JPH11337815A - Solid photographing device and range finder for camera - Google Patents

Solid photographing device and range finder for camera

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JPH11337815A
JPH11337815A JP10144940A JP14494098A JPH11337815A JP H11337815 A JPH11337815 A JP H11337815A JP 10144940 A JP10144940 A JP 10144940A JP 14494098 A JP14494098 A JP 14494098A JP H11337815 A JPH11337815 A JP H11337815A
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JP
Japan
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signal
output
pixel
photoelectric conversion
analog signal
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JP10144940A
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Japanese (ja)
Inventor
Masashi Sugimura
正史 杉村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Focusing (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make the range findable more widely from a short distance to a long distance by arranging two kinds of pixel lines of a usual pixel line and a pixel line applied with a filter of transmissivity higher in an infrared region than a visible light region. SOLUTION: A pixel line 1 for a passive system having a reference part and a standard part and a pixel line 2 for an active system coated with a filter that the transmissivity becomes higher in an infrared region than a visible light region are arranged in parallel with two lines and a shift electrode 3 and a CCD register 4 are provided respectively on the outside. An output circuit 5 covering a transferred signal charge to an output signal is connected to the output terminal of the CCD register 4 transferring the signal charge photoelectric-converted by the pixel line 1 for the passive system. An amplifier circuit 6 and an output circuit 7 converting its signal charge into the output signal are connected to the output terminal of the CCD register 4 transferring the signal charge photoelectric-converted by the pixel line 2 for the active system. Then, the output signals from these output circuits 5, 7 are synthesized by a synthetic circuit 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置のう
ち、特に、カメラのオートフォーカス用(以下、AF用
と称する。)イメージセンサに用いる固体撮像装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state imaging device, and more particularly to a solid-state imaging device used for an image sensor for auto-focusing (hereinafter, referred to as AF) of a camera.

【0002】[0002]

【従来の技術】AFには、被写体に赤外光を当ててその
反射光を用いて測距する、ズームが2〜4倍程度のレン
ズシャッターカメラで使用されるアクティブ方式と、赤
外光の反射光を受け取れないほど被写体が遠いために、
被写体からの像の光(外光)を受け取り測距する例えば
一眼レフカメラに使用されるパッシブ方式とがある。
2. Description of the Related Art There are two types of AF: an active method used in a lens shutter camera having a zoom of about 2 to 4 times, in which an object is irradiated with infrared light and a reflected light is used to measure a distance, and an infrared light. Because the subject is too far away to receive the reflected light,
For example, there is a passive method used for a single-lens reflex camera that receives light (external light) of an image from a subject and measures the distance.

【0003】従来のAF用固体撮像装置について図面を
参照して説明する。図6は、従来のパッシブ方式の測距
方法を示した模式図である。図6に示されるように、パ
ッシブ方式では、撮影レンズ102の2 つの部分を基準
部光束と参照部光束の2 つの被写体光束が各々入射し、
コンデンサレンズ103及びセパレータレンズ104を
経て複数の光電変換素子が一列に配置された受光素子1
05の基準部106と参照部107とに各々結像する。
撮影レンズ102の位置を前後に移動させることによ
り、結像した2つの被写体像の像間隔が所定の値になり
合焦状態となる。
A conventional AF solid-state imaging device will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a schematic diagram showing a conventional passive distance measuring method. As shown in FIG. 6, in the passive method, two object light beams, a reference portion light beam and a reference portion light beam, enter two portions of the photographing lens 102, respectively.
Light receiving element 1 in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged in a row via a condenser lens 103 and a separator lens 104
An image is formed on the reference unit 106 and the reference unit 107 in FIG.
By moving the position of the photographing lens 102 back and forth, the image interval between the two formed subject images becomes a predetermined value, and a focusing state is established.

【0004】一方、アクティブ方式では、図7に示され
るように、赤外LED108が発した光を投光レンズ1
09を通して被写体101に達し、その反射光を受光レ
ンズ110を経て受光素子105に投影する。この受光
素子105のどの位置に赤外LED108の像があるか
によって測距が行われる。
[0004] On the other hand, in the active system, as shown in FIG.
09 and reaches the subject 101, and the reflected light is projected on the light receiving element 105 via the light receiving lens 110. Distance measurement is performed based on which position of the light receiving element 105 has an image of the infrared LED 108.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のAF用固体撮像
装置の分光感度特性は、図8に示される通り、波長が5
00nm〜600nmの可視光領域で分光感度が高い。
このため、外光を利用するパッシブ方式時には図9
(a)に示される通り図8と類似の特性となる。
As shown in FIG. 8, the spectral sensitivity characteristic of the conventional solid-state imaging device for AF has a wavelength of 5 mm.
The spectral sensitivity is high in the visible light range from 00 nm to 600 nm.
For this reason, in the passive method using external light, FIG.
As shown in (a), the characteristics are similar to those in FIG.

【0006】また、被写体101から反射して戻ってき
た波長800nm〜900nmの赤外光の分光感度は、
可視光領域の20〜50%程度である。そのため、アク
ティブ方式を用いたときに外光が強いと、図9(b)に
示されるように、外光成分と赤外光成分の判別がつきに
くくなり測距が困難になるという問題があった。
Further, the spectral sensitivity of infrared light having a wavelength of 800 nm to 900 nm which is reflected back from the subject 101 is as follows:
It is about 20 to 50% of the visible light region. For this reason, if the external light is strong when the active method is used, there is a problem that it is difficult to distinguish between the external light component and the infrared light component as shown in FIG. Was.

【0007】また、赤外光が検知できないために近距離
でパッシブ方式を用いると、基準部106と参照部10
7の像間隔を合わせることが困難になり、ピント合わせ
が難しくなるという問題があった。
When the passive method is used at a short distance because infrared light cannot be detected, the reference unit 106 and the reference unit 10
There is a problem that it is difficult to adjust the image interval of the image No. 7 and the focusing becomes difficult.

【0008】本発明は上記のような事情を考慮し、外光
の影響が強くても、アクティブ方式を用いて測距を行う
ことができ、また、近距離でも遠距離でも正確な測距が
行えるAF用固体撮像装置を提供することを目的として
いる。
In view of the above circumstances, the present invention can measure the distance using the active method even if the influence of external light is strong, and can accurately measure the distance even at a short distance or a long distance. It is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device for AF that can be performed.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の固体撮像装置は、各画素に対応する複数の光
電変換部が一列に配置された第1の画素列と、この第1
の画素列の前記各光電変換部で光電変換された信号電荷
を所定の方向に順次転送する第1のCCDレジスタと、
この第1のCCDレジスタから出力された信号電荷に応
じた第1のアナログ信号を出力する第1の出力回路と、
各画素に対応する複数の光電変換部が一列に配置され可
視光領域の波長よりも赤外光領域の波長で光の透過率が
高いフィルタを塗布した第2の画素列と、この第2の画
素列の前記各光電変換部で光電変換された信号電荷を所
定の方向に順次転送する第2のCCDレジスタと、この
第2のCCDレジスタから出力された信号電荷に応じた
第2のアナログ信号を出力する第2の出力回路と、前記
第1のアナログ信号と前記第2のアナログ信号との合成
信号を出力する合成回路とを具備したことを特徴とする
ものである。
In order to achieve the above object, a solid-state imaging device according to the present invention comprises: a first pixel column in which a plurality of photoelectric conversion units corresponding to respective pixels are arranged in a line;
A first CCD register for sequentially transferring signal charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion units of the pixel columns in a predetermined direction;
A first output circuit for outputting a first analog signal corresponding to the signal charge output from the first CCD register;
A second pixel row in which a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel are arranged in a row and a filter having a higher light transmittance at a wavelength in an infrared light region than a wavelength in a visible light region is applied; A second CCD register for sequentially transferring the signal charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion units of the pixel row in a predetermined direction, and a second analog signal corresponding to the signal charges output from the second CCD register And a combining circuit that outputs a combined signal of the first analog signal and the second analog signal.

【0010】更に、前記第2の出力回路から出力された
前記第2のアナログ信号を増幅して前記合成回路に出力
する増幅回路を具備することが望ましい。また、各画素
に対応する複数の光電変換部が一列に配置された第1の
画素列と、この第1の画素列の前記各光電変換部で光電
変換された信号電荷を所定の方向に順次転送する第1の
CCDレジスタと、この第1のCCDレジスタから出力
された信号電荷に応じた第1のアナログ信号を出力する
第1の出力回路と、各画素に対応する複数の光電変換部
が一列に配置され可視光領域の波長よりも赤外光領域の
波長で光の透過率が高いフィルタを塗布した第2の画素
列と、この第2の画素列の前記各光電変換部で光電変換
された信号電荷を所定の方向に順次転送する第2のCC
Dレジスタと、この第2のCCDレジスタから出力され
た信号電荷に応じた第2のアナログ信号を出力する第2
の出力回路と、前記第1のアナログ信号と前記第2のア
ナログ信号とを切り換えて出力するセレクタとを具備し
たことを特徴とするものである。
Further, it is preferable that the apparatus further comprises an amplifier circuit for amplifying the second analog signal output from the second output circuit and outputting the amplified second analog signal to the synthesis circuit. Further, a first pixel row in which a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel are arranged in a row, and signal charges photoelectrically converted by the photoelectric conversion units in the first pixel row in a predetermined direction. A first CCD register for transferring, a first output circuit for outputting a first analog signal corresponding to the signal charge output from the first CCD register, and a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel; A second pixel row, which is arranged in a row and is coated with a filter having a higher light transmittance at a wavelength in the infrared light region than a wavelength in the visible light region, and photoelectric conversion in each of the photoelectric conversion units in the second pixel row Second CC that sequentially transfers the transferred signal charges in a predetermined direction.
D register, and a second register for outputting a second analog signal corresponding to the signal charge output from the second CCD register.
And a selector for switching and outputting the first analog signal and the second analog signal.

【0011】更に、前記第1の画素列は、基準部及び参
照部を有することが望ましい。また、被写体に向けて赤
外光を発光する発光素子と、撮影レンズを通して入射し
た光を電気信号に変換する光電変換部が一列に配列され
た第1の画素列と、この第1の画素列で光電変換された
信号電荷を所定の方向に順次転送する第1のCCDレジ
スタと、この第1のCCDレジスタから出力された信号
電荷に対応する第1のアナログ信号を出力する第1の出
力回路と、可視光の波長領域よりも赤外光の波長領域で
光の透過率が高いフィルタが塗布され前記被写体から反
射した赤外光を電気信号に変換する光電変換部が一列に
配置された第2の画素列と、前記第2の画素列で光電変
換された信号電荷を所定の方向に順次転送する第2のC
CDレジスタと、この第2のCCDレジスタから出力さ
れた信号電荷に対応する第2のアナログ信号を出力する
第2の出力回路と、前記第1のアナログ信号と前記第2
のアナログ信号との合成信号を出力する合成回路とを具
備した固体撮像装置と、この固体撮像装置の出力結果に
より前記被写体との距離を測定する測距回路と、前記測
距回路の出力によりオートフォーカス駆動系を制御する
演算回路とを具備したことを特徴とするカメラ用測距装
置がある。
Further, it is preferable that the first pixel column has a reference portion and a reference portion. A first pixel row in which a light-emitting element that emits infrared light toward a subject, and a photoelectric conversion unit that converts light incident through a photographing lens into an electric signal are arranged in a row; And a first output circuit for outputting a first analog signal corresponding to the signal charge output from the first CCD register. A filter in which a filter having a high light transmittance in the wavelength region of infrared light than the wavelength region of visible light is applied and a photoelectric conversion unit that converts infrared light reflected from the subject into an electric signal is arranged in a line. And a second C that sequentially transfers the signal charges photoelectrically converted by the second pixel column in a predetermined direction.
A CD register, a second output circuit for outputting a second analog signal corresponding to the signal charge output from the second CCD register, the first analog signal and the second
A solid-state imaging device including a synthesizing circuit that outputs a synthesized signal with an analog signal of the same; a distance measuring circuit that measures a distance to the subject based on an output result of the solid-state imaging device; 2. Description of the Related Art There is a distance measuring device for a camera, comprising a calculation circuit for controlling a focus driving system.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の第
1 の実施の形態にかかる固体撮像装置について説明す
る。図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる固体撮
像装置の構成図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
A solid-state imaging device according to the first embodiment will be described. FIG. 1 is a configuration diagram of the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention.

【0013】図1に示されるように、本発明の第1の実
施の形態にかかる固体撮像装置は、参照部と基準部とを
有するパッシブ方式用画素列1と、可視光領域よりも赤
外光領域で透過率が高くなるフィルタ、例えば黒フィル
タを塗布したアクティブ方式用画素列2とが2列平行に
配置され、各々外側には対応するシフト電極3とCCD
レジスタ4が設けられている。パッシブ方式用画素列1
で光電変換された信号電荷を転送するCCDレジスタ4
の出力端子には、転送された信号電荷を出力信号に変換
する出力回路5が接続されている。また、アクティブ方
式用画素列2で光電変換された信号電荷を転送するCC
Dレジスタ3の出力端子には、転送された信号電荷を増
幅する増幅回路6とその増幅された信号電荷を出力信号
に変換する出力回路7が接続されている。この2つの出
力回路5,7から出力される出力信号は、合成回路8で
合成され合成信号が出力される。
As shown in FIG. 1, a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention includes a passive-type pixel row 1 having a reference section and a reference section, and an infrared-ray pixel array 1 that is more infrared than the visible light region. A filter having a high transmittance in the light region, for example, an active type pixel column 2 coated with a black filter is arranged in two rows in parallel.
A register 4 is provided. Pixel column 1 for passive system
CCD register 4 for transferring the signal charge photoelectrically converted by
Is connected to an output circuit 5 for converting the transferred signal charges into an output signal. Further, the CC for transferring the signal charge photoelectrically converted by the active type pixel column 2 is used.
The output terminal of the D register 3 is connected to an amplifier circuit 6 for amplifying the transferred signal charge and an output circuit 7 for converting the amplified signal charge to an output signal. The output signals output from the two output circuits 5 and 7 are combined by the combining circuit 8 to output a combined signal.

【0014】一般にCCDエリアセンサーのAlの上に
被せて反射を抑えるのに用いられる黒フィルタは、図2
の分光感度特性に示されるように、波長500nm〜6
00nmの可視光領域ではほとんど光を透過しないが、
波長800nm以上の赤外光領域で光を透過し感度が高
くなるという性質を有することが知られている。従っ
て、黒フィルタを画素列に塗布することによって、外光
が強くても可視光をカットして赤外光成分を受け取りや
すくなり、正確な測距が可能となる。
A black filter generally used to suppress reflection by covering over Al of a CCD area sensor is shown in FIG.
As shown in the spectral sensitivity characteristics of
Although hardly transmits light in the visible light region of 00 nm,
It is known that it has a property of transmitting light in an infrared light region having a wavelength of 800 nm or more and increasing sensitivity. Therefore, by applying the black filter to the pixel rows, it becomes easy to receive the infrared light component by cutting the visible light even if the external light is strong, and accurate distance measurement becomes possible.

【0015】また、図3(a)のアクティブ方式用画素
列2から転送された赤外光成分の信号電荷を例えば2倍
〜5倍程度増幅してから図3(b)のパッシブ方式用画
素列1で光電変換された外光成分の信号電荷と合成する
ことによって、図3(c)に示されるように、赤外光成
分を強調することができる。従って、外光が強くてもア
クティブ方式を用いて測距することが可能である。ま
た、赤外光が届かない遠距離においても、そのままパッ
シブ方式の信号が出力されるので、アクティブ方式とパ
ッシブ方式の併用が可能となり、近距離から遠距離まで
の測距に対応することができる。
The signal charge of the infrared light component transferred from the active type pixel column 2 shown in FIG. 3A is amplified, for example, about 2 to 5 times, and then the passive type pixel shown in FIG. By combining with the signal charge of the external light component photoelectrically converted in column 1, the infrared light component can be emphasized as shown in FIG. Therefore, even if the external light is strong, the distance can be measured using the active method. Also, even in a long distance where infrared light does not reach, a passive signal is output as it is, so that both the active method and the passive method can be used, and it is possible to support ranging from a short distance to a long distance. .

【0016】尚、赤外光成分を増幅する増幅回路6は、
出力回路5,7と同様の回路を直列に任意の数だけ接続
することによっても実現可能である。次に、本発明の第
2の実施の形態にかかる固体撮像装置について図4を参
照して説明する。図4は、本発明の第2の実施の形態に
かかる固体撮像装置の構成図である。
The amplifying circuit 6 for amplifying the infrared light component includes:
It can also be realized by connecting an arbitrary number of circuits similar to the output circuits 5 and 7 in series. Next, a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a configuration diagram of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.

【0017】図4に示されるように本発明の第2の実施
の形態にかかる固体撮像装置は、第1の実施の形態と同
様に、参照部と基準部を有するパッシブ方式用画素列1
と、可視領域よりも赤外領域で透過率が高くなるフィル
タ、例えば黒フィルタを塗布したアクティブ方式用画素
列2とが2列平行に配置され、各々外側には対応するシ
フト電極3とCCDレジスタ4が設けられている。各C
CDレジスタ4の出力端子には、転送された信号電荷を
出力信号に変換する出力回路5,7が接続されており、
この出力回路5,7から出力された各々の出力信号はス
イッチ9に接続され、このスイッチ9により選択された
方の出力信号が出力される。このスイッチ9はまずアク
ティブ方式の出力信号を検出し、出力信号が所定の値よ
りも小さいときにはパッシブ方式の出力信号を選択する
ように制御される。尚、本実施の形態に限定されず、ア
クティブ方式の出力信号を増幅してからスイッチに接続
してもよい。
As shown in FIG. 4, the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present invention has a passive-type pixel column 1 having a reference portion and a reference portion, similarly to the first embodiment.
And a filter having a transmittance higher in the infrared region than in the visible region, for example, two active pixel columns 2 coated with a black filter are arranged in parallel, and the corresponding shift electrode 3 and CCD register 4 are provided. Each C
The output terminals of the CD register 4 are connected to output circuits 5 and 7 for converting the transferred signal charges into output signals.
Each output signal output from the output circuits 5 and 7 is connected to a switch 9, and the output signal selected by the switch 9 is output. The switch 9 detects an active output signal, and is controlled so as to select a passive output signal when the output signal is smaller than a predetermined value. Note that the present invention is not limited to this embodiment, and an active type output signal may be amplified and then connected to a switch.

【0018】次に、本発明の第3の実施の形態にかかる
カメラ用測距装置について図5を参照して説明する。図
5は、本発明の第3の実施の形態にかかるカメラ用測距
装置の概略図である。
Next, a camera distance measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic view of a camera distance measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【0019】図5に示されるように第3の実施の形態に
かかるカメラ用測距装置は、LEDなどの発光素子10
と、光を撮影レンズ11を通して受ける光電変換素子等
の受光素子12と、入射光から被写体との距離を測定す
る測距回路13と、演算回路であるCPU14と、AF
駆動系15から構成される。
As shown in FIG. 5, the camera distance measuring apparatus according to the third embodiment has a light emitting element 10 such as an LED.
A light receiving element 12 such as a photoelectric conversion element for receiving light through a photographing lens 11, a distance measuring circuit 13 for measuring a distance from an incident light to a subject, a CPU 14 as an arithmetic circuit, an AF
It comprises a drive system 15.

【0020】本発明の固体撮像装置を受光素子12に用
いることによって、近距離から遠距離までの測距を行え
るので、本実施の形態の測距装置を低倍率から高倍率ま
での広範囲のズームカメラに採用することが可能とな
る。
By using the solid-state imaging device of the present invention for the light receiving element 12, distance measurement from a short distance to a long distance can be performed. Therefore, the distance measurement device of the present embodiment can be used for a wide range of zooming from low magnification to high magnification. It can be used in cameras.

【0021】また、近距離の場合に外光が強くても、赤
外光成分を単独に取り出し増幅することによって、正確
な測距をすることができる。尚、本発明は上記第1乃至
第3の実施の形態に限定されず、黒フィルタの代わりに
赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタをすべて
重ねて塗布しても同様の効果を得ることができる。
In addition, even when external light is strong at a short distance, accurate distance measurement can be performed by independently extracting and amplifying the infrared light component. Note that the present invention is not limited to the first to third embodiments, and the same effect can be obtained even when all of the red, green and blue filters are applied in place of the black filter.

【0022】また、パッシブ方式用画素列の参照部と基
準部の間にアクティブ方式用画素列を配置して、画素列
を一列にしてもよい。参照部と基準部との間の距離( 基
線長) が大きくなることによって画角が広がり、より広
い範囲での測距が可能となる。
Further, an active-type pixel column may be arranged between the reference portion and the reference portion of the passive-type pixel column to make the pixel column one line. By increasing the distance (base line length) between the reference section and the reference section, the angle of view is widened, and ranging over a wider range becomes possible.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、従来の画素列と可視光
領域より赤外光領域で透過率が高いフィルタを塗布した
画素列との2種類の画素列を配置することによって、ア
クティブ方式とパッシブ方式の併用が可能となり、近距
離から遠距離までより広範囲の測距を行うことが可能と
なる。また、赤外光を光電変換した信号を増幅して出力
することによって、外光が強い場合でも赤外光により近
距離の正確な測距を行うことが可能である。
According to the present invention, two types of pixel rows, that is, a conventional pixel row and a pixel row coated with a filter having a higher transmittance in the infrared light region than in the visible light region, are arranged to provide an active system. And the passive method can be used together, and it is possible to measure a wider range from a short distance to a long distance. Further, by amplifying and outputting a signal obtained by photoelectrically converting the infrared light, it is possible to perform a short-distance accurate distance measurement with the infrared light even when the external light is strong.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる固体撮像装
置の構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】黒フィルタの分光感度特性図。FIG. 2 is a spectral sensitivity characteristic diagram of a black filter.

【図3】(a)アクティブ方式用画素列より転送された
赤外光成分信号の分光感度特性図。 (b)パッシブ方式用画素列より転送された外光成分信
号の分光感度特性図。 (c)合成信号の分光感度特性。
FIG. 3A is a diagram illustrating spectral sensitivity characteristics of an infrared light component signal transferred from an active mode pixel column. (B) Spectral sensitivity characteristic diagram of the external light component signal transferred from the passive pixel column. (C) Spectral sensitivity characteristics of the synthesized signal.

【図4】本発明の第2の実施の形態にかかる固体撮像装
置の構成図。
FIG. 4 is a configuration diagram of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施の形態にかかるカメラ用測
距装置の概略図。
FIG. 5 is a schematic view of a camera distance measuring apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図6】従来のパッシブ方式用AFセンサの構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional passive AF sensor.

【図7】従来のアクティブ方式用AFセンサの構成図。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional active type AF sensor.

【図8】従来のAF用固体撮像装置の分光感度特性図。FIG. 8 is a spectral sensitivity characteristic diagram of a conventional solid-state imaging device for AF.

【図9】(a)従来のパッシブ方式使用時の外光信号成
分の分光感度特性図。 (b)従来のアクティブ方式使用時の赤外光成分の分光
感度特性図。
FIG. 9A is a diagram illustrating spectral sensitivity characteristics of an external light signal component when a conventional passive method is used. (B) A spectral sensitivity characteristic diagram of an infrared light component when the conventional active method is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…パッシブ方式用画素列、 2…アクティブ方式用画素列、 3…シフト電極、 4…CCDレジスタ、 5,7…出力回路、 6…増幅回路、 8…合成回路、 9…スイッチ、 10…発光素子、 11,102…撮影レンズ、 12,105…受光素子、 13…測距装置、 14…CPU、 15…AF駆動系、 16…制御インタフェース、 101…被写体、 103…コンデンサレンズ、 104…セパレータレンズ、 106…基準部、 107…参照部、 108…赤外LED、 109…投光レンズ、 110…受光レンズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pixel line for a passive system, 2 ... Pixel line for an active system, 3 ... Shift electrode, 4 ... CCD register, 5,7 ... Output circuit, 6 ... Amplification circuit, 8 ... Synthesis circuit, 9 ... Switch, 10 ... Light emission Element: 11, 102: photographing lens: 12, 105: light receiving element, 13: distance measuring device, 14: CPU, 15: AF drive system, 16: control interface, 101: subject, 103: condenser lens, 104: separator lens Reference numeral 106: Reference part 107: Reference part 108: Infrared LED 109: Projection lens 110: Light receiving lens

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // H04N 5/33 G03B 3/00 A ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // H04N 5/33 G03B 3/00 A

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 各画素に対応する複数の光電変換部が一
列に配置された第1の画素列と、この第1の画素列の前
記各光電変換部で光電変換された信号電荷を所定の方向
に順次転送する第1のCCDレジスタと、この第1のC
CDレジスタから出力された信号電荷に応じた第1のア
ナログ信号を出力する第1の出力回路と、各画素に対応
する複数の光電変換部が一列に配置され可視光の波長領
域よりも赤外光の波長領域で光の透過率が高いフィルタ
を塗布した第2の画素列と、この第2の画素列の前記各
光電変換部で光電変換された信号電荷を所定の方向に順
次転送する第2のCCDレジスタと、この第2のCCD
レジスタから出力された信号電荷に応じた第2のアナロ
グ信号を出力する第2の出力回路と、前記第1のアナロ
グ信号と前記第2のアナログ信号との合成信号を出力す
る合成回路とを具備したことを特徴とする固体撮像装
置。
1. A first pixel row in which a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel are arranged in a row, and a signal charge photoelectrically converted by each of the photoelectric conversion units in the first pixel row is converted into a predetermined signal. A first CCD register for sequentially transferring data in the
A first output circuit that outputs a first analog signal corresponding to the signal charge output from the CD register, and a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel are arranged in a line, and a plurality of photoelectric conversion units are arranged in an infrared region more than a visible light wavelength region. A second pixel row to which a filter having a high light transmittance in the wavelength region of light is applied; and a second pixel row for sequentially transferring signal charges photoelectrically converted by each of the photoelectric conversion units of the second pixel row in a predetermined direction. Two CCD registers and this second CCD
A second output circuit that outputs a second analog signal corresponding to the signal charge output from the register; and a combining circuit that outputs a combined signal of the first analog signal and the second analog signal. A solid-state imaging device characterized by the following.
【請求項2】 前記第2の出力回路から出力された前記
第2のアナログ信号を増幅して前記合成回路に出力する
増幅回路を具備したことを特徴とする請求項1記載の固
体撮像装置。
2. The solid-state imaging device according to claim 1, further comprising an amplifier circuit for amplifying the second analog signal output from the second output circuit and outputting the amplified second analog signal to the synthesis circuit.
【請求項3】 各画素に対応する複数の光電変換部が一
列に配置された第1の画素列と、この第1の画素列の前
記各光電変換部で光電変換された信号電荷を所定の方向
に順次転送する第1のCCDレジスタと、この第1のC
CDレジスタから出力された信号電荷に応じた第1のア
ナログ信号を出力する第1の出力回路と、各画素に対応
する複数の光電変換部が一列に配置され可視光の波長領
域よりも赤外光の波長領域で光の透過率が高いフィルタ
を塗布した第2の画素列と、この第2の画素列の前記各
光電変換部で光電変換された信号電荷を所定の方向に順
次転送する第2のCCDレジスタと、この第2のCCD
レジスタから出力された信号電荷に応じた第2のアナロ
グ信号を出力する第2の出力回路と、前記第1のアナロ
グ信号と前記第2のアナログ信号とを切り換えて出力す
るセレクタとを具備したことを特徴とする固体撮像装
置。
3. A first pixel row in which a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel are arranged in a line, and a signal charge photoelectrically converted by each of the photoelectric conversion units in the first pixel row is converted into a predetermined signal. A first CCD register for sequentially transferring data in the
A first output circuit that outputs a first analog signal corresponding to the signal charge output from the CD register, and a plurality of photoelectric conversion units corresponding to each pixel are arranged in a line, and a plurality of photoelectric conversion units are arranged in an infrared region more than a visible light wavelength region. A second pixel row to which a filter having a high light transmittance in the wavelength region of light is applied; and a second pixel row for sequentially transferring signal charges photoelectrically converted by each of the photoelectric conversion units of the second pixel row in a predetermined direction. Two CCD registers and this second CCD
A second output circuit that outputs a second analog signal corresponding to the signal charge output from the register; and a selector that switches and outputs the first analog signal and the second analog signal. A solid-state imaging device characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 前記第1の画素列は、基準部及び参照部
を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3記載の
固体撮像装置。
4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the first pixel row has a reference unit and a reference unit.
【請求項5】 前記第2の画素列は、前記第1の画素列
の基準部と参照部との間に配置されていることを特徴と
する請求項4記載の固体撮像装置。
5. The solid-state imaging device according to claim 4, wherein said second pixel column is disposed between a reference portion and a reference portion of said first pixel column.
【請求項6】 被写体に向けて赤外光を発光する発光素
子と、 撮影レンズを通して入射した光を電気信号に変換する光
電変換部が一列に配列された第1の画素列と、この第1
の画素列で光電変換された信号電荷を所定の方向に順次
転送する第1のCCDレジスタと、この第1のCCDレ
ジスタから出力された信号電荷に対応する第1のアナロ
グ信号を出力する第1の出力回路と、可視光の波長領域
よりも赤外光の波長領域で光の透過率が高いフィルタが
塗布され前記被写体から反射した赤外光を電気信号に変
換する光電変換部が一列に配置された第2の画素列と、
前記第2の画素列で光電変換された信号電荷を所定の方
向に順次転送する第2のCCDレジスタと、この第2の
CCDレジスタから出力された信号電荷に対応する第2
のアナログ信号を出力する第2の出力回路と、前記第1
のアナログ信号と前記第2のアナログ信号との合成信号
を出力する合成回路とを具備した固体撮像装置と、 この固体撮像装置の出力結果により前記被写体との距離
を測定する測距回路と、 前記測距回路の出力によりオートフォーカス駆動系を制
御する演算回路とを具備したことを特徴とするカメラ用
測距装置。
6. A first pixel column in which a light-emitting element that emits infrared light toward a subject, and a photoelectric conversion unit that converts light incident through a photographing lens into an electric signal are arranged in a single line.
A first CCD register for sequentially transferring signal charges photoelectrically converted by the pixel columns in a predetermined direction, and a first CCD register for outputting a first analog signal corresponding to the signal charges output from the first CCD register. An output circuit and a photoelectric conversion unit that applies a filter having a high light transmittance in an infrared light wavelength region than a visible light wavelength region and converts infrared light reflected from the subject into an electric signal are arranged in a line. A second pixel row,
A second CCD register for sequentially transferring the signal charges photoelectrically converted by the second pixel column in a predetermined direction; and a second CCD register corresponding to the signal charges output from the second CCD register.
A second output circuit for outputting an analog signal of
A solid-state imaging device including a synthesis circuit that outputs a synthesized signal of the analog signal and the second analog signal; a distance measurement circuit that measures a distance to the subject based on an output result of the solid-state imaging device; An arithmetic circuit for controlling an auto-focus driving system based on an output of the distance measuring circuit.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313974A (en) * 2005-05-06 2006-11-16 Toppan Printing Co Ltd Light receiving element
CN100403544C (en) * 2002-06-28 2008-07-16 三洋电机株式会社 Camera module and mfg. method thereof
US8130309B2 (en) 2009-02-03 2012-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light spot position detection device, optical device including the same, and electronic equipment including the optical device
JP2018511796A (en) * 2015-03-30 2018-04-26 エックス デベロップメント エルエルシー Imager for detecting visual and infrared projected patterns

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Effective date: 20040629