JPH11223943A - Resist pattern forming method - Google Patents

Resist pattern forming method

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JPH11223943A
JPH11223943A JP3976298A JP3976298A JPH11223943A JP H11223943 A JPH11223943 A JP H11223943A JP 3976298 A JP3976298 A JP 3976298A JP 3976298 A JP3976298 A JP 3976298A JP H11223943 A JPH11223943 A JP H11223943A
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resin composition
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meth
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英治 高坂
Hiroaki Sato
弘章 佐藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist pattern forming method superior in adhesion with a substrate and in resistance to foaming and etching and capable of forming a resist pattern in a short time and in a high yield. SOLUTION: A photosensitive resin composition contains (a) a polymer having carboxy groups, (b) an ethylenically unsaturated compound containing a compound represented by the formula in an amount of 50-100 weight % of the total (b) component, (c) a lophine dimer in an amount of 0.5-6.0 weight % of (a)+(b), (d) a photopolymerization initiator in an amount of 0.1-10 weight % of (a)+(b), and (e) a leuco dye in an amount of 0.1-3.0 of (a)+(b). The resist pattern is formed by coating a metal surface with this resin composition to form a photosensitive layer and exposing and developing it and irradiating it with activated rays after the development. In the formula, each of R1 and R2 is, independently, an H atom or a 1-3C alkyl group, and (n) is an integer of 4-20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板及
びリードフレーム等の金属加工をする際のレジストパタ
ーン形成方法に関し、更に詳しくは、感度、密着性、抑
泡性に優れ、レジストの密着不足によるエッチングでの
導体のかけ、染み込みのない耐エッチング性に優れたレ
ジストパターン形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a resist pattern in metal working of a printed wiring board, a lead frame, and the like. The present invention relates to a method of forming a resist pattern which is excellent in etching resistance without a conductor being sunk or permeated by etching.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、プリント配線板等の製造には感光
性樹脂を用いたフォトレジスト法が用いられる。このフ
ォトレジスト法に用いられるドライフィルムレジストは
ほとんどがアルカリ現像型であり、露光した後は未露光
部分を炭酸ナトリウム等のアルカリ液で現像すること
で、感光性樹脂組成物中のカルボン酸基がカルボン酸塩
となり水溶性になり、未露光部分が取り除かれ、レジス
ト画像を形成する。このように形成されたレジスト画像
を保護マスクとし、公知のエッチング処理又はパターン
めっき処理を行った後、レジスト剥離して印刷回路基板
を製造することができる。
2. Description of the Related Art In recent years, a photoresist method using a photosensitive resin has been used for manufacturing a printed wiring board and the like. Most dry film resists used in the photoresist method are of an alkali developing type. After exposure, unexposed portions are developed with an alkali solution such as sodium carbonate to reduce carboxylic acid groups in the photosensitive resin composition. It becomes a carboxylate and becomes water-soluble, the unexposed portions are removed, and a resist image is formed. Using the resist image thus formed as a protective mask, a known etching process or pattern plating process is performed, and then the resist is peeled off to manufacture a printed circuit board.

【0003】しかしながら、42アロイ(鉄−ニッケル
合金)、ステンレス等に代表されるような、銅以外の金
属基板にアルカリ現像型ドライフィルムレジストを用い
てパターン形成を行った場合には、上記金属基板とレジ
ストの密着性が低いために、エッチング時にレジスト下
部までエッチングされる現象(もぐり現象)やレジスト
の剥離現象が発生し、製品の歩留まり低下という問題を
起こしていた。かかる解決策として、特開平8−220
776号公報では、アルカリ水溶液現像型ドライフィル
ムレジストを用いた金属基板の加工方法として金属基板
にドライフィルムレジストを積層して露光、現像し、現
像終了後に遠赤外線により金属基板上のレジストを熱処
理することを提案している。又、特開平8−32826
6号公報では、露光、現像した後、活性光線を照射する
ことを提案している。
However, when a pattern is formed on a metal substrate other than copper, such as a 42 alloy (iron-nickel alloy) and stainless steel, using an alkali-developing dry film resist, the metal substrate The low adhesion between the resist and the resist causes a phenomenon (etching phenomenon) of etching to the lower part of the resist during etching and a phenomenon of peeling of the resist, thereby causing a problem of a reduction in product yield. As such a solution, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-220
No. 776 discloses a method of processing a metal substrate using an alkaline aqueous solution-developed dry film resist, laminating a dry film resist on the metal substrate, exposing and developing, and after the development is completed, heat-treating the resist on the metal substrate by far infrared rays. Propose that. Also, JP-A-8-32826
Japanese Patent Publication No. 6 proposes irradiating an actinic ray after exposure and development.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報開示技術では、ドライフィルムレジストが通常一般に
用いられるアルカリ現像型のものであり、最近の技術の
高度化、ファイン化を考慮するとまだまだ満足のいくも
のではなく、かかるレジストについても更なる改良が望
まれるのである。即ち、42アロイ(鉄−ニッケル合
金)やステンレス等の銅以外の金属基板を用いた場合で
も基板とレジストの密着性、抑泡性に優れ、導体への染
み込みがないといったもぐり現象や導体のかけが生じな
い耐エッチング性に優れるレジストパターンを短時間か
つ高い歩留まりで行うことができる方法が求められてい
る。
However, in the technology disclosed in the above-mentioned publication, the dry film resist is of an alkali developing type which is generally used, and it is still unsatisfactory in consideration of the recent advancement and refinement of technology. Instead, further improvement is desired for such resists. That is, even when a metal substrate other than copper, such as 42 alloy (iron-nickel alloy) or stainless steel, is used, the adhesiveness between the substrate and the resist is excellent, the foam is suppressed, and the conductor is not penetrated. There is a demand for a method capable of performing a resist pattern having excellent etching resistance in a short time and with a high yield.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】しかるに本発明者はかか
る課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、(a)カル
ボキシル基含有ポリマー、(b)エチレン性不飽和化合
物、(c)ロフィン二量体、(d)光重合開始剤、
(e)ロイコ染料を含有してなる感光性樹脂組成物にお
いて、(b)成分として下記式で示される化合物を
(b)成分全体に対して50〜100重量%含有し、更
に(a)成分と(b)成分の合計100重量部に対して
(c)成分を0.5〜6.0重量部、(d)成分を0.
1〜10重量部、(e)成分を0.1〜3.0重量部含
有してなる感光性樹脂組成物(F)層を金属基板表面に
形成して、露光、現像し、現像終了後に活性光線を照射
するレジストパターン形成方法が、上記目的に合致する
ことを見出し本発明を完成するに至った。
The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, (a) a carboxyl group-containing polymer, (b) an ethylenically unsaturated compound, and (c) a rofin dimer Body, (d) a photopolymerization initiator,
(E) In a photosensitive resin composition containing a leuco dye, a compound represented by the following formula as a component (b) is contained in an amount of 50 to 100% by weight based on the whole component (b), and further a component (a). Component (c) is added in an amount of 0.5 to 6.0 parts by weight, and component (d) is added in an amount of 0.5 to 6.0 parts by weight based on a total of 100 parts by weight of component (b).
A photosensitive resin composition (F) layer containing 1 to 10 parts by weight and 0.1 to 3.0 parts by weight of the component (e) is formed on the surface of the metal substrate, exposed and developed, and after the development is completed. The inventors have found that a method of forming a resist pattern by irradiating actinic rays meets the above-mentioned object, and have completed the present invention.

【0006】[0006]

【化3】 (ここで、R1、R2は炭素数1〜3のアルキル基又は水
素で、それらは同一であってもよいし、互いに異なって
いてもよい。nは4〜20の整数である。)
Embedded image (Here, R 1 and R 2 are an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or hydrogen, which may be the same or different from each other. N is an integer of 4 to 20.)

【0007】本発明では、上記感光性樹脂組成物(F)
層を少なくとも1層とするドライフィルムレジストとし
て用いることも好ましい。本発明では、上記(c)ロフ
ィン二量体がトリフェニルビイミダゾール類であると
き、更には(d)光重合開始剤として、下記式で示さ
れる化合物を用いるとき、本発明の効果を顕著に発揮す
る。
In the present invention, the photosensitive resin composition (F)
It is also preferable to use it as a dry film resist having at least one layer. In the present invention, when the (c) lophine dimer is a triphenylbiimidazole, and further when (d) a compound represented by the following formula is used as a photopolymerization initiator, the effect of the present invention is markedly improved. Demonstrate.

【0008】[0008]

【化4】 (ここで、R3、R4は水素又はアルキル基で、それらは
同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。)
Embedded image (Here, R 3 and R 4 are hydrogen or an alkyl group, which may be the same or different from each other.)

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明の感光性樹脂組成物(F)は、(a)カ
ルボキシル基含有ポリマー、(b)エチレン性不飽和化
合物、(c)ロフィン二量体、(d)光重合開始剤、
(e)ロイコ染料を含有してなる樹脂組成物であり、
(a)カルボキシル基含有ポリマーとしては、(メタ)
アクリル酸エステルを主成分とし、これにエチレン性不
飽和カルボン酸を共重合したアクリル系共重合体が好適
に用いられるが、更には必要に応じ他の共重合可能なモ
ノマーを共重合したアクリル系共重合体とすることも可
能である。この場合の各成分の含有量は(メタ)アクリ
ル酸エステル成分が70〜85重量%、好ましくは75
〜82重量%、エチレン性不飽和カルボン酸成分が15
〜30重量%、好ましくは18〜25重量%、他の共重
合可能なモノマー成分が0〜15重量%とすることが多
い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described specifically. The photosensitive resin composition (F) of the present invention comprises (a) a carboxyl group-containing polymer, (b) an ethylenically unsaturated compound, (c) a lophine dimer, (d) a photopolymerization initiator,
(E) a resin composition containing a leuco dye,
(A) As the carboxyl group-containing polymer, (meth)
Acrylic copolymers containing acrylic acid ester as a main component and copolymerized with an ethylenically unsaturated carboxylic acid are preferably used, and further, acrylic copolymers obtained by copolymerizing other copolymerizable monomers as necessary. It is also possible to use a copolymer. In this case, the content of each component is such that the (meth) acrylate component is 70 to 85% by weight, preferably 75% by weight.
To 82% by weight, and the amount of the ethylenically unsaturated carboxylic acid component is 15
-30% by weight, preferably 18-25% by weight, and the other copolymerizable monomer component is often 0-15% by weight.

【0010】ここで(メタ)アクリル酸エステルとして
は、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アク
リレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メ
タ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、2
−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシ
ル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレー
ト、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ヒド
ロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピ
ル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレ
ート等が例示される。
Here, the (meth) acrylate includes methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate,
-Ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, and the like. You.

【0011】エチレン性不飽和カルボン酸としては、例
えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノ
カルボン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、
フマール酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいは
それらの無水物やハーフエステルも用いることができ
る。これらの中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に
好ましい。
As the ethylenically unsaturated carboxylic acid, for example, monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid are preferably used.
Dicarboxylic acids such as fumaric acid and itaconic acid, or anhydrides and half esters thereof can also be used. Of these, acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferred.

【0012】他の共重合可能なモノマーとしては、例え
ばテトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ジメ
チルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミ
ノエチル(メタ)アクリレート、グリシジルメタクリレ
ート、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリ
レート、(メタ)アクリルアミド、2,2,3,3−テ
トラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、アクリル
アミド、ジアセトンアクリルアミド、スチレン、α−メ
チルスチレン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、アルキル
ビニルエーテル、(メタ)アクリロニトリル等が挙げら
れる。
Other copolymerizable monomers include, for example, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (meth) acrylate, glycidyl methacrylate, 2,2,2-trifluoroethyl ( (Meth) acrylate, (meth) acrylamide, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, acrylamide, diacetone acrylamide, styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, vinyl acetate, alkyl vinyl ether, (meth) Acrylonitrile and the like can be mentioned.

【0013】かくして得られる(a)カルボキシル基含
有ポリマーには、上記以外に、ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を併用
することもできる。又、該カルボキシル基含有ポリマー
の重量平均分子量は10000〜300000、好まし
くは10000〜150000、更に好ましくは300
00〜100000の範囲のものが好ましく、分子量が
10000未満ではコールドフローを起こし易く、逆に
300000を越えると現像されにくく、解像度の低下
を招いたり、レジスト剥離時の剥離性に劣ることとな
る。
In addition to the above, a polyester resin, a polyamide resin, a polyurethane resin, an epoxy resin and the like can be used in combination with the carboxyl group-containing polymer (a) thus obtained. The carboxyl group-containing polymer has a weight average molecular weight of 10,000 to 300,000, preferably 10,000 to 150,000, more preferably 300 to 300,000.
When the molecular weight is less than 10,000, cold flow is liable to occur. Conversely, when the molecular weight exceeds 300,000, development is difficult, resulting in a decrease in resolution and poor peelability at the time of resist peeling.

【0014】(b)エチレン性不飽和化合物としては、
エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレ
ングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレン
グリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリ
コールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコール
ジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メ
タ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)
アクリレート、1,6−ヘキサングリコールジ(メタ)
アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アク
リレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリ
レート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、ペンタエ
リスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリ
トールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトー
ルペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサ(メタ)アクリレート、2,2−ビス(4−ア
クリロキシジエトキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(4−(メタ)アクリロキポリエトキシフェニル)プ
ロパン、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイルオ
キシプロピルアクリレート、エチレングリコールジグリ
シジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジエチレング
リコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレー
ト、1,6−ヘキサメチルジグリシジルエーテルジ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシ
ジルエーテルトリ(メタ)アクリレート、ビスフェノー
ルAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、フ
タル酸ジグリシジルエステルジ(メタ)アクリレート、
グリセリンポリグリシジルエーテルポリ(メタ)アクリ
レート等の多官能モノマーが挙げられるが、本発明では
上記式で示される化合物を用いることが必要であり、
(b)成分全体に対して50〜100重量%、好ましく
は70〜100重量%含有することが必要である。かか
る含有量が50重量%未満では耐エッチング性が低下
し、エッチング液の染み込みの原因となり好ましくな
い。該式で示される化合物としては、具体的にはポリ
プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレン
グリコールジメタクリレート等が挙げられ、nが4〜2
0、好ましくは4〜17のものがよい。
(B) As the ethylenically unsaturated compound,
Ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl Glycol di (meta)
Acrylate, 1,6-hexane glycol di (meth)
Acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate , Dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 2,2-bis (4-acryloxydiethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4- (meth) acryloxypolyethoxy) Phenyl) propane, 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxypropyl acrylate, ethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diethylene glycol diglyci Di (meth) acrylate, 1,6-hexamethyldiglycidyl ether di (meth) acrylate, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth) acrylate, diglycidyl phthalate diester (Meth) acrylate,
Examples include polyfunctional monomers such as glycerin polyglycidyl ether poly (meth) acrylate. In the present invention, it is necessary to use a compound represented by the above formula,
It is necessary to contain 50 to 100% by weight, preferably 70 to 100% by weight, based on the whole component (b). If the content is less than 50% by weight, the etching resistance is lowered, and the etching solution is soaked, which is not preferable. Specific examples of the compound represented by the formula include polypropylene glycol diacrylate and polypropylene glycol dimethacrylate, wherein n is 4 to 2.
0, preferably 4-17.

【0015】これらの多官能モノマーと共に単官能モノ
マーを適当量併用することもでき、そのような単官能モ
ノマーの例としては、2−ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ
ート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2
−フェノキシ−2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリ
レート、2−(メタ)アクリロイルオキシ−2−ヒドロ
キシプロピルフタレート、3−クロロ−2−ヒドロキシ
プロピル(メタ)アクリレート、グリセリンモノ(メ
タ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイルオキシエ
チルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ
(メタ)アクリレート、N−メチロール(メタ)アクリ
ルアミド、ノニルフェノキシポリエチレングリコールア
クリレート等が挙げられる。
An appropriate amount of a monofunctional monomer may be used in combination with these polyfunctional monomers. Examples of such a monofunctional monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 2
-Phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxy-2-hydroxypropylphthalate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, 2- (meth) A) acryloyloxyethyl acid phosphate, phthalic acid derivative half (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide, nonylphenoxy polyethylene glycol acrylate, and the like.

【0016】上記(b)エチレン性不飽和化合物の配合
割合は、(a)カルボキシル基含有ポリマー及び(b)
エチレン性不飽和化合物の総重量に対して5〜90重量
%、好ましくは20〜80重量%、特に好ましくは40
〜60重量%の範囲から選ぶことが望ましい。(b)エ
チレン性不飽和化合物の過少は、硬化不良、可塑性の低
下、現像速度の遅延を招き、(b)エチレン性不飽和化
合物の過多は、粘着性の増大、コールドフロー、硬化レ
ジストの剥離速度低下を招き好ましくない。
The mixing ratio of (b) the ethylenically unsaturated compound is as follows: (a) a carboxyl group-containing polymer and (b)
5-90% by weight, preferably 20-80% by weight, particularly preferably 40% by weight, based on the total weight of the ethylenically unsaturated compound.
It is desirable to select from the range of 6060% by weight. (B) An insufficient amount of the ethylenically unsaturated compound causes poor curing, reduced plasticity, and a delay in the development speed. (B) An excessive amount of the ethylenically unsaturated compound causes an increase in tackiness, cold flow, and peeling of the cured resist. It is not preferable because the speed is reduced.

【0017】(c)ロフィン二量体としては、例えばト
リフェニルビイミダゾール類、特に、2−(o−クロロ
フェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、
2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキ
シフェニル)−4,5−(m−メトキシフェニル)イミ
ダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,
5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキ
シフェニル)4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、
2,4−(p−メトキシフェニル)−5−フェニルイミ
ダゾール二量体、2−(o−エトキシフェニル)4,5
−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4−ジ(p−エ
トキシフェニル)−5−フェニルイミダゾール二量体等
が挙げられ、中でも2−(o−クロロフェニル)−4,
5−ジフェニルイミダゾール二量体が好適に用いられ
る。
(C) Examples of the lophine dimer include triphenylbiimidazoles, especially 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer,
2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) -4,5- (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,
5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) 4,5-diphenylimidazole dimer,
2,4- (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (o-ethoxyphenyl) 4,5
-Diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-ethoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer and the like, among which 2- (o-chlorophenyl) -4,
5-Diphenylimidazole dimer is preferably used.

【0018】かかる(c)ロフィン二量体の配合割合
は、(a)カルボキシル基含有ポリマーと(b)エチレ
ン性不飽和化合物の合計100重量部に対して0.5〜
6.0重量部、好ましくは0.5〜4.0重量部、更に
好ましくは1.0〜3.0重量部配合することが必要で
ある。該配合割合が0.5重量部未満ではレジストの硬
化不足や感度の低下を招くことになり、6.0重量部を
越えると現像スカムの析出や保存安定性の低下となり好
ましくない。特に(c)ロフィン二量体の中でもトリフ
ェニルビイミダゾール類を(a)カルボキシル基含有ポ
リマーと(b)エチレン性不飽和化合物の合計100重
量部に対して0.5〜6.0重量部、好ましくは0.5
〜4.0重量部含有することが好ましい。
The compounding ratio of the (c) lophine dimer is 0.5 to 0.5 parts per 100 parts by weight of the total of (a) the carboxyl group-containing polymer and (b) the ethylenically unsaturated compound.
6.0 parts by weight, preferably 0.5 to 4.0 parts by weight, and more preferably 1.0 to 3.0 parts by weight. If the compounding ratio is less than 0.5 part by weight, insufficient curing of the resist or a decrease in sensitivity is caused, and if it exceeds 6.0 parts by weight, precipitation of development scum and a decrease in storage stability are not preferred. In particular, among (c) lophine dimers, triphenylbiimidazoles are used in an amount of 0.5 to 6.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of (a) the carboxyl group-containing polymer and (b) the ethylenically unsaturated compound. Preferably 0.5
It is preferred that the content be contained in an amount of about 4.0 parts by weight.

【0019】(d)光重合開始剤としては、上記式で
示される化合物、N,N′−テトラアルキル−4,4′
−ジアミノベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、ベンゾインn−ブチルエーテ
ル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジフェニル
ジスルフィド、ジベンジル、ジアセチル、アントラキノ
ン、ナフトキノン、3,3′−ジメチル−4−メトキシ
ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、p,p′−ビス(ジ
メチルアミノ)ベンゾフェノン、p,p′−ビス(ジエ
チルアミノ)ベンゾフェノン、ピバロインエチルエーテ
ル、1,1−ジクロロアセトフェノン、p−t−ブチル
ジクロロアセトフェノン、2−クロロチオキサントン、
2−メチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサ
ントン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−
ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジ
クロロ−4−フェノキシアセトフェノン、フェニルグリ
オキシレート、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ジ
ベゾスパロン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2
−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパノン、2−メチ
ル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリ
ノ−1−プロパノン、トリブロモフェニルスルホン、ト
リブロモメチルフェニルスルホン、N−フェニルグリシ
ン等が例示され、これらは単独又は2種以上を組み合わ
せて用いられるが、本発明では少なくとも上記式で示
される化合物を含有させることが好ましい。
(D) As the photopolymerization initiator, a compound represented by the above formula, N, N'-tetraalkyl-4,4 '
-Diaminobenzophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin n-butyl ether, benzoin phenyl ether, benzyl diphenyl disulfide, dibenzyl, diacetyl, anthraquinone, naphthoquinone, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone Benzophenone, p, p'-bis (dimethylamino) benzophenone, p, p'-bis (diethylamino) benzophenone, pivaloin ethyl ether, 1,1-dichloroacetophenone, pt-butyldichloroacetophenone, 2-chloro Thioxanthone,
2-methylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-
Dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-dichloro-4-phenoxyacetophenone, phenylglyoxylate, α-hydroxyisobutylphenone, dibezosparone, 1- (4-isopropylphenyl) -2
-Hydroxy-2-methyl-1-propanone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, tribromophenylsulfone, tribromomethylphenylsulfone, N-phenylglycine and the like are exemplified. These are used alone or in combination of two or more. In the present invention, it is preferable to contain at least the compound represented by the above formula.

【0020】かかる(d)光重合開始剤の配合割合は、
(a)カルボキシル基含有ポリマーと(b)エチレン性
不飽和化合物の合計100重量部に対して0.1〜10
重量部、好ましくは1.0〜8.0重量部、より好まし
くは2.0〜5.0重量部配合することが必要である。
該配合割合が0.1重量部未満では感度が低く実用性に
乏しく、10重量部を越えると密着性が低下し、現像時
のレジスト剥がれの原因となり好ましくない。
The mixing ratio of the (d) photopolymerization initiator is as follows:
0.1 to 10 based on a total of 100 parts by weight of (a) the carboxyl group-containing polymer and (b) the ethylenically unsaturated compound.
Parts by weight, preferably 1.0 to 8.0 parts by weight, more preferably 2.0 to 5.0 parts by weight.
If the compounding ratio is less than 0.1 part by weight, the sensitivity is low and the practicality is poor. If the compounding ratio exceeds 10 parts by weight, the adhesiveness is reduced and the resist peels off during development, which is not preferable.

【0021】(e)ロイコ染料としては、例えばトリス
(4−ジメチルアミノフェニル)メタン[ロイコクリス
タルバイオレット]、トリス(4−ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)メタン、ロイコマラカイトグリー
ン、ロイコアニリン、ロイコメチルバイオレット等が挙
げられる。かかる(e)ロイコ染料の配合割合は(a)
カルボキシル基含有ポリマーと(b)エチレン性不飽和
化合物の合計100重量部に対して0.1〜3.0重量
部、好ましくは0.1〜2.0重量部配合することが必
要である。該配合割合が0.1重量部未満では感度が低
下し、露光後のコントラストが低くなり、3.0重量部
を越えると密着力の低下となり好ましくない。
(E) Examples of leuco dyes include tris (4-dimethylaminophenyl) methane [leuco crystal violet] and tris (4-diethylamino-2).
-Methylphenyl) methane, leucomalachite green, leucoaniline, leucomethyl violet and the like. The mixing ratio of the (e) leuco dye is (a)
It is necessary to add 0.1 to 3.0 parts by weight, preferably 0.1 to 2.0 parts by weight, per 100 parts by weight of the total of the carboxyl group-containing polymer and (b) the ethylenically unsaturated compound. If the compounding ratio is less than 0.1 part by weight, the sensitivity is lowered, and the contrast after exposure is low. If the compounding ratio is more than 3.0 parts by weight, the adhesion is undesirably reduced.

【0022】本発明で用いる感光性樹脂組成物(F)に
は、上記(a)、(b)、(c)、(d)、(e)を必
須成分とするが、必要に応じて熱重合禁止剤、可塑剤、
ロイコ染料以外の染料(色素、変色剤)、密着付与剤、
酸化防止剤、溶剤、表面張力改質剤、安定剤、連鎖移動
剤、消泡剤、難燃剤、等の添加剤を適宜添加することが
できる。
The photosensitive resin composition (F) used in the present invention contains the above (a), (b), (c), (d) and (e) as essential components. Polymerization inhibitors, plasticizers,
Dyes other than leuco dyes (pigments, discoloring agents), adhesion promoters,
Additives such as antioxidants, solvents, surface tension modifiers, stabilizers, chain transfer agents, defoamers, flame retardants and the like can be added as appropriate.

【0023】例えば、熱重合禁止剤は感光性樹脂組成物
の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加す
るもので、p−メトキシフェノール、ヒドロキノン、t
−ブチルカテコール、ピロガロール、2−ヒドロキシベ
ンゾフェノン、4−メトキシ−2−ヒドロキシベンゾフ
ェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナ
フチルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチ
ル−p−クレゾール、ニトロベンゼン、ピクリン酸、p
−トルイジン等が挙げられる。
For example, a thermal polymerization inhibitor is added for preventing thermal polymerization or polymerization with time of the photosensitive resin composition, and includes p-methoxyphenol, hydroquinone, t
-Butylcatechol, pyrogallol, 2-hydroxybenzophenone, 4-methoxy-2-hydroxybenzophenone, cuprous chloride, phenothiazine, chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-t-butyl-p-cresol, nitrobenzene , Picric acid, p
-Toluidine and the like.

【0024】可塑剤は膜物性をコントロールするために
添加するもので、例えばジブチルフタレート、ジヘプチ
ルフタレート、ジオクチルフタレート、ジアリルフタレ
ート等のフタル酸エステル類;トリエチレングリコール
ジアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート
等のグリコールエステル類;トリクレジルホスフェー
ト、トリフェニルホスフェート等のリン酸エステル類;
p−トルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミ
ド、N−n−ブチルアセトアミド等のアミド類;ジイソ
ブチルアジペート、ジオクチルアジペート、ジメチルセ
バケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレート等
の脂肪族二塩基酸エステル類;クエン酸トリエチル、ク
エン酸トリブチル、グリセリントリアセチルエステル、
ラウリン酸ブチル、4,5−ジエポキシシクロヘキサン
−1,2−ジカルボン酸ジオクチル、ポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール等のグリコール類、
アセチルクエン酸トリn−ブチル、アセチルクエン酸ト
リエチル等が挙げられる。
The plasticizer is added to control the physical properties of the film. Examples of the plasticizer include phthalic acid esters such as dibutyl phthalate, diheptyl phthalate, dioctyl phthalate and diallyl phthalate; triethylene glycol diacetate, tetraethylene glycol diacetate and the like. Glycol esters; phosphate esters such as tricresyl phosphate and triphenyl phosphate;
Amides such as p-toluenesulfonamide, benzenesulfonamide, Nn-butylacetamide; aliphatic dibasic acid esters such as diisobutyl adipate, dioctyl adipate, dimethyl sebacate, dioctyl azelate, dibutyl malate; citric acid Triethyl, tributyl citrate, glycerin triacetyl ester,
Glycols such as butyl laurate, dioctyl 4,5-diepoxycyclohexane-1,2-dicarboxylate, polyethylene glycol and polypropylene glycol,
Tri-n-butyl acetylcitrate, triethyl acetylcitrate and the like can be mentioned.

【0025】色素としては、上記感光性樹脂組成物
(イ)で使用するロイコ染料以外に、例えば、ブリリア
ントグリーン、エオシン、メチルバイオレット、エチル
バイオレット、エチレンバイオレット、エリスロシン
B、メチルグリーン、クリスタルバイオレット、ベイシ
ックフクシン、フェノールフタレイン、1,3−ジフェ
ニルトリアジン、アリザリンレッドS、チモールフタレ
イン、メチルバイオレット2B、キナルジンレッド、ロ
ーズベンガル、メタニルイエロー、チモールスルホフタ
レイン、キシレノールブルー、メチルオレンジ、オレン
ジIV、ジフェニルチオカルバゾン、2,7−ジクロロフ
ルオレセイン、パラメチルレッド、コンゴーレッド、ベ
ンゾプルプリン4B、α−ナフチルレッド、ナイルブル
ーA、フェナセタリン、マラカイトグリーン、マラカイ
トグリーンレイク、パテントブルー、パラフクシン、オ
イルブルー#603、ビクトリアピュアブルーBOH、
スピロンブルーGN、ローダミン6G、ローズアニリン
等である。中でもマラカイトグリーン、ブリリアントグ
リーンを0.01〜0.5重量%、好ましくは0.01
〜0.3重量%含有することが好ましい。
As the coloring matter, in addition to the leuco dye used in the photosensitive resin composition (a), for example, brilliant green, eosin, methyl violet, ethyl violet, ethylene violet, erythrosin B, methyl green, crystal violet, basic Fuchsin, phenolphthalein, 1,3-diphenyltriazine, alizarin red S, thymolphthalein, methyl violet 2B, quinaldine red, rose bengal, methanil yellow, thymol sulfophthalein, xylenol blue, methyl orange, orange IV, Diphenylthiocarbazone, 2,7-dichlorofluorescein, paramethyl red, congo red, benzopurpurine 4B, α-naphthyl red, nile blue A, phenacetaline, Rakite Green, Malachite Green Lake, Patent Blue, Parafuchsin, Oil Blue # 603, Victoria Pure Blue BOH,
Spiron Blue GN, Rhodamine 6G, Roseaniline and the like. Among them, malachite green and brilliant green are contained in an amount of 0.01 to 0.5% by weight, preferably 0.01 to 0.5% by weight.
Preferably, it is contained in an amount of up to 0.3% by weight.

【0026】変色剤は、露光により可視像を与えること
ができるように感光性樹脂組成物中に添加され、具体例
として前記色素の他にジフェニルアミン、ジベンジルア
ニリン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン、ジフ
ェニル−p−フェニレンジアミン、p−トルイジン、
4、4′−ビフェニルジアミン、o−クロロアニリン、
等が挙げられる。
The color-changing agent is added to the photosensitive resin composition so that a visible image can be given by exposure, and specific examples thereof include diphenylamine, dibenzylaniline, triphenylamine, diethylaniline, Diphenyl-p-phenylenediamine, p-toluidine,
4,4'-biphenyldiamine, o-chloroaniline,
And the like.

【0027】密着促進剤としては、例えばベンズイミダ
ゾール、ベンズチアゾール、ベンズオキソゾール、ベン
ズトリアゾール、2−メルカプトベンズチアゾール、2
−メルカプトベンズイミダゾール、4−ベンゾトリアゾ
ールカルボン酸、5−ベンゾトリアゾールカルボン酸、
ビス(N,N−2−エチルヘキシルアミノメチル)−
1,2,3−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
Examples of the adhesion promoter include benzimidazole, benzthiazole, benzoxozole, benztriazole, 2-mercaptobenzthiazole,
-Mercaptobenzimidazole, 4-benzotriazolecarboxylic acid, 5-benzotriazolecarboxylic acid,
Bis (N, N-2-ethylhexylaminomethyl)-
1,2,3-benzotriazole and the like.

【0028】本発明において使用され得る感光性樹脂組
成物(F)は普通、積層構造のフォトレジストフィルム
として用いられる。該フォトレジストフィルムは、本発
明の感光性樹脂組成物(F)を少なくとも1層とするも
のであり、支持体フィルム、感光性樹脂組成物(F)層
及び必要に応じて保護フィルムを順次積層したもので、
例えば、支持体フィルム/感光性樹脂組成物(F)(/
保護フィルム)の層構成が挙げられる。
The photosensitive resin composition (F) which can be used in the present invention is usually used as a photoresist film having a laminated structure. The photoresist film has at least one layer of the photosensitive resin composition (F) of the present invention, and a support film, a layer of the photosensitive resin composition (F), and a protective film as required. What did
For example, support film / photosensitive resin composition (F) (/
Protective film).

【0029】本発明に用いられる支持体フィルムは、感
光性樹脂組成物(F)層を形成する際の耐熱性及び耐溶
剤性を有するものである。前記支持体フィルムの具体例
としては、例えばポリエステルフィルム、ポリイミドフ
ィルム、ポリビニルアルコールフィルム、アルミニウム
箔などが挙げられるが、本発明はかかる例示のみに限定
されるものではない。なお、前記支持体フィルムの厚さ
は、該フィルムの材質によって異なるので一概には決定
することができず、通常該フィルムの機械的強度などに
応じて適宜調整されるが通常は3〜50μm程度であ
る。
The support film used in the present invention has heat resistance and solvent resistance when forming the photosensitive resin composition (F) layer. Specific examples of the support film include, for example, a polyester film, a polyimide film, a polyvinyl alcohol film, and an aluminum foil, but the present invention is not limited to these examples. The thickness of the support film varies depending on the material of the film, and thus cannot be determined unconditionally. Usually, the thickness is appropriately adjusted depending on the mechanical strength of the film, but is usually about 3 to 50 μm. It is.

【0030】前記感光性樹脂組成物(F)層の厚さは、
あまりにも小さい場合には塗工、乾燥する際に、被膜が
不均一になったり、ピンホールが生じやすくなり、又あ
まりにも大きい場合には、露光感度が低下し、現像速度
が遅くなるため、通常5〜300μm、なかんずく7〜
50μmであることが好ましい。
The thickness of the photosensitive resin composition (F) layer is as follows:
If it is too small, the coating becomes uneven when coating and drying, or pinholes are likely to occur.If it is too large, the exposure sensitivity decreases and the development speed decreases, Usually 5-300 μm, especially 7-
It is preferably 50 μm.

【0031】本発明に用いられる保護フィルムは、フォ
トレジストフィルムをロール状にして用いる場合に、粘
着性を有する感光性樹脂組成物(F)層が支持体フィル
ムに転着したり、感光性樹脂組成物(F)層に壁などが
付着するのを防止する目的で感光性樹脂組成物(F)層
に積層して用いられる。かかる保護フィルムとしては、
例えばポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、
ポリプロピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィル
ム、テフロンフィルムなどが挙げられるが、本発明はか
かる例示のみに限定されるものではない。なお、該保護
フィルムの厚さについては特に限定はなく、通常10〜
50μm、なかんずく10〜30μmであればよい。
When the protective film used in the present invention is used in the form of a roll of a photoresist film, the photosensitive resin composition (F) layer having adhesiveness may be transferred to a support film, or the photosensitive resin composition may be used. It is used by being laminated on the photosensitive resin composition (F) layer for the purpose of preventing a wall or the like from adhering to the composition (F) layer. As such a protective film,
For example, polyester film, polyethylene film,
Examples thereof include a polypropylene film, a polyvinyl alcohol film, and a Teflon film, but the present invention is not limited to such examples. The thickness of the protective film is not particularly limited, and is usually 10 to
It may be 50 μm, especially 10 to 30 μm.

【0032】上記の感光性樹脂組成物(F)を用いたド
ライフィルムレジストは、例えば、上記の感光性樹脂組
成物(F)をポリエステルフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリスチレンフィルム、ポリビニルアルコール
系フィルムなどの支持体フィルム面に塗工した後、必要
に応じてその塗工面の上からポリエチレンフィルム等の
保護フィルムを被覆してドライフィルムレジストとして
製造される。ドライフィルムレジスト以外の用途として
は、本発明の感光性樹脂組成物(F)を、ディップコー
ト法、フローコート法、スクリーン印刷法等の常法によ
り、加工すべき(42アロイ)基板上に直接塗工し、厚
さ1〜150μmの感光層を容易に形成することもでき
る。塗工時に、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート、シクロヘキ
サン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、1,1,1−
トリクロルエタン等の溶剤を添加することもできる。
The dry film resist using the above-mentioned photosensitive resin composition (F) can be used, for example, by supporting the above-mentioned photosensitive resin composition (F) on a polyester film, a polypropylene film, a polystyrene film, a polyvinyl alcohol-based film or the like. After coating on the body film surface, if necessary, a protective film such as a polyethylene film is coated on the coated surface to produce a dry film resist. As a use other than the dry film resist, the photosensitive resin composition (F) of the present invention is directly applied onto a (42 alloy) substrate to be processed by a conventional method such as a dip coating method, a flow coating method, and a screen printing method. It is also possible to easily form a photosensitive layer having a thickness of 1 to 150 μm by coating. At the time of coating, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, cyclohexane, methyl cellosolve, methylene chloride, 1,1,1-
A solvent such as trichloroethane can be added.

【0033】ドライフィルムレジストによって画像を形
成させるには、支持体フィルムと感光性樹脂組成物
(F)層との接着力及び保護フィルムと感光性樹脂組成
物(F)層との接着力を比較し、接着力の低い方のフィ
ルムを剥離してから感光性樹脂組成物層の側を銅張基板
の銅面などの金属面に貼り付けた後、他方のフィルム上
にパターンマスクを密着させて露光する。感光性樹脂組
成物(F)が粘着性を有しないときは、前記他方のフィ
ルムを剥離してからパターンマスクを感光性樹脂組成物
(F)層に直接接触させて露光することもできる。金属
面に直接塗工した場合は、その塗工面に直接またはポリ
エステルフィルムなどを介してパターンマスクを接触さ
せ、露光に供する。露光は通常紫外線照射により行い、
その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カ
ーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、
ケミカルランプなどが用いられる。紫外線照射後は、必
要に応じ加熱を行って、硬化の完全を図ることもでき
る。
In order to form an image with a dry film resist, the adhesive strength between the support film and the photosensitive resin composition (F) layer and the adhesive strength between the protective film and the photosensitive resin composition (F) layer are compared. Then, after peeling off the lower adhesive film, the photosensitive resin composition layer side is attached to a metal surface such as a copper surface of a copper-clad substrate, and then a pattern mask is adhered to the other film. Expose. When the photosensitive resin composition (F) does not have adhesiveness, the other film may be peeled off, and then the pattern mask may be brought into direct contact with the photosensitive resin composition (F) layer for exposure. When the coating is applied directly to the metal surface, a pattern mask is brought into contact with the coating surface directly or via a polyester film or the like, and exposed. Exposure is usually performed by UV irradiation,
At this time, high-pressure mercury lamp, ultra-high pressure mercury lamp, carbon arc lamp, xenon lamp, metal halide lamp,
A chemical lamp or the like is used. After irradiation with ultraviolet rays, heating can be performed as necessary to complete the curing.

【0034】露光後は、レジスト上のフィルムを剥離除
去してから現像を行う。本発明の感光性樹脂組成物
(F)は稀アルカリ現像型であるので、露光後の現像
は、炭酸ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ0.3〜
2重量%程度の稀薄水溶液を用いて行う。該アルカリ水
溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるた
めの少量の有機溶剤等を混入させてもよい。
After exposure, the film on the resist is peeled off and developed. Since the photosensitive resin composition (F) of the present invention is of a rare alkali developing type, development after exposure is carried out using an alkali such as sodium carbonate, potassium carbonate, or the like.
This is performed using a dilute aqueous solution of about 2% by weight. A surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating development, and the like may be mixed in the alkaline aqueous solution.

【0035】本発明では、上記の現像が終了した後に、
更に活性光線を照射する必要がある。活性光線として
は、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンラン
プ、メタルハライド等が挙げられる。活性光線の照射量
は、0.5〜3J/cm2とすることが好ましく、1〜
2J/cm2とすることがより好ましい。該照射量が
0.5J/cm2未満では得られる効果が不充分となる
傾向があり、3J/cm2を越えるとレジストの剥離性
が著しく低下する傾向がある。又、活性光線を照射する
効果を補助する目的で、活性光線を照射する工程の前及
び後の工程に、鉄を含む金属表面を有する基板を加熱す
ることが好ましい。
In the present invention, after the development is completed,
Further, it is necessary to irradiate actinic rays. Examples of the actinic ray include an ultra-high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a xenon lamp, and a metal halide. The irradiation amount of the actinic ray is preferably 0.5 to 3 J / cm 2 ,
More preferably, it is set to 2 J / cm 2 . If the irradiation amount is less than 0.5 J / cm 2 , the obtained effect tends to be insufficient, and if it exceeds 3 J / cm 2 , the peelability of the resist tends to be significantly reduced. Further, for the purpose of assisting the effect of irradiating active light, it is preferable to heat a substrate having a metal surface containing iron before and after the step of irradiating active light.

【0036】その後、通常塩化第二銅−塩酸水溶液や塩
化第二鉄−塩酸水溶液等の酸性エッチング液を用いて常
法に従ってエッチングを行う。希にアンモニア系のアル
カリエッチング液も用いられる。めっき法は、脱脂剤、
ソフトエッチング剤などのめっき前処理剤を用いて前処
理を行った後、めっき液を用いてめっきを行う。
Thereafter, etching is performed in a usual manner using an acidic etching solution such as an aqueous cupric chloride-hydrochloric acid solution or an aqueous ferric chloride-hydrochloric acid solution. Rarely, an ammonia-based alkali etching solution is also used. The plating method uses a degreasing agent,
After performing pretreatment using a plating pretreatment agent such as a soft etching agent, plating is performed using a plating solution.

【0037】エッチング工程後、残っている硬化レジス
トの剥離を行う。硬化レジストの剥離除去は、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムなどの0.5〜5重量%程度
の濃度のアルカリ水溶液からなるアルカリ剥離液を用い
て行う。
After the etching step, the remaining cured resist is removed. Stripping and removal of the cured resist is performed using an alkali stripping solution composed of an aqueous alkali solution having a concentration of about 0.5 to 5% by weight such as sodium hydroxide or potassium hydroxide.

【0038】本発明のレジストパターンの形成方法は、
(a)カルボキシル基含有ポリマー、(b)エチレン性
不飽和化合物、(c)ロフィン二量体、(d)光重合開
始剤、(e)ロイコ染料を含有してなり、かつ(b)成
分の中でも特定化合物を(b)成分全体に対して50〜
100重量%含有し、更に(a)成分と(b)成分の合
計量100重量部に対して(c)成分を0.5〜6.0
重量部、(d)成分を0.1〜10重量部、(e)成分
を0.1〜3.0重量部含有した感光性樹脂組成物
(F)を用い、現像終了後に活性光線を照射するするた
め、42アロイやステンレス等の銅以外の金属基板を用
いた場合でも基板とレジストの密着性に優れ、導体への
染み込みや導体のかけがなく、レジストパターンを短時
間かつ高い歩留まりで行うことができるのである。
The method of forming a resist pattern according to the present invention comprises:
It contains (a) a carboxyl group-containing polymer, (b) an ethylenically unsaturated compound, (c) a lophine dimer, (d) a photopolymerization initiator, and (e) a leuco dye. Above all, the specific compound is added to the component (b) in an amount of 50 to
100% by weight, and the component (c) is added in an amount of 0.5 to 6.0 based on 100 parts by weight of the total of the components (a) and (b).
Using a photosensitive resin composition (F) containing 0.1 to 10 parts by weight of the component (d) and 0.1 to 3.0 parts by weight of the component (e), irradiation with actinic rays is performed after the development is completed. Therefore, even when a metal substrate other than copper such as 42 alloy or stainless steel is used, the adhesiveness between the substrate and the resist is excellent, there is no penetration into the conductor or the conductor is applied, and the resist pattern is formed in a short time and at a high yield. You can do it.

【0039】[0039]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述す
る。尚、ことわりのない限り「%」及び「部」は重量基
準である。 [感光性樹脂組成物の調製](a)としては下記のカル
ボキシル基含有ポリマーを用い、表1に示す如き組成の
感光性樹脂組成物(F−1)〜(F−10)のドープを
調製した。 (a)・メタクリル酸メチル/アクリル酸メチル/2−
エチルヘキシルアクレート/メタクリル酸(重量比:5
8/10/10/22)の組成を有し、重量平均分子量
が60000の共重合体の40%メチルエチルケトン/
イソプロピルアルコール(重量比が50/50)溶液
139.38部(固形分55.75部)
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. Unless otherwise specified, “%” and “parts” are based on weight. [Preparation of photosensitive resin composition] As (a), using the following carboxyl group-containing polymer, dopes of photosensitive resin compositions (F-1) to (F-10) having compositions shown in Table 1 were prepared. did. (A) ・ Methyl methacrylate / methyl acrylate / 2-
Ethylhexyl acrylate / methacrylic acid (weight ratio: 5
8/10/10/22) and a 40% methyl ethyl ketone / 40% copolymer having a weight average molecular weight of 60000.
Isopropyl alcohol (weight ratio 50/50) solution
139.38 parts (solid content 55.75 parts)

【0040】[0040]

【表1】 感光性樹脂 (b) (c) (d) (e) その他 組成物 APG TMP-TA HABI BDK EAB-F LCV TBMPS MG(F) (%) (%) (%) (%) (%) (%) (%) (%) F−1 37.16 --- 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F−2 18.58 18.58 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03F−3 27.87 9.29 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F−4 14.86 22.30 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F−5 32.16 --- 7.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F−6 39.06 --- 0.1 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F−7 30.16 --- 2.0 11.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F−8 41.14 --- 2.0 0.05 0.03 0.7 0.3 0.03 F−9 33.86 --- 2.0 4.0 0.06 4.0 0.3 0.03F−10 37.81 --- 2.0 4.0 0.06 0.05 0.3 0.03 Table 1 Photosensitive resin (b) (c) (d) (e) Other compositions APG TMP-TA HABI BDK EAB-F LCV TBMPS MG (F) (%) (%) (%) (%) ( (%) (%) (%) (%) F-1 37.16 --- 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-2 18.58 18.58 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-3 27.87 9.29 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-4 14.86 22.30 2.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-5 32.16 --- 7.0 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-6 39.06 --- 0.1 4.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-7 30.16 --- 2.0 11.0 0.06 0.7 0.3 0.03 F-8 41.14 --- 2.0 0.05 0.03 0.7 0.3 0.03 F-9 33.86 --- 2.0 4.0 0.06 4.0 0.3 0.03 F-10 37.81 --- 2.0 4.0 0.06 0.05 0.3 0.03

【0041】注)(a)カルボキシル基含有ポリマーはす
べて55.75%の配合量である。 APG :ポリプロピレングリコールジアクリレート
(n=7) TMP-TA :トリメチロールプロパントリアクリレート HABI :2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフ
ェニルイミダゾール二量体 BDK :ベンジルジメチルケタール EAB-F :N,N′−テトラエチル−4,4′−ジアミ
ノベンゾフェノン LCV :ロイコクリスタルバイオレット TBMPS :トリブロモメチルフェニルスルホン MG :マラカイトグリーン (F−4)〜(F−10)は本発明で規定する感光性樹
脂組成物ではない。
Note) (a) All the carboxyl group-containing polymers have a blending amount of 55.75%. APG: polypropylene glycol diacrylate (n = 7) TMP-TA: trimethylolpropane triacrylate HABI: 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer BDK: benzyl dimethyl ketal EAB-F: N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone LCV: leuco crystal violet TBMPS: tribromomethylphenylsulfone MG: malachite green (F-4) to (F-10) are photosensitive resin compositions defined in the present invention. is not.

【0042】実施例1 上記感光性樹脂組成物(F−1)のドープをギャップ5
ミルのアプリケーターを用いて厚さ20μmのポリエス
テルフィルム上に塗工し、室温で1分30秒放置した
後、60℃、90℃、110℃のオーブンでそれぞれ3
分間乾燥して、レジスト厚25μmのドライフィルムと
した(ただし保護フィルムは設けていない)。一方、ニ
ッケル42%含有のニッケル/鉄合金(42アロイ)か
らなる基板をアルカリ脱脂剤(10%水溶液)に50℃
で2分間浸漬した後、水洗処理し、更に5%塩酸水溶液
に室温で20秒間浸漬し、水洗処理した後、精製水によ
り水洗を行い、乾燥したものを基材として用いた。基材
は厚さ0.15mmであり、巾250mm、長さ300
mmの基板である。上記ドライフィルムを、オーブンで
60℃に予熱した基材の両面に、ラミネートロール温度
100℃、同ロール圧3kg/cm2、ラミネート速度
1.5m/minにてラミネートした。
Example 1 The photosensitive resin composition (F-1) was doped with a gap of 5
Using a mill applicator, coat on a 20 μm-thick polyester film, leave at room temperature for 1 minute and 30 seconds, and in an oven at 60 ° C., 90 ° C., and 110 ° C. for 3 minutes each.
After drying for 25 minutes, a dry film having a resist thickness of 25 μm was obtained (however, no protective film was provided). On the other hand, a substrate made of a nickel / iron alloy (42 alloy) containing 42% of nickel was treated at 50 ° C. with an alkaline degreasing agent (10% aqueous solution).
, Immersed in water for 2 minutes, further immersed in a 5% hydrochloric acid aqueous solution at room temperature for 20 seconds, washed with water, washed with purified water, and dried to use as a substrate. The substrate has a thickness of 0.15 mm, a width of 250 mm and a length of 300
mm substrate. The dry film was laminated on both surfaces of a substrate preheated to 60 ° C. in an oven at a laminating roll temperature of 100 ° C., a roll pressure of 3 kg / cm 2 , and a laminating speed of 1.5 m / min.

【0043】次いで得られた基材に、2kw水銀ショー
トアーク灯(平行光源)で、ストーファー21段ステッ
プタブレット(光透過量が段階的に少なくなるように作
られたネガフィルム)の数値が6となる露光量で露光を
行った。露光後15分経過してからポリエステルフィル
ムを剥離し、30℃で1%炭酸ナトリウム水溶液をブレ
ークポイント(未露光部分が完全溶解する時間)の2倍
の現像時間でスプレーすることにより未露光部分を溶解
除去して硬化樹脂画像を得た。
Next, the value of a 21-step stofer step tablet (a negative film made so that the amount of light transmission decreases stepwise) with a 2 kW mercury short arc lamp (parallel light source) was 6 on the obtained substrate. Exposure was performed with the following exposure amount. After 15 minutes from the exposure, the polyester film is peeled off, and the unexposed portion is sprayed at 30 ° C. by spraying a 1% aqueous solution of sodium carbonate at a developing time twice as long as a break point (time for completely dissolving the unexposed portion). After dissolution and removal, a cured resin image was obtained.

【0044】次に、8kw高圧水銀灯(コンベアー型紫
外線照射装置)により光量1.5J/cm2の活性光線
照射を行った後、この基材を50℃、45B(ボーメ)
の塩化第二鉄のエッチング液により8分間エッチングし
た(スプレー圧:上1.8kg/cm2、下1.5kg
/cm2)。次に50℃の3%水酸化ナトリウム水溶液
で50秒噴霧してレジストとして用いた硬化樹脂膜を剥
離して画像を形成した。
Next, after irradiating an actinic ray with a light amount of 1.5 J / cm 2 by an 8 kW high-pressure mercury lamp (conveyor type ultraviolet irradiation device), the substrate was heated at 50 ° C. and 45 B (Bohm).
For 8 minutes (spray pressure: 1.8 kg / cm 2 on the upper side, 1.5 kg on the lower side)
/ Cm 2 ). Next, the cured resin film used as a resist was peeled off by spraying with a 3% aqueous solution of sodium hydroxide at 50 ° C. for 50 seconds to form an image.

【0045】本発明において以下の項目を下記の如く評
価した。 (感度)感光性樹脂組成物(F)の光感度は基材に形成
された光硬化膜のステップタブレットの段数が6となる
ときの露光量(mj/cm2)を測定することにより評価し
た。
In the present invention, the following items were evaluated as follows. (Sensitivity) The photosensitivity of the photosensitive resin composition (F) was evaluated by measuring the exposure amount (mj / cm 2 ) when the number of steps of the step tablet of the photocured film formed on the substrate was 6. .

【0046】(密着性)基材へのラミネート後、ライン
幅10、15、20、25、30、40、45、50μ
mのパターンマスク(ガラスクロム乾板:独立細線)を
用いて、同様に現像して密着性良好な最小ライン幅(μ
m)を調べた。
(Adhesion) After lamination to a substrate, the line width is 10, 15, 20, 25, 30, 40, 45, 50 μm.
m, using a pattern mask (glass chrome dry plate: independent fine line), and developing in the same manner as above.
m) was examined.

【0047】(抑泡性)1%炭酸ナトリウム500ml
に未露光レジストを0.2m2(レジスト厚み25μ
m)を溶解し、一日撹拌した後、該炭酸ナトリウム液
(未露光レジスト溶解液)100mlを発泡瓶(瓶の内
径:9cm)に移し、該発泡瓶を30℃の恒温水槽で1
時間放置した。その後1.0l/分の通気量で空気を送
り込み、液を発泡させた。空気を送り始めてから10分
後、20分後、30分後、1時間後、2時間後、6時間
後の泡のみの高さ(cm)を測定することにより抑泡性
を評価した。
(Antifoaming property) 1% sodium carbonate 500 ml
0.2m 2 of unexposed resist (resist thickness 25μ)
m), and after stirring for one day, 100 ml of the sodium carbonate solution (unexposed resist solution) was transferred to a foaming bottle (bottle inner diameter: 9 cm), and the foaming bottle was placed in a thermostat water bath at 30 ° C. for 1 hour.
Left for hours. Thereafter, air was blown in at a rate of 1.0 l / min to foam the liquid. 10 minutes, 20 minutes, 30 minutes, 1 hour, 2 hours, and 6 hours after the start of the air supply, the height (cm) of the foam alone was measured to evaluate the foam suppressing property.

【0048】(耐エッチング性) 導体への染み込み ライン/スペース=400μm/300μmの現像後、
レジストパターンをエッチングし、レジストを剥離した
の基材を拡大顕微鏡で観察してエッチング液の染み込み
具合を目視評価した。評価基準は下記の通りである。 ◎・・・染み込みなし ○・・・2μm未満の染み込みあり △・・・2〜5μm未満の染み込みあり ×・・・5μm以上の染み込みあり
(Etching Resistance) Penetration into Conductor Line / Space = 400 μm / 300 μm After development,
The resist pattern was etched, and the substrate from which the resist was peeled was observed with a magnifying microscope to visually evaluate the degree of penetration of the etching solution. The evaluation criteria are as follows. ◎ ・ ・ ・ No permeation ○ ・ ・ ・ Permeate less than 2μm △ ・ ・ ・ Permeate less than 2-5μm × ・ ・ ・ Permeate more than 5μm

【0049】導体のかけ ライン/スペース=400μm/300μmの現像後、
レジストパターンをエッチングし、レジストを剥離した
後、基材を拡大顕微鏡で観察して、導体のカケ具合を目
視評価した。評価基準は下記の通りである。 ◎・・・導体のカケなし ○・・・導体の幅に対して端部より1/3未満のカケあ
り △・・・導体の幅に対して端部より1/3以上のカケあ
り ×・・・導体なし
After development of a conductor line / line = 400 μm / 300 μm,
After the resist pattern was etched and the resist was peeled off, the base material was observed with a magnifying microscope, and the degree of chipping of the conductor was visually evaluated. The evaluation criteria are as follows.・ ・ ・: No chipping of conductor ○: Chipping less than 1/3 from end of conductor width △: Chipping of 1/3 or more from end of conductor width × ..No conductor

【0050】実施例2〜3及び比較例1〜7 実施例1において、感光性樹脂組成物(F)を表2に示
す如く代えた以外は同様に行い、各性能を評価した。
Examples 2 to 3 and Comparative Examples 1 to 7 In the same manner as in Example 1, except that the photosensitive resin composition (F) was changed as shown in Table 2, each performance was evaluated.

【0051】比較例8 実施例1において、活性光線照射を施さなかった以外は
同様に行い、上記と同様に評価した。実施例および比較
例の評価結果を表2に示す。
Comparative Example 8 The procedure of Example 1 was repeated, except that no irradiation with actinic rays was performed. Table 2 shows the evaluation results of the examples and the comparative examples.

【0052】[0052]

【表2】 感光性 感度 密着性 抑泡性 耐エッチ 樹脂 (mj/cm2) (μm) 10 20 30 60 120 360分後 ング性 組成物 (cm) 実施例1 F−1 40 30 1 1 1 1 1 1 ◎ ◎ 〃 2 F−2 35 30 1 2 2 2 3 3 ◎ ◎ 〃 3 F−3 38 30 1 2 2 2 2 2 ◎ ◎ 比較例1 F−4 40 35 1 2 3 3 5 8 ○ △ 〃 2 F−5 20 35 1 1 1 1 1 2 ○ ○ 〃 3 F−6 160 60 1 1 1 1 1 2 △ △ 〃 4 F−7 35 60 1 1 1 1 2 2 △ △ 〃 5 F−8 100 35 1 1 1 1 1 2 △ × 〃 6 F−9 16 60 1 1 1 1 1 1 △ × 〃 7 F−10 100 35 1 1 1 1 1 2 ○ △ 〃 8 F−1 40 30 1 1 1 1 1 1 ◎ ○ 尚、比較例2では現像時、現像液中にスカムが発生した。該スカムは基板に付 着し、エッチングでのショートの原因又はメッキでの断線の原因となる。Table 2 Photosensitive Sensitivity adhesion foam Resistance etch resin (mj / cm 2) (μm ) 10 20 30 60 120 360 minutes after packaging composition (cm) Example 1 F-1 40 30 1 1 1 1 1 1 ◎ ◎ 〃 2 F-2 35 30 1 2 2 2 3 3 ◎ 〃 3 F-3 38 30 12 2 2 2 2 2 ◎ ◎ Comparative Example 1 F-4 40 35 1 2 3 3 5 8 ○ △ 〃 2 F-5 20 35 1 1 1 1 1 2 ○ ○ 〃 3 F-6 160 60 1 1 1 1 1 2 △ △ 〃 4 F-7 35 60 1 1 1 1 1 2 2 △ △ 〃 5F- 8 100 35 1 1 1 1 1 2 △ × 6 6 F-9 16 60 1 1 1 1 1 1 △ × 〃 7 F-10 100 35 1 1 1 1 1 1 2 ○ △ 8 8 F-1 40 30 1 1 1 1 1 1 ○ ○ In Comparative Example 2, scum was generated in the developing solution during development. The scum adheres to the substrate and causes a short circuit in etching or a disconnection in plating.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明の方法は、42アロイやステンレ
ス等の銅以外の金属基板を用いた場合でも、基板とレジ
ストの密着性、抑泡性に優れ、導体への染み込みといっ
たもぐり現象や導体のカケのない耐エッチング性に優れ
た、レジストパターンを短時間かつ高い歩留まりで行う
ことができるもので、印刷配線板の製造、リードフレー
ムの製造、金属の精密加工等に有用である。
According to the method of the present invention, even when a metal substrate other than copper, such as 42 alloy or stainless steel, is used, the adhesion between the substrate and the resist is excellent, the foaming resistance is low, and the migrating phenomenon such as penetration into the conductor and the conductor It is capable of forming a resist pattern in a short time and at a high yield, and has excellent etching resistance without chipping, and is useful for manufacturing a printed wiring board, manufacturing a lead frame, precision metal processing, and the like.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)カルボキシル基含有ポリマー、
(b)エチレン性不飽和化合物、(c)ロフィン二量
体、(d)光重合開始剤、(e)ロイコ染料を含有して
なる感光性樹脂組成物において、(b)成分として下記
式で示される化合物を(b)成分全体に対して50〜
100重量%含有し、更に(a)成分と(b)成分の合
計量100重量部に対して(c)成分を0.5〜6.0
重量部、(d)成分を0.1〜10重量部、(e)成分
を0.1〜3.0重量部含有してなる感光性樹脂組成物
(F)層を金属基板表面に形成して、露光、現像し、現
像終了後に活性光線を照射することを特徴とするレジス
トパターン形成方法。 【化1】 (ここで、R1、R2は炭素数1〜3のアルキル基又は水
素で、それらは同一であってもよいし、互いに異なって
いてもよい。nは4〜20の整数である。)
(1) a carboxyl group-containing polymer,
In a photosensitive resin composition comprising (b) an ethylenically unsaturated compound, (c) a olefin dimer, (d) a photopolymerization initiator, and (e) a leuco dye, the component (b) is represented by the following formula: The compound represented by the formula (5)
100% by weight, and the component (c) is added in an amount of 0.5 to 6.0 based on 100 parts by weight of the total of the components (a) and (b).
A photosensitive resin composition (F) layer containing 0.1 to 3.0 parts by weight of a component (d) and 0.1 to 3.0 parts by weight of a component (e) is formed on the surface of a metal substrate. Exposing, developing, and irradiating with an actinic ray after the development is completed. Embedded image (Here, R 1 and R 2 are an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or hydrogen, which may be the same or different from each other. N is an integer of 4 to 20.)
【請求項2】 感光性樹脂組成物(F)層を少なくとも
1層とするドライフィルムレジストを用いることを特徴
とする請求項1記載のレジストパターン形成方法。
2. The method according to claim 1, wherein a dry film resist having at least one photosensitive resin composition (F) layer is used.
【請求項3】 (c)ロフィン二量体として、トリフェ
ニルビイミダゾール類を用いることを特徴とする請求項
1又は2記載のレジストパターン形成方法。
3. The method for forming a resist pattern according to claim 1, wherein (c) a triphenylbiimidazole is used as the lophine dimer.
【請求項4】 (a)成分と(b)成分の合計100重
量部に対して、トリフェニルビイミダゾール類を0.5
〜6.0重量部用いることを特徴とする請求項3記載の
レジストパターン形成方法。
4. Triphenylbiimidazole is added in an amount of 0.5 to 100 parts by weight of the total of the components (a) and (b).
4. The method according to claim 3, wherein the amount is from 6.0 to 6.0 parts by weight.
【請求項5】 (d)光重合開始剤として、下記式で
示される化合物を用いることを特徴とする請求項1又は
2記載のレジストパターン形成方法。 【化2】 (ここで、R3、R4は水素又はアルキル基で、それらは
同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。)
5. The method for forming a resist pattern according to claim 1, wherein (d) a compound represented by the following formula is used as the photopolymerization initiator. Embedded image (Here, R 3 and R 4 are hydrogen or an alkyl group, which may be the same or different from each other.)
【請求項6】 (a)成分と(b)成分の合計100重
量部に対して、上記式で示される化合物を0.1〜1
0重量部を用いることを特徴とする請求項1、2又は5
記載のレジストパターン形成方法。
6. The compound represented by the above formula is used in an amount of 0.1 to 1 based on 100 parts by weight of the total of the components (a) and (b).
6. The method according to claim 1, wherein 0 parts by weight are used.
The method for forming a resist pattern according to the above.
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