JPH11111818A - Holding device and holder for wafer - Google Patents

Holding device and holder for wafer

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JPH11111818A
JPH11111818A JP27122297A JP27122297A JPH11111818A JP H11111818 A JPH11111818 A JP H11111818A JP 27122297 A JP27122297 A JP 27122297A JP 27122297 A JP27122297 A JP 27122297A JP H11111818 A JPH11111818 A JP H11111818A
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JP
Japan
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wafer
clamp ring
holding device
base
lower electrode
Prior art date
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Application number
JP27122297A
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Japanese (ja)
Inventor
Mamoru Yokoyama
守 横山
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a holding device and a holder for a wafer with uniform stress thereon. SOLUTION: A wafer 1 is mounted on a lower electrode 3, and a clamp ring 12 is put thereon in such a way that the boundary edge part of the wafer 1 is put in contact with a tapered face 211 thereof. When the clamp ring 12 is pushed to the lower/electrode side, the wafer 1 is shifted by a force from the tapered face 211, so that the center of the clamp ring 12 moves to coincide with the center of the wafer 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おいて半導体基板(ウェハ)を保持するウェハ保持装置
及びウェハ保持具に関し、特にウェハの位置決めに特徴
を有する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer holding device and a wafer holding device for holding a semiconductor substrate (wafer) in a semiconductor manufacturing apparatus, and particularly to a feature of positioning a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体装置の製造時において
ウェハ(半導体基板)を保持するウェハ保持装置とし
て、リング状のクランプリングが用いられている。この
ようなクランプリングを用いてウェハを保持する際に
は、図2に示すように、ウェハ101を下部電極103
上に載置し、この上にクランプリング102を載置す
る。そして、クランプリング102を下部電極103に
押圧することにより、クランプリング102の内周に設
けられたウェハ押さえ面102aと下部電極103によ
ってウェハ101が挟持されて保持される。
2. Description of the Related Art Conventionally, a ring-shaped clamp ring has been used as a wafer holding device for holding a wafer (semiconductor substrate) at the time of manufacturing a semiconductor device. When holding the wafer using such a clamp ring, as shown in FIG.
The clamp ring 102 is placed thereon. Then, by pressing the clamp ring 102 against the lower electrode 103, the wafer 101 is sandwiched and held by the lower electrode 103 and the wafer pressing surface 102 a provided on the inner periphery of the clamp ring 102.

【0003】また、プロセスの途中における温度上昇を
抑えるために、ウェハ101の裏面には、下部電極10
3の周囲に配置された排気リング104との間の排気路
104aを介して、熱伝導性のよいガスが圧力制御され
て導入される。
In order to suppress a rise in temperature during the process, a lower electrode 10
A gas having good thermal conductivity is introduced under pressure control through an exhaust passage 104a between the exhaust ring 104 and the exhaust ring 104 disposed around the periphery of the exhaust gas.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにクランプリング102を用いてウェハ101を保
持した場合、クランプリング102の内径がウェハ10
1径より若干(1〜2mm)大きいため、図3中に破線
で示すように、ウェハ101の中心とクランプリング1
02の中心とがずれ、クランプリング102のウェハ押
え面102aとウェハ101上面外周部との接触が不均
一となることがある。
However, when the wafer 101 is held by using the clamp ring 102 as described above, the inner diameter of the clamp ring 102
Since the diameter of the clamp ring 1 is slightly larger than the diameter of the clamp ring 1 (1-2 mm) as shown in FIG.
02 may be displaced from the center, and the contact between the wafer holding surface 102a of the clamp ring 102 and the outer peripheral portion of the upper surface of the wafer 101 may become uneven.

【0005】このような状態となると、ウェハ101に
かかる応力が不均一となってウェハ101面内の均一性
が悪化する。これにより、最悪の場合は、熱伝導性のよ
いガスが、ウェハ101表面側に漏れ、冷却能力が低下
し、プロセス途中において、比較的熱に弱いレジストパ
ターンが変形してしまうことがある。
In such a state, the stress applied to the wafer 101 becomes non-uniform, and the uniformity in the surface of the wafer 101 deteriorates. As a result, in the worst case, a gas having good thermal conductivity leaks to the surface side of the wafer 101, the cooling capacity is reduced, and the resist pattern relatively weak to heat may be deformed during the process.

【0006】本発明は、上述のような問題点に鑑みてな
されたものであり、ウェハにかかる応力を均一化させる
ことができるウェハ保持装置及びウェハ保持具を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a wafer holding device and a wafer holding device capable of equalizing stress applied to a wafer.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハ保持
装置は、半導体ウェハを載置するための平面を有する基
体と、基体上に載置されたウェハの上に載置してウェハ
を保持するリング体とを有するウェハ保持装置であっ
て、リング体が、リング体の内壁上部に設けられ、内径
がウェハの外形より小さい係止部と、リング体の内壁下
端から係止部に向かって徐々に内径が小さくなるテーパ
ー面とを有している。
A wafer holding apparatus according to the present invention holds a substrate having a flat surface on which a semiconductor wafer is mounted and a wafer mounted on the wafer mounted on the substrate. A ring body provided on the inner wall of the ring body and having an inner diameter smaller than the outer shape of the wafer, and a locking part extending from the lower end of the inner wall of the ring body to the locking part. And a tapered surface whose inner diameter gradually decreases.

【0008】係止部は、基体の平面と相対して、載置さ
れたウェハを押さえるウェハ押え面、あるいは、テーパ
ー部より急峻に径小となる径小部から構成してもよい。
また、テーパー面を鏡面加工してもよい。さらに、ウェ
ハと基体の表面との摩擦を低減させる摩擦低減手段を設
けてもよい。
The locking portion may be constituted by a wafer holding surface for holding the placed wafer or a small-diameter portion which becomes smaller in diameter than the tapered portion, facing the flat surface of the base.
Further, the tapered surface may be mirror-finished. Further, a friction reducing means for reducing friction between the wafer and the surface of the base may be provided.

【0009】また、本発明に係るウェハ保持装置は、半
導体ウェハを載置するための平面を有する基体上に載置
されたウェハの上に載置してウェハを保持するリング状
のウェハ保持具であって、リング体の内壁上部に設けら
れ、内径がウェハの外形より小さい係止部と、リング体
の内壁下端から係止部に向かって徐々に内径が小さくな
るテーパー面とを有している。
A wafer holding device according to the present invention is a ring-shaped wafer holder for holding a wafer by mounting it on a wafer mounted on a substrate having a flat surface for mounting a semiconductor wafer. A locking portion provided at the upper portion of the inner wall of the ring body, the inner diameter of which is smaller than the outer shape of the wafer, and a tapered surface whose inner diameter gradually decreases from the lower end of the inner wall of the ring body toward the locking portion. I have.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

第1の実施形態 図1は本発明の第1の実施形態に係るウェハ保持装置の
構成を示す断面図である。このウェハ保持装置は、ウェ
ハ1を載置するための下部電極(基体)3と、下部電極
3上に載置したウェハ1を保持するクランプリング(リ
ング体)2とを備えている。
First Embodiment FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a first embodiment of the present invention. The wafer holding device includes a lower electrode (base) 3 on which the wafer 1 is mounted, and a clamp ring (ring body) 2 for holding the wafer 1 mounted on the lower electrode 3.

【0011】このクランプリング2の内壁上部には、図
4に示すように、ウェハ1を押圧するウェハ押え面2a
が設けられている。また、リング体の内壁のウェハ押え
面2aの下には、リング体の内壁下端からウェハ押え面
2aに向かって徐々に内径が小さくなるテーパー面20
1が形成されている。このテーパー面201の上部の径
はウェハ1径より小さく設定する。また、テーパー面2
01の表面は、ウェハ1との摩擦を低減させるために鏡
面加工する。
As shown in FIG. 4, a wafer holding surface 2a for pressing the wafer 1 is provided on the upper portion of the inner wall of the clamp ring 2.
Is provided. A tapered surface 20 whose inner diameter gradually decreases from the lower end of the inner wall of the ring body toward the wafer holding surface 2a is provided below the wafer holding surface 2a on the inner wall of the ring body.
1 is formed. The diameter of the upper part of the tapered surface 201 is set smaller than the diameter of the wafer 1. In addition, tapered surface 2
The surface 01 is mirror-finished to reduce friction with the wafer 1.

【0012】このようなクランプリング2を用いてウェ
ハ1を保持する際には、ウェハ1程度の径の下部電極3
上にウェハ1を載置し、この上にウェハ1の外周がテー
パー面201に内接するようにクランプリング2を載置
する。この後、均等に押圧力が加わるようにクランプリ
ング2を下部電極3側に押圧すると、テーパー面201
とウェハ1の外周との接触点がテーパー面201に沿っ
てウェハ押え面2a方向に移動する。
When the wafer 1 is held by using such a clamp ring 2, the lower electrode 3 having a diameter similar to that of the wafer 1 is used.
The wafer 1 is mounted thereon, and the clamp ring 2 is mounted thereon such that the outer periphery of the wafer 1 is inscribed in the tapered surface 201. Thereafter, when the clamp ring 2 is pressed toward the lower electrode 3 so that the pressing force is evenly applied, the tapered surface 201 is pressed.
The point of contact between the wafer and the outer periphery of the wafer 1 moves along the tapered surface 201 in the direction of the wafer pressing surface 2a.

【0013】テーパー面201の径はウェハ押え面2a
に向かって徐々に小さくなっているため、クランプリン
グのセンタがずれていればウェハ1に横向きの力が加わ
る。この力は、この図4に示す位置では右向きである
が、クランプリング1の内壁の他端のテーパー面201
では左向きである。このため、クランプリング2が下部
電極3側に近づくに従って、ウェハ1はこれらの力が均
衡する位置、すなわち、クランプリング2のセンタに移
動される。さらにクランプリング2に押圧力を与え、ウ
ェハ押え面2aがウェハ1の上面周辺部に圧接すると、
ウェハ1がウェハ押さえ面2aと下部電極3によって挟
持されて保持される。
The diameter of the tapered surface 201 is the wafer holding surface 2a.
Therefore, if the center of the clamp ring is shifted, a lateral force is applied to the wafer 1. This force is directed rightward at the position shown in FIG. 4, but the tapered surface 201 at the other end of the inner wall of the clamp ring 1.
Then it is facing left. Therefore, as the clamp ring 2 approaches the lower electrode 3 side, the wafer 1 is moved to a position where these forces are balanced, that is, the center of the clamp ring 2. Further, when a pressing force is applied to the clamp ring 2 and the wafer pressing surface 2a is pressed against the peripheral portion of the upper surface of the wafer 1,
The wafer 1 is sandwiched and held between the wafer holding surface 2a and the lower electrode 3.

【0014】このように構成されたウェハ保持装置を用
いてウェハ1の保持を行なうことにより、最初にウェハ
1を載置した位置がクランプリング2のセンタから多少
ずれていた場合においても、上述のようにクランプリン
グ2を下部電極3側に押圧する際に移動され、ウェハ1
とクランプリング2のセンタが一致する。また、ウェハ
の外周面の形状の変化、ウェハ径のばらつき等があって
もテーパー面201によりウェハ1が最適な位置に移動
され、ウェハ1とクランプリング2のセンタが一致す
る。このため、ウェハ1とクランプリング2のセンタが
ずれないように、クランプリング2の位置を微調整する
必要がない。
By holding the wafer 1 by using the wafer holding device having the above-described configuration, even if the position on which the wafer 1 is first mounted is slightly deviated from the center of the clamp ring 2, the above-described operation is performed. Is moved when the clamp ring 2 is pressed toward the lower electrode 3 as shown in FIG.
And the center of the clamp ring 2 coincide. Further, even if there is a change in the shape of the outer peripheral surface of the wafer, a variation in the diameter of the wafer, or the like, the wafer 1 is moved to the optimum position by the tapered surface 201, and the center of the wafer 1 and the center of the clamp ring 2 coincide. Therefore, there is no need to finely adjust the position of the clamp ring 2 so that the center of the wafer 1 and the center of the clamp ring 2 do not shift.

【0015】この第1の実施形態では、クランプリング
2の内壁にテーパー面201を設け、最小内径をウェハ
1径より小さくしたため、容易にウェハ1のセンタ合わ
せを行なうことができる。これにより、従来のように、
ウェハ1の外周の形状あるいはウェハ1径のばらつきに
応じてクランプリング2の位置を微調整する必要がな
い。また、ウェハ1にかかる応力を均一化させることが
でき、ウェハ1面内の均一性を向上させることができ
る。また、テーパー面を鏡面加工することにより、ウェ
ハ1との摩擦を低減させることができ、より滑らかにウ
ェハ1を移動させることができる。
In the first embodiment, since the taper surface 201 is provided on the inner wall of the clamp ring 2 and the minimum inner diameter is smaller than the diameter of the wafer 1, the center of the wafer 1 can be easily adjusted. As a result, as before,
There is no need to finely adjust the position of the clamp ring 2 in accordance with the shape of the outer periphery of the wafer 1 or variations in the diameter of the wafer 1. Further, the stress applied to the wafer 1 can be made uniform, and the uniformity within the surface of the wafer 1 can be improved. Further, by mirror-finishing the tapered surface, friction with the wafer 1 can be reduced, and the wafer 1 can be moved more smoothly.

【0016】第2の実施形態 図5は本発明の第2の実施形態に係るウェハ保持装置の
要部の構成を示す断面図である。このウェハ保持装置
は、上述の第1の実施形態と同様に、ウェハ1を載置す
るための下部電極3と、ウェハ1をこの下部電極3に押
圧するクランプリング12とを備えている。
Second Embodiment FIG. 5 is a sectional view showing the structure of a main part of a wafer holding device according to a second embodiment of the present invention. This wafer holding device is provided with a lower electrode 3 for mounting the wafer 1 and a clamp ring 12 for pressing the wafer 1 against the lower electrode 3, as in the first embodiment described above.

【0017】このクランプリング12は、上述の第1の
実施形態と同様にリング体からなり、その内壁には、図
4中のテーパー面201と同様に、リング体の内壁下端
から徐々に内径が小さくなるテーパー面211が形成さ
れている。また、このクランプリング12には、図4中
のウェハ押え面2aの代わりにテーパー面211より急
峻に径小となる径小部12aが設けられている。径小部
12aの最小径はウェハ1の径より小さく設定してい
る。また、上述の第1の実施形態と同様に、テーパー面
211の表面は鏡面加工する。
The clamp ring 12 is formed of a ring body as in the first embodiment described above, and has an inner wall whose inner diameter gradually increases from the lower end of the inner wall of the ring body similarly to the tapered surface 201 in FIG. A tapered surface 211 that becomes smaller is formed. The clamp ring 12 is provided with a small-diameter portion 12a having a diameter that is sharply smaller than the tapered surface 211, instead of the wafer pressing surface 2a in FIG. The minimum diameter of the small diameter portion 12a is set smaller than the diameter of the wafer 1. Further, similarly to the above-described first embodiment, the surface of the tapered surface 211 is mirror-finished.

【0018】このように構成されたウェハ保持装置を用
いてウェハ1を保持する際には、上述の第1の実施形態
と同様に、下部電極3上にウェハ1を載置し、この上に
ウェハ1の外周がテーパー面211に内接するようにク
ランプリング12を載置する。この後、均等に押圧力が
加わるようにクランプリング12を下部電極13側に押
圧すると、上述の第1の実施形態と同様に、テーパー面
211から受ける横向きの力によって、クランプリング
12のセンタに移動される。さらにクランプリング2に
押圧力を与えると、径小部12aと下部電極3によって
ウェハ1が挟持されて保持される。
When the wafer 1 is held by using the wafer holding device having the above-described structure, the wafer 1 is placed on the lower electrode 3 and the wafer 1 is placed on the lower electrode 3 as in the first embodiment. The clamp ring 12 is placed so that the outer periphery of the wafer 1 is inscribed in the tapered surface 211. Thereafter, when the clamp ring 12 is pressed toward the lower electrode 13 so that the pressing force is evenly applied, the lateral force received from the tapered surface 211 causes the clamp ring 12 to move to the center of the clamp ring 12 similarly to the first embodiment. Be moved. Further, when a pressing force is applied to the clamp ring 2, the wafer 1 is sandwiched and held by the small-diameter portion 12 a and the lower electrode 3.

【0019】この第2の実施形態では、クランプリング
12の内壁にテーパー面211を設け、最小内径をウェ
ハ1径より小さくしたため、上述の第1の実施形態と同
様に、容易にウェハ1のセンタ合わせを行なうことがで
きる。これにより、ウェハ1にかかる応力を均一化させ
ることができ、ウェハ1面内の均一性を向上させること
ができる。
In the second embodiment, a tapered surface 211 is provided on the inner wall of the clamp ring 12 so that the minimum inner diameter is smaller than the diameter of the wafer 1, so that the center of the wafer 1 can be easily formed as in the first embodiment. Matching can be performed. Thereby, the stress applied to the wafer 1 can be made uniform, and the uniformity in the surface of the wafer 1 can be improved.

【0020】図2及び図3に示す従来のクランプリング
あるいは図1及び図4に示す第1の実施形態では、ウェ
ハ押え面102a、2aと下部電極3で狭持することに
より(面接触状態で)ウェハ101、1を保持してい
た。これに対し、この第2の実施形態では、径小部12
aと下部電極3によってウェハ1を狭持する。ウェハ1
の周縁は一般的にエッチングによって丸みを帯びてお
り、図5に示す断面では、径小部12aの下側と1点、
あるいは径小部12aの下側とテーパー部211の2点
で接触している。すなわち、上述のような構成のクラン
プリング12を用いることにより、点接触状態でウェハ
1を保持することができる。
In the conventional clamp ring shown in FIGS. 2 and 3 or the first embodiment shown in FIGS. 1 and 4, the wafer is held between the wafer pressing surfaces 102a and 2a and the lower electrode 3 (in a state of surface contact). ) Wafers 101 and 1 were held. On the other hand, in the second embodiment, the small-diameter portion 12
a and the lower electrode 3 hold the wafer 1. Wafer 1
Is generally rounded by etching, and in the cross section shown in FIG.
Alternatively, the tapered portion 211 is in contact with the lower side of the small diameter portion 12a at two points. That is, by using the clamp ring 12 having the above-described configuration, the wafer 1 can be held in a point contact state.

【0021】面接触によりウェハを保持する場合には、
ウェハ押え面の強度を維持するためにある程度の厚さが
必要であるが、この第2の実施形態では点接触でウェハ
を保持しているため、クランプリングの厚さを薄くする
ことができる。
When holding the wafer by surface contact,
To maintain the strength of the wafer holding surface, a certain thickness is required, but in the second embodiment, since the wafer is held in point contact, the thickness of the clamp ring can be reduced.

【0022】クランプリングの厚さが厚いと、エッチン
グ時に、ウェハ表面のクランプリングに近い部分に、ウ
ェハ近傍で発生するエッチャントが滞留しやすい。従っ
て、クランプリングの厚さを薄くすることにより、クラ
ンプリングに近い部分に滞留するエッチャントを減少さ
せることができ、ウェハ面内の均一性の向上に寄与する
ことができる。
If the thickness of the clamp ring is large, the etchant generated near the wafer tends to stay in the portion near the clamp ring on the wafer surface during etching. Therefore, by reducing the thickness of the clamp ring, it is possible to reduce the amount of etchant staying in a portion close to the clamp ring, thereby contributing to the improvement of the uniformity in the wafer surface.

【0023】第3の実施形態 図6は本発明の第3の実施形態に係るウェハ保持装置の
構成を示す断面図である。このウェハ保持装置は、ウェ
ハ1を載置するための下部電極23と、ウェハ1をこの
下部電極23に押圧するクランプリング12とを備えて
いる。このクランプリング12は、上述の図5に示す第
2の実施形態と同様に構成されている。
Third Embodiment FIG. 6 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a third embodiment of the present invention. The wafer holding device includes a lower electrode 23 on which the wafer 1 is mounted, and a clamp ring 12 that presses the wafer 1 against the lower electrode 23. This clamp ring 12 is configured similarly to the above-described second embodiment shown in FIG.

【0024】また、下部電極23の中心部付近には、図
7に示すように、ガス導入孔301が設けられている。
また、排気リング24にはクランプリング12の外周縁
と相対する位置に気密保持用の凸部24aが設けられて
いる。この凸部の内径はクランプリング12の外径と同
じになっており、ガス導入孔301から導入されたガス
が漏れるのを防止している。
Further, near the center of the lower electrode 23, a gas introduction hole 301 is provided as shown in FIG.
Further, the exhaust ring 24 is provided with a convex portion 24 a for maintaining airtightness at a position facing the outer peripheral edge of the clamp ring 12. The inner diameter of the projection is the same as the outer diameter of the clamp ring 12 to prevent the gas introduced from the gas introduction hole 301 from leaking.

【0025】このように構成されたウェハ保持装置を用
いてウェハ1を保持する際には、上述の第2の実施形態
と同様に、下部電極23上にウェハ1を載置し、この上
にウェハ1の外周がテーパー面211に内接するように
クランプリング12を載置する。この後、均等に押圧力
が加わるようにクランプリング12を下部電極23側に
押圧する。
When the wafer 1 is held by using the wafer holding apparatus thus configured, the wafer 1 is placed on the lower electrode 23 and the wafer 1 is placed thereon, as in the second embodiment. The clamp ring 12 is placed so that the outer periphery of the wafer 1 is inscribed in the tapered surface 211. Thereafter, the clamp ring 12 is pressed toward the lower electrode 23 so that the pressing force is evenly applied.

【0026】そして、クランプリング12が所定の位
置、例えばクランプリング12の下端が下部電極23上
面より下となる位置まで下降した後、ガス導入ポート3
01を介してウェハ1裏面に冷却用のガスを導入する。
これにより、ウェハ1がガス圧によって浮上する。
After the clamp ring 12 is lowered to a predetermined position, for example, a position where the lower end of the clamp ring 12 is lower than the upper surface of the lower electrode 23, the gas introduction port 3
A gas for cooling is introduced into the back surface of the wafer 1 through the line 01.
Thereby, the wafer 1 floats by the gas pressure.

【0027】クランプリング12が下降すると、テーパ
ー面211から受ける横向きの力により、ウェハ1は浮
上した状態でクランプリング12とウェハ1のセンタが
一致する位置に移動される。この後、さらに押圧力を加
えると、ウェハ1が下部電極23と径小部12aによっ
て狭持されて保持される。
When the clamp ring 12 is lowered, the wafer 1 is moved to a position where the center of the clamp ring 12 and the center of the wafer 1 coincide with the wafer 1 in a floating state by a lateral force received from the tapered surface 211. Thereafter, when a pressing force is further applied, the wafer 1 is sandwiched and held by the lower electrode 23 and the small-diameter portion 12a.

【0028】この第3の実施形態では、クランプリング
12によってウェハ1を保持する際に、冷却用として用
いるガスを導入してウェハ1を浮上させることにより、
クランプリング12の下降に伴ってクランプリング12
が横方向に移動される際の下部電極23とウェハ1の摩
擦を低減することができ、センタ合わせをより円滑に行
なうことができる。
In the third embodiment, when the wafer 1 is held by the clamp ring 12, a gas used for cooling is introduced to float the wafer 1,
As the clamp ring 12 descends, the clamp ring 12
The friction between the lower electrode 23 and the wafer 1 when is moved in the lateral direction can be reduced, and centering can be performed more smoothly.

【0029】また、この実施形態では、従来からプロセ
ス中のウェハ1の冷却用として用いるガスを使用してい
るため、クランプリング12を用い、下部電極23にガ
ス導入ポート301を設け、当該ウェハ保持装置を用い
る装置側の制御シーケンスのガス導入のタイミングを変
更するだけで容易に実現することができる。
Further, in this embodiment, since a gas used for cooling the wafer 1 during the process is conventionally used, a gas introduction port 301 is provided in the lower electrode 23 by using the clamp ring 12 to hold the wafer. It can be easily realized only by changing the gas introduction timing in the control sequence of the apparatus using the apparatus.

【0030】第4の実施形態 図8は本発明の第4の実施形態に係るウェハ保持装置の
要部の構成を示す断面図である。このウェハ保持装置
は、ウェハ1を載置するための下部電極33と、ウェハ
1をこの下部電極33に押圧するクランプリング12と
を備えている。このクランプリング12は、上述の図5
に示す第2の実施形態と同様に構成されている。
Fourth Embodiment FIG. 8 is a sectional view showing a configuration of a main part of a wafer holding device according to a fourth embodiment of the present invention. The wafer holding device includes a lower electrode 33 on which the wafer 1 is mounted, and a clamp ring 12 that presses the wafer 1 against the lower electrode 33. This clamp ring 12 is the same as FIG.
Has the same configuration as the second embodiment shown in FIG.

【0031】下部電極33の中心部付近には、図9に示
すように、孔401が設けられている。この孔401は
上述のガス導入ポート301として用いる孔を用いても
よい。また、この孔401にはウェハ搬送用ピン402
が摺動自在に挿入されている。このウェハ搬送用ピン4
02は、外部の装置が備えるピン駆動系によって駆動さ
れる。また、このウェハ搬送用ピン402の先端(下部
電極33から突出する部分)はウェハ1との摩擦を低減
するために丸めてある。さらに、このウェハ搬送用ピン
402の先端を鏡面加工すれば、ウェハ1との摩擦を低
減させることができる。
A hole 401 is provided near the center of the lower electrode 33, as shown in FIG. The hole 401 may be the hole used as the gas introduction port 301 described above. The hole 401 has a wafer transfer pin 402
Are slidably inserted. This wafer transfer pin 4
02 is driven by a pin drive system provided in an external device. The tips of the wafer transport pins 402 (portions projecting from the lower electrode 33) are rounded to reduce friction with the wafer 1. Further, if the tip of the wafer transfer pin 402 is mirror-finished, friction with the wafer 1 can be reduced.

【0032】このように構成されたウェハ保持装置は、
例えばウェハ1を搬送する搬送系、装置全体の制御を行
なう制御系、上述のピン駆動系等を備えた半導体製造装
置に用いられる。
The wafer holding device thus configured is
For example, it is used in a semiconductor manufacturing apparatus having a transfer system for transferring the wafer 1, a control system for controlling the entire apparatus, and the above-described pin drive system.

【0033】このような半導体製造装置においてウェハ
1を保持する際に、制御系は、まず、搬送系を制御して
ウェハ1を下部電極33上に搬送する。このとき、制御
系は、例えば搬送アーム等からなる上述のピン駆動部を
制御してウェハ搬送用ピン402の先端が下部電極33
から突出した状態としておく。このようにウェハ搬送用
ピン402の先端が下部電極33から突出した状態とな
っていると、ウェハ1は、ウェハ搬送ピン402の先端
にのみ接触した状態で保持される。
When holding the wafer 1 in such a semiconductor manufacturing apparatus, the control system first controls the transfer system to transfer the wafer 1 onto the lower electrode 33. At this time, the control system controls the above-described pin driving unit including, for example, a transfer arm and the like, and the tip of the wafer transfer pin 402 is moved to the lower electrode 33.
From the outside. When the tips of the wafer transfer pins 402 protrude from the lower electrode 33 as described above, the wafer 1 is held in a state of contacting only the tips of the wafer transfer pins 402.

【0034】次に、制御系は、搬送アームその他の手段
を制御してウェハ1の外周がテーパー面211に内接す
るようにクランプリング12を載置する。この後、搬送
アーム等により、均等に押圧力が加わるようにクランプ
リング12を下部電極33側に押圧する。これと並行し
て、制御系は、ピン駆動部を制御してウェハ搬送用ピン
402を徐々に下降させる。
Next, the control system controls the transfer arm and other means to mount the clamp ring 12 so that the outer periphery of the wafer 1 is inscribed in the tapered surface 211. Thereafter, the clamp ring 12 is pressed toward the lower electrode 33 by a transfer arm or the like so that a pressing force is evenly applied. In parallel with this, the control system controls the pin driving unit to gradually lower the wafer transport pins 402.

【0035】さらにクランプリング12が下降し、ウェ
ハ搬送用ピン402の先端の高さが下部電極33の上面
以下となると、ウェハ1は径小部12aと下部電極33
とで狭持されて保持される。
When the clamp ring 12 is further lowered and the height of the tip of the wafer transfer pin 402 becomes lower than the upper surface of the lower electrode 33, the wafer 1 is moved to the small diameter portion 12a and the lower electrode 33.
And is held by being held.

【0036】上述のようにクランプリング12に押圧力
を加え、クランプリング12とウェハ1の間隔が狭くな
るに従って、ウェハ1はクランプリング12のセンタと
ウェハ1のセンタが一致する位置に移動される。この
間、ウェハ1はウェハ搬送用ピン402の先端に接触し
た状態で摺動して移動される。従って、下部電極33の
上面に接触した状態で摺動して移動される場合に比較し
て摩擦を低減させることができ、センタ合わせをより円
滑に行なうことができる。
As described above, as the pressing force is applied to the clamp ring 12 and the distance between the clamp ring 12 and the wafer 1 becomes smaller, the wafer 1 is moved to a position where the center of the clamp ring 12 and the center of the wafer 1 coincide. . During this, the wafer 1 is slid and moved while being in contact with the tips of the wafer transport pins 402. Therefore, the friction can be reduced as compared with the case where the lower electrode 33 is slid and moved in contact with the upper surface of the lower electrode 33, and the centering can be performed more smoothly.

【0037】また、この実施形態では、従来から搬送時
の摩擦を低減させるために用いられていたウェハ搬送用
ピン402を用いているため、クランプリング12を用
い、ウェハ搬送用ピン402を駆動する制御系のシーケ
ンスを変更するだけで容易に実現することができる。
Further, in this embodiment, since the wafer transfer pins 402 which have been conventionally used to reduce friction during transfer are used, the wafer transfer pins 402 are driven by using the clamp ring 12. It can be easily realized only by changing the sequence of the control system.

【0038】また、上述の説明では、クランプ終了時
(ウェハ1が径小部12aと下部電極33とで狭持され
た時)にウェハ搬送ピン402の先端が下部電極33か
ら突出しないように構成していたが、ウェハ搬送ピン4
02の先端が所定長、突出した状態でクランプ終了とす
ることができる。すなわち、制御系のシーケンスを変更
し、クランプ終了時のウェハ搬送ピン402の突出長を
制御することにより、ウェハ1とクランプリング12の
センタ合わせの高さを任意に設定することが可能であ
る。このようにした場合、ウェハ1の厚さ、ウェハ1の
径等に対応させてセンタ合わせの高さを変更すれば、よ
り均一なウェハの保持を実現することができる。
In the above description, the tip of the wafer transfer pin 402 does not protrude from the lower electrode 33 at the end of clamping (when the wafer 1 is held between the small-diameter portion 12a and the lower electrode 33). The wafer transfer pins 4
Clamping can be completed when the tip of 02 protrudes by a predetermined length. That is, by changing the sequence of the control system and controlling the protrusion length of the wafer transfer pins 402 at the end of clamping, the height of the center alignment between the wafer 1 and the clamp ring 12 can be arbitrarily set. In this case, if the height of the center is changed in accordance with the thickness of the wafer 1, the diameter of the wafer 1, and the like, more uniform wafer holding can be realized.

【0039】第5の実施形態 図10は本発明の第5の実施形態に係るウェハ保持装置
の要部の構成を示す断面図である。このウェハ保持装置
は、ウェハ1を載置するための下部電極43と、ウェハ
1をこの下部電極43に押圧するクランプリング12と
を備えている。このクランプリング12は、上述の図5
に示す第2の実施形態と同様に構成されている。
Fifth Embodiment FIG. 10 is a sectional view showing a configuration of a main part of a wafer holding device according to a fifth embodiment of the present invention. The wafer holding device includes a lower electrode 43 on which the wafer 1 is mounted, and a clamp ring 12 that presses the wafer 1 against the lower electrode 43. This clamp ring 12 is the same as FIG.
Has the same configuration as the second embodiment shown in FIG.

【0040】下部電極43の中心部付近には、図10に
示すように、上述の図7と同様のガス導入ポート501
が設けられている。また、下部電極43の中心部付近に
は、孔502が設けられている。この孔501には、ス
プリング503で付勢された球状ベアリング504が挿
入されている。このスプリング503の自然長は、球状
ベアリング504の一部が下部電極43から突出する程
度に設定されている。なお、スプリング503の代わり
に、弾性部材等の他の付勢手段を用いてもよく、あるい
は気圧により球状ベアリング504を下部電極43の上
面より突出させてもよい、この場合、ウェハ1と下部電
極の間隔が球の直径以下となったときに球状ベアリング
504を突出させる。
As shown in FIG. 10, a gas introduction port 501 similar to that of FIG.
Is provided. A hole 502 is provided near the center of the lower electrode 43. A spherical bearing 504 urged by a spring 503 is inserted into the hole 501. The natural length of the spring 503 is set so that a part of the spherical bearing 504 projects from the lower electrode 43. Note that, instead of the spring 503, another biasing means such as an elastic member may be used, or the spherical bearing 504 may be projected from the upper surface of the lower electrode 43 by air pressure. In this case, the wafer 1 and the lower electrode The spherical bearing 504 is made to protrude when the distance between the two becomes smaller than the diameter of the sphere.

【0041】このように構成されたウェハ保持装置を用
いてウェハ1を保持する際には、上述の第2の実施形態
と同様に、下部電極43上にウェハ1を載置し、この上
にウェハ1の外周がテーパー面211に内接するように
クランプリング12を載置する。この状態では下部電極
43の上面から球状ベアリング504が突出しているた
め、ウェハ1は球状ベアリング504の上端に接触した
状態で保持されている。
When the wafer 1 is held by using the wafer holding apparatus having the above-described structure, the wafer 1 is placed on the lower electrode 43, and the wafer 1 is placed on the lower electrode 43 as in the second embodiment. The clamp ring 12 is placed so that the outer periphery of the wafer 1 is inscribed in the tapered surface 211. In this state, since the spherical bearing 504 protrudes from the upper surface of the lower electrode 43, the wafer 1 is held in contact with the upper end of the spherical bearing 504.

【0042】この状態で、クランプリング12に均等に
押圧力が加わるようにクランプリング12を下部電極4
3側に押圧すると、上述の各実施形態と同様に、クラン
プリング12が下降し、ウェハ1はテーパー面211か
ら受ける横向きの力によってクランプリング12とウェ
ハ1のセンタが一致する位置に移動される。この後、さ
らに押圧力を加えると、ウェハ1が下部電極43と径小
部12aによって狭持されて保持される。
In this state, the clamp ring 12 is connected to the lower electrode 4 so that a pressing force is evenly applied to the clamp ring 12.
When the clamp ring 12 is pressed to the third side, the clamp ring 12 is lowered similarly to the above-described embodiments, and the wafer 1 is moved to a position where the center of the clamp ring 12 and the center of the wafer 1 coincide with each other by the lateral force received from the tapered surface 211. . Thereafter, when a pressing force is further applied, the wafer 1 is held and held by the lower electrode 43 and the small-diameter portion 12a.

【0043】この第5の実施形態では、球状ベアリング
504を設けたことにより、クランプリング12の下降
に伴ってクランプリング12が横方向に移動される際の
下部電極43とウェハ1の摩擦を低減することができ、
センタ合わせをより円滑に行なうことができる。
In the fifth embodiment, by providing the spherical bearing 504, the friction between the lower electrode 43 and the wafer 1 when the clamp ring 12 is moved in the horizontal direction as the clamp ring 12 is lowered is reduced. Can be
Centering can be performed more smoothly.

【0044】また、ウェハ1の下降に応じて球状ベアリ
ング504は孔502に没入するため、上述の第3、第
4の実施形態のように制御系の制御シーケンス等を変更
する必要がなく、下部電極43の設計変更さえ行なえば
従来の制御シーケンスのままで対応することができる。
また、工程の変更等の際に元に戻す場合であっても、下
部電極43を交換するだけで対応することができる。
Further, since the spherical bearing 504 is immersed in the hole 502 in response to the lowering of the wafer 1, it is not necessary to change the control sequence of the control system as in the above third and fourth embodiments. As long as the design of the electrode 43 is changed, the conventional control sequence can be used.
Further, even in the case of returning to the original state when the process is changed, it can be dealt with only by replacing the lower electrode 43.

【0045】なお、本発明の適用対象は、上述の各実施
形態に限定されるものではなく、ウェハの保持をクラン
プリングを用いて行なう装置であれば本発明を適用する
ことができる。また、上述の第3〜第5の実施形態で
は、ウェハ1と下部電極との摩擦を低減させるため手段
の例を示しているが、本発明はこれらに限定されるもの
ではなく、他の手段によってウェハ1と下部電極との摩
擦を低減させることもできる。同様に、第4及び第5の
実施形態では、下部電極から突出/没入可能な部材の例
を示しているが、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、他の構成とすることもできる。その他、本発明の
技術的思想の範囲内で種々の変更が可能である。
The object to which the present invention is applied is not limited to the above-described embodiments, and the present invention can be applied to any apparatus that holds a wafer using a clamp ring. Further, in the above third to fifth embodiments, examples of the means for reducing the friction between the wafer 1 and the lower electrode are shown, but the present invention is not limited to these, and other means may be used. Thereby, the friction between the wafer 1 and the lower electrode can be reduced. Similarly, in the fourth and fifth embodiments, examples of members that can protrude / retract from the lower electrode are shown, but the present invention is not limited to these, and other configurations can be adopted. . In addition, various changes can be made within the technical idea of the present invention.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明に係るウェハ保持装置及びウェハ
保持具は、リング体を基体側に押圧する際に、テーパー
面から受ける力によってウェハが、リング体とウェハの
中心が一致する位置に移動される。これにより、ウェハ
にかかる応力を均一化させることができる。
According to the wafer holding apparatus and the wafer holder of the present invention, when the ring is pressed against the base, the wafer is moved to a position where the center of the ring and the wafer coincide with each other by the force received from the tapered surface. Is done. Thereby, the stress applied to the wafer can be made uniform.

【0047】また、テーパー面を鏡面加工し、あるい
は、ウェハと基体の表面との摩擦を低減させる摩擦低減
手段を設けることにより、ウェハの横方向の移動を円滑
にすることができる。
The lateral movement of the wafer can be made smooth by mirror-finishing the tapered surface or by providing friction reducing means for reducing the friction between the wafer and the surface of the base.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施形態に係るウェハ保持装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a wafer holding device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 従来のウェハ保持装置の構成を示す断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional wafer holding device.

【図3】 従来のウェハ保持装置の使用態様を示す断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a usage mode of a conventional wafer holding device.

【図4】 本発明の第1の実施形態に係るウェハ保持装
置の要部の構成を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of a main part of the wafer holding device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第2の実施形態に係るウェハ保持装
置の要部の構成を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a wafer holding device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第3の実施形態に係るウェハ保持装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a wafer holding device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第3の実施形態に係るウェハ保持装
置の要部の構成を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a wafer holding device according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第4の実施形態に係るウェハ保持装
置の構成を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view illustrating a configuration of a wafer holding device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第4の実施形態に係るウェハ保持装
置の要部の構成を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a main part of a wafer holding device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第5の実施形態に係るウェハ保持
装置の構成を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing a configuration of a wafer holding device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の第5の実施形態に係るウェハ保持
装置の要部の構成を示す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a configuration of a main part of a wafer holding device according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェハ、2、12 クランプリング、2a ウェハ
押え面、3、23、33、43 下部電極、12a 径
小部、201、211 テーパー面、301、501
ガス導入ポート、401 孔、402 ウェハ搬送ピ
ン、504 球状ベアリング
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer, 2, 12 Clamp ring, 2a Wafer holding surface, 3, 23, 33, 43 Lower electrode, 12a small diameter portion, 201, 211 Tapered surface, 301, 501
Gas introduction port, 401 hole, 402 wafer transfer pin, 504 spherical bearing

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハを載置するための平面を有
する基体と、該基体上に載置されたウェハの上に載置し
てウェハを保持するリング体とを有するウェハ保持装置
であって、 前記リング体は、 当該リング体の内壁上部に設けられ、内径が前記ウェハ
の外形より小さい係止部と、 当該リング体の内壁下端から前記係止部に向かって徐々
に内径が小さくなるテーパー面とを有することを特徴と
するウェハ保持装置。
1. A wafer holding device comprising: a base having a flat surface for mounting a semiconductor wafer; and a ring body mounted on the wafer mounted on the base and holding the wafer. The ring body is provided at an upper portion of an inner wall of the ring body, and has a locking portion having an inner diameter smaller than the outer shape of the wafer, and a taper whose inner diameter gradually decreases from the lower end of the inner wall of the ring body toward the locking portion. And a wafer holding device.
【請求項2】 前記係止部は、 前記基体の平面と相対して、載置されたウェハを押さえ
るウェハ押え面からなることを特徴とする請求項1記載
のウェハ保持装置。
2. The wafer holding device according to claim 1, wherein the locking portion comprises a wafer holding surface for holding a placed wafer, facing a plane of the base.
【請求項3】 前記係止部は、 前記テーパー部より急峻に径小となる径小部からなるこ
とを特徴とする請求項1記載のウェハ保持装置。
3. The wafer holding device according to claim 1, wherein the locking portion comprises a small-diameter portion whose diameter becomes smaller than that of the tapered portion.
【請求項4】 前記テーパー面を鏡面加工したことを特
徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のウェハ保持
装置。
4. The wafer holding device according to claim 1, wherein the tapered surface is mirror-finished.
【請求項5】 前記ウェハと前記基体の表面との摩擦を
低減させる摩擦低減手段を備えることを特徴とする請求
項1記載のウェハ保持装置。
5. The wafer holding device according to claim 1, further comprising a friction reducing unit configured to reduce friction between the wafer and the surface of the base.
【請求項6】 前記摩擦低減手段は、前記基体の平面に
設けたガス導入ポートとからなり、 該基体の平面上に載置した前記ウェハ上に前記リング体
を載置した後、該リング体を基体側に押圧する際に、当
該ガス導入ポートからガスを導入することを特徴とする
請求項5記載のウェハ保持装置。
6. The friction reducing means comprises a gas introduction port provided on a plane of the base, and the ring body is placed on the wafer placed on the plane of the base, 6. The wafer holding device according to claim 5, wherein a gas is introduced from the gas introduction port when the substrate is pressed toward the substrate.
【請求項7】 前記摩擦低減手段は、前記基体の平面か
ら突出/没入可能な部材からなり、 該基体の平面上に載置した前記ウェハ上に前記リング体
を載置した後、該リング体を基体側に押圧する際に、当
該部材を前記基体の平面から突出させることを特徴とす
る請求項5記載のウェハ保持装置。
7. The friction reducing means comprises a member capable of protruding / retracting from the plane of the base, and after placing the ring on the wafer placed on the plane of the base, the ring 6. The wafer holding device according to claim 5, wherein when the substrate is pressed toward the base, the member protrudes from a plane of the base.
【請求項8】 半導体ウェハを載置するための平面を有
する基体上に載置されたウェハの上に載置してウェハを
保持するリング状のウェハ保持具であって、 当該リング体の内壁上部に設けられ、内径が前記ウェハ
の外形より小さい係止部と、 当該リング体の内壁下端から該係止部に向かって徐々に
内径が小さくなるテーパー面とを有することを特徴とす
るウェハ保持具。
8. A ring-shaped wafer holder mounted on a wafer mounted on a substrate having a flat surface on which a semiconductor wafer is mounted and holding the wafer, wherein an inner wall of the ring body is provided. Wafer holding, provided at an upper portion, having a locking portion having an inner diameter smaller than the outer shape of the wafer, and a tapered surface whose inner diameter gradually decreases from the lower end of the inner wall of the ring body toward the locking portion. Utensils.
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