JPH1192660A - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition

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JPH1192660A
JPH1192660A JP9276463A JP27646397A JPH1192660A JP H1192660 A JPH1192660 A JP H1192660A JP 9276463 A JP9276463 A JP 9276463A JP 27646397 A JP27646397 A JP 27646397A JP H1192660 A JPH1192660 A JP H1192660A
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Hideto Kato
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject composition enabling the imidation reaction at a temperature as low as <=250 deg.C after the formation of a pattern, giving a coating film exhibiting high adhesiveness to a substrate and useful as a protecting insulation film for semiconductor elements by using a resin having a specific structure and setting its average molecular weight within a specific range. SOLUTION: This composition contains (A) 100 pts.wt. of a polyimide resin having a structure expressed by the formula I [X is a group of formula II, etc.; Y is composed of 30-100 mol.% of a bivalent aromatic group containing methacryloxy group and expressed by the formula III (R is methacryloyl of formula IV, OH, etc.), and 70-0 mol.% of a bivalent aromatic group of formula V (B is a group of the formula VI, etc.); Z is a bivalent siloxane-containing group expressed by formula VII ((b) is 5-80); (m) and (n) are each an integer and m/(m+n) is 0.70-0.98] and (B) 0.01-20 pts.wt. of a photopolymerization initiator.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子用保護
絶縁膜、液晶表示素子用配向膜、多層プリント基盤用絶
縁膜等の形成に有用な感光性樹脂組成物に関する。
The present invention relates to a photosensitive resin composition useful for forming a protective insulating film for a semiconductor device, an alignment film for a liquid crystal display device, an insulating film for a multilayer printed board, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、耐熱性感光材科として、例えぱ、
ポリアミック酸と重クロム酸塩とからなる材科(特公昭
49−17374号公報)、ポリアミック酸のカルボキ
シル基にエステル結合により感光基を導入したものから
なる材料(特開昭49−115541号公報、特開昭5
5−45746号公報)、ポリアミック酸と感光基を有
するアミン化合物からなる材料(特開昭54−1457
94号公報)、ポリアミック酸のカルボキシル基にシリ
ルエステル結合により感光基を導入したものからなる材
料(特開昭62−275129号公報)等が提案されて
いる。これらの材料は、ポリイミド樹脂前駆体を使用し
ており、所定の基材上に塗布した後に光を照射しパター
ン形成を行った後で、通常300℃を越える温度でイミ
ド化反応を進行させて耐熱性ポリイミド樹脂膜を得るも
のである。これらは、このような高温に耐えられない基
材上にポリイミド皮膜を形成するには適していない。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a heat-resistant photosensitive material family, for example,
A material family comprising a polyamic acid and a dichromate (Japanese Patent Publication No. 49-17374), a material comprising a carboxyl group of a polyamic acid having a photosensitive group introduced through an ester bond (Japanese Patent Application Laid-Open No. 49-115541, JP 5
5-45746), a material comprising a polyamic acid and an amine compound having a photosensitive group (JP-A-54-1457).
No. 94), and a material comprising a carboxyl group of a polyamic acid with a photosensitive group introduced through a silyl ester bond (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-275129). These materials use a polyimide resin precursor, and after applying a light onto a predetermined base material to form a pattern by irradiating light, the imidization reaction usually proceeds at a temperature exceeding 300 ° C. This is to obtain a heat-resistant polyimide resin film. They are not suitable for forming a polyimide film on a substrate that cannot withstand such high temperatures.

【0003】一方、すでにイミド化されたポリイミド樹
脂を基本骨格として有する感光性ボリイミドも提案され
ている。例えば、ネガ型として、ポリイミド骨格に光重
合可能な官能基を導入した例(特開昭60−7292
5、特開昭61−59334)、ポジ型としてフェノー
ル性水酸基を有するポリイミドにジアゾナフトキノンを
配合した例(特開平3−209478)があげられる。
これらの材料は皮膜形成後の高温処理を必要としない
が、いずれもパタトーン化され基材上に形成された皮膜
と基材との接着性が不十分であり、特にこれらの材料を
電子材料として適用する場合には、金属の腐食等の重大
な問題を引き起こす恐れがある。
On the other hand, photosensitive polyimides having a polyimide resin which has already been imidized as a basic skeleton have also been proposed. For example, an example in which a photopolymerizable functional group is introduced into a polyimide skeleton as a negative type (JP-A-60-7292)
5, JP-A-61-59334) and an example in which diazonaphthoquinone is mixed with a polyimide having a phenolic hydroxyl group as a positive type (JP-A-3-209478).
These materials do not require high-temperature treatment after film formation, but all have insufficient adhesion between the film formed on the substrate and the substrate formed by patterning, and these materials are especially used as electronic materials. If applied, it can cause serious problems such as metal corrosion.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
の解決を目的としてなされたもので、パターン形成後、
250℃以下の低温でイミド化を行うことができ、得ら
れる皮膜が基材に対して良好な接着性を示すとともに金
属腐食の恐れがない高信頼性の感光性樹脂組成物を提供
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made for the purpose of solving the above-mentioned problems, and has been made after the formation of a pattern.
A highly reliable photosensitive resin composition that can be imidized at a low temperature of 250 ° C. or less and that the resulting film exhibits good adhesion to a substrate and is free from metal corrosion.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意検討を重ねた結果、下記の組成物が
光の照射に対して良好な感度を有し容易にパターンの形
成が行え、かつ、250℃以下の比較的低温の熱処理で
イミド化された皮膜を基材上に形成する事ができるこ
と、硬化により得られる皮膜は耐熱性、電気的特性、機
械的特性、基材への接着性に優れたポリイミド皮膜であ
ることを見出した。即ち、本発明は、(A)一般式
(1):
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, the following composition has good sensitivity to light irradiation and easily forms a pattern. Can be performed, and an imidized film can be formed on a substrate by heat treatment at a relatively low temperature of 250 ° C. or less. The film obtained by curing has heat resistance, electrical properties, mechanical properties, It has been found that this is a polyimide film having excellent adhesiveness to polyimide. That is, the present invention provides (A) a general formula (1):

【0006】[0006]

【化6】 〔式中、Xは、式(2−1)、(2−2)、(2−3)
及び(2−4):
Embedded image [In the formula, X is the formula (2-1), (2-2), (2-3)
And (2-4):

【0007】[0007]

【化7】 で表される基から選ばれ、Yは、下記式(3)で示され
るメタクリロキシ基を含有する二価の芳香族基30〜1
00モル%と下記式(4)で示される二価の芳香族基7
0〜0モル%とよりなり、
Embedded image Y is a divalent aromatic group containing a methacryloxy group represented by the following formula (3):
00 mol% and the divalent aromatic group 7 represented by the following formula (4)
0 to 0 mol%,

【0008】[0008]

【化8】 Embedded image

【0009】(式(3)において、Rは式(5): -NH-CH2CH2OCO-CH(CH3)=CH2 (5) で示されるメタクリロイル基含有基及び水酸基より選ぱ
れる基であり、かつRのうち50モル%以上は、式
(5)で示される基からなる。式(4)において、Bは
式(6−1)、(6−2)及び(6−3):
(In the formula (3), R is the formula (5): -NH-CH 2 CH 2 OCO-CH (CH 3 ) = CH 2 (5) a group selected from a methacryloyl group-containing group and a hydroxyl group represented by (5), and at least 50 mol% of R is a group represented by the formula (5). In the formula (4), B is represented by the formulas (6-1), (6-2) and (6-3):

【0010】[0010]

【化9】 で表される基より選ばれる。) Zは、式(7):Embedded image Selected from the groups represented by ) Z is the formula (7):

【0011】[0011]

【化10】 Embedded image

【0012】(式中bは、5〜80の整数である。)で
示される二価のシロキサン含有基であり、m及びnは整
数であって、m/(m+n)は0.70〜0.98の範
囲である。〕で表される構造を有し、平均分子量500
0〜150000のポリイミド樹脂100重量部、及び
(B)光重合開始剤0.0l重量部〜20重量部を含有
してなる感光性樹脂組成物を提供するものである。
Wherein b is an integer of 5 to 80, and m and n are integers, and m / (m + n) is 0.70 to 0. .98. And a mean molecular weight of 500
The present invention provides a photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight of a polyimide resin of 0 to 150,000 and (B) 0.01 to 20 parts by weight of a photopolymerization initiator.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の組成物を詳細に説
明する。(A)ポリイミド樹脂 (A)成分として用いられるポリイミド樹脂を表わす一
般式(1)において、Xで表される4価の基は式(2−
1)〜(2−4)のいずれでもよく、二種以上が混在し
ていてもよい。Yで表される二価の基において、式
(3)のメタクリロイル基含有基は必須であり、Y中の
30〜100モル%、好ましくは50〜100モル%を
占める。式(3)の基が100モル%未満のとき、残余
の基は式(4)の基である。式(3)の基が30モル%
未満では、露光部が十分な光硬化性を示さず、良好なパ
ターンが得られない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the composition of the present invention will be described in detail. (A) Polyimide resin In the general formula (1) representing the polyimide resin used as the component (A), the tetravalent group represented by X is represented by the formula (2-
Any of 1) to (2-4) may be used, and two or more kinds may be mixed. In the divalent group represented by Y, the methacryloyl group-containing group of the formula (3) is essential, and accounts for 30 to 100 mol%, preferably 50 to 100 mol% of Y. When the group of formula (3) is less than 100 mol%, the remaining groups are groups of formula (4). 30 mol% of the group of the formula (3)
If it is less than 3, the exposed portion does not show sufficient photocurability, and a good pattern cannot be obtained.

【0014】式(3)の基においてRは前記式(5)の
メタクリロイル基含有基か水酸基であり、ただし式
(5)の基が50モル%以上、好ましくは、80〜10
0モル%である。
In the group of the formula (3), R is a methacryloyl group-containing group of the above formula (5) or a hydroxyl group, provided that the group of the formula (5) is at least 50 mol%, preferably 80 to 10%.
0 mol%.

【0015】Bで表される基は式(6−1)〜(6−
3)で表される基から選ばれ、1種単独でも二種以上が
混在してもよい。好ましくは、式(6−2)の基であ
る。Zで表される基は式(7)のシロキサン含有基であ
り、式(7)においてbは5〜80、好ましくは、8〜
75の整数である。bが5未満では、樹脂皮膜の弾性率
が高いため、半導体素子などの電子部品等の保護用皮膜
としては適用し難く、80を超えるとシロキサン成分が
系に不溶となって重合反応が進行しない。
The groups represented by B are represented by the formulas (6-1) to (6-
One selected from the groups represented by 3) may be used alone or in combination of two or more. Preferably, it is a group of the formula (6-2). The group represented by Z is a siloxane-containing group of the formula (7), and b in the formula (7) is from 5 to 80, preferably from 8 to
It is an integer of 75. If b is less than 5, the elasticity of the resin film is high, so that it is difficult to apply as a protective film for electronic components such as semiconductor elements. If it exceeds 80, the siloxane component becomes insoluble in the system and the polymerization reaction does not proceed. .

【0016】一般式(1)において、Yを含む構造単位
の数(m)とZを含む構造単位の数(n)との割合は両
単位の合計においてmが70〜98モル%、nが2〜3
0モル%である。好ましくは、mが80〜98モル%、
nが20〜2モル%である。mが70モル%未満では、
樹脂皮膜の強度が低下し、保護用皮膜としては不適当で
あり、98モル%を超えると基材に対する接着性に劣
る。なお、通常mは1〜500(好ましくは3〜30
0)の整数であり、nは1〜200(好ましくは1〜1
00)の整数である。このポリイミド樹脂は、例えば、
次のようにして製造することができる。 一般式(8):
In the general formula (1), the ratio of the number of structural units containing Y (m) to the number of structural units containing Z (n) is such that m is 70 to 98 mol% and n is 2-3
0 mol%. Preferably, m is 80 to 98 mol%,
n is 20 to 2 mol%. When m is less than 70 mol%,
The strength of the resin film is reduced and is unsuitable as a protective film. If it exceeds 98 mol%, the adhesion to the substrate is poor. In addition, m is usually 1 to 500 (preferably 3 to 30).
0) and n is 1 to 200 (preferably 1 to 1)
00). This polyimide resin, for example,
It can be manufactured as follows. General formula (8):

【0017】[0017]

【化11】 〔式中、Xは前記の通り〕Embedded image [Wherein, X is as described above]

【0018】で表される酸無水物と、一般式(9): H2N−Y’−NH2 (9) 〔式中、Y’は、式(10):And an acid anhydride represented by the general formula (9): H 2 N—Y′—NH 2 (9) wherein Y ′ is a group represented by the formula (10):

【0019】[0019]

【化12】 Embedded image

【0020】で表されるカルボキシル基を有する二価の
芳香族基及び式(4)で表される二価の芳香族基から選
ばれる。〕で表される芳香族ジアミン化合物及び一般式
(11): H2N−Z−NH2 (11) 〔式中、Zは前記の通り〕で表されるシロキサンジアミ
ン化合物とをもちいて定法によりポリイミドを合成す
る。
It is selected from a divalent aromatic group having a carboxyl group represented by the following formula and a divalent aromatic group represented by the formula (4). And a siloxane diamine compound represented by the general formula (11): H 2 N—Z—NH 2 (11) wherein Z is as defined above, according to a conventional method. Synthesize polyimide.

【0021】この合成は常説に従えばよいが、反応溶媒
としては後述する本願ポリイミド樹脂の溶液組成物に使
用するものと同様の有機溶剤、特に、N−メチル−2ピ
ロリドン、シクロヘキサノン等を好適に使用し得る。反
応は、室温下(例えば0〜40℃)にて溶媒中に酸無水
物とジアミンとを溶解後反応させてポリアミック酸とし
た後、この反応溶液にトルエン、キシレン等の脱水溶剤
を加えて、130〜200℃程度に加熱して脱水縮合を
行いポリイミド化する。これを冷却してポリイミド樹脂
を得る。こうして得られたポリイミド樹脂は、式(1
2):
This synthesis may be carried out according to a conventional theory. As the reaction solvent, the same organic solvents as those used in the solution composition of the polyimide resin of the present invention described later, particularly, N-methyl-2-pyrrolidone, cyclohexanone and the like are preferable. Can be used for The reaction is performed by dissolving an acid anhydride and a diamine in a solvent at room temperature (for example, 0 to 40 ° C.) and then reacting to obtain a polyamic acid, and then adding a dehydrating solvent such as toluene and xylene to the reaction solution. Dehydration condensation is performed by heating to about 130 to 200 ° C. to form a polyimide. This is cooled to obtain a polyimide resin. The polyimide resin thus obtained has the formula (1)
2):

【0022】[0022]

【化13】 〔式中、X、Y’、Z、m及びnは前記の通り〕で表さ
れる構造を有する。
Embedded image [Wherein X, Y ′, Z, m and n are as described above].

【0023】次に、式(12)のY’のカルボキシル基
にメタクリロイル基を導入することにより、一般式
(1)の樹脂を得る。このメタクリロイル基の導人方法
に制限はないが、例えば、イソシアナトエチルメタクリ
レートとメチレンビス(4−アミノ−3−ベンゾイック
アシッド)のカルボキシル基との反応によって導入され
る。この反応は、室温、無触媒で進行する。生成樹脂の
Rの50モル%以上が式(5)のメタクリロイル含有基
となるようにする。
Next, a methacryloyl group is introduced into the carboxyl group of Y ′ in the formula (12) to obtain a resin of the general formula (1). The method of guiding the methacryloyl group is not limited, but is introduced, for example, by reacting isocyanatoethyl methacrylate with the carboxyl group of methylene bis (4-amino-3-benzoic acid). This reaction proceeds at room temperature without a catalyst. At least 50 mol% of R of the resulting resin is a methacryloyl-containing group of the formula (5).

【0024】上記の合成において、一般式(8)の酸無
水物としては、Xの異なる4種の化合物から選ばれる1
種又は2種以上を目的のポリイミドの構造が得られるよ
うに用いることができる。一般式(9)のジアミン化合
物は二価の基Yにおける一般式(3)の基と一般式
(4)の基との割合が所望値になるように使用される。
一般式(11)のシロキサン基含有ジアミン化合物は、
所望のm/(m+n)値が得られるように、他のジアミ
ン成分との使用比が調節される。
In the above synthesis, the acid anhydride of the general formula (8) is one selected from four compounds having different Xs.
Species or two or more species can be used so as to obtain a desired polyimide structure. The diamine compound of the general formula (9) is used such that the ratio of the group of the general formula (3) to the group of the general formula (4) in the divalent group Y becomes a desired value.
The siloxane group-containing diamine compound of the general formula (11)
The use ratio with other diamine components is adjusted so as to obtain a desired m / (m + n) value.

【0025】一般式(3)の基を形成するジアミン化合
物としては、例えば、メチレンビス(4−アミノ−3−
ベンゾイックアシッド)、メチレンビス(4−アミノ−
2−ベンゾイックアシッド)、メチレンビス(3−アミ
ノ−4−ベンゾイックアシッド)等が挙げられる。
The diamine compound forming the group of the general formula (3) includes, for example, methylenebis (4-amino-3-
Benzoic acid), methylene bis (4-amino-
2-benzoic acid), methylene bis (3-amino-4-benzoic acid) and the like.

【0026】式(4)の基を形成するジアミン化合物と
しては、例えば、1,4−ビス(3‐アミノフェノキ
シ)ベンゼン、l,4−ビス(4−アミノフェノキシ)
ベンゼン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕パーフルオロプロパンがあ
げられるが、これらに限定されるものではない。好まし
くは、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]プロパンである。
Examples of the diamine compound forming the group of the formula (4) include 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene and 1,4-bis (4-aminophenoxy)
Benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] perfluoropropane, but are not limited thereto. is not. Preferably, it is 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane.

【0027】(B)光重合開始剤 光重合開始剤の具体例としては、以下のようなものが挙
げられるが、これらに限定されるものではない。ベンゾ
フェノン、アセトフェノン、アントロン、フェナントレ
ン、ニトロフルオレン、二トロアセナフテン、p,p’
−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、 p,p’−
テトラエチルジアミノベンゾフェノン、クロロチオキサ
ントン、ベンズアントラキノン、2,6−ビス−(4‐
ジエチルアミノベンザル)‐シクロヘキサノン、2,6
−ビス−(4−ジエチルアミノベンザル)−4‐メチル
−シクロヘキサノン、4,4’−ビス−(ジエチルアミ
ノ)カルコン、2,4−ジエチルチオキサントン、N−
フェニル−ジエタノールアミン、ジエチルアミノエチル
メタクリレート、クマリン化合物ベンジル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、1−ヒドロキシ−シクロヘキシ
ル−フェニルケトン、2−メチル−〔4−(メチルチ
オ)フェニルコ−2−モルフオリノ−1−プロパン、1
−フェニル1,2−ブタンジオン−2−(o−メトキシ
カルボニル)オキシム,N−フェニルグリシン、3−フ
ェニル5−イソキサゾロン、カンフアーキノン、ビミダ
ゾール類これらは、単独であるいは、2種類以上を併用
することができる。(B)成分は、(A)成分の樹脂1
00重量部に対して0.0l重量部〜20重量部用いら
れ、好ましくは0.05〜5重量部である。
(B) Photopolymerization Initiator Specific examples of the photopolymerization initiator include the following, but are not limited thereto. Benzophenone, acetophenone, anthrone, phenanthrene, nitrofluorene, ditroacenaphthene, p, p '
-Tetramethyldiaminobenzophenone, p, p'-
Tetraethyldiaminobenzophenone, chlorothioxanthone, benzanthraquinone, 2,6-bis- (4-
Diethylaminobenzal) -cyclohexanone, 2,6
-Bis- (4-diethylaminobenzal) -4-methyl-cyclohexanone, 4,4'-bis- (diethylamino) chalcone, 2,4-diethylthioxanthone, N-
Phenyl-diethanolamine, diethylaminoethyl methacrylate, coumarin compound benzyl, benzoin isopropyl ether, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenylco-2-morpholino-1-propane,
-Phenyl-1,2-butanedione-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, N-phenylglycine, 3-phenyl5-isoxazolone, camphorquinone, bimidazoles These may be used alone or in combination of two or more. Can be. The component (B) is a resin 1 of the component (A).
It is used in an amount of 0.01 to 20 parts by weight, preferably 0.05 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight.

【0028】その他の成分 本発明の組成物の成分は通常有機溶剤に溶解され、溶液
状態(ポリイミド樹脂溶液組成物として)で基材に塗布
される。用いられる溶剤としては、ポリイミド前駆体を
合成するために用いられる溶剤が好適に用いられる。そ
の具体例としては、N−メチル−2−ピロリドン、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミド、テトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチル
エーテル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
2−へプタノン、2−オクタノン、7−ブチロラクト
ン、ブチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、アニソール、メチルアニソール、エチルフェニルエ
ーテル等があげられ、これらの一種を単独で又は二種以
上を併用して用いることができる。また、溶剤の使用量
は、(A)成分のポリイミド樹脂と溶剤との合計量に対
して(A)成分のポリイミド樹脂が、5〜50重量%と
することが好ましい。
Other Components The components of the composition of the present invention are usually dissolved in an organic solvent and applied to a substrate in a solution state (as a polyimide resin solution composition). As the solvent used, a solvent used for synthesizing a polyimide precursor is suitably used. Specific examples thereof include N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylformamide, hexamethylphosphoramide, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, methylcellosolve, butylcellosolve, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and triethylene glycol dimethyl ether. , Acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone,
2-heptanone, 2-octanone, 7-butyrolactone, butyl cellosolve acetate, toluene, xylene, anisole, methylanisole, ethylphenyl ether and the like, and one of these can be used alone or in combination of two or more. it can. The amount of the solvent used is preferably 5 to 50% by weight of the polyimide resin of the component (A) based on the total amount of the polyimide resin of the component (A) and the solvent.

【0029】使用法・用途 本発明の組成物は通常上記の溶液状態で、スピンコー
ト、浸潰、印刷等公知の方法により基材(ないし基板)
に施される。基材としては、シリコンウエハー、金属
板、ガラス枚、セラミックス基板等がある。塗布後、乾
燥器あるいはホットプレート等の加熱手段を用い、30
〜180℃の温度で数分から数時間プリベークを行い、
塗膜中の溶剤を大部分除去することにより感光性樹脂組
成物の皮膜を得ることができる。この塗膜上にマスクを
置き、可視光線、紫外線等の光を数秒〜数分間照射し、
次いで、未露光部を現像液で溶解除去することにより、
レリーフパターンを得ることができる。また、このとき
に用いる現像液としては、上記のこの組成物の溶剤とし
て用いられる溶剤を一種単独で、あるいは、2種以上併
用して用いることができる。更に、現像により形成され
たレリーフパターンの樹脂は、すでにイミド化された樹
脂の形であるため、これを乾燥器、あるいは電気炉など
の加熱手段により150〜250℃、特に150〜20
0℃の温度で数十分〜数時間加熱することにより、残存
溶剤や、増感剤、重合開始剤を気散させるだけでパター
ン化されたポリイミド皮膜を形成することができる。
Method of Use / Use The composition of the present invention is usually used in the above-mentioned solution state by a known method such as spin coating, immersion, and printing.
It is applied to Examples of the substrate include a silicon wafer, a metal plate, a glass sheet, a ceramic substrate, and the like. After the application, use a heating means such as a drier or a hot plate to
Prebake at a temperature of ~ 180 ° C for several minutes to several hours,
By removing most of the solvent in the coating film, a film of the photosensitive resin composition can be obtained. Place a mask on this coating, irradiate light such as visible light, ultraviolet light for several seconds to several minutes,
Next, by dissolving and removing the unexposed portion with a developer,
A relief pattern can be obtained. As the developer used at this time, the above-mentioned solvent used as the solvent for the composition can be used alone or in combination of two or more. Furthermore, since the resin of the relief pattern formed by the development is already in the form of an imidized resin, the resin is heated to 150 to 250 ° C., particularly 150 to 20 ° C. by a heating means such as a dryer or an electric furnace.
By heating at a temperature of 0 ° C. for several tens of minutes to several hours, a patterned polyimide film can be formed only by dispersing the residual solvent, the sensitizer, and the polymerization initiator.

【0030】本発明の感光性樹脂組成物は、容易にパタ
ーン形成ができ、また、その加熱後に形成される樹脂皮
膜は、耐熱性、機械的特性、電気的特性に優れるため
に、電子部品用保護膜として好適に用いることができ
る。この電子部品用保護膜としては、例えば半導体装
置、具体的には、ダイオード、トランジスタ、IC、L
SIなどの半導体素子表面のジヤンクションコート膜、
パッシベーション膜、バッファーコート膜、LSI等の
α線遮蔽膜、多層配線の層間絶縁膜、その他にもプリン
トサーキットボードのコンフオーマルコート、液品表示
素子の配向膜、イオン注入マスク等があげられ、幅広い
範囲にわたり利用することができる。
The photosensitive resin composition of the present invention can easily form a pattern, and the resin film formed after heating is excellent in heat resistance, mechanical properties, and electrical properties. It can be suitably used as a protective film. As the protective film for electronic parts, for example, a semiconductor device, specifically, a diode, a transistor, an IC, an L
Junction coating film on the surface of semiconductor devices such as SI,
Α-ray shielding film such as passivation film, buffer coat film, LSI, etc., interlayer insulation film of multilayer wiring, conformal coat of printed circuit board, alignment film of liquid product display element, ion implantation mask, etc. Can be used over a range.

【0031】[0031]

【実施例】以下に、実施例を示し、本発明を具体的に説
明するが、本発明は、下記の実施例に制限されるもので
はない。 〔合成例1〕攪拌機、温度計、窒素置換装置及びエステ
ルアダプターを具備したフラスコ内に2,2−ビス
(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド)パーフ
ルオロブロパン44.42g(0.100モル)、溶剤
としてシクロヘキサノン250gを仕込んだ。この溶液
を攪拌しながら次に滴下ロートから式(11)において
bが9.8であるシロキサン含有ジアミン27.00g
(0.030モル)を滴下し、さらに、続いてシクロヘ
キサノン100gに溶解したメチレンビス(4−アミノ
−3−ベンゾイックアシッド)20.02g(0.07
0モル)を滴下した。滴下終了後さらに10時間攪拌を
続けた。その後、反応溶液に50gのトルエンを加え、
系を150℃に加熱した。このときエステルアダプター
を通じて、3.5gの水を回収した。加熱終了後、室温
まで冷却し、目的とする下記式(13)で表される構造
の樹脂の溶液を得た。
EXAMPLES The present invention will be described below in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples. Synthesis Example 1 44.42 g (0.100 mol) of 2,2-bis (3,4-benzenedicarboxylic acid anhydride) perfluoropropane was placed in a flask equipped with a stirrer, thermometer, nitrogen purge device and ester adapter. And 250 g of cyclohexanone as a solvent. While stirring this solution, 27.00 g of a siloxane-containing diamine having b of 9.8 in the formula (11) was added from a dropping funnel.
(0.030 mol) was added dropwise, followed by 20.02 g (0.07 mol) of methylenebis (4-amino-3-benzoic acid) dissolved in 100 g of cyclohexanone.
0 mol) was added dropwise. After completion of the dropwise addition, stirring was continued for another 10 hours. Thereafter, 50 g of toluene was added to the reaction solution,
The system was heated to 150C. At this time, 3.5 g of water was recovered through an ester adapter. After the completion of the heating, the resultant was cooled to room temperature to obtain a desired resin solution having a structure represented by the following formula (13).

【0032】この樹脂のIRスペクトルを観測したとこ
ろ、1780cm-1と1720cm-1とにイミド基に基
づく吸収が、また、3300cm-l付近にフェノール基
に由来する吸収が観測された。テトラヒドロフランを溶
媒とするゲルパーミュエイションクロマトグラフにてそ
の分子量を測定したところポリスチレン換算で重量平均
分子量が45,000であった。
[0032] was observed IR spectrum of the resin, the absorption based on imide group in the 1780 cm -1 and 1720 cm -1, also absorption derived from phenolic groups in the vicinity of 3300 cm -l was observed. Its molecular weight was measured by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran as a solvent, and the weight average molecular weight was 45,000 in terms of polystyrene.

【0033】[0033]

【化14】 X:Embedded image X:

【0034】[0034]

【化15】 Y:Embedded image Y:

【0035】[0035]

【化16】 Z:Embedded image Z:

【0036】[0036]

【化17】 Embedded image

【0037】このようにして得られた樹脂溶液280g
をフラスコ中に仕込み、これにイソシアナトエチルメタ
クリレート8.65gを室温で滴下した。滴下中、溶液
の温度が上昇し、炭酸ガスの発生が観測された。滴下が
終了した後、さらに室温で4時間攪拌を行って、樹脂に
メタクリロイル基を導入し(−COOHの50モル%に
導入)、目的とする本発明の(A)成分に相当する樹脂
の溶液(a−1という)を得た。(樹脂固形分約24重
量%)
280 g of the resin solution thus obtained
Was charged into a flask, and 8.65 g of isocyanatoethyl methacrylate was added dropwise thereto at room temperature. During the dropping, the temperature of the solution rose, and generation of carbon dioxide gas was observed. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at room temperature for 4 hours to introduce a methacryloyl group into the resin (introduced into 50 mol% of -COOH), and to obtain a solution of the resin corresponding to the desired component (A) of the present invention. (Referred to as "a-1"). (Resin solid content about 24% by weight)

【0038】〔合成例2〕原料等として、テトラカルボ
ン酸二無水物として、3,3’,4,4’−ビフェニル
テトラカルボン酸無水物8.83g(0.030モル)
及び1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンジアンヒド
リド29.82g(0.070モル)、溶剤として、N
−メチル−2−ピロリドン250g、芳香族ジアミンと
して、メチレンビス(4−アミノ−3−ベンゾイックア
シッド)14.3g(0.050モル)、1,3−ビス
(3−アミノフェノキシ)ベンゼン13.15g(0.
045モル)、及び式(11)においてbが75である
シロキサン含有ジアミン28.62g(0.005モ
ル)、溶剤として、N−メチル−2−ピロリドンll0
g(合計360g)、を用いた以外は、合成例1と同様
にして、平均分子量82,000の樹脂溶液を得た。こ
の樹脂溶液にイソシアナトエチルメタクリレート15.
5gを用いてメタクリロイル基を導入した(−COOH
に対し100モル%導入)。こうして、本発明の(A)
成分に相当する樹脂の溶液(a−2という)を得た。
[Synthesis Example 2] As a raw material or the like, tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic anhydride 8.83 g (0.030 mol)
And 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl)-
29.82 g (0.070 mol) of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, N as a solvent
-Methyl-2-pyrrolidone 250 g, methylene bis (4-amino-3-benzoic acid) 14.3 g (0.050 mol), 13.3-g 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene as aromatic diamine (0.
045 mol), and 28.62 g (0.005 mol) of a siloxane-containing diamine in which b in the formula (11) is 75, and N-methyl-2-pyrrolidone 110 as a solvent.
g (total 360 g), except that a resin solution having an average molecular weight of 82,000 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. Isocyanatoethyl methacrylate is added to the resin solution.
A methacryloyl group was introduced using 5 g (-COOH
100 mol% based on the total). Thus, (A) of the present invention
A solution of a resin corresponding to the component (referred to as a-2) was obtained.

【0039】〔合成例3〕原料等として、テトラカルボ
ン酸二無水物として、4,4’−オキシフタリックアン
ヒドリド15.51g(0.050モル)、及びl,3
−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−l,1,
3,3−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリド2
1.30g(0.050モル)、溶剤として、シクロヘ
キサノン255g、芳香族ジアミンとして、メチレンビ
ス(4−アミノ−3ベンゾイックアシッド)11.44
g(0.040モル)、2,2‐ビス〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン16.42g(0.
04モル)、並びに式(11)においてbが9.8であ
るシロキサン含有ジアミン16.20g(0.018モ
ル)、及び式(11)においてbが75であるシロキサ
ンジアミン11.45g(0.002モル)、溶剤とし
て、N−メチル−2−ピロリドン100gを用いた以外
は、合成例1と同様にして平均分子量23,000の樹
脂の溶液を得た。この樹脂にイソシアナトエチルメタク
リレート12.4gを用いてメタクリロイル基を導入し
た(−COOHに対し100モル%導入)。こうして得
られた本発明の(A)成分に相当する樹脂の溶液(a−
3という)を得た。
Synthesis Example 3 15.51 g (0.050 mol) of 4,4′-oxyphthalic anhydride as tetracarboxylic dianhydride as a raw material, and 1,3
-Bis (3,4-dicarboxyphenyl) -l, 1,
3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride 2
1.30 g (0.050 mol), 255 g of cyclohexanone as a solvent, methylene bis (4-amino-3benzoic acid) 11.44 as an aromatic diamine
g (0.040 mol), 16.42 g of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (0.4 g).
04 mol), and 16.20 g (0.018 mol) of a siloxane-containing diamine in which b is 9.8 in the formula (11), and 11.45 g (0.002 g) of a siloxane diamine in which b is 75 in the formula (11). Mol), and a solution of a resin having an average molecular weight of 23,000 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone was used as a solvent. A methacryloyl group was introduced into this resin by using 12.4 g of isocyanatoethyl methacrylate (100 mol% with respect to -COOH). The solution of the resin corresponding to the component (A) of the present invention thus obtained (a-
3).

【0040】〔合成例4〕原料等として、酸無水物とし
て、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物32.23g(0.100モル)、溶剤とし
て、N−メチル−2−ピロリドン 250g、芳香族ジ
アミンとして、メチレンビス(4−アミノ−3−ベンゾ
イックアシッド)14.3g(0.050モル)、
4,4’−メチレンジアニリン 8.91g(0.04
5モル)及び式(11)においてbが75であるシロキ
サン含有ジアミン 28.62g(0.005モル)、
溶剤として、N−メチル−2−ピロリドン 110g
(合計360g)を用いた以外は、合成例1と同様にし
て平均分子量60,000のポリイミド樹脂溶液を得
た。この樹脂溶液にイソシアナトエチルメタクリレート
15.5gを用いてメタクリロイル基を導入した(−
COOHに対し100モル%導入)。こうして得られた
樹脂溶液を(a−4)という。
Synthesis Example 4 32.23 g (0.100 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride as an acid anhydride as a raw material and N-methyl as a solvent 250 g of 2-pyrrolidone, 14.3 g (0.050 mol) of methylene bis (4-amino-3-benzoic acid) as an aromatic diamine,
8.91 g of 4,4'-methylenedianiline (0.04
5 mol) and 28.62 g (0.005 mol) of a siloxane-containing diamine wherein b is 75 in the formula (11);
As a solvent, N-methyl-2-pyrrolidone 110 g
A polyimide resin solution having an average molecular weight of 60,000 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that (total 360 g) was used. A methacryloyl group was introduced into this resin solution using 15.5 g of isocyanatoethyl methacrylate (−
100 mol% based on COOH). The resin solution thus obtained is referred to as (a-4).

【0041】〔合成例5〕原料等として、酸無水物とし
て、2,2−ビス(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒ
ドリド)パーフルオロプロパン 44.42g(0.1
00モル)、溶剤として、シクロヘキサノン 250
g、式(11)においてbが98であるシロキサンジア
ミン27.00g(0.030モル)、メチレンビス
(4−アミノ−3−ベンゾイックアシッド) 20.0
2g(0.070モル)、及びシクロヘキサノン 10
0gを用いた以外は、実施例1と同様にして平均分子量
45,000のポリイミド樹脂溶液を得た。この樹脂溶
液に6.51gのイソシアナトエチルメタクリレートを
用いて、メタクリロイル基を導入した(−COOHに対
し30モル%)。こうして得られた樹脂溶液を(a−
5)という。
[Synthesis Example 5] 44.42 g (0.1%) of 2,2-bis (3,4-benzenedicarboxylic anhydride) perfluoropropane as an acid anhydride as a raw material or the like
00 mol) and cyclohexanone 250 as a solvent.
g, 27.00 g (0.030 mol) of siloxane diamine wherein b is 98 in the formula (11), methylene bis (4-amino-3-benzoic acid) 20.0
2 g (0.070 mol), and cyclohexanone 10
A polyimide resin solution having an average molecular weight of 45,000 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 0 g was used. To this resin solution, 6.51 g of isocyanatoethyl methacrylate was used to introduce a methacryloyl group (30 mol% based on -COOH). The resin solution obtained in this manner was (a-
5).

【0042】〔合成例6〕酸無水物として、2,2−ビ
ス(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド)パー
フルオロプロパン44.42g(0.100モル)、溶
剤として、シクロヘキサノン 250g、メチレンビス
(4−アミノ−3−ベンゾイックアシッド) 17.1
6g(0.060モル)、式(11)においてbが75
であるシロキサンジアミン 228.96g(0.04
0モル)、及びシクロヘキサノン 100gを用いて重
合を行った。しかし、黄白濁色の不均一な溶液が得られ
るのみで、均一に重合したポリイミド樹脂溶液は得られ
なかった。
Synthesis Example 6 44.42 g (0.100 mol) of 2,2-bis (3,4-benzenedicarboxylic anhydride) perfluoropropane as an acid anhydride, 250 g of cyclohexanone and methylene bis (4 -Amino-3-benzoic acid) 17.1
6 g (0.060 mol), and in the formula (11), b is 75
228.96 g of siloxane diamine (0.04
0 mol) and 100 g of cyclohexanone. However, only a non-uniform yellow-white cloudy solution was obtained, and a uniformly polymerized polyimide resin solution was not obtained.

【0043】〔実施例1〜6、比較例1〜2〕表1に示
すように、各例において合成例で得られたいずれかの樹
脂溶液100部に光重合開始剤を同表に示した量添加し
て組成物を調製した。得られた組成物をスピンコーター
を用いてシリコンウエハーに塗布し、ホットプレート上
で90℃/4分乾燥した。得られた塗膜にストライプパ
ターンを有するフオトマスクを密着させ、250Wの超
高圧水銀灯からの紫外線を60秒間照射した。次に、N
−メチル−2−ピロリドン/キシレン=50/50の溶
液で30秒間現像し、さらに、キシレンでリンスした。
Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 2 As shown in Table 1, a photopolymerization initiator was shown in 100 parts of any of the resin solutions obtained in the synthesis examples in each example. The composition was prepared by adding an amount. The obtained composition was applied to a silicon wafer using a spin coater, and dried on a hot plate at 90 ° C./4 minutes. A photomask having a stripe pattern was brought into close contact with the obtained coating film, and irradiated with ultraviolet light from a 250 W ultra-high pressure mercury lamp for 60 seconds. Next, N
Developed with a solution of -methyl-2-pyrrolidone / xylene = 50/50 for 30 seconds, and rinsed with xylene.

【0044】得られたライン・アンド・スペース・パタ
ーンの形状及び得られた最小の線幅を観測することによ
って感光性を評価した。また、得られたパターンを乾燥
器中で150℃/0.5時間と200℃/1時間で硬化
し、その後、2気圧のプレッシャークッカー中に24時
間放置した後のウエハーとの密着性を碁盤目剥離試験
(JIS5400)により調べた。
The photosensitivity was evaluated by observing the shape of the obtained line and space pattern and the obtained minimum line width. Further, the obtained pattern was cured in a dryer at 150 ° C./0.5 hours and 200 ° C./1 hour, and then left in a 2 atm pressure cooker for 24 hours to check the adhesion to the wafer. It was examined by an eye peel test (JIS 5400).

【0045】結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

【0046】[0046]

【表1】 (注) α:4−ジエチルアミノ安息香酸エチル β:ジエチルアミノエチルメタクリレート γ:2,6−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)‐4
−メチルシクロヘキサノン δ:カルボニルビス(ジエチルアミノクマリン) ε:N−フェニルグリシン ζ:3−フェニル5−イソキサゾロン η:2,2−ビス(o‐クロロフエニル)−4,5,
4’,5’−テトラフエニル−1,2’−ビイミダゾー
[Table 1] (Note) α: Ethyl 4-diethylaminobenzoate β: Diethylaminoethyl methacrylate γ: 2,6-bis (4-diethylaminobenzal) -4
-Methylcyclohexanone δ: carbonylbis (diethylaminocoumarin) ε: N-phenylglycine ζ: 3-phenyl5-isoxazolone η: 2,2-bis (o-chlorophenyl) -4,5
4 ', 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole

【0047】表1の結果より明らかなように、実施例1
〜4の樹脂組成物の溶液は、比較的厚膜のフィルムにお
いても良好な感光性を有し、現像後、良好なパターンを
与え、さらに、低温での熱処理によってシリコンウエハ
ーに対して優れた接着性を有する皮膜を形成した。
As is clear from the results in Table 1, Example 1
The solutions of the resin compositions (1) to (4) have good photosensitivity even in a relatively thick film, give a good pattern after development, and have excellent adhesion to a silicon wafer by heat treatment at a low temperature. A film having properties was formed.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の感光性樹
脂組成物は、その溶液は、保存安定性に優れ、良好な感
度を有しており、かつ、低温の熱処理によって容易にパ
ターン化された樹脂皮膜を与える。さらに、このパター
ン化された皮膜は、耐熱性、電気的、機械的特性、基材
に対する接着性に優れたポリイミド樹脂よりなり、電子
部品用保護膜として好適に利用することができる。
As described above, the solution of the photosensitive resin composition of the present invention has excellent storage stability, good sensitivity, and can be easily patterned by a low-temperature heat treatment. To give a cured resin film. Furthermore, this patterned film is made of a polyimide resin having excellent heat resistance, electrical and mechanical properties, and adhesion to a substrate, and can be suitably used as a protective film for electronic components.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)一般式(1): 【化1】 〔式中、Xは、式(2−1)、(2−2)、(2−3)
及び(2−4): 【化2】 で表される基から選ばれ、Yは、下記式(3)で示され
るメタクリロキシ基を含有する二価の芳香族基30〜1
00モル%と下記式(4)で示される二価の芳香族基7
0〜0モル%とよりなり、 【化3】 (式(3)において、Rは式(5): -NH-CH2CH2OCO-CH(CH3)=CH2 (5) で示されるメタクリロイル基含有基及び水酸基より選ぱ
れる基であり、かつRのうち50モル%以上は、式
(5)で示される基からなる。式(4)において、Bは
式(6−1)、(6−2)及び(6−3): 【化4】 で表される基より選ばれる。) Zは、式(7): 【化5】 (式中bは、5〜80の整数である。)で示される二価
のシロキサン含有基であり、m及びnは整数であって、
m/(m+n)は0.70〜0.98の範囲である。〕
で表される構造を有し、平均分子量5,000〜150,
000のポリイミド樹脂100重量部、及び(B)光重
合開始剤0.0l重量部〜20重量部を含有してなる感
光性樹脂組成物。
(A) General formula (1): [In the formula, X is the formula (2-1), (2-2), (2-3)
And (2-4): Y is a divalent aromatic group containing a methacryloxy group represented by the following formula (3):
00 mol% and the divalent aromatic group 7 represented by the following formula (4)
0 to 0 mol%, (In the formula (3), R is formula (5): -NH-CH 2 CH 2 OCO-CH (CH 3) = CH 2 (5) a group selected from a methacryloyl group-containing group and a hydroxyl group represented by (5), and at least 50 mol% of R is a group represented by the formula (5). In the formula (4), B is represented by the formulas (6-1), (6-2) and (6-3): Selected from the groups represented by Z is represented by the formula (7): (Where b is an integer of 5 to 80), and m and n are integers,
m / (m + n) is in the range of 0.70 to 0.98. ]
Having a structure represented by the following formula, and having an average molecular weight of 5,000 to 150,
A photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight of a 2,000 polyimide resin and 0.01 part by weight to 20 parts by weight of a photopolymerization initiator (B).
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