JPH11258777A - Correcting method of defect in optical mask - Google Patents
Correcting method of defect in optical maskInfo
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- JPH11258777A JPH11258777A JP10350944A JP35094498A JPH11258777A JP H11258777 A JPH11258777 A JP H11258777A JP 10350944 A JP10350944 A JP 10350944A JP 35094498 A JP35094498 A JP 35094498A JP H11258777 A JPH11258777 A JP H11258777A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造用の光学
マスクに係わり、特に透明基板上に所定のパターンの位
相シフターを設けた光学マスクの欠陥修正方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical mask for manufacturing a semiconductor, and more particularly to a method for correcting a defect of an optical mask provided with a phase shifter having a predetermined pattern on a transparent substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年半導体素子の微細化、高集積化に伴
い、リソグラフィ工程に用いられる投影露光装置には、
転写できるパターンの微細化、高解像度化が要求されて
いる。2. Description of the Related Art In recent years, along with miniaturization and high integration of semiconductor elements, projection exposure apparatuses used in lithography processes include:
There is a demand for miniaturization and high resolution of patterns that can be transferred.
【０００３】投影露光装置の解像力を向上させる一手法
としてマスク上の隣接する２ヶ所の透過部分の露光光に
位相差を与える位相シフトマスクの実用化が進められて
いる。As one method of improving the resolving power of a projection exposure apparatus, a phase shift mask for giving a phase difference to exposure light at two adjacent transmission portions on a mask has been put into practical use.
【０００４】この位相シフトマスクの一例を図７（ａ）
に示す。図７（ａ）において７は透明基板、５は回路パ
ターン形成用の遮光パターン、そして位相シフター４が
回路パターン形成予定領域上に交互に設けられている。
このパターンを透過した露光光は位相シフターのあると
ころと無いところでは位相が１８０゜ずれるために、パ
ターン境界での光の干渉により高解像度での露光が可能
になるようになっている。FIG. 7A shows an example of this phase shift mask.
Shown in In FIG. 7A, reference numeral 7 denotes a transparent substrate, reference numeral 5 denotes a light-shielding pattern for forming a circuit pattern, and phase shifters 4 are alternately provided on a region where a circuit pattern is to be formed.
The exposure light transmitted through this pattern has a phase shift of 180 ° between a position where the phase shifter is present and a position where the phase shifter is not present, so that exposure at a high resolution can be performed by light interference at the pattern boundary.
【０００５】ところが、図７（ｂ）に示すように位相シ
フター４上に欠陥８が存在するとその部分の位相がずれ
てしまい、ウェハ上に欠陥が転写されてしまう。このた
め、この欠陥８を修正することが位相シフトマスクの実
用化において重要な課題となっている。ここで、位相シ
フトマスクの修正に関して、日経マイクロデバイシズ１
９９０年１２月号６６頁に「検査、修整、ネガ・レジス
トなど実用化の要素技術が出始めた位相シフト」とし
て、修正技術が開示されている。However, when a defect 8 exists on the phase shifter 4 as shown in FIG. 7B, the phase of the defect 8 is shifted, and the defect is transferred to the wafer. For this reason, correcting this defect 8 is an important issue in the practical use of the phase shift mask. Here, regarding the correction of the phase shift mask, Nikkei Micro Devices 1
A correction technique is disclosed as a "phase shift in which elemental technologies for practical use such as inspection, modification, and negative resist have begun to appear" on December 66, p.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】前記報告記事に示され
ている修正方法は図８に示すように、位相シフトマスク
の構造をガラス基板７上にＣｒパターン５を形成した
後、１８０゜の位相差を持つサブシフター１３をマスク
全面に堆積し、さらに位相シフター４を必要な領域に形
成した２層シフター構造にしている。位相シフター４に
欠陥８がある場合、図８（ｂ）に示したように、欠陥の
ある位相シフター４とその下のサブシフター１３を除去
する。これにより、正常な位相シフターのところと修正
部分９の位相差は３６０゜になり、結果的に欠陥が修正
できたことになる。As shown in FIG. 8, in the correction method described in the above-mentioned report, the structure of a phase shift mask is formed by forming a Cr pattern 5 on a glass substrate 7 to a position of about 180 °. A sub-shifter 13 having a phase difference is deposited on the entire surface of the mask, and a phase shifter 4 is formed in a necessary region to form a two-layer shifter structure. When the phase shifter 4 has a defect 8, as shown in FIG. 8B, the defective phase shifter 4 and the sub-shifter 13 thereunder are removed. As a result, the phase difference between the normal phase shifter and the corrected portion 9 becomes 360 °, and as a result, the defect can be corrected.
【０００７】ここで、位相シフターの厚さｄは露光光の
位相を１８０゜反転させるため、ｄ＝λ／２（ｎ−１）
で求まる。例えば、露光光の波長λを３６５ｎｍ、位相
シフターの屈折率ｎを、ここではＳｉＯ2の１.４４を代
入すると、ｄは４１５ｎｍとなる。これより、位相シフ
ターの修正を位相差１８０゜の１０％以下で行うには加
工深さ精度すなわち加工底面の平坦度は±数１０ｎｍ以
下でなければならない。しかし、上記方法で位相シフタ
ーの欠陥を修正する場合には、欠陥部分のみを加工する
のではなく、欠陥の周囲も加工してしまうことになる。
その際、欠陥の窪みが数１００ｎｍあったとき、その段
差を反映した加工底面になり、また欠陥の形状に凹凸が
激しい場合、±数１０ｎｍ以下の加工深さ精度を得るこ
とは困難である。Here, the thickness d of the phase shifter is d = λ / 2 (n−1) in order to invert the phase of the exposure light by 180 °.
Is determined by For example, if the wavelength λ of the exposure light is substituted for 365 nm and the refractive index n of the phase shifter is 1.44 for SiO 2 here, d is 415 nm. Therefore, in order to correct the phase shifter at 10% or less of the phase difference of 180 °, the processing depth accuracy, that is, the flatness of the processing bottom surface must be ± 10 nm or less. However, when the defect of the phase shifter is corrected by the above-described method, not only the defect portion but also the periphery of the defect is processed.
At this time, when the dent of the defect is several hundred nm, it becomes a processing bottom reflecting the step, and when the shape of the defect is severe, it is difficult to obtain a processing depth accuracy of ± several tens nm or less.
【０００８】本発明の目的は位相シフトマスクの欠陥形
状によらない、高精度かつ容易に修正できる光学マスク
の修正方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a method of repairing an optical mask which can be easily and accurately corrected without depending on the defect shape of a phase shift mask.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的は、ガラス基板
上に遮光パターンを形成し、この遮光パターンの特定の
開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた投
影光学系用マスクにおける位相シフターの欠陥を修正す
る方法において、位相シフターの欠陥の近傍にフッ素系
のガスをガスノズルから供給し、フッ素系のガスを供給
した状態で位相シフターの欠陥を含む領域に集束したイ
オンビームを照射し、イオンビームの照射により位相シ
フターの欠陥を含む領域とこの領域の下部のガラス基板
の一部とを除去加工することにより達成される。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a projection optical system having a light-shielding pattern formed on a glass substrate and a phase shifter for changing the phase of exposure light at a specific opening of the light-shielding pattern. In the method of correcting the defect of the shifter, a fluorine-based gas is supplied from a gas nozzle in the vicinity of the defect of the phase shifter, and a focused ion beam is irradiated to a region including the defect of the phase shifter while the fluorine-based gas is supplied. This is achieved by removing a region including a defect of the phase shifter and a part of the glass substrate below the region by irradiation with an ion beam.
【００１０】また、上記課題は、ガラス基板上に遮光パ
ターンを形成し、この遮光パターンの特定の開口部に露
光光の位相を変える位相シフターを設けた投影光学系用
マスクにおける位相シフターの欠陥を修正する方法にお
いて、フッ素系のガスの雰囲気中で位相シフターの欠陥
を含む領域に集束したイオンビームを照射して位相シフ
ターの欠陥を含む領域を除去加工し、この除去加工した
領域の下部のガラス基板を透過した露光光の位相が位相
シフタを形成した個所を通ってガラス基板を透過した露
光光の位相と同位相になるようにフッ素系のガスの雰囲
気中で集束したイオンビームを照射して前記除去加工し
た領域の下部の前記ガラス基板を加工することにより達
成される。Another object of the present invention is to provide a projection optical system mask in which a light-shielding pattern is formed on a glass substrate and a phase shifter for changing the phase of exposure light is provided in a specific opening of the light-shielding pattern. In the correcting method, a region including the phase shifter defect is removed by irradiating a focused ion beam to a region including the phase shifter defect in an atmosphere of a fluorine-based gas, and the glass below the removed region is removed. Irradiation with a focused ion beam in a fluorine-based gas atmosphere so that the phase of the exposure light transmitted through the substrate is in phase with the phase of the exposure light transmitted through the glass substrate through the location where the phase shifter is formed. This is achieved by processing the glass substrate below the removed area.
【００１１】また、上記目的は、ガラス基板上に遮光パ
ターンを形成し、この遮光パターンの特定の開口部に露
光光の位相を変える位相シフターを設けた投影光学系用
マスクにおける位相シフターの欠陥を修正する方法にお
いて、フッ素系のガスの雰囲気中で位相シフターの欠陥
を含む領域に集束したイオンビームを照射して位相シフ
ターの欠陥を含む領域を除去加工し、この除去加工した
領域の下部のガラス基板にフッ素系のガスの雰囲気中で
集束したイオンビームを照射して除去加工した領域の下
部のガラス基板を位相シフタの厚さと同じ分だけ除去加
工することにより達成される。Another object of the present invention is to provide a projection optical system mask in which a light-shielding pattern is formed on a glass substrate and a phase shifter for changing the phase of exposure light is provided at a specific opening of the light-shielding pattern. In the correcting method, a region including the phase shifter defect is removed by irradiating a focused ion beam to a region including the phase shifter defect in an atmosphere of a fluorine-based gas, and the glass below the removed region is removed. This is achieved by irradiating the substrate with a focused ion beam in an atmosphere of a fluorine-based gas and removing the glass substrate below the region removed by the same amount as the thickness of the phase shifter.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】第１の実施例：図１〜図３は本発明の第１
の実施例を示すもので、図１は本実施例における位相シ
フターの修正方法の説明図、図２はイオン入射角度とス
パッタ率の関係図、図３は本実施例によるマスク修正の
原理を表した図である。First Embodiment FIGS. 1 to 3 show a first embodiment of the present invention.
FIG. 1 is an explanatory view of a phase shifter correcting method in the present embodiment, FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an ion incident angle and a sputtering rate, and FIG. 3 is a table showing a principle of a mask correcting in the present embodiment. FIG.
【００１４】まず、図１（ａ）において、７はガラス基
板、６はエッチングストッパ層、５はＣｒ膜、４は位相
シフターとしてのスピンオングラス（ＳＯＧ）膜、８は
位相シフターの欠陥部、１はイオンビーム、２はガスノ
ズル、３はエッチングガスである。ここで、エッチング
ストッパー層６の膜厚は、位相シフター４による露光光
の位相反転に影響を与えないように、約１０ｎｍぐらい
にする。また、エッチングストッパ層６の材質は、イオ
ンビームガスアシストエッチングにより、位相シフター
４を除去する際のストッパとして用いるために、位相シ
フター４とのエッチング速度の差が大きいものを用い
る。また露光光に対しても十分な透過率があるものを用
いる。例えばＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化膜やＭg
Ｆ2、ＣeＦ3等のハロゲン化膜が挙げられる。図１
（ａ）に示したように位相シフター４に欠陥８がある場
合、まず、欠陥部８に集束イオンビーム２を照射しなが
らガスノズル２よりエッチングガス３を吹き付け、欠陥
部８の位相シフター４を下層のエッチングストッパ層６
に対して選択性良くエッチングを行う。ここで、位相シ
フター４がＳＯＧやＳiＯ2、エッチングストッパ層６の
材質がＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化膜か又はＭg
Ｆ2、ＣeＦ3等のハロゲン化膜であれば、エッチングガ
ス３としてＸeＦ2等のフッ素系のガスを用いれば良い。
位相シフター４のエッチングが進み、図１（ｂ）に示し
たように欠陥部８の位相シフター４を除去し、エッチン
グストッパ層６に到達した時点でエッチングガス３の供
給を停止する。ここで位相シフター４とエッチングスト
ッパ層６の選択比は５０ぐらいあり、欠陥部８の位相シ
フター４の膜厚の最も厚いところがエッチングし終わっ
た時点でもエッチングストッパー層６は残っている。し
かし、エッチングストッパ層６はわずかながら最初の欠
陥部８の形状を反映した底面になってしまう。これに
は、図１（ｃ）に示したように、ガラス基板７を彫り込
んでいくうちに加工底面が滑らかになることで解決でき
る。この理由は図２に示したように、イオンの入射する
角度により試料原子のスパッタ率が違ってくることか
ら、加工底面において傾斜している部分すなわちイオン
の入射角度が大きい部分ではスパッタされる速度が速く
なり、加工が進んでいくうちに加工底面が多少荒くても
滑らかになっていく。First, in FIG. 1A, 7 is a glass substrate, 6 is an etching stopper layer, 5 is a Cr film, 4 is a spin-on-glass (SOG) film as a phase shifter, 8 is a defect of the phase shifter, 1 Denotes an ion beam, 2 denotes a gas nozzle, and 3 denotes an etching gas. Here, the thickness of the etching stopper layer 6 is set to about 10 nm so as not to affect the phase inversion of the exposure light by the phase shifter 4. The material of the etching stopper layer 6 is a material having a large difference in etching speed from the phase shifter 4 to be used as a stopper when removing the phase shifter 4 by ion beam gas assisted etching. Also, one having a sufficient transmittance to exposure light is used. For example, a metal oxide film such as Al 2 O 3 or Ta 2 O 5 or Mg
A halogenated film of F 2 , CeF 3 or the like can be used. FIG.
As shown in (a), when the phase shifter 4 has a defect 8, first, the etching gas 3 is blown from the gas nozzle 2 while irradiating the focused ion beam 2 to the defective portion 8, and the phase shifter 4 of the defective portion 8 Etching stopper layer 6
Is etched with high selectivity. Here, the phase shifter 4 is made of SOG or SiO 2 , and the material of the etching stopper layer 6 is a metal oxide film such as Al 2 O 3 or Ta 2 O 5 or Mg.
For a halogenated film such as F 2 or CeF 3 , a fluorine-based gas such as XeF 2 may be used as the etching gas 3.
As the etching of the phase shifter 4 proceeds, the phase shifter 4 in the defective portion 8 is removed as shown in FIG. 1B, and the supply of the etching gas 3 is stopped when the phase shifter 4 reaches the etching stopper layer 6. Here, the selectivity between the phase shifter 4 and the etching stopper layer 6 is about 50, and the etching stopper layer 6 remains even when the portion of the defect portion 8 where the thickness of the phase shifter 4 is the largest has been etched. However, the etching stopper layer 6 slightly has a bottom surface reflecting the shape of the first defective portion 8. This can be solved by smoothing the processing bottom surface while carving the glass substrate 7 as shown in FIG. 1 (c). The reason for this is that, as shown in FIG. 2, the sputtering rate of the sample atoms varies depending on the angle of incidence of ions. As the machining proceeds, even if the machining bottom surface is slightly rough, it becomes smooth.
【００１５】このようにしてガラス基板７を位相シフタ
ー４の厚さと同じだけ彫り込む。このとき彫り込む深さ
の制御はあらかじめ実験等により求めておいたイオンビ
ームのドーズ量により制御できる。In this manner, the glass substrate 7 is carved by the same thickness as the phase shifter 4. At this time, the depth of the engraving can be controlled by the dose of the ion beam obtained in advance through experiments or the like.
【００１６】修正前は図３（ａ）に示したように、欠陥
部８では大きくずれてしまっていた露光光の位相は、本
方法により修正した結果、図３（ｂ）の様に位相シフタ
ー４があるところと同じ位相差になっている。これは、
位相シフター４のところと修正部９での膜厚の差が、ち
ょうど位相差３６０゜分になり、結果的には位相シフタ
ーが存在していることになっているからである。Before the correction, as shown in FIG. 3A, the phase of the exposure light, which has been greatly shifted at the defective portion 8, is corrected by the present method. As a result, as shown in FIG. 4 has the same phase difference as where it is. this is,
This is because the difference between the film thickness at the phase shifter 4 and the film thickness at the correcting section 9 is exactly 360 °, and as a result, the phase shifter is present.
【００１７】第２の実施例：本発明の第２の実施例とし
て、ガラス基板に対してエッチングストッパ層を選択的
にエッチングするためのガスを用いて修正する方法を図
４により説明する。Second Embodiment As a second embodiment of the present invention, a method of repairing a glass substrate with a gas for selectively etching an etching stopper layer on a glass substrate will be described with reference to FIG.
【００１８】図４（ａ）において、２はエッチングスト
ッパ層６を選択的にエッチングするためのエッチングガ
ス３を供給するためのガスノズルである。まず、位相シ
フター４の欠陥８は第１の実施例同様に除去する。そし
て図４（ｂ）に示したように位相シフター４のエッチン
グガス３の供給を停止し、ガスノズル１０からエッチン
グストッパ層６を下層のガラス基板７に対して選択性良
くエッチングするガス１１を供給する。ここでエッチン
グガス１１として例えばＣｌ2やＳiＣｌ4等のＣｌ系ガ
スを用いれば良い。このようにしてエッチングストッパ
層６をエッチングすることにより、更に加工底面を滑ら
かにすることができる。エッチングストッパ層６の加工
が停止した後エッチングガス１１の供給を停止し、図４
（ｄ）に示したようにガラス基板７を第１の実施例同様
に位相シフター４の厚さ分だけ彫り込んで修正する。In FIG. 4A, reference numeral 2 denotes a gas nozzle for supplying an etching gas 3 for selectively etching the etching stopper layer 6. First, the defect 8 of the phase shifter 4 is removed as in the first embodiment. Then, as shown in FIG. 4B, the supply of the etching gas 3 of the phase shifter 4 is stopped, and a gas 11 for etching the etching stopper layer 6 with respect to the lower glass substrate 7 with high selectivity is supplied from the gas nozzle 10. . Here, a Cl-based gas such as Cl 2 or SiCl 4 may be used as the etching gas 11. By etching the etching stopper layer 6 in this manner, the processed bottom surface can be further smoothed. After the processing of the etching stopper layer 6 is stopped, the supply of the etching gas 11 is stopped.
As shown in (d), the glass substrate 7 is sculpted and corrected by the thickness of the phase shifter 4 as in the first embodiment.
【００１９】ここで、第１及び第２の実施例では、ガラ
ス基板７の加工をイオンビーム１により、ガラス基板７
の原子を叩き出すスパッタ加工で行っているが、フッ素
系ガスを加工領域に供給しながらエッチングしても良
い。この方法は、エッチングガスを用いることで加工速
度が速くなり、また反応性処理であることから、ガラス
基板７へのイオンビーム１によるダメージを低減できる
効果もある。Here, in the first and second embodiments, the processing of the glass substrate 7 is performed by the ion beam 1.
Is performed by a sputtering process in which atoms are beaten, but the etching may be performed while supplying a fluorine-based gas to the processing region. In this method, the processing speed is increased by using an etching gas, and since the processing is a reactive process, there is also an effect that damage to the glass substrate 7 by the ion beam 1 can be reduced.
【００２０】第１および第２の実施例において、マスク
の構造は遮光パタ−ンのＣｒ膜５の上に位相シフタ−４
を設けたシフタ−上置きであったが、別な構造の位相シ
フトマスクにおいても同様の修正が行なえる。例えば、
図９に示すように、遮光パタ−ンのＣｒ膜の下に位相シ
フタ−４を設けたシフタ−下置きで位相シフタ−４の下
にエッチングストッパ６を設けた構造や、図１０に示す
ような遮光パタ−ンのＣｒ膜５の上にサブシフタ−１５
をかぶせ、その上に位相シフタ−４を設けた２層シフタ
−構造では、位相シフタ−４とサブシフタ−１５の間に
エッチングストッパ−６を設け、また、サブシフタ−１
５とガラス基板７との間にもエッチングストッパ−６を
設けた構造である。しかし、本発明はこれに限定される
ものではなく位相シフタ−とガラス基板との間にエッチ
ングストッパ−を設けることで位相シフタ−の修正は行
なえる。In the first and second embodiments, the structure of the mask is such that the phase shifter-4 is provided on the Cr film 5 of the light-shielding pattern.
However, the same correction can be made in a phase shift mask having another structure. For example,
As shown in FIG. 9, a phase shifter 4 is provided below a Cr film of a light-shielding pattern. A structure in which an etching stopper 6 is provided under the phase shifter 4 under the shifter is provided, or as shown in FIG. A sub-shifter 15 is formed on the Cr film 5 having a light-shielding pattern.
In the two-layer shifter structure in which the phase shifter 4 is provided thereon, an etching stopper 6 is provided between the phase shifter 4 and the sub-shifter 15, and the sub-shifter 1
This is a structure in which an etching stopper 6 is also provided between the substrate 5 and the glass substrate 7. However, the present invention is not limited to this, and the phase shifter can be corrected by providing an etching stopper between the phase shifter and the glass substrate.
【００２１】第３の実施例：第１及び第２の実施例で
は、エッチングストッパ層６の膜厚は位相シフター４に
よる露光光の位相に影響を及ぼさない程度の膜厚だった
が、本実施例では、図５（ａ）に示すようにエッチング
ストッパ層１２をサブシフターにも用いている。すなわ
ち、エッチングストッパ層１２を露光光の位相を１８０
゜ずらす膜厚分だけガラス基板７上に蒸着し、その上に
遮光パターン５を形成し、位相シフター４を回路パター
ン形成予定領域に形成する。このときのマスクを透過し
た露光光の位相は位相シフター４を透過した光とエッチ
ングストッパ層１２を透過した光で１８０゜違う。よっ
て、第１及び第２の実施例同様に解像度を上げられる。
本マスクにおいて、位相シフター４に欠陥がある場合、
図５（ｂ）に示したようにその欠陥部分の位相シフター
４及びエッチングストッパー１２を除去することで修正
できる。Third Embodiment In the first and second embodiments, the thickness of the etching stopper layer 6 is such that the phase of the exposure light by the phase shifter 4 is not affected. In the example, as shown in FIG. 5A, the etching stopper layer 12 is also used as a sub-shifter. That is, the phase of the exposure light is set to 180
(4) Vapor deposition is performed on the glass substrate 7 by the thickness to be shifted, a light-shielding pattern 5 is formed thereon, and the phase shifter 4 is formed in a region where a circuit pattern is to be formed. At this time, the phase of the exposure light transmitted through the mask differs by 180 ° between the light transmitted through the phase shifter 4 and the light transmitted through the etching stopper layer 12. Therefore, the resolution can be increased as in the first and second embodiments.
In this mask, when the phase shifter 4 has a defect,
As shown in FIG. 5B, the defect can be corrected by removing the phase shifter 4 and the etching stopper 12 at the defective portion.
【００２２】図６を用いて第３の実施例による位相シフ
ター欠陥修正方法について説明する。まず、図６（ａ）
に示したように、位相シフター４上の欠陥部８に集束イ
オンビーム１を照射しながら、エッチングストッパ層１
２に対して位相シフター４を選択的にエッチングするガ
ス３を供給して、欠陥部８の位相シフター４を除去す
る。しかる後、図６（ｂ）のようにエッチングガス３の
供給を停止し、別なガスノズル１０より、今度はガラス
基板７に対してエッチングストッパ層１２を選択性よく
エッチングするガス１１を供給してエッチングストッパ
層１２を除去する。そして、図６（ｃ）のように、位相
シフター４の欠陥修正が完了する。ここで、エッチング
ガス３及び１１は実施例１ないし２と同様である。本実
施例では、エッチングガスの選択性によって、ガラス基
板７上でエッチングを選択性よく停止する事ができ、加
工深さ制御が容易になるとともに、加工底面を形状良く
加工できる効果がある。本実施例において、さらに加工
深さ精度を向上させるために、イオンビームの入射によ
って試料からでてくる２次粒子を検出するディテクタを
設け、加工中の材質をモニタする事もできる。A method of correcting a phase shifter defect according to the third embodiment will be described with reference to FIG. First, FIG.
As shown in FIG. 3, while irradiating the focused ion beam 1 to the defect portion 8 on the phase shifter 4, the etching stopper layer 1 is formed.
The gas 3 for selectively etching the phase shifter 4 with respect to 2 is supplied to remove the phase shifter 4 in the defective portion 8. Thereafter, the supply of the etching gas 3 is stopped as shown in FIG. 6B, and a gas 11 for selectively etching the etching stopper layer 12 with respect to the glass substrate 7 is supplied from another gas nozzle 10. The etching stopper layer 12 is removed. Then, as shown in FIG. 6C, the defect correction of the phase shifter 4 is completed. Here, the etching gases 3 and 11 are the same as in the first and second embodiments. In the present embodiment, the selectivity of the etching gas allows the etching to be stopped on the glass substrate 7 with a high degree of selectivity, so that the processing depth can be easily controlled and the processing bottom surface can be processed with a good shape. In the present embodiment, in order to further improve the processing depth accuracy, a detector for detecting secondary particles coming out of the sample due to the incidence of the ion beam may be provided to monitor the material being processed.
【００２３】本発明において、荷電ビームとしてイオン
ビームを用いたが、電子ビームを用いても同様の効果が
ある。In the present invention, an ion beam is used as a charged beam, but the same effect can be obtained by using an electron beam.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明によれば、位相シフターの欠陥の
形状に影響されない加工が可能となり、加工深さ精度が
向上でき、位相シフトマスクの欠陥修正の高精度化、歩
留まりが向上する。According to the present invention, processing can be performed without being affected by the shape of the phase shifter defect, the processing depth accuracy can be improved, and the defect correction of the phase shift mask can be performed with higher precision and the yield can be improved.
【図１】本発明の第１の実施例の位相シフター修正方法
説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a phase shifter correcting method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】イオンの入射角度とスパッタ率の関係図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an incident angle of ions and a sputtering rate.
【図３】本発明の第１の実施例の位相シフター修正の原
理図である。FIG. 3 is a principle diagram of a phase shifter correction according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の実施例の位相シフター修正方法
説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a phase shifter correcting method according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施例の位相シフトマスク構造
図である。FIG. 5 is a structural diagram of a phase shift mask according to a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３の実施例の位相シフター修正方法
説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a phase shifter correcting method according to a third embodiment of the present invention.
【図７】位相シフトマスクの欠陥の様子を模式的に示す
説明図である。FIG. 7 is an explanatory view schematically showing a state of a defect of the phase shift mask.
【図８】従来の修正方法の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a conventional correction method.
【図９】本発明の第１および第２の実施例の別な位相シ
フトマスク構造説明図である。FIG. 9 is a diagram illustrating another phase shift mask structure according to the first and second embodiments of the present invention.
【図１０】本発明の第１および第２の実施例の別な位相
シフトマスク構造説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of another phase shift mask structure according to the first and second embodiments of the present invention.
【符号の説明】 １…集束イオンビーム、２，１０…ガスノズル、３，１
１…エッチングガス、４…位相シフター、５…Ｃｒパタ
ーン、６，１２…エッチングストッパ層、７…ガラス基
板、８…位相シフターの欠陥部、９…位相シフターの欠
陥修正部、１３…サブシフター、１４…導電層、１５…
サブシフタ−[Description of Signs] 1 ... Focused ion beam, 2, 10 ... Gas nozzle, 3, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Etching gas, 4 ... Phase shifter, 5 ... Cr pattern, 6, 12 ... Etching stopper layer, 7 ... Glass substrate, 8 ... Defect part of phase shifter, 9 ... Defect correction part of phase shifter, 13 ... Sub shifter, 14 ... conductive layer, 15 ...
Sub shifter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古泉 裕弘 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式 会社日立製作所武蔵工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hirohiro Koizumi 5-20-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside Musashi Plant of Hitachi, Ltd.
Claims (3)
遮光パターンの特定の開口部に露光光の位相を変える位
相シフターを設けた投影光学系用マスクにおける前記位
相シフターの欠陥を修正する方法であって、前記位相シ
フターの欠陥の近傍にフッ素系のガスをガスノズルから
供給し、該フッ素系のガスを供給した状態で前記位相シ
フターの欠陥を含む領域に集束したイオンビームを照射
し、該イオンビームの照射により前記位相シフターの欠
陥を含む領域と該領域の下部の前記ガラス基板の一部と
を除去加工することを特徴とする光学マスクの欠陥修正
方法。1. A method for correcting a defect of a phase shifter in a projection optical system mask in which a light shielding pattern is formed on a glass substrate and a phase shifter for changing the phase of exposure light is provided in a specific opening of the light shielding pattern. A fluorine-based gas is supplied from a gas nozzle in the vicinity of the phase shifter defect, and a focused ion beam is irradiated to a region including the phase shifter defect in a state where the fluorine-based gas is supplied. A defect repair method for an optical mask, comprising: removing an area including a defect of the phase shifter and a part of the glass substrate below the area by irradiation with an ion beam.
遮光パターンの特定の開口部に露光光の位相を変える位
相シフターを設けた投影光学系用マスクにおける前記位
相シフターの欠陥を修正する方法であって、フッ素系の
ガスの雰囲気中で前記位相シフターの欠陥を含む領域に
集束したイオンビームを照射して前記位相シフターの欠
陥を含む領域を除去加工し、該除去加工した領域の下部
の前記ガラス基板を透過した前記露光光の位相が前記位
相シフタを形成した個所を通って前記ガラス基板を透過
した前記露光光の位相と同位相になるように前記フッ素
系のガスの雰囲気中で集束したイオンビームを照射して
前記除去加工した領域の下部の前記ガラス基板を加工す
ることを特徴とする光学マスクの欠陥修正方法。2. A method for correcting a defect of a phase shifter in a mask for a projection optical system in which a light-shielding pattern is formed on a glass substrate and a phase shifter for changing a phase of exposure light is provided in a specific opening of the light-shielding pattern. In the atmosphere of a fluorine-based gas, the region containing the defect of the phase shifter is irradiated with a focused ion beam to remove the region containing the defect of the phase shifter, and the lower portion of the removed region is removed. Focusing is performed in an atmosphere of the fluorine-based gas such that the phase of the exposure light transmitted through the glass substrate is in phase with the phase of the exposure light transmitted through the glass substrate through the portion where the phase shifter is formed. Irradiating the removed ion beam on the glass substrate below the removed area to process the optical mask.
遮光パターンの特定の開口部に露光光の位相を変える位
相シフターを設けた投影光学系用マスクにおける前記位
相シフターの欠陥を修正する方法であって、フッ素系の
ガスの雰囲気中で前記位相シフターの欠陥を含む領域に
集束したイオンビームを照射して前記位相シフターの欠
陥を含む領域を除去加工し、該除去加工した領域の下部
の前記ガラス基板に前記フッ素系のガスの雰囲気中で集
束したイオンビームを照射して前記除去加工した領域の
下部の前記ガラス基板を前記位相シフタの厚さと同じ寸
法の深さ分だけ除去加工することを特徴とする光学マス
クの欠陥修正方法。3. A method for correcting a defect of the phase shifter in a projection optical system mask in which a light shielding pattern is formed on a glass substrate and a phase shifter for changing a phase of exposure light is provided in a specific opening of the light shielding pattern. In the atmosphere of a fluorine-based gas, the region containing the defect of the phase shifter is irradiated with a focused ion beam to remove the region containing the defect of the phase shifter, and the lower portion of the removed region is removed. Irradiating the glass substrate with an ion beam focused in the atmosphere of the fluorine-based gas to remove the glass substrate below the removed region by the same depth as the thickness of the phase shifter. A defect correction method for an optical mask, characterized by comprising the following:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10350944A JPH11258777A (en) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | Correcting method of defect in optical mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10350944A JPH11258777A (en) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | Correcting method of defect in optical mask |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32853491A Division JPH05165189A (en) | 1991-03-19 | 1991-12-12 | Optical mask and method for correcting the mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258777A true JPH11258777A (en) | 1999-09-24 |
Family
ID=18413978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10350944A Pending JPH11258777A (en) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | Correcting method of defect in optical mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11258777A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006500231A (en) * | 2002-09-20 | 2006-01-05 | イリディグム ディスプレイ コーポレイション | Control of electromechanical behavior of structures in microelectromechanical system devices |
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-
1998
- 1998-12-10 JP JP10350944A patent/JPH11258777A/en active Pending
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