JPH10340222A - Input circuit and output circuit of memory device - Google Patents

Input circuit and output circuit of memory device

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JPH10340222A
JPH10340222A JP9151279A JP15127997A JPH10340222A JP H10340222 A JPH10340222 A JP H10340222A JP 9151279 A JP9151279 A JP 9151279A JP 15127997 A JP15127997 A JP 15127997A JP H10340222 A JPH10340222 A JP H10340222A
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JP
Japan
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input
output
circuit
clock
delay
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Application number
JP9151279A
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Japanese (ja)
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Atsushi Okamura
淳 岡村
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an output circuit and an input circuit that are incorporated in a memory chip and that can prevent skew, in a memory system constituted of a memory controller and plural memory chips. SOLUTION: A delay circuit constituted of delay elements 108-110 and selects 111-113 is connected to the clock input terminals of data latches 105 and 106, which hold output data, in the output circuit outputting data to a bus. The delay circuit gives desired delay to an external clock CLK becoming a reference and the clock is supplied to the clock input terminals of the data latches 105 and 106.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高速メモリインタ
ーフェース回路に関し、特に、コンピュータのメモリイ
ンターフェースにおけるスキューコントロール回路に関
する。
The present invention relates to a high-speed memory interface circuit, and more particularly, to a skew control circuit in a memory interface of a computer.

【0002】[0002]

【従来の技術】大容量で高速のメモリ装置に対する需要
が増大しているが、このようなメモリ装置は、単一のメ
モリチップによっては構成されず、メモリコントローラ
と複数のメモリチップとを備え、メモリコントローラと
メモリチップとをバスで接続したメモリシステムとして
構成するのが一般的である。メモリシステムの高性能化
には、メモリシステムを構成する個々のメモリチップの
高性能化のほか、メモリチップの接続方法、複数のメモ
リチップ間でのスキューの制御、各メモリチップへのク
ロックの与え方、バスでのデータタイミング、バスファ
イトの防止、などの種々の観点を考慮に入れなければな
らない。以下、従来のメモリシステムと、この従来のメ
モリシステムでの高性能化の方策について、説明する。
2. Description of the Related Art There is an increasing demand for large-capacity, high-speed memory devices. However, such memory devices are not constituted by a single memory chip, but include a memory controller and a plurality of memory chips. Generally, the memory controller and the memory chip are configured as a memory system connected by a bus. To improve the performance of the memory system, in addition to improving the performance of the individual memory chips that make up the memory system, how to connect the memory chips, control the skew between multiple memory chips, and apply a clock to each memory chip On the other hand, various aspects such as data timing on the bus and prevention of bus fight must be taken into consideration. Hereinafter, a conventional memory system and a measure for improving the performance of the conventional memory system will be described.

【0003】(1) メモリの性能向上:汎用メモリの高性
能化には、アクセスタイムの短縮と、バースト転送能力
の向上の2つの方向がある。メモリの構成上、アクセス
タイムの短縮は困難であるが、バースト転送能力の向上
は可能である。このため、Rambus(ラムバス)D
RAM(Dynamic Random Access Memory)やSDRAM
(シンクロナスDRAM)等では、バースト転送能力の
高性能化が図られている。バースト転送能力を向上する
ためには、データ転送を行うバス幅の拡大したり、転送
の繰り返し周期の短縮をすればよい。
(1) Improving memory performance: There are two directions for improving the performance of general-purpose memories, namely, shortening access time and improving burst transfer capability. Although it is difficult to shorten the access time due to the configuration of the memory, the burst transfer capability can be improved. For this reason, Rambus (rambus) D
RAM (Dynamic Random Access Memory) and SDRAM
In (synchronous DRAM) and the like, the burst transfer performance has been improved. In order to improve the burst transfer capability, the width of a bus for performing data transfer may be increased or the transfer repetition cycle may be shortened.

【0004】データ転送のバス幅の拡大は、メモリチッ
プを多数並べて配置することで達成できる。例えば、1
回のデータ転送サイクルが100nsで実行できるとす
ると、4ビット幅のバスをもつメモリシステムなら80
Mバイト/秒、倍の128ビット幅のバスをもつメモリ
システムを構成すれば160Mバイト/秒の転送能力を
実現できる。バス幅を広げれば広げる程、転送能力の向
上を図れる。
The expansion of the data transfer bus width can be achieved by arranging a large number of memory chips. For example, 1
Assuming that one data transfer cycle can be executed in 100 ns, a memory system having a 4-bit width bus has a capacity of 80 bits.
If a memory system having a bus with a 128-bit width twice as large as M bytes / sec, a transfer capacity of 160 Mbytes / sec can be realized. As the bus width is increased, the transfer capacity can be improved.

【0005】転送の繰り返し周期の短縮は、1回目のメ
モリ転送サイクルと、それに続く転送サイクルをオーバ
ーラップさせ、2回目以降の転送サイクルは短い時間で
行うことができるようにすることで実現できる。これに
は、メモリチップ自体の機能の変更が必要になるため、
メモリチップ自体を再設計する必要がある。
[0005] The shortening of the transfer repetition cycle can be realized by overlapping the first memory transfer cycle and the subsequent transfer cycle so that the second and subsequent transfer cycles can be performed in a short time. This requires changing the functionality of the memory chip itself,
It is necessary to redesign the memory chip itself.

【0006】(2) メモリの接続方法:メモリシステムの
構成例を図2に示す。メモリシステムは、最小単位とし
て、1個のメモリコントローラと複数のメモリチップか
ら構成される。メモリチップにはいくつかの種類があ
り、1/4/8/16ビット程度のデータ幅と、4Mビ
ット/16Mビット/64Mビット等の決まった容量と
を有するメモリチップの中から、適切なものを選択する
ことになる。図2に示した例では、8ビット幅であるデ
ータ幅と16Mビットの容量をそれぞれ有する16個の
メモリチップ202〜217と、メモリコントローラ2
22とを用いて、32Mバイトの容量をもつメモリシス
テムを構成した場合を示している。各メモリチップ20
2〜217には、アドレス入力端子218、8ビット幅
のデータ入出力端子219、CAS(カラムアクセスス
トローブ:Column Access Strobe)制御端子220及び
RAS(ロウアクセスストローブ:Row Access Strob
e)制御端子221が設けられており、これら端子はメ
モリコントローラ222に接続している。
(2) Memory connection method: FIG. 2 shows a configuration example of a memory system. The memory system includes one memory controller and a plurality of memory chips as a minimum unit. There are several types of memory chips. Among memory chips having a data width of about 1/4/8/16 bit and a fixed capacity of 4 Mbit / 16 Mbit / 64 Mbit, an appropriate one is used. Will be selected. In the example shown in FIG. 2, 16 memory chips 202 to 217 each having a data width of 8 bits and a capacity of 16 M bits, and a memory controller 2
22 shows a case where a memory system having a capacity of 32 Mbytes is configured by using No. 22. Each memory chip 20
Reference numerals 2 to 217 denote an address input terminal 218, an 8-bit data input / output terminal 219, a CAS (Column Access Strobe) control terminal 220, and a RAS (Row Access Strobe).
e) Control terminals 221 are provided, and these terminals are connected to the memory controller 222.

【0007】メモリコントローラ222には、アドレス
出力端子ADDR、データ入出力端子、4本のCAS出
力端子CAS0〜CAS3及び4本のRAS出力端子R
AS0〜RAS3が設けられている。図では、データ入
出力端子は、8ビットずつ、D[7:0]、D[15:8]、D[2
3:16]、D[17:24]のように記載されている。
The memory controller 222 has an address output terminal ADDR, a data input / output terminal, four CAS output terminals CAS0-CAS3, and four RAS output terminals R
AS0 to RAS3 are provided. In the figure, the data input / output terminals are D [7: 0], D [15: 8], D [2
3:16] and D [17:24].

【0008】データ幅が32ビットのメモリシステムを
8ビット幅のメモリチップで構成するに場合は、4個の
メモリチップに同時にアクセスできるようにする。図2
に示したものでは、図示縦に並んだ4個のメモリチップ
が同じRAS信号線に接続され、同時にアクセスされる
ようになっている。
When a memory system having a data width of 32 bits is constituted by memory chips having an 8-bit width, it is possible to simultaneously access four memory chips. FIG.
In the example shown in FIG. 4, four memory chips arranged vertically are connected to the same RAS signal line and are simultaneously accessed.

【0009】また32Mバイトの記憶容量を実現するに
は、前記4個を1組みとして4組みを並列に並べるよう
にする必要がある。アドレス線とデータ線は各チップに
パラレルに接続され、制御信号で前記4組みの並びから
1組みを選択できるようになっている。
Further, in order to realize a storage capacity of 32 Mbytes, it is necessary to arrange the above four pieces as one set and arrange four sets in parallel. The address line and the data line are connected to each chip in parallel, and one set can be selected from the four sets by a control signal.

【0010】コンピュータシステムの配線ボード上にこ
のメモリシステムを実装する場合もは、同時にアクセス
する4個のメモリチップからなる組みをSIMM(シン
グルインラインメモリモジュール:Single In-line Mem
ory Module)として実装する。図2の例では、4枚のS
IMMをパラレルに接続することで、メモリシステムが
構成できる。
When this memory system is mounted on a wiring board of a computer system, a set of four memory chips to be accessed at the same time is connected to a SIMM (Single In-line Memory Module).
ory Module). In the example of FIG.
A memory system can be configured by connecting the IMMs in parallel.

【0011】(3) スキューのコントロール:図2に示し
たメモリシステムの構成例では、メモリチップは4×4
のアレイ状に配置される。CAS制御信号やRAS制御
信号、アドレスは、すべてメモリコントローラ222か
ら供給される。またデータバスは、バスバッファ(不図
示)を介してプロセッサ(不図示)等に接続される。こ
の場合、アドレスバスはすべてのメモリチップ202〜
217に共通に接続され、データは、8ビットづつ、そ
れぞれ4個のメモリに共通に接続する。また、各制御信
号は、アクセスするメモリチップの選択のために、行列
状に並んだメモリチップに対して縦横に供給される。
(3) Skew control: In the configuration example of the memory system shown in FIG.
Are arranged in an array. The CAS control signal, the RAS control signal, and the address are all supplied from the memory controller 222. The data bus is connected to a processor (not shown) via a bus buffer (not shown). In this case, the address bus is connected to all the memory chips 202 to
217, and the data is commonly connected to four memories in units of 8 bits. Each control signal is supplied vertically and horizontally to the memory chips arranged in a matrix in order to select a memory chip to be accessed.

【0012】一般に、信号は、配線上を瞬時に伝わるわ
けではなく、信号をドライブする位置から順に遠方へ伝
わっていく。このため、配線により共通の信号を複数の
チップに供給する場合、通常のバス結合方式を採用する
と、チップごとに信号の到達時間がずれてしまう。この
観点で理想的な配線は、各メモリチップに対してコント
ローラから同じ長さの配線を用いて、できるだけ短く接
続するものである。しかしながら、4×4のアレイ状に
メモリチップを配列したメモリシステムでは、16個の
メモリチップに対してこの最適な条件での配線を行うこ
とは難しい。
In general, a signal is not transmitted instantaneously on a wiring, but is transmitted from a position where the signal is driven to a distant position in order. For this reason, when a common signal is supplied to a plurality of chips by wiring, if a normal bus coupling method is adopted, the arrival time of the signal is shifted for each chip. From this viewpoint, the ideal wiring is to connect the memory chips to the memory chips as short as possible using the same length wiring from the controller. However, in a memory system in which memory chips are arranged in a 4 × 4 array, it is difficult to wire 16 memory chips under these optimal conditions.

【0013】このため一般には、図2に示す通り、アド
レスについてはメモリチップ間で従属接続し、タイミン
グのマージンによって時間差を吸収するように設計する
ことになる。この従属接続方式でも、メモリのアクセス
サイクルのタイミングに十分な余裕がある場合には、問
題が生じない。しかしながら、アクセスサイクルの短縮
を図ろうとしてマージンを削った場合に、問題が発生す
る。例えば3cm間隔でメモリチップが配置されている
とすれば、アドレス線やデータ線は、図2から分かるよ
うに、3cmづつ配線の長さが異なることになる。これ
によって、各メモリにアドレスが到達するまでの時間
は、メモリコントローラによる信号のドライブ端子から
遠いほど遅くなっていく。図2のように配置配線された
メモリシステムにおいて、リードアクセスを仮定する
と、アドレスは、メモリコントローラ222から右方向
に伝播し、データは、各メモリチップから左方向に伝播
するため、メモリコントローラに一番近いメモリチップ
と最も遠いメモリチップとの間で、配線遅延の2倍の時
間のアクセスタイム差が発生することになる。
For this reason, generally, as shown in FIG. 2, addresses are cascaded between memory chips, and a design is made so that a time difference is absorbed by a timing margin. Even in the cascade connection method, no problem arises when there is a sufficient margin in the timing of the memory access cycle. However, a problem arises when the margin is reduced to shorten the access cycle. For example, if the memory chips are arranged at intervals of 3 cm, the address lines and the data lines have different wiring lengths of 3 cm as can be seen from FIG. As a result, the time required for the address to reach each memory becomes slower as the memory controller is farther from the signal drive terminal. In a memory system arranged and wired as shown in FIG. 2, assuming a read access, an address propagates rightward from the memory controller 222 and data propagates leftward from each memory chip. An access time difference of twice the wiring delay occurs between the nearest memory chip and the farthest memory chip.

【0014】各メモリチップに対して共通に接続される
線は、アドレス、データ、制御線など数多くあり、これ
らの配線についても、メモリチップの位置に対応して配
線長のばらつきが発生する。従来のメモリシステムで
は、これらのばらつきの影響は、設計時にマージン(余
裕)として考慮していた。
There are a number of lines commonly connected to each memory chip, such as address, data, and control lines, and the wiring length of these lines also varies depending on the position of the memory chip. In the conventional memory system, the influence of these variations was considered as a margin at the time of design.

【0015】(4) クロックツリー SDRAM等、タイミング用のクロック信号が供給され
るチップを用いるシステムでは、クロックツリーという
手法が使われる。これは、すべてのチップのクロック入
力端子位置でのクロックの位相を合わせるという技術で
ある。
(4) Clock Tree In a system using a chip to which a clock signal for timing is supplied, such as an SDRAM, a method called a clock tree is used. This is a technique of adjusting the phases of clocks at the clock input terminal positions of all chips.

【0016】図4は、クロックツリー技術を説明する図
であり、図4(a)はクロックツリーを用いない場合を、
図4(b)はクロックツリーを用いた場合を示している。
FIG. 4 is a diagram for explaining the clock tree technique. FIG. 4A shows a case where the clock tree is not used.
FIG. 4B shows a case where a clock tree is used.

【0017】すべてのメモリチップ(SDRAMチッ
プ)401〜416にクロック端子が備えられていると
して、図4(a)に示すようにこれらクロック端子に対し
て連続して(芋づる式に)配線419を設けた場合が、
クロックツリーを用いない場合にあたる。このケースで
は、クロック発振器417で作られたクロック信号は、
クロックドライバ418で増幅され、配線419を伝播
する。クロック信号は、メモリチップ401から順に、
各メモリチップへの到着が少しづつ遅くなっていく。ク
ロックドライバ418に一番近いメモリチップ401と
一番遠いメモリチップ416とでは、クロック信号がず
れてしまう。
Assuming that all the memory chips (SDRAM chips) 401 to 416 are provided with clock terminals, as shown in FIG. If provided,
This is the case when the clock tree is not used. In this case, the clock signal generated by clock oscillator 417 is
The signal is amplified by the clock driver 418 and propagates through the wiring 419. The clock signal is output from the memory chip 401 in order.
Arrival at each memory chip is gradually delayed. The clock signal is shifted between the memory chip 401 closest to the clock driver 418 and the memory chip 416 farthest.

【0018】一方、クロックツリー技術を使用した場合
には、図4(b)に示すように、メモリチップ(SDRA
Mチップ)420〜435に対して、クロック発振器4
39で生成したクロック信号が、クロックドライバ43
6,437を介して供給されている。この場合、配線4
38はHツリー状に分岐しており、クロック発振器43
9からクロック端子までの配線距離は各メモリチップ4
20〜435で同一になるように、また、通過するクロ
ックドライバの段数も同じになるように、接続が行われ
ている。その結果、各メモリチップのクロック端子での
クロックスキューはほとんどなくなる。
On the other hand, when the clock tree technique is used, as shown in FIG.
M chip) 420-435, the clock oscillator 4
The clock signal generated in 39 is supplied to the clock driver 43
6,437. In this case, wiring 4
Reference numeral 38 denotes an H-tree branch, and a clock oscillator 43
The wiring distance from 9 to the clock terminal is
Connections are made such that the same number is used in 20 to 435, and the number of stages of the clock driver that passes is the same. As a result, there is almost no clock skew at the clock terminal of each memory chip.

【0019】(5) クロックとパイプライン化:SDRA
M等での高性能化は、一定周期のクロックを用いたパイ
プライン動作により達成させる。すなわち、従来のメモ
リチップの入出力インターフェースを変更して、一定の
周期でH(ハイ)レベルとL(ロウ)レベルとの間で遷
移を繰り返すタイミング生成用のクロック信号がメモリ
チップに入力し、制御信号がクロック信号に同期して入
力するように構成する。
(5) Clock and Pipelining: SDRA
Higher performance in M or the like is achieved by a pipeline operation using a clock having a constant cycle. In other words, the input / output interface of the conventional memory chip is changed, and a clock signal for generating a timing that repeats a transition between an H (high) level and an L (low) level at a constant cycle is input to the memory chip. The control signal is configured to be input in synchronization with the clock signal.

【0020】図3は、このようなパイプライン動作にお
ける入出力信号のタイミング例を示す図である。クロッ
ク信号CLKのクロック301において、第1のアクセ
スに対応するアドレスADDRとしてアドレスA0が入
力し、また、読み出しコマンドが入力する。次のクロッ
ク302では、第2のアクセスに対応するアドレスA1
と読み出しコマンドが入力すると同時に、メモリチップ
の内部では、第1のアクセスに対応するデータの読み出
しが行われる。このデータの読み出しは、セレクタにお
ける選択動作期間(図示304)として表される。次の
クロック303では、第3のアクセスに対応するアドレ
スA2と読み出しコマンドが入力し、内部で、第2のア
クセスに対応するデータの読み出しが行われ(図示、セ
レクタでの選択動作期間305)が行われる。また同時
に、第1のアクセスに対応するデータがバスに出力され
る。このバスへの出力は、バッファFIFOにおける出
力期間306として、図示されている。
FIG. 3 is a diagram showing an example of timing of input / output signals in such a pipeline operation. In a clock 301 of the clock signal CLK, an address A0 is input as an address ADDR corresponding to the first access, and a read command is input. In the next clock 302, the address A1 corresponding to the second access
At the same time as the read command is input, the data corresponding to the first access is read inside the memory chip. This data reading is represented as a selection operation period (304 in the figure) in the selector. At the next clock 303, the address A2 corresponding to the third access and the read command are input, and the data corresponding to the second access is read internally (illustration, selection operation period 305 by the selector). Done. At the same time, data corresponding to the first access is output to the bus. The output to this bus is shown as output period 306 in the buffer FIFO.

【0021】それぞれのアクセスは3クロックずつ必要
とするが、複数のアクセスをオーバーラップすることが
できるため、一定時間に転送するデータ量を増やすこと
ができる。
Although each access requires three clocks, a plurality of accesses can be overlapped, so that the amount of data transferred in a certain time can be increased.

【0022】(6) バスファイト防止回路:図5はバスに
おける各信号線の構成を模式的に示す図であり、図6は
バスファイト防止回路を示す回路図である。バスは、図
5に示すように、複数の出力端子505,506を1本
の信号線501に接続したものである。信号線501上
の信号を入力とする入力バッファ502も、信号線50
1に接続している。信号線501において、各出力端子
505,506ごとに設けられた3ステートコントロー
ル付きの出力バッファ503,504により、一時には
唯一の出力端子だけがH(ハイ)/L(ロウ)レベルを
出力し、他の出力端子は高インピーダンス状態になるよ
うに制御することによって、その唯一の出力端子からの
出力データを他の端子が妨げないように設計されてい
る。すなわち、バスの信号線501に接続されたバスド
ライバ503,504は、それぞれ排他的に信号線50
1をドライブするようになっている。いずれか一方のド
ライバがバス501をH/Lレベルにドライブしている
間は、もう一方のドライバの出力は、高インピーダンス
状態になっている。
(6) Bus fight prevention circuit: FIG. 5 is a diagram schematically showing the configuration of each signal line in the bus, and FIG. 6 is a circuit diagram showing the bus fight prevention circuit. The bus has a plurality of output terminals 505 and 506 connected to one signal line 501 as shown in FIG. The input buffer 502 that receives the signal on the signal line 501 is also used for the signal line 50.
Connected to 1. In the signal line 501, only one output terminal outputs H (high) / L (low) level at a time by the output buffers 503 and 504 with three-state control provided for each of the output terminals 505 and 506. The other output terminals are designed to be in a high impedance state, so that the output data from the only output terminal is not blocked by the other terminals. That is, the bus drivers 503 and 504 connected to the signal line 501 of the bus are exclusively connected to the signal line 50.
Drive one. While one of the drivers is driving the bus 501 to the H / L level, the output of the other driver is in a high impedance state.

【0023】出力ドライバ503,504は、そのイネ
ーブル端子(3ステート制御入力端子)507,508
がHレベルになっている時は、入力端子509,510
のデータを出力端子505,506に伝達し、イネーブ
ル端子がLレベルになっている場合は、入力端子の状態
にかかわらず出力端子が高インピーダンス状態になる。
The output drivers 503 and 504 have their enable terminals (three-state control input terminals) 507 and 508.
Are at the H level, the input terminals 509, 510
Is transmitted to the output terminals 505 and 506, and when the enable terminal is at the L level, the output terminal is in a high impedance state regardless of the state of the input terminal.

【0024】各出力ドライバのイネーブル端子は、排他
的にHレベルになるわけだが、イネーブル端子への信号
を作る論理回路に遅延が発生するため、一時的に両方の
イネーブル端子508,507が同時にHレベルになる
場合も発生する。その結果、各出力端子からの出力デー
タがバス上で競合するバスファイトが発生する。
Although the enable terminal of each output driver is exclusively at the H level, a delay occurs in a logic circuit for generating a signal to the enable terminal. Therefore, both enable terminals 508 and 507 are temporarily set to the H level at the same time. It also happens when it comes to levels. As a result, a bus fight in which output data from each output terminal competes on the bus occurs.

【0025】このバスファイトを防止するための回路
が、図6に示す回路である。このバスファイト防止回路
は、入力端子603に入力した信号をバスに出力する出
力バッファ602に接続されるものであって、3個のデ
ィレイ素子607〜609と3個のセレクタ610〜6
12とANDゲート605からなるものである。出力バ
ッファ602は、3ステート制御が可能なものであっ
て、出力バッファ602の出力端子601がバスに接続
されている。出力バッファ602のイネーブル端子60
4には、バスファイト防止回路の出力すなわちANDゲ
ート605の出力が接続している。
A circuit for preventing this bus fight is the circuit shown in FIG. This bus fight prevention circuit is connected to an output buffer 602 that outputs a signal input to an input terminal 603 to a bus, and includes three delay elements 607 to 609 and three selectors 610 to 610.
12 and an AND gate 605. The output buffer 602 can perform three-state control, and the output terminal 601 of the output buffer 602 is connected to a bus. Enable terminal 60 of output buffer 602
4 is connected to the output of the bus fight prevention circuit, that is, the output of the AND gate 605.

【0026】このバスファイト防止回路において、AN
Dゲート605の一方の入力端子は、イネーブル入力6
06が直接入力する。またイネーブル入力606は、デ
ィレイ素子607を介してセレクタ610の一方の入力
端子に入力するとともに、セレクタ610の他方の入力
端子に直接入力している。セレクタ610には、選択制
御入力613が設けられている。セレクタ610の出力
は、ディレイ素子608を介してセレクタ611の一方
の入力端子に入力するとともに、セレクタ611の他方
の入力端子に直接入力している。セレクタ611には、
選択制御入力614が設けられている。セレクタ611
の出力は、ディレイ素子609を介してセレクタ612
の一方の入力端子に入力するとともに、セレクタ612
の他方の入力端子に直接入力している。セレクタ612
には、選択制御入力615が設けられている。
In this bus fight prevention circuit, AN
One input terminal of the D gate 605 is an enable input 6
06 is directly input. The enable input 606 is input to one input terminal of the selector 610 via the delay element 607, and is also input directly to the other input terminal of the selector 610. The selector 610 is provided with a selection control input 613. The output of the selector 610 is input to one input terminal of the selector 611 via the delay element 608, and is also input directly to the other input terminal of the selector 611. The selector 611 includes:
A selection control input 614 is provided. Selector 611
Is output to the selector 612 via the delay element 609.
Of the selector 612
Is directly input to the other input terminal. Selector 612
Is provided with a selection control input 615.

【0027】このように構成されたバスファイト構成回
路では、イネーブル入力606がLレベルからHレベル
に変化するときに、その遷移を遅らして出力バッファ6
04のイネーブル端子に与えることができる。これによ
り、バスドライバのドライブ開始を遅らせるようにする
ことができる。遅延量は、選択制御入力613〜615
によってセレクタ610〜612を制御することによ
り、変化させることができる。
In the bus fight configuration circuit thus configured, when the enable input 606 changes from the L level to the H level, the transition is delayed so that the output buffer 6
04 enable terminal. As a result, the drive start of the bus driver can be delayed. The delay amount is selected by selection control inputs 613 to 615.
It can be changed by controlling the selectors 610 to 612.

【0028】図7は、このようなバスファイト防止回路
を備えた2つの出力バッファ(ドライバAとドライバ
B)によってバスをドライブするときのタイミングチャ
ートである。ドライバAへのイネーブル入力の波形が符
号701で示され、ドライバBへのイネーブル入力の波
形が符号702で示されている。ドライバAがアクティ
ブである期間704、ドライバBがアクティブである期
間705とも、それぞれのイネーブル入力がHレベルに
なってから一定の遅延時間703だけ遅れて開始してい
る。このようにして、各ドライバのイネーブル端子が同
時にHレベルにならないように構成され、バスファイト
が防止されている。
FIG. 7 is a timing chart when the bus is driven by two output buffers (driver A and driver B) provided with such a bus fight prevention circuit. The waveform of the enable input to the driver A is indicated by reference numeral 701, and the waveform of the enable input to the driver B is indicated by reference numeral 702. Both the period 704 in which the driver A is active and the period 705 in which the driver B is active start with a certain delay time 703 after each enable input becomes H level. In this manner, the configuration is such that the enable terminals of the respective drivers are not simultaneously set to the H level, and bus fight is prevented.

【0029】[0029]

【発明が解決しようとする課題】従来のメモリシステム
には、複数のメモリチップにバス状に接続された信号で
は、メモリチップの位置によって信号のタイミングにス
キューが発生することがあるという問題点がある。一般
的なメモリシステムでは、1つのメモリコントローラに
必ず数多くのメモリチップが共通のバス状の信号線によ
って配線されるので、メモリコントローラからの配線長
がまちまちになり、配線長の差に応じて信号の到達時間
に差が生じる。
The conventional memory system has a problem that a signal connected to a plurality of memory chips in a bus shape may cause skew in signal timing depending on the position of the memory chip. is there. In a general memory system, a large number of memory chips are always wired to a single memory controller by a common bus-shaped signal line, so the wiring length from the memory controller varies, and the signal length varies according to the wiring length difference. There is a difference in the arrival time.

【0030】クロックツリー技術を用いたとしても、デ
ータや制御線のすべての配線長をチップによらず一定に
することは難しく、クロックのスキューを防止すること
はできても、データや制御信号でのスキューを防止する
ことは難しい。
Even if the clock tree technique is used, it is difficult to keep the lengths of all data and control lines independent of the chip, and even if clock skew can be prevented, data and control signals must be used. It is difficult to prevent skew.

【0031】本発明の目的は、複数のメモリチップから
構成されるメモリシステムなどにおいて、スキューを防
止することができるメモリ装置の入力回路及び出力回路
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an input circuit and an output circuit of a memory device which can prevent skew in a memory system including a plurality of memory chips.

【0032】[0032]

【課題を解決するための手段】本発明のメモリ装置の入
力回路は、バスに接続され外部から入力する一定の周期
のクロックに応じて動作するメモリ装置において使用さ
れる入力回路において、バスの信号線に直接あるいは何
らかの回路を介してデータ入力端子が接続し、信号線上
の信号をラッチするフリップフロップと、制御信号に応
じて異なる遅延量を与えるディレイ回路と、を有し、ク
ロックをディレイ回路に入力し、ディレイ回路の出力を
フリップフロップのクロック入力に接続したことを特徴
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An input circuit of a memory device according to the present invention is an input circuit used in a memory device which is connected to a bus and operates in response to a clock having a constant period inputted from the outside. A data input terminal is connected to the line directly or through some circuit, and the flip-flop latches a signal on the signal line, and a delay circuit that provides a different delay amount according to a control signal, and a clock is supplied to the delay circuit. And an output of the delay circuit is connected to a clock input of the flip-flop.

【0033】本発明のメモリ装置の出力回路は、バスに
接続され外部から入力する一定の周期のクロックに応じ
て動作するメモリ装置において使用される出力回路にお
いて、バスの信号線に直接あるいは何らかの回路を介し
てデータ出力端子が接続し、信号をラッチして信号を信
号線に送出するフリップフロップと、制御信号に応じて
異なる遅延量を与えるディレイ回路と、を有し、クロッ
クをディレイ回路に入力し、ディレイ回路の出力をフリ
ップフロップのクロック入力に接続したことを特徴とす
る。
The output circuit of the memory device according to the present invention is an output circuit used in a memory device which is connected to a bus and operates in response to a clock having a fixed period inputted from the outside. A data output terminal is connected via a FF, a flip-flop for latching a signal and sending the signal to a signal line, and a delay circuit for providing a different delay amount according to a control signal, and inputting a clock to the delay circuit The output of the delay circuit is connected to the clock input of the flip-flop.

【0034】すなわち本発明では、1つのメモリコント
ローラに対して複数のメモリチップが同一のデータバス
に接続されたメモリシステムにおいて、メモリチップの
クロック入力に対する入力のサンプリングタイミング、
出力更新タイミングの位相を設定できるようにしてい
る。
That is, according to the present invention, in a memory system in which a plurality of memory chips are connected to the same data bus for one memory controller, an input sampling timing with respect to a clock input of the memory chip,
The phase of the output update timing can be set.

【0035】本発明の入力回路や出力回路を用いる場合
には、メモリコントローラと複数のメモリチップが共通
のアドレスバスやデータバスを用いて接続されたシステ
ムにおいて、メモリコントローラからメモリチップまで
のバスでの配線長が長いメモリチップでは、メモリチッ
プからのデータの読み出し時にバスに対するデータ出力
をクロックに対して早い位相で出力し、アドレスまたは
データ入力をクロックに対して遅い位相でサンプリング
するように設定する。これに対し、メモリコントローラ
に近くて短いバス配線で接続されているチップは、クロ
ックに対して遅い位相でデータを出力し、データまたは
アドレス入力は、クロックに対して早い位相でサンプリ
ングするように設定する。
When the input circuit and the output circuit of the present invention are used, in a system in which a memory controller and a plurality of memory chips are connected using a common address bus and data bus, a bus from the memory controller to the memory chips is used. In the case of a memory chip having a long wiring length, when data is read from the memory chip, the data output to the bus is output at an early phase relative to the clock, and the address or data input is set to be sampled at a late phase relative to the clock. . On the other hand, chips that are connected by short bus lines close to the memory controller output data with a phase that is slower than the clock, and data or address inputs are set to sample with a phase that is earlier than the clock. I do.

【0036】このように設定することで、信号がバス上
を、メモリコントローラ側からメモリチップ側に伝播す
る場合、近いメモリチップ程サンプリングタイムが早く
なり、各チップのバス信号のセットアップホールド時間
を最低限にすることができる。また、メモリチップ側か
らメモリコントローラに伝播する信号は、メモリコント
ローラから遠いメモリチップ程、信号を早めに出力する
ことで、メモリコントローラに信号が到達するタイミン
グを一致させ、メモリコントローラに必要なセットアッ
プ/ホールド時間を最低にする。
With this setting, when a signal propagates on the bus from the memory controller side to the memory chip side, the sampling time becomes shorter as the memory chip is closer, and the setup and hold time of the bus signal of each chip is minimized. Can be limited. In addition, the signal transmitted from the memory chip to the memory controller is output earlier as the memory chip is farther from the memory controller, so that the timing at which the signal arrives at the memory controller is matched. Minimize hold time.

【0037】つまり、各メモリでの信号のセットアップ
ホールド時間を最低限にすることで、セットアップ/ホ
ールド時間の和を1周期とする周波数まで最高クロック
周波数を向上することができる。
That is, by minimizing the setup and hold time of the signal in each memory, the maximum clock frequency can be improved to a frequency where the sum of the setup and hold time is one cycle.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】本発明の入力回路及び出力回路
は、同期型メモリチップでのアドレスバス/データバス
への入出力端子などに適用する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The input circuit and output circuit of the present invention are applied to input / output terminals for an address bus / data bus in a synchronous memory chip.

【0039】同期型メモリチップでは、入力信号、出力
信号は、クロックの立ち上がりまたは立ち下がりに同期
して入出力される。これは、入力端子の場合は、入力バ
ッファの後にエッジトリガ型のフリップフロップでデー
タの取り込みを行い、出力端子の場合は、出力バッファ
の前段にやはりエッジトリガ形のフリップフロップを入
れることでデータのクロック同期化を行うことによって
実現される。このとき、従来は、入出力のフリップフロ
ップのクロック入力端子には、メモリチップに外部から
入力されるクロック信号がそのまま供給されていた。こ
れに対して本実施形態では、このフリップフロップに入
力するクロックとして、ディレイ素子の組み合わせまた
はPLLで発生した、元のクロックとそれぞれ異なる位
相を有する複数のクロック信号から選択機構によって選
ばれた任意の1つを用いることができるようにする。ク
ロックの選択は、メモリチップ内部のレジスタに記憶さ
れ、このレジスタの値は初期化時に設定するかは、動作
中に新しい値を書き込むことができるようにする。すな
わち、入出力端子のフリップフロップの出力が変化する
タイミングは、レジスタへの設定によって変更すること
ができる。
In the synchronous memory chip, input signals and output signals are input and output in synchronization with the rising or falling of the clock. This is because, in the case of an input terminal, data is captured by an edge-triggered flip-flop after an input buffer, and in the case of an output terminal, an edge-triggered flip-flop is also inserted before the output buffer. This is realized by performing clock synchronization. At this time, conventionally, a clock signal input from the outside to the memory chip is directly supplied to the clock input terminal of the input / output flip-flop. On the other hand, in the present embodiment, as a clock to be input to the flip-flop, an arbitrary clock selected by a selection mechanism from a plurality of clock signals generated by a combination of delay elements or a PLL and having different phases from the original clock. Make one available. The selection of the clock is stored in a register inside the memory chip, and the value of this register is set at the time of initialization so that a new value can be written during operation. That is, the timing at which the output of the flip-flop of the input / output terminal changes can be changed by setting the register.

【0040】本発明は、メモリコントローラとメモリチ
ップが一本のバスに複数接続されるクロック同期型メモ
リシステムのデータ端子等に使用すると効果的である。
1本のバスにメモリコントローラと複数のメモリチップ
が接続される場合は、すべてのメモリチップの端子がメ
モリコントローラの端子から等しい距離に接続できるわ
けではない。
The present invention is effective when used for a data terminal or the like of a clock synchronous memory system in which a plurality of memory controllers and memory chips are connected to one bus.
When a memory controller and a plurality of memory chips are connected to one bus, the terminals of all the memory chips cannot be connected at the same distance from the terminals of the memory controller.

【0041】通常のメモリシステムでは、大量の記憶容
量を必要とするために、データバスとアドレスバスがい
くつかのメモリチップに共通に配線される。本発明が効
果的な例としては、メモリコントローラとメモリチップ
を一列にならべ、一番端にコントローラを配置して配線
する場合がある。この場合、バス配線は、平行に配線
し、コントローラからの距離が遠いほど、配線の長さも
長いことになる。なお、クロックについては、Hツリー
方式で、すべてのチップにスキューがないように配線す
る。メモリコントローラとそれぞれのメモリチップまで
のバス配線は、バスのそれぞれのビット線相互の間で
は、メモリコントローラからそれぞれのメモリチップま
での配線長さが同じになるように配線する。
In a normal memory system, a large amount of storage capacity is required, so that a data bus and an address bus are commonly wired to several memory chips. As an example where the present invention is effective, there is a case where the memory controller and the memory chips are arranged in a line, and the controller is arranged at the end and wired. In this case, the bus wires are wired in parallel, and the longer the distance from the controller, the longer the length of the wires. Clocks are wired in the H-tree system so that all chips have no skew. The bus wiring from the memory controller to each memory chip is wired so that the wiring length from the memory controller to each memory chip is the same between each bit line of the bus.

【0042】そして、このように一列にならべたメモリ
システムで、一方の端にメモリコントローラを配置す
る。そして、コントローラに近いメモリチップから遠い
メモリチップにいくにしたがって、入力端子のセットア
ップタイムを遅くし、出力端子のディレイ時間を早くな
るように設定する。こうすると、メモリコントローラか
ら出力される信号は、遠くに伝播するために長い時間が
かかっても、時間がメモリチップの入力端子でのデータ
サンプル時間も遅くすることができるため、問題なくデ
ータを取り込むことができる。またメモリが出力しメモ
リコントローラが取り込む信号に関しては、コントロー
ラが取り込む時間はかわらないが、遠いメモリチップほ
ど早めにデータを出力するためコントローラの入力端子
に信号が到着する時刻はどのメモリチップでも等しくす
ることができる。
In the memory system arranged in a line as described above, a memory controller is arranged at one end. Then, the setup time of the input terminal is set to be longer and the delay time of the output terminal is set to be earlier as going from a memory chip closer to the controller to a memory chip farther from the controller. In this case, even if the signal output from the memory controller takes a long time to propagate far, the data sampling time at the input terminal of the memory chip can be delayed, so that the data can be fetched without any problem. be able to. Regarding the signal output from the memory and taken in by the memory controller, the time taken by the controller does not change. However, the farther the memory chip is, the earlier the data is output. be able to.

【0043】本実施形態によれば、最大の配線長は、信
号のインピーダンス等でも異なるが、伝播遅延が1クロ
ックを越えない範囲で可能になる。
According to the present embodiment, the maximum wiring length varies depending on the signal impedance and the like, but is possible within a range where the propagation delay does not exceed one clock.

【0044】なお、メモリコントローラとメモリチップ
を一列に並べない配列でも、配線は可能で、この場合
は、各メモリチップとメモリコントローラの間のバス配
線を各ビットごとに同じ長さにすればよく、分岐も可能
である。もちろn、終端には十分留意する必要がある。
本発明では、信号に重畳するリンギング等のノイズを取
り除くことはできないためである。
Note that wiring is possible even if the memory controller and the memory chips are not arranged in a line. In this case, the bus wiring between each memory chip and the memory controller may have the same length for each bit. , Branching is also possible. Of course, it is necessary to pay close attention to n and the end.
This is because noise such as ringing superimposed on a signal cannot be removed in the present invention.

【0045】以下、本発明について、さらに詳しく説明
する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

【0046】《第1の実施形態》図1は、本発明の第1
の実施形態のメモリシステムの構成を示すブロック図で
ある。このブロック図は、SDRAM等、クロック入力
を有するメモリチップにおけるデータ出力端子部の改良
点を示したものである。
<< First Embodiment >> FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a memory system according to an embodiment. This block diagram shows an improvement of a data output terminal in a memory chip having a clock input such as an SDRAM.

【0047】出力端子101,102は、SDRAM等
のメモリチップのデータ入出力端子に接続されものであ
り、出力バッファ103,104によってドライブされ
る。出力バッファ103,104は、メモリからのデー
タの出力時には、出力端子101,102をH/Lレベ
ルをドライブし、メモリへのデータの入力時には、高イ
ンピーダンス状態になる。
The output terminals 101 and 102 are connected to data input / output terminals of a memory chip such as an SDRAM, and are driven by output buffers 103 and 104. The output buffers 103 and 104 drive the output terminals 101 and 102 to the H / L level when outputting data from the memory, and enter a high impedance state when inputting data to the memory.

【0048】データラッチ105,106は、メモリア
レイから読み出されたデータを入力して保持するラッチ
であり、その入力端子はデータ信号線118,119を
介してメモリアレイからのデータ出力ポートに接続さ
れ、出力端子は、それぞれ出力バッファ103,104
に接続される。データラッチ105,106はエッジト
リガタイプのD型フリップフロップである。
The data latches 105 and 106 are latches for inputting and holding data read from the memory array, and have input terminals connected to data output ports from the memory array via data signal lines 118 and 119. The output terminals are output buffers 103 and 104, respectively.
Connected to. The data latches 105 and 106 are edge trigger type D flip-flops.

【0049】クロック入力107には、メモリチップの
クロック端子から入力される一定周期のクロックが接続
される。また、それぞれ一定の時間をディレイを与える
3個のディレイ素子108〜110が設けられている。
各ディレイ素子による遅延量は、ここでは、ディレイ素
子108が2ns、ディレイ素子109が4ns、ディ
レイ素子110が8nsとなっている。また、各ディレ
イ素子108〜110の出力側には、それぞれ、セレク
タ111〜113が設けられている。セレクタ111〜
113は、その選択制御入力端子115〜117の状態
によって、ディレイ素子108〜110の出力か、ある
いはディレイ素子を通らないクロックかを選択すること
ができるように接続されている。選択制御入力端子11
5〜117をHレベルにするとディレイ素子を通った側
の入力、Lレベルにするとディレイ素子を通らない側の
入力が選択される。
The clock input 107 is connected to a clock having a constant period inputted from a clock terminal of the memory chip. In addition, three delay elements 108 to 110 for respectively delaying a fixed time are provided.
Here, the delay amount of each delay element is 2 ns for the delay element 108, 4 ns for the delay element 109, and 8 ns for the delay element 110. Selectors 111 to 113 are provided on the output sides of the delay elements 108 to 110, respectively. Selectors 111-
Reference numeral 113 is connected so that it is possible to select an output of the delay elements 108 to 110 or a clock that does not pass through the delay elements according to the state of the selection control input terminals 115 to 117. Selection control input terminal 11
When 5 to 117 are set to H level, the input through the delay element is selected, and when it is set to L level, the input through the delay element is selected.

【0050】具体的には、クロック入力107が、ディ
レイ素子108を介してセレクタ111の一方の入力端
子に入力するとともに、セレクタ111の他方の入力端
子に直接入力している。このセレクタ111の出力は、
ディレイ素子109を介してセレクタ112の一方の入
力端子に入力するとともに、セレクタ112の他方の入
力端子に直接入力している。セレクタ112の出力は、
ディレイ素子110を介してセレクタ113の一方の入
力端子に入力するとともに、セレクタ113の他方の入
力端子に直接入力している。セレクタ113の出力が、
各フリップフロップ105,106のクロック入力端子
に接続している。
More specifically, the clock input 107 is input to one input terminal of the selector 111 via the delay element 108 and is directly input to the other input terminal of the selector 111. The output of this selector 111 is
The signal is input to one input terminal of the selector 112 via the delay element 109 and is also input directly to the other input terminal of the selector 112. The output of the selector 112 is
The signal is input to one input terminal of the selector 113 via the delay element 110 and is also input directly to the other input terminal of the selector 113. The output of the selector 113 is
The flip-flops 105 and 106 are connected to clock input terminals.

【0051】各セレクタ111〜113の選択制御入力
端子115〜117は不図示の制御レジスタに接続され
ており、初期化時あるいはデータのタイミングを変化さ
せたい場合に、任意の値を設定できるようにする。
The selection control input terminals 115 to 117 of the selectors 111 to 113 are connected to a control register (not shown) so that an arbitrary value can be set at initialization or when it is desired to change data timing. I do.

【0052】次に、上述した回路の動作について説明す
る。図11は、上述の回路でのタイミングを説明するタ
イミングチャートである。
Next, the operation of the above-described circuit will be described. FIG. 11 is a timing chart for explaining the timing in the above-described circuit.

【0053】図1に示すクロック入力107として、図
11においてクロック入力と示す一定周期でH/Lレベ
ル間での遷移を繰り返すクロック信号1112が入力す
るものとする。クロック信号1112が、データ出力の
変化するタイミングを決定する信号である。本実施形態
では、ディレイ素子108〜110とセレクタ111〜
113とによって、クロック信号112に対して遅れた
いくつかの種類のクロック1115を作り出すことがで
きる。
As the clock input 107 shown in FIG. 1, it is assumed that a clock signal 1112 which repeats a transition between H / L levels at a constant period shown as a clock input in FIG. 11 is input. The clock signal 1112 is a signal for determining the timing at which the data output changes. In the present embodiment, the delay elements 108 to 110 and the selectors 111 to
With 113, it is possible to create several types of clocks 1115 that are delayed with respect to the clock signal 112.

【0054】例えば、各セレクタ111〜113の選択
制御入力端子115〜117がすべてロウであるとすれ
ば、データラッチ105,106に加えられるクロック
は、入力したクロック(クロック信号1112)に対し
て0nsのディレイを有する(もちろん、セレクタ11
1〜113でのディレイを入れればもう少し増加する)
ことになり、入力クロックにほぼ等しいタイミングを有
する。一方、選択制御入力端子115〜117をすべて
Hレベルにすれば、14nsのディレイを有することに
なる。クロック周波数が100MHzなら、この14n
sというディレイは、1クロック以上に相当する。
For example, if the selection control input terminals 115 to 117 of the selectors 111 to 113 are all low, the clock applied to the data latches 105 and 106 is 0 ns with respect to the input clock (clock signal 1112). (Of course, the selector 11
(If you add a delay between 1 and 113, it will increase slightly.)
That is, it has a timing substantially equal to the input clock. On the other hand, if all of the selection control input terminals 115 to 117 are set to H level, a delay of 14 ns is provided. If the clock frequency is 100MHz, this 14n
The delay s corresponds to one or more clocks.

【0055】図1に示す回路において、データラッチ1
05,106の入力端子に接続するデータ信号線118,
119にはメモリセルアレイから読み出されたデータが
乗り、メモリセルアレイから読み出されたデータは、通
常、フリップフロップで構成されたデータラッチ10
5,106でタイミング合わせが行われ、出力バッファ
103,104で増幅され、出力端子101,102経由
でデータバス(不図示)に出力されることになる。
In the circuit shown in FIG.
Data signal lines 118 connected to the input terminals
119 is loaded with data read from the memory cell array, and the data read from the memory cell array is normally stored in the data latch 10 composed of a flip-flop.
The timing is adjusted at 5, 106, amplified at output buffers 103, 104, and output to a data bus (not shown) via output terminals 101, 102.

【0056】通常の場合、すなわちセレクタ111〜1
14の選択制御入力端子115〜117がLレベルの場
合には、データラッチ105,106のクロック入力端
子にはクロック入力がそのまま供給されるため、出力ド
ライバ103,104の出力端子101,102には、図
11で通常の出力と示した信号1113のようなタイミ
ングでデータ1106,1107が出力される。図11
の符号1101は、出力ドライバ103,104の内部
遅延など、LSIの内部要因による遅延である。出力端
子101,102に何も接続されていない場合は、図1
1の信号1113のように出力されるので、この端子の
データ1106,1107は、クロック入力1112の
立ち上がりエッジ1118でサンプルすることができ
る。
In the normal case, that is, the selectors 111 to 1
When the fourteen selection control input terminals 115 to 117 are at L level, the clock input is supplied to the clock input terminals of the data latches 105 and 106 as they are, so that the output terminals 101 and 102 of the output drivers 103 and 104 are The data 1106 and 1107 are output at timings like the signal 1113 shown as a normal output in FIG. FIG.
Reference numeral 1101 denotes a delay due to an internal factor of the LSI such as an internal delay of the output drivers 103 and 104. When nothing is connected to the output terminals 101 and 102, FIG.
Since the signal 1113 is output as the signal 1113, the data 1106 and 1107 at this terminal can be sampled at the rising edge 1118 of the clock input 1112.

【0057】ここで出力端子101,102に、バスや
他のチップが接続されるとともにバスに入力端子が接続
され、出力端子101,102から入力端子までバスを
介してデータが伝送される場合を考える。上述の入力端
子の位置での信号タイミングでは、出力端子から入力端
子までの配線遅延1102が上述の遅延1101に加わ
り、図11に「通常の出力+配線遅延」と表した信号1
114のように、タイミングが遅れてしまう。このよう
にタイミングが遅れた場合、クロック入力1112の立
ち上がりエッジ1118で、データ1108,1109
をサンプルすることはできない。
Here, a case where a bus or another chip is connected to the output terminals 101 and 102, an input terminal is connected to the bus, and data is transmitted from the output terminals 101 and 102 to the input terminals via the bus. Think. At the above-described signal timing at the position of the input terminal, the wiring delay 1102 from the output terminal to the input terminal is added to the above-described delay 1101, and the signal 1 represented as “normal output + wiring delay” in FIG.
Like 114, the timing is delayed. When the timing is delayed in this manner, data 1108 and 1109 are generated at rising edge 1118 of clock input 1112.
Cannot be sampled.

【0058】ところで、複数の出力端子がバスに接続さ
れた信号線では、配線遅延1102の大きさは、その出
力端子の接続位置によってまちまちである。したがっ
て、入力端子の位置において、クロック入力に対する各
出力端子からのデータのタイミングがばらつくことにな
る。極端な場合、ある出力端子からのデータはクロック
入力1112の立ち上がりエッジ1118でサンプルで
きるが、別の出力端子からのデータは立ち上がりエッジ
1118ではサンプルできないということが起こり得
る。
In a signal line in which a plurality of output terminals are connected to a bus, the magnitude of the wiring delay 1102 varies depending on the connection position of the output terminal. Therefore, the timing of data from each output terminal with respect to the clock input varies at the position of the input terminal. In the extreme case, it may happen that data from one output terminal can be sampled on the rising edge 1118 of the clock input 1112, while data from another output terminal cannot be sampled on the rising edge 1118.

【0059】そこで、本実施の形態では、バスに接続さ
れる出力端子の側で、図1に示す回路を用いて、バスに
送出するデータの出力タイミングを配線遅延に応じて遅
らせ、入力端子の位置において、同一のタイミングで各
出力端子からのデータをサンプルできるようにしてい
る。
Therefore, in the present embodiment, the output timing of data to be sent to the bus is delayed by the circuit shown in FIG. 1 on the side of the output terminal connected to the bus in accordance with the wiring delay, and At the position, data from each output terminal can be sampled at the same timing.

【0060】クロック入力1112を一定の値だけ遅ら
せたものが遅らせたクロック1115である。クロック
入力1112に対する遅らせたクロック1115の遅延
量1103は、ディレイ素子108〜110及びセレク
タ111〜113からなるディレイ回路によって作り出
された値であって、セレクタ111〜113の選択制御
入力端子115〜117への信号を制御することによっ
て切り替えることができる。
A delayed clock 1115 is obtained by delaying the clock input 1112 by a predetermined value. The delay 1103 of the delayed clock 1115 with respect to the clock input 1112 is a value created by the delay circuit including the delay elements 108 to 110 and the selectors 111 to 113, and is transmitted to the selection control input terminals 115 to 117 of the selectors 111 to 113. Can be switched by controlling the signal.

【0061】この遅らせたクロック1115は、データ
ラッチ(フリップフロップ)105,106のクロック
入力端子に加えられ、データラッチ105,106は、
メモリから読み出されたデータを記憶してその出力タイ
ミングをクロックのエッジで揃える。データラッチ10
5,106でタイミングをコントロールされたデータ
は、バッファ103,104で増幅されて出力される。
The delayed clock 1115 is applied to clock input terminals of data latches (flip-flops) 105 and 106, and the data latches 105 and 106
The data read from the memory is stored and its output timing is aligned with the clock edge. Data latch 10
The data whose timing is controlled by 5,106 is amplified by buffers 103,104 and output.

【0062】出力端子に何もつながっていない場合は、
その出力端子での信号波形は、図11において遅らせた
出力と示した信号1116で表す波形になる。データ1
110,1111は、バッファの遅延等によって、遅ら
せたクロック1115から遅延1104だけ遅れる。こ
の遅延時間は、遅延1101に等しい。したがって、メ
モリリップへのクロック入力1112から、遅延量11
03と遅延1104の和の時間だけ遅れたタイミング
で、データ1110,1111が出力されることにな
る。
If nothing is connected to the output terminal,
The signal waveform at the output terminal is a waveform represented by a signal 1116 indicated as a delayed output in FIG. Data 1
The clocks 110 and 1111 are delayed from the clock 1115 delayed by a delay 1104 due to a buffer delay or the like. This delay time is equal to the delay 1101. Therefore, from the clock input 1112 to the memory lip, the delay amount 11
The data 1110 and 1111 are output at a timing delayed by the sum of the delay time 03 and the delay 1104.

【0063】出力端子がバスに接続されたとして、この
出力端子からバスに接続された入力端子までの配線遅延
が存在するとする。入力端子の位置では、さらに、配線
遅延1105だけ遅れたタイミングで信号が伝播し、出
力データのタイミングはほぼ1クロック分遅れることに
なり、1個遅いクロックエッジ1119で取り込むこと
ができるようになる。
Assuming that the output terminal is connected to the bus, there is a wiring delay from this output terminal to the input terminal connected to the bus. At the position of the input terminal, the signal further propagates at a timing delayed by the wiring delay 1105, and the timing of the output data is delayed by approximately one clock, so that the output data can be captured at a clock edge 1119 which is one clock later.

【0064】バスなどのように複数の出力端子が1つの
信号線に接続される場合に、各出力端子が属するチップ
までの距離に応じて、出力端子側のフリップフロップ
(データラッチ)に加えるクロックのディレイを変化さ
せれば、以上の説明したようにして、配線遅延を見かけ
上なくすようにすることができる。
When a plurality of output terminals are connected to one signal line such as a bus, a clock to be applied to a flip-flop (data latch) on the output terminal side in accordance with the distance to a chip to which each output terminal belongs. , It is possible to make the wiring delay apparently eliminated as described above.

【0065】つまり、メモリシステムの場合を考えれ
ば、メモリコントローラには、メモリチップ側からのデ
ータを取り込むフリップフロップ(入力データラッチ)
が設けられる。そこで、この入力データラッチから配線
上で遠いメモリチップでの上述のディレイ量を小さく
し、近いチップのディレイ量を大きくすることで、メモ
リコントローラの入力データラッチに取り込まれるデー
タのタイミングをすべて等しくなるようにすることがで
きる。
That is, considering the case of a memory system, a flip-flop (input data latch) for taking in data from the memory chip side is provided in the memory controller.
Is provided. Therefore, by reducing the above-mentioned delay amount in the memory chip far from the input data latch on the wiring and increasing the delay amount in the near chip, all the timings of the data taken into the input data latch of the memory controller become equal. You can do so.

【0066】《第2の実施形態》上述の第1の実施形態
では、ディレイ素子とセレクタとを用いて出力端子での
出力タイミングに所望のディレイを与えるようにしてい
たが、この第2の実施形態では、ディレイ素子の代わり
にPLL(フェーズ・ロックド・ループ)を用いてディ
レイを保証している。半導体装置の製造プロセスにおけ
るばらつきなどによって一定のディレイ時間を保証する
のが困難な場合には、この第2の実施形態は、第1の実
施形態に代わって有利なものとなる。
<< Second Embodiment >> In the above-described first embodiment, a desired delay is given to the output timing at the output terminal using the delay element and the selector. In the embodiment, the delay is guaranteed by using a PLL (Phase Locked Loop) instead of the delay element. If it is difficult to guarantee a constant delay time due to variations in the manufacturing process of the semiconductor device, the second embodiment is advantageous in place of the first embodiment.

【0067】第1の実施形態と同様に、データ信号線8
07,808が入力するデータラッチ805,806と、
データラッチ805,806の出力に接続された出力バ
ッファ803,804を備えており、出力バッファ80
3,804の出力は、バスに接続する出力端子801,8
02に接続している。データラッチ805,806は、
エッジトリガタイプであって、クロックの立ち上がりで
入力端子のデータを保持するD型フリップフロップによ
って構成されている。データ信号線807,808は、
例えば、メモリセルアレイのデータ出力ポートに接続す
る。
As in the first embodiment, the data signal line 8
07,808 input data latches 805,806,
Output buffers 803 and 804 connected to the outputs of the data latches 805 and 806 are provided.
The output of 3,804 is output terminals 801 and 8 connected to the bus.
02. Data latches 805 and 806 are
It is an edge trigger type and is configured by a D-type flip-flop that holds data of an input terminal at the rising edge of a clock. The data signal lines 807 and 808
For example, it is connected to a data output port of a memory cell array.

【0068】PLLは、電圧制御型発振器(VCO)8
18、ローパスフィルタ(LPF)819及び位相比較
器(PD)820からなる一般的な構成のものである。
ただし、電圧制御型発振器818は、相互に60°づつ
の位相差を有する6系統のクロックを出力するために、
6つのクロック出力812〜817を備えている。位相
比較器820には、クロック出力812からのクロック
と、基準クロック入力821を介して入力する基準クロ
ックCLKとが入力している。その結果、電圧制御型発
振器822は、そのクロック出力812からのクロック
が基準クロックCLKと一致するように制御される。こ
のようにPLLが構成されていることにより、電圧制御
型発振器822からは、基準クロックCLKに対して、
位相がそれぞれ、0°,60°,120°,180°,24
0°及び300°のクロックが出力する。
The PLL is a voltage controlled oscillator (VCO) 8
18, a low-pass filter (LPF) 819 and a phase comparator (PD) 820.
However, the voltage-controlled oscillator 818 outputs six clocks having a phase difference of 60 ° each other.
It has six clock outputs 812-817. The clock from the clock output 812 and the reference clock CLK input via the reference clock input 821 are input to the phase comparator 820. As a result, the voltage controlled oscillator 822 is controlled so that the clock from the clock output 812 matches the reference clock CLK. By configuring the PLL in this manner, the voltage-controlled oscillator 822 outputs
The phases are 0 °, 60 °, 120 °, 180 °, 24
Clocks of 0 ° and 300 ° output.

【0069】電圧制御型発振器822から出力されたこ
れら6つのクロックは、6入力のセレクタ809に入力
する。セレクタ809は、その選択制御入力信号811
によって、6つのクロックのうちの1つを選択して各デ
ータラッチ805,806のクロック端子に供給する。
選択制御入力信号811は、レジスタ810から出力し
ており、レジスタ810は、セレクタ809で選択され
るクロックの位相を選択するセレクト条件を記憶する。
These six clocks output from the voltage-controlled oscillator 822 are input to a six-input selector 809. The selector 809 controls the selection control input signal 811
, One of the six clocks is selected and supplied to the clock terminals of the data latches 805 and 806.
The selection control input signal 811 is output from the register 810, and the register 810 stores a selection condition for selecting the phase of the clock selected by the selector 809.

【0070】次に、この第2の実施態様の回路の動作を
説明する。
Next, the operation of the circuit according to the second embodiment will be described.

【0071】基準クロック入力821に100MHzの
基準クロックCLKが入力している場合を考えると、電
圧制御型発振器818の出力端子812〜817は、そ
れぞれ、基準クロックCLKに対して、0ns、1.6
7ns、3.3ns、5.0ns、6.67ns、8.3n
sずつ位相の違ったクロックを出力する。レジスタ81
0には、これらのクロックのいずれかを選択するデータ
が内蔵されており、そのデータによってセレクタ809
がクロック出力のうち1つを選択する。レジスタ810
に格納する値は、データの出力タイミングに依存する。
最も近い(バス配線の短い)チップでは、クロック出力
817、すなわち一番位相が遅れたクロックがデータラ
ッチ805,806に供給されるようにし、このチップ
から配線が遠いチップでは、それからの配線遅延分だけ
さかのぼった位相のクロックがデータラッチに供給され
るようにする。
Considering a case where a reference clock CLK of 100 MHz is input to the reference clock input 821, the output terminals 812 to 817 of the voltage controlled oscillator 818 are 0 ns and 1.6 respectively with respect to the reference clock CLK.
7 ns, 3.3 ns, 5.0 ns, 6.67 ns, 8.3 n
Clocks with phases different by s are output. Register 81
0 contains data for selecting any of these clocks, and the selector 809 uses the data to select the clock.
Selects one of the clock outputs. Register 810
The value stored in depends on the data output timing.
In the nearest (short bus wiring) chip, the clock output 817, that is, the clock with the most delayed phase is supplied to the data latches 805 and 806, and in the chip farther from this chip, the wiring delay by The clock of the phase which has been retroactive is supplied to the data latch.

【0072】これによって、同じバスに接続される異な
るチップからは、異なるタイミングでデータが出力され
ることになるが、バスに接続されたデータの受信地点で
は、同じタイミングでそれらのデータを取り込むことが
できるようになる。
As a result, data is output at different timings from different chips connected to the same bus. However, at the reception point of data connected to the bus, it is necessary to fetch the data at the same timing. Will be able to

【0073】《第3の実施形態》次に、本発明の第3の
実施形態について説明する。上述の第1及び第2の実施
形態では、バスに複数の出力端子と1つの入力端子が接
続するような場合に、配線遅延の差によらず、各出力端
子からのデータがクロックに関して同じタイミングで入
力端子に到達するように構成したが、この第3の実施形
態は、バスに1つの出力端子と複数の入力端子が接続す
る場合に、各入力端子側での受信タイミングをクロック
に関して一定にしようとするものである。例えば、メモ
リシステムにおいて、共通のデータバスにメモリコント
ローラと複数のメモリチップが接続しているとして、メ
モリコントローラ側からメモリチップにデータを転送す
る場合に、どのメモリチップでも確実にデータをフェッ
チできるようにする。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the first and second embodiments described above, when a plurality of output terminals and one input terminal are connected to a bus, data from each output terminal has the same timing with respect to the clock regardless of the difference in wiring delay. In the third embodiment, when one output terminal and a plurality of input terminals are connected to the bus, the reception timing on each input terminal side is kept constant with respect to the clock. What you want to do. For example, in a memory system, assuming that a memory controller and a plurality of memory chips are connected to a common data bus, when data is transferred from the memory controller to the memory chips, any memory chip can reliably fetch data. To

【0074】クロックについては、従来技術として説明
したクロックツリー技術を用いて、どのチップでもスキ
ューが発生しないように接続する。しかしながら、デー
タバス配線については、レイアウト上の問題などによ
り、メモリコントローラから各メモリチップまでの配線
長を同一にすることは困難であり、クロックツリー技術
によるクロックに基づいてメモリチップ側でデータを取
り込むと、メモリチップの位置により、データの取り損
ねが発生する恐れがある。
The clocks are connected by using the clock tree technique described as the prior art so that no skew occurs in any chip. However, regarding the data bus wiring, it is difficult to make the wiring length from the memory controller to each memory chip the same due to a layout problem or the like, and the memory chip fetches data based on the clock by the clock tree technology. In this case, data may be missed depending on the position of the memory chip.

【0075】そこで本実施態様では、各メモリチップ
に、図9に示すような回路を内蔵する。具体的には、メ
モリチップのデータ入出力端子とメモリコントローラの
データ入出力端子が共通のデータバスに接続されるとし
て、各メモリチップにおいて、入力データ取り込み用の
フリップフロップ(入力データラッチ)903,904
の入力端子901,902は、そのデータ入出力端子に
接続している。なお、ここでは、説明のため、バスへの
データ出力のための回路は示されていない。
Therefore, in this embodiment, a circuit as shown in FIG. 9 is built in each memory chip. Specifically, assuming that the data input / output terminal of the memory chip and the data input / output terminal of the memory controller are connected to a common data bus, in each memory chip, a flip-flop (input data latch) 903 for taking in input data, 904
Are connected to the data input / output terminals. Here, a circuit for outputting data to the bus is not shown for the sake of explanation.

【0076】フリップフロップ903,904は、エッ
ジトリガタイプのものであって、入力端子901,90
2のデータをクロック入力の立ち上がりで保持する。フ
リップフロップ903,904の出力端子905,906
は、メモリアレイへの書き込みを行うためのメモリチッ
プ内の内部データバスに接続される。
The flip-flops 903 and 904 are of the edge trigger type and have input terminals 901 and 90.
2 is held at the rising edge of the clock input. Output terminals 905, 906 of flip-flops 903, 904
Are connected to an internal data bus in a memory chip for writing to a memory array.

【0077】従来の技術の欄で述べたクロックツリー技
術により、各メモリチップに対してスキューが生じない
ように供給されたクロックCLKは、クロック入力91
6から入力する。クロックCLKは、一定の周期でHレ
ベルとLレベルとを繰り返す信号である。クロック入力
921と各フリップフロップ903,904のクロック
入力端子との間には、第1の実施形態と同様に、3個の
ディレイ素子907〜909と3個のセレクタ910〜
912とからなるディレイ回路が設けられている。セレ
クタ910〜912には、ディレイ時間を選択するため
に、選択制御入力端子913〜915が設けられてい
る。
According to the clock tree technique described in the section of the prior art, the clock CLK supplied so as not to cause skew for each memory chip is supplied to the clock input 91.
Input from 6. The clock CLK is a signal that alternates between an H level and an L level at a constant cycle. Between the clock input 921 and the clock input terminals of the flip-flops 903 and 904, three delay elements 907 to 909 and three selectors 910 to 910, as in the first embodiment.
912 is provided. The selectors 910 to 912 are provided with selection control input terminals 913 to 915 for selecting a delay time.

【0078】この回路では、入力端子901,902か
ら入力したデータはフリップフロップ(入力データラッ
チ)903,904で保持され、メモリシステム全体で
同じクロックCLKがクロック入力916から入力す
る。第1の実施形態と同様にして、クロックCLKを任
意の時間だけ遅らせたクロックをフリップフロップ90
3,904に供給することができ、これによって、フリ
ップフロップ903,904のセットアップ時間/ホー
ルド時間を変更することができるようになる。このセッ
トアップ時間/ホールド時間の設定は、セレクタ910
〜912の選択制御入力端子913〜915のへの入力
値(設定信号)を変化させればよい。この設定信号は、
一般的には、レジスタに記録され、場合に応じて変更が
できるようになっている。
In this circuit, data input from input terminals 901 and 902 are held by flip-flops (input data latches) 903 and 904, and the same clock CLK is input from a clock input 916 in the entire memory system. Similarly to the first embodiment, a clock obtained by delaying the clock CLK by an arbitrary time is supplied to the flip-flop 90.
3, 904 so that the setup / hold times of the flip-flops 903, 904 can be changed. The setting of the setup time / hold time is performed by the selector 910.
The input values (setting signals) to the selection control input terminals 913 to 915 may be changed. This setting signal
Generally, it is recorded in a register so that it can be changed as needed.

【0079】《第4の実施形態》この第4の実施形態
も、バスに1つの出力端子と複数の入力端子が接続する
場合に、各入力端子側での受信タイミングをクロックに
関して一定にしようとするものであり、第2の実施形態
と同様に、PLLを用いてクロックを遅らせるようにし
ている。図10は、第4の実施形態での回路の構成を示
す図である。
<< Fourth Embodiment >> In the fourth embodiment, when one output terminal and a plurality of input terminals are connected to the bus, the reception timing at each input terminal side is made to be constant with respect to the clock. As in the second embodiment, the clock is delayed using a PLL. FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of a circuit according to the fourth embodiment.

【0080】第3の実施形態と同様に、メモリチップの
データ入出力端子とメモリコントローラのデータ入出力
端子が共通のデータバスに接続されるとして、各メモリ
チップにおいて、入力データ取り込み用のフリップフロ
ップ1003,1004の入力端子1001,1002
は、そのデータ入出力端子に接続している。また、フリ
ップフロップ1003,1004の出力端子1005,1
006は、メモリアレイへの書き込みを行うためのメモ
リチップ内の内部データバスに接続される。
As in the third embodiment, the data input / output terminal of the memory chip and the data input / output terminal of the memory controller are connected to a common data bus. Input terminals 1001 and 1002 of 1003 and 1004
Are connected to the data input / output terminal. Also, output terminals 1005,1 of flip-flops 1003,1004
006 is connected to an internal data bus in the memory chip for writing to the memory array.

【0081】また、第2の実施形態と同様に、相互の6
0°ずつ位相が異なるクロックを出力する6つのクロッ
ク出力1012〜1017を有する電圧制御型発振器
(VCO)1008と、ローパスフィルタ(LPF)1
009と、位相比較器(PD)1010とによってPL
Lが構成されている。各メモリチップに対してスキュー
が生じないように供給されたクロックCLKは、クロッ
ク入力1011から入力する。また、電圧制御型発振器
1008のクロック出力1012〜1017からの各ク
ロックのうち1つが、セレクタ1007の選択制御入力
端子1019への値に応じてセレクタ1007で選択さ
れ、セレクタ1007で選択されたクロックがフリップ
フロップ1003,1005のクロック端子に供給され
る。選択制御入力端子1019への値は、レジスタ10
18に格納されている。
Also, as in the second embodiment, the mutual 6
A voltage-controlled oscillator (VCO) 1008 having six clock outputs 1012 to 1017 outputting clocks having phases different by 0 °, and a low-pass filter (LPF) 1
009 and the phase comparator (PD) 1010
L is configured. A clock CLK supplied to each memory chip so as not to cause skew is input from a clock input 1011. One of the clocks from the clock outputs 1012 to 1017 of the voltage controlled oscillator 1008 is selected by the selector 1007 according to the value of the selection control input terminal 1019 of the selector 1007, and the clock selected by the selector 1007 is It is supplied to clock terminals of flip-flops 1003 and 1005. The value to the selection control input terminal 1019 is stored in the register 10
18 is stored.

【0082】次に、本実施形態の動作について説明す
る。上述の第3の実施形態では、ディレイ素子によって
クロックを遅延させているため、選択するタイミングの
間隔が温度やプロセスのばらつきで変化する。そこで本
実施形態では、基準クロックに基づいて動作するPLL
を用いることにより、遅延量の安定化を計っている。
Next, the operation of the present embodiment will be described. In the above-described third embodiment, the clock is delayed by the delay element, so that the interval of the selected timing changes due to the temperature and the variation in the process. Therefore, in the present embodiment, a PLL operating based on a reference clock
Is used to stabilize the delay amount.

【0083】基準クロックCLKがクロック入力101
1に入力し、PLLにおいて、電圧制御型発振器100
8が、6つの異なる位相をもった出力を生成する。それ
ぞれクロック出力は、360度を6等分にした位相差、
すなわち60°の位相差となっている。その中から唯一
のクロックをセレクタ1007で選択し、選択したクロ
ックによってデータ入力用のフリップフロップ100
3,1004を動作させ、このクロックに対するセット
アップホールドを規定する。
The reference clock CLK is the clock input 101
1 and in the PLL, the voltage-controlled oscillator 100
8 produces an output with six different phases. Each clock output has a phase difference of 360 degrees divided into 6 equal parts,
That is, the phase difference is 60 °. Only one clock is selected by the selector 1007, and the flip-flop 100 for data input is selected by the selected clock.
3,1004 is operated, and a setup hold for this clock is defined.

【0084】これによって、配線遅延まで含めた時間に
メモリチップのAC(交流)スペックを変化させること
ができ、システムの高速化が可能になる。
As a result, the AC (AC) specifications of the memory chip can be changed during the time including the wiring delay, and the speed of the system can be increased.

【0085】[0085]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、メモリ装
置(メモリチップ)の入力回路や出力回路でデータをラ
ッチするフリップフロップのクロック入力端子に対し、
制御信号に応じて異なる遅延量を与えるディレイ回路を
介してクロックを供給することにより、1つのメモリコ
ントローラに対して複数のメモリチップが同一のデータ
バスに接続されたメモリシステムにおいて、メモリチッ
プのクロック入力に対する入力のサンプリングタイミン
グ、出力更新タイミングの位相を設定できるようにな
り、データでのスキューを防止できるようになるという
効果がある。
As described above, according to the present invention, a clock input terminal of a flip-flop for latching data in an input circuit or an output circuit of a memory device (memory chip) is provided.
In a memory system in which a plurality of memory chips are connected to the same data bus with respect to one memory controller, a clock is supplied through a delay circuit that provides a different delay amount according to a control signal. It is possible to set the phase of the input sampling timing and the output update timing with respect to the input, so that skew in data can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態の出力回路を示す回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an output circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】メモリシステムの配線図である。FIG. 2 is a wiring diagram of a memory system.

【図3】同期型メモリシステムの読み出し時の動作を示
すタイミング図である。
FIG. 3 is a timing chart showing an operation at the time of reading of the synchronous memory system.

【図4】クロックの配線方法を説明する図であって、
(a)はクロックツリー技術を用いないものを、(b)はクロ
ックツリー技術を用いたものを示している。
FIG. 4 is a diagram illustrating a clock wiring method,
(a) shows the case without the clock tree technology, and (b) shows the case with the clock tree technology.

【図5】バスでの配線を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating wiring in a bus.

【図6】従来のバスファイト防止回路の構成を示す回路
図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional bus fight prevention circuit.

【図7】図6のバスファイト防止回路の動作を説明する
タイミング図である。
FIG. 7 is a timing chart illustrating the operation of the bus fight prevention circuit of FIG. 6;

【図8】本発明の第2の実施形態の出力回路を示す回路
図である。
FIG. 8 is a circuit diagram illustrating an output circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施形態の入力回路を示す回路
図である。
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating an input circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施形態の入力回路を示す回
路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram illustrating an input circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】図1の回路の動作を説明するタイミング図で
ある。
FIG. 11 is a timing chart for explaining the operation of the circuit of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,102,801,802 出力端子 103,104,803,804 出力バッファ 105,106,805,806 データラッチ 107 クロック入力端子 108〜110 ディレイ素子 111〜113,809 セレクタ 115〜117,811 選択制御入力端子 118,119,807,808 データ信号線 810 制御レジスタ 818 電圧制御発信器 819 低域フィルタ 820 位相比較器 821 基準クロック入力 901,902,1001,1002 入力端子 903,904,1003,1004 フリップフロッ
プ 905,906,1005,1006 出力端子 907〜909 ディレイ素子 910〜912,1007 セレクタ 913〜915,1009 選択制御入力端子 1008 電圧制御発振器 1009 低域フィルタ 1010 位相比較器 1011 基準クロック入力 1018 レジスタ
101,102,801,802 Output terminal 103,104,803,804 Output buffer 105,106,805,806 Data latch 107 Clock input terminal 108-110 Delay element 111-113,809 Selector 115-117,811 Selection control input Terminal 118, 119, 807, 808 Data signal line 810 Control register 818 Voltage controlled oscillator 819 Low pass filter 820 Phase comparator 821 Reference clock input 901, 902, 1001, 1002 Input terminal 903, 904, 1003, 1004 Flip-flop 905 , 906, 1005, 1006 Output terminal 907 to 909 Delay element 910 to 912, 1007 Selector 913 to 915, 1009 Selection control input terminal 1008 Voltage controlled oscillator 1009 Low-pass filter 1010 Phase comparator 10 1 reference clock input 1018 register

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バスに接続され外部から入力する一定の
周期のクロックに応じて動作するメモリ装置において使
用される入力回路において、 バスの信号線に直接あるいは何らかの回路を介してデー
タ入力端子が接続し、前記信号線上の信号をラッチする
フリップフロップと、 制御信号に応じて異なる遅延量を与えるディレイ回路
と、を有し、 前記クロックを前記ディレイ回路に入力し、前記ディレ
イ回路の出力を前記フリップフロップのクロック入力に
接続したことを特徴とする、メモリ装置の入力回路。
An input circuit used in a memory device connected to a bus and operated in response to a clock having a fixed period inputted from the outside, wherein a data input terminal is connected to a signal line of the bus directly or through any circuit. A flip-flop for latching a signal on the signal line; and a delay circuit for providing a different amount of delay according to a control signal, wherein the clock is input to the delay circuit, and an output of the delay circuit is output to the flip-flop. An input circuit of a memory device, wherein the input circuit is connected to a clock input of a memory device.
【請求項2】 前記ディレイ回路が、複数のディレイ素
子と、複数の入力信号から前記制御信号に応じて1つを
選択するセレクタとから構成されている請求項1に記載
のメモリ装置の入力回路。
2. The input circuit according to claim 1, wherein said delay circuit comprises a plurality of delay elements and a selector for selecting one from a plurality of input signals in accordance with said control signal. .
【請求項3】 前記ディレイ回路が、ディレイ素子と2
入力のセレクタとからなる組を直列に複数組接続して構
成され、各組において、前記ディレイ素子の出力と前記
セレクタの第1の入力が接続し、前記ディレイ素子の入
力と前記セレクタの第2の入力が接続し、前記セレクタ
を前記制御信号によって制御することにより、前記組ご
とに遅延量を与えるか与えないかを設定できる回路であ
る請求項1の記載のメモリ装置の入力回路。
3. A delay circuit comprising: a delay element;
A plurality of sets each including an input selector are connected in series. In each set, an output of the delay element is connected to a first input of the selector, and an input of the delay element is connected to a second input of the selector. 2. The input circuit of the memory device according to claim 1, wherein the input circuit is connected to the input circuit, and the selector controls the selector by the control signal so that it is possible to set whether or not to apply the delay amount to each of the sets.
【請求項4】 前記ディレイ回路が、それぞれ位相の異
なる信号を出力する複数の出力を有する電圧制御型発振
器と、前記電圧制御型発振器の1つの出力と前記クロッ
クとの位相を比較する位相比較器と、前記位相比較器の
出力に設けられたローパスフィルタと、前記電圧制御型
発振器の複数の出力のうちの1つを前記制御信号に応じ
て選択するセレクタとから構成され、前記ローパスフィ
ルタの出力に応じて前記電圧制御型発振器の発振周波数
が制御される、請求項1に記載のメモリ装置の入力回
路。
4. A voltage controlled oscillator having a plurality of outputs each of which outputs a signal having a different phase, and a phase comparator for comparing the phase of one output of the voltage controlled oscillator with the clock. A low-pass filter provided at the output of the phase comparator; and a selector for selecting one of a plurality of outputs of the voltage-controlled oscillator according to the control signal. The input circuit of the memory device according to claim 1, wherein an oscillation frequency of the voltage-controlled oscillator is controlled according to the following.
【請求項5】 バスに接続され外部から入力する一定の
周期のクロックに応じて動作するメモリ装置において使
用される出力回路において、 バスの信号線に直接あるいは何らかの回路を介してデー
タ出力端子が接続し、信号をラッチして前記信号を前記
信号線に送出するフリップフロップと、 制御信号に応じて異なる遅延量を与えるディレイ回路
と、を有し、 前記クロックを前記ディレイ回路に入力し、前記ディレ
イ回路の出力を前記フリップフロップのクロック入力に
接続したことを特徴とする、メモリ装置の出力回路。
5. An output circuit connected to a bus and used in a memory device which operates in response to a clock having a constant period inputted from the outside, wherein a data output terminal is connected to a signal line of the bus directly or through any circuit. And a flip-flop that latches a signal and sends the signal to the signal line; and a delay circuit that provides a different delay amount according to a control signal. An output circuit of the memory device, wherein an output of the circuit is connected to a clock input of the flip-flop.
【請求項6】 前記ディレイ回路が、複数のディレイ素
子と、複数の入力信号から前記制御信号に応じて1つを
選択するセレクタとから構成されている請求項5に記載
のメモリ装置の出力回路。
6. The output circuit according to claim 5, wherein the delay circuit includes a plurality of delay elements and a selector for selecting one from a plurality of input signals in accordance with the control signal. .
【請求項7】 前記ディレイ回路が、ディレイ素子と2
入力のセレクタとからなる組を直列に複数組接続して構
成され、各組において、前記ディレイ素子の出力と前記
セレクタの第1の入力が接続し、前記ディレイ素子の入
力と前記セレクタの第2の入力が接続し、前記セレクタ
を前記制御信号によって制御することにより、前記組ご
とに遅延量を与えるか与えないかを設定できる回路であ
る請求項5の記載のメモリ装置の出力回路。
7. A delay circuit comprising: a delay element;
A plurality of sets each including an input selector are connected in series. In each set, an output of the delay element is connected to a first input of the selector, and an input of the delay element is connected to a second input of the selector. 6. The output circuit of the memory device according to claim 5, wherein the input circuit is connected to the input terminal and the selector controls the selector by the control signal to set whether or not to apply a delay amount to each of the sets.
【請求項8】 前記ディレイ回路が、それぞれ位相の異
なる信号を出力する複数の出力を有する電圧制御型発振
器と、前記電圧制御型発振器の1つの出力と前記クロッ
クとの位相を比較する位相比較器と、前記位相比較器の
出力に設けられたローパスフィルタと、前記電圧制御型
発振器の複数の出力のうちの1つを前記制御信号に応じ
て選択するセレクタとから構成され、前記ローパスフィ
ルタの出力に応じて前記電圧制御型発振器の発振周波数
が制御される、請求項5に記載のメモリ装置の出力回
路。
8. A voltage controlled oscillator having a plurality of outputs each outputting a signal having a different phase, and a phase comparator for comparing the phase of one output of the voltage controlled oscillator with the clock. A low-pass filter provided at the output of the phase comparator; and a selector for selecting one of a plurality of outputs of the voltage-controlled oscillator according to the control signal. 6. The output circuit of the memory device according to claim 5, wherein an oscillation frequency of the voltage-controlled oscillator is controlled according to the following.
【請求項9】 前記フリップフロップの前記データ出力
端子と前記信号線との間に、出力バッファが挿入されて
いる請求項5乃至8いずれか1項に記載のメモリ装置の
出力回路。
9. The output circuit of the memory device according to claim 5, wherein an output buffer is inserted between the data output terminal of the flip-flop and the signal line.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100380990B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-18 인피니언 테크놀로지스 아게 Circuit arrangement with variable number of data-outputs and device for reading data of a circuit arrangement with variable number of data-outputs
JP2008305537A (en) * 1997-10-10 2008-12-18 Rambus Inc Apparatus and method for device timing compensation
JP2009238244A (en) * 2001-04-24 2009-10-15 Rambus Inc Method and device for adjusting memory operation from variously arranged memory components
JP2012008881A (en) * 2010-06-25 2012-01-12 Elpida Memory Inc Memory system and its control method
JP2017208118A (en) * 2013-07-01 2017-11-24 インテル・コーポレーション Timing control for unmatched signal receiver

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008305537A (en) * 1997-10-10 2008-12-18 Rambus Inc Apparatus and method for device timing compensation
KR100380990B1 (en) * 2000-01-19 2003-04-18 인피니언 테크놀로지스 아게 Circuit arrangement with variable number of data-outputs and device for reading data of a circuit arrangement with variable number of data-outputs
US10236051B2 (en) 2001-04-24 2019-03-19 Rambus Inc. Memory controller
JP2009238244A (en) * 2001-04-24 2009-10-15 Rambus Inc Method and device for adjusting memory operation from variously arranged memory components
JP2012248225A (en) * 2001-04-24 2012-12-13 Rambus Inc Method and device for adjusting memory operation from variously arranged memory components
US9053778B2 (en) 2001-04-24 2015-06-09 Rambus Inc. Memory controller that enforces strobe-to-strobe timing offset
US9311976B2 (en) 2001-04-24 2016-04-12 Rambus Inc. Memory module
US9472262B2 (en) 2001-04-24 2016-10-18 Rambus Inc. Memory controller
US9741424B2 (en) 2001-04-24 2017-08-22 Rambus Inc. Memory controller
US10706910B2 (en) 2001-04-24 2020-07-07 Rambus Inc. Memory controller
JP2012008881A (en) * 2010-06-25 2012-01-12 Elpida Memory Inc Memory system and its control method
CN108052479A (en) * 2013-07-01 2018-05-18 英特尔公司 For the timing control of mismatch signal receiver
US10324490B2 (en) 2013-07-01 2019-06-18 Intel Corporation Timing control for unmatched signal receiver
JP2017208118A (en) * 2013-07-01 2017-11-24 インテル・コーポレーション Timing control for unmatched signal receiver

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