JPH11185673A - Image display device - Google Patents

Image display device

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Publication number
JPH11185673A
JPH11185673A JP35530797A JP35530797A JPH11185673A JP H11185673 A JPH11185673 A JP H11185673A JP 35530797 A JP35530797 A JP 35530797A JP 35530797 A JP35530797 A JP 35530797A JP H11185673 A JPH11185673 A JP H11185673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film layer
black matrix
fluorescent film
face plate
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP35530797A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukinobu Iguchi
如信 井口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP35530797A priority Critical patent/JPH11185673A/en
Publication of JPH11185673A publication Critical patent/JPH11185673A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To display an image of high quality by controlling scattering of an electron beam reflected by a fluorescent screen layer, and by reducing a voltage charge phenomenon. SOLUTION: This display is provided with a back plate 2 in which a cathode electrode 10 and a cathode chip 7 are formed on a board 9 and in which a gate electrode 13 is formed, and a face plate 3 in which an anode electrode 16 and a fluorescent screen layer 8 black matrix 17 are formed on a transparent board 15 to face to the back plate 2 via a vacuum space part 6. The black matrix 17 is formed as a riblike protrusion projected more than a luminescent surface of the fluorescent screen layer 8, using glass as a base material, corresponding to a non-light emitting region between the fluorescent screen layers 8. Substantially whole surfaces of the fluorescent screen layer and the black matrix 17 are covered with conductive thin film layers 18, 19.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置に関
し、さらに詳しくは薄型で大型画面化が図られるフィー
ルド・エミッション・ディスプレィ(以下、FEDと略
称する。)に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an image display device, and more particularly to a field emission display (hereinafter abbreviated as FED) which is thin and has a large screen.

【0002】[0002]

【従来の技術】画像表示装置においては、薄型で大型画
面化と軽量化に限界がある陰極線管に代わる種々の薄型
表示装置、いわゆるフラットパネル・ディスプレィ(F
PD)の検討が図られている。FPDとしては、例えば
プラズマ・ディスプレィ・パネル(PDP)、FED、
プラズマ・アドレス液晶(PALC)パネル或いは有機
エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレィ等が提
案されている。
2. Description of the Related Art In image display devices, various types of thin display devices, which are so-called flat panel displays (F), have been replaced by cathode ray tubes which are thin and have limitations in increasing the screen size and weight.
PD) is being studied. Examples of the FPD include a plasma display panel (PDP), an FED,
A plasma-addressed liquid crystal (PALC) panel or an organic electroluminescence (EL) display has been proposed.

【0003】PDPは、概略、互いに対向する一対のガ
ラス基板間に隔壁で仕切られた多数個のセルを構成する
とともに、これらセルの内部に蛍光体を塗布して蛍光膜
層を形成しかつキセノンを含む放電ガスが充填されてな
る。PDPは、セル内に設けた電極に画像データ信号に
応じて電圧を印加することによって放電ガスに放電現象
を生じさせ、これにより発生する紫外線が蛍光膜層を照
射し励起/発光させることにより画像表示を行う。PD
Pは、上述したように各セル単位で発光が行われるた
め、セル毎に赤、緑、青の蛍光体を塗り分けることによ
りカラー表示が行われる。
[0003] A PDP generally comprises a large number of cells partitioned by a partition between a pair of glass substrates facing each other, and a phosphor is applied to the inside of these cells to form a phosphor film layer and xenon. And a discharge gas containing the same. A PDP generates a discharge phenomenon in a discharge gas by applying a voltage to an electrode provided in a cell in accordance with an image data signal, and the generated ultraviolet light irradiates a fluorescent film layer to excite / emit light to thereby generate an image. Display. PD
As described above, P emits light in each cell unit, so that color display is performed by separately applying red, green, and blue phosphors for each cell.

【0004】また、PALCは、大型化が困難である薄
膜トランジスタ(TFT)型LCDの問題点を解決する
装置として提案されたものであり、LCDのスイッチン
グ部をTFTに代えてプラズマスイッチによって構成し
た装置である。PALCは、長溝状の放電空間部内に互
いに平行なカソード電極とアノード電極とがそれぞれ形
成された第1のガラス基板と、カソード電極とアノード
電極とに直交するとともにプローブと接続されたストラ
イプ状電極が形成された第2のガラス基板とを対向配置
するとともに、第2のガラス基板に第1のガラス基板と
の間に放電空間部を構成するようにしてLCDを接合し
かつ放電空間部内に放電ガスを充填してなる。PALC
は、ストライプ状電極にLCDの駆動用信号を印加した
状態で、画像データ信号に応じた電圧をカソード電極に
印加することによって放電ガスにプラズマ放電を発生さ
せ、ストライプ状電極のプローブとアノード電極間を導
通状態としてLCDを駆動する。
Further, PALC is proposed as a device for solving the problem of a thin film transistor (TFT) type LCD which is difficult to increase in size, and a device in which a switching unit of the LCD is constituted by a plasma switch instead of the TFT. It is. PALC is composed of a first glass substrate in which a cathode electrode and an anode electrode which are parallel to each other are formed in a long groove-shaped discharge space, and a stripe electrode which is orthogonal to the cathode electrode and the anode electrode and connected to a probe. The LCD is joined to the second glass substrate so as to form a discharge space between the second glass substrate and the first glass substrate, and a discharge gas is formed in the discharge space. Is filled. PALC
In the state where a driving signal for the LCD is applied to the striped electrode, a voltage corresponding to the image data signal is applied to the cathode electrode to generate plasma discharge in the discharge gas, and the probe between the striped electrode and the anode electrode is Is turned on to drive the LCD.

【0005】一方、FEDは、概略、カソード電極と多
数個のカソードチップ(電子放出素子)とが形成される
とともに各カソード電極に対応してゲート電極が配置さ
れてなる第1のガラス基板(バックプレート)と、各ゲ
ート電極に対応する多数個のアノード電極と蛍光膜層と
が形成され真空空間部を介してバックプレートに対向配
置されてなる第2のガラス基板(フェイスプレート)と
を備えてなる。なお、カソードチップについては、基板
上に平面形状の素子を形成して構成したFEDも提案さ
れている。
On the other hand, the FED generally has a first glass substrate (back) in which a cathode electrode and a number of cathode chips (electron-emitting devices) are formed, and a gate electrode is arranged corresponding to each cathode electrode. Plate) and a second glass substrate (face plate) in which a large number of anode electrodes corresponding to each gate electrode and a fluorescent film layer are formed and arranged opposite to the back plate via a vacuum space. Become. For the cathode chip, an FED in which a planar element is formed on a substrate has also been proposed.

【0006】FEDは、画像データ信号に応じた電圧が
各電極に印加されるとカソードチップから放出された電
子ビームがゲート電極によって加速されてフェイスプレ
ートの蛍光膜層を照射する。FEDは、これによって蛍
光膜層が励起/発光して画像表示が行われる。FED
は、陰極線管と同様に電子ビームを照射して蛍光膜層を
励起/発光する基本原理を同等とすることから、優れた
色再現性が期待されている。
In a FED, when a voltage corresponding to an image data signal is applied to each electrode, an electron beam emitted from a cathode chip is accelerated by a gate electrode to irradiate a fluorescent film layer on a face plate. In the FED, an image is displayed by excitation / emission of the fluorescent film layer. FED
Since the basic principle of irradiating an electron beam to excite / emit a fluorescent film layer in the same manner as in a cathode ray tube is the same, excellent color reproducibility is expected.

【0007】ところで、FEDにおいては、蛍光膜層に
照射された電子ビームの一部が、この蛍光膜層の構成物
質に応じてバックプレート側へとランダムに反射されて
散乱する。FEDは、アノード電極が、フェイスプレー
ト上に透明電極層として形成されるほか、蛍光膜層に電
子の投射によってチャージされる電圧をアースするメタ
ルパック層がアルミを蒸着することによって形成されて
いる。FEDは、アルミのメタルパック層が形成される
ことによって、このメタルパック層により蛍光膜層への
入射電子量のほぼ20%近くが反射されてバックプレー
ト側へと散乱する。反射電子は、アノード電極/カソー
ド電極間の電圧によって再びフェイスプレート側へと吸
引されて蛍光膜層を投射する。
In the FED, a part of the electron beam applied to the fluorescent film layer is randomly reflected and scattered toward the back plate according to the constituent material of the fluorescent film layer. In the FED, an anode electrode is formed as a transparent electrode layer on a face plate, and a metal pack layer for grounding a voltage charged by projecting electrons on the fluorescent film layer is formed by evaporating aluminum. In the FED, when an aluminum metal pack layer is formed, nearly 20% of the amount of electrons incident on the fluorescent film layer is reflected by the metal pack layer and scattered toward the back plate. The reflected electrons are again attracted to the face plate side by the voltage between the anode electrode and the cathode electrode, and project the phosphor film layer.

【0008】FEDは、上述したように反射電子が蛍光
膜層によって散乱した状態で反射されることから、戻り
電子ビームが隣接する他の領域の蛍光膜層にも入射され
てしまうことがある。このため、FEDは、コントラス
トや色純度が低下して表示画質が劣化するといった問題
が生じる。
In the FED, since the reflected electrons are reflected in a state of being scattered by the fluorescent film layer as described above, the return electron beam may be incident on the fluorescent film layer in another adjacent region. For this reason, the FED has a problem that the display quality is deteriorated due to a decrease in contrast and color purity.

【0009】米国特許第5477105号公報には、か
かる問題点を解決するために、各蛍光膜層間の非発光領
域に対応してフェイスプレートの主面にブラックマトリ
ックスが形成されるとともに、このブラックマトリック
スを各蛍光膜層の発光面に対してカソード側に隆起させ
て構成したFEDが開示されている。かかる米国特許の
FEDによれば、蛍光膜層によって反射される電子がブ
ラックマトリックスの隆起した側壁によって拡散する方
向の反射が抑制されることから、表示画質の劣化が防止
される効果が期待される。
In order to solve such a problem, US Pat. No. 5,477,105 discloses that a black matrix is formed on a main surface of a face plate corresponding to a non-light emitting region between phosphor layers, and the black matrix is formed. Are raised to the cathode side with respect to the light emitting surface of each fluorescent film layer. According to the FED of the U.S. Pat. .

【0010】また、米国特許第5160871号公報に
は、蛍光膜層よりも外光反射率が低い特性を有する鉛ガ
ラス(ソルダーガラス)によってプレート表面に立体の
非発光領域を形成した表示装置が開示されている。この
鉛ガラスによる形成部位は、蛍光膜層とスペーサとが直
接接触することを防止する絶縁体として作用する。
Further, US Pat. No. 5,160,871 discloses a display device in which a three-dimensional non-light emitting region is formed on a plate surface by using lead glass (solder glass) having a characteristic of lower external light reflectance than a fluorescent film layer. Have been. The portion formed by the lead glass functions as an insulator for preventing the fluorescent film layer and the spacer from directly contacting each other.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した第
1の米国特許においては、ブラックマトリックスを形成
する材料として、メタル、セラミック、セミコンダクタ
或いはカーボン等が挙げられ、これらを単体或いは複数
で使用する旨が開示されている。しかしながら、これら
ブラックマトリックス形成材料は、いずれもガラス材か
らなるフェイスプレートとの接着性や機械的強度、充分
な高さ寸法の確保、製造性或いは真空材料としての信頼
性等の条件を満足するものではない。
By the way, in the above-mentioned first US patent, as a material for forming a black matrix, metal, ceramic, semiconductor, carbon or the like can be cited. Is disclosed. However, all of these black matrix forming materials satisfy conditions such as adhesion to a face plate made of a glass material, mechanical strength, securing sufficient height dimensions, manufacturability or reliability as a vacuum material. is not.

【0012】また、上述した第2の米国特許は、鉛ガラ
スが用いられることでガラス材からなるフェイスプレー
トとの相性がよいことから、上述した第1の米国特許の
材料の問題点を解消するとともに発光領域と非発光領域
とにコントラスト差がついてより明瞭な画像表示が行わ
れることからブラックマトリックスの形成材料として用
いて好適である。しかしながら、かかる鉛ガラスによっ
て形成されるブラックマトリックスは、上述したように
鉛ガラスが蛍光膜層とスペーサとの絶縁を保持する部材
であることから当然絶縁材として構成されることにな
り、メタルバックと電気的に絶縁されてフェイスプレー
トに絶縁部位を構成する。
The above-mentioned second US patent solves the above-mentioned problems of the first US patent because the use of lead glass makes it compatible with a face plate made of a glass material. At the same time, the contrast difference between the light emitting region and the non-light emitting region is provided, so that a clearer image display is performed. However, the black matrix formed by such lead glass is naturally configured as an insulating material because lead glass is a member that maintains the insulation between the fluorescent film layer and the spacer as described above. It is electrically insulated and forms an insulating portion on the faceplate.

【0013】FEDにおいては、電子ビームの照射によ
ってフェイスプレートに存在する絶縁部位に電圧チャー
ジが生じる。この電圧チャージは、絶縁部位からの微小
放電によるノイズの発生或いは電子ビームの軌道への影
響による輝度ムラの発生等によって表示画質が不安定と
なるといった問題を生じさせる。したがって、FEDに
おいては、上述した第2の米国特許に記載された鉛ガラ
スによって上述した第1の米国特許に記載された蛍光膜
層からの反射電子の拡散を抑制するブラックマトリック
スをフェイスプレートに形成した場合において、このブ
ラックマトリックスが絶縁材によって構成されるために
電圧チャージ現象が生じて上述した不都合を解消し得な
い。
In the FED, a voltage charge is generated in an insulating portion existing on a face plate by irradiation of an electron beam. This voltage charging causes a problem that display quality becomes unstable due to generation of noise due to minute discharge from the insulating portion or generation of luminance unevenness due to the influence on the trajectory of the electron beam. Therefore, in the FED, a black matrix that suppresses the diffusion of reflected electrons from the fluorescent film layer described in the first US patent is formed on the face plate by the lead glass described in the second US patent. In this case, since the black matrix is formed of an insulating material, a voltage charging phenomenon occurs, and the above-described disadvantage cannot be solved.

【0014】上述した第1の米国特許においては、ブラ
ックマトリックスを複数材料によって形成することが記
載されていることから、例えば鉛ガラスと適宜の導電材
とでその材料を構成することによって例えばメタルバッ
クとの電気的導通を保持したFEDの開発も考慮され
る。しかしながら、かかるFEDにおいては、複数材料
を適性な状態で管理することが難しいために信頼性が低
いといった問題点やブラックマトリックスの側面部位を
どのように処理して電圧チャージ現象を抑制するかとい
った問題点を解消するまでには至らない。
In the above-mentioned first US patent, since the black matrix is formed by a plurality of materials, for example, the material is constituted by a lead glass and an appropriate conductive material, so that, for example, a metal back is formed. Development of an FED that maintains electrical conduction with the FED is also considered. However, in such an FED, it is difficult to manage a plurality of materials in an appropriate state, so that reliability is low, and a problem such as how to treat a side portion of a black matrix to suppress a voltage charging phenomenon. It is not enough to eliminate the points.

【0015】したがって、本発明は、蛍光膜層において
反射される電子ビームの散乱を抑制と電圧チャージ現象
の低減とによって表示画像の高画質化と安定化とを図っ
た画像表示装置を提供することを目的に提案されたもの
である。
Accordingly, the present invention provides an image display device which achieves high image quality and stabilization of a display image by suppressing scattering of an electron beam reflected on a fluorescent film layer and reducing a voltage charging phenomenon. It has been proposed for the purpose.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明にかかる画像表示装置は、基板上に、カソード電極と
電子ビームの放出電極とが形成されるとともにカソード
電極に対向してゲート電極が形成されてなるバックプレ
ートを備える。画像表示装置は、透明な基板上に、各ゲ
ート電極に対応して形成された透明なアノード電極と、
このアノード電極上に形成した蛍光膜層と、この蛍光膜
層間の非発光領域にそれぞれ位置するブラックマトリッ
クスとが形成され、真空空間部を介してバックプレート
に対向配置されてなるフェイスプレートを備える。画像
表示装置は、フェイスプレートのブラックマトリックス
が、ガラスを母材として蛍光膜層の発光面よりも突出さ
れたリブ状凸部として形成されるとともに、このブラッ
クマトリックスと蛍光膜層とのほぼ表面全体が導電薄膜
層で被覆されて構成される。
In order to achieve the above object, an image display apparatus according to the present invention has a cathode electrode and an electron beam emission electrode formed on a substrate, and a gate electrode opposed to the cathode electrode. And a back plate formed. The image display device, on a transparent substrate, a transparent anode electrode formed corresponding to each gate electrode,
A face plate is formed in which a fluorescent film layer formed on the anode electrode and a black matrix positioned in a non-light emitting region between the fluorescent film layers are formed, and are arranged to face a back plate via a vacuum space. In the image display device, the black matrix of the face plate is formed as rib-shaped protrusions protruding from the light emitting surface of the fluorescent film layer using glass as a base material, and almost the entire surface of the black matrix and the fluorescent film layer is formed. Is covered with a conductive thin film layer.

【0017】以上のように構成された本発明にかかる画
像表示装置によれば、画像データ信号に応じた電圧が各
電極に印加されることによりカソードチップから放出さ
れた電子ビームがゲート電圧によって加速されてフェイ
スプレートの蛍光膜層を照射し、この蛍光膜層を励起/
発光して画像表示が行われる。画像表示装置において
は、リブ状ブラックマトリックスによって蛍光膜層で反
射された電子の拡散する方向の反射が抑制されて他の蛍
光膜層への入射が低減されることから、コントラストや
色純度が良好に保持されて高画質の表示が行われる。ま
た、画像表示装置においては、リブ状ブラックマトリッ
クスがガラス母材の材料によって形成されることから基
板との機械的接合が強固であるとともに生産性よく形成
される。さらに、画像表示装置においては、電子ビーム
が照射されるリブ状ブラックマトリックスと蛍光膜層と
のほぼ表面全体が導電薄膜に被覆されることから、フェ
イスプレートにおける電圧チャージ現象が抑制され、微
小放電ノイズや電子ビームのズレが低減されて表示画像
の安定化が図られる。
According to the image display apparatus of the present invention having the above-described configuration, the voltage corresponding to the image data signal is applied to each electrode, so that the electron beam emitted from the cathode tip is accelerated by the gate voltage. And irradiates the fluorescent layer of the face plate to excite / excit the fluorescent layer.
The image is displayed by emitting light. In the image display device, the rib-like black matrix suppresses the reflection in the diffusion direction of the electrons reflected by the fluorescent film layer and reduces the incidence on the other fluorescent film layers, so that the contrast and the color purity are good. And a high-quality display is performed. Further, in the image display device, since the rib-like black matrix is formed of the glass base material, the mechanical bonding with the substrate is strong and the productivity is formed with high productivity. Further, in the image display device, since the conductive thin film covers almost the entire surface of the rib-like black matrix irradiated with the electron beam and the fluorescent film layer, the voltage charging phenomenon on the face plate is suppressed, and the minute discharge noise is reduced. And the displacement of the electron beam is reduced, thereby stabilizing the displayed image.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として図
1に示したカラーディスプレィ用FED(フィールド・
エミッション・ディスプレィ)1は、バックプレート
(エミッタ・アレィ・パネル)2とフェイスプレート
(アノード・パネル)3とがフレーム4及びフリットシ
ール5a,5bによって所定の対向間隔に保持されると
ともに真空空間部6を構成して組み合わされてなる。F
ED1は、電子放出素子としていわゆるスピントタイプ
エミッタと称される多数個のカソードチップ7を有して
いる。FED1は、これらカソードチップ7から出射さ
れた電子ビームをフェイスプレート3の主面に詳細を後
述するが各画素に対応して3色の蛍光体をストライプ状
に塗布してそれぞれ形成してなる赤色蛍光膜層8R、青
色蛍光膜層8B、緑色蛍光膜層8G(以下、総称する場
合には、単に蛍光膜層8と称する。)に投射してこれを
励起/発光させて画像表示を行う。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. As an embodiment, a color display FED (field
The emission display 1 includes a back plate (emitter array panel) 2 and a face plate (anode panel) 3 which are held at predetermined intervals by a frame 4 and frit seals 5a and 5b and a vacuum space 6 And are combined. F
The ED 1 has a number of cathode chips 7 called so-called Spindt-type emitters as electron-emitting devices. The FED 1 has a red color formed by applying three colors of phosphors in a stripe shape corresponding to each pixel to form the electron beam emitted from the cathode chip 7 on the main surface of the face plate 3 as will be described later in detail. An image is displayed by projecting onto the fluorescent film layer 8R, the blue fluorescent film layer 8B, and the green fluorescent film layer 8G (hereinafter, simply referred to as the fluorescent film layer 8) to excite / emit light.

【0019】バックプレート2は、ガラスやシリコン等
からなる基板9の主面9a上に、エッチング法や真空蒸
着法等によって所定のパターン形状を以って形成された
第1層目の多数個のカソード電極10と、これらカソー
ド電極10上に第2層目として形成される抵抗層11
と、これら抵抗層11上に第3層目としてエミッタ電極
を構成する上述した多数個のカソードチップ7とが積層
された状態で形成されてカソード部を構成してなる。バ
ックプレート2には、カソード部に対してスペーサ12
を介して薄板状のゲート電極13が対向して配置されて
いる。カソード電極10及び抵抗層11は、ストライプ
状の蛍光膜層8に対応して基板9の主面9a上にそれぞ
れストライプ状に成膜形成されなる。カソード電極10
とゲート電極13とは、互いに直交するマトリックス状
に配列されており、それぞれの交差部分が各画素に対応
している。
The back plate 2 is composed of a large number of first layers formed on a main surface 9a of a substrate 9 made of glass, silicon, or the like by a predetermined pattern by etching or vacuum evaporation. A cathode electrode 10; and a resistance layer 11 formed as a second layer on the cathode electrode 10.
On the resistance layer 11, a large number of the above-described cathode chips 7 constituting an emitter electrode as a third layer are formed in a stacked state to constitute a cathode portion. The back plate 2 has a spacer 12 with respect to the cathode portion.
A thin plate-shaped gate electrode 13 is arranged to face through. The cathode electrode 10 and the resistance layer 11 are formed in a stripe shape on the main surface 9a of the substrate 9 corresponding to the stripe-like fluorescent film layer 8, respectively. Cathode electrode 10
And the gate electrode 13 are arranged in a matrix shape orthogonal to each other, and their intersections correspond to the respective pixels.

【0020】カソードチップ7は、詳細を後述する蛍光
膜層8に対応してそれぞれ多数個、すなわち1画素に対
して例えば数百個乃至数千個が形成されている。各カソ
ードチップ7は、それぞれ先端部が尖った円錐状を呈す
る冷陰極として構成され、基板9の主面上にカソード電
極10及び抵抗層11を介してチップ状に形成されてな
る。各カソードチップ7は、その先端部がゲート電極1
3に形成した電子放出孔14にそれぞれ対応位置してい
る。なお、スペーサ12は、例えばセラミック材によっ
て形成され、各色蛍光膜層8間に位置して適宜配置され
ることによってカソード電極10とゲート電極13との
対向間隔を保持する。
A large number of the cathode chips 7 are formed corresponding to the fluorescent film layer 8 described in detail later, that is, for example, several hundreds to several thousands are formed for one pixel. Each cathode chip 7 is configured as a cold cathode having a conical shape with a sharp tip, and is formed in a chip shape on the main surface of the substrate 9 via a cathode electrode 10 and a resistance layer 11. Each of the cathode tips 7 has a tip portion at the gate electrode 1.
3 corresponding to the electron emission holes 14 formed. The spacers 12 are formed of, for example, a ceramic material, and are disposed between the phosphor layers 8 of the respective colors so as to maintain the facing distance between the cathode electrode 10 and the gate electrode 13.

【0021】バックプレート2については、上述したよ
うに基板9上に成膜形成したスピントタイプのカソード
チップ7によって電子放出素子を構成したが、その他の
電子放出素子によって構成するようにしてもよいことは
勿論である。また、バックプレート2は、カソード電極
10とゲート電極13とをスペーサ12によって所定の
対向間隔に保持するようにしたが、例えばガラス基板に
エッチング処理を施して多数個の微細なマイクロチャン
ネルを形成したマイクロチャンネルプレートを介挿して
保持するようにしてもよい。マイクロチャンネルプレー
トは、各マイクロチャンネルが電子放出孔を構成する。
As for the back plate 2, the electron emitting element is constituted by the Spindt-type cathode chip 7 formed on the substrate 9 as described above, but may be constituted by other electron emitting elements. Of course. In the back plate 2, the cathode electrode 10 and the gate electrode 13 are held at predetermined intervals by the spacers 12. For example, a glass substrate is subjected to an etching process to form a large number of fine micro channels. You may hold | maintain by inserting a microchannel plate. In the microchannel plate, each microchannel constitutes an electron emission hole.

【0022】フェイスプレート3は、図2に示すよう
に、透明なガラス基板15のバックプレート2との対向
主面15a上に形成されたアノード電極16と、このア
ノード電極16上に形成された蛍光膜層8と、ブラック
マトリックス17と、蛍光膜層8及びブラックマトリッ
クス17を被覆して形成されたメタルパック層18とか
ら構成される。蛍光膜層8は、ガラス基板15の主面1
5a上に、1画素毎に赤色蛍光体と青色蛍光体及び緑色
蛍光体とをストライプ状に塗布することによってそれぞ
れ赤色蛍光膜層8R、青色蛍光膜層8B、緑色蛍光膜層
8Gとを構成してなる。アノード電極16は、例えばフ
ォトリソグラフィク法等によってガラス基板15の主面
15a上にゲート電極13と平行に、換言すればカソー
ド電極10と直交するストライプ状の透明電極として形
成される。アノード電極16は、カソード電極10との
交差部分が各画素を構成している。
As shown in FIG. 2, the face plate 3 has an anode electrode 16 formed on a main surface 15a of the transparent glass substrate 15 facing the back plate 2, and a fluorescent electrode formed on the anode electrode 16. It comprises a film layer 8, a black matrix 17, and a metal pack layer 18 formed by covering the fluorescent film layer 8 and the black matrix 17. The fluorescent film layer 8 is formed on the main surface 1 of the glass substrate 15.
A red phosphor layer, a blue phosphor layer, and a green phosphor layer are applied to each of the pixels 5a in a stripe shape to form a red phosphor layer 8R, a blue phosphor layer 8B, and a green phosphor layer 8G, respectively. It becomes. The anode electrode 16 is formed on the main surface 15 a of the glass substrate 15 in parallel with the gate electrode 13, in other words, as a stripe-shaped transparent electrode orthogonal to the cathode electrode 10, for example, by photolithography. The intersection of the anode electrode 16 with the cathode electrode 10 constitutes each pixel.

【0023】ブラックマトリックス17は、鉛ガラスを
母材として例えば酸化コバルト等の金属酸化物によって
黒色に着色したガラスペーストを素材として詳細を後述
する工程を経て各蛍光膜層8間の非発光領域にそれぞれ
位置してマトリックス状に形成される。ブラックマトリ
ックス17は、各蛍光膜層8間の非発光領域にそれぞれ
位置してマトリックス状に形成されてなり、電子ビーム
のずれによる色の混り現象の発生を防止する。また、ブ
ラックマトリックス17は、鉛ガラスを母材とすること
から蛍光膜層8の発光面に対して外光反射率が低くな
り、発光部位と非発光部位とのコントラスト比をあげて
色のまざり作用の向上が図られる。
The black matrix 17 is formed on a non-light-emitting region between the respective fluorescent film layers 8 through a process which will be described in detail later, using a glass paste which is made of lead glass as a base material and is colored black with a metal oxide such as cobalt oxide. Each is located and formed in a matrix. The black matrix 17 is formed in a matrix shape and located in a non-light emitting region between the respective fluorescent film layers 8 to prevent the occurrence of a color mixing phenomenon due to a shift of the electron beam. Further, since the black matrix 17 is made of lead glass as a base material, the external light reflectance with respect to the light emitting surface of the fluorescent film layer 8 is reduced, and the color ratio is increased by increasing the contrast ratio between the light emitting portion and the non-light emitting portion. The operation is improved.

【0024】蛍光膜層8は、ブラックマトリックス17
によって区割りされたマトリックス空間部に塗布され、
上述したように各画素に対応して赤色蛍光膜層8R、青
色蛍光膜層8B及び緑色蛍光膜層8Gとからなる。赤色
蛍光膜層8Rは、例えば酸化硫化イットリウムや酸化イ
ットリウムにユーロビウムを混合した希土類蛍光塗料が
用いられて形成される。青色蛍光膜層8Bは、例えば銀
を含む硫化亜鉛蛍光塗料が用いられて形成される。さら
に、緑色蛍光膜層8Gは、例えば銅及びアルミを含む混
晶硫化物蛍光塗料が用いられて形成される。
The fluorescent film layer 8 has a black matrix 17
Is applied to the matrix space divided by
As described above, each pixel includes the red fluorescent film layer 8R, the blue fluorescent film layer 8B, and the green fluorescent film layer 8G. The red fluorescent film layer 8R is formed by using, for example, a rare earth fluorescent paint in which eurobium is mixed with yttrium oxide sulfide or yttrium oxide. The blue fluorescent film layer 8B is formed using, for example, a zinc sulfide fluorescent paint containing silver. Further, the green fluorescent film layer 8G is formed using, for example, a mixed crystal sulfide fluorescent paint containing copper and aluminum.

【0025】メタルパック層18は、ガラス基板15に
例えば真空蒸着法を施こすことにより上述した蛍光膜層
8及びブラックマトリックス17を被覆するアルミニウ
ム薄膜によって構成され、アノード電極16に接続され
ている。メタルパック層18は、電子ビームの照射によ
って蛍光膜層8に発生する電圧チャージ現象を抑制する
ことによって、電子ビームの加速度を保持しかつチャー
ジ電圧の放電による微小ノイズの発生防止或いは電子ビ
ームの軌道ズレ防止等の作用を奏する。勿論、メタルパ
ック層18は、ブラックマトリックス17を被覆して形
成されるが、本来の機能からはその表面上に形成されな
くともよい。
The metal pack layer 18 is composed of an aluminum thin film which covers the above-mentioned fluorescent film layer 8 and black matrix 17 by applying, for example, a vacuum deposition method to the glass substrate 15, and is connected to the anode electrode 16. The metal pack layer 18 holds the acceleration of the electron beam and suppresses the generation of minute noise due to the discharge of the charge voltage or the trajectory of the electron beam by suppressing the voltage charging phenomenon generated in the fluorescent film layer 8 by the irradiation of the electron beam. It has the effect of preventing displacement. Of course, the metal pack layer 18 is formed so as to cover the black matrix 17, but may not be formed on the surface from the original function.

【0026】ところで、フェイスプレート3は、ブラッ
クマトリックス17がその厚み寸法を蛍光膜層8の厚み
寸法よりも大とした所定の高さ寸法を有するリブ状凸部
としてガラス基板15の主面15aに形成される。フェ
イスプレート3は、具体的には図2に示すように、蛍光
膜層8がその膜厚tを約10umに形成され、画素ピッ
チを0.3mmとしてブラックマトリックス17がその
ピッチpを0.1mm、幅寸法wを40um、高さ寸法
hを50umに形成され、さらにメタルパック層18が
その膜厚mを約0.2umに形成される。したがって、
フェイスプレート3は、ガラス基板15の主面15a上
に、蛍光膜層8の蛍光面に対してブラックマトリックス
17が突出した状態を呈している。
The face plate 3 is formed on the main surface 15a of the glass substrate 15 as a rib-shaped convex portion having a predetermined height in which the thickness of the black matrix 17 is larger than the thickness of the fluorescent film layer 8. It is formed. In the face plate 3, as shown in FIG. 2, the fluorescent film layer 8 is formed to have a thickness t of about 10 μm, the pixel pitch is set to 0.3 mm, and the black matrix 17 is set to a pitch p of 0.1 mm. The width dimension w is formed to be 40 μm, the height dimension h is formed to be 50 μm, and the metal pack layer 18 is formed to have a thickness m of about 0.2 μm. Therefore,
The face plate 3 has a state in which the black matrix 17 projects on the main surface 15 a of the glass substrate 15 with respect to the fluorescent surface of the fluorescent film layer 8.

【0027】フェイスプレート3には、上述したように
蛍光膜層8とブラックマトリックス17とを被覆するメ
タルパック層18が成膜形成される。このメタルパック
層18は、真空蒸着法によって成膜されることから、蛍
光膜層8から突出するブラックマトリックス17の垂直
な外周側面17aに殆ど成膜形成されない。ブラックマ
トリックス17は、上述したように絶縁材である鉛ガラ
スを母材としたガラスペーストによって形成される。し
たがって、フェイスプレート3は、このブラックマトリ
ックス17の外周側面17aによって電子ビームの照射
面の一部にメタルパック層18によって被覆されない絶
縁部位が生じることになる。
As described above, a metal pack layer 18 that covers the fluorescent film layer 8 and the black matrix 17 is formed on the face plate 3. Since the metal pack layer 18 is formed by the vacuum evaporation method, the metal pack layer 18 is hardly formed on the vertical outer peripheral side surface 17 a of the black matrix 17 protruding from the fluorescent film layer 8. As described above, the black matrix 17 is formed by a glass paste using lead glass as an insulating material as a base material. Therefore, in the face plate 3, an insulating portion that is not covered by the metal pack layer 18 occurs on a part of the irradiation surface of the electron beam due to the outer peripheral side surface 17 a of the black matrix 17.

【0028】フェイスプレート3においては、ブラック
マトリックス17を形成する際に、例えばInとSnと
の混合酸化物(ITO)や酸化スズを有機溶剤によって
スラリー状とした導電材を予めその外周面の全体にコー
ティングすることによって導電性薄膜19が被覆形成さ
れる。導電性薄膜19は、図2に示すようにその表面に
メタルパック層18が成膜されることにより、アノード
電極16との電気的導通が図られている。したがって、
フェイスプレート3は、メタルパック層18と導電性薄
膜19とによって蛍光膜層8及びブラックマトリックス
17の電子ビームの照射面に上述した絶縁部位が存在し
ないように構成されている。
In the face plate 3, when forming the black matrix 17, for example, a conductive material in which a mixed oxide of In and Sn (ITO) or tin oxide is slurried with an organic solvent is used in advance on the entire outer peripheral surface thereof. The conductive thin film 19 is formed by coating. The conductive thin film 19 is electrically connected to the anode electrode 16 by forming the metal pack layer 18 on the surface thereof as shown in FIG. Therefore,
The face plate 3 is configured by the metal pack layer 18 and the conductive thin film 19 such that the above-mentioned insulating portions do not exist on the electron beam irradiation surfaces of the fluorescent film layer 8 and the black matrix 17.

【0029】以上のように構成されたFED1によれ
ば、画像データ信号に応じた電圧がエミッタ電極のカソ
ードチップ7とゲート電極13との間に印加されること
によって、カソードチップ7の先端から電子ビームが放
出される。電子ビームは、図1に矢印で示すようにゲー
ト電極13の電子放出孔14から真空空間部6内へと放
出される。FED1は、バックプレート2側のカソード
電極10にマイナス電位の電圧が印加されるとともにフ
ェイスプレート3側のアノード電極16にプラス電位の
電圧が印加されることから、加速されてフェイスプレー
ト3に形成した蛍光膜層8を照射し、この蛍光膜層8を
励起/発光して画像表示が行われる。
According to the FED 1 configured as described above, the voltage corresponding to the image data signal is applied between the cathode tip 7 of the emitter electrode and the gate electrode 13, so that the electron from the tip of the cathode tip 7. A beam is emitted. The electron beam is emitted from the electron emission hole 14 of the gate electrode 13 into the vacuum space 6 as shown by an arrow in FIG. The FED 1 is accelerated and formed on the face plate 3 because a negative potential voltage is applied to the cathode electrode 10 on the back plate 2 side and a positive potential voltage is applied to the anode electrode 16 on the face plate 3 side. The image is displayed by irradiating the fluorescent film layer 8 and exciting / emitting the fluorescent film layer 8.

【0030】FED1は、上述したように蛍光膜層8の
表面にアルミニウムのメタルパック層18が蒸着されて
いることから、このメタルパック層18によって電子ビ
ームの一部がバックプレート2側へとランダムに反射さ
れる。反射電子ビームは、カソード電極10とアノード
電極16との電位差によって再び蛍光膜層8へと到達す
る。FED1は、上述したように蛍光膜層8を区割りす
るブラックマトリックス17をリブ状凸部として構成し
たことによって、反射電子ビームの拡散が抑制される。
したがって、FED1は、反射電子ビームが隣接する他
の蛍光膜層8に到達することが抑制されることから、コ
ントラストや色純度が低下することは無く高精度の画質
が保持される。
In the FED 1, since the aluminum metal pack layer 18 is deposited on the surface of the fluorescent film layer 8 as described above, a part of the electron beam is randomly transmitted to the back plate 2 by the metal pack layer 18. Is reflected by The reflected electron beam reaches the fluorescent film layer 8 again due to the potential difference between the cathode electrode 10 and the anode electrode 16. In the FED 1, since the black matrix 17 that divides the fluorescent film layer 8 is configured as a rib-shaped convex as described above, diffusion of the reflected electron beam is suppressed.
Therefore, in the FED 1, the reflected electron beam is prevented from reaching another adjacent fluorescent film layer 8, so that the contrast and the color purity are not reduced and the high-definition image quality is maintained.

【0031】また、FED1は、ブラックマトリックス
17の外周面に導電性薄膜19を被覆形成したことによ
りフェイスプレート3の電子ビーム照射面に絶縁部位を
有しないことから、メタルパック層18による電圧チャ
ージ現象の発生を抑制する機能が確実に奏される。した
がって、FED1は、カソード電極10とアノード電極
16間の電圧降下が抑制され、電子ビームが充分な速度
を以って蛍光膜層8を照射することから蛍光体の発光輝
度が保持される。
The FED 1 has a conductive thin film 19 formed on the outer peripheral surface of the black matrix 17 and has no insulating portion on the electron beam irradiation surface of the face plate 3. The function of suppressing the occurrence of occurrence is surely achieved. Therefore, in the FED 1, the voltage drop between the cathode electrode 10 and the anode electrode 16 is suppressed, and the emission brightness of the phosphor is maintained because the electron beam irradiates the phosphor layer 8 at a sufficient speed.

【0032】さらに、FED1は、ガラス基板15との
相性が良くかつ熱膨張率も同等の鉛ガラスによってリブ
状ブラックマトリックス17を形成することから機械的
に強固に接合される。したがって、FED1は、高温或
いは真空条件においても、ブラックマトリックス17に
剥離やひび割れといった不都合の発生が防止され信頼性
の向上が図られる。
Further, the FED 1 is formed of a lead glass having a good compatibility with the glass substrate 15 and a similar coefficient of thermal expansion to form the rib-like black matrix 17, so that it is mechanically and strongly bonded. Therefore, the FED 1 can prevent the black matrix 17 from suffering from inconveniences such as peeling and cracking even under high temperature or vacuum conditions, thereby improving reliability.

【0033】ブラックマトリックス17は、ガラス基板
15の主面15a上に、プラズマ・ディスプレィ・パネ
ル(PDP)においてガラス基板上に形成されるセルの
形成工程と同様の工程によって形成される。すなわち、
ブラックマトリックス17の形成工程は、スバッタリン
グ法とリソグラフィック法とによって透明なアノード電
極16がストライプ状に形成されたガラス基板15の主
面15aの全体にガラス厚膜をコーティングする工程を
第1の工程とする。ガラス厚膜には、上述したように鉛
ガラスを母材として酸化コバルトによって黒色に着色し
たガラスペーストが用いられ、例えばスピンコート法等
によって成膜される。なお、厚膜形成技術とは、基板上
に厚み寸法が数ミクロンの均一な膜を成膜する技術であ
る。
The black matrix 17 is formed on the main surface 15a of the glass substrate 15 by a process similar to the process of forming the cells formed on the glass substrate in the plasma display panel (PDP). That is,
The step of forming the black matrix 17 includes a step of coating a glass thick film on the entire main surface 15a of the glass substrate 15 on which the transparent anode electrode 16 is formed in a stripe shape by a sputtering method and a lithographic method. And the process. As described above, a glass paste colored black with cobalt oxide using lead glass as a base material is used for the glass thick film, and is formed by, for example, a spin coating method or the like. The thick film forming technology is a technology for forming a uniform film having a thickness of several microns on a substrate.

【0034】ガラス基板15には、ガラス厚膜の表面に
ドライフィルムレジストがコーティングされ、ブラック
マトリックス17のパターンに応じた露光/現像処理が
施される。ガラス基板15には、サンドブラスト処理が
施されて未露光部分がドライエッチングされた後、ブラ
ックマトリックス17に対応するガラス厚膜部分のドラ
イフィルムレジストを剥離して焼成処理を施すことによ
ってブラックマトリックス17を形成する。なお、サン
ドブラスト処理は、形成されるブラックマトリックス1
7の端部やガラス基板15の主面15aに微小な凹凸が
形成されるが、より粒子の小さなサンドを用いることに
より後工程に影響の無い処理が可能である。
The glass substrate 15 is coated with a dry film resist on the surface of a thick glass film, and is subjected to exposure / development processing in accordance with the pattern of the black matrix 17. After the glass substrate 15 is subjected to sandblasting and the unexposed portions are dry-etched, the black matrix 17 is removed by removing the dry film resist in the glass thick film portion corresponding to the black matrix 17 and performing a baking process. Form. In addition, the sand blasting process is performed on the black matrix 1 to be formed.
Although fine irregularities are formed on the end portion of the substrate 7 and the main surface 15a of the glass substrate 15, the use of a sand having smaller particles makes it possible to perform processing without affecting the subsequent steps.

【0035】上述したブラックマトリックス17の形成
工程は、その高さ寸法が約50umとPDPのセルと比
較して1/4程度であってガラス基板15にガラス厚膜
を比較的簡易な方法によって高精度に形成することが可
能であるために、ブラックマトリックス17を生産性よ
く形成することができる。ガラス基板15には、形成さ
れたブラックマトリックス17の全周面にITOや酸化
スズのコーティング処理が施されることによって導電薄
膜層19が形成される。
In the above-described step of forming the black matrix 17, the height dimension is about 50 μm, which is about 程度 of that of the PDP cell, and a glass thick film is formed on the glass substrate 15 by a relatively simple method. Since the black matrix 17 can be formed with high precision, the black matrix 17 can be formed with high productivity. The conductive thin film layer 19 is formed on the glass substrate 15 by performing a coating process of ITO or tin oxide on the entire peripheral surface of the formed black matrix 17.

【0036】ガラス基板15には、例えばスクリーン印
刷法等によってブラックマトリックス17により区割り
された領域内に所定の蛍光塗料が塗布されるとともに焼
成処理が施されて蛍光膜層8が形成される。ガラス基板
15には、真空蒸着法によって蛍光膜層8及びブラック
マトリックス17の表面にアルミニウムが蒸着されてメ
タルパック層18が成膜形成され、フェイスプレート3
が製作される。
The glass substrate 15 is coated with a predetermined fluorescent paint in a region partitioned by the black matrix 17 by, for example, a screen printing method, and is subjected to a baking treatment to form the fluorescent film layer 8. Aluminum is vapor-deposited on the surfaces of the fluorescent film layer 8 and the black matrix 17 on the glass substrate 15 by a vacuum vapor deposition method to form a metal pack layer 18.
Is produced.

【0037】なお、上述したブラックマトリックス17
の形成工程において、感光性を有する鉛ガラスを用いて
ガラス厚膜を形成するようにしてもよい。ガラス厚膜
は、ブラックマトリックス17に対応したマスクを介し
て直接露光/現像される。
The above-described black matrix 17
In the forming step, a thick glass film may be formed using lead glass having photosensitivity. The glass thick film is directly exposed / developed through a mask corresponding to the black matrix 17.

【0038】本発明は、上述したFED1の構造に限定
されるものではなく、例えば図3或いは図4に示したF
EDにも展開される。なお、以下の説明において、それ
ぞれのバックプレートについては、上述したFED1に
備えられるバックプレート2と同様であるためその説明
を省略してフェイスプレートの構成についてのみ説明す
るものとし、また、このフェイスプレートについてもF
ED1に備えられるフェイスプレート3と同等の構成に
ついては同一符号を付すことによってその説明を省略す
る。
The present invention is not limited to the structure of the FED 1 described above. For example, the FED 1 shown in FIG.
Expanded to ED. In the following description, since each back plate is the same as the back plate 2 provided in the above-described FED 1, the description thereof will be omitted, and only the configuration of the face plate will be described. About F
The same components as those of the face plate 3 provided in the ED 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0039】本発明の他の実施の形態として図3に示し
たフェイスプレート20は、ブラックマトリックス23
の形成方法に特徴を有している。すなわち、ガラス基板
15には、主面15a上に透明なアノード電極16が形
成されており、図3(A)に示すようにこのアノード電
極16上に金属酸化物やカーボン等によってブラックマ
トリックス23のパターンに対応した薄膜の遮光膜層2
1が形成される。遮光膜層21は、その厚みが1ミクロ
ン乃至2ミクロン以下に成膜され、各蛍光膜層8の発光
面に対してブラックマトリックス23の形成部位を上述
したFED1のブラックマトリックス17よりもさらに
外光反射率の低い領域として構成する。
As another embodiment of the present invention, a face plate 20 shown in FIG.
Has a feature in the method of forming. That is, the transparent anode electrode 16 is formed on the main surface 15a of the glass substrate 15, and as shown in FIG. 3A, the black matrix 23 is formed on the anode electrode 16 by a metal oxide or carbon. Thin light-shielding film layer 2 corresponding to the pattern
1 is formed. The light-shielding film layer 21 is formed to have a thickness of 1 μm or less and 2 μm or less. It is configured as a region having a low reflectance.

【0040】ガラス基板15には、同図(B)に示すよ
うにアノード電極16及び遮光膜層21を被覆するよう
に所定の厚みを有する鉛ガラス層22が厚膜形成され
る。鉛ガラス層22は、感光性を有する鉛ガラスが用い
られ、例えばスピンコート法等によってガラス基板15
の全面に均一な厚みを以って形成される。そして、ガラ
ス基板15には、同図に矢印で示すように遮光膜層21
を形成した主面15aの反対側主面15bから鉛ガラス
層22の露光処理が行われる。なお、鉛ガラスは、感光
性を有すればよく、特に黒色に着色を施したものを用い
る必要は無い。
A lead glass layer 22 having a predetermined thickness is formed on the glass substrate 15 so as to cover the anode electrode 16 and the light shielding film layer 21 as shown in FIG. The lead glass layer 22 is made of photosensitive lead glass.
Is formed with a uniform thickness over the entire surface of the substrate. The glass substrate 15 has a light-shielding film layer 21 as shown by an arrow in FIG.
The exposure process of the lead glass layer 22 is performed from the main surface 15b opposite to the main surface 15a on which is formed. Note that the lead glass only needs to have photosensitivity, and it is not particularly necessary to use black glass.

【0041】ガラス基板15は、遮光膜層21がマスキ
ング作用を呈し、ブラックマトリックス23の対応部位
を除く他の部位が露光されることから、光学処理を施す
ことによって図3(C)に示すようにこの露光部位が除
去される。ガラス基板15には、焼成処理が施されるこ
とにより遮光膜層21上に鉛ガラスによるブラックマト
リックス23が形成される。
As shown in FIG. 3 (C), the glass substrate 15 is subjected to an optical treatment because the light shielding film layer 21 has a masking effect and other portions except for the corresponding portions of the black matrix 23 are exposed. This exposed portion is removed. A black matrix 23 made of lead glass is formed on the light shielding film layer 21 by performing a baking process on the glass substrate 15.

【0042】ガラス基板15には、図3(D)に示すよ
うに、形成されたブラックマトリックス23の全周面に
ITOや酸化スズのコーティング処理が施されることに
よって導電薄膜層19が形成される。ガラス基板15に
は、さらに例えばスクリーン印刷法等によってブラック
マトリックス23によって区割りされた領域内に所定の
蛍光塗料が塗布されるとともに焼成処理が施されて蛍光
膜層8が形成される。ガラス基板15には、真空蒸着法
によって蛍光膜層8及びブラックマトリックス23の表
面にアルミニウムが蒸着されてメタルパック層18が成
膜形成されることにより、フェイスプレート20が製作
される。以上のように構成されたフェイスプレート20
は、ブラックマトリックス23がリブ状凸部として構成
されることからメタルパック層18において反射される
反射電子ビームの拡散を抑制してこの反射電子ビームに
よる隣接する他の蛍光膜層8への影響を抑制し、コント
ラストや色純度の低下を抑えて高精度の画像表示が行わ
れるようにする。また、フェイスプレート20は、メタ
ルパック層18と導電薄膜層19とによって電子ビーム
の照射面がほぼ全体に亘って覆われることから、電圧チ
ャージ現象によるカソード電極10とアノード電極16
間の電圧降下が抑制されて電子ビームが充分な速度を以
って蛍光膜層8を照射し、明るい画像表示が行われるよ
うにする。
As shown in FIG. 3D, a conductive thin film layer 19 is formed on the glass substrate 15 by coating the entire periphery of the formed black matrix 23 with ITO or tin oxide. You. The glass substrate 15 is further coated with a predetermined fluorescent paint in an area divided by the black matrix 23 by, for example, a screen printing method, and is baked to form the fluorescent film layer 8. The face plate 20 is manufactured on the glass substrate 15 by depositing aluminum on the surfaces of the fluorescent film layer 8 and the black matrix 23 by vacuum evaporation to form the metal pack layer 18. Face plate 20 configured as above
In this method, since the black matrix 23 is formed as a rib-shaped convex portion, the diffusion of the reflected electron beam reflected on the metal pack layer 18 is suppressed, and the influence of the reflected electron beam on the other adjacent fluorescent film layer 8 is reduced. It suppresses the decrease in contrast and color purity so that high-precision image display is performed. In addition, the face plate 20 has a metal pack layer 18 and a conductive thin film layer 19 which cover almost the entire surface irradiated with the electron beam.
The voltage drop is suppressed, and the electron beam irradiates the fluorescent film layer 8 with a sufficient speed so that a bright image is displayed.

【0043】さらに、フェイスプレート20は、ガラス
基板15との相性が良くかつ熱膨張率も同等の鉛ガラス
を用いてリブ状ブラックマトリックス23を形成するこ
とから、高温或いは真空条件においても信頼性の向上が
図られる。また、フェイスプレート20においては、ブ
ラックマトリックス23を光学処理して形成するに際し
て蛍光膜層8の発光面に対してブラックマトリックス2
3の形成部位の外光反射率を低減する遮光膜層21がマ
スク部材としても作用することから、製作工程の効率化
が図られる。
Further, since the face plate 20 is formed of a rib-like black matrix 23 using lead glass having good compatibility with the glass substrate 15 and having the same coefficient of thermal expansion, the face plate 20 has high reliability even under high temperature or vacuum conditions. Improvement is achieved. Further, in the face plate 20, when the black matrix 23 is formed by optical processing, the black matrix 2
Since the light-shielding film layer 21 for reducing the external light reflectance at the formation portion 3 also functions as a mask member, the efficiency of the manufacturing process is improved.

【0044】本発明のさらに他の実施の形態として図4
に示したフェイスプレート25は、蛍光層8の発光面に
対して外光反射率の低い鉛ガラスによってリブ状ブラッ
クマトリックス26を形成する構成については上述した
各フェイスプレート3、20と同様とするが、その形状
に特徴を有している。すなわち、ブラックマトリックス
26は、図4に示すように、その断面形状が上辺に対し
て底辺の幅寸法が大とされた略台形を呈して形成され
る。したがって、ブラックマトリックス26は、ガラス
基板15に形成される蛍光膜層8を区割りする側面26
aが傾斜面として構成されてなる。
FIG. 4 shows still another embodiment of the present invention.
Is similar to each of the face plates 3 and 20 described above in that the rib-shaped black matrix 26 is formed of lead glass having a low external light reflectance with respect to the light emitting surface of the fluorescent layer 8. , Has a characteristic in its shape. That is, as shown in FIG. 4, the black matrix 26 is formed to have a substantially trapezoidal cross-sectional shape in which the width of the bottom side is larger than that of the upper side. Therefore, the black matrix 26 is formed on the side surface 26 that divides the fluorescent film layer 8 formed on the glass substrate 15.
a is configured as an inclined surface.

【0045】上述したフェイスプレート25の製造工程
は、透明なアノード電極16を形成したガラス基板15
の主面15a上に黒色鉛ガラスによって所定の厚みを有
するガラス厚膜をコーティングするガラス厚膜形成工程
を有する。フェイスプレート25の製造工程において
は、このガラス厚膜に対して上述した工程と同様に光学
的処理及びエッチング処理等を施してリブ状ブラックマ
トリックス26を形成する。ブラックマトリックス26
は、例えばスバッタ角度が斜めとされるイオンスパッタ
法により蛍光膜層8に対応する部位のガラス厚膜を除去
する等の適宜の方法によって上述したように断面台形を
呈して形成される。
The above-described manufacturing process of the face plate 25 is performed in the same manner as the glass substrate 15 on which the transparent anode electrode 16 is formed.
A glass thick film forming step of coating a glass thick film having a predetermined thickness with black lead glass on the main surface 15a of the substrate. In the manufacturing process of the face plate 25, the rib-like black matrix 26 is formed by performing an optical process, an etching process, and the like on the glass thick film in the same manner as the above-described process. Black matrix 26
Is formed to have a trapezoidal cross section as described above by an appropriate method such as, for example, removing a glass thick film at a portion corresponding to the fluorescent film layer 8 by an ion sputtering method in which a sutter angle is oblique.

【0046】フェイスプレート25の製造工程において
は、ブラックマトリックス26が形成されたガラス基板
15に対して、蛍光膜層形成工程によって各ブラックマ
トリックス26により区割りされた領域内に蛍光体を塗
布して各蛍光膜層8を形成する。製造工程は、ガラス基
板15に対してアルミニウムの真空蒸着を施すメタルパ
ック層形成工程によって、蛍光膜層8及びブラックマト
リックス26の表面にメタルパック層27を成膜形成す
る。
In the manufacturing process of the face plate 25, a fluorescent substance is applied to the glass substrate 15 on which the black matrix 26 is formed by applying a fluorescent substance in an area divided by each black matrix 26 in the fluorescent film layer forming step. The fluorescent film layer 8 is formed. In the manufacturing process, a metal pack layer 27 is formed on the surfaces of the fluorescent film layer 8 and the black matrix 26 by a metal pack layer forming step of performing vacuum evaporation of aluminum on the glass substrate 15.

【0047】ところで、真空蒸着法においては、一般に
蒸着面に対して直交する垂直面に安定した膜厚のアルミ
ニウム膜層を形成することが難しい。フェイスプレート
25は、上述したようにブラックマトリックス26が断
面台形とされ外周側面を傾斜面として構成したことによ
り、この外周側面にもアルミニウムがいわゆる斜め蒸着
によって安定した状態で成膜形成される。したがって、
フェイスプレート25は、蛍光膜層8の表面とともにブ
ラックマトリックス26の表面全体にも連続したメタル
パック層27が成膜形成される。
In the vacuum deposition method, it is generally difficult to form an aluminum film layer having a stable thickness on a vertical plane perpendicular to the deposition surface. In the face plate 25, as described above, the black matrix 26 has a trapezoidal cross section and the outer peripheral side surface is formed as an inclined surface, so that aluminum is also formed on the outer peripheral side surface in a stable state by so-called oblique deposition. Therefore,
In the face plate 25, a metal pack layer 27 is formed continuously on the entire surface of the black matrix 26 together with the surface of the fluorescent film layer 8.

【0048】以上のように構成されたフェイスプレート
25は、ブラックマトリックス26にメタルパック層2
7との導電性を保持するための導電薄膜層を予め成膜形
成する工程が不要となり、より簡易な工程によって製造
することが可能となる。フェイスプレート25は、ブラ
ックマトリックス26がリブ状凸部として構成されるこ
とからメタルパック層27において反射される反射電子
ビームの拡散を抑制してこの反射電子ビームによる隣接
する他の蛍光膜層8への影響を抑制し、コントラストや
色純度の低下を抑えて高精度の画像表示が行われるよう
にする。また、フェイスプレート25は、蛍光膜層8と
ブラックマトリックス26の表面全体に連続したメタル
パック層27が成膜形成されることから、電圧チャージ
現象によるカソード電極10とアノード電極16間の電
圧降下が抑制される。したがって、フェイスプレート2
5は、電子ビームが充分な速度を以って蛍光膜層8を照
射し、明るい画像表示が行われるようにする。
The face plate 25 configured as described above is provided with a metal pack layer 2 on a black matrix 26.
The step of previously forming a conductive thin film layer for maintaining the conductivity with the layer 7 is not required, and the manufacturing can be performed by a simpler step. The face plate 25 suppresses the diffusion of the reflected electron beam reflected by the metal pack layer 27 because the black matrix 26 is configured as a rib-shaped convex portion, and transfers the reflected electron beam to another adjacent fluorescent film layer 8 by the reflected electron beam. , And a high-precision image display is performed while suppressing a decrease in contrast and color purity. In the face plate 25, since the metal pack layer 27 is formed continuously on the entire surface of the fluorescent film layer 8 and the black matrix 26, the voltage drop between the cathode electrode 10 and the anode electrode 16 due to the voltage charging phenomenon is reduced. Is suppressed. Therefore, face plate 2
The step 5 irradiates the fluorescent film layer 8 with an electron beam at a sufficient speed so that a bright image is displayed.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる画像表示装置によれば、フェイスプレートのブラッ
クマトリックスが、ガラスを母材として蛍光膜層の発光
面よりも突出されたリブ状凸部として形成されるととも
にこのブラックマトリックスと蛍光膜層とのほぼ表面全
体が導電薄膜層で被覆されて構成される。したがって、
画像表示装置は、導電薄膜層で反射される反射電子ビー
ムの拡散を抑制してこの反射電子ビームによる隣接する
他の蛍光膜層への影響を抑制してコントラストや色純度
の低下を抑えて高精度の画像表示が行われる。また、画
像表示装置は、蛍光膜層及びブラックマトリックスにお
ける電子ビームの照射による電圧チャージ現象が抑制さ
れて電子ビームが速度損失を生じること無く蛍光膜層を
照射することから、微小放電ノイズや電子ビームの軌道
ズレによる輝度ムラの発生が無い明るい画像表示が行わ
れる。さらに、画像表示装置は、基板に対してブラック
マトリックスが充分な機械的強度を以って形成されると
ともに熱膨張も同等であることから、高温/真空環境条
件においてもクラックや剥離の発生が抑制されて信頼性
の向上が図られる。さらにまた、画像表示装置は、ブラ
ックマトリックスが極めて簡易な工程によって高精度に
形成され、生産性の向上が図られる。
As described above in detail, according to the image display apparatus of the present invention, the black matrix of the face plate is formed of glass as a base material, and the rib-shaped protrusion protruding from the light emitting surface of the fluorescent film layer. And a substantially entire surface of the black matrix and the fluorescent film layer is covered with a conductive thin film layer. Therefore,
The image display device suppresses the diffusion of the reflected electron beam reflected by the conductive thin film layer, suppresses the influence of the reflected electron beam on other adjacent fluorescent film layers, and suppresses a decrease in contrast and color purity. Accurate image display is performed. In addition, the image display device irradiates the fluorescent film layer without causing a speed loss by suppressing the voltage charging phenomenon due to the electron beam irradiation on the fluorescent film layer and the black matrix. A bright image display without luminance unevenness due to the orbital deviation is performed. Furthermore, in the image display device, since the black matrix is formed with sufficient mechanical strength with respect to the substrate and has the same thermal expansion, cracks and peeling are suppressed even under high temperature / vacuum environment conditions. Thus, reliability is improved. Furthermore, in the image display device, the black matrix is formed with high accuracy by an extremely simple process, and the productivity is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態として示すFEDの概略構
成を説明する要部縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional view of a main part for explaining a schematic configuration of an FED shown as an embodiment of the present invention.

【図2】同FEDに備えられるフェイスプレートの要部
模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a main part of a face plate provided in the FED.

【図3】同他のフェイスプレートの製造工程を説明する
要部模式図である。
FIG. 3 is a schematic view of a main part for explaining a manufacturing process of another face plate.

【図4】同さらに他のフェイスプレートの要部模式図で
ある。
FIG. 4 is a schematic diagram of a main part of still another face plate.

【符号の説明】 1 FED(フィールド・エミッション・ディスプレ
ィ、画像表示装置)、2バックプレート、3 フェイス
プレート、6 真空空間部、7 カソードチップ、8
蛍光膜層、9 ガラス基板、10 カソード電極、13
ゲート電極、14 電子放出孔、15 ガラス基板、
16 アノード電極、17 ブラックマトリックス、1
8 メタルパック層(導電薄膜層)、19 導電薄膜
層、20フェイスプレート、21 遮光膜層(薄膜パタ
ーン)、22 鉛ガラス層、23ブラックマトリック
ス、25 フェイスプレート、26 ブラックマトリッ
クス、27 メタルパック層
[Description of Signs] 1 FED (field emission display, image display device), 2 back plate, 3 face plate, 6 vacuum space, 7 cathode chip, 8
Fluorescent film layer, 9 glass substrate, 10 cathode electrode, 13
Gate electrode, 14 electron emission holes, 15 glass substrate,
16 anode electrode, 17 black matrix, 1
8 Metal pack layer (conductive thin film layer), 19 conductive thin film layer, 20 face plate, 21 light shielding film layer (thin film pattern), 22 lead glass layer, 23 black matrix, 25 face plate, 26 black matrix, 27 metal pack layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01J 29/28 H01J 29/28 29/32 29/32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01J 29/28 H01J 29/28 29/32 29/32

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、カソード電極と電子ビームの
放出電極とが形成されるとともに上記カソード電極に対
向してゲート電極が形成されてなるバックプレートと、 透明な基板上に、上記各ゲート電極に対応して形成され
た透明なアノード電極と、このアノード電極上に形成し
た蛍光膜層と、この蛍光膜層間の非発光領域にそれぞれ
位置するブラックマトリックスとが形成され、真空空間
部を介して上記バックプレートに対向配置されてなるフ
ェイスプレートとを備え、 上記フェイスプレートは、上記ブラックマトリックスが
ガラスを母材として上記蛍光膜層の発光面よりも突出さ
れたリブ状凸部として形成されるとともに、このブラッ
クマトリックスと上記蛍光膜層とのほぼ表面全体が導電
薄膜層で被覆されたことを特徴とする画像表示装置。
A back plate having a cathode electrode and an electron beam emission electrode formed on a substrate and a gate electrode formed opposite to the cathode electrode; and a gate electrode formed on a transparent substrate. A transparent anode electrode formed corresponding to the electrode, a fluorescent film layer formed on the anode electrode, and a black matrix located in a non-light emitting region between the fluorescent film layers are formed, and are formed through a vacuum space. And a face plate disposed opposite to the back plate, wherein the face plate is formed as a rib-shaped convex portion in which the black matrix is made of glass as a base material and protrudes from the light emitting surface of the fluorescent film layer. And an image display characterized in that substantially the entire surface of the black matrix and the fluorescent film layer is covered with a conductive thin film layer. Location.
【請求項2】 上記ブラックマトリックスには、その外
周側面を含む表面に上記導電薄膜層と電気的に接続され
る下地導電薄膜層が被膜形成されたことを特徴とする請
求項1に記載の画像表示装置。
2. The image according to claim 1, wherein a base conductive thin film layer electrically connected to the conductive thin film layer is formed on a surface of the black matrix including an outer peripheral side surface thereof. Display device.
【請求項3】 上記ブラックマトリックスは、母材を構
成するガラスに、上記蛍光膜層よりも外光反射率が低い
鉛ガラスを用いたことを特徴とする請求項1に記載の画
像表示装置。
3. The image display device according to claim 1, wherein the black matrix is made of lead glass having a lower external light reflectance than the fluorescent film layer, as glass constituting a base material.
【請求項4】 上記ブラックマトリックスは、上記フェ
イスプレートの主面に形成した上記蛍光膜層よりも外光
反射率が低い薄膜パターン上に形成されたことを特徴と
する請求項1に記載の画像表示装置。
4. The image according to claim 1, wherein the black matrix is formed on a thin film pattern having a lower external light reflectance than the fluorescent film layer formed on the main surface of the face plate. Display device.
【請求項5】 上記ブラックマトリックスは、上辺に対
して底辺の幅が大とされた断面が略台形とされることに
よって側面が傾斜面として構成され、この傾斜面にも上
記導電薄膜層が被膜形成されたことを特徴とする請求項
1に記載の画像表示装置。
5. The black matrix has a substantially trapezoidal cross section in which the width of the bottom side is larger than the upper side, and the side surface is configured as an inclined surface, and the inclined surface is coated with the conductive thin film layer. The image display device according to claim 1, wherein the image display device is formed.
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