JPH117120A - マスクパターン作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 転写性能を向上させるための補助パターンを
含むマスクパターンを容易に作成する。 【解決手段】 補助パターンの作成工程として、原パタ
ーン作成手段において作成された原パターンに基づい
て、原パターンの周囲に補助パターン禁止帯を設定する
工程と（ステップＳ１）、この工程により設定された補
助パターン禁止帯に基づいて、補助パターン禁止帯の周
囲に補助パターン作成領域を設定する工程と（ステップ
Ｓ２）、この工程により設定された補助パターン作成領
域に基づいて所定の幅の補助パターンを作成する工程
（ステップＳ３）とを含んでいる。このように補助パタ
ーンが作成されることで、例えば、隣り合う２本の補助
パターン同士が接触したり重なったりすることを防止で
き、原パターンが繰り返し性のない複雑な場合でも、補
助パターンを容易に作成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の製造に用いられるマスク用のマスクパターン作成方法
およびマスクパターン作成装置並びにそのマスクを作成
するマスク作成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路等を製造する場合には、
リソグラフィ技術が用いられており、例えばステッパー
等の露光装置を用いてマスク上に形成されたマスクパタ
ーンをウェハ上に転写するという工程が含まれている。
この場合には、マスクパターンの転写時において焦点深
度をできるだけ大きくすることが転写精度の上で望まし
く、従来から以下のような焦点深度の拡大方法が知られ
ている。

【０００３】例えば、焦点深度の拡大方法の一例とし
て、露光装置のσ値を大きくする方法や輪帯照明等の斜
入射照明法等が知られている。しかし、このような方法
は、図２１に示したようにマスク１１０上のマスクパタ
ーンが密なパターン１２１の場合には効果的だが、図２
２に示したようにマスクパターンが疎なパターン１３１
の場合には焦点深度拡大の効果を得ることができないと
いう問題がある。

【０００４】図２３に示した表は、マスクパターンが密
なパターンの場合と、疎なパターンの場合において、２
次光源の条件を変えた場合に得られる焦点深度の値を表
したものである。この表は、露光装置としてＫｒＦエキ
シマレーザ・ステッパー装置を用いた場合について示し
ており、また、２次光源の条件としてσ値が０．５５と
０．８０のフラット照明にした場合と、斜入射照明とし
て四重極照明を用いた場合について得られる焦点深度の
値を示している。また、図２３の表では、密なパターン
として、図２１に示したようなパターン幅が０．２０μ
ｍのライン・アンド・スペースからなる密なパターン１
２１を用い、疎なパターンとして、図２２に示したよう
な周囲に他のパターンのない孤立した１本の疎なパター
ン１３１（パターン幅０．２０μｍ）を用いた場合につ
いて得られた結果を示している。

【０００５】この図２３に示した表から分かるように、
密なパターンの場合には、露光装置の二次光源に応じて
焦点深度が変化する。この場合、フラット照明のσ値が
大きい場合の方が焦点深度が拡大すると共に、斜入射照
明を用いた場合の方が焦点深度が拡大することが分か
る。

【０００６】一方、疎なパターンの場合には、二次光源
を変化させても焦点深度は変化せず、更に、密なパター
ンと比較して全ての条件において焦点深度が小さいこと
が分かる。このように、疎なパターンの場合には、照明
条件を変化させても焦点深度を拡大することはできな
い。しかし、疎なパターンの場合には、擬似的に密なパ
ターンを形成することにより、焦点深度を拡大するとい
う方法が知られている。これは、上述のように密なパタ
ーンの場合には、疎なパターンと比較して焦点深度が拡
大することを利用したものである。

【０００７】図２４は、従来の技術によって疎なパター
ンに対して擬似的に密なパターンを形成したマスクパタ
ーンを示す平面図である。この図の例では、マスク１１
０上に、幅ｗ１の疎な原パターン１４１が形成され、そ
の両脇に所定の間隔ｄを空けて幅ｗ２の補助パターン１
４２が形成されており、これにより、疑似的に密なパタ
ーンが形成されている。ただし、補助パターン１４２
は、ウェハへの転写時に補助パターン１４２自身の像が
転写されないように、その幅ｗ２が転写工程に用いられ
る露光装置の解像限界値よりも小さな値に設定する。こ
れにより、補助パターン１４２自身の像をウェハ上に転
写せず、疎な原パターン１４１の焦点深度の拡大を図れ
ることが知られている。

【０００８】図２５は、上記のように擬似的に密なパタ
ーンを形成した場合における補助パターン１４２の幅ｗ
２と補助パターン１４２の解像寸法との関係（グラフ１
５１）および補助パターン１４２の幅ｗ２と疎な原パタ
ーン１４１の焦点深度との関係（グラフ１５２）を表し
たグラフである。ただし、この図の結果は、疎な原パタ
ーン１４１の幅ｗ１を０．２０μｍとし、疎な原パター
ン１４１と補助パターン１４２との間隔ｄが０．２０μ
ｍである場合について所定の光強度計算をして得られた
結果である。

【０００９】この図から分かるように、補助パターン１
４２の幅ｗ２が疎な原パターン１４１の幅ｗ１に近いほ
ど疎なパターン１４１の焦点深度は拡大される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術では、補助パターンの形成方法の理論が完全には確立
されておらず、例えば原パターンが繰り返し性のある単
純なものである場合には、補助パターンの形成は比較的
容易にできるものの、原パターンが半導体集積回路の回
路パターン等の繰り返し性のない複雑なものである場合
には、補助パターンの形成も複雑となってしまうという
問題があった。

【００１１】また、上記のように補助パターンの形成方
法が理論的な形で確立されていないので、補助パターン
の形成は経験的な手法で行うしかなく、そのため補助パ
ターンをマスク全領域にわたって形成するような場合に
は莫大な時間がかかり、事実上補助パターンの形成が不
可能となる場合もあるという問題があった。

【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、転写性能を向上させるための補助パ
ターンを含むマスクパターンを容易に作成することがで
きるマスクパターン作成方法およびマスクパターン作成
装置並びにマスク作成装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によるマスクパタ
ーン作成方法は、ウェハ基板に転写される原パターンを
作成する工程と、この工程により作成された原パターン
の外周に所定の幅を設定して原パターンが拡大された原
パターン拡大領域を設定し、この原パターン拡大領域を
補助パターンの作成を禁止する補助パターン禁止帯とし
て設定する工程と、この工程により設定された補助パタ
ーン禁止帯の外周に所定の幅を設定して補助パターン禁
止帯が拡大された禁止帯拡大領域を設定し、この禁止帯
拡大領域から補助パターン禁止帯を除いた領域を補助パ
ターン作成用の補助パターン作成領域として設定する工
程と、この工程により設定された補助パターン作成領域
を所定の幅に縮小して補助パターンを作成する工程とを
含んでいる。

【００１４】また、本発明によるマスクパターン作成装
置は、ウェハ基板に転写される原パターンを作成する原
パターン作成手段と、この原パターン作成手段により作
成された原パターンの外周に所定の幅を設定して原パタ
ーンが拡大された原パターン拡大領域を設定し、この原
パターン拡大領域を補助パターンの作成を禁止する補助
パターン禁止帯として設定する禁止帯設定手段と、この
禁止帯設定手段により設定された補助パターン禁止帯の
外周に所定の幅を設定して補助パターン禁止帯が拡大さ
れた禁止帯拡大領域を設定し、この禁止帯拡大領域から
補助パターン禁止帯を除いた領域を補助パターン作成用
の補助パターン作成領域として設定する作成領域設定手
段と、この作成領域手段により設定された補助パターン
作成領域を所定の幅に縮小して補助パターンを作成する
補助パターン作成手段とを備えている。

【００１５】更に、本発明によるマスク作成装置は、ウ
ェハ基板に転写される原パターンを作成する原パターン
作成手段と、この原パターン作成手段により作成された
原パターンの外周に所定の幅を設定して原パターンが拡
大された原パターン拡大領域を設定し、この原パターン
拡大領域を補助パターンの作成を禁止する補助パターン
禁止帯として設定する禁止帯設定手段と、この禁止帯設
定手段により設定された補助パターン禁止帯の外周に所
定の幅を設定して補助パターン禁止帯が拡大された禁止
帯拡大領域を設定し、この禁止帯拡大領域から補助パタ
ーン禁止帯を除いた領域を補助パターン作成用の補助パ
ターン作成領域として設定する作成領域設定手段と、こ
の作成領域設定手段により設定された補助パターン作成
領域を所定の幅に縮小して補助パターンを作成する補助
パターン作成手段と、原パターンと補助パターンとを含
むマスクパターンを所定の描画データに変換する変換手
段と、この変換手段により変換された描画データに基づ
いてマスク基板上にマスクパターンを描画する描画手段
とを備えている。

【００１６】本発明によるマスクパターン作成方法また
はマスクパターン作成装置では、補助パターンの作成に
先だって、補助パターン禁止帯が設定されると共に、こ
の補助パターン禁止帯の外周に補助パターン作成用の補
助パターン作成領域が設定される。そして、この補助パ
ターン作成領域が所定の幅に縮小されて補助パターンが
作成される。このように補助パターンが作成されること
で、例えば、隣り合う２本の補助パターン同士が接触し
たり重なったりすることを防止でき、原パターンが繰り
返し性のない複雑な場合でも、原パターンの転写性能を
向上させる補助パターンを容易に作成することができ
る。

【００１７】本発明によるマスク作成装置では、補助パ
ターンの作成に先だって、補助パターン禁止帯が設定さ
れると共に、この補助パターン禁止帯の外周に補助パタ
ーン作成用の補助パターン作成領域が設定される。そし
て、この補助パターン作成領域が所定の幅に縮小されて
補助パターンが作成され、原パターンと補助パターンと
を含むマスクパターンが所定の描画データに変換された
後、この変換された描画データに基づいてマスク基板上
にマスクパターンが描画される。これにより、マスク基
板上に補助パターンを含むマスクパターンが容易に作成
され、ウェハへの転写工程時に原パターンの焦点深度が
拡大されて原パターンの転写性能を向上させることがで
きる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１９】図１は、本発明の一実施の形態に係るマス
ク作成装置の構成を表すブロック図である。

【００２０】図１に示したように、マスク作成装置１
は、マスクパターンを作成するマスクパターン作成部２
と、このマスクパターン作成部２により作成されたマス
クパターンをマスク基板上に描画する電子ビーム露光装
置等の露光描画手段３とを備えて構成される。

【００２１】マスクパターン作成部２は、ウェハ基板上
に転写される半導体集積回路の回路パターン等の原パタ
ーンを作成する原パターン作成手段２１と、この原パタ
ーン作成手段２１により作成された原パターンに基づい
て原パターンの転写性能を向上させる補助パターンを作
成すると共に、補助パターンを含むマスクパターンを作
成する補助パターン作成手段２２と、この補助パターン
作成手段２２により作成された補助パターンを含むマス
クパターンを露光描画手段３に適した描画データにフォ
ーマット変換して露光描画手段３に出力する描画データ
作成手段２３とを備えて構成される。なお、このマスク
パターン作成部２が本発明によるマスクパターン作成装
置に対応する。

【００２２】原パターン作成手段２１は、例えば、ＣＡ
Ｄ（Computer Aided Design）システム等で構成され
ることにより、原パターンを作成すると共に、この作成
した原パターンをＧＤＳII（Cadence System inc. の
商標）等の図形用データにフォーマット変換して補助パ
ターン作成手段２２に出力するものである。

【００２３】補助パターン作成手段２２は、ＧＤＳII等
の図形用データにフォーマット変換された原パターンに
対して後述の作成手順により補助パターンを作成してマ
スクパターンを作成し、描画データ作成手段２３に出力
するものである。この補助パターン作成手段２２は、例
えば、後述の作成手順を表すプログラムに基づいて動作
するコンピュータ等の装置で構成される。この場合、後
述の作成手順を表すプログラムの供給は、あらかじめコ
ンピュータ等の装置内に内蔵されて供給されるものであ
ってもよいし、外部から各種記録媒体又は各種通信手段
を介して供給されるようなものであってもよい。これに
より、補助パターンを含むマスクパターンをコンピュー
タ等で自動化して作成することが可能となる。なお、こ
の補助パターン作成手段２２が、本発明による禁止帯設
定手段および作成領域設定手段に対応する。

【００２４】描画データ作成手段２３は、ＧＤＳII等の
図形用のデータを、更に電子ビーム露光装置等の露光描
画手段３に固有の描画用データにフォーマット変換する
ものである。露光描画手段３は、この描画データ作成手
段２３でフォーマット変換された描画データに基づいて
補助パターン作成手段２２で作成されたマスクパターン
を所定のマスク基板上に形成することができる。

【００２５】なお、原パターン作成手段２１から補助パ
ターン作成手段２２に出力する原パターンのデータのフ
ォーマットは、ＧＤＳII等の図形用のデータではなく、
描画用のフォーマットに変換されたデータであってもよ
い。この場合、補助パターン作成手段２２は描画用のフ
ォーマットに変換された原パターンに基づいて補助パタ
ーンを作成する。

【００２６】次に、本実施の形態に係るマスクパターン
作成方法について、補助パターンを作成する工程を中心
に説明する。図２は、本発明の一実施の形態に係るマス
クパターン作成手順を説明するための流れ図であり、特
に補助パターンの作成工程を表している。この補助パタ
ーンの作成工程は、例えばコンピュータ装置用にプログ
ラム化されることにより補助パターン作成手段２２にお
いて実現することが可能となる。

【００２７】図２に示したように、本実施の形態に係る
マスクパターン作成方法では、補助パターンの作成工程
として、原パターン作成手段２１において作成された原
パターンに基づいて、原パターンの周囲に補助パターン
禁止帯を設定する工程と（ステップＳ１）、この工程に
より設定された補助パターン禁止帯に基づいて、補助パ
ターン禁止帯の周囲に補助パターン作成領域を設定する
工程と（ステップＳ２）、この工程により設定された補
助パターン作成領域に基づいて所定の幅の補助パターン
を作成する工程（ステップＳ３）とを含んでいる。

【００２８】次に、このステップＳ１〜ステップＳ３か
らなる補助パターンの作成工程を図３ないし図１２を参
照して更に詳細に説明する。

【００２９】図３は、原パターン作成手段２１により作
成される原パターン４１の一例を示す説明図である。ま
た、図４ないし図６は、図３に示した原パターン４１に
基づいて作成される補助パターンを含むマスクパターン
の一例を示す説明図である。

【００３０】図３で示したように、本実施の形態では、
隣り合う２つの直線パターン４１Ｌ，４１Ｒからなる原
パターン４１に対して補助パターンを作成する場合につ
いて説明する。ただし、これらの２つの直線パターン４
１Ｌ，４１Ｒの幅はそれぞれｗであり、互いのパターン
間隔はｓだけ離れているものとする。また、本実施の形
態では、説明を分かり易くするため原パターン４１の左
右方向にのみ補助パターンが作成されるものとし、上下
方向についての説明は省略する。なお、後述の実施例で
は、上下方向を含めて原パターンの周囲全域に補助パタ
ーンを作成する場合の具体的な説明を行っている。

【００３１】通常、図３で示したような隣り合う２つの
直線パターン４１Ｌ，４１Ｒに対応して補助パターンを
作成すると、そのパターン間隔ｓの大きさによって、図
４ないし図６に示したような第１〜第３のマスクパター
ン５０ａ〜５０ｃの３つの種別のマスクパターンが作成
される可能性がある。

【００３２】すなわち、図４に示した第１のマスクパタ
ーン５０ａは、パターン間隔ｓが比較的大きい間隔値ｓ
１である場合に作成されるものであり、２つの直線パタ
ーン４１Ｌ，４１Ｒの周りに４つの補助パターン４２
（４２Ｌ₁ ，４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₁ ，４２Ｒ₂ ）が作成さ
れている。この場合、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの間
には、隣り合う２つの補助パターン４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₂
が作成される。

【００３３】また、図５に示した第２のマスクパターン
５０ｂは、パターン間隔ｓが第１のマスクパターン５０
ａが作成される場合の間隔値ｓ１よりも小さい間隔値ｓ
２である場合に作成されるものであり、２つの直線パタ
ーン４１Ｌ，４１Ｒの周りに３つの補助パターン４２
（４２Ｌ₁ ，４２Ｒ₁ ，４２ｃ）が作成されている。こ
の場合、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの間には、補助パ
ターン４２ｃが１つのみ作成されている。

【００３４】更に、図６に示した第３のマスクパターン
５０ｃは、パターン間隔ｓが第２のマスクパターン５０
ｂが作成される場合の間隔値ｓ２よりも小さい間隔値ｓ
３である場合に作成されるものであり、２つの直線パタ
ーン４１Ｌ，４１Ｒの周りに２つの補助パターン４２
（４２Ｌ₁ ，４２Ｒ₁ ）が作成されている。この場合、
直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの間には、補助パターンは
何も作成されていない。

【００３５】このように、隣り合う２つの直線パターン
４１Ｌ，４１Ｒに対して補助パターンを作成すると、そ
のパターン間隔ｓの大きさによって、図４ないし図６に
示したような第１〜第３のマスクパターン５０ａ〜５０
ｃのいずれかの種別のマスクパターンが作成される可能
性があり、その場合には、各パターン間隔値ｓ１〜ｓ３
の間に、ｓ１＞ｓ２＞ｓ３の関係が成り立つ。本実施の
形態では、後述のような補助パターンの作成工程を経る
ことで、第１〜第３のマスクパターン５０ａ〜５０ｃの
いずれの種別のマスクパターンが作成される場合におい
ても容易に対応が可能であり、これにより、従来では対
応できなかった複雑なパターンを有する原パターンに対
して補助パターンを作成することができる。なお、第１
〜第３のマスクパターン５０ａ〜５０ｃが作成される場
合の各パターン間隔値ｓ１〜ｓ３の間には、より具体的
な条件値があるのだが、その説明をするのに先だって、
まず、図４に示した第１のマスクパターン５０ａが作成
される場合を例に本実施の形態による補助パターンの作
成工程について説明する。

【００３６】図７ないし図９は、図４に示した第１のマ
スクパターン５０ａが作成される場合の各作成工程を表
す説明図である。これらの図７ないし図９に示した各作
成工程は、それぞれ図２で示した流れ図のステップＳ１
ないしステップＳ３に対応するものである。

【００３７】まず、図７に示したように、原パターン作
成手段２１により作成された原パターン４１を構成する
２つの直線パターン４１Ｌ，４１Ｒのそれぞれの外周に
所定の幅ｆを設定して、原パターン４１が拡大された２
つの原パターン拡大領域４３Ｌ，４３Ｒを設定し、更
に、この２つの原パターン拡大領域４３Ｌ，４３Ｒの論
理和を補助パターンの作成を禁止する補助パターン禁止
帯４３として設定する。このとき、補助パターン禁止帯
４３を設定する場合の所定の幅ｆの値は、マスク上に作
成される原パターンの最小幅ｗｍに近いことが望まし
い。なお、この所定の幅ｆの値の更に具体的な条件値に
ついては、後に詳述する。

【００３８】続いて、図８に示したように、補助パター
ン禁止帯４３の外周に所定の幅ｂを設定して補助パター
ン禁止帯４３が拡大された２つの禁止帯拡大領域４４
Ｌ，４４Ｒを設定し、この２つの禁止帯拡大領域４４
Ｌ，４４Ｒの論理和から補助パターン禁止帯４３を除い
た領域（４５Ｌ₁ ，４５Ｌ₂ ，４５Ｒ₁ ，４５Ｒ₂ ）を
補助パターン作成用の補助パターン作成領域４５として
設定する。なお、ここで用いられる所定の幅ｂの値の更
に具体的な条件については、後に詳述する。

【００３９】次に、図９に示したように、補助パターン
作成領域４５（４５Ｌ₁ ，４５Ｌ₂，４５Ｒ₁ ，４５Ｒ
₂ ）の各々を所定の幅ａにまで縮小して補助パターン４
２（４２Ｌ₁ ，４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₁ ，４２Ｒ₂ ）を作成
する。ここで、補助パターン４２の幅ａは、ウェハ基板
上への転写時に補助パターン４２自身の像が転写されな
いように、その幅ａが転写工程に用いられるステッパー
等の露光装置の解像限界値よりも小さな値に設定する。
これにより、補助パターン４２自身の像がウェハ基板上
に転写されずに、原パターン４１の焦点深度の拡大を図
り、転写性能を向上させることができる。なお、このよ
うに作成された各補助パターン４２と各直線パターン４
１Ｌ，４１Ｒとの間の間隔ｄは、各所定の間隔ｆ，ｂ，
ａを用いて表すと、図９から分かるように、ｄ＝｛ｆ＋
（ｂ−ａ）／２｝となる。また、隣り合う２つの補助パ
ターン４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₂ 同士の間隔ｃを各所定の間隔
ｆ，ｂ，ａを用いて表すと、図９から分かるように、ｃ
＝〔ｓ１−｛ｄ＋ａ｝×２〕であるから、ｃ＝〔ｓ１−
｛ｆ＋（ｂ−ａ）／２＋ａ｝×２〕となり、ｃ＝〔ｓ１
−｛２ｆ＋ｂ＋ａ｝〕となる。

【００４０】以上のような工程を経て、補助パターン４
２が作成されることにより、図４に示した第１のマスク
パターン５０ａが作成されるわけだが、次に、この第１
のマスクパターン５０ａが作成される場合のパターン間
隔ｓ１の条件値および各作成工程において設定される所
定の幅ｂ，ｆの条件値等について、図１０を参照して説
明する。

【００４１】前述のように、第１のマスクパターン５０
ａでは、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの間に、隣り合う
２つの補助パターン４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₂ が作成されてい
るが、第１のマスクパターン５０ａが作成されるための
パターン間隔ｓ１の条件とは、この隣り合う２つの補助
パターン４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₂が直線パターン４１Ｌ，４
１Ｒの間に作成されるための条件ともいえる。ここで、
補助パターン４２の作成条件として、ウェハ基板上への
転写時に補助パターン４２自身の像が転写されないよう
にしなければならないという条件があるため、隣り合う
２つの補助パターン４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₂ は、必要以上に
接近することがないようにしなければならない。すなわ
ち、隣り合う２つの補助パターン４２Ｌ₂ ，４２Ｒ₂ の
間隔ｃをマスク上に存在する原パターンの最小線幅ｗｍ
以上の値にする必要がある。すなわち、間隔ｃについて
は、以下の条件式（１）が成り立つ。

【００４２】ｃ≧ｗｍ ……（１）

【００４３】図１０は、本実施の形態によるマスクパタ
ーン作成の一工程を示す説明図であり、直線パターン４
１Ｌ，４１Ｒの間に、隣り合う２つの補助パターン４２
Ｌ₂，４２Ｒ₂ が作成される場合において、間隔ｃの値
が最小値ｃmin となる場合を示している。このように、
間隔ｃが最小値ｃminとなる場合には、補助パターン作
成領域４５Ｌ₂ ，４５Ｒ₂ が接するような場合であり、
この場合には、図１０から分かるように、ｃmin ＝
｛（ｂ−ａ）／２｝×２＝（ｂ−ａ）となる。従って、
ｃ≧ｃminであることと、前述の式（１）との関係か
ら、以下の条件式（２）が成り立つ。

【００４４】（ｂ−ａ）≧ｗｍ ……（２）

【００４５】従って、補助パターン作成領域４５を設定
する場合に用いる所定の幅ｂの条件としては、以下の条
件式（３）が成り立つ。

【００４６】ｂ≧ａ＋ｗｍ ……（３）

【００４７】ところで、間隔ｃと同様に、各補助パター
ン４２と各直線パターン４１Ｌ，４１Ｒとの間の間隔ｄ
も必要以上に接近することがないようにしなければなら
ないため、間隔ｄついては、以下の条件式（４）が成り
立つ。

【００４８】 ｄ＝｛ｆ＋（ｂ−ａ）／２｝／２＞ｗｍ ……（４）

【００４９】従って、ｆ＞ｗｍ−（ｂ−ａ）／２の関係
式が成り立つのだが、この関係式と前述の式（３）とを
連立させると、補助パターン禁止帯４３を設定する際の
所定の幅ｆについては、以下の条件式（５）が成り立
つ。

【００５０】ｆ＞ｗｍ／２ ……（５）

【００５１】このように、補助パターン禁止帯４３を設
定する際の所定の幅ｆは、最小寸法ｗｍの半分よりも大
きいことが条件となるのだが、この幅ｆは、あまり大き
すぎると、補助パターン禁止帯４３が広く設定され、補
助パターン４２が作成されなくなるので、最小寸法ｗｍ
の５０％〜１５０％程度が望ましい。

【００５２】また、間隔ｃの値が最小値ｃmin となる場
合は、パターン間隔ｓ１も最小値ｓ１minとなる場合で
あるが、この最小値ｓ１minは、図１０から分かるよう
に、ｓ１min ＝２（ｆ＋ｂ）となる。従って、ｓ１≧ｓ
１min であることから、以下の条件式（６）が成り立
つ。

【００５３】ｓ１≧２（ｆ＋ｂ） ……（６）

【００５４】従って、図４に示したような第１のマスク
パターン５０ａが作成される場合のパターン間隔ｓ１の
値の条件は、補助パターン禁止帯４３の設定用の幅ｆ，
補助パターン作成領域４５の設定用の幅ｂを用いて表す
と、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒのパターン間隔ｓが、
ｓ≧２（ｆ＋ｂ）となる場合である。これよりもパター
ン間隔ｓの値が小さい場合、すなわち、ｓ＜２（ｆ＋
ｂ）の場合には、図５に示したような第２のマスクパタ
ーン５０ｂまたは、図６に示したような第３のマスクパ
ターン５０ｃが作成されることとなる。

【００５５】図１１は、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの
間に、ただ１つの補助パターン４２ｃが作成される場
合、すなわち、図５に示したような第２のマスクパター
ン５０ｂが作成される場合のマスクパターン作成の一工
程を示す説明図である。また、図１２は、直線パターン
４１Ｌ，４１Ｒの間に何も補助パターン作成されない場
合、すなわち、図５に示したような第２のマスクパター
ン５０ｂが作成される場合のマスクパターン作成の一工
程を示す説明図である。

【００５６】図５に示したような第２のマスクパターン
５０ｂが作成される場合には、図４の第１のマスクパタ
ーン５０ａが作成される場合と同様の工程を経て、補助
パターン禁止帯４３の外周に所定の幅ｂを設定して補助
パターン禁止帯４３が拡大された２つの禁止帯拡大領域
４４Ｌ，４４Ｒを設定し、この２つの禁止帯拡大領域４
４Ｌ，４４Ｒの論理和から補助パターン禁止帯４３を除
いた領域（４５Ｌ₁ ，４５ｃ，４５Ｒ₂ ）を補助パター
ン作成用の補助パターン作成領域４５として設定する。
この場合、図４の第１のマスクパターン５０ａが作成さ
れる場合と異なり、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの間に
は、補助パターン作成領域４５は、１つの領域４５ｃし
か作成されない。これは、２つの禁止帯拡大領域４４
Ｌ，４４Ｒの論理和をとったためであり、これにより、
隣り合う２本の直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの間には、
１本の補助パターン４５ｃのみが作成されることとな
る。

【００５７】ここで、図５に示したような第２のマスク
パターン５０ｂが作成される場合のパターン間隔ｓ２の
最小値は、少なくとも補助パターン禁止帯４３の設定用
の所定の幅ｆの２倍よりも大きくなくてはならない。な
ぜなら、ｓ≦２ｆの場合には、図１２に示したように、
隣り合う直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの内側の領域は全
て補助パターン禁止帯４３となってしまい、補助パター
ン作成領域４５ｃが直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの内側
に設定されないからである。従って、図５に示したよう
な第２のマスクパターン５０ｂが作成される場合のパタ
ーン間隔ｓ２の条件としては、前述のｓ＜２（ｆ＋ｂ）
の条件と合わせて、以下の条件式（７）が成り立つよう
な場合であることが分かる。この式（７）が成り立つよ
うな場合には、隣り合う２本の直線パターン４１Ｌ，４
１Ｒの間に１本の補助パターンのみが作成されることに
なる。

【００５８】２ｆ＜ｓ＜２（ｆ＋ｂ） ……（７）

【００５９】従って、図６に示したような第３のマスク
パターン５０ｃが作成される場合のパターン間隔ｓ３の
条件としては、以下の条件式（８）が成り立つような場
合であることが分かる。この条件式（８）が成り立つよ
うな場合には、図４の第１のマスクパターン５０ａが作
成される場合と同様に、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの
両側に所定の幅ｆが設定されて補助パターン禁止帯４３
が設定される。この場合、図１２に示したように、隣り
合う直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの内側の領域は全て補
助パターン禁止帯４３となり、隣り合う２本の直線パタ
ーン４１Ｌ，４１Ｒの間には補助パターンが何も作成さ
れない。

【００６０】ｓ≦２ｆ ……（８）

【００６１】以上の説明をまとめると、まず、図４に示
したような第１のマスクパターン５０ａが作成される場
合のパターン間隔ｓ１の値の条件は、補助パターン禁止
帯４３の設定用の幅ｆ，補助パターン作成領域４５の設
定用の幅ｂを用いて表すと、直線パターン４１Ｌ，４１
Ｒのパターン間隔ｓが、ｓ≧２（ｆ＋ｂ）となる場合で
ある。このとき、作成された各補助パターン４２と各直
線パターン４１Ｌ，４１Ｒとの間の間隔ｄは、補助パタ
ーン４２の幅をａとすると、ｄ＝｛ｆ＋（ｂ−ａ）／
２｝であり、この間隔ｄで各直線パターン４１Ｌ，４１
Ｒの両側に補助パターン４２（４２Ｌ₁ ，４２Ｌ₂ ，４
２Ｒ₁ ，４２Ｒ₂ ）が作成される。なお、前述したよう
に、補助パターン禁止帯４３の設定用の幅ｆは、マスク
上に作成される原パターンの最小寸法ｗｍを用いて、ｆ
＞ｗｍ／２の条件を満たすような値であり、例えば最小
寸法ｗｍの５０％〜１５０％の値である。また、補助パ
ターン４２の幅ａは、ステッパー等の露光装置の解像限
界値よりも小さな値であり、更に、補助パターン作成領
域４５の設定用の幅ｂは、ｂ≧ａ＋ｗｍの条件を満たす
ような値である。これらの所定の値ｆ，ａ，ｂは、いず
れも補助パターン４２の作成前に、初期値として設定可
能な値である。

【００６２】また、図５に示したような第２のマスクパ
ターン５０ｂが作成される場合のパターン間隔ｓ２の値
の条件は、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒのパターン間隔
ｓが、２ｆ＜ｓ＜２（ｆ＋ｂ）となる場合であり、隣り
合う２本の直線パターン４１Ｌ，４１Ｒの内側には１本
の補助パターン４２ｃが作成されることになる。このと
き、作成された内側の補助パターン４２ｃと各直線パタ
ーン４１Ｌ，４１Ｒとの間隔は、（ｓ−ａ）／２とな
る。

【００６３】また、図６に示したような第３のマスクパ
ターン５０ｃが作成される場合のパターン間隔ｓ３の値
の条件は、直線パターン４１Ｌ，４１Ｒのパターン間隔
ｓが、それぞれの補助パターン禁止帯４３設定用の幅ｆ
の２倍より小さい、すなわち、ｓ≦２ｆとなる場合であ
り、この場合には隣り合う２本の直線パターン４１Ｌ，
４１Ｒの間には補助パターン４２が何も作成されない。

【００６４】このように本実施の形態によれば、補助パ
ターン４２の作成前に、原パターン４１の周りに補助パ
ターン禁止帯４３を設定するので、作成される補助パタ
ーン４２が必要以上に原パターン４１に接近しすぎるこ
とがない。また、補助パターン禁止帯４３の周囲に補助
パターン作成領域４５を設定し、この補助パターン作成
領域４５を所定の幅ａにまで縮小することにより補助パ
ターン４２を作成するようにしたので、複数の補助パタ
ーン４２が作成されたとしても互いの隣り合う補助パタ
ーン同士が必要以上に接近しすぎることもない。このよ
うに補助パターン４２が作成されることで、例えば、隣
り合う２本の直線パターン４１Ｌ，４１Ｒ同士が接触し
たり重なったりすることを防止できる。

【００６５】また、補助パターン４２を作成するための
手順は、プログラム化してコンピュータ等の装置で自動
処理することが可能であるから、原パターン４１が半導
体集積回路用の回路パターン等の複雑なものであって
も、高速かつ容易に補助パターン４２０を含むマスクパ
ターンを作成することができる。また、このマスクパタ
ーンが描画されたマスクを用いることで、原パターン４
１が擬似的に密なパターンとなり、転写工程時において
焦点深度が拡大され、転写性能を向上させることができ
る。

【００６６】

【実施例】次に、本発明の更に具体的な実施例について
図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例の
説明では、上記実施の形態におけるマスク作成装置１と
その構成、作用および効果が重複する部分が多いため、
例えばマスク作成装置１と構成が同一の部分には、同一
の符号を付し、それらの説明を省略する。

【００６７】［第１の実施例］まず、本発明の第１の実
施例について説明する。

【００６８】図１３ないし図１７は、本実施例に係るマ
スクパターンの各作成工程を表す説明図である。

【００６９】図１３は、本実施例における原パターンを
表す説明図である。図１３に示したように、本実施例で
は、分割された第１ないし第４の図形パターン５１ａ，
５１ｂ，５１ｃ，５１ｄからなる原パターン５１に対し
て、補助パターンを作成する場合について説明する。原
パターン５１は、縦長のほぼ長方形状の第２および第３
の図形パターン５１ｂ，５１ｃの一辺が、それぞれ、ほ
ぼ正方形状の第１および第４の図形パターン５１ａ，５
１ｄの一辺に接近したパターン構成となっており、これ
により、第１および第２の図形パターン５１ａ，５１ｂ
と、第３および第４の図形パターン５１ｃ，５１ｄとが
それぞれ１組とみなせる２組の図形パターンが隣り合っ
たパターン構成となっている。また、本実施例では、第
２および第３の図形パターン５１ｂ，５１ｃの幅ｗは、
０．２０μｍ程度であり、第１および第２の図形パター
ン５１ａ，５１ｂと、第３および第４の図形パターン５
１ｃ，５１ｄとの間のパターン間隔ｓが０．６０μｍ程
度であるものとする。

【００７０】このような構成の原パターン５１に対し
て、補助パターンを作成する場合には、まず、図１４に
示すように、原パターン５１を構成する第１ないし第４
の図形パターン５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄのそれ
ぞれの外周に所定の幅ｆを設定して、複数の原パターン
拡大領域を設定し、更に、この複数の原パターン拡大領
域の論理和を補助パターン禁止帯５２として設定する。
このとき、補助パターン禁止帯５２を設定する場合の所
定の幅ｆの値は、例えば０．１５μｍ程度とする。

【００７１】次に、図１５に示すように、補助パターン
禁止帯５２の外周に所定の幅ｂを設定して補助パターン
禁止帯５２が拡大された複数の禁止帯拡大領域を設定
し、この複数の禁止帯拡大領域の論理和から補助パター
ン禁止帯５２を除いた領域を補助パターン作成領域５３
として設定する。なお、ここで用いられる所定の幅ｂの
値は、０．２０μｍ程度とする。

【００７２】続いて、図１６に示すように、補助パター
ン作成領域５３を第１ないし第９の作成領域５３ａ〜５
３ｉの９つの領域に分割する。

【００７３】最後に、図１７に示すように、分割した第
１ないし第９の作成領域５３ａ〜５３ｉからなる補助パ
ターン作成領域５３の各々を所定の幅ａにまで縮小して
９つの補助パターン５４ａ〜５４ｉを作成する。ここ
で、各補助パターン５４ａ〜５４ｉの幅ａは、ウェハ基
板上への転写時に各補助パターン５４ａ〜５４自身の像
が転写されないように、０．１０μｍ程度とする。

【００７４】このように、本実施例では、分割された第
１ないし第４の図形パターン５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，
５１ｄからなる原パターン５１に対して、分割された９
つの補助パターン５４ａ〜５４ｉが作成される。このよ
うに作成された補助パターン５４ａ〜５４ｉを含むマス
クパターンは、描画データ作成手段２３で描画データに
変換され、露光描画手段３によりマスク基板上に描画さ
れてマスクが作成される。そして、この作成されたマス
クを用いて、ＫｒＦエキシマレーザ・ステッパー装置等
の露光装置により、ウェハ基板上のレジストにマスクパ
ターンを転写すると、幅０．２０μｍの微小パターンを
含む原パターン５１がウェハ基板上に良好に転写され
る。

【００７５】以上説明したように、本実施例によれば、
複数の図形パターン５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄか
らなる原パターン５１に対応して、補助パターン作成領
域５３を領域５３ａ〜５３ｉの９つの領域に分割して詳
細に設定し、補助パターン５４ａ〜５４ｉを作成するの
で、上記実施の形態で説明した効果に加え、複雑な原パ
ターン５１に対しより効率的且つ詳細に補助パターン５
４ａ〜５４ｉを作成することが可能となる。

【００７６】［第２の実施例］次に、本発明の第２の実
施例について説明する。図１８は、本発明の第２の実施
例において作成されるマスクパターンの一例を示す説明
図である。

【００７７】本実施例により作成されるマスクパターン
は、図１８に示すように、あるパターンが近隣の原パタ
ーンに全く接触していないようないわゆる完全孤立型の
原パターン６１に対して、補助パターン６２，６３が２
段階で作成されたものである。

【００７８】この場合、上記第１の実施例と同様の方法
により、まず、第１の補助パターン６２を作成する。次
に、この作成された第１の補助パターン６２を新たな原
パターンと見なして、この原パターンと見なされた第１
の補助パターン６２の外周に上記第１の実施例と同様の
方法により第２の補助パターン６３を作成する。このよ
うにして、原パターン６１に対して補助パターンが２段
階に作成される。

【００７９】以上説明したように、本実施例によれば、
完全孤立型の原パターン６１に対して、補助パターン６
２，６３が２段階で作成されるので、上記実施の形態で
説明した効果に加え、マスクパターンの繰り返し性が更
に増し、ウェハ基板上への転写時において焦点深度がさ
らに拡大され、転写性能が大幅に向上する。

【００８０】［第３の実施例］次に、本発明の第３の実
施例について説明する。図１９は、本実施例における原
パターンを表す説明図である。また、図２０は、本実施
例において作成されるマスクパターンの一例を示す説明
図である。

【００８１】本実施例では、図１９で示したように、原
パターンが半導体集積回路のロジック・ゲート用のゲー
トパターン７１である場合に、焦点深度拡大用の補助パ
ターンを含むマスクパターンを作成するものである。こ
こで、ゲートパターン７１は、上記第１および第２の実
施例で説明した原パターン５１，６１が幾つか組み合わ
されて形成されたようなパターン構成となっている。従
って、上記第１および第２の実施例で説明した場合と同
様の作成方法を用いて、図２０に示したような補助パタ
ーン７２を含むマスクパターンを作成すると共に、この
マスクパターンが描画されたマスクを作成することがで
きる。

【００８２】本実施例によれば、上記第１および第２の
実施例で説明した場合と同様の作成方法を用いて、補助
パターン７２を含むマスクパターンを作成するので、上
記実施の形態で説明した効果に加え、複雑なロジック・
ゲート用のゲートパターン７１に対して、効率的に補助
パターン７２が作成され、補助パターン７２を含むマス
クパターンを容易に作成することができる。

【００８３】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施
例に限定されるものではなく、その均等の範囲で種々変
形可能である。例えば、上記第３の実施例においては、
原パターンがロジック・ゲート用のゲートパターン７１
である場合について示したが、原パターンが、ロジック
系デバイスの配線パターンであっても本発明により補助
パターンを含むマスクパターンが容易に作成される。

【００８４】また、本発明を、ロジックとメモリが混載
した半導体装置のゲートや配線等を形成する際に利用し
てもよい。この場合には、疎なパターンが補助パターン
により、擬似的に密なパターンとなり、転写工程時にお
いて焦点深度が拡大されるだけでなく、パターン疎密に
よる寸法のばらつきも抑制される。更に、繰り返しパタ
ーンからなるメモリセル端部にも補助パターンが作成さ
れるので、メモリセル端部の劣化を抑制することもでき
る。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし８の
いずれかに記載のマスクパターン作成方法または請求項
９に記載のマスクパターン作成装置によれば、補助パタ
ーンの作成に先だって、補助パターン禁止帯の設定や、
補助パターン作成領域の設定が行われるので、例えば、
隣り合う２本の補助パターン同士が接触したり重なった
りすることを防止でき、原パターンが繰り返し性のない
複雑な場合においても、原パターンの転写性能を向上さ
せる焦点深度拡大用の補助パターンを容易に作成するこ
とができ、これにより、補助パターンを含むマスクパタ
ーンを容易に作成することができる。また、このように
作成されたマスクパターンが描画されたマスクを使用す
ることにより、ウェハ基板上の全領域にわたって、微細
かつ良好なパターン形成を行うことができるので、例え
ば、高性能なロジック系や、ロジックおよびメモリー混
載の半導体デバイス等を容易に製造できるという効果を
奏する。

【００８６】また、請求項２記載のマスクパターン作成
方法によれば、補助パターンを含むマスクパターンを所
定の描画装置用の描画データに変換する工程を含んでい
るので、請求項１に記載のマスクパターン作成方法の効
果に加え、焦点深度拡大用の補助パターンを含むマスク
パターンを所定の描画装置によりマスク基板上に容易に
描画できるという効果を奏する。

【００８７】また、請求項１０に記載のマスク作成装置
によれば、補助パターン禁止帯の設定や、補助パターン
作成領域の設定を行うことにより作成した補助パターン
を含むマスクパターンをマスク基板上に描画してマスク
を作成するので、原パターンが繰り返し性のない複雑な
場合においても、焦点深度拡大用の補助パターンを含む
マスクパターンを容易に作成することができると共に、
この補助パターンを含むマスクパターンが描画されたマ
スクを高速かつ容易に作成することができる。また、こ
のように作成されたマスクを使用することにより、ウェ
ハ基板上の全領域にわたって、微細かつ良好なパターン
形成を行うことができるので、例えば、高性能なロジッ
ク系や、ロジックおよびメモリー混載の半導体デバイス
等を容易に製造できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係るマスク作成装置の
構成を表すブロック図である。

【図２】本発明の一実施の形態に係るマスクパターン作
成方法の手順を示す流れ図である。

【図３】本発明の一実施の形態に係るマスクパターン作
成方法が適用される原パターンの一例を示す説明図であ
る。

【図４】本発明の一実施の形態において作成されるマス
クパターンの一例を示す説明図である。

【図５】本発明の一実施の形態において作成されるマス
クパターンの他の例を示す説明図である。

【図６】本発明の一実施の形態において作成されるマス
クパターンの更に他の例を示す説明図である。

【図７】図４に示したマスクパターンが作成される場合
の作成工程を表す説明図である。

【図８】図７に続く工程を表す説明図である。

【図９】図８に続く工程を表す説明図である。

【図１０】本発明の一実施の形態に係るマスクパターン
作成方法の他の工程を表す説明図である。

【図１１】図５に示したマスクパターンが作成される場
合の作成工程を表す説明図である。

【図１２】図６に示したマスクパターンが作成される場
合の作成工程を表す説明図である。

【図１３】本発明の第１の実施例における原パターンを
表す説明図である。

【図１４】本発明の第１の実施例に係るマスクパターン
作成方法の一工程を表す説明図である。

【図１５】図１４に続く工程を表す説明図である。

【図１６】図１５に続く工程を表す説明図である。

【図１７】図１６に続く工程を表す説明図である。

【図１８】本発明の第２の実施例において作成されるマ
スクパターンを示す説明図である。

【図１９】本発明の第３の実施例における原パターンを
表す説明図である。

【図２０】本発明の第３の実施例において作成されるマ
スクパターンの一例を示す説明図である。

【図２１】従来の技術を説明するための密なパターンを
表す平面図である。

【図２２】従来の技術を説明するための疎なパターンを
表す平面図である。

【図２３】マスクパターンが密なパターンの場合と、疎
なパターンの場合において、２次光源の条件を変えた場
合に得られる焦点深度の値を示した図である。

【図２４】従来の技術による補助パターンを含むマスク
パターンを表す平面図である。

【図２５】擬似的に密なパターンを形成した場合におけ
る補助パターンの幅と補助パターンの解像寸法との関
係、および補助パターンの幅と疎な原パターンの焦点深
度との関係を表したグラフである。

【符号の説明】

１…マスク作成装置、２…マスクパターン作成部、３…
露光描画手段、２１…原パターン作成手段、２２…補助
パターン作成手段、２３…描画データ作成手段、４１，
５１，６１……原パターン、４２，５１ａ〜５１ｉ，７
２…補助パターン、４３…補助パターン禁止帯、４３
Ｌ，４３Ｒ……原パターン拡大領域、４４Ｌ，４４Ｒ…
…禁止帯拡大領域、４５，５３…補助パターン作成領
域、６２…第１の補助パターン、６３…第２の補助パタ
ーン

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハ基板に転写される原パターンと、
   この原パターンの転写性能を向上させる補助パターンと
   を含むマスクパターンを作成するマスクパターン作成方
   法において、 前記ウェハ基板に転写される原パターンを作成する工程
   と、 この工程により作成された原パターンの外周に所定の幅
   を設定して前記原パターンが拡大された原パターン拡大
   領域を設定し、この原パターン拡大領域を前記補助パタ
   ーンの作成を禁止する補助パターン禁止帯として設定す
   る工程と、 この工程により設定された補助パターン禁止帯の外周に
   所定の幅を設定して前記補助パターン禁止帯が拡大され
   た禁止帯拡大領域を設定し、この禁止帯拡大領域から前
   記補助パターン禁止帯を除いた領域を前記補助パターン
   作成用の補助パターン作成領域として設定する工程と、 この工程により設定された補助パターン作成領域を所定
   の幅に縮小して前記補助パターンを作成する工程とを含
   むことを特徴とするマスクパターン作成方法。
2. 【請求項２】 更に、前記原パターンと前記補助パター
   ンとを含むマスクパターンを所定の描画装置用の描画デ
   ータに変換する工程を含むことを特徴とする請求項１記
   載のマスクパターン作成方法。
3. 【請求項３】 前記補助パターン禁止帯を設定する工程
   において、前記原パターンが複数の図形パターンに分割
   可能な場合には、この複数の図形パターンのそれぞれの
   外周に所定の幅を設定して複数の原パターン拡大領域を
   設定し、その複数の原パターン拡大領域の論理和を前記
   補助パターン禁止帯として設定することを特徴とする請
   求項１記載のマスクパターン作成方法。
4. 【請求項４】 前記補助パターン作成領域を設定する工
   程において、前記補助パターン禁止帯が複数の図形パタ
   ーンに分割可能な場合には、この複数の図形パターンの
   それぞれの外周に所定の幅を設定して複数の禁止帯拡大
   領域を設定し、その複数の禁止帯拡大領域の論理和から
   前記補助パターン禁止帯を除いた領域を前記補助パター
   ン作成領域として設定することを特徴とする請求項１記
   載のマスクパターン作成方法。
5. 【請求項５】 前記補助パターンを作成する工程におい
   て、前記補助パターン作成領域が複数の図形パターンに
   分割可能な場合には、前記補助パターン作成領域を複数
   の図形パターンに分割し、この分割された補助パターン
   作成領域の各々を所定の幅に縮小して前記補助パターン
   を作成することを特徴とする請求項１記載のマスクパタ
   ーン作成方法。
6. 【請求項６】 前記補助パターン禁止帯を設定する工程
   において、前記補助パターン禁止帯設定用の所定の幅を
   前記原パターンの最小幅の５０〜１５０％の値にするこ
   とを特徴とする請求項１記載のマスクパターン作成方
   法。
7. 【請求項７】 前記補助パターンを作成する工程におい
   て、複数の補助パターンが作成される場合には、隣り合
   う補助パターン同士の間隔が前記原パターンの最小幅よ
   りも小さくならないように前記補助パターンを作成する
   ことを特徴とする請求項１記載のマスクパターン作成方
   法。
8. 【請求項８】 前記補助パターンを作成する工程により
   作成される補助パターンの幅は、前記ウェハ基板に転写
   されないような幅であることを特徴とする請求項１記載
   のマスクパターン作成方法。
9. 【請求項９】 ウェハ基板に転写される原パターンと、
   この原パターンの転写性能を向上させる補助パターンと
   を含むマスクパターンを作成するマスクパターン作成装
   置において、 前記ウェハ基板に転写される原パターンを作成する原パ
   ターン作成手段と、 この原パターン作成手段により作成された原パターンの
   外周に所定の幅を設定して前記原パターンが拡大された
   原パターン拡大領域を設定し、この原パターン拡大領域
   を前記補助パターンの作成を禁止する補助パターン禁止
   帯として設定する禁止帯設定手段と、 この禁止帯設定手段により設定された補助パターン禁止
   帯の外周に所定の幅を設定して前記補助パターン禁止帯
   が拡大された禁止帯拡大領域を設定し、この禁止帯拡大
   領域から前記補助パターン禁止帯を除いた領域を前記補
   助パターン作成用の補助パターン作成領域として設定す
   る作成領域設定手段と、 この作成領域手段により設定された補助パターン作成領
   域を所定の幅に縮小して前記補助パターンを作成する補
   助パターン作成手段とを備えることを特徴とするマスク
   パターン作成装置。
10. 【請求項１０】 ウェハ基板に転写される原パターン
    と、この原パターンの転写性能を向上させる補助パター
    ンとを含むマスクパターンがマスク基板上に描画されて
    なるマスクを作成するマスク作成装置において、 前記ウェハ基板に転写される原パターンを作成する原パ
    ターン作成手段と、 この原パターン作成手段により作成された原パターンの
    外周に所定の幅を設定して前記原パターンが拡大された
    原パターン拡大領域を設定し、この原パターン拡大領域
    を前記補助パターンの作成を禁止する補助パターン禁止
    帯として設定する禁止帯設定手段と、 この禁止帯設定手段により設定された補助パターン禁止
    帯の外周に所定の幅を設定して前記補助パターン禁止帯
    が拡大された禁止帯拡大領域を設定し、この禁止帯拡大
    領域から前記補助パターン禁止帯を除いた領域を前記補
    助パターン作成用の補助パターン作成領域として設定す
    る作成領域設定手段と、 この作成領域設定手段により設定された補助パターン作
    成領域を所定の幅に縮小して前記補助パターンを作成す
    る補助パターン作成手段と、 前記原パターンと前記補助パターンとを含むマスクパタ
    ーンを所定の描画データに変換する変換手段と、 この変換手段により変換された描画データに基づいてマ
    スク基板上に前記マスクパターンを描画する描画手段と
    を備えることを特徴とするマスク作成装置。