JPS59149405A - Local oscillation device - Google Patents
Local oscillation deviceInfo
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- JPS59149405A JPS59149405A JP2523683A JP2523683A JPS59149405A JP S59149405 A JPS59149405 A JP S59149405A JP 2523683 A JP2523683 A JP 2523683A JP 2523683 A JP2523683 A JP 2523683A JP S59149405 A JPS59149405 A JP S59149405A
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はテレビジョンチューナ、 ＳＨＦダウンコンバ
ータ等に使用されるヘテロゲイン方式による広帯域の局
部発振装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a wideband local oscillation device using a hetero gain method used in television tuners, SHF down converters, and the like.
従来の構成とその問題点
分布定数回路における＃路インピーダンスｚｉｎは特性
インピーダンスを２０、線路の終端インピーダンスをｚ
Ｒ１線路長をｌとすれば
２π
但し、β＝−（λ：波長）・・・ ■λ
第１式においてＺＲ＝ ０としたとき、Ｚ１ｎ＝ ｊＺ
ｏｔａｎβｌ −−−■となり、これ
を２０で規格化した特性は第１図のよの間を利用し、こ
れに容量を与えて共振回路を構成することができる。従
来ではこの共振回路を増幅器に接続して反射型の発振器
が構成されている。Conventional configuration and its problems The road impedance zin in the distributed constant circuit has a characteristic impedance of 20 and a terminal impedance of the line z.
If the R1 line length is l, then 2π However, β = - (λ: wavelength)... ■λ When ZR = 0 in the first equation, Z1n = jZ
otanβl ---■, which is normalized by 20, can be used to construct a resonant circuit by using the gap shown in FIG. 1 and adding a capacitance to it. Conventionally, a reflection type oscillator is constructed by connecting this resonant circuit to an amplifier.
第２図１はその一例を示−′Ｆ４１ので、Ａは共振体部
、Ｂは増幅部である。Ｌｌは共振線路％ Ｃ１１Ｃ１＠
ＣＭは結合用の大容量である、共振回路は、共振線路
Ｌｌと、バラクタダイオードＤＩの容量ｃｖｎと回路の
浮遊容量Ｃ，の総合容量とで構成される。この総合容量
をＣ，とすれば共振点において、
−１−＝ Ｚ、ｔａｎβｌ −−−■（
ＩＪｏ Ｃ。FIG. 2 shows an example of this type -'F41, where A is a resonator section and B is an amplification section. Ll is resonant line% C11C1@
CM is a large capacitance for coupling, and the resonant circuit is composed of a resonant line Ll, a total capacitance of the capacitance cvn of the varactor diode DI, and the stray capacitance C of the circuit. If this total capacitance is C, then at the resonance point -1-=Z, tanβl ---■(
IJoC.
の関係があり、第２回の回路は仁のω・で発振する。There is a relationship, and the second circuit oscillates at ω・.
バラクタダイオードＤＩの容量可変範囲は、現在入手可
能なもので、例えばｏ、’ｙｐ、ｒ〜６．ｏｐｙである
。このバラクタダイオードＤＩと共振線路Ｌ１を利用し
て発憑器を構成した場合の最大発振周波数は、総合容量
Ｃ０と共振線路り、の線路長ｌによって決まる。The variable capacitance range of the varactor diode DI is currently available, such as o, 'yp, r to 6. It is opy. The maximum oscillation frequency when an oscillator is constructed using the varactor diode DI and the resonant line L1 is determined by the total capacitance C0 and the line length l of the resonant line.
線路長ｌは第４式から、
となる。また、現在、総合容ｔｅａは０．５１）Ｆ＋０
−７ＰＦ＝１．２ｐｐテあルノテ、最大発振周波数ヲ１
７５０ ＭＲＺ。From the fourth equation, the line length l is as follows. Also, the current total tea is 0.51)F+0
-7PF=1.2pp Note, maximum oscillation frequency 1
750 MRZ.
ｚ、を５０Ωとすれば、ｌ ＝ ０−０２７ （ｙ＊）
となる。但し、基板がガラスエポキシ、アルミナの時は
それぞれ波長短縮率をかけて。If z is 50Ω, l = 0-027 (y*)
becomes. However, when the substrate is glass epoxy or alumina, multiply by the wavelength shortening rate.
ガラスエポキシのとき ｌ＝０．０２７ Ｋｏ、４９＝
１３．１（耀〕アル定すのとき Ｊ＝０．０２７
メ０．３３ ＝ ８’、９ （藺〕となる。そこで、こ
の線路長を用いて局部発振器を構成したとき、周波数ｆ
０を可変するのに必要な総合容量は第４式より、
Ｃ・＝１１、。ｒ ・・・ ■ト＆ル、そコテ
ｆｏをｇＱＱ ＭＲＺ カ、ら１９００ ＭＲＺ ｔ
テ変化すふのに必要な総合容量ｃｏを求めると、次表に
示すような形になる。When using glass epoxy, l=0.027 Ko, 49=
13.1 ( ) When A is set J=0.027
0.33 = 8', 9 (藺). Therefore, when a local oscillator is constructed using this line length, the frequency f
From the fourth equation, the total capacitance required to vary 0 is C.=11. r... ■To&ru, sokote fo gQQ MRZ Ka, et al 1900 MRZ t
The total capacitance co required for the change in temperature is determined as shown in the following table.
この表においてＸは容量変化範囲を示し、０．７．、〜
ｓｐＦ ・・・ ■のバラク
タダイオードを用いた場合に総合容量は浮遊容ｆｔＯ，
５ｐｉｒが加算され、
１．２ｐＦ〜６．５νｐ ・・・ ■
の可変幅を消し、このとき周波数ｆ０が９ＱＱＭＨｚか
ら１７５０Ｍ）ｉＺまで変化することを示す。In this table, X indicates the capacitance change range, and 0.7. , ~
spF ... When using varactor diodes of ■, the total capacitance is the stray capacitance ftO,
5pir is added, 1.2pF ~ 6.5νp... ■
The variable width of is erased to show that the frequency f0 changes from 9QQMHz to 1750M)iZ.
なお、前記衣の計算結果は、共振線路り、の特性インピ
ーダンスＩｌｏ ＝ ５０ ［Ω］、必要とする最大発
掘周波数ｔｘ ＝ １７５０ （ＭＲＺ） 共振線路
柘上に存在する浮遊容量Ｃｔ ＝ ０．５’（ｐｌ’）
、バラクタダイオードＤ里の最小容量ＣＶｋｉｎ ＝
７ （ｐ？）、上Ｙ ｃｌｃｖＤｍｉｎ （２）値にお
いてｆｘを得るのに必要な線路長１＝２６．９４６８（
ａ＠）でのものである。The above calculation results are as follows: Characteristic impedance of the resonant line Ilo = 50 [Ω], required maximum excavation frequency tx = 1750 (MRZ), stray capacitance existing on the resonant line Ct = 0.5'(pl')
, minimum capacitance CVkin of varactor diode Dri =
7 (p?), the line length required to obtain fx at the upper Y clcvDmin (2) value 1 = 26.9468 (
a@).
テレビジョンチューナ回路に訃いて、全世界の周、波数
範囲をカバーするには、第１の映像中間周波数を９ＱＱ
ＭＲＺ帯に設定した場合には設計余裕度を考えて−と
しては１０００ ＭＲＺが必要である。しかしながら、
第９式の範囲ではこの変化幅を達成できない。そこで従
来では第２図に示すように、共振体部、ムの共振線路り
、をｌ、とｌ！に分割し、その分割点と接地間にスイッ
チダイオードＤ、を介装し１分割点に高抵抗Ｒａ （あ
るいはチ目−゛クコイル）を通して電圧を印加し、スイ
ッチダイオードＤ、をオン・オフさせることにより、共
振線路Ｌ１の長さを切換えて使用している、しかし、ス
イッチダイ−オードＤｔ ＩＣＩｄ逆バイアス時の容量
とパッケージ浮遊容量とから成る容量ＣｆＤ（プラスチ
ックパッヶ′−ジの場合 ｉ ｐ’Ｉ’〜２’１）ｆｆ
’）が存在するため１周波数が高い領域では前記容量Ｃ
ｆＤによって共振線路り、は常に１１の長さで交流的に
シミートされた状懐となるため、共振線路り、は常にｌ
！になりスイッチダイオードＤ！が非導通時にも（Ａ’
＋−ｔ［ｔ）の長さを得ることができず、高い周波数帯
では可変範囲の拡大を行うことができなけ構成のもので
ある。In order to cover the frequency and wave number range of the whole world in the television tuner circuit, the first video intermediate frequency should be set to 9QQ.
When setting in the MRZ band, 1000 MRZ is required considering the design margin. however,
This variation range cannot be achieved within the range of Equation 9. Therefore, in the past, as shown in FIG. 2, the resonant line of the resonator section is defined as l and l! A switch diode D is interposed between the dividing point and ground, and a voltage is applied to one dividing point through a high resistance Ra (or an eye-to-head coil) to turn the switch diode D on and off. However, the length of the resonant line L1 is changed by changing the length of the resonant line L1. I'~2'1)ff
') exists, so in the region where one frequency is high, the capacitance C
Due to fD, the resonant line always has a length of 11 and is shimmed in alternating current, so the resonant line is always l.
! Switch diode D! Even when (A'
+-t[t] cannot be obtained, and the variable range cannot be expanded in a high frequency band.
発明の目的
本発明は高い周波数帯においてもスイッチダイオードの
導通・非導通の切換えによって広仲１囲の発振が可能な
局部発掘装置を提供することを目的とする。OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a local excavation device capable of oscillating a wide area even in a high frequency band by switching conduction/non-conduction of a switch diode.
発明の構成
本発明の局部発掘装置は、第１の外部直流電位圧により
各画可変できる同調ダイオードと、共振線路と、ｖＸ２
の外部直流電位により４辿・非導通が切換えられるスイ
ッチダイオードとを交流的に直列Ｗ Ｉｒ１ｔしてこれ
を増幅トランジスタのペースまたはコレクタと接地間に
介装し、前記スイッチターイオードの非導通時に前記ス
イッチダイオードと並列の容量を介して前記共通線路の
一端を交流的に接地するよう構成したことを特徴とする
。Structure of the Invention The local excavation device of the present invention includes a tuning diode that can be varied in each area by a first external DC voltage, a resonant line, and a vX2
A switch diode which can be switched between conduction and non-conduction by an external DC potential is connected in AC series with W Ir1t, which is interposed between the base or collector of the amplification transistor and the ground, and when the switch diode is non-conducting, the The present invention is characterized in that one end of the common line is grounded in an alternating current manner via a capacitor in parallel with a switch diode.
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第３１ン１に基づいて説明す
る。共振体部（Ａ）と増幅部（Ｂ）とは結合答ｆＣ量で
接続され、結合容量Ｃ，の共振体部（Ａ）側の一端には
畠抵抗Ｒ，を介してＩＩｆＩ調電圧ＢＴが加えらす７て
いる。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below based on the 31st case. The resonator section (A) and the amplification section (B) are connected with a coupling force fC, and an IIfI adjustment voltage BT is connected to one end of the coupling capacitance C on the resonator section (A) side via a Hatake resistor R. There are 7 additions.
高抵抗Ｒ８と結合容量Ｃ，との交点工〔交流的には増幅
トランジスタＱのベース］と接地との１６１に、バラク
タダイオードＤ１と、共振線路り、と、スイッチダイオ
ードＤ２とを交流的に直列接続したものが介装されてい
る。詳しくは、交点工にバラクタダイオードＤ、のカソ
ードが接続され、バラクタダイオードＤ２のアノードに
は共振線路Ｌ１の一端が接続され、共振線路り、の他端
は高抵抗Ｒ２を介して接地されると共に結合容１ｔＣｔ
を介してスイッチダイ、１−ドＤ２のアノード［接続さ
れ、スイッチダイオードＤ！のカソードは接地されてい
る。また、スイッチダイオードＤ２と並列に答＊Ｃｔｉ
が接続されている。A varactor diode D1, a resonant line, and a switch diode D2 are connected in series to the point 161 between the high resistance R8 and the coupling capacitance C (the base of the amplification transistor Q in AC terms) and the ground. The connected item is interposed. Specifically, the cathode of a varactor diode D is connected to the intersection, one end of the resonant line L1 is connected to the anode of the varactor diode D2, and the other end of the resonant line is grounded via a high resistance R2. Coupling capacity 1tCt
The anode of the switch diode 1-D2 is connected through the switch diode D! The cathode of is grounded. Also, the answer *Cti is connected in parallel with the switch diode D2.
is connected.
スイッチダイオードＤ！と結合容量Ｃ２との父点には高
抵抗Ｒｊｌを介してスイッチ電圧Ｂ８が適宜与えられる
。Switch diode D! A switch voltage B8 is appropriately applied to the father point of the and coupling capacitance C2 via a high resistance Rjl.
共振体部（Ａ）において、スイッチ電圧Ｂ８によってス
イッチダイオードＤ２が導フカした場合、共振線路Ｌ１
は結合コンデンサＣ２を介して直接に接地された形とな
り容量ＣｆΔの影響はンなとんど発生しない。In the resonator section (A), when the switch diode D2 becomes conductive due to the switch voltage B8, the resonant line L1
is directly grounded via the coupling capacitor C2, and the influence of the capacitance CfΔ hardly occurs.
故に、共振各階はバラク、タダイオードＤ、の同訓′各
ｔＣｖＤと、結合容量Ｃ１，Ｃｔと、増幅部Ｂを含めた
浮遊答１ｉｔｃｒとの和になるが、結合容量Ｃ，，Ｃ，
は同調容量ＣＶＤに対して大きな値を）ｔｌいるため、
実質上の総合容ｆｓ：Ｃｏは、
Ｃ６へＣＶＤ＋Ｃｆ ・・・ ［
相］となる。Therefore, each resonance level is the sum of each tCvD of the barac and diode D, the coupling capacitance C1, Ct, and the stray response 1itcr including the amplifier B, but the coupling capacitance C,,C,
Since tl has a large value for the tuning capacitance CVD,
The actual total volume fs:Co is CVD+Cf to C6...[
phase].
ところで、スイッチダイオードＤ！が非ｉＡ Ａ ｔｃ
ｈると、スイッチダイオードＤ、は容＃Ｃｎ５に介し
て接地される。ここで容量Ｃｔｉは結合容量ＣＩ＋Ｃ！
に対して極めて小さい値のため、直列接続においてこの
容量Ｃｎ（を無視することはできず、総合容量らは、
となる、ここでＣｔｉ ＝ １ ｐｌＦ 、 Ｃｔ ＝
０．５ ｐＦ 、 ＣｖＤ＝ｏ、’ｙｐｌＦ〜６ＰＦに
すれば、第１０式の総合容量Ｃ６の可変範囲は、１．２
１）Ｆ〜６．５ＰＦになり、前述の表に示す共振線路を
用いた周波数変化幅は表のＸの範囲の９ＱＱＭＨ１ｉＩ
〜１７５０ＭＨｇの可変範囲を得ることができる。、第
１１式の場合には総合容ｔｃｏの変化は０．９１ ｐＦ
〜１．３５ＰＦ になり、表のＹの範囲の１７００ Ｍ
Ｈｚ、、〜１９００ ＭＨｚ の可変範囲を借ること
がで炒る。すなわち、第３図のように構成してスイッチ
市、圧ＢＢを適描に印加することによって可変範囲を上
記表の２の範囲、すなわち９ＱＱＭＨ２〜１９００ＭＨ
ｇにまで拡大することができる。By the way, switch diode D! is non-iA A tc
h, the switch diode D is grounded via the capacitor #Cn5. Here, the capacitance Cti is the coupling capacitance CI+C!
Because of its extremely small value, this capacitance Cn cannot be ignored in series connection, and the total capacitance is as follows, where Cti = 1 plF, Ct =
If 0.5 pF, CvD=o, 'yplF~6PF, the variable range of the total capacitance C6 in equation 10 is 1.2
1) F ~ 6.5PF, and the frequency change width using the resonant line shown in the table above is 9QQMH1iI in the range of X in the table.
A variable range of ~1750 MHg can be obtained. , in the case of Equation 11, the change in total capacitance tco is 0.91 pF
~1.35PF, which is 1700M in the range of Y in the table.
It has a variable range of Hz, ~1900 MHz. That is, by configuring the switch as shown in Fig. 3 and applying the pressure BB appropriately, the variable range can be changed to the range 2 in the table above, that is, 9QQMH2 to 1900MH.
It can be expanded up to g.
なお、共振体部（Ａ）において、バラクタダイオード巧
には同調電圧ＢＴの逆バイアス市、圧、スイッチダイオ
ードＤ、にはスイッチ電圧Ｂｓにより導通・非導通を必
要とするため、共振線路り、に対して両ダイオードＤ１
＊ Ｄｔは直列に挿入されている点が重要であり、ダ
イオードＤ、 、 Ｄ、の向きは特に問題でない。また
スイッチダイオードＤ！に並列に挿入された容量Ｃｔｒ
ｆとしては、スイッチダイオードＤ、の逆バイアス時の
容量のみを使用してもよく、または更に別の容量を設定
してもよい。In addition, in the resonator part (A), the varactor diode requires reverse bias voltage of the tuning voltage BT, and the switch diode D requires conduction/non-conduction by the switch voltage Bs. On the other hand, both diodes D1
*It is important that Dt is inserted in series, and the orientation of the diodes D, D, and D does not particularly matter. Switch diode D again! Capacitor Ctr inserted in parallel with
As f, only the reverse bias capacitance of the switch diode D may be used, or another capacitance may be set.
増幅部ＣＢ）は、トランジスタＱのベースに共振体部（
Ａ）が！＃続され、トランジスタＱのコレクタは大写ｔ
Ｃ３で接地されている。コレクタには抵抗Ｒ５を通して
バイアスが与えられていると共に抵抗Ｒ６を介してベー
スに接続されてベース博１位が与えられでいる。ベース
バイアスについては、自己帰還型でなくともよい。トラ
ンジスタＱのエミッターコレクタ間の容量Ｃ４はエミッ
タとアース間の最短距離を交流的に接地するもので、容
量Ｃ３により広帯域の発揚の女定性を改善している。Ｌ
２はノ・イパワーをとり出すためのチョークコイルであ
る。Ｒ１はエミッタ抵抗であり、結合容量らを通して発
振出力をとり出すもので Ｂ＝１２ボルト電流約電流約
３峙
お、発振出力のとり出し方には棟々の方法があり、容−
ＷｋＣｍをｔｏｐｌ’桿度にしてコレクタからとり出す
方法や、共振線路Ｌ１にインダクタンス結合または容量
結合によって取り出す方法も可能である。パワーを考え
れば、エミッタから取り出すのが最適である。なお、出
力のとり出し方、ある論は兵衛線路の設定個所について
は多くの方法があるが本発明はその共振線路、バラクタ
ダイオード、スイ □ッチダイオードを直列に配列し
ているということが重要なポイントである。The amplifier section CB) has a resonator section (
A) is! #The collector of transistor Q is shown in close-up.
It is grounded at C3. A bias is applied to the collector through a resistor R5, and the collector is connected to the base through a resistor R6, so that a base voltage is applied. The base bias need not be of the self-feedback type. The capacitance C4 between the emitter and collector of the transistor Q is used to ground the shortest distance between the emitter and the ground in an alternating current manner, and the capacitance C3 improves the oscillation quality in a wide band. L
2 is a choke coil for extracting power. R1 is an emitter resistor that extracts the oscillation output through the coupling capacitance.
It is also possible to take out WkCm from the collector by making it a topl' radius, or to take it out by inductive coupling or capacitive coupling to the resonant line L1. Considering the power, it is best to take it out from the emitter. There are many ways to take out the output, and in some cases, where to set the line, but the important point in the present invention is that the resonant line, varactor diode, and switch diode are arranged in series. It is.
上記実施４！Ａ１では増幅トランジスタのベースと接地
間にバラクタダイオードＤ７、共振線路り，、スイッチ
ダイオードＤ！を介装したが、これは増幅部Ｂの構成が
クラップ型発振回路などのように増幅トランジスタのコ
レクタと接地間に共振要素が介装される場合にも同様の
効果が得られる。Implementation 4 of the above! In A1, a varactor diode D7, a resonant line, and a switch diode D! are connected between the base of the amplification transistor and ground. However, the same effect can be obtained even when the configuration of the amplification section B is a Clapp type oscillation circuit or the like in which a resonant element is interposed between the collector of the amplification transistor and the ground.
発明の詳細
な説明のように本発明の局部発振装置によると、第１の
外部直流電位により谷°扇可変できる同調ダイオードと
共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通が
切換えられるスイッチダイオードとを交流的に直列接続
したため、スイッチダイオードの逆バイアス容量等を有
効に利用して高い周波数においても広い可変．−囲が得
られるものである。また、スイッチダイオードの逆バイ
アス時の容量を吸収で角るので、安価な回路？構成でき
るものである、As described in the detailed description of the invention, the local oscillator of the present invention has a tuning diode and a resonant line whose valleys can be varied by a first external DC potential, and conduction/non-conduction can be switched by a second external DC potential. Since the switch diode and the switch diode are connected in series in AC mode, the switch diode's reverse bias capacitance, etc. can be effectively used to enable wide variable range even at high frequencies. − The area obtained is as follows. Also, since the reverse bias capacitance of the switch diode is absorbed, it becomes an inexpensive circuit. is configurable,
第１ノはλ／４線路のインピーダンス特性１メ１、第２
図は従来の局部発振ｆｉ．置の回路１％隻に３図は本発
明の局部発掘回路の一実施例の回路図である。
Ａ・・・共振体部、Ｂ・・・増幅器、Ｌ，・・・共振線
路、Ｄ。
・・・バラクタダイオード〔同調ダイオード〕、Ｄ２・
・・スイッチダイオード、Ｑ・・・トランジスタ代理人
森 本 義 弘
第１図−
第２図
第ミ図The first one is the impedance characteristic of the λ/4 line.
The figure shows a conventional local oscillation fi. Figure 3 is a circuit diagram of an embodiment of the local excavation circuit of the present invention. A...Resonator section, B...Amplifier, L,...Resonance line, D. ...Varactor diode [tuning diode], D2.
... Switch diode, Q... Transistor agent Yoshihiro Morimoto Figure 1 - Figure 2 Figure M
Claims (1)
イオードと、共振線路と、第２の外部直流電位により導
通・非導通が切換えられる、スイッチダイオードとを交
流的に直列接続して、これを増幅トランジスタのベース
まタハコレクタと接地間に弁装し、前記スイッチダイオ
ードの非碑通時に前記スイッチダイオードと並列の容量
を介して前記共通線路の一端を交流的に接地−するよう
構成した局部ン白振装面“。 ２、 スイッチングダイオードと並列の容ｔｆ。 前記スイッチングダイオードの逆のバイアス容量および
パッケージ容量としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の局部発振装置。[Claims] 1. A tuning diode whose capacitance can be varied by a first external DC potential, a resonant line, and a switch diode whose conduction/non-conduction can be switched by a second external DC potential are connected in series in an AC manner. Then, this is connected between the base or collector of the amplifying transistor and the ground, so that when the switch diode is not connected, one end of the common line is AC-grounded via a capacitor in parallel with the switch diode. 2. A local oscillation device according to claim 1, characterized in that a capacitor tf in parallel with the switching diode is a bias capacitor and a package capacitor opposite to the switching diode. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2523683A JPS59149405A (en) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | Local oscillation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2523683A JPS59149405A (en) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | Local oscillation device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149405A true JPS59149405A (en) | 1984-08-27 |
Family
ID=12160344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2523683A Pending JPS59149405A (en) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | Local oscillation device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149405A (en) |
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