JPH11131237A - Method and device for supplying source gas - Google Patents

Method and device for supplying source gas

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JPH11131237A
JPH11131237A JP30000397A JP30000397A JPH11131237A JP H11131237 A JPH11131237 A JP H11131237A JP 30000397 A JP30000397 A JP 30000397A JP 30000397 A JP30000397 A JP 30000397A JP H11131237 A JPH11131237 A JP H11131237A
Authority
JP
Japan
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source gas
source
supply amount
inert gas
set value
Prior art date
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Pending
Application number
JP30000397A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisaaki Kurihara
久明 栗原
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily supply a source gas in a stable quantity. SOLUTION: In a method to supply the source gas generated through the bubbling of a liquid source, a set value of the supply of the source gas is first obtained in a first step S1. In a second step S2, the liquid source is bubbled by supplying an inert gas to generate the source gas. In a third step S3, the supply of the generated source gas is measured to obtain a measured value. In a fourth step S4, the measured value is judged whether or not it is within a prescribed range of the set value, and when it is judged NO, the process is advanced to a fifth step S5, or when it is judged YES, the process is advanced to a sixth step S6. In the fifth step S5, the supply of the inert gas is regulated so that the measured value is brought close to the set value, and the process is returned to the third step S3. In the sixth step S6, the supply of the inert gas is fixed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
の製造における成膜工程で反応室内にソースガスを供給
する方法及び装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for supplying a source gas into a reaction chamber in, for example, a film forming step in the manufacture of a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置製造におけるCVD(Chemic
hal Vapor Deposition:化学的気相成長法))工程で
は、不活性ガスによって液体ソースをバブリングしてガ
ス化させ、このガスをソースガス(成膜ガス)として反
応室内に供給する場合がある。この場合、以下のまた
はに示す2通りの手法のいづれか一方で、反応室内に
所定量のソースガスが供給されるようにしている。
2. Description of the Related Art CVD (Chemic) in semiconductor device manufacturing.
In the hal Vapor Deposition (chemical vapor deposition method)) step, the liquid source may be gasified by bubbling with an inert gas, and this gas may be supplied into the reaction chamber as a source gas (deposition gas). In this case, a predetermined amount of source gas is supplied into the reaction chamber by one of the following two methods.

【0003】 上記製造工程に先立ち、バブリングに
用いる不活性ガスの供給量に対するソースガスの供給量
に関するデータを得ておく。その後、このデータと上記
製造工程におけるソースガスの供給量の設定値とから、
上記製造工程において必要とされる不活性ガスの供給量
を得る。次に、ここで得られた一定量の不活性ガスが液
体ソース中に供給されるように、不活性ガスの供給量を
制御して液体ソースのバブリングを行う。この方式はオ
ープンループ方式と称されている。このようにソースガ
スの供給量を制御する場合には、不活性ガスの供給量を
制御する流量制御器(すなわち、マスフローコントロー
ラ)が備えられたオープンループ方式のソースガス供給
装置が用いられる。図4には、オープンループ方式によ
るソースガスの発生量の経時変化を示した。オープンル
ープ方式の供給方法では、このグラフに示されるよう
に、不活性ガスを流し始めてから所定時間が経過した後
に、設定値付近でソースガスの供給量が安定化すること
が分かる。
Prior to the above manufacturing process, data on the supply amount of the source gas with respect to the supply amount of the inert gas used for bubbling is obtained. Then, from this data and the set value of the supply amount of the source gas in the above manufacturing process,
The supply amount of the inert gas required in the above manufacturing process is obtained. Next, bubbling of the liquid source is performed by controlling the supply amount of the inert gas so that a certain amount of the obtained inert gas is supplied into the liquid source. This method is called an open loop method. When controlling the supply amount of the source gas in this manner, an open-loop source gas supply device provided with a flow controller (that is, a mass flow controller) for controlling the supply amount of the inert gas is used. FIG. 4 shows the change over time in the amount of source gas generated by the open loop method. In the supply method of the open loop system, as shown in this graph, it can be seen that the supply amount of the source gas is stabilized around the set value after a predetermined time has elapsed since the start of the flow of the inert gas.

【0004】 不活性ガスによる液体ソースのバブリ
ングによってソースガスを発生させ、反応室内へのソー
スガスの供給量を測定する。測定した値が設定値により
近くなるように不活性ガスの供給量を調節する。製造工
程中においては、反応室内へのソースガスの供給量が設
定値により近い値になるように、上記ソースガスの供給
労の測定と不活性ガスの供給量の調節を繰り返す。この
方式はクローズドループ方式と称されている。このよう
にソースガスの供給量を制御する場合には、不活性ガス
の供給量を制御する流量制御器、ソースガスの供給量を
測定する流量測定器(すなわち、マスフローメータ)、
上記流量測定器で測定した値が設定値に近づく様に流量
制御器を制御する制御回路を備えたクローズドループ方
式のソースガス供給装置が用いられる。
A source gas is generated by bubbling a liquid source with an inert gas, and a supply amount of the source gas into a reaction chamber is measured. The supply amount of the inert gas is adjusted so that the measured value becomes closer to the set value. During the manufacturing process, the measurement of the supply effort of the source gas and the adjustment of the inert gas supply rate are repeated so that the supply rate of the source gas into the reaction chamber becomes closer to the set value. This method is called a closed loop method. When controlling the supply amount of the source gas in this manner, a flow controller that controls the supply amount of the inert gas, a flow measurement device that measures the supply amount of the source gas (that is, a mass flow meter),
A closed-loop source gas supply device provided with a control circuit for controlling the flow controller so that the value measured by the flow meter approaches a set value is used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ソースガ
ス供給方法及び装置には、以下のような課題があった。
すなわち、オープンループ方式のソースガス供給方法及
び装置では、ソースガスを用いた処理工程を行うに先立
って、不活性ガスの供給量に対するソースガスの供給量
に関するデータを予め得ておく必要がある。このため、
上記処理工程に手間がかかる。また、図5には、クロー
ズドループ方式によるソースガスの供給量の経時変化を
示した。この図に示すように、クローズドループ方式の
ソースガス供給方法では、フィードバックされた測定値
に基づいてソースガスの供給量を設定値に近づけていく
ため、ソースガスの供給量が安定化し難くバラツキが生
じやすい。このバラツキは、図5に示したように、工程
の途中でソースガスの供給量を変化させた場合に特に顕
著になる。これは、例えばCVDによる膜形成において
成膜膜厚にバラツキを生じさせる要因になる。
However, the above-described method and apparatus for supplying a source gas have the following problems.
In other words, in the open-loop source gas supply method and apparatus, it is necessary to obtain data on the supply amount of the source gas with respect to the supply amount of the inert gas before performing the processing step using the source gas. For this reason,
The above processing steps are troublesome. FIG. 5 shows the change over time of the supply amount of the source gas by the closed loop method. As shown in this figure, in the closed-loop source gas supply method, the supply amount of the source gas approaches the set value based on the measured value fed back, so that the supply amount of the source gas is difficult to stabilize, and there is a variation. Easy to occur. This variation is particularly remarkable when the supply amount of the source gas is changed during the process as shown in FIG. This is a factor that causes a variation in the film thickness when, for example, the film is formed by CVD.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、液体ソースのバブリングによって発生させ
たソースガスを供給する方法であり、以下の第1〜第6
ステップを行う。先ず第1ステップではソースガスの供
給量の設定値を得る。次に第2ステップでは、不活性ガ
スの供給によって液体ソースをバブリングしてソースガ
スを発生させる。第3ステップでは発生させたソースガ
スの供給量を測定して測定値を得る。第4ステップでは
測定値が設定値の所定範囲内であるか否かを判断し、否
と判断した場合には第5ステップに進み、あると判断し
た場合には第6ステップに進む。第5ステップでは、測
定値が設定値に近づく様に上記不活性ガスの供給量を調
節して第3ステップに戻る。第6ステップでは、不活性
ガスの供給量を固定する。
According to the present invention, there is provided a method of supplying a source gas generated by bubbling of a liquid source.
Perform the steps. First, in a first step, a set value of the supply amount of the source gas is obtained. Next, in a second step, a liquid source is bubbled by supplying an inert gas to generate a source gas. In the third step, the supply amount of the generated source gas is measured to obtain a measured value. In the fourth step, it is determined whether or not the measured value is within a predetermined range of the set value. When it is determined that the measured value is not, the process proceeds to the fifth step, and when it is determined that the measured value is present, the process proceeds to the sixth step. In the fifth step, the supply amount of the inert gas is adjusted so that the measured value approaches the set value, and the process returns to the third step. In the sixth step, the supply amount of the inert gas is fixed.

【0007】上記ソースガスの供給方法では、バブリン
グによって発生したソースガスの供給量の測定とバブリ
ングを行うための不活性ガスの供給量の調整とを繰り返
し行なうことで、ソースガスの供給量が設定値に近づけ
られる。そして、上記測定値が設定値に対して所定範囲
内になった場合には、不活性ガスの供給量が固定されて
ソースガスの発生量のバラツキが抑えられる。この結
果、予め不活性ガスの供給量とソースガスの供給量との
関係を得ることなく、設定値の所定範囲内において安定
した量のソースガスが供給される。
In the above source gas supply method, the supply amount of the source gas is set by repeatedly measuring the supply amount of the source gas generated by the bubbling and adjusting the supply amount of the inert gas for bubbling. Closer to the value. When the measured value falls within a predetermined range with respect to the set value, the supply amount of the inert gas is fixed, and the variation in the generation amount of the source gas is suppressed. As a result, a stable amount of the source gas is supplied within a predetermined range of the set value without previously obtaining the relationship between the supply amount of the inert gas and the supply amount of the source gas.

【0008】また、上記方法に用いる本発明のソースガ
ス供給装置は、不活性ガス供給管の一端とソースガス供
給管の一端とを液体ソースタンク内に挿入してなるバブ
ラー、上記不活性ガス供給管に設けられた流量調節器、
上記ソースガス供給管に設けられた流量測定器、及びこ
れらの流量調節器と流量測定器とに接続された制御回路
を備えている。この制御回路は、ソースガスの供給量の
設定値が予め入力されるものである。これと共に、この
制御回路は、上記流量測定器で得られた測定値が上記設
定値の所定範囲内になるまでは当該測定値を当該設定値
に近づける様に流量調節器を制御して不活性ガスの供給
量を調節し、上記測定値が設定値の所定範囲内になった
時点で不活性ガスの供給量を固定するように流量調節器
を制御するものである。
The source gas supply device of the present invention used in the above method is a bubbler having one end of an inert gas supply pipe and one end of a source gas supply pipe inserted into a liquid source tank. Flow controller provided in the pipe,
A flow measuring device provided in the source gas supply pipe and a control circuit connected to the flow regulator and the flow measuring device are provided. In this control circuit, a set value of the supply amount of the source gas is input in advance. At the same time, the control circuit controls the flow controller so as to bring the measured value close to the set value until the measured value obtained by the flow meter falls within the predetermined range of the set value. The gas supply amount is adjusted, and the flow rate controller is controlled so as to fix the inert gas supply amount when the measured value falls within a predetermined range of the set value.

【0009】上記構成のソースガスの供給装置を用いる
ことによって、上記ソースガス供給方法が行われる。
The above-described source gas supply method is performed by using the source gas supply device having the above configuration.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明のソースガス供給方
法及びソースガス供給装置の実施の形態を図面に基づい
て説明する。図1はソースガス供給方法を説明するフロ
ーチャートであり、図2はこのソースガス供給装置の構
成図である。先ず、図2を用いてソースガス供給方法に
用いるソースガス供給装置の構成を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a source gas supply method and a source gas supply device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart illustrating a source gas supply method, and FIG. 2 is a configuration diagram of the source gas supply device. First, the configuration of the source gas supply device used in the source gas supply method will be described with reference to FIG.

【0011】図2に示すように、ソースガス供給装置1
は、密閉された液体ソースタンク11、液体ソースタン
ク11の下面に設けられた加熱器12、一端が液体ソー
スタンク11内に挿入された不活性ガス供給管13、不
活性ガス供給管13に設けられた流量調節器(いわゆ
る、マスフローコントローラ)14、一端が液体ソース
タンク11内に挿入さたソースガス供給管15、ソース
ガス供給管15に設けられた流量測定器(いわゆる、マ
スフローメータ)16、及び流量調節器14と流量測定
器16とに接続された制御回路17で構成されている。
As shown in FIG. 2, a source gas supply device 1
Are provided in a sealed liquid source tank 11, a heater 12 provided on the lower surface of the liquid source tank 11, an inert gas supply pipe 13 having one end inserted into the liquid source tank 11, and an inert gas supply pipe 13. A flow controller (so-called mass flow controller) 14, a source gas supply pipe 15 having one end inserted into the liquid source tank 11, a flow meter (so-called mass flow meter) 16 provided in the source gas supply pipe 15, And a control circuit 17 connected to the flow controller 14 and the flow measuring device 16.

【0012】上記液体ソースタンク11は、液体ソース
Lの供給タンク21と液体ソース供給管22で接続され
ており、供給管23から供給タンク21内に供給される
不活性ガス圧力によって、当該供給タンク21から液体
ソースLが供給されるようになっている。
The liquid source tank 11 is connected to a supply tank 21 for the liquid source L by a liquid source supply pipe 22, and is supplied by an inert gas pressure supplied from the supply pipe 23 into the supply tank 21. The liquid source L is supplied from 21.

【0013】上記加熱器12は、液体ソースタンク11
内の液体ソースLを加熱するためのものである。また、
上記不活性ガス供給管13は、液体ソースタンク11内
の液体ソースLをバブリングするための不活性ガスを供
給するためのものであり、液体ソースタンク11内の液
体ソースL中にその一端が挿入されるように設けられて
いる。そして、上記流量調節器14は、不活性ガス供給
管13から液体ソースタンク11内に供給される不活性
ガスの流量を調節するためのものである。
The heater 12 comprises a liquid source tank 11
This is for heating the liquid source L inside. Also,
The inert gas supply pipe 13 is for supplying an inert gas for bubbling the liquid source L in the liquid source tank 11, and one end thereof is inserted into the liquid source L in the liquid source tank 11. It is provided to be. The flow controller 14 controls the flow rate of the inert gas supplied from the inert gas supply pipe 13 into the liquid source tank 11.

【0014】さらに、上記ソースガス供給管15は、上
記液体ソースLのバブリングによって発生したソースガ
スを反応室31内に供給するためのものであり、液体ソ
ースタンク11内に挿入された一端は、液体ソースタン
ク11内の液体ソースL上に配置される。そして、上記
流量測定器16は、ソースガス供給管15から反応室3
1内に供給されるソースガスの流量を測定するためのも
のである。
Further, the source gas supply pipe 15 is for supplying a source gas generated by bubbling of the liquid source L into the reaction chamber 31. One end inserted into the liquid source tank 11 has: It is arranged on the liquid source L in the liquid source tank 11. The flow rate measuring device 16 is connected to the reaction chamber 3 from the source gas supply pipe 15.
This is for measuring the flow rate of the source gas supplied into the apparatus.

【0015】また、上記制御回路17は、反応室31へ
のソースガスの供給量の設定値が入力されると共に、流
量測定器16で得られた測定値と上記入力された設定値
とに基づいて流量調節器14による不活性ガス供給管1
3からの不活性ガスの供給量を制御するものである。こ
の制御回路17による不活性ガスの供給量の制御は、以
下のように行われる。すなわち、上記測定値が上記設定
値の所定範囲内になるまでは当該測定値を当該設定値に
近づける様に不活性ガスの供給量を調節する。一方、上
記測定値が上記設定値の所定範囲内になった時点で上記
不活性ガスの供給量を固定する。
Further, the control circuit 17 receives the set value of the supply amount of the source gas to the reaction chamber 31 and, based on the measured value obtained by the flow rate measuring device 16 and the inputted set value. Gas supply pipe 1 by flow controller 14
3 is to control the supply amount of the inert gas. The control of the supply amount of the inert gas by the control circuit 17 is performed as follows. That is, the supply amount of the inert gas is adjusted so that the measured value approaches the set value until the measured value falls within the predetermined range of the set value. On the other hand, when the measured value falls within the predetermined range of the set value, the supply amount of the inert gas is fixed.

【0016】次に、上記構成のソースガス供給装置を用
いたソースガス供給方法を図2及び図1のフローチャー
トを用いて説明する。また、ここでは、上記制御回路1
7による不活性ガスの供給量の制御手順を詳しく説明す
る。
Next, a source gas supply method using the source gas supply device having the above configuration will be described with reference to the flowcharts of FIGS. Here, the control circuit 1
7 will be described in detail.

【0017】先ず、第1ステップS1では、反応室31
へのソースガスの供給量を設定して設定値を得る。ここ
では、反応室31内での処理工程で必要とされるソース
ガスの供給量を上記設定値とし、この設定値を制御回路
17に入力する。
First, in the first step S1, the reaction chamber 31
The set value is obtained by setting the supply amount of the source gas to. Here, the supply amount of the source gas required in the processing step in the reaction chamber 31 is set as the set value, and the set value is input to the control circuit 17.

【0018】次に、第2ステップS2では、液体ソース
タンク11内の液体ソースL中に不活性ガスを供給して
液体ソースをバブリングする。これによって、液体ソー
スタンク11内に液体ソースLを気化させたソースガス
を発生させる。この際、不活性ガスの供給量の初期値と
しては、例えば過去の経験から導かれた値を適用するこ
ととする。
Next, in a second step S2, an inert gas is supplied into the liquid source L in the liquid source tank 11 to bubble the liquid source. As a result, a source gas in which the liquid source L is vaporized is generated in the liquid source tank 11. At this time, as the initial value of the supply amount of the inert gas, for example, a value derived from past experience is applied.

【0019】その後、第3ステップS3では、液体ソー
スタンク11内で発生してソースガス供給管15を流れ
るソースガスの流量を流量測定器16で測定する。
Thereafter, in a third step S3, the flow rate of the source gas generated in the liquid source tank 11 and flowing through the source gas supply pipe 15 is measured by the flow rate measuring device 16.

【0020】次に、第4ステップS4では、上記第3ス
テップS3で測定された測定値が、上記第1ステップS
1で設定した設定値の所定範囲内、例えば設定値の±5
%内であるか否かを制御回路17で判断する。上記範囲
は、反応室31内での処理工程に影響を及ぼさない任意
の値に設定される。そして、上記測定値がこの範囲内で
ない場合には第5ステップS5に進み、上記測定値がこ
の範囲内である場合には第6ステップS6に進む。
Next, in a fourth step S4, the measured value measured in the third step S3 is compared with the first step S3.
Within a predetermined range of the set value set in 1, for example, ± 5 of the set value
The control circuit 17 determines whether or not the value is within%. The above range is set to any value that does not affect the processing steps in the reaction chamber 31. If the measured value is not within the range, the process proceeds to a fifth step S5. If the measured value is within the range, the process proceeds to a sixth step S6.

【0021】そして、第5ステップS5に進んだ場合に
は、制御回路17によって流量調節器14を制御するこ
とによって、上記測定値が上記設定値に近づく様に不活
性ガスの供給量を調節する。例えば、測定値が設定値の
範囲を上回る値である場合には、不活性ガスの供給量を
減らすように流量調節器14を制御し、測定値が設定値
の範囲を下回る値である場合には、不活性ガスの供給量
を増加させるように流量調節器14を制御する。その後
は、上記第3ステップS3に戻り、第3ステップS3及
び第4ステップS4を繰り返し行う。
When the process proceeds to the fifth step S5, the control circuit 17 controls the flow controller 14 to adjust the supply amount of the inert gas so that the measured value approaches the set value. . For example, when the measured value is a value exceeding the set value range, the flow controller 14 is controlled so as to reduce the supply amount of the inert gas, and when the measured value is a value below the set value range, Controls the flow controller 14 to increase the supply amount of the inert gas. Thereafter, the process returns to the third step S3, and the third step S3 and the fourth step S4 are repeatedly performed.

【0022】一方、第6ステップS6に進んだ場合に
は、制御回路17によって流量調節器14を制御するこ
とによって、不活性ガスの供給量を固定する。このよう
に、不活性ガスの供給量を固定した後に、反応室31内
における処理工程をスタートさせる。以降は反応室31
内での処理工程が終了するまで、不活性ガスの供給量を
固定した状態で液体ソースLのバブリングを行いソース
ガスの供給を続ける。
On the other hand, when the process proceeds to the sixth step S6, the supply amount of the inert gas is fixed by controlling the flow controller 14 by the control circuit 17. After fixing the supply amount of the inert gas as described above, the process in the reaction chamber 31 is started. Thereafter, the reaction chamber 31
Until the processing step in the inside is completed, the supply of the source gas is continued by bubbling the liquid source L while the supply amount of the inert gas is fixed.

【0023】上記ソースガスの供給方法及びこの方法に
用いる装置では、不活性ガスの供給量の測定と不活性ガ
スの供給量の調整とを繰り返し行なうことによって、ソ
ースガス供給管15からのソースガスの供給量を設定値
に近づけていく。このため、予め不活性ガスの供給量と
ソースガスの供給量との関係を得るような手間を掛ける
ことなく、ソースガスの供給量を設定値に近づけること
が可能になる。これと共に、上記測定値が設定値の所定
範囲内になった場合には、不活性ガスの供給量が固定さ
れる。そして、不活性ガスの供給量が固定された後に
は、ソースガスの発生量のバラツキが抑えらる。図3に
は、上記手順によるソースガスの供給量の経時変化を示
すグラフを示す。このグラフに示すように、不活性ガス
の供給量を固定した後には、反応室31内へのソースガ
スの供給量が設定値の所定範囲内で安定化される。した
がって、反応室31内においては、安定した供給量のソ
ースガス雰囲気内で処理を行うことができるようにな
る。例えば、反応室31内において成膜工程を行う場合
には、成膜ガス(ソースガス)の供給量が安定化するた
め、膜厚の制御性を向上させることができる。
In the above-described source gas supply method and the apparatus used in this method, the measurement of the supply amount of the inert gas and the adjustment of the supply amount of the inert gas are repeatedly performed, so that the source gas from the source gas supply pipe 15 is To the set value. Therefore, the supply amount of the source gas can be made close to the set value without taking the trouble of previously obtaining the relationship between the supply amount of the inert gas and the supply amount of the source gas. At the same time, when the measured value falls within the predetermined range of the set value, the supply amount of the inert gas is fixed. Then, after the supply amount of the inert gas is fixed, the variation in the generation amount of the source gas is suppressed. FIG. 3 is a graph showing a change over time in the supply amount of the source gas according to the above procedure. As shown in this graph, after the supply amount of the inert gas is fixed, the supply amount of the source gas into the reaction chamber 31 is stabilized within a predetermined range of the set value. Therefore, in the reaction chamber 31, the processing can be performed in a stable supply amount of the source gas atmosphere. For example, in the case where the film formation process is performed in the reaction chamber 31, the supply amount of the film formation gas (source gas) is stabilized, so that the controllability of the film thickness can be improved.

【0024】尚、続けてソースガスの供給量を変化させ
て処理を行う場合には、制御回路17に2段階の設定値
を入力し、第1段階の処理工程が終了した後に第2段階
の設定値に対する所定範囲内にソースガスの供給量の測
定値が入るように、制御回路17によって流量調節器1
4を制御するようにする。そして、測定値が第2段階の
設定値の範囲内になって不活性ガスの供給量が再び固定
された後に、反応室31内において第2段階の処理工程
を開始する。
When the process is performed by continuously changing the supply amount of the source gas, two-stage set values are input to the control circuit 17, and after the first-stage process is completed, the second-stage set value is inputted. The control circuit 17 controls the flow controller 1 so that the measured value of the supply amount of the source gas falls within a predetermined range with respect to the set value.
4 is controlled. Then, after the measured value falls within the range of the second-stage set value and the supply amount of the inert gas is fixed again, the second-stage processing step is started in the reaction chamber 31.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように本発明のソースガス
供給方法及びソースガス供給装置によれば、不活性ガス
の供給による液体ソースのバブリングで発生させたソー
スガスを供給する場合、予め不活性ガスの供給量とソー
スガスの供給量との関係を得るような手間を掛けること
なくソースガスの供給量を設定値に近づることが可能に
なり、かつ設定値付近で安定した供給量のソースガスを
供給することが可能になる。したがって、ソースガスを
用いた処理工程の簡略化と安定化を図ることが可能にな
る。
As described above, according to the source gas supply method and the source gas supply apparatus of the present invention, when the source gas generated by the bubbling of the liquid source by the supply of the inert gas is supplied, the inert gas is supplied in advance. The source gas supply amount can approach the set value without taking the trouble of obtaining the relationship between the gas supply amount and the source gas supply amount, and the source having a stable supply amount near the set value can be obtained. It becomes possible to supply gas. Therefore, it is possible to simplify and stabilize the process using the source gas.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のソースガス供給方法の実施の形態を示
すフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of a source gas supply method according to the present invention.

【図2】本発明のソースガス供給装置の実施の形態を示
す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of a source gas supply device of the present invention.

【図3】本発明によるソースガスの供給量の経時変化を
示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing a change over time in a supply amount of a source gas according to the present invention.

【図4】オープンループ方式によるソースガス供給量の
経時変化を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a change over time of a supply amount of a source gas by an open loop method.

【図5】クローズドループ方式によるソースガス供給量
の経時変化を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a change over time of a source gas supply amount by a closed loop method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…バブラー、11…液体ソースタンク、13…不活
性ガス供給管、14…流量調節器、15…ソースガス供
給管、16…流量測定器、17…制御回路
10 Bubbler, 11 Liquid source tank, 13 Inert gas supply pipe, 14 Flow regulator, 15 Source gas supply pipe, 16 Flow meter, 17 Control circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液体ソースをバブリングすることによっ
て発生させたソースガスを供給する方法において、 ソースガスの供給量の設定値を得る第1ステップと、 不活性ガスの供給によって液体ソースをバブリングして
前記ソースガスを発生させる第2ステップと、 前記発生させたソースガスの供給量を測定して測定値を
得る第3ステップと、 前記測定値が前記設定値の所定範囲内であるか否かを判
断し、否と判断した場合には第5ステップに進み、ある
と判断した場合には第6ステップに進む第4ステップ
と、 前記測定値が前記設定値に近づく様に前記不活性ガスの
供給量を調節して第3ステップに戻る第5ステップと、 前記不活性ガスの供給量を固定する第6ステップとを行
うことを特徴とするソースガス供給方法。
1. A method for supplying a source gas generated by bubbling a liquid source, comprising: a first step of obtaining a set value of a supply amount of the source gas; and bubbling the liquid source by supplying an inert gas. A second step of generating the source gas, a third step of measuring a supply amount of the generated source gas to obtain a measured value, and determining whether the measured value is within a predetermined range of the set value. If the judgment is negative, the process proceeds to a fifth step. If the judgment is negative, the process proceeds to a sixth step. The supply of the inert gas so that the measured value approaches the set value. A source gas supply method, comprising: performing a fifth step of adjusting the amount and returning to the third step; and a sixth step of fixing the supply amount of the inert gas.
【請求項2】 液体ソースをバブリングすることによっ
て発生させたソースガスを供給する装置において、 不活性ガス供給管の一端とソースガス供給管の一端とを
液体ソースタンク内に挿入してなるバブラーと、 前記不活性ガス供給管に設けられた流量調節器と、 前記ソースガス供給管に設けられた流量測定器と、 前記流量調節器と前記流量測定器とに接続され、予め前
記ソースガスの供給量量の設定値が入力されると共に、
前記流量測定器で得られた測定値が前記設定値の所定範
囲内になるまでは当該測定値を当該設定値に近づける様
に前記流量調節器を制御して不活性ガスの供給量を調節
し、前記測定値が前記設定値の所定範囲内になった時点
で前記不活性ガスの供給量が固定されるように前記流量
調節器を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする
ソースガス供給装置。
2. An apparatus for supplying a source gas generated by bubbling a liquid source, comprising: a bubbler having one end of an inert gas supply pipe and one end of a source gas supply pipe inserted into a liquid source tank. A flow controller provided in the inert gas supply pipe; a flow meter provided in the source gas supply pipe; a flow controller connected to the flow controller and the flow meter, and supplying the source gas in advance. When the set value of the quantity is input,
Until the measured value obtained by the flow rate measuring device falls within a predetermined range of the set value, the flow rate controller is controlled to adjust the supply amount of the inert gas so that the measured value approaches the set value. A control circuit for controlling the flow regulator so that the supply amount of the inert gas is fixed when the measured value falls within a predetermined range of the set value. Feeding device.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004505758A (en) * 2000-08-04 2004-02-26 アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド Automatic replenishment system for ultra-pure or pollution-sensitive chemicals
JP2015099881A (en) * 2013-11-20 2015-05-28 東京エレクトロン株式会社 Gas supply device, film forming divice, gas supply method and storage medium
JP2017066511A (en) * 2015-09-30 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 Raw material gas supply device, raw material gas supply method and storage medium

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