JPH1168209A - Wavelength variable micro chip laser with electric field control - Google Patents

Wavelength variable micro chip laser with electric field control

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JPH1168209A
JPH1168209A JP21611797A JP21611797A JPH1168209A JP H1168209 A JPH1168209 A JP H1168209A JP 21611797 A JP21611797 A JP 21611797A JP 21611797 A JP21611797 A JP 21611797A JP H1168209 A JPH1168209 A JP H1168209A
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JP
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crystal
laser
electric field
reflection surface
wavelength
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JP21611797A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumio Matsuzaka
文夫 松坂
Takashi Yamamoto
貴史 山本
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IHI Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wavelength variable micro chip laser wherein wavelength is changed in high-responsibility by electric field control. SOLUTION: A non-liner crystal 12 so configured that the index of refraction in each active direction is changed when electric field is applied, and a laser crystal 14, are provided. The non-liner crystal and the laser crystal comprise, respectively, plane interfaces 12a and 14a common to each other, and an outside end surface almost orthogonal to the interface. The outside end surface of the laser crystal is a total reflection surface 14b while that of the non-liner crystal is a partial reflection surface 12b, and the total reflection surface and the partial reflection surface constitute a Fabry-Perot type resonator. Further, by using polarizing crystal for the laser crystal, it can function as a double refraction filter on electric field control without incorporating in polarizing plate, the loss is reduced and wavelength is changed in high responsibility.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電界制御による波
長可変マイクロチップレーザに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wavelength tunable microchip laser controlled by an electric field.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、従来の複屈折フィルタの原理図
である。この複屈折フィルタは、異なった厚さの数個の
石英波長板からなり、各石英板は、空洞内で垂直に偏光
した光が石英板の表面で反射による損失を受けないよう
に、空洞内にブルースター角をなして置かれる。無損失
条件は、空洞内で高度に直線偏光した光の増幅を可能に
する。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a principle diagram of a conventional birefringent filter. This birefringent filter consists of several quartz wave plates of different thicknesses, each quartz plate having a cavity inside it so that the vertically polarized light in the cavity is not lost by reflection on the surface of the quartz plate. Is placed at Brewster's corner. Lossless conditions allow amplification of highly linearly polarized light within the cavity.

【0003】もし、真空中の波長λ0 がd(nslow−n
fast)=mλ0 (mは整数)で、dは光が石英板中を進
行する距離であるような関係を満足するとき、その石英
板が垂直偏光光に対して全波長板となるように、石英板
の結晶軸が向けられている。他の波長の場合には、石英
板を通過した垂直偏光光の伝送は楕円偏光となる。端ミ
ラーで反射した後、この楕円偏光光は次に波長板表面と
会う際に反射による損失を受ける。この損失は、全波長
条件を満たす波長とはるかに異なる波長ではレーザ動作
が起こらないようにする。
If the wavelength λ 0 in vacuum is d (n slow −n
fast ) = mλ 0 (m is an integer), and when d satisfies the relationship that the light travels through the quartz plate, the quartz plate becomes a full-wavelength plate for vertically polarized light. The crystal axis of the quartz plate is oriented. For other wavelengths, the transmission of vertically polarized light through the quartz plate is elliptically polarized. After being reflected by the end mirror, this elliptically polarized light experiences a reflection loss the next time it meets the waveplate surface. This loss ensures that laser operation does not occur at wavelengths far different from those that satisfy the full wavelength condition.

【0004】レーザの同調は図4に示すように、共通の
台に取り付けられている板を、板の法線のまわりに回転
することによって達成される。板は光軸に対して傾けら
れているので、回転によって効果的に遅軸屈折率がn
slowからn′slowに変化し、これによって選択波長が
λ′0 =d(n′slow−nfast)/mに変化する。従っ
て、図4に示した複屈折フィルタをレーザのミラー間に
挿入することにより、波長λ0 の特定の偏光のみを選択
して増幅することができる。
[0004] Tuning of the laser is accomplished by rotating a plate mounted on a common platform about the plate normal, as shown in FIG. Since the plate is tilted with respect to the optical axis, the rotation effectively causes the slow axis refractive index to be n.
From slow to n ′ slow , the selected wavelength changes to λ ′ 0 = d (n ′ slow −n fast ) / m. Therefore, by inserting the birefringent filter shown in FIG. 4 between the mirrors of the laser, it is possible to select and amplify only specific polarized light of wavelength λ 0 .

【0005】図5は、別の複屈折フィルターの構成図
(A)とその特性図(B)である。この図において複屈
折フィルターは、厚さが異なる3枚の非線形結晶b1,
2,3と偏光板P1,2,3 とからなる。3枚の非線形
結晶b1,2,3 の厚さはそれぞれd1,2d1,4d1
あり、偏光板P1,2,3 はα軸,β軸に対して45°
に偏光面が設定されている。この場合、非線形結晶b1
と偏光板P1 の組み合わせを通過する光の通過率は、
(B)のaのようになり、同様に、非線形結晶b2と偏
光板P2 、非線形結晶b3 と偏光板P4 の組み合わせを
通過する光の通過率は、(B)のb,dのようになる。
従って、図5(A)の全体では、(B)のeのように非
常に狭いバンドパスフィルターとして機能させることが
できる。なお、この複屈折フィルターは、“The Birefr
ingent Filter"(THE OPTICAL SOCIETYOF AMERICA, VOLU
ME 39,NUMBER3, MARCH, 1949)に開示されている。
FIG. 5 shows a configuration diagram (A) and a characteristic diagram (B) of another birefringent filter. In this figure, the birefringent filter is composed of three nonlinear crystals b 1 and b 3 having different thicknesses.
2, consists of b 3 and the polarizing plate P 1, P 2, P 3 Prefecture. Of three nonlinear crystal b 1, b 2, a thickness of the b 3 respectively d 1, is 2d 1, 4d 1, the polarizer P 1, P 2, P 3 are α-axis, 45 ° with respect to β-axis
Is set to a polarization plane. In this case, the nonlinear crystal b 1
And the transmittance of light passing through the combination of the polarizing plate P 1 is
Similarly, the transmittance of light passing through the combination of the nonlinear crystal b 2 and the polarizing plate P 2 , and the transmittance of light passing through the combination of the nonlinear crystal b 3 and the polarizing plate P 4 are b and d in FIG. become that way.
Therefore, the whole of FIG. 5A can function as a very narrow band-pass filter like e in FIG. 5B. This birefringent filter is called “The Birefr
ingent Filter "(THE OPTICAL SOCIETYOF AMERICA, VOLU
ME 39, NUMBER3, MARCH, 1949).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の複屈折
フィルタは、石英板、雲母板等の屈折率固定の複屈折素
子を用いてこれを機械的に傾斜、回転させることにより
波長選択する必要がある。しかし、そのためそのような
機械的制御の難しい超小型かつ精密な装置、例えばマイ
クロチップレーザ等の制御への適用は困難である問題点
があった。
In the above-described conventional birefringent filter, it is necessary to select a wavelength by mechanically tilting and rotating the birefringent element such as a quartz plate or a mica plate using a fixed refractive index. There is. However, there has been a problem that it is difficult to apply to control of such a microminiature and precise device that is difficult to mechanically control, for example, a microchip laser or the like.

【0007】また、従来のモノリシックなマイクロチッ
プレーザでは、結晶温度等の制御によってしか波長が可
変しないため、迅速な制御を可能にするために複合共振
器を使用し電歪素子で制御することが従来から行われて
いる。しかし、この場合でも応答性が低い問題点があっ
た。
In the conventional monolithic microchip laser, the wavelength can be changed only by controlling the crystal temperature or the like. Therefore, in order to enable quick control, it is necessary to use a composite resonator and control the electrostrictive element. This has been done conventionally. However, even in this case, there is a problem that the response is low.

【0008】本発明はかかる問題点を解決するために創
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、電界
制御により高い応答性で波長を変化させることができる
波長可変マイクロチップレーザを提供することにある。
The present invention has been made to solve such a problem. That is, an object of the present invention is to provide a wavelength tunable microchip laser capable of changing a wavelength with high response by electric field control.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電界の
印加によって各結晶軸方向の屈折率を変化させるように
構成された非線形結晶と、レーザ結晶とからなり、該非
線形結晶とレーザ結晶はそれぞれ、互いに共通な平面境
界面と、該境界面にほぼ直交する外端面とを有し、レー
ザ結晶の外端面は全反射面であり、非線形結晶の外端面
は部分反射面であり、レーザ結晶の全反射面と非線形結
晶の部分反射面とによりファブリペロー型共振器を構成
する、ことを特徴とする電界制御による波長可変マイク
ロチップレーザが提供される。
According to the present invention, there are provided a nonlinear crystal and a laser crystal, each of which is configured to change the refractive index in each crystal axis direction by applying an electric field. Each have a common plane boundary surface and an outer end surface substantially orthogonal to the boundary surface, the outer end surface of the laser crystal is a total reflection surface, the outer end surface of the nonlinear crystal is a partially reflection surface, A Fabry-Perot type resonator is constituted by a total reflection surface of a crystal and a partial reflection surface of a nonlinear crystal.

【0010】上記本発明の構成によれば、一次電気光学
効果をもつ結晶(非線形結晶)を、適切な軸方向に用
い、電界の印加によって、通常の複屈折素子を機械的に
操作する場合と同様の効果が得られる。すなわち、複合
共振型マイクロチップレーザにおいて、発振波長を制御
する手段として、一次電気光学的効果を利用し、その屈
折率変化によってその光学長を変動させて制御する。こ
れにより、電歪に比べ、動作速度の向上が期待できる。
According to the configuration of the present invention, a crystal having a primary electro-optic effect (non-linear crystal) is used in an appropriate axial direction, and a normal birefringence element is mechanically operated by applying an electric field. Similar effects can be obtained. That is, in the complex resonance type microchip laser, as a means for controlling the oscillation wavelength, the primary electro-optic effect is used, and the optical length is changed by the change in the refractive index to control. Thereby, an improvement in operation speed can be expected as compared with electrostriction.

【0011】本発明の好ましい実施形態によれば、前記
レーザ結晶は、偏光性のある結晶である。この構成によ
り、偏光板を組み込むことなしに、電界制御による複屈
折フィルタとして機能させ、損失を低減し高い応答性で
波長を変化させることができる。また、前記非線形結晶
の非線形軸がレーザの光軸と整合している、ことが好ま
しい。この構成により、結晶に電界の印加によって、レ
ーザ光軸方向の屈折率を直接変化させ、光路長が制御で
き、波長制御が可能となる。また、電歪素子に比べて応
答性が高まり、安定化制御等の性能が向上する。
According to a preferred embodiment of the present invention, the laser crystal is a polarizing crystal. With this configuration, it is possible to function as a birefringent filter by electric field control without incorporating a polarizing plate, reduce loss, and change the wavelength with high responsiveness. Preferably, the nonlinear axis of the nonlinear crystal is aligned with the optical axis of the laser. With this configuration, by applying an electric field to the crystal, the refractive index in the laser optical axis direction can be directly changed, the optical path length can be controlled, and the wavelength can be controlled. In addition, the responsiveness is improved as compared with the electrostrictive element, and the performance such as stabilization control is improved.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図面を参照して説明する。なお、各図において、共通
する部分には同一の符号を付して使用する。図1は、非
線形結晶の説明図である。この図に示すように、非線形
結晶12は、側面に対向して取り付けられた2枚の電極
13に電圧が印加されるようになっており、この電圧に
より生じる電界の印加によって各結晶軸方向の屈折率n
x, y,z の少なくとも1つが変化する特性を有してい
る。かかる特性を一次電気光学効果とも呼ぶ。なお、か
かる非線形結晶としては、BBO,LBO等が知られて
いる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
Will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure,
The same reference numerals are used for the portions to be used. FIG.
It is explanatory drawing of a linear crystal. As shown in this figure,
The crystal 12 is composed of two electrodes mounted on the sides facing each other.
13, a voltage is applied to this voltage.
The refractive index n in each crystal axis direction by the application of an electric field generated
x,n y,nzAt least one of which has a changing property
You. Such a characteristic is also called a primary electro-optic effect. In addition,
BBO, LBO, etc. are known as such nonlinear crystals.
I have.

【0013】図2は、本発明による波長可変マイクロチ
ップレーザの構成図である。この図において、(A)は
側面図、(B)は端面図である。この図に示すように、
本発明の電界制御による波長可変マイクロチップレーザ
10は、非線形結晶12とレーザ結晶14とからなる。
またこの図に示すように、非線形結晶12とレーザ結晶
14はそれぞれ、互いに共通な平面境界面12a,14
aと、この境界面12a,14aにほぼ直交する外端面
12b,14bとを有する。レーザ結晶14の外端面1
4bは全反射面であり、非線形結晶12の外端面12b
は部分反射面であり、このレーザ結晶の全反射面14b
と非線形結晶の部分反射面12bとによりいわゆるファ
ブリペロー型共振器(すなわち複合共振型マイクロチッ
プレーザ)を構成している。
FIG. 2 is a configuration diagram of a wavelength tunable microchip laser according to the present invention. In this figure, (A) is a side view, and (B) is an end view. As shown in this figure,
The wavelength tunable microchip laser 10 by electric field control according to the present invention includes a nonlinear crystal 12 and a laser crystal 14.
Further, as shown in this figure, the nonlinear crystal 12 and the laser crystal 14 are respectively provided with common plane boundary surfaces 12a and 14a.
a and outer end faces 12b and 14b substantially orthogonal to the boundary faces 12a and 14a. Outer end face 1 of laser crystal 14
4b is a total reflection surface, and the outer end surface 12b of the nonlinear crystal 12
Is a partial reflection surface, and the total reflection surface 14b of this laser crystal
A so-called Fabry-Perot resonator (i.e., a composite resonance type microchip laser) is constituted by the above and the partial reflection surface 12b of the nonlinear crystal.

【0014】更に図2の例において、レーザ結晶14
は、例えばTm:YLF等の偏光性のある結晶である。
また、この例では、非線形結晶12の各結晶軸cは、レ
ーザの光軸と整合していない。この構成により、レーザ
結晶の全反射面14bと非線形結晶の部分反射面12b
との間でレーザ光を反射させて光の帰還を行わせると、
レーザ結晶14が偏光性結晶であることから、偏光板を
組み込むことなしに、電界制御による複屈折フィルタと
して機能させ、図に両矢印で示す偏光光のみが増幅され
て偏光レーザ光を部分反射面12bから放射させること
ができる。
Further, in the example of FIG.
Is a crystal having a polarizing property such as Tm: YLF.
Further, in this example, each crystal axis c of the nonlinear crystal 12 is not aligned with the optical axis of the laser. With this configuration, the total reflection surface 14b of the laser crystal and the partial reflection surface 12b of the nonlinear crystal
When the laser beam is reflected back between the
Since the laser crystal 14 is a polarizing crystal, it functions as a birefringent filter by electric field control without incorporating a polarizing plate, and only the polarized light indicated by a double arrow in the figure is amplified, and the polarized laser light is partially reflected on the reflecting surface. 12b.

【0015】また、この構成によれば、一次電気光学効
果をもつ結晶(非線形結晶12)を、適切な軸方向に用
い、電界の印加によって、通常の複屈折素子を機械的に
操作する場合と同様の効果が得られる。すなわち、複合
共振型マイクロチップレーザにおいて、発振波長を制御
する手段として、一次電気光学的効果を利用し、その屈
折率変化によってその光学長を変動させて制御すること
により、電歪に比べ、動作速度の向上が期待できる。
According to this structure, a crystal having the first-order electro-optic effect (non-linear crystal 12) is used in an appropriate axial direction, and a normal birefringent element is mechanically operated by applying an electric field. Similar effects can be obtained. In other words, in a complex-resonant microchip laser, the primary electro-optic effect is used as a means for controlling the oscillation wavelength, and the optical length is changed by the change in the refractive index to control the operation. Speed improvement can be expected.

【0016】図3は、本発明による別の波長可変マイク
ロチップレーザの構成図である。この図において、非線
形結晶12の非線形軸(例えばz軸)がレーザの光軸Z
と整合している。また、この例では、レーザ結晶14
は、偏光性結晶以外でもよく、例えばTm:YLF、T
m:YAG等を用いることができる。その他の構成は、
図2と同様である。
FIG. 3 is a block diagram of another tunable microchip laser according to the present invention. In this figure, the nonlinear axis (for example, z axis) of the nonlinear crystal 12 is the optical axis Z of the laser.
Is consistent with In this example, the laser crystal 14
May be other than a polarizing crystal, for example, Tm: YLF, Tm
m: YAG or the like can be used. Other configurations are
It is the same as FIG.

【0017】この構成により、結晶に電界の印加によっ
て、レーザ光軸方向の屈折率を直接変化させ、光路長が
制御でき、波長制御が可能となる。また、電歪素子に比
べて応答性が高まり、安定化制御等の性能が向上する。
With this configuration, by applying an electric field to the crystal, the refractive index in the laser optical axis direction can be directly changed, the optical path length can be controlled, and the wavelength can be controlled. In addition, the responsiveness is improved as compared with the electrostrictive element, and the performance such as stabilization control is improved.

【0018】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できる
ことは勿論である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the present invention.

【0019】[0019]

【発明の効果】上述したように、本発明の電界制御によ
る波長可変マイクロチップレーザは、電界制御により高
い応答性で波長を変化させることができる、等の優れた
効果を有する。
As described above, the wavelength tunable microchip laser according to the present invention has an excellent effect that the wavelength can be changed with high responsiveness by controlling the electric field.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】非線形結晶の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a nonlinear crystal.

【図2】本発明による波長可変マイクロチップレーザの
構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a wavelength tunable microchip laser according to the present invention.

【図3】本発明による別の波長可変マイクロチップレー
ザの構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of another tunable microchip laser according to the present invention.

【図4】従来の複屈折フィルタの原理図である。FIG. 4 is a principle diagram of a conventional birefringent filter.

【図5】従来の別の複屈折フィルタの原理図である。FIG. 5 is a principle diagram of another conventional birefringent filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 波長可変マイクロチップレーザ 12 非線形結晶 12a 境界面 12b 全反射面 13 電極 14 レーザ結晶 14a 境界面 14b 部分反射面 Reference Signs List 10 wavelength-tunable microchip laser 12 nonlinear crystal 12a boundary surface 12b total reflection surface 13 electrode 14 laser crystal 14a boundary surface 14b partial reflection surface

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電界の印加によって各結晶軸方向の屈折
率を変化させるように構成された非線形結晶と、レーザ
結晶とからなり、該非線形結晶とレーザ結晶はそれぞ
れ、互いに共通な平面境界面と、該境界面にほぼ直交す
る外端面とを有し、レーザ結晶の外端面は全反射面であ
り、非線形結晶の外端面は部分反射面であり、レーザ結
晶の全反射面と非線形結晶の部分反射面とによりファブ
リペロー型共振器を構成する、ことを特徴とする電界制
御による波長可変マイクロチップレーザ。
1. A non-linear crystal configured to change a refractive index in each crystal axis direction by application of an electric field, and a laser crystal. The non-linear crystal and the laser crystal each have a plane boundary surface common to each other. An outer end surface substantially orthogonal to the boundary surface, the outer end surface of the laser crystal is a total reflection surface, the outer end surface of the nonlinear crystal is a partial reflection surface, and a total reflection surface of the laser crystal and a portion of the nonlinear crystal. A wavelength tunable microchip laser controlled by an electric field, wherein a Fabry-Perot resonator is constituted by a reflection surface.
【請求項2】 前記レーザ結晶は、偏光性のある結晶で
ある、ことを特徴とする請求項1に記載の電界制御によ
る波長可変マイクロチップレーザ。
2. The laser chip according to claim 1, wherein said laser crystal is a crystal having a polarization property.
【請求項3】 前記非線形結晶の非線形軸がレーザの光
軸と整合している、ことを特徴とする請求項1に記載の
電界制御による波長可変マイクロチップレーザ。
3. The tunable microchip laser according to claim 1, wherein a nonlinear axis of the nonlinear crystal is aligned with an optical axis of the laser.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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