
アライメント用の光学系内に設けられたテレビ・ウェハ
ーアライメント用基準マーク(後述)を基準として、そ
こからの、アライメント・マークの座標位置が検出され
る。一方、投影光学系のオートアライメント用検知位置
と前述のテレビ・ウェハーアライメント用基準マークの
位置はあらかじめ設定されているので、この2点の位置
とテレビ・ウェハーアライメントマークの座標位置から
オートアライメント位置へのウェハー・ステージ5の送
り込み量が決められる。
/7/ / /' , /' / /' / /' The present invention will be described in detail below with reference to the drawings, and FIG. 1 shows the external appearance. 1 is a mask provided with an integrated circuit pattern, and is provided with other mask alignment marks and mask/wafer alignment marks. Reference numeral 2 denotes a mask stage that holds the mask 1 and moves the mask 1 in a plane and in a rotational direction. 3 is a reduction projection lens, 4
shall be a wafer having a photosensitive layer, and shall have a mask-wafer alignment mark and a wafer-alignment mark. 5 is a wafer 1 stage. wafer 1
The stage 5 holds the wafer 4 and moves it in a plane and in the rotational direction, and also moves between the wafer printing position (inside the projection needle) and the television/wafer alignment position. 6 is an objective lens of a detection device for television wafer alignment, 7 is an image pickup tube or a solid-state image sensor, and 8 is a television receiver for video observation. 9 is a binocular unit, which is useful for observing the surface of Ueno-4 through the projection lens 3. Reference numeral 10 denotes an upper unit that houses an illumination optical system for converging the mask illumination light emitted from the light source 10& and a detection device for mask/wafer alignment. The wafer stage 5 holds the wafer transported by a wafer transport means (not shown) in a predetermined position, and first moves to a position where the alignment mark on the wafer is within the field of view of the television wafer alignment objective lens 6. . The positional accuracy at this time is due to mechanical alignment accuracy, and the field of view of the objective lens 6 is approximately 1 mm to 2 mm in diameter. The alignment mark within this field of view is detected by the image pickup tube 7, and the alignment mark is detected by the image pickup tube 7.
Using a TV/wafer alignment reference mark (described later) provided in the alignment optical system as a reference, the coordinate position of the alignment mark is detected. On the other hand, since the detection position for auto alignment of the projection optical system and the position of the reference mark for TV/wafer alignment mentioned above are set in advance, the auto alignment position can be determined from the coordinate position of these two points and the TV/wafer alignment mark. The feeding amount of the wafer stage 5 is determined.

テレビ・ウェハーアライメントの位置検出精度は±5μ
以下であり、テレビ・ウニI・−アライメント位置から
マスク争つェハーアライメント位[までのウェハーステ
ージの移動で発生する誤差を考慮に入れても、±10μ
程度である。
Position detection accuracy for TV/wafer alignment is ±5μ
Even if we take into account the error caused by the movement of the wafer stage from the TV/Uni I alignment position to the mask wafer alignment position, it is ±10μ.
That's about it.

従ってアライメントは約±10μの範囲で行えばよく、
これは従来のアライメントの視野範囲の”/100以下
の範囲であり、アライメントが従来よシ高速で行えるこ
とになる。尚、テレビ・ウェハーアライメントについて
は後で詳述する。
Therefore, alignment only needs to be performed within a range of approximately ±10μ,
This is a field of view that is less than 1/100 of the field of view of the conventional alignment, and alignment can be performed at a higher speed than the conventional alignment.The TV/wafer alignment will be explained in detail later.

第2図はマスクアライメント及びマスク・ウェハーアラ
イメントを達成する実施例を示している。図中、マスク
1、縮小投影レンズ3、ウェハー4、ウェハーステージ
5は第1図の通シである。投影レンズ3は便宜上模式的
に描いている。11と11′はマスクアライメントマー
クで、レンズ鏡筒あるいは装置の一部といった不動の箇
所に刻まれている。
FIG. 2 shows an embodiment for achieving mask alignment and mask-wafer alignment. In the figure, a mask 1, a reduction projection lens 3, a wafer 4, and a wafer stage 5 are the same as in FIG. The projection lens 3 is schematically depicted for convenience. Reference numerals 11 and 11' are mask alignment marks, which are carved in immovable locations such as the lens barrel or a part of the device.

他方、マスク1上の20.20’で示した位置には第3
図で付番75.76で示す如き、走査線60に対し45
″傾むいて配設された線もしくはスリット状のアライメ
ント・マークが設けられている。又、ウェハー4上の2
1.zfで示した位置には第3回付番71,72,73
,74で示す如き走査線60に対して45′傾いて配設
された線もしくはスリット状の7ライメントマークが設
けられている。そして通常は左右両観察系の信号によっ
て位置合わせが行われる。
On the other hand, the third
45 for scan line 60, as shown by numbering 75.76 in the figure.
``Alignment marks in the form of lines or slits arranged at an angle are provided.
1. The positions indicated by zf are numbered 71, 72, 73 for the third time.
, 74, which are arranged at an angle of 45' with respect to the scanning line 60, are provided with seven alignment marks in the form of lines or slits. Normally, positioning is performed using signals from both the left and right observation systems.

なお、マスク1上の7ライメントマークとウェハー上の
アライメントマークは、等倍投影系以外の系を介在させ
た時には投影もしくは逆投影しても両方のアライメント
マークの寸法が変わらない様に、アライメントマークの
寸法を変えておくものとし、ここではマスクのアライメ
ントマークの寸法でウニノー−のアライメントマ云 −りの寸法を除すると縮小倍率になる様に設定へ する。
Note that the 7 alignment marks on the mask 1 and the alignment marks on the wafer are aligned so that the dimensions of both alignment marks do not change even if projection or back projection is performed when a system other than the same-magnification projection system is used. Here, the size of the alignment mark of the mask is set so that the size of the alignment mark of the mask is divided by the size of the alignment mark of the mask to obtain the reduction magnification.

゛第2図へ戻って、22はレーザー光源、23は音響光
学素子等の光偏向器である。光偏向器23は外部からの
切換信号に応じて光の射出方向を上方、水平、下方に切
換える。24と25はそれぞれ収斂性のシリンドリカル
レンズで、その母線が直交する様に配置され、レーザー
ビームの断面形状を線状に変換する機能を持つ。
Returning to FIG. 2, 22 is a laser light source, and 23 is an optical deflector such as an acousto-optic device. The optical deflector 23 switches the light emission direction upward, horizontally, and downward in response to a switching signal from the outside. 24 and 25 are convergent cylindrical lenses, which are arranged so that their generating lines are perpendicular to each other, and have the function of converting the cross-sectional shape of the laser beam into a linear shape.

26と27は台形プリズムで、光偏向器23で上方と下
方に偏向された光を逆方向へ屈折させる機能を持つ。2
8は回転軸29を中心として回転する回転多面鏡(ポリ
ゴン)である。
26 and 27 are trapezoidal prisms, which have the function of refracting the light deflected upward and downward by the optical deflector 23 in opposite directions. 2
8 is a rotating polygon mirror (polygon) that rotates around a rotation axis 29 .

レーザ光源22から射出したレーザ光線30は光偏向器
23の状態により、シリンドリカル・レンズ24とプリ
ズム26を経由するスリット状光線30 a 、 シリ
ンドリカル会レンズ25とプリズム27を経由するスリ
ット状光線30b1或は直進するスポット状光線30c
のいずれかの光路をとるが、どの場合にも回転多面鏡2
8上の而の一点31へ収束する。32.33.34は中
間レンズ、35は光路分割ミラー、36は目視観察系3
7.38を形成する/・−フ・ミラー、37はレンズ、
38は接眼レンステt :X−” −面の像を結像する
039は目視観察光用照明系40.41を形成するノ・
−フ・ミラー、40はコンデンサ・レンズ、41はラン
プである。42は光電検出系43,44,45,46を
形成するハーフミラ−で、43はミラー、44はレンズ
、45は空間フィルタであシ、46はコンデンサ・レン
ズ、47は光検出器である。48.49゜50.51は
全反射ミラー、52はプリズム、53はf−θ対物レン
ズである。54はマスク1上に設けられたマスクアライ
メント用のアライメントパターンの位置である。
Depending on the state of the optical deflector 23, the laser beam 30 emitted from the laser light source 22 is divided into a slit-shaped beam 30a passing through the cylindrical lens 24 and the prism 26, a slit-shaped beam 30b1 passing through the cylindrical lens 25 and the prism 27, or Spot-like ray 30c traveling straight
In either case, the rotating polygon mirror 2
8 converges to a single point 31. 32, 33, and 34 are intermediate lenses, 35 is an optical path splitting mirror, and 36 is a visual observation system 3.
7. Forms 38/-F mirror, 37 is lens,
Reference numeral 38 denotes an eyepiece lens system t: which forms an image of the X-'' plane.039 forms an illumination system 40.41 for visual observation light.
40 is a condenser lens, and 41 is a lamp. 42 is a half mirror forming photoelectric detection systems 43, 44, 45, and 46; 43 is a mirror; 44 is a lens; 45 is a spatial filter; 46 is a condenser lens; and 47 is a photodetector. 48.49° 50.51 is a total reflection mirror, 52 is a prism, and 53 is an f-θ objective lens. 54 is the position of an alignment pattern provided on the mask 1 for mask alignment.

第2図かられかる様に信号検出系は全く対称な左右の系
から成っており、オペレータ9111を紙面の手前側と
するとダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左
の信号検出系と呼ぶことにする。
As shown in Figure 2, the signal detection system consists of completely symmetrical left and right systems.If the operator 9111 is on the front side of the paper, the system shown with a dash is the signal detection system on the right, and the system without a dash is the signal detection system on the left. I will call it.

中間レンズ32,33,34は回転多面鏡28からの振
れ原点を対物レンズ53の絞シ位置55の中の@56に
形成する。従ってレーザービームは回転多面鏡28の回
転によりマスク及びウェハー上を走査する。
The intermediate lenses 32, 33, and 34 form the origin of the deflection from the rotating polygon mirror 28 at @56 in the aperture position 55 of the objective lens 53. Therefore, the laser beam is scanned over the mask and wafer by the rotation of the rotating polygon mirror 28.

また対物レンズ系において、対物レンズ53、絞り55
、ミラー51及びプリズム52はXY方向に図示しない
移動手段により移動可能であシ、マスク1及びウニノ・
−4の観察及び測定位置は任意に変えることができる。
In addition, in the objective lens system, an objective lens 53, an aperture 55
, the mirror 51 and the prism 52 are movable in the XY directions by a moving means (not shown).
-4 observation and measurement positions can be changed arbitrarily.

例えば、X方向の移動はミラー51が図中矢印Aで示し
た方向に移動すると対物レンズ53及び絞シ55も同時
にA方向に移動すると共に光路長を常に一定に保つため
プリズム52もA方向にミラー51の移動址の1/2の
量移動する。
For example, when the mirror 51 moves in the direction indicated by arrow A in the X direction, the objective lens 53 and the aperture 55 simultaneously move in the A direction, and in order to keep the optical path length constant, the prism 52 also moves in the A direction. The mirror 51 moves by 1/2 of the amount it moves.

一方、Y方向の移動は観察・位置検出用の光学系全体が
Y方向(紙面に垂直な方向)に移動する。
On the other hand, when moving in the Y direction, the entire optical system for observation and position detection moves in the Y direction (direction perpendicular to the plane of the paper).

シリンドリカルレンズ24を経由する光路30aの走査
ビーム61は走査軸60に対し角度θ=45°をなし、
はぼマーク71.72.75と平行をなす。この状態で
走査した時に光検出器47,4τには第3図tB)に示
すよりなSl、。
The scanning beam 61 of the optical path 30a passing through the cylindrical lens 24 forms an angle θ=45° with respect to the scanning axis 60,
It is parallel to the mark 71, 72, 75. When scanning is performed in this state, the photodetector 47,4τ has a voltage Sl as shown in FIG. 3 (tB).

S?lI+ s、の信号が得られるO sti t s
、 、snは位置合わせマーク71,75.72にそれ
ぞれ対応した信号である。また、走査面上に微小なゴミ
があってもスポット状ビームの場合とは異なシ、平均化
され出力として実用上検知されない。
S? O st t s where a signal of lI+ s is obtained.
, , and sn are signals corresponding to the alignment marks 71, 75, and 72, respectively. Further, even if there is minute dust on the scanning surface, unlike the case of a spot beam, it is averaged and is not practically detected as an output.

一方、シリンドリカルレンズ25を通過する光路30b
の走査ビーム62は走査軸60に対してθ=−45″傾
斜しマーク73,74.76と平行しているので検出信
号は第3図(blのS?3+S?、、S丁番となる。従
って検出信号S□r Syg + b* *S’lS 
l sya t S?4の間隔を計測すればマスクとウ
ェハーのズレ量が検出でき、両者が整合した場合には検
出信号の間隔が等しくなる。
On the other hand, the optical path 30b passing through the cylindrical lens 25
The scanning beam 62 is inclined θ=-45'' with respect to the scanning axis 60 and is parallel to the marks 73, 74, and 76, so the detection signal becomes S?3+S?, S hinge in FIG. .Therefore, the detection signal S□r Syg + b* *S'lS
l sya t S? By measuring the interval 4, the amount of deviation between the mask and the wafer can be detected, and when they match, the intervals between the detection signals become equal.

なお、本出願人は特開昭53−90872号あるいは特
開昭53−91754号等でオート・アライメントにつ
いて提案している。
The present applicant has proposed auto-alignment in Japanese Patent Laid-Open Nos. 53-90872 and 1987-91754.

以上、第2図と第3図を用いて、マスク1上のアライメ
ントマーク20とウェハー面上のアライメントマーク2
1の整合即ちマスク・ウェハーアライメントについて説
明を行ったが、本発明は殊に、上述した光学系及び同一
形状のアライメントマークで、マスク1面上の72イメ
ントマーク54と、レンズ鏡筒3に図示しない手段によ
シ支持せられたマスク基準マーク11の位置合せ、即ち
マスクアライメントを行える点である。この場合、前述
した様に対物レンズ53、瞳55、ミラー51、及びプ
リズム52は第2図中、A方向にマスク基準マーク11
の位置まで移動しアライメントを行う。
As described above, using FIGS. 2 and 3, the alignment mark 20 on the mask 1 and the alignment mark 2 on the wafer surface are
1 alignment, that is, mask-wafer alignment, the present invention is particularly concerned with the alignment mark 54 on the mask 1 surface and the lens barrel 3 using the optical system and the alignment mark of the same shape as described above. The point is that the positioning of the mask reference mark 11 that is supported by non-uniform means, that is, the mask alignment can be performed. In this case, as described above, the objective lens 53, pupil 55, mirror 51, and prism 52 are aligned with the mask reference mark 11 in the direction A in FIG.
Move to the position and perform alignment.

マスクアライメントにおけるパターンは、マスク基準マ
ーク11には第3図伺査71,72゜73.74で示し
たパターンを、マスクエリアライメントマーク54には
、第3図伺番75゜76で示したアライメントマークが
設けられる。
The pattern for mask alignment is the pattern shown at 71, 72° 73.74 in Figure 3 for the mask reference mark 11, and the alignment mark shown at 75° 76 in Figure 3 for the mask area alignment mark 54. is provided.

従って、マスクアライメントにおいても、マスク・ウェ
ハーアライメントと全く同様にマスクとマスク基準マー
クの位置合せが行われ、マスクがレンズ3に対して所定
の位置にセットされる0 尚、マスクアライメントの場合には縮小投影レンズ3を
用いないためマスク面上の7ライメントマーク54とマ
スク基準マーク11は等倍率のパターンでよい。
Therefore, in mask alignment, the mask and mask reference mark are aligned in exactly the same way as in mask-wafer alignment, and the mask is set at a predetermined position relative to the lens 3. Since the reduction projection lens 3 is not used, the 7 alignment marks 54 and the mask reference marks 11 on the mask surface may be patterns with the same magnification.

ところでステッパ一方式の焼付は装置においては、縮小
投影光学系が用いられているため、ウェハーアライメン
トにおいて位置合せのため移動するのは、通常マスクを
保持しているマスク・ステージ(第1図2)である。一
方、マスクアライメントにおいてもマスクステージが移
動して位置合せを行う。従って、いずれの場合にも移動
するマスク側に、2本線のパターン75゜76が設けら
れているが、これは、本発明の一実施例にすぎず、マス
ク側に4本線のパターン71.72,73.74を設け
てもよいし、また、マスクアライメントとウェハアライ
メントでマスク上のパターンの本数が異ってもよく、パ
ターンの選択に限定はない。
By the way, since a reduction projection optical system is used in the stepper-type printing apparatus, the mask stage that holds the mask is usually moved for positioning during wafer alignment (Fig. 1, 2). It is. On the other hand, also in mask alignment, the mask stage moves to perform positioning. Therefore, in any case, two-line patterns 75 and 76 are provided on the moving mask side, but this is only one embodiment of the present invention, and four-line patterns 71 and 72 are provided on the mask side. , 73, 74 may be provided, and the number of patterns on the mask may be different between mask alignment and wafer alignment, and there is no limitation on pattern selection.

次にマスクアライメントの方法について史に詳述する。Next, the method of mask alignment will be explained in detail.

マスクアライメントにおいては、マスクチェンジ機構か
らマスクステージにマスクが不図示の手段で搬送され、
保持されるが、この時の位置決めは機械的に行われるの
で精度は低く、数100μm程匪の誤差が生じる。
In mask alignment, the mask is transported from the mask change mechanism to the mask stage by means not shown,
However, since the positioning at this time is performed mechanically, the accuracy is low, and an error of several hundred μm occurs.

従って対物レンズの視野を狭めた場合には視野内即ちレ
ーザー光の走査範四内にマスクアライメントマークが位
置するとは限らず、そのため対物レンズがマスク基準マ
ーク11を見込む位置にあったとしても、マスクをセッ
トした時の誤差でマスク上のアライメントマークが視野
から外れることがある。その場合は、;S3図t131
における4j号sys t S□、S□、S、4シか検
出されス、S03.S、。の信号は検出されないので、
オート・アライメントは実現されない。
Therefore, when the field of view of the objective lens is narrowed, the mask alignment mark is not necessarily located within the field of view, that is, within the scanning range of the laser beam. Due to an error when setting the mask, the alignment mark on the mask may be out of view. In that case, ;S3 figure t131
No. 4j sys t S□, S□, S, 4th S was detected in S03. S. Since the signal of is not detected,
Auto alignment is not achieved.

この様な場合、マスク上のマークを探索する過程が必要
となるが、従来例では、ウェハー或位マスクを保持して
いるステージが移Mして、いわゆる模索駆動をくり返し
ながらマークの探索を行ってきた。
In such a case, a process of searching for the mark on the mask is required, but in the conventional example, the stage holding the wafer or mask moves and searches for the mark while repeating what is called a groping drive. It's here.

以降の説明をわかシ良くするため、従来の模索駆動例を
第4回置について説明する。
In order to make the following explanation more understandable, a conventional groping drive example will be explained for the fourth position.

図はマスク或はウェハー面上のアライメントマークを探
索する場合の対物レンズの軌跡を描いている。但し、実
際には対物レンズをX及びY方向に移動する替りにマス
ク又はウニノ・−を保持しているステージを動かす方が
選ばれるが、ここでは説明の便宜上対物レンズを動かし
ている0 マスクは周知の搬送手段で対物レンズ53の略下方に当
るA(第4図)位置に搬送されてきたものとする(A位
置を初期設定位置と呼ぶ)0しかしながら、マスクの設
定に誤差があり、またビーム走査範囲の長さLと幅T(
第3図参照)  −が設定誤差を内含できる程度に大き
くない場合は、Aの位置でマークMが検出されないため
、対物レンズは模索駆動範囲の境界まで移動し、B点よ
り模索駆動を開始してB−)C−)D−+E・・・と移
動しながらマークを探索する。この例示では、3往復目
のJ−に過程でマークMを検知する。
The figure depicts the locus of the objective lens when searching for an alignment mark on a mask or wafer surface. However, in reality, instead of moving the objective lens in the X and Y directions, it is preferable to move the stage holding the mask or the mask, but for the sake of explanation here, the objective lens is moved. Assume that the mask has been transported to position A (FIG. 4), which is approximately below the objective lens 53, by a well-known transport means (position A is referred to as the initial setting position). However, there is an error in the mask setting, and The length L and width T of the beam scanning range (
(See Figure 3) If - is not large enough to include the setting error, the mark M is not detected at position A, so the objective lens moves to the boundary of the groping drive range and starts groping drive from point B. Then, search for the mark while moving B-)C-)D-+E... In this example, mark M is detected during the third round trip to J-.

以上の従来例では次の難点を指摘できる。The following difficulties can be pointed out in the conventional example described above.

(1)  マークの存在する蓋然性はA点付近が高いの
にもかかわらず存在蓋然性の低い境界領域B点まで移動
し、B点から探索を開始するので、マークを検知するま
でに要する時間が長い。
(1) Even though the probability of a mark existing is high near point A, it moves to the boundary area point B, where the probability of its existence is low, and starts the search from point B, so it takes a long time to detect the mark. .

(2)  ステージは一般に低速で高性度駆動を行って
いるため、マスク等のアライメントにおけるアライメン
トマークを模索する場合、ステージ移動に時間を要し検
知時間が長くなる。
(2) Since the stage is generally driven at low speed and with high precision, when searching for an alignment mark for alignment of a mask, etc., it takes time to move the stage and the detection time becomes long.

後述する実施例では次の構成を採るので、マク検知時間
を短縮できる。
Since the embodiment described later adopts the following configuration, the detection time can be shortened.

(1)  対物レンズの初期設定位置の周辺から境界領
域へ向けて模索を行う。
(1) Search from the periphery of the initially set position of the objective lens toward the boundary area.

(2)更に好ましくは、模索駆動の時はステージを固定
し、X方向は対物レンズと絞シ、そしてオプティカル・
トロンポーンを構成するプリズム52を移動し、Y方向
は走査光学系全体22〜55を移動する。一般にステー
ジは最も精密な位置設定を要求されるので、移送機構は
それに則した構造を採用せざるを得ない。従ってステー
ジを高速で動かすのに適さない。
(2) More preferably, the stage is fixed during groping drive, and the objective lens, aperture, and optical
The prism 52 constituting the trombone is moved, and the entire scanning optical system 22 to 55 is moved in the Y direction. Generally, the stage is required to have the most precise positioning, so the transport mechanism must have a structure that meets this requirement. Therefore, it is not suitable for moving the stage at high speed.

第4図(B)は本発明の実施例に係る模索駆動の軌跡を
示す。ここでは対物レンズ系が初期設定位[Aからマス
ク上をA→P→Q→R→S→・・・と渦巻状に移動しつ
つマークを探し、本例ではUからVへの経路上でマーク
Mを検知する。そしてマークの存在する蓋然性は一般に
A点近傍が高いから、検知に要する時間は短かくて済む
利点がある。尚、作動の始点で、対物レンズ系は常に同
一位置にセットされているものとする。
FIG. 4(B) shows the locus of the groping drive according to the embodiment of the present invention. Here, the objective lens system searches for the mark while moving spirally from the initial setting position [A on the mask as A→P→Q→R→S→..., in this example, on the path from U to V. Mark M is detected. Since the probability that a mark exists is generally high near point A, there is an advantage that the time required for detection is short. It is assumed that the objective lens system is always set at the same position at the starting point of operation.

第5図に対物レンズ系の移動を示すフロー図を示す。模
索駆動が501にてスタートすると、502にてX方向
移動力つ/り及びY方向移動カウンタがまずクリアされ
る。この2つのカウンタは対物レンズのX方向及びY方
向の移動量を決めるカウンタである(X方向、Y方向に
ついては第4図fB+に示す)。次に503にて模索駆
動のX方向の境界に達したか否かを判別するリミット・
チェックが行われ、リミット内であればX方向移動カウ
ンタの内容Nが504でインクリメントされる。
FIG. 5 shows a flow diagram showing movement of the objective lens system. When the groping drive starts at 501, the X direction movement force/Y direction movement counter is first cleared at 502. These two counters are counters that determine the amount of movement of the objective lens in the X and Y directions (the X and Y directions are shown in FIG. 4 fB+). Next, in step 503, a limit is determined to determine whether or not the boundary in the X direction of the groping drive has been reached.
A check is performed, and if it is within the limit, the content N of the X-direction movement counter is incremented at 504.

もし、後述する様に何回かこのループを通ってリミット
に達していれば、504を飛びこして503から505
へ移る。505にてXの正方向へ移動が行われるが、こ
の時の移動量は、例えば、TXNである。(Tは第3図
で示した様にレーザスキャンl]である)ここにおいて
、まず1回目のループでは、第4図(B)で示したA→
Pの移動が行われる。
If the limit is reached after going through this loop several times as described later, jump 504 and go from 503 to 505.
Move to. At 505, movement is performed in the positive direction of X, and the amount of movement at this time is, for example, TXN. (T is the laser scan l as shown in Fig. 3) Here, in the first loop, A → shown in Fig. 4 (B)
P is moved.

X方向に所定景の移動が行われたならば、次に506に
て(−)Y方向のリミットチェックを行い、X方向と同
様、リミット内ならば507にてY方向移動カウンタの
内容Mをインクリメントシ、リミットに達していれば5
07の処理をジャンプして508を行う。508は(−
)Y方向へLXMの量移動する(Lは第3図で示すレー
ザスキャン長である)。
Once the predetermined scene has been moved in the X direction, a limit check is performed in the (-) Y direction at 506, and if it is within the limit, the content M of the Y direction movement counter is checked at 507, as in the X direction. Increment, 5 if the limit is reached
The process in step 07 is jumped to and step 508 is performed. 508 is (-
) in the Y direction by an amount of LXM (L is the laser scan length shown in FIG. 3).

同様に(−)X方向に、509.510.511の処理
を、次にY方向に512%513.514の処理を行う
。次KX方向、Y方向ともすべて模索駆動のリミットに
達したか否かを515でチェックし、達していれば51
6にて終了し、まだ駆動領域が残っていれば再び503
に飛び、前述したループをリミットに達するまでくシ返
す。
Similarly, 509.510.511 is processed in the (-)X direction, and then 512% 513.514 is processed in the Y direction. Next, check at 515 whether or not the limit of the groping drive has been reached in both the KX direction and the Y direction, and if so, check at 515.
It ends at 6, and if there is still some drive area left, it returns to 503.
Jump to and repeat the loop described above until you reach the limit.

ここで、X方向、Y方向の移動量は第4図tBlの記号
を用いて説明すると、佃はかの2倍、狛はかの3倍・・
・であシ、また飴は凶の2倍、WはPQの3倍・・・で
ある。従ってX方向、Y方向それぞれ1回毎に、昼、民
ずつ増加することになり、この量をX方向移動カウンタ
及びY方向移動カウンタで計数するものである。またM
及び四の量は、夫々レーザのスキャン巾T及びレーザの
スキャン長Ltd等しい。
Here, if we explain the amount of movement in the X direction and Y direction using the symbols in Figure 4 tBl, Tsukuda is twice that amount, Koma is three times that amount...
・Ashi, again, candy is twice as expensive as bad, W is three times as expensive as PQ, etc. Therefore, the number increases by one time and one time each time in the X direction and the Y direction, and this amount is counted by the X direction movement counter and the Y direction movement counter. Also M
The quantities 4 and 4 are equal to the laser scan width T and the laser scan length Ltd, respectively.

第4図fBl中いずれかの方向がリミットに達した状況
は、例えば(→Y方向の例をとると、図中移動量である
。このことは、第5図の70−図において507の処理
をパスして506→507の処理70−を行ったことに
相当している。
The situation in which one of the directions in fBl in FIG. This corresponds to passing the process 70- of 506→507.

尚、ここで説明した例は、必ずマスク上の2本のアライ
メントパターン75.76を検知する様な模索の仕方で
あって、例えば、まず上述のパターンのいずれか1本を
検知した後、2本の検知を行う方法をとれに、模索駆動
のピッチは荒くてよい。即ち、昼及び凶は夫々T及びL
より長くてよく、従って模索駆動の移動量は特に上で説
明した盆に限定されることはない。
Note that the example explained here is a method of searching in which two alignment patterns 75 and 76 on the mask are always detected. For example, after first detecting one of the above-mentioned patterns, Depending on the method of book detection, the pitch of the groping drive may be rough. In other words, day and day are T and L respectively.
It may be longer, so the amount of travel of the groping drive is not specifically limited to the trays described above.

次に本発明の他の利点である右対物レンズ系と左対物レ
ンズ系の連動駆動及び独立駆動について述べる。
Next, the interlocking and independent driving of the right objective lens system and the left objective lens system, which are other advantages of the present invention, will be described.

第3図、第4図の動作の説明は、片側の対物レンズ系に
ついて行ったが実際には、第2図で示した様に、五右両
側の対物レンズ系にてアライメントマークの模索駆動を
行う。この場合、両側の対物レンズ系を連動して駆動す
るモードと独立して駆動するモードの2つのモードを有
し・、画モードの望ましい方を選択できる。
The explanation of the operation in Figures 3 and 4 was given for the objective lens system on one side, but in reality, as shown in Figure 2, the alignment mark groping drive is performed using the objective lens systems on both the right and left sides. conduct. In this case, there are two modes: a mode in which the objective lens systems on both sides are driven in conjunction with each other, and a mode in which they are driven independently, and the desired image mode can be selected.

の場合アライメントマークを検知する時間は、後述する
独立駆動の場合よシも、平均して、やや長くなるが、対
物レンズ系の動作及びその制御が連動しているので、装
置自体は簡単である。
In this case, the time to detect the alignment mark is slightly longer on average than in the case of independent drive, which will be described later, but since the operation of the objective lens system and its control are linked, the device itself is simple. .

させ、もう一方の対物レンズ系を第4図(C)に示す様
に左回シに模索駆動させることにより、動作は連動駆動
に比べて若干複雑であるがアライメント・マークを検知
する平均時間は短くなる。
By gropingly driving the other objective lens system counterclockwise as shown in Figure 4 (C), the operation is slightly more complicated than with interlocking driving, but the average time to detect the alignment mark can be reduced. Becomes shorter.

本発明はこの連動駆動モード及び独立駆動モードを必要
に応じて選択できる点にある。これらを複合した例とし
ては、例えば、まず対物レンズ系の、初期位置近傍では
連動駆動を行い、周辺部へ行くと、独立駆動を行うとち
゛う方法がある。
The present invention resides in that the interlocking drive mode and the independent drive mode can be selected as necessary. As an example of combining these methods, for example, there is a method in which the objective lens system is first driven in conjunction with each other in the vicinity of its initial position, and then driven independently toward the periphery.

また他の例としてはアライメント・マークのいずれかの
1本のパターンを検知するまでは連動駆動を行い、検知
後は独立駆動を行い、両対物レンズ系とも4本のパター
ンを検知する方法がある。この方法は、特に前述した模
索駆動の駆動ピッチが荒い時、或はマスクに0方向のズ
レがある時等に有効である。
Another example is a method in which interlocking driving is performed until one pattern of alignment marks is detected, and then independent driving is performed after detection, so that both objective lens systems detect four patterns. . This method is particularly effective when the drive pitch of the groping drive described above is rough or when there is a shift in the mask in the zero direction.

次にスキャンビームのビーム形状の逃択ト使用について
述べる。第2図において説明した様にレーザ光30をシ
リンドリカルレンズ24.25を経由させず、そのまま
直進する光路30cを用いることである。この場合ビー
ムは、夙饋スポット状になりスリット状光線の様に傾き
特性を持たないから、パターン71.72.73.74
.75.76のいずれに対しても信号を得ることができ
る。特に、この方法は、光強度が十分とれて、S/N比
のよいマスクアライメントにおいて有効であるが、それ
に限定されることなくマスク・ウエハーアシイメントに
おいても用いることができる。或は、例えばマスクアラ
イメントにおいてマスク上04本、又は、マスク上の4
本と基準マークの2本の合計6本を検知するまではスポ
ット状光線で行い、その後スリット状ビームにしてスキ
ャンの途中で切換える方法をとってもよい。そしてこの
様にすることにより複雑な制御を不要とすると共にシー
ト状ビームによる高精度のアライメントが行える〇つま
シこの方法の利点は、シート状ビームとスポット状ビー
ムの両者を発生する構造を設け、それらを対象によって
選択できることにある。
Next, we will discuss the use of beam shape selection for scanning beams. As explained in FIG. 2, the laser beam 30 does not pass through the cylindrical lenses 24 and 25, but uses the optical path 30c in which it travels straight. In this case, the beam becomes a spot-like beam and does not have a tilt characteristic like a slit-like beam, so the pattern 71.72.73.74
.. Signals can be obtained for either 75.76. In particular, this method is effective in mask alignment with sufficient light intensity and a good S/N ratio, but it can also be used in mask-wafer alignment without being limited thereto. Or, for example, in mask alignment, 04 lines on the mask or 4 lines on the mask
A method may also be used in which the spot beam is used until a total of six books and reference marks are detected, and then the beam is switched to a slit beam in the middle of scanning. This method eliminates the need for complex control and allows highly accurate alignment using sheet beams.The advantage of this method is that it provides a structure that generates both sheet beams and spot beams. The reason is that they can be selected depending on the target.

続いて対物レンズの模索駆動後のマスクの位置合わせに
ついて、第4図(Blを用いて述べる。
Next, the positioning of the mask after the objective lens is groped will be described using FIG. 4 (Bl).

前述した様に模索駆動により、マスク上のマスクアライ
メントマークを検知した場合、その対物レンズ位置Mは
、例えば基準マークの位置Aからの移動量から簡単に求
めることができる。
When the mask alignment mark on the mask is detected by the groping drive as described above, the objective lens position M can be easily determined from, for example, the amount of movement of the reference mark from the position A.

従って次に位置Mから位置Aまで対物レンズ系(52乃
至53)を戻すと共に、マスクステージ2もMからA方
向に移動させる。移動が完了すると、対物レンズの視野
内にマスク基準マークもマスクアライメントマークも観
証でき、第3回置で示した状態になる。この状態では、
6本のアライメント信号が検知できるので、後は6本の
信号間隔を計測して位置合せを行えばよい。
Therefore, next, the objective lens system (52 to 53) is returned from position M to position A, and the mask stage 2 is also moved from M to A direction. When the movement is completed, both the mask reference mark and the mask alignment mark can be seen within the field of view of the objective lens, resulting in the state shown in the third position. In this state,
Since six alignment signals can be detected, all that is required is to measure the intervals between the six signals and perform alignment.

次に第6図を用いてテレビ・クエハーアライメント用検
知装置につき説明する。
Next, referring to FIG. 6, a description will be given of the television/queuehar alignment detection device.

図中の縮小投影レンズ3、ウェハー4、対物レンズ6、
撮浬管7は第1図と同一でおる。他方、91は照明用光
源で、例えばハロゲンランプを使用する。92はコンデ
ンサーレンズ。
In the figure, a reduction projection lens 3, a wafer 4, an objective lens 6,
The shooting tube 7 is the same as in FIG. On the other hand, 91 is a light source for illumination, and uses a halogen lamp, for example. 92 is a condenser lens.

93Aと93Bは交換的に着脱される明視野絞シと暗視
野絞りで、図では明視野絞り93Aを光路中に装着して
いる。コンデンサーレンズ92は光源11を明視野絞シ
上に結像する。94は照明用リレーレンズ、95は接合
プリズムで、接合プリズム95は照明系の光軸と受光系
の光軸を共軸にする機能を持ち、内側反射面95aと半
透過反射面95bを具える。ここで光源91、コンデン
サーレンズ92、明又は暗視野絞シ93Aと93B1照
明リレーレンズ94、接合プリズム95、対物レンズ6
は照明系を構成し、対物レンズ6を射出した光速はウニ
ノ・−6上を落ける鏡。98はテレビ・ウェハーアライ
メント用基準マークを有するガラス板で、基準マークは
いわば座標の原点を与える機能を持つ。従ってウェハー
アライメントマークはX座標の値とY座標の値として検
出されることになる。99は撮像レンズで、上に述べた
接合レンズ95、リレーレンズ96、鏡97、ガラス板
98、撮像レンズ99そして撮像管7と共に受光系を構
成し、対物レンズ6を通る光路は接合プリズムの内側反
射面95aで反射して半透過面95bで反射し、再度内
側反射面15aで反射してリレーレンズ96へ向つ。ウ
ェハー4上のウェハーアライメントマーク像は基準マー
クを有するガラス板98上に形成された後、基準マーク
像と共に撮像管7の撮像面に結像する。
93A and 93B are a bright field diaphragm and a dark field diaphragm that can be attached and detached interchangeably, and in the figure, the bright field diaphragm 93A is installed in the optical path. A condenser lens 92 images the light source 11 onto a bright field aperture. 94 is a relay lens for illumination, and 95 is a cemented prism. The cemented prism 95 has a function of making the optical axis of the illumination system and the optical axis of the light receiving system coaxial, and includes an inner reflective surface 95a and a semi-transparent reflective surface 95b. . Here, a light source 91, a condenser lens 92, bright or dark field diaphragms 93A and 93B1, an illumination relay lens 94, a cemented prism 95, and an objective lens 6
constitutes an illumination system, and the speed of light emitted from the objective lens 6 is a mirror that falls on Unino-6. Reference numeral 98 denotes a glass plate having a reference mark for TV/wafer alignment, and the reference mark has the function of providing the origin of coordinates, so to speak. Therefore, the wafer alignment mark is detected as an X coordinate value and a Y coordinate value. Reference numeral 99 denotes an imaging lens, which together with the above-mentioned cemented lens 95, relay lens 96, mirror 97, glass plate 98, imaging lens 99, and imaging tube 7 constitutes a light receiving system, and the optical path passing through the objective lens 6 is inside the cemented prism. The light is reflected by the reflective surface 95a, reflected by the semi-transparent surface 95b, and reflected again by the inner reflective surface 15a toward the relay lens 96. The wafer alignment mark image on the wafer 4 is formed on the glass plate 98 having the reference mark, and then is imaged on the imaging surface of the image pickup tube 7 together with the reference mark image.

続いて作用を訛明する。照明用光源91からの光束はコ
ンデンサーレンズ12で収斂されて明視野絞り93A又
は暗視野絞り93Bの開口を照明し、更に照明リレーレ
ンズ94を通過し、接合プリズムの半透過面95bを透
過して反射面95aで反射し、対物レンズ6を通ってウ
ェハー4を照明する。
Next, I will explain the effect. The light flux from the illumination light source 91 is converged by the condenser lens 12, illuminates the aperture of the bright field diaphragm 93A or the dark field diaphragm 93B, further passes through the illumination relay lens 94, and is transmitted through the semi-transparent surface 95b of the cemented prism. The light is reflected by the reflective surface 95a and passes through the objective lens 6 to illuminate the wafer 4.

ウェハー4の表面で反射した光束は対物レンズ6で結像
作用を受け、接合プリズム15へ入射して反射m+i 
9 s aで反射し、次いで半透過面95b2反射面1
5aで反射してこれを射出し、リレーレンズ96でリレ
ーされて鏡97で反射し、ガラス板98上に結像した後
、撮像レンズ99により撮像管7上に結像する。その際
、上記した様に明視野絞シ93Aを入れた状態でガを 2ス板98上の基準マーク撮像してその像で座ム 標の原点を決め、続いて暗視野状態に切換えてウェハー
アライメントマーク像が明瞭に見得る様にし、これを撮
像してウェハーアライメントマーク像の位置を検出する
。そして電気的処理により検出された、ウニI・−アラ
イメントマークの位置に応じてウニノ・−−ステージ5
はウエバー4が投影レンズ30投影野中の規定位置4′
を占める様に移動して停止する。
The light beam reflected on the surface of the wafer 4 is subjected to an imaging action by the objective lens 6, enters the cemented prism 15, and is reflected m+i.
9 s a, then semi-transparent surface 95b2 reflecting surface 1
It is reflected by 5 a and ejected, relayed by a relay lens 96 , reflected by a mirror 97 , and imaged on a glass plate 98 , and then imaged on an imaging tube 7 by an imaging lens 99 . At that time, as described above, with the bright field diaphragm 93A inserted, the gas is imaged of the reference mark on the second plate 98, the origin of the coordinates is determined using that image, and then the wafer is switched to the dark field state. The position of the wafer alignment mark image is detected by making the alignment mark image clearly visible and capturing the image. Then, according to the position of the Uni-I alignment mark detected by electrical processing, the Uni-no-- Stage 5
The Weber 4 is located at the specified position 4' in the projection field of the projection lens 30.
Move and stop so that it occupies the area.

旦 なお、ウェハー4を一旦標準位置に7ライメントし、そ
の後投影野中へ移動させる様に変形しても良い。
Alternatively, the wafer 4 may be once aligned at a standard position and then deformed so as to be moved into the projection field.

以上説明した本発明は、マスク上のアライメント1−り
を検知する際にマスクを支持するステージを固定するか
ら検索時間を短縮でき、またアライメントマークと基帛
マークをファイン−アライメント以前に近接させられる
から、アライメント動作は短時間となる。ことにこのア
ライメントを、マスクとウニ・−一のアライメント検知
装置を使用して実現すると、極めて高精度でアライメン
トが達成される。
The present invention described above fixes the stage that supports the mask when detecting the first alignment on the mask, so the search time can be shortened, and the alignment mark and the base mark can be brought close to each other before fine alignment. Therefore, the alignment operation takes a short time. In particular, when this alignment is achieved using a mask and a unique alignment detection device, alignment can be achieved with extremely high precision.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明実施例に係る装置を示す斜視図。 第2図は実施例に係る光学系側面図。第5図(Nはアラ
イメントマークの平面図で、(均はアライメントマーク
を走査した時の出力信号例の図。第4図(A)は従来例
の作用を説明するための平面図。第4図中、1はマ、ス
ク、2はマスク−ステージ、5は縮小投影レンズ、4は
ウニノ〜−15はウニノ・−・ステージ、6は対物レン
ズ、7は撮像管、8はテレビ受像器、11は固定のマス
ク−アライメントマーク、22はレーザー光源、25は
光偏向器、24と25&まシリンドリカルレンズ、26
と27はプリズム、2Bは回転多面鏡、55は対物レン
ズ、52はプリズム、71・72−75−74はウニノ
・−側アライメントマークを(、冑成するエレメントで
、75・76はマスク側アライメントマークを措成する
エレメント、Aは初期設定位置、′に4はアライメント
マークである。 11
FIG. 1 is a perspective view showing an apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side view of the optical system according to the embodiment. FIG. 5 (N is a plan view of the alignment mark, (Yen is a diagram of an example of the output signal when scanning the alignment mark. FIG. 4 (A) is a plan view for explaining the operation of the conventional example. In the figure, 1 is a mask, 2 is a mask stage, 5 is a reduction projection lens, 4 is a Unino~-15 is a Unino stage, 6 is an objective lens, 7 is an image pickup tube, 8 is a television receiver, 11 is a fixed mask-alignment mark, 22 is a laser light source, 25 is a light deflector, 24, 25 & cylindrical lenses, 26
and 27 are prisms, 2B is a rotating polygon mirror, 55 is an objective lens, 52 is a prism, 71, 72-75-74 are elements that form the unino side alignment marks, and 75 and 76 are mask side alignment marks. Elements forming the mark, A is the initial setting position, 4 is the alignment mark. 11

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)マスク面を検知する検知手段と、マスクを移動さ
せる移動手段と、マスクを設定するための基準i−りを
具え、ウェハー上にマスクのパターンを焼付ける装置に
おいて、前記検知手段の一部又は全部がマスク上を移動
してマスクに設けたアライメントマークを検知する第1
の過程と、検知した信号に基づき移動手段を駆動してマ
スクを移動させると共に前記検知手段の一部又は全部を
移動させ、基準マークとウェハーのアライメントマーク
が前記検知手段の検知範囲内に入るようにする第2の過
程と、基準マークとア
(1) In an apparatus for printing a mask pattern on a wafer, which includes a detection means for detecting a mask surface, a movement means for moving the mask, and a reference i-type for setting the mask, one of the detection means The first part moves on the mask to detect an alignment mark provided on the mask.
and a moving means is driven based on the detected signal to move the mask and also move part or all of the detection means so that the reference mark and the alignment mark of the wafer are within the detection range of the detection means. The second process of setting the fiducial mark and
JP57200062A 1982-11-15 1982-11-15 Method for setting of mask in printing device Granted JPS5989417A (en)

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JP57200062A Granted JPS5989417A (en) 1982-11-15 1982-11-15 Method for setting of mask in printing device

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JP (1) JPS5989417A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62167602A (en) * 1986-01-20 1987-07-24 Sony Corp Rotary head device for video tape recorder
JPS62299029A (en) * 1986-06-18 1987-12-26 Fujitsu Ltd Aligner
JPH01191005A (en) * 1988-01-27 1989-08-01 Canon Inc Mark detecting device

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Also Published As

Publication number Publication date
JPS6352767B2 (en) 1988-10-20

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