JPH11238680A - Illuminometer for aligner, lithography system, method of calibration of the illuminometer and manufacture of microdevices - Google Patents
Illuminometer for aligner, lithography system, method of calibration of the illuminometer and manufacture of microdevicesInfo
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- JPH11238680A JPH11238680A JP10056117A JP5611798A JPH11238680A JP H11238680 A JPH11238680 A JP H11238680A JP 10056117 A JP10056117 A JP 10056117A JP 5611798 A JP5611798 A JP 5611798A JP H11238680 A JPH11238680 A JP H11238680A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置用照度
計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法および
マイクロデバイスの製造方法に係り、さらに詳しくは、
複数種類の露光装置で、露光量管理として共用して使用
可能な露光装置用照度計、リソグラフィ・システム、照
度計の較正方法およびマイクロデバイスの製造方法に関
する。The present invention relates to an illuminometer for an exposure apparatus, a lithography system, a method for calibrating an illuminometer, and a method for manufacturing a microdevice.
The present invention relates to an illuminometer for an exposure apparatus, a lithography system, a method for calibrating an illuminometer, and a method for manufacturing a microdevice, which can be shared by a plurality of types of exposure apparatuses and used for exposure amount management.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置などの製造に
際して、マスクまたはレチクル（以下、総称して「マス
ク」ともいう）などの原版に描かれたパターンを、レジ
ストが塗布された半導体ウエハや透明基板などの感光性
基板上に転写するために、投影露光装置が用いられる。
半導体装置や液晶表示装置などの製造ラインでは、単一
の投影露光装置のみが使用されるわけではなく、一般
に、複数の投影露光装置が併用して使用される。2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device, a pattern drawn on an original such as a mask or a reticle (hereinafter, also collectively referred to as a "mask") is formed on a resist-coated semiconductor wafer or a transparent wafer. For transfer onto a photosensitive substrate such as a substrate, a projection exposure apparatus is used.
In a production line for a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, not only a single projection exposure apparatus is used, but generally, a plurality of projection exposure apparatuses are used in combination.
【０００３】このような場合において、各露光装置で製
造される製品のばらつきなどを低減するために、各露光
装置間の露光量をマッチングさせる必要がある。そのた
めに、露光装置内には内部光センサが常設してあり、間
接的に像面上の露光量（照度）を計測し、その計測結果
に基づき、各露光装置間の露光量をマッチングさせてい
る。In such a case, it is necessary to match the exposure amount between the respective exposure apparatuses in order to reduce variations in products manufactured by the respective exposure apparatuses. For this purpose, an internal optical sensor is permanently installed in the exposure apparatus, indirectly measuring the exposure amount (illuminance) on the image plane, and matching the exposure amount between each exposure apparatus based on the measurement result. I have.
【０００４】しかしながら、各露光装置毎に設けられた
内部光センサが、常に正確な照度を検出しているとは限
らず、経時変化などにより誤差が生じることがある。However, the internal light sensor provided for each exposure apparatus does not always detect an accurate illuminance, and an error may occur due to a change over time or the like.
【０００５】そこで、これらの内部光センサの較正を行
い、各露光装置間の露光量をマッチングさせる方法とし
て、ワーキング照度計を用いる方法がある。このワーキ
ング照度計は、ウエハステージ上に着脱自在に設置し、
像面上の照度を直接的に計測するものである。Therefore, as a method of calibrating these internal optical sensors and matching the exposure amount between the respective exposure apparatuses, there is a method using a working illuminometer. This working illuminometer is detachably installed on the wafer stage,
The illuminance on the image plane is directly measured.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、照度計で
は、検出信号電圧と照度との良好な直線性や、照度の絶
対値などを確保することが常に要求されることから、照
度計の較正には、実使用と同じ波長や周波数を持ち、同
程度の入射エネルギーの照明光が使用される。そして、
特定の条件における計測に最適化された回路内パラメー
タおよび較正値を得る。However, in the illuminometer, it is always required to ensure a good linearity between the detection signal voltage and the illuminance and an absolute value of the illuminance. Illumination light having the same wavelength and frequency as in actual use and having the same incident energy is used. And
Obtain in-circuit parameters and calibration values optimized for measurement under specific conditions.
【０００７】よって、一つの照度計は、原則として一種
類の波長の光を露光用照明光とする露光装置のみに対応
したものとなる。たとえば従来のＫｒＦエキシマレーザ
用の照度計は、ＫｒＦエキシマレーザを照明光とする露
光装置のみに用いることができ、ＡｒＦエキシマレーザ
などのその他の種類の露光装置に用いることはできなか
った。Therefore, one illuminometer is compatible with only an exposure apparatus that uses light of one type of wavelength as illumination light for exposure in principle. For example, a conventional KrF excimer laser illuminometer can be used only for an exposure apparatus using a KrF excimer laser as illumination light, and cannot be used for other types of exposure apparatuses such as an ArF excimer laser.
【０００８】また、従来の照度計の較正値は、一度較正
すると、この値を定数として扱っており、意図的な書き
換えはできないようになっている。Further, once the calibration value of the conventional illuminometer is calibrated, this value is treated as a constant and cannot be intentionally rewritten.
【０００９】なお、ＡｒＦエキシマレーザ露光装置で
は、使用するレジストが、ＫｒＦエキシマレーザ露光装
置に用いるレジストに比較して、一般に高感度である。
また、ＫｒＦエキシマレーザよりエネルギー安定性の良
くないＡｒＦエキシマレーザでは、積算露光量制御の精
度を向上させるために、積算パルス数が多くなる。その
ために、１パルスあたりのエネルギーが、ＫｒＦエキシ
マレーザ露光装置の場合に比較して小さくなる。典型的
には、照度計の入射エネルギーレベルで数倍〜１０倍程
度の差異がある。Incidentally, in the ArF excimer laser exposure apparatus, the resist used is generally higher in sensitivity than the resist used in the KrF excimer laser exposure apparatus.
In the case of an ArF excimer laser having less energy stability than a KrF excimer laser, the number of integrated pulses is increased in order to improve the accuracy of integrated exposure amount control. Therefore, the energy per pulse is smaller than that of the KrF excimer laser exposure apparatus. Typically, there is a difference of several times to about 10 times in the incident energy level of the illuminometer.
【００１０】したがって、ＫｒＦエキシマレーザ露光装
置で最適化した照度計を用いて、ＡｒＦエキシマレーザ
露光装置の照度を計測しようとしても、センサの出力信
号が低下し、直線性を持つ十分に広い計測レンジが得ら
れない可能性が高い。Therefore, even if it is attempted to measure the illuminance of an ArF excimer laser exposure apparatus using an illuminometer optimized by a KrF excimer laser exposure apparatus, the output signal of the sensor is reduced and a sufficiently wide measurement range having linearity is obtained. Is likely not to be obtained.
【００１１】また、使用波長が異なると、センサの波長
依存性によってその感度が多少変化するため、ＫｒＦエ
キシマレーザの場合と同様な較正値では、正確な照度の
絶対値の計測が困難である。When the wavelength used is different, the sensitivity slightly changes depending on the wavelength dependency of the sensor. Therefore, it is difficult to accurately measure the absolute value of the illuminance with the same calibration value as that of the KrF excimer laser.
【００１２】加えて、照度計を、複数の露光装置間の露
光量管理ツールとして使用する際に、照度計１台で管理
すると、その一台の突然の変化や、使用に伴う経時変動
などにより、正確な絶対値基準になり得ない。In addition, when the illuminometer is used as a tool for managing the amount of exposure between a plurality of exposure apparatuses, if the illuminometer is managed by a single illuminometer, the illuminometer may suddenly change or the aging of the illuminometer may cause a change with time. , Cannot be an accurate absolute value reference.
【００１３】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、異なる種類の露光用照明光を用いて露光を行う二種
類以上の露光装置で、共用して使用可能な露光装置用照
度計、リソグラフィ・システム、照度計の較正方法およ
びマイクロデバイスの製造方法を提供することを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has two or more types of exposure apparatuses that perform exposure using different types of exposure illumination light. -To provide a system, a method for calibrating an illuminometer, and a method for manufacturing a microdevice.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に
対応つけて説明するが、本発明の各構成要件は、これら
部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものでは
ない。In the following description, the present invention will be described with reference to the member codes shown in the drawings showing the embodiments. However, the present invention is not limited to the members shown in the drawings attached with.
【００１５】さらに、本発明において、露光装置として
は、特に限定されず、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６
５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ａｒ
Ｆエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ2 レーザ（１５７
ｎｍ）、またはＹＡＧレーザなどの高調波を露光用光源
として用いる露光装置などを例示することができる。ま
た、露光方式の分類による露光装置のタイプも特に限定
されず、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露
光装置でも、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式
の露光装置でも良い。いわゆるステップ・アンド・スキ
ャン方式の露光装置は、レチクルなどのマスク上のパタ
ーンの一部を投影光学系を介して感光性基板上に縮小投
影露光した状態で、マスクと感光性基板とを、投影光学
系に対して同期移動させることにより、マスク上のパタ
ーンの縮小像を逐次感光性基板の各ショット領域に転写
する方式の露光装置である。この方式の露光装置は、い
わゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置に比
較して、投影光学系に対する負担を増大させることな
く、転写対象パターンを大面積化することができるとい
う利点がある。Further, in the present invention, the exposure device is not particularly limited, and g-line (436 nm) and i-line (36
5 nm), KrF excimer laser (248 nm), Ar
F excimer laser (193 nm), F 2 laser (157
nm) or a harmonic device such as a YAG laser as an exposure light source. Further, the type of the exposure apparatus according to the type of the exposure method is not particularly limited, and a so-called step-and-repeat exposure apparatus or a so-called step-and-scan exposure apparatus may be used. A so-called step-and-scan type exposure apparatus projects a mask and a photosensitive substrate in a state where a part of a pattern on a mask such as a reticle is reduced and projected on a photosensitive substrate via a projection optical system. This is an exposure apparatus of a system in which a reduced image of a pattern on a mask is sequentially transferred to each shot area of a photosensitive substrate by synchronously moving with respect to an optical system. The exposure apparatus of this type has an advantage that the area of the pattern to be transferred can be enlarged without increasing the load on the projection optical system as compared with the exposure apparatus of the so-called step-and-repeat type.
【００１６】請求項１ 本発明の第１の観点に係る露光装置用照度計（請求項１
に対応）は、マスク（１１）のパターンを基板（１４）
に転写する露光装置（３０ａ〜３０ｄ）で使用され、前
記基板（１４）上に入射する露光用照明光を受光してそ
の強度に応じた照度信号を出力する光センサ（５２）
と、前記照度信号を増幅する増幅回路（５６）と、前記
増幅された照度信号を較正する較正回路（６２）とを有
する照度計（５０）において、前記基板（１４）上での
光特性が異なる露光用照明光に応じて、前記増幅回路
（５６）の増幅率と前記較正回路（６２）の較正値とを
選択的に切り換える切換回路（６８）を備えたことを特
徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an illuminometer for an exposure apparatus according to the first aspect of the present invention.
Corresponds to the pattern of the mask (11) on the substrate (14).
(52) an optical sensor (52) that is used in an exposure device (30a to 30d) that transfers light to the substrate, and that receives illumination light for exposure incident on the substrate (14) and outputs an illuminance signal according to the intensity thereof.
And an amplifier circuit (56) for amplifying the illuminance signal and a calibration circuit (62) for calibrating the amplified illuminance signal, wherein the light characteristic on the substrate (14) is A switching circuit (68) for selectively switching an amplification factor of the amplification circuit (56) and a calibration value of the calibration circuit (62) according to different illumination light for exposure is provided.
【００１７】本発明に係る露光装置用照度計（５０）で
は、露光用照明光の条件が異なる二種類以上の露光装置
（３０ａ〜３０ｄ）でも、増幅回路（５６）で用いる増
幅率と、較正回路（６２）で用いる較正値とを選択的に
切り換えることで、同一の照度計（５０）を用いて、正
確に照度を測定することができる。その結果、将来予想
されるＫｒＦ露光装置（３０ａ）とＡｒＦ露光装置（３
０ｂ〜３０ｄ）とが併用される製造ラインにおいて、各
露光装置の照度の管理が容易になり、製造ラインの負担
を軽減することができる。In the illuminometer (50) for an exposure apparatus according to the present invention, even when two or more types of exposure apparatuses (30a to 30d) having different conditions of illumination light for exposure, the amplification factor used in the amplifier circuit (56) and the calibration By selectively switching the calibration value used in the circuit (62), the illuminance can be accurately measured using the same illuminometer (50). As a result, the KrF exposure apparatus (30a) and the ArF exposure apparatus (3
0b to 30d), the illuminance of each exposure apparatus can be easily managed, and the load on the production line can be reduced.
【００１８】請求項２ 本発明に係る露光装置用照度計（５０）において、前記
増幅回路（５６）で用いる増幅率と、前記較正回路（６
２）で用いる較正値とは、前記露光用照明光の波長およ
び／または入射エネルギー範囲毎に、予め設定してある
ことが好ましい（請求項２に対応）。According to a second aspect of the present invention, in the illuminometer for an exposure apparatus according to the present invention, the amplification factor used in the amplification circuit and the calibration circuit.
The calibration value used in 2) is preferably set in advance for each wavelength and / or incident energy range of the exposure illumination light (corresponding to claim 2).
【００１９】本発明に係る露光装置用照度計（５０）を
用いることができる露光装置の露光用照明光の条件とし
ては、照明光の波長が異なるものでも、あるいは波長が
同じで入射エネルギー範囲が著しく異なるものでも良
い。The condition of the illumination light for exposure of the exposure apparatus in which the illuminometer (50) for an exposure apparatus according to the present invention can be used is such that the wavelength of the illumination light is different, or the incident energy range is the same and the wavelength is the same. It may be significantly different.
【００２０】請求項３ 本発明に係る露光装置用照度計（５０）において、前記
切換回路（６８）は、複数台の露光装置（３０ａ〜３０
ｄ）でそれぞれ使用される露光照明光の照度を計測する
ために、前記露光装置（３０ａ〜３０ｄ）毎の前記増幅
率と前記較正値とを記憶する記憶装置（６４，６６）を
有することが好ましい（請求項３に対応）。According to a third aspect of the present invention, in the illuminometer for an exposure apparatus according to the present invention, the switching circuit includes a plurality of exposure apparatuses.
In order to measure the illuminance of the exposure illumination light used in d), each of the exposure devices (30a to 30d) may include a storage device (64, 66) for storing the amplification factor and the calibration value. Preferred (corresponding to claim 3).
【００２１】記憶装置（６４，６６）としては、書き換
え可能なものが好ましい。露光装置用照度計（５０）の
再較正が可能だからである。The storage device (64, 66) is preferably a rewritable storage device. This is because recalibration of the illuminometer (50) for the exposure apparatus is possible.
【００２２】請求項４ 本発明に係る露光装置用照度計（５０）において、前記
複数台の露光装置（３０ａ〜３０ｄ）は、それぞれ発光
強度範囲と波長域との少なくとも一方が異なる光源を有
することが好ましい（請求項４に対応）。 (4 ) In the illuminometer (50) for an exposure apparatus according to the present invention, each of the plurality of exposure apparatuses (30a to 30d) has a light source different in at least one of a light emission intensity range and a wavelength range. Is preferable (corresponding to claim 4).
【００２３】本発明では、このような露光装置（３０ａ
〜３０ｄ）に対して、一台の照度計を用いて照度の計測
が可能である。In the present invention, such an exposure apparatus (30a
〜30d), the illuminance can be measured using a single illuminometer.
【００２４】請求項５ 本発明に係る露光装置用照度計（５０）において、前記
光センサ（５２）は、所定の波長帯域にそれぞれ発振ス
ペクトルを有する複数の露光用照明光を検出可能な広帯
域光センサであることが好ましい（請求項５に対応）。According to a fifth aspect of the present invention, in the illuminometer for an exposure apparatus according to the present invention, the optical sensor is capable of detecting a plurality of exposure illumination lights each having an oscillation spectrum in a predetermined wavelength band. It is preferably a sensor (corresponding to claim 5).
【００２５】たとえばＫｒＦの照度とＡｒＦの照度との
双方を検出するようにするためである。This is because, for example, both the KrF illuminance and the ArF illuminance are detected.
【００２６】請求項６ 本発明に係る露光装置用照度計（５０）において、前記
光センサ（５２）は、前記露光用照明光毎に、少なくと
も受光部が交換自在に装着してあっても良い（請求項６
に対応）。According to a sixth aspect of the present invention, in the illuminometer for an exposure apparatus according to the present invention, at least the light receiving section of the optical sensor may be exchangeably mounted for each of the exposure illumination light. (Claim 6
Corresponding to).
【００２７】ＫｒＦで用いる光センサ（５２）と、Ａｒ
Ｆで用いる光センサ（５２ｂ）とで、兼用することがで
きない場合には、それぞれのための光センサまたは受光
部を別々に準備し、これらを一つの照度計（５０）に交
換自在に設けても良い。その場合でも、照度計本体（５
４）の兼用を図ることができる。An optical sensor (52) used for KrF and Ar
If the optical sensor (52b) used in F cannot be shared, an optical sensor or a light receiving section for each is separately prepared, and these are exchangeably provided in one illuminometer (50). Is also good. Even in that case, the illuminometer body (5
4) can be shared.
【００２８】請求項７ 本発明に係るリソグラフィ・システム（請求項７に対
応）は、複数台の露光装置（３０ａ〜３０ｄ）と、前記
複数の露光装置（３０ａ〜３０ｄ）に順次装着され、露
光用照明光を受光してその強度に応じた照度信号を出力
する光センサ（５２）と、前記照度信号を増幅する増幅
回路（５６）と、前記増幅された照度信号を較正する較
正回路（６２）とを有する照度計（５０）とを備えたリ
ソグラフィ・システムにおいて、前記複数台の露光装置
（３０ａ〜３０ｄ）でそれぞれ使用される露光用照明光
の照度を計測するために、前記光センサ（５２）で受光
する露光用照明光に応じて、前記増幅回路（５６）の増
幅率と前記較正回路（６２）の較正値とを選択的に切り
換える切換回路（６８）を備えたことを特徴とする。The lithography system according to claim 7 present invention (corresponding to claim 7), a plurality of exposure apparatuses and (30 a to 30 d), are sequentially mounted on the plurality of exposure devices (30 a to 30 d), the exposure An optical sensor (52) for receiving illumination light for use and outputting an illuminance signal corresponding to the intensity thereof; an amplifier circuit (56) for amplifying the illuminance signal; and a calibration circuit (62) for calibrating the amplified illuminance signal. ), The illuminometer (50) having the optical sensor (50) for measuring the illuminance of the illumination light for exposure used in each of the plurality of exposure apparatuses (30a to 30d). 52. A switching circuit (68) for selectively switching between the amplification factor of the amplification circuit (56) and the calibration value of the calibration circuit (62) in accordance with the exposure illumination light received in 52). I do.
【００２９】本発明に係るリソグラフィ・システムで
は、露光用照明光の条件が異なる二種類以上の露光装置
（３０ａ〜３０ｄ）が混在するリソグラフィ・システム
でも、増幅回路（５６）で用いる増幅率と、較正回路
（６２）で用いる較正値とを選択的に切り換えること
で、同一の照度計（５０）を用いて、各露光装置（３０
ａ〜３０ｄ）毎に、正確に照度を測定することができ
る。その結果、将来予想されるＫｒＦ露光装置（３０
ａ）とＡｒＦ露光装置（３０ｂ〜３０ｄ）とが併用され
るリソグラフィ・システムにおいて、各露光装置（３０
ａ〜３０ｄ）の照度の管理が容易になり、製造ラインの
負担を軽減することができる。In the lithography system according to the present invention, even in a lithography system in which two or more types of exposure apparatuses (30a to 30d) having different conditions of exposure illumination light coexist, the amplification factor used in the amplification circuit (56) and By selectively switching between the calibration value used in the calibration circuit (62) and each exposure apparatus (30) using the same illuminometer (50).
The illuminance can be accurately measured for each of a to 30d). As a result, a KrF exposure apparatus (30
a) and an ArF exposure apparatus (30b-30d) are used together in a lithography system.
The management of the illuminance of a to 30d) becomes easy, and the load on the production line can be reduced.
【００３０】請求項８ 本発明に係る照度計の較正方法（請求項８に対応）は、
マスク（１１）のパターンが転写される基板（１４）上
に入射する露光用照明光を受光してその強度に応じた照
度信号を出力する光センサ（５２）と、前記照度信号を
増幅する増幅回路（５６）と、前記増幅された照度信号
を較正する較正回路（６２）とを有する照度計（５０）
を較正する方法において、前記光センサ（５２）で受光
する露光用照明光毎に設定される前記較正回路（６２）
の較正値を使ってその照度を決定するために、複数の基
準照度計を用いて同一の光源から射出される照明光をそ
れぞれ検出して得られる基準照度の平均値と、前記照度
計（５０）を用いて前記照明光を検出して得られる照度
とがほぼ一致するように、前記露光用照明光毎の較正値
を変更することを特徴とする。The method of the calibration illuminance meter according to claim 8 the invention (corresponding to claim 8),
An optical sensor (52) for receiving illumination light for exposure incident on a substrate (14) onto which a pattern of a mask (11) is transferred, and outputting an illuminance signal according to the intensity thereof; and an amplifier for amplifying the illuminance signal An illuminometer (50) comprising a circuit (56) and a calibration circuit (62) for calibrating the amplified illuminance signal.
The calibration circuit (62) set for each exposure illumination light received by the optical sensor (52).
In order to determine the illuminance by using the calibration value of, the average value of the reference illuminance obtained by detecting the illumination light emitted from the same light source using a plurality of reference illuminometers, and the illuminometer (50) ), The calibration value for each of the exposure illumination light is changed such that the illuminance obtained by detecting the illumination light substantially matches.
【００３１】本発明に係る照度計の較正方法によれば、
単一の基準照度計を用いて較正する場合に比較して、照
度計の較正が正確になる、即ち絶対値確度が向上するこ
とになり、照度計の照度計測精度が向上する。なぜな
ら、基準照度計自体が、多少なりとも絶対値誤差を持つ
からである。したがって、較正済みの基準照度計の数が
多いほど、照度計（５０）の較正がより正確になり、照
度計の照度計測精度がより向上する。According to the illuminometer calibration method of the present invention,
Compared to calibration using a single reference illuminometer, calibration of the illuminometer becomes more accurate, that is, absolute value accuracy is improved, and illuminance measurement accuracy of the illuminometer is improved. This is because the reference illuminometer itself has an absolute value error to some extent. Therefore, the greater the number of calibrated reference illuminometers, the more accurate the calibration of the illuminometer (50) and the more accurate the illuminance measurement of the illuminometer.
【００３２】請求項９ 本発明に係るマイクロデバイスの製造方法（請求項９に
対応）は、複数台の露光装置（３０ａ〜３０ｄ）を用い
て基板（１４）上に複数のパターンを重ね合わせて転写
してマイクロデバイスを製造する方法において、前記複
数台の露光装置（３０ａ〜３０ｄ）のうち、前記基板
（１４）に入射する露光用照明光の波長と強度との少な
くとも一方が異なる少なくとも二台の露光装置でそれぞ
れ前記露光用照明光の照度を同一の照度計（５０）を用
いて計測するために、前記少なくとも二台の露光装置に
それぞれ対応して前記照度計（５０）に設定される計測
パラメータを前記露光装置毎に切り換えて使用し、前記
露光装置毎に前記計測された照度を利用して前記パター
ンの転写時における前記基板（１４）の露光量を制御す
ることを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a microdevice manufacturing method according to the ninth aspect, wherein a plurality of patterns are superimposed on a substrate (14) using a plurality of exposure apparatuses (30a to 30d). In the method of manufacturing a micro device by transferring, at least two of the plurality of exposure apparatuses (30a to 30d) differing in at least one of wavelength and intensity of exposure illumination light incident on the substrate (14). In order to measure the illuminance of the illumination light for exposure using the same illuminometer (50) with each of the exposure apparatuses, the illuminometer (50) is set corresponding to each of the at least two exposure apparatuses. A measurement parameter is switched for each exposure apparatus and used, and the exposure amount of the substrate (14) at the time of transfer of the pattern is controlled using the measured illuminance for each exposure apparatus. And wherein the Rukoto.
【００３３】本発明において、マイクロデバイスとは、
特に限定されず、半導体装置、液晶回路、磁気ヘッドな
どを例示することができる。In the present invention, a micro device is
There is no particular limitation, and examples thereof include a semiconductor device, a liquid crystal circuit, and a magnetic head.
【００３４】本発明に係るマイクロデバイスの製造方法
では、露光用照明光の条件が異なる二種類以上の露光装
置（３０ａ〜３０ｄ）が混在するマイクロデバイスの製
造ラインでも、照度計（５０）に設定される計測パラメ
ータを前記露光装置毎に切り換えることで、同一の照度
計（５０）を用いて、各露光装置（３０ａ〜３０ｄ）毎
に、正確に照度を測定することができる。その結果、将
来予想されるＫｒＦ露光装置（３０ａ）とＡｒＦ露光装
置（３０ｂ〜３０ｄ）とが併用されるマイクロデバイス
の製造ラインにおいて、各露光装置（３０ａ〜３０ｄ）
の露光量制御が容易になり、製造ラインの負担を軽減す
ることができる。In the method of manufacturing a microdevice according to the present invention, the illuminometer (50) is set even in a microdevice manufacturing line in which two or more types of exposure apparatuses (30a to 30d) having different conditions of exposure light are mixed. By switching the measurement parameters for each of the exposure apparatuses, the illuminance can be accurately measured for each of the exposure apparatuses (30a to 30d) using the same illuminometer (50). As a result, in a microdevice manufacturing line in which a KrF exposure apparatus (30a) and an ArF exposure apparatus (30b to 30d) expected in the future are used in combination, each exposure apparatus (30a to 30d)
Control of the amount of light exposure is easy, and the load on the production line can be reduced.
【００３５】請求項１０ 本発明に係るマイクロデバイスの製造方法では、前記少
なくとも二台の露光装置は互いに前記露光用照明光の波
長が異なり、前記露光用照明光を受光する前記照度計
（５０）の光センサ（５２）の波長依存性に応じて前記
照度計（５０）に設定される前記光センサ（５２）から
出力される照度信号の増幅率と、前記増幅された照度信
号の較正値とを、前記露光装置毎に切り換えることこと
が好ましい（請求項１０に対応）。[0035] In the method for manufacturing a micro device according to claim 10 the present invention, the at least two sets of exposure apparatus wherein different wavelengths of illumination light for exposure to each other, the illuminance meter for receiving the exposure illumination light (50) The amplification factor of the illuminance signal output from the optical sensor (52) set in the illuminometer (50) according to the wavelength dependence of the optical sensor (52), and the calibration value of the amplified illuminance signal Is preferably switched for each exposure apparatus (corresponding to claim 10).
【００３６】増幅回路（５６）で用いる増幅率と、較正
回路（６２）で用いる較正値とを選択的に切り換えるこ
とで、同一の照度計（５０）を用いて、露光用照明光の
波長が異なる露光装置（３０ａ〜３０ｄ）毎に、正確に
照度を測定することができる。By selectively switching between the amplification factor used in the amplifier circuit (56) and the calibration value used in the calibration circuit (62), the wavelength of the exposure illumination light can be changed using the same illuminometer (50). The illuminance can be accurately measured for each of the different exposure apparatuses (30a to 30d).
【００３７】請求項１１ 本発明に係るマイクロデバイスの製造方法では、前記少
なくとも二台の露光装置は、前記露光用照明光としてＫ
ｒＦエキシマレーザを使用する露光装置（３０ａ）と、
ＡｒＦエキシマレーザを使用する露光装置（３０ｂ〜３
０ｄ）とを含むことが好ましい（請求項１１に対応）。According to a eleventh aspect of the present invention, in the method of manufacturing a micro device, the at least two exposure apparatuses may use K light as the exposure illumination light.
an exposure apparatus (30a) using an rF excimer laser;
Exposure apparatus using ArF excimer laser (30b-3)
0d) (corresponding to claim 11).
【００３８】将来予想されるＫｒＦ露光装置（３０ａ）
とＡｒＦ露光装置（３０ｂ〜３０ｄ）とが併用されるマ
イクロデバイスの製造ラインにおいて、各露光装置（３
０ａ〜３０ｄ）の照度の管理が容易になり、マイクロデ
バイスの製造ラインの負担を軽減することができる。KrF exposure apparatus expected in the future (30a)
In a microdevice manufacturing line in which an exposure apparatus (30b to 30d) is used in combination with each exposure apparatus (3
It is easy to manage the illuminance of 0a to 30d), and it is possible to reduce the load on the microdevice manufacturing line.
【００３９】[0039]
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の１実施形態に係
る露光装置用照度計の概略ブロック図、図２は図１に示
す照度計における主要回路の特性を示す概略図、図３は
複数の露光装置と照度計との関係を示す概略図、図４は
露光装置の一例を示す概略図、図５は照度計のセンサ部
が設置されるウエハステージの概略斜視図、図６は照度
計の構成方法の一例を示す概略図、図７はセンサ部の他
の例を示す要部断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is a schematic block diagram of an illuminometer for an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing characteristics of main circuits in the illuminometer shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of an exposure apparatus, FIG. 5 is a schematic perspective view of a wafer stage on which a sensor unit of the illuminometer is installed, and FIG. 6 is an example of a method of configuring the illuminometer. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing another example of the sensor section.
【００４０】図１に示す本発明の１実施形態に係る露光
装置用照度計５０は、たとえば図３に示すように、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザを露光用照明光源とする露光装置３０
ａと、ＡｒＦエキシマレーザを露光用照明光源とする露
光装置３０ｂ〜３０ｄとが混在するリソグラフィ・シス
テムによりマイクロデバイスとしての半導体装置を製造
するシステムにおいて、各露光装置３０ａ〜３０ｄの照
度を検出し、露光装置間の露光量をマッチングさせるた
めに使用される。なお、本実施形態では、これら二種類
の露光装置３０ａ〜３０ｄは、同一のホストコンピュー
タ７６に接続してあり、それぞれの稼働状況などがモニ
ターされ、生産管理されている。An illuminometer 50 for an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is, for example, as shown in FIG.
Exposure apparatus 30 using F excimer laser as illumination light source for exposure
a, and in a system for manufacturing a semiconductor device as a micro device by a lithography system in which exposure devices 30b to 30d using an ArF excimer laser as an illumination light source for exposure are used, the illuminance of each of the exposure devices 30a to 30d is detected. It is used to match the exposure amount between exposure apparatuses. In the present embodiment, these two types of exposure apparatuses 30a to 30d are connected to the same host computer 76, and their operation status and the like are monitored and production control is performed.
【００４１】まず、図４に基づき、一つの露光装置３０
ａについて説明する。図３に示す他の露光装置３０ｂ〜
３０ｄについての説明は省略するが、基本的な構成は、
図４に示すものと同様であり、露光用照明光のための光
源の種類が異なるのみである。First, referring to FIG.
a will be described. Other exposure apparatuses 30b to 30b shown in FIG.
Although the description of 30d is omitted, the basic configuration is as follows.
It is the same as that shown in FIG. 4 except that the type of light source for the exposure illumination light is different.
【００４２】図４に示すように、本実施形態に係る露光
装置３０ａは、いわゆるステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置であり、マスクとしてのレチクル１１上の
パターンの一部を投影光学系１３を介して基板としての
レジストが塗布されたウエハ１４上に縮小投影露光した
状態で、レチクル１１とウエハ１４とを、投影光学系１
３に対して同期移動させることにより、レチクル１１上
のパターンの縮小像を逐次ウエハ１４の各ショット領域
に転写し、ウエハ１４の上に半導体装置を製造するよう
になっている。As shown in FIG. 4, an exposure apparatus 30a according to the present embodiment is a so-called step-and-scan exposure apparatus, and a part of a pattern on a reticle 11 as a mask is projected by a projection optical system 13. The reticle 11 and the wafer 14 are exposed to the projection optical system 1 in a state where the wafer is coated with a resist as a substrate through a reduced projection exposure.
By performing synchronous movement with respect to 3, the reduced image of the pattern on the reticle 11 is sequentially transferred to each shot area of the wafer 14, and a semiconductor device is manufactured on the wafer 14.
【００４３】本実施形態の露光装置３０ａは、露光用光
源１としてＫｒＦエキシマレーザ（発振波長２４８ｎ
ｍ）を有する。露光用光源１からパルス発光されたレー
ザビームＬＢは、ビーム整形・変調光学系２へ入射する
ようになっている。本実施形態では、ビーム整形・変調
光学系２は、ビーム整形光学系２ａと、エネルギー変調
器２ｂとから成る。ビーム整形光学系２ａは、シリンダ
レンズやビームエキスパンダ等で構成してあり、これら
により、後続のフライアイレンズ５に効率よく入射する
ようにビームの断面形状が整形される。The exposure apparatus 30a of this embodiment uses a KrF excimer laser (oscillation wavelength 248n) as the exposure light source 1.
m). The laser beam LB pulse-emitted from the exposure light source 1 enters the beam shaping / modulating optical system 2. In the present embodiment, the beam shaping / modulating optical system 2 includes a beam shaping optical system 2a and an energy modulator 2b. The beam shaping optical system 2a includes a cylinder lens, a beam expander, and the like, and the cross-sectional shape of the beam is shaped so as to efficiently enter the subsequent fly-eye lens 5.
【００４４】図４に示すエネルギー変調器２ｂは、エネ
ルギー粗調器およびエネルギー微調器などで構成してあ
り、エネルギー粗調器は、回転自在なレボルバ上に透過
率（＝（１−減光率）×１００（％））の異なる複数個
のＮＤフィルタを配置したものであり、そのレボルバを
回転することにより、入射するレーザビームＬＢに対す
る透過率を１００％から複数段階で切り換えることがで
きるようになっている。なお、そのレボルバと同様のレ
ボルバを２段配置し、２組のＮＤフィルタの組み合わせ
によってより細かく透過率を調整できるようにしてもよ
い。一方、エネルギー微調器は、ダブル・グレーティン
グ方式、または傾斜角可変の２枚の平行平板ガラスを組
み合わせた方式等で、所定範囲内でレーザビームＬＢに
対する透過率を連続的に微調整するものである。ただ
し、このエネルギー微調器を使用する代わりに、エキシ
マレーザ光源１の出力変調によってレーザビームＬＢの
エネルギーを微調整してもよい。The energy modulator 2b shown in FIG. 4 is composed of an energy coarse adjuster, an energy fine adjuster, and the like. The energy coarse adjuster has a transmittance (= (1−dimming rate) on a rotatable revolver. ) × 100 (%)), and a plurality of different ND filters are arranged. By rotating the revolver, the transmittance for the incident laser beam LB can be switched from 100% in a plurality of steps. Has become. Note that a revolver similar to the revolver may be arranged in two stages so that the transmittance can be more finely adjusted by a combination of two sets of ND filters. On the other hand, the energy fine adjuster continuously fine-tunes the transmittance for the laser beam LB within a predetermined range by a double grating method, a method combining two parallel flat glass plates with variable tilt angles, or the like. . However, instead of using this energy fine adjuster, the energy of the laser beam LB may be finely adjusted by the output modulation of the excimer laser light source 1.
【００４５】図４において、ビーム整形・変調光学系２
から射出されたレーザビームＬＢは、光路折り曲げ用の
ミラーＭを介してフライアイレンズ５に入射する。In FIG. 4, the beam shaping / modulating optical system 2
The laser beam LB emitted from the lens enters the fly-eye lens 5 via a mirror M for bending the optical path.
【００４６】フライアイレンズ５は、後続のレチクル１
１を均一な照度分布で照明するために多数の２次光源を
形成する。図４に示すように、フライアイレンズ５の射
出面には照明系の開口絞り（いわゆるσ絞り）６が配置
してあり、その開口絞り６内の２次光源から射出される
レーザビーム（以下、「パルス照明光ＩＬ」と呼ぶ）
は、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッタ７
に入射し、ビームスプリッタ７を透過した露光用照明光
としてのパルス照明光ＩＬは、リレーレンズ８を介して
コンデンサレンズ１０へ入射するようになっている。The fly-eye lens 5 is connected to the subsequent reticle 1
A number of secondary light sources are formed to illuminate 1 with a uniform illumination distribution. As shown in FIG. 4, an aperture stop (so-called σ stop) 6 of an illumination system is arranged on an emission surface of the fly-eye lens 5, and a laser beam (hereinafter, referred to as a beam) emitted from a secondary light source in the aperture stop 6 is provided. , "Pulse illumination light IL")
Is a beam splitter 7 having a small reflectance and a large transmittance.
, And the pulse illumination light IL as the illumination light for exposure transmitted through the beam splitter 7 is incident on the condenser lens 10 via the relay lens 8.
【００４７】リレーレンズ８は、第１リレーレンズ８Ａ
と、第２リレーレンズ８Ｂと、これらレンズ８Ａ，８Ｂ
間に配置される固定照明視野絞り（固定レチクルブライ
ンド）９Ａおよび可動照明視野絞り９Ｂとを有する。固
定照明視野絞り９Ａは、矩形の開口部を有し、ビームス
プリッタ７を透過したパルス照明光ＩＬは、第１リレー
レンズ８Ａを経て固定照明視野絞り９Ａの矩形の開口部
を通過するようになっている。また、この固定照明視野
絞り９Ａは、レチクルのパターン面に対する共役面の近
傍に配置してある。可動照明視野絞り９Ｂは、走査方向
の位置および幅が可変の開口部を有し、固定照明視野絞
り９Ａの近くに配置してあり、走査露光の開始時および
終了時にその可動照明視野絞り９Ｂを介して照明視野フ
ィールドをさらに制限することによって、不要な部分
（レクチルパターンが転写されるウエハ上のショット領
域以外）の露光が防止されるようになっている。The relay lens 8 is a first relay lens 8A
, A second relay lens 8B, and these lenses 8A, 8B
It has a fixed illumination field stop (fixed reticle blind) 9A and a movable illumination field stop 9B interposed therebetween. The fixed illumination field stop 9A has a rectangular opening, and the pulsed illumination light IL transmitted through the beam splitter 7 passes through the rectangular opening of the fixed illumination field stop 9A via the first relay lens 8A. ing. The fixed illumination field stop 9A is arranged near a conjugate plane with respect to the pattern surface of the reticle. The movable illumination field stop 9B has an opening whose position and width in the scanning direction are variable, and is arranged near the fixed illumination field stop 9A. The movable illumination field stop 9B is moved at the start and end of scanning exposure. By further restricting the illuminated field of view through the exposure, unnecessary portions (other than the shot area on the wafer to which the reticle pattern is transferred) are prevented from being exposed.
【００４８】図４に示すように、固定照明視野絞り９Ａ
および可動照明視野絞り９Ｂを通過したパルス照明光Ｉ
Ｌは、第２リレーレンズ８Ｂおよびコンデンサレンズ１
０を経て、レチクルステージ１５上に保持されたレチク
ル１１上の矩形の照明領域１２Ｒを均一な照度分布で照
明する。レチクル１１上の照明領域１２Ｒ内のパターン
を投影光学系１３を介して投影倍率α（αは例えば１／
４，１／５等）で縮小した像が、フォトレジストが塗布
されたウエハ（感光性基板）１４上の照明視野フィール
ド１２Ｗに投影露光される。以下、投影光学系１３の光
軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、その光軸ＡＸに垂直な平面
内で照明領域１２Ｒに対するレチクル１１の走査方向
（即ち、図４の紙面に平行な方向）をＹ方向、その走査
方向に垂直な非走査方向をＸ方向として説明する。As shown in FIG. 4, the fixed illumination field stop 9A
And the pulse illumination light I passing through the movable illumination field stop 9B
L is the second relay lens 8B and the condenser lens 1
After 0, the rectangular illumination area 12R on the reticle 11 held on the reticle stage 15 is illuminated with a uniform illuminance distribution. The pattern in the illumination area 12R on the reticle 11 is projected through the projection optical system 13 through a projection magnification α (α is, for example, 1 /
The image reduced by (4, 1/5, etc.) is projected and exposed on an illumination field 12W on a wafer (photosensitive substrate) 14 coated with a photoresist. Hereinafter, the Z axis is taken in parallel with the optical axis AX of the projection optical system 13, and the scanning direction of the reticle 11 with respect to the illumination area 12R (that is, the direction parallel to the plane of FIG. 4) in a plane perpendicular to the optical axis AX. The Y direction and a non-scanning direction perpendicular to the scanning direction will be described as an X direction.
【００４９】このとき、レチクルステージ１５はレチク
ルステージ駆動部１８によりＹ方向に走査される。外部
のレーザ干渉計１６により計測されるレチクルステージ
１５のＹ座標がステージコントローラ１７に供給され、
ステージコントローラ１７は供給された座標に基づいて
レチクルステージ駆動部１８を介して、レチクルステー
ジ１５の位置および速度を制御する。At this time, the reticle stage 15 is scanned by the reticle stage driving section 18 in the Y direction. The Y coordinate of the reticle stage 15 measured by the external laser interferometer 16 is supplied to the stage controller 17,
The stage controller 17 controls the position and speed of the reticle stage 15 via the reticle stage driving unit 18 based on the supplied coordinates.
【００５０】一方、ウエハ１４は、不図示のウエハホル
ダを介してウエハステージ２８上に載置される。ウエハ
ステージ２８は、Ｚチルトステージ１９と、Ｚチルトス
テージ１９が載置されるＸＹステージ２０とを有する。
ＸＹステージ２０は、Ｘ方向およびＹ方向にウエハ１４
の位置決めを行うと共に、Ｙ方向にウエハ１４を走査す
る。また、Ｚチルトステージ１９は、ウエハ１４のＺ方
向の位置（フォーカス位置）を調整すると共に、ＸＹ平
面に対するウエハ１４の傾斜角を調整する機能を有す
る。Ｚチルトステージ１９上に固定された移動鏡、およ
び外部のレーザ干渉計２２により計測されるＸＹステー
ジ２０（ウエハ１４）のＸ座標、およびＹ座標がステー
ジコントローラ１７に供給され、ステージコントローラ
１７は、供給された座標に基づいてウエハステージ駆動
部２３を介してＸＹステージ２０の位置および速度を制
御する。On the other hand, the wafer 14 is placed on a wafer stage 28 via a wafer holder (not shown). The wafer stage 28 has a Z tilt stage 19 and an XY stage 20 on which the Z tilt stage 19 is mounted.
The XY stage 20 moves the wafer 14 in the X and Y directions.
And the wafer 14 is scanned in the Y direction. The Z tilt stage 19 has a function of adjusting the position (focus position) of the wafer 14 in the Z direction and a function of adjusting the inclination angle of the wafer 14 with respect to the XY plane. The moving mirror fixed on the Z tilt stage 19 and the X and Y coordinates of the XY stage 20 (wafer 14) measured by the external laser interferometer 22 are supplied to the stage controller 17, and the stage controller 17 The position and speed of the XY stage 20 are controlled via the wafer stage drive unit 23 based on the supplied coordinates.
【００５１】また、ステージコントローラ１７の動作
は、不図示の装置全体を統轄制御する主制御系によって
制御されている。そして、走査露光時には、レチクル１
１がレチクルステージ１５を介して＋Ｙ方向（または−
Ｙ方向）に速度ＶR で走査されるのに同期して、ＸＹス
テージ２０を介してウエハ１４は照明視野フィールド１
２Ｗに対して−Ｙ方向（または＋Ｙ方向）に速度α・Ｖ
R （αはレチクル１１からウエハ１４に対する投影倍
率）で走査される。The operation of the stage controller 17 is controlled by a main control system (not shown) which controls the entire apparatus. At the time of scanning exposure, the reticle 1
1 through the reticle stage 15 in the + Y direction (or-
Synchronization to be scanned at a speed V R in the Y direction), the wafer 14 via the XY stage 20 is illuminated field field 1
Speed α · V in −Y direction (or + Y direction) for 2W
The scanning is performed at R (α is a projection magnification from the reticle 11 to the wafer 14).
【００５２】また、Ｚチルトステージ１９上のウエハ１
４の近傍に光変換素子からなる照度むらセンサ２１が常
設され、照度むらセンサ２１の受光面はウエハ１４の表
面と同じ高さに設定されている。照度むらセンサ２１と
しては、遠紫外で感度があり、且つパルス照明光を検出
するために高い応答周波数を有するＰＩＮ型のフォトダ
イオード等が使用できる。照度むらセンサ２１の検出信
号が不図示のピークホールド回路、およびアナログ／デ
ジタル（Ａ／Ｄ）変換器を介して露光コントローラ２６
に供給されている。The wafer 1 on the Z tilt stage 19
An uneven illuminance sensor 21 composed of a light conversion element is permanently provided in the vicinity of 4, and the light receiving surface of the uneven illuminance sensor 21 is set at the same height as the surface of the wafer 14. As the uneven illuminance sensor 21, a PIN-type photodiode or the like having sensitivity in far ultraviolet and having a high response frequency for detecting pulsed illumination light can be used. The detection signal of the uneven illuminance sensor 21 is transmitted to the exposure controller 26 via a peak hold circuit (not shown) and an analog / digital (A / D) converter.
Is supplied to
【００５３】なお、図４に示すビームスプリッタ７で反
射されたパルス照明光ＩＬは、集光レンズ２４を介して
光変換素子よりなるインテグレータセンサ２５で受光さ
れ、インテグレータセンサ２５の光電変換信号が、不図
示のピークホールド回路およびＡ／Ｄ変換器を介して出
力ＤＳとして露光コントローラ２６に供給される。イン
テグレータセンサ２５の出力ＤＳと、ウエハ１４の表面
上でのパルス照明光ＩＬの照度（露光量）との相関係数
は予め照度計を用いて求められて露光コントローラ２６
内に記憶されている。露光コントローラ２６は、制御情
報ＴＳを露光用光源１に供給することによって、露光用
光源１の発光タイミング、および発光パワー等を制御す
る。露光コントローラ２６は、さらにエネルギー変調器
２ｂでの減光率を制御し、ステージコントローラ１７は
ステージ系の動作情報に同期して可動照明視野絞り９Ｂ
の開閉動作を制御する。The pulse illumination light IL reflected by the beam splitter 7 shown in FIG. 4 is received by an integrator sensor 25 composed of a light conversion element via a condenser lens 24, and the photoelectric conversion signal of the integrator sensor 25 is It is supplied to the exposure controller 26 as an output DS via a peak hold circuit (not shown) and an A / D converter. The correlation coefficient between the output DS of the integrator sensor 25 and the illuminance (exposure amount) of the pulse illumination light IL on the surface of the wafer 14 is obtained in advance by using an illuminometer, and the exposure controller 26
Is stored within. The exposure controller 26 controls the light emission timing and the light emission power of the light source 1 for exposure by supplying the control information TS to the light source 1 for exposure. The exposure controller 26 further controls the dimming rate in the energy modulator 2b, and the stage controller 17 synchronizes with the operation information of the stage system to move the movable illumination field stop 9B.
Control the opening and closing operations of
【００５４】本実施形態では、このようなＫｒＦエキシ
マレーザを露光用照明光として用いたステップ・アンド
・スキャン方式の投影露光装置３０ａと、ＡｒＦエキシ
マレーザを露光用照明光として用いたステップ・アンド
・スキャン方式の投影露光装置３０ｂ〜３０ｄとが混在
するリソグラフィ・システムを用いた半導体装置の製造
方法において、各露光装置３０ａ〜３０ｄの照度を検出
し、露光装置間の露光量をマッチングさせるために、図
１に示す露光装置用照度計５０が使用される。In the present embodiment, a step-and-scan type projection exposure apparatus 30a using such a KrF excimer laser as exposure illumination light, and a step-and-scan projection exposure apparatus using an ArF excimer laser as exposure illumination light. In a method of manufacturing a semiconductor device using a lithography system in which scan-type projection exposure apparatuses 30b to 30d coexist, in order to detect the illuminance of each of the exposure apparatuses 30a to 30d and to match the exposure amount between the exposure apparatuses, The illuminometer 50 for an exposure apparatus shown in FIG. 1 is used.
【００５５】図１に示すように、本実施形態に係る露光
装置用照度計５０は、光センサ５０と、照度計本体５４
とを有する。光センサ５２には、光変換素子が内蔵して
あり、光センサ５２に照射された露光用照明光の入射エ
ネルギーに応じて、電気信号を出力するようになってい
る。本実施形態において用いることができる光変換素子
としては、特に限定されず、光起電力効果、ショットキ
ー効果、光電磁効果、光導電効果、光電子放出効果、焦
電効果などを利用した光変換素子が例示されるが、本実
施形態では、所定の波長帯域にそれぞれ発振スペクトル
を有する複数の露光用照明光を検出可能な広帯域光セン
サ素子が好ましい。ＫｒＦとＡｒＦとの双方の波長の光
を検出するためである。このような観点からは、焦電効
果を利用した光変換素子である焦電センサ素子が好まし
い。As shown in FIG. 1, an illuminometer 50 for an exposure apparatus according to the present embodiment comprises an optical sensor 50 and an illuminometer main body 54.
And The optical sensor 52 has a built-in light conversion element, and outputs an electric signal in accordance with the incident energy of the illumination light for exposure applied to the optical sensor 52. The light conversion element that can be used in the present embodiment is not particularly limited, and a light conversion element using a photovoltaic effect, a Schottky effect, a photoelectromagnetic effect, a photoconductive effect, a photoelectron emission effect, a pyroelectric effect, or the like. However, in the present embodiment, a broadband optical sensor element capable of detecting a plurality of exposure illumination lights each having an oscillation spectrum in a predetermined wavelength band is preferable. This is for detecting light of both KrF and ArF wavelengths. From such a viewpoint, a pyroelectric sensor element that is a light conversion element utilizing the pyroelectric effect is preferable.
【００５６】照度計本体５４は、配線５３を介して光セ
ンサ５２からの出力信号（照度信号）が入力する増幅回
路（アンプ）５６を有する。増幅回路５６は、増幅率記
憶装置６４に接続してあり、増幅率記憶装置６４に記憶
してある増幅率で、光センサ５２からの照度信号を増幅
するようになっている。The illuminometer main body 54 has an amplifier circuit (amplifier) 56 to which an output signal (illuminance signal) from the optical sensor 52 is input via the wiring 53. The amplification circuit 56 is connected to the amplification factor storage device 64, and amplifies the illuminance signal from the optical sensor 52 at the amplification factor stored in the amplification factor storage device 64.
【００５７】増幅率記憶装置６４には、露光用照明光の
種類に応じて予め設定された増幅率が記憶してあり、本
実施形態では、ＫｒＦ露光用照明光のためのＫｒＦ用増
幅率と、ＡｒＦ露光用照明光のためのＡｒＦ用増幅率と
が記憶してある。これら増幅率の設定の仕方については
後述する。The amplification factor storage device 64 stores an amplification factor set in advance according to the type of illumination light for exposure. In the present embodiment, the amplification factor for KrF for illumination light for KrF exposure is stored. , And the amplification factor for ArF for the illumination light for ArF exposure. How to set these amplification factors will be described later.
【００５８】増幅回路５６には、ピークホールド（Ｐ／
Ｈ）回路５８が接続してあり、増幅回路５６で増幅され
た照度信号のピーク値をホールドするようになってい
る。このピークホールド回路５８は、アナログ・デジタ
ル変換（Ａ／Ｄ）回路６０に接続してあり、ピークホー
ルド回路５８でホールドされた照度信号のピーク値（ア
ナログ信号）は、デジタル信号に変換される。The amplifier circuit 56 has a peak hold (P /
H) A circuit 58 is connected to hold the peak value of the illuminance signal amplified by the amplifier circuit 56. This peak hold circuit 58 is connected to an analog / digital conversion (A / D) circuit 60, and the peak value (analog signal) of the illuminance signal held by the peak hold circuit 58 is converted into a digital signal.
【００５９】アナログ・デジタル変換回路６０は、較正
回路６２に接続してあり、アナログ・デジタル変換回路
６０により変換されたデジタル信号（照度信号）は、較
正回路６２により較正される。この較正回路６２による
較正は、較正回路６２に接続してある較正値記憶装置６
６に記憶してある較正値に基づき行われる。較正値記憶
装置６６には、露光用照明光の種類に応じて予め設定さ
れた較正値が記憶してあり、本実施形態では、ＫｒＦ露
光用照明光のためのＫｒＦ用較正値と、ＡｒＦ露光用照
明光のためのＡｒＦ用較正値とが記憶してある。これら
較正値の設定の仕方については後述する。The analog / digital conversion circuit 60 is connected to the calibration circuit 62, and the digital signal (illuminance signal) converted by the analog / digital conversion circuit 60 is calibrated by the calibration circuit 62. The calibration by the calibration circuit 62 is performed by the calibration value storage device 6 connected to the calibration circuit 62.
6 is performed based on the calibration value stored. The calibration value storage device 66 stores a calibration value preset according to the type of the illumination light for exposure. In the present embodiment, a calibration value for KrF for illumination light for KrF exposure and an ArF exposure And an ArF calibration value for the illumination light. How to set these calibration values will be described later.
【００６０】較正回路６２による較正が必要な理由を次
に示す。すなわち、較正回路６２へ入力される前のデジ
タル信号は、光センサ５２へ入射された光の照度に対応
した量のデジタル信号ではあるが、そのデジタル信号か
ら照度を計算するためには、増幅回路５６での増幅率
や、光センサ５２で用いたセンサ素子の波長依存性など
を考慮して補正を行う必要があるからである。このよう
な較正を行わない場合には、正確な照度を算出して表示
することはできない。なお、本実施形態では、光センサ
５２には、ＫｒＦとＡｒＦとの二種類の露光用照明光が
照射されるので、較正回路６２で行う較正値としては、
ＫｒＦ露光用照明光のためのＫｒＦ用較正値と、ＡｒＦ
露光用照明光のためのＡｒＦ用較正値との二種類の較正
値が必要となる。The reason why calibration by the calibration circuit 62 is necessary will be described below. That is, the digital signal before being input to the calibration circuit 62 is a digital signal of an amount corresponding to the illuminance of the light incident on the optical sensor 52, but in order to calculate the illuminance from the digital signal, an amplification circuit This is because it is necessary to perform correction in consideration of the amplification factor at 56 and the wavelength dependence of the sensor element used in the optical sensor 52. Without such calibration, accurate illuminance cannot be calculated and displayed. In the present embodiment, since the optical sensor 52 is irradiated with two types of illumination light for exposure, KrF and ArF, the calibration value performed by the calibration circuit 62 is
KrF calibration value for KrF exposure illumination light, and ArF
Two types of calibration values are required, including an ArF calibration value for exposure illumination light.
【００６１】較正回路６２の出力端には、表示装置７４
が接続してあり、較正回路６２により較正されて照度
（入射エネルギー）に換算されたデータが、表示装置７
４に表示されるようになっている。なお、本実施形態で
は、表示装置７４が、照度計本体５４に装着してある
が、その表示装置７４は、照度計本体５４とは別の外部
の表示装置であっても良い。また、較正回路６２により
較正されて照度（入射エネルギー）に換算されたデータ
は、照度計本体５４の外部へ転送可能に構成しても良
い。表示装置７４としては、特に限定されず、ブラウン
管、液晶表示装置、プラズマ表示装置、ＬＥＤなどを例
示することができる。The output terminal of the calibration circuit 62 has a display 74
Is connected, and data calibrated by the calibration circuit 62 and converted into illuminance (incident energy) is displayed on the display device 7.
4 is displayed. In the present embodiment, the display device 74 is mounted on the illuminometer main body 54, but the display device 74 may be an external display device different from the illuminometer main body 54. Further, data calibrated by the calibration circuit 62 and converted into illuminance (incident energy) may be configured to be transferable to the outside of the illuminometer main body 54. The display device 74 is not particularly limited, and examples thereof include a cathode ray tube, a liquid crystal display device, a plasma display device, and an LED.
【００６２】増幅率記憶装置６４と較正値記憶装置６６
とは、別々の記憶装置でも良いが、同一の記憶装置であ
っても良く、また、照度計本体５４に内蔵された記憶装
置でも、外部記憶装置でも良い。記憶装置としては、特
に限定されず、ＳＲＡＭやＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性
メモリ、磁気ディスク、光磁気ディスク、フロッピーデ
ィスクなどを例示することができる。Amplification rate storage device 64 and calibration value storage device 66
May be separate storage devices, but may be the same storage device, a storage device built in the illuminometer main body 54, or an external storage device. The storage device is not particularly limited, and examples thereof include a nonvolatile memory such as an SRAM and an EEPROM, a magnetic disk, a magneto-optical disk, and a floppy disk.
【００６３】これら増幅率記憶装置６４および較正値記
憶装置６６には、必要に応じて切換回路６８が接続して
ある。切換回路６８は、増幅回路５６で用いられる増幅
率と、較正回路６２で用いられる較正値とを、光センサ
５２へ入力される露光用照明光の種類に応じて切り替え
るように、記憶装置６４，６６および／または増幅回路
５６および較正回路６２へ切換信号を出力する。A switching circuit 68 is connected to the amplification factor storage device 64 and the calibration value storage device 66 as required. The switching circuit 68 switches between the amplification factor used in the amplification circuit 56 and the calibration value used in the calibration circuit 62 according to the type of the illumination light for exposure input to the optical sensor 52. 66 and / or outputs a switching signal to the amplification circuit 56 and the calibration circuit 62.
【００６４】切換回路６８からの切換信号は、入力装置
７０からマニュアルで入力された選択信号に基づき発生
させても良いし、入出力端子７２から入力された選択信
号に基づき発生させても良い。入力装置７０としては、
特に限定されないが、キーボード、タッチパネル、マウ
スなどを例示することができる。作業者は、このような
入力装置７０からマニュアル式に、光センサ５２が設置
されて照度が測定されるべき露光用照明光の種類（本実
施形態では、ＫｒＦまたはＡｒＦ）を選択する。入力装
置７０を用いて、露光用照明光の種類（本実施形態で
は、ＫｒＦまたはＡｒＦ）を選択することで、切換回路
６８から切換信号が出力し、増幅回路５６で用いる増幅
率と、較正回路６２で用いる較正値が決定し、各記憶装
置６４および６６から読み出される。The switching signal from the switching circuit 68 may be generated based on a selection signal manually input from the input device 70, or may be generated based on a selection signal input from the input / output terminal 72. As the input device 70,
Although not particularly limited, a keyboard, a touch panel, a mouse and the like can be exemplified. The operator manually selects the type of exposure illumination light (in this embodiment, KrF or ArF) in which the light sensor 52 is installed and the illuminance is to be measured from such an input device 70. By using the input device 70 to select the type of illumination light for exposure (in this embodiment, KrF or ArF), a switching signal is output from the switching circuit 68, and the amplification factor used in the amplifier circuit 56 and the calibration circuit The calibration value used at 62 is determined and read from each storage device 64 and 66.
【００６５】図１に示す入出力端子７２が接続される機
器としては、特に限定されないが、たとえば光センサ５
２が設置されるべき露光装置３０ａ〜３０ｄの各制御装
置でも、図３に示すホストコンピュータ７６であっても
良い。入出力端子７２を、このような機器に接続するこ
とで、これらの機器から自動的に、光センサ５２が設置
されるべき露光装置３０ａ〜３０ｄで用いる露光用照明
光の種類（本実施形態では、ＫｒＦまたはＡｒＦ）を示
す選択信号が入力される。その結果、切換回路６８から
切換信号が出力し、増幅回路５６で用いる増幅率と、較
正回路６２で用いる較正値が決定し、各記憶装置６４お
よび６６から読み出される。The equipment to which the input / output terminal 72 shown in FIG. 1 is connected is not particularly limited.
Each of the control devices of the exposure devices 30a to 30d where the device 2 should be installed may be the host computer 76 shown in FIG. By connecting the input / output terminal 72 to such devices, the types of exposure illumination light used in the exposure devices 30a to 30d where the optical sensor 52 is to be installed (in the present embodiment, these devices are automatically used). , KrF or ArF). As a result, a switching signal is output from the switching circuit 68, the amplification factor used by the amplifier circuit 56 and the calibration value used by the calibration circuit 62 are determined, and are read out from the storage devices 64 and 66.
【００６６】なお、図１に示す増幅率記憶装置６４と較
正値記憶装置６６とに記憶されるデータ量は、それほど
多くない場合などには、増幅率記憶装置６４と較正値記
憶装置６６とは、それぞれ単なる可変抵抗や可変コンデ
ンサなどの電子素子であっても良い。その場合には、切
換回路６８および入力装置７０は、可変抵抗の抵抗値ま
たは可変コンデンサの容量を変えるための単なるつまみ
などで構成することもできる。この場合には、可変抵抗
の抵抗値または可変コンデンサの容量が、記憶すべき増
幅率または較正値に対応する。In the case where the amount of data stored in the amplification factor storage device 64 and the calibration value storage device 66 shown in FIG. 1 is not so large, for example, the amplification factor storage device 64 and the calibration value storage device 66 are not connected. Alternatively, each of them may be a simple electronic element such as a variable resistor or a variable capacitor. In that case, the switching circuit 68 and the input device 70 may be constituted by simple knobs for changing the resistance value of the variable resistor or the capacitance of the variable capacitor. In this case, the resistance value of the variable resistor or the capacitance of the variable capacitor corresponds to the amplification factor or the calibration value to be stored.
【００６７】本実施形態において、照度計５０の光セン
サ５２が設置される位置は、特に限定されないが、図５
に示すように、各露光装置３０ａ〜３０ｄにおけるウエ
ハステージ２８のＺチルトステージ１９上である。照度
の測定に際しては、ウエハステージ２８を、ＸおよびＹ
方向に駆動制御し、図４に示す投影光学系１３を通過し
た露光用照明光を、図５に示す光センサ５２の光変換素
子へ入射させる。In the present embodiment, the position where the optical sensor 52 of the illuminometer 50 is installed is not particularly limited.
As shown in FIG. 7, the exposure apparatus 30 is on the Z tilt stage 19 of the wafer stage 28 in each of the exposure apparatuses 30a to 30d. When measuring the illuminance, the wafer stage 28 is
Drive control is performed in the direction, and the exposure illumination light that has passed through the projection optical system 13 shown in FIG. 4 is incident on the light conversion element of the optical sensor 52 shown in FIG.
【００６８】なお、照度計５０は光センサ５２がアパー
チャ板の直下に近接して設けられており、照度測定時に
はそのアパーチャ板の下面、即ち光センサ５２の受光面
が投影光学系１３の像面とほぼ一致するように照度計５
０の位置が調整される。The illuminance meter 50 has an optical sensor 52 provided immediately below the aperture plate. When measuring the illuminance, the lower surface of the aperture plate, that is, the light receiving surface of the optical sensor 52 is placed on the image plane of the projection optical system 13. Illuminometer 5 so that it almost matches
The position of 0 is adjusted.
【００６９】次に、図１に示す増幅率記憶装置６４へ記
憶すべき増幅率と、較正値記憶装置６６に記憶すべき較
正値とを設定する方法について説明する。ＡｒＦエキシ
マレーザ露光装置では、使用するレジストが、ＫｒＦエ
キシマレーザ露光装置に用いるレジストに比較して、一
般に高感度である。また、ＫｒＦエキシマレーザよりエ
ネルギー安定性の良くないＡｒＦエキシマレーザでは、
積算露光量制御の精度を向上させるために、積算パルス
数が多くなる。そのために、１パルスあたりのエネルギ
ーが、ＫｒＦエキシマレーザ露光装置の場合に比較して
小さくなる。典型的には、照度計の入射エネルギーレベ
ルで数倍〜１０倍程度の差異がある。Next, a method for setting the amplification factor to be stored in the amplification factor storage device 64 and the calibration value to be stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. 1 will be described. In an ArF excimer laser exposure apparatus, a resist used is generally higher in sensitivity than a resist used in a KrF excimer laser exposure apparatus. In an ArF excimer laser having less energy stability than a KrF excimer laser,
In order to improve the accuracy of the integrated exposure amount control, the number of integrated pulses is increased. Therefore, the energy per pulse is smaller than that of the KrF excimer laser exposure apparatus. Typically, there is a difference of several times to about 10 times in the incident energy level of the illuminometer.
【００７０】したがって、従来では、ＫｒＦエキシマレ
ーザ露光装置で最適化した照度計を用いて、ＡｒＦエキ
シマレーザ露光装置の照度を計測しようとしても、セン
サの出力信号が低下し、直線性を持つ十分に広い計測レ
ンジが得られない可能性が高い。Therefore, conventionally, even if it is attempted to measure the illuminance of an ArF excimer laser exposure apparatus using an illuminance meter optimized by a KrF excimer laser exposure apparatus, the output signal of the sensor is reduced and the linearity is not sufficiently improved. There is a high possibility that a wide measurement range cannot be obtained.
【００７１】また、使用波長が異なると、センサの感度
が多少変化するため、ＫｒＦエキシマレーザの場合と同
様な較正値では、正確な照度の絶対値の計測が困難であ
る。When the wavelength used is different, the sensitivity of the sensor slightly changes. Therefore, it is difficult to accurately measure the absolute value of the illuminance with the same calibration value as that of the KrF excimer laser.
【００７２】そこで、本実施形態では、図１に示す増幅
率記憶装置６４には、ＫｒＦ用増幅率とＡｒＦ用増幅率
との二種類の増幅率を記憶し、露光波長に応じて切り換
えて使用している。また、較正値記憶装置６６には、Ｋ
ｒＦ用較正値とＡｒＦ用較正値との二種類の増幅率を記
憶し、露光波長に応じて切り換えて使用している。Therefore, in the present embodiment, two types of amplification factors, KrF amplification factor and ArF amplification factor, are stored in the amplification factor storage device 64 shown in FIG. doing. The calibration value storage device 66 stores K
Two kinds of amplification factors, i.e., a calibration value for rF and a calibration value for ArF, are stored, and are used by switching according to the exposure wavelength.
【００７３】まず、増幅率記憶装置６４に記憶すべきＫ
ｒＦ用増幅率とＡｒＦ用増幅率との設定について説明す
る。図２に示すように、ピークホールド回路５８では、
その入力信号（入力電圧）と出力信号（出力電圧）との
関係において、その入力電圧Ｖ０がＶ１よりも大きくＶ
２よりも小さい場合に、良好な直線関係（比例関係）を
持つ領域が存在する。別の言い方をすれば、照度計５０
による測定の直線性は、ピークホールド回路５８の追随
性に依存する。そのため、正確な照度を算出するために
は、増幅回路５６において、その出力電圧Ｖ０（ピーク
ホールド回路５８への入力電圧）が、Ｖ１＜Ｖ０＜Ｖ２
の関係となるように、増幅率を設定する必要がある。First, K to be stored in the amplification factor storage device 64
The setting of the amplification factor for rF and the amplification factor for ArF will be described. As shown in FIG. 2, in the peak hold circuit 58,
In the relationship between the input signal (input voltage) and the output signal (output voltage), the input voltage V0 is larger than V1 and V
If it is smaller than 2, there is a region having a good linear relationship (proportional relationship). In other words, illuminometer 50
Is dependent on the followability of the peak hold circuit 58. Therefore, in order to calculate an accurate illuminance, the output voltage V0 (input voltage to the peak hold circuit 58) of the amplifier circuit 56 is V1 <V0 <V2.
It is necessary to set the amplification factor so that
【００７４】その際に、ＫｒＦの場合の１パルスあたり
の照射エネルギーと、ＡｒＦの場合の１パルスあたりの
照射エネルギーとは、異なることから、それぞれについ
て、出力電圧がＶ０程度になるように、ＫｒＦ用増幅率
ｇKrF とＡｒＦ用増幅率ｇArF とを決定する。これらの
ＫｒＦ用増幅率ｇKrF とＡｒＦ用増幅率ｇArF とが、図
１に示す増幅率記憶装置６４に記憶される。記憶させる
ための操作は、図１に示す入力装置７０をマニュアルで
操作することにより行っても良いし、入出力端子７２か
らデータを送信することにより記憶させても良い。At this time, since the irradiation energy per pulse in the case of KrF is different from the irradiation energy per pulse in the case of ArF, the KrF is set so that the output voltage is about V0 for each. The amplification factor for use gKrF and the amplification factor for ArF gArF are determined. These KrF amplification factors gKrF and ArF amplification factors gArF are stored in the amplification factor storage device 64 shown in FIG. The operation for storing may be performed by manually operating the input device 70 shown in FIG. 1, or may be stored by transmitting data from the input / output terminal 72.
【００７５】なお、ＫｒＦの場合の１パルスあたりの照
射エネルギーと、ＡｒＦの場合の１パルスあたりの照射
エネルギーとは、コンピュータの解析プログラムによる
シュミレーションにより求めても良いし、実測により求
めても良い。The irradiation energy per pulse in the case of KrF and the irradiation energy per pulse in the case of ArF may be obtained by simulation using a computer analysis program or by actual measurement.
【００７６】次に、図１に示す較正値記憶装置６６に記
憶すべきＫｒＦ用較正値とＡｒＦ用較正値との設定につ
いて説明する。これらの較正値を求めるための一方法と
しては、たとえば図６に示すように、まず、ＫｒＦレー
ザ装置７８を用い、同じレーザ装置７８から出射される
光を、同時に、反射率、及び透過率が既知のビームスプ
リッタ８０を介してＫｒＦ用基準照度計５０ａの光セン
サ５２ａと、較正すべきワーキング照度計５０の光セン
サ５２とに照射する。その際には、較正すべきワーキン
グ照度計５０の増幅回路５６で用いる増幅率は、ＫｒＦ
用増幅率となるように切換回路６８を用いて設定してお
く。次に、較正すべきワーキング照度計５０の照度計本
体５４の表示部で示す照度計の値が、ＫｒＦ用基準照度
計５０ａの照度計本体５４ａの表示部で示す値と同じ値
となるように、ビームスプリッタ８０の反射率、及び透
過率も用いてＫｒＦ用較正値を決定し、その決定された
ＫｒＦ用較正値を、ワーキング照度計５０中の図１に示
す較正値記憶装置６６に記憶させる。ＫｒＦ用較正値の
決定および記憶は、マニュアルで行っても良いが、基準
照度計５０ａとワーキング照度計５０とを直接または他
の機器を介して間接的に接続し、自動的に行うようにし
ても良い。Next, the setting of the KrF calibration value and the ArF calibration value to be stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. 1 will be described. As a method for obtaining these calibration values, for example, as shown in FIG. 6, first, a KrF laser device 78 is used, and light emitted from the same laser device 78 is simultaneously reflected and transmitted. The light is irradiated to the optical sensor 52a of the reference illuminometer 50a for KrF and the optical sensor 52 of the working illuminometer 50 to be calibrated via the known beam splitter 80. At this time, the amplification factor used in the amplification circuit 56 of the working illuminometer 50 to be calibrated is KrF
It is set using the switching circuit 68 so as to obtain the amplification factor for use. Next, the value of the illuminometer shown on the display of the illuminometer main body 54 of the working illuminometer 50 to be calibrated is the same as the value shown on the display of the illuminometer main body 54a of the KrF reference illuminometer 50a. The KrF calibration value is also determined using the reflectance and the transmittance of the beam splitter 80, and the determined KrF calibration value is stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. . The determination and storage of the KrF calibration value may be performed manually, but the reference illuminometer 50a and the working illuminometer 50 are connected directly or indirectly via other devices, and are automatically performed. Is also good.
【００７７】ＡｒＦ用較正値の決定および記憶は、図６
に示すレーザ装置７８をＡｒＦ用のものとすると共に、
基準照度計５０ａもＡｒＦ用のものと交換し、さらに、
較正すべきワーキング照度計の増幅回路５６で用いる増
幅率を、ＡｒＦ用増幅率となるように切換回路６８を用
いて設定しておき、前記と同様な操作を行えば良い。The determination and storage of the calibration value for ArF is shown in FIG.
The laser device 78 shown in FIG.
The reference illuminometer 50a was also replaced with one for ArF.
The amplification factor used in the amplification circuit 56 of the working illuminometer to be calibrated is set using the switching circuit 68 so as to become the amplification factor for ArF, and the same operation as described above may be performed.
【００７８】次に、このように構成されたワーキング照
度計５０の使用方法について説明する。図４に示すよう
に、各露光装置３０には、インテグレータセンサ２５や
照度むらセンサ２１などの光センサが装着してあり、正
確な照度（露光量）を検出するように、露光装置の出荷
前に較正してある。しかしながら、露光装置の長期間の
使用と共に、インテグレータセンサ２５や照度むらセン
サ２１などの光センサの再較正が必要となる場合があ
る。また、図３に示すように、製造ラインにおいては、
複数の露光装置３０ａ〜３０ｄを用いることが一般的で
あり、各露光装置３０ａ〜３０ｄ間の露光量をマッチン
グさせる必要がある。Next, a method of using the working illuminometer 50 configured as described above will be described. As shown in FIG. 4, each exposure apparatus 30 is equipped with an optical sensor such as an integrator sensor 25 or an uneven illuminance sensor 21 so that an accurate illuminance (exposure amount) is detected before shipment of the exposure apparatus. Has been calibrated. However, re-calibration of optical sensors such as the integrator sensor 25 and the illuminance unevenness sensor 21 may be required with the long-term use of the exposure apparatus. Further, as shown in FIG. 3, in the production line,
In general, a plurality of exposure devices 30a to 30d are used, and it is necessary to match the exposure amounts among the exposure devices 30a to 30d.
【００７９】このような場合において、ＫｒＦ露光装置
とＡｒＦ露光装置とが混在する場合には、従来では、Ｋ
ｒＦ用ワーキング照度計とＡｒＦ用ワーキング照度計と
の二種類の照度計が必要であった。本実施形態では、単
一のワーキング照度計５０を用い、図１に示す入力装置
７０または入出力端子７２からの選択信号に基づき、増
幅回路５６で用いる増幅率と、較正回路６２で用いる較
正値とを、ＫｒＦ用とＡｒＦ用とに切り換えて照度を計
測する。したがって、単一のワーキング照度計５０を用
いて、ＫｒＦ露光装置とＡｒＦ露光装置との双方の照度
を計測することができる。In such a case, when the KrF exposure apparatus and the ArF exposure apparatus are mixed, conventionally,
Two types of illuminometers, a working illuminometer for rF and a working illuminometer for ArF, were required. In the present embodiment, a single working illuminometer 50 is used, and based on a selection signal from the input device 70 or the input / output terminal 72 shown in FIG. 1, the amplification factor used in the amplification circuit 56 and the calibration value used in the calibration circuit 62 Are switched between KrF and ArF, and the illuminance is measured. Therefore, the illuminance of both the KrF exposure apparatus and the ArF exposure apparatus can be measured using a single working illuminometer 50.
【００８０】ワーキング照度計５０を用いて計測された
照度出力信号は、露光装置３０に装着してあるインテグ
レータセンサ２５や照度むらセンサ２１などの光センサ
の較正に用いたり、各露光装置３０ａ〜３０ｄ間の露光
量をマッチングさせたりすることに用いられる。The illuminance output signal measured by using the working illuminometer 50 is used for calibrating optical sensors such as the integrator sensor 25 and the illuminance unevenness sensor 21 mounted on the exposure device 30, and for each of the exposure devices 30a to 30d. It is used for matching the amount of exposure between them.
【００８１】なお、ワーキング照度計５０の長期間の使
用により、ワーキング照度計５０自体を再較正する必要
が生じた場合には、次に示す方法で行うことが好まし
い。すなわち、較正済みの複数の基準照度計を用いて、
ワーキング照度計５０を再較正することが好ましい。If the working illuminometer 50 needs to be recalibrated due to long-term use of the working illuminometer 50, the following method is preferably used. That is, using a plurality of calibrated reference illuminometers,
Preferably, the working luminometer 50 is recalibrated.
【００８２】まず、較正済みの複数（たとえば三つ）の
基準照度計を用いて、同一の露光装置の照度を測定す
る。較正済みの複数の基準照度計といえども、多少のば
らつきはあり、測定結果として、たとえばＩａ，Ｉｂ，
Ｉｃ（ｍＷ／ｃｍ2 ）程度にばらつく。その測定結果の
算術平均値を求め、基準照度平均値（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉ
ｃ）／３とする。First, the illuminance of the same exposure apparatus is measured using a plurality of (for example, three) calibrated reference illuminometers. Even with a plurality of calibrated reference illuminometers, there are some variations, and as a measurement result, for example, Ia, Ib,
It varies to about Ic (mW / cm 2 ). The arithmetic average value of the measurement results is obtained, and the reference illuminance average value (Ia + Ib + I
c) / 3.
【００８３】また、同一の露光装置の照度を、再較正す
べきワーキング照度計５０を用いて測定する。その測定
結果をＩｄとする。再較正に際しては、この再較正すべ
きワーキング照度計５０の照度測定結果Ｉｄが、前記の
基準照度平均値（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ）／３に近づくよう
に、予め設定された較正値Ｃｄを書き換える。すなわ
ち、図１に示す較正値記憶装置６６に記憶してある較正
値Ｃｄを書き換える。この操作を、測定すべき露光用照
明光の種類に応じて行う。本実施形態では、ＫｒＦとＡ
ｒＦとの二つの露光装置毎に行う。The illuminance of the same exposure apparatus is measured by using a working illuminometer 50 to be recalibrated. The measurement result is defined as Id. At the time of recalibration, the preset calibration value Cd is rewritten so that the illuminance measurement result Id of the working illuminometer 50 to be recalibrated approaches the reference illuminance average value (Ia + Ib + Ic) / 3. That is, the calibration value Cd stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. 1 is rewritten. This operation is performed according to the type of illumination light for exposure to be measured. In this embodiment, KrF and A
rF for each of two exposure apparatuses.
【００８４】このように複数の較正済みの基準照度計を
用いて、ワーキング照度計５０を再較正することで、単
一の基準照度計を用いて再較正する場合に比較して、ワ
ーキング照度計５０の再較正が正確になり、ワーキング
照度計５０の照度計測精度が向上する。なぜなら、基準
照度計自体が、多少なりとも絶対値誤差を持つからであ
る。したがって、較正済みの基準照度計の数が多いほ
ど、ワーキング照度計５０の再較正がより正確になり、
ワーキング照度計５０の照度計測精度がより向上する。By re-calibrating the working illuminometer 50 using a plurality of calibrated reference illuminometers as described above, the working illuminometer can be compared with a case where re-calibration is performed using a single reference illuminometer. The recalibration of the working illuminometer 50 becomes accurate, and the illuminance measuring accuracy of the working illuminometer 50 is improved. This is because the reference illuminometer itself has an absolute value error to some extent. Thus, the greater the number of calibrated reference illuminometers, the more accurate the recalibration of the working illuminometer 50,
The illuminance measurement accuracy of the working illuminometer 50 is further improved.
【００８５】なお、前述したワーキング照度計５０の再
較正方法は、ワーキング照度計でない照度計に対しても
適用することができると共に、再較正ではない最初の較
正にも適用することができる。The recalibration method of the working illuminometer 50 described above can be applied to an illuminometer that is not a working illuminometer, and can also be applied to an initial calibration that is not a recalibration.
【００８６】また、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified within the scope of the present invention.
【００８７】たとえば、図７に示すように、ＡｒＦエキ
シマレーザの照度を計測するための光センサ５２ｂとし
ては、光電変換素子８２をパッケージ８４で覆い、石英
ガラスなどで構成してある透明板８６と素子８２との間
に密封隙間８８を作り、その密封隙間８８内に流路９０
を通して窒素ガスなどの不活性ガスをパージするように
構成したものが使用される可能性もある。そのような場
合には、ＫｒＦ用光センサ５２とＡｒＦ用光センサ５２
ｂとを、共通の照度計本体５４に接続し、前記と同様に
して、増幅率と較正値とを切り換えて使用することがで
きる。または、ＫｒＦ用光センサ５２自体またはその受
光部のみを交換自在な構造とし、そのセンサまたは受光
部のみを、ＡｒＦ用光センサ５２ｂ自体またはその受光
部のみと交換し、前記と同様にして、増幅率と較正値と
を切り換えて使用することができる。このような場合で
も、照度計本体５４は、共通のものを使用することがで
きる。For example, as shown in FIG. 7, as an optical sensor 52b for measuring the illuminance of an ArF excimer laser, a photoelectric conversion element 82 is covered with a package 84, and a transparent plate 86 made of quartz glass or the like is used. A sealing gap 88 is formed between the device and the element 82, and a flow path 90 is formed in the sealing gap 88.
There is a possibility that an apparatus configured to purge an inert gas such as nitrogen gas through the apparatus may be used. In such a case, the KrF optical sensor 52 and the ArF optical sensor 52
b is connected to a common illuminometer main body 54, and the amplification factor and the calibration value can be switched and used in the same manner as described above. Alternatively, only the KrF optical sensor 52 itself or its light receiving unit is replaceable, and only the sensor or light receiving unit is replaced with the ArF optical sensor 52b itself or only its light receiving unit. The ratio and the calibration value can be switched and used. Even in such a case, a common illuminometer main body 54 can be used.
【００８８】また、前述した実施形態では、ＫｒＦ用と
ＡｒＦ用とで切り換えて使用することができる照度計に
ついて開示したが、これらの波長の組み合わせのみでな
く、その他の波長の組み合わせに対しても、本発明に係
る照度計を用いることができる。さらに、異なる波長の
組み合わせは、二つのみでなく、三つ以上であっても良
い。さらにまた、本発明に係る照度計は、波長が同じで
も、異なる入射エネルギー範囲を持つ露光用照明光の照
度を高精度で検出するために、入射エネルギー範囲で切
り換えて用いることもできる。Further, in the above-described embodiment, the illuminometer which can be used by switching between KrF and ArF is disclosed. However, not only the combination of these wavelengths but also the combination of other wavelengths is disclosed. The illuminometer according to the present invention can be used. Further, the combination of different wavelengths is not limited to two, and may be three or more. Furthermore, the illuminometer according to the present invention can be switched between incident energy ranges to detect the illuminance of the illumination light for exposure having different incident energy ranges with high accuracy even if the wavelength is the same.
【００８９】また、図１に示す本発明に係る照度計５０
の照度計本体５４を構成するブロック図を実現するため
の各回路または装置は、各機能を実現するためのハード
のみで構成されることなく、その一部または全てが、ソ
フトウェア・プログラムであっても良い。Further, the illuminometer 50 according to the present invention shown in FIG.
Each circuit or device for realizing the block diagram constituting the illuminometer main body 54 is not constituted only by hardware for realizing each function, and a part or all thereof is a software program. Is also good.
【００９０】また、上述した実施形態では、本発明に係
る照度計を、各露光装置に付随している光センサ（２
１、２５など）の較正を主として行うためのワーキング
照度計として用いたが、本発明は、これに限定されず、
各露光装置に付随している照度計自体とすることもでき
る。すなわち、従来の露光装置の製造の段階では、各露
光装置に装着すべき照度計は、露光装置の光源の波長毎
に別種類の照度計を準備する必要があった。しかし、本
発明に係る照度計を用いることで、単一種類の照度計
を、切り換えて設定して露光装置に取り付けることで、
照度計部品の共用化を図ることができる。Further, in the above-described embodiment, the illuminometer according to the present invention is provided with an optical sensor (2
1, 25, etc.) as a working illuminometer mainly for performing calibration, but the present invention is not limited to this.
The illuminometer itself associated with each exposure apparatus may be used. That is, at the stage of manufacturing the conventional exposure apparatus, it is necessary to prepare different types of illuminometers to be mounted on each exposure apparatus for each wavelength of the light source of the exposure apparatus. However, by using the illuminometer according to the present invention, a single type of illuminometer can be switched and set and attached to the exposure apparatus,
The illuminometer parts can be shared.
【００９１】さらにまた、上述した実施形態ではステッ
プ・アンド・スキャン方式の縮小投影型走査露光装置
（スキャニング・ステッパー）についての説明したが、
例えばレチクル１１とウエハ１４とを静止させた状態で
レチクルパターンの全面に露光用照明光を照射して、そ
のレチクルパターンが転写されるべきウエハ１４上の１
つの区画領域（ショット領域）を一括露光するステップ
・アップ・リピート方式の縮小投影型露光装置（ステッ
パー）、さらにはミラープロジェクション方式やプロキ
シミティ方式などの露光装置にも同様に、本発明に係る
照度計を適用することができる。なお、図４に示した投
影光学系１３はその全ての光学素子が屈折素子（レン
ズ）であるものとしたが、反射素子（ミラーなど）のみ
からなる光学系であってもよいし、あるいは屈折素子と
反射素子（凹面鏡、ミラーなど）とからなるカタディオ
プトリック光学系であってもよい。また、投影光学系１
３は縮小光学系に限られるものではなく、等倍光学系や
拡大光学系であってもよい。Further, in the above embodiment, the step-and-scan type reduced projection type scanning exposure apparatus (scanning stepper) has been described.
For example, while the reticle 11 and the wafer 14 are stationary, the entire surface of the reticle pattern is irradiated with illumination light for exposure, and the reticle pattern on the wafer 14 to which the reticle pattern is to be transferred.
The illuminance according to the present invention is similarly applied to a step-up / repeat type reduction projection type exposure apparatus (stepper) for simultaneously exposing two partitioned areas (shot areas), and further to an exposure apparatus such as a mirror projection type or a proximity type. A meter can be applied. Although all the optical elements of the projection optical system 13 shown in FIG. 4 are refraction elements (lenses), the projection optical system 13 may be an optical system including only reflection elements (mirrors or the like), or may be refraction elements. A catadioptric optical system including an element and a reflection element (concave mirror, mirror, etc.) may be used. Further, the projection optical system 1
Reference numeral 3 is not limited to a reduction optical system, and may be an equal-magnification optical system or an enlargement optical system.
【００９２】さらに、本発明に係る照度計は、光源とし
て軟Ｘ線領域に発振スペクトルを有するＥＵＶ（Ｅｘｔ
ｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を発生するＳＯ
Ｒ、またはレーザプラズマ光源等を用いた縮小投影型走
査露光装置、又はプロキシミティー方式のＸ線走査露光
装置にも適用可能である。Further, the illuminometer according to the present invention provides an EUV (Ext) having an oscillation spectrum in a soft X-ray region as a light source.
SO that generates reme Ultra Violet)
The present invention is also applicable to a reduced projection type scanning exposure apparatus using an R or laser plasma light source or the like, or a proximity type X-ray scanning exposure apparatus.
【００９３】[0093]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
露光装置用照度計、リソグラフィ・システムおよびマイ
クロデバイスの製造方法によれば、露光用照明光の条件
が異なる二種類以上の露光装置でも、同一の照度計を用
いて、正確に照度を測定することができる。その結果、
将来予想されるＫｒＦ露光装置とＡｒＦ露光装置とが併
用されるリソグラフィ・システムやマイクロデバイスの
製造ラインにおいて、各露光装置の照度の管理が容易に
なり、製造ラインの負担を軽減することができる。As described above, according to the illuminometer for an exposure apparatus, the lithography system, and the method for manufacturing a micro device according to the present invention, even if two or more types of exposure apparatuses having different conditions of the exposure illumination light are used. The illuminance can be accurately measured using the same illuminometer. as a result,
In a lithography system or a micro device manufacturing line in which a KrF exposure apparatus and an ArF exposure apparatus are expected to be used together in the future, it is easy to manage the illuminance of each exposure apparatus, and the load on the manufacturing line can be reduced.
【００９４】また、本発明に係る照度計の較正方法によ
れば、単一の基準照度計を用いて較正する場合に比較し
て、照度計の較正が正確になり、照度計の照度計測精度
が向上する。Further, according to the illuminometer calibration method according to the present invention, the illuminometer can be calibrated more accurately than when calibrating using a single reference illuminometer, and the illuminance measurement accuracy of the illuminometer can be improved. Is improved.
【図１】 図１は本発明の１実施形態に係る露光装置用
照度計の概略ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram of an illuminometer for an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図２は図１に示す照度計における主要回路の
特性を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing characteristics of a main circuit in the illuminometer shown in FIG.
【図３】 図３は複数の露光装置と照度計との関係を示
す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a relationship between a plurality of exposure apparatuses and an illuminometer.
【図４】 図４は露光装置の一例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of an exposure apparatus.
【図５】 図５は照度計のセンサ部が設置されるウエハ
ステージの概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view of a wafer stage on which a sensor unit of the illuminometer is installed.
【図６】 図６は照度計の構成方法の一例を示す概略図
である。FIG. 6 is a schematic view showing an example of a method of configuring an illuminometer.
【図７】 図７はセンサ部の他の例を示す要部断面図で
ある。FIG. 7 is a sectional view of a main part showing another example of the sensor unit.
１… 露光用光源 １１… レチクル（マスク） １３… 投影光学系 １４… ウエハ（基板） １７… ステージコントローラ ３０ａ〜３０ｄ… 露光装置 ５０… 照度計 ５０ａ… 基準照度計 ５２，５２ａ，５２ｂ… 光センサ ５４，５４ａ… 照度計本体 ５６… 増幅回路 ５８… ピークホールド回路 ６０… アナログ・デジタル変換回路 ６２… 較正回路 ６４… 増幅率記憶装置 ６６… 較正値記憶装置 ６８… 切換回路 ７０… 入力装置 ７２… 入出力端子 ７４… 表示装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Exposure light source 11 ... Reticle (mask) 13 ... Projection optical system 14 ... Wafer (substrate) 17 ... Stage controller 30a-30d ... Exposure apparatus 50 ... Illuminometer 50a ... Reference illuminometer 52, 52a, 52b ... Optical sensor 54 54a, illuminometer main body 56, amplifier circuit 58, peak hold circuit 60, analog-to-digital converter circuit 62, calibration circuit 64, amplification factor storage device 66, calibration value storage device 68, switching circuit 70, input device 72, input / output Terminal 74: Display device
Claims (11)
装置で使用され、前記基板上に入射する露光用照明光を
受光してその強度に応じた照度信号を出力する光センサ
と、前記照度信号を増幅する増幅回路と、前記増幅され
た照度信号を較正する較正回路とを有する照度計におい
て、 前記基板上での光特性が異なる露光用照明光に応じて、
前記増幅回路の増幅率と前記較正回路の較正値とを選択
的に切り換える切換回路を備えたことを特徴とする露光
装置用照度計。1. An optical sensor used in an exposure apparatus for transferring a pattern of a mask onto a substrate, receiving an illumination light for exposure incident on the substrate, and outputting an illuminance signal corresponding to the intensity of the illumination light, and an illuminance signal. In an illuminometer having an amplifying circuit for amplifying the illuminance signal and a calibration circuit for calibrating the amplified illuminance signal, according to exposure illumination light having different light characteristics on the substrate,
An illuminometer for an exposure apparatus, comprising: a switching circuit for selectively switching an amplification factor of the amplifier circuit and a calibration value of the calibration circuit.
正回路で用いる較正値とは、前記露光用照明光の波長お
よび／または入射エネルギー範囲毎に、予め設定してあ
ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置用照度
計。2. The amplification factor used in the amplification circuit and the calibration value used in the calibration circuit are set in advance for each wavelength and / or incident energy range of the exposure illumination light. An illuminometer for an exposure apparatus according to claim 1.
れぞれ使用される露光照明光の照度を計測するために、
前記露光装置毎の前記増幅率と前記較正値とを記憶する
記憶装置を有することを特徴とする請求項１に記載の露
光装置用照度計。3. The switching circuit according to claim 1, wherein the switching circuit is configured to measure illuminance of exposure illumination light used by each of the plurality of exposure apparatuses.
The illuminometer for an exposure apparatus according to claim 1, further comprising a storage device for storing the amplification factor and the calibration value for each of the exposure apparatuses.
強度範囲と波長域との少なくとも一方が異なる光源を有
することを特徴とする請求項３に記載の露光装置用照度
計。4. The illuminometer for an exposure apparatus according to claim 3, wherein each of the plurality of exposure apparatuses has a light source different in at least one of a light emission intensity range and a wavelength range.
ぞれ発振スペクトルを有する複数の露光用照明光を検出
可能な広帯域光センサであることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の露光装置用照度計。5. The optical sensor according to claim 1, wherein the optical sensor is a broadband optical sensor capable of detecting a plurality of exposure illumination lights each having an oscillation spectrum in a predetermined wavelength band.
The illuminometer for an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4.
に、少なくとも受光部が交換自在に装着されてなること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の露光装置
用照度計。6. The illuminometer for an exposure apparatus according to claim 1, wherein the light sensor has at least a light-receiving unit interchangeably mounted for each of the exposure illumination lights. .
装置に順次装着され、露光用照明光を受光してその強度
に応じた照度信号を出力する光センサと、前記照度信号
を増幅する増幅回路と、前記増幅された照度信号を較正
する較正回路とを有する照度計とを備えたリソグラフィ
・システムにおいて、 前記複数台の露光装置でそれぞれ使用される露光用照明
光の照度を計測するために、前記光センサで受光する露
光用照明光に応じて、前記増幅回路の増幅率と前記較正
回路の較正値とを選択的に切り換える切換回路を備えた
ことを特徴とするリソグラフィ・システム。7. A plurality of exposure apparatuses, an optical sensor sequentially mounted on the plurality of exposure apparatuses, receiving an illumination light for exposure and outputting an illuminance signal according to the intensity thereof, and amplifying the illuminance signal. A lithography system having an amplifying circuit for performing the illumination and a calibration circuit for calibrating the amplified illuminance signal, wherein the illuminance of exposure illumination light used in each of the plurality of exposure apparatuses is measured. A lithography system comprising: a switching circuit for selectively switching an amplification factor of the amplification circuit and a calibration value of the calibration circuit according to exposure illumination light received by the optical sensor.
入射する露光用照明光を受光してその強度に応じた照度
信号を出力する光センサと、前記照度信号を増幅する増
幅回路と、前記増幅された照度信号を較正する較正回路
とを有する照度計を較正する方法において、 前記光センサで受光する露光用照明光毎に設定される前
記較正回路の較正値を使ってその照度を決定するため
に、複数の基準照度計を用いて同一の光源から射出され
る照明光をそれぞれ検出して得られる基準照度の平均値
と、前記照度計を用いて前記照明光を検出して得られる
照度とがほぼ一致するように、前記露光用照明光毎の較
正値を変更することを特徴とする照度計の較正方法。8. An optical sensor that receives exposure illumination light incident on a substrate onto which a pattern of a mask is transferred and outputs an illuminance signal corresponding to the intensity of the illumination light, an amplification circuit that amplifies the illuminance signal, A calibration circuit for calibrating the amplified illuminance signal, wherein the illuminance is determined using a calibration value of the calibration circuit set for each exposure illumination light received by the optical sensor. Therefore, the average value of the reference illuminance obtained by detecting the illumination light emitted from the same light source using a plurality of reference illuminometers, and the illuminance obtained by detecting the illumination light using the illuminometer And a calibration value for each of the exposure illumination lights is changed such that the values substantially coincide with each other.
のパターンを重ね合わせて転写してマイクロデバイスを
製造する方法において、 前記複数台の露光装置のうち、前記基板に入射する露光
用照明光の波長と強度との少なくとも一方が異なる少な
くとも二台の露光装置でそれぞれ前記露光用照明光の照
度を同一の照度計を用いて計測するために、前記少なく
とも二台の露光装置にそれぞれ対応して前記照度計に設
定される計測パラメータを前記露光装置毎に切り換えて
使用し、前記露光装置毎に前記計測された照度を利用し
て前記パターンの転写時における前記基板の露光量を制
御することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。9. A method for manufacturing a micro device by superposing and transferring a plurality of patterns on a substrate by using a plurality of exposure apparatuses, the method comprising: In order to measure the illuminance of the illumination light for exposure using the same illuminometer with at least two exposure apparatuses different in at least one of the wavelength and the intensity of the illumination light, each corresponds to the at least two exposure apparatuses. The measurement parameters set in the illuminometer are switched and used for each exposure apparatus, and the exposure amount of the substrate at the time of transferring the pattern is controlled using the measured illuminance for each exposure apparatus. A method for manufacturing a micro device, comprising:
に前記露光用照明光の波長が異なり、前記露光用照明光
を受光する前記照度計の光センサの波長依存性に応じて
前記照度計に設定される前記光センサから出力される照
度信号の増幅率と、前記増幅された照度信号の較正値と
を、前記露光装置毎に切り換えることを特徴とする請求
項９に記載のマイクロデバイスの製造方法。10. The at least two exposure apparatuses have different wavelengths of the illumination light for exposure from each other, and are set to the illuminometer according to the wavelength dependence of an optical sensor of the illuminometer that receives the illumination light for exposure. The method according to claim 9, wherein an amplification factor of an illuminance signal output from the optical sensor and a calibration value of the amplified illuminance signal are switched for each exposure apparatus. .
記露光用照明光としてＫｒＦエキシマレーザを使用する
露光装置と、ＡｒＦエキシマレーザを使用する露光装置
とを含むことを特徴とする請求項９または１０に記載の
マイクロデバイスの製造方法。11. The exposure apparatus according to claim 9, wherein the at least two exposure apparatuses include an exposure apparatus using a KrF excimer laser as the exposure illumination light and an exposure apparatus using an ArF excimer laser. 11. The method for manufacturing a micro device according to item 10.
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