JPH10307749A - Memory device - Google Patents
Memory deviceInfo
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- JPH10307749A JPH10307749A JP9113746A JP11374697A JPH10307749A JP H10307749 A JPH10307749 A JP H10307749A JP 9113746 A JP9113746 A JP 9113746A JP 11374697 A JP11374697 A JP 11374697A JP H10307749 A JPH10307749 A JP H10307749A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- management information
- storage element
- main storage
- ferroelectric memory
- memory
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、メイン記憶素子を
アクセスする管理情報をメモリ上に記憶して当該管理情
報を参照してメイン記憶素子をアクセスするメモリ装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory device which stores management information for accessing a main storage element in a memory and refers to the management information to access the main storage element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、メモリカードなどのカード型のメ
モリ装置は、図３の（ａ）に示す構成からなり、フラッ
シュメモリ２５をアクセスするに先立ち、当該フラッシ
ュメモリ２５の全領域をリードして管理情報（ＦＡＴな
どといわれる管理情報）を作成し、ＲＡＭ２４上に格納
するという初期化を行った後、当該ＲＡＭ上の管理情報
（ＦＡＴ）を参照して容量の大きいフラッシュメモリ２
５をアクセスするようにしていた。以下図３をもとに従
来技術を説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, a card-type memory device such as a memory card has a configuration shown in FIG. 3A. Prior to accessing the flash memory 25, the entire area of the flash memory 25 is read. After initializing management information (management information called FAT) to be created and stored in the RAM 24, the flash memory 2 having a large capacity is referred to by referring to the management information (FAT) in the RAM.
5 was accessed. Hereinafter, the prior art will be described with reference to FIG.
【０００３】図３は、従来技術の説明図を示す。図３の
（ａ）は、システム構成図を示す。図３の（ａ）におい
て、制御回路２３は、ＲＡＭ２４上に初期化時に作成し
た管理情報を参照してフラッシュメモリ２５をアクセス
などするものである。FIG. 3 shows an explanatory diagram of the prior art. FIG. 3A shows a system configuration diagram. In FIG. 3A, the control circuit 23 accesses the flash memory 25 with reference to the management information created at the time of initialization in the RAM 24.
【０００４】ＲＡＭ２４は、ＤＲＡＭやＳＲＡＭなどの
読み書き可能なメモリであって、初期化時にフラッシュ
メモリ２５の全領域をリードしてデータをアクセスする
管理情報を作成して格納するものである。The RAM 24 is a readable / writable memory such as a DRAM or an SRAM, and creates and stores management information for reading data from the entire area of the flash memory 25 at initialization and accessing data.
【０００５】フラッシュメモリ２５は、データを記憶す
る大容量の読み書き可能で電源を切断してもデータを保
持するメモリである。ソケット２６は、外部の図示外の
パーソナルコンピュータなどのコネクタに接続するため
のものである。The flash memory 25 is a large-capacity readable / writable memory for storing data and holding data even when the power is turned off. The socket 26 is for connecting to a connector of an external personal computer (not shown).
【０００６】次に、図３の（ｂ）のフローチャートに示
す順序に従い、図３の（ａ）の構成の動作を説明する。
図３の（ｂ）において、Ｓ２１は、電源投入、リセット
実行する。これは、図３の（ａ）のソケット２６を図示
外のパーソナルコンピュータのコネクタなどに挿入して
接続し、電源を投入されたときにリセットを実行する。
尚、リセットには上述のように電源投入時のリセット
（パワーオンリセット）による初期化処理の他に、電源
を切断せずに実行するリセット時の初期化処理も含まれ
る。Next, the operation of the configuration of FIG. 3A will be described in accordance with the order shown in the flowchart of FIG.
In FIG. 3B, in S21, power is turned on and reset is executed. This is done by inserting the socket 26 shown in FIG. 3A into a connector of a personal computer (not shown) or the like, and executing reset when power is turned on.
Note that the reset includes an initialization process by a reset at the time of turning on the power (power-on reset) as described above, as well as an initialization process by a reset executed without turning off the power.
【０００７】Ｓ２２は、フラッシュメモリ２５の全領域
をリードする。Ｓ２３は、ＲＡＭに管理情報を書き込
む。これらＳ２２、Ｓ２３は、初期化時にフラッシュメ
モリ２５の全領域をリードしてデータをアクセスするた
めの管理情報（いわゆるＦＡＴといわれる管理情報）を
作成し、ＲＡＭ２４に書き込み、当該ＲＡＭ２４上の管
理情報を参照してフラッシュメモリ２５上の所望のデー
タをアクセスできるようにする。At S22, the entire area of the flash memory 25 is read. A step S23 writes the management information into the RAM. In S22 and S23, management information (management information called FAT) for accessing the data by reading the entire area of the flash memory 25 at initialization is written to the RAM 24, and the management information on the RAM 24 is written. By referring to the data, desired data on the flash memory 25 can be accessed.
【０００８】Ｓ２４は、管理情報作成完了する。Ｓ２５
は、アクセス要求を受け付ける。Ｓ２６は、ＲＡＭを見
てフラッシュメモリをアクセスする。これは、Ｓ２２な
いしＳ２４で作成してＲＡＭ２４に格納した管理情報
（いわゆるＦＡＴ）を参照してフラッシュメモリ２５上
の所望のデータをアクセスする。In step S24, management information creation is completed. S25
Accepts an access request. In step S26, the flash memory is accessed by looking at the RAM. That is, desired data on the flash memory 25 is accessed with reference to management information (so-called FAT) created in S22 to S24 and stored in the RAM 24.
【０００９】Ｓ２７は、ＲＡＭ更新する。これは、Ｓ２
６のアクセスにより、フラッシュメモリ２５上に新たな
データを書き込んだりなどしたときにＲＡＭ上の管理情
報（ＦＡＴ）を更新する。In step S27, the RAM is updated. This is S2
The management information (FAT) on the RAM is updated when new data is written on the flash memory 25 or the like by the access 6.
【００１０】以上によって、電源投入時などにフラッシ
ュメモリ２５の全領域をリードして管理情報（ＦＡＴ）
を作成し、これをＲＡＭ２４上に格納し、以降のアクセ
ス時にＲＡＭ２４上の管理情報（ＦＡＴ）を参照してフ
ラッシュメモリ２５上の所望のデータを迅速にアクセス
することが可能となる。As described above, when the power is turned on, the entire area of the flash memory 25 is read and the management information (FAT) is read.
Is stored in the RAM 24, and it is possible to quickly access desired data in the flash memory 25 by referring to the management information (FAT) in the RAM 24 at the time of subsequent access.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
は、電源投入したときのリセット時の初期化処理および
電源を切断せずに実行するリセット時の初期化処理のと
きに、フラッシュメモリ２５の全領域をリードして管理
情報（ＦＡＴ）を作成してＲＡＭ２４に格納した後、Ｒ
ＡＭ２４上の管理情報（ＦＡＴ）を参照してフラッシュ
メモリ２５をアクセスしていたため、フラッシュメモリ
２４の記憶容量が小さいうちは初期化時にフラッシュメ
モリ２５の全領域をリードして管理情報を作成してＲＡ
Ｍ２４に格納してもそれほど時間がかからず、問題はな
かった。As described above, in the prior art, the flash memory 25 has conventionally been used for the initialization processing at the time of resetting when the power is turned on and the initialization processing at the time of resetting which is executed without turning off the power. After reading the entire area of, creating management information (FAT) and storing it in the RAM 24,
Since the flash memory 25 is accessed with reference to the management information (FAT) on the AM 24, the management information is created by reading the entire area of the flash memory 25 during initialization while the storage capacity of the flash memory 24 is small. RA
Even if it was stored in M24, it did not take much time and there was no problem.
【００１２】しかし、フラッシュメモリ２５の容量が次
第に大きくなるに従い、初期化時にフラッシュメモリ２
５の全領域をリードして管理情報を作成する時間が長く
なり、電源投入からアクセスできるまでの時間が大きく
なってしまい、実用上の使い勝手が非常に悪くなってし
まうという問題が発生した。However, as the capacity of the flash memory 25 gradually increases, the flash memory 2 is initialized during initialization.
5, the time required to read the entire area and create the management information becomes longer, and the time from power-on to access becomes longer, resulting in a problem that the practical usability becomes very poor.
【００１３】また、電池でＲＡＭ２４上の管理情報（Ｆ
ＡＴ）を保持したのでは、電池のスペースが必要とな
り、小型でかつ薄くするというカード型のメモリ装置に
合わないと共に、小容量の電池では長時間のＲＡＭ２４
上の管理情報を保持できなく実用的ではないという問題
があった。Further, the management information (F
AT) requires a battery space, which is not suitable for a card type memory device that is small and thin, and a small capacity battery requires a long time for the RAM 24.
There was a problem that it was not practical because the above management information could not be retained.
【００１４】また、ＲＡＭ２４の代わりにＥＥＰＲＯＭ
などの不揮発性のメモリを使ったのでは、その書き込み
回数が１０5ないし１０6回の使用にしかたえられず、頻
繁に書換えを行う必要のある管理情報（ＦＡＴ）では不
向きであり、そのために特定セルに書換えが集中しない
ように均等化した書き込みを行うための煩雑な書き込み
制御を行うという余分な制御が必要となり、構成が複雑
となってしまうという問題があった。An EEPROM is used instead of the RAM 24.
The use of a non-volatile memory such as the above can only be used 10 5 to 10 6 times, and is not suitable for management information (FAT) that needs to be frequently rewritten. Extra control is required to perform complicated write control for performing equalized writing so that rewriting is not concentrated on a specific cell, and there has been a problem that the configuration is complicated.
【００１５】本発明は、これらの問題を解決するため、
電池なしでも読み書きでき書換え回数が非常に大きい強
誘電体メモリに管理情報を記憶し、しかもメイン記憶素
子の管理情報に変更があったときにのみ強誘電体メモリ
上の管理情報を更新し、電源投入時あるいはリセット時
に従来のフラッシュメモリの全領域をリードして管理情
報を作成する処理時間を不要とし、簡単な構成かつ制御
でしかも繰り返し書換回数の制限なしに迅速にアクセス
できるメモリ装置を実現することを目的としている。[0015] The present invention solves these problems.
The management information is stored in a ferroelectric memory that can be read and written without a battery and has a very large number of rewrites, and the management information in the ferroelectric memory is updated only when the management information of the main storage element is changed. It eliminates the processing time required to read the entire area of the conventional flash memory at the time of power-on or reset and creates management information, and realizes a memory device that can be accessed quickly with a simple configuration and control without any limitation on the number of rewrites. It is intended to be.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】図１を参照して課題を解
決するための手段を説明する。図１において、制御回路
３は、強誘電体メモリ４中の管理情報を参照してメイン
記憶素子５をアクセスしたり、電源投入時やリセット時
に強誘電体メモリ４中の管理情報を読み出して異常のと
きにメイン記憶素子５の全領域をリードしてデータの管
理情報を作成して強誘電体メモリ４に書き込んだりなど
するものである。Means for solving the problem will be described with reference to FIG. In FIG. 1, the control circuit 3 accesses the main storage element 5 with reference to the management information in the ferroelectric memory 4 or reads out the management information in the ferroelectric memory 4 at power-on or at reset to abnormally. In this case, the entire area of the main storage element 5 is read to create data management information and write it to the ferroelectric memory 4.
【００１７】強誘電体メモリ４は、読み書き可能な書換
え可能回数の大きい不揮発性のメモリである。メイン記
憶素子５は、読み書き可能な不揮発性の大容量のメモリ
である。The ferroelectric memory 4 is a non-volatile memory that is readable and writable and has a large number of rewritable times. The main storage element 5 is a readable and writable nonvolatile large-capacity memory.
【００１８】次に、動作を説明する。データの読み書き
要求に対応して、制御回路３が不揮発性の強誘電体メモ
リ４中の管理情報を参照してメイン記憶素子５をアクセ
スするようにしている。Next, the operation will be described. In response to a data read / write request, the control circuit 3 accesses the main storage element 5 with reference to management information in the nonvolatile ferroelectric memory 4.
【００１９】この際、制御回路３は、電源投入時あるい
はリセット時に強誘電体メモリ４中の管理情報を読み出
して異常のときにメイン記憶素子５の全領域をリードし
てデータの管理情報を作成して強誘電体メモリ４に書き
込むようにしている。At this time, the control circuit 3 reads the management information in the ferroelectric memory 4 at the time of power-on or reset, and reads the entire area of the main storage element 5 in the case of an abnormality to create data management information. Then, the data is written to the ferroelectric memory 4.
【００２０】従って、電池なしでも読み書きでき書換え
回数が非常に大きい強誘電体メモリ４に管理情報を記憶
し、しかもメイン記憶素子（フラッシュメモリなど）の
管理情報に変更があったときにのみ強誘電体メモリ４を
更新し、電源投入時あるいはリセット時に従来のメイン
記憶素子（フラッシュメモリ）の全領域をリードして管
理情報を作成する処理時間を不要とし、簡単な構成かつ
制御でしかも繰り返し書換回数の制限なしに迅速にアク
セスできるメモリ装置を実現することが可能となる。Therefore, the management information is stored in the ferroelectric memory 4 which can be read and written without a battery and has a very large number of rewrites, and the ferroelectric memory 4 is used only when the management information of the main storage element (such as a flash memory) is changed. Updating the body memory 4 eliminates the processing time required to read the entire area of the conventional main storage element (flash memory) at power-on or reset to create management information, and has a simple configuration and control, and the number of times of rewriting repeatedly. It is possible to realize a memory device that can be accessed quickly without any restrictions.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】次に、図１および図２を用いて本
発明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments and operations of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
【００２２】図１は、本発明のシステム構成図を示す。
図１において、メモリ装置１は、多量のデータをメイン
記憶素子、例えば不揮発性のフラシュメモリに記憶させ
るものであって、ＩＦソケット２、制御回路３、強誘電
体メモリ４、およびメイン記憶素子５などから構成され
るものである。FIG. 1 shows a system configuration diagram of the present invention.
In FIG. 1, a memory device 1 stores a large amount of data in a main storage element, for example, a nonvolatile flash memory, and includes an IF socket 2, a control circuit 3, a ferroelectric memory 4, and a main storage element 5. And so on.
【００２３】ＩＦソケット２は、ＰＣ（パーソナルコン
ピュータ）カードインタフェースに接続するものであっ
て、図示外のパーソナルコンピュータとの間でデータの
授受を行うためのものである。また、データの授受の他
に、各種制御信号（リード／ライトの信号など）および
電源（例えば＋５ＶＤＣなど）を供給する。The IF socket 2 is connected to a PC (personal computer) card interface and exchanges data with a personal computer (not shown). In addition to sending and receiving data, it supplies various control signals (read / write signals and the like) and power (for example, +5 VDC).
【００２４】制御回路３は、ＩＦソケット２を介して外
部との間でデータの授受を行う回路、内部の各種制御を
行うＣＰＵ、ＣＰＵを動作させるプログラムを格納する
ＲＯＭなどから構成されるものであって、後述する図２
に示す制御を行うものである。The control circuit 3 comprises a circuit for exchanging data with the outside via the IF socket 2, a CPU for performing various internal controls, a ROM for storing a program for operating the CPU, and the like. FIG. 2 to be described later.
The following control is performed.
【００２５】強誘電体メモリ４は、データを読み書き可
能な不揮発性のメモリであって、例えば書換え回数が１
０12回と極めて書換え可能回数の多いメモリであり、こ
こでは、メイン記憶素子５中のデータをアクセスするた
めの管理情報を記憶するものである。この管理情報は、
当初あるいは何らかの原因で破壊されたときに、メイン
記憶装置５の全領域を参照してデータを読み書きするた
めに作成した管理情報である。この管理情報は、メイン
記憶素子５を書き換えたときに同様に更新する。管理情
報としては、例えば公知のＦＡＴ(File Allocation Tab
le)があり、これは、記憶素子全体のファイルをクラス
タ（８セクタ）単位で管理し、クラスタの使用状況を記
憶する管理情報である。The ferroelectric memory 4 is a nonvolatile memory from which data can be read and written.
This memory is extremely rewritable, ie, 0 12 times, and stores management information for accessing data in the main storage element 5 here. This management information
Initially or when destroyed for some reason, it is management information created to read and write data by referring to the entire area of the main storage device 5. This management information is similarly updated when the main storage element 5 is rewritten. As the management information, for example, a known FAT (File Allocation Tab)
le), which is management information for managing the files of the entire storage element in clusters (8 sectors) and storing the usage status of the clusters.
【００２６】メイン記憶素子５は、読み書き可能な大容
量の不揮発性のメモリであって、フラッシュメモリなど
である。このメイン記憶素子５は、所定領域毎に区分
し、いずれの区分にいずれのデータを書き込んだか、あ
るいは未書き込みかなどを管理情報として強誘電体メモ
リ４に格納して管理している。The main storage element 5 is a large-capacity readable and writable nonvolatile memory, such as a flash memory. The main storage element 5 is divided for each predetermined area, and in the ferroelectric memory 4, which data is written or not written in which division is stored as management information in the ferroelectric memory 4.
【００２７】次に、図２のフローチャートに示す順序に
従い、図１の構成の動作を詳細に説明する。図２は、本
発明の動作説明フローチャートを示す。Next, the operation of the configuration of FIG. 1 will be described in detail according to the order shown in the flowchart of FIG. FIG. 2 is a flowchart illustrating the operation of the present invention.
【００２８】図２において、Ｓ１は、電源投入、リセッ
ト実行する。尚、リセットには電源投入時のリセット
（パワーオンリセット）による初期化処理の他に、電源
を切断せずに実行するリセット時の初期化処理も含まれ
る。In FIG. 2, in step S1, power is turned on and reset is executed. Note that the reset includes an initialization process at a power-on reset (power-on reset) and an initialization process at a reset executed without turning off the power.
【００２９】Ｓ２は、管理情報が正常か判別する。これ
は、Ｓ１で図１のメモリ装置１の電源投入してリセット
実行した後、あるいは電源を切断せずにリセット実行し
た後、制御回路３が強誘電体メモリ４中の管理情報を読
み出し、正常か判別する。正常の判別は、例えば強誘電
体メモリ４から管理情報を読み出したときにエラー（Ｅ
ＣＣエラーなど）が発生したときに異常、発生しないと
きに正常と判別したり、特定のビットがオンのときに正
常、それ以外のときに異常と判定したりなどし、管理情
報が正常か判別する。ＹＥＳの場合には、強誘電体メモ
リ４中の管理情報が正常と判明したので、Ｓ５に進む。
一方、ＮＯの場合には、強誘電体メモリ４中の管理情報
が異常（以前に管理情報が書き込まれていなかった、あ
るいは何らかの原因で管理情報が破壊された（前回の更
新中に電源断が発生して管理情報の更新途中であっ
た））と判明したので、Ｓ３、Ｓ４で管理情報を作成し
てＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリ４）に書き込む。At S2, it is determined whether the management information is normal. This is because the control circuit 3 reads the management information in the ferroelectric memory 4 after turning on the power and resetting the memory device 1 in FIG. Is determined. The determination of normality is made, for example, when an error (E
CC error, etc.), determine whether the management information is normal by judging that it is abnormal, normal when it does not occur, normal when a specific bit is on, abnormal otherwise. I do. In the case of YES, the management information in the ferroelectric memory 4 has been determined to be normal, and the process proceeds to S5.
On the other hand, in the case of NO, the management information in the ferroelectric memory 4 is abnormal (the management information was not previously written, or the management information was destroyed for some reason (the power was interrupted during the previous update). It is determined that the error occurred and the management information was being updated)), and the management information is created in S3 and S4 and written into the FeRAM (ferroelectric memory 4).
【００３０】Ｓ３は、Ｓ２のＮＯで強誘電体メモリ４中
の管理情報が異常と判明したので、フラッシュメモリ
（メイン記憶素子５）の全領域をリードし、いずれの領
域にいずれのデータが書き込まれているかの情報を収集
して管理情報を作成する。In S3, since the management information in the ferroelectric memory 4 is determined to be abnormal at NO in S2, the entire area of the flash memory (main storage element 5) is read and any data is written to any area. And collect management information to create management information.
【００３１】Ｓ４は、ＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリ４）
に管理情報を書き込む。以上のＳ１ないしＳ４によっ
て、図１のメモリ装置１の電源投入してリセット実行時
あるいは電源を切断せずにリセット実行した時に、強誘
電体メモリ４中の管理情報をチェックして異常のときに
メイン記憶素子５の全領域をリードして管理情報を作成
して強誘電体メモリ４に格納し、強誘電体メモリ４中の
管理情報を正しいものであることを確認あるいは正しい
管理情報を格納できたこととなる。S4 is a FeRAM (ferroelectric memory 4)
Write the management information to According to the above S1 to S4, when the power of the memory device 1 of FIG. 1 is turned on and reset is executed or when the reset is executed without turning off the power, the management information in the ferroelectric memory 4 is checked and an abnormality is detected. The entire area of the main storage element 5 is read to create management information and store it in the ferroelectric memory 4 so that the management information in the ferroelectric memory 4 can be confirmed to be correct or correct management information can be stored. It will be.
【００３２】Ｓ６は、アクセス要求を受け付ける。これ
は、図１のメモリ装置１がＩＦソケット２に接続した外
部のパーソナルコンピュータなどからのアクセス要求を
受け付ける。In step S6, an access request is accepted. This accepts an access request from an external personal computer or the like connected to the IF socket 2 by the memory device 1 in FIG.
【００３３】Ｓ７は、ＦｅＲＡＭを見てフラッシュメモ
リ（メイン記憶素子５）をアクセスする。これは、Ｆｅ
ＲＡＭ（強誘電体メモリ４）中の管理情報を参照し、ア
クセス要求のあったデータの場所を見つけ、メイン記憶
素子５をアクセスする（リードした場合にはリードした
データをアクセス依頼元のＩＦソケットに接続したパー
ソナルコンピュータなどに送出する。ライトの場合には
ライト要求のあったデータをメイン記憶素子５の該当す
る領域に書き込む）。In step S7, the flash memory (main storage element 5) is accessed while looking at the FeRAM. This is Fe
The management information in the RAM (ferroelectric memory 4) is referred to, the location of the data requested to be accessed is found, and the main storage element 5 is accessed. (In the case of a write, the data requested to be written is written to a corresponding area of the main storage element 5).
【００３４】Ｓ８は、ＦｅＲＡＭを更新する。これは、
Ｓ７でアクセスして管理情報に変更があった場合に、強
誘電体メモリ４中の管理情報の更新を行い、最新のもの
にしておく。In step S8, the FeRAM is updated. this is,
When the management information is changed by accessing in S7, the management information in the ferroelectric memory 4 is updated to keep it up to date.
【００３５】以上によって、図１のメモリ装置１の電源
投入してリセット時に、あるいは電源を切断せずにリセ
ット実行した時に、強誘電体メモリ４中の管理情報が正
常のときは当該管理情報を参照してメイン記憶素子５の
該当する領域をアクセスし、管理情報に変更があったと
きは強誘電体４中の管理情報を更新する（図２のＳ１、
Ｓ２のＹＥＳ、Ｓ５ないしＳ８）。一方、強誘電体メモ
リ４中の管理情報に異常があった場合には、メイン記憶
素子５の全領域をリードして管理情報を作成して強誘電
体メモリ４に格納した後、管理情報をもとにメイン記憶
素子５をアクセスし、管理情報に変更があったときは強
誘電体４中の管理情報を更新する（図２のＳ１、Ｓ２の
ＮＯ、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５ないしＳ８）。これらにより、
強誘電体メモリ４中に管理情報を格納してこれを参照し
てメイン記憶素子５をアクセスし、管理情報が変更され
たときに強誘電体メモリ４中の管理情報を更新すること
により、書換え可能回数が１０12回程度と極めて多い強
誘電体メモリ４中に管理情報を格納して頻繁に書き換え
てメイン記憶素子５を高速アクセスすることが可能とな
る。これらの際に、強誘電体メモリ４の書換え可能回数
が多いために、従来の不揮発性のＥＥＲＯＭなどの書換
え可能回数が少ない素子の場合には頻繁に同一箇所の管
理情報が書き換えることがないように均等化という処理
によって異なる箇所にデータを書き換えるという面倒な
操作が必要となってしまうが、本願発明ではこの面倒は
均等化という操作が不要となり、制御が簡単となり構成
も簡単となる。As described above, when the power of the memory device 1 shown in FIG. 1 is turned on and reset, or when the reset is executed without turning off the power, when the management information in the ferroelectric memory 4 is normal, the management information is deleted. The corresponding area of the main storage element 5 is accessed with reference to the management information, and when the management information is changed, the management information in the ferroelectric 4 is updated (S1, FIG. 2).
YES in S2, S5 to S8). On the other hand, when the management information in the ferroelectric memory 4 has an abnormality, the entire area of the main storage element 5 is read to create the management information and stored in the ferroelectric memory 4, and then the management information is read. Originally, the main storage element 5 is accessed, and when the management information is changed, the management information in the ferroelectric 4 is updated (NO in S1, S2, S3, S4, S5 to S8 in FIG. 2). By these,
The management information is stored in the ferroelectric memory 4, the main storage element 5 is accessed with reference to the management information, and the management information in the ferroelectric memory 4 is updated when the management information is changed. The management information is stored in the ferroelectric memory 4 whose number of possible times is as large as about 10 12 times, and is frequently rewritten, so that the main storage element 5 can be accessed at high speed. At this time, since the number of rewritable times of the ferroelectric memory 4 is large, in the case of a device having a small number of rewritable times such as a conventional nonvolatile EEPROM, the management information at the same location is not frequently rewritten. However, in the present invention, the operation of equalizing is not required, and the control is simplified and the configuration is simplified.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電池なしでも読み書きでき書換え回数が非常に大きい強
誘電体メモリ４に管理情報を記憶し、しかもメイン記憶
素子（フラッシュメモリなど）の管理情報に変更があっ
たときにのみ強誘電体メモリ４上の管理情報を更新する
構成を採用しているため、電源投入時あるいはリセット
時に従来のメイン記憶素子（フラッシュメモリ）５の全
領域をリードして管理情報を作成する処理時間を不要と
し、簡単な構成かつ制御でしかも繰り返し書換回数の制
限なしに迅速にアクセスできるメモリ装置を実現でき
る。As described above, according to the present invention,
The management information is stored in the ferroelectric memory 4 that can be read and written without a battery and has a very large number of rewrites, and is stored in the ferroelectric memory 4 only when the management information of the main storage element (such as a flash memory) is changed. Since the configuration for updating the management information is adopted, the processing time for reading the entire area of the conventional main storage element (flash memory) 5 and generating the management information at the time of power-on or reset is not required, and the configuration is simple. In addition, it is possible to realize a memory device which can be quickly accessed under control and without limitation on the number of rewrites.
【図１】本発明のシステム構成図である。FIG. 1 is a system configuration diagram of the present invention.
【図２】本発明の動作説明フローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating the operation of the present invention.
【図３】従来技術の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional technique.
１：メモリ装置 ２：ＩＦソケット ３：制御回路 ４：強誘電体メモリ ５：メイン記憶素子 1: memory device 2: IF socket 3: control circuit 4: ferroelectric memory 5: main storage element
Claims (2)
メモリ上に記憶して当該管理情報を参照してメイン記憶
素子をアクセスするメモリ装置において、 データを読み書きする、不揮発性のメイン記憶素子と、 このメイン記憶素子に読み書きするデータの管理情報を
格納する、読み書き可能で不揮発性の強誘電体メモリ
と、 データの読み書き要求に対応して、上記強誘電体メモリ
中の管理情報を参照して上記メイン記憶素子をアクセス
する制御回路とを備えたことを特徴とするメモリ装置。1. A non-volatile main storage element for reading and writing data in a memory device for storing management information for accessing a main storage element in a memory and accessing the main storage element with reference to the management information; A read / write nonvolatile ferroelectric memory for storing management information of data to be read / written in the main storage element; and, in response to a data read / write request, referring to the management information in the ferroelectric memory. A memory device comprising: a control circuit for accessing a main storage element.
回路が上記強誘電体メモリ中の管理情報を読み出して異
常のときに上記メイン記憶素子の全領域をリードしてデ
ータの管理情報を作成して強誘電体メモリに書き込むよ
うに構成したことを特徴とする請求項１記載のメモリ装
置。2. The control circuit reads management information in the ferroelectric memory at power-on or at reset, and reads the entire area of the main storage element to create data management information in the event of an abnormality. 2. The memory device according to claim 1, wherein data is written in the ferroelectric memory.
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP9113746A JPH10307749A (en) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | Memory device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10307749A true JPH10307749A (en) | 1998-11-17 |
Family
ID=14620083
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9113746A Pending JPH10307749A (en) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | Memory device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10307749A (en) |
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