JPH11256148A - Luminous material and organic el element using the same - Google Patents

Luminous material and organic el element using the same

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JPH11256148A
JPH11256148A JP10061256A JP6125698A JPH11256148A JP H11256148 A JPH11256148 A JP H11256148A JP 10061256 A JP10061256 A JP 10061256A JP 6125698 A JP6125698 A JP 6125698A JP H11256148 A JPH11256148 A JP H11256148A
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JP
Japan
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group
organic
substituted
light emitting
unsubstituted
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Withdrawn
Application number
JP10061256A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroo Miyamoto
裕生 宮本
Shinko Kamikawa
真弘 上川
Hitoshi Ikeda
等 池田
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a material for an organic luminous layer favorable for utilizing energy transferred to a triplet exciton for light emission by including a phosphorescent substance having a specific value or above of phosphorescent luminous intensity and a triplet level and a rare earth complex therein. SOLUTION: This material comprises a phosphorescent substance having a phosphorescent luminous intensity of that of benzophenone or above and a rare earth complex (e.g. a europium complex having a β-diketone ligand), and the phosphorescent substance has a triplet level of that of a ligand in the rare earth complex or above. The phosphorescent substance preferably contains a benzoyl group represented by formula I (R1 is an alkyl, a cycloalkyl, an acyl or an aryl; R2 to R6 are each H, an alkyl, a cycloalkyl, an acyl or an aryl) or its complex group and is especially preferably a benzophenone derivative represented by formula II (R1 to R10 are each H, hydroxyl group, an alkyl, a cycloalkyl, an acyl, amino, nitro, an alkoxy, cyano or an aryl) or its derivative.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス(以下、単に有機ELという。)素子に
関するものであり、特に有機EL素子の有機発光層の材
料に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter simply referred to as "organic EL") device, and more particularly to a material for an organic light emitting layer of an organic EL device.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機材料に電界を印加することにより得
られる有機エレクトロルミネッセンスを利用した発光素
子(有機EL素子)は、文献1(文献1:「Organic el
ectroluminescent diodes 」C.W.Tang and S.A.VanSlyk
e,Appl.Phys.Lett.vol 51 No.12 pp913-915(1987) )に
おいて、Tangらが、低電圧で高輝度の発光が得られ
る発光素子を実現させて以来、研究開発が活発に行われ
ている。
2. Description of the Related Art A light-emitting element (organic EL element) utilizing organic electroluminescence obtained by applying an electric field to an organic material is disclosed in Document 1 (Document 1: "Organic EL").
ectroluminescent diodes '' CWTang and SAVanSlyk
e, Appl. Phys. Lett. vol 51 No.12 pp913-915 (1987)), Tang et al. have been active in research and development since realizing a light-emitting element that can emit light with high luminance at low voltage. Have been done.

【0003】文献1の有機EL素子は、陽極、正孔輸送
層、有機発光層および陰極を具えた2層型のもので、陽
極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とが
再結合して、この再結合によって発生するエネルギーに
よって有機発光層中の有機化合物が励起する。そして励
起した状態から失活する際にその化合物固有の発光が放
出される。文献1では、10V程度の直流電圧で、輝度
1000cd/m2 を越える面発光が得られている。
The organic EL device of Document 1 is of a two-layer type including an anode, a hole transport layer, an organic light emitting layer and a cathode, in which holes injected from the anode and electrons injected from the cathode are used. Recombination causes the energy generated by the recombination to excite the organic compound in the organic light emitting layer. Then, upon deactivation from the excited state, light emission specific to the compound is emitted. In Document 1, surface light with a luminance exceeding 1000 cd / m 2 is obtained at a DC voltage of about 10 V.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機EL素子においては、正孔および電子の再結合によ
って生じるエネルギーの大部分は熱として消費されてし
まう。詳しく説明すると、正孔と電子との再結合によっ
て、電気的に中性の分子励起子が生成される。発光はこ
の分子励起子を経由して起こっている。生成される分子
励起子には、一重項励起子と三重項励起子とが混合して
いて、一重項励起子および三重項励起子は、一般的には
1:3の割合で、三重項励起子の方が多く生成されてい
ると言われている。また、発光に寄与する励起子は一重
項励起子であって、三重項励起子は非発光性である。こ
のため、三重項励起子は最終的には熱として消費されて
しまい、生成率の低い一重項励起子から発光が生じてい
る。したがって、有機EL素子においては、正孔と電子
との再結合によって発生するエネルギーのうち、三重項
励起子の方へ移動したエネルギーは大きい損失となって
いる。
However, in the conventional organic EL device, most of the energy generated by recombination of holes and electrons is consumed as heat. More specifically, recombination of holes and electrons generates electrically neutral molecular excitons. Light emission occurs via this molecular exciton. The generated molecular exciton is a mixture of a singlet exciton and a triplet exciton, and the singlet exciton and the triplet exciton generally have a triplet excitation ratio of 1: 3. It is said that more children are created. In addition, excitons that contribute to light emission are singlet excitons, and triplet excitons are non-emissive. Therefore, the triplet exciton is eventually consumed as heat, and light emission is generated from the singlet exciton having a low generation rate. Therefore, in the organic EL element, of the energy generated by the recombination of holes and electrons, the energy transferred to the triplet exciton has a large loss.

【0005】よって、近年、三重項励起子へ移動したエ
ネルギーを有効に発光に利用する研究がなされてきてい
る。
Therefore, in recent years, researches have been made to effectively utilize the energy transferred to triplet excitons for light emission.

【0006】例えば、文献2に記載されているように、
希土類錯体と呼ばれる材料系は、配位子の三重項準位を
経由して発光する(文献2:「Relations between Intr
amolecular Energy Transfer Efficiencies and Triple
t State Energies in Rare Earth β-diketone Chelate
s 」S.Sato and M.Wada :Bull.Chem.Soc.Jpn. vol.43pp
1955-1962(1970))。また、三重項準位から他の三重項
準位へのエネルギーの移動は電子のスピンの反転を伴う
ことなく容易に行われることから、文献3に開示されて
いるように、キャリアの再結合で生じた三重項励起子の
エネルギーを、希土類錯体の三重項準位へ移して、希土
類錯体中の希土類イオンの発光として取り出すというこ
とが考えられている。これにより、有機EL素子の発光
効率を飛躍的に向上させることができる(文献3:特開
平8−319482号公報)。さらに、希土類錯体から
発光を得るためには、希土類錯体をドープしたホスト材
料の三重項準位が希土類錯体の配位子の三重項準位より
も高くなるように各材料を選び、また、積層薄膜型EL
素子を構成する場合においては、希土類錯体をドープし
たホスト材料の三重項準位が他の薄膜層を構成する材料
の三重項準位よりも低くなるように各層の材料を選ぶ必
要がある。
For example, as described in Document 2,
A material system called a rare earth complex emits light via a triplet level of a ligand (Reference 2: “Relations between Intr”).
amolecular Energy Transfer Efficiencies and Triple
t State Energies in Rare Earth β-diketone Chelate
s '' S.Sato and M.Wada: Bull.Chem.Soc.Jpn.vol.43pp
1955-1962 (1970)). In addition, since the transfer of energy from a triplet level to another triplet level is easily performed without inversion of electron spin, as described in Reference 3, carrier recombination occurs. It is considered that the energy of the generated triplet exciton is transferred to the triplet level of the rare-earth complex and is extracted as light emission of rare-earth ions in the rare-earth complex. Thereby, the luminous efficiency of the organic EL element can be dramatically improved (Reference 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-319482). Furthermore, in order to obtain light emission from the rare-earth complex, each material is selected such that the triplet level of the host material doped with the rare-earth complex is higher than the triplet level of the ligand of the rare-earth complex. Thin-film EL
In forming an element, it is necessary to select the material of each layer so that the triplet level of the host material doped with the rare earth complex is lower than the triplet level of the material forming another thin film layer.

【0007】しかしながら、たくさんの三重項準位を有
する材料の中から上記の条件に合うようなホスト材料を
具体的に特定するのは困難であった。
However, it has been difficult to specifically specify a host material that satisfies the above conditions from among materials having many triplet levels.

【0008】このため、三重項励起子へ移動したエネル
ギーを発光に利用するための好ましい有機発光層の材料
の出現が望まれていた。
For this reason, there has been a demand for the appearance of a preferable material for the organic light emitting layer for utilizing the energy transferred to the triplet exciton for light emission.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このため、この発明の発
光用材料によれば、ベンゾフェノンの燐光発光強度以上
の燐光発光強度を有する燐光物質と希土類錯体とを具え
ている。そして、この燐光物質は、希土類錯体の配位子
の三重項準位以上の三重項準位を有する物質とする。
According to the present invention, there is provided a light-emitting material comprising a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity higher than that of benzophenone and a rare-earth complex. The phosphorescent substance is a substance having a triplet level equal to or higher than the triplet level of the ligand of the rare earth complex.

【0010】ここで、燐光物質とは、三重項準位のエネ
ルギー状態から基底一重項準位の状態への遷移に基づく
発光の強度が他の物質に比べて高い物質とする。
[0010] Here, a phosphorescent substance is a substance whose emission intensity based on a transition from a triplet energy state to a ground singlet state is higher than other substances.

【0011】この発光用材料を有機EL素子の有機発光
層の材料として用いれば、陰極と陽極とから注入された
キャリアの再結合によって発生する三重項励起子のエネ
ルギーを、燐光物質よりも三重項準位の低い希土類錯体
の三重項準位へ移すことができる。そして、移動したエ
ネルギーを希土類錯体中の希土類イオンの発光として取
り出すことができる。また、ベンゾフェノンの燐光発光
強度以上の燐光発光強度を有する燐光物質を用いれば、
有機EL素子として十分な強度の発光を得ることができ
る。また、燐光が強いということは、明確な三重項準位
を有しているということを意味していて、なおかつ、不
純物などに起因する未知の準位の存在によってエネルギ
ーが熱失活されにくくなっていることを意味している。
従って、エネルギーが熱失活してしまう前に三重項準位
から希土類錯体へ効率よくエネルギーを移動させること
ができる。
When this light emitting material is used as a material for an organic light emitting layer of an organic EL device, the energy of triplet excitons generated by recombination of carriers injected from a cathode and an anode is more triplet than that of a phosphorescent substance. It can be transferred to the triplet level of a rare earth complex having a low level. Then, the transferred energy can be extracted as light emission of rare earth ions in the rare earth complex. Also, if a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity equal to or higher than that of benzophenone is used,
Light emission with sufficient intensity as an organic EL element can be obtained. In addition, strong phosphorescence means having a clear triplet level, and energy is not easily deactivated by heat due to the presence of an unknown level due to impurities or the like. That means.
Therefore, energy can be efficiently transferred from the triplet level to the rare earth complex before the energy is thermally deactivated.

【0012】また、燐光物質は下記(1)式で示される
ベンゾイル基若しくはベンゾイル基の複合基を含んでい
るのが好ましい。
The phosphor preferably contains a benzoyl group or a complex group of a benzoyl group represented by the following formula (1).

【0013】[0013]

【化11】 Embedded image

【0014】上記(1)式のR1は、置換若しくは非置
換のアルキル基、または置換若しくは非置換のシクロア
ルキル基、または置換若しくは非置換のアシル基、また
は置換若しくは非置換のアリール基とする。また、R2
〜R6のそれぞれは、水素、または置換若しくは非置換
のアルキル基、または置換若しくは非置換のシクロアル
キル基、または置換若しくは非置換のアシル基、または
置換若しくは非置換のアリール基で構成されているのが
よい。このR2〜R6は、互いが同じ基であっても、一
部異なっていても、全部が異なる基で構成されていても
よい。
R1 in the above formula (1) is a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. Also, R2
To R6 each consist of hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. Is good. These R2 to R6 may be the same group, may be partially different, or may be entirely composed of different groups.

【0015】ここで、置換のアルキル基とは、例えばト
リフルオロメチル基や、トリクロロメチル基等であり、
非置換のアルキル基とは例えばメチル基やエチル基を指
す。また、置換のシクロアルキル基とは、例えば、塩化
シクロプロピル基や水酸化シクロブチル基であり、非置
換のシクロアルキル基とは、シクロブチル基やシクロヘ
キシル基を指す。また、置換のアシル基とは、例えばト
リフルオロアセチル基等であり、非置換のアシル基とは
アセチル基等を指す。また、置換のアリール基とは、例
えばクロロフェニル基や水酸化フェニル基であり、非置
換のアリール基とは、例えばフェニル基やナフチル基等
を指す。
Here, the substituted alkyl group is, for example, a trifluoromethyl group or a trichloromethyl group.
An unsubstituted alkyl group refers to, for example, a methyl group or an ethyl group. Further, the substituted cycloalkyl group is, for example, a cyclopropyl group or a cyclobutyl hydroxide group, and the unsubstituted cycloalkyl group is a cyclobutyl group or a cyclohexyl group. The substituted acyl group is, for example, a trifluoroacetyl group and the like, and the unsubstituted acyl group is an acetyl group and the like. The substituted aryl group is, for example, a chlorophenyl group or a phenylhydroxide group, and the unsubstituted aryl group is, for example, a phenyl group, a naphthyl group, or the like.

【0016】例えば、R2〜R6が全部水素である場
合、上記(1)式はベンゾイル基となる。
For example, when all of R2 to R6 are hydrogen, the above formula (1) is a benzoyl group.

【0017】また、燐光物質として好ましくは、下記
(2)式で示されるベンゾフェノン若しくはベンゾフェ
ノンの誘導体であるのがよい。
The phosphorescent substance is preferably benzophenone or a benzophenone derivative represented by the following formula (2).

【0018】[0018]

【化12】 Embedded image

【0019】上記(2)式のR1〜R10のそれぞれ
は、水素、または水酸基、または置換若しくは非置換の
アルキル基、または置換若しくは非置換のシクロアルキ
ル基、または置換若しくは非置換のアシル基、または置
換若しくは非置換のアミノ基、またはニトロ基、または
置換若しくは非置換のアルコキシ基、またはシアノ基、
または置換若しくは非置換のアリール基とする。そして
R1〜R10は、互いが同じ基であっても、一部異なっ
ていても、全部異なった基で構成されていても良い。上
記(2)式で示されるベンゾフェノン若しくはベンゾフ
ェノンの誘導体は、上述の(1)式で示されるベンゾイ
ル基(若しくはベンゾイル基の複合基)を含有してい
る。このベンゾイル基のR1をフェニル基としたベンゾ
フェノン(若しくはベンゾフェノンの誘導体)を発光用
材料として有機EL素子に用いることによって、より、
強度の大きい発光が得られる。
Each of R1 to R10 in the above formula (2) is hydrogen, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted acyl group, or A substituted or unsubstituted amino group, or a nitro group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a cyano group,
Alternatively, it is a substituted or unsubstituted aryl group. R1 to R10 may be the same group, may be partially different, or may be entirely different groups. The benzophenone or benzophenone derivative represented by the above formula (2) contains the benzoyl group (or a benzoyl group composite group) represented by the above formula (1). By using benzophenone (or a derivative of benzophenone) in which R1 of the benzoyl group is a phenyl group as a light-emitting material in an organic EL device,
High intensity light emission is obtained.

【0020】なお、置換若しくは非置換のアルキル基、
置換若しくは非置換のシクロアルキル基、置換若しくは
非置換のアシル基および置換若しくは非置換のアリール
基は、具体的には上述で説明したような基とする。ま
た、置換のアミノ基は、例えば、ジメチルアミノ基等で
ある。また、置換のアルコキシ基は、例えば、クロロメ
トキシ基等であり、非置換のアルコキシ基とは、例え
ば、メトキシ基やエトキシ基等を指す。
Incidentally, a substituted or unsubstituted alkyl group,
The substituted or unsubstituted cycloalkyl group, the substituted or unsubstituted acyl group, and the substituted or unsubstituted aryl group are specifically the groups described above. The substituted amino group is, for example, a dimethylamino group. The substituted alkoxy group is, for example, a chloromethoxy group and the like, and the unsubstituted alkoxy group is, for example, a methoxy group and an ethoxy group.

【0021】また、誘導体とは、上記(2)式で示され
る化合物に、この発明の目的を損ねない範囲で、部分的
な構造上の変更をした化合物である。例えば、このベン
ゾフェノンの誘導体を、2−アミノ−5−ニトロベンゾ
フェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−
ベンゾイルビフェニル、4,4’−ビス(ジメチルアミ
ノ)ベンゾフェノン、および4−モルフォリノベンゾフ
ェノンの群から選ばれる一種または二種以上の物質とす
るのがよい。これらの物質は、ベンゾフェノンよりも燐
光発光強度が大きい。これらの物質を発光材料として有
機EL素子に用いれば、より、強度の大きい発光が得ら
れる。
The derivative is a compound obtained by partially modifying the compound represented by the above formula (2) within a range that does not impair the object of the present invention. For example, a derivative of this benzophenone is represented by 2-amino-5-nitrobenzophenone, 4,4′-dimethoxybenzophenone,
One or two or more substances selected from the group of benzoylbiphenyl, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, and 4-morpholinobenzophenone are preferable. These substances have higher phosphorescence emission intensity than benzophenone. When these substances are used as a light emitting material in an organic EL device, light emission with higher intensity can be obtained.

【0022】また、燐光物質として、下記(3)式で示
されるトリフェニルアセトフェノンまたはその誘導体を
用いてもよい。
Further, triphenylacetophenone or a derivative thereof represented by the following formula (3) may be used as the phosphorescent substance.

【0023】[0023]

【化13】 Embedded image

【0024】なお、この(3)式のR1〜R20のそれ
ぞれは、水素、または水酸基、または置換若しくは非置
換のアルキル基、または置換若しくは非置換のシクロア
ルキル基、または置換若しくは非置換のアシル基、また
は置換若しくは非置換のアリール基とするのがよい。ま
たR1〜R20は、互いが同じ基であっても、一部異な
っていても、全部が異なる基で構成されていてもよい。
R1〜R20が全て水素であれば、2,2,2−トリフ
ェニルアセトフェノンとなる(下記(4)式参照。)。
上記置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非
置換のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のアシル
基、および置換若しくは非置換のアリール基は、具体的
には上述で挙げたような基とするのがよい。
In the formula (3), each of R1 to R20 is hydrogen, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group. Or a substituted or unsubstituted aryl group. Further, R1 to R20 may be the same group, may be partially different, or may be entirely composed of different groups.
If all of R1 to R20 are hydrogen, it becomes 2,2,2-triphenylacetophenone (see the following formula (4)).
The substituted or unsubstituted alkyl group, the substituted or unsubstituted cycloalkyl group, the substituted or unsubstituted acyl group, and the substituted or unsubstituted aryl group are specifically the groups described above. Is good.

【0025】[0025]

【化14】 Embedded image

【0026】これを燐光物質として用いて、希土類錯体
と合わせて発光用材料を構成すれば、トリフェニルアセ
トフェノン中に発生する三重項励起子のエネルギーを希
土類錯体の配位子の三重項準位に効率よく移して、希土
類イオンの発光として取り出すことができる。これによ
り、従来よりも発光効率を向上させることができる。
When this is used as a phosphorescent material and a light emitting material is formed in combination with a rare earth complex, the energy of the triplet exciton generated in triphenylacetophenone is converted to the triplet level of the ligand of the rare earth complex. It can be efficiently transferred and extracted as emission of rare earth ions. Thereby, the luminous efficiency can be improved as compared with the related art.

【0027】また、トリフェニルアセトフェノンのメチ
ル誘導体である、上記式(3)のR2およびR15をメ
チル基(−CH3 )とした[2,2−ジフェニル−2−
(2−メチルフェニル)]エチロ−2−メチルフェノン
(以下、Me−TPAPと称する。)(下記(5)式参
照。)を燐光物質として用いてもよい。
Further, methyl derivatives of triphenyl acetophenone, and the R2 and R15 in the formula (3) as a methyl group (-CH 3) [2,2-diphenyl-2
(2-Methylphenyl)] ethyl-2-methylphenone (hereinafter referred to as Me-TPAP) (see formula (5) below) may be used as the phosphorescent substance.

【0028】[0028]

【化15】 Embedded image

【0029】また、発光用材料の希土類錯体は、好まし
くは、β−ジケトン配位子を有するユーロピウム錯体と
するのがよい。このような希土類錯体を励起して発光さ
せると、他の材料と比較して強度が強く、寿命の長い発
光が得られる。これに関しては、例えば文献4に詳細に
説明されている(文献4:Fluorescense Enhancementby
Electron-Withdrawing Groups onβ-Diketones in Eu
(III)-β-diketonato-topo Ternary Complexes,Analyti
cal Sciences vol.12 pp31-36(1996),J.Yuan and K.Mat
sumoto)。
The rare earth complex of the light emitting material is preferably a europium complex having a β-diketone ligand. When such a rare-earth complex is excited to emit light, light emission having a higher intensity and a longer life than other materials can be obtained. This is described in detail in, for example, Reference 4 (Reference 4: Fluorescense Enhancementby).
Electron-Withdrawing Groups onβ-Diketones in Eu
(III) -β-diketonato-topo Ternary Complexes, Analyti
cal Sciences vol.12 pp31-36 (1996), J.Yuan and K.Mat
sumoto).

【0030】希土類錯体とは希土類元素イオンと、配位
子とから構成されている化合物で、一般的に、REn
(L1)m (L2)l と表される。ここで、REが希土
類元素イオン、L1が主配位子、およびL2が第2配位
子である。また、n,mは正の整数で、lは0若しくは
正の整数である。希土類元素は、周期表のIII 属a亜族
に属するスカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、
およびランタノイド(ランタン(La)からルテチウム
(Lu)までの15元素)を指す。そのうち、発光に携
わる元素イオンとしては、赤色発光のユーロピウムイオ
ン(Eu3+)、緑色発光のテルビウムイオン(T
3+)、青色発光のセリウムイオン(Ce3+)などが挙
げられる。また、主配位子はマイナスの電荷を帯びてい
て、プラス電荷の希土類元素イオンに配位することによ
って、分子の電荷が中和される。主配位子としては、β
−ジケトン系、キノリノール系が挙げられる。また、第
2配位子は、一般的には電気的に中性な配位子で、主配
位子と共に希土類元素に配位することで、その錯体の配
位数を満たして化合物を安定な状態にする働きをしてい
る。第2配位子としては、例えば1,10−フェナント
ロリン、ジピリジルおよびターピリジル等を挙げること
ができる。
[0030] In compounds and rare earth complex which is composed of a rare earth element ion, a ligand, generally, RE n
(L1) m (L2) l . Here, RE is a rare earth element ion, L1 is a main ligand, and L2 is a second ligand. Further, n and m are positive integers, and l is 0 or a positive integer. The rare earth elements include scandium (Sc), yttrium (Y), and yttrium (Y) belonging to Group IIIa subgroup of the periodic table.
And lanthanoids (15 elements from lanthanum (La) to lutetium (Lu)). Among them, elemental ions involved in light emission include europium ion (Eu 3+ ) that emits red light and terbium ion (Tu) that emits green light.
b 3+ ) and cerium ion (Ce 3+ ) which emits blue light. In addition, the main ligand has a negative charge, and the charge of the molecule is neutralized by coordinating with the positively charged rare earth element ion. As the main ligand, β
-Diketones and quinolinols. The second ligand is generally an electrically neutral ligand. By coordinating to the rare earth element together with the main ligand, the second ligand satisfies the coordination number of the complex and stabilizes the compound. It works to make it in a good state. Examples of the second ligand include 1,10-phenanthroline, dipyridyl, terpyridyl and the like.

【0031】また、陽極、有機発光層および陰極を具え
た有機EL素子において、好ましくは、有機発光層の材
料として、上述したような発光用材料を用いるのがよ
い。
In an organic EL device having an anode, an organic light emitting layer, and a cathode, it is preferable to use the above-mentioned light emitting material as a material for the organic light emitting layer.

【0032】この発光材料はベンゾフェノンの燐光発光
強度以上の燐光発光強度を有する燐光物質と希土類錯体
とを具えている。また、この燐光物質は、希土類錯体の
配位子の三重項準位以上の三重項準位を有する物質とし
てある。このため、キャリアの再結合によって有機発光
層中に発生する分子励起子のうち、従来発光に寄与して
いなかった三重項励起子のエネルギーを発光として取り
出すことができる。詳しくは、燐光物質中に発生する三
重項励起子のエネルギーを、三重項準位が燐光物質以下
の希土類錯体の配位子の三重項準位に移動させて、最終
的に希土類元素イオンの発光として取り出す。ベンゾフ
ェノンの燐光発光強度以上の燐光発光強度を有する燐光
物質を用いることによって、有機EL素子として用いる
ことのできる強度の発光が得られる。また、従来、エネ
ルギー損失となっていた三重項励起子のエネルギーを発
光として取り出すことができるため、発光効率を大幅に
向上させることができる。
This luminescent material comprises a phosphor having a phosphorescence intensity equal to or higher than that of benzophenone and a rare earth complex. This phosphorescent substance is a substance having a triplet level equal to or higher than the triplet level of the ligand of the rare earth complex. For this reason, among the molecular excitons generated in the organic light emitting layer by the recombination of carriers, the energy of the triplet exciton that has not conventionally contributed to light emission can be extracted as light emission. Specifically, the energy of the triplet exciton generated in the phosphor is transferred to the triplet level of the ligand of the rare earth complex whose triplet level is lower than that of the phosphor, and finally the emission of rare earth element ions Take out as. By using a phosphorescent substance having a phosphorescence emission intensity equal to or higher than that of benzophenone, light emission with an intensity which can be used as an organic EL element can be obtained. Further, since the energy of the triplet exciton, which has conventionally been an energy loss, can be taken out as luminescence, luminous efficiency can be greatly improved.

【0033】また、燐光物質は、上記(1)式のベンゾ
イル基若しくはベンゾイル基の複合基を含んでいるのが
よい。また、その中でも、上記(2)式で示されるベン
ゾフェノン若しくはその誘導体とするのが好ましい。ま
た、この(2)式で示される物質のうち、2−アミノ−
5−ニトロベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベン
ゾフェノン、4−ベンゾイルビフェニル、4,4’−ビ
ス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、および4−モル
フォリノベンゾフェノンの群から選ばれる一種または二
種以上の物質とするのが好適である。さらに、燐光物質
としては、上記(3)式で示されるトリフェニルアセト
フェノンまたはその誘導体であってもよい。その中で
も、例えば、2,2,2−トリフェニルアセトフェノン
や、Me−TPAPを用いるのが好適である。
The phosphor preferably contains a benzoyl group of the formula (1) or a complex group of a benzoyl group. Among them, benzophenone represented by the formula (2) or a derivative thereof is preferable. Further, among the substances represented by the formula (2), 2-amino-
One or more substances selected from the group consisting of 5-nitrobenzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-benzoylbiphenyl, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, and 4-morpholinobenzophenone Is preferred. Further, the phosphorescent substance may be triphenylacetophenone represented by the above formula (3) or a derivative thereof. Among them, for example, 2,2,2-triphenylacetophenone or Me-TPAP is preferably used.

【0034】また、有機発光層の材料として用いられる
希土類錯体は、好ましくは、β−ジケトン配位子を有す
るユーロピウム錯体とするのがよい。この錯体からは、
強度が大きく、かつ寿命の長い希土類元素イオンの発光
が得られる。
The rare earth complex used as a material for the organic light emitting layer is preferably a europium complex having a β-diketone ligand. From this complex,
Light emission of rare earth element ions having high intensity and long life can be obtained.

【0035】また、有機EL素子として、好ましくは、
陽極と有機発光層との間に正孔輸送層を具えているのが
よい。正孔輸送層を具えていることによって、陽極から
有機発光層への正孔の注入が効率よく行われるため、発
光効率をより向上させることができる。
As the organic EL device, preferably,
Preferably, a hole transport layer is provided between the anode and the organic light emitting layer. By providing the hole transport layer, holes can be efficiently injected from the anode to the organic light emitting layer, so that the luminous efficiency can be further improved.

【0036】また、陰極と有機発光層との間に電子輸送
層を具えていてもよい。これにより陰極から有機発光層
への電子の注入効率が向上するため、発光効率をより向
上させることができる。
Further, an electron transport layer may be provided between the cathode and the organic light emitting layer. Thereby, the efficiency of injecting electrons from the cathode into the organic light emitting layer is improved, so that the luminous efficiency can be further improved.

【0037】また、有機EL素子において、好ましく
は、陽極と有機発光層との間に正孔輸送層を具え、また
有機発光層と陰極との間に電子輸送層を具えているのが
よい。これにより、陽極から有機発光層への正孔の注入
効率、および陰極から有機発光層への電子の注入効率を
向上させることができる。このため、より発光効率を向
上させることができる。
In the organic EL device, preferably, a hole transport layer is provided between the anode and the organic light emitting layer, and an electron transport layer is preferably provided between the organic light emitting layer and the cathode. Thereby, the efficiency of injecting holes from the anode into the organic light emitting layer and the efficiency of injecting electrons from the cathode into the organic light emitting layer can be improved. Therefore, the luminous efficiency can be further improved.

【0038】なお、この発明の有機EL素子の陽極は、
従来と同様に、EL発光を透過するような透明性の電極
とする。
The anode of the organic EL device of the present invention is
As in the conventional case, a transparent electrode that transmits EL light is used.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、この発明の発光用材料を用
いた有機EL素子の実施の形態について、図を参照して
説明する。なお、各図は発明を理解できる程度に各構成
成分の形状、大きさ、配置関係を概略的に示してあるに
過ぎず、したがってこの発明を図示例に限定するもので
はない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an organic EL device using the light emitting material of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings merely schematically show the shapes, sizes, and arrangements of the components so that the present invention can be understood, and thus the present invention is not limited to the illustrated examples.

【0040】図1は、基板11上に、陽極13、有機発
光層15および陰極17をこの順に具える有機EL素子
10に、この発明を適用した例を示した図であり、この
有機EL素子10の概略的な断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example in which the present invention is applied to an organic EL device 10 having an anode 13, an organic light emitting layer 15 and a cathode 17 on a substrate 11 in this order. It is a schematic sectional drawing of 10.

【0041】基板11は、典型的には透明基板で構成す
る。例えばガラス基板で構成することができる。
The substrate 11 is typically constituted by a transparent substrate. For example, it can be composed of a glass substrate.

【0042】陽極13には、EL発光を透過し、かつ仕
事関数の大きな(概ね4.0eV以上)金属や電気伝導
材料が用いられる。一般には、酸化インジウムスズ(I
TO)が用いられる。
The anode 13 is made of a metal or an electric conductive material that transmits EL light emission and has a large work function (generally, 4.0 eV or more). Generally, indium tin oxide (I
TO) is used.

【0043】また、陰極17には、例えば、マグネシウ
ム、またはマグネシウムと銀との合金、またはアルミニ
ウムとリチウムとの合金が用いられる。
For the cathode 17, for example, magnesium, an alloy of magnesium and silver, or an alloy of aluminum and lithium is used.

【0044】有機発光層15は、この発明の発光用材料
を用いて構成する。この発光用材料は、ベンゾフェノン
の燐光発光強度以上の燐光発光強度を有する燐光物質と
希土類錯体とを具えている。燐光物質に希土類錯体を添
加することによって有機発光層15を構成する。
The organic light emitting layer 15 is formed using the light emitting material of the present invention. The light emitting material includes a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity higher than that of benzophenone and a rare earth complex. The organic light emitting layer 15 is formed by adding a rare earth complex to a phosphorescent substance.

【0045】これら、陽極13、有機発光層15および
陰極17のそれぞれの層の厚さは設計に応じた好適な値
とする。
The thickness of each of the anode 13, the organic light emitting layer 15, and the cathode 17 is a suitable value according to the design.

【0046】また、図2は、基板11上に、陽極13、
正孔輸送層19、有機発光層15および陰極17をこの
順に具える有機EL素子20に、この発明を適用した図
であり、この有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 2 shows that an anode 13,
FIG. 3 is a diagram in which the present invention is applied to an organic EL device 20 including a hole transport layer 19, an organic light emitting layer 15, and a cathode 17 in this order, and is a schematic sectional view of the organic EL device.

【0047】正孔輸送層19は、例えば、N,N’−ジ
フェニル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,
1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(以下、TP
D)や、N,N’−ジフェニル−N,N’−(1−ナフ
チル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン
(以下、NPD)等のジアミン誘導体や、トリフェニル
アミン系、トリフェニルメタン系、ピラゾリン系、ヒド
ラゾン系、若しくはアモルファスシリコン系の材料など
の有機材料若しくは無機材料で構成される。それ以外の
各構成成分11、13、15および17は、それぞれ図
1を用いて説明した有機EL素子と同様とすることがで
きる。
The hole transport layer 19 is made of, for example, N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,
1'-biphenyl-4,4'-diamine (hereinafter referred to as TP
D), diamine derivatives such as N, N′-diphenyl-N, N ′-(1-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (hereinafter, NPD), and triphenylamine-based , Triphenylmethane, pyrazoline, hydrazone, or amorphous silicon materials. Other components 11, 13, 15, and 17 can be the same as the organic EL device described with reference to FIG.

【0048】また、図3は、基板11上に、陽極13、
有機発光層15、電子輸送層21および陰極17をこの
順に具える有機EL素子30に、この発明を適用した図
であり、この有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 3 shows that an anode 13,
FIG. 2 is a diagram in which the present invention is applied to an organic EL device 30 including an organic light emitting layer 15, an electron transport layer 21, and a cathode 17 in this order, and is a schematic sectional view of the organic EL device.

【0049】電子輸送層21には、例えば、トリス(8
−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム(以下、Al
qと称する。)等のキノリノール錯体やポルフィリン系
錯体等の金属錯体や、オキサジアゾール誘導体、シクロ
ペンタジエン誘導体、ペリレン誘導体等を用いることが
できる。それ以外の各構成成分11、13、15、17
は、それぞれ図1および図2を用いて説明した有機EL
素子と同様とすることができる。
In the electron transport layer 21, for example, tris (8
-Hydroxyquinolinol) aluminum (hereinafter referred to as Al
Called q. ), A metal complex such as a porphyrin complex, an oxadiazole derivative, a cyclopentadiene derivative, a perylene derivative, or the like. Other components 11, 13, 15, 17
Are the organic ELs described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively.
It can be the same as the element.

【0050】また、図4は、基板11上に、陽極13、
正孔輸送層19、有機発光層15、電子輸送層21およ
び陰極17をこの順に具える有機EL素子40に、この
発明を適用した図であり、この有機EL素子の概略的な
断面図である。
FIG. 4 shows that an anode 13,
FIG. 3 is a diagram in which the present invention is applied to an organic EL device 40 including a hole transport layer 19, an organic light emitting layer 15, an electron transport layer 21, and a cathode 17 in this order, and is a schematic cross-sectional view of the organic EL device. .

【0051】この素子の各構成成分11、13、15、
17、19および21は、それぞれ図1〜図3を用いて
説明した有機EL素子と同様とすることができる。
Each component 11, 13, 15,
17, 19, and 21 can be the same as the organic EL elements described with reference to FIGS.

【0052】また、図5は、基板11上に、陽極13、
燐光物質層23、有機発光層15および陰極17をこの
順に具える有機EL素子50にこの発明を適用した図で
あり、この有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 5 shows that an anode 13,
FIG. 2 is a diagram in which the present invention is applied to an organic EL device 50 including a phosphorescent material layer 23, an organic light emitting layer 15, and a cathode 17 in this order, and is a schematic sectional view of the organic EL device.

【0053】燐光物質層23は、燐光物質で構成されて
いるが、正孔輸送層として働く層である。また、例え
ば、この燐光物質層23を構成する燐光物質を、有機発
光層15の材料の燐光物質の三重項準位以上の三重項準
位を有する物質とすれば、有機発光層15で生成された
三重項励起子の、有機発光層15中への閉じこめ効果が
高くなるため、この素子50からの発光の強度を向上さ
せることができる。
The phosphor layer 23 is a layer composed of a phosphor, but functions as a hole transport layer. Further, for example, if the phosphor constituting the phosphor layer 23 is a substance having a triplet level equal to or higher than the triplet level of the phosphor of the material of the organic light emitting layer 15, the phosphor is generated in the organic light emitting layer 15. Since the effect of confining the triplet excitons in the organic light emitting layer 15 is increased, the intensity of light emission from the element 50 can be improved.

【0054】なお、この素子の各構成成分11、13、
15および17は、それぞれ図1〜図4を用いて説明し
た有機EL素子と同様とすることができる。
The components 11, 13,
Reference numerals 15 and 17 can be the same as the organic EL elements described with reference to FIGS.

【0055】図1を用いて説明した有機EL素子10、
図2を用いて説明した有機EL素子20、図3を用いて
説明した有機EL素子30、図4を用いて説明した有機
EL素子40および図5を用いて説明した有機EL素子
50は、いずれも、有機発光層にベンゾフェノンの燐光
発光強度以上の燐光発光強度を有する燐光物質と希土類
錯体とを具えた発光用材料を用いて構成している。な
お、この燐光物質の三重項準位は希土類錯体の配位子の
三重項準位以上である。よって、キャリアの再結合によ
って燐光物質中に発生する三重項励起子のエネルギー
を、燐光物質の三重項準位以下である希土類錯体の三重
項準位へ移すことができる。この移動したエネルギーは
希土類錯体中の希土類イオンの発光として取り出すこと
ができる。
The organic EL device 10 described with reference to FIG.
The organic EL element 20 described with reference to FIG. 2, the organic EL element 30 described with reference to FIG. 3, the organic EL element 40 described with reference to FIG. 4, and the organic EL element 50 described with reference to FIG. Also, the organic light-emitting layer is formed using a light-emitting material including a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity higher than that of benzophenone and a rare-earth complex. Note that the triplet level of the phosphor is equal to or higher than the triplet level of the ligand of the rare earth complex. Therefore, the energy of the triplet exciton generated in the phosphor by the recombination of carriers can be transferred to the triplet level of the rare earth complex which is lower than or equal to the triplet level of the phosphor. The transferred energy can be extracted as light emission of rare earth ions in the rare earth complex.

【0056】[0056]

【実施例】次に、実施例により、この発明の発光材料お
よび有機EL素子について、さらに具体的に説明する。
ただし、以下の説明中の薬品等の使用量、処理温度、処
理時間等の数値的条件、使用薬品等は、この発明の範囲
内の一例に過ぎない。
EXAMPLES Next, the luminescent material and the organic EL device of the present invention will be described more specifically with reference to examples.
However, the amounts of chemicals used, numerical conditions such as processing temperature and processing time, and chemicals used in the following description are merely examples within the scope of the present invention.

【0057】<第1の実施例>この発明の発光材料を有
機発光層の材料として用いた有機EL素子の一例を、第
1の実施例として説明する。
<First Embodiment> An example of an organic EL device using the light emitting material of the present invention as a material for an organic light emitting layer will be described as a first embodiment.

【0058】この例では、図1を用いて既に説明した有
機EL素子10を次のように作製する。
In this example, the organic EL device 10 already described with reference to FIG. 1 is manufactured as follows.

【0059】まず、ガラス基板11に、陽極13として
ITOを電子ビーム蒸着法を用いて200nmの厚さに
成膜する。このITO膜のシート抵抗は10Ω/□(ス
クエア)であった。次に、周知のホトリソグラフィおよ
びそれに続くエッチング処理を行って、ITO膜を2m
m幅のストライプ形状に加工して陽極13を形成する。
その後、この陽極13を形成したガラス基板11を、ア
セトンおよび2−プロパノールを用いて洗浄および乾燥
させて、有機膜形成用の真空蒸着装置内へ移動させる。
First, a film of ITO is formed on the glass substrate 11 as the anode 13 to a thickness of 200 nm by using an electron beam evaporation method. The sheet resistance of this ITO film was 10Ω / □ (square). Next, well-known photolithography and subsequent etching are performed to reduce the ITO film to 2 m.
The anode 13 is formed by processing into an m-width stripe shape.
Thereafter, the glass substrate 11 on which the anode 13 is formed is washed and dried using acetone and 2-propanol, and is moved into a vacuum evaporation apparatus for forming an organic film.

【0060】次に、陽極13を具えた基板11上に有機
発光層15を形成する。
Next, an organic light emitting layer 15 is formed on the substrate 11 provided with the anode 13.

【0061】この例では、有機発光層15の材料とし
て、下記(4)式で示される燐光物質2,2,2−トリ
フェニルアセトフェノン(以下、TPAPと称する。)
と、希土類錯体であるユーロピウム(Eu)錯体とを用
いる。ユーロピウム錯体として、ここでは下記(6)式
で示されるユーロピウム(トリジベンゾイルメタン)フ
ェナントロリン(以下、Eu(DBM)3 Phenと称
する。)を用いる。
In this example, a phosphorescent substance 2,2,2-triphenylacetophenone (hereinafter referred to as TPAP) represented by the following formula (4) is used as a material of the organic light emitting layer 15.
And a europium (Eu) complex which is a rare earth complex. Here, as the europium complex, europium (tridibenzoylmethane) phenanthroline (hereinafter referred to as Eu (DBM) 3 Phen) represented by the following formula (6) is used.

【0062】[0062]

【化16】 Embedded image

【0063】真空蒸着装置内の別々のるつぼへ、TPA
PとEu(DBM)3 Phenとを入れて、るつぼを抵
抗線加熱する。この例では、TPAPとEu(DBM)
3 Phenの蒸発速度の比が10:1になるように、そ
れぞれのるつぼの温度を制御する。上記蒸発速度の比が
10:1(TPAP:Eu(DBM)3 Phen)で一
定になったことを確認して、基板11とるつぼとの間に
あるシャッタを開けて、基板11上に有機発光層の材料
を蒸着する。水晶振動子式膜厚計の表示で50nmの厚
さの有機発光層15が形成される。この有機発光層15
内においては、TPAPにEu(DBM)3 Phenが
約10%均一に分散している。
In a separate crucible in a vacuum evaporation apparatus,
Add P and Eu (DBM) 3 Phen, and heat the crucible by resistance wire. In this example, TPAP and Eu (DBM)
The temperature of each crucible is controlled so that the ratio of the 3 Phen evaporation rates is 10: 1. After confirming that the ratio of the evaporation rates was constant at 10: 1 (TPAP: Eu (DBM) 3 Phen), the shutter between the substrate 11 and the crucible was opened, and organic light emission was performed on the substrate 11. Deposit the material of the layer. The organic light-emitting layer 15 having a thickness of 50 nm is formed on the display of the quartz crystal film thickness meter. This organic light emitting layer 15
Inside, Eu (DBM) 3 Phen is uniformly dispersed in TPAP by about 10%.

【0064】この後、有機発光層15が形成された基板
11を金属膜蒸着用の真空蒸着装置に移して、有機発光
層15上に、陰極17として、マグネシウム(Mg)膜
を真空蒸着法を用いて200nmの厚さに形成する。こ
の陰極17の形成は、有機発光層15上を幅2mmのス
リットが設けられている金属マスクで覆って、Mgの蒸
着を行う。これにより、2mm幅のストライプ形状の陰
極17が形成される。また、この陰極17は上記の陽極
13と直交するように形成する。これにより、第1の実
施例の有機EL素子が得られる。
Thereafter, the substrate 11 on which the organic light emitting layer 15 is formed is transferred to a vacuum evaporation apparatus for metal film evaporation, and a magnesium (Mg) film is formed on the organic light emitting layer 15 as a cathode 17 by vacuum evaporation. To a thickness of 200 nm. The formation of the cathode 17 is performed by covering the organic light emitting layer 15 with a metal mask provided with a slit having a width of 2 mm and vapor-depositing Mg. As a result, a cathode 17 in the form of a stripe having a width of 2 mm is formed. The cathode 17 is formed so as to be orthogonal to the anode 13. Thereby, the organic EL device of the first embodiment is obtained.

【0065】(比較例1)ここで、比較例1として、E
u錯体のみを用いて有機発光層を形成する例につき説明
する。ここでは、有機発光層の材料をEu錯体であるE
u(DBM)3 Phenのみとすること以外の工程は、
第1の実施例と同様にして行う。ここでは、陽極が形成
された基板上に、真空蒸着法を用いてEu(DBM)3
Phenを50nmの厚さに成膜して有機発光層を形成
する。その後、第1の実施例と同様にこの有機発光層上
にMgで以て陰極を形成して、比較例1の有機EL素子
が得られる。
(Comparative Example 1) Here, as Comparative Example 1,
An example in which an organic light emitting layer is formed using only the u complex will be described. Here, the material of the organic light emitting layer is Eu complex E
The steps other than using only u (DBM) 3 Phen
This is performed in the same manner as in the first embodiment. Here, Eu (DBM) 3 is formed on the substrate on which the anode is formed by using a vacuum evaporation method.
Phen is deposited to a thickness of 50 nm to form an organic light emitting layer. Thereafter, a cathode is formed of Mg on the organic light emitting layer in the same manner as in the first embodiment, and an organic EL device of Comparative Example 1 is obtained.

【0066】(比較例2)また、比較例2として、第1
の実施例の有機EL素子の有機発光層を、TPAPの代
わりにTPDを用いて、このTPDとEu(DBM)3
Phenとの共蒸着膜で構成する。陽極が形成された基
板上に、真空蒸着法を用いて、Eu(DBM)3 Phe
nがTPD中におよそ10%均一に分散されるように、
蒸発速度を一定に制御しながら、TPDとEu(DB
M)3 Phenとからなる膜を形成する。このとき、膜
厚は50nmとする。その後、第1の実施例と同様にし
て、この膜上にMgの陽極を形成して、比較例2の素子
が得られる。
(Comparative Example 2) As Comparative Example 2, the first
The organic light-emitting layer of the organic EL element of the embodiment of the present invention is formed by using TPD instead of TPAP to obtain the TPD and Eu (DBM) 3
It is composed of a co-evaporated film with Phen. Eu (DBM) 3 Phe is formed on the substrate on which the anode is formed by using a vacuum deposition method.
n is approximately 10% evenly dispersed in the TPD,
While keeping the evaporation rate constant, TPD and Eu (DB
M) film is formed comprising a 3 Phen. At this time, the film thickness is 50 nm. Thereafter, an anode of Mg is formed on this film in the same manner as in the first embodiment, and the device of Comparative Example 2 is obtained.

【0067】この結果、第1の実施例の有機EL素子の
陽極と陰極との間に電圧を印加したところ、直交してい
る両電極の重なる部分から発光が生じて、ガラス基板側
から観察された。図6に、第1の実施例の有機EL素子
の発光スペクトル特性図を示す。横軸に波長(nm)を
とり、縦軸にEL発光強度(任意単位)をとって示して
ある。図6によれば、波長612nm付近にするどいピ
ークを有する赤色発光が得られている。
As a result, when a voltage was applied between the anode and the cathode of the organic EL device of the first embodiment, light emission was generated from the overlapping portion of the two orthogonal electrodes, and the light was observed from the glass substrate side. Was. FIG. 6 shows an emission spectrum characteristic diagram of the organic EL device of the first embodiment. The horizontal axis indicates wavelength (nm), and the vertical axis indicates EL emission intensity (arbitrary unit). According to FIG. 6, red light emission having a sharp peak near a wavelength of 612 nm is obtained.

【0068】一方、比較例1および2の素子にも、第1
の実施例と同様にして電圧を印加したが、全く発光は見
られなかった。
On the other hand, the devices of Comparative Examples 1 and 2 also
A voltage was applied in the same manner as in Example 1, but no light emission was observed.

【0069】これにより、第1の実施例では、陽極より
注入された正孔と、陰極より注入された電子とが有機発
光層中で再結合し、TPAPの三重項励起子が発生す
る。この三重項励起子のエネルギーが、Eu(DBM)
3 Phenのβ−ジケトンを有する配位子の三重項準位
へと伝播されて、Euイオンの特有の赤色発光として得
られたということが推測される。
As a result, in the first embodiment, the holes injected from the anode and the electrons injected from the cathode are recombined in the organic light emitting layer, and triplet excitons of TPAP are generated. The energy of this triplet exciton is Eu (DBM)
It is speculated that this was propagated to the triplet level of the ligand having a β-diketone of 3 Phen and was obtained as a characteristic red emission of Eu ions.

【0070】そこで、この推測を確かめるために、ま
ず、TPAPの三重項準位を測定する。TPAPをEP
A溶液(ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール
=5:5:2(体積比)で混合した溶液)に10-4Mの
濃度に溶解した後、この溶液を液体窒素中で凍結させて
光励起スペクトルを測定する。このEPA溶液は、液体
窒素中で溶液が均質なガラス状に凍るために光の散乱が
少ない。このため、光の散乱を嫌う光励起スペクトルの
測定に適している。
Therefore, in order to confirm this estimation, first, the triplet level of TPAP is measured. TPAP to EP
A solution (solution mixed with diethyl ether: isopentane: ethanol = 5: 5: 2 (volume ratio)) at a concentration of 10 -4 M was dissolved in solution A, and the solution was frozen in liquid nitrogen to measure the photoexcitation spectrum. I do. This EPA solution has less light scattering because the solution freezes into a homogeneous glass in liquid nitrogen. Therefore, it is suitable for measurement of a light excitation spectrum that dislikes light scattering.

【0071】図7に、350nmの波長の単色光で以て
励起させたときに得られる発光スペクトルの測定結果を
示す。図7では、横軸に波長(nm)をとり、縦軸に発
光強度(任意単位)をとって示している。図7によれ
ば、400nm(25000cm-1)、429nm(2
3310cm-1)、および461nm(21690cm
-1)の波長付近にそれぞれピークがある。ここで、波長
400nmのピークを第1のピーク、波長429nmの
ピークを第2のピーク、波長461nmのピークを第3
のピークとすると、第1のピークは三重項準位から基底
状態への遷移による発光であると考えられる。また、第
2のピークは三重項準位から基底状態よりも1つ上の振
動準位への遷移による発光であると思われる。また、第
3のピークは三重項準位から基底状態より2つ上の振動
準位への遷移による発光であると考えられる。したがっ
て、TPAPの三重項準位は第1のピークより2500
0cm-1となる。
FIG. 7 shows the measurement results of the emission spectrum obtained when excitation is performed with monochromatic light having a wavelength of 350 nm. In FIG. 7, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). According to FIG. 7, 400 nm (25000 cm −1 ), 429 nm (2
3310 cm -1 ), and 461 nm (21690 cm -1 )
There is a peak near the wavelength of -1 ). Here, a peak at a wavelength of 400 nm is a first peak, a peak at a wavelength of 429 nm is a second peak, and a peak at a wavelength of 461 nm is a third peak.
, The first peak is considered to be light emission due to the transition from the triplet level to the ground state. The second peak is considered to be light emission due to a transition from the triplet level to a vibration level one level higher than the ground state. The third peak is considered to be light emission due to a transition from a triplet level to a vibration level two above the ground state. Therefore, the triplet level of TPAP is 2500 points higher than the first peak.
0 cm -1 .

【0072】次に、Eu(DBM)3 Phenの三重項
準位を測定する。TPAPと同様にして測定した結果、
Euイオンの発光ピークである、波長612nmのピー
クしか得られなかった。これは、光励起によって配位子
の一重項励起が起きて、項間交差によって三重項へエネ
ルギーが移る。しかしながら、この三重項準位から中心
金属イオンであるEu3+へのエネルギー移動が非常に効
率よく起こるために三重項準位からの発光が観測されな
いためであると考えられる。
Next, the triplet level of Eu (DBM) 3 Phen is measured. As a result of measurement in the same manner as TPAP,
Only a peak at a wavelength of 612 nm, which is the emission peak of Eu ions, was obtained. This means that singlet excitation of the ligand occurs by photoexcitation, and energy is transferred to triplets by intersystem crossing. However, it is considered that the energy transfer from this triplet level to Eu 3+ which is the central metal ion occurs very efficiently, so that light emission from the triplet level is not observed.

【0073】そこで、次のような実験を行った。Therefore, the following experiment was conducted.

【0074】Euと同じ希土類で化学的な性質はほぼ同
じであると考えられるガドリニウム(Gd)の錯体Gd
(DBM)3 Phenを合成する。このGd(DBM)
3 Phenは原子内準位が配位子の三重項準位よりも高
いためにGdイオンへのエネルギー移動が起こらない。
そのため非発光性である。このGdの錯体を用いて光励
起スペクトルを測定すると、燐光スペクトルが観測され
た。そして、配位子の三重項準位20490cm-1が求
められた。
The gadolinium (Gd) complex Gd, which is considered to be the same rare earth and the same chemical properties as Eu,
(DBM) 3 Phen is synthesized. This Gd (DBM)
Since 3 Phen has an atomic level higher than the triplet level of the ligand, energy transfer to the Gd ion does not occur.
Therefore, it is non-luminous. When a photoexcitation spectrum was measured using this Gd complex, a phosphorescence spectrum was observed. Then, the triplet level of 20490 cm −1 of the ligand was determined.

【0075】これにより、第1の実施例の有機EL素子
においては、有機発光層をTPAPとEu(DBM)3
Phenとで構成しているため、キャリアの再結合によ
ってTPAP中に生じた三重項励起子のエネルギー(エ
ネルギー準位25000cm-1)は、より低いエネルギ
ー準位(20490cm-1)である、Eu(DBM)3
Phenの三重項準位に移動した後、速やかにEuイオ
ンへエネルギー移動してEuイオンから発光が得られる
と思われる。
As a result, in the organic EL device of the first embodiment, the organic light emitting layer is formed of TPAP and Eu (DBM) 3
The energy of the triplet exciton (energy level 25000 cm −1 ) generated in TPAP by the recombination of carriers is lower than the energy level (20490 cm −1 ) of Eu (Phen). DBM) 3
After moving to the triplet level of Phen, it is considered that energy is quickly transferred to Eu ions, and light emission is obtained from the Eu ions.

【0076】また、TPAPの燐光発光強度は、下記
(7)式で示されるベンゾフェノンの燐光発光強度の
1.8倍の強度であった。
The phosphorescence intensity of TPAP was 1.8 times the phosphorescence intensity of benzophenone represented by the following formula (7).

【0077】[0077]

【化17】 Embedded image

【0078】また、比較例1の素子においては、有機発
光層の材料がEu(DBM)3 Phenのみであるため
三重項励起子が生成されない。このため発光が得られな
かったものと考えられる。また、比較例2の素子におい
ては、有機発光層のホスト材料であるTPDの三重項準
位が19610cm-1であり、Eu(DBM)3 Phe
nの三重項準位である20490cm-1よりも低いため
に、エネルギー移動が起こらない。そのため発光が得ら
れなかったと考えられる。
In the device of Comparative Example 1, triplet excitons are not generated because the material of the organic light emitting layer is only Eu (DBM) 3 Phen. It is considered that no light emission was obtained. In the device of Comparative Example 2, the triplet level of TPD, which is the host material of the organic light emitting layer, was 19610 cm -1 , and Eu (DBM) 3 Phe
No energy transfer occurs because it is lower than the n triplet level of 20490 cm -1 . Therefore, it is considered that light emission was not obtained.

【0079】また、この実施例において、有機発光層内
のTPAPとEu(DBM)3 Phenとの蒸着速度比
を10:1にしているが、この比の値に限定されるもの
ではない。有機EL素子の発光効率をより向上させるた
めに、各条件に応じてこの比の値を最適化する。
In this embodiment, the deposition rate ratio between TPAP and Eu (DBM) 3 Phen in the organic light emitting layer is set to 10: 1, but the ratio is not limited to this value. In order to further improve the luminous efficiency of the organic EL element, the value of this ratio is optimized according to each condition.

【0080】<第2の実施例>第2の実施例として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、燐光物質としてベンゾフェノンの誘導体の、下記
(8)式で示される2−アミノ−5−ニトロベンゾフェ
ノンを用いる例につき、説明する。
<Second Embodiment> As a second embodiment, a derivative of benzophenone is used as a phosphorescent substance instead of TPAP which is a material of the organic light emitting layer of the first embodiment, as shown in the following formula (8). An example in which 2-amino-5-nitrobenzophenone is used will be described.

【0081】[0081]

【化18】 Embedded image

【0082】ここでは、第1の実施例と相違する点につ
き説明し、第1の実施例と同様の点についてはその詳細
な説明を省略する。
Here, differences from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points as the first embodiment will be omitted.

【0083】第1の実施例と同様にして、基板上にIT
O膜で陽極を形成し、その後、この陽極が形成された基
板上に、有機発光層として、真空蒸着法を用いて2−ア
ミノ−5−ニトロベンゾフェノンとEu(DBM)3
henとの共蒸着膜を形成する。第1の実施例と同様
に、2−アミノ−5−ニトロベンゾフェノンとEu(D
BM)3 Phenとの蒸着速度比を10:1にして形成
する。この後この有機発光層上にMgの陰極を形成して
第2の実施例の有機EL素子が得られる。
In the same manner as in the first embodiment, the IT
An anode is formed with an O film, and then, on a substrate on which the anode is formed, 2-amino-5-nitrobenzophenone and Eu (DBM) 3 P are formed as an organic light emitting layer by using a vacuum evaporation method.
A co-evaporated film with hen is formed. As in the first example, 2-amino-5-nitrobenzophenone and Eu (D
BM) 3 Phen at a deposition rate ratio of 10: 1. Thereafter, an Mg cathode is formed on the organic light emitting layer to obtain the organic EL device of the second embodiment.

【0084】この有機EL素子の陽極と陰極との間に電
圧を印加したところ、612nmの波長にピークを有す
るEuイオン特有の赤色発光が観察された。
When a voltage was applied between the anode and the cathode of the organic EL device, red light emission characteristic of Eu ions having a peak at a wavelength of 612 nm was observed.

【0085】また、第1の実施例と同様に光励起スペク
トルを測定したところ、2−アミノ−5−ニトロベンゾ
フェノンの三重項準位は20575cm-1であった。こ
の値は、Eu(DBM)3 Phenの三重項準位よりも
高いものである。
When the photoexcitation spectrum was measured in the same manner as in the first example, the triplet level of 2-amino-5-nitrobenzophenone was 20575 cm -1 . This value is higher than the triplet level of Eu (DBM) 3 Phen.

【0086】これにより、キャリアの再結合によって2
−アミノ−5−ニトロベンゾフェノン中に発生する三重
項励起子のエネルギーがEu錯体の三重項準位へ移り、
その後Euイオンへと移動してEuイオンの発光が得ら
れていると考えられる。
As a result, the recombination of carriers causes 2
The energy of the triplet exciton generated in -amino-5-nitrobenzophenone is transferred to the triplet level of the Eu complex,
Thereafter, it is considered that the ions move to Eu ions, and light emission of Eu ions is obtained.

【0087】また、2−アミノ−5−ニトロベンゾフェ
ノンの燐光発光強度は、ベンゾフェノンの燐光発光強度
の5倍の強度を示していた。
The phosphorescence intensity of 2-amino-5-nitrobenzophenone was five times that of benzophenone.

【0088】<第3の実施例>第3の実施例として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、燐光物質としてベンゾフェノンの誘導体の、下記
(9)式で示される4,4’−ジメトキシベンゾフェノ
ンを用いる例につき、説明する。
<Third Embodiment> As a third embodiment, a derivative of benzophenone as a phosphorescent substance instead of TPAP which is a material of the organic light emitting layer of the first embodiment is shown by the following formula (9). An example in which 4,4′-dimethoxybenzophenone is used will be described.

【0089】[0089]

【化19】 Embedded image

【0090】ここでは、第1および第2の実施例と相違
する点につき説明し、同様の点についてはその詳細な説
明を省略する。
Here, differences from the first and second embodiments will be described, and detailed description of similar points will be omitted.

【0091】この例では、第1および第2の実施例と同
様の工程を経て、基板、陽極、有機発光層および陰極を
この順に具えた有機EL素子を形成する。ここでは、真
空蒸着法を用いて形成する有機発光層の材料として、上
記(9)式で示される4,4’−ジメトキシベンゾフェ
ノンとEu(DBM)3 Phenとを用いる。
In this example, an organic EL element having a substrate, an anode, an organic light emitting layer and a cathode in this order is formed through the same steps as in the first and second embodiments. Here, 4,4′-dimethoxybenzophenone and Eu (DBM) 3 Phen represented by the above formula (9) are used as the material of the organic light emitting layer formed by using the vacuum evaporation method.

【0092】これにより形成される第3の実施例の有機
EL素子の陽極と陰極との間に電圧を印加すると、61
2nmの波長にEuイオン特有の赤色発光が得られる。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of the organic EL device of the third embodiment formed as described above, 61
Red light emission specific to Eu ions is obtained at a wavelength of 2 nm.

【0093】また、第1および第2の実施例と同様に
4,4’−ジメトキシベンゾフェノンの三重項準位を測
定すると、その値は24390cm-1であった。
When the triplet level of 4,4′-dimethoxybenzophenone was measured in the same manner as in the first and second examples, the value was 24390 cm −1 .

【0094】また、4,4’−ジメトキシベンゾフェノ
ンの燐光発光強度は、ベンゾフェノンの110倍であっ
た。
The phosphorescent emission intensity of 4,4′-dimethoxybenzophenone was 110 times that of benzophenone.

【0095】<第4の実施例>第4の実施例として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、燐光物質としてベンゾフェノンの誘導体の、下記
(10)式で示される4−ベンゾイルビフェニルを用い
る例につき、説明する。
<Fourth Embodiment> As a fourth embodiment, a derivative of benzophenone as a phosphorescent substance instead of TPAP which is a material of the organic light emitting layer of the first embodiment is represented by the following formula (10). An example using 4-benzoylbiphenyl will be described.

【0096】[0096]

【化20】 Embedded image

【0097】ここでは、第1および第2の実施例と相違
する点につき説明し、同様の点についてはその詳細な説
明を省略する。
Here, points different from the first and second embodiments will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0098】この例では、第1および第2の実施例と同
様の工程を経て、基板、陽極、有機発光層および陰極を
この順に具えた有機EL素子を形成する。ここでは、真
空蒸着法を用いて形成する有機発光層の材料として、上
記(10)式で示される4−ベンゾイルビフェニルとE
u(DBM)3 Phenとを用いる。
In this example, an organic EL element having a substrate, an anode, an organic light emitting layer, and a cathode in this order is formed through the same steps as in the first and second embodiments. Here, as the material of the organic light emitting layer formed by using the vacuum evaporation method, 4-benzoylbiphenyl represented by the above formula (10) and E
u (DBM) 3 Phen.

【0099】これにより形成される第4の実施例の有機
EL素子の陽極と陰極との間に電圧を印加すると、61
2nmの波長にEuイオン特有の赤色発光が得られる。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of the organic EL device of the fourth embodiment formed as described above, 61
Red light emission specific to Eu ions is obtained at a wavelength of 2 nm.

【0100】また、第1および第2の実施例と同様に4
−ベンゾイルビフェニルの三重項準位を測定すると、そ
の値は21505cm-1であった。
In addition, as in the first and second embodiments, 4
When the triplet level of -benzoylbiphenyl was measured, the value was 21505 cm -1 .

【0101】また、4−ベンゾイルビフェニルの燐光発
光強度は、ベンゾフェノンの12倍であった。
The phosphorescent emission intensity of 4-benzoylbiphenyl was 12 times that of benzophenone.

【0102】<第5の実施例>第5の実施例として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、燐光物質としてベンゾフェノンの誘導体の、下記
(11)式で示される4,4’−ビス(ジメチルアミ
ノ)ベンゾフェノンを用いる例につき、説明する。
<Fifth Embodiment> As a fifth embodiment, a benzophenone derivative is used as a phosphorescent substance instead of TPAP, which is the material of the organic light emitting layer of the first embodiment, as shown in the following formula (11). An example using 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone will be described.

【0103】[0103]

【化21】 Embedded image

【0104】ここでは、第1および第2の実施例と相違
する点につき説明し、同様の点についてはその詳細な説
明を省略する。
Here, points different from the first and second embodiments will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0105】この例では、第1および第2の実施例と同
様の工程を経て、基板、陽極、有機発光層および陰極を
この順に具えた有機EL素子を形成する。ここでは、真
空蒸着法を用いて形成する有機発光層の材料として、上
記(11)式で示される4,4’−ビス(ジメチルアミ
ノ)ベンゾフェノンとEu(DBM)3 Phenとを用
いる。
In this example, an organic EL element having a substrate, an anode, an organic light emitting layer and a cathode in this order is formed through the same steps as in the first and second embodiments. Here, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone and Eu (DBM) 3 Phen represented by the above formula (11) are used as the material of the organic light emitting layer formed by using the vacuum evaporation method.

【0106】これにより形成される第5の実施例の有機
EL素子の陽極と陰極との間に電圧を印加すると、61
2nmの波長にEuイオン特有の赤色発光が得られる。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of the organic EL device of the fifth embodiment formed as described above, 61
Red light emission specific to Eu ions is obtained at a wavelength of 2 nm.

【0107】また、第1および第2の実施例と同様に
4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノンの三
重項準位を測定すると、その値は21280cm-1であ
った。
When the triplet level of 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone was measured in the same manner as in the first and second examples, the value was 21,280 cm −1 .

【0108】また、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)
ベンゾフェノンの燐光発光強度は、ベンゾフェノンの1
00倍であった。
Further, 4,4′-bis (dimethylamino)
The phosphorescent emission intensity of benzophenone is 1
It was 00 times.

【0109】<第6の実施例>第6の実施例として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、燐光物質としてベンゾフェノンの誘導体の、下記
(12)式で示される4−モルフォリノベンゾフェノン
を用いる例につき、説明する。
<Sixth Embodiment> As a sixth embodiment, a derivative of benzophenone as a phosphorescent substance instead of TPAP which is a material of the organic light emitting layer of the first embodiment is represented by the following formula (12). An example in which 4-morpholinobenzophenone is used will be described.

【0110】[0110]

【化22】 Embedded image

【0111】ここでは、第1および第2の実施例と相違
する点につき説明し、同様の点についてはその詳細な説
明を省略する。
Here, differences from the first and second embodiments will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0112】この例では、第1および第2の実施例と同
様の工程を経て、基板、陽極、有機発光層および陰極を
この順に具えた有機EL素子を形成する。ここでは、真
空蒸着法を用いて形成する有機発光層の材料として、上
記(12)式で示される4−モルフォリノベンゾフェノ
ンとEu(DBM)3 Phenとを用いる。
In this example, an organic EL element having a substrate, an anode, an organic light emitting layer and a cathode in this order is formed through the same steps as in the first and second embodiments. Here, 4-morpholinobenzophenone and Eu (DBM) 3 Phen represented by the above formula (12) are used as the material of the organic light emitting layer formed by using the vacuum evaporation method.

【0113】これにより形成される第6の実施例の有機
EL素子の陽極と陰極との間に電圧を印加すると、61
2nmの波長にEuイオン特有の赤色発光が得られる。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of the organic EL device of the sixth embodiment formed as described above, 61
Red light emission specific to Eu ions is obtained at a wavelength of 2 nm.

【0114】また、第1および第2の実施例と同様に4
−モルフォリノベンゾフェノンの三重項準位を測定する
と、その値は21740cm-1であった。
Further, similar to the first and second embodiments, 4
When the triplet level of morpholino benzophenone was measured, the value was 21740 cm -1 .

【0115】また、4−モルフォリノベンゾフェノンの
燐光発光強度は、ベンゾフェノンの100倍であった。
The phosphorescent emission intensity of 4-morpholinobenzophenone was 100 times that of benzophenone.

【0116】(比較例3)ここで、比較例3として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、燐光物質として、下記(13)式で示される9−フ
ルオレノンを用いる例を挙げる。
(Comparative Example 3) As Comparative Example 3, 9-fluorenone represented by the following formula (13) was used as a phosphorescent substance instead of TPAP which is the material of the organic light emitting layer of the first embodiment. An example of use will be given.

【0117】[0117]

【化23】 Embedded image

【0118】この9−フルオレノンの三重項準位は21
740cm-1であり、Eu錯体の三重項準位よりも高い
準位である。しかしながら、燐光発光強度は、同じ条件
で測定したベンゾフェノンの燐光発光強度の0.7倍で
ある。
The triplet level of this 9-fluorenone is 21
740 cm −1 , which is higher than the triplet level of the Eu complex. However, the phosphorescence intensity is 0.7 times the phosphorescence intensity of benzophenone measured under the same conditions.

【0119】この9−フルオレノンとEu(DBM)3
Phenとで有機発光層を形成し、それ以外の条件は第
1の実施例と同様にして比較例3の素子を形成する。
This 9-fluorenone and Eu (DBM) 3
An organic light-emitting layer is formed with Phen, and the other conditions are the same as in the first embodiment to form an element of Comparative Example 3.

【0120】(比較例4)また、有機発光層の材料であ
る燐光物質としてベンゾフェノンの誘導体である、下記
(14)式で示される4−ニトロベンゾフェノンを用い
る。
(Comparative Example 4) Also, 4-nitrobenzophenone represented by the following formula (14), which is a derivative of benzophenone, is used as a phosphorescent material which is a material of the organic light emitting layer.

【0121】[0121]

【化24】 Embedded image

【0122】この4−ニトロベンゾフェノンの三重項準
位は、Eu錯体の三重項準位よりも高く、21700c
-1であった。また、燐光発光強度はベンゾフェノンの
燐光発光強度の0.1倍である。
The triplet level of this 4-nitrobenzophenone is higher than the triplet level of the Eu complex.
m −1 . The phosphorescence intensity is 0.1 times the phosphorescence intensity of benzophenone.

【0123】この4−ニトロベンゾフェノンとEu(D
BM)3 Phenとで有機発光層を形成し、それ以外
は、第1の実施例と同様にして比較例4の素子を形成す
る。
The 4-nitrobenzophenone and Eu (D
BM) 3 Phen to form an organic light-emitting layer, and otherwise, form the element of Comparative Example 4 in the same manner as in the first embodiment.

【0124】(比較例5)さらに、燐光物質として、下
記(15)式で示されるD−トリプトファンを用いる。
Comparative Example 5 Further, D-tryptophan represented by the following formula (15) is used as a phosphorescent substance.

【0125】[0125]

【化25】 Embedded image

【0126】このD−トリプトファンの三重項準位は、
21275cm-1で、Eu錯体の三重項準位よりも高
い。また、燐光発光強度はベンゾフェノンの燐光発光強
度の0.1倍である。
The triplet level of this D-tryptophan is
At 21275 cm −1 , higher than the triplet level of the Eu complex. The phosphorescence intensity is 0.1 times the phosphorescence intensity of benzophenone.

【0127】このD−トリプトファンとEu(DBM)
3 Phenとで有機発光層を形成し、それ以外は第1の
実施例と同様にして比較例5の素子を形成する。
This D-tryptophan and Eu (DBM)
An organic light emitting layer is formed with 3 Phen, and the other elements are formed in the same manner as in the first embodiment to form an element of Comparative Example 5.

【0128】比較例3〜5の素子に対して、陽極と陰極
との間にそれぞれ電圧を印加したところ、どの素子にお
いても、得られる発光の強度は、第1実施例の1/10
0以下であった。この程度の発光強度は、有機EL素子
として使用するためには不十分である。
When a voltage was applied between the anode and the cathode of each of the devices of Comparative Examples 3 to 5, the obtained light emission intensity was 1/10 of that of the first embodiment.
0 or less. This level of emission intensity is insufficient for use as an organic EL device.

【0129】なお、有機EL素子として使用可能な程度
の発光が得られている第1実施例から第6実施例の素子
においては、上述してあるように、燐光発光強度がベン
ゾフェノンの燐光発光強度の1.8〜100倍である。
As described above, in the devices of the first embodiment to the sixth embodiment in which light emission that can be used as an organic EL device is obtained, the phosphorescence emission intensity of benzophenone is as described above. 1.8 to 100 times.

【0130】これにより、有機発光層の材料である燐光
物質は、ベンゾフェノンの燐光発光強度以上の燐光発光
強度を有する物質であることが望ましい。
Accordingly, it is desirable that the phosphorescent substance, which is the material of the organic light emitting layer, has a phosphorescence intensity higher than that of benzophenone.

【0131】なお、ベンゾフェノンを基準にしているの
は、ベンゾフェノンは、上記(7)式に示すように、燐
光物質の中で構造が比較的シンプルで、頻繁に用いられ
る代表的な物質であるからである。
The reason why benzophenone is used as a reference is that benzophenone is a representative substance which has a relatively simple structure and is frequently used among phosphorescent substances as shown in the above formula (7). It is.

【0132】<第7の実施例>第7の実施例として、第
1の実施例の有機発光層の材料であるTPAPの代わり
に、TPAPのメチル誘導体である、下記(5)式で示
されるMe−TPAPを用いる例につき、説明する。
<Seventh Embodiment> A seventh embodiment is represented by the following formula (5), which is a methyl derivative of TPAP instead of TPAP which is the material of the organic light emitting layer of the first embodiment. An example using Me-TPAP will be described.

【0133】[0133]

【化26】 Embedded image

【0134】ここでは、第1の実施例と相違する点につ
き説明し、第1の実施例と同様の点についてはその詳細
な説明を省略する。
Here, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points as the first embodiment will be omitted.

【0135】まず、このMe−TPAPを合成する。First, this Me-TPAP is synthesized.

【0136】この例では、2−メチルベンゾフェノン2
g(0.01mol)と亜鉛粉末0.06g(0.00
1mol)とをアセトニトリル100ml中に加えた
後、さらにこの溶液中に5.4g(0.04mol)の
塩化アルミニウムを加える。この後、この溶液を窒素雰
囲気中、35℃の温度で10時間超音波を当てて、反応
させる。
In this example, 2-methylbenzophenone 2
g (0.01 mol) and zinc powder 0.06 g (0.00
1 mol) in 100 ml of acetonitrile, and 5.4 g (0.04 mol) of aluminum chloride are further added to the solution. Thereafter, this solution is reacted by applying ultrasonic waves in a nitrogen atmosphere at a temperature of 35 ° C. for 10 hours.

【0137】次に、この反応液に水を100ml加え
て、さらに塩化アンモニウム水溶液100mlを加え
る。その後、水とクロロホルムを用いて、分液ロートで
有機層と水層とに分液する。
Next, 100 ml of water is added to the reaction solution, and 100 ml of an aqueous ammonium chloride solution is further added. Thereafter, the mixture is separated into an organic layer and an aqueous layer with a separating funnel using water and chloroform.

【0138】有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した
後、昇華精製してMe−TPAPが得られる。
The organic layer is dried over anhydrous sodium sulfate and then purified by sublimation to obtain Me-TPAP.

【0139】なお、この例では、0.2gのMe−TP
AP(上記(5)式参照。)が得られ、その収率は5%
程度であった。
In this example, 0.2 g of Me-TP was used.
AP (see formula (5) above) was obtained, and the yield was 5%.
It was about.

【0140】次に、得られたMe−TPAPを用いて、
第1の実施例と同様にして有機EL素子を形成する。
Next, using the obtained Me-TPAP,
An organic EL device is formed in the same manner as in the first embodiment.

【0141】ここでは、基板上にITO膜で陽極を形成
し、その後、この陽極が形成された基板上に、有機発光
層として、真空蒸着法を用いてMe−TPAPとEu
(DBM)3 Phenとの共蒸着膜を形成する。第1の
実施例と同様に、Me−TPAPとEu(DBM)3
henとの蒸着速度比を10:1にして形成する。この
後この有機発光層上にMgの陰極を形成して第7の実施
例の有機EL素子が得られる。
Here, an anode is formed of an ITO film on the substrate, and then, on the substrate on which the anode is formed, Me-TPAP and Eu are formed as an organic light emitting layer by using a vacuum deposition method.
(DBM) A co-deposited film with 3 Phen is formed. Similar to the first embodiment, Me-TPAP and Eu (DBM) 3 P
The deposition rate ratio is set to 10: 1 with hen. Thereafter, an Mg cathode is formed on the organic light emitting layer to obtain the organic EL device of the seventh embodiment.

【0142】この有機EL素子の陽極と陰極との間に電
圧を印加したところ、10Vの電圧を印加したときに、
612nmの波長にピークを有するEuイオン特有の強
い赤色発光が観察された。
When a voltage was applied between the anode and the cathode of the organic EL device, when a voltage of 10 V was applied,
Strong red emission characteristic of Eu ions having a peak at a wavelength of 612 nm was observed.

【0143】また、得られる発光の強度は第1の実施例
の3倍程度高いものであった。さらに、この有機EL素
子を、同じ電流密度で連続駆動させても、発光強度の低
下をより抑えることができた。また、この実施例の有機
EL素子においては、発光に関与しないリーク電流の発
生も抑制することができた。
The intensity of the light emission obtained was about three times higher than that of the first embodiment. Further, even when the organic EL element was continuously driven at the same current density, a decrease in emission intensity could be further suppressed. Further, in the organic EL device of this example, generation of a leak current not involved in light emission was also able to be suppressed.

【0144】これにより、第1の実施例の有機EL素子
よりも、発光強度の向上、素子の耐久性の向上およびリ
ーク電流の低減を図ることができる。
As a result, the emission intensity, the durability of the device, and the leakage current can be reduced as compared with the organic EL device of the first embodiment.

【0145】これは、TPAP分子にメチル基を導入す
ることによって、分子がより非対称化し、これにより蒸
着で作製されたこの物質の膜は、よりアモルファス性の
高い膜、言い換えれば、より均質性の向上した膜となっ
たためであると考えられる。
This is because the introduction of a methyl group into the TPAP molecule causes the molecule to become more asymmetrical, which results in a film of this material produced by evaporation, which is more amorphous, in other words, more homogeneous. It is considered that this was because an improved film was obtained.

【0146】この効果は、下記(3)式で示されるトリ
フェニルアセトフェノンの誘導体において期待される効
果である。ただし、この場合、式(3)中のR1〜R2
0の少なくとも1つの基を、置換若しくは非置換のアル
キル基、または置換若しくは非置換のシクロアルキル
基、または置換若しくは非置換のアシル基、または置換
若しくは非置換のアリール基とし、それ以外の基は水素
とするのがよい。
This effect is expected in a derivative of triphenylacetophenone represented by the following formula (3). However, in this case, R1 to R2 in the formula (3)
At least one group represented by 0 is a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group; Hydrogen is preferred.

【0147】[0147]

【化27】 Embedded image

【0148】<第8の実施例>第8の実施例として、こ
こでは、図2を用いて既に説明した有機EL素子20
を、次のようにして作製する。
<Eighth Embodiment> As an eighth embodiment, here, the organic EL element 20 already described with reference to FIG.
Is manufactured as follows.

【0149】以下、第1の実施例と相違する点につき説
明し、同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
Hereinafter, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0150】この例では、第1の実施例と同様にして、
ガラス基板11上にITOを200nmの厚さに成膜し
た後、ホトリソグラフィおよびエッチングを行って2m
m幅のストライプ形状の陽極13を形成する。その後、
陽極13が形成された基板11を洗浄および乾燥させた
後、有機膜形成用の真空蒸着装置内に設置する。その
後、真空蒸着法を用いて、陽極13が形成された基板1
1上にTPD膜を50nmの厚さに蒸着し、これを正孔
輸送層19とする。続いて、正孔輸送層19上に、TP
APとEu錯体とを材料として用いて、第1の実施例と
同様の処理を行って、この2つの材料の共蒸着膜である
有機発光層15を形成する。この例でEu錯体として用
いた物質は、下記(16)式で示されるユーロピウム
(トリ−2−フルオレンカルボニルメチルヘプタフルオ
ロプロピルケトン)フェナントロリン(以下、Eu(F
lHA)3 Phenと称する。)とした。
In this example, similar to the first embodiment,
After a film of ITO was formed to a thickness of 200 nm on the glass substrate 11, photolithography and etching were performed to obtain a 2 m
An m-width stripe-shaped anode 13 is formed. afterwards,
After washing and drying the substrate 11 on which the anode 13 is formed, the substrate 11 is set in a vacuum evaporation apparatus for forming an organic film. Thereafter, the substrate 1 on which the anode 13 is formed is formed by using a vacuum evaporation method.
On top of this, a TPD film is deposited to a thickness of 50 nm on the substrate 1 to form a hole transport layer 19. Subsequently, on the hole transport layer 19, TP
Using the AP and the Eu complex as materials, the same process as in the first embodiment is performed to form the organic light emitting layer 15 which is a co-deposited film of these two materials. The substance used as the Eu complex in this example is europium (tri-2-fluorenecarbonylmethylheptafluoropropyl ketone) phenanthroline (hereinafter referred to as Eu (F
1HA) 3 Phen. ).

【0151】[0151]

【化28】 Embedded image

【0152】この有機発光層15内においては、TPA
PにEu(FlHA)3 Phenが約10%均一に分散
している。
In this organic light emitting layer 15, TPA
Eu (FlHA) 3 Phen is uniformly dispersed in P by about 10%.

【0153】その後、この有機発光層上に第1の実施例
と同様にして、2mm幅のストライプ形状で陽極13と
直交する陰極17を形成する。これにより、第8の実施
例の有機EL素子が得られる。
Thereafter, a cathode 17 orthogonal to the anode 13 in a stripe shape of 2 mm width is formed on the organic light emitting layer in the same manner as in the first embodiment. Thus, the organic EL device according to the eighth embodiment is obtained.

【0154】この有機EL素子の陽極と陰極との間に電
圧を印加すると、直交している両電極の重なっている部
分から発光が生じ、ガラス基板側から観察された。この
発光は、612nmの波長付近にピークを有するEuイ
オン特有の赤色発光であった。また、この発光は、第1
の実施例の素子の2倍程度の強度を示した。
When a voltage was applied between the anode and the cathode of the organic EL device, light emission was generated from the overlapping portion of the two orthogonal electrodes, and observed from the glass substrate side. This emission was red emission unique to Eu ions having a peak near the wavelength of 612 nm. Also, this light emission is the first
The intensity was about twice as high as that of the device of Example 1.

【0155】第8の実施例の有機EL素子においては、
陽極13と有機発光層15との間に正孔輸送層19を設
けているため、陽極から有機発光層15への正孔の注入
効率が向上している。このため、第1の実施例の素子よ
りも発光強度が高くなったと考えられる。
In the organic EL device according to the eighth embodiment,
Since the hole transport layer 19 is provided between the anode 13 and the organic light emitting layer 15, the efficiency of injecting holes from the anode to the organic light emitting layer 15 is improved. For this reason, it is considered that the emission intensity was higher than that of the device of the first embodiment.

【0156】なお、正孔輸送層としては、この実施例の
材料に限定されるものではない。トリフェニルアミン
系、トリフェニルメタン系、ピラゾリン系、或いはアモ
ルファスシリコン系等を用いることができる。
The hole transport layer is not limited to the material of this embodiment. A triphenylamine-based, triphenylmethane-based, pyrazoline-based, amorphous silicon-based, or the like can be used.

【0157】また、この例の有機発光層の材料である燐
光物質としては、上述した第2〜第7の実施例で用いた
燐光物質を用いてもよい。
The phosphor used as the material of the organic light emitting layer of this embodiment may be the phosphor used in the above-described second to seventh embodiments.

【0158】また、希土類錯体として、ここではEu錯
体であるEu(FlHA)3 Phenを用いたが、上述
の実施例中で用いたEu(DBM)3 Phenや、文献
4に開示されている希土類錯体を用いてもよい。
Although Eu (FlHA) 3 Phen, which is an Eu complex, was used here as the rare earth complex, Eu (DBM) 3 Phen used in the above-described examples and the rare earth disclosed in Reference 4 were used. A complex may be used.

【0159】<第9の実施例>第9の実施例として、こ
こでは、図5を用いて既に説明した有機EL素子50
を、次のようにして作製する。
<Ninth Embodiment> As a ninth embodiment, here, the organic EL element 50 already described with reference to FIG.
Is manufactured as follows.

【0160】以下、第1の実施例と相違する点につき説
明し、同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
Hereinafter, points different from the first embodiment will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0161】この例では、第1の実施例と同様にして、
ガラス基板11上にITOからなる陽極13を形成す
る。この後、陽極13が形成された基板11上に真空蒸
着法を用いて燐光物質であるTPAPを50nmの厚さ
の燐光物質層23として形成する。続いて、この燐光物
質層23上に真空蒸着法を用いて有機発光層15を50
nmの厚さに形成する。この有機発光層15の材料は、
ここでは第2の実施例で用いた、下記(8)式で示され
る2−アミノ−5−ニトロベンゾフェノンおよび上記
(16)式で示されるEu(FlHA)3 Phenとす
る。
In this example, similar to the first embodiment,
An anode 13 made of ITO is formed on a glass substrate 11. Thereafter, TPAP, which is a phosphor, is formed as a phosphor layer 23 having a thickness of 50 nm on the substrate 11 on which the anode 13 is formed, using a vacuum deposition method. Subsequently, the organic light emitting layer 15 is formed on the phosphor layer 23 by using a vacuum evaporation method.
It is formed to a thickness of nm. The material of the organic light emitting layer 15 is
Here, the second was used in Example, Eu (FlHA) 3 Phen represented by 2-amino-5-nitro-benzophenone and Equation (16) represented by the following equation (8).

【0162】[0162]

【化29】 Embedded image

【0163】次に、第1の実施例と同様にして、有機発
光層15上に真空蒸着法を用いて、2mm幅のストライ
プ形状で陽極13と直交する陰極17を形成する。これ
により、第9の実施例の有機EL素子が得られる。
Next, in the same manner as in the first embodiment, a cathode 17 orthogonal to the anode 13 in a stripe shape of 2 mm width is formed on the organic light emitting layer 15 by a vacuum evaporation method. Thereby, the organic EL device of the ninth embodiment is obtained.

【0164】この有機EL素子の陽極と陰極との間に電
圧を印加すると、612nmの波長にピークを有するE
uイオン特有の赤色発光が得られた。また、この発光
は、第1の実施例の素子から得られる発光の約4倍の強
度を示した。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of this organic EL device, an E having a peak at a wavelength of 612 nm is obtained.
Red light emission characteristic of u ions was obtained. This light emission showed about four times the intensity of the light emission obtained from the device of the first embodiment.

【0165】この実施例の燐光物質層23は、正孔輸送
層としての役割を有する層である。ここで、第8の実施
例の正孔輸送層の材料であるTPDの三重項準位は19
610cm-1である。これは、有機発光層の材料である
TPAPの三重項準位である25000cm-1よりも低
い。これに対して、この実施例の燐光物質層の材料であ
るTPAPの三重項準位は25000cm-1で、有機発
光層の材料である2−アミノ−5−ニトロベンゾフェノ
ンの三重項準位は20575cmー1である。よって、燐
光物質層の材料の方が有機発光層の材料よりも三重項準
位が高くなるように構成してある。これにより、第9の
実施例の有機EL素子においては、有機発光層で生成さ
れる三重項励起子の有機発光層中への閉じこめ効果を高
くすることができるために発光強度が高くなったものと
考えられる。
The phosphor layer 23 of this embodiment is a layer having a role as a hole transport layer. Here, the triplet level of TPD which is the material of the hole transport layer of the eighth embodiment is 19
610 cm -1 . This is lower than the triplet level of 25,000 cm −1 of TPAP, which is the material of the organic light emitting layer. On the other hand, the triplet level of TPAP which is the material of the phosphor layer of this example is 25000 cm -1 , and the triplet level of 2-amino-5-nitrobenzophenone which is the material of the organic light emitting layer is 20575 cm -1. -1 . Therefore, the material of the phosphor layer is configured to have a higher triplet level than the material of the organic light emitting layer. As a result, in the organic EL device of the ninth embodiment, the effect of confining triplet excitons generated in the organic light emitting layer in the organic light emitting layer can be enhanced, so that the emission intensity is increased. it is conceivable that.

【0166】なお、希土類錯体であるEu(FlHA)
3 Phenの三重項準位は、20620cm-1で、2−
アミノ−5−ニトロベンゾフェノンの三重項準位よりも
若干大きくなっている。それにも関わらず、Euイオン
特有の赤色発光が得られているのは、この2つのエネル
ギー準位は実質的に同じ高さとみなされ、2−アミノ−
5−ニトロベンゾフェノンの三重項準位からEu(Fl
HA)3 Phenの三重項準位へのエネルギー移動の妨
げとはならなかったものと考えられる。
The rare earth complex Eu (FlHA)
The triplet level of 3 Phen is 20620 cm −1 ,
It is slightly larger than the triplet level of amino-5-nitrobenzophenone. Nevertheless, the red emission characteristic of Eu ions is obtained because the two energy levels are considered to be substantially the same height, and 2-amino-
From the triplet level of 5-nitrobenzophenone, Eu (Fl
It is considered that this did not hinder the energy transfer to the triplet level of HA) 3 Phen.

【0167】<第10の実施例>第10の実施例とし
て、ここでは、図3を用いて既に説明した有機EL素子
30を、次のようにして作製する。
<Tenth Embodiment> As a tenth embodiment, the organic EL element 30 described above with reference to FIG. 3 is manufactured as follows.

【0168】この例では、有機発光層15の材料とし
て、第7の実施例と同じTPAPのメチル誘導体である
下記(5)式で示されるMe−TPAPとEu(FlH
A)3Phenとを用いる。
In this example, as the material of the organic light emitting layer 15, Me-TPAP represented by the following formula (5), which is the same methyl derivative of TPAP as in the seventh embodiment, and Eu (FlH
A) 3 Phen is used.

【0169】[0169]

【化30】 Embedded image

【0170】以下、第7の実施例と相違する点につき説
明し、同様の点については、その詳細な説明を省略す
る。
Hereinafter, points different from the seventh embodiment will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0171】まず、ガラス基板11上にITOからな
り、2mm幅のストライプ形状の陽極13を形成する。
この後、陽極13が形成された基板11上に真空蒸着法
を用いて有機発光層15を第7の実施例と同様にして5
0nmの厚さに形成する。この後、有機発光層15上
に、Alqを材料として用いて、真空蒸着法により電子
輸送層21を50nmの厚さに形成する。その後、この
電子輸送層21上に真空蒸着法を用いて、2mm幅のス
トライプ形状で、陽極13と直交する陰極17を形成す
る。これにより、第10の実施例の有機EL素子が得ら
れる。
First, a stripe-shaped anode 13 made of ITO and having a width of 2 mm is formed on a glass substrate 11.
Thereafter, the organic light-emitting layer 15 is formed on the substrate 11 on which the anode 13 is formed by vacuum evaporation in the same manner as in the seventh embodiment.
It is formed to a thickness of 0 nm. Thereafter, the electron transport layer 21 is formed to a thickness of 50 nm on the organic light emitting layer 15 using Alq as a material by a vacuum evaporation method. Thereafter, a cathode 17 orthogonal to the anode 13 is formed on the electron transport layer 21 in a stripe shape with a width of 2 mm using a vacuum evaporation method. Thus, the organic EL device according to the tenth embodiment is obtained.

【0172】この有機EL素子の陽極と陰極との間に電
圧を印加すると、612nmの波長にピークを有するE
uイオン特有の赤色発光が見られた。また、この発光
は、第7の実施例の素子から得られる発光の約2倍の強
度を示した。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of this organic EL device, an E having a peak at a wavelength of 612 nm is obtained.
Red light emission characteristic of u ions was observed. This light emission showed about twice the intensity of the light emission obtained from the device of the seventh embodiment.

【0173】第10の実施例の有機EL素子において
は、有機発光層15と陰極17との間に電子輸送層21
を設けているため、陰極17から有機発光層15への電
子の注入効率が向上している。このため、第7の実施例
の素子よりも発光強度が高くなったと考えられる。
In the organic EL device of the tenth embodiment, the electron transport layer 21 is provided between the organic light emitting layer 15 and the cathode 17.
Is provided, the efficiency of electron injection from the cathode 17 to the organic light emitting layer 15 is improved. For this reason, it is considered that the emission intensity was higher than that of the device of the seventh embodiment.

【0174】なお、電子輸送層としては、この実施例の
材料に限定されるものではなく、オキサジアゾール系の
材料等を用いてもよい。また、有機発光層の材料である
燐光物質としては、上述した第1〜第6の実施例で用い
た燐光物質を用いてもよい。また、希土類錯体として
は、Eu(DBM)3 Phenや、文献4に開示されて
いる物質を用いてもよい。
The material of the electron transport layer is not limited to the material of this embodiment, but may be an oxadiazole-based material. The phosphor used as the material of the organic light emitting layer may be the phosphor used in the first to sixth embodiments. As the rare earth complex, Eu (DBM) 3 Phen or a substance disclosed in Reference 4 may be used.

【0175】<第11の実施例>第11の実施例とし
て、ここでは、図4を用いて既に説明した有機EL素子
40を、次のようにして作製する。
<Eleventh Embodiment> As an eleventh embodiment, here, the organic EL element 40 already described with reference to FIG. 4 is manufactured as follows.

【0176】以下、第1〜第10の実施例と相違する点
につき説明し、同様の点についてはその詳細な説明を省
略する。
Hereinafter, points different from the first to tenth embodiments will be described, and detailed description of the same points will be omitted.

【0177】この例では、有機発光層15の材料とし
て、上記(5)式で示されるMe−TPAPとEu(F
lHA)3 Phenとを用いる。
In this example, as materials of the organic light emitting layer 15, Me-TPAP represented by the above formula (5) and Eu (F
lHA) 3 Phen.

【0178】まず、ガラス基板11上にITOからな
り、2mm幅のストライプ形状の陽極13を形成する。
その後、陽極13が形成された基板11上に真空蒸着法
を用いて正孔輸送層19を形成する。この正孔輸送層1
9の材料はTPDとし、50nmの厚さに形成する。次
に、この正孔輸送層19上に真空蒸着法を用いて、Me
−TPAPとEu(FlHA)3 Phenとの共蒸着膜
である有機発光層15を30nmの厚さに形成する。続
いて、真空蒸着法を用いて有機発光層15上に電子輸送
層21を30nmの厚さに形成する。この電子輸送層2
1の材料をAlqとする。その後、この電子輸送層21
上に真空蒸着法を用いて、2mm幅のストライプ形状
で、陽極13と直交する陰極17を形成する。これによ
り、第11の実施例の有機EL素子が得られる。
First, a stripe-shaped anode 13 made of ITO and having a width of 2 mm is formed on a glass substrate 11.
After that, a hole transport layer 19 is formed on the substrate 11 on which the anode 13 is formed by using a vacuum evaporation method. This hole transport layer 1
The material No. 9 is TPD and is formed to a thickness of 50 nm. Next, Me is formed on the hole transport layer 19 by using a vacuum evaporation method.
The -TPAP and Eu (FlHA) 3 organic light-emitting layer 15 is a co-deposited film of Phen formed to a thickness of 30 nm. Subsequently, the electron transport layer 21 is formed to a thickness of 30 nm on the organic light emitting layer 15 by using a vacuum evaporation method. This electron transport layer 2
The material of No. 1 is Alq. Thereafter, the electron transport layer 21
A cathode 17 orthogonal to the anode 13 is formed in a stripe shape having a width of 2 mm on the top using a vacuum evaporation method. Thus, the organic EL device according to the eleventh embodiment is obtained.

【0179】この有機EL素子の陽極と陰極との間に電
圧を印加すると、612nmの波長にピークを有するE
uイオン特有の赤色発光が見られた。また、有機発光層
の材料である燐光物質として、同じMe−TPAPを用
いている、第7の実施例の素子の発光と、この実施例の
素子の発光とを比較すると、この発明の素子から得られ
る発光は、第7実施例の素子の約2倍の強度が得られて
いる。
When a voltage is applied between the anode and the cathode of the organic EL device, an E having a peak at a wavelength of 612 nm is obtained.
Red light emission characteristic of u ions was observed. Further, comparing the light emission of the device of the seventh embodiment with the light emission of the device of this embodiment using the same Me-TPAP as the phosphorescent material as the material of the organic light emitting layer, The light emission obtained is about twice the intensity of the device of the seventh embodiment.

【0180】第11の実施例の素子よりも発光強度が高
いのは、陽極と有機発光層との間に正孔輸送層を設け、
また、陰極と有機発光層との間に電子輸送層を設けてい
るためである。これにより、有機発光層へのキャリアの
注入効率が向上するため、発光効率も向上したものと思
われる。
The luminous intensity is higher than that of the device of the eleventh embodiment because a hole transport layer is provided between the anode and the organic luminescent layer.
Also, this is because an electron transport layer is provided between the cathode and the organic light emitting layer. As a result, the efficiency of injection of carriers into the organic light emitting layer is improved, so that the luminous efficiency is considered to be improved.

【0181】なお、正孔輸送層の材料および電子輸送層
の材料は、この実施例に挙げた材料に限定されるもので
はなく、上述の各実施例で挙げている材料を用いること
ができる。
The material of the hole transport layer and the material of the electron transport layer are not limited to the materials described in this embodiment, and the materials described in the above embodiments can be used.

【0182】また、この発明において、ベンゾイル基を
含まない燐光物質で、燐光発光強度がベンゾフェノンよ
りも強く、上述した実施例で用いられた希土類錯体の三
重項準位よりも高い三重項準位を有する材料である、以
下(17)式で示されるα−ナフトフラボン(三重項準
位21740cm-1、燐光発光強度:ベンゾフェノンの
35倍)および、以下(18)式で示されるフェナント
リジン(三重項準位21980cm-1、燐光発光強度:
ベンゾフェノンの5倍)を、有機発光層の材料である燐
光物質として用いてみる。
Also, in the present invention, a phosphorescent substance not containing a benzoyl group, which has a higher phosphorescent emission intensity than benzophenone and has a higher triplet level than the triplet level of the rare earth complex used in the above embodiment. Α-naphthoflavones (triplet level 21740 cm −1 , phosphorescence intensity: 35 times that of benzophenone) represented by the following formula (17) and phenanthridine (triple) represented by the following formula (18) Term level 21980 cm -1 , phosphorescence intensity:
(5 times benzophenone) is used as a phosphorescent material that is a material of the organic light emitting layer.

【0183】[0183]

【化31】 Embedded image

【0184】これらの材料を用いて有機EL素子を形成
するにあたり、有機発光層の形成の際、安定した蒸着膜
を得ることができなかった。これにより、形成された素
子から発光も得られなかった。よって、真空蒸着法など
の蒸着法を用いて有機発光層を形成する場合には、成膜
性の低いこれらの材料を用いることはできない。しかし
ながら、スピンコート法等によって、ポリビニルカルバ
ゾール等のポリマー中にこれらの材料を分散させて薄膜
を形成すれば、膜質のよい有機発光層を得ることができ
ると考えられる。そして、このように膜質のよい有機発
光層が得られれば、上記のα−ナフトフラボンおよびフ
ェナントリジンを用いた有機EL素子においても、発光
が得られることが期待される。
In forming an organic EL device using these materials, a stable vapor-deposited film could not be obtained when forming an organic light emitting layer. As a result, no light emission was obtained from the formed device. Therefore, when an organic light-emitting layer is formed by an evaporation method such as a vacuum evaporation method, these materials having low film-forming properties cannot be used. However, it is considered that if these materials are dispersed in a polymer such as polyvinyl carbazole to form a thin film by a spin coating method or the like, an organic light emitting layer having good film quality can be obtained. If an organic light emitting layer having good film quality is obtained, it is expected that light can be obtained also in the organic EL device using the above-mentioned α-naphthoflavones and phenanthridine.

【0185】[0185]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の発光用材料によれば、ベンゾフェノンの燐光発光
強度以上の燐光発光強度を有する燐光物質と希土類錯体
とを具えている。そして、燐光物質は、希土類錯体の配
位子の三重項準位以上の三重項準位を有する物質であ
る。
As is clear from the above description, the luminescent material of the present invention comprises a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity higher than that of benzophenone and a rare earth complex. A phosphorescent substance is a substance having a triplet level equal to or higher than a triplet level of a ligand of a rare earth complex.

【0186】よって、この発光用材料を有機EL素子の
有機発光層の材料として用いれば、陰極と陽極とから注
入されたキャリアの再結合によって発生する三重項励起
子のエネルギーを、燐光物質の三重項準位以下である希
土類錯体の三重項準位へ移すことができる。そして、移
動したエネルギーを希土類錯体中の希土類イオンの発光
として取り出すことができる。また、ベンゾフェノンの
燐光発光強度以上の燐光発光強度を有する燐光物質を用
いれば、有機EL素子として十分な強度の発光を得るこ
とができる。
Therefore, if this light emitting material is used as a material for an organic light emitting layer of an organic EL device, the energy of triplet excitons generated by recombination of carriers injected from a cathode and an anode is reduced to the triplet of a phosphorescent substance. Transfer to the triplet level of a rare earth complex that is at or below the singlet level. Then, the transferred energy can be extracted as light emission of rare earth ions in the rare earth complex. In addition, when a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity equal to or higher than that of benzophenone is used, light emission with sufficient intensity as an organic EL element can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の形態および第1の実施例の説
明に供する、有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL element for describing an embodiment of the present invention and a first example.

【図2】実施の形態および第8の実施例の説明に供す
る、有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device for describing an embodiment and an eighth example.

【図3】実施の形態および第10の実施例の説明に供す
る、有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic EL element for describing an embodiment and a tenth example.

【図4】実施の形態および第11の実施例の説明に供す
る、有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device for describing an embodiment and an eleventh example.

【図5】実施の形態および第9の実施例の説明に供す
る、有機EL素子の概略的な断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device for describing an embodiment and a ninth example.

【図6】第1の実施例の有機EL素子の発光スペクトル
特性図である。
FIG. 6 is an emission spectrum characteristic diagram of the organic EL device according to the first embodiment.

【図7】第1の実施例の有機EL素子の説明に供する、
TPAPの光励起スペクトル特性図である。
FIG. 7 provides a description of an organic EL device according to a first embodiment;
It is a light excitation spectrum characteristic view of TPAP.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:有機EL素子、第1実施例の有機EL素子 11:ガラス基板 13:陽極 15:有機発光層 17:陰極 19:正孔輸送層 20:有機EL素子、第8の実施例の有機EL素子 21:電子輸送層 23:燐光物質層 30:有機EL素子、第10の実施例の有機EL素子 40:有機EL素子、第11の実施例の有機EL素子 50:有機EL素子、第9の実施例の有機EL素子 10: organic EL element, organic EL element of the first embodiment 11: glass substrate 13: anode 15: organic light emitting layer 17: cathode 19: hole transport layer 20: organic EL element, organic EL element of the eighth embodiment 21: Electron transport layer 23: Phosphorescent material layer 30: Organic EL device, organic EL device of tenth embodiment 40: Organic EL device, organic EL device of eleventh embodiment 50: Organic EL device, ninth embodiment Example organic EL device

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ベンゾフェノンの燐光発光強度以上の燐
光発光強度を有する燐光物質と希土類錯体とを具えてお
り、かつ、 前記燐光物質は、前記希土類錯体の配位子の三重項準位
以上の三重項準位を有する物質であることを特徴とする
発光用材料。
1. A phosphor having a phosphorescence intensity equal to or higher than that of benzophenone and a rare earth complex, and wherein the phosphor has a triplet or higher triplet level of a ligand of the rare earth complex. A light-emitting material, which is a substance having a term level.
【請求項2】 請求項1に記載の発光用材料において、 前記燐光物質は、下記(1)式で示されるベンゾイル基
若しくはベンゾイル基の複合基を含んでいること(ただ
し、下記(1)式のR1は置換若しくは非置換のアルキ
ル基、または置換若しくは非置換のシクロアルキル基、
または置換若しくは非置換のアシル基、または置換若し
くは非置換のアリール基からなり、R2〜R6それぞれ
は、水素、または置換若しくは非置換のアルキル基、ま
たは置換若しくは非置換のシクロアルキル基、または、
置換若しくは非置換のアシル基、または置換若しくは非
置換のアリール基であり、互いが同じでも、一部異なっ
ても、全部異なってもよい。)を特徴とする発光用材
料。 【化1】
2. The light emitting material according to claim 1, wherein the phosphorescent substance contains a benzoyl group or a benzoyl group composite group represented by the following formula (1) (provided that the following formula (1) is used). R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group,
Or a substituted or unsubstituted acyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, each of R2 to R6 is hydrogen, or a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or
A substituted or unsubstituted acyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, which may be the same, partially different, or entirely different. A light-emitting material characterized by the above-mentioned). Embedded image
【請求項3】 請求項1に記載の発光用材料において、 前記燐光物質が、下記(2)式で示されるベンゾフェノ
ン若しくはベンゾフェノンの誘導体であること(ただ
し、下記(2)式のR1〜R10それぞれは、水素、ま
たは水酸基、または置換若しくは非置換のアルキル基、
または置換若しくは非置換のシクロアルキル基、または
置換若しくは非置換のアシル基、または置換若しくは非
置換のアミノ基、またはニトロ基、または置換若しくは
非置換のアルコキシ基、またはシアノ基、または置換若
しくは非置換のアリール基であり、互いが同じでも、一
部異なっても、全部異なっても良い。)を特徴とする発
光用材料。 【化2】
3. The light emitting material according to claim 1, wherein the phosphorescent substance is benzophenone or a benzophenone derivative represented by the following formula (2) (wherein R1 to R10 of the following formula (2) are each Is hydrogen, or a hydroxyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group,
Or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted amino group, or a nitro group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a cyano group, or a substituted or unsubstituted group And may be the same, partially different, or all different. A light-emitting material characterized by the above-mentioned). Embedded image
【請求項4】 請求項3に記載の発光用材料において、 前記ベンゾフェノンの誘導体を、2−アミノ−5−ニト
ロベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノ
ン、4−ベンゾイルビフェニル、4,4’−ビス(ジメ
チルアミノ)ベンゾフェノン、および4−モルフォリノ
ベンゾフェノンの群から選ばれる一種または二種以上の
誘導体とすることを特徴とする発光用材料。
4. The light emitting material according to claim 3, wherein the benzophenone derivative is 2-amino-5-nitrobenzophenone, 4,4′-dimethoxybenzophenone, 4-benzoylbiphenyl, 4,4′-bis. A light-emitting material comprising one or more derivatives selected from the group consisting of (dimethylamino) benzophenone and 4-morpholinobenzophenone.
【請求項5】 請求項1に記載の発光用材料において、 前記燐光物質が下記(3)式で示されるトリフェニルア
セトフェノンまたはその誘導体であること(ただし、下
記(3)式のR1〜R20それぞれは、水素、または水
酸基、または置換若しくは非置換のアルキル基、または
置換若しくは非置換のシクロアルキル基、または置換若
しくは非置換のアシル基、または置換若しくは非置換の
アリール基であり、互いが同じでも、一部異なっても、
全部異なっても良い。)を特徴とする発光用材料。 【化3】
5. The light emitting material according to claim 1, wherein the phosphorescent substance is triphenylacetophenone represented by the following formula (3) or a derivative thereof (provided that each of R1 to R20 in the following formula (3)) Is hydrogen, a hydroxyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. , Even if some are different,
All may be different. A light-emitting material characterized by the above-mentioned). Embedded image
【請求項6】 請求項5に記載の発光用材料において、 前記燐光物質が下記(4)式で示される2,2,2−ト
リフェニルアセトフェノンであることを特徴とする発光
用材料。 【化4】
6. The light emitting material according to claim 5, wherein the phosphor is 2,2,2-triphenylacetophenone represented by the following formula (4). Embedded image
【請求項7】 請求項5に記載の発光用材料において、 前記燐光物質が、下記(5)式で示される[2,2−ジ
フェニル−2−(2−メチルフェニル)]エチロ−2−
メチルフェノンであることを特徴とする発光用材料。 【化5】
7. The light emitting material according to claim 5, wherein the phosphorescent substance is [2,2-diphenyl-2- (2-methylphenyl)] ethyl-2- represented by the following formula (5).
A material for light emission, which is methylphenone. Embedded image
【請求項8】 請求項1〜7のいずれか一項に記載の発
光用材料において、 前記希土類錯体が、β−ジケトン配位子を有するユーロ
ピウム錯体であることを特徴とする発光用材料。
8. The light emitting material according to claim 1, wherein the rare earth complex is a europium complex having a β-diketone ligand.
【請求項9】 陽極、有機発光層および陰極を具えた有
機EL素子において、 前記有機発光層は、ベンゾフェノンの燐光発光強度以上
の燐光発光強度を有する燐光物質と希土類錯体とを具
え、かつ前記燐光物質は前記希土類錯体の配位子の三重
項準位以上の三重項準位を有する物質であるような発光
用材料で以て構成されていることを特徴とする有機EL
素子。
9. An organic EL device comprising an anode, an organic light emitting layer, and a cathode, wherein the organic light emitting layer comprises a phosphorescent substance having a phosphorescence intensity equal to or higher than that of benzophenone, and a rare earth complex, and The organic EL device is characterized in that the substance is formed of a light emitting material which is a substance having a triplet level equal to or higher than a triplet level of a ligand of the rare earth complex.
element.
【請求項10】 請求項9に記載の有機EL素子におい
て、 前記燐光物質は、下記(1)式で示されるベンゾイル基
若しくはベンゾイル基の複合基を含んでいること(ただ
し、下記(1)式のR1は置換若しくは非置換のアルキ
ル基、または置換若しくは非置換のシクロアルキル基、
または置換若しくは非置換のアシル基、または置換若し
くは非置換のアリール基からなり、R2〜R6それぞれ
は、水素、または置換若しくは非置換のアルキル基、ま
たは置換若しくは非置換のシクロアルキル基、または、
置換若しくは非置換のアシル基、または置換若しくは非
置換のアリール基であり、互いが同じでも、一部異なっ
ても、全部異なってもよい。)を特徴とする有機EL素
子。 【化6】
10. The organic EL device according to claim 9, wherein the phosphorescent substance contains a benzoyl group or a complex group of a benzoyl group represented by the following formula (1) (provided that the following formula (1) is satisfied). R1 is a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group,
Or a substituted or unsubstituted acyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, each of R2 to R6 is hydrogen, or a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or
A substituted or unsubstituted acyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, which may be the same, partially different, or entirely different. An organic EL device characterized by the above-mentioned). Embedded image
【請求項11】 請求項9に記載の有機EL素子におい
て、 前記燐光物質が、下記(2)式で示されるベンゾフェノ
ン若しくはベンゾフェノンの誘導体であること(ただ
し、下記(2)式のR1〜R10それぞれは、水素、ま
たは水酸基、または置換若しくは非置換のアルキル基、
または置換若しくは非置換のシクロアルキル基、または
置換若しくは非置換のアシル基、または置換若しくは非
置換のアミノ基、またはニトロ基、または置換若しくは
非置換のアルコキシ基、またはシアノ基、または置換若
しくは非置換のアリール基であり、互いが同じでも、一
部異なっても、全部異なっても良い。)を特徴とする有
機EL素子。 【化7】
11. The organic EL device according to claim 9, wherein the phosphorescent substance is benzophenone or a derivative of benzophenone represented by the following formula (2) (provided that R1 to R10 of the following formula (2) are respectively Is hydrogen, or a hydroxyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group,
Or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted amino group, or a nitro group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a cyano group, or a substituted or unsubstituted group And may be the same, partially different, or all different. 2. An organic EL device according to claim 1, Embedded image
【請求項12】 請求項11に記載の有機EL素子にお
いて、 前記ベンゾフェノンの誘導体を、2−アミノ−5−ニト
ロベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノ
ン、4−ベンゾイルビフェニル、4,4’−ビス(ジメ
チルアミノ)ベンゾフェノン、および4−モルフォリノ
ベンゾフェノンの群から選ばれる一種または二種以上の
誘導体とすることを特徴とする有機EL素子。
12. The organic EL device according to claim 11, wherein the benzophenone derivative is 2-amino-5-nitrobenzophenone, 4,4′-dimethoxybenzophenone, 4-benzoylbiphenyl, 4,4′-bis An organic EL device comprising one or more derivatives selected from the group consisting of (dimethylamino) benzophenone and 4-morpholinobenzophenone.
【請求項13】 請求項9に記載の有機EL素子におい
て、 前記燐光物質が下記(3)式で示されるトリフェニルア
セトフェノンまたはその誘導体であること(ただし、下
記(3)式のR1〜R20それぞれは、水素、または水
酸基、または置換若しくは非置換のアルキル基、または
置換若しくは非置換のシクロアルキル基、または置換若
しくは非置換のアシル基、または置換若しくは非置換の
アリール基であり、互いが同じでも、一部異なっても、
全部異なっても良い。)を特徴とする有機EL素子。 【化8】
13. The organic EL device according to claim 9, wherein the phosphorescent substance is triphenylacetophenone represented by the following formula (3) or a derivative thereof (provided that each of R1 to R20 in the following formula (3)) Is hydrogen, a hydroxyl group, or a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted acyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. , Even if some are different,
All may be different. An organic EL device characterized by the above-mentioned). Embedded image
【請求項14】 請求項13に記載の有機EL素子にお
いて、 前記燐光物質が下記(4)式で示される2,2,2−ト
リフェニルアセトフェノンであることを特徴とする有機
EL素子。 【化9】
14. The organic EL device according to claim 13, wherein the phosphor is 2,2,2-triphenylacetophenone represented by the following formula (4). Embedded image
【請求項15】 請求項13に記載の有機EL素子にお
いて、 前記燐光物質が、下記(5)式で示される[2,2−ジ
フェニル−2−(2−メチルフェニル)]エチロ−2−
メチルフェノンであることを特徴とする有機EL素子。 【化10】
15. The organic EL device according to claim 13, wherein the phosphor is [2,2-diphenyl-2- (2-methylphenyl)] ethyl-2- represented by the following formula (5).
An organic EL device comprising methylphenone. Embedded image
【請求項16】 請求項9〜15のいずれか一項に記載
の有機EL素子において、 前記希土類錯体がβ−ジケトン配位子を有するユーロピ
ウム錯体であることを特徴とする有機EL素子。
16. The organic EL device according to claim 9, wherein the rare earth complex is a europium complex having a β-diketone ligand.
【請求項17】 請求項9〜16のいずれか一項に記載
の有機EL素子において、 前記陽極と前記有機発光層との間に正孔輸送層を具えて
いることを特徴とする有機EL素子。
17. The organic EL device according to claim 9, further comprising a hole transport layer between the anode and the organic light emitting layer. .
【請求項18】 請求項9〜16のいずれか一項に記載
の有機EL素子において、 前記陰極と前記有機発光層との間に電子輸送層を具えて
いることを特徴とする有機EL素子。
18. The organic EL device according to claim 9, further comprising an electron transport layer between the cathode and the organic light emitting layer.
【請求項19】 請求項9〜16のいずれか一項に記載
の有機EL素子において、 前記陽極と前記有機発光層との間に正孔輸送層を具え、
かつ前記有機発光層と陰極との間に電子輸送層を具えて
いることを特徴とする有機EL素子。
19. The organic EL device according to claim 9, further comprising a hole transporting layer between the anode and the organic light emitting layer.
An organic EL device comprising an electron transport layer between the organic light emitting layer and the cathode.
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