JPH11163655A - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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- JPH11163655A JPH11163655A JP9330575A JP33057597A JPH11163655A JP H11163655 A JPH11163655 A JP H11163655A JP 9330575 A JP9330575 A JP 9330575A JP 33057597 A JP33057597 A JP 33057597A JP H11163655 A JPH11163655 A JP H11163655A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜形成に際しての煩雑な膜厚調整を必要と
せずに、高精度にかつ容易に所望とする周波数特性の表
面波装置を製造することを可能とする方法を提供する。 【解決手段】 圧電性基板２上にＩＤＴ３を形成し、さ
らにＩＤＴ３を被覆するように無機もしくは有機材料よ
りなる被覆層４を形成した後、該被覆層４をレーザ装置
５を用いてレーザ光６を照射することにより研磨し、そ
れによって周波数調整を行う、弾性表面波装置の製造方
法。
せずに、高精度にかつ容易に所望とする周波数特性の表
面波装置を製造することを可能とする方法を提供する。 【解決手段】 圧電性基板２上にＩＤＴ３を形成し、さ
らにＩＤＴ３を被覆するように無機もしくは有機材料よ
りなる被覆層４を形成した後、該被覆層４をレーザ装置
５を用いてレーザ光６を照射することにより研磨し、そ
れによって周波数調整を行う、弾性表面波装置の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タや弾性表面波共振子などの弾性表面波装置の製造方法
に関し、特に、周波数調整工程が改良された弾性表面波
装置の製造方法に関する。
タや弾性表面波共振子などの弾性表面波装置の製造方法
に関し、特に、周波数調整工程が改良された弾性表面波
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置は、フィルタや共振子な
どの様々な素子に用いられている。弾性表面波装置の製
造に際しては、圧電性基板に少なくとも１つのインター
デジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ）を形成す
る。この場合、ＩＤＴの数や、他の電極の形状及び数等
については、目的とする素子に応じて適宜選択される。
どの様々な素子に用いられている。弾性表面波装置の製
造に際しては、圧電性基板に少なくとも１つのインター
デジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ）を形成す
る。この場合、ＩＤＴの数や、他の電極の形状及び数等
については、目的とする素子に応じて適宜選択される。
【０００３】ところで、フィルタや共振子として利用す
る場合には、設計通りの周波数特性を実現し得るように
弾性表面波装置を製造することが必要である。ところ
が、圧電性基板に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、弾
性表面波装置を製造した場合、圧電性基板の種類やロッ
ト、ＩＤＴの形成精度などにより周波数特性がばらつく
という問題があった。
る場合には、設計通りの周波数特性を実現し得るように
弾性表面波装置を製造することが必要である。ところ
が、圧電性基板に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、弾
性表面波装置を製造した場合、圧電性基板の種類やロッ
ト、ＩＤＴの形成精度などにより周波数特性がばらつく
という問題があった。
【０００４】そこで、弾性表面波装置において、ポリイ
ミド樹脂被覆層を形成し、該ポリイミド樹脂被覆層の膜
厚を調整することにより周波数調整を可能とした弾性表
面波装置の製造方法が提案されている（例えば、特開昭
６１−２０８９１６号公報や特開平８−３２３９２号公
報）。
ミド樹脂被覆層を形成し、該ポリイミド樹脂被覆層の膜
厚を調整することにより周波数調整を可能とした弾性表
面波装置の製造方法が提案されている（例えば、特開昭
６１−２０８９１６号公報や特開平８−３２３９２号公
報）。
【０００５】すなわち、特開昭６１−２０８９１６号公
報には、表面波装置の周波数調整を行うに際し、表面波
基板上にポリイミド系樹脂薄膜を形成し、該ポリイミド
系樹脂薄膜の膜厚を変えることにより周波数調整を行う
方法が開示されている。
報には、表面波装置の周波数調整を行うに際し、表面波
基板上にポリイミド系樹脂薄膜を形成し、該ポリイミド
系樹脂薄膜の膜厚を変えることにより周波数調整を行う
方法が開示されている。
【０００６】また、特開平８−３２３９２号公報には、
圧電性基板面に電極を形成し、基板面を伝搬する弾性表
面波が伝搬する基板面にフッ素化ポリイミド樹脂被膜を
形成してなる弾性表面波素子の製造にあたり、フッ素化
ポリイミド樹脂被膜を、スピンコート法などにより周波
数調整量に応じた膜厚に形成する方法が開示されてい
る。
圧電性基板面に電極を形成し、基板面を伝搬する弾性表
面波が伝搬する基板面にフッ素化ポリイミド樹脂被膜を
形成してなる弾性表面波素子の製造にあたり、フッ素化
ポリイミド樹脂被膜を、スピンコート法などにより周波
数調整量に応じた膜厚に形成する方法が開示されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の弾性表
面波装置の周波数調整方法では、いずれも、樹脂被膜を
形成するにあたり、該樹脂被膜の厚みを制御することに
より、所望の周波数特性を得ている。
面波装置の周波数調整方法では、いずれも、樹脂被膜を
形成するにあたり、該樹脂被膜の厚みを制御することに
より、所望の周波数特性を得ている。
【０００８】従って、スピンコーティングなどにより樹
脂被膜を形成するにあたり、該樹脂被膜の厚みを調整す
ることにより周波数調整を行っているため、周波数を低
下させる方向でしか周波数調整ができなかった。
脂被膜を形成するにあたり、該樹脂被膜の厚みを調整す
ることにより周波数調整を行っているため、周波数を低
下させる方向でしか周波数調整ができなかった。
【０００９】加えて、周波数調整の精度は、上記樹脂被
膜の形成方法に依存することになる。従って、樹脂被膜
を高精度に形成することができないため、周波数調整を
高精度に行い得ないことがあった。
膜の形成方法に依存することになる。従って、樹脂被膜
を高精度に形成することができないため、周波数調整を
高精度に行い得ないことがあった。
【００１０】さらに、樹脂被膜の膜厚を、樹脂被膜の形
成にあたり調整するものであるため、膜厚を制御するた
めの樹脂被膜形成条件の制御が煩雑であるという問題も
あった。
成にあたり調整するものであるため、膜厚を制御するた
めの樹脂被膜形成条件の制御が煩雑であるという問題も
あった。
【００１１】本発明の目的は、樹脂被膜形成に際しての
膜厚の制御といった煩雑な作業を強いられずに、容易に
かつ高精度に周波数を調整することが可能な弾性表面波
装置の製造方法を提供することにある。
膜厚の制御といった煩雑な作業を強いられずに、容易に
かつ高精度に周波数を調整することが可能な弾性表面波
装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、圧電性基板にインターデジタル電極及びインターデ
ジタル電極を被覆する無機もしくは有機材料よりなる被
覆層を形成してなる弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記無機もしくは有機材料よりなる被覆層を形成し
た後に、該被覆層をレーザで削ることにより周波数調整
することを特徴とする。
は、圧電性基板にインターデジタル電極及びインターデ
ジタル電極を被覆する無機もしくは有機材料よりなる被
覆層を形成してなる弾性表面波装置の製造方法であっ
て、前記無機もしくは有機材料よりなる被覆層を形成し
た後に、該被覆層をレーザで削ることにより周波数調整
することを特徴とする。
【００１３】なお、本明細書において、上記圧電性基板
とは、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3や水晶などの圧電単
結晶、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスなどの圧電
セラミックスのような圧電材料から構成されている圧電
基板だけでなく、絶縁性材料よりなる基板上にＺｎＯ薄
膜などの圧電性薄膜を形成してなる基板をも含む用語と
して用いることとする。
とは、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3や水晶などの圧電単
結晶、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスなどの圧電
セラミックスのような圧電材料から構成されている圧電
基板だけでなく、絶縁性材料よりなる基板上にＺｎＯ薄
膜などの圧電性薄膜を形成してなる基板をも含む用語と
して用いることとする。
【００１４】また、上記絶縁性基板上に圧電薄膜を形成
してなる圧電性基板を用いる場合には、ＩＤＴは圧電薄
膜の上面に形成されてもよく、あるいは圧電薄膜と絶縁
材料よりなる基板との界面に形成されていてもよい。
してなる圧電性基板を用いる場合には、ＩＤＴは圧電薄
膜の上面に形成されてもよく、あるいは圧電薄膜と絶縁
材料よりなる基板との界面に形成されていてもよい。
【００１５】本発明に係る弾性表面波装置の製造方法
は、好ましくは、請求項２に記載のように、端面反射型
の表面波装置の製造に好適に用いられる。請求項２に記
載の発明では、端面反射型表面波装置を得るために、上
記圧電性基板に少なくとも１つのＩＤＴを形成するにあ
たり、少なくとも１つのＩＤＴが圧電性基板の対向２端
面間で表面波を反射させるように形成されている。
は、好ましくは、請求項２に記載のように、端面反射型
の表面波装置の製造に好適に用いられる。請求項２に記
載の発明では、端面反射型表面波装置を得るために、上
記圧電性基板に少なくとも１つのＩＤＴを形成するにあ
たり、少なくとも１つのＩＤＴが圧電性基板の対向２端
面間で表面波を反射させるように形成されている。
【００１６】また、上記被覆層を形成する無機材料とし
ては、請求項３に記載のように、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ2 、ＷＯ3 などからなる群か
ら選択した少なくとも１種を用いることができる。
ては、請求項３に記載のように、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ2 、ＷＯ3 などからなる群か
ら選択した少なくとも１種を用いることができる。
【００１７】また、上記有機材料としては、ポリイミ
ド、パリレン、シリコーンなどからなる群から選択した
少なくとも１種を用いることができる。もっとも、上記
無機材料及び有機材料については、請求項３または４に
記載の材料に限定されるものではない。
ド、パリレン、シリコーンなどからなる群から選択した
少なくとも１種を用いることができる。もっとも、上記
無機材料及び有機材料については、請求項３または４に
記載の材料に限定されるものではない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の弾性表面波装置の製造方法の具体的な実施例につき説
明する。
の弾性表面波装置の製造方法の具体的な実施例につき説
明する。
【００１９】図１は、本発明の一実施例に係る弾性表面
波装置の製造方法において、レーザにより被覆層を研磨
する工程を説明するための模式的断面図であり、図２は
本実施例で得られる弾性表面波装置を示す斜視図であ
る。
波装置の製造方法において、レーザにより被覆層を研磨
する工程を説明するための模式的断面図であり、図２は
本実施例で得られる弾性表面波装置を示す斜視図であ
る。
【００２０】本実施例では、図２に示す端面反射型の表
面波装置１が得られる。端面反射型の表面波装置１は、
圧電性基板２上にＩＤＴ３を形成した構造を有する。圧
電性基板２としては、ＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 など
の圧電単結晶よりなる圧電性基板を用いることができ
る。
面波装置１が得られる。端面反射型の表面波装置１は、
圧電性基板２上にＩＤＴ３を形成した構造を有する。圧
電性基板２としては、ＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 など
の圧電単結晶よりなる圧電性基板を用いることができ
る。
【００２１】圧電性基板２上には、くし歯電極３ａ，３
ｂを、互いの電極指が間挿し合うように配置することに
よりＩＤＴ３が形成されている。もっとも、表面波電波
方向Ｘの両側に位置する電極指３ｃ，３ｄについては、
その幅が他の電極指の１／２の幅とされており、かつ対
向２端面２ａ，２ｂと上面２ｃとの端縁に沿うように形
成されている。
ｂを、互いの電極指が間挿し合うように配置することに
よりＩＤＴ３が形成されている。もっとも、表面波電波
方向Ｘの両側に位置する電極指３ｃ，３ｄについては、
その幅が他の電極指の１／２の幅とされており、かつ対
向２端面２ａ，２ｂと上面２ｃとの端縁に沿うように形
成されている。
【００２２】従って、表面波装置１は、例えばＢＧＳ波
を利用した端面反射型の表面波装置として動作し得るも
のである。ＩＤＴ３を覆うように、被覆層４（図２では
想像線で示す。）が形成されている。被覆層４は、無機
材料もしくは有機材料により構成され、該被覆層４を形
成することによりＩＤＴ３の保護及び周波数調整が図ら
れる。
を利用した端面反射型の表面波装置として動作し得るも
のである。ＩＤＴ３を覆うように、被覆層４（図２では
想像線で示す。）が形成されている。被覆層４は、無機
材料もしくは有機材料により構成され、該被覆層４を形
成することによりＩＤＴ３の保護及び周波数調整が図ら
れる。
【００２３】もっとも、本実施例では、上記ＩＤＴ３を
形成した後に、被覆層４を形成し、さらに後述のレーザ
により研磨工程を実施することにより周波数調整が行わ
れる。
形成した後に、被覆層４を形成し、さらに後述のレーザ
により研磨工程を実施することにより周波数調整が行わ
れる。
【００２４】なお、圧電性基板２上にＩＤＴ３を形成す
る工程については、従来より表面波装置の製造方法にお
いて慣用されている適宜の方法により行うことができ
る。例えば、圧電性基板２上の全面にＡｌなどの金属材
料をメッキ、蒸着もしくはスパッタリングなどにより形
成し、しかる後、パターニングすることによりＩＤＴ３
を形成することができる。あるいは、圧電性基板２上に
マスクを載置し、Ａｌなどの金属材料をスクリーン印
刷、メッキ、蒸着もしくはスパッタリングなどによりＩ
ＤＴ３を形成することができる。
る工程については、従来より表面波装置の製造方法にお
いて慣用されている適宜の方法により行うことができ
る。例えば、圧電性基板２上の全面にＡｌなどの金属材
料をメッキ、蒸着もしくはスパッタリングなどにより形
成し、しかる後、パターニングすることによりＩＤＴ３
を形成することができる。あるいは、圧電性基板２上に
マスクを載置し、Ａｌなどの金属材料をスクリーン印
刷、メッキ、蒸着もしくはスパッタリングなどによりＩ
ＤＴ３を形成することができる。
【００２５】ＩＤＴ３を形成した後に、被覆層４を形成
するが、この被覆層４の形成方法についても、従来より
公知の方法に従って行い得る。すなわち、スピンコーテ
ィング、スプレーコーティングなどの適宜の方法により
形成することができる。また、被覆層４を構成する材料
についても、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＳｉＮx などの無機材
料、あるいはポリイミド、パリレンなどの有機材料な
ど、任意の材料を用いることができる。
するが、この被覆層４の形成方法についても、従来より
公知の方法に従って行い得る。すなわち、スピンコーテ
ィング、スプレーコーティングなどの適宜の方法により
形成することができる。また、被覆層４を構成する材料
についても、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＳｉＮx などの無機材
料、あるいはポリイミド、パリレンなどの有機材料な
ど、任意の材料を用いることができる。
【００２６】次に、図１に示すように、被覆層４にレー
ザ装置５を用いレーザ光６を照射し、被覆層４を研磨す
る。この研磨に際しては、被覆層４の上面４ａの全面に
渡ってもよく、すなわち、被覆層４の膜厚を薄くするよ
うに全面を研磨してもよく、あるいは被覆層４の上面４
ａを部分的に研磨することにより行ってもよい。
ザ装置５を用いレーザ光６を照射し、被覆層４を研磨す
る。この研磨に際しては、被覆層４の上面４ａの全面に
渡ってもよく、すなわち、被覆層４の膜厚を薄くするよ
うに全面を研磨してもよく、あるいは被覆層４の上面４
ａを部分的に研磨することにより行ってもよい。
【００２７】いずれにしても、レーザ装置５を用いて研
磨を行うものであるため、上記研磨は高精度に行うこと
ができ、従って、研磨前の表面波装置１の周波数特性の
ばらつきの如何に関わらず、上記研磨により表面波装置
１の周波数特性を設計周波数特性に正確に合致させるこ
とができる。
磨を行うものであるため、上記研磨は高精度に行うこと
ができ、従って、研磨前の表面波装置１の周波数特性の
ばらつきの如何に関わらず、上記研磨により表面波装置
１の周波数特性を設計周波数特性に正確に合致させるこ
とができる。
【００２８】次に、具体的な実験例につき説明する。表
面波装置１として、圧電性基板２が圧電セラミック（Ｐ
ＺＴ）からなり、５０×５０×１ｍｍの寸法のものを用
意した。上記圧電性基板２上に、通常のフォトリソグラ
フによりＩＤＴ３を形成した。形成したＩＤＴ３は、電
極指の対数が２０対であり、アルミニウム薄膜よりな
り、厚みは波長に比べ無視できる位薄くした。
面波装置１として、圧電性基板２が圧電セラミック（Ｐ
ＺＴ）からなり、５０×５０×１ｍｍの寸法のものを用
意した。上記圧電性基板２上に、通常のフォトリソグラ
フによりＩＤＴ３を形成した。形成したＩＤＴ３は、電
極指の対数が２０対であり、アルミニウム薄膜よりな
り、厚みは波長に比べ無視できる位薄くした。
【００２９】次に圧電性基板２の上面２ｃの全面を覆う
ようにＳｉＯ2 薄膜を膜厚がＨ／λ＝０．３５となるよ
うにＲＦマグネトロンスパッタにより形成した。なお、
Ｈは、ＳｉＯ2 薄膜の膜厚を、λは表面波装置で励振さ
れるＢＧＳ波の波長を示す。
ようにＳｉＯ2 薄膜を膜厚がＨ／λ＝０．３５となるよ
うにＲＦマグネトロンスパッタにより形成した。なお、
Ｈは、ＳｉＯ2 薄膜の膜厚を、λは表面波装置で励振さ
れるＢＧＳ波の波長を示す。
【００３０】上記ＳｉＯ2 薄膜よりなる被覆層を、レー
ザ装置を用い、その膜厚を薄くするように研磨し、中心
周波数ｆ0 の変化量Δｆ0 を求めた。結果を図３に示
す。なお、図３において、縦軸は、中心周波数変化量Δ
ｆ0 （ｐｐｍ）を示すが、ここでは、被覆層４が形成さ
れていない表面波装置の中心周波数をｆ0 とし、該中心
周波数に対する周波数の差をΔｆ0 として表した。
ザ装置を用い、その膜厚を薄くするように研磨し、中心
周波数ｆ0 の変化量Δｆ0 を求めた。結果を図３に示
す。なお、図３において、縦軸は、中心周波数変化量Δ
ｆ0 （ｐｐｍ）を示すが、ここでは、被覆層４が形成さ
れていない表面波装置の中心周波数をｆ0 とし、該中心
周波数に対する周波数の差をΔｆ0 として表した。
【００３１】図３から明らかなように、ＳｉＯ2 薄膜の
膜厚を薄くするようにレーザ光によりＳｉＯ2 薄膜より
なる被覆層を研磨したところ、中心周波数が低下するこ
とがわかる。従って、上記被覆層の膜厚を薄くするよう
にレーザ光により研磨することにより、表面波装置１の
中心周波数を高精度に制御し得ることがわかる。
膜厚を薄くするようにレーザ光によりＳｉＯ2 薄膜より
なる被覆層を研磨したところ、中心周波数が低下するこ
とがわかる。従って、上記被覆層の膜厚を薄くするよう
にレーザ光により研磨することにより、表面波装置１の
中心周波数を高精度に制御し得ることがわかる。
【００３２】また、上記実験例において、ＳｉＯ2 薄膜
に代えて、ＳｉＯ薄膜を膜厚をＨ／λ＝０．２１となる
ように形成し、同様にして研磨したところ、図４に示す
結果が得られた。図４から明らかなように、ＳｉＯより
なる被覆層を形成した場合においても、レーザ光を用い
てその膜厚を減らすように研磨することにより、中心周
波数を低下させるように調整し得ることがわかる。
に代えて、ＳｉＯ薄膜を膜厚をＨ／λ＝０．２１となる
ように形成し、同様にして研磨したところ、図４に示す
結果が得られた。図４から明らかなように、ＳｉＯより
なる被覆層を形成した場合においても、レーザ光を用い
てその膜厚を減らすように研磨することにより、中心周
波数を低下させるように調整し得ることがわかる。
【００３３】また、上記ＳｉＯ2 薄膜やＳｉＯ薄膜では
なく、有機材料としてのポリイミドをＨ／λ＝０．１１
の膜厚となるようにスピンナーにより形成したことを除
いては、上記実験例と同様にして周波数調整を試みた。
結果を図５に示す。図５から明らかなように、ポリイミ
ド薄膜からなる被覆層を、Ｈ／λ＝０．１１となるよう
に形成した後に、レーザ光を照射して研磨することによ
り研磨量を増大させるに連れて、すなわちポリイミド薄
膜よりなる被覆層の膜厚を薄くさせるに連れて、周波数
を高める方向に周波数調整し得ることがわかる。
なく、有機材料としてのポリイミドをＨ／λ＝０．１１
の膜厚となるようにスピンナーにより形成したことを除
いては、上記実験例と同様にして周波数調整を試みた。
結果を図５に示す。図５から明らかなように、ポリイミ
ド薄膜からなる被覆層を、Ｈ／λ＝０．１１となるよう
に形成した後に、レーザ光を照射して研磨することによ
り研磨量を増大させるに連れて、すなわちポリイミド薄
膜よりなる被覆層の膜厚を薄くさせるに連れて、周波数
を高める方向に周波数調整し得ることがわかる。
【００３４】同様に、ポリイミドに代えて、パリレンを
用い、同様の実験を行ったところ、図６に示す結果が得
られた。図６から明らかなように、Ｈ／λ＝０．１１の
膜厚となるようパリレンからなる被覆層を形成した後、
レーザ光を照射して被覆層を研磨したところ、ポリイミ
ドの場合と同様に研磨量を増大させて被覆層の膜厚を薄
くするように研磨することにより、周波数を高めるよう
に周波数調整し得ることがわかる。
用い、同様の実験を行ったところ、図６に示す結果が得
られた。図６から明らかなように、Ｈ／λ＝０．１１の
膜厚となるようパリレンからなる被覆層を形成した後、
レーザ光を照射して被覆層を研磨したところ、ポリイミ
ドの場合と同様に研磨量を増大させて被覆層の膜厚を薄
くするように研磨することにより、周波数を高めるよう
に周波数調整し得ることがわかる。
【００３５】従って、図３〜図６の結果から、無機材料
からなる被覆層を形成した場合には、研磨量を増大させ
て膜厚を低減させることにより周波数を低下させるよう
に周波数調整を行うことができ、他方、ポリイミドやパ
リレンなどを用いた場合には、研磨量を増大させて被覆
層の膜厚を薄くするように研磨することにより周波数を
高めるように周波数調整し得ることがわかる。
からなる被覆層を形成した場合には、研磨量を増大させ
て膜厚を低減させることにより周波数を低下させるよう
に周波数調整を行うことができ、他方、ポリイミドやパ
リレンなどを用いた場合には、研磨量を増大させて被覆
層の膜厚を薄くするように研磨することにより周波数を
高めるように周波数調整し得ることがわかる。
【００３６】また、いずれの場合においても、被覆層の
膜厚を低減するように、レーザ光を照射することにより
研磨するだけで、目的とする周波数特性を有するように
確実に周波数調整し得ることがわかる。
膜厚を低減するように、レーザ光を照射することにより
研磨するだけで、目的とする周波数特性を有するように
確実に周波数調整し得ることがわかる。
【００３７】なお、上記実施例では、ＢＧＳ波を利用し
た端面反射型の表面波装置の製造方法に適用した実施例
を示したが、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法
は、ＢＧＳ波以外の他の表面波、例えばラブ波などの他
のＳＨタイプの表面波や、レイリー波などの他の表面波
を利用した表面波装置の製造にも適用することができる
と共に、表面波共振子だけでなく、トランスバーサル型
や共振子型弾性表面波フィルタ、表面波遅延線など任意
の表面波装置の製造方法に適用することができる。
た端面反射型の表面波装置の製造方法に適用した実施例
を示したが、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法
は、ＢＧＳ波以外の他の表面波、例えばラブ波などの他
のＳＨタイプの表面波や、レイリー波などの他の表面波
を利用した表面波装置の製造にも適用することができる
と共に、表面波共振子だけでなく、トランスバーサル型
や共振子型弾性表面波フィルタ、表面波遅延線など任意
の表面波装置の製造方法に適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、圧電性
基板に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、さらに無機材
料もしくは有機材料からなる被覆層を形成してなる弾性
表面波装置の製造にあたり、上記被覆層をレーザを用い
て研磨することにより周波数調整が行われる。レーザ光
による被覆層の研磨は、ポリイミド膜などの形成に際し
ての膜厚調整に比べ、高精度にかつ容易に行うことがで
きる。従って、請求項１に記載の発明によれば、従来の
周波数調整方法に比べ、簡便にかつ高精度に周波数を調
整することができ、所望とする周波数特性を有する弾性
表面波装置を安定にかつ安価に提供することが可能とな
る。
基板に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、さらに無機材
料もしくは有機材料からなる被覆層を形成してなる弾性
表面波装置の製造にあたり、上記被覆層をレーザを用い
て研磨することにより周波数調整が行われる。レーザ光
による被覆層の研磨は、ポリイミド膜などの形成に際し
ての膜厚調整に比べ、高精度にかつ容易に行うことがで
きる。従って、請求項１に記載の発明によれば、従来の
周波数調整方法に比べ、簡便にかつ高精度に周波数を調
整することができ、所望とする周波数特性を有する弾性
表面波装置を安定にかつ安価に提供することが可能とな
る。
【００３９】また、被覆層を構成する材料の種類によっ
ては、研磨量を調整することにより、周波数を低める方
向に調整することができる。請求項２に記載の発明によ
れば、圧電性基板の対向２端面間で表面波が反射するよ
うにＩＤＴが形成されており、従って、端面反射型の表
面波装置を得ることができ、該端面反射型の表面波装置
において、上記レーザ光による被覆層の研磨量を制御す
ることにより、所望とする周波数特性の表面波装置を確
実に提供することが可能となる。
ては、研磨量を調整することにより、周波数を低める方
向に調整することができる。請求項２に記載の発明によ
れば、圧電性基板の対向２端面間で表面波が反射するよ
うにＩＤＴが形成されており、従って、端面反射型の表
面波装置を得ることができ、該端面反射型の表面波装置
において、上記レーザ光による被覆層の研磨量を制御す
ることにより、所望とする周波数特性の表面波装置を確
実に提供することが可能となる。
【００４０】請求項３に発明によれば、上記無機材料と
して、ＳｉＯ2 やＳｉＯ、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ
2 、ＷＯ3 などを用いるため、被覆層の膜厚を減らすよ
うに研磨することにより、周波数を低下させる方向に周
波数調整が可能である。
して、ＳｉＯ2 やＳｉＯ、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ
2 、ＷＯ3 などを用いるため、被覆層の膜厚を減らすよ
うに研磨することにより、周波数を低下させる方向に周
波数調整が可能である。
【００４１】また、請求項４に記載の発明では、被覆層
がポリイミドやパリレンなどの有機材料よりなるため、
研磨量を増大させて被覆層の膜厚を低減することより、
周波数を高める方向に周波数調整することができる。
がポリイミドやパリレンなどの有機材料よりなるため、
研磨量を増大させて被覆層の膜厚を低減することより、
周波数を高める方向に周波数調整することができる。
【図１】本発明の一実施例においてレーザ光を照射して
周波数調整する工程を説明するための模式的断面図。
周波数調整する工程を説明するための模式的断面図。
【図２】本発明の一実施例において得られる弾性表面波
装置としての端面反射型表面波共振子を示す斜視図。
装置としての端面反射型表面波共振子を示す斜視図。
【図３】本発明の具体的な実験例において、被覆層をＳ
ｉＯ2 膜で形成した場合のＳｉＯ2 膜の研磨量ΔＨ／λ
と、中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係を示
す図。
ｉＯ2 膜で形成した場合のＳｉＯ2 膜の研磨量ΔＨ／λ
と、中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係を示
す図。
【図４】本発明の具体的な実験例において、被覆層をＳ
ｉＯ膜で形成した場合のＳｉＯ膜の研磨量ΔＨ／λと、
中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係を示す
図。
ｉＯ膜で形成した場合のＳｉＯ膜の研磨量ΔＨ／λと、
中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係を示す
図。
【図５】本発明の具体的な実験例において、被覆層をポ
リイミド膜で形成した場合のポリイミド膜の研磨量ΔＨ
／λと、中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係
を示す図。
リイミド膜で形成した場合のポリイミド膜の研磨量ΔＨ
／λと、中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係
を示す図。
【図６】本発明の具体的な実験例において、被覆層をパ
リレン膜で形成した場合のパリレン膜の研磨量ΔＨ／λ
と、中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係を示
す図。
リレン膜で形成した場合のパリレン膜の研磨量ΔＨ／λ
と、中心周波数からの周波数変動量Δｆ0 との関係を示
す図。
１…表面波装置 ２…圧電性基板 ２ａ，２ｂ…端面 ３…ＩＤＴ ４…被覆層 ５…レーザ装置 ６…レーザ光
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電性基板にインターデジタル電極及び
インターデジタル電極を被覆する無機もしくは有機材料
よりなる被覆層を形成してなる弾性表面波装置の製造方
法であって、 前記無機もしくは有機材料よりなる被覆層を形成した後
に、該被覆層をレーザで削ることにより周波数調整する
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記圧電性基板において、該圧電性基板
の対向２端面間で表面波が反射するように前記インター
デジタル電極を形成してなる端面反射型表面波装置の製
造方法である、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - 【請求項３】 前記無機材料が、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ2 、ＷＯ3 よりなる群より選
択した少なくとも１種である、請求項１または２に記載
の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記有機材料がポリイミド、パリレン、
シリコーン等からなる群から選択した少なくとも１種で
ある、請求項１または２に記載の弾性表面波装置の製造
方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330575A JPH11163655A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| US09/192,774 US6185801B1 (en) | 1997-12-01 | 1998-11-16 | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| TW087119158A TW404090B (en) | 1997-12-01 | 1998-11-19 | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| SG9804878A SG94318A1 (en) | 1997-12-01 | 1998-11-20 | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| DE19854729A DE19854729C2 (de) | 1997-12-01 | 1998-11-26 | Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelements und zum Einstellen von dessen Beriebsfrequenz |
| NL1010688A NL1010688C2 (nl) | 1997-12-01 | 1998-11-30 | Werkwijze voor het vervaardigen een oppervlakte-geluidsgolfinrichting. |
| CNB981227805A CN1206751C (zh) | 1997-12-01 | 1998-12-01 | 声表面波器件的制造方法 |
| KR1019980052193A KR100302969B1 (ko) | 1997-12-01 | 1998-12-01 | 탄성표면파장치의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330575A JPH11163655A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163655A true JPH11163655A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18234196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9330575A Pending JPH11163655A (ja) | 1997-12-01 | 1997-12-01 | 弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6185801B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11163655A (ja) |
| KR (1) | KR100302969B1 (ja) |
| CN (1) | CN1206751C (ja) |
| DE (1) | DE19854729C2 (ja) |
| NL (1) | NL1010688C2 (ja) |
| SG (1) | SG94318A1 (ja) |
| TW (1) | TW404090B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217672A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機装置 |
| US7109637B2 (en) | 2003-07-09 | 2006-09-19 | Tdk Corporation | Thin-film bulk acoustic oscillator and method of manufacturing same |
| JP2009130806A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP2011023929A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3712035B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の製造方法 |
| JP3317274B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| DE19949739C1 (de) * | 1999-10-15 | 2001-08-23 | Karlsruhe Forschzent | Massesensitiver Sensor |
| DE19949738A1 (de) * | 1999-10-15 | 2001-05-23 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellensensoren und Oberflächenwellensensor |
| JP3435639B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 |
| JP3485067B2 (ja) | 2000-05-22 | 2004-01-13 | 株式会社村田製作所 | ラッピング加工方法およびラッピング装置 |
| US6650205B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| JP4063000B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2008-03-19 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波フィルタ |
| JP3945363B2 (ja) * | 2001-10-12 | 2007-07-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP4704660B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2011-06-15 | 株式会社日立製作所 | 記憶デバイス制御装置の制御方法、記憶デバイス制御装置、及びプログラム |
| JP3969311B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2007-09-05 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型弾性表面波装置 |
| JP2009281887A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Fujitsu Ltd | 気圧測定装置および気圧測定方法 |
| DE102009019523B4 (de) * | 2009-04-30 | 2014-02-13 | Epcos Ag | Verfahren zum Trimmen eines SAW Bauelements |
| US8959734B2 (en) * | 2010-12-16 | 2015-02-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of fabricating a card with piezo-powered indicator by printed electronics processes |
| US8976093B2 (en) | 2010-12-16 | 2015-03-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Printed interactive card with piezo-powered indicator |
| WO2018209091A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Surface acoustic wave (saw) spatial light modulator device providing varying saw speed |
| JP7195758B2 (ja) * | 2018-04-19 | 2022-12-26 | 株式会社ディスコ | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4243960A (en) * | 1978-08-14 | 1981-01-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and materials for tuning the center frequency of narrow-band surface-acoustic-wave (SAW) devices by means of dielectric overlays |
| US4442574A (en) * | 1982-07-26 | 1984-04-17 | General Electric Company | Frequency trimming of saw resonators |
| US4435441A (en) * | 1982-12-30 | 1984-03-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of frequency trimming surface acoustic wave devices |
| US4539847A (en) * | 1984-01-03 | 1985-09-10 | Texaco Inc. | Acoustic method and apparatus for measuring thickness of a coating layer on a substrate |
| JPH0763131B2 (ja) | 1985-03-13 | 1995-07-05 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の周波数調整方法 |
| FR2646309B1 (fr) * | 1989-04-24 | 1997-01-31 | Technomed Int Sa | Procede de fabrication d'un capteur acoustique et capteur acoustique ainsi obtenu, a couche de protection indecollable |
| JPH0832392A (ja) | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Meidensha Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-12-01 JP JP9330575A patent/JPH11163655A/ja active Pending
-
1998
- 1998-11-16 US US09/192,774 patent/US6185801B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-19 TW TW087119158A patent/TW404090B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-20 SG SG9804878A patent/SG94318A1/en unknown
- 1998-11-26 DE DE19854729A patent/DE19854729C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-30 NL NL1010688A patent/NL1010688C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1998-12-01 KR KR1019980052193A patent/KR100302969B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-12-01 CN CNB981227805A patent/CN1206751C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217672A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機装置 |
| US7109637B2 (en) | 2003-07-09 | 2006-09-19 | Tdk Corporation | Thin-film bulk acoustic oscillator and method of manufacturing same |
| JP2009130806A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| JP2011023929A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19854729A1 (de) | 1999-06-10 |
| KR19990062681A (ko) | 1999-07-26 |
| TW404090B (en) | 2000-09-01 |
| DE19854729C2 (de) | 2001-05-03 |
| CN1206751C (zh) | 2005-06-15 |
| CN1221255A (zh) | 1999-06-30 |
| SG94318A1 (en) | 2003-02-18 |
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| US6185801B1 (en) | 2001-02-13 |
| KR100302969B1 (ko) | 2001-09-22 |
| NL1010688A1 (nl) | 1999-06-02 |
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