JPH11337961A - Reflective liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents

Reflective liquid crystal display device and its manufacture

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Publication number
JPH11337961A
JPH11337961A JP10144843A JP14484398A JPH11337961A JP H11337961 A JPH11337961 A JP H11337961A JP 10144843 A JP10144843 A JP 10144843A JP 14484398 A JP14484398 A JP 14484398A JP H11337961 A JPH11337961 A JP H11337961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
insulating film
crystal display
display device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10144843A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Horigami
伸一 堀上
Takehiko Sakai
健彦 坂井
Yoshikazu Sakihana
由和 咲花
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10144843A priority Critical patent/JPH11337961A/en
Publication of JPH11337961A publication Critical patent/JPH11337961A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflective liquid crystal display having a bright display and a low cost, and a simple method for its manufacturing. SOLUTION: The reflective liquid crystal display comprises a plurality of scanning signal lines and data signal lines located crossing with each other, switching elements located in a pattern of a matrix, an active matrix substrate 30 having pixel electrodes which are provided corresponding to switching element and have reflective functions, a counter substrate 40 having a counter electrode and a liquid crystal layer 10 which is located between the active matrix substrate 30 and the counter substrate 40. The pixel electrode has a surface with projecting and recessing parts which are corresponding to the projecting parts having a layer formed with a substrate protecting layer and another layer formed with a gate insulating film 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置およびその製造方法に関する。より詳細には、本発明
は、明るい表示を有し、かつ低コストの反射型液晶表示
装置およびその簡便な製造方法に関する。
The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device and a method for manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a low-cost reflective liquid crystal display device having a bright display and a simple manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどのOA機器への液晶表示
装置の応用が急速に進展している。さらに、このような
OA機器のポータブル化が進んでいる。OA機器のポー
タブル化に伴って、液晶表示装置の小型化が望まれてい
る。特に、外部から入射した光を反射させて表示を行う
反射型液晶表示装置は、バックライトが不要で消費電力
が低く、かつ、薄型で軽量化が可能であるので非常に注
目されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the application of liquid crystal display devices to office automation equipment such as word processors, laptop computers, pocket televisions and the like has been rapidly advancing. Furthermore, such OA equipment is becoming portable. 2. Description of the Related Art As OA equipment has become more portable, it has been desired to reduce the size of liquid crystal display devices. In particular, a reflective liquid crystal display device that performs display by reflecting light incident from the outside has attracted much attention because it does not require a backlight, has low power consumption, and can be thin and lightweight.

【0003】従来より、優れた表示特性を得るために、
凹凸形状を有する反射電極を備えた反射型液晶表示装置
が提案されている(例えば、特開平5-232465号公報)。
凹凸形状を有する反射電極は、表示画面に垂直な方向へ
散乱する光の強度を増大させるので、明るい表示の反射
型液晶表示装置が得られる。特開平5-232465号公報によ
れば、このような反射電極は、(1)基板に感光性樹脂で
なる第1膜を形成し;(2)この第1膜をパターニングし
て、基板に多数の微細な凹凸を形成し;(3)凹凸が形成
された基板にアクリル系樹脂などの液状材料を塗布しそ
して硬化させて、多数の曲面部を有する第2膜を形成
し;(4)第2膜上に反射性材料でなる膜を形成すること
により得られる。
Conventionally, in order to obtain excellent display characteristics,
There has been proposed a reflection type liquid crystal display device provided with a reflection electrode having an uneven shape (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-232465).
Since the reflective electrode having the uneven shape increases the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen, a reflective liquid crystal display device with a bright display can be obtained. According to Japanese Patent Application Laid-Open No. H5-232465, such a reflective electrode includes (1) forming a first film made of a photosensitive resin on a substrate; and (2) patterning the first film to form a large number on the substrate. (3) A liquid material such as an acrylic resin is applied to the substrate on which the irregularities are formed and cured to form a second film having a large number of curved surfaces; (4) It is obtained by forming a film made of a reflective material on the two films.

【0004】上記のように、特開平5-232465号公報に記
載のような凹凸形状を有する反射電極を備えた反射型液
晶表示装置は、表示が明るいという利点を有する一方
で、製造工程が煩雑であり、その結果、製造コストが増
大するという問題を有する。より詳細には、このような
液晶表示装置の製造方法は、通常の反射型液晶表示装置
の製造工程に加えて、反射電極に凹凸形状を付与するた
めの工程(上記工程(1)〜(4))をさらに含まなければな
らない。
As described above, a reflective liquid crystal display device having a reflective electrode having an uneven shape as described in JP-A-5-232465 has an advantage that the display is bright, but the manufacturing process is complicated. As a result, there is a problem that the manufacturing cost increases. More specifically, such a method of manufacturing a liquid crystal display device includes, in addition to a normal manufacturing process of a reflective liquid crystal display device, a process for providing a concave and convex shape on a reflective electrode (the above processes (1) to (4)). )).

【0005】あるいは、特開平7-159776号公報には、補
助容量配線を用いて形成された凹凸を有する反射電極を
備える液晶表示装置が記載されている。しかし、このよ
うな反射電極は十分な反射特性(すなわち、明るさ)が
得られない。補助容量配線は液晶表示装置の駆動に関係
するので、駆動に影響を与えない範囲でしか凹凸を形成
できないからである。
[0005] Alternatively, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-159776 describes a liquid crystal display device provided with a reflective electrode having irregularities formed using auxiliary capacitance wiring. However, such a reflective electrode does not provide sufficient reflective characteristics (that is, brightness). This is because the auxiliary capacitance wiring is related to the driving of the liquid crystal display device, and therefore, the unevenness can be formed only within a range that does not affect the driving.

【0006】従って、明るい表示を有し、かつ低コスト
の反射型液晶表示装置およびその簡便な製造方法が望ま
れている。
Therefore, there is a demand for a low-cost reflective liquid crystal display device having a bright display and a simple manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の課
題を解決するためになされたものであり、その目的とす
るところは、明るい表示を有し、かつ低コストの反射型
液晶表示装置およびその簡便な製造方法を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display device having a bright display and a low cost. It is to provide a simple manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、互いに交差して設けられた複数の走査信号線お
よびデータ信号線と、マトリクス状に設けられたスイッ
チング素子と、該スイッチング素子に対応して設けられ
た反射機能を有する画素電極とを有するアクティブマト
リクス基板と;対向電極を有する対向基板と;該アクテ
ィブマトリクス基板と該対向基板との間に配された液晶
層とを備え、該画素電極が凹凸表面を有し、該画素電極
の凹凸が、基板保護膜から形成された層とゲート絶縁膜
から形成された層とを有する凸部に対応している。
The reflection type liquid crystal display device of the present invention comprises a plurality of scanning signal lines and data signal lines provided crossing each other, switching elements provided in a matrix, and the switching elements. An active matrix substrate having a pixel electrode having a reflection function provided in correspondence with: an opposing substrate having an opposing electrode; and a liquid crystal layer disposed between the active matrix substrate and the opposing substrate; The pixel electrode has an uneven surface, and the unevenness of the pixel electrode corresponds to a projection having a layer formed from the substrate protective film and a layer formed from the gate insulating film.

【0009】好適な実施態様においては、上記凸部が、
上記データ信号線を形成する材料の層をさらに有する。
In a preferred embodiment, the convex portion is
The semiconductor device further includes a layer of a material for forming the data signal line.

【0010】好適な実施態様においては、この液晶表示
装置は、上記スイッチング素子上および上記凸部上に層
間絶縁膜をさらに備え、該層間絶縁膜は該凸部に対応し
て凹凸表面を有し、上記画素電極の凹凸が、該層間絶縁
膜の該凹凸に対応している。
In a preferred embodiment, the liquid crystal display device further includes an interlayer insulating film on the switching element and the convex portion, and the interlayer insulating film has an uneven surface corresponding to the convex portion. The unevenness of the pixel electrode corresponds to the unevenness of the interlayer insulating film.

【0011】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法
は、基板に、基板保護膜およびゲート絶縁膜を形成する
工程と;該基板保護膜および該ゲート絶縁膜をパターニ
ングして、該基板保護膜から形成された層と該ゲート絶
縁膜から形成された層とを有する凸部を該基板の画素部
に形成し、同時に、該基板の端子部の該ゲート絶縁膜を
パターニングする工程と;該凸部に対応した凹凸表面を
有する、反射機能を有する画素電極を形成する工程とを
含む。
The method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device according to the present invention comprises the steps of: forming a substrate protective film and a gate insulating film on a substrate; and patterning the substrate protective film and the gate insulating film to form the substrate protective film. Forming a convex portion having a layer formed from the above and a layer formed from the gate insulating film in a pixel portion of the substrate, and simultaneously patterning the gate insulating film in a terminal portion of the substrate; Forming a pixel electrode having a reflective function and having a concave-convex surface corresponding to the portion.

【0012】好適な実施態様においては、この方法は、
上記凸部が形成された基板に、データ信号線を形成し、
同時に、該凸部の上記ゲート絶縁膜から形成された層上
に該データ信号線を形成する材料の層を形成する工程を
さらに含む。
In a preferred embodiment, the method comprises:
Forming a data signal line on the substrate on which the convex portion is formed;
At the same time, the method further includes a step of forming a layer of a material for forming the data signal line on the layer of the convex portion formed from the gate insulating film.

【0013】以下、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.

【0014】本発明によれば、画素電極(反射電極)の
凹凸が、基板保護膜から形成された層とゲート絶縁膜か
ら形成された層とを有する凸部に対応している。すなわ
ち、TFTを形成するために必須の材料を用いて基板上
に凹凸を形成し、この凹凸を利用して、凹凸表面を有す
る画素電極を形成する。そのため、反射電極の凹凸を形
成するためにのみ必要とされる材料および製造工程が不
要となる。従って、低コストで、製造効率に優れた液晶
表示装置が得られる。さらに、基板保護膜およびゲート
絶縁膜はいずれも、液晶表示装置の駆動には関係しない
ので、最適な反射特性を有する凹凸を形成することがで
きる。従って、反射特性に優れた(すなわち、明るい)
液晶表示装置が得られる。
According to the present invention, the unevenness of the pixel electrode (reflection electrode) corresponds to the projection having the layer formed of the substrate protective film and the layer formed of the gate insulating film. That is, unevenness is formed on a substrate using a material essential for forming a TFT, and a pixel electrode having an uneven surface is formed using the unevenness. Therefore, a material and a manufacturing process required only for forming the unevenness of the reflective electrode are not required. Therefore, a liquid crystal display device with low cost and excellent manufacturing efficiency can be obtained. Further, since neither the substrate protective film nor the gate insulating film is involved in driving the liquid crystal display device, it is possible to form irregularities having optimal reflection characteristics. Therefore, the reflection characteristics are excellent (that is, bright).
A liquid crystal display device is obtained.

【0015】好ましい実施態様によれば、ソース配線用
の材料もまた、凹凸の形成に用いられる。ソース配線を
形成すると同時に、ソース配線用の材料を凹凸形成に利
用することにより、TFTを形成する材料以外の材料の
消費がさらに抑えられ、かつ、製造工程をさらに少なく
することができる。
According to a preferred embodiment, the material for the source wiring is also used for forming the irregularities. By using the material for the source wiring to form the irregularities simultaneously with the formation of the source wiring, consumption of materials other than the material for forming the TFT can be further suppressed, and the number of manufacturing steps can be further reduced.

【0016】別の好ましい実施態様によれば、凸部上に
層間絶縁膜がさらに設けられる。層間絶縁膜は、通常、
液状の感光性アクリル樹脂から形成される。このような
液状の感光性アクリル樹脂から形成される層間絶縁膜
は、塗布時の表面張力に起因して、凸部に対応する部分
では上に凸の円弧状断面を有し、凹部(凸部以外の部
分)に対応する部分では下に凸の円弧状断面を有する。
すなわち、液状アクリル樹脂から層間絶縁膜を形成する
ことにより、平坦部が少ない凹凸表面を得ることができ
る。このような平坦部が少ない凹凸表面に反射電極を形
成すると、正反射成分が少なくなるので、鏡面状態より
もむしろ散乱状態に近い反射特性を有する反射電極が得
られる。しかも、層間絶縁膜は、TFTの保護膜として
の機能も有するので、TFTを形成する材料以外の材料
の消費がさらに抑えられ、かつ、製造工程をさらに少な
くすることができる。
According to another preferred embodiment, an interlayer insulating film is further provided on the projection. The interlayer insulating film is usually
It is formed from a liquid photosensitive acrylic resin. The interlayer insulating film formed of such a liquid photosensitive acrylic resin has an upwardly convex arc-shaped cross section at a portion corresponding to the convex portion due to the surface tension at the time of application, and has a concave portion (a convex portion). The portion corresponding to (other portions) has a downwardly convex arc-shaped cross section.
That is, by forming an interlayer insulating film from a liquid acrylic resin, an uneven surface with few flat portions can be obtained. When a reflective electrode is formed on such an uneven surface having a small number of flat portions, a specular reflection component is reduced, so that a reflective electrode having a reflection characteristic closer to a scattering state rather than a mirror state can be obtained. In addition, since the interlayer insulating film also has a function as a protective film for the TFT, consumption of materials other than the material forming the TFT can be further suppressed, and the number of manufacturing steps can be further reduced.

【0017】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法に
よれば、基板の画素部に凸部を形成すると同時に、基板
の端子部を加工する。従って、従来の製造方法に比べ
て、製造工程が顕著に簡略化され得る。
According to the method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device of the present invention, a convex portion is formed in a pixel portion of a substrate, and simultaneously, a terminal portion of the substrate is processed. Therefore, the manufacturing process can be significantly simplified as compared with the conventional manufacturing method.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について図面を参照して具体的に説明するが、本発明は
これらの実施形態には限定されない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these embodiments.

【0019】図1は、本発明の好ましい実施態様による
液晶表示装置の概略平面図であり、図2は、図1の液晶
表示装置のII-II線による断面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of the liquid crystal display of FIG.

【0020】図1および図2に示すように、この液晶表
示装置100は、アクティブマトリクス基板30と、対向基
板40と、該アクティブマトリクス基板30と該対向基板40
との間に配設された液晶層10とを備える。
As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device 100 includes an active matrix substrate 30, a counter substrate 40, the active matrix substrate 30, and the counter substrate 40.
And a liquid crystal layer 10 disposed between the two.

【0021】アクティブマトリクス基板30においては、
絶縁性基板(例えば、ガラス基板)1上に、基板保護膜
(ベースコート膜)2が設けられている。さらに、絶縁
性基板上には、マトリクス状に配設されたスイッチング
素子(例えば、TFT)50と、各スイッチング素子50に
ゲート信号を送るためのゲート配線(走査信号線)4お
よびソース信号(データ信号)を送るためのソース配線
(データ信号線)6とが設けられている。ゲート配線4
およびソース配線6はそれぞれ、互いに平行に設けられ
ている。ゲート配線4とソース配線6とは、互いに交差
(本実施形態では、実質的に直交)するように設けられ
ている。スイッチング素子50、ゲート配線4およびソー
ス配線6を覆うように、層間絶縁膜(アクリル系樹脂
膜)7が設けられている。さらに、層間絶縁膜7上に、
反射機能を有する画素電極(反射電極)8が設けられて
いる。必要に応じて、アクティブマトリクス基板30の液
晶層10側表面に、配向膜9が設けられる。
In the active matrix substrate 30,
A substrate protection film (base coat film) 2 is provided on an insulating substrate (for example, a glass substrate) 1. Further, on the insulating substrate, switching elements (for example, TFTs) 50 arranged in a matrix, a gate wiring (scanning signal line) 4 for sending a gate signal to each switching element 50, and a source signal (data And a source wiring (data signal line) 6 for transmitting a signal. Gate wiring 4
And source wiring 6 are provided in parallel with each other. The gate wiring 4 and the source wiring 6 are provided so as to cross each other (substantially orthogonal in this embodiment). An interlayer insulating film (acrylic resin film) 7 is provided so as to cover the switching element 50, the gate wiring 4 and the source wiring 6. Further, on the interlayer insulating film 7,
A pixel electrode (reflection electrode) 8 having a reflection function is provided. If necessary, the alignment film 9 is provided on the surface of the active matrix substrate 30 on the liquid crystal layer 10 side.

【0022】スイッチング素子(TFT)50は、ゲート
電極4b、ゲート絶縁膜3、半導体層5、コンタクト層5a
および5b、ソース電極6b、およびドレイン電極6cを有す
る。ゲート配線4の一部が分岐してゲート電極4bを構成
し、ソース配線6の一部が分岐してソース電極6bを構成
する。TFT50は、そのドレイン電極6cが、層間絶縁膜
7を貫通して設けられたコンタクトホール13を介して反
射電極8と電気的に接続されている。
The switching element (TFT) 50 includes a gate electrode 4b, a gate insulating film 3, a semiconductor layer 5, and a contact layer 5a.
5b, a source electrode 6b, and a drain electrode 6c. A part of the gate wiring 4 branches to form a gate electrode 4b, and a part of the source wiring 6 branches to form a source electrode 6b. The TFT 50 has a drain electrode 6c electrically connected to the reflective electrode 8 via a contact hole 13 provided through the interlayer insulating film 7.

【0023】対向基板40は、絶縁性基板1上に、カラー
フィルタ12とブラックマトリクス11と、必要に応じて配
向膜9とを有する。
The counter substrate 40 has a color filter 12, a black matrix 11, and an alignment film 9 if necessary, on the insulating substrate 1.

【0024】反射電極8は、凹凸表面を有する。あらゆ
る角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向へ散
乱する光の強度を増加させるためである。反射電極8の
凹凸は、少なくとも基板保護膜2から形成された層とゲ
ート絶縁膜3から形成された層とを有する凸部14に対応
している(すなわち、反射電極表面の凸部が凸部14に対
応し、反射電極表面の凹部が、凸部14が形成されていな
い部分(便宜上、凹部14'とする)に対応している)。
好ましくは、この凸部14は、基板保護膜2およびゲート
絶縁膜3を同時にパターニングすることにより形成され
る。好ましくは、この凸部14は、ゲート絶縁膜3から形
成された層上に、ソース配線用材料の層6'を有し得る。
好ましくは、反射電極8の凹凸表面は、凸部14を有する
基板1上に設けられた層間絶縁膜の凹凸表面に対応して
形成される。
The reflection electrode 8 has an uneven surface. This is to increase the intensity of light scattered in a direction perpendicular to the display screen with respect to incident light from all angles. The unevenness of the reflective electrode 8 corresponds to the convex portion 14 having at least the layer formed from the substrate protective film 2 and the layer formed from the gate insulating film 3 (that is, the convex portion on the surface of the reflective electrode is convex). The recesses on the surface of the reflective electrode correspond to the portions where the protrusions 14 are not formed (for convenience, the recesses 14 ').
Preferably, the projections 14 are formed by simultaneously patterning the substrate protection film 2 and the gate insulating film 3. Preferably, this convex portion 14 may have a layer 6 ′ of a source wiring material on a layer formed from the gate insulating film 3.
Preferably, the uneven surface of the reflective electrode 8 is formed corresponding to the uneven surface of the interlayer insulating film provided on the substrate 1 having the convex portions 14.

【0025】図3は、このような反射型液晶表示装置の
全体を示す概略平面図である。表示領域19には、上記の
ように、互いに交差して設けられた多数のゲート配線お
よびソース配線と、ゲート配線およびソース配線の交差
点近傍にマトリクス状に設けられたスイッチング素子
(TFT)とが設けられている。各TFTは、スイッチ
ング素子に対応して設けられた反射電極と電気的に接続
されている(簡単のため、これらは図示していない)。
FIG. 3 is a schematic plan view showing the whole of such a reflection type liquid crystal display device. In the display area 19, as described above, a large number of gate wirings and source wirings provided to intersect with each other, and switching elements (TFTs) provided in a matrix near the intersection of the gate wirings and the source wirings are provided. Have been. Each TFT is electrically connected to a reflection electrode provided corresponding to the switching element (for simplicity, these are not shown).

【0026】アクティブマトリクス基板30周縁部の対向
電極40から露出した部分には、ゲート駆動用IC(図示
せず)の端子と電気的に接続されるゲート端子部15と、
ソース駆動用IC(図示せず)の端子と電気的に接続さ
れるソース端子部16と、いわゆるフレキシブル基板と称
される駆動用基板の端子と電気的に接続される端子部17
とが設けられている。ゲート端子部15およびソース端子
部16と端子部17とは、端子引き出し配線18により電気的
に接続されている。さらに、対向基板40の2隅にコモン
転移電極20が設けられている。ゲート端子部の概略断面
構造は図4(a)に示され、ソース端子部の概略断面構造
は図4(b)に示される。
A portion of the periphery of the active matrix substrate 30 exposed from the counter electrode 40 has a gate terminal portion 15 electrically connected to a terminal of a gate driving IC (not shown);
A source terminal portion 16 electrically connected to a terminal of a source driving IC (not shown), and a terminal portion 17 electrically connected to a terminal of a driving substrate called a so-called flexible substrate.
Are provided. The gate terminal unit 15, the source terminal unit 16, and the terminal unit 17 are electrically connected by the terminal lead-out wiring 18. Further, common transition electrodes 20 are provided at two corners of the counter substrate 40. A schematic sectional structure of the gate terminal portion is shown in FIG. 4A, and a schematic sectional structure of the source terminal portion is shown in FIG.

【0027】図5は、図3のゲート端子部の概略平面図
である。図6は、図5のVI-VI線による断面図である。
図5および図6に示すように、ゲート端子部15では、絶
縁性基板1上に、ゲート配線4が設けられ、ゲート配線
4の端部の周辺部と基板1を覆って絶縁膜3が設けられ
ている。さらに、ゲート配線4を覆い、かつ絶縁膜3と
一部重なって、ソース配線6が設けられている。
FIG. 5 is a schematic plan view of the gate terminal portion of FIG. FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.
As shown in FIGS. 5 and 6, in the gate terminal portion 15, the gate wiring 4 is provided on the insulating substrate 1, and the insulating film 3 is provided to cover the periphery of the end of the gate wiring 4 and the substrate 1. Have been. Further, a source wiring 6 is provided so as to cover the gate wiring 4 and partially overlap the insulating film 3.

【0028】以下、図7〜図9を参照して、このような
液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。図7
〜図9は、本発明の液晶表示装置のアクティブマトリク
ス基板の製造プロセスを説明するための概略断面図であ
る。図7〜図9は、それぞれ、基板のTFT部、画素部
および端子部の製造プロセスを説明する。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing such a liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. FIG.
9 are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the active matrix substrate of the liquid crystal display device of the present invention. 7 to 9 each illustrate a manufacturing process of a TFT portion, a pixel portion, and a terminal portion of a substrate.

【0029】まず、図7(a)、図8(a)および図9(a)に
示すように、絶縁性基板(例えば、ガラス基板;コーニ
ング社製、商品名1737)1上に、例えば酸化タンタル(T
a2O5)をスパッタリング法により厚み3000Åで堆積し、
絶縁性の基板保護膜2を形成する。さらに、例えばタン
タル(Ta)をスパッタリング法により厚み3000Åで堆積
し、ゲート配線膜4'を形成する。次に、図7(b)、図8
(b)および図9(b)に示すように、フォトリソグラフィー
法およびエッチング法を用いて、ゲート配線膜4'を所定
の形状にパターニングし、ゲート電極4bおよびゲート配
線4を形成する。ゲート配線膜4'は、その配線の絶縁性
を保護するために、例えば、タンタルを陽極酸化法によ
って酸化し、その表面にTa2O5からなる絶縁膜を形成し
てもよい。
First, as shown in FIGS. 7 (a), 8 (a) and 9 (a), an insulating substrate (for example, glass substrate; manufactured by Corning, trade name 1737) 1 Tantalum (T
a 2 O 5 ) is deposited to a thickness of 3000 mm by sputtering,
An insulating substrate protection film 2 is formed. Further, for example, tantalum (Ta) is deposited to a thickness of 3000 ° by a sputtering method to form a gate wiring film 4 ′. Next, FIG. 7 (b), FIG.
As shown in FIG. 9B and FIG. 9B, the gate wiring film 4 ′ is patterned into a predetermined shape by photolithography and etching to form the gate electrode 4 b and the gate wiring 4. The gate wiring film 4 ′ may be formed, for example, by oxidizing tantalum by anodic oxidation to form an insulating film made of Ta 2 O 5 on the surface in order to protect the insulating properties of the wiring.

【0030】次に、図7(c)、図8(c)および図9(c)に
示すように、例えば窒化シリコン(SiNx)をプラズマCV
D法により厚み3000Åで堆積し、基板全面を覆うように
ゲート絶縁膜3を形成する。さらに、図7(c)に示すよ
うに、任意の適切な材料を用いて任意の適切な方法によ
り、TFT50の半導体層5、ならびにコンタクト層5aお
よび5bを形成する。
Next, as shown in FIGS. 7 (c), 8 (c) and 9 (c), for example, silicon nitride (SiNx) is
The gate insulating film 3 is formed so as to cover the entire surface of the substrate by a thickness of 3000 ° by the D method. Further, as shown in FIG. 7C, the semiconductor layer 5 of the TFT 50 and the contact layers 5a and 5b are formed by using an appropriate material and using an appropriate method.

【0031】次に、図8(d)および図9(d)に示すよう
に、画素部および端子部を同時に加工する。具体的に
は、図9(d)に示すように、端子部のゲート配線4上の
絶縁膜3を、フォトリソグラフィ法およびドライエッチ
ング法により、所定の形状(例えば、図6に示すような
形状)にパターニングする。同時に、画素部において
は、図1に符号14で示すような孔パターン(例えば、直
径2〜8μmの多数の孔を有するパターン)を用いてフ
ォトリソグラフィによりパターニングすることにより、
基板保護膜2から形成された層とゲート絶縁膜3から形
成された層とを有する凸部14を形成する。このように、
端子部の加工と同時に、画素部に凸部14を形成する。
Next, as shown in FIGS. 8D and 9D, the pixel portion and the terminal portion are simultaneously processed. Specifically, as shown in FIG. 9D, the insulating film 3 on the gate wiring 4 in the terminal portion is formed in a predetermined shape (for example, as shown in FIG. 6) by photolithography and dry etching. ). At the same time, the pixel portion is patterned by photolithography using a hole pattern (for example, a pattern having a large number of holes having a diameter of 2 to 8 μm) as indicated by reference numeral 14 in FIG.
A projection 14 having a layer formed from the substrate protective film 2 and a layer formed from the gate insulating film 3 is formed. in this way,
At the same time as the processing of the terminal portion, the convex portion 14 is formed in the pixel portion.

【0032】次いで、図7(e)および図9(e)に示すよう
に、スパッタリング法により、膜厚3000Åで蒸着させた
チタン(Ti)等のソース配線膜をパターニングして、TF
T50のソース電極6bおよびドレイン電極6c、ならびにソ
ースバス配線6を形成する。ソース配線膜6'のパターニ
ングの際に、画素部においては、図1に符号14で示すよ
うなレジストパターンでエッチングすることにより、図
8(e)に示すように、凸部14のゲート絶縁膜3から形成
された層上にソース配線用材料の層6'を形成することが
できる。
Next, as shown in FIGS. 7 (e) and 9 (e), a source wiring film such as titanium (Ti) deposited to a film thickness of 3000.degree.
The source electrode 6b and the drain electrode 6c of T50 and the source bus wiring 6 are formed. At the time of patterning the source wiring film 6 ′, in the pixel portion, by etching with a resist pattern shown by reference numeral 14 in FIG. 1, the gate insulating film of the convex portion 14 is formed as shown in FIG. The layer 6 ′ of the source wiring material can be formed on the layer formed from 3.

【0033】次いで、図7(f)に示すように、感光性ア
クリル樹脂をスピンコート法により塗布しそして硬化さ
せることにより層間絶縁膜7を形成し、フォトリソグラ
フィ法によりパターニングすることにより、TFT50の
ドレイン電極6c部分にコンタクトホール13を形成する。
層間絶縁膜7の厚みは、スピンコーターの回転数および
回転時間を適切に変化させることにより、任意の適切な
厚み(例えば、0.5〜4.5μm)に調整され得る。端子部
においては、図9(f)に示すように、ソース配線6が露
出するように層間絶縁膜7をパターニングする。
Next, as shown in FIG. 7 (f), a photosensitive acrylic resin is applied by spin coating and cured to form an interlayer insulating film 7 and patterned by photolithography to form a TFT 50. A contact hole 13 is formed in the drain electrode 6c.
The thickness of the interlayer insulating film 7 can be adjusted to any appropriate thickness (for example, 0.5 to 4.5 μm) by appropriately changing the rotation speed and rotation time of the spin coater. In the terminal portion, as shown in FIG. 9F, the interlayer insulating film 7 is patterned so that the source wiring 6 is exposed.

【0034】画素部においては、図8(f)に示すよう
に、層間絶縁膜7は、凸部14に対応する部分では上に凸
の曲面(例えば、円弧状断面)を有し、凹部14'では下
に凸の曲面(例えば、円弧状断面)を有する。このよう
な凹凸表面は、塗布時の樹脂の表面張力に起因する。層
間絶縁膜7は、反射電極8のための凹凸表面を形成する
だけでなく、図7(f)から明らかなようにTFT50の保
護膜としても機能する。層間絶縁膜7は、図1に符号14
で示すようなパターンを用いて、パターニングしてもよ
い(この場合には、ソース配線用材料の層6'上に層間絶
縁膜の層を有する凸部14が形成される)。
In the pixel portion, as shown in FIG. 8F, the interlayer insulating film 7 has an upwardly convex curved surface (for example, an arc-shaped cross section) at a portion corresponding to the convex portion 14, and the concave portion 14. 'Has a downwardly convex curved surface (for example, an arc-shaped cross section). Such an uneven surface is caused by the surface tension of the resin at the time of application. The interlayer insulating film 7 not only forms an uneven surface for the reflective electrode 8, but also functions as a protective film of the TFT 50 as is apparent from FIG. The interlayer insulating film 7 is denoted by reference numeral 14 in FIG.
(In this case, the protrusions 14 having the layer of the interlayer insulating film are formed on the layer 6 ′ of the source wiring material).

【0035】最後に、図7(g)および図8(g)に示すよう
に、例えばアルミニウム(Al)をスパッタリング法により
任意の適切な厚み(例えば、100〜400nm)で蒸着し、フ
ォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニ
ングして、画素部およびコンタクトホール13上に、凹凸
表面を有する反射電極を形成する。このようにして、ア
クティブマトリクス基板30を作製する。
Finally, as shown in FIGS. 7 (g) and 8 (g), for example, aluminum (Al) is vapor-deposited by sputtering at an appropriate thickness (for example, 100 to 400 nm), and then photolithography is performed. Then, a reflective electrode having an uneven surface is formed on the pixel portion and the contact hole 13 by patterning by an etching method. Thus, the active matrix substrate 30 is manufactured.

【0036】最後に、アクティブマトリクス基板30と対
向基板40とを貼り合わせ、その間隙に表示媒体としての
液晶層を形成する液晶材料を注入して、液晶表示装置を
作製する。
Finally, the active matrix substrate 30 and the counter substrate 40 are attached to each other, and a liquid crystal material for forming a liquid crystal layer as a display medium is injected into a gap between the substrates to manufacture a liquid crystal display device.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によれば、画素電極(反射電極)
の凹凸が、基板保護膜から形成された層とゲート絶縁膜
から形成された層とを有する凸部に対応している。すな
わち、TFTを形成するために必須の材料を用いて基板
上に凹凸を形成し、この凹凸を利用して、凹凸表面を有
する画素電極を形成する。そのため、反射電極の凹凸を
形成するためにのみ必要とされる材料および製造工程が
不要となる。従って、低コストで、製造効率に優れた液
晶表示装置が得られる。しかも、基板保護膜およびゲー
ト絶縁膜はいずれも、液晶表示装置の駆動には関係しな
いので、最適な反射特性を有する凹凸を形成することが
できる。従って、反射特性に優れた(すなわち、明る
い)液晶表示装置が得られる。このように、本発明によ
れば、明るい表示を有し、かつ低コストの反射型液晶表
示装置が提供される。
According to the present invention, a pixel electrode (reflection electrode) is provided.
Correspond to the protrusions having the layer formed from the substrate protective film and the layer formed from the gate insulating film. That is, unevenness is formed on a substrate using a material essential for forming a TFT, and a pixel electrode having an uneven surface is formed using the unevenness. Therefore, a material and a manufacturing process required only for forming the unevenness of the reflective electrode are not required. Therefore, a liquid crystal display device with low cost and excellent manufacturing efficiency can be obtained. In addition, since neither the substrate protective film nor the gate insulating film is involved in driving the liquid crystal display device, it is possible to form irregularities having optimal reflection characteristics. Accordingly, a liquid crystal display device having excellent (ie, bright) reflection characteristics can be obtained. As described above, according to the present invention, a low-cost reflective liquid crystal display device having a bright display is provided.

【0038】さらに、本発明の反射型液晶表示装置の製
造方法によれば、基板の画素部に凸部を形成すると同時
に、基板の端子部を加工する。従って、従来の製造方法
に比べて、製造工程が顕著に簡略化され得る。その結
果、明るい表示を有する反射型液晶表示装置の低コスト
で簡便な製造方法が提供される。
Further, according to the method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device of the present invention, a convex portion is formed in a pixel portion of a substrate, and simultaneously, a terminal portion of the substrate is processed. Therefore, the manufacturing process can be significantly simplified as compared with the conventional manufacturing method. As a result, a low-cost and simple manufacturing method of a reflective liquid crystal display device having a bright display is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の好ましい実施態様による液晶表示装置
の概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】図1の液晶表示装置のII-II線による断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device of FIG. 1 taken along the line II-II.

【図3】本発明の好ましい実施形態の反射型液晶表示装
置の全体を示す概略平面図である。
FIG. 3 is a schematic plan view showing the entire reflection type liquid crystal display device according to a preferred embodiment of the present invention.

【図4】(a)は、図3のゲート端子部の概略断面図であ
り、(b)は、図3のソース端子部の概略断面図である。
4A is a schematic sectional view of a gate terminal section of FIG. 3, and FIG. 4B is a schematic sectional view of a source terminal section of FIG.

【図5】図3のゲート端子部の概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of a gate terminal unit in FIG. 3;

【図6】図5のVI-VI線による断面図である。6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.

【図7】本発明の液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板のTFT部の製造プロセスを説明するための概略断
面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the TFT portion of the active matrix substrate of the liquid crystal display device of the present invention.

【図8】本発明の液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板の画素部の製造プロセスを説明するための概略断面
図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the pixel portion of the active matrix substrate of the liquid crystal display device of the present invention.

【図9】本発明の液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板の端子部の製造プロセスを説明するための概略断面
図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the terminal portion of the active matrix substrate of the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 基板保護膜 3 ゲート絶縁膜 4 ゲート配線 5 半導体層 6 ソース配線 7 層間絶縁膜 8 反射電極 9 配向膜 10 液晶層 11 ブラックマトリクス 12 カラーフィルタ 13 コンタクトホール 14 凸部 30 アクティブマトリクス基板 40 対向基板 100 液晶表示装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Substrate protective film 3 Gate insulating film 4 Gate wiring 5 Semiconductor layer 6 Source wiring 7 Interlayer insulating film 8 Reflective electrode 9 Alignment film 10 Liquid crystal layer 11 Black matrix 12 Color filter 13 Contact hole 14 Convex part 30 Active matrix substrate 40 Opposite Substrate 100 LCD

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに交差して設けられた複数の走査信
号線およびデータ信号線と、マトリクス状に設けられた
スイッチング素子と、該スイッチング素子に対応して設
けられた反射機能を有する画素電極とを有するアクティ
ブマトリクス基板と;対向電極を有する対向基板と;該
アクティブマトリクス基板と該対向基板との間に配され
た液晶層とを備え、 該画素電極が凹凸表面を有し、該画素電極の凹凸が、基
板保護膜から形成された層とゲート絶縁膜から形成され
た層とを有する凸部に対応している反射型液晶表示装
置。
1. A plurality of scanning signal lines and data signal lines provided to intersect with each other, switching elements provided in a matrix, and a pixel electrode having a reflection function provided corresponding to the switching elements. An active matrix substrate having: a counter substrate having a counter electrode; a liquid crystal layer disposed between the active matrix substrate and the counter substrate; the pixel electrode having an uneven surface; A reflection type liquid crystal display device in which unevenness corresponds to a projection having a layer formed from a substrate protective film and a layer formed from a gate insulating film.
【請求項2】 前記凸部が、前記データ信号線を形成す
る材料の層をさらに有する、請求項1に記載の反射型液
晶表示装置。
2. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein said projection further includes a layer of a material forming said data signal line.
【請求項3】 前記スイッチング素子上および前記凸部
上に層間絶縁膜をさらに備え、該層間絶縁膜は該凸部に
対応して凹凸表面を有し、前記画素電極の凹凸が、該層
間絶縁膜の該凹凸に対応している、請求項1または2に
記載の反射型液晶表示装置。
3. An interlayer insulating film is further provided on the switching element and on the projecting portion, the interlayer insulating film having an uneven surface corresponding to the projecting portion, wherein the unevenness of the pixel electrode is caused by the interlayer insulating film. 3. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflection type liquid crystal display device corresponds to the unevenness of the film.
【請求項4】 基板に、基板保護膜およびゲート絶縁膜
を形成する工程と;該基板保護膜および該ゲート絶縁膜
をパターニングして、該基板保護膜から形成された層と
該ゲート絶縁膜から形成された層とを有する凸部を該基
板の画素部に形成し、同時に、該基板の端子部の該ゲー
ト絶縁膜をパターニングする工程と;該凸部に対応した
凹凸表面を有する、反射機能を有する画素電極を形成す
る工程とを含む、反射型液晶表示装置の製造方法。
Forming a substrate protective film and a gate insulating film on the substrate; patterning the substrate protective film and the gate insulating film to form a layer formed from the substrate protective film and the gate insulating film; Forming a convex portion having the formed layer in the pixel portion of the substrate, and simultaneously patterning the gate insulating film of the terminal portion of the substrate; and a reflection function having a concave-convex surface corresponding to the convex portion. Forming a pixel electrode having: a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device.
【請求項5】 前記凸部が形成された基板に、データ信
号線を形成し、同時に、該凸部の前記ゲート絶縁膜から
形成された層上に該データ信号線を形成する材料の層を
形成する工程をさらに含む、請求項4に記載の反射型液
晶表示装置の製造方法。
5. A method for forming a data signal line on a substrate on which the convex portion is formed, and simultaneously forming a layer of a material for forming the data signal line on a layer of the convex portion formed from the gate insulating film. The method for manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 4, further comprising a forming step.
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