JPH1184653A - Heat resistant photosensitive polymer composition and production of pattern - Google Patents

Heat resistant photosensitive polymer composition and production of pattern

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JPH1184653A
JPH1184653A JP9246813A JP24681397A JPH1184653A JP H1184653 A JPH1184653 A JP H1184653A JP 9246813 A JP9246813 A JP 9246813A JP 24681397 A JP24681397 A JP 24681397A JP H1184653 A JPH1184653 A JP H1184653A
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JP
Japan
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group
photosensitive polymer
polyimide
polymer composition
organic group
Prior art date
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JP9246813A
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Japanese (ja)
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Masataka Nunomura
昌隆 布村
Tadayuki Oe
匡之 大江
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Shunichiro Uchimura
俊一郎 内村
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a heat resistant photosensitive polymer compsn. having high sensitivity, capable of shortening development time and ensuring various satisfactory characteristics of a formed film, in particular adhesiveness to a substrate by incorporating a polyimide having specified repeating units, a polyamic acid having specified repeating units and a photo-acid generator. SOLUTION: The heat resistant photosensitive polymer compsn. contains a polyimide having repeating units represented by formula I, a polyamic acid having repeating units represented by formula II and a photo-acid generator. The top of a substrate is coated with the photosensitive polymer compsn. and this compsn. is dried, exposed, developed and heated to produce the objective relief pattern. In the formula I, R<1> is a tetravalent org. group and R<2> is a divalent org. group having a phenolic hydroxyl group. In the formula II, R<3> is a tetravalent org. group, R<4> is a divalent org. group, R<5> is a monovalent org. group and (q) is an integer of >=1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性感光性重合
体組成物及びこの組成物を用いたパターンの製造法に関
し、さらに詳しくは、加熱処理により半導体素子等の電
子部品の表面保護膜、層間絶縁膜等として適用可能なポ
リイミド系耐熱性高分子となるポジ型の耐熱性感光性重
合体組成物及びこの組成物を用いたパターンの製造法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat-resistant photosensitive polymer composition and a method for producing a pattern using the composition, and more particularly, to a surface protective film for electronic parts such as semiconductor devices by heat treatment. The present invention relates to a positive heat-resistant photosensitive polymer composition which is a polyimide heat-resistant polymer applicable as an interlayer insulating film and the like, and a method for producing a pattern using the composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリイミドは耐熱性及び機械特性に優
れ、また、膜形成が容易であり、表面を平坦化できる等
の利点から、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜とし
て広く使用されている。ポリイミドを表面保護膜又は層
間絶縁膜として使用する場合、スルーホール等の形成工
程は、主にポジ型のホトレジストを用いるエッチングプ
ロセスによって行われている。しかし、工程にはホトレ
ジストの塗布や剥離が含まれ、煩雑であるという問題が
ある。そこで作業工程の合理化を目的に感光性を兼ね備
えた耐熱性材料の検討がなされてきた。
2. Description of the Related Art Polyimide is widely used as a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor device because of its advantages such as excellent heat resistance and mechanical properties, easy film formation and flattening of the surface. . When polyimide is used as a surface protective film or an interlayer insulating film, a process of forming a through hole or the like is mainly performed by an etching process using a positive photoresist. However, there is a problem that the process involves coating and peeling of a photoresist, which is complicated. Accordingly, heat-resistant materials having both photosensitivity have been studied for the purpose of streamlining work steps.

【0003】感光性ポリイミド組成物に関しては、1.
エステル結合により感光基を導入したポリイミド前駆体
組成物(特公昭52−30207号公報等)、2.ポリ
アミド酸に化学線により2量化または重合可能な炭素−
炭素二重結合及びアミノ基と芳香族ビスアジドを含む化
合物を添加した組成物(特公平3−36861号公報
等)が知られている。
With respect to the photosensitive polyimide composition,
1. A polyimide precursor composition having a photosensitive group introduced through an ester bond (Japanese Patent Publication No. 52-30207, etc.); Carbonizable or dimerizable or polymerizable polyamic acid by actinic radiation
There is known a composition to which a compound containing a carbon double bond and an amino group and an aromatic bisazide is added (Japanese Patent Publication No. 3-36861).

【0004】感光性ポリイミド組成物の使用に際して
は、通常、溶液状態で基板上に塗布後乾燥し、マスクを
介して活性光線を照射し、露光部を現像液で除去し、パ
ターンを形成する。しかし、上記1,2の組成物はネガ
型であり、また、現像に有機溶剤を使用する。そのた
め、ポジ型のホトレジストを用いるエッチングプロセス
からネガ型の感光性ポリイミドに切り替えるためには、
露光装置のマスクや現像設備の変更が必要になるという
問題点がある。
In using the photosensitive polyimide composition, usually, it is applied on a substrate in a solution state, dried, irradiated with an actinic ray through a mask, and the exposed portion is removed with a developing solution to form a pattern. However, the above compositions 1 and 2 are negative type and use an organic solvent for development. Therefore, in order to switch from an etching process using a positive photoresist to a negative photosensitive polyimide,
There is a problem that it is necessary to change the mask and the developing equipment of the exposure apparatus.

【0005】一方、ポジ型感光性ポリイミドに関して
は、3.o−ニトロベンジル基をエステル結合により導
入したポリイミド前駆体(特開昭60−37550号公
報)、4.ヒドロキシ基を含むポリイミドとo−キノン
ジアジド化合物を含む組成物(特開昭64−60630
号公報、特開平3−209478号公報)等が知られて
いる。しかし、上記3は感光する波長が主に300nm以
下であるため、感度が低いという問題がある。上記4は
形成される膜と基板との接着性が悪いため、基板に前処
理をしなければならないという問題がある。このよう
に、十分な特性を有するポジ型感光性ポリイミドは得ら
れていないのが現状である。
On the other hand, as for the positive type photosensitive polyimide, 3. 3. A polyimide precursor having an o-nitrobenzyl group introduced through an ester bond (JP-A-60-37550); Composition containing a polyimide containing a hydroxy group and an o-quinonediazide compound (JP-A-64-60630)
And Japanese Patent Laid-Open Publication No. 3-209478). However, there is a problem that the sensitivity of the above-mentioned 3 is low because the photosensitive wavelength is mainly 300 nm or less. In the above item 4, there is a problem that the substrate must be pre-treated because the adhesion between the film to be formed and the substrate is poor. As described above, at present, a positive photosensitive polyimide having sufficient characteristics has not been obtained.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記した従来
技術の問題点を克服するものである。すなわち、請求項
1記載の発明は、感度が高く、現像時間を短くでき、形
成された膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いポジ
型の耐熱性感光性重合体組成物に関する。また、請求項
2記載の発明は、感度が高く、現像時間を短くでき、形
成された膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いパタ
ーンの製造法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention overcomes the above-mentioned problems of the prior art. That is, the invention according to claim 1 relates to a positive heat-resistant photosensitive polymer composition having high sensitivity, a short development time, and various characteristics of a formed film, particularly, good adhesion to a substrate. The second aspect of the present invention is to provide a method for producing a pattern having a high sensitivity, a short developing time, and various characteristics of a formed film, particularly, good adhesion to a substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、(a)一般式
(I)
According to the present invention, there are provided (a) a compound represented by the following general formula (I):

【化3】 (式中、R1は4価の有機基を示し、R2はフェノール性
水酸基を有する2価の有機基を示す)で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、(b)一般式(II)
Embedded image (Wherein, R 1 represents a tetravalent organic group, and R 2 represents a divalent organic group having a phenolic hydroxyl group). A polyimide having a repeating unit represented by (b) a general formula (II)

【化4】 (式中、R3は4価の有機基を示し、R4は2価の有機基
を示し、R5は1価の有機基を示し、qは1以上の整数
を示す)で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに(c)光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物に関する。
Embedded image (Wherein, R 3 represents a tetravalent organic group, R 4 represents a divalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group, and q represents an integer of 1 or more). The present invention relates to a heat-resistant photosensitive polymer composition containing a polyamic acid having a repeating unit and (c) a photoacid generator.

【0008】また本発明は、前記耐熱性感光性重合体組
成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工
程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むレリーフ
パターンの製造法に関する。
The present invention also relates to a method for producing a relief pattern including a step of applying and drying the heat-resistant photosensitive polymer composition on a support substrate, a step of exposing, a step of developing, and a step of heating.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明における(a)成分は前記
一般式(I)で示される繰り返し単位を有するポリイミ
ドである。前記一般式(I)において、R1で示される
4価の有機基とはポリイミド又はポリイミドイソインド
ロキナゾリンジオンの原料になるテトラカルボン酸、そ
の二無水物又はそれらの誘導体の残基であり、4価の芳
香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数が4〜40
のものがより好ましく、炭素原子数が4〜40の4価の
芳香族基がさらに好ましい。4価の芳香族基としては、
芳香環(ベンゼン環、ナフタレン環等)を含み、4個の
結合部位はいずれも芳香環からでているものであること
が好ましい。これらの結合部位は、2組の2個の結合部
位に分けられ、その2個の結合部位が芳香環のオルト位
又はペリ位に位置するものであることが好ましい。前記
の2組は同一の芳香環からでていてもよいし、各種結合
を介して結合している別々の芳香環からでていてもよ
い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The component (a) in the present invention is a polyimide having a repeating unit represented by the above general formula (I). In the general formula (I), the tetravalent organic group represented by R 1 is a residue of tetracarboxylic acid, a dianhydride or a derivative thereof, which is a raw material of polyimide or polyimide isoindoloquinazolinedione; Tetravalent aromatic or aliphatic groups are preferred and have 4 to 40 carbon atoms.
Are more preferable, and a tetravalent aromatic group having 4 to 40 carbon atoms is further preferable. As the tetravalent aromatic group,
It is preferable that all of the four bonding sites include an aromatic ring (benzene ring, naphthalene ring, etc.), and all of the four bonding sites are formed from an aromatic ring. These binding sites are divided into two sets of two binding sites, and the two binding sites are preferably located at the ortho or peri position of the aromatic ring. The two sets may be from the same aromatic ring, or may be from separate aromatic rings linked through various bonds.

【0010】一般式(I)において、R2で示されるフ
ェノール性水酸基を有する2価の有機基とは、フェノー
ル性水酸基を有するジアミン化合物のアミノ基を除いた
残基であり、芳香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原
子数が2〜40のものがより好ましく、炭素原子数が2
〜40の芳香族基がさらに好ましい。ここで、芳香族基
としては、芳香環(ベンゼン環、ナフタレン環等)を含
み、その2個の結合部位が芳香環から直接でていること
が好ましく、この場合同一の芳香環からでていても異な
った芳香環から出ていてもよい。また、フェノール性水
酸基は1〜8有することが好ましく、これらも芳香環に
直接結合しているものが好ましい。
In the general formula (I), the divalent organic group having a phenolic hydroxyl group represented by R 2 is a residue excluding an amino group of a diamine compound having a phenolic hydroxyl group, and is an aromatic group or a divalent organic group. Aliphatic groups are preferred, those having 2 to 40 carbon atoms are more preferred, and those having 2 carbon atoms are preferred.
More preferred are aromatic groups of from 40 to 40. Here, the aromatic group includes an aromatic ring (benzene ring, naphthalene ring, etc.), and it is preferable that the two binding sites are directly from the aromatic ring. May also come from different aromatic rings. Further, it is preferable that the phenolic hydroxyl group has 1 to 8, and those which are directly bonded to the aromatic ring are also preferable.

【0011】(a)成分において、一般式(I)で表さ
れる繰り返し単位以外の構成単位を有してもよい。例え
ば、下記一般式(III)
The component (a) may have a structural unit other than the repeating unit represented by the general formula (I). For example, the following general formula (III)

【化5】 (式中、R6は4価の有機基を示し、R7はフェノール性
水酸基を有しない2価の有機基を示す)で表される繰り
返し単位を有してもよい。
Embedded image (Wherein, R 6 represents a tetravalent organic group, and R 7 represents a divalent organic group having no phenolic hydroxyl group).

【0012】一般式(III)において、R6で示される4
価の有機基の説明としては、前記R1の説明と同様であ
る。また、一般式(III)において、R7で示されるフェ
ノール性水酸基を有しない2価の有機基の説明は、前記
2の説明においてフェノール性水酸基を有しないこと
を除いて、R2の説明と同様である。
In the general formula (III), 4 represented by R 6
The description of the valent organic group is the same as that of R 1 . Further, in formula (III), the description of the divalent organic group having no phenolic hydroxyl group represented by R 7, except that it does not have a phenolic hydroxyl group in the description of the R 2, the R 2 Description Is the same as

【0013】(a)成分において、一般式(I)と一般
式(III)の繰り返し単位の比は、前者の数をm、後者
の数をnとしたときのm/(m+n)で、0.2〜1で
あることが好ましく、0.4〜1であることがより好ま
しい。この数値が0.2未満であるとアルカリ水溶液へ
の溶解性が劣る傾向にある。
In the component (a), the ratio of the repeating units of the general formulas (I) and (III) is m / (m + n), where m is the number of the former and n is the number of the latter. 0.2 to 1, more preferably 0.4 to 1. If this value is less than 0.2, the solubility in an aqueous alkaline solution tends to be poor.

【0014】(a)成分の分子量としては、重量平均分
子量で3,000〜200,000が好ましく、5,0
00〜100,000がより好ましい。分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、
標準ポリスチレン検量線を用いて換算し、値を得ること
ができる。なお、一般式(I)及び一般式(III)にお
いて、R1、R2、R6及びR7で示される基は同一でも異
なっていてもよい。
The molecular weight of component (a) is preferably from 3,000 to 200,000 in terms of weight average molecular weight,
00 to 100,000 is more preferable. Molecular weight is measured by gel permeation chromatography,
The value can be obtained by conversion using a standard polystyrene calibration curve. In the general formulas (I) and (III), the groups represented by R 1 , R 2 , R 6 and R 7 may be the same or different.

【0015】本発明において、(a)成分は、例えば、
テトラカルボン酸二無水物と、フェノール性水酸基を有
するジアミン化合物と、さらに必要に応じてフェノール
性水酸基を有しないジアミン化合物とを反応させてポリ
アミド酸とした後、加熱によるイミド化反応により得る
ことができる。この場合、反応は有機溶媒中で行うこと
が好ましい。
In the present invention, the component (a) is, for example,
Tetracarboxylic dianhydride, a diamine compound having a phenolic hydroxyl group, and optionally a diamine compound having no phenolic hydroxyl group to form a polyamic acid, and then obtained by an imidization reaction by heating. it can. In this case, the reaction is preferably performed in an organic solvent.

【0016】前記テトラカルボン酸二無水物としては、
例えばピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,
4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,
2′,3,3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、
1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二
無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン二無水物等の芳香族系テトラカルボン酸二酸無水
物が好ましく、これらを単独で又は2種以上組み合わせ
て使用することができる。
The tetracarboxylic dianhydride includes:
For example, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-
Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ',
4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,
2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,2,2
3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride,
1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2, 3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3 Aromatic tetracarboxylic diacids such as 3,3 ', 4,4'-tetraphenylsilanetetracarboxylic dianhydride and 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride Are preferred, and these can be used alone or in combination of two or more.

【0017】また、フェノール性水酸基を有するジアミ
ンとしては、例えば、1,3−ジアミノ−4−ヒドロキ
シベンゼン、1,3−ジアミノ−5−ヒドロキシベンゼ
ン、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシビフ
ェニル、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジヒドロキシ
ビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
ル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシ
フェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキ
シフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロ
キシフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−
アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン等の芳香族系ジアミン化合物が好ましく、これらを
単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。
Examples of the diamine having a phenolic hydroxyl group include 1,3-diamino-4-hydroxybenzene, 1,3-diamino-5-hydroxybenzene and 3,3'-diamino-4,4'-diamine. Dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino- 4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ether, bis (3- Amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-
Aromatic diamine compounds such as (amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane are preferable, and these are used alone or in combination of two or more.

【0018】フェノール性水酸基を有しないジアミンと
しては、例えば、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−
ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ベンジシン、m−フェニレンジアミ
ン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジア
ミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノ
フェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェ
ノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキ
シ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル]エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノ
キシ)ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物が好ましく、
これらを単独で又は2種以上を組み合わせて用いること
ができる。
Examples of the diamine having no phenolic hydroxyl group include, for example, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamine
Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, benzine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy)
Phenyl] ether, aromatic diamine compounds such as 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene,
These can be used alone or in combination of two or more.

【0019】その他、耐熱性向上のために、4,4′−
ジアミノジフェニルエーテル−3−スルホンアミド、
3,4′−ジアミノジフェニルエーテル−4−スルホン
アミド、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3′
−スルホンアミド、3,3′−ジアミノジフェニルエー
テル−4−スルホンアミド、4,4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−3−カルボキサミド、3,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−4−カルボキサミド、3,4′
−ジアミノジフェニルエーテル−3′−カルボキサミ
ド、3,3′−ジアミノジフェニルエーテル−4−カル
ボキサミド等のスルホンアミド基又はカルボキサミド基
を有するジアミン化合物を単独で又は2種以上併用する
ことができ、併用する場合、これらはジアミン化合物の
総量中、15モル%以下で使用することが好ましく、1
0モル%以下の範囲で使用することがより好ましい。
In addition, 4,4'-
Diaminodiphenyl ether-3-sulfonamide,
3,4'-diaminodiphenyl ether-4-sulfonamide, 3,4'-diaminodiphenyl ether-3 '
-Sulfonamide, 3,3'-diaminodiphenylether-4-sulfonamide, 4,4'-diaminodiphenylether-3-carboxamide, 3,4'-diaminodiphenylether-4-carboxamide, 3,4 '
Diamine compounds having a sulfonamide group or a carboxamide group, such as -diaminodiphenyl ether-3'-carboxamide, 3,3'-diaminodiphenyl ether-4-carboxamide, can be used alone or in combination of two or more. Is preferably used in an amount of 15 mol% or less based on the total amount of the diamine compound.
More preferably, it is used in a range of 0 mol% or less.

【0020】前記ポリアミド酸を合成する方法は公知で
あり、例えば、前記テトラカルボン酸二無水物と前記ジ
アミン化合物を溶液中で反応させたることにより得られ
る。テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物の割合
(モル比)は、前者/後者で1/0.7〜0.7/1の
範囲とするのが好ましく、1/0.8〜0.8/1の範
囲とするのがより好ましい。反応温度は20〜100℃
が好ましく、反応時間は1〜24時間が好ましい。
A method for synthesizing the polyamic acid is known, and is obtained, for example, by reacting the tetracarboxylic dianhydride with the diamine compound in a solution. The ratio (molar ratio) of the tetracarboxylic dianhydride to the diamine compound is preferably in the range of 1 / 0.7 to 0.7 / 1 for the former / the latter, and is preferably 1 / 0.8 to 0.8 /. More preferably, it is in the range of 1. Reaction temperature is 20-100 ° C
Is preferable, and the reaction time is preferably 1 to 24 hours.

【0021】反応に使用される溶媒としては、例えばN
−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド等の非プロトン性極性溶剤が好ましく、これらは
単独で又は2種以上併用して用いられる。
As the solvent used in the reaction, for example, N
Preferred are aprotic polar solvents such as -methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and dimethylsulfoxide, and these are used alone or in combination of two or more.

【0022】加熱によりポリアミド酸をポリイミドにす
る方法は公知であり、例えば、有機溶剤中で合成したポ
リアミド酸をキシレン等の存在下に加熱し、イミド化反
応により生成する水をキシレンと供沸により除去した
後、水などの貧溶剤に投入し、析出物をろ別、乾燥する
ことにより得られる。反応温度は150〜200℃が好
ましく、反応時間は1〜10時間が好ましい。
A method of converting a polyamic acid into a polyimide by heating is known. For example, a polyamic acid synthesized in an organic solvent is heated in the presence of xylene or the like, and water generated by the imidization reaction is boiled with xylene. After removal, it is poured into a poor solvent such as water, and the precipitate is obtained by filtration and drying. The reaction temperature is preferably from 150 to 200C, and the reaction time is preferably from 1 to 10 hours.

【0023】フェノール性水酸基を有しないジアミン化
合物を併用する場合、フェノール性水酸基を有するジア
ミン化合物とフェノール性水酸基を有しないジアミン化
合物の使用割合は、前者20〜100モル%、後者80
〜0モル%で全体が100モル%になるように使用され
るのが好ましく、前者40〜100モル%、後者60〜
0モル%で全体が100モル%になるように使用される
のがより好ましい。前者のジアミン化合物は、ポリイミ
ドにアルカリ水溶液に対する溶解性を付与するために使
用されるが、これが20モル%未満であると感度が低下
したり、現像時間が長くなる傾向にある。
When a diamine compound having no phenolic hydroxyl group is used in combination, the ratio of the diamine compound having a phenolic hydroxyl group to the diamine compound having no phenolic hydroxyl group is 20 to 100 mol%, and the latter is 80 to 80 mol%.
It is preferably used such that the total amount is 100 mol% at 0 mol%, the former is 40 to 100 mol%, and the latter is 60 to 100 mol%.
More preferably, it is used so that the total amount is 0 mol% to 100 mol%. The former diamine compound is used for imparting solubility of the polyimide to an aqueous alkali solution. If the content is less than 20 mol%, sensitivity tends to decrease and development time tends to be long.

【0024】本発明における(b)成分は前記一般式
(II)で示される繰り返し単位を有するシロキサン構造
を有するポリアミド酸である。前記一般式(II)におい
て、R3で示される4価の有機基とは、ポリイミド又は
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンの原料になる
テトラカルボン酸二無水物の残基であり、4価の芳香族
基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数が4〜40のも
のがより好ましく、炭素原子数が4〜40の4価の芳香
族基がさらに好ましい。4価の芳香族基としては、芳香
環(ベンゼン環、ナフタレン環等)を含み、4個の結合
部位はいずれも芳香環からでているものであることが好
ましい。これらの結合部位は、2組の2個の結合部位に
分けられ、その2個の結合部位が芳香環の隣り合う炭素
に存在する(即ち、オルト位に位置するもの)であるこ
とが好ましい。前記の2組は同一の芳香環からでていて
もよいし、各種結合を介して結合している別々の芳香環
からでていてもよい。
The component (b) in the present invention is a polyamic acid having a siloxane structure having a repeating unit represented by the general formula (II). In the general formula (II), the tetravalent organic group represented by R 3 is a residue of tetracarboxylic dianhydride which is a raw material of polyimide or polyimide isoindoloquinazolinedione, and is a tetravalent aromatic group. A group or an aliphatic group is preferable, one having 4 to 40 carbon atoms is more preferable, and a tetravalent aromatic group having 4 to 40 carbon atoms is further preferable. The tetravalent aromatic group preferably includes an aromatic ring (a benzene ring, a naphthalene ring, etc.), and all four binding sites are formed from an aromatic ring. Preferably, these binding sites are divided into two sets of two binding sites, and the two binding sites are located on adjacent carbons of the aromatic ring (ie, those located at the ortho position). The two sets may be from the same aromatic ring, or may be from separate aromatic rings linked through various bonds.

【0025】前記一般式(II)において、2つのR4
挟まれる部分はシリコーンジアミン化合物のアミノ基を
除いた残基であり、この部分は全体として炭素原子数が
6〜40のものが好ましい。R5で示される2価の有機
基としては、炭素原子数が1〜10のものが好ましく、
前記炭素原子数のアルキレン基、フェニレン基等が好ま
しいものとして挙げられ、2つのR5は同一でも異なっ
ていてもよい。R6で示される1価の有機基としては、
炭素原子数1〜5の有機基が好ましく、前記炭素原子数
のアルキル基又はフェニル基が好ましい。
In the general formula (II), the portion sandwiched between two R 4 is a residue excluding the amino group of the silicone diamine compound, and this portion preferably has 6 to 40 carbon atoms as a whole. . The divalent organic group represented by R 5 is preferably a group having 1 to 10 carbon atoms,
The alkylene group and the phenylene group having the number of carbon atoms are preferred, and two R 5 's may be the same or different. As the monovalent organic group represented by R 6 ,
An organic group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and an alkyl group or a phenyl group having the above carbon number is preferable.

【0026】(b)成分において、一般式(II)で表さ
れる繰り返し単位以外の構成単位を有してもよい。例え
ば、下記一般式(IV)
The component (b) may have a structural unit other than the repeating unit represented by the general formula (II). For example, the following general formula (IV)

【化6】 (式中、R8は4価の有機基を示し、R9は2価の有機基
を示す)で表される繰り返し単位を有してもよい。
Embedded image (Wherein, R 8 represents a tetravalent organic group, and R 9 represents a divalent organic group).

【0027】一般式(IV)において、R8で示される4
価の有機基の説明は、前記一般式(I)におけるR1
説明と同様である。また、R9で示される2価の有機基
はポリイミド又はポリイミドイソインドロキナゾリンジ
オンの原料になるジアミン化合物の残基であり、前記一
般式(I)におけるR2の説明において、カルボキシル
基又はフェノール性水酸基を有していなくてもよいこと
を除いて、同様である。
In the general formula (IV), 4 represented by R 8
The description of the valent organic group is the same as the description of R 1 in the general formula (I). Further, the divalent organic group represented by R 9 is a residue of a diamine compound serving as a raw material of polyimide or polyimide isoindoloquinazolinedione. In the description of R 2 in the general formula (I), a carboxyl group or a phenol The same is true except that it may not have a hydroxyl group.

【0028】(b)成分において、一般式(II)と一般
式(IV)の繰り返し単位の比は、前者の数をo、後者の
数をpとしたときのo/(o+p)で、0.3〜1であ
ることが好ましく、0.4〜1であることがより好まし
い。この数値が0.3未満であると基材への接着性が低
下する傾向にある。
In the component (b), the ratio of the repeating units of the general formulas (II) and (IV) is 0 / (o + p) when the former number is o and the latter number is p, and is 0. 0.3 to 1, more preferably 0.4 to 1. If this value is less than 0.3, the adhesiveness to the substrate tends to decrease.

【0029】(b)成分の分子量としては、重量平均分
子量で1,000〜100,000が好ましく、5,0
00〜100,000がより好ましい。分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、
標準ポリスチレン検量線を用いて換算し、値を得ること
ができる。なお、一般式(II)及び一般式(IV)の複数
の繰り返し単位において、R4、R5、R6、R8及びR9
で示される基は同一でも異なっていてもよい。
The molecular weight of the component (b) is preferably 1,000 to 100,000 in terms of weight average molecular weight,
00 to 100,000 is more preferable. Molecular weight is measured by gel permeation chromatography,
The value can be obtained by conversion using a standard polystyrene calibration curve. In addition, in a plurality of repeating units of the general formulas (II) and (IV), R 4 , R 5 , R 6 , R 8 and R 9
May be the same or different.

【0030】本発明において、(b)成分は、テトラカ
ルボン酸二無水物、下記一般式(V)
In the present invention, the component (b) is tetracarboxylic dianhydride, represented by the following general formula (V):

【化7】 (式中、R4、R5及びqは一般式(II)に同じである)
で表されるジアミン化合物及び必要に応じてその他のジ
アミン化合物を溶液中で反応させて得ることができる。
テトラカルボン酸二無水物としては、前記したもの等を
単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。
Embedded image (Wherein R 4 , R 5 and q are the same as those in the general formula (II))
Can be obtained by reacting a diamine compound represented by the formula (1) and other diamine compounds as required in a solution.
As the tetracarboxylic dianhydride, those described above and the like are used alone or in combination of two or more.

【0031】前記一般式(V)で表されるジアミン化合
物としては、例えば
As the diamine compound represented by the general formula (V), for example,

【化8】 等の化合物を用いることができる。Embedded image And the like.

【0032】また市販品としては、一般式(V)におい
て、R4がどちらもトリメチレン基でありR5がいずれも
メチル基である場合に、qが1のもの、平均10前後の
もの、平均20前後のもの、平均30前後のもの及び平
均50前後のものは、それぞれ、LP−7100、X−
22−161AS、X−22−161A、X−22−1
61B、X−22−161C及びX−22−161E
(いずれも信越化学工業株式会社製、商品名)が好まし
いものとして挙げられる。その他のジアミン化合物とし
ては、前記(a)成分の説明で挙げたジアミン化合物が
挙げられ、これらを単独で又は2種以上を組み合わせて
使用される。
As a commercially available product, in the general formula (V), when R 4 is both a trimethylene group and R 5 is a methyl group, q is 1; About 20, about 30 on average, and about 50 on average, LP-7100 and X-
22-161AS, X-22-161A, X-22-1
61B, X-22-161C and X-22-161E
(All manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade names) are preferred. Examples of other diamine compounds include the diamine compounds described in the description of the component (a), and these may be used alone or in combination of two or more.

【0033】反応に使用される溶媒としては、例えばN
−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶
剤が好ましく、これらは単独で又は2種以上併用して用
いられる。
As the solvent used in the reaction, for example, N
Aprotic polar solvents such as -methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoramide, tetramethylenesulfone, γ-butyrolactone, and the like; Or in combination of two or more.

【0034】(b)成分を製造する際、好ましくは先ず
ジアミン化合物を上記の非プロトン性溶剤に溶解した
後、テトラカルボン酸二無水物を加え、好ましくは約8
0℃以下、より好ましくは室温付近ないしそれ以下の温
度を保ちながら撹拌する。一般式(V)で示されるジア
ミン化合物とその他のジアミン化合物の好ましい配合比
(モル比)は、前者/後者で7/3〜1/0の範囲であ
る。全ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物の好
ましい配合比(モル比)は、0.8/1〜1/0.8の
範囲とされ、より好ましくは0.9/1〜1/0.9の
範囲とされる。反応時間は3〜24時間が好ましい。
In the production of the component (b), preferably, the diamine compound is first dissolved in the above-mentioned aprotic solvent, and then tetracarboxylic dianhydride is added.
Stir while maintaining the temperature at 0 ° C. or lower, more preferably around room temperature or lower. The preferred mixing ratio (molar ratio) of the diamine compound represented by the general formula (V) to the other diamine compound is in the range of 7/3 to 1/0 in the former / the latter. The preferred compounding ratio (molar ratio) of all diamine compounds to tetracarboxylic dianhydride is in the range of 0.8 / 1 to 1 / 0.8, more preferably 0.9 / 1 to 1 / 0.9. Range. The reaction time is preferably 3 to 24 hours.

【0035】本発明の耐熱性感光性重合体組成物におい
て、(b)成分の配合量は、形成した膜と基板との接着
性と残膜率の許容幅の点から、(a)成分100重量部
に対して、1〜50重量部が好ましく、2〜20重量部
がより好ましい。
In the heat-resistant photosensitive polymer composition of the present invention, the amount of the component (b) is determined based on the adhesion between the formed film and the substrate and the allowable width of the residual film ratio. The amount is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight with respect to parts by weight.

【0036】本発明に使用される(c)成分である光酸
発生剤は感光剤であり、光照射により、酸を発生させ、
照射部のアルカリ可溶性を増大させる機能を有するもの
であり、特に制限はされないが、光照射により3−イン
デンカルボン酸型に変化するo−キノンジアジド化合物
がその効果が高く好ましいものとして挙げられる。o−
キノンジアジド化合物は、例えば、キノンジアジドスル
ホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物な
どとを脱塩酸性触媒の存在下で縮合反応させて得られ
る。前記o−キノンジアジドスルホニルクロリド類とし
ては、例えば、ベンゾキノン−1,2−ジアジド−4−
スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド
−5−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジ
アジド−4−スルホニルクロリド等が使用できる。
The photoacid generator as the component (c) used in the present invention is a photosensitizer, and generates an acid upon irradiation with light.
An o-quinonediazide compound which has a function of increasing the alkali solubility of the irradiated portion, and is not particularly limited, is preferably an o-quinonediazide compound which changes to a 3-indenecarboxylic acid type by light irradiation, because of its high effect. o-
The quinonediazide compound can be obtained, for example, by subjecting a quinonediazide sulfonyl chloride to a condensation reaction with a hydroxy compound, an amino compound and the like in the presence of a dehydrochlorinating catalyst. Examples of the o-quinonediazide sulfonyl chloride include, for example, benzoquinone-1,2-diazide-4-
Sulfonyl chloride, naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride, naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride and the like can be used.

【0037】前記ヒドロキシ化合物としては、例えば、
ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフ
ェノールA、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4,2′,3′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン,2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、ビス(2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル)プロパン、4b,5,9b,10−テ
トラヒドロ−1,3,6,8−テトラヒドロキシ−5,
10−ジメチルインデノ[2,1−a]インデン、トリ
ス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタンなどが使用できる。
As the hydroxy compound, for example,
Hydroquinone, resorcinol, pyrogallol, bisphenol A, bis (4-hydroxyphenyl) methane,
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 2,3,4,2 ', 3'-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,3', 4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane , Bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 4b, 5,9b, 10-tetrahydro-1,3,6,8-tetrahydroxy-5,
10-dimethylindeno [2,1-a] indene, tris (4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane and the like can be used.

【0038】アミノ化合物としては、例えば、p−フェ
ニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4′−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフ
ェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、o−ア
ミノフェノール、m−アミノフェノール、p−アミノフ
ェノール、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキ
シビフェニル、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジヒド
ロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキ
シフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒド
ロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒ
ドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4
−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパンなどが使用できる。
Examples of the amino compound include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-
Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, o-aminophenol, m-aminophenol, p-aminophenol, 3,3'-diamino -4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, Bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4
-Amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and the like can be used.

【0039】o−キノンジアジドスルホニルクロリドと
ヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物とは、o−キ
ノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒド
ロキシ基とアミノ基の合計が0.5〜1当量になるよう
に配合されることが好ましい。脱塩酸触媒とo−キノン
ジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は0.95
/1〜1/0.95の範囲とされる。好ましい反応温度
は0〜40℃、好ましい反応時間は1〜10時間とされ
る。
The o-quinonediazidosulfonyl chloride and the hydroxy compound and / or the amino compound are blended so that the total of the hydroxy group and the amino group is 0.5 to 1 equivalent per 1 mol of the o-quinonediazidosulfonyl chloride. Preferably. The preferred ratio between the dehydrochlorination catalyst and o-quinonediazide sulfonyl chloride is 0.95.
/ 1 to 1 / 0.95. The preferred reaction temperature is 0 to 40 ° C, and the preferred reaction time is 1 to 10 hours.

【0040】反応溶媒としては、ジオキサン、アセト
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチ
ルエーテル、N-メチルピロリドン等の溶媒が用いられ
る。脱塩酸触媒としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム,炭酸カリウム、水酸化カ
リウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジ
ンなどがあげられる。
As the reaction solvent, a solvent such as dioxane, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, diethyl ether, N-methylpyrrolidone and the like are used. Examples of the catalyst for dehydrochlorination include sodium carbonate, sodium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, trimethylamine, triethylamine, pyridine and the like.

【0041】本発明の耐熱性感光性重合体組成物におい
て、(c)成分の配合量は、露光部と未露光部の溶解速
度差と、感度の許容幅の点から、(a)成分100重量
部に対して5〜100重量部が好ましく、10〜40重
量部がより好ましい。
In the heat-resistant photosensitive polymer composition of the present invention, the amount of the component (c) is determined based on the difference in dissolution rate between the exposed and unexposed portions and the allowable range of sensitivity. The amount is preferably 5 to 100 parts by weight, more preferably 10 to 40 parts by weight with respect to parts by weight.

【0042】本発明の耐熱性感光性重合体組成物は、前
記(a)成分、(b)成分、(c)成分を溶剤に溶解し
て得ることができる。溶剤としては、例えば、N−メチ
ル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスル
ホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶剤が
好ましく、これらを単独で又は2種以上併用して用いら
れる。
The heat-resistant photosensitive polymer composition of the present invention can be obtained by dissolving the components (a), (b) and (c) in a solvent. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide,
Aprotic polar solvents such as N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoramide, tetramethylene sulfone, and γ-butyrolactone are preferred, and these may be used alone or in combination of two or more.

【0043】本発明の耐熱性感光性重合体組成物には、
さらに必要に応じて接着助剤として、有機シラン化合物
やアルミキレート化合物を含むことができる。有機シラ
ン化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランなどがあげられる。
The heat-resistant photopolymer composition of the present invention comprises
Further, if necessary, an organic silane compound or an aluminum chelate compound can be contained as an adhesion aid. Examples of the organic silane compound include γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and the like. Can be

【0044】アルミキレート化合物としては、例えば、
トリス(アセチルアセトネート)アルミニウム、アセチ
ルアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどがあ
げられる。接着助剤を用いる場合は、(a)成分100
重量部に対して、0.1〜20重量部が好ましく、1〜
10重量部がより好ましい。
As the aluminum chelate compound, for example,
Tris (acetylacetonate) aluminum, acetyl acetate aluminum diisopropylate and the like can be mentioned. When using an adhesion aid, component (a) 100
0.1 to 20 parts by weight, preferably 1 to 20 parts by weight,
10 parts by weight is more preferred.

【0045】本発明の耐熱性感光性重合体組成物は、支
持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像す
る工程及び加熱処理する工程を経て、ポリイミドのレリ
ーフパターンとすることができる。支持基板上に塗布し
乾燥する工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶
縁体(例えばTiO2、SiO2等)、窒化ケイ素などの
支持基板上に、この耐熱性感光性重合体組成物をスピン
ナーなどを用いて回転塗布後、ホットプレート、オーブ
ンなどを用いて乾燥する。
The heat-resistant photosensitive polymer composition of the present invention can be formed into a polyimide relief pattern through the steps of coating and drying on a supporting substrate, exposing, developing, and heating. . In the step of coating on a supporting substrate and drying, the heat-resistant photosensitive polymer composition is coated on a supporting substrate such as a glass substrate, a semiconductor, a metal oxide insulator (eg, TiO 2 , SiO 2 ), or silicon nitride. After spin coating using a spinner or the like, drying is performed using a hot plate, an oven, or the like.

【0046】次いで、露光工程では、支持基板上で被膜
となった感光性重合体組成物に、マスクを介して紫外
線、可視光線、放射線などの活性光線を照射する。現像
工程では、露光部を現像液で除去することによりレリー
フパターンが得られる。現像液としては、例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドなどのアルカリ水溶液が好ましいもの
としてあげられる。これらの水溶液の塩基濃度は、0.
1〜10重量%とされることが好ましい。さらに上記現
像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用するこ
ともできる。これらはそれぞれ、現像液100重量部に
対して、好ましくは0.01〜10重量部、より好まし
くは0.1〜5重量部の範囲で配合することができる。
Next, in the exposure step, the photosensitive polymer composition coated on the supporting substrate is irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays, visible rays and radiation through a mask. In the developing step, a relief pattern is obtained by removing the exposed portion with a developing solution. Preferred examples of the developer include aqueous alkali solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine and tetramethylammonium hydroxide. The base concentration of these aqueous solutions is 0.
The content is preferably 1 to 10% by weight. Further, an alcohol or a surfactant may be added to the above-mentioned developer for use. Each of these may be added in an amount of preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the developer.

【0047】ついで、加熱処理工程では、得られたレリ
ーフパターンに好ましくは150〜450℃の加熱処理
をすることにより、イミド環や他に環状基を持つ耐熱性
ポリイミドのレリーフパターンになる。
Then, in the heat treatment step, the obtained relief pattern is preferably subjected to a heat treatment at 150 to 450 ° C. to obtain a heat-resistant polyimide relief pattern having an imide ring or another cyclic group.

【0048】[0048]

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例1 攪拌機、温度計及びジムロート冷却管を備えた0.5リ
ットルのフラスコ中に、N−メチル−2−ピロリドン1
96g、キシレン48gを仕込、ビス(3−アミノ−4
−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン21.
98g(0.06モル)、4,4′−ジアミノジフェニ
ルスルホン9.94g(0.03モル)を添加し、攪拌
溶解した後、3,3′,4,4′−ビフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物35.82g(0.10モ
ル)を添加し、3時間攪拌を続け、ポリアミド酸溶液を
得た。
The present invention will be described below with reference to examples. Example 1 N-methyl-2-pyrrolidone 1 was placed in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer, thermometer and Dimroth condenser.
96 g and xylene 48 g were charged, and bis (3-amino-4
-Hydroxyphenyl) hexafluoropropane 21.
After 98 g (0.06 mol) and 9.94 g (0.03 mol) of 4,4'-diaminodiphenylsulfone were added and dissolved by stirring, 3,3 ', 4,4'-biphenylsulfonetetracarboxylic acid dicarboxylic acid was added. 35.82 g (0.10 mol) of anhydride was added, and stirring was continued for 3 hours to obtain a polyamic acid solution.

【0049】次いで、フラスコに水分定量器を装着し1
60℃で2時間加熱してイミド化反応により生成する水
をキシレンと共沸させて除去し、冷却後溶液を3リット
ルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥
してポリイミドを得た。
Next, a moisture meter was attached to the flask, and
After heating at 60 ° C. for 2 hours, water generated by the imidization reaction is removed by azeotropic distillation with xylene. After cooling, the solution is poured into 3 liters of water, and the precipitate is collected, washed, and dried under reduced pressure. A polyimide was obtained.

【0050】攪拌機、温度計、窒素導入管及びジムロー
ト冷却管を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−
メチル−2−ピロリドン142gを仕込、シリコーンジ
アミン化合物(前述のLP7100、信越化学工業株式
会社製)24.85g(0.1モル)を加え、攪拌し
た。次にこの溶液に3,3′,4,4′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物35.83g(0.1
モル)を加え、25℃で8時間攪拌し反応させた。溶液
を1.5リットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄し
た後、減圧乾燥してポリアミド酸を得た。
In a 0.5-liter flask equipped with a stirrer, a thermometer, a nitrogen inlet tube and a Dimroth condenser, N-
142 g of methyl-2-pyrrolidone was charged, 24.85 g (0.1 mol) of a silicone diamine compound (LP7100, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added, and the mixture was stirred. Next, 35.83 g of 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (0.13 g) was added to the solution.
Mol), and the mixture was stirred and reacted at 25 ° C. for 8 hours. The solution was poured into 1.5 liters of water, the precipitate was collected, washed, and dried under reduced pressure to obtain a polyamic acid.

【0051】ポリイミド15.00g、ポリアミド酸
0.75g、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン
とナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルク
ロリドを1/3のモル比で反応させたオルトキノンジア
ジド化合物2.25gを、γ−ブチロラクトン45.0
0gに攪拌溶解した。この溶液を3μm孔のテフロンフ
ィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得
た。
Orthoquinone diazide compound 2 obtained by reacting 15.00 g of polyimide, 0.75 g of polyamic acid, and reacting tris (4-hydroxyphenyl) methane with naphthoquinone-1,2-diazido-5-sulfonyl chloride in a molar ratio of 1/3. 0.25 g of γ-butyrolactone 45.0
The mixture was stirred and dissolved in 0 g. This solution was filtered under pressure using a Teflon filter having a pore size of 3 μm to obtain a photosensitive polymer composition.

【0052】得られた感光性重合体組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上110℃で3分間加熱乾燥を行い、5μmの塗膜
を得た。この塗膜に露光機としてPLA(キャノン株式
会社製)を用い、マスクを介し、100〜500mJ/cm2
の露光をした。次いで、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの2.38重量%水溶液を現像液とし40秒間
パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを
得た。パターン観察により、適正露光量は250mJ/cm2
と判断された。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気
下350℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のパター
ンを得た。ポリイミド膜と基板との接着性の評価は、碁
盤目テープ法(JISK5400)で行ったところ、1
00/100(0/100が全て剥離、100/100
が剥離無しを表す)であった。
The obtained photosensitive polymer composition was spin-coated on a silicon wafer using a spinner, and dried by heating at 110 ° C. for 3 minutes on a hot plate to obtain a coating film of 5 μm. Using a PLA (manufactured by Canon Inc.) as an exposure machine, 100 to 500 mJ / cm 2
Was exposed. Next, paddle development was performed for 40 seconds using a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developing solution, followed by washing with pure water to obtain a relief pattern. By pattern observation, the proper exposure is 250 mJ / cm 2
It was determined. The obtained relief pattern was heated at 350 ° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere to obtain a polyimide film pattern. The evaluation of the adhesiveness between the polyimide film and the substrate was performed by the crosscut tape method (JIS K5400).
00/100 (0/100 is all peeled, 100/100
Represents no peeling).

【0053】実施例2 攪拌機、温度計及びジムロート冷却管を備えた0.5リ
ットルのフラスコ中に、N−メチル−2−ピロリドン1
64g、キシレン40gを仕込、ビス(3−アミノ−4
−ヒドロキシフェニル)スルホン14.02g(0.0
5モル)、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン1
2.42g(0.05モル)を添加し、攪拌溶解した
後、3,3′,4,4′−ビフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物27.92g(0.09モル)を添加
し、3時間攪拌を続け、ポリアミド酸溶液を得た。
Example 2 N-methyl-2-pyrrolidone 1 was placed in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer, thermometer and Dimroth condenser.
64 g and xylene 40 g were charged and bis (3-amino-4
-Hydroxyphenyl) sulfone 14.02 g (0.0
5 mol), 4,4'-diaminodiphenylsulfone 1
After adding 2.42 g (0.05 mol) and stirring and dissolving, 27.92 g (0.09 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenylethertetracarboxylic dianhydride was added. Stirring was continued for an hour to obtain a polyamic acid solution.

【0054】次いで、フラスコに水分定量器を装着し1
60℃で2時間加熱してイミド化反応により生成する水
をキシレンと共沸させて除去し、冷却後溶液を1.5リ
ットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧
乾燥してポリイミドを得た。
Next, a moisture meter was attached to the flask, and 1
After heating at 60 ° C. for 2 hours, water generated by the imidization reaction is removed by azeotropy with xylene. After cooling, the solution is poured into 1.5 liter of water, and the precipitate is collected, washed, and dried under reduced pressure. Thus, a polyimide was obtained.

【0055】このポリイミド15.00g、実施例1で
作成したポリアミド酸0.75g、トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタンとナフトキノン−1,2−ジアジ
ド−5−スルホニルクロリドを1/3のモル比で反応さ
せた化合物2.25gを、N−メチルピロリドン45.
00gに攪拌溶解した。この溶液を3μm孔のテフロン
フィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得
た。得られた感光性重合体組成物をスピンナーを使用し
てシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレート上1
10℃で3分間加熱乾燥を行い、5μmの塗膜を得た。
この塗膜に露光機としてPLA(キャノン株式会社製)
を用い、マスクを介し、100〜500mJ/cm2の露光を
した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
の2.38重量%水溶液を現像液とし30秒間パドル現
像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを得た。パ
ターン観察により、適正露光量は250mJ/cm2と判断さ
れた。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気下350
℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のパターンを得
た。ポリイミド膜と基板との接着性は、碁盤目テープ法
(JISK5400)で行い、100/100であっ
た。
15.00 g of this polyimide, 0.75 g of the polyamic acid prepared in Example 1, tris (4-hydroxyphenyl) methane and naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride in a molar ratio of 1/3. 2.25 g of the reacted compound was added to N-methylpyrrolidone.
The mixture was dissolved in 00 g with stirring. This solution was filtered under pressure using a Teflon filter having a pore size of 3 μm to obtain a photosensitive polymer composition. The obtained photosensitive polymer composition is spin-coated on a silicon wafer using a spinner,
Heating and drying was performed at 10 ° C. for 3 minutes to obtain a coating film of 5 μm.
PLA (manufactured by Canon Inc.) as an exposure machine on this coating film
Was exposed through a mask at 100 to 500 mJ / cm 2 . Subsequently, paddle development was performed for 30 seconds using a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developing solution, followed by washing with pure water to obtain a relief pattern. By pattern observation, the proper exposure was determined to be 250 mJ / cm 2 . The obtained relief pattern is placed in a nitrogen atmosphere at 350
Heat treatment was performed at 1 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film pattern. Adhesion between the polyimide film and the substrate was 100/100 by a crosscut tape method (JIS K5400).

【0056】比較例1 実施例1で得られたポリイミド15.00g、トリス
(4−ヒドロキシフェニル)メタンとナフトキノン−
1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリドを1/3の
モル比で反応させた化合物2.25gをγ−ブチロラク
トン45.00gに攪拌溶解した。この溶液を3μm孔
のテフロンフィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体
組成物を得た。得られた感光性重合体組成物をスピンナ
ーを使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプ
レート上80℃で3分間加熱乾燥を行い、6μmの塗膜
を得た。この塗膜に露光機としてPLA(キャノン株式
会社製)を用い、マスクを介し、100〜500mJ/cm2
の露光をした。次いで、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの2.38重量%水溶液を現像液とし40秒間
パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを
得た。パターン観察により、適正露光量は300mJ/cm2
と判断された。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気
下350℃で1時間加熱処理し、ポリイミド膜のパター
ンを得た。ポリイミド膜と基板との接着性は、碁盤目テ
ープ法(JISK5400)で行い、0/100であっ
た。
Comparative Example 1 15.00 g of the polyimide obtained in Example 1, tris (4-hydroxyphenyl) methane and naphthoquinone-
2.25 g of a compound obtained by reacting 1,2-diazide-5-sulfonyl chloride at a molar ratio of 1/3 was dissolved under stirring in 45.00 g of γ-butyrolactone. This solution was filtered under pressure using a Teflon filter having a pore size of 3 μm to obtain a photosensitive polymer composition. The obtained photosensitive polymer composition was spin-coated on a silicon wafer using a spinner, and dried by heating at 80 ° C. for 3 minutes on a hot plate to obtain a 6 μm coating film. Using a PLA (manufactured by Canon Inc.) as an exposure machine, 100 to 500 mJ / cm 2
Was exposed. Next, paddle development was performed for 40 seconds using a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developing solution, followed by washing with pure water to obtain a relief pattern. By pattern observation, proper exposure is 300 mJ / cm 2
It was determined. The obtained relief pattern was heated at 350 ° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere to obtain a polyimide film pattern. The adhesiveness between the polyimide film and the substrate was 0/100 by a crosscut tape method (JIS K5400).

【0057】[0057]

【発明の効果】請求項1記載の耐熱性感光性重合体組成
物は、感度が高く、現像時間を短くでき、形成された膜
の諸特性、特に、基板との接着性が良い。請求項2記載
のパターンの製造法によれば、感度が高く、現像時間を
短くでき、形成された膜の諸特性、特に、基板との接着
性が良いを提供するものであリ、優れた半導体素子等の
表面保護膜、層間絶縁膜を形成できる。
The heat-resistant photosensitive polymer composition according to claim 1 has high sensitivity, can shorten the developing time, and has good properties of the formed film, particularly good adhesion to the substrate. According to the method for producing a pattern according to the second aspect, the sensitivity is high, the development time can be shortened, and various characteristics of the formed film, particularly, good adhesion to a substrate are provided. A surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element or the like can be formed.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03F 7/40 501 G03F 7/40 501 H01L 21/027 H01L 21/312 B 21/312 H05K 3/28 D H05K 3/28 3/46 T 3/46 H01L 21/30 502R 571 (72)発明者 内村 俊一郎 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G03F 7/40 501 G03F 7/40 501 H01L 21/027 H01L 21/312 B 21/312 H05K 3/28 D H05K 3/28 3 / 46 T 3/46 H01L 21/30 502R 571 (72) Inventor Shun-ichiro Uchimura 4-3-1-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside the Yamazaki Plant of Hitachi Chemical Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)一般式(I) 【化1】 (式中、R1は4価の有機基を示し、R2はフェノール性
水酸基を有する2価の有機基を示す)で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、(b)一般式(II) 【化2】 (式中、R3は4価の有機基を示し、R4は2価の有機基
を示し、R5は1価の有機基を示し、qは1以上の整数
を示す)で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに(c)光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物。
(A) General formula (I) (Wherein, R 1 represents a tetravalent organic group, and R 2 represents a divalent organic group having a phenolic hydroxyl group). (B) a polyimide having a repeating unit represented by the following general formula (II): Formula 2 (Wherein, R 3 represents a tetravalent organic group, R 4 represents a divalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group, and q represents an integer of 1 or more). A heat-resistant photosensitive polymer composition comprising a polyamic acid having a repeating unit and (c) a photoacid generator.
【請求項2】 請求項1記載の耐熱性感光性重合体組成
物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、
現像する工程及び加熱処理する工程を含むパターンの製
造法。
2. A step of applying and drying the heat-resistant photosensitive polymer composition according to claim 1 on a support substrate,
A method for producing a pattern including a developing step and a heat treatment step.
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