JPH11220262A - Circuit part built-in module and manufacture thereof - Google Patents

Circuit part built-in module and manufacture thereof

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JPH11220262A
JPH11220262A JP10328215A JP32821598A JPH11220262A JP H11220262 A JPH11220262 A JP H11220262A JP 10328215 A JP10328215 A JP 10328215A JP 32821598 A JP32821598 A JP 32821598A JP H11220262 A JPH11220262 A JP H11220262A
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plate
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wiring pattern
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誠一 中谷
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    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit part built-in module, which is high in reliability and where circuit components can be mounted high in density by a method in which an insulating board formed of a mixture containing inorganic filler and thermosetting resin is used. SOLUTION: A circuit part built-in module comprises an electrically insulating laminated board 401 composed of insulating boards 401a, 401b, and 401c, wiring patterns 402a, 402b, 402c, and 402d formed on the surface and inside of the board 401, a circuit part 403 arranged inside the board 401 and connected to the wiring pattern, and inner vias 404 which electrically connect the wiring patterns 402a, 402b, 402c, and 402d. The insulating boards 401a, 401b, and 401c are formed of a mixture which contains inorganic filler and thermosetting resin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、回路部品内蔵モジ
ュールに関し、特にたとえば、回路部品が電気絶縁性基
板の内部に配置される回路部品内蔵モジュールに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a module with a built-in circuit component, and more particularly to, for example, a module with a built-in circuit component in which circuit components are arranged inside an electrically insulating substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化の要
求に伴い、回路部品の高密度、高機能化が一層叫ばれて
いる。そのため、回路部品の高密度、高機能化に対応し
た回路基板が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher performance and smaller size of electronic equipment, higher density and higher function of circuit parts have been further called out. Therefore, there is a demand for a circuit board that is compatible with high density and high functionality of circuit components.

【0003】回路部品を高密度化する方法として、回路
を多層化する方法が考えられるが、従来のガラス−エポ
キシ基板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用
いる必要があるため、高密度実装化への対応が困難であ
る。このため、最も回路の高密度化が図れる方法とし
て、LSI間や部品間の配線パターンを最短距離で接続
できるインナービアホール接続法の開発が、各方面で進
められている。
As a method of increasing the density of circuit components, a method of forming a multilayer circuit is conceivable. However, in a conventional glass-epoxy substrate, it is necessary to use a through-hole structure using a drill. Is difficult to deal with. For this reason, development of an inner via hole connection method capable of connecting wiring patterns between LSIs and components in the shortest distance has been advanced in various fields as a method for achieving the highest circuit density.

【0004】インナービアホール接続法では、必要な各
層間のみの接続が可能であり、回路部品の実装性にも優
れている(特開昭63−47991、特開平6−268
345)。
In the inner via hole connection method, only necessary layers can be connected, and the mountability of circuit components is excellent (JP-A-63-47991, JP-A-6-268).
345).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
インナービアホール接続法で用いられてきた基板は、樹
脂系の材料で構成されていたため、熱伝導度が低いとい
う問題があった。回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品の実装密度が高密度になればなるほど部品から発生す
る熱を放熱させる必要が高くなるが、従来の基板では十
分に放熱をすることができず、回路部品内蔵モジュール
の信頼性が低下するという問題があった。
However, conventionally,
The substrate used in the inner via hole connection method has a problem of low thermal conductivity because it is made of a resin-based material. In a module with built-in circuit components, the higher the mounting density of the circuit components, the higher the need to dissipate the heat generated by the components.However, conventional boards cannot sufficiently dissipate heat, and There is a problem that the reliability of the device decreases.

【0006】本発明は、上記従来の問題を解決するた
め、高密度で回路部品の実装が可能であり且つ信頼性の
高い回路部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a highly reliable circuit component built-in module capable of mounting circuit components at high density and a method of manufacturing the same, in order to solve the above-mentioned conventional problems.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回路部品内蔵モジュールは、無機フィラー
70重量%〜95重量%(混合物に対して)と熱硬化性
樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板と、前記電
気絶縁性基板の少なくとも主面に形成された複数の配線
パターン(一つの配線パターンは同一平面内に形成され
る一群の電気配線からなる)と、前記電気絶縁性基板の
内部に配置され前記配線パターンに電気的に接続された
回路部品と、前記複数の配線パターンを電気的に接続す
るように前記電気絶縁性基板内に形成されたインナービ
アとを含む。
In order to achieve the above object, a circuit component built-in module according to the present invention comprises a mixture containing 70% to 95% by weight (based on the mixture) of an inorganic filler and a thermosetting resin. An electrical insulating substrate comprising: a plurality of wiring patterns (one wiring pattern is formed of a group of electrical wirings formed on the same plane) formed on at least a main surface of the electrical insulating substrate; A circuit component disposed inside the conductive substrate and electrically connected to the wiring pattern; and an inner via formed in the electrically insulating substrate so as to electrically connect the plurality of wiring patterns.

【0008】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶
縁性基板内に形成されるインナービアによってインナー
ビアホール接続が行われるため、高密度に回路部品を実
装することができる。また、回路部品から発生する熱
が、無機フィラーによって速やかに放熱されるため、信
頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。さら
に、無機フィラーを選択することによって、内蔵する回
路部品にあわせて電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係
数、誘電率、絶縁耐圧等を変化させることができる。ま
た、半導体素子およびチップコンデンサを含む回路部品
内蔵モジュールでは、半導体素子とチップコンデンサと
の距離を短くすることによって、電気信号のノイズを低
減することができる。
In the above-mentioned module with a built-in circuit component, since the inner via hole connection is made by the inner via formed in the electrically insulating substrate, the circuit component can be mounted at a high density. Further, since the heat generated from the circuit components is quickly radiated by the inorganic filler, a highly reliable circuit component built-in module can be obtained. Further, by selecting the inorganic filler, the thermal conductivity, the coefficient of linear expansion, the dielectric constant, the withstand voltage, and the like of the electrically insulating substrate can be changed in accordance with the built-in circuit components. In a circuit component built-in module including a semiconductor element and a chip capacitor, noise of an electric signal can be reduced by shortening the distance between the semiconductor element and the chip capacitor.

【0009】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パ
ターンは、電気絶縁性基板の主面および内部に形成され
ていることが好ましい。配線パターンを多層構造とする
ことによって、さらに高密度に回路部品を実装すること
ができる。
In the above-mentioned module with a built-in circuit component, the wiring pattern is preferably formed on the main surface and inside of the electrically insulating substrate. When the wiring pattern has a multilayer structure, circuit components can be mounted at a higher density.

【0010】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品は能動部品を含み、インナービアは導電性樹脂組成物
からなることが好ましい。回路部品が能動部品を含むこ
とによって所望の機能をもった回路部品を形成すること
ができる。また、インナービアが導電性樹脂組成物から
なる場合は、製造が容易になる。
In the above-mentioned module with a built-in circuit component, the circuit component preferably includes an active component, and the inner via is preferably formed of a conductive resin composition. By including the active component in the circuit component, a circuit component having a desired function can be formed. Further, when the inner via is made of a conductive resin composition, the production becomes easy.

【0011】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品が、電気絶縁性基板によって外気から遮断されている
ことが好ましい。回路部品が外気から遮断されることに
よって、湿度による回路部品の信頼性低下を防止でき
る。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the circuit component is shielded from the outside air by the electrically insulating substrate. By blocking the circuit components from the outside air, it is possible to prevent a decrease in the reliability of the circuit components due to humidity.

【0012】上記回路部品内蔵モジュールでは、熱硬化
性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネ
ート樹脂から選ばれる少なくとも一つの熱硬化性樹脂を
含むことが好ましい。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁
性に優れているからである。
In the above-mentioned module with a built-in circuit component, the thermosetting resin preferably contains at least one thermosetting resin selected from an epoxy resin, a phenol resin and a cyanate resin. This is because these resins are excellent in heat resistance and electrical insulation.

【0013】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フ
ィラーが、Al23、MgO、BN、AlNおよびSi
2から選ばれる少なくとも一つの無機フィラーを含む
ことが好ましい。これらの無機フィラーを用いることに
よって、放熱性に優れた電気絶縁性基板が得られる。ま
た、無機フィラーとしてMgOを用いた場合は、電気絶
縁性基板の線膨張係数を大きくすることができる。ま
た、無機フィラーとしてSiO2(特に非晶質SiO2
を用いた場合は、電気絶縁性基板の誘電率を小さくする
ことができる。また、無機フィラーとしてBNを用いた
場合は、線膨張係数を低くすることができる。
In the circuit component built-in module, the inorganic filler is composed of Al 2 O 3 , MgO, BN, AlN and Si.
It preferably contains at least one inorganic filler selected from O 2 . By using these inorganic fillers, an electrically insulating substrate having excellent heat dissipation properties can be obtained. When MgO is used as the inorganic filler, the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate can be increased. Moreover, SiO 2 (especially amorphous SiO 2 ) is used as the inorganic filler.
When is used, the dielectric constant of the electrically insulating substrate can be reduced. When BN is used as the inorganic filler, the coefficient of linear expansion can be reduced.

【0014】上記回路部品内蔵モジュールでは、無機フ
ィラーの平均粒子径が0.1μm〜100μmであるこ
とが好ましい。上記回路部品内蔵モジュールでは、配線
パターンが銅を含むことが好ましい。銅は電気抵抗が小
さいため、微細な配線パターンを形成することができ
る。
In the circuit component built-in module, the average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.1 μm to 100 μm. In the circuit component built-in module, the wiring pattern preferably contains copper. Copper has a small electric resistance, so that a fine wiring pattern can be formed.

【0015】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パ
ターンが導電性樹脂組成物を含むことが好ましい。導電
性樹脂組成物を用いることによって、配線パターンを容
易に形成することができる。
In the above-described module with a built-in circuit component, the wiring pattern preferably contains a conductive resin composition. By using the conductive resin composition, a wiring pattern can be easily formed.

【0016】上記回路部品内蔵モジュールでは、能動部
品は半導体ベアーチップを含み、半導体ベアーチップは
配線パターンにフリップチップボンディングされている
ことが好ましい。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the active component includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is flip-chip bonded to the wiring pattern.

【0017】上記回路部品内蔵モジュールでは、導電性
樹脂組成物が、金、銀、銅およびニッケルから選ばれる
一つの金属を含む金属粒子を導電性成分として含み、エ
ポキシ樹脂を樹脂成分として含むことが好ましい。上記
金属は電気抵抗が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や
電気絶縁性に優れているからである。
In the above-mentioned module with a built-in circuit component, the conductive resin composition may include metal particles containing one metal selected from gold, silver, copper and nickel as a conductive component and epoxy resin as a resin component. preferable. This is because the metal has low electric resistance, and the epoxy resin has excellent heat resistance and electric insulation.

【0018】上記回路部品内蔵モジュールでは、配線パ
ターンが、エッチング法または打ち抜き法で形成された
金属板のリードフレームからなることが好ましい。金属
板のリードフレームは、電気抵抗が低いからである。エ
ッチング法を用いることによって、微細なパターンの配
線パターンを形成することができる。打ち抜き法を用い
ることによって、簡易な設備で配線パターンを形成する
ことができる。
In the above-mentioned module with a built-in circuit component, the wiring pattern is preferably formed of a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method. This is because a lead frame made of a metal plate has a low electric resistance. By using the etching method, a fine wiring pattern can be formed. By using the punching method, a wiring pattern can be formed with simple equipment.

【0019】上記回路部品内蔵モジュールでは、回路部
品が、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサおよびチ
ップ状のインダクタから選ばれる少なくとも一つの部品
を含むことが好ましい。チップ状の部品を用いることに
よって、電気絶縁性基板に容易に埋設することができ
る。
In the circuit component built-in module, it is preferable that the circuit component includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, and a chip-shaped inductor. By using a chip-shaped component, it can be easily embedded in an electrically insulating substrate.

【0020】上記回路部品内蔵モジュールでは、混合物
は、分散剤、着色剤、カップリング剤および離型剤から
選ばれる少なくとも一つの添加剤をさらに含むことが望
ましい。分散剤によって、熱硬化性樹脂中の無機フィラ
ーを均一性よく分散させることができる。着色剤によっ
て、電気絶縁性基板を着色することができるため、回路
部品内蔵モジュールの放熱性をよくすることができる。
カップリング剤によって、熱硬化性樹脂と無機フィラー
との接着強度を高くすることができるため、電気絶縁性
基板の絶縁性を向上できる。離型剤によって、金型と混
合物との離型性を向上できるため、生産性を向上でき
る。
In the above-described module with a built-in circuit component, the mixture desirably further contains at least one additive selected from a dispersant, a colorant, a coupling agent and a release agent. The inorganic filler in the thermosetting resin can be uniformly dispersed by the dispersant. Since the electrically insulating substrate can be colored by the coloring agent, the heat dissipation of the circuit component built-in module can be improved.
With the coupling agent, the adhesive strength between the thermosetting resin and the inorganic filler can be increased, so that the insulating properties of the electrically insulating substrate can be improved. The release agent can improve the mold releasability between the mold and the mixture, so that the productivity can be improved.

【0021】上記回路部品内蔵モジュールでは、電気絶
縁性基板の線膨張係数が8×10-6/℃〜20×10-6
/℃であり、かつ電気絶縁性基板の熱伝導度が1w/m
K〜10w/mKであることが好ましい。セラミック基
板に近い熱伝導度が得られ、放熱性に富む基板が得られ
るからである。
In the above-described module with built-in circuit components, the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate is from 8 × 10 −6 / ° C. to 20 × 10 −6.
/ ° C and the thermal conductivity of the electrically insulating substrate is 1 w / m
It is preferably from K to 10 w / mK. This is because a thermal conductivity close to that of the ceramic substrate can be obtained, and a substrate having high heat dissipation can be obtained.

【0022】本発明の第1の回路部品内蔵モジュールの
製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%(混
合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混
合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程
と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の
板状体を形成する工程と、第1の銅箔の一主面に回路部
品を実装する工程と、第1の銅箔の一主面上に、第2の
板状体を位置合わせして重ね、さらにその上に第2の銅
箔を重ねて加圧することによって、回路部品が埋設され
た第3の板状体を形成する工程と、第3の板状体を加熱
することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬
化させる工程と、第1および第2の銅箔を加工して配線
パターンを形成する工程とを含む。上記第1の製造方法
によれば、本発明の回路部品内蔵モジュールを容易に製
造することができる。
According to the first method of manufacturing a module with built-in circuit components of the present invention, a mixture containing 70% to 95% by weight (based on the mixture) of an inorganic filler and a thermosetting resin in an uncured state is passed through a through-hole. Processing the first plate-like body having the following, and filling the through-hole with the thermosetting conductive material to fill the second plate-like body filled with the thermosetting conductive material into the through-hole. Forming, mounting a circuit component on one main surface of the first copper foil, and aligning and overlaying the second plate-shaped body on one main surface of the first copper foil. A step of forming a third plate-like body in which circuit components are buried by overlaying and pressing a second copper foil thereon; and heating the third plate-like body to form a thermosetting resin and A step of curing the conductive material, and forming a wiring pattern by processing the first and second copper foils And a degree. According to the first manufacturing method, the module with built-in circuit components of the present invention can be easily manufactured.

【0023】本発明の第2の回路部品内蔵モジュールの
製造方法は、無機フィラー70重量%〜95重量%(混
合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混
合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程
と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の
板状体を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面
に配線パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を
実装する工程と、第2の離型フィルムの一主面に配線パ
ターンを形成する工程と、第1の離型フィルムと第2の
板状体と第2の離型フィルムとを配線パターンが第2の
板状体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて
加圧することによって回路部品が埋設された第3の板状
体を形成する工程と、第3の板状体を加熱することによ
って、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬化させる工程
と、第1および第2の離型フィルムを硬化した第3の板
状体から剥離する工程とを含む。
According to a second method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention, a mixture containing 70% to 95% by weight (based on the mixture) of an inorganic filler and an uncured thermosetting resin is passed through a through-hole. Processing the first plate-like body having the following, and filling the through-hole with the thermosetting conductive material to fill the second plate-like body filled with the thermosetting conductive material into the through-hole. Forming, forming a wiring pattern on one main surface of the first release film, mounting a circuit component on the wiring pattern, and forming a wiring pattern on one main surface of the second release film. And pressing the first release film, the second plate-like body, and the second release film in this order so that the wiring pattern faces the second plate-like body, and presses the first release film, the second plate-like body and the second release film. Forming a third plate-like body in which circuit components are embedded by A step of curing the thermosetting resin and the conductive substance by heating the third plate-like body, and a step of peeling the first and second release films from the cured third plate-like body. Including.

【0024】上記第2の製造方法によれば、本発明の回
路部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
本発明の第3の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、
多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの製造方法で
あって、無機フィラー70重量%〜95重量%(混合物
に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物
を、貫通孔を有する第1の板状体に加工する工程と、貫
通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによって熱
硬化性の導電性物質が貫通孔に充填された第2の板状体
を形成する工程と、第1の離型フィルムの一主面に配線
パターンを形成し、配線パターン上に回路部品を実装す
る工程と、第1の離型フィルムの一主面側に、第2の板
状体を位置合わせして重ね、加圧することによって回路
部品が埋設された第3の板状体を形成する工程と、第1
の離型フィルムを第3の板状体から剥離することによっ
て第4の板状体を形成する工程と、複数の第4の板状体
を位置合わせして重ね、さらに一主面に配線パターンが
形成された第2の離型フィルムを配線パターンが第4の
板状体側を向くように位置合わせして重ねて加圧し加熱
することによって、熱硬化性樹脂および導電性物質を硬
化させて多層構造を有する第5の板状体を形成する工程
と、第2の離型フィルムを第5の板状体から剥離する工
程とを含むことを特徴とする。
According to the second manufacturing method, the circuit component built-in module of the present invention can be easily manufactured.
A third method for manufacturing a circuit component built-in module according to the present invention includes:
A method for manufacturing a circuit component built-in module having a multilayer structure, comprising: mixing a mixture containing 70% by weight to 95% by weight (based on the mixture) of an inorganic filler and a thermosetting resin in an uncured state with a through hole having a through hole. Step of processing into one plate-like body and step of forming a second plate-like body filled with a thermosetting conductive substance in a through-hole by filling the through-hole with a thermosetting conductive substance. Forming a wiring pattern on one main surface of the first release film, and mounting circuit components on the wiring pattern; and providing a second plate-like body on one main surface side of the first release film. Forming a third plate-like body in which circuit components are buried by aligning and stacking and pressurizing,
Forming a fourth plate-like body by peeling the release film from the third plate-like body, aligning and stacking a plurality of fourth plate-like bodies, and further forming a wiring pattern on one main surface. The second release film on which the is formed is aligned so that the wiring pattern faces the fourth plate-shaped body, and is superposed, pressurized and heated to cure the thermosetting resin and the conductive material to form a multilayer. The method includes a step of forming a fifth plate-shaped body having a structure, and a step of peeling the second release film from the fifth plate-shaped body.

【0025】上記第3の製造方法によれば、本発明の多
層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造す
ることができる。本発明の第4の回路部品内蔵モジュー
ルの製造方法は、多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、無機フィラー70重量%〜9
5重量%(混合物に対して)と未硬化状態の熱硬化性樹
脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板状体に加
工する工程と、貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填す
ることによって熱硬化性の導電性物質が貫通孔に充填さ
れた第2の板状体を形成する工程と、第1の離型フィル
ムの一主面に配線パターンを形成して配線パターン上に
回路部品を実装する工程と、第1の離型フィルムの一主
面側に、第2の板状体を位置合わせして重ねて加圧する
ことによって、回路部品が埋設された第3の板状体を形
成する工程と、第1の離型フィルムを第3の板状体から
剥離することによって第4の板状体を形成する工程と、
複数の第4の板状体を位置合わせして重ね、さらにその
上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、熱硬化
性樹脂および導電性物質を硬化させて多層構造を有する
第5の板状体を形成する工程と、第5の板状体の銅箔を
加工して配線パターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする。
According to the third manufacturing method, the circuit component built-in module having a multilayer structure of the present invention can be easily manufactured. The fourth method for producing a module with a built-in circuit component of the present invention is a method for producing a module with a built-in circuit component having a multilayer structure.
Processing a mixture containing 5% by weight (based on the mixture) and an uncured thermosetting resin into a first plate-shaped body having a through-hole; Forming a second plate-like body in which a thermosetting conductive substance is filled in the through-hole by filling the first release film; and forming a wiring pattern on one main surface of the first release film. A third step in which the circuit component is embedded by pressing the circuit component on the first release film and aligning and pressing the second plate-shaped body on one main surface side of the first release film. A step of forming a plate-like body, a step of forming a fourth plate-like body by peeling the first release film from the third plate-like body,
By aligning and stacking a plurality of fourth plate-shaped bodies, further stacking a copper foil thereon, and pressing and heating the same, the thermosetting resin and the conductive substance are hardened to form a fifth structure having a multilayer structure. The method includes a step of forming a plate-like body and a step of processing a copper foil of the fifth plate-like body to form a wiring pattern.

【0026】上記第4の製造方法によれば、本発明の多
層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に製造す
ることができる。上記第1ないし第4の回路部品内蔵モ
ジュールの製造方法では、回路部品は能動部品を含み、
導電性物質は導電性樹脂組成物からなることが好まし
い。回路部品が能動部品を含むことによって所望の機能
をもった回路部品を形成することができる。また、導電
性物質が導電性樹脂組成物からなる場合は、貫通孔への
充填および硬化が容易であるため、製造が容易になる。
According to the fourth manufacturing method, the circuit component built-in module having a multilayer structure of the present invention can be easily manufactured. In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the circuit component includes an active component,
Preferably, the conductive substance is made of a conductive resin composition. By including the active component in the circuit component, a circuit component having a desired function can be formed. In addition, when the conductive substance is made of a conductive resin composition, it is easy to fill and harden the through-hole, so that the production is facilitated.

【0027】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、銅箔または配線パターンに回路部
品を実装した後、銅箔または配線パターンと回路部品と
の間に封止樹脂を注入する工程をさらに含むことが好ま
しい。この工程によって、回路部品と配線パターンとの
間に空間が形成されることを防止することができ、ま
た、回路部品と配線パターンとの接続を強固にすること
ができる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, after mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern, a sealing resin is injected between the copper foil or the wiring pattern and the circuit component. Preferably, the method further includes a step. By this step, it is possible to prevent a space from being formed between the circuit component and the wiring pattern, and to strengthen the connection between the circuit component and the wiring pattern.

【0028】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を
加熱して硬化させる際の温度が150℃以上260℃以
下であることが好ましい。この温度範囲で加熱すること
によって、回路部品に大きなダメージを与えることなく
熱硬化性樹脂を硬化することができる。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, the temperature at which the thermosetting resin and the conductive substance are heated and cured is preferably 150 ° C. or more and 260 ° C. or less. By heating in this temperature range, the thermosetting resin can be cured without causing significant damage to circuit components.

【0029】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、熱硬化性樹脂および導電性物質を
加熱して硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm
2〜200kg/cm2の圧力で加圧することが好まし
い。加熱しながら加圧することで、機械的強度に優れた
回路部品内蔵モジュールが得られる。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, when the thermosetting resin and the conductive substance are cured by heating, the thermosetting resin and the conductive substance are heated to 10 kg / cm.
It is preferable to pressurize at a pressure of 2 to 200 kg / cm 2 . By applying pressure while heating, a module with built-in circuit components having excellent mechanical strength can be obtained.

【0030】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、第1の板状体を形成する工程が、
混合物を板状に成型した後、板状の混合物を熱硬化性樹
脂の硬化温度より低い温度(たとえば、硬化開始温度よ
り低い温度)で熱処理することによって、板状の混合物
の粘着性を失わせる工程を含むことが好ましい。板状の
混合物の粘着性を失わせることによって、その後の工程
が容易になるからである。
In the first to fourth methods for manufacturing a module with a built-in circuit component, the step of forming the first plate-like body includes the following steps:
After the mixture is formed into a plate, the plate-shaped mixture is subjected to a heat treatment at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin (for example, a temperature lower than the curing start temperature), thereby losing the tackiness of the plate-shaped mixture. Preferably, a step is included. The reason for this is that the loss of tackiness of the plate-like mixture facilitates the subsequent steps.

【0031】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品を第2の板状体に埋設す
ることによって第3の板状体を形成する工程を、熱硬化
性樹脂の硬化温度より低い温度下で行うことが好まし
い。熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で工程を行
うことによって、熱硬化性樹脂を硬化させることなく軟
化させることができるため、回路部品を第2の板状体に
埋設することが容易となり、また、回路部品内蔵モジュ
ールの表面を平滑にすることができる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the step of forming the third plate by embedding the circuit component in the second plate includes a step of forming the third plate with a thermosetting resin. It is preferable to carry out at a temperature lower than the curing temperature. By performing the process at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin, the thermosetting resin can be softened without being cured, so that the circuit component can be easily embedded in the second plate-shaped body. In addition, the surface of the circuit component built-in module can be smoothed.

【0032】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品を配線パターンに実装す
る工程は、回路部品と配線パターンとを半田によって電
気的および機械的に接続する工程からなることが好まし
い。上記工程によれば、熱硬化性樹脂を硬化させるため
に加熱を行う際に、加熱によって回路部品と配線パター
ンとの接続不良が発生することを防止できる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the step of mounting the circuit component on the wiring pattern includes a step of electrically and mechanically connecting the circuit component and the wiring pattern by soldering. Is preferred. According to the above process, when heating is performed to cure the thermosetting resin, it is possible to prevent the occurrence of connection failure between the circuit component and the wiring pattern due to the heating.

【0033】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、能動部品を配線パターンに実装す
る際に、能動部品の金バンプと配線パターンとを導電性
接着剤によって電気的に接続することが好ましい。導電
性接着剤を用いることによって、後の工程で加熱する際
に、接続不良や部品の位置ずれが起こることを防止でき
る。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, when mounting the active component on the wiring pattern, the gold bump of the active component and the wiring pattern are electrically connected by a conductive adhesive. Is preferred. By using the conductive adhesive, it is possible to prevent poor connection and misalignment of components when heating in a later step.

【0034】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少な
くとも一つの熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。これ
らの樹脂は、耐熱性や電気絶縁性に優れているからであ
る。
In the first to fourth methods for manufacturing a circuit component built-in module, the thermosetting resin is an epoxy resin,
It preferably contains at least one thermosetting resin selected from a phenol resin and a cyanate resin. This is because these resins are excellent in heat resistance and electrical insulation.

【0035】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、無機フィラーがAl23、Mg
O、BN、AlNおよびSiO2から選ばれる少なくと
も一つの無機フィラーを含むことが好ましい。これらの
無機フィラーを用いることによって、放熱性に優れた電
気絶縁性基板が得られる。また、無機フィラーとしてM
gOを用いた場合は、電気絶縁性基板の線膨張係数を大
きくすることができる。また、無機フィラーとしてSi
2(特に非晶質SiO2)を用いた場合は、電気絶縁性
基板の誘電率を小さくすることができる。また、無機フ
ィラーとしてBNを用いた場合は、線膨張係数を低くす
ることができる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the inorganic filler may be Al 2 O 3 , Mg
It is preferable to include at least one inorganic filler selected from O, BN, AlN and SiO 2 . By using these inorganic fillers, an electrically insulating substrate having excellent heat dissipation properties can be obtained. In addition, M as an inorganic filler
When gO is used, the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate can be increased. Also, Si as an inorganic filler
When O 2 (especially amorphous SiO 2 ) is used, the dielectric constant of the electrically insulating substrate can be reduced. When BN is used as the inorganic filler, the coefficient of linear expansion can be reduced.

【0036】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、配線パターンが、銅を含むことが
好ましい。銅は電気抵抗が小さいため、微細な配線パタ
ーンを形成することができるからである。
In the first to fourth methods of manufacturing a circuit component built-in module, the wiring pattern preferably contains copper. This is because copper has a small electric resistance and can form a fine wiring pattern.

【0037】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、配線パターンが、導電性樹脂組成
物を含むことが好ましい。導電性樹脂組成物を用いるこ
とによって、配線パターンを容易に形成することができ
る。
In the first to fourth methods for manufacturing a module with a built-in circuit component, the wiring pattern preferably contains a conductive resin composition. By using the conductive resin composition, a wiring pattern can be easily formed.

【0038】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品が半導体ベアーチップを
含み、半導体ベアーチップは配線パターンにフリップチ
ップボンディングされていることが好ましい。半導体ベ
アーチップをフリップチップボンディングすることによ
って、高密度に半導体素子を実装することができる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the circuit component preferably includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is preferably flip-chip bonded to a wiring pattern. By flip-chip bonding a semiconductor bare chip, semiconductor elements can be mounted at a high density.

【0039】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、導電性樹脂組成物が、金、銀、銅
およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含
む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹
脂成分として含むことが好ましい。上記金属は電気抵抗
が低く、また、エポキシ樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優
れているからである。
In the first to fourth methods of manufacturing a circuit component built-in module, the conductive resin composition contains metal particles containing at least one metal selected from gold, silver, copper and nickel as a conductive component. And an epoxy resin as a resin component. This is because the metal has low electric resistance, and the epoxy resin has excellent heat resistance and electric insulation.

【0040】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、配線パターンが、エッチング法ま
たは打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームか
らなることが好ましい。金属板のリードフレームは、電
気抵抗が低いからである。エッチング法を用いることに
よって、微細なパターンの配線パターンを形成すること
ができる。打ち抜き法を用いることによって、簡易な設
備で配線パターンを形成することができる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the wiring pattern is preferably formed of a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method. This is because a lead frame made of a metal plate has a low electric resistance. By using the etching method, a fine wiring pattern can be formed. By using the punching method, a wiring pattern can be formed with simple equipment.

【0041】上記第1ないし第4の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法では、回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含むことが好ましい。チ
ップ状の部品を用いることによって、電気絶縁性基板に
部品を容易に埋設することができる。
In the first to fourth methods of manufacturing a module with a built-in circuit component, the circuit component preferably includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor and a chip-shaped inductor. By using a chip-shaped component, the component can be easily embedded in the electrically insulating substrate.

【0042】[0042]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態の一例について説明する。 (実施形態1)この実施形態1は、本発明の回路部品内
蔵モジュールの一例であり、図1は、この実施形態の回
路部品内蔵モジュール100の斜視断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) Embodiment 1 is an example of a circuit component built-in module of the present invention, and FIG. 1 is a perspective sectional view of a circuit component built-in module 100 of this embodiment.

【0043】図1を参照して、この実施形態の回路部品
内蔵モジュール100は、電気絶縁性基板101と、電
気絶縁性基板101の一主面および他主面に形成された
配線パターン102aおよび102bと、配線パターン
102bに接続され電気絶縁性基板101の内部に配置
された回路部品103と、配線パターン102aおよび
102bを電気的に接続するインナービア104とを含
む。
Referring to FIG. 1, a circuit component built-in module 100 of this embodiment includes an electric insulating substrate 101 and wiring patterns 102a and 102b formed on one main surface and the other main surface of electric insulating substrate 101. And a circuit component 103 connected to the wiring pattern 102b and arranged inside the electrically insulating substrate 101, and an inner via 104 for electrically connecting the wiring patterns 102a and 102b.

【0044】電気絶縁性基板101は、無機フィラーと
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーに
は、たとえば、Al23、MgO、BN、AlNまたは
SiO2などを用いることができる。無機フィラーは、
混合物に対して70重量%から95重量%であることが
好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、0.1μm〜
100μm以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂に
は、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール
樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂
は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物
は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤または離型
剤を含んでいてもよい。
The electrically insulating substrate 101 is made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. As the inorganic filler, for example, Al 2 O 3 , MgO, BN, AlN, SiO 2 or the like can be used. The inorganic filler is
Preferably it is from 70% to 95% by weight of the mixture. The average particle size of the inorganic filler is from 0.1 μm
It is preferably 100 μm or less. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin or a cyanate resin having high heat resistance is preferable. Epoxy resins are particularly preferred because of their particularly high heat resistance. The mixture may further contain a dispersant, a colorant, a coupling agent, or a release agent.

【0045】配線パターン102aおよび102bは、
電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導
電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用
いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ
18μm〜35μm程度の銅箔が使用できる。銅箔は、
電気絶縁性基板101との接着性を向上させるため、電
気絶縁性基板101と接触する面を粗化することが望ま
しい。また、銅箔には、接着性および耐酸化性向上のた
め、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面
に錫、亜鉛またはニッケルをメッキしたものを使用して
もよい。また、配線パターン102aおよび102bに
は、エッチング法または打ち抜き法で形成された金属板
のリードフレームを用いてもよい。
The wiring patterns 102a and 102b are
It is made of a substance having electrical conductivity, for example, a copper foil or a conductive resin composition. When a copper foil is used as the wiring pattern, for example, a copper foil having a thickness of about 18 μm to 35 μm produced by electrolytic plating can be used. Copper foil is
In order to improve the adhesiveness with the electrically insulating substrate 101, it is desirable to roughen the surface in contact with the electrically insulating substrate 101. Further, as the copper foil, a copper foil surface subjected to a coupling treatment or a copper foil surface plated with tin, zinc or nickel may be used in order to improve adhesion and oxidation resistance. In addition, a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method may be used for the wiring patterns 102a and 102b.

【0046】回路部品103は、たとえば、能動部品1
03aおよび受動部品103bを含む。能動部品103
aとしては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIな
どの半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベ
アーチップであってもよい。受動部品103bとして
は、チップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチッ
プ状インダクタなどが用いられる。なお、回路部品10
3は、受動部品103bを含まない場合であってもよ
い。
The circuit component 103 includes, for example, the active component 1
03a and the passive component 103b. Active component 103
As a, for example, a semiconductor element such as a transistor, an IC, or an LSI is used. The semiconductor element may be a semiconductor bare chip. As the passive component 103b, a chip resistor, a chip capacitor, a chip inductor, or the like is used. The circuit component 10
3 may not include the passive component 103b.

【0047】配線パターン102bと能動部品103a
との接続には、たとえばフリップチップボンディングが
用いられる。インナービア104は、たとえば、熱硬化
性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質として
は、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導
電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子として
は、金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができ
る。金、銀、銅またはニッケルは導電性が高いため好ま
しく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため
特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用い
ることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特
に好ましい。
The wiring pattern 102b and the active component 103a
For example, flip-chip bonding is used for the connection with. The inner via 104 is made of, for example, a thermosetting conductive material. As the thermosetting conductive substance, for example, a conductive resin composition obtained by mixing metal particles and a thermosetting resin can be used. As the metal particles, gold, silver, copper, nickel, or the like can be used. Gold, silver, copper or nickel is preferable because of high conductivity, and copper is particularly preferable because of high conductivity and low migration. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin or a cyanate resin can be used. Epoxy resins are particularly preferred because of their high heat resistance.

【0048】この実施形態1に示した回路部品内蔵モジ
ュール100では、配線パターン102aと配線パター
ン102bとが、電気絶縁性基板101の貫通孔に充填
されたインナービア104によって接続される。したが
って、回路部品内蔵モジュール100では、高密度に回
路部品103を実装することができる。
In the circuit component built-in module 100 shown in the first embodiment, the wiring pattern 102a and the wiring pattern 102b are connected by the inner via 104 filled in the through hole of the electrically insulating substrate 101. Therefore, in the circuit component built-in module 100, the circuit components 103 can be mounted at a high density.

【0049】また、回路部品内蔵モジュール100で
は、電気絶縁性基板101に含まれる無機フィラーによ
って回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。した
がって、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られ
る。
In the circuit component built-in module 100, the heat generated in the circuit components is quickly conducted by the inorganic filler contained in the electrically insulating substrate 101. Therefore, a highly reliable circuit component built-in module can be obtained.

【0050】また、回路部品内蔵モジュール100で
は、電気絶縁性基板101に用いる無機フィラーを選択
することによって、電気絶縁性基板101の線膨張係
数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができ
る。電気絶縁性基板101の線膨張係数を半導体素子と
略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防
止することができるため、信頼性の高い回路部品内蔵モ
ジュールが得られる。電気絶縁性基板101の熱伝導性
を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合に
も、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールが得られる。
電気絶縁性基板101の誘電率を低くすることによっ
て、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られ
る。
In the circuit component built-in module 100, the coefficient of linear expansion, thermal conductivity, dielectric constant, etc. of the electrically insulating substrate 101 can be easily controlled by selecting the inorganic filler used for the electrically insulating substrate 101. Can be. When the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate 101 is substantially equal to that of the semiconductor element, it is possible to prevent the occurrence of cracks due to a temperature change, so that a highly reliable circuit component built-in module can be obtained. When the thermal conductivity of the electrically insulating substrate 101 is improved, a highly reliable circuit component built-in module can be obtained even when circuit components are mounted at high density.
By reducing the dielectric constant of the electrically insulating substrate 101, a high-frequency circuit module with a small dielectric loss can be obtained.

【0051】また、回路部品内蔵モジュール100で
は、電気絶縁性基板101によって回路部品103を外
気から遮断することができるため、湿度による信頼性低
下を防止することができる。
In the circuit component built-in module 100, since the circuit component 103 can be shielded from the outside air by the electrically insulating substrate 101, it is possible to prevent a decrease in reliability due to humidity.

【0052】また、本発明の回路部品内蔵モジュール1
00は、電気絶縁性基板101の材料として、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いているため、セラ
ミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が
容易である。
The circuit component built-in module 1 of the present invention
No. 00 uses a mixture of an inorganic filler and a thermosetting resin as the material of the electrically insulating substrate 101, and therefore does not need to be fired at a high temperature and is easy to manufacture, unlike a ceramic substrate.

【0053】なお、図1に示した回路部品内蔵モジュー
ル100では、配線パターン102aが電気絶縁性基板
101に埋設されていない場合を示したが、配線パター
ン102aが電気絶縁性基板101に埋設されていても
よい(図3(h)参照)。
In the circuit component built-in module 100 shown in FIG. 1, the case where the wiring pattern 102a is not embedded in the electrically insulating substrate 101 is shown, but the wiring pattern 102a is embedded in the electrically insulating substrate 101. (See FIG. 3 (h)).

【0054】また、図1に示した回路部品内蔵モジュー
ル100では、配線パターン102a上に回路部品が実
装されていない場合を示したが、配線パターン102a
上に回路部品を実装してもよく、さらに回路部品内蔵モ
ジュールを樹脂モールドしてもよい(以下の実施形態に
おいて同様である)。配線パターン102a上に回路部
品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を
実装できる。
In the circuit component built-in module 100 shown in FIG. 1, the case where no circuit component is mounted on the wiring pattern 102a is shown.
A circuit component may be mounted thereon, and the module with a built-in circuit component may be resin-molded (the same applies to the following embodiments). By mounting the circuit components on the wiring pattern 102a, the circuit components can be mounted at a higher density.

【0055】(実施形態2)この実施形態2では、図1
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形
態を説明する。実施形態2で用いられる材料および回路
部品は、実施形態1で説明したものである。
(Embodiment 2) In Embodiment 2, FIG.
An embodiment of a method of manufacturing the circuit component built-in module shown in FIG. The materials and circuit components used in the second embodiment are the same as those described in the first embodiment.

【0056】図2(a)〜(h)は回路部品内蔵モジュ
ールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。ま
ず、図2(a)に示すように、無機フィラーと熱硬化性
樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合
物200を形成する。板状の混合物200は、無機フィ
ラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト
状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型
することによって形成することができる。
FIGS. 2A to 2H are cross-sectional views showing one embodiment of a process for manufacturing a circuit component built-in module. First, as shown in FIG. 2A, a plate-like mixture 200 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. The plate-shaped mixture 200 can be formed by mixing an inorganic filler and an uncured thermosetting resin into a paste-like kneaded material, and molding the paste-like kneaded material to a certain thickness.

【0057】なお、板状の混合物200を、熱硬化性樹
脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処
理をすることによって、混合物200の可撓性を維持し
ながら粘着性を除去することができるため、その後の処
理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶
解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤
の一部を除去することができる。
The plate-like mixture 200 may be heat-treated at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. By performing the heat treatment, the tackiness can be removed while maintaining the flexibility of the mixture 200, so that the subsequent processing is facilitated. Further, in a mixture in which a thermosetting resin is dissolved by a solvent, a part of the solvent can be removed by heat treatment.

【0058】その後、図2(b)に示すように、混合物
200の所望の位置に貫通孔201を形成することによ
って、貫通孔201が形成された板状体を形成する。貫
通孔201は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加
工または金型による加工で形成することができる。レー
ザ加工は、微細なピッチで貫通孔201を形成すること
ができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工
では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工
が容易である。なお、貫通孔201は、ペースト状混練
物を成型して板状の混合物200を形成する際に、同時
に形成してもよい。
Thereafter, as shown in FIG. 2B, a through-hole 201 is formed at a desired position of the mixture 200 to form a plate having the through-hole 201 formed therein. The through-hole 201 can be formed by, for example, laser processing, processing by a drill, or processing by a mold. Laser processing is preferable because the through holes 201 can be formed at a fine pitch and no shavings are generated. In laser processing, processing is easy if a carbon dioxide gas laser or an excimer laser is used. The through-holes 201 may be formed at the same time as the plate-shaped mixture 200 is formed by molding the paste-like kneaded material.

【0059】その後、図2(c)に示すように、貫通孔
201に導電性樹脂組成物202を充填することによっ
て、貫通孔201に導電性樹脂組成物202が充填され
た板状体を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the through hole 201 is filled with the conductive resin composition 202 to form a plate-like body in which the through hole 201 is filled with the conductive resin composition 202. I do.

【0060】図2(a)〜(c)の工程と平行して、図
2(d)に示すように、銅箔203に回路部品204を
フリップチップボンディングする。回路部品204は、
導電性接着剤205を介して銅箔203と電気的に接続
されている。導電性接着剤205には、たとえば、金、
銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練
したものが使用できる。また、導電性接着剤205の代
わりに、金ワイヤボンディング法で作製したバンプまた
は半田によるバンプを回路部品側にあらかじめ形成し、
熱処理によって金または半田の溶解して回路部品204
を実装することも可能である。さらに、半田バンプと導
電性接着剤とを併用することも可能である。
As shown in FIG. 2D, a circuit component 204 is flip-chip bonded to the copper foil 203 in parallel with the steps shown in FIGS. The circuit component 204 is
It is electrically connected to the copper foil 203 via the conductive adhesive 205. For example, gold,
What kneaded silver, copper, silver-palladium alloy, etc. with a thermosetting resin can be used. Also, instead of the conductive adhesive 205, bumps or solder bumps formed by a gold wire bonding method are previously formed on the circuit component side,
The heat treatment dissolves the gold or solder and causes the circuit component 204 to melt.
It is also possible to implement Furthermore, it is also possible to use a solder bump and a conductive adhesive together.

【0061】なお、銅箔203に実装した回路部品20
4と銅箔203との間に封止樹脂を注入してもよい(以
下の実施形態において、回路部品と銅箔との間あるいは
回路部品と配線パターンとの間に封止樹脂を注入しても
よいことは同様である)。封止樹脂の注入によって、後
の工程で半導体素子を板状体に埋設する際に、半導体素
子と配線パターンとの間に隙間ができることを防止する
ことができる。封止樹脂には通常のフリップチップボン
ディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いること
ができる。
The circuit components 20 mounted on the copper foil 203
4 and the copper foil 203 (in the following embodiment, the sealing resin is injected between the circuit component and the copper foil or between the circuit component and the wiring pattern). Is also the same). By injecting the sealing resin, it is possible to prevent a gap from being formed between the semiconductor element and the wiring pattern when the semiconductor element is embedded in the plate-like body in a later step. An underfill resin used for normal flip chip bonding can be used as the sealing resin.

【0062】図2(a)〜(c)の工程と平行して、銅
箔206を形成する。その後、図2(f)に示すよう
に、回路部品204を実装した銅箔203、図2(c)
の板状体および銅箔206を位置合わせして重ねる。
A copper foil 206 is formed in parallel with the steps shown in FIGS. After that, as shown in FIG. 2F, the copper foil 203 on which the circuit component 204 is mounted, and FIG.
And the copper foil 206 are aligned and overlapped.

【0063】その後、図2(g)に示すように、位置合
わせして重ねたものを加圧することによって回路部品2
04が埋設された板状体を形成した後、これを加熱する
ことによって、混合物200および導電性樹脂組成物2
02中の熱硬化性樹脂を硬化させ、回路部品204が埋
設された板状体を形成する。加熱は、混合物200およ
び導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂が硬化する
温度以上の温度(たとえば150℃〜260℃)で行
い、混合物200は電気絶縁性基板207となり、導電
性樹脂組成物はインナービア208となる。この工程に
よって、銅箔203および206と回路部品204と電
気絶縁性基板207とが機械的に強固に接着する。ま
た、インナービア208によって、銅箔203および2
06が電気的に接続される。なお、加熱によって混合物
200および導電性樹脂組成物202中の熱硬化性樹脂
を硬化させる際に、加熱しながら10kg/cm2〜2
00kg/cm2の圧力で加圧することによって、回路
部品モジュールの機械的強度を向上させることができる
(以下の実施形態において同様である)。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (g), the circuit components 2
After forming a plate-like body in which the conductive resin composition 2 is embedded, the mixture 200 and the conductive resin composition 2 are heated.
02 is cured to form a plate in which the circuit component 204 is embedded. Heating is performed at a temperature (for example, 150 ° C. to 260 ° C.) or higher at which the thermosetting resin in the mixture 200 and the conductive resin composition 202 cures, and the mixture 200 becomes the electrically insulating substrate 207 and the conductive resin composition The object becomes the inner via 208. By this step, the copper foils 203 and 206, the circuit component 204, and the electrically insulating substrate 207 are mechanically and strongly bonded. Further, the copper foils 203 and 2 are formed by the inner via 208.
06 is electrically connected. At the time of curing the thermosetting resin in the mixture 200 and the conductive resin composition 202 by heating, while heating 10 kg / cm 2 to 2
By applying a pressure of 00 kg / cm 2 , the mechanical strength of the circuit component module can be improved (the same applies to the following embodiments).

【0064】その後、図2(h)に示すように、銅箔2
03および206を加工することによって配線パターン
209および210を形成する。このようにして、実施
形態1で説明した回路部品内蔵モジュールが形成され
る。上記製造方法によれば、実施形態1で説明した回路
部品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
Thereafter, as shown in FIG.
03 and 206 are processed to form wiring patterns 209 and 210. Thus, the module with a built-in circuit component described in the first embodiment is formed. According to the manufacturing method, the module with a built-in circuit component described in the first embodiment can be easily manufactured.

【0065】なお、実施形態2では、貫通孔201に充
填する導電性物質として導電性樹脂組成物202を用い
たが、熱硬化性の導電性物質であればよい(以下の実施
形態において同様である)。
In the second embodiment, the conductive resin composition 202 is used as the conductive material to be filled in the through hole 201. However, any conductive material may be used as long as it is a thermosetting conductive material. is there).

【0066】(実施形態3)この実施形態3では、図1
に示した回路部品内蔵モジュールの製造方法の他の一実
施形態を説明する。実施形態3で用いられる材料および
回路部品は、実施形態1で説明したものである。
(Embodiment 3) In Embodiment 3, FIG.
Another embodiment of the method for manufacturing the circuit component built-in module shown in FIG. The materials and circuit components used in the third embodiment are the same as those described in the first embodiment.

【0067】図3(a)〜(h)は、実施形態3におけ
る回路部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図であ
る。まず、図3(a)に示すように、無機フィラーと熱
硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状
の混合物300を形成する。この工程は図2(a)と同
様であるため、重複する説明は省略する。
FIGS. 3A to 3H are cross-sectional views showing the steps of manufacturing the circuit component built-in module according to the third embodiment. First, as shown in FIG. 3A, a plate-shaped mixture 300 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. Since this step is the same as that in FIG. 2A, the overlapping description will be omitted.

【0068】その後、図3(b)に示すように、混合物
300の所望の位置に、貫通孔301を形成する。この
工程は図2(b)と同様であるため、重複する説明は省
略する。
Thereafter, as shown in FIG. 3B, through holes 301 are formed at desired positions of the mixture 300. Since this step is the same as that in FIG. 2B, the duplicate description will be omitted.

【0069】その後、図3(c)に示すように、貫通孔
301に導電性樹脂組成物302を充填することによっ
て、貫通孔301に導電性樹脂組成物302が充填され
た板状体を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, the through-hole 301 is filled with the conductive resin composition 302 to form a plate-like body in which the through-hole 301 is filled with the conductive resin composition 302. I do.

【0070】図3(a)〜(c)の工程と平行して、図
3(d)に示すように、離型フィルム305上に配線パ
ターン303を形成し、配線パターン303に回路部品
304を実装する。回路部品304を実装する方法は、
図2(d)で説明した方法と同様であるため、重複する
説明は省略する。離型フィルム305には、たとえば、
ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファ
イトのフィルムを用いることができる。配線パターン3
03は、たとえば、離型フィルム305に銅箔を接着し
た後フォトリソ工程およびエッチング工程を行うことに
よって形成できる。また、配線パターン303には、エ
ッチング法または打ち抜き法で形成された金属板のリー
ドフレームを用いてもよい。
In parallel with the steps of FIGS. 3A to 3C, as shown in FIG. 3D, a wiring pattern 303 is formed on a release film 305, and a circuit component 304 is formed on the wiring pattern 303. Implement. The method of mounting the circuit component 304 is as follows.
Since the method is the same as the method described with reference to FIG. 2D, a duplicate description will be omitted. The release film 305 includes, for example,
A film of polyethylene terephthalate or polyphenylene sulfite can be used. Wiring pattern 3
03 can be formed, for example, by bonding a copper foil to the release film 305 and then performing a photolithography process and an etching process. Further, as the wiring pattern 303, a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method may be used.

【0071】図3(a)〜(c)の工程と平行して、図
3(e)に示すように、離型フィルム307上に配線パ
ターン306を形成する。配線パターン306は、配線
パターン303と同様の方法で形成できる。
In parallel with the steps of FIGS. 3A to 3C, a wiring pattern 306 is formed on the release film 307 as shown in FIG. The wiring pattern 306 can be formed in the same manner as the wiring pattern 303.

【0072】その後、図3(f)に示すように、配線パ
ターン303および306と導電性物質302とが所望
の部分で接続されるように、離型フィルム305、図2
(c)の板状体および離型フィルム307を位置合わせ
して重ねる。
Thereafter, as shown in FIG. 3 (f), the release film 305, FIG.
The plate-like body (c) and the release film 307 are aligned and stacked.

【0073】その後、図3(g)に示すように、位置合
わせして重ねたものを加圧し加熱することによって、混
合物300および導電性樹脂組成物302中の熱硬化性
樹脂を硬化させ、回路部品304ならびに配線パターン
303および306が埋設された板状体を形成する。加
熱は、混合物300および導電性樹脂組成物302中の
熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15
0℃〜260℃)で行い、混合物300は電気絶縁性基
板308となり、導電性樹脂組成物302はインナービ
ア309となる。インナービア309によって、配線パ
ターン303および306が電気的に接続される。
After that, as shown in FIG. 3 (g), the thermosetting resin in the mixture 300 and the conductive resin composition 302 is cured by pressurizing and heating the aligned and superposed ones, thereby forming a circuit. A plate-like body in which the component 304 and the wiring patterns 303 and 306 are embedded is formed. Heating is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the thermosetting resin in the mixture 300 and the conductive resin composition 302 is cured (for example, 15 ° C.).
(0 ° C. to 260 ° C.), the mixture 300 becomes the electrically insulating substrate 308, and the conductive resin composition 302 becomes the inner via 309. The wiring patterns 303 and 306 are electrically connected by the inner via 309.

【0074】その後、図3(h)に示すように、離型フ
ィルム305および307を図3(g)の板状体から剥
離する。このようにして、実施形態1で説明した回路部
品内蔵モジュールが形成される。上記製造方法によれ
ば、実施形態1で説明した回路部品内蔵モジュールを容
易に製造することができる。
Thereafter, as shown in FIG. 3 (h), the release films 305 and 307 are peeled off from the plate of FIG. 3 (g). Thus, the module with a built-in circuit component described in the first embodiment is formed. According to the manufacturing method, the module with a built-in circuit component described in the first embodiment can be easily manufactured.

【0075】なお、本方法では、あらかじめ配線パター
ン306を形成した離型フィルム307を用いるため、
配線パターン306が電気絶縁性基板308に埋め込ま
れ表面が平坦な回路部品内蔵モジュールを製造できる。
表面が平坦であることによって配線パターン306上に
高密度に部品を実装することができるため、より高密度
に回路部品を実装できる。
In this method, since the release film 307 on which the wiring pattern 306 is formed in advance is used,
The wiring pattern 306 is embedded in the electrically insulating substrate 308, so that a circuit component built-in module having a flat surface can be manufactured.
Since the surface is flat, components can be mounted on the wiring pattern 306 with high density, so that circuit components can be mounted with higher density.

【0076】(実施形態4)この実施形態4では、本発
明の多層構造を有する回路部品内蔵モジュールの一実施
形態を説明する。図4は、この実施形態4の回路部品内
蔵モジュール400の斜視断面図である。
(Embodiment 4) In Embodiment 4, an embodiment of a circuit component built-in module having a multilayer structure according to the present invention will be described. FIG. 4 is a perspective sectional view of the circuit component built-in module 400 according to the fourth embodiment.

【0077】図4を参照して、この実施形態の回路部品
内蔵モジュール400は、積層された電気絶縁性基板4
01a、401bおよび401cからなる電気絶縁性基
板401と、電気絶縁性基板401の主面および内部に
形成された配線パターン402a、402b、402c
および402dと、電気絶縁性基板401の内部に配置
され配線パターン402a、402bまたは402cに
接続された回路部品403と、配線パターン402a、
402b、402cおよび402dを電気的に接続する
インナービア404とを含む。
Referring to FIG. 4, a circuit component built-in module 400 of this embodiment has
01a, 401b and 401c, and wiring patterns 402a, 402b and 402c formed on the main surface and inside of the insulating substrate 401.
And 402d, a circuit component 403 disposed inside the electrically insulating substrate 401 and connected to the wiring pattern 402a, 402b or 402c, and a wiring pattern 402a,
402b, 402c, and 402d, and an inner via 404 that electrically connects them.

【0078】電気絶縁性基板401a、401bおよび
401cは、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合
物からなる。無機フィラーには、たとえば、Al23
MgO、BN、AlNまたはSiO2などを用いること
ができる。無機フィラーは、混合物に対して70重量%
〜95重量%であることが好ましい。無機フィラーの平
均粒子径は、0.1μm〜100μmであることが好ま
しい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ま
しい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ま
しい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップ
リング剤または離型剤を含んでいてもよい。
The electrically insulating substrates 401a, 401b and 401c are made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin. Examples of the inorganic filler include Al 2 O 3 ,
MgO, BN, AlN, SiO 2 or the like can be used. 70% by weight of inorganic filler based on the mixture
Preferably it is ~ 95% by weight. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably from 0.1 μm to 100 μm. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin or a cyanate resin having high heat resistance is preferable. Epoxy resins are particularly preferred because of their particularly high heat resistance. The mixture may further contain a dispersant, a colorant, a coupling agent, or a release agent.

【0079】配線パターン402a、402b、402
cおよび402dは、実施形態1で説明した配線パター
ン102aおよび102bと同様であるので、重複する
説明は省略する。
The wiring patterns 402a, 402b, 402
Since c and 402d are the same as the wiring patterns 102a and 102b described in the first embodiment, duplicate description will be omitted.

【0080】回路部品403は、たとえば、能動部品4
03aや受動部品403bを含む。能動部品403aと
しては、たとえば、トランジスタ、IC、LSIなどの
半導体素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアー
チップであってもよい。受動部品403bとしては、チ
ップ状の抵抗、チップ状のコンデンサまたはチップ状イ
ンダクタなどが用いられる。なお、回路部品403は、
受動部品403bを含まない場合であってもよい。
The circuit component 403 includes, for example, the active component 4
03a and passive components 403b. As the active component 403a, for example, a semiconductor element such as a transistor, an IC, and an LSI is used. The semiconductor element may be a semiconductor bare chip. As the passive component 403b, a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, a chip-shaped inductor, or the like is used. The circuit component 403 is
The case where the passive component 403b is not included may be sufficient.

【0081】配線パターン402a、402bおよび4
02cと能動部品403aとの接続には、たとえばフリ
ップチップボンディングが用いられる。インナービア4
04は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。イ
ンナービア404としては、たとえば、金属粒子と熱硬
化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることが
できる。金属粒子の材料としては、金、銀、銅またはニ
ッケルなどの金属を用いることができる。金、銀、銅ま
たはニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性
が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。ま
た、熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることがで
きる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好まし
い。
Wiring patterns 402a, 402b and 4
For example, flip chip bonding is used to connect the active component 403a to the active component 403a. Inner Via 4
04 is made of, for example, a thermosetting conductive substance. As the inner via 404, for example, a conductive resin composition in which metal particles and a thermosetting resin are mixed can be used. As a material of the metal particles, a metal such as gold, silver, copper, or nickel can be used. Gold, silver, copper or nickel is preferable because of high conductivity, and copper is particularly preferable because of high conductivity and low migration. As the thermosetting resin, for example, epoxy resin,
Phenolic or cyanate resins can be used. Epoxy resins are particularly preferred because of their high heat resistance.

【0082】なお、図4に示した回路部品内蔵モジュー
ル400は、配線パターン402dが電気絶縁性基板4
01cに埋設されていない場合を示したが、配線パター
ン402dが電気絶縁性基板401cに埋設されていて
もよい(図6(g)参照)。
The circuit component built-in module 400 shown in FIG.
Although the case where it is not buried in 01c is shown, the wiring pattern 402d may be buried in the electrically insulating substrate 401c (see FIG. 6 (g)).

【0083】また、図4には3層構造の回路部品内蔵モ
ジュール400を示したが、設計に応じた多層構造とす
ることができる(以下の実施形態において同様であ
る)。 (実施形態5)この実施形態5では、実施形態4に示し
た回路部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説
明する。実施形態5で用いられる材料および回路部品
は、実施形態4で説明したものである。
Although FIG. 4 shows the circuit component built-in module 400 having a three-layer structure, the circuit component built-in module 400 may have a multilayer structure according to the design (the same applies to the following embodiments). (Fifth Embodiment) In a fifth embodiment, an embodiment of a method of manufacturing the circuit component built-in module shown in the fourth embodiment will be described. The materials and circuit components used in the fifth embodiment are the same as those described in the fourth embodiment.

【0084】図5を参照して、実施形態4に示した回路
部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図5
(a)〜(h)は、この実施形態の回路部品内蔵モジュ
ールの製造工程を示す断面図である。
Referring to FIG. 5, an example of a method for manufacturing the circuit component built-in module shown in the fourth embodiment will be described. FIG.
(A)-(h) is sectional drawing which shows the manufacturing process of the module with built-in circuit components of this embodiment.

【0085】まず、図5(a)に示すように、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物500を形成し、貫通孔に導電性樹脂
組成物501を充填することによって、貫通孔に導電性
樹脂組成物501が充填された板状体を形成する。この
工程は、図2(a)〜(c)で説明した工程と同様であ
るので、重複する説明は省略する。
First, as shown in FIG. 5 (a), a plate-shaped mixture 500 is formed by processing a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin, and the conductive resin composition 501 is placed in the through holes. By filling, a plate-like body in which the conductive resin composition 501 is filled in the through holes is formed. This step is the same as the step described with reference to FIGS. 2A to 2C, and thus, duplicate description will be omitted.

【0086】一方、離型フィルム503上に配線パター
ン506を形成し、配線パターン506上に能動部品5
04および受動部品505を実装する。この工程は、図
3(d)で説明したものと同様であり、重複する説明は
省略する。
On the other hand, a wiring pattern 506 is formed on the release film 503, and the active component 5 is formed on the wiring pattern 506.
04 and the passive component 505 are mounted. This step is the same as that described with reference to FIG. 3D, and a duplicate description will be omitted.

【0087】その後、図5(b)に示すように、図5
(a)の板状体と離型フィルム503とを位置合わせし
て重ねて加圧した後、離型フィルム503を剥離するこ
とによって、配線パターン506、能動部品504およ
び受動部品505が埋設された板状体を形成する。
Thereafter, as shown in FIG.
After the plate-like body and the release film 503 in (a) were aligned and overlapped and pressed, the release film 503 was peeled off, so that the wiring pattern 506, the active component 504, and the passive component 505 were embedded. Form a plate.

【0088】図5(a)および(b)の工程と平行し
て、図5(a)および(b)と同様の工程で、配線パタ
ーン506および回路部品が埋設された板状体を複数形
成する(図5(c)および(d)、図5(e)および
(f)参照)。なお、配線パターン506と回路部品
は、設計に応じて各層ごとに異なる。
In parallel with the steps shown in FIGS. 5A and 5B, a plurality of plate-like bodies in which wiring patterns 506 and circuit components are embedded are formed in the same steps as FIGS. 5A and 5B. (See FIGS. 5C and 5D and FIGS. 5E and 5F). Note that the wiring pattern 506 and the circuit components are different for each layer according to the design.

【0089】その後、図5(g)に示すように、図5
(b)、(d)および(f)の板状体を位置合わせして
重ね、図5(f)の板状体の配線パターンが形成されて
いない主面上にさらに銅箔507を重ねる。
Thereafter, as shown in FIG.
The plate bodies of (b), (d) and (f) are aligned and stacked, and a copper foil 507 is further stacked on the main surface of the plate body of FIG. 5 (f) where no wiring pattern is formed.

【0090】その後、図5(h)に示すように、図5
(g)で重ねた板状体および銅箔507を加圧し加熱す
ることによって多層構造を有する板状体を形成する。加
熱は、混合物500および導電性樹脂組成物501中の
熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(たとえば15
0℃〜260℃)で行い、混合物500は電気絶縁性基
板508となり、導電性樹脂組成物501はインナービ
ア509となる。この工程によって、回路部品504お
よび505、銅箔507および電気絶縁性基板508が
機械的に強固に接着する。また、インナービア509に
よって、配線パターン506および銅箔507が電気的
に接続される。その後、銅箔507を加工して配線パタ
ーン510を形成する。
Thereafter, as shown in FIG.
The plate and the copper foil 507 overlapped in (g) are pressed and heated to form a plate having a multilayer structure. The heating is performed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the thermosetting resin in the mixture 500 and the conductive resin composition 501 is cured (for example, 15 ° C.).
(0 ° C. to 260 ° C.), the mixture 500 becomes the electrically insulating substrate 508, and the conductive resin composition 501 becomes the inner via 509. By this step, the circuit components 504 and 505, the copper foil 507, and the electrically insulating substrate 508 are mechanically and firmly bonded. The wiring pattern 506 and the copper foil 507 are electrically connected by the inner via 509. After that, the copper foil 507 is processed to form the wiring pattern 510.

【0091】このようにして、多層構造を有する回路部
品内蔵モジュールを形成できる。上記製造方法によれ
ば、多層構造を有する回路部品内蔵モジュールを容易に
製造することができる。
Thus, a circuit component built-in module having a multilayer structure can be formed. According to the above-described manufacturing method, a circuit component built-in module having a multilayer structure can be easily manufactured.

【0092】(実施形態6)この実施形態6では、実施
形態4で説明した回路部品内蔵モジュールの製造方法の
他の一実施形態を説明する。実施形態6で用いられる材
料および回路部品は、実施形態4で説明したものであ
る。
(Embodiment 6) In Embodiment 6, another embodiment of the method of manufacturing the circuit component built-in module described in Embodiment 4 will be described. The materials and circuit components used in the sixth embodiment are the same as those described in the fourth embodiment.

【0093】図6を参照して、この実施形態における回
路部品内蔵モジュールの製造方法の一例を説明する。図
6(a)〜(g)は、この実施形態における回路部品内
蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。
Referring to FIG. 6, an example of a method for manufacturing a circuit component built-in module in this embodiment will be described. 6 (a) to 6 (g) are cross-sectional views showing the steps of manufacturing the circuit component built-in module according to this embodiment.

【0094】まず、図6(a)に示すように、無機フィ
ラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによ
って板状の混合物600を形成し、貫通孔に導電性物質
601を充填することによって貫通孔に導電性樹脂組成
物601が充填された板状体を形成する。この工程は、
図2(a)〜(c)で説明したものと同様であり、重複
する説明は省略する。一方、離型フィルム603上に配
線パターン606を形成し、配線パターン606上に能
動部品604および受動部品605を実装する。この工
程は、図3(d)で説明したものと同様であり、重複す
る説明は省略する。
First, as shown in FIG. 6A, a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin is processed to form a plate-like mixture 600, and the through-hole is filled with a conductive material 601. Thereby, a plate-like body in which the conductive resin composition 601 is filled in the through holes is formed. This step is
This is the same as that described with reference to FIGS. 2A to 2C, and redundant description will be omitted. On the other hand, a wiring pattern 606 is formed on the release film 603, and the active component 604 and the passive component 605 are mounted on the wiring pattern 606. This step is the same as that described with reference to FIG. 3D, and a duplicate description will be omitted.

【0095】その後、図6(b)に示すように、図6
(a)の板状の混合物600と離型フィルム603とを
位置合わせして重ねて加圧した後、離型フィルム603
を剥離することによって、配線パターン606、能動部
品604および受動部品605が埋設された板状体を形
成する。
Thereafter, as shown in FIG.
After the plate-shaped mixture 600 of (a) and the release film 603 are aligned and overlapped and pressed, the release film 603 is pressed.
Is peeled off to form a plate-like body in which the wiring pattern 606, the active component 604, and the passive component 605 are embedded.

【0096】図6(a)および(b)の工程と平行し
て、図6(a)および(b)と同様の工程で、配線パタ
ーン606および回路部品が埋設された板状体を形成す
る(図6(c)および(d)参照)。なお、配線パター
ン606と回路部品は、設計に応じて各層ごとに異な
る。
In parallel with the steps of FIGS. 6A and 6B, a plate-like body in which the wiring pattern 606 and circuit components are embedded is formed in the same steps as in FIGS. 6A and 6B. (See FIGS. 6C and 6D). Note that the wiring pattern 606 and the circuit components are different for each layer according to the design.

【0097】図6(a)および(b)の工程と平行し
て、図6(e)に示すように、離型フィルム603上
に、配線パターン607を形成する。その後、図6
(f)に示すように、図6(b)および(d)の板状体
を位置合わせして重ね、図6(d)の板状体の配線パタ
ーン606が形成されていない主面上に、さらに図6
(e)の離型フィルム603を配線パターン607が内
側になるように重ねる。
In parallel with the steps of FIGS. 6A and 6B, a wiring pattern 607 is formed on the release film 603 as shown in FIG. 6E. Then, FIG.
As shown in FIG. 6 (f), the plate-shaped members of FIGS. 6 (b) and 6 (d) are aligned and overlapped, and the plate-shaped member of FIG. And FIG.
The release film 603 of (e) is overlaid so that the wiring pattern 607 is on the inside.

【0098】その後、図6(g)に示すように、図6
(f)で重ねた板状体および離型フィルム603を加圧
し加熱することによって、多層構造を有する板状体を形
成する。加熱は、混合物600および導電性樹脂組成物
601中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度(た
とえば150℃〜260℃)で行い、混合物600は電
気絶縁性基板608となり、導電性樹脂組成物601は
インナービア609となる。この工程によって、能動部
品604、受動部品605、配線パターン606および
607、および電気絶縁性基板608が機械的に強固に
接着する。また、インナービア609によって、配線パ
ターン606および607が電気的に接続される。
Thereafter, as shown in FIG.
By pressing and heating the plate-like body and the release film 603 stacked in (f), a plate-like body having a multilayer structure is formed. The heating is performed at a temperature (for example, 150 ° C. to 260 ° C.) or higher at which the thermosetting resin in the mixture 600 and the conductive resin composition 601 is cured, and the mixture 600 becomes an electrically insulating substrate 608 and The object 601 becomes the inner via 609. By this step, the active component 604, the passive component 605, the wiring patterns 606 and 607, and the electrically insulating substrate 608 are mechanically and strongly bonded. The wiring patterns 606 and 607 are electrically connected by the inner via 609.

【0099】その後、多層構造を有する板状体から離型
フィルム603を剥離することによって、多層構造を有
する回路部品内蔵モジュールを形成できる。このように
して、上記製造方法によれば、多層構造を有する回路部
品内蔵モジュールを容易に製造することができる。
Thereafter, the release film 603 is peeled off from the plate-like body having the multilayer structure, thereby forming the circuit component built-in module having the multilayer structure. Thus, according to the above-described manufacturing method, a circuit component built-in module having a multilayer structure can be easily manufactured.

【0100】[0100]

【実施例】以下に、本発明の具体的な実施例を説明す
る。 (実施例1)本発明の回路部品内蔵モジュールの作製に
際し、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物から
なる電気絶縁性基板の作製方法の一例について説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. (Example 1) An example of a method for producing an electrically insulating substrate made of a mixture containing an inorganic filler and a thermosetting resin in producing the module with a built-in circuit component of the present invention will be described.

【0101】本実施例では、表1に示す配合組成で電気
絶縁性基板を作製した。なお、比較例を試料番号1に示
す。
In this example, an electrically insulating substrate was produced with the composition shown in Table 1. A comparative example is shown in Sample No. 1.

【0102】[0102]

【表1】 [Table 1]

【0103】この実施例では、液状エポキシ樹脂には、
日本ペルノックス(株)製のエポキシ樹脂(WE−20
25、酸無水系硬化剤含む)を用いた。フェノール樹脂
には、大日本インキ(株)製のフェノール樹脂(フェノ
ライト、VH4150)を用いた。シアネート樹脂に
は、旭チバ(株)製のシアネート樹脂(AroCy、M
−30)を用いた。この実施例では、添加物としてカー
ボンブラックまたは分散剤を加えた。
In this example, the liquid epoxy resin includes:
Epoxy resin (WE-20) manufactured by Nippon Pernox Co., Ltd.
25, including an acid anhydride-based curing agent). As the phenol resin, a phenol resin (Phenolite, VH4150) manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. was used. As the cyanate resin, a cyanate resin manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd. (AroCy, M
-30) was used. In this example, carbon black or a dispersant was added as an additive.

【0104】板状体の作製は、まず、表1の組成で混合
されたペースト状の混合物を、所定量だけ離型フィルム
上に滴下する。ペースト状の混合物は、無機フィラーと
液状の熱硬化性樹脂とを攪拌混合機によって10分程度
混合して作製した。使用した攪拌混合機は、所定の容量
の容器に無機フィラーと液状の熱硬化性樹脂とを投入
し、容器自身を回転させながら公転させるもので、混合
物の粘度が比較的高くても充分な分散状態が得られる。
離型フィルムには厚み75μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、フィルム表面にシリコンによる
離型処理を施した。
For the production of the plate-like body, first, a predetermined amount of a paste-like mixture mixed with the composition shown in Table 1 is dropped on a release film. The paste-like mixture was prepared by mixing the inorganic filler and the liquid thermosetting resin for about 10 minutes with a stirring mixer. The stirring and mixing machine used is a device in which an inorganic filler and a liquid thermosetting resin are charged into a container having a predetermined capacity and revolved while rotating the container itself. Even if the viscosity of the mixture is relatively high, sufficient dispersion can be achieved. The state is obtained.
A 75 μm-thick polyethylene terephthalate film was used as the release film, and the film surface was subjected to release treatment with silicon.

【0105】次に、離型フィルム上のペースト状の混合
物にさらに離型フィルムを重ね、加圧プレスで厚さ50
0μmになるようにプレスして、板状の混合物を得た。
次に、離型フィルムで挟まれた板状の混合物を離型フィ
ルムごと加熱し、板状の混合物の粘着性が無くなる条件
下で熱処理した。熱処理は、120℃の温度で15分間
保持である。この熱処理によって、板状の混合物の粘着
性が失われるため、離型フィルムの剥離が容易になる。
この実施例で用いた液状エポキシ樹脂は、硬化温度が1
30℃であるため、この熱処理条件下では、未硬化状態
(Bステージ)である。
Next, the release film is further superimposed on the paste-like mixture on the release film, and a thickness of 50 μm is pressed by a press.
The mixture was pressed to 0 μm to obtain a plate-like mixture.
Next, the plate-shaped mixture sandwiched between the release films was heated together with the release film, and heat-treated under the condition that the plate-shaped mixture became non-tacky. The heat treatment is held at a temperature of 120 ° C. for 15 minutes. By this heat treatment, the adhesiveness of the plate-shaped mixture is lost, so that the release film can be easily separated.
The liquid epoxy resin used in this example had a curing temperature of 1
Since it is 30 ° C., it is in an uncured state (B stage) under these heat treatment conditions.

【0106】次に、板状の混合物から離型フィルムを剥
離し、板状の混合物を耐熱性離型フィルム(PPS:ポ
リフェニレンサルファイト、厚さ75μm)で挟んで、
50kg/cm2の圧力で加圧しながら170℃の温度
で加熱することによって板状の混合物を硬化させた。
Next, the release film was peeled from the plate-like mixture, and the plate-like mixture was sandwiched between heat-resistant release films (PPS: polyphenylene sulphite, thickness 75 μm).
The plate-shaped mixture was cured by heating at a temperature of 170 ° C. while applying a pressure of 50 kg / cm 2 .

【0107】次に、硬化した板状の混合物から耐熱性離
型フィルムを剥離することによって、電気絶縁性基板を
得た。この電気絶縁性基板を所定の寸法に加工して、熱
伝導度、線膨張係数などを測定した。熱伝導度は、10
mm角に切断した試料の表面を加熱ヒータに接触させて
加熱し、反対面の温度上昇から計算で求めた。線膨張係
数は、室温から140℃まで温度上昇させた場合の電気
絶縁性基板の寸法変化を測定し、その寸法変化の平均値
から求めた。絶縁耐圧は、電気絶縁性基板の厚み方向に
AC電圧を印加した場合の絶縁耐圧を求め、単位厚み当
たりの絶縁耐圧を計算した。
Next, the heat-resistant release film was peeled off from the cured plate-like mixture to obtain an electrically insulating substrate. This electrically insulating substrate was processed into a predetermined size, and the thermal conductivity, the coefficient of linear expansion, and the like were measured. Thermal conductivity is 10
The surface of the sample cut into a square of mm was heated by bringing it into contact with a heater, and was calculated from the temperature rise on the opposite surface. The linear expansion coefficient was obtained by measuring a dimensional change of the electrically insulating substrate when the temperature was increased from room temperature to 140 ° C., and was obtained from an average value of the dimensional change. The dielectric strength was obtained by calculating the dielectric strength when an AC voltage was applied in the thickness direction of the electrically insulating substrate, and calculating the dielectric strength per unit thickness.

【0108】表1に示すように、上記の方法で作製され
た電気絶縁性基板は、無機フィラーとしてAl23を用
いた場合には、従来のガラス−エポキシ基板(熱伝導度
0.2w/mK〜0.3w/mK)に比べて熱伝導度が
約10倍以上となった。Al 23の量を85重量%以上
とすることによって、熱伝導度を2.8w/mK以上と
することができた。Al23はコストが安いという利点
もある。
As shown in Table 1, it was manufactured by the above method.
The electrically insulating substrate was made of Al as an inorganic filler.TwoOThreeFor
If you have a conventional glass-epoxy substrate (thermal conductivity
0.2 w / mK to 0.3 w / mK)
It was about 10 times or more. Al TwoOThree85% by weight or more
By setting the thermal conductivity to 2.8 w / mK or more,
We were able to. AlTwoOThreeIs the advantage of low cost
There is also.

【0109】また、無機フィラーとしてAlN、MgO
を用いた場合では、Al23を用いた場合と同等以上の
熱伝導度が得られた。また、無機フィラーとして非晶質
SiO2を用いた場合では、線膨張係数がシリコン半導
体(線膨張係数3×10-6/℃)により近くなった。し
たがって、無機フィラーとして非晶質SiO2を用いた
電気絶縁性基板は、半導体を直接実装するフリップチッ
プ用基板として好ましい。
Further, AlN, MgO are used as inorganic fillers.
In the case of using Al, thermal conductivity equal to or higher than that in the case of using Al 2 O 3 was obtained. When amorphous SiO 2 was used as the inorganic filler, the linear expansion coefficient was closer to that of a silicon semiconductor (linear expansion coefficient: 3 × 10 −6 / ° C.). Therefore, an electrically insulating substrate using amorphous SiO 2 as an inorganic filler is preferable as a flip-chip substrate on which a semiconductor is directly mounted.

【0110】また、無機フィラーとしてSiO2を用い
た場合には、誘電率が低い電気絶縁性基板が得られた。
SiO2は比重が軽いという利点もある。無機フィラー
としてSiO2を用いた回路部品内蔵モジュールは、携
帯電話などの高周波用モジュールとして好ましい。
When SiO 2 was used as the inorganic filler, an electrically insulating substrate having a low dielectric constant was obtained.
SiO 2 also has the advantage of low specific gravity. A circuit component built-in module using SiO 2 as an inorganic filler is preferable as a high-frequency module such as a mobile phone.

【0111】また、無機フィラーとしてBNを用いた場
合には、熱伝導度が高く線膨張係数が低い電気絶縁性基
板が得られた。表1の比較例(試料番号1)に示すよう
に、無機フィラーとして60重量%のAl23を用いた
場合を除いて、電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、10kV
/mm以上であった。電気絶縁性基板の絶縁耐圧は、電
気絶縁性基板の材料である無機フィラーと熱硬化性樹脂
との接着性の指標となる。すなわち、無機フィラーと熱
硬化性樹脂との接着性が悪いと、その間に微小な隙間が
生じて絶縁耐圧が低下する。このような微小な隙間は回
路部品内蔵モジュールの信頼性低下を招く。一般に、絶
縁耐圧が10kV/mm以上であれば無機フィラーと熱
硬化性樹脂との接着性が良好であると判断できる。した
がって、無機フィラーの量は70重量%以上であること
が好ましい。
When BN was used as the inorganic filler, an electrically insulating substrate having a high thermal conductivity and a low coefficient of linear expansion was obtained. As shown in the comparative example (sample number 1) in Table 1, except for the case where 60% by weight of Al 2 O 3 was used as the inorganic filler, the withstand voltage of the electrically insulating substrate was 10 kV.
/ Mm or more. The withstand voltage of the electrically insulating substrate is an index of the adhesiveness between the inorganic filler, which is a material of the electrically insulating substrate, and the thermosetting resin. That is, if the adhesiveness between the inorganic filler and the thermosetting resin is poor, a minute gap is generated therebetween, and the withstand voltage decreases. Such a small gap causes a decrease in the reliability of the module with a built-in circuit component. In general, if the dielectric strength is 10 kV / mm or more, it can be determined that the adhesion between the inorganic filler and the thermosetting resin is good. Therefore, the amount of the inorganic filler is preferably 70% by weight or more.

【0112】なお、熱硬化性樹脂の含有量が低いと電気
絶縁性基板の強度が低下するため、熱硬化性樹脂は4.
8重量%以上であることが好ましい。 (実施例2)実施例2は、実施形態2で説明した方法で
回路部品内蔵モジュールを作製した一例である。
When the content of the thermosetting resin is low, the strength of the electrically insulating substrate is reduced.
It is preferably at least 8% by weight. (Example 2) Example 2 is an example in which a circuit component built-in module is manufactured by the method described in the second embodiment.

【0113】本実施例に使用した電気絶縁性基板の組成
は、Al23(昭和電工(株)製AS−40、球状、平
均粒子径12μm)が90重量%、液状エポキシ樹脂
(日本レック(株)製、EF−450)が9.5重量
%、カーボンブラック(東洋カーボン(株)製)が0.
2重量%、カップリング剤(味の素(株)製、チタネー
ト系、46B)が0.3重量%である。
The composition of the electrically insulating substrate used in this example was as follows: Al 2 O 3 (AS-40, manufactured by Showa Denko KK, spherical, average particle diameter: 12 μm): 90% by weight, liquid epoxy resin (Nippon Rec. 9.5-wt% of carbon black (manufactured by Toyo Carbon Co., Ltd.).
2% by weight, and 0.3% by weight of a coupling agent (manufactured by Ajinomoto Co., Inc., titanate, 46B).

【0114】上記材料を実施例1と同様の条件で処理す
ることによって、板状体(厚み500μm)を作製し
た。上記板状体を所定の大きさに切断し、炭酸ガスレー
ザを用いてインナービアホール接続をするための貫通孔
(直径0.15mm)を形成した(図2(b)参照)。
By treating the above material under the same conditions as in Example 1, a plate-like body (thickness: 500 μm) was produced. The plate was cut into a predetermined size, and a through hole (diameter: 0.15 mm) for connecting to an inner via hole was formed using a carbon dioxide gas laser (see FIG. 2B).

【0115】この貫通孔に、導電性樹脂組成物をスクリ
ーン印刷法によって充填した(図2(c)参照)。導電
性樹脂組成物は、球状の銅粒子85重量%と、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ製、エピ
コート828)3重量%と、グルシジルエステル系エポ
キシ樹脂(東都化成製、YD−171)9重量%と、ア
ミンアダクト硬化剤(味の素製、MY−24)3重量%
とを混練して作製した。
The through holes were filled with a conductive resin composition by screen printing (see FIG. 2C). The conductive resin composition is composed of 85% by weight of spherical copper particles, 3% by weight of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Epoxy, Epicoat 828), and a glycidyl ester-based epoxy resin (YD-171 manufactured by Toto Kasei). ) 9% by weight and 3% by weight of amine adduct curing agent (manufactured by Ajinomoto, MY-24)
And kneaded.

【0116】次に、厚さ35μmの銅箔の片面を粗化
し、粗化した面に導電性接着剤を用いて半導体素子をフ
リップチップボンディングした(図2(d)参照)。次
に、半導体素子を実装した銅箔と、導電性樹脂組成物を
充填した板状体と、別途作製した銅箔(片面を粗化処理
した銅箔で厚さ35μm)とを位置合わせして重ねた
(図2(f)参照)。この時、銅箔の粗化面は、板状体
側になるように重ねた。
Next, one side of a copper foil having a thickness of 35 μm was roughened, and a semiconductor element was flip-chip bonded to the roughened surface using a conductive adhesive (see FIG. 2D). Next, the copper foil on which the semiconductor element was mounted, the plate-like body filled with the conductive resin composition, and the separately prepared copper foil (thickness of one side of the copper foil was 35 μm) were aligned. It overlapped (refer FIG.2 (f)). At this time, the copper foil was overlapped so that the roughened surface was on the plate-like body side.

【0117】次に、これを熱プレス機によってプレス温
度120℃、圧力10kg/cm2で5分間加熱加圧し
た。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中
の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子が板状体中
に容易に埋没した。
Next, this was heated and pressed by a hot press at a press temperature of 120 ° C. and a pressure of 10 kg / cm 2 for 5 minutes. Heating at a temperature lower than the curing temperature softens the thermosetting resin in the plate-shaped body, so that the semiconductor element was easily buried in the plate-shaped body.

【0118】次に、加熱温度を上昇させて175℃で6
0分間加熱した(図2(g)参照)。この加熱によっ
て、板状体中のエポキシ樹脂および導電性樹脂組成物中
のエポキシ樹脂が硬化し、半導体素子および銅箔と板状
体とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によ
って、導電性樹脂組成物と銅箔とが電気的(インナービ
ア接続)、機械的に接続された。
Next, the heating temperature was raised to 175 ° C. for 6 hours.
Heated for 0 minutes (see FIG. 2 (g)). By this heating, the epoxy resin in the plate and the epoxy resin in the conductive resin composition were cured, and the semiconductor element and the copper foil were mechanically and firmly connected to the plate. In addition, by this heating, the conductive resin composition and the copper foil were electrically (inner-via connected) and mechanically connected.

【0119】次に、半導体素子が埋設された板状体の表
面の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によ
ってエッチングし、配線パターンを形成した(図2
(h)参照)。このようにして、回路部品内蔵モジュー
ルを作成した。
Next, the copper foil on the surface of the plate-like body in which the semiconductor element was embedded was etched by a photolithography step and an etching step to form a wiring pattern (FIG. 2).
(H)). Thus, a circuit component built-in module was created.

【0120】本実施例によって作製された回路部品内蔵
モジュールの信頼性を評価するため、半田リフロー試験
および温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験
は、ベルト式リフロー試験機を用い、最高温度が260
℃で10秒のサイクルを10回繰り返すことで行った。
温度サイクル試験は、125℃で30分間保持した後、
−60℃の温度で30分間保持する工程を200サイク
ル繰り返すことによって行った。
A solder reflow test and a temperature cycle test were performed to evaluate the reliability of the module with a built-in circuit component manufactured according to this example. The solder reflow test uses a belt-type reflow tester, and the maximum temperature is 260
The cycle was repeated 10 times at 10 ° C. for 10 times.
In the temperature cycle test, after holding at 125 ° C. for 30 minutes,
The process of holding at a temperature of −60 ° C. for 30 minutes was performed by repeating 200 cycles.

【0121】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、本実施例の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no cracks occurred in the circuit component built-in module of this example, and no particular abnormality was observed even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it can be seen that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly adhered. Also, the resistance value of the inner via connection by the conductive resin composition hardly changed before and after the start of the test.

【0122】(実施例3)実施例3は、実施形態3で説
明した方法で回路部品内蔵モジュールを作製した一例で
ある。
Example 3 Example 3 is an example in which a circuit component built-in module was manufactured by the method described in the third embodiment.

【0123】まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に
導電性樹脂組成物が充填された板状体(厚さ500μ
m)を作製した(図3(c)参照)。次に、離型フィル
ム(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm)
に、厚さ35μmの銅箔を接着剤によって接着した。こ
の銅箔は、片面が粗化処理されており、光沢面が接着剤
側になるように接着した。
First, in the same manner as in Example 2, a plate-like body (thickness: 500 μm) in which the conductive resin composition was filled in the through hole was provided.
m) (see FIG. 3 (c)). Next, a release film (made of polyphenylene sulphite, thickness 150 μm)
Then, a copper foil having a thickness of 35 μm was bonded with an adhesive. This copper foil was roughened on one side and bonded so that the glossy side was on the adhesive side.

【0124】次に、離型フィルム上の銅箔を、フォトリ
ソ工程およびエッチング工程によってエッチングして、
配線パターンを形成した。さらにこの配線パターン上
に、半田バンプを用いて半導体素子をフリップチップボ
ンディングした(図3(d)参照)。
Next, the copper foil on the release film is etched by a photolithography process and an etching process.
A wiring pattern was formed. Further, a semiconductor element was flip-chip bonded on this wiring pattern using solder bumps (see FIG. 3D).

【0125】次に、配線パターンに実装した半導体素子
と配線パターンとの隙間に封止樹脂を注入した。具体的
には、70℃に加熱したホットプレートを傾け、そのホ
ットプレート上に、半導体素子を実装した配線パターン
を有する離型フィルムを設置した後、半導体素子と配線
パターンとの間に注射器で徐々に封止樹脂を注入した。
10秒程度で半導体素子と配線パターンとの間に封止樹
脂を注入できた。ホットプレートで加熱するのは、封止
樹脂の粘度を下げて短時間に注入できるようにするため
である。また、ホットプレートを傾けるのは注入を容易
にするためである。封止樹脂には、テクノアルファー
(株)製EL18Bを用いた。EL18Bは、一液性の
エポキシ樹脂にSiO2粉末を混入した樹脂である。
Next, a sealing resin was injected into a gap between the semiconductor element mounted on the wiring pattern and the wiring pattern. Specifically, a hot plate heated to 70 ° C. is tilted, a release film having a wiring pattern on which a semiconductor element is mounted is placed on the hot plate, and then a syringe is gradually inserted between the semiconductor element and the wiring pattern. Was injected with a sealing resin.
The sealing resin could be injected between the semiconductor element and the wiring pattern in about 10 seconds. The reason for heating with a hot plate is to lower the viscosity of the sealing resin so that the resin can be injected in a short time. In addition, the hot plate is inclined to facilitate injection. EL18B manufactured by Techno Alpha Co., Ltd. was used as the sealing resin. EL18B is a resin obtained by mixing SiO 2 powder in a one-part epoxy resin.

【0126】一方、上記工程と平行して、上記工程と同
様に、片面に配線パターンが形成された離型フィルム
(ポリフェニレンサルファイト製、厚さ150μm)を
作製した(図3(e)参照)。
On the other hand, in parallel with the above step, a release film (made of polyphenylene sulphite, thickness 150 μm) having a wiring pattern formed on one side was prepared in the same manner as the above step (see FIG. 3E). .

【0127】次に、半導体素子をボンディングした離型
フィルムと、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板
状体と、片面に配線パターンが形成された離型フィルム
とを、位置合わせして重ねた(図3(f)参照)。
Next, the release film having the semiconductor element bonded thereto, the plate-like body in which the conductive resin composition is filled in the through holes, and the release film having the wiring pattern formed on one side are aligned. (See FIG. 3 (f)).

【0128】次に、これを熱プレス機によってプレス温
度120℃、圧力10kg/cm2で5分間加熱加圧し
た。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体中
の熱硬化性樹脂が軟化するため、半導体素子および配線
パターンが板状体中に容易に埋没した。
Next, this was heated and pressed by a hot press at a press temperature of 120 ° C. and a pressure of 10 kg / cm 2 for 5 minutes. Heating at a temperature lower than the curing temperature softened the thermosetting resin in the plate, so that the semiconductor element and the wiring pattern were easily buried in the plate.

【0129】次に、加熱温度を上昇させて175℃で6
0分間加熱した(図3(g)参照)。この加熱によっ
て、板状体および導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が
硬化するため、半導体素子および配線パターンと板状体
とが機械的に強固に接続された。また、この加熱によっ
て、導電性樹脂組成物と配線パターンとが電気的(イン
ナービア接続)、機械的に接続された。さらに、この加
熱によって、半導体素子と配線パターンとの間に注入さ
れた封止樹脂も硬化した。
Next, the heating temperature was raised to 175 ° C. for 6 hours.
Heated for 0 minutes (see FIG. 3 (g)). By this heating, the plate-like body and the epoxy resin in the conductive resin composition are cured, so that the semiconductor element and the wiring pattern are mechanically and firmly connected to the plate-like body. Further, by this heating, the conductive resin composition and the wiring pattern were electrically (inner-via connected) and mechanically connected. Further, by this heating, the sealing resin injected between the semiconductor element and the wiring pattern was also cured.

【0130】次に、板状体から離型フィルムを剥離した
(図3(h)参照)。ポリフェニレンサルファイト製の
離型フィルムは、上記加熱温度以上の耐熱性がある。ま
た、銅箔の粗化された面は板状体およびインナービアと
接着し、銅箔の光沢面は離型フィルムと接着している。
したがって、板状体およびインナービアと銅箔との接着
強度は、離型フィルムと銅箔との接着強度よりも大きい
ため、離型フィルムだけを剥離することができる。この
ようにして、回路部品内蔵モジュールを作成した。
Next, the release film was peeled off from the plate (see FIG. 3 (h)). The release film made of polyphenylene sulfite has heat resistance higher than the above heating temperature. Further, the roughened surface of the copper foil is bonded to the plate-like body and the inner via, and the glossy surface of the copper foil is bonded to the release film.
Therefore, since the adhesive strength between the plate-like body and the inner via and the copper foil is greater than the adhesive strength between the release film and the copper foil, only the release film can be peeled off. Thus, a circuit component built-in module was created.

【0131】実施例3によって作製された回路部品内蔵
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
In order to evaluate the reliability of the circuit component built-in module manufactured in Example 3, a solder reflow test and a temperature cycle test were performed under the same conditions as in Example 2.

【0132】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、実施例3の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no crack occurred in the circuit component built-in module of Example 3, and no particular abnormality was observed even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it can be seen that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly adhered. Also, the resistance value of the inner via connection by the conductive resin composition hardly changed before and after the start of the test.

【0133】(実施例4)この実施例4は、実施形態5
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールを作製した一例である。
(Embodiment 4) This embodiment 4 is a modification of the fifth embodiment.
7 is an example in which a circuit component built-in module having a multilayer structure is manufactured by the method described in 1).

【0134】この実施例4では、回路部品として、半導
体素子とチップ部品とを用いた。まず、実施例2と同様
の方法で、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状
体を形成した。
In Example 4, semiconductor elements and chip parts were used as circuit parts. First, a plate-like body in which the conductive resin composition was filled in the through hole was formed in the same manner as in Example 2.

【0135】次に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填さ
れた板状体と、回路部品がフリップチップボンディング
された配線パターンを備える離型フィルム(ポリフェニ
レンサルファイト製)とを、位置合わせして重ねた(図
5(a)参照)。
Next, the plate-like body in which the conductive resin composition is filled in the through-hole and the release film (made of polyphenylene sulphite) having the wiring pattern to which the circuit components are flip-chip bonded are aligned. (See FIG. 5A).

【0136】次に、これを熱プレス機によって、プレス
温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧
した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体
中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中
に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から
剥離することによって回路部品が埋設された板状体を形
成した(図5(b)参照)。
Next, this is pressed by a hot press machine.
Temperature 120 ° C, pressure 10kg / cm TwoFor 5 minutes
did. By heating at a temperature lower than the curing temperature,
Since the thermosetting resin in the interior softens, circuit components
Buried easily. And release the film from the plate
By peeling, a plate-like body with embedded circuit components is formed.
(See FIG. 5B).

【0137】この板状体を複数個作製し、複数個の板状
体と銅箔とを位置合わせして重ねた(図5(g)参
照)。次に、これを熱プレス機によって、プレス温度1
75℃、圧力50kg/cm 2で60分間加熱加圧し
た。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設された
複数の板状体と銅箔とが一体となって、一つの板状体が
形成された。この加熱加圧処理によって、板状体および
導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品
および配線パターンと板状体とが機械的に強固に接続さ
れた。また、この加熱加圧処理によって、銅箔および配
線パターンと導電性樹脂組成物とが電気的(インナービ
ア接続)、機械的に接続された。
A plurality of the plate-like bodies were prepared, and a plurality of plate-like bodies were prepared.
The body and the copper foil were aligned and stacked (see FIG. 5 (g)).
See). Next, this was pressed by a hot press at a press temperature of 1
75 ° C, pressure 50kg / cm TwoPress and heat for 60 minutes
Was. The circuit components were buried by this heating and pressing process.
A plurality of plate-like bodies and copper foil are integrated into one plate-like body.
Been formed. By this heating and pressing treatment, the plate-shaped body and
The epoxy resin in the conductive resin composition cures to form circuit components.
And the wiring pattern and the plate are mechanically firmly connected.
Was. The heat and pressure treatment also causes the copper foil and distribution
The line pattern and the conductive resin composition are electrically (inner
A connection), mechanically connected.

【0138】次に、回路部品が埋設された板状体の表面
の銅箔を、フォトリソ工程およびエッチング工程によっ
てエッチングすることによって、配線パターンを形成し
た(図5(h)参照)。このようにして、多層構造を有
する回路部品内蔵モジュールを作製した。
Next, a wiring pattern was formed by etching the copper foil on the surface of the plate-like body in which the circuit components were embedded by a photolithography step and an etching step (see FIG. 5H). Thus, a circuit component built-in module having a multilayer structure was manufactured.

【0139】実施例4によって作製された回路部品内蔵
モジュールの信頼性を評価するため、実施例2と同様の
条件で、半田リフロー試験および温度サイクル試験を行
った。
In order to evaluate the reliability of the circuit component built-in module manufactured in Example 4, a solder reflow test and a temperature cycle test were performed under the same conditions as in Example 2.

【0140】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、実施例4の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no cracks occurred in the circuit component built-in module of Example 4, and no particular abnormality was observed even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it can be seen that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly adhered. Also, the resistance value of the inner via connection by the conductive resin composition hardly changed before and after the start of the test.

【0141】(実施例5)この実施例5は、実施形態6
で説明した方法で多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールを作製した一例である。
(Embodiment 5) This embodiment 5 corresponds to the embodiment 6
7 is an example in which a circuit component built-in module having a multilayer structure is manufactured by the method described in 1).

【0142】まず、実施例2と同様の方法で、貫通孔に
導電性樹脂組成物が充填された板状体を形成した。次
に、貫通孔に導電性樹脂組成物が充填された板状体と、
回路部品がフリップチップボンディングされた配線パタ
ーンを備える離型フィルム(ポリフェニレンサルファイ
ト製)とを、位置合わせして重ねた(図6(a)参
照)。
First, a plate-like body in which the conductive resin composition was filled in the through hole was formed in the same manner as in Example 2. Next, a plate-like body filled with a conductive resin composition in the through-hole,
A release film (made of polyphenylene sulphide) having a wiring pattern to which circuit components were flip-chip bonded was aligned and overlaid (see FIG. 6A).

【0143】次に、これを熱プレス機によって、プレス
温度120℃、圧力10kg/cm 2で5分間加熱加圧
した。硬化温度より低い温度での加熱によって、板状体
中の熱硬化性樹脂が軟化するため、回路部品が板状体中
に容易に埋没した。そして、離型フィルムを板状体から
剥離することによって板状体を形成した(図6(b)参
照)。同様に、回路部品が埋設された板状体を形成した
(図6(d)参照)。
Next, this is pressed by a hot press machine.
Temperature 120 ° C, pressure 10kg / cm TwoFor 5 minutes
did. By heating at a temperature lower than the curing temperature,
Since the thermosetting resin in the interior softens, circuit components
Buried easily. And release the film from the plate
A plate was formed by peeling (see FIG. 6B).
See). Similarly, formed a plate-shaped body with embedded circuit components
(See FIG. 6D).

【0144】次に、離型フィルム(ポリフェニレンサル
ファイト製)の片面に配線パターンを形成した(図6
(e)参照)。次に、回路部品が埋設された2個の板状
体と、配線パターンが形成された離型フィルムとを位置
合わせして重ねた(図6(f)参照)。
Next, a wiring pattern was formed on one side of the release film (made of polyphenylene sulphite) (FIG. 6).
(E)). Next, the two plate-like bodies in which the circuit components were embedded and the release film on which the wiring pattern was formed were aligned and overlapped (see FIG. 6F).

【0145】次に、これを熱プレス機によって、プレス
温度175℃、圧力50kg/cm 2で60分間加熱加
圧した。この加熱加圧処理によって、回路部品が埋設さ
れた複数の板状体と離型フィルムとが一体となって、一
つの板状体が形成された。この加熱加圧処理によって、
板状体中のエポキシ樹脂が硬化し、回路部品および配線
パターンと板状体とが機械的に強固に接続された。ま
た、この加熱加圧処理によって導電性樹脂組成物中のエ
ポキシ樹脂が硬化し、配線パターンと導電性樹脂組成物
とが電気的(インナービア接続)、機械的に接続され
た。
Next, this is pressed by a hot press machine.
Temperature 175 ° C, pressure 50kg / cm TwoHeating for 60 minutes
Pressed. This heating and pressurizing process embeds circuit components
The plurality of plate-shaped objects and the release film are
Two platelets were formed. By this heat and pressure treatment,
The epoxy resin in the plate is cured, and circuit components and wiring
The pattern and the plate were firmly connected mechanically. Ma
In addition, by this heat and pressure treatment, air in the conductive resin composition is removed.
The epoxy resin cures and the wiring pattern and conductive resin composition
And electrical (inner via connection), mechanically connected
Was.

【0146】次に、一体となった板状体から離型フィル
ムを剥離することによって、多層構造を有する回路部品
内蔵モジュールを作製した(図6(g)参照)。実施例
5によって作製された回路部品内蔵モジュールの信頼性
を評価するため、実施例2と同様の条件で、半田リフロ
ー試験および温度サイクル試験を行った。
Next, the release film was peeled off from the integrated plate-like body to produce a circuit component built-in module having a multilayer structure (see FIG. 6 (g)). In order to evaluate the reliability of the module with a built-in circuit component manufactured in Example 5, a solder reflow test and a temperature cycle test were performed under the same conditions as in Example 2.

【0147】半田リフロー試験および温度サイクル試験
のいずれにおいても、実施例5の回路部品内蔵モジュー
ルにはクラックが発生せず、超音波探傷装置を用いても
特に異常は認められなかった。この試験から、半導体素
子と電気絶縁性基板とは、強固に接着していることがわ
かる。また、導電性樹脂組成物によるインナービア接続
の抵抗値も、試験開始前後でほとんど変化がなかった。
In both the solder reflow test and the temperature cycle test, no crack occurred in the circuit component built-in module of Example 5, and no particular abnormality was observed even when the ultrasonic flaw detector was used. From this test, it can be seen that the semiconductor element and the electrically insulating substrate are firmly adhered. Also, the resistance value of the inner via connection by the conductive resin composition hardly changed before and after the start of the test.

【0148】[0148]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路部品
内蔵モジュールでは、無機フィラーと熱硬化性樹脂との
混合物からなる電気絶縁性基板を用いるとともにインナ
ービアホール接続法を用いているため、高密度に回路部
品を実装することができ放熱性も高い。したがって、本
発明の回路部品内蔵モジュールでは、高密度に回路部品
が実装され且つ信頼性が高い回路部品内蔵モジュールが
得られる。
As described above, the circuit component built-in module of the present invention uses an electrically insulating substrate made of a mixture of an inorganic filler and a thermosetting resin and uses an inner via hole connection method. Circuit components can be mounted at a high density and heat dissipation is high. Therefore, in the circuit component built-in module of the present invention, a circuit component built-in module having high reliability in which circuit components are mounted at a high density can be obtained.

【0149】また、本発明の回路部品内蔵モジュールで
は、多層構造とすることによって、さらに高密度に回路
部品が実装することができる。さらに、本発明の回路部
品内蔵モジュールでは、無機フィラーを選択することに
よって、電気絶縁性基板の熱伝導度、線膨張係数、誘電
率などを制御することが可能である。したがって、本発
明の回路部品内蔵モジュールでは、電気絶縁性基板の線
膨張係数を半導体素子とほぼ同じにすることが可能であ
るため、半導体素子を内蔵した回路部品内蔵モジュール
として好ましい。また、電気絶縁性基板の熱伝導度を向
上させることができるため、放熱を必要とする半導体素
子などを内蔵した回路部品内蔵モジュールとして好まし
い。さらに、電気絶縁性基板の誘電率を低くすることも
できるため、高周波回路用の回路部品内蔵モジュールと
して好ましい。
In the circuit component built-in module of the present invention, the circuit component can be mounted at a higher density by adopting a multilayer structure. Furthermore, in the circuit component built-in module of the present invention, it is possible to control the thermal conductivity, the coefficient of linear expansion, the dielectric constant, and the like of the electrically insulating substrate by selecting the inorganic filler. Therefore, in the module with a built-in circuit component of the present invention, the coefficient of linear expansion of the electrically insulating substrate can be made substantially the same as that of the semiconductor element. Further, since the thermal conductivity of the electrically insulating substrate can be improved, it is preferable as a circuit component built-in module having a built-in semiconductor element or the like that requires heat radiation. Further, since the dielectric constant of the electrically insulating substrate can be reduced, it is preferable as a circuit component built-in module for a high-frequency circuit.

【0150】本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方
法では、上記回路部品内蔵モジュールを容易に製造する
ことができる。また、本発明の回路部品内蔵モジュール
の製造方法では、配線パターンを形成した離型フィルム
を用いることによって、配線パターンを電気絶縁性基板
に埋設することができるため、表面が平滑な回路部品内
蔵モジュールが得られる。したがって、表面の配線パタ
ーンにさらに回路部品を実装する場合に、高密度で回路
部品を実装することができる。
According to the method of manufacturing a module with a built-in circuit component of the present invention, the module with a built-in circuit component can be easily manufactured. In the method for manufacturing a module with a built-in circuit component according to the present invention, since the wiring pattern can be embedded in the electrically insulating substrate by using the release film having the wiring pattern formed thereon, the module with the built-in circuit component has a smooth surface. Is obtained. Therefore, when circuit components are further mounted on the wiring pattern on the surface, the circuit components can be mounted at a high density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の回路部品内蔵モジュールの一実施形
態を示す斜視断面図である。
FIG. 1 is a perspective sectional view showing an embodiment of a circuit component built-in module of the present invention.

【図2】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 2 is a process chart showing one embodiment of a method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【図3】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の他の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 3 is a process chart showing another embodiment of the method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【図4】 本発明の回路部品内蔵モジュールの他の一実
施形態を示す斜視断面図である。
FIG. 4 is a perspective sectional view showing another embodiment of the circuit component built-in module of the present invention.

【図5】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の他の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 5 is a process chart showing another embodiment of the method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【図6】 本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法
の他の一実施形態を示す工程図である。
FIG. 6 is a process chart showing another embodiment of the method for manufacturing a circuit component built-in module of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100、400 回路部品内蔵モジュール 101、401、401a、401b、401c
電気絶縁性基板 102a、102b、402a、402b、402c、
402d 配線パターン 103、403 回路部品 103a、403a 能動部品 103b、403b 受動部品 104、404 インナービア
100, 400 Circuit component built-in module 101, 401, 401a, 401b, 401c
Electrical insulating substrates 102a, 102b, 402a, 402b, 402c,
402d Wiring pattern 103, 403 Circuit component 103a, 403a Active component 103b, 403b Passive component 104, 404 Inner via

Claims (35)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 無機フィラー70重量%〜95重量%と
熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる電気絶縁性基板
と、 前記電気絶縁性基板の少なくとも主面に形成された複数
の配線パターンと、 前記電気絶縁性基板の内部に配置され前記配線パターン
に電気的に接続された回路部品と、 前記複数の配線パターンを電気的に接続するように前記
電気絶縁性基板内に形成されたインナービアとを含む回
路部品内蔵モジュール。
1. An electrically insulating substrate made of a mixture containing 70% to 95% by weight of an inorganic filler and a thermosetting resin; a plurality of wiring patterns formed on at least a main surface of the electrically insulating substrate; A circuit component disposed inside the electrically insulating substrate and electrically connected to the wiring pattern; and an inner via formed in the electrically insulating substrate so as to electrically connect the plurality of wiring patterns. A module with built-in circuit components.
【請求項2】 前記配線パターンは、前記電気絶縁性基
板の主面および内部に形成されている請求項1に記載の
回路部品内蔵モジュール。
2. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the wiring pattern is formed on a main surface and inside of the electrically insulating substrate.
【請求項3】 前記回路部品は能動部品を含み、前記イ
ンナービアは導電性樹脂組成物からなる請求項1または
2に記載の回路部品内蔵モジュール。
3. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the circuit component includes an active component, and the inner via is made of a conductive resin composition.
【請求項4】 前記回路部品は、前記電気絶縁性基板に
よって外気から遮断されている請求項1ないし3のいず
れかに記載の回路部品内蔵モジュール。
4. The module with built-in circuit components according to claim 1, wherein the circuit components are shielded from the outside air by the electrically insulating substrate.
【請求項5】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少なく
とも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項1ないし4のいず
れかに記載の回路部品内臓モジュール。
5. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein said thermosetting resin includes at least one thermosetting resin selected from an epoxy resin, a phenol resin and a cyanate resin.
【請求項6】 前記無機フィラーが、Al23、Mg
O、BN、AlNおよびSiO2から選ばれる少なくと
も一つの無機フィラーを含む請求項1ないし4のいずれ
かに記載の回路部品内蔵モジュール。
6. The method according to claim 1, wherein the inorganic filler is Al 2 O 3 , Mg.
O, the circuit component built-in module according to any one of claims 1 to 4 comprising at least one inorganic filler selected BN, from AlN and SiO 2.
【請求項7】 前記無機フィラーの平均粒子径が0.1
μm〜100μmである請求項1、2、3、4または6
のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
7. An inorganic filler having an average particle size of 0.1.
The particle size is from μm to 100 μm.
The circuit component built-in module according to any one of the above.
【請求項8】 前記配線パターンが銅を含む請求項1な
いし4のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
8. The module according to claim 1, wherein the wiring pattern includes copper.
【請求項9】 前記配線パターンが導電性樹脂組成物を
含む請求項1ないし4のいずれかに記載の回路部品内蔵
モジュール。
9. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the wiring pattern includes a conductive resin composition.
【請求項10】 前記能動部品は半導体ベアーチップを
含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフ
リップチップボンディングされている請求項3または4
に記載の回路部品内蔵モジュール。
10. The semiconductor device according to claim 3, wherein the active component includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is flip-chip bonded to the wiring pattern.
A circuit component built-in module according to item 1.
【請求項11】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅
およびニッケルから選ばれる一つの金属を含む金属粒子
を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹脂成分とし
て含む請求項3、4または9のいずれかに記載の回路部
品内蔵モジュール。
11. The conductive resin composition according to claim 3, wherein the conductive resin composition contains metal particles containing one metal selected from gold, silver, copper and nickel as a conductive component, and an epoxy resin as a resin component. 10. The module with built-in circuit components according to any one of 9.
【請求項12】 前記配線パターンが、エッチング法ま
たは打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームか
らなる請求項1ないし4のいずれかに記載の回路部品内
蔵モジュール。
12. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the wiring pattern is formed of a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method.
【請求項13】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項1ないし4の
いずれかに記載の回路部品内蔵モジュール。
13. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the circuit component includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, and a chip-shaped inductor.
【請求項14】 前記混合物は、分散剤、着色剤、カッ
プリング剤および離型剤から選ばれる少なくとも一つの
添加剤をさらに含む請求項1ないし4のいずれかに記載
の回路部品内蔵モジュール。
14. The circuit component built-in module according to claim 1, wherein the mixture further includes at least one additive selected from a dispersant, a colorant, a coupling agent, and a release agent.
【請求項15】 前記電気絶縁性基板の線膨張係数が8
×10-6/℃〜20×10-6/℃であり、かつ前記電気
絶縁性基板の熱伝導度が1w/mK〜10w/mKであ
る請求項1ないし4のいずれかに記載の回路部品内蔵モ
ジュール。
15. The electric insulating substrate having a linear expansion coefficient of 8
The circuit component according to any one of claims 1 to 4, wherein the circuit component is × 10 −6 / ° C. to 20 × 10 −6 / ° C., and the thermal conductivity of the electrically insulating substrate is 1 w / mK to 10 w / mK. Built-in module.
【請求項16】 無機フィラー70重量%〜95重量%
と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔
を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の銅箔の一主面に回路部品を実装する工程と、 前記第1の銅箔の前記一主面上に、前記第2の板状体を
位置合わせして重ね、さらにその上に第2の銅箔を重ね
て加圧することによって、前記回路部品が埋設された第
3の板状体を形成する工程と、 前記第3の板状体を加熱することによって、前記熱硬化
性樹脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、 前記第1および第2の銅箔を加工して配線パターンを形
成する工程とを含む回路部品内蔵モジュールの製造方
法。
16. 70% to 95% by weight of inorganic filler
Processing a mixture containing a thermosetting resin and a thermosetting resin in an uncured state into a first plate-shaped body having a through-hole; and filling the through-hole with a thermosetting conductive material to form a thermosetting resin. Forming a second plate-like body filled with the conductive substance in the through-hole; mounting a circuit component on one main surface of a first copper foil; A third plate-like body in which the circuit component is embedded by positioning and overlaying the second plate-like body on one main surface, and further overlaying and pressing a second copper foil thereon; Forming a wiring pattern; heating the third plate-shaped body to cure the thermosetting resin and the conductive substance; and processing the first and second copper foils to form a wiring pattern. Forming a circuit component built-in module.
【請求項17】 無機フィラー70重量%〜95重量%
と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔
を有する第1の板状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、
前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 第2の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成する
工程と、 前記第1の離型フィルムと前記第2の板状体と前記第2
の離型フィルムとを前記配線パターンが前記第2の板状
体側に向くようにこの順序で位置合わせして重ねて加圧
することによって前記回路部品が埋設された第3の板状
体を形成する工程と、 第3の板状体を加熱することによって、前記熱硬化性樹
脂および前記導電性物質を硬化させる工程と、 前記第1および第2の離型フィルムを前記硬化した第3
の板状体から剥離する工程とを含む回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法。
17. 70% to 95% by weight of inorganic filler
Processing a mixture containing a thermosetting resin and a thermosetting resin in an uncured state into a first plate-shaped body having a through-hole; and filling the through-hole with a thermosetting conductive material to form a thermosetting resin. Forming a second plate-like body filled with the conductive material in the through-hole; forming a wiring pattern on one main surface of the first release film;
A step of mounting a circuit component on the wiring pattern; a step of forming a wiring pattern on one main surface of a second release film; the first release film, the second plate-like body, and the second 2
The release film is aligned in this order such that the wiring pattern faces the second plate-shaped body, and the laminate is pressed to form a third plate-shaped body in which the circuit components are embedded. Heating the third plate-shaped body to cure the thermosetting resin and the conductive material; and curing the first and second release films in the third cured state.
Peeling off from the plate-like body of the above.
【請求項18】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、 無機フィラー70重量%〜95重量%と未硬化状態の熱
硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板
状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成し、
前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 前記第1の離型フィルムの前記一主面側に、前記第2の
板状体を位置合わせして重ね、加圧することによって前
記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程
と、 前記第1の離型フィルムを前記第3の板状体から剥離す
ることによって第4の板状体を形成する工程と、 複数の前記第4の板状体を位置合わせして重ね、さらに
一主面に配線パターンが形成された第2の離型フィルム
を前記配線パターンが前記第4の板状体側を向くように
位置合わせして重ねて加圧し加熱することによって、前
記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層
構造を有する第5の板状体を形成する工程と、 前記第2の離型フィルムを前記第5の板状体から剥離す
る工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モジュー
ルの製造方法。
18. A method for manufacturing a module with a built-in circuit component having a multilayer structure, comprising: mixing a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler and a thermosetting resin in an uncured state; Forming a second plate-like body filled with a thermosetting conductive material in the through-hole by filling the through-hole with a thermosetting conductive material. Forming a wiring pattern on one main surface of the first release film;
A step of mounting a circuit component on the wiring pattern; and a step of positioning and overlaying the second plate-shaped body on the one main surface side of the first release film, and pressing the circuit component. A step of forming a buried third plate-like body; a step of forming a fourth plate-like body by peeling the first release film from the third plate-like body; The fourth plate-shaped body is aligned and overlapped, and a second release film having a wiring pattern formed on one main surface is further positioned so that the wiring pattern faces the fourth plate-shaped body. A step of forming a fifth plate-like body having a multilayer structure by curing the thermosetting resin and the conductive material by applying pressure and heating, and forming the second release film into the fifth Peeling off from the plate-like body Manufacturing method of module with built-in circuit components.
【請求項19】 多層構造を有する回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、 無機フィラー70重量%〜95重量%と未硬化状態の熱
硬化性樹脂とを含む混合物を、貫通孔を有する第1の板
状体に加工する工程と、 前記貫通孔に熱硬化性の導電性物質を充填することによ
って熱硬化性の導電性物質が前記貫通孔に充填された第
2の板状体を形成する工程と、 第1の離型フィルムの一主面に配線パターンを形成して
前記配線パターン上に回路部品を実装する工程と、 前記第1の離型フィルムの前記一主面側に、前記第2の
板状体を位置合わせして重ねて加圧することによって、
前記回路部品が埋設された第3の板状体を形成する工程
と、 前記第1の離型フィルムを前記第3の板状体から剥離す
ることによって第4の板状体を形成する工程と、 複数の前記第4の板状体を位置合わせして重ね、さらに
その上に銅箔を重ねて加圧し加熱することによって、前
記熱硬化性樹脂および前記導電性物質を硬化させて多層
構造を有する第5の板状体を形成する工程と、 前記第5の板状体の前記銅箔を加工して配線パターンを
形成する工程とを含むことを特徴とする回路部品内蔵モ
ジュールの製造方法。
19. A method for manufacturing a module with a built-in circuit component having a multilayer structure, comprising: mixing a mixture containing 70% by weight to 95% by weight of an inorganic filler and a thermosetting resin in an uncured state; Forming a second plate-like body filled with a thermosetting conductive material in the through-hole by filling the through-hole with a thermosetting conductive material. Forming a wiring pattern on one main surface of a first release film and mounting a circuit component on the wiring pattern; and forming the first release film on the one main surface side of the first release film. By aligning the two plate-like bodies and overlapping and pressing,
Forming a third plate having the circuit component embedded therein; and forming a fourth plate by peeling the first release film from the third plate. By aligning and stacking the plurality of fourth plate-like bodies, further stacking a copper foil thereon, and pressing and heating, the thermosetting resin and the conductive material are hardened to form a multilayer structure. A method for manufacturing a module with a built-in circuit component, comprising: a step of forming a fifth plate-shaped body having the same; and a step of forming a wiring pattern by processing the copper foil of the fifth plate-shaped body.
【請求項20】 前記回路部品は能動部品を含み、前記
導電性物質は導電性樹脂組成物からなる請求項16ない
し19のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製
造方法。
20. The method according to claim 16, wherein the circuit component includes an active component, and the conductive material is formed of a conductive resin composition.
【請求項21】 前記銅箔または前記配線パターンに前
記回路部品を実装した後、前記銅箔または前記配線パタ
ーンと前記回路部品との間に封止樹脂を注入する工程を
さらに含む請求項16ないし19のいずれかに記載の回
路部品内蔵モジュールの製造方法。
21. The method according to claim 16, further comprising, after mounting the circuit component on the copper foil or the wiring pattern, injecting a sealing resin between the copper foil or the wiring pattern and the circuit component. 20. The method of manufacturing a module with built-in circuit components according to any one of 19 to 19.
【請求項22】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物
質を加熱して硬化させる際の温度が150℃以上260
℃以下である請求項16ないし19のいずれかに記載の
回路部品内蔵モジュールの製造方法。
22. A temperature at which the thermosetting resin and the conductive material are cured by heating to 150 ° C. or higher and 260 ° C.
20. The method for manufacturing a module with built-in circuit components according to claim 16, wherein the temperature is lower than or equal to ° C.
【請求項23】 前記熱硬化性樹脂および前記導電性物
質を加熱して硬化させる際に、加熱しながら10kg/
cm2〜200kg/cm2の圧力で加圧する請求項16
ないし19のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール
の製造方法。
23. When the thermosetting resin and the conductive substance are cured by heating, 10 kg /
Claim pressurized at a pressure of cm 2 ~200kg / cm 2 16
20. The method for manufacturing a module with built-in circuit components according to any one of claims to 19.
【請求項24】 前記第1の板状体を形成する工程が、
前記混合物を板状に成型した後、前記板状の混合物を前
記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理するこ
とによって、前記板状の混合物の粘着性を失わせる工程
を含む請求項16ないし19のいずれかに記載の回路部
品内蔵モジュールの製造方法。
24. The step of forming the first plate-like body,
17. The method according to claim 16, further comprising a step of heat-treating the plate-like mixture at a temperature lower than a curing temperature of the thermosetting resin after the mixture is formed into a plate-like shape, thereby causing the plate-like mixture to lose tackiness. 20. The method for manufacturing a module with built-in circuit components according to any one of claims to 19.
【請求項25】 前記回路部品を前記第2の板状体に埋
設することによって前記第3の板状体を形成する工程
を、前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度下で行う
請求項16ないし19のいずれかに記載の回路部品内蔵
モジュールの製造方法。
25. The step of forming the third plate by embedding the circuit component in the second plate at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin. 20. The method of manufacturing a module with built-in circuit components according to any one of 16 to 19.
【請求項26】 前記回路部品を前記配線パターンに実
装する工程は、前記回路部品と前記配線パターンとを半
田によって電気的および機械的に接続する工程からなる
請求項16ないし19のいずれかに記載の回路部品内蔵
モジュールの製造方法。
26. The method according to claim 16, wherein the step of mounting the circuit component on the wiring pattern comprises a step of electrically and mechanically connecting the circuit component and the wiring pattern by soldering. Of manufacturing a module with built-in circuit components.
【請求項27】 前記能動部品を前記配線パターンに実
装する際に、前記能動部品の金バンプと前記配線パター
ンとを導電性接着剤によって電気的に接続する請求項1
6から19のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュール
の製造方法。
27. When mounting the active component on the wiring pattern, gold bumps of the active component and the wiring pattern are electrically connected by a conductive adhesive.
20. The method of manufacturing a circuit component built-in module according to any one of 6 to 19.
【請求項28】 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂およびシアネート樹脂から選ばれる少な
くとも一つの熱硬化性樹脂を含む請求項16ないし19
のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方
法。
28. The thermosetting resin is an epoxy resin,
20. At least one thermosetting resin selected from a phenol resin and a cyanate resin.
The method for producing a circuit component built-in module according to any one of the above.
【請求項29】 前記無機フィラーがAl23、Mg
O、BN、AlNおよびSiO2から選ばれる少なくと
も一つの無機フィラーを含む請求項16ないし19のい
ずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
29. The method according to claim 29, wherein the inorganic filler is Al 2 O 3 , Mg
O, BN, method for manufacturing a circuit component built-in module according to any one of claims 16 to 19 comprising at least one inorganic filler selected from AlN and SiO 2.
【請求項30】 前記配線パターンが、銅を含む請求項
16ないし19のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュ
ールの製造方法。
30. The method according to claim 16, wherein the wiring pattern contains copper.
【請求項31】 前記配線パターンが、導電性樹脂組成
物を含む請求項16ないし19のいずれかに記載の回路
部品内蔵モジュールの製造方法。
31. The method according to claim 16, wherein the wiring pattern includes a conductive resin composition.
【請求項32】 前記回路部品が半導体ベアーチップを
含み、前記半導体ベアーチップは前記配線パターンにフ
リップチップボンディングされている請求項20または
26に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
32. The method according to claim 20, wherein the circuit component includes a semiconductor bare chip, and the semiconductor bare chip is flip-chip bonded to the wiring pattern.
【請求項33】 前記導電性樹脂組成物が、金、銀、銅
およびニッケルから選ばれる少なくとも一つの金属を含
む金属粒子を導電性成分として含み、エポキシ樹脂を樹
脂成分として含む請求項20または31に記載の回路部
品内蔵モジュールの製造方法。
33. The conductive resin composition according to claim 20, wherein the conductive resin composition includes metal particles containing at least one metal selected from gold, silver, copper and nickel as a conductive component, and an epoxy resin as a resin component. 3. The method for producing a module with built-in circuit components according to claim 1.
【請求項34】 前記配線パターンが、エッチング法ま
たは打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームか
らなる請求項16ないし19のいずれかに記載の回路部
品内蔵モジュールの製造方法。
34. The method for manufacturing a circuit component built-in module according to claim 16, wherein said wiring pattern is formed of a lead frame of a metal plate formed by an etching method or a punching method.
【請求項35】 前記回路部品が、チップ状の抵抗、チ
ップ状のコンデンサおよびチップ状のインダクタから選
ばれる少なくとも一つの部品を含む請求項16ないし1
9のいずれかに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方
法。
35. The circuit component according to claim 16, wherein the circuit component includes at least one component selected from a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, and a chip-shaped inductor.
10. The method for manufacturing a circuit component built-in module according to any one of the above items 9.
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Cited By (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244638A (en) * 1999-12-20 2001-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with built-in circuit and its manufacturing method
JP2001298274A (en) * 2001-03-13 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic circuit arrangement
JP2001339165A (en) * 2000-02-25 2001-12-07 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board and package board
US6370013B1 (en) 1999-11-30 2002-04-09 Kyocera Corporation Electric element incorporating wiring board
JP2002111219A (en) * 2000-09-27 2002-04-12 Kyocera Corp Wiring board incorporating electric element and its manufacturing method
JP2002118368A (en) * 2000-07-31 2002-04-19 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring substrate and manufacturing method thereof
JP2002271030A (en) * 2001-03-13 2002-09-20 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and manufacturing method therefor
US6489685B2 (en) 2001-01-19 2002-12-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method of manufacturing the same
JP2003045762A (en) * 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit module
WO2003023745A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display apparatus and its manufacturing method
US6538210B2 (en) 1999-12-20 2003-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same
EP1304742A2 (en) * 2001-10-18 2003-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
US6570469B2 (en) 2000-06-27 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
JP2003347846A (en) * 2002-05-22 2003-12-05 Murata Mfg Co Ltd Temperature-compensated crystal oscillator
EP1351301A3 (en) * 2002-04-03 2004-02-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor built-in millimeter-wave band module
US6734542B2 (en) 2000-12-27 2004-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
US6784530B2 (en) 2002-01-23 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module with embedded semiconductor chip and method of manufacturing
US6787884B2 (en) 2002-05-30 2004-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component, circuit component package, circuit component built-in module, circuit component package production and circuit component built-in module production
US6798121B2 (en) 2000-03-17 2004-09-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with built-in electronic elements and method of manufacture thereof
WO2005010987A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wiring board embedded with spherical semiconductor element
US6855892B2 (en) 2001-09-27 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Insulation sheet, multi-layer wiring substrate and production processes thereof
US6862189B2 (en) 2000-09-26 2005-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component, circuit device, method for manufacturing the circuit device, and semiconductor device
WO2005039262A1 (en) * 2003-09-29 2005-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing module with embedded component and module with embedded component
WO2005071742A1 (en) * 2004-01-27 2005-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer electronic component manufacturing method
US6936774B2 (en) * 2000-02-09 2005-08-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wiring substrate produced by transfer material method
JP2005244211A (en) * 2004-01-30 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with built-in components and electronic devices provided with same
JP2005294833A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Endicott Interconnect Technologies Inc Circuit board and its manufacturing method, and electric assembly and information processing system using the same
WO2006027981A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Stereoscopic electronic circuit device, electronic device using the same, and method for manufacturing the same
US7047634B2 (en) 2002-02-25 2006-05-23 Fujitsu Limited Method of making a multilayer wiring board
JP2006196785A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Dainippon Printing Co Ltd Printed-wiring board having built-in electronic component and manufacturing method thereof
JP2006261187A (en) * 2005-03-15 2006-09-28 Oki Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing substrate with built-in component
US7126811B2 (en) 2002-12-27 2006-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
JP2006310421A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Cmk Corp Printed wiring board with built-in components and its manufacturing method
JP2006332327A (en) * 2005-05-26 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006351819A (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Board with built-in component
US7176055B2 (en) 2001-11-02 2007-02-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing electronic component-mounted component, and electronic component-mounted component
US7180169B2 (en) 2003-08-28 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for manufacturing the same
JP2007081423A (en) * 2001-10-26 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd Wiring board sheet and manufacturing method thereof, multilayer board and manufacturing method thereof
WO2007037086A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate with built-in component and method for manufacturing such substrate
US7248482B2 (en) 2003-05-16 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with built-in circuit component and method for producing the same
JP2007188920A (en) * 2006-01-11 2007-07-26 Nec Corp Laminated module and its manufacturing method
WO2007114334A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board, method for testing circuit board, and method for manufacturing circuit board
JP2007295008A (en) * 2007-07-30 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of wiring board with built-in electronic component
US7319599B2 (en) 2003-10-01 2008-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor
JP2008118152A (en) * 2001-03-26 2008-05-22 Nec Electronics Corp Semiconductor device and multilayer semiconductor device
US7394663B2 (en) 2003-02-18 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
JP2008153682A (en) * 2008-01-24 2008-07-03 Tadatomo Suga Electronic parts mounter and its manufacturing method
JP2008199063A (en) * 2008-05-19 2008-08-28 Ibiden Co Ltd Method of manufacturing multiple printed circuit board containing semiconductor element
JP2008306227A (en) * 2008-09-25 2008-12-18 Panasonic Electric Works Co Ltd Uneveness shaped multilayer circuit board module and method of manufacturing the same
JP2009010357A (en) * 2007-05-29 2009-01-15 Panasonic Corp Three-dimensional printed circuit board and its manufacturing method
JP2009038364A (en) * 2007-07-09 2009-02-19 Panasonic Corp Three-dimensional printed circuit board, and its manufacturing method
JP2009158641A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Murata Mfg Co Ltd Method of producing module with built-in component
US7594316B2 (en) 2004-07-30 2009-09-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing composite electronic component
US7670940B2 (en) 2004-10-18 2010-03-02 Fujitsu Limited Plating method, semiconductor device fabrication method and circuit board fabrication method
US7748110B2 (en) 2004-02-20 2010-07-06 Panasonic Corporation Method for producing connection member
WO2010106839A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 株式会社村田製作所 Circuit board and mother laminated body
JP2010239150A (en) * 2003-09-09 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor module and its manufacturing method
US7821795B2 (en) 2005-02-03 2010-10-26 Panasonic Corporation Multilayer wiring board
US7935893B2 (en) 2008-02-14 2011-05-03 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
CN102100131A (en) * 2008-07-17 2011-06-15 株式会社村田制作所 Module with built-in component and method for manufacturing the module
US8024858B2 (en) 2008-02-14 2011-09-27 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US8064213B2 (en) 2004-01-30 2011-11-22 Panasonic Corporation Module with a built-in component, and electronic device with the same
US8069558B2 (en) 2007-06-26 2011-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing substrate having built-in components
US8291584B2 (en) 2008-06-02 2012-10-23 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing a printed wiring board with built-in electronic component
US8327533B2 (en) 2008-03-21 2012-12-11 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board with resin complex layer and manufacturing method thereof
TWI393511B (en) * 2007-05-29 2013-04-11 Panasonic Corp Dimensional printed wiring board and manufacturing method thereof
US8438727B2 (en) 2000-02-25 2013-05-14 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed circuit board and multilayer printed circuit board manufacturing method
US8710374B2 (en) 2008-03-12 2014-04-29 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board with reinforced insulation layer and manufacturing method thereof
US8745859B2 (en) 2011-05-20 2014-06-10 Panasonic Corporation Component built-in module, and manufacturing method for component built-in module
WO2014118917A1 (en) * 2013-01-30 2014-08-07 株式会社メイコー Method for manufacturing embedded-component-containing substrate
JP2014150265A (en) * 2014-03-10 2014-08-21 Dainippon Printing Co Ltd Wiring board for electronic module
US8959756B2 (en) 2000-09-25 2015-02-24 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing a printed circuit board having an embedded electronic component
JP2016134621A (en) * 2015-01-22 2016-07-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Electronic component embedded printed circuit board and method of manufacturing the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5285842B2 (en) 2006-04-13 2013-09-11 パナソニック株式会社 Integrated circuit mounting board and power line communication device
US8582312B2 (en) 2008-03-24 2013-11-12 Panasonic Corporation Electronic circuit board and power line communication apparatus using it

Cited By (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6370013B1 (en) 1999-11-30 2002-04-09 Kyocera Corporation Electric element incorporating wiring board
US6931725B2 (en) 1999-12-20 2005-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same
JP2001244638A (en) * 1999-12-20 2001-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with built-in circuit and its manufacturing method
US6538210B2 (en) 1999-12-20 2003-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same
US6936774B2 (en) * 2000-02-09 2005-08-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wiring substrate produced by transfer material method
JP2001339165A (en) * 2000-02-25 2001-12-07 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board and package board
US8438727B2 (en) 2000-02-25 2013-05-14 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed circuit board and multilayer printed circuit board manufacturing method
US7134198B2 (en) 2000-03-17 2006-11-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing electric element built-in module with sealed electric element
US6798121B2 (en) 2000-03-17 2004-09-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with built-in electronic elements and method of manufacture thereof
US6784765B2 (en) 2000-06-27 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device
KR100463092B1 (en) * 2000-06-27 2004-12-23 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 Multilayer ceramic device
US6570469B2 (en) 2000-06-27 2003-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer ceramic device including two ceramic layers with multilayer circuit patterns that can support semiconductor and saw chips
JP2002118368A (en) * 2000-07-31 2002-04-19 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring substrate and manufacturing method thereof
JP4695289B2 (en) * 2000-07-31 2011-06-08 日本特殊陶業株式会社 Wiring board manufacturing method
US9245838B2 (en) 2000-09-25 2016-01-26 Ibiden Co., Ltd. Semiconductor element
US8959756B2 (en) 2000-09-25 2015-02-24 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing a printed circuit board having an embedded electronic component
US6862189B2 (en) 2000-09-26 2005-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component, circuit device, method for manufacturing the circuit device, and semiconductor device
JP4610067B2 (en) * 2000-09-27 2011-01-12 京セラ株式会社 Manufacturing method of wiring board with built-in electric element
JP2002111219A (en) * 2000-09-27 2002-04-12 Kyocera Corp Wiring board incorporating electric element and its manufacturing method
US6734542B2 (en) 2000-12-27 2004-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
US6939738B2 (en) 2000-12-27 2005-09-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
US7198996B2 (en) 2000-12-27 2007-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
US6955948B2 (en) 2001-01-19 2005-10-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a component built-in module
US6489685B2 (en) 2001-01-19 2002-12-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method of manufacturing the same
JP2002271030A (en) * 2001-03-13 2002-09-20 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and manufacturing method therefor
JP2001298274A (en) * 2001-03-13 2001-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic circuit arrangement
JP2008118152A (en) * 2001-03-26 2008-05-22 Nec Electronics Corp Semiconductor device and multilayer semiconductor device
JP2003045762A (en) * 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit module
WO2003023745A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display apparatus and its manufacturing method
US6855892B2 (en) 2001-09-27 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Insulation sheet, multi-layer wiring substrate and production processes thereof
US7294587B2 (en) 2001-10-18 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
US6975516B2 (en) 2001-10-18 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
EP1304742A2 (en) * 2001-10-18 2003-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
EP1304742A3 (en) * 2001-10-18 2006-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Component built-in module and method for producing the same
JP2007081423A (en) * 2001-10-26 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd Wiring board sheet and manufacturing method thereof, multilayer board and manufacturing method thereof
US7176055B2 (en) 2001-11-02 2007-02-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing electronic component-mounted component, and electronic component-mounted component
US6784530B2 (en) 2002-01-23 2004-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module with embedded semiconductor chip and method of manufacturing
US7018866B2 (en) 2002-01-23 2006-03-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module with embedded semiconductor chip and method of manufacturing
US7047634B2 (en) 2002-02-25 2006-05-23 Fujitsu Limited Method of making a multilayer wiring board
US7091716B2 (en) 2002-02-25 2006-08-15 Fujitsu Limited Multilayer wiring board, manufacturing method therefor and test apparatus thereof
US7284311B2 (en) 2002-02-25 2007-10-23 Fujitsu Limited Multilayer wiring board, manufacturing method therefor and test apparatus thereof
CN100346473C (en) * 2002-04-03 2007-10-31 松下电器产业株式会社 Millimeter band module with built-in semiconductor
US7061100B2 (en) 2002-04-03 2006-06-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor built-in millimeter-wave band module
EP1351301A3 (en) * 2002-04-03 2004-02-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor built-in millimeter-wave band module
JP2003347846A (en) * 2002-05-22 2003-12-05 Murata Mfg Co Ltd Temperature-compensated crystal oscillator
US7140104B2 (en) 2002-05-30 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing circuit component built-in module with embedded circuit component
US6787884B2 (en) 2002-05-30 2004-09-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component, circuit component package, circuit component built-in module, circuit component package production and circuit component built-in module production
US7126811B2 (en) 2002-12-27 2006-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
EP1434242A3 (en) * 2002-12-27 2008-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
US7247178B2 (en) 2002-12-27 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
US7394663B2 (en) 2003-02-18 2008-07-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component built-in module and method of manufacturing the same
US7248482B2 (en) 2003-05-16 2007-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with built-in circuit component and method for producing the same
WO2005010987A1 (en) * 2003-07-24 2005-02-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wiring board embedded with spherical semiconductor element
US7180169B2 (en) 2003-08-28 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for manufacturing the same
JP2010239150A (en) * 2003-09-09 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor module and its manufacturing method
US7488895B2 (en) 2003-09-29 2009-02-10 Panasonic Corporation Method for manufacturing component built-in module, and component built-in module
WO2005039262A1 (en) * 2003-09-29 2005-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing module with embedded component and module with embedded component
US7400512B2 (en) 2003-10-01 2008-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor
US7319599B2 (en) 2003-10-01 2008-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor
WO2005071742A1 (en) * 2004-01-27 2005-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer electronic component manufacturing method
JP2005244211A (en) * 2004-01-30 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with built-in components and electronic devices provided with same
JP4619807B2 (en) * 2004-01-30 2011-01-26 パナソニック株式会社 Component built-in module and electronic device equipped with component built-in module
US8064213B2 (en) 2004-01-30 2011-11-22 Panasonic Corporation Module with a built-in component, and electronic device with the same
US7748110B2 (en) 2004-02-20 2010-07-06 Panasonic Corporation Method for producing connection member
JP2005294833A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Endicott Interconnect Technologies Inc Circuit board and its manufacturing method, and electric assembly and information processing system using the same
US7594316B2 (en) 2004-07-30 2009-09-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing composite electronic component
US7684207B2 (en) 2004-07-30 2010-03-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite electronic component
WO2006027981A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Stereoscopic electronic circuit device, electronic device using the same, and method for manufacturing the same
US7768795B2 (en) 2004-09-08 2010-08-03 Panasonic Corporation Electronic circuit device, electronic device using the same, and method for manufacturing the same
US7927998B2 (en) 2004-10-18 2011-04-19 Fujitsu Limited Plating method, semiconductor device fabrication method and circuit board fabrication method
US8058110B2 (en) 2004-10-18 2011-11-15 Fujitsu Limited Plating method, semiconductor device fabrication method and circuit board fabrication method
US7670940B2 (en) 2004-10-18 2010-03-02 Fujitsu Limited Plating method, semiconductor device fabrication method and circuit board fabrication method
JP2006196785A (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Dainippon Printing Co Ltd Printed-wiring board having built-in electronic component and manufacturing method thereof
US7821795B2 (en) 2005-02-03 2010-10-26 Panasonic Corporation Multilayer wiring board
JP2006261187A (en) * 2005-03-15 2006-09-28 Oki Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing substrate with built-in component
JP2006310421A (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Cmk Corp Printed wiring board with built-in components and its manufacturing method
JP2006332327A (en) * 2005-05-26 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006351819A (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Board with built-in component
WO2007037086A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate with built-in component and method for manufacturing such substrate
JP2007188920A (en) * 2006-01-11 2007-07-26 Nec Corp Laminated module and its manufacturing method
JPWO2007114334A1 (en) * 2006-03-31 2009-08-20 パナソニック株式会社 Circuit board, circuit board inspection method, and manufacturing method thereof
WO2007114334A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board, method for testing circuit board, and method for manufacturing circuit board
JP2009010357A (en) * 2007-05-29 2009-01-15 Panasonic Corp Three-dimensional printed circuit board and its manufacturing method
TWI393511B (en) * 2007-05-29 2013-04-11 Panasonic Corp Dimensional printed wiring board and manufacturing method thereof
US8069558B2 (en) 2007-06-26 2011-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing substrate having built-in components
JP2009038364A (en) * 2007-07-09 2009-02-19 Panasonic Corp Three-dimensional printed circuit board, and its manufacturing method
JP2007295008A (en) * 2007-07-30 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of wiring board with built-in electronic component
JP4593599B2 (en) * 2007-07-30 2010-12-08 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of wiring board with built-in electronic components
JP2009158641A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Murata Mfg Co Ltd Method of producing module with built-in component
JP2008153682A (en) * 2008-01-24 2008-07-03 Tadatomo Suga Electronic parts mounter and its manufacturing method
US8336205B2 (en) 2008-02-14 2012-12-25 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US8613136B2 (en) 2008-02-14 2013-12-24 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US7935893B2 (en) 2008-02-14 2011-05-03 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US8024858B2 (en) 2008-02-14 2011-09-27 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with built-in electronic component
US8710374B2 (en) 2008-03-12 2014-04-29 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board with reinforced insulation layer and manufacturing method thereof
US8327533B2 (en) 2008-03-21 2012-12-11 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board with resin complex layer and manufacturing method thereof
JP2008199063A (en) * 2008-05-19 2008-08-28 Ibiden Co Ltd Method of manufacturing multiple printed circuit board containing semiconductor element
JP4722961B2 (en) * 2008-05-19 2011-07-13 イビデン株式会社 Method for manufacturing multilayer printed wiring board incorporating semiconductor element
US8291584B2 (en) 2008-06-02 2012-10-23 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing a printed wiring board with built-in electronic component
CN102100131A (en) * 2008-07-17 2011-06-15 株式会社村田制作所 Module with built-in component and method for manufacturing the module
JP2008306227A (en) * 2008-09-25 2008-12-18 Panasonic Electric Works Co Ltd Uneveness shaped multilayer circuit board module and method of manufacturing the same
WO2010106839A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 株式会社村田製作所 Circuit board and mother laminated body
US8705247B2 (en) 2009-03-19 2014-04-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Circuit board and mother laminated body
US8745859B2 (en) 2011-05-20 2014-06-10 Panasonic Corporation Component built-in module, and manufacturing method for component built-in module
WO2014118917A1 (en) * 2013-01-30 2014-08-07 株式会社メイコー Method for manufacturing embedded-component-containing substrate
JP2014150265A (en) * 2014-03-10 2014-08-21 Dainippon Printing Co Ltd Wiring board for electronic module
JP2016134621A (en) * 2015-01-22 2016-07-25 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Electronic component embedded printed circuit board and method of manufacturing the same
KR20160090626A (en) * 2015-01-22 2016-08-01 삼성전기주식회사 Printed circuit board having embedded electronic devices and method of manufacturing the same
US10779414B2 (en) 2015-01-22 2020-09-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component embedded printed circuit board and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3375555B2 (en) 2003-02-10

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