JPH11243040A - Device and method for separating sample and manufacture of substrate - Google Patents

Device and method for separating sample and manufacture of substrate

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JPH11243040A
JPH11243040A JP4530898A JP4530898A JPH11243040A JP H11243040 A JPH11243040 A JP H11243040A JP 4530898 A JP4530898 A JP 4530898A JP 4530898 A JP4530898 A JP 4530898A JP H11243040 A JPH11243040 A JP H11243040A
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JP
Japan
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substrate
sample
holding
separation
separating
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Withdrawn
Application number
JP4530898A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazutaka Yanagida
一隆 柳田
Kiyobumi Sakaguchi
清文 坂口
Kazuaki Omi
和明 近江
Takao Yonehara
隆夫 米原
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a substrate from breaking, when the laminated substrate is separated. SOLUTION: A laminated substrate 101 has the laminated structure of a first substrate 101a having small strength, a porous layer 101b used as the separating layer and a second substrate 101c having large strength. The side of the first substrate 101a is held by a substrate holding part 120 which has the holding surface of the large area. The side of the second substrate 101c is held by a substrate holding part 130 having the holding surface of a small area. When water is injected from an injection nozzle 102 and inserted into the porous layer 101b so as to separate the substrate 101, the first substrate 101a is not deflected, but the second substrate 101c is deflected. Therefore, while breakage of the first substrate 101a having a small strength is prevented, the discharging path of water is secured, and the separation can be made efficient.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、板状の試料の分離
装置及び分離方法並びに基板の製造方法に係り、例え
ば、内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で
分離することに関して好適な分離装置及び分離方法並び
に該装置又は方法を適用した基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for separating a plate-shaped sample and a method for manufacturing a substrate. For example, a plate-shaped sample having a fragile layer therein is separated by the fragile layer. The present invention relates to a separation apparatus and a separation method suitable for the above, and a method for manufacturing a substrate to which the apparatus or the method is applied.

【0002】[0002]

【従来の技術】絶縁層上に単結晶Si層を有する基板と
して、SOI(silicon on insulator)構造を有する基
板(SOI基板)がある。このSOI基板を採用したデ
バイスは、通常のSi基板では達成し得ない数々の優位
点を有する。この優位点としては、例えば、以下のもの
が挙げられる。 (1)誘電体分離が容易で高集積化に適している。 (2)放射線耐性に優れている。 (3)浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 (4)ウェル工程が不要である。 (5)ラッチアップを防止できる。 (6)薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
2. Description of the Related Art As a substrate having a single-crystal Si layer on an insulating layer, there is a substrate (SOI substrate) having an SOI (silicon on insulator) structure. Devices using this SOI substrate have a number of advantages that cannot be achieved with a normal Si substrate. The advantages include, for example, the following. (1) Dielectric separation is easy and suitable for high integration. (2) Excellent radiation resistance. (3) The stray capacitance is small, and the operation speed of the element can be increased. (4) No well step is required. (5) Latch-up can be prevented. (6) A complete depletion type field effect transistor can be formed by thinning.

【0003】SOI構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。SOI技術としては、古くは、単結
晶サファイア基板上にSiをCVD(化学気層成長)法
でヘテロエピタキシ成長させて形成するSOS(silico
n on sapphire)技術が知られている。このSOS技術
は、最も成熟したSOI技術として一応の評価を得たも
のの、Si層と下地のサファイア基板との界面における
格子不整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基
板を構成するアルミニウムのSi層への混入、基板の価
格、大面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでい
ない。
[0003] Since the SOI structure has various advantages as described above, research on a forming method thereof has been advanced in recent decades. As an SOI technology, an SOS (silico) method is known in which Si is heteroepitaxially grown on a single crystal sapphire substrate by a CVD (chemical vapor deposition) method.
n on sapphire) technology is known. Although this SOS technology has received a reputation as the most mature SOI technology, it generates a large number of crystal defects due to lattice mismatch at the interface between the Si layer and the underlying sapphire substrate, and the aluminum Si layer constituting the sapphire substrate Practical use has not been promoted due to reasons such as contamination of the substrate, cost of the substrate, and delay in increasing the area.

【0004】SOS技術に次いで、SIMOX(separa
tion by ion implanted oxygen)技術が登場した。この
SIMOX技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで2枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Si層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたSi基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Si層を残して、貼
り合わせた基板(他方の基板)を剥離する方法等が挙げ
られる。
Following SOS technology, SIMOX (separa
tion by ion implanted oxygen) technology has emerged. With respect to the SIMOX technology, various methods have been attempted with the aim of reducing crystal defects and reducing manufacturing costs. As this method, a method of implanting oxygen ions into a substrate to form a buried oxide layer, bonding two wafers with an oxide film interposed therebetween, and polishing or etching one of the wafers to form a thin single-crystal Si layer A method of leaving on an oxide film, furthermore, hydrogen ions are implanted at a predetermined depth from the surface of the Si substrate on which the oxide film is formed, and after bonding with the other substrate, a thin film is formed on the oxide film by heat treatment or the like. A method of removing the bonded substrate (the other substrate) while leaving the single crystal Si layer, or the like can be given.

【0005】本出願人は、特開平5−21338号にお
いて、新たなSOI技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層(SiO2)を形成した第1の基板を、絶縁層(Si
2)を介して第2の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第2の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、SOI層の膜厚均
一性が優れていること、SOI層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、SOI層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数100
Å〜10μm程度の範囲のSOI膜を有するSOI基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
The present applicant has disclosed a new SOI technique in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-21338. According to this technique, a first substrate in which a non-porous single-crystal layer (SiO 2 ) is formed on a single-crystal semiconductor substrate in which a porous layer is formed is separated from an insulating layer (Si).
O 2 ) is applied to the second substrate, the two substrates are separated by a porous layer, and the non-porous single crystal layer is transferred to the second substrate. This technique has excellent thickness uniformity of the SOI layer, can reduce the crystal defect density of the SOI layer, has good surface flatness of the SOI layer,
Eliminates the need for expensive special equipment
It is excellent in that an SOI substrate having an SOI film in the range of about Å to 10 μm can be manufactured by the same manufacturing apparatus.

【0006】更に、本出願人は、特開平7−30288
9号において、上記の第1の基板と第2の基板とを貼り
合わせた後に、第1の基板を破壊することなく第2の基
板から分離し、その後、分離した第1の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第1の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
[0006] Further, the present applicant has disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 7-30288.
In No. 9, after the first substrate and the second substrate are bonded to each other, the first substrate is separated from the second substrate without breaking, and then the separated surface of the first substrate is removed. A technique has been disclosed in which a porous layer is formed again after smoothing and reused. This technique has excellent advantages that the first substrate can be used without waste, so that the manufacturing cost can be greatly reduced and the manufacturing process is simple.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の技術において
は、第1の基板と第2の基板とを貼り合わせた貼り合わ
せ基板を2枚に分離する際に、該基板又は分離後の基板
が破損しないことが望まれる。本発明は、上記の事情に
鑑みてなされたものであり、貼り合わせ基板等の基板に
代表される板状の試料の分離に好適な分離装置及び分離
方法並びに該装置又は方法を適用した基板の製造方法を
提供することを目的とする。
In the above technique, when a bonded substrate obtained by bonding a first substrate and a second substrate is separated into two, the substrate or the separated substrate is damaged. It is desired not to. The present invention has been made in view of the above circumstances, a separation apparatus and a separation method suitable for separating a plate-shaped sample represented by a substrate such as a bonded substrate, and a substrate to which the apparatus or the method is applied. It is intended to provide a manufacturing method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る分離装置
は、板状の試料を分離する分離装置であって、試料を分
離するための流体を該試料に向けて噴射する噴射部と、
試料を両側から挟むようにして保持する第1及び第2の
保持部とを備え、前記第1及び第2の保持部は、互いに
異なる形状の保持面を有することを特徴とする。
A separation device according to the present invention is a separation device for separating a plate-shaped sample, and a jetting unit for jetting a fluid for separating the sample toward the sample,
There are provided first and second holding portions for holding the sample so as to sandwich the sample from both sides, wherein the first and second holding portions have holding surfaces having different shapes from each other.

【0009】上記の分離装置において、例えば、前記第
1の保持部は、試料の内部に注入される流体の圧力によ
る該試料の一方の面の撓み量が相対的に小さくなるよう
に該一方の面を保持し、前記第2の保持部は、該流体の
圧力による該試料の他方の面の撓み量が相対的に大きく
なるように該他方の面を保持することが好ましい。上記
の分離装置において、例えば、前記第1の保持部は、試
料の内部に注入される流体の圧力によって該試料の一方
の面が撓むことがないように該一方の面を保持し、前記
第2の保持部は、該流体の圧力によって該試料の他方の
面が撓むようにして該他方の面を保持することことが好
ましい。
In the above-described separation apparatus, for example, the first holding portion may be configured so that one of the surfaces of the sample is relatively bent by the pressure of the fluid injected into the inside of the sample, and the other of the first holding portion is relatively small. Preferably, the surface is held, and the second holding portion holds the other surface of the sample such that the amount of deflection of the other surface of the sample due to the pressure of the fluid becomes relatively large. In the above-described separation device, for example, the first holding unit holds the one surface of the sample so as not to bend by the pressure of a fluid injected into the inside of the sample, The second holding unit preferably holds the other surface of the sample such that the other surface of the sample is bent by the pressure of the fluid.

【0010】上記の分離装置において、例えば、前記第
1の保持部の保持面と前記第2の保持部の保持面は、互
いに異なる面積を有することが好ましい。上記の分離装
置において、例えば、前記第1の保持部は、試料の一方
の面の全面を保持する保持面を有し、前記第2の保持部
は、該試料の他方の面の一部を保持する保持面を有する
ことが好ましい。
In the above separating apparatus, for example, the holding surface of the first holding portion and the holding surface of the second holding portion preferably have different areas. In the above separation apparatus, for example, the first holding unit has a holding surface that holds the entire surface of one surface of the sample, and the second holding unit includes a part of the other surface of the sample. It is preferable to have a holding surface for holding.

【0011】上記の分離装置において、例えば、前記第
1の保持部の保持面は、平面で構成されていることが好
ましい。上記の分離装置において、例えば、前記第1の
保持部の保持面は、曲面で構成されていることが好まし
い。上記の分離装置において、例えば、前記第2の保持
部の保持面は、環状をなすことが好ましい。
In the above separating apparatus, for example, it is preferable that the holding surface of the first holding portion is formed as a flat surface. In the above-described separation device, for example, it is preferable that the holding surface of the first holding unit is formed of a curved surface. In the above-described separation device, for example, it is preferable that the holding surface of the second holding unit has an annular shape.

【0012】上記の分離装置において、例えば、前記第
2の保持部は、複数の突起状部材を有し、該複数の突起
状部材の先端部で試料を保持することが好ましい。上記
の分離装置において、例えば、前記第2の保持部は、試
料の内部に注入される流体の圧力により該試料の前記第
2の保持部側の面の中央部が膨張するようにして撓むこ
とを許容する形状を有することが好ましい。
In the above-mentioned separation apparatus, for example, it is preferable that the second holding section has a plurality of projecting members, and holds the sample at the tips of the plurality of projecting members. In the above-described separation apparatus, for example, the second holding portion bends such that a central portion of a surface of the sample on the second holding portion side expands due to a pressure of a fluid injected into a sample. It is preferable to have a shape that allows this.

【0013】上記の分離装置において、例えば、前記第
2の保持部は、試料の内部に注入される流体の圧力によ
り該試料の前記第2の保持部側の面が波打つようにして
撓むことを許容する形状を有することが好ましい。上記
の分離装置において、前記第1及び第2の保持部の少な
くとも一方を保持面に垂直な軸を中心として回転させる
ことにより試料を回転させる回転機構を更に備えること
が好ましい。
In the above separating apparatus, for example, the second holding portion may bend so that the surface of the sample on the second holding portion side is wavy due to the pressure of the fluid injected into the sample. Preferably. In the above separation apparatus, it is preferable that a rotation mechanism that rotates the sample by rotating at least one of the first and second holding units around an axis perpendicular to the holding surface is preferable.

【0014】上記の分離装置による処理対象の試料は、
例えば、第1及び第2の基板を貼り合わせてなる基板で
あって、前記第1及び第2の基板は強度が互いに異なる
ことが好ましい。本発明に係る分離方法は、板状の試料
を分離する分離方法であって、保持面の形状が互いに異
なる一対の保持部により両側を挟むようにして試料を保
持して、該試料の厚さ方向の所定位置に向けて流体を噴
射することにより該試料を分離することを特徴とする。
The sample to be processed by the above separation apparatus is
For example, it is preferable that the first and second substrates have different strengths from each other when the first and second substrates are bonded to each other. The separation method according to the present invention is a separation method for separating a plate-shaped sample, holding the sample so as to sandwich both sides by a pair of holding portions having different holding surface shapes, in the thickness direction of the sample. The sample is separated by ejecting a fluid toward a predetermined position.

【0015】上記の分離方法において、分離対象の試料
は、内部に脆弱な層を有し、該試料を分離する際は、該
脆弱な層に向けて流体を噴射することが好ましい。本発
明に係る分離方法は、内部に脆弱な層を有する板状の試
料を該脆弱な層で分離する分離方法であって、試料の脆
弱な層に向けて流体を噴射することにより該試料を分離
する分離工程を有し、該分離工程において、該試料の一
方の面に関しては、該試料の内部に注入される流体の圧
力による撓み量が相対的に小さくなるように、該試料の
他方の面に関しては、該試料の内部に注入される流体の
圧力による撓み量が相対的に大きくなるように、該試料
を保持することを特徴とする。
[0015] In the above separation method, the sample to be separated has a fragile layer inside, and when separating the sample, it is preferable to jet a fluid toward the fragile layer. The separation method according to the present invention is a separation method for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, and injecting a fluid toward the fragile layer of the sample to form the sample. A separating step of separating, and in the separating step, with respect to one surface of the sample, the other side of the sample is so reduced that the amount of deflection caused by the pressure of the fluid injected into the sample is relatively small. As for the surface, the sample is held so that the amount of deflection caused by the pressure of the fluid injected into the sample becomes relatively large.

【0016】本発明に係る分離方法は、内部に脆弱な層
を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離方法で
あって、試料の脆弱な層に向けて流体を噴射することに
より該試料を分離する分離工程を有し、該分離工程にお
いて、該試料の一方の面に関しては、該試料の内部に注
入される流体の圧力による撓みを制限するように、該試
料の他方の面に関しては、該試料の内部に注入される流
体の圧力による撓みを許容するように、該試料を保持す
ることを特徴とする。
The separation method according to the present invention is a separation method for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, by jetting a fluid toward the fragile layer of the sample. A separation step of separating the sample, wherein in the separation step, the other surface of the sample is limited with respect to one surface of the sample so as to limit deflection due to pressure of a fluid injected into the sample. The method is characterized in that the sample is held so as to allow bending due to the pressure of the fluid injected into the sample.

【0017】上記の各分離方法において、流体により試
料を分離する際に、該試料をその主面に垂直な軸を中心
として回転させることが好ましい。上記の分離方法によ
る処理対象の試料は、例えば、第1及び第2の基板を貼
り合わせてなる試料であって、前記第1及び第2の基板
は強度が互いに異なることが好ましい。
In each of the above separation methods, when the sample is separated by the fluid, it is preferable that the sample is rotated about an axis perpendicular to the main surface. The sample to be processed by the above-described separation method is, for example, a sample obtained by bonding first and second substrates, and the first and second substrates preferably have different strengths.

【0018】本発明に係る分離方法は、強度が相対的に
小さい第1の基板と強度が相対的に大きい第2の基板と
の間に脆弱な層を有する複合基板を該脆弱な層で分離す
る分離方法であって、前記脆弱な層に向けて流体を噴射
することにより前記複合基板を分離する分離工程を有
し、該分離工程において、前記第1の基板に関しては、
前記複合基板の内部に注入される流体の圧力による撓み
量が相対的に小さくなるように、前記第2の基板に関し
ては、前記複合基板の内部に注入される流体の圧力によ
る撓み量が相対的に大きくなるように、前記複合基板を
保持することを特徴とする。
According to the separation method of the present invention, a composite substrate having a fragile layer between a first substrate having a relatively low strength and a second substrate having a relatively high strength is separated by the fragile layer. A separating method for separating the composite substrate by injecting a fluid toward the fragile layer, wherein in the separating step, regarding the first substrate,
With respect to the second substrate, the amount of deflection due to the pressure of the fluid injected into the composite substrate is relatively small so that the amount of deflection due to the pressure of the fluid injected into the composite substrate is relatively small. The composite substrate is held so as to be larger.

【0019】本発明に係る分離方法は、強度が相対的に
小さい第1の基板と強度が相対的に大きい第2の基板と
の間に脆弱な層を有する複合基板を該脆弱な層で分離す
る分離方法であって、前記脆弱な層に向けて流体を噴射
することにより前記複合基板を分離する分離工程を有
し、該分離工程において、前記第1の基板に関しては、
前記複合基板の内部に注入される流体の圧力による撓み
を制限し、前記第2の基板に関しては、前記複合基板の
内部に注入される流体の圧力による撓みを許容するよう
に、前記複合基板を保持することを特徴とする。
According to the separation method of the present invention, a composite substrate having a fragile layer between a first substrate having a relatively low strength and a second substrate having a relatively high strength is separated by the fragile layer. A separating method for separating the composite substrate by injecting a fluid toward the fragile layer, wherein in the separating step, regarding the first substrate,
Limiting the deflection due to the pressure of the fluid injected into the composite substrate, and regarding the second substrate, the composite substrate is allowed to bend due to the pressure of the fluid injected into the composite substrate. It is characterized by holding.

【0020】本発明に係る基板の製造方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第1の基板の
前記非多孔質層側を第2の基板に貼り合せる工程と、貼
り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを
含む基板の製造方法であって、前記分離工程において、
上記のいずれかの分離装置を使用することを特徴とす
る。
The method for manufacturing a substrate according to the present invention comprises the steps of: bonding a non-porous layer side of a first substrate having a porous layer and a non-porous layer formed on one surface in that order to a second substrate; A separation step of separating the bonded substrates by the porous layer, wherein the separation step,
It is characterized by using any one of the separation devices described above.

【0021】本発明に係る基板の製造方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第1の基板の
前記非多孔質層側を第2の基板に貼り合せる工程と、貼
り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを
含む基板の製造方法であって、上記のいずれかの分離方
法を適用して前記分離工程を実行することを特徴とす
る。
The method of manufacturing a substrate according to the present invention comprises the steps of: bonding a non-porous layer side of a first substrate having a porous layer and a non-porous layer formed on one surface in that order to a second substrate; A separating step of separating the bonded substrates by the porous layer, wherein the separating step is performed by applying any one of the above-described separating methods.

【0022】本発明に係る保持装置は、板状の試料の厚
さ方向の所定位置に向けて流体を噴射することにより該
試料を分離する際に該試料を保持する保持装置であっ
て、該試料を保持する保持面の形状が互いに異なる一対
の保持部により両側を挟むようにして該試料を保持する
ことを特徴とする。
A holding device according to the present invention is a holding device for holding a sample when separating the sample by injecting a fluid toward a predetermined position in a thickness direction of the plate-shaped sample. The present invention is characterized in that the sample is held so as to sandwich both sides by a pair of holding portions having different shapes of holding surfaces for holding the sample.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。図1は、本発明の
好適な実施の形態に係るSOI基板の製造方法を工程順
に説明する図である。図1(a)に示す工程では、単結
晶Si基板11を準備して、その表面に陽極化成等によ
り多孔質Si層12を形成する。次いで、図1(b)に
示す工程では、多孔質Si層12上に非多孔質層である
単結晶Si層13をエピタキシャル成長法により形成
し、その後、単結晶Si層13の表面を酸化させること
によりSiO2層15を形成する。これにより、第1の
基板()が形成される。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing an SOI substrate according to a preferred embodiment of the present invention in the order of steps. In the step shown in FIG. 1A, a single-crystal Si substrate 11 is prepared, and a porous Si layer 12 is formed on the surface thereof by anodization or the like. Next, in a step shown in FIG. 1B, a single-crystal Si layer 13 which is a non-porous layer is formed on the porous Si layer 12 by an epitaxial growth method, and then the surface of the single-crystal Si layer 13 is oxidized. To form an SiO 2 layer 15. Thereby, a first substrate () is formed.

【0024】図1(c)に示す工程では、第2の基板
()として単結晶Si基板14を準備し、第1の基板
()のSiO2層15と第2の基板()とが面する
ように、第1の基板()と第2の基板()とを室温
で密着させる。その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理
又はこれらを組合わせた処理により第1の基板()と
第2の基板()とを貼り合わせる。この処理により、
第2の基板()とSiO2層15が強固に結合され
る。なお、SiO2層15は、上記のように単結晶Si
基板11側に形成しても良いし、第2の基板()上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第1の基板と第2の基板を密着させた際に、図1(c)
に示す状態になれば良い。
In the step shown in FIG. 1C, a single-crystal Si substrate 14 is prepared as a second substrate (), and the SiO 2 layer 15 of the first substrate () and the second substrate () are Then, the first substrate () and the second substrate () are brought into close contact with each other at room temperature. After that, the first substrate () and the second substrate () are bonded to each other by anodic bonding, pressing, heat treatment, or a combination thereof. With this process,
The second substrate () and the SiO 2 layer 15 are firmly bonded. The SiO 2 layer 15 is made of single crystal Si as described above.
It may be formed on the substrate 11 side, may be formed on the second substrate (), may be formed on both, and as a result,
When the first substrate and the second substrate are brought into close contact with each other, FIG.
The state shown in FIG.

【0025】図1(d)に示す工程では、貼り合わせた
2枚の基板を、多孔質Si層12の部分で分離する。こ
れにより、第2の基板側(''+)は、多孔質Si層
12''/単結晶Si層13/絶縁層15/単結晶Si基
板14の積層構造となる。一方、第1の基板側(')
は、単結晶Si基板11上に多孔質Si層12’を有す
る構造となる。
In the step shown in FIG. 1D, the two bonded substrates are separated at the porous Si layer 12. Thereby, the second substrate side ("+") has a laminated structure of the porous Si layer 12 "/ the single-crystal Si layer 13 / the insulating layer 15 / the single-crystal Si substrate 14. On the other hand, on the first substrate side (')
Has a structure having a porous Si layer 12 ′ on a single-crystal Si substrate 11.

【0026】分離後の基板(’)は、残留した多孔質
Si層12’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第1の基板()を形成するた
めの単結晶Si基板11として使用される。貼り合わせ
た基板を分離した後、図1(e)に示す工程では、第2
の基板側(''+)の表面の多孔質層12''を選択的
に除去する。これにより、単結晶Si層13/絶縁層1
5/単結晶Si基板14の積層構造、すなわち、SOI
構造を有する基板が得られる。
The separated substrate (') is formed by removing the remaining porous Si layer 12' and, if necessary, flattening the surface thereof to form the first substrate () again. Used as a single crystal Si substrate 11. After the bonded substrates are separated, in the step shown in FIG.
The porous layer 12 '' on the substrate side ("+") is selectively removed. Thereby, the single crystal Si layer 13 / insulating layer 1
5 / Laminated structure of single crystal Si substrate 14, ie, SOI
A substrate having a structure is obtained.

【0027】第2の基板としては、例えば、単結晶Si
基板の他、絶縁性基板(例えば、石英基板)や光透過性
基板(例えば、石英基板)等が好適である。この実施の
形態では、2枚の基板を貼り合せた後にこれを分離する
処理を容易にするために、分離領域に脆弱な構造の多孔
質層12を形成するが、この多孔質層の代わりに、例え
ば微小気泡層を形成してもよい。微小気泡層は、例え
ば、半導体基板にイオンを注入することにより形成する
ことができる。
As the second substrate, for example, single crystal Si
In addition to the substrate, an insulating substrate (for example, a quartz substrate) and a light-transmitting substrate (for example, a quartz substrate) are suitable. In this embodiment, a porous layer 12 having a fragile structure is formed in a separation region in order to facilitate a process of separating two substrates after they are bonded to each other, but instead of this porous layer, For example, a microbubble layer may be formed. The microbubble layer can be formed, for example, by implanting ions into a semiconductor substrate.

【0028】なお、上記の製造方法により製造される基
体は、半導体デバイスの製造のみならず、微細な構造物
の製造にも応用することができる。この実施の形態で
は、図1(d)に示す工程、すなわち、貼り合わせた2
枚の基板(以下、貼り合わせ基板)を分離する工程にお
いて、分離領域である多孔質Si層に対して高圧の液体
又は気体(流体)を噴射することにより該分離領域で基
板を2枚に分離する分離装置を使用する。
The substrate manufactured by the above manufacturing method can be applied not only to the manufacture of semiconductor devices but also to the manufacture of fine structures. In this embodiment, the process shown in FIG.
In a step of separating two substrates (hereinafter, a bonded substrate), a high-pressure liquid or gas (fluid) is jetted to a porous Si layer which is a separation region to separate the substrate into two in the separation region. Use a separation device.

【0029】[分離装置の基本構成]この分離装置は、
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータージェット法は、水を高速、高圧の束状の流れ
にして対象物に対して噴射して、セラミックス、金属、
コンクリート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面
の塗膜の除去、表面の洗浄等を行う方法である(「ウォ
ータージェット」第1巻1号第4ページ参照)。
[Basic Configuration of Separation Apparatus]
The water jet method was applied. In general,
In the water jet method, water is jetted onto a target in a high-speed, high-pressure bundle flow, and ceramics, metal,
This method involves cutting and processing concrete, resin, rubber, wood, etc., removing the coating film on the surface, and cleaning the surface (see “Water Jet” Vol. 1, No. 1, page 4).

【0030】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層(分離領域)に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、例えば水が好適である。
This separation apparatus injects a high-speed, high-pressure fluid in a bundle-like flow in the surface direction of the substrate onto the porous layer (separation region) of the bonded substrate, which is a fragile structure. The substrate is separated at the portion of the porous layer by selectively collapsing the porous layer. Hereinafter, this bundled flow is referred to as a “jet”. Further, the fluid constituting the jet is referred to as “jet constituting medium”. As the jet forming medium, for example, water is preferable.

【0031】この分離装置を上記のSOI基板等の半導
体基体の製造に適用する場合、ジェット構成媒体として
の水は、不純物金属やパーティクル等を極力除去した純
水或いは超純水であることが好ましいが、基板を分離し
た後に洗浄するのであればジェット構成媒体として純度
の低い水を使用することもできる。また、ジェット構成
媒体は、水に限られず、例えば、アルコール等の有機溶
媒、弗酸、硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のア
ルカリ、空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチン
グガスその他の気体、或いはプラズマ等であってもよ
い。
When this separation apparatus is applied to the manufacture of a semiconductor substrate such as the above-mentioned SOI substrate, the water as the jet constituting medium is preferably pure water or ultrapure water from which impurity metals, particles and the like have been removed as much as possible. However, low-purity water can be used as a jet forming medium if the substrate is washed after being separated. Further, the jet constituting medium is not limited to water, for example, organic solvents such as alcohol, hydrofluoric acid, nitric acid and other acids, potassium hydroxide and other alkalis, air, nitrogen gas, carbon dioxide gas, rare gas, etching gas and other gases. It may be gas or plasma.

【0032】この分離装置は、貼り合わせ基板の側面に
表出した多孔質層(分離領域)に向けてジェットを噴射
することにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向
かって除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その
本体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱
な分離領域のみが除去され、2枚の基板に分離される。
なお、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。
This separation device removes the porous layer from the outer peripheral portion toward the central portion by jetting a jet toward the porous layer (separation region) exposed on the side surface of the bonded substrate. As a result, the bonded substrate is separated into two substrates without damaging the main body portion, removing only the separation region having weak mechanical strength.
Note that even when the side surface of the bonded substrate is covered with some thin layer and the porous layer is not exposed, the layer is removed by jetting, and thereafter, the bonding is performed in the same manner as described above. The mating substrate can be separated.

【0033】貼り合わせ基板の外周部には、円周方向に
沿ってV(凹)型の溝があることが好ましい。図2は、
貼り合わせ基板に作用する力を概念的に示す図である。
図2(a)は、V型の溝22を有する貼り合わせ基板、
図2(b)は、V型の溝を有しない貼り合わせ基板を示
す。図2(a)に示すように、V型の溝22を有する貼
り合わせ基板においては、矢印23のように、貼り合わ
せ基板の内側から外側に向かって力(以下、分離力)が
加わる。一方、図2(b)に示すように、外周部が凸形
状をなす貼り合わせ基板においては、矢印24に示すよ
うに、貼り合わせ基板の外側から内側に向かって力が加
わる。したがって、外周部が凸形状をなす貼り合わせ基
板においては、分離領域である多孔質層12の外周部が
ジェット21により除去されない限り、分離力が作用し
ない。
It is preferable that there is a V (concave) groove along the circumferential direction at the outer peripheral portion of the bonded substrate. FIG.
It is a figure which shows notionally the force which acts on a bonding substrate.
FIG. 2A shows a bonded substrate having a V-shaped groove 22,
FIG. 2B shows a bonded substrate having no V-shaped groove. As shown in FIG. 2A, in the bonded substrate having the V-shaped groove 22, a force (hereinafter, separation force) is applied from the inside to the outside of the bonded substrate as indicated by an arrow 23. On the other hand, as shown in FIG. 2B, in a bonded substrate having a convex outer peripheral portion, a force is applied from the outside to the inside of the bonded substrate as indicated by an arrow 24. Therefore, in the bonded substrate whose outer peripheral portion has a convex shape, the separating force does not act unless the outer peripheral portion of the porous layer 12 which is the separation region is removed by the jet 21.

【0034】また、貼り合わせ基板の外周部の表面に薄
い層が形成されている場合であっても、図2(a)に示
すように、V型の溝22を有する場合には、貼り合わせ
基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊する
ことができる。ジェットを有効に利用するためには、V
型の溝22の開口部の幅W1が、ジェット21の直径d
と同程度又は同程度以上であることが好ましい。例え
ば、第1の基板()及び第2の基板()が夫々1mm
厚程度で、貼り合わせ基板が2mm厚程度の場合を考え
る。通常V型の溝22の開口部の幅W1は1mm程度で
あるので、ジェットの直径は1mm以下であることが好
ましい。一般的なウォータージェット装置では、直径
0.1〜0.5mm程度のジェットが使用されているた
め、このような一般的なウォータージェット装置(例え
ば、ウォータージェットノズル)を流用することが可能
である。
Further, even when a thin layer is formed on the surface of the outer peripheral portion of the bonded substrate, as shown in FIG. Since a separating force acts on the substrate, the layer can be easily broken. To use jet effectively, V
The width W1 of the opening of the mold groove 22 is equal to the diameter d of the jet 21.
It is preferable that it is equal to or more than the same. For example, each of the first substrate () and the second substrate () is 1 mm
Consider a case where the thickness of the bonded substrate is about 2 mm. Since the width W1 of the opening of the V-shaped groove 22 is generally about 1 mm, the diameter of the jet is preferably 1 mm or less. Since a jet having a diameter of about 0.1 to 0.5 mm is used in a general water jet device, such a general water jet device (for example, a water jet nozzle) can be used. .

【0035】ここで、ジェットを噴射するノズルの形状
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入(2枚の基板間に差し込むようにして入れ
る)することができる。ジェットの噴射条件は、例え
ば、分離領域(例えば、多孔質層)の種類、貼り合わせ
基板の外周部の形状等に応じて決定すればよい。ジェッ
トの噴射条件として、例えば、ジェット構成媒体に加え
る圧力、ジェットの走査速度、ノズルの幅又は径(ジェ
ットの径と略同一)、ノズル形状、ノズルと分離領域と
の距離、ジェット構成媒体の流量等は、重要なパラメー
タとなる。
Here, as the shape of the nozzle for jetting the jet, various shapes other than a circle can be adopted. For example, by adopting a slit-shaped nozzle and jetting a jet having an elongated rectangular cross section, the jet can be efficiently inserted (inserted between two substrates) into the separation region. The jet ejection conditions may be determined according to, for example, the type of the separation region (for example, the porous layer), the shape of the outer peripheral portion of the bonded substrate, and the like. The jet ejection conditions include, for example, the pressure applied to the jet constituting medium, the scanning speed of the jet, the width or diameter of the nozzle (substantially the same as the diameter of the jet), the nozzle shape, the distance between the nozzle and the separation region, the flow rate of the jet constituting medium. Are important parameters.

【0036】貼り合わせ基板の分離方法には、例えば、
1)貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、2)貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、3)貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、4)
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法(貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効)等がある。なお、ジェッ
トは、必ずしも貼り合わせ面に対して完全に平行に噴射
する必要はない。
The method of separating the bonded substrates includes, for example,
1) A method in which a jet is inserted parallel to the bonding surface in the vicinity of the bonding surface and the nozzle is scanned along the bonding surface, and 2) The nozzle is parallel to the bonding surface in the vicinity of the bonding surface. 3) a method in which a jet is inserted and a bonded substrate is scanned, and 3) a method in which a jet is inserted in parallel with the bonding surface with respect to the vicinity of the bonding surface and the jet is scanned in a fan shape with the nozzle vicinity as a hip. 4)
A method in which a jet is inserted in the vicinity of the bonding surface in parallel with the bonding surface and the bonded substrate is rotated about the center of the bonded substrate as an axis (particularly effective when the bonded substrate has a disk shape). ). Note that the jet does not necessarily need to be jetted completely parallel to the bonding surface.

【0037】貼り合わせ基板は、切削力、すなわち、多
孔質層の孔壁に衝突するジェットの衝撃力による孔壁の
破壊の他、貼り合わせ基板を膨張させる方向に作用する
力である分離力、すなわち、多孔質層に注入されたジェ
ット構成媒体の圧力による孔壁の破壊によって分離され
る。貼り合わせ基板に加わる軸方向への分離力は、基板
の破損を防ぐため、例えば1平方cm当たり数百gf程
度にすることが好ましい。
The bonded substrate has a cutting force, that is, a breaking force, which is a force acting in a direction for expanding the bonded substrate, in addition to a destruction of the hole wall due to an impact force of a jet colliding with the hole wall of the porous layer. That is, the separation is caused by the destruction of the pore wall due to the pressure of the jet constituting medium injected into the porous layer. The axial separation force applied to the bonded substrate is preferably, for example, about several hundred gf per 1 cm 2 in order to prevent the substrate from being damaged.

【0038】貼り合わせ基板をジェットによる切削力の
みを利用して分離しようとすると、例えば1平方cm当
たり1000kgf以上の高圧でジェットを噴射させる
必要がある。このような高圧のジェットで貼り合わせ基
板を分離すると、基板に傷を付ける危険性がある。ま
た、貼り合わせ基板は、例えば、0.5mm〜1.0m
m程度の厚さとすることが好適であるが、このような薄
い貼り合わせ基板を高圧のジェットで分離する場合、例
えば局所的に多孔質層の強度が強い部分が存在すると、
ジェット構成媒体の排出経路が確保されないために急激
にジェットの圧力(分離力)が高まって基板が割れる危
険性もある。
In order to separate the bonded substrates using only the cutting force of the jet, it is necessary to jet the jet at a high pressure of, for example, 1000 kgf or more per square cm. When the bonded substrates are separated by such a high-pressure jet, there is a risk of damaging the substrates. The bonded substrate is, for example, 0.5 mm to 1.0 m
It is preferable to have a thickness of about m, but when such a thin bonded substrate is separated by a high-pressure jet, for example, if there is a locally strong portion of the porous layer,
There is also a risk that the pressure (separation force) of the jet suddenly increases and the substrate is broken because the discharge path of the jet constituent medium is not secured.

【0039】そこで、例えば1平方cm当たり500k
gf程度の低圧のジェットを用いて、切削力の不足分を
分離力で補うことが好ましい。この方法により基板の損
傷を相当の割合で防止することができる。しかし、更に
基板の損傷を防止するには、分離対象の部材の形状や特
性を考慮することが好ましい。例えば、上記のように貼
り合わせ基板を第1の基板側(')と第2の基板側
(''+)とに分離する場合は、両基板の形状や特性
(特に強度)を考慮して、分離時の貼り合わせ基板の保
持方法を適正化することが好ましい。すなわち、第1の
基板()は、陽極化成、エピタキシャル層の形成、酸
化等の様々なプロセス(高温プロセスを含む)を経て形
成されるため、第2の基板()に比して割れ易くなる
可能性がある。また、分離後の第1の基板側の表面に残
留した多孔質層を除去した後に、再びこれを第1の基板
()として利用する場合、第1の基板は、1回のSO
I基板の製造の都度、例えば約30μmずづ薄くなるた
め、再利用の回数が多くなるにつれて、分離処理の際に
割れる危険性が高くなる。
Therefore, for example, 500 k per square cm
It is preferable to use a jet having a low pressure of about gf to compensate for the shortage of the cutting force with the separating force. This method can prevent the substrate from being damaged at a considerable rate. However, in order to further prevent damage to the substrate, it is preferable to consider the shape and characteristics of the member to be separated. For example, when the bonded substrate is separated into the first substrate side (') and the second substrate side ("+") as described above, the shapes and characteristics (particularly strength) of both substrates are taken into consideration. It is preferable to optimize the method of holding the bonded substrate at the time of separation. That is, since the first substrate () is formed through various processes (including a high-temperature process) such as anodization, formation of an epitaxial layer, and oxidation, the first substrate () is more easily broken than the second substrate (). there is a possibility. After removing the porous layer remaining on the surface on the first substrate side after the separation, the porous layer is again removed from the first substrate.
When used as (), the first substrate is a single SO
Each time the I-substrate is manufactured, it becomes thinner, for example, by about 30 μm. Therefore, as the number of reuses increases, the risk of cracking during the separation process increases.

【0040】この実施の形態では、分離対象の部材のう
ち強度が小さく割れ易い部材側に関しては、ジェットに
よる分離力による撓み量が小さくなるようにして割れを
防止し、一方、強度が大きく割れにくい部材側に関して
は、ジェットによる分離力による撓み量が大きくなるよ
うにして分離領域(部材内部)からのジェット構成媒体
の排出を効率化する分離装置を開示する。
In this embodiment, among the members to be separated, those having a small strength and being easily cracked are prevented from cracking by reducing the amount of deflection due to the separation force by the jet, while having a large strength and hard to crack. On the member side, there is disclosed a separation device that increases the amount of deflection caused by the separation force of the jet to increase the efficiency of discharging the jet constituent medium from the separation region (inside the member).

【0041】[分離装置の構成例]以下、図3乃至図5
を参照しながら、本発明の好適な実施の形態に係る分離
装置の具体的な構成例に関して説明する。なお、この構
成例に係る分離装置は、内部に脆弱な構造部である多孔
質層又は微小気泡層を有する貼り合わせ基板の分離に好
適であるが、内部に脆弱な構造部を有する他の部材の分
離にも使用し得る。この場合、分離対象の部材の形状等
に応じて、分離装置の構成要素を適切に変更すべきであ
ることは言うまでもない。
[Structural Example of Separating Apparatus] FIGS. 3 to 5
A specific configuration example of the separation device according to the preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The separation device according to this configuration example is suitable for separating a bonded substrate having a porous layer or a microbubble layer which is a fragile structure inside, but other members having a fragile structure inside. Can also be used for the separation of In this case, it goes without saying that the components of the separation device should be appropriately changed according to the shape of the member to be separated.

【0042】図3は、本発明の好適な実施の形態に係る
分離装置の構成を概略的に示す図である。図4は、図3
に示す分離装置の一部の斜視図である。図5は、分離処
理の様子を模式的に示す図である。この分離装置100
は、真空吸着機構を有する基板保持部120,130を
備え、この基板保持部120,130により貼り合わせ
基板101を両面から挟むようにして保持する。一方の
基板保持部120は、貼り合わせ基板101と大面積で
接触する構造を有し、他方の基板保持部130は、貼り
合わせ基板101と小面積で接触する構造を有する。こ
れらの構造は、貼り合わせ基板101の一方の側は、分
離処理の際の撓み量が小さくなるように、又は撓みが生
じないようにし、他方の側は、分離処理の際の撓み量を
相対的に大きくなるようにするための構造の一例であ
る。
FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration of a separation apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 4 shows FIG.
It is a perspective view of a part of separation device shown in FIG. FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a state of the separation processing. This separation device 100
Is provided with substrate holding units 120 and 130 having a vacuum suction mechanism, and holds the bonded substrate 101 by sandwiching the bonded substrate 101 from both sides. One substrate holding part 120 has a structure that contacts the bonded substrate 101 with a large area, and the other substrate holding part 130 has a structure that contacts the bonded substrate 101 with a small area. In these structures, one side of the bonded substrate 101 is configured such that the amount of bending during the separation processing is reduced or does not occur, and the other side is configured such that the amount of bending during the separation processing is relatively small. This is an example of a structure for increasing the size of the image.

【0043】貼り合わせ基板101は、内部に脆弱な構
造部である多孔質層101bを有し、この分離装置10
0により、多孔質層101bの部分で第1の基板101
aと第2の基板101cとに分離される。ここで、第1
の基板101aは、前述の第1の基板側(')に相当
し、第2の基板101cは、前述の第2の基板側(''
+)に相当する。
The bonded substrate 101 has a porous layer 101b, which is a fragile structure, inside.
0, the first substrate 101 in the portion of the porous layer 101b
a and the second substrate 101c. Here, the first
Substrate 101a corresponds to the above-mentioned first substrate side ('), and the second substrate 101c corresponds to the above-mentioned second substrate side (').
+).

【0044】第1の基板101aは、前述のように、陽
極化成、エピタキシャル層の形成、酸化等の様々なプロ
セス(高温プロセスを含む)を経て形成されるため、第
2の基板101cに比して割れ易い。したがって、貼り
合わせ基板101の第1の基板101a側を大面積の保
持面を有する基板保持部120で保持することにより、
分離処理の際の第1の基板101aの撓みを制限して割
れを防止することができる。一方、第2の基板101c
は、第1の基板101aによりも相対的に強度が強いた
め、相応の撓みに耐えることができる。そこで、第2の
基板101cを小面積の保持面を有する基板保持部13
0で保持することにより、分離処理の際にある程度撓む
ことを許容し、これにより基板101a,101c間に
注入されるジェット構成媒体が効率的に排出されるよう
にし、結果として分離処理を効率化することができる。
As described above, the first substrate 101a is formed through various processes (including a high-temperature process) such as anodization, formation of an epitaxial layer, and oxidation, and therefore, compared to the second substrate 101c. Easy to crack. Therefore, by holding the first substrate 101a side of the bonded substrate 101 with the substrate holding portion 120 having a large-area holding surface,
Deflection of the first substrate 101a during the separation processing can be limited to prevent cracking. On the other hand, the second substrate 101c
Is relatively stronger than the first substrate 101a, and can withstand a corresponding bending. Therefore, the second substrate 101c is connected to the substrate holding portion 13 having a small-area holding surface.
By holding at 0, it is possible to allow a certain amount of bending during the separation process, thereby allowing the jet medium injected between the substrates 101a and 101c to be efficiently discharged, and as a result, the separation process can be efficiently performed. Can be

【0045】基板保持部120は、ベアリング108を
介して支持台109に回転可能に軸支された回転軸10
4の一端に連結され、この回転軸104の他端はモータ
110の回転軸に連結されている。したがって、モータ
110が発生する回転力により、貼り合わせ基板101
が回転されることになる。このモータ110は、不図示
の制御器からの命令に従って、指定された回転速度で回
転軸104を回転させる。
The substrate holding unit 120 includes a rotating shaft 10 rotatably supported on a support 109 via a bearing 108.
4, and the other end of the rotating shaft 104 is connected to the rotating shaft of the motor 110. Therefore, the rotational force generated by the motor 110 causes the bonded substrate 101
Will be rotated. The motor 110 rotates the rotating shaft 104 at a designated rotation speed according to a command from a controller (not shown).

【0046】基板保持部130は、ベアリング111を
介して摺動可能かつ回転可能に軸支された回転軸103
の一端に連結され、この回転軸103の他端は、支持台
109に固定されたエアシリンダ112に連結されてい
る。エアシリンダ112が回転軸103を押し出すこと
により、貼り合わせ基板101は、基板保持部130に
よって押圧される。
The substrate holding section 130 has a rotating shaft 103 which is slidably and rotatably supported via a bearing 111.
And the other end of the rotating shaft 103 is connected to an air cylinder 112 fixed to a support 109. When the air cylinder 112 pushes the rotating shaft 103, the bonded substrate 101 is pressed by the substrate holding unit 130.

【0047】第1の基板101aの撓み量を可能な限り
制限するには、第1の基板101aの全面を支持し得る
ように、基板保持部120の吸着面の直径を貼り合わせ
基板101の直径と同一か或いはそれ以上にすると共に
吸着面を平面で構成することが好ましい。ただし、基板
保持部120の吸着面の形状はこれに限定されず、例え
ば、球面等の曲面で構成してもよいし、貼り合わせ基板
101よりも小さい面積としても良い。すなわち、基板
保持部120の吸着面の形状は、第1の基板101aが
許容可能な撓み量に応じて決定すればよい。
In order to limit the amount of bending of the first substrate 101a as much as possible, the diameter of the suction surface of the substrate holding unit 120 is adjusted so that the entire surface of the first substrate 101a can be supported. It is preferable that the suction surface is made equal to or more than that and the suction surface is formed of a flat surface. However, the shape of the suction surface of the substrate holding unit 120 is not limited to this, and may be, for example, a curved surface such as a spherical surface or an area smaller than the bonded substrate 101. That is, the shape of the suction surface of the substrate holding unit 120 may be determined according to the amount of bending that the first substrate 101a can tolerate.

【0048】一方、基板保持部130は、第2の基板1
01cの撓み量が第1の基板101aの撓み量よりも相
対的に大きくなるように、第2の基板101cが許容可
能な撓み量の範囲において決定すればよい。基板保持部
120,130は、同一回転軸上に存在する。また、基
板保持部120,130は、夫々回転軸104,103
から取り外すことが可能である。また、基板保持部12
0,130の保持面には、真空吸着用の溝が形成されて
おり、この溝は、夫々回転軸104,103の内部を通
る真空ラインに通じている。そして、この真空ライン
は、例えばロータリー真空継手等を介して外部真空ライ
ンに連結されている。外部真空ラインには、電磁弁が取
り付けられており、この電磁弁を制御することにより基
板の着脱を制御することができる。
On the other hand, the substrate holding section 130 holds the second substrate 1
The amount of flexure of the second substrate 101c may be determined so that the amount of flexure of the first substrate 101c is relatively larger than the amount of flexure of the first substrate 101a. The substrate holding units 120 and 130 exist on the same rotation axis. Further, the substrate holders 120 and 130 are respectively provided with rotating shafts 104 and 103, respectively.
It is possible to remove from. Further, the substrate holding unit 12
On the holding surfaces 0 and 130, grooves for vacuum suction are formed, and these grooves communicate with the vacuum lines passing through the insides of the rotating shafts 104 and 103, respectively. The vacuum line is connected to an external vacuum line via, for example, a rotary vacuum joint. A solenoid valve is attached to the external vacuum line, and by controlling the solenoid valve, the attachment and detachment of the substrate can be controlled.

【0049】以下、この分離装置100による基板の分
離処理に関して説明する。この分離処理100に貼り合
わせ基板101をセットするには、まず、エアシリンダ
112に回転軸103を収容させることにより、基板保
持部120及び130の夫々の保持面の間に相応の距離
を設ける。次いで、貼り合わせ基板101を位置合せ軸
113に載せた後、エアシリンダ112に回転軸103
を押し出させることにより、貼り合わせ基板101を押
圧して保持する(図3に示す状態)。なお、位置合せ軸
113は、ベアリング105,107により回転可能に
軸支されている。
Hereinafter, the separation processing of the substrate by the separation apparatus 100 will be described. In order to set the bonded substrate 101 in the separation processing 100, first, the rotating shaft 103 is housed in the air cylinder 112, so that an appropriate distance is provided between the holding surfaces of the substrate holding units 120 and 130. Next, after the bonded substrate 101 is placed on the positioning shaft 113, the rotating shaft 103 is attached to the air cylinder 112.
Are pushed out to press and hold the bonded substrate 101 (the state shown in FIG. 3). The positioning shaft 113 is rotatably supported by bearings 105 and 107.

【0050】この実施の形態では、貼り合わせ基板10
1は、真空吸着ではなく、エアシリンダ112による押
圧力により保持される。例えば、その押圧力は3kgf
程度が好適である。ただし、貼り合わせ基板101を真
空吸着により保持することも勿論可能である。次に、ポ
ンプ114から噴射ノズル102にジェット構成媒体
(例えば、水)を送り込み、噴射ノズル102から噴射
されるジェットが安定するまで待つ。ジェットが安定し
たら、シャッタ106を開いて、貼り合わせ基板101
の分離領域付近にジェットを挟入させると共にモータ1
10により貼り合わせ基板101を回転させる。この
時、回転軸104,基板保持部120、貼り合わせ基板
101、基板保持部130及び回転軸103は一体化し
て回転する。なお、噴射ノズル102は、位置調整機構
(例えば、XYステージ)に取り付けられており、貼り
合わせ基板101にジェットを挟入させる位置を該位置
調整機構により調整することができる。
In this embodiment, the bonded substrate 10
1 is held not by vacuum suction but by the pressing force of the air cylinder 112. For example, the pressing force is 3kgf
The degree is preferred. However, it is of course possible to hold the bonded substrate 101 by vacuum suction. Next, a jet forming medium (for example, water) is sent from the pump 114 to the injection nozzle 102, and waits until the jet injected from the injection nozzle 102 is stabilized. When the jet is stabilized, the shutter 106 is opened and the bonded substrate 101 is opened.
And the motor 1
10 rotates the bonded substrate 101. At this time, the rotating shaft 104, the substrate holding unit 120, the bonded substrate 101, the substrate holding unit 130, and the rotating shaft 103 rotate integrally. Note that the injection nozzle 102 is attached to a position adjustment mechanism (for example, an XY stage), and the position at which the jet is inserted into the bonded substrate 101 can be adjusted by the position adjustment mechanism.

【0051】ジェットが挟入されると、貼り合わせ基板
101には、脆弱な構造部である多孔質層101bに連
続的に注入されるジェット構成媒体の圧力による分離力
が作用し、これにより基板101a,101cを連結し
ている多孔質層101bが破壊される。この際、基板1
01a,101cは、夫々基板保持部120,130に
より許容されている範囲で撓む。この分離装置100で
は、基板101aの撓み量が相対的に小さく、基板10
1cの撓み量が相対的に大きい。
When the jet is sandwiched, a separation force due to the pressure of the jet forming medium continuously injected into the porous layer 101b, which is a fragile structure, acts on the bonded substrate 101. The porous layer 101b connecting 101a and 101c is broken. At this time, the substrate 1
01a and 101c bend within the range permitted by the substrate holders 120 and 130, respectively. In this separation apparatus 100, the amount of deflection of the substrate 101a is relatively small, and
The deflection amount of 1c is relatively large.

【0052】この処理により、貼り合わせ基板101
は、例えば、約2分で2枚の基板101a,101cに
分離される。貼り合わせ基板101が2枚の基板に分離
されたら、シャッタ106を閉じると共にポンプ114
の動作を停止する。また、モータ110の回転を停止
し、前述の電磁弁を制御することにより、分離された各
基板101a,101cを基板保持部120,130に
真空吸着させる。
By this processing, the bonded substrate 101
Is separated into two substrates 101a and 101c in about two minutes, for example. When the bonded substrate 101 is separated into two substrates, the shutter 106 is closed and the pump 114 is closed.
Stop the operation of. In addition, the rotation of the motor 110 is stopped, and the separated substrates 101a and 101c are vacuum-adsorbed to the substrate holding units 120 and 130 by controlling the above-described electromagnetic valve.

【0053】次に、エアシリンダ112に回転軸103
を収容させると、物理的に分離されていた2枚の基板1
01a,101cは、ジェット構成媒体(例えば、水)
の表面張力を断って2体に引き離される。次に、上記の
分離装置100の基板保持部の変形例を挙げる。 [変形例1]この変形例に係る分離装置は、図3乃至図
5に示す分離装置100の基板保持部120,130を
入れ替えたものである。図6は、この変形例に係る分離
装置100'の概略構成を示す図である。
Next, the rotary shaft 103 is attached to the air cylinder 112.
Is accommodated, the two physically separated substrates 1
01a and 101c are jet constituting media (for example, water)
The surface tension is cut off and the two are separated. Next, modified examples of the substrate holding unit of the separation device 100 will be described. [Modification 1] A separation apparatus according to this modification is obtained by replacing the substrate holding units 120 and 130 of the separation apparatus 100 shown in FIGS. FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a separation device 100 'according to this modification.

【0054】この分離装置100'では、基板保持部1
20で貼り合わせ基板101の第1の基板101a側を
保持し、基板保持部130で第2の基板101c側を保
持する。すなわち、この分離装置100'では、水平方
向の位置が固定された回転軸104側に第2の基板10
1c側が位置するようにして貼り合わせ基板101を保
持する。
In the separation apparatus 100 ', the substrate holding unit 1
At 20, the first substrate 101a side of the bonded substrate 101 is held, and at the substrate holding section 130, the second substrate 101c side is held. That is, in the separation device 100 ′, the second substrate 10 is placed on the rotation shaft 104 side where the horizontal position is fixed.
The bonded substrate 101 is held so that the side 1c is positioned.

【0055】この分離装置100'は、分離後の第1の
基板101aを、その表面に残留する多孔質層101b
を除去して第1の基板()として再利用する場合に好
適である。この理由は次の通りである。第1の基板10
1aを再利用する場合、第1の基板101aは再利用の回
数に応じてその厚さが薄くなる。したがって、図3に示
す分離装置100においては、分離処理をより効率的か
つ適正に行うには、分離処理の都度、噴射ノズル102
を貼り合わせ基板101の分離領域の直上に位置させる
ことが必要である。仮に、噴射ノズル102の位置を固
定すると、ジェットが多孔質層101bの中心に挟入さ
れず、基板101a,101cに損傷を与える危険性が
ある。
The separating apparatus 100 'converts the separated first substrate 101a into a porous layer 101b remaining on its surface.
Is suitable for the case where is removed and reused as the first substrate (). The reason is as follows. First substrate 10
When reusing 1a, the thickness of the first substrate 101a is reduced according to the number of times of reuse. Therefore, in the separation apparatus 100 shown in FIG. 3, in order to perform the separation processing more efficiently and properly, the injection nozzle 102 is required every time the separation processing is performed.
Need to be located directly above the separation region of the bonded substrate 101. If the position of the injection nozzle 102 is fixed, the jet is not pinched at the center of the porous layer 101b, and there is a risk of damaging the substrates 101a and 101c.

【0056】一方、この変形例に係る分離装置100'
では、第2の基板101cの厚さが一定の貼り合わせ基
板101を処理するのであれば、噴射ノズル101bの
位置を固定した場合においても、多孔質層101bと噴
射ノズル102との位置関係が変更されることがない。
これは、基板保持部130の位置が固定されており、こ
の基板保持部130により保持される第2の基板101
cの厚さが一定であるためである。
On the other hand, the separation device 100 ′ according to this modification example
Then, if the bonded substrate 101 having a constant thickness of the second substrate 101c is processed, the positional relationship between the porous layer 101b and the injection nozzle 102 is changed even when the position of the injection nozzle 101b is fixed. Never be.
This is because the position of the substrate holding unit 130 is fixed, and the second substrate 101 held by the substrate holding unit 130 is fixed.
This is because the thickness of c is constant.

【0057】[変形例2]この変形例は、図3乃至図5
に示す分離装置100の各基板保持部の構造を変更した
ものである。図7は、この変形例に係る分離装置の基板
保持部の概略構成を示す図である。この分離装置では、
吸着面が略円形をなす基板保持部121により貼り合わ
せ基板101の第1の基板101a側を保持し、吸着面
が略環状の形状をなす基板保持部131により貼り合わ
せ基板101の第2の基板101c側を保持する。
[Modification 2] This modification is shown in FIGS.
Is a modification of the structure of each substrate holder of the separation apparatus 100 shown in FIG. FIG. 7 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate holding unit of a separation device according to this modification. In this separation device,
The first substrate 101a side of the bonded substrate 101 is held by the substrate holding portion 121 having a substantially circular suction surface, and the second substrate of the bonded substrate 101 is held by the substrate holding portion 131 having a substantially annular suction surface. Hold the 101c side.

【0058】この変形例に係る基板保持部121,13
1は、第1の基板101aの撓み量及び第2の基板10
1cの撓み量を夫々許容されている撓み量の範囲に制限
し、これにより基板101a,101cの破損を防止し
つつ分離処理を効率化する。基板保持部121は、その
直径が貼り合わせ基板101よりも小さいため、分離処
理の際、第1の基板101aは外周部が反るようにして
撓む。なお、基板保持部121の保持面は、例えば、平
面で構成してもよいし、球面等の曲面で構成してもよ
い。一方、基板保持部131は、保持面が環状をなして
いるため、基板101cは、吸着面付近(図7の70
1,702)を節、外周部及び中心部を腹として波打つ
ようにして撓む。このように、第2の基板101cが波
打つようにして撓み得る形状の基板保持部121,13
1を採用することにより、貼り合わせ基板101の内部
に注入されたジェット構成媒体を効率的に排出すること
ができる。
The substrate holders 121 and 13 according to this modification example
1 is the amount of deflection of the first substrate 101a and the second substrate 10
The amount of flexure of 1c is limited to the range of the amount of flexure allowed, thereby preventing the substrates 101a and 101c from being damaged and increasing the efficiency of the separation process. Since the diameter of the substrate holding portion 121 is smaller than that of the bonded substrate 101, the first substrate 101a bends so that the outer peripheral portion is warped during the separation processing. The holding surface of the substrate holding unit 121 may be, for example, a flat surface or a curved surface such as a spherical surface. On the other hand, since the holding surface of the substrate holding portion 131 has an annular shape, the substrate 101c is located near the suction surface (see FIG.
1, 702), and bends in a wavy manner with the outer periphery and the center as antinodes. As described above, the substrate holding portions 121 and 13 having a shape that can bend so that the second substrate 101c undulates.
By employing 1, the jet constituting medium injected into the bonded substrate 101 can be efficiently discharged.

【0059】この分離装置により分離処理を実行したと
ころ、ジェットを貼り合わせ基板101に挟入させた
後、約30秒でジェットが基板保持部131の保持面付
近(図7の701)まで進み、その後、更に約30秒後
にジェットが反対側の保持面付近(図7の702)まで
進み、図7に示すように、基板101cが波打つように
撓んだ。そして、貼り合わせ基板101は、約3分で2
枚に分離された。
When the separation process was performed by this separation apparatus, after the jet was sandwiched between the bonded substrates 101, the jet advanced to the vicinity of the holding surface of the substrate holding portion 131 (701 in FIG. 7) in about 30 seconds. Thereafter, after about 30 seconds, the jet advanced to the vicinity of the holding surface on the opposite side (702 in FIG. 7), and as shown in FIG. 7, the substrate 101c was bent in a wavy manner. Then, the bonded substrate 101 takes 2 minutes in about 3 minutes.
It was separated into pieces.

【0060】貼り合わせ基板101の分離処理におい
て、その中央部はジェット構成媒体が排出されにくいた
め、ジェット構成媒体の圧力が高くなり易く、周辺部よ
りも破損の可能性が高い。したがって、この変形例に係
る基板保持部のように、強度が強い第2の基板101c
に対してのみ、中央部が基板保持部131側に膨張する
ようにして撓むことを許容することにより、強度が弱い
第1の基板101aの破損を防ぐ一方でジェット構成媒
体の排出経路を確保することができる。
In the separation process of the bonded substrate 101, since the jet constituting medium is hardly discharged at the central portion, the pressure of the jet constituting medium is likely to increase, and the possibility of breakage is higher than that of the peripheral portion. Therefore, like the substrate holding part according to this modification, the second substrate 101c having high strength is used.
Only, the central portion expands toward the substrate holding portion 131 and is allowed to bend to prevent the first substrate 101a having low strength from being damaged, while securing a discharge path of the jet forming medium. can do.

【0061】[変形例3]この変形例は、図3乃至図5
に示す分離装置100の各基板保持部120,130の
構造を変更したものである。図8は、第1の基板側を保
持する基板保持部120の変形例を示す図である。ま
た、図9は、第2の基板側を保持する基板保持部130
の変形例を示す図である。
[Modification 3] This modification is shown in FIGS.
The structure of each of the substrate holders 120 and 130 of the separation apparatus 100 shown in FIG. FIG. 8 is a diagram illustrating a modified example of the substrate holding unit 120 that holds the first substrate side. FIG. 9 shows a substrate holding unit 130 that holds the second substrate side.
It is a figure which shows the modification of.

【0062】図8に示すように、第1の基板101a側
を保持する基板保持部122は、その直径が貼り合わせ
基板101の直径よりもやや小さく、その吸着面は、例
えば平面で構成されている。したがって、第1の基板1
01aは、分離処理の際に外周部が反るようにして撓
む。一方、図9に示すように、基板保持部132は、複
数の突起状の吸着部132aを有し、該複数の吸着部1
32aの先端部により、貼り合わせ基板101の第2の
基板101c側を保持する。このように突起状の吸着部
132aにより第2の基板101c側を保持することに
より、第2の基板101cが撓むことを容易にし、貼り
合わせ基板101の内部に注入されたジェット構成媒体
の排出を効率化することができる。なお、貼り合わせ基
板101を安定して保持するためには、突起状の吸着部
132aの個数は、3以上であることが好ましい。
As shown in FIG. 8, the diameter of the substrate holding portion 122 for holding the first substrate 101a is slightly smaller than the diameter of the bonded substrate 101, and its suction surface is, for example, a flat surface. I have. Therefore, the first substrate 1
01a is bent so that the outer peripheral portion is warped during the separation process. On the other hand, as shown in FIG. 9, the substrate holding unit 132 has a plurality of protrusion-shaped suction portions 132a.
The second substrate 101c side of the bonded substrate 101 is held by the distal end portion 32a. By holding the second substrate 101c side by the protruding suction portion 132a in this manner, the second substrate 101c is easily bent, and the jet constituent medium injected into the bonded substrate 101 is discharged. Can be made more efficient. In order to stably hold the bonded substrate 101, it is preferable that the number of the protrusion-shaped suction portions 132a is three or more.

【0063】以上、特定の実施の形態を挙げて特徴的な
技術的思想を説明したが、本発明は、これらの実施の形
態に記載された事項によって限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内におい
て様々な変形をなし得る。
Although the characteristic technical ideas have been described with reference to the specific embodiments, the present invention is not limited to the matters described in these embodiments.
Various modifications can be made within the scope of the technical idea described in the claims.

【0064】[0064]

【発明の効果】本発明によれば、基板等の試料の破損を
防ぎつつ分離処理を効率的に行うことができる。
According to the present invention, it is possible to efficiently perform a separation process while preventing damage to a sample such as a substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の好適な実施の形態に係るSOI基板の
製造方法を工程順に説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing an SOI substrate according to a preferred embodiment of the present invention in the order of steps.

【図2】貼り合わせ基板に作用する力を概念的に示す図
である。
FIG. 2 is a diagram conceptually showing a force acting on a bonded substrate.

【図3】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の構
成を概略的に示す図である。
FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration of a separation device according to a preferred embodiment of the present invention.

【図4】図3に示す分離装置の一部の斜視図である。4 is a perspective view of a part of the separation device shown in FIG.

【図5】分離処理の様子を模式的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing a state of a separation process.

【図6】変形例1に係る分離装置の概略構成を示す図で
ある。
FIG. 6 is a diagram illustrating a schematic configuration of a separation device according to a first modification.

【図7】変形例2に係る分離装置の基板保持部の概略構
成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate holding unit of a separation device according to a second modification.

【図8】変形例3に係る基板保持部(第1の基板側)の
概略構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate holding unit (first substrate side) according to Modification Example 3.

【図9】変形例3に係る基板保持部(第2の基板側)の
概略構成を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate holding unit (second substrate side) according to Modification Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 単結晶Si基板 12,12’,12’’ 多孔質Si層 13 非多孔質単結晶Si層 14 単結晶Si基板 15 絶縁層 100,100' 分離装置 101 貼り合わせ基板 101a 第1の基板 101b 多孔質層 101c 第2の基板 102 噴射ノズル 103,104 回転軸 105,107 ベアリング 106 シャッタ 108,109 ベアリング 110 モータ 112 エアシリンダ 113 位置合せ軸 114 高圧ポンプ 120,121,122 基板保持部 130,131,132 基板保持部 132a 吸着部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Single-crystal Si substrate 12, 12 ', 12' 'Porous Si layer 13 Non-porous single-crystal Si layer 14 Single-crystal Si substrate 15 Insulating layer 100, 100' Separation apparatus 101 Bonded substrate 101a First substrate 101b Porous Material layer 101c Second substrate 102 Injection nozzle 103, 104 Rotation axis 105, 107 Bearing 106 Shutter 108, 109 Bearing 110 Motor 112 Air cylinder 113 Alignment axis 114 High pressure pump 120, 121, 122 Substrate holder 130, 131, 132 Substrate holding part 132a Suction part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takao Yonehara 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc.

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 板状の試料を分離する分離装置であっ
て、 試料を分離するための流体を該試料に向けて噴射する噴
射部と、 試料を両側から挟むようにして保持する第1及び第2の
保持部と、 を備え、前記第1及び第2の保持部は、互いに異なる形
状の保持面を有することを特徴とする分離装置。
1. A separating apparatus for separating a plate-shaped sample, comprising: a jetting unit for jetting a fluid for separating the sample toward the sample; and first and second holding units so as to sandwich the sample from both sides. And a holding unit, wherein the first and second holding units have holding surfaces having different shapes from each other.
【請求項2】 前記第1の保持部は、試料の内部に注入
される流体の圧力による該試料の一方の面の撓み量が相
対的に小さくなるように該一方の面を保持し、前記第2
の保持部は、該流体の圧力による該試料の他方の面の撓
み量が相対的に大きくなるように該他方の面を保持する
ことを特徴とする請求項1に記載の分離装置。
2. The method according to claim 1, wherein the first holding unit holds the one surface of the sample such that a deflection amount of the one surface due to a pressure of a fluid injected into the sample is relatively small. Second
2. The separation device according to claim 1, wherein the holding unit holds the other surface of the sample such that a deflection amount of the other surface of the sample due to a pressure of the fluid is relatively large.
【請求項3】 前記第1の保持部は、試料の内部に注入
される流体の圧力によって該試料の一方の面が撓むこと
がないように該一方の面を保持し、前記第2の保持部
は、該流体の圧力によって該試料の他方の面が撓むよう
にして該他方の面を保持することを特徴とする請求項1
に記載の分離装置。
3. The first holding unit holds one surface of the sample so that the one surface of the sample is not bent by the pressure of a fluid injected into the inside of the sample, and the second holding unit holds the second surface of the sample. 2. The holding unit according to claim 1, wherein the holding unit holds the other surface of the sample such that the other surface of the sample is bent by the pressure of the fluid.
The separation device according to claim 1.
【請求項4】 前記第1の保持部の保持面と前記第2の
保持部の保持面は、互いに異なる面積を有することを特
徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の
分離装置。
4. The holding surface of the first holding portion and the holding surface of the second holding portion have different areas from each other. Separation equipment.
【請求項5】 前記第1の保持部は、試料の一方の面の
全面を保持する保持面を有し、前記第2の保持部は、該
試料の他方の面の一部を保持する保持面を有することを
特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載
の分離装置。
5. The first holding portion has a holding surface for holding the entire surface of one surface of the sample, and the second holding portion has a holding surface for holding a part of the other surface of the sample. The separation device according to any one of claims 1 to 4, wherein the separation device has a surface.
【請求項6】 前記第1の保持部の保持面は、平面で構
成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5の
いずれか1項に記載の分離装置。
6. The separation device according to claim 1, wherein the holding surface of the first holding unit is formed as a flat surface.
【請求項7】 前記第1の保持部の保持面は、曲面で構
成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5の
いずれか1項に記載の分離装置。
7. The separation device according to claim 1, wherein the holding surface of the first holding unit is formed of a curved surface.
【請求項8】 前記第2の保持部の保持面は、環状をな
すことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1
項に記載の分離装置。
8. The apparatus according to claim 1, wherein the holding surface of the second holding portion has an annular shape.
The separation device according to Item.
【請求項9】 前記第2の保持部は、複数の突起状部材
を有し、該複数の突起状部材の先端部で試料を保持する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項
に記載の分離装置。
9. The apparatus according to claim 1, wherein the second holding section has a plurality of projecting members, and holds the sample at a tip end of the plurality of projecting members. The separation device according to claim 1.
【請求項10】 前記第2の保持部は、試料の内部に注
入される流体の圧力により該試料の前記第2の保持部側
の面の中央部が膨張するようにして撓むことを許容する
形状を有することを特徴とする請求項1乃至請求項7の
いずれか1項に記載の分離装置。
10. The second holding portion allows a central portion of a surface of the sample on the side of the second holding portion to expand due to a pressure of a fluid injected into the inside of the sample so as to bend. The separation device according to any one of claims 1 to 7, wherein the separation device has a shape that changes.
【請求項11】 前記第2の保持部は、試料の内部に注
入される流体の圧力により該試料の前記第2の保持部側
の面が波打つようにして撓むことを許容する形状を有す
ることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1
項に記載の分離装置。
11. The second holding portion has a shape that allows the surface of the sample on the side of the second holding portion to undulate and bend by the pressure of the fluid injected into the sample. The method according to claim 1, wherein:
The separation device according to Item.
【請求項12】 前記第1及び第2の保持部の少なくと
も一方を保持面に垂直な軸を中心として回転させること
により試料を回転させる回転機構を更に備えることを特
徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載
の分離装置。
12. The apparatus according to claim 1, further comprising a rotation mechanism configured to rotate a sample by rotating at least one of the first and second holding units around an axis perpendicular to a holding surface. Item 12. The separation device according to any one of items 11 to 12.
【請求項13】 処理対象の試料は、第1及び第2の基
板を貼り合わせてなる基板であって、前記第1及び第2
の基板は強度が互いに異なることを特徴とする請求項1
乃至請求項12のいずれか1項に記載の分離装置。
13. A sample to be processed is a substrate obtained by bonding first and second substrates, wherein the first and second substrates are bonded.
2. The substrate according to claim 1, wherein the substrates have different strengths.
The separation device according to claim 12.
【請求項14】 板状の試料を分離する分離方法であっ
て、 保持面の形状が互いに異なる一対の保持部により両側を
挟むようにして試料を保持して、該試料の厚さ方向の所
定位置に向けて流体を噴射することにより該試料を分離
することを特徴とする分離方法。
14. A separation method for separating a plate-shaped sample, wherein the sample is held by a pair of holding portions having different holding surfaces so as to sandwich both sides, and the sample is held at a predetermined position in the thickness direction of the sample. Separating the sample by ejecting a fluid toward the sample.
【請求項15】 分離対象の試料は、内部に脆弱な層を
有し、該試料を分離する際は、該脆弱な層に向けて流体
を噴射することを特徴とする請求項14に記載の分離方
法。
15. The sample according to claim 14, wherein the sample to be separated has a fragile layer inside, and when separating the sample, a fluid is jetted toward the fragile layer. Separation method.
【請求項16】 内部に脆弱な層を有する板状の試料を
該脆弱な層で分離する分離方法であって、 試料の脆弱な層に向けて流体を噴射することにより該試
料を分離する分離工程を有し、該分離工程において、該
試料の一方の面に関しては、該試料の内部に注入される
流体の圧力による撓み量が相対的に小さくなるように、
該試料の他方の面に関しては、該試料の内部に注入され
る流体の圧力による撓み量が相対的に大きくなるよう
に、該試料を保持することを特徴とする分離方法。
16. A separation method for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, wherein the separation is performed by jetting a fluid toward the fragile layer of the sample. Having a step, in the separation step, with respect to one surface of the sample, so that the amount of deflection due to the pressure of the fluid injected into the sample is relatively small,
A separation method characterized by holding the sample such that the other surface of the sample is relatively bent by the pressure of the fluid injected into the sample, due to the pressure.
【請求項17】 内部に脆弱な層を有する板状の試料を
該脆弱な層で分離する分離方法であって、 試料の脆弱な層に向けて流体を噴射することにより該試
料を分離する分離工程を有し、該分離工程において、該
試料の一方の面に関しては、該試料の内部に注入される
流体の圧力による撓みを制限するように、該試料の他方
の面に関しては、該試料の内部に注入される流体の圧力
による撓みを許容するように、該試料を保持することを
特徴とする分離方法。
17. A separation method for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, wherein the separation is performed by jetting a fluid toward the fragile layer of the sample. A step of separating the sample with respect to the other surface of the sample in the separation step so as to limit deflection due to pressure of a fluid injected into the sample with respect to one surface of the sample. A separation method, comprising: holding the sample so as to allow deflection of the fluid injected therein due to pressure.
【請求項18】 流体により試料を分離する際に、該試
料をその主面に垂直な軸を中心として回転させることを
特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか1項に
記載の分離方法。
18. The separation according to claim 14, wherein when the sample is separated by a fluid, the sample is rotated around an axis perpendicular to the main surface thereof. Method.
【請求項19】 処理対象の試料は、第1及び第2の基
板を貼り合わせてなる試料であって、前記第1及び第2
の基板は強度が互いに異なることを特徴とする請求項1
4乃至請求項18のいずれか1項に記載の分離方法。
19. A sample to be processed is a sample obtained by bonding first and second substrates, and wherein the first and second substrates are bonded together.
2. The substrate according to claim 1, wherein the substrates have different strengths.
The separation method according to any one of claims 4 to 18.
【請求項20】 撓みに対する強度が相対的に小さい第
1の基板と強度が相対的に大きい第2の基板との間に脆
弱な層を有する複合基板を該脆弱な層で分離する分離方
法であって、 前記脆弱な層に向けて流体を噴射することにより前記複
合基板を分離する分離工程を有し、該分離工程におい
て、前記第1の基板に関しては、前記複合基板の内部に
注入される流体の圧力による撓み量が相対的に小さくな
るように、前記第2の基板に関しては、前記複合基板の
内部に注入される流体の圧力による撓み量が相対的に大
きくなるように、前記複合基板を保持することを特徴と
する分離方法。
20. A separation method for separating a composite substrate having a fragile layer between a first substrate having a relatively low bending strength and a second substrate having a relatively high strength by the fragile layer. A separating step of separating the composite substrate by injecting a fluid toward the fragile layer, wherein in the separating step, the first substrate is injected into the composite substrate. As for the second substrate, the composite substrate is formed such that the amount of deflection caused by the pressure of the fluid injected into the interior of the composite substrate is relatively large so that the amount of deflection caused by the pressure of the fluid is relatively small. A separation method comprising:
【請求項21】 強度が相対的に小さい第1の基板と強
度が相対的に大きい第2の基板との間に脆弱な層を有す
る複合基板を該脆弱な層で分離する分離方法であって、 前記脆弱な層に向けて流体を噴射することにより前記複
合基板を分離する分離工程を有し、該分離工程におい
て、前記第1の基板に関しては、前記複合基板の内部に
注入される流体の圧力による撓みを制限し、前記第2の
基板に関しては、前記複合基板の内部に注入される流体
の圧力による撓みを許容するように、前記複合基板を保
持することを特徴とする分離方法。
21. A separation method for separating a composite substrate having a fragile layer between a first substrate having a relatively low strength and a second substrate having a relatively high strength, using the fragile layer. A separating step of separating the composite substrate by injecting a fluid toward the fragile layer, wherein in the separating step, for the first substrate, a fluid injected into the composite substrate is A separation method, comprising: limiting bending due to pressure, and holding the composite substrate such that the second substrate is allowed to bend due to pressure of a fluid injected into the composite substrate.
【請求項22】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第1の基板の前記非多孔質層側を第2の基
板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質
層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であっ
て、 前記分離工程において、請求項1乃至請求項12のいず
れか1項に記載の分離装置を使用することを特徴とする
基板の製造方法。
22. A step of bonding the non-porous layer side of a first substrate, on which a porous layer and a non-porous layer are sequentially formed on one surface, to a second substrate; 13. A method for manufacturing a substrate, comprising: a separation step of separating a substrate by a porous layer, wherein in the separation step, the separation device according to claim 1 is used. Production method.
【請求項23】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第1の基板の前記非多孔質層側を第2の基
板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質
層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であっ
て、 請求項14乃至請求項18のいずれか1項に記載の分離
方法を適用して前記分離工程を実行することを特徴とす
る基板の製造方法。
23. A step of bonding the non-porous layer side of a first substrate, on which a porous layer and a non-porous layer are sequentially formed on one surface, to a second substrate; 19. A method for manufacturing a substrate, comprising: a separation step of separating a substrate by a porous layer, wherein the separation step is performed by applying the separation method according to any one of claims 14 to 18. Substrate manufacturing method.
【請求項24】 板状の試料の厚さ方向の所定位置に向
けて流体を噴射することにより該試料を分離する際に該
試料を保持する保持装置であって、該試料を保持する保
持面の形状が互いに異なる一対の保持部により両側を挟
むようにして該試料を保持することを特徴とする保持装
置。
24. A holding device for holding a sample when separating the sample by injecting a fluid toward a predetermined position in a thickness direction of a plate-shaped sample, the holding surface holding the sample. A holding device for holding the sample by sandwiching both sides between a pair of holding portions having different shapes.
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