JPS5916378B2 - Proximity switch - Google Patents

Proximity switch

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JPS5916378B2
JPS5916378B2 JP11151178A JP11151178A JPS5916378B2 JP S5916378 B2 JPS5916378 B2 JP S5916378B2 JP 11151178 A JP11151178 A JP 11151178A JP 11151178 A JP11151178 A JP 11151178A JP S5916378 B2 JPS5916378 B2 JP S5916378B2
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JP
Japan
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voltage
circuit
level
output
oscillator
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JP11151178A
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JPS5539106A (en
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文男 神谷
久敏 野寺
建治 上田
敞行 宮本
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高周波発振形の近接スイッチに関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a high frequency oscillation type proximity switch.

従来の近接スイッチはディスクリートな部品で回路を構
成するのがほとんどである。
Most conventional proximity switches consist of circuits made of discrete components.

そしてスペースの点およびコストの点から回路構成は極
力簡単化し、発振器を硬発振状態(発振振幅の成長およ
び停止が跳躍的に変化する状態)としてステップ特性を
得ておき、後段の回路を簡単な検波・増幅回路で構成す
るようにしている。
In order to save space and cost, we simplified the circuit configuration as much as possible, put the oscillator in a hard oscillation state (a state where the oscillation amplitude increases and stops rapidly), and obtains a step characteristic, and the subsequent circuit is simplified. It consists of a detection and amplification circuit.

バイポーラ・モノリシックIC回路各などで回路をIC
化すればスペースおよびコストの制約から免れ、上記の
ような簡単な回路構成の回路を使う使要がなくなシ、さ
らに温度特性その他の点で安定な回路を実現できる。
IC circuits such as bipolar and monolithic IC circuits
If this is done, space and cost constraints can be avoided, there is no need to use a circuit with a simple circuit configuration as described above, and a circuit that is stable in terms of temperature characteristics and other aspects can be realized.

本発明は上記に鑑み、バイポーラ・モノリシックICな
どによIc化するのに適しておシ、発振器の出力を基準
電圧と比較する場合の電圧比較動作を安定に行なわせる
ようにした近接スイッチの回路を提供することを目的と
する。
In view of the above, the present invention is a proximity switch circuit suitable for converting into an IC such as a bipolar monolithic IC, and which stably performs a voltage comparison operation when comparing the output of an oscillator with a reference voltage. The purpose is to provide

以下、本発明の1実施例について図面を参照しながら説
明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図において、検出コイル1とコンデンサ2とで並列
共振回路が構成され、この並列共振回路が発振器3に接
続されている。
In FIG. 1, a detection coil 1 and a capacitor 2 constitute a parallel resonant circuit, and this parallel resonant circuit is connected to an oscillator 3.

近接体(一般に磁性金属)が検出コイル1に接近するこ
とによシ、この共振回路の損失が増大し、そのため発振
器3の発振振幅が減少し発振停止する。
When a nearby object (generally a magnetic metal) approaches the detection coil 1, the loss of this resonant circuit increases, and as a result, the oscillation amplitude of the oscillator 3 decreases and oscillation stops.

この発振器3の発振振幅の変化を検出する回路として次
段以降の回路がある。
As a circuit for detecting a change in the oscillation amplitude of the oscillator 3, there are circuits in subsequent stages.

発振器3の出力はレベルシフト回路4を経て第1の基準
電圧と比較する第1の電圧比較器5に送られ、さらに積
分回路6を経て第2の基準電圧と比較する第2の電圧比
較器7に送られる。
The output of the oscillator 3 is sent via a level shift circuit 4 to a first voltage comparator 5 which compares it with a first reference voltage, and further passes through an integration circuit 6 to a second voltage comparator which compares it with a second reference voltage. Sent to 7.

この第2の電圧比較器7の出力は検出信号として出力回
路8より出力される。
The output of this second voltage comparator 7 is outputted from an output circuit 8 as a detection signal.

なお電源回路9が各回路に所定の電圧の直流を供給する
Note that the power supply circuit 9 supplies direct current of a predetermined voltage to each circuit.

レベルシフト回路4および第1の電圧比較器5は具体的
には例えば第2図に示すように構成されている。
Specifically, the level shift circuit 4 and the first voltage comparator 5 are configured as shown in FIG. 2, for example.

すなわちレベルシフト回路4は複数個のダイオードでな
シ、抵抗41を経て電流を流すようにしてその順方向降
下電圧分だけ発振器3の出力電圧をシフトしている。
That is, the level shift circuit 4 does not include a plurality of diodes, but allows current to flow through the resistor 41 to shift the output voltage of the oscillator 3 by the forward voltage drop thereof.

電圧比較器5はトランジスタ51.52および定電流回
路53で構成された差動増幅形の比較回路と、抵抗54
.55およびこれらに直列に接続された複数個のダイオ
ード56からなる基準電圧発生用抵抗分圧回路を有して
いる。
The voltage comparator 5 includes a differential amplification type comparison circuit composed of transistors 51 and 52 and a constant current circuit 53, and a resistor 54.
.. 55 and a plurality of diodes 56 connected in series thereto.

ここで基準電圧発生用抵抗分圧回路に直列接続されたダ
イオード56の数は、レベルシフト回路4のダイオード
の数と等しいものとしておく。
Here, the number of diodes 56 connected in series to the reference voltage generating resistive voltage divider circuit is assumed to be equal to the number of diodes in the level shift circuit 4.

こうして、発振器3の発振振幅がレベルシフト回路4に
よシ一定レベルだけ持ち上げられてトランジスタ51の
ベースに加えられる。
In this way, the oscillation amplitude of the oscillator 3 is raised by a certain level by the level shift circuit 4 and applied to the base of the transistor 51.

そしてこのトランジスタ51のベースに加えられる入力
電圧がトランジスタ520ベースに加えられる基準電圧
よ多低い場合にはトランジスタ51がオフ、トランジス
タ52がオンになっているが、入力電圧が基準電圧を越
えるとトランジスタ51.52が反転してトランジスタ
51がオンに、トランジスタ52がオフになる。
When the input voltage applied to the base of the transistor 51 is much lower than the reference voltage applied to the base of the transistor 520, the transistor 51 is turned off and the transistor 52 is turned on. However, when the input voltage exceeds the reference voltage, the transistor 51 and 52 are inverted, transistor 51 is turned on and transistor 52 is turned off.

その結果、 OUT、1がローレベルカラバイレベルに
、0UT2がノ・イレベルからローレベルになる。
As a result, OUT, 1 goes from the low level to the Karabye level, and 0UT2 goes from the NO level to the low level.

この場合、入力電圧がレベルシフト回路4で所定電圧だ
けシフトされ基準電圧の方も複数個のダイオード56で
同じ電圧だけシフトされているので、結局、レベルシフ
ト回路4でシフトされた電圧は相殺され、発振器3の発
振振幅のみの電圧比較が行なわれてこの発振振幅が小さ
いとき0UTIがローレベル、0UT2がバイレベル、
発振振幅が大きいとき0UT1がバイレベル、0tJT
2がローレベルとなるこトニなり、この電圧比較は、電
圧比較回路として直線性が良好で動作の安定した電圧比
較し易い電圧領域で行なわれることになる。
In this case, since the input voltage is shifted by a predetermined voltage by the level shift circuit 4 and the reference voltage is also shifted by the same voltage by the plurality of diodes 56, the voltages shifted by the level shift circuit 4 are canceled out. , voltage comparison of only the oscillation amplitude of oscillator 3 is performed, and when this oscillation amplitude is small, 0UTI is low level, 0UT2 is bi level,
When the oscillation amplitude is large, 0UT1 is bilevel, 0tJT
2 becomes low level, and this voltage comparison is performed in a voltage range where the voltage comparison circuit has good linearity and stable operation, making it easy to compare voltages.

このようにレベルシフト回路を接続したことによシ、例
えば電源電圧が低いとき発振振幅を大きくできず、しか
も増幅器の利得の直線性にも、またその安定性にも限界
があシ、結果として電圧比較器5に入力する発振振幅を
大きくすることが難しい場合などに対処することが可能
となる。
By connecting the level shift circuit in this way, for example, the oscillation amplitude cannot be increased when the power supply voltage is low, and there are also limits to the linearity and stability of the amplifier gain. This makes it possible to deal with cases where it is difficult to increase the oscillation amplitude input to the voltage comparator 5.

つまシ、発振振幅が小さい場合には、この小さい電圧範
囲のなかで電圧比較を行なわなければならず、直線性や
安定性の面で問題のある領域で動作させなければならな
いことになるが、発振振幅をレベルシフトさせれば直線
性が良好で電圧比較し易い領域での安定な電圧比較動作
が可能となる。
However, if the oscillation amplitude is small, voltage comparisons must be made within this small voltage range, and the device must be operated in a region where there are problems with linearity and stability. By level-shifting the oscillation amplitude, stable voltage comparison operation can be performed in a region where linearity is good and voltage comparison is easy.

しかも、このレベルシフト回路での温度ドリフトを考慮
して、これを打ち消すよう電圧比較器5の基準電圧発生
用抵抗分圧回路に同様のダイオードを挿入している。
Furthermore, in consideration of the temperature drift in this level shift circuit, a similar diode is inserted in the reference voltage generating resistor voltage dividing circuit of the voltage comparator 5 in order to cancel it.

特に近接スイッチにおいては、近年ますます高感度化が
進み僅かな定数の変化で発振器の振幅を成長あるいは停
止させなければならず、増幅器としてみた場合の利得の
直線性にある程度の限界があり、また電源電圧の制約な
どから大きな振幅が得られないときなど、電圧比較器5
の入力電圧のレベルを合せ、且つ温度が変っても検出電
圧レベルが変らないようにする上記の構成は極めて重要
なことである。
In particular, proximity switches have become increasingly sensitive in recent years, and it is necessary to grow or stop the amplitude of the oscillator with a slight change in constant, and there is a certain limit to the linearity of the gain when viewed as an amplifier. When a large amplitude cannot be obtained due to power supply voltage constraints, etc., use the voltage comparator 5.
The above-mentioned configuration is extremely important in that the level of the input voltage is matched and the detected voltage level does not change even if the temperature changes.

第3図は第2の実施例を示し、抵抗58がそのエミッタ
に接続されたトランジスタ57でなるエミッタホロワ段
がトランジスタ51のベースに挿入された場合である。
FIG. 3 shows a second embodiment in which an emitter follower stage consisting of a transistor 57 with a resistor 58 connected to its emitter is inserted at the base of transistor 51.

他の構成は第2図と同様である。The other configurations are the same as in FIG. 2.

この場合、発振器3の発振振幅がレベルシフト回路4に
よシ一定レベルだけ持ち上げられた後エミッタホロワ段
のトランジスタ57のベース・エミッタ接合を経てベー
ス・エミッタ電圧だけ下ケラしてトランジスタ51のベ
ースに加えられる。
In this case, after the oscillation amplitude of the oscillator 3 is raised by a certain level by the level shift circuit 4, it is lowered by the base-emitter voltage through the base-emitter junction of the transistor 57 in the emitter follower stage, and is applied to the base of the transistor 51. It will be done.

そのため、基準電圧をレベルシフトする複数個のダイオ
ード56の数はレベルシフト回路4でのシフト電圧にこ
のトランジスタ57のベース・エミッタ電圧を加味して
定められる。
Therefore, the number of diodes 56 that level shift the reference voltage is determined by adding the base-emitter voltage of this transistor 57 to the shift voltage in the level shift circuit 4.

こうして電圧比較が行なわれることになるが、入力電圧
がレベルシフト回路4で所定電圧だけシフトされさらに
トランジスタ57でシフトされ基準電圧の方も複数個の
ダイオード56でこれらの合計シフト電圧と同じ電圧だ
けシフトされているので、結局、レベルシフト回路4お
よびトランジスタ57でシフトされた電圧は相殺され、
発振器3の発振振幅のみの電圧比較が行なわれてこの発
振振幅が小さいとIUTIがローレベル、0UT2がバ
イレベル、発振振幅が大きいとき0UT1がバイレベル
、0UT2がローレベルとなることになり、この電圧比
較は、電圧比較回路として直線性が良好で動作の安定し
た電圧比較し易い電圧領域で行なわれることになる。
Voltage comparison is performed in this way, but the input voltage is shifted by a predetermined voltage by the level shift circuit 4, further shifted by the transistor 57, and the reference voltage is also shifted by the same voltage as the total shifted voltage by the plurality of diodes 56. As a result, the voltages shifted by the level shift circuit 4 and the transistor 57 are canceled out.
A voltage comparison is made only for the oscillation amplitude of the oscillator 3, and if the oscillation amplitude is small, IUTI will be at low level and 0UT2 will be at bi level, and when the oscillation amplitude is large, 0UT1 will be at bi level and 0UT2 will be at low level. The voltage comparison is performed in a voltage range where the voltage comparison circuit has good linearity and stable operation, making it easy to compare voltages.

なお第2図および第3図で、抵抗41.54は電流源に
置き換えることができる。
Note that in FIGS. 2 and 3, the resistors 41, 54 can be replaced with current sources.

第4図は第3の実施例を示し、この場合レベルシフト回
路4に流れる電流と同一の電流を基準電圧発生用抵抗分
圧回路にも流すようにするため、レベルシフト回路4に
流す電流を供給する電流源42と、基準電圧発生回路に
流す電流を供給する電流源59とを設け、これら両型流
源の電流■が同一になるようにしている。
FIG. 4 shows a third embodiment, in which the current flowing through the level shift circuit 4 is changed so that the same current as that flowing through the level shift circuit 4 also flows through the reference voltage generation resistor voltage divider circuit. A current source 42 for supplying current and a current source 59 for supplying a current to the reference voltage generating circuit are provided so that the currents (2) of both types of current sources are the same.

こうしてダイオードの順方向降下電圧の誤差を小さくし
ている。
In this way, the error in the forward voltage drop of the diode is reduced.

他の構成および動作は第2図と全く同様である。The other configurations and operations are exactly the same as in FIG. 2.

第5図は第4の実施例を示し、この図の実施例は第4図
と極性を変えただけで全く同じである。
FIG. 5 shows a fourth embodiment, and the embodiment shown in this figure is exactly the same as FIG. 4 except for the polarity.

すなわち、電源電圧Vccを基準として発振器3の出力
電圧がレベルシフト回路4でシフトされ、さらに抵抗r
でその効果電圧分だけシフトされてトランジスタ51の
ベースに送られる。
That is, the output voltage of the oscillator 3 is shifted by the level shift circuit 4 using the power supply voltage Vcc as a reference, and the output voltage of the oscillator 3 is shifted by the level shift circuit 4.
The signal is shifted by the effective voltage and sent to the base of the transistor 51.

基準電圧の方は、電源電圧Vccを基準に複数個のダイ
オード56で定まる。
The reference voltage is determined by a plurality of diodes 56 based on the power supply voltage Vcc.

ここで抵抗rを第4図の抵抗53のように基準電圧側に
入れるのでなく、入力側に入れたのは、入力側と基準電
圧側とで電流Iが同じなので、どちらに入れても尚じに
なるからである。
Here, the reason why the resistor r is not placed on the reference voltage side like the resistor 53 in Figure 4, but on the input side is because the current I is the same on the input side and the reference voltage side, so no matter where it is placed, there is no difference. This is because they are the same.

このトランジスタ51のベースに加えられる入力電圧が
トランジスタ52のベースに加えられる基準電圧よシも
高いときトランジスタ51がオン、トランジスタ52が
オフ、低いときトランジスタ51がオフ、トランジスタ
52がオンとなるが、発振出力が大きいと入力電圧が低
く、小さいと高くなる。
When the input voltage applied to the base of the transistor 51 is higher than the reference voltage applied to the base of the transistor 52, the transistor 51 is turned on and the transistor 52 is turned off; when the input voltage is lower than the reference voltage applied to the base of the transistor 52, the transistor 51 is turned off and the transistor 52 is turned on. If the oscillation output is large, the input voltage will be low; if the oscillation output is small, the input voltage will be high.

そのため上記の各実施例と異なシ発振振幅が小さいとき
0UT1がバイレベル、0UT2がローレベル、大きい
とき0UT1がローレベル、0UT2がバイレベルにな
る。
Therefore, different from each of the above embodiments, when the oscillation amplitude is small, 0UT1 is a bi level and 0UT2 is a low level, and when it is large, 0UT1 is a low level and 0UT2 is a bi level.

なお、第3図、第4図、第5図で第2図と同様の部分に
は同一の番号を付して説明は省略した。
In addition, in FIGS. 3, 4, and 5, the same parts as in FIG. 2 are designated by the same numbers, and explanations thereof are omitted.

以上実施例について説明したように、本発明によれば、
発振器の発振出力を基準電圧と比較する際に、発振出力
をダイオードでレベルシフトするとともに、このダイオ
ードに対応するダイオードで基準電圧をもレベルシフト
するようにしたので、電圧比較を安定、確実に行なうこ
とができる。
As described above with respect to the embodiments, according to the present invention,
When comparing the oscillation output of the oscillator with the reference voltage, the oscillation output is level-shifted with a diode, and the reference voltage is also level-shifted with the corresponding diode, making voltage comparisons stable and reliable. be able to.

すなわち、発振振幅が小さい場合には、この小さい電圧
範囲のなかで電圧比較を行なわなければならず、直線性
や安定性の面で問題のある領域で動作させなければなら
ないことになるが、発振振幅をレベルシフトさせている
ので、直線性が良好で電圧比較し易い領域での安定な電
圧比較動作が可能となる。
In other words, when the oscillation amplitude is small, voltage comparisons must be made within this small voltage range, and operation must be performed in a region where there are problems in terms of linearity and stability. Since the amplitude is level-shifted, stable voltage comparison operation is possible in a region where linearity is good and voltage comparison is easy.

また、発振出力をレベルシフトするダイオードと基準電
圧をレベルシフトするダ猪オードとを対応させであるの
で、これらの各、各の温度ドリフトを相殺でき、温度ド
リフトの影響をなくすことができる。
Furthermore, since the diode for level-shifting the oscillation output and the diode for level-shifting the reference voltage are made to correspond to each other, their respective temperature drifts can be canceled out, and the influence of temperature drift can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の概略的な構成を示すブ
ロック図、第2図は第1図のレベルシフト回路4および
電圧比較器5を具体的に示す回路図、第3図、第4図お
よび第5図は第2、第3、第4の実施例をそれぞれ示す
第2図に対応する回路図である。 1・・・・・・検出コイル、3・・・・・・発振器、4
・・・・・・レベルシフト回路、5,7・・・・・・電
圧比較器、6・・・・・・積分回路、8・・・・・・出
力回路、9・・・・・・電源回路。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram specifically showing the level shift circuit 4 and voltage comparator 5 of FIG. 1, and FIG. , 4 and 5 are circuit diagrams corresponding to FIG. 2 showing the second, third and fourth embodiments, respectively. 1...detection coil, 3...oscillator, 4
...Level shift circuit, 5,7...Voltage comparator, 6...Integrator circuit, 8...Output circuit, 9... power circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 検出コイルを含んで形成される発振器と、この発振
器の発振出力と第1の基準電圧とを比較する第1の電圧
比較器と、この第1の電圧比較器の出力を積分する積分
回路と、この積分回路の出力と、第2の基準電圧とを比
較する第2の電圧比較器とを有し、この第2の電圧比較
器の出力を検出信号として出力する近接スイッチにおい
て、前記発振器の出力をl/ベルシフトするためのダイ
オードでなるレベルシフト回路を有し、前記第1の電圧
比較器の第1の基準電圧発生用抵抗分圧回路に前記レベ
ルシフト回路のダイオードに対応するダイオードを接続
したことを特徴とする近接スイッチ。 2 前記第1の電圧比較器は電流源を有し、前記レベル
シフト回路のダイオードに流す電流と同一の電流を前記
第1の基準電圧発生用抵抗分圧回路およびダイオードに
流すようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の近接スイッチ。
[Claims] 1. An oscillator formed including a detection coil, a first voltage comparator that compares the oscillation output of this oscillator with a first reference voltage, and an output of this first voltage comparator. , and a second voltage comparator that compares the output of the integration circuit with a second reference voltage, and outputs the output of the second voltage comparator as a detection signal. The switch includes a level shift circuit made of a diode for l/bell shifting the output of the oscillator, and the diode of the level shift circuit is connected to a resistive voltage divider circuit for generating a first reference voltage of the first voltage comparator. A proximity switch characterized in that a diode corresponding to the above is connected. 2. The first voltage comparator has a current source, and the same current as the current flowing through the diode of the level shift circuit is caused to flow through the first reference voltage generating resistive voltage divider circuit and the diode. A proximity switch according to claim 1, characterized in:
JP11151178A 1978-09-11 1978-09-11 Proximity switch Expired JPS5916378B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS614578U (en) * 1984-06-16 1986-01-11 祥克 山根 Balance with basket for casting fishing
JPH03102861U (en) * 1990-02-05 1991-10-25

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