JPH11229132A - スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 - Google Patents
スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法Info
- Publication number
- JPH11229132A JPH11229132A JP3747898A JP3747898A JPH11229132A JP H11229132 A JPH11229132 A JP H11229132A JP 3747898 A JP3747898 A JP 3747898A JP 3747898 A JP3747898 A JP 3747898A JP H11229132 A JPH11229132 A JP H11229132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- target
- shield
- sputtering
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スパッタ時のウェハ膜中での膜の組成の変化を
防止する。 【解決手段】チャンバ２内に設けられたターゲット６
と、チャンバ２内にターゲット６と対向して設けられ、
ターゲット６からスパッタされたスパッタ粒子が堆積す
るウェハ４を載置するサセプタ２１と、スパッタ粒子が
チャンバ２内壁に到達するのを防止すべく設けられ、タ
ーゲット６と対向する領域では、ターゲット６から見て
ウェハ４間での距離よりも遠くなるように配置されたシ
ールド８，９ａ，９ｂからなり、シールド８，９ａ，９
ｂの表面の法線は、ウェハ４周縁部を向かないように形
成される。
防止する。 【解決手段】チャンバ２内に設けられたターゲット６
と、チャンバ２内にターゲット６と対向して設けられ、
ターゲット６からスパッタされたスパッタ粒子が堆積す
るウェハ４を載置するサセプタ２１と、スパッタ粒子が
チャンバ２内壁に到達するのを防止すべく設けられ、タ
ーゲット６と対向する領域では、ターゲット６から見て
ウェハ４間での距離よりも遠くなるように配置されたシ
ールド８，９ａ，９ｂからなり、シールド８，９ａ，９
ｂの表面の法線は、ウェハ４周縁部を向かないように形
成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタ成膜装置お
よびスパッタ成膜方法に係わり、特に均一性の高い成膜
を行うスパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法に関す
る。
よびスパッタ成膜方法に係わり、特に均一性の高い成膜
を行うスパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）
の一つであるスパッタ法は、広い面積において均一な膜
質と膜厚が得られ、膜厚制御性も優れ、入射粒子のエネ
ルギーも高い等の優位性により、半導体装置の配線等の
形成技術として広く普及している。また、放電によって
生成した不活性イオンを高融点の物質に衝撃させ、この
高融点の物質を気化させて成膜させる方法であるため、
絶縁性薄膜の作成にも多く用いられている。
の一つであるスパッタ法は、広い面積において均一な膜
質と膜厚が得られ、膜厚制御性も優れ、入射粒子のエネ
ルギーも高い等の優位性により、半導体装置の配線等の
形成技術として広く普及している。また、放電によって
生成した不活性イオンを高融点の物質に衝撃させ、この
高融点の物質を気化させて成膜させる方法であるため、
絶縁性薄膜の作成にも多く用いられている。
【０００３】従来、ＢＳＴ（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ）
やＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）等の高誘電体や強
誘電体はゾル・ゲル法や上記したスパッタ法により成膜
されている。スパッタ法で成膜する場合には、生産性の
点からＢＳＴやＰＺＴを焼結したターゲットをＡｒガス
でスパッタする。また、ＢＳＴやＰＺＴは絶縁体である
ため、一般にＲＦ（Radio Frequency ）スパッタ法が用
いられる。
やＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）等の高誘電体や強
誘電体はゾル・ゲル法や上記したスパッタ法により成膜
されている。スパッタ法で成膜する場合には、生産性の
点からＢＳＴやＰＺＴを焼結したターゲットをＡｒガス
でスパッタする。また、ＢＳＴやＰＺＴは絶縁体である
ため、一般にＲＦ（Radio Frequency ）スパッタ法が用
いられる。
【０００４】従来のスパッタ装置のチャンバ内の全体構
成を図２に示す。図２に示すように、真空ポンプ１から
なる排気系を設けたチャンバ（真空容器）２の内部に、
カソード３と、ターゲット物質を付着させるウェハ４が
載置される。カソード３は、バッキングプレート５と、
バッキングプレート５に張り付けられたターゲット６か
らなる。このバッキングプレート５にはＲＦ電源７によ
りＲＦ電力が供給される。
成を図２に示す。図２に示すように、真空ポンプ１から
なる排気系を設けたチャンバ（真空容器）２の内部に、
カソード３と、ターゲット物質を付着させるウェハ４が
載置される。カソード３は、バッキングプレート５と、
バッキングプレート５に張り付けられたターゲット６か
らなる。このバッキングプレート５にはＲＦ電源７によ
りＲＦ電力が供給される。
【０００５】一般にターゲット６表面付近は、チャンバ
２内壁への膜の付着を防止するためシールドで覆われ
る。図２では、シールドとしてアースシールド８，下部
シールド９，上部シールド１０が配置される場合を示
し、各々はチャンバ２を介して接地されている。
２内壁への膜の付着を防止するためシールドで覆われ
る。図２では、シールドとしてアースシールド８，下部
シールド９，上部シールド１０が配置される場合を示
し、各々はチャンバ２を介して接地されている。
【０００６】スパッタ時においてターゲット６表面は高
温となるため、冷却水導入口１１から冷却水が導入さ
れ、ターゲット６裏面を循環する。これにより、ターゲ
ット６が所定の温度に維持され、ターゲット６自体が溶
融するのを防止する。また、カソード３内部にはマグネ
ット１２が設けられる。このマグネット１２により、ウ
ェハ４及びターゲット６間における放電によって発生す
る電子を磁界によって回転運動させる。そして、ターゲ
ット６表面付近のプラズマ密度を高めて電離衝突の頻度
を高くすることによりスパッタ蒸着を高速化させる。
温となるため、冷却水導入口１１から冷却水が導入さ
れ、ターゲット６裏面を循環する。これにより、ターゲ
ット６が所定の温度に維持され、ターゲット６自体が溶
融するのを防止する。また、カソード３内部にはマグネ
ット１２が設けられる。このマグネット１２により、ウ
ェハ４及びターゲット６間における放電によって発生す
る電子を磁界によって回転運動させる。そして、ターゲ
ット６表面付近のプラズマ密度を高めて電離衝突の頻度
を高くすることによりスパッタ蒸着を高速化させる。
【０００７】ＲＦ電源７によりカソード３及びウェハ４
間にプラズマを発生させる。このプラズマ放電中、ガス
導入口１２から導入されたＡｒイオンはターゲット６表
面で生じる自己バイアスにより加速され、ターゲット６
を構成する物質をスパッタする。スパッタによりターゲ
ット６から発生したスパッタ粒子はウェハ４とシールド
８，９，１０に堆積する。これらシールド８，９，１０
への堆積と同時に、一部のＡｒイオンはウェハ４表面や
シールド８，９，１０に生じているシース電位に加速さ
れ、ウェハ４表面やシールド８，９，１０を衝撃し、そ
の表面に付着している膜を再スパッタする。また、この
イオン衝撃によりウェハ４やシールド８，９，１０の温
度も上昇する。
間にプラズマを発生させる。このプラズマ放電中、ガス
導入口１２から導入されたＡｒイオンはターゲット６表
面で生じる自己バイアスにより加速され、ターゲット６
を構成する物質をスパッタする。スパッタによりターゲ
ット６から発生したスパッタ粒子はウェハ４とシールド
８，９，１０に堆積する。これらシールド８，９，１０
への堆積と同時に、一部のＡｒイオンはウェハ４表面や
シールド８，９，１０に生じているシース電位に加速さ
れ、ウェハ４表面やシールド８，９，１０を衝撃し、そ
の表面に付着している膜を再スパッタする。また、この
イオン衝撃によりウェハ４やシールド８，９，１０の温
度も上昇する。
【０００８】ここで、ターゲット物質として例えばＰＺ
Ｔを用いた場合、ＰＺＴ中の構成元素であるＰｂは他の
ＺｒやＴｉなどに比較して蒸気圧が非常に高く、またス
パッタイールド、すなわちスパッタの効率が高いため、
その再スパッタ量、再蒸発量を制御することが非常に困
難である。すなわち、Ａｒイオンによる再スパッタやウ
ェハ４、シールド８，９，１０の加熱によりスパッタイ
ールド・蒸気圧の高いＰｂが優先的にエッチング（再蒸
発）されるため、ウェハ４上に堆積した膜の組成が変動
することとなる。例えばシールド８，９，１０での再ス
パッタが多い場合は再スパッタされたＰｂがシールド
８，９，１０からウェハ４ヘ付着するため、ウェハ４膜
中でのＰｂ組成は増加することとなる。
Ｔを用いた場合、ＰＺＴ中の構成元素であるＰｂは他の
ＺｒやＴｉなどに比較して蒸気圧が非常に高く、またス
パッタイールド、すなわちスパッタの効率が高いため、
その再スパッタ量、再蒸発量を制御することが非常に困
難である。すなわち、Ａｒイオンによる再スパッタやウ
ェハ４、シールド８，９，１０の加熱によりスパッタイ
ールド・蒸気圧の高いＰｂが優先的にエッチング（再蒸
発）されるため、ウェハ４上に堆積した膜の組成が変動
することとなる。例えばシールド８，９，１０での再ス
パッタが多い場合は再スパッタされたＰｂがシールド
８，９，１０からウェハ４ヘ付着するため、ウェハ４膜
中でのＰｂ組成は増加することとなる。
【０００９】さらにウェハ４とシールド８，９，１０と
の幾何学的配置によりウェハ４周辺部はウェハ４中央部
に比較してシールド８，９，１０から大きな影響を受け
るため、ウェハ４の半径方向に組成の分布を持つことと
なる。このようにターゲット組成とウェハ４上での膜組
成は、シールド８，９，１０からの影響を受けるため制
御することが困難である。
の幾何学的配置によりウェハ４周辺部はウェハ４中央部
に比較してシールド８，９，１０から大きな影響を受け
るため、ウェハ４の半径方向に組成の分布を持つことと
なる。このようにターゲット組成とウェハ４上での膜組
成は、シールド８，９，１０からの影響を受けるため制
御することが困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来のスパッタ成膜装置を用いたスパッタでは、ウェハや
シールドに付着している膜、特にスパッタイールド、蒸
気圧の高いターゲット物質が再蒸発したり、不活性イオ
ンにより再スパッタされることにより、他のターゲット
物質を構成するスパッタイールド、蒸気圧の低い構成元
素に比較してウェハに付着する比率が高くなり、これに
よりウェハに付着した膜の組成が変化する。
来のスパッタ成膜装置を用いたスパッタでは、ウェハや
シールドに付着している膜、特にスパッタイールド、蒸
気圧の高いターゲット物質が再蒸発したり、不活性イオ
ンにより再スパッタされることにより、他のターゲット
物質を構成するスパッタイールド、蒸気圧の低い構成元
素に比較してウェハに付着する比率が高くなり、これに
よりウェハに付着した膜の組成が変化する。
【００１１】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、ウェハ膜中での膜
組成の変化を防止するスパッタ成膜装置及びスパッタ成
膜方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、ウェハ膜中での膜
組成の変化を防止するスパッタ成膜装置及びスパッタ成
膜方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
スパッタ成膜装置は、真空容器内に設けられ、ターゲッ
トが配置されるターゲット電極と、前記真空容器内に前
記ターゲット電極と対向して設けられ、前記ターゲット
からスパッタされたスパッタ粒子が堆積するウェハを載
置するサセプタと、前記スパッタ粒子が前記真空容器内
壁に到達するのを防止すべく設けられ、前記ターゲット
と対向する領域では、前記ターゲット電極から見て前記
ウェハまでの距離よりも遠くなるように配置されたシー
ルドとを具備してなることを特徴とする。
スパッタ成膜装置は、真空容器内に設けられ、ターゲッ
トが配置されるターゲット電極と、前記真空容器内に前
記ターゲット電極と対向して設けられ、前記ターゲット
からスパッタされたスパッタ粒子が堆積するウェハを載
置するサセプタと、前記スパッタ粒子が前記真空容器内
壁に到達するのを防止すべく設けられ、前記ターゲット
と対向する領域では、前記ターゲット電極から見て前記
ウェハまでの距離よりも遠くなるように配置されたシー
ルドとを具備してなることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の請求項２に係るスパッタ成
膜装置は、真空容器内に設けられたターゲット電極と、
前記真空容器内に前記ターゲット電極と対向して設けら
れ、該ターゲット電極からスパッタされたスパッタ粒子
が堆積するウェハを載置するサセプタと、前記スパッタ
粒子が前記真空容器内壁に到達するのを防止すべく設け
られたシールドとを具備してなり、前記シールドの表面
の法線は、前記サセプタに載置されたウェハ周縁部を向
かないように形成されてなることを特徴とする。
膜装置は、真空容器内に設けられたターゲット電極と、
前記真空容器内に前記ターゲット電極と対向して設けら
れ、該ターゲット電極からスパッタされたスパッタ粒子
が堆積するウェハを載置するサセプタと、前記スパッタ
粒子が前記真空容器内壁に到達するのを防止すべく設け
られたシールドとを具備してなり、前記シールドの表面
の法線は、前記サセプタに載置されたウェハ周縁部を向
かないように形成されてなることを特徴とする。
【００１４】本発明の望ましい形態を以下に示す。 （１）シールドの表面には複数のフィンが設けられ、こ
れらフィンの表面の法線は、サセプタに載置されたウェ
ハ周縁部を向かないように形成される。 （２）シールドは二重円筒構造をなし、内円筒部と、内
円筒に対して同軸的に設けられた外円筒部と、内円筒と
外円筒の一方の端面を結ぶように設けられた円環状の底
部からなる。 （３）（２）において、シールド表面にフィンを設ける
ことによりスパッタ粒子付着面の法線方向を調整する。 （４）スパッタ成膜装置は、枚葉式である。 （５）ターゲットは、絶縁体である。 （６）ターゲットは、高誘電体又は強誘電体である。 （７）ターゲットには、Ｐｂ又はＢｉを含む。 （８）スパッタ成膜装置は、ＲＦ電力を使用する。 （９）スパッタ成膜装置は、ＤＣ電力とＲＦ電力の重畳
スパッタである。 （１０）サセプタには、ウェハを冷却する冷却機構が設
けられている。 （１１）サセプタは、冷却された静電チャック基台から
なる。 （１２）（１０）のウェハの冷却機構は、冷却された静
電チャック基台にウェハをチャックすることにより行わ
れる。
れらフィンの表面の法線は、サセプタに載置されたウェ
ハ周縁部を向かないように形成される。 （２）シールドは二重円筒構造をなし、内円筒部と、内
円筒に対して同軸的に設けられた外円筒部と、内円筒と
外円筒の一方の端面を結ぶように設けられた円環状の底
部からなる。 （３）（２）において、シールド表面にフィンを設ける
ことによりスパッタ粒子付着面の法線方向を調整する。 （４）スパッタ成膜装置は、枚葉式である。 （５）ターゲットは、絶縁体である。 （６）ターゲットは、高誘電体又は強誘電体である。 （７）ターゲットには、Ｐｂ又はＢｉを含む。 （８）スパッタ成膜装置は、ＲＦ電力を使用する。 （９）スパッタ成膜装置は、ＤＣ電力とＲＦ電力の重畳
スパッタである。 （１０）サセプタには、ウェハを冷却する冷却機構が設
けられている。 （１１）サセプタは、冷却された静電チャック基台から
なる。 （１２）（１０）のウェハの冷却機構は、冷却された静
電チャック基台にウェハをチャックすることにより行わ
れる。
【００１５】また、本発明の請求項４に係るスパッタ成
膜方法は、真空容器内でターゲットが配置されるターゲ
ット電極と該ターゲット電極に対向して設けられたウェ
ハとの間で加速した不活性ガスによるスパッタにより前
記ターゲットから離脱したスパッタ粒子を前記ウェハに
堆積するスパッタ成膜方法において、前記スパッタ粒子
が前記真空容器内壁に到達するのを防止すべく、前記真
空容器の内壁表面と前記ターゲット電極の前記ターゲッ
ト配置側表面の間の空間を前記ウェハとともに仕切るシ
ールドを前記真空容器内に設け、前記シールドは前記タ
ーゲットと対向する領域では、前記ターゲットから見て
前記ウェハまでの距離よりも遠くに配置し、かつ前記シ
ールドの表面の法線を前記ウェハ周縁部を向かないよう
にし、該シールドに付着して離脱した前記スパッタ粒子
がウェハに付着しないようにスパッタを行うことを特徴
とする。
膜方法は、真空容器内でターゲットが配置されるターゲ
ット電極と該ターゲット電極に対向して設けられたウェ
ハとの間で加速した不活性ガスによるスパッタにより前
記ターゲットから離脱したスパッタ粒子を前記ウェハに
堆積するスパッタ成膜方法において、前記スパッタ粒子
が前記真空容器内壁に到達するのを防止すべく、前記真
空容器の内壁表面と前記ターゲット電極の前記ターゲッ
ト配置側表面の間の空間を前記ウェハとともに仕切るシ
ールドを前記真空容器内に設け、前記シールドは前記タ
ーゲットと対向する領域では、前記ターゲットから見て
前記ウェハまでの距離よりも遠くに配置し、かつ前記シ
ールドの表面の法線を前記ウェハ周縁部を向かないよう
にし、該シールドに付着して離脱した前記スパッタ粒子
がウェハに付着しないようにスパッタを行うことを特徴
とする。
【００１６】（作用）本発明はターゲット電極とウェハ
が対向したスパッタ成膜装置において、ターゲット電極
とウェハの距離をウェハとシールドの距離より近くなる
ようにシールドを配置することにより、シールドから再
蒸発または再スパッタされたターゲット物質がウェハに
飛来しにくくなるため、ウェハ上に堆積した膜組成に対
して影響を与えない。即ちウェハ上に堆積する膜はター
ゲットからだけのものとなり、ターゲット物質の組成で
一意的に定まる。
が対向したスパッタ成膜装置において、ターゲット電極
とウェハの距離をウェハとシールドの距離より近くなる
ようにシールドを配置することにより、シールドから再
蒸発または再スパッタされたターゲット物質がウェハに
飛来しにくくなるため、ウェハ上に堆積した膜組成に対
して影響を与えない。即ちウェハ上に堆積する膜はター
ゲットからだけのものとなり、ターゲット物質の組成で
一意的に定まる。
【００１７】またシールド表面の法線がウェハ周縁部を
向かないようにすることによりシールド表面から再スパ
ッタされ、あるいは再蒸発した粒子は、ウェハの方向に
進行せずにウェハから見て真空容器内壁方向に放出され
る。従って、スパッタ粒子がウェハに再堆積することが
なく、ウェハ組成の変動が無くなり、面内の均一性も向
上する。
向かないようにすることによりシールド表面から再スパ
ッタされ、あるいは再蒸発した粒子は、ウェハの方向に
進行せずにウェハから見て真空容器内壁方向に放出され
る。従って、スパッタ粒子がウェハに再堆積することが
なく、ウェハ組成の変動が無くなり、面内の均一性も向
上する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に
係るスパッタ成膜装置の全体構成を示す横断面図であ
る。図１に示すように、真空ポンプ１からなる排気系及
びＡｒイオン等の不活性ガスを導入するガス導入口１２
を設けたチャンバ（真空容器）２の内部に、カソード３
とウェハ４を載置するサセプタ２１が対向して配置され
ている。カソード３は、バッキングプレート５と、バッ
キングプレート５に張り付けられたターゲット６からな
る。また、バッキングプレート５はＣｕ等の高い熱伝導
性の物質により構成されるため冷却効率が高く、このバ
ッキングプレート５に張り付けされたターゲット６を容
易に冷却可能である。このバッキングプレート５にはＲ
Ｆ電源７により１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力が供給され
る。
の一実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に
係るスパッタ成膜装置の全体構成を示す横断面図であ
る。図１に示すように、真空ポンプ１からなる排気系及
びＡｒイオン等の不活性ガスを導入するガス導入口１２
を設けたチャンバ（真空容器）２の内部に、カソード３
とウェハ４を載置するサセプタ２１が対向して配置され
ている。カソード３は、バッキングプレート５と、バッ
キングプレート５に張り付けられたターゲット６からな
る。また、バッキングプレート５はＣｕ等の高い熱伝導
性の物質により構成されるため冷却効率が高く、このバ
ッキングプレート５に張り付けされたターゲット６を容
易に冷却可能である。このバッキングプレート５にはＲ
Ｆ電源７により１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力が供給され
る。
【００１９】また、サセプタ２１の周縁部からターゲッ
ト６の周縁部にかけてシールド８，９ａ，９ｂが設けら
れている。これらシールド８，９ａ，９ｂは、チャンバ
２の内壁表面とターゲット６表面の間の空間をウェハ４
とともに仕切るように、ターゲット６の表面と所定の間
隔をおいて設けられ、スパッタ粒子がチャンバ２の内壁
へ付着するのを防止するもので、例えばＳＵＳ等のステ
ンレス部材により構成される。図１ではアースシールド
８，下部シールド９ａ，９ｂからなり、これら３つのシ
ールドによりターゲット６からスパッタされたスパッタ
粒子のうち、ウェハ４に付着せずに浮遊する粒子のチャ
ンバ２内壁への進行を完全に遮断する。また、シールド
８，９ａ，９ｂはチャンバ２を介して接地されており、
またウェハサセプタ２１も接地されている。これらシー
ルド８，９ａ，９ｂは成膜条件によりフローティング
（非接地）にしてもよい。
ト６の周縁部にかけてシールド８，９ａ，９ｂが設けら
れている。これらシールド８，９ａ，９ｂは、チャンバ
２の内壁表面とターゲット６表面の間の空間をウェハ４
とともに仕切るように、ターゲット６の表面と所定の間
隔をおいて設けられ、スパッタ粒子がチャンバ２の内壁
へ付着するのを防止するもので、例えばＳＵＳ等のステ
ンレス部材により構成される。図１ではアースシールド
８，下部シールド９ａ，９ｂからなり、これら３つのシ
ールドによりターゲット６からスパッタされたスパッタ
粒子のうち、ウェハ４に付着せずに浮遊する粒子のチャ
ンバ２内壁への進行を完全に遮断する。また、シールド
８，９ａ，９ｂはチャンバ２を介して接地されており、
またウェハサセプタ２１も接地されている。これらシー
ルド８，９ａ，９ｂは成膜条件によりフローティング
（非接地）にしてもよい。
【００２０】アースシールド８は、バッキングプレート
５表面のうち、ターゲット６以外の表面付近を覆うよう
に、ターゲット６の周縁部からバッキングプレート５の
側部にかけて設けられる。これにより、プラズマにより
加速された不活性ガスがバッキングプレート５をスパッ
タするのを防止する。
５表面のうち、ターゲット６以外の表面付近を覆うよう
に、ターゲット６の周縁部からバッキングプレート５の
側部にかけて設けられる。これにより、プラズマにより
加速された不活性ガスがバッキングプレート５をスパッ
タするのを防止する。
【００２１】下部シールド９ａは、ウェハ４に対して垂
直な面と、ウェハ４に対して水平な面、すなわちターゲ
ット６と対向する面から構成される。ウェハ４に対して
垂直な面は、ウェハ４の端部から１５０ｍｍ程度離れて
配置される。また、ウェハ４に対して水平な面はスパッ
タ粒子が最も多く付着する面であるため、成膜時におけ
るウェハ４の位置から１０ｍｍ程度下方に配置され、こ
れによりバッキングプレート５の側部からウェハ４の周
縁部直下まで覆われる構造となる。このように、スパッ
タ粒子が特に多く付着する下部シールド９ａのウェハ４
との位置関係は、ターゲット６から見てウェハ４までの
距離に比較して離れたところに位置する。
直な面と、ウェハ４に対して水平な面、すなわちターゲ
ット６と対向する面から構成される。ウェハ４に対して
垂直な面は、ウェハ４の端部から１５０ｍｍ程度離れて
配置される。また、ウェハ４に対して水平な面はスパッ
タ粒子が最も多く付着する面であるため、成膜時におけ
るウェハ４の位置から１０ｍｍ程度下方に配置され、こ
れによりバッキングプレート５の側部からウェハ４の周
縁部直下まで覆われる構造となる。このように、スパッ
タ粒子が特に多く付着する下部シールド９ａのウェハ４
との位置関係は、ターゲット６から見てウェハ４までの
距離に比較して離れたところに位置する。
【００２２】また、ウェハ４周縁部からその周縁部直下
までにかけて、ウェハ４に対して垂直な面をもった下部
シールド９ｂが設けられる。この下部シールド９ｂはサ
セプタ２１に固定されており、サセプタ２１とともに上
下動する。また、この下部シールド９ｂはスパッタ時に
下部シールド９ａとウェハ４周縁部直下で重なり合う。
従って、これら両シールド９ａ，９ｂによりスパッタ粒
子の進路を遮断することができる。
までにかけて、ウェハ４に対して垂直な面をもった下部
シールド９ｂが設けられる。この下部シールド９ｂはサ
セプタ２１に固定されており、サセプタ２１とともに上
下動する。また、この下部シールド９ｂはスパッタ時に
下部シールド９ａとウェハ４周縁部直下で重なり合う。
従って、これら両シールド９ａ，９ｂによりスパッタ粒
子の進路を遮断することができる。
【００２３】また、下部シールド９ａ表面には複数のフ
ィン２２が設けられる。このフィン２２はシールド８，
９ａ，９ｂと同じ材質、すなわちＳＵＳ等のステンレス
部材により構成される。また、フィン２２表面の法線
は、ウェハ４周縁部を向かないように設置角度が調整さ
れており、フィン２２表面はウェハ４から見てチャンバ
２内壁方向を向く。
ィン２２が設けられる。このフィン２２はシールド８，
９ａ，９ｂと同じ材質、すなわちＳＵＳ等のステンレス
部材により構成される。また、フィン２２表面の法線
は、ウェハ４周縁部を向かないように設置角度が調整さ
れており、フィン２２表面はウェハ４から見てチャンバ
２内壁方向を向く。
【００２４】ウェハ４のチャンバ２への搬出入はウェハ
サセプタ２１によりなされる。すなわち、サセプタ２１
が上下方向に沿って昇降移動し、図示しない搬送室から
の移載ロボットとウェハ４のやりとりを行う。成膜時は
ウェハ４を載置したサセプタ２１が上昇することによ
り、ウェハ４はターゲット６表面から３０ｍｍ離れたと
ころに位置する。
サセプタ２１によりなされる。すなわち、サセプタ２１
が上下方向に沿って昇降移動し、図示しない搬送室から
の移載ロボットとウェハ４のやりとりを行う。成膜時は
ウェハ４を載置したサセプタ２１が上昇することによ
り、ウェハ４はターゲット６表面から３０ｍｍ離れたと
ころに位置する。
【００２５】カソード３には冷却水導入口１１が設けら
れ、またバッキングプレート５内には冷却水導入口１１
から導入された冷却水を導入し、この冷却水をターゲッ
ト６裏面の全面を循環させる冷却水路２３が設けられ
る。ターゲット６表面はスパッタ時には高温となるた
め、この冷却水路２３によりターゲット６が所定の温度
に維持され、ターゲット６自体の溶融を防止することが
できる。
れ、またバッキングプレート５内には冷却水導入口１１
から導入された冷却水を導入し、この冷却水をターゲッ
ト６裏面の全面を循環させる冷却水路２３が設けられ
る。ターゲット６表面はスパッタ時には高温となるた
め、この冷却水路２３によりターゲット６が所定の温度
に維持され、ターゲット６自体の溶融を防止することが
できる。
【００２６】また、ウェハサセプタ２１は、発生したプ
ラズマによるウェハ４の温度上昇を防ぐため、冷却水導
入口２４が設けられ、この冷却水導入口２４から導入さ
れた冷却水により水冷された静電チャックを用いる。こ
の静電チャックによりウェハ４の高感度の温度制御が可
能となる。また、温度制御のみならず、サセプタ２１は
静電誘導によりウェハ４を吸着するため、ウェハ４全面
への成膜が可能となり、成膜の有効領域が増加する。ま
た、チャック部からのパーティクルの発生を防止でき
る。
ラズマによるウェハ４の温度上昇を防ぐため、冷却水導
入口２４が設けられ、この冷却水導入口２４から導入さ
れた冷却水により水冷された静電チャックを用いる。こ
の静電チャックによりウェハ４の高感度の温度制御が可
能となる。また、温度制御のみならず、サセプタ２１は
静電誘導によりウェハ４を吸着するため、ウェハ４全面
への成膜が可能となり、成膜の有効領域が増加する。ま
た、チャック部からのパーティクルの発生を防止でき
る。
【００２７】次に本実施形態に係るスパッタ成膜装置の
動作について説明する。図１に示すように、ＲＦ電源７
により陰極であるターゲット６にＲＦ電力が印加され
る。このＲＦ電力により、ターゲット６及び陽極である
ウェハ４間にプラズマが発生する。この両電極間にガス
導入口１２から導入されたＡｒイオン等の不活性ガスは
プラズマにより加速され、陰極側に置かれたターゲット
６に衝撃する。この衝撃により、ターゲット６表面から
飛び出したスパッタ粒子の大部分はターゲット６に対向
するウェハ４に堆積する。また、ウェハ４に進行しない
スパッタ粒子は、ウェハ４とターゲット６の間隙を通過
して横方向に拡散し、シールド８，９ａ，９ｂに到達し
てその表面に堆積する。
動作について説明する。図１に示すように、ＲＦ電源７
により陰極であるターゲット６にＲＦ電力が印加され
る。このＲＦ電力により、ターゲット６及び陽極である
ウェハ４間にプラズマが発生する。この両電極間にガス
導入口１２から導入されたＡｒイオン等の不活性ガスは
プラズマにより加速され、陰極側に置かれたターゲット
６に衝撃する。この衝撃により、ターゲット６表面から
飛び出したスパッタ粒子の大部分はターゲット６に対向
するウェハ４に堆積する。また、ウェハ４に進行しない
スパッタ粒子は、ウェハ４とターゲット６の間隙を通過
して横方向に拡散し、シールド８，９ａ，９ｂに到達し
てその表面に堆積する。
【００２８】例えばターゲット物質としてＰＺＴを用
い、シールド８，９ａ，９ｂに堆積した堆積物の構成元
素の中にスパッタイールドの高い元素や蒸気圧の高い元
素が含まれる場合（ここではＰＺＴ中のＰｂを用いて説
明する）、特に下部シールド９ａ上に堆積したＰＺＴ膜
中のＰｂは、不活性ガスにより優先的に再スパッタさ
れ、あるいは優先的に再蒸発し、この再スパッタ量、再
蒸発量は他の構成元素であるＺｒやＴｉに比較して多く
なる。
い、シールド８，９ａ，９ｂに堆積した堆積物の構成元
素の中にスパッタイールドの高い元素や蒸気圧の高い元
素が含まれる場合（ここではＰＺＴ中のＰｂを用いて説
明する）、特に下部シールド９ａ上に堆積したＰＺＴ膜
中のＰｂは、不活性ガスにより優先的に再スパッタさ
れ、あるいは優先的に再蒸発し、この再スパッタ量、再
蒸発量は他の構成元素であるＺｒやＴｉに比較して多く
なる。
【００２９】このためウェハ４上にはターゲット６から
飛来するＰＺＴ以外にシールド８，９ａ，９ｂから再ス
パッタされ、あるいは再蒸発したＰｂが飛来するが、ウ
ェハ４とターゲット６の距離に比較してウェハ４とシー
ルド８，９ａ，９ｂの距離が大きく離れているため、ウ
ェハ４はシールド８，９ａ，９ｂからの影響は受けな
い。従ってウェハ４の膜組成はターゲット物質の組成に
一致する。
飛来するＰＺＴ以外にシールド８，９ａ，９ｂから再ス
パッタされ、あるいは再蒸発したＰｂが飛来するが、ウ
ェハ４とターゲット６の距離に比較してウェハ４とシー
ルド８，９ａ，９ｂの距離が大きく離れているため、ウ
ェハ４はシールド８，９ａ，９ｂからの影響は受けな
い。従ってウェハ４の膜組成はターゲット物質の組成に
一致する。
【００３０】また、下部シールド９ａ表面には、表面の
法線がウェハ４周縁部を向かないようにフィン２２が設
けられていることにより、シールド９ａ表面からの再ス
パッタされた粒子が外方に放出されるためウェハ４に再
堆積しない。そのためウェハ４の組成の変動が無くな
る。
法線がウェハ４周縁部を向かないようにフィン２２が設
けられていることにより、シールド９ａ表面からの再ス
パッタされた粒子が外方に放出されるためウェハ４に再
堆積しない。そのためウェハ４の組成の変動が無くな
る。
【００３１】これらによりシールド８，９ａ，９ｂから
再蒸発したＰｂの大部分がウェハ４に飛来するのを防止
することができ、ウェハ４上の膜組成はターゲット組成
に一致する。
再蒸発したＰｂの大部分がウェハ４に飛来するのを防止
することができ、ウェハ４上の膜組成はターゲット組成
に一致する。
【００３２】次に、本実施形態に係るスパッタ成膜装置
を実際に用いて、強誘電体膜であるＰＺＴ膜の成膜を行
った例を説明する。下部電極であるサセプタ２１に、Ｔ
ｉが２０ｎｍ、さらにその上にＰｔが１７５ｎｍスパッ
タ成膜されたウェハ４を載置し、チャンバ２内に導入す
る。ウェハ４を導入した後、チャンバ２内を真空ポンプ
１により５×１０-6Ｐａまで真空引き、その後ガス導入
口１２からＡｒガスを６．６Ｐａ導入する。
を実際に用いて、強誘電体膜であるＰＺＴ膜の成膜を行
った例を説明する。下部電極であるサセプタ２１に、Ｔ
ｉが２０ｎｍ、さらにその上にＰｔが１７５ｎｍスパッ
タ成膜されたウェハ４を載置し、チャンバ２内に導入す
る。ウェハ４を導入した後、チャンバ２内を真空ポンプ
１により５×１０-6Ｐａまで真空引き、その後ガス導入
口１２からＡｒガスを６．６Ｐａ導入する。
【００３３】次いで、１．５ｋＷの高周波電力をＲＦ電
源７よりターゲット６に印加してＲＦプラズマを発生さ
せ、ＰＺＴからなるターゲット６をＡｒイオンによりス
パッタし、ＰＺＴ膜をウェハ４上に成膜する。この時ウ
ェハ４およびターゲット６の温度上昇を抑えるため、タ
ーゲット６およびウェハサセプタ２１に冷却水導入口１
１，２４より冷却水を導入し、水冷した。
源７よりターゲット６に印加してＲＦプラズマを発生さ
せ、ＰＺＴからなるターゲット６をＡｒイオンによりス
パッタし、ＰＺＴ膜をウェハ４上に成膜する。この時ウ
ェハ４およびターゲット６の温度上昇を抑えるため、タ
ーゲット６およびウェハサセプタ２１に冷却水導入口１
１，２４より冷却水を導入し、水冷した。
【００３４】成膜後のウェハの組成をＩＣＰ−ＭＳ（In
ductively Coupled Plasma Mass Spectrometry：誘導結
合高周波プラズマ質量）分析したところ、ウェハ面内で
均一なモル比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１が得られ、
このモル比はターゲット６の組成とほぼ同じになった。
複数のウェハ４上に成膜を続けていくとシールド８，９
ａ，９ｂの温度が徐々に上昇するが、ウェハ４から離れ
た場所に設けられているためシールド８，９ａ，９ｂか
らのＰｂの再蒸発や再スパッタによる影響は見られなか
った。
ductively Coupled Plasma Mass Spectrometry：誘導結
合高周波プラズマ質量）分析したところ、ウェハ面内で
均一なモル比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．１が得られ、
このモル比はターゲット６の組成とほぼ同じになった。
複数のウェハ４上に成膜を続けていくとシールド８，９
ａ，９ｂの温度が徐々に上昇するが、ウェハ４から離れ
た場所に設けられているためシールド８，９ａ，９ｂか
らのＰｂの再蒸発や再スパッタによる影響は見られなか
った。
【００３５】このように、ウェハ４とターゲット６間の
距離がシールド８，９ａ，９ｂとの距離よりも短いた
め、ターゲット６からスパッタ放出されたスパッタ粒子
の大部分がウェハ４に堆積する。シールド８，９ａ、９
ｂはウェハ４から離れているため、シールド８，９ａ，
９ｂから再スパッタ、再蒸発したターゲット物質がウェ
ハ４に到達できないため、ウェハ４に成長する膜はター
ゲット物質の組成そのものが転写される。これにより、
ウェハ４上の膜はターゲット物質の組成が定まることに
より一意的に決定される。
距離がシールド８，９ａ，９ｂとの距離よりも短いた
め、ターゲット６からスパッタ放出されたスパッタ粒子
の大部分がウェハ４に堆積する。シールド８，９ａ、９
ｂはウェハ４から離れているため、シールド８，９ａ，
９ｂから再スパッタ、再蒸発したターゲット物質がウェ
ハ４に到達できないため、ウェハ４に成長する膜はター
ゲット物質の組成そのものが転写される。これにより、
ウェハ４上の膜はターゲット物質の組成が定まることに
より一意的に決定される。
【００３６】また、ＲＦ電源７を加速電源として用いた
場合には特に大きな効果を奏する。すなわち、Ａｒイオ
ンのウェハ４へのスパッタ量が多いため、ターゲット６
を離脱するスパッタ粒子が多く、シールド８，９ａ，９
ｂにも多く堆積するからである。また、下部シールド９
ａ表面には、ウェハ４から見て表面の法線が外側を向く
ようにフィン２２が設けられているため、下部シールド
９ａ表面から再スパッタ、再蒸発されるターゲット物質
はウェハ４方向には飛び出さず、チャンバ２壁方向に向
かうため、ウェハ４上へ付着しなくなる。
場合には特に大きな効果を奏する。すなわち、Ａｒイオ
ンのウェハ４へのスパッタ量が多いため、ターゲット６
を離脱するスパッタ粒子が多く、シールド８，９ａ，９
ｂにも多く堆積するからである。また、下部シールド９
ａ表面には、ウェハ４から見て表面の法線が外側を向く
ようにフィン２２が設けられているため、下部シールド
９ａ表面から再スパッタ、再蒸発されるターゲット物質
はウェハ４方向には飛び出さず、チャンバ２壁方向に向
かうため、ウェハ４上へ付着しなくなる。
【００３７】さらに、ウェハ４とターゲット６は近接配
置されるためにウェハ４の温度が上昇するが、冷却水に
よりサセプタ２１が水冷されるため、ウェハ４の温度上
昇を防止することができる。また、冷却機構として静電
チャックを用いるため、高感度の温度制御が可能とな
る。
置されるためにウェハ４の温度が上昇するが、冷却水に
よりサセプタ２１が水冷されるため、ウェハ４の温度上
昇を防止することができる。また、冷却機構として静電
チャックを用いるため、高感度の温度制御が可能とな
る。
【００３８】なお、上記した実施形態においては絶縁性
のＰＺＴターゲットを用いたが、絶縁物でなくてもよ
く、ターゲット６中の酸素を減らして、導電度を高めた
ターゲット６を用いても良い。この場合、ＤＣ電力とＲ
Ｆ電力の重畳した電力でスパッタすることができ、成膜
速度を高くすることが可能となる。
のＰＺＴターゲットを用いたが、絶縁物でなくてもよ
く、ターゲット６中の酸素を減らして、導電度を高めた
ターゲット６を用いても良い。この場合、ＤＣ電力とＲ
Ｆ電力の重畳した電力でスパッタすることができ、成膜
速度を高くすることが可能となる。
【００３９】また、加速電源としてＲＦ電源を用いる場
合を示したが、ＲＦ電源のみを用いた場合のみならず、
ＤＣ電源とＲＦ電源の重畳スパッタ、ＤＣ電源のみによ
る加速電源であっても本発明の主旨を逸脱しない。ま
た、カソード３内部にマグネットを配置することによる
マグネトロンスパッタ方式にも適用可能である。また、
サセプタ２１により枚葉式にスパッタする場合を示した
が、バッチ式でも適用可能である。
合を示したが、ＲＦ電源のみを用いた場合のみならず、
ＤＣ電源とＲＦ電源の重畳スパッタ、ＤＣ電源のみによ
る加速電源であっても本発明の主旨を逸脱しない。ま
た、カソード３内部にマグネットを配置することによる
マグネトロンスパッタ方式にも適用可能である。また、
サセプタ２１により枚葉式にスパッタする場合を示した
が、バッチ式でも適用可能である。
【００４０】また、下部シールド９ａに複数のフィン２
２を設けて再スパッタされ、あるいは再蒸発したターゲ
ット物質が進行する方向を制御する場合を示したが、下
部シールド９ａ自体の表面の法線をウェハ４周縁部に向
けないことにより制御することもできる。すなわち、こ
の場合は下部シールド９ａの水平面の表面は、内側に対
して外側の表面を下にして傾けられ、また垂直面の表面
は下部にいくに従って広がるように傾けられるように配
置される。また、下部シールド９ｂもウェハ４に対して
垂直をなすように配置され、シールド９ｂ表面の法線が
水平方向をなす場合を示したが、そのように配置する必
要はなく、例えば下部シールド９ｂ表面から出た法線が
下方に傾くように配置することもできる。この場合、下
部シールド９ｂは下部にいくに従ってすぼまるように傾
けられる。また、下部シールド９ｂにもフィン２２を設
けることもできる。さらに、シールド９ａのターゲット
６と対向する領域をウェハ４よりもターゲット６から遠
くなるように配置する場合を示したが、そのように配置
せずに従来と同じ配置をとってもフィン２２を設けるこ
とにより本発明の効果を奏することは勿論である。
２を設けて再スパッタされ、あるいは再蒸発したターゲ
ット物質が進行する方向を制御する場合を示したが、下
部シールド９ａ自体の表面の法線をウェハ４周縁部に向
けないことにより制御することもできる。すなわち、こ
の場合は下部シールド９ａの水平面の表面は、内側に対
して外側の表面を下にして傾けられ、また垂直面の表面
は下部にいくに従って広がるように傾けられるように配
置される。また、下部シールド９ｂもウェハ４に対して
垂直をなすように配置され、シールド９ｂ表面の法線が
水平方向をなす場合を示したが、そのように配置する必
要はなく、例えば下部シールド９ｂ表面から出た法線が
下方に傾くように配置することもできる。この場合、下
部シールド９ｂは下部にいくに従ってすぼまるように傾
けられる。また、下部シールド９ｂにもフィン２２を設
けることもできる。さらに、シールド９ａのターゲット
６と対向する領域をウェハ４よりもターゲット６から遠
くなるように配置する場合を示したが、そのように配置
せずに従来と同じ配置をとってもフィン２２を設けるこ
とにより本発明の効果を奏することは勿論である。
【００４１】また、シールドはアースシールド８，下部
シールド９ａ，９ｂからなる構成を示したが、ウェハ４
方向以外に進行するスパッタ粒子の進路を遮断できるも
のであればよく、例えばアースシールド８と下部シール
ド９ａが一体化したものであってもよい。また、ウェハ
４を静電チャックにより固定する場合を示したが、メカ
ニカルチャックでも固定してもよい。
シールド９ａ，９ｂからなる構成を示したが、ウェハ４
方向以外に進行するスパッタ粒子の進路を遮断できるも
のであればよく、例えばアースシールド８と下部シール
ド９ａが一体化したものであってもよい。また、ウェハ
４を静電チャックにより固定する場合を示したが、メカ
ニカルチャックでも固定してもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハとターゲット電極間の距離をウェハとシールドとの
距離よりも近くすることによりシールドに堆積したター
ゲット物質が熱による再蒸発やイオン衝撃により再スパ
ッタされた場合でもウェハからの距離が遠いため、ウェ
ハに到達できない。従ってウェハに成長する膜はターゲ
ットから直接放出された物質のみになるため堆積膜組成
はターゲット組成そのものが転写され、ウェハの膜組成
の変化を防止することができる。
ェハとターゲット電極間の距離をウェハとシールドとの
距離よりも近くすることによりシールドに堆積したター
ゲット物質が熱による再蒸発やイオン衝撃により再スパ
ッタされた場合でもウェハからの距離が遠いため、ウェ
ハに到達できない。従ってウェハに成長する膜はターゲ
ットから直接放出された物質のみになるため堆積膜組成
はターゲット組成そのものが転写され、ウェハの膜組成
の変化を防止することができる。
【００４３】また、シールドの表面の法線は、サセプタ
に載置されたウェハ周縁部を向かないように形成される
ため、スパッタ粒子の付着面がウェハに対して外側に面
するような構造となり、付着面に付着した粒子のうち、
再スパッタされ、あるいは再蒸発した粒子はウェハ方向
には放出されない。これによりシールドからの再スパッ
タ、再蒸発の影響をなくすることができる。
に載置されたウェハ周縁部を向かないように形成される
ため、スパッタ粒子の付着面がウェハに対して外側に面
するような構造となり、付着面に付着した粒子のうち、
再スパッタされ、あるいは再蒸発した粒子はウェハ方向
には放出されない。これによりシールドからの再スパッ
タ、再蒸発の影響をなくすることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置の
全体構成を示す横断面図。
全体構成を示す横断面図。
【図２】従来のスパッタ成膜装置の詳細な構成を示す横
断面図。
断面図。
１ 真空ポンプ ２ チャンバ ３ カソード ４ ウェハ ５ バッキングプレート ６ ターゲット ７ ＲＦ電源 ８ アースシールド ９ａ，９ｂ 下部シールド １１，２４ 冷却水導入口 １２ ガス導入口 ２１ サセプタ ２２ フィン ２３ 冷却水路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｙ
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器内に設けられ、ターゲットが配
置されるターゲット電極と、 前記真空容器内に前記ターゲット電極と対向して設けら
れ、前記ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子が
堆積するウェハを載置するサセプタと、 前記スパッタ粒子が前記真空容器内壁に到達するのを防
止すべく設けられ、前記ターゲットと対向する領域で
は、前記ターゲットから見て前記ウェハまでの距離より
も遠くなるように配置されたシールドとを具備してなる
ことを特徴とするスパッタ成膜装置。 - 【請求項２】 真空容器内に設けられ、ターゲットが配
置されるターゲット電極と、 前記真空容器内に前記ターゲット電極と対向して設けら
れ、前記ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子が
堆積するウェハを載置するサセプタと、 前記スパッタ粒子が前記真空容器内壁に到達するのを防
止すべく設けられたシールドとを具備してなり、 前記シールドの表面の法線は、前記サセプタに載置され
たウェハ周縁部を向かないように形成されてなることを
特徴とするスパッタ成膜装置。 - 【請求項３】 前記サセプタには、前記ウェハを冷却す
る冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１
又は２記載のスパッタ成膜装置。 - 【請求項４】 真空容器内でターゲットが配置されるタ
ーゲット電極と該ターゲット電極に対向して設けられた
ウェハとの間で加速した不活性ガスによるスパッタによ
り前記ターゲットから離脱したスパッタ粒子を前記ウェ
ハに堆積するスパッタ成膜方法において、 前記スパッタ粒子が前記真空容器内壁に到達するのを防
止すべく、前記真空容器の内壁表面と前記ターゲット電
極の前記ターゲット配置側表面の間の空間を前記ウェハ
とともに仕切るシールドを前記真空容器内に設け、前記
シールドは前記ターゲットと対向する領域では、前記タ
ーゲットから見て前記ウェハまでの距離よりも遠くに配
置し、かつ前記シールドの表面の法線を前記ウェハ周縁
部を向かないようにし、該シールドに付着して離脱した
前記スパッタ粒子がウェハに付着しないようにスパッタ
を行うことを特徴とするスパッタ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3747898A JPH11229132A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3747898A JPH11229132A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11229132A true JPH11229132A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12498639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3747898A Abandoned JPH11229132A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11229132A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000355762A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-12-26 | Trikon Holdings Ltd | 析出装置 |
| JP2002080962A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP2002194540A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| US6495000B1 (en) * | 2001-07-16 | 2002-12-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for DC sputtering oxide films with a finned anode |
| US7158206B2 (en) * | 2002-12-30 | 2007-01-02 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Sputter for deposition of metal layer and fabricating method of liquid crystal display device using the same |
| JP2007317964A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009187682A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極の製造方法及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
| JP2009529789A (ja) * | 2006-03-09 | 2009-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低エネルギープラズマシステムを用いた高誘電率トランジスタゲートを製造するための方法及び装置 |
| JP2010043330A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、圧電膜、および、液体吐出装置 |
| JP2010513722A (ja) * | 2006-12-19 | 2010-04-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非接触型処理キット |
| WO2011077653A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 |
| WO2012046705A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | 株式会社アルバック | 誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法 |
| JP2012509988A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | オーシー オリコン バルザース エージー | 高周波スパッタリング装置 |
| JP2012513537A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | オーシー オリコン バルザース エージー | 高周波スパッタリング装置 |
| JP2014509351A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｒｆｐｖｄチャンバ用の均一性調整可能ｅｓｃ接地キット |
| US20180209027A1 (en) * | 2017-01-23 | 2018-07-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask for sputtering film formation and sputtering device |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP3747898A patent/JPH11229132A/ja not_active Abandoned
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4741053B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2011-08-03 | アビザ ヨーロッパ リミティド | 析出装置 |
| JP2000355762A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-12-26 | Trikon Holdings Ltd | 析出装置 |
| JP2002080962A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP4703828B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-06-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP4509369B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2010-07-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| JP2002194540A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| US6495000B1 (en) * | 2001-07-16 | 2002-12-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for DC sputtering oxide films with a finned anode |
| US7158206B2 (en) * | 2002-12-30 | 2007-01-02 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Sputter for deposition of metal layer and fabricating method of liquid crystal display device using the same |
| JP2009529789A (ja) * | 2006-03-09 | 2009-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低エネルギープラズマシステムを用いた高誘電率トランジスタゲートを製造するための方法及び装置 |
| JP2007317964A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2010513722A (ja) * | 2006-12-19 | 2010-04-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非接触型処理キット |
| JP2009187682A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | カソード電極の製造方法及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法 |
| JP2010043330A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、圧電膜、および、液体吐出装置 |
| US10224188B2 (en) | 2008-11-24 | 2019-03-05 | Evatec Ag | RF sputtering arrangement |
| JP2012509988A (ja) * | 2008-11-24 | 2012-04-26 | オーシー オリコン バルザース エージー | 高周波スパッタリング装置 |
| JP2012513537A (ja) * | 2008-12-23 | 2012-06-14 | オーシー オリコン バルザース エージー | 高周波スパッタリング装置 |
| WO2011077653A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子デバイスの製造方法、およびスパッタリング装置 |
| US8992743B2 (en) | 2009-12-25 | 2015-03-31 | Canon Anelva Corporation | Sputtering method and sputtering apparatus |
| CN103140601A (zh) * | 2010-10-06 | 2013-06-05 | 株式会社爱发科 | 电介质成膜装置和电介质成膜方法 |
| US9593409B2 (en) | 2010-10-06 | 2017-03-14 | Ulvac, Inc. | Dielectric film forming apparatus and method for forming dielectric film |
| WO2012046705A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | 株式会社アルバック | 誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法 |
| JP2014509351A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｒｆｐｖｄチャンバ用の均一性調整可能ｅｓｃ接地キット |
| TWI582824B (zh) * | 2011-02-09 | 2017-05-11 | 應用材料股份有限公司 | 處理腔室及用於處理基材之方法 |
| US20180209027A1 (en) * | 2017-01-23 | 2018-07-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask for sputtering film formation and sputtering device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3775689B2 (ja) | 材料をイオン化スパッタリングする方法と装置 | |
| CN102439697B (zh) | 高压rf-dc溅射及改善此工艺的膜均匀性和阶梯覆盖率的方法 | |
| US6197165B1 (en) | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition | |
| US5800688A (en) | Apparatus for ionized sputtering | |
| JPH11229132A (ja) | スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法 | |
| US20070012558A1 (en) | Magnetron sputtering system for large-area substrates | |
| US6258217B1 (en) | Rotating magnet array and sputter source | |
| JPH0151542B2 (ja) | ||
| JP2000144399A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3737363B2 (ja) | 不均一性補償を伴う表面の物理的気相処理 | |
| US11114289B2 (en) | Non-disappearing anode for use with dielectric deposition | |
| JPH10229058A (ja) | コーティング付き堆積チャンバ装置 | |
| EP3880862B1 (en) | Tilted magnetron in a pvd sputtering deposition chamber | |
| US6620298B1 (en) | Magnetron sputtering method and apparatus | |
| US20210140033A1 (en) | Sputtering Apparatus | |
| WO2000003055A1 (en) | Shield for ionized physical vapor deposition apparatus | |
| US20140110248A1 (en) | Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material | |
| TWI801632B (zh) | 用於電漿處理腔室的處理套件、用於ｒｆｐｖｄ腔室的處理套件、及ｐｖｄ腔室 | |
| US20170178875A1 (en) | Insulator target | |
| JPH11315376A (ja) | イオン化スパッタリング装置 | |
| JPS59229480A (ja) | スパツタリング装置 | |
| TWI840426B (zh) | Pvd濺射沉積腔室中的傾斜磁控管 | |
| JPH01116068A (ja) | バイアススパッタ装置 | |
| TW202013431A (zh) | 用於半導體處理室中的磁控管組件的方法及裝置 | |
| JPH10130832A (ja) | 低圧遠隔スパッタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040511 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20040712 |