JPH10307394A - ポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いたパターン形成方法並びに電子装置の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ溶剤で現像可能な高感度，高厚膜加が
できるポジ型感光性樹脂組成物の提供にある。 【解決手段】ポリマー中のカルボキシル基濃度が２.６
ｍｍｏｌ／ｇ以下である、スルホン基を有する一般式
〔１〕で示される（式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それ
ぞれイミド基、側鎖アルコシキカルボニル基を含まず酸
素原子、硫黄原子、メチレン、アミン、カルボニル、ス
ルホン、エステル、スルホンエステル、アミド、尿素、
カーボネート、カーバメートの多価の連結基を有しても
よい炭素数６〜５０のアルキル基、アリール基、アラル
キル基、複素環基であって、その少なくとも一つにスル
ホン基を有し、繰り返し単位の構成比を表すＸは５〜１
００モル％）ポリマーと、光により酸を発生する物質を
含むポジ型感光性樹脂組成物にある。 【化７】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポジ型感光性耐熱樹
脂組成物とそれを用いたパターン形成方法、並びに、電
子装置の製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】耐熱性材料であるポリイミドは、無機材
料に比較して製膜が容易であること、低誘電性でしかも
靭性に富むことから、ＬＳＩの絶縁膜やパッシベーショ
ン膜として実用化されている。

【０００３】ポリイミドのパターン化には、フォトレジ
ストの塗布や剥離などの工程が含まれるため、プロセス
が非常に煩雑となる。また、レリーフパターンをレジス
トを介して転写することによる寸法精度の低下が起こ
る。従って、微細加工工程の簡略化や高精度化を図るた
め、直接光で微細加工可能な耐熱材料の開発が望まれて
いた。

【０００４】上記目的のための材料として、ネガ型につ
いては既に種々の材料が開示されている。しかし、ネガ
型感光材料の多くは架橋反応を用いているため、現像液
による露光部の膨潤が起こり、高解像度の微細加工を行
なう上で不利となる。

【０００５】さらに、プロセス上ポジ型の感光耐熱材料
が必要となる場合もあり、ポジ型の感光性耐熱材料が望
まれていた。また環境汚染防止の観点や作業環境改善の
観点から、従来の塩素系溶剤や有機溶剤を中心とする現
像液を用いる感光性樹脂組成物に代わる、アルカリ水系
溶剤で現像できる感光性樹脂組成物が望まれていた。

【０００６】アルカリ水系溶剤で現像できるポジ型の感
光性耐熱材料は、ポリアミド酸に感光性基を共有結合に
より導入したものと、感光性物質を添加した系とに分類
される。

【０００７】前者としては、感光性ポリアミド酸ニトロ
ベンジルエステル（特公平１−５９５７１号公報）が、
後者としては、ポリアミド酸とオルトキノンジアジドの
スルホン酸エステル誘導体から成る感光性耐熱材料（特
開平４−１６８４４１号公報、特開平４−２０４７３８
号公報）、ポリアミド酸とジヒドロピリジン誘導体から
成る感光性耐熱材料（特開平６−４３６４８号公報）、
ポリアミド酸とジアゾナフトキノンスルホンイミド誘導
体から成る感光性耐熱材料（特開平６−２５８８３６号
公報）等が知られている。

【０００８】適用できるポリアミド酸の種類、感光性樹
脂の調製の容易さ等の観点からは、感光性物質を添加し
た系が有利と考えられる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ポリアミド酸はアルカ
リ現像液での溶解速度が極めて高い。そのためポリアミ
ド酸を感光化するためには、溶解阻害効果の高い感光性
物質を用いるか、ポリアミド酸の溶解速度を低下させる
必要がある。ノボラック系レジスト用の感光性物質であ
るオルトキノンジアジドは、ポリアミド酸に対する溶解
阻害効果をほとんど示さない。従って、ポリマー中のカ
ルボキシル基濃度を低下（ポリマーのカルボキシル基当
たりの分子量を増加）させることによりポリアミド酸の
アルカリ現像液に対する溶解速度を低下させる試みがな
されている。

【００１０】カルボキシル濃度を低下させる目的で、部
分イミド化したポリアミド酸（特公平６−５２４２６号
公報）、ポリアミド酸／ポリアミド酸エステル共重合物
（特開平４−２０４７３８号公報）やジアミン部にカル
ボキシル基を有するポリアミド酸エステル（特開平４−
１６８４４１号公報）などが用いられている。

【００１１】しかし、これらもオルトキノンジアジド感
光性物質の露光部の溶解促進効果が小さく、解像度、感
度、アスペクト比等に問題があり、十分なレリーフパタ
ーンは得られていない。また、ポリアミド酸の溶解速度
を低下させるため、上記手段を用いてカルボキシル基濃
度を低下させると、そのフィルムはアルカリ現像液中で
膨潤し、溶解しなくなると云う問題があった。

【００１２】本発明の目的は、前記問題を解決したポジ
型感光性耐熱樹脂組成物、およびそれらを用いたパター
ン形成方法の提供にある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成する本
発明の要旨は、下記のとおりである。

【００１４】〔１〕 ポリマー中のカルボキシル基濃度
が２.６ｍｍｏｌ／ｇ以下であるスルホン基を有する一
般式〔１〕

【００１５】

【化２】

【００１６】（式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ
イミド基、側鎖アルコシキカルボニル基を含まず酸素原
子、硫黄原子、メチレン、アミン、カルボニル、スルホ
ン、エステル、スルホンエステル、アミド、尿素、カー
ボネート、カーバメートの多価の連結基を有してもよい
炭素数６〜５０のアルキル基、アリール基、アラルキル
基、複素環基であって、その少なくとも一つにスルホン
基を有し、繰り返し単位の構成比を表すＸは５〜１００
モル％）で示されるポリマーと、光により酸を発生する
物質を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物に
ある。

【００１７】〔２〕 前記光により酸を発生する物質が
オルトキノンジアジド化合物である前記のポジ型感光性
樹脂組成物にある。

【００１８】〔３〕 前記ポリマー中のカルボキシル基
濃度が１.３〜２.２ｍｍｏｌ／ｇである前記のポジ型感
光性樹脂組成物にある。

【００１９】〔４〕 前記の感光性樹脂組成物を、基板
上に塗布し乾燥する工程、フォトマスクを介して電磁波
を照射する工程、該感光性樹脂組成物をアルカリ性現像
液で現像しパターン形成する工程を含むことを特徴とす
るパターン形成方法にある。

【００２０】〔５〕 電子装置の回路形成面または保護
膜形成面に前記の感光性樹脂組成物を、塗布し乾燥する
工程、フォトマスクを介して電磁波を照射する工程、該
感光性樹脂組成物をアルカリ性現像液で現像しパターン
形成する工程を含むことを特徴とする電子装置の製法に
ある。

【００２１】〔６〕 電子回路の回路形成面または保護
膜形成面に、樹脂組成物からなるパッシベーション膜を
形成する電子装置の製法において、前記パッシベーショ
ン膜として前記の感光性樹脂組成物を、塗布し乾燥する
工程、フォトマスクを介して電磁波を照射する工程、該
感光性樹脂組成物をアルカリ性現像液で現像しパターン
形成する工程を含むことを特徴とする電子装置の製法に
ある。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明において、ポリアミド酸の
スルホン基は、ポリアミド酸フィルムのアルカリ現像液
中での膨潤を低下させ、また、アルカリ現像液に対する
溶解性を向上させる。

【００２３】スルホン基を含まないポリアミド酸の場
合、該ポリマー中のカルボキシル基濃度が低い（ポリマ
ーのカルボキシル基当たりの分子量が大きい）ものは、
アルカリ現像液中でフィルムの膨潤が顕著になる。

【００２４】即ち、カルボキシル基濃度の低下に伴っ
て、アルカリ現像液がポリアミド酸フィルムへ浸透する
速度（浸透速度）と、浸透により生じた膨潤層が溶解す
る速度（溶解速度）の差が大きくなり、結果としてフィ
ルムの膨潤が顕著になる。従って、膨潤が少なく（浸透
速度と溶解速度の差が小さく）、溶解速度の低いポリア
ミド酸フィルムは得られていない。

【００２５】本発明において、ポリマー中のカルボキシ
ル基濃度は、下式により定義する。

【００２６】

【数１】

【００２７】上記式において、［Ｍ］tは、テトラカル
ボン酸二無水物の分子量、［Ｍ］cは、ジカルボン酸二
塩化物の分子量から７３を減じた分子量、［Ｍ］dは、
ジアミンの分子量を表す。また、ｘは下式により定義さ
れる。

【００２８】

【数２】

【００２９】上記式において、［Ｎ］tは、テトラカル
ボン酸二無水物のモル数、［Ｎ］ｃは、ジカルボン酸二
塩化物のモル数を表す。

【００３０】主鎖中にスルホン基を有するポリアミド酸
の場合、ポリマー中のカルボキシル基濃度が２.６ｍｍ
ｏｌ／ｇ以下と、ポリアミド酸中のカルボキシル基濃度
が著しく低いものでも、アルカリ現像液に膨潤すること
なく溶解する。即ち、カルボキシル基濃度の低下に伴っ
て、ポリアミド酸フィルムの浸透速度、溶解速度ともに
低下する。従って、フィルムの膨潤が少なく（浸透速度
と溶解速度の差が小さく）、溶解速度の低いポリアミド
酸フィルムが得られる。

【００３１】上記理由により、使用されるテトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンは、一方、または、両方が、ス
ルホン基を有するものである。

【００３２】ノボラック系レジスト用の感光性物質であ
るオルトキノンジアジドは、ポリアミド酸のアルカリ現
像液に対する溶解阻害効果をほとんど示さない。即ち、
未露光部とベースポリマーであるポリアミド酸のフィル
ムのアルカリ現像液中での溶解速度はほぼ等しい。従っ
て、アルカリ現像によりレリーフパターンを得るために
は、現像液に対して２μｍ／分以下の溶解速度を示すポ
リアミド酸が望ましい。一般的なアルカリ現像液〔水酸
化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）濃度、１.５
％以上の水溶液〕を使用する場合、テトラカルボン酸二
無水物とジアミンの組み合わせは、生成するポリアミド
酸のポリマー中のカルボキシル基濃度が２.６ｍｍｏｌ
／ｇ以下であることが必要である。

【００３３】上記理由より、使用するテトラカルボン酸
二無水物とジアミンは、一方、または、両方にスルホン
基を有し、かつ、生成するポリアミド酸のポリマー中の
カルボキシル基濃度が２.６ｍｍｏｌ／ｇ以下となる組
み合わせであれば、特に限定されるものではない。特
に、カルボキシル基濃度が１.３〜２.２ｍｍｏｌ／ｇが
好ましい。

【００３４】上記のポリアミド酸は、酸無水物とジアミ
ンとを重付加重合することにより簡単に得られる。前記
一般式〔１〕中のＲ¹は、脂肪族テトラカルボニルまた
は芳香族テトラカルボニル構造を表し、原料モノマーの
テトラカルボン酸二無水物の中心骨格にあたる。

【００３５】該テトラカルボン酸二無水物中、スルホン
基を有するものとしては、ビス（３,４−ジカルボキシ
フェニル）スルホン酸二無水物（ＤＳＤＡ）：式
〔２〕、ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾイル
オキシ）フェニル〕スルホン酸二無水物（ＳＯＴＭ
Ｅ）：式〔３〕、ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベ
ンズアミノ）フェニル〕スルホン酸二無水物（ＳＯＴＭ
Ａ）：式〔４〕、ビス〔４−（３,４−ジカルボキシフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン酸二無水物（ＳＯＰＯ
Ｐ）：式〔５〕などが挙げられる。

【００３６】

【化３】

【００３７】スルホン基を含まないテトラカルボン酸二
無水物も、スルホン基を有するジアミンと組み合わせ、
かつ、生成したポリアミド酸のポリマー中のカルボキシ
ル基濃度が２.６ｍｍｏｌ／ｇ以下であれば用いること
ができる。

【００３８】具体的には、ピロメリット酸二無水物、
３,３',４,４'−テトラカルボキシビフェニル酸二無水
物、ビス（３,４−ジカルボキシフェニル）ケトン酸二
無水物、ビス（３,４−ジカルボキシフェニル）エーテ
ル酸二無水物、２,２−ビス（３,４−ジカルボキシフェ
ニル）−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン
酸二無水物、２,２−ビス〔４−（３,４−ジカルボキシ
ベンゾイルオキシ）−３−メチルフェニル〕プロパン酸
二無水物、ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾイ
ルオキシ）フェニル〕ケトン酸二無水物、１,１−ビス
〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕−１−フェニルエタン酸二無水物、２,２−ビス
〔４−（３,４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
プロパン酸二無水物、ビス〔４−（３,４−ジカルボキ
シフェノキシ）フェニル〕ケトン酸二無水物などが挙げ
られる。

【００３９】前記一般式〔１〕中のＲ²は、脂肪族ジア
ミンまたは芳香族ジアミン構造を表し、原料モノマーの
ジアミンの中心骨格にあたる。該ジアミン中、スルホン
基を有するものとしては、ビス−（４−アミノフェニ
ル）スルホン〔ＤＤＳＯ４〕：式〔６〕、ビス−（３−
アミノフェニル）スルホン〔ＤＤＳＯ３〕：式〔７〕、
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン〔ＢＡＰＳ３〕：式〔８〕、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホン〔ＢＡＰＳ４〕：式

〔９〕、Ｎ，Ｎ,−ビス〔４−（４−アミノフェニル）
スルホニルフェニル〕イソフタルアミド〔ＳＯＩＰ
Ｃ〕：式〔１０〕などが挙げられる。

【００４０】

【化４】

【００４１】スルホン基を含まないジアミンも、スルホ
ン基を有するテトラカルボン酸二無水物と組み合わせ、
かつ、生成したポリアミド酸のポリマー中のカルボキシ
ル基濃度が２.６ｍｍｏｌ／ｇ以下であれば用いること
ができる。

【００４２】具体的には、１,４−ジアミノベンゼン、
１,３−ジアミノベンゼン、４,４'−ジアミノビフェニ
ル、４,４'−ジアミノ−２,２,−ジメチルビフェニル、
ビス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（４−アミノ
フェニル）エーテル、１,３−ビス（３−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、２,２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、ビス（４−アミノフェニ
ル）ケトン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロ
パン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）−１,１,１,
３,３,３−ヘキサフルオロプロパン、ビス〔４−（４−
アミノベンゾイルオキシ）フェニル〕メタン、ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス
〔（３−アミノプロピル）ジフェニルシリル〕エーテル
などが挙げられる。

【００４３】未露光部の溶解速度がさらに低いと、現像
における未露光部の膜減りが少なく、得られたレリーフ
パターンのパターン精度が向上する。従って、使用する
テトラカルボン酸二無水物とジアミンは、生成するポリ
アミド酸のポリマー中のカルボキシル基濃度が２.２ｍ
ｍｏｌ／ｇ以下となる組み合わせがさらに好ましい。

【００４４】具体的な組み合わせとしては、スルホン基
を有する酸無水物としてＤＳＤＡ：式〔２〕を用いた場
合、ジアミンとしてはＳＯＩＰＣ：式〔１０〕が、スル
ホン基を有する酸無水物としてＳＯＴＭＥ：式〔３〕、
ＳＯＴＭＡ：式〔４〕またはＳＯＰＯＰ：式〔５〕を用
いた場合、ジアミンとしてはＢＡＰＳ３：式〔８〕、Ｂ
ＡＰＳ４：式

〔９〕またはＳＯＩＰＣ：式〔１０〕、
２,２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパンが挙げられる。

【００４５】他の具体的な組み合わせとしては、スルホ
ン基を有するジアミンとしてＢＡＰＳ３：式〔８〕、Ｂ
ＡＰＳ４：式

〔９〕またはＳＯＩＰＣ：式〔１０〕を用
いた場合、テトラカルボン酸二無水物としては２,２−
ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）
−３−メチルフェニル〕プロパン酸二無水物、ビス〔４
−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニ
ル〕ケトン酸二無水物、１，１−ビス〔４−（３，４−
ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕−１−フェ
ニルエタン酸二無水物、２,２−ビス〔４−（３,４−ジ
カルボキフェノキシ）フェニル〕プロパン酸二無水物、
ビス〔４−（３,４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル〕ケトン酸二無水物などが挙げられる。

【００４６】スルホン基を有するジアミンとしてＳＯＩ
ＰＣ：式〔１０〕を用いた場合、上記のテトラカルボン
酸二無水物以外に、３,３',４,４'−テトラカルボキシ
ビフェニル酸二無水物、ビス（３,４−ジカルボキシフ
ェニル）ケトン酸二無水物、ビス（３,４−ジカルボキ
シフェニル）エーテル酸二無水物、２,２−ビス（３,４
−ジカルボキシフェニル）−１,１,１,３,３,３−ヘキ
サフルオロプロパン酸二無水物なども用いることができ
る。

【００４７】生成するポリアミド酸のポリマー中のカル
ボキシル基濃度の下限は、ポリアミド酸の溶解速度が低
すぎると、感光性樹脂組成物フィルムの感度が低くなる
ので、実用上、１.３ｍｍｏｌ／ｇ以上が望ましい。

【００４８】ポリアミド酸の合成において、テトラカル
ボン酸二無水物の一部をジカルボン酸二塩化物に代える
ことによってポリマー中のカルボキシル基濃度を任意に
変えることが可能である。テトラカルボン酸二無水物、
ジアミンおよびジカルボン酸二塩化物の組み合わせとし
ては、生成するポリアミド酸のポリマー中のカルボキシ
ル基濃度が２.６ｍｍｏｌ／ｇ以下、かつ、少なくと
も、スルホン基が１つ含まれていれば、特に限定される
ものではない。

【００４９】前記一般式〔１〕中のＲ³は、脂肪族ジカ
ルボニルまたは芳香族ジカルボニル構造を表し、原料モ
ノマーのジカルボン酸二塩化物の中心骨格にあたる。

【００５０】該ジカルボン酸二塩化物としては、フタル
酸二塩化物、イソフタル酸二塩化物、テレフタル酸二塩
化物、４,４'−ジカルボキシビフェニル酸二塩化物、ビ
ス（４−カルボキシフェニル）スルホン酸二塩化物、ビ
ス（４−カルボキシフェニル）エーテル酸二塩化物など
が挙げられる。

【００５１】前記一般式〔１〕において、アルカリ溶液
に対する溶解性を適度に調節するため、繰り返し単位の
構成比を表すＸは５〜１００モル％の値を選択できる。
Ｘの値が５％未満であると露光部の溶解速度が低く、感
度が低くなる。また、Ｘの値が１００％は、カルボン酸
二無水物とジアミンの重合に相当する。

【００５２】本発明において、光によって酸を発生する
物質としては、オルトキノンジアジド化合物、アルキル
スルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イ
ミノスルホン酸エステル、ニトロベンジルスルホン酸エ
ステル、α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エ
ステル、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホン酸エステル、α
−スルホニルオキシケトン、ジスルホニルジアゾメタン
などが挙げられる。

【００５３】オルトキノンジアジド化合物としては、分
子内にオルトキノンジアジド基を含有する化合物であれ
ばよく特に限定されない。該オルトキノンジアジド基と
しては、１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル基、１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５
−スルホニル基などが挙げられる。

【００５４】上記オルトキノンジアジド化合物は、通
常、オルトキノンジアジドスルホン酸塩化物と、水酸基
を有する化合物、アミノ基を有する化合物、または水酸
基とアミノ基を有する化合物との縮合反応により得られ
る。

【００５５】上記水酸基を有する化合物としては、１,
２−ジヒドロキシベンゾフェノン、２,３,４−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、２,２',４,４'−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−
［４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル
エチル〕フェニル］エタンなどが挙げられる。

【００５６】上記アミノ基を有する化合物としては、ア
ニリン、ベンジルアミン、１−ナフチルアミン、２−ナ
フチルアミン、へキシルアミン、オクチルアミン、ドデ
シルアミン、オクタデシルアミン、１,３−ジアミノベ
ンゼン、１,４−ジアミノベンゼン、４,４'−ジアミノ
ビフェニル、４,４'−ジアミノジフェニルメタン、４,
４'−ジアミノジフェニルエーテル、４,４'−ジアミノ
ジフェニルケトン、４,４'−ジアミノジフェニルスルフ
ォン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
２,２−ビス（４−アミノフェニル）−１,１,１,３,３,
３−ヘキサフルオロプロパン、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン、１,２,４−トリアミノ
ベンゼン、１,３,５−トリアミノベンゼン、３,４,４'
−トリアミノジフェニルエーテル、３,３',４,４'−ジ
アミノビフェニル、３,３',４,４'−テトラアミノジフ
ェニルエーテル、３,３',４,４'−テトラアミノジフェ
ニルスルフォン、１,２−ジアミノエチレン、Ｎ,Ｎ'−
ジメチル−１,２−ジアミノエチレン、１,３−ジアミノ
プロパン、１,４−ジアミノブタン、Ｎ,Ｎ'−ジメチル
−１,４−ジアミノブタン、１,６−ジアミノヘキサン、
１,８−ジアミノオクタン、１,１０−ジアミノデカン、
１,１２−ジアミノドデカン、２−ブチル−２−エチル
−１,５−ペンタンジアミン、４−アミノメチル−１,８
−ジアミノオクタン、ジエチレントリアミン、ビス（ヘ
キサメチレン）トリアミン、トリエチレンテトラミン、
テトラエチレンペンタミンなどが挙げられる。

【００５７】上記水酸基とアミノ基を有する構造として
は、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４
−アミノフェノール、２,３−ジアミノフェノール、２,
４−ジアミノフェノール、４−アミノレゾルシノール、
４,４'−ジアミノ−３,３'−ジヒドロキシビフェニル、
３,３'−ジアミノ−４,４'−ジヒドロキシビフェニル、
２−アミノエタノール、Ｎ−メチル−２−アミノエタノ
ール、３−アミノプロパノール、２−アミノブタノー
ル、２−アミノ−３−メチルブタノール、４−アミノブ
タノール、５−アミノペンタノール、６−アミノヘキサ
ノール、４−アミノシクロヘキサノール、２−アミノヘ
プタノール、６−アミノ−２−メチル−２−ヘプタノー
ル、８−アミノオクタノール、１０−アミノデカノー
ル、１２−アミノドデカノール、１−アミノ−２,３−
プロパンジオール、２−アミノ−１,３−プロパンジオ
ール、２−アミノ−２−エチル−１,３−プロパンジオ
ール、ビスーホモトリス、トリス（ヒドロキシメチル）
アミノメタンなどが挙げられる。

【００５８】上記オルトキノンジアジド化合物は、樹脂
成分に対して５〜１００重量％添加するのが望ましく、
１０〜５０重量％がさらに望ましい。５％未満では溶解
阻害効果が小さく、感度、解像度が不十分である。１０
０％を超えるとフィルムが脆く、基板との接着性が不十
分となる。

【００５９】本発明は、前記方法によって合成されたポ
リアミド酸と、光によって酸を発生する物質を混合する
ことによって容易に達成される。本発明において三重項
増感剤との併用、各種アミン化合物からなる密着向上
剤、界面活性剤等との併用が可能であることは云うまで
もない。

【００６０】電磁波の照射により、オルトキノンジアジ
ドスルホンアミドは極性の高いカルボキシル基を生成
し、カルボン酸重合体の溶解性を変化させる。即ち、極
性の高いカルボキシル基が生成するため、アルカリ溶液
に対する溶解性が向上して、ポジ像が得ることが可能に
なる。

【００６１】前記レリーフパターンは極性の高いカルボ
キシル基の生成に基づくため、樹脂組成物中のカルボキ
シル基、水酸基と塩基発生剤の量が重要となる。これら
の配合量について検討した結果、カルボキシル基を含む
高分子が全樹脂成分に対して２０重量％以上とした場合
に、良好なレリーフパターンが得られることが分かっ
た。

【００６２】

【実施例】

〔実施例 １〕１,３−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン（ＢＡＰＢ）５.８４７ｇ（２０ｍｍｏｌ）の
ＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室温で、ビス〔４−（３,
４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル〕スルホ
ン酸二無水物（ＳＯＴＭＥ）１１.９７ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）を添加し、室温で１０時間撹拌する。反応液を水
（１.５ｌ）に滴下することによりポリアミド酸（ＳＯ
ＴＭＥ／ＢＡＰＢ）固体（［ｃ］＝２.２ｍｍｏｌ／
ｇ）１６.１ｇを得た。

【００６３】１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５
−スルホニルクロリド１０.８ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ビ
ス（４−アミノフェニル）エーテル４.００ｇ（２０.０
ｍｍｏｌ）のジオキサン溶液（５０ｍｌ）に、１０℃で
トリエチルアミン６.７ｍｌ（１２０ｍｍｏｌ）を滴下
し、室温で３時間攪拌する。濾過後、濾液を１Ｎ塩酸水
溶液（２ｌ）に滴下することにより４,４'−ビス（１,
２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニルアミ
ノ）ジフェニルエーテル（ＤＤＥ−Ｑ）１２.５ｇ（９
４％）を得た。

【００６４】固形分含量２０重量％のポリアミド酸（Ｓ
ＯＴＭＥ／ＢＡＰＢ）のＮ−メチルピロジノン（ＮＭ
Ｐ）溶液を調製し、上記調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１
１〕

【００６５】

【化５】

【００６６】を、固形分に対して２５重量％加え感光性
樹脂組成物を得た。

【００６７】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
し、膜厚６.８μｍのフィルムを調製した。

【００６８】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０秒
現像したところ、未露後部の残膜率８５％で、ポジ型の
１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。さら
に３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以
上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有するレリ
ーフパターンを得ることができた。

【００６９】〔実施例 ２〕実施例１で調製したポリア
ミド酸（ＳＯＴＭＥ／ＢＡＰＢ）（［ｃ］＝２.２ｍｍ
ｏｌ／ｇ）を固形分含量で２３重量％含むＮＭＰ溶液を
調製する。２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホン酸の３置換エステル化合物（４ＮＴ−３００）を固
形分に対して２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００７０】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.６μｍのフィルムを調製した。

【００７１】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して１０００ｍＪ／ｃｍ²照
射した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０
秒現像したところ、未露後部の残膜率９３％で、ポジ型
の１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。さ
らに３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃
以上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有するレ
リーフパターンを得ることができた。

【００７２】〔実施例 ３〕実施例１で調製したポリア
ミド酸（ＳＯＴＭＥ／ＢＡＰＢ）（［ｃ］＝２.２ｍｍ
ｏｌ／ｇ）を固形分含量で２３重量％含むＮＭＰ溶液を
調製する。トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタ
ルイミド、式〔１２〕を、固形分に対して２５重量％加
え感光性樹脂組成物を得た。

【００７３】

【化６】

【００７４】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.６μｍのフィルムを調製した。

【００７５】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して１５００ｍＪ／ｃｍ²照
射した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５０
秒現像したところ、未露後部の残膜率９４％で、ポジ型
の１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。さ
らに３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃
以上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有するレ
リーフパターンを得ることができた。

【００７６】〔実施例 ４〕ビス−（４−アミノフェニ
ル）スルホン（ＤＤＳＯ）４.９６６ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）のＮＭＰ（２５ｍｌ）溶液に室温で、１,１−ビス
〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェ
ニル〕−１−フェニルエタン酸二無水物（ＭＰＴＭＥ）
１２.７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で１０時間
撹拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴下することによ
りポリアミド酸（ＭＰＴＭＥ／ＤＤＳＯ）（［ｃ］＝
２.３ｍｍｏｌ／ｇ）固体１６.９ｇを得た。

【００７７】固形分含量２２重量％のポリアミド酸（Ｍ
ＰＴＭＥ／ＤＤＳＯ）のＮＭＰ溶液を調製し、実施例１
で調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１１〕を、固形分に対して
２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００７８】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.０μｍのフィルムを調製した。

【００７９】高圧水銀灯の光をｉ線バンドパスフィルタ
および遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射し
た。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で４０秒現
像したところ、未露後部の残膜率８０％で、ポジ型の１
０μｍ□のホールパターンを得ることができた。さらに
３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以上
で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有するレリー
フパターンを得ることができた。

【００８０】〔実施例 ５〕１,３−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン（ＢＡＰＢ）５.８４７ｇ（２０
ｍｍｏｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室温で、ビス
〔４−（３,４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕
スルホン酸二無水物（ＳＯＰＯＰ）１０.８５ｇ（２０
ｍｍｏｌ）を添加し室温で１０時間撹拌する。反応液を
水（１.５ｌ）に滴下することによりポリアミド酸（Ｓ
ＯＰＯＰ／ＢＡＰＢ）（［ｃ］＝２.４ｍｍｏｌ／ｇ）
固体１６.１ｇを得た。

【００８１】固形分含量１８重量％のポリアミド酸（Ｓ
ＯＰＯＰ／ＢＡＰＢ）のＮＭＰ溶液を調製し、実施例１
で調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１１〕を、固形分に対して
２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００８２】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.８μｍのフィルムを調製した。

【００８３】高圧水銀灯の光を、遮光性マスクを介して
５００ｍＪ／ｃｍ²照射した。次いで、ＴＭＡＨの２.３
８％水溶液中で４０秒現像したところ、未露後部の残膜
率８０％で、ポジ型の１０μｍ□のホールパターンを得
ることができた。さらに３００℃で１時間熱処理し、熱
分解温度が４５０℃以上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ
張り強度を有するレリーフパターンを得ることができ
た。

【００８４】〔実施例 ６〕ビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン（ＢＡＰＳ３）８.６５
０ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室
温で、ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾイルオ
キシ）フェニル〕スルホン酸二無水物（ＳＯＴＭＥ）１
１.９７ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で１０時間撹
拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴下することにより
ポリアミド酸（ＳＯＴＭＥ／ＢＡＰＳ３）（［ｃ］＝
１.９ｍｍｏｌ／ｇ）固体１９.７ｇを得た。

【００８５】固形分含量２２重量％のポリアミド酸（Ｓ
ＯＴＭＥ／ＢＡＰＳ３）のＮＭＰ溶液を調製し、実施例
１で調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１１〕を、固形分に対し
て２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００８６】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、８０℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.２μｍのフィルムを調製した。

【００８７】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で１分２
０秒現像したところ、未露後部の残膜率９２％で、ポジ
型の１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。
さらに３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０
℃以上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有する
レリーフパターンを得ることができた。

【００８８】〔実施例 ７〕ビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン（ＢＡＰＳ３）８.６５
０ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室
温で、ビス〔４−（３,４−ジカルボキシフェノキシ）
フェニル〕スルホン酸二無水物（ＳＯＰＯＰ）１０.８
５ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で１０時間撹拌す
る。反応液を水（１.５ｌ）に滴下することによりポリ
アミド酸（ＳＯＰＯＰ／ＢＡＰＳ３）（［ｃ］＝２.１
ｍｍｏｌ／ｇ）固体１６.８ｇを得た。

【００８９】固形分含量１６重量％のポリアミド酸（Ｓ
ＯＰＯＰ／ＢＡＰＳ３）のＮＭＰ溶液を調製し、実施例
１で調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１１〕を、固形分に対し
て２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００９０】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚５.８μｍのフィルムを調製した。

【００９１】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で４０秒
現像したところ、未露後部の残膜率９５％で、ポジ型の
１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。さら
に３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以
上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有するレリ
ーフパターンを得ることができた。

【００９２】〔実施例 ８〕ビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン（ＢＡＰＳ３）８.６５
０ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室
温で、２,２−ビス〔４−（３,４−ジカルボキシベンゾ
イルオキシ）−３−メチルフェニル〕プロパン酸二無水
物（ＤＭＴＭＥ）１２.１２ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加
し室温で１０時間撹拌する。反応液を水（１.５ｌ）に
滴下することによりポリアミド酸（ＤＭＴＭＥ／ＢＡＰ
Ｓ３）（［ｃ］＝１.９ｍｍｏｌ／ｇ）固体２０.０ｇを
得た。

【００９３】固形分含量１６重量％のポリアミド酸（Ｄ
ＭＴＭＥ／ＢＡＰＳ３）のＮＭＰ溶液を調製し、実施例
１で調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１１〕を、固形分に対し
て２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００９４】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.２μｍのフィルムを調製した。

【００９５】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で４０秒
現像したところ、未露後部の残膜率９７％で、ポジ型の
１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。さら
に３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０℃以
上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有するレリ
ーフパターンを得ることができた。

【００９６】〔実施例 ９〕ビス−（４−アミノフェニ
ル）スルホン（ＤＤＳＯ）４.９６６ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）のＮＭＰ（６８ｍｌ）溶液に室温でビス（３,４−
ジカルボキシフェニル）スルホン酸二無水物（ＤＳＤ
Ａ）２.８６６ｇ（８ｍｍｏｌ）を添加する。２時間撹
拌後、イソフタル酸二無水物（ＩＰＣ）２.４３６ｇ
（１２ｍｍｏｌ）を添加し、２時間撹拌する。５℃でト
リエチルアミン２.９ｍｌ（２１ｍｍｏｌ）を添加し、
室温で１０時間撹拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴
下することによりポリアミド酸（ＤＳＤＡ／ＩＰＣ／Ｄ
ＤＳＯ）（［ｃ］＝１.７ｍｍｏｌ／ｇ）固体９.９０ｇ
を得た。

【００９７】固形分含量１６重量％のポリアミド酸（Ｄ
ＳＤＡ／ＩＰＣ／ＤＤＳＯ）のＮＭＰ溶液を調製し、実
施例１で調製したＤＤＥ−Ｑ、式〔１１〕を、固形分に
対して２５重量％加え感光性樹脂組成物を得た。

【００９８】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、８０℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.２μｍのフィルムを調製した。

【００９９】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で１分３
０秒現像したところ、未露後部の残膜率９６％で、ポジ
型の１０μｍ□のホールパターンを得ることができた。
さらに３００℃で１時間熱処理し、熱分解温度が４５０
℃以上で１５ｋｇ／ｍｍ²以上の引っ張り強度を有する
レリーフパターンを得ることができた。

【０１００】〔実施例 １０〕本発明の感光性樹脂組成
物を用いたバッファーコート膜の製造工程を図１に示
す。

【０１０１】ＬＳＩの配線形成が終了したシリコンウエ
ハ１上に、実施例１の感光性樹脂組成物３を塗布した。
次いで、露光、現像によりボンディングワイヤ接続用の
ホールを有するバファーコート膜をポリイミド４で形成
した。現像工程で有機溶剤を用いないために、有機物廃
棄設備が不要となり、廃溶剤処理の負担が大幅に軽減さ
れた。

【０１０２】〔実施例 １１〕本発明の感光性樹脂組成
物を用いた銅／ポリイミド配線を有するＬＳＩの製造工
程を図２に示す。

【０１０３】図２（ａ）に示すようにシリコンウエハ１
上に実施例１で用いた感光性樹脂組成物３をスピンコー
トする。同図（ｂ）に示すように露光、現像により配線
パターンを形成し、熱イミド化により膜厚約０.７μｍ
のポリイミド４を得る。

【０１０４】次いで、同図（ｃ）ではスパッタでタンタ
ル／銅８（ポリイミド４の保護膜）を８００Å形成後、
その上に約１μｍの銅９を形成した。同図（ｄ）ではＣ
ＭＰ（Ｃhemical−Ｍechanical Ｐolish）で銅９を平
坦に研磨し配線層を得た。

【０１０５】同図（ａ）−（ｄ）を繰り返すことによ
り、同図（ｆ）の銅／ポリイミド配線を有するＬＳＩを
作成した。現像工程で有機溶剤を用いないために、有機
物廃棄設備が不要となり、廃溶剤処理の負担が大幅に軽
減された。

【０１０６】〔実施例 １２〕本発明の感光性樹脂組成
物を用いた多層Ａｌ配線構造を有するＬＳＩの製造工程
を図３に示す。

【０１０７】図３（ａ）に示すような、表面にＳｉＯ₂
層１１を有するシリコンウエハ１にＡｌ被膜を形成し、
これを公知のエッチングで不要部分のＡｌ被膜を除去し
て所望の配線パターンを有する第１のＡｌの配線層１２
を設ける。該配線層１２はＳｉＯ₂層１１の所定の箇所
に設けたスルーホールを介して半導体素子と電気的に接
続される。

【０１０８】次に、図３（ｂ）に示すように、実施例１
で用いた感光性樹脂組成物３をスピンコートする。同図
（ｃ）に示すように露光、現像により配線パターンを形
成し、熱イミド化により膜厚約０.５μｍのポリイミド
４を得る。同図（ｄ）に示すように、該ポリイミド４に
前記と同様にしてＡｌ被膜からなる第２の配線層１２’
を形成し、第１の配線層１２と電気的に接続することに
よって回路を形成する。

【０１０９】同図（ａ）−（ｄ）を繰り返すことによ
り、多層Ａｌ配線構造を有するＬＳＩを作成した。現像
工程で有機溶剤を用いないために、有機物廃棄設備が不
要となり、廃溶剤処理の負担が大幅に軽減された。

【０１１０】〔比較例 １〕ビス−（４−アミノフェニ
ル）スルホン（ＤＤＳＯ）４.９６６ｇ（２０ｍｍｏ
ｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に室温で、ビス（３,
４−ジカルボキシフェニル）エーテル酸二無水物（ＯＤ
ＰＡ）４.００４ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で１
０時間撹拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴下するこ
とによりポリアミド酸（ＯＤＰＡ／ＤＤＳＯ）（［ｃ］
＝３.６ｍｍｏｌ／ｇ）固体８.６６ｇを得た。

【０１１１】実施例１における、ポリアミド酸（ＳＯＴ
ＭＥ／ＢＡＰＢ）の代わりに、上記調製したポリアミド
酸（ＯＤＰＡ／ＤＤＳＯ）を用いる以外は全く同様の方
法で感光性樹脂組成物を得た。

【０１１２】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.０μｍのフィルムを調製した。

【０１１３】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で５秒間
現像すると、フィルム全体が溶解してしまい、ポジ型の
パターンを得ることができなかった。

【０１１４】〔比較例 ２〕１,３−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン（ＢＡＰＢ）５.８４７ｇ（２０
ｍｍｏｌ）のＮＭＰ（１１０ｍｌ）溶液に、室温で２,
２−ビス（３,４,−ジカルボキシフェニル）−１,１,
１,３,３,３−ヘキサフルオロプロパン酸二無水物（６
ＦＤＡ）８.８８５ｇ（２０ｍｍｏｌ）を添加し室温で
１０時間撹拌する。反応液を水（１.５ｌ）に滴下する
ことによりポリアミド酸（６ＦＤＡ／ＢＡＰＢ）
（［ｃ］＝３.２ｍｍｏｌ／ｇ）固体８.６６ｇを得た。

【０１１５】実施例１における、ポリアミド酸（ＳＯＴ
ＭＥ／ＢＡＰＢ）の代わりに、上記調製したポリアミド
酸（６ＦＤＡ／ＢＡＰＢ）を用いる以外は全く同様の方
法で感光性樹脂組成物を得た。

【０１１６】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってシリコンウエハ上に塗布後、９５℃で３分間乾燥
することにより膜厚６.２μｍのフィルムを調製した。

【０１１７】高圧水銀灯の光を、ｉ線バンドパスフィル
タおよび遮光性マスクを介して５００ｍＪ／ｃｍ²照射
した。次いで、ＴＭＡＨの２.３８％水溶液中で２分間
現像すると、フィルム全体が、膨潤してシリコンウエハ
から剥離し、ポジ型のパターンを得ることができなかっ
た。

【０１１８】〔実施例 １３〕本発明の感光性樹脂組成
物を用いたＳＴＮ液晶表示素子の製造工程を図４に示
す。実施例１で用いた感光性樹脂組成物を透明電極１５
を設けたガラス基板１６上にスピンコートする。

【０１１９】幅０.２５μｍのラインとスペースが交互
に設けられ、該ラインとスペースが、５μｍの繰り返し
長で、０〜１００％の透過率を有するマスクを用いて露
光し、次いで、現像することにより、幅０.２５μｍの
ラインとスペースとそれに直行する方向に沿って５μｍ
のピッチで凸凹形状を有し、該凸凹の断面形状を左右非
対称とした配線パターンを形成する。

【０１２０】熱イミド化により膜厚約０.２μｍのポリ
イミド１８を得る。この２枚を１０μｍのスペーサを介
して有機シール（エポキシ樹脂）を施し、素子を作成し
た。

【０１２１】この素子にＳＴＮ液晶組成物（ＺＬＩ−２
２９３：メルク社製）を注入した後、注入口をエポキシ
樹脂で封止して液晶セルを作製した。

【０１２２】このセルをクロスニコル中で回転したとこ
ろ明瞭な明暗が見とれられ、幅０.２５μｍのラインと
スペース方向に良好に配向していることが確認された。
現像工程で有機溶剤を用いないために、廃棄設備、廃溶
剤処理の負担が大幅に軽減された。

【０１２３】

【発明の効果】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、ア
ルカリ溶剤で現像でき、高感度、高解像度、高膜厚のレ
リーフパターンを有するフィルムを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】感光性樹脂組成物を用いたバッファーコート膜
の製造工程図である。

【図２】感光性樹脂組成物を用いた銅／ポリイミド配線
を有するＬＳＩの製造工程図である。

【図３】感光性樹脂組成物を用いた多層Ａｌ配線構造を
有するＬＳＩの製造工程図である。

【図４】感光性樹脂組成物を用いたＳＴＮ液晶表示素子
の製造工程図である。

【符号の説明】

１…シコンウエハ、２…ボンディングパッド、３…感光
性樹脂組成物、４…ポリイミド、８…タンタル／銅、９
…銅、１０…シリコンウエハ、１１…ＳｉＯ₂層、１２
…配線層、１５…透明電極、１６…ガラス基板、１７…
感光性樹脂、１８…ポリイミド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 21/312 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 上野 巧 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 岡部 義昭 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリマー中のカルボキシル基濃度が２.
   ６ｍｍｏｌ／ｇ以下であるスルホン基を有する一般式
   〔１〕 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれイミド基、側
   鎖アルコシキカルボニル基を含まず酸素原子、硫黄原
   子、メチレン、アミン、カルボニル、スルホン、エステ
   ル、スルホンエステル、アミド、尿素、カーボネート、
   カーバメートの多価の連結基を有してもよい炭素数６〜
   ５０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環
   基であって、その少なくとも一つにスルホン基を有し、
   繰り返し単位の構成比を表すＸは５〜１００モル％）で
   示されるポリマーと、光により酸を発生する物質を含む
   ことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 前記光により酸を発生する物質がオルト
   キノンジアジド化合物である請求項１に記載のポジ型感
   光性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 前記ポリマー中のカルボキシル基濃度が
   １.３〜２.２ｍｍｏｌ／ｇである請求項１または２に記
   載のポジ型感光性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３に記載の感光性樹
   脂組成物を、基板上に塗布し乾燥する工程、フォトマス
   クを介して電磁波を照射する工程、該感光性樹脂組成物
   をアルカリ性現像液で現像しパターン形成する工程を含
   むことを特徴とするパターン形成方法。
5. 【請求項５】 電子装置の回路形成面または保護膜形成
   面に請求項１，２または３に記載の感光性樹脂組成物
   を、塗布し乾燥する工程、フォトマスクを介して電磁波
   を照射する工程、該感光性樹脂組成物をアルカリ性現像
   液で現像しパターン形成する工程を含むことを特徴とす
   る電子装置の製法。
6. 【請求項６】 電子回路の回路形成面または保護膜形成
   面に、樹脂組成物からなるパッシベーション膜を形成す
   る電子装置の製法において、前記パッシベーション膜と
   して請求項１，２または３に記載の感光性樹脂組成物
   を、塗布し乾燥する工程、フォトマスクを介して電磁波
   を照射する工程、該感光性樹脂組成物をアルカリ性現像
   液で現像しパターン形成する工程を含むことを特徴とす
   る電子装置の製法。