JPH10242819A - Variable delay circuit - Google Patents

Variable delay circuit

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JPH10242819A
JPH10242819A JP9043905A JP4390597A JPH10242819A JP H10242819 A JPH10242819 A JP H10242819A JP 9043905 A JP9043905 A JP 9043905A JP 4390597 A JP4390597 A JP 4390597A JP H10242819 A JPH10242819 A JP H10242819A
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JP
Japan
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delay
pulse signal
circuit
signal
variable
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JP9043905A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Fukusako
真一 福迫
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate an error in the case of setting a delay in a variable delay circuit. SOLUTION: An NMOS 12 provides resistance in response to a control signal S30 and configures a delay means tog ether with a capacitor 13. An input pulse signal Sin is delayed by a buffer 11, an NMOS 12 and the capacitor 13 and the delayed signal is given to a buffer 14, from which an output pulse signal Sout is outputted. A phase difference between the signal Sout and the signal Sin is extracted by an exclusive OR circuit 21, and a mean value detection circuit 22 obtains a mean value of phase differences. A comparator 31 compares the mean value obtained by the mean value detection circuit 22 with an output level Vt1 of a variable reference power supply 32 and gives a control signal S30 to a gate of the NMOS 12 for automatically control so that they are coincident with each other and the delay in the signal Sout is made constant. Thus, a desired delay amount is obtained by monitoring the mean value outputted from the mean value detection circuit 22 so as to adjust the output level Vt1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
に設けられ、特にクロック信号等の位相調整を行う可変
遅延回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable delay circuit provided in a semiconductor integrated circuit or the like, and particularly to a phase adjustment of a clock signal or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の一般的な可変遅延回路では、入力
信号を入力して該電流を出力する入力バッファと、その
電流を充放電するコンデンサと、波形整形用バッファと
を備えている。入力バッファには、可変電流源が内臓さ
れ、可変電流源の電流値を設定することで、コンデンサ
に対する放電の速さを変化させている。そして、コンデ
ンサの出力電圧を波形整形用バッファで波形整形して出
力する構成になっている。
2. Description of the Related Art A conventional general variable delay circuit includes an input buffer for inputting an input signal and outputting the current, a capacitor for charging and discharging the current, and a waveform shaping buffer. The input buffer includes a variable current source, and the current value of the variable current source is set to change the speed of discharging to the capacitor. The output voltage of the capacitor is shaped by a waveform shaping buffer and output.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
可変遅延回路では、次のような課題があった。図2は、
従来の可変遅延回路例を示す回路図である。この可変遅
延回路は、入力端子INから与えられた入力信号S1の
位相調整(遅延)を行うものであり、入力端子INから
の信号S1を駆動する入力バッファ1と、コンデンサ2
と、波形整形用バッファ3とで構成されている。バッフ
ァ1には、可変電流源1aが内蔵されている。可変電流
源1aは、遅延量制御端子Tcから与えられた遅延量制
御信号Scによって電流供給量が変化するようになって
いる。コンデンサ2の一方の電極は、バッファ1の出力
端子に接続され、他方の電極がグランドGに接続されて
いる。コンデンサ2とバッファ1の出力端子との接続点
が、バッファ3の入力端子に接続されている。バッファ
3の出力端子OUTから位相制御された出力信号S2が
出力される構成になっている。
However, the conventional variable delay circuit has the following problems. FIG.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a conventional variable delay circuit example. This variable delay circuit adjusts (delays) the phase of an input signal S1 supplied from an input terminal IN, and includes an input buffer 1 for driving a signal S1 from the input terminal IN, and a capacitor 2
And a waveform shaping buffer 3. The buffer 1 has a built-in variable current source 1a. The current supply amount of the variable current source 1a changes according to a delay amount control signal Sc given from a delay amount control terminal Tc. One electrode of the capacitor 2 is connected to the output terminal of the buffer 1 and the other electrode is connected to the ground G. The connection point between the capacitor 2 and the output terminal of the buffer 1 is connected to the input terminal of the buffer 3. The output signal S2 whose phase is controlled is output from the output terminal OUT of the buffer 3.

【0004】このような可変遅延回路では、入力端子I
Nから入力された信号S1が、バッファ1を経てバッフ
ァ3に伝達される。このとき、バッファ1中の可変電流
源1aの電流値とコンデンサ2の容量とによって決定さ
れる時定数に応じて、信号S1が遅延する。よって、遅
延量制御端子Tcから与えられる遅延量制御信号Scを
変させて調整することで、可変電流源1aの電流値が設
定され、任意の遅延量が得られる。遅延した信号S1が
バッファ3で波形成形され、波形整形された信号S2が
出力端子OUTから出力される。ところが、遅延量の設
定やその変更をする時には、オシロスコープ等を用いて
直接波形を監視しながら行う必要があった。ところが、
このオシロスコープのプローブや、遅延回路の配線は容
量成分を持っている。これらは、監視における雑音源に
なる。そのため、所望の遅延量を設定する際の雑音等の
影響により、遅延量に誤差が生じるという問題があっ
た。また、出力端子OUTに接続される負荷を変更した
場合、その負荷に応じて遅延量の再設定を行う必要があ
るという課題もあった。
In such a variable delay circuit, the input terminal I
The signal S1 input from N is transmitted to the buffer 3 via the buffer 1. At this time, the signal S1 is delayed according to a time constant determined by the current value of the variable current source 1a in the buffer 1 and the capacitance of the capacitor 2. Therefore, by changing and adjusting the delay amount control signal Sc provided from the delay amount control terminal Tc, the current value of the variable current source 1a is set, and an arbitrary delay amount can be obtained. The delayed signal S1 is waveform-shaped by the buffer 3, and the waveform-shaped signal S2 is output from the output terminal OUT. However, when setting or changing the delay amount, it is necessary to directly monitor the waveform using an oscilloscope or the like. However,
The oscilloscope probe and the wiring of the delay circuit have a capacitance component. These are sources of noise in monitoring. Therefore, there is a problem that an error occurs in the delay amount due to the influence of noise or the like when setting the desired delay amount. Further, when the load connected to the output terminal OUT is changed, there is another problem that the delay amount needs to be reset according to the load.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第1の発明は、入力手段から与えら
れた入力パルス信号を所望の遅延量だけ遅延し、該入力
パルス信号を遅延した出力パルス信号を負荷に与える可
変遅延回路において、次のような遅延手段、波形整形手
段、位相抽出回路、平均値検出回路、可変基準電源、及
び比較回路を備えている。遅延手段は、入力手段に接続
され、与えられた制御信号に基づき抵抗値が変化する可
変抵抗手段と、この可変抵抗手段に接続されたコンデン
サとを有し、可変抵抗手段の抵抗値とコンデンサの持つ
容量値とで入力パルス信号を遅延して遅延信号を生成す
るものである。波形整形手段は、その遅延信号に対して
波形整形を行い出力パルス信号を生成して負荷に与える
ものである。位相抽出回路は、出力パルス信号と入力パ
ルス信号との位相差を求めるものである。平均値検出回
路は、その位相差の平均値を求めて出力パルス信号と入
力パルス信号との間の遅延量を検出するものである。可
変基準電源は、可変の基準電位を出力するものである。
比較回路は、その平均値と基準電位とを比較し、比較結
果に対応する制御信号を生成するものである。そして、
基準電位のレベルの設定によって所望の遅延量が設定さ
れ、かつ、比較回路の生成する制御信号により、平均値
と該基準電位のレベルとが等しくなる制御を行う構成に
している。
According to a first aspect of the present invention, an input pulse signal provided from an input means is delayed by a desired delay amount, and A variable delay circuit for applying a delayed output pulse signal to a load includes the following delay means, waveform shaping means, phase extraction circuit, average value detection circuit, variable reference power supply, and comparison circuit. The delay means includes a variable resistance means connected to the input means and having a resistance value that changes based on a given control signal, and a capacitor connected to the variable resistance means. A delay signal is generated by delaying an input pulse signal with the capacitance value of the input pulse signal. The waveform shaping means performs waveform shaping on the delayed signal, generates an output pulse signal, and supplies the output pulse signal to a load. The phase extraction circuit calculates a phase difference between the output pulse signal and the input pulse signal. The average value detection circuit calculates the average value of the phase difference and detects the amount of delay between the output pulse signal and the input pulse signal. The variable reference power supply outputs a variable reference potential.
The comparison circuit compares the average value with a reference potential and generates a control signal corresponding to the comparison result. And
A desired amount of delay is set by setting the level of the reference potential, and control is performed such that the average value and the level of the reference potential are equalized by a control signal generated by the comparison circuit.

【0006】第2の発明は、入力手段から与えられた第
1の入力パルス信号を遅延し、該第1の入力パルス信号
を遅延した出力パルス信号を負荷に与える可変遅延回路
において、次のような遅延手段、波形整形手段、位相抽
出回路、平均値検出回路、可変基準電源、及び比較回路
を備えている。第2の発明の遅延回路は、入力手段に接
続され、与えられた制御信号に基づき抵抗値が変化する
可変抵抗手段と、該可変抵抗手段に接続されたコンデン
サとを有し、可変抵抗手段の抵抗値とコンデンサの持つ
容量値とで第1の入力パルス信号を遅延して遅延信号生
成するものである。波形整形手段は、遅延信号に対して
波形整形を行い出力パルス信号を生成して負荷に与える
機能を有している。位相差抽出回路は、外部から与えら
れ第1の入力パルス信号とは異なる第2の入力パルス信
号とその出力パルス信号との位相差を求める機能を有し
ている。平均値検出回路は、その位相差の平均値を求め
て出力パルス信号と第2の入力パルス信号との間の遅延
量を検出するものである。可変基準電源は、可変の基準
電位を出力する物である。比較回路は、平均値と基準電
位とを比較し、該比較結果に対応する制御信号を生成す
るものである。そして、基準電位のレベルによって第1
の入力パルス信号に対する遅延信号の遅延量が設定さ
れ、かつ、比較回路の生成する制御信号により、平均値
と基準電位のレベルが等しくなる制御を行う構成にして
いる。
According to a second aspect of the present invention, in a variable delay circuit for delaying a first input pulse signal provided from an input means and providing an output pulse signal obtained by delaying the first input pulse signal to a load, the following is provided. A delay means, a waveform shaping means, a phase extraction circuit, an average value detection circuit, a variable reference power supply, and a comparison circuit. A delay circuit according to a second aspect of the present invention includes a variable resistance means connected to the input means and having a resistance value that changes based on a given control signal, and a capacitor connected to the variable resistance means. The first input pulse signal is delayed by the resistance value and the capacitance value of the capacitor to generate a delay signal. The waveform shaping means has a function of shaping the waveform of the delay signal, generating an output pulse signal, and applying the output pulse signal to a load. The phase difference extracting circuit has a function of obtaining a phase difference between a second input pulse signal provided from outside and different from the first input pulse signal and an output pulse signal thereof. The average value detection circuit detects the average value of the phase difference and detects the amount of delay between the output pulse signal and the second input pulse signal. The variable reference power supply outputs a variable reference potential. The comparison circuit compares the average value with a reference potential and generates a control signal corresponding to the comparison result. Then, the first level depends on the level of the reference potential.
In this configuration, the amount of delay of the delay signal with respect to the input pulse signal is set, and control is performed such that the average value and the level of the reference potential are equalized by the control signal generated by the comparison circuit.

【0007】第1の発明によれば、以上のように可変遅
延回路を構成したので、遅延手段によって入力パルス信
号が遅延され、波形整形手段によって波形整形されて出
力パルス信号が負荷に与えられる。ここで、位相差抽出
回路により、入力パルス信号と出力パルス信号の位相差
が求められ、さらに、平均値検出回路によって位相差の
平均値が検出される。比較回路によって基準電位とその
平均値との比較が行われ、制御信号が生成される。この
制御信号によって遅延手段における遅延量が変化する。
よって、基準電位のレベルの設定によって制御信号のレ
ベルが定まり、遅延量が定まる。また、基準電位と平均
値との比較が結果がフィードバックされ、基準電位と平
均値とが等しくなるように制御されるので、負荷が変化
しても常に、所望の遅延量が得られる。第2の発明によ
れば、遅延回路によって第1の入力パルス信号が遅延さ
れ、波形整形手段によって波形整形されて出力パルス信
号が負荷に与えられる。ここで、位相差抽出回路によ
り、第2の入力パルス信号と出力パルス信号の位相差が
求められ、さらに、平均値検出回路によって位相差の平
均値が検出される。比較回路によって基準電位とその平
均値との比較が行われ、制御信号が生成される。この制
御信号によって遅延手段における遅延量が変化する。従
って、前記課題を解決できるのである。
According to the first aspect, since the variable delay circuit is configured as described above, the input pulse signal is delayed by the delay means, the waveform is shaped by the waveform shaping means, and the output pulse signal is provided to the load. Here, the phase difference between the input pulse signal and the output pulse signal is obtained by the phase difference extraction circuit, and the average value of the phase difference is detected by the average value detection circuit. The comparison circuit compares the reference potential with its average value to generate a control signal. The control signal changes the amount of delay in the delay means.
Therefore, the level of the control signal is determined by setting the level of the reference potential, and the delay amount is determined. In addition, the result of the comparison between the reference potential and the average value is fed back, and control is performed so that the reference potential and the average value become equal. Therefore, a desired delay amount is always obtained even when the load changes. According to the second aspect, the first input pulse signal is delayed by the delay circuit, the waveform is shaped by the waveform shaping means, and the output pulse signal is supplied to the load. Here, the phase difference between the second input pulse signal and the output pulse signal is obtained by the phase difference extraction circuit, and the average value of the phase difference is detected by the average value detection circuit. The comparison circuit compares the reference potential with its average value to generate a control signal. The control signal changes the amount of delay in the delay means. Therefore, the above problem can be solved.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】第1の実施形態 図1は、本発明の第1の実施形態を示す可変遅延回路の
回路図である。この可変遅延回路は、入力端子INと出
力端子OUTとの間に接続された入力手段である遅延部
10と、入力端子INと該遅延部10の出力側に接続さ
れた遅延量検出部20と、該遅延量検出部20の出力側
に接続された遅延量制御部30とを、有している。遅延
部10は、入力パルス信号Sinを遅延し、遅延した出力
パルス信号Sout を出力するものであり、遅延量制御部
30は、遅延部10の遅延量を制御する制御信号S30
をその遅延部10に与えるものである。遅延部10は、
入力端子INを介して入力パルス信号Sinを受信し、そ
の入力パルス信号Sinを駆動するバッファ11を備えて
いる。バッファ11の出力端子は、可変抵抗手段である
Nチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSとい
う)12のドレインに接続されている。NMOS12
は、ゲートに入力された制御信号S30によってドレイ
ンとソース間の抵抗値が変化する。NMOS12のソー
スには、コンデンサ13の一方の電極が接続されると共
に、バッファ14の入力端子に接続されている。コンデ
ンサ13の他方の電極は、グランドGに接続されてい
る。この変化する抵抗値を持つNMOS12とコンデン
サ13とは、遅延手段を構成している。バッファ14の
出力端子は、この可変遅延回路の出力端子OUTに接続
されると共に、遅延量検出部20に接続されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment FIG. 1 is a circuit diagram of a variable delay circuit showing a first embodiment of the present invention. The variable delay circuit includes a delay unit 10 as input means connected between an input terminal IN and an output terminal OUT; a delay amount detection unit 20 connected to the input terminal IN and an output side of the delay unit 10; And a delay amount control unit 30 connected to the output side of the delay amount detection unit 20. The delay unit 10 delays the input pulse signal Sin and outputs a delayed output pulse signal Sout. The delay amount control unit 30 controls the delay amount of the delay unit 10 by a control signal S30.
Is given to the delay unit 10. The delay unit 10
An input pulse signal Sin is received via an input terminal IN, and a buffer 11 for driving the input pulse signal Sin is provided. The output terminal of the buffer 11 is connected to the drain of an N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as NMOS) 12 which is a variable resistance means. NMOS 12
The resistance value between the drain and the source changes according to the control signal S30 input to the gate. The source of the NMOS 12 is connected to one electrode of the capacitor 13 and to the input terminal of the buffer 14. The other electrode of the capacitor 13 is connected to the ground G. The NMOS 12 and the capacitor 13 having this changing resistance value constitute delay means. The output terminal of the buffer 14 is connected to the output terminal OUT of the variable delay circuit and to the delay amount detection unit 20.

【0009】遅延量検出部20は位相差抽出回路として
用いられる排他的論理和回路21を備えている。遅延部
10のバッファ14の出力端子と入力端子INとが、排
他的論理和回路21の2つの入力端子にそれぞれ接続さ
れている。排他的論理和回路21の出力端子には、平均
値検出回路22が接続されている。遅延量制御部30
は、比較回路であるコンパレータ(CMP)31と可変
基準電源32とを備えている。コンパレータ31の2つ
の入力端子には、平均値検出回路22の出力端子と可変
基準電源32とがそれぞれ接続されている。コンパレー
タ31の出力端子が、遅延部10中のNMOS12のゲ
ートに接続されている。図3は、図1の動作を示す波形
図であり、この図3を参照しつつ、第1の実施形態の可
変遅延回路の動作を説明する。
The delay amount detecting section 20 has an exclusive OR circuit 21 used as a phase difference extracting circuit. An output terminal and an input terminal IN of the buffer 14 of the delay unit 10 are connected to two input terminals of the exclusive OR circuit 21, respectively. An average value detection circuit 22 is connected to an output terminal of the exclusive OR circuit 21. Delay amount control unit 30
Includes a comparator (CMP) 31 as a comparison circuit and a variable reference power supply 32. The output terminal of the average value detection circuit 22 and the variable reference power supply 32 are connected to two input terminals of the comparator 31, respectively. The output terminal of the comparator 31 is connected to the gate of the NMOS 12 in the delay unit 10. FIG. 3 is a waveform diagram showing the operation of FIG. 1. The operation of the variable delay circuit according to the first embodiment will be described with reference to FIG.

【0010】入力端子INから遅延部10に入力され入
力パルス信号Sinは、バッファ11の伝搬遅延時間と、
NMOS12のオン抵抗及びコンデンサ13の容量に応
じた時定数による遅延時間と、バッファ14の伝搬遅延
時間との和の時間だけ遅延され、出力パルス信号Sout
として出力端子OUTから出力される。ここで、NMO
S12のオン抵抗値をR12、コンデンサ13の容量値を
13とすると、抵抗R12及び容量値C13の時定数による
遅延時間Trc1 は、オン抵抗値R12と容量値C13とに比
例し、次の式(1)のようになる。 Trc1 =K1 ・R12・C13 ・・・(1) 但し、K1 ;比例定数 一方、バッファ11の伝搬遅延時間をT11、及びバッフ
ァ14による伝搬遅延時間をT14とすると、遅延部10
全体での遅延時間Tall1は、次の(2)式になる。 Tall1=T11+Trc1 +T14 ・・・(2) 遅延量検出部20中の排他的論理和回路21は、出力パ
ルス信号Sout と入力する酢信号Sinの排他的論理和を
求め、出力パルス信号Sout と入力パルス信号Sinの位
相差分を検出する。即ち、排他的論理和回路21は、遅
延時間Tall1に相当する期間が“H”レベルのV1 ボル
トとなる振幅の信号を出力する。平均値検出回路22
は、排他的論理和回路21の検出結果の平均値を求め
る。ここで、入力パルス信号Sinのパルス幅をW1 とす
ると、平均値検出回路22の出力電位Vd1は、次の
(3)式となる。
The input pulse signal Sin input from the input terminal IN to the delay unit 10 has a propagation delay time of the buffer 11 and
The output pulse signal Sout is delayed by the sum of the delay time due to the time constant corresponding to the ON resistance of the NMOS 12 and the capacitance of the capacitor 13 and the propagation delay time of the buffer 14.
Is output from the output terminal OUT. Where NMO
S12 in the on-resistance R 12, and the capacitance value of the capacitor 13 and C 13, the delay time T rc1 by the time constant of the resistor R 12 and the capacitance C 13 is in the on-resistance R 12 and the capacitance value C 13 It is proportional to the following equation (1). T rc1 = K 1 · R 12 · C 13 (1) where K 1 ; proportionality constant On the other hand, if the propagation delay time of the buffer 11 is T 11 and the propagation delay time of the buffer 14 is T 14 , the delay is Part 10
The total delay time T all1 is given by the following equation (2). T all1 = T 11 + T rc1 + T 14 (2) The exclusive OR circuit 21 in the delay amount detecting section 20 obtains the exclusive OR of the output pulse signal Sout and the input vinegar signal Sin, and outputs the output pulse. The phase difference between the signal Sout and the input pulse signal Sin is detected. That is, the exclusive-OR circuit 21 outputs a signal having an amplitude in which the period corresponding to the delay time T all1 is “H” level V 1 volt. Average value detection circuit 22
Calculates the average value of the detection results of the exclusive OR circuit 21. Here, when the pulse width of the input pulse signal Sin and W 1, the output potential V d1 of the average value detecting circuit 22 becomes the following equation (3).

【0011】 Vd1=V1 ・Tall1/W1 ・・・(3) 平均値検出回路22の出力電位Vd1が、遅延量制御部3
0中のコンパレータ31の一方の入力端子に与えられ
る。コンパレータ31は、他方の入力端子に入力された
可変基準電源32から与えられた基準電位Vt1と、電位
d1とを比較し、電位Vd1と電位Vt1とが等しくなるよ
うなレベルの制御信号S30を、NMOS12のゲート
に与える。即ち、コンパレータ31は、次の(4)式と
なるような制御を、遅延部10に対して行う。 Vt1=Vd1 ・・・(4) 以上のように、この可変遅延回路では、バッファ31の
出力側に排他的論理和回路21と平均値検出回路22
と、コンパレータ31を設け、その平均値検出回路22
の求める平均値で遅延量の制御を行う構成になってい
る。遅延量の設定値は(3)式から容易に計算可能であ
る。よって、遅延量設定時に、平均値検出回路の出力電
位Vd1をモニタして可変基準電源32を調整すること
で、オシロスコープ等で直接波形を監視する必要がなく
なり、雑音等の影響を受けずに遅延量を自由に設定でき
る。そのうえ、出力端子OUTに接続される負荷を変更
する場合や、負荷が変動する場合でも、遅延量は常に可
変基準電源32の設定電位に対応するので、遅延量の再
設定を行う必要がないという利点が得られる。
V d1 = V 1 · T all1 / W 1 (3) The output potential V d1 of the average value detection circuit 22 is equal to the delay amount control unit 3
0 is supplied to one input terminal of the comparator 31. Comparator 31, the reference potential V t1 that is applied from the variable reference supply 32 which is input to the other input terminal, and compares the potential V d1, control levels such that the potential V d1 and the potential V t1 equals The signal S30 is applied to the gate of the NMOS 12. That is, the comparator 31 controls the delay unit 10 so as to satisfy the following equation (4). V t1 = V d1 (4) As described above, in this variable delay circuit, the exclusive OR circuit 21 and the average value detection circuit 22 are provided on the output side of the buffer 31.
And an average value detection circuit 22
The control of the delay amount is performed by the average value obtained in the above. The set value of the delay amount can be easily calculated from the equation (3). Therefore, by monitoring the output potential V d1 of the average value detection circuit and adjusting the variable reference power supply 32 at the time of setting the delay amount, it is not necessary to directly monitor the waveform with an oscilloscope or the like. The amount of delay can be set freely. In addition, even if the load connected to the output terminal OUT is changed or the load fluctuates, the delay amount always corresponds to the set potential of the variable reference power supply 32, so that it is not necessary to reset the delay amount. Benefits are obtained.

【0012】第2の実施形態 図4は、本発明の第2の実施形態を示す可変遅延回路の
回路図である。この可変遅延回路は、第1の入力パルス
信号Sinを入力する第1の入力端子INと出力端子OU
Tとの間に接続された第1の遅延部40と、遅延部40
の出力側に接続された遅延量検出部50と、該遅延量検
出部50の出力側に接続された遅延量制御部60とを、
有している。遅延部40は、第1の実施形態の遅延部1
0と同様の構成であり、バッファ41とMOSトランジ
スタ42とコンデンサ43とバッファ44とが、バッフ
ァ11とMOSトランジスタ12とコンデンサ13とバ
ッファ14と同様に接続されている。遅延量制御部60
も第1の実施形態の遅延量制御部30と同様であり、コ
ンパレータ61及び可変基準電源62を備えている。
Second Embodiment FIG. 4 is a circuit diagram of a variable delay circuit according to a second embodiment of the present invention. This variable delay circuit has a first input terminal IN for inputting a first input pulse signal Sin and an output terminal OU.
T, a first delay unit 40 connected between the first delay unit
And a delay amount control unit 60 connected to the output side of the delay amount detection unit 50.
Have. The delay unit 40 is a delay unit 1 according to the first embodiment.
The buffer 41, the MOS transistor 42, the capacitor 43, and the buffer 44 are connected in the same manner as the buffer 11, the MOS transistor 12, the capacitor 13, and the buffer 14. Delay amount control unit 60
Is the same as the delay amount control unit 30 of the first embodiment, and includes a comparator 61 and a variable reference power supply 62.

【0013】遅延量検出部50は、位相差抽出回路とし
て用いられる排他的論理和回路51と平均値検出回路5
2とを備えている。排他的論理和回路51の入力端子の
うち一方の入力端子には、バッファ44の出力端子が接
続され、他方の入力端子には外部から第2の入力パルス
信号Sin2 を導入する第2の入力端子INstが接続され
ている。排他的論理和回路51の出力端子が平均値検出
回路52の入力端子に接続されている。平均値検出回路
52は、第1の実施形態の平均値検出回路22と同様の
ものである。この平均値検出回路52の出力端子が、遅
延量制御部60内のコンパレータ61の一方の入力端子
に接続されている。コンパレータ61の他方の入力端子
に可変基準電源62が接続されている。コンパレータ6
1の出力端子が、図1と同様に遅延部40のNMOS4
2のゲートに接続されている。この第2の実施形態の可
変遅延回路の遅延部40、遅延量検出部50、及び遅延
量制御部60の各部は、第1の実施形態と同様に動作す
るので、ここでは、全体の動作を説明する。
The delay amount detecting section 50 includes an exclusive OR circuit 51 and an average value detecting circuit 5 used as a phase difference extracting circuit.
2 is provided. An output terminal of the buffer 44 is connected to one of the input terminals of the exclusive OR circuit 51, and a second input terminal for introducing a second input pulse signal Sin2 from the outside to the other input terminal. INst is connected. An output terminal of the exclusive OR circuit 51 is connected to an input terminal of the average value detection circuit 52. The average value detection circuit 52 is the same as the average value detection circuit 22 of the first embodiment. An output terminal of the average value detection circuit 52 is connected to one input terminal of a comparator 61 in the delay amount control section 60. A variable reference power supply 62 is connected to the other input terminal of the comparator 61. Comparator 6
1 is connected to the NMOS 4 of the delay unit 40 as in FIG.
2 gates. The respective units of the delay unit 40, the delay amount detection unit 50, and the delay amount control unit 60 of the variable delay circuit according to the second embodiment operate in the same manner as in the first embodiment. explain.

【0014】第1の実施形態と同様に、NMOS42の
オン抵抗をR42、コンデンサ43の容量値をC43とする
と、これらNMOS42及びコンデンサ43の時定数に
よる遅延時間Trc2 は、次の(5)式になる。 Trc2 =K2 ・R42・C43 ・・・(5) K2 ;比例定数 一方、バッファ41の伝搬遅延時間をT41、及びバッフ
ァ44による伝搬遅延時間をT44とすると、遅延部40
全体での遅延時間Tall2は、次の(6)式になる。 Tall2=T41+Trc2 +T44 ・・・(6) さらに、入力信号Sinのパルス幅をW2 とすると、排他
的論理和回路51の出力信号の振幅をV2 とすると、平
均値検出回路52の出力電位Vd2は、次の(7)式とな
る。 Vd2=V2 ・Tall2/W2 ・・・(7) ここで、可変基準電源62の電位をVt2とすると、コン
パレータ61は次の(8)式となるように、制御信号S
60をNMOS42のゲートに与え、遅延部40の制御
を行う。よって、入力端子INstから入力された第2の
入力パルス信号Sin2 に対して可変基準電源62での設
定電位に応じた遅延量を持つ出力信号Sout が、出力端
子OUTから出力される。
As in the first embodiment, assuming that the on-resistance of the NMOS 42 is R 42 and the capacitance value of the capacitor 43 is C 43 , the delay time T rc2 due to the time constant of the NMOS 42 and the capacitor 43 is expressed by the following (5) ) T rc2 = K 2 · R 42 · C 43 (5) K 2 ; proportionality constant On the other hand, if the propagation delay time of the buffer 41 is T 41 and the propagation delay time of the buffer 44 is T 44 , the delay unit 40
The total delay time T all2 is given by the following equation (6). T all2 = T 41 + T rc2 + T 44 (6) Further, assuming that the pulse width of the input signal Sin is W 2 and the amplitude of the output signal of the exclusive OR circuit 51 is V 2 , an average value detection circuit The output potential V d2 of 52 is given by the following equation (7). V d2 = V 2 · T all2 / W 2 (7) Here, assuming that the potential of the variable reference power supply 62 is V t2 , the comparator 61 controls the control signal S so that the following equation (8) is obtained.
60 is supplied to the gate of the NMOS 42 to control the delay unit 40. Therefore, an output signal Sout having a delay amount corresponding to the potential set by the variable reference power supply 62 with respect to the second input pulse signal Sin2 input from the input terminal INst is output from the output terminal OUT.

【0015】以上のように、この第2の実施形態では、
排他的論理和回路51の一方の入力端子に第2の入力パ
ルス信号Sin2 を入力して、遅延量検出部50で、第2
の入力パルス信号Sin2 に対する位相差を抽出する構成
にしているので、該入力パルス信号Sin2 対する遅延量
を任意に値に制御できるという利点がある。さらに、N
MOS42のゲートに与える制御信号S40を、遅延量
検出部50の出力信号のレベルが0となるように設定す
ることで、入力パルス信号Sin2 として与えられた外部
クロック信号に対するスキューの補償を自動で行えると
いう効果も得られる。
As described above, in the second embodiment,
The second input pulse signal Sin2 is input to one input terminal of the exclusive OR circuit 51, and the second input pulse signal
Since the phase difference with respect to the input pulse signal Sin2 is extracted, there is an advantage that the delay amount with respect to the input pulse signal Sin2 can be arbitrarily controlled. Furthermore, N
By setting the control signal S40 given to the gate of the MOS 42 so that the level of the output signal of the delay amount detection unit 50 becomes 0, the skew can be automatically compensated for the external clock signal given as the input pulse signal Sin2. The effect is also obtained.

【0016】第3の実施形態 図5は、本発明の第3の実施形態を示す可変遅延回路の
回路図である。この可変遅延回路は、第1の実施形態に
おけるNMOS12をトランスファゲート72に置き換
えたものであり、入力端子INと出力端子OUTとの間
に接続された遅延部70と、遅延部70の出力側に接続
された遅延量検出部80と、該遅延量検出部80の出力
側に接続された遅延量制御部90とを、有している。こ
の遅延部90は、入力端子INから入力された入力信号
Sinを波形整形して、出力するバッファ71を備え、該
バッファ71の出力側に、トランスファゲート72が接
続されている。トランスファゲート72は、並列のNM
OS72aとPチャネル型MOSトランジスタ(以下、
PMOSという)72bとで構成されている。トランス
ファゲート72の出力側が、コンデンサ73の一方の電
極に接続されている。コンデンサ73の他方の電極は、
グランドに接続されている。コンデンサ73とトランス
ファゲート72の接続ノードが、波形整形用バッファ7
4の入力端子に接続されている。
Third Embodiment FIG. 5 is a circuit diagram of a variable delay circuit according to a third embodiment of the present invention. This variable delay circuit is obtained by replacing the NMOS 12 in the first embodiment with a transfer gate 72, and includes a delay unit 70 connected between an input terminal IN and an output terminal OUT, and an output side of the delay unit 70. It has a delay amount detection unit 80 connected thereto and a delay amount control unit 90 connected to the output side of the delay amount detection unit 80. The delay unit 90 includes a buffer 71 that shapes and outputs a waveform of an input signal Sin input from an input terminal IN, and a transfer gate 72 is connected to an output side of the buffer 71. The transfer gate 72 is a parallel NM
The OS 72a and a P-channel type MOS transistor (hereinafter, referred to as an OS 72a)
(Referred to as a PMOS) 72b. The output side of the transfer gate 72 is connected to one electrode of the capacitor 73. The other electrode of the capacitor 73 is
Connected to ground. The connection node between the capacitor 73 and the transfer gate 72 is connected to the waveform shaping buffer 7.
4 input terminals.

【0017】遅延量検出部80は、第1の実施形態の排
他的論理和回路22及び平均値検出回路22と同様の、
排他的論理和回路81及び平均値検出回路82とを備え
ている。排他的論理和回路81の入力端子のうち一方の
入力端子には、バッファ74の出力端子が接続され、他
方の入力端子には入力端子INが接続されている。排他
的論理和回路81の出力端子が平均値検出回路82の入
力端子に接続されている。遅延量制御部90は、コンパ
レータ91及び可変基準電源92を備えている。コンパ
レータ91の2つの入力端子のうち一方の入力端子に
は、平均値検出回路82の出力端子が接続され、他方の
入力端子に、可変基準電源92が接続されている。この
コンパレータ91は差動増幅器等で構成され、可変基準
電源92から与えられた電位と平均値検出回路82から
与えられた電位を差動増幅し、差動信号Sa,Sbを制
御信号としてNMOS72aとPMOS72bのゲート
にそれぞれ供給するようになっている。
The delay amount detecting section 80 has the same configuration as the exclusive OR circuit 22 and the average value detecting circuit 22 of the first embodiment.
An exclusive OR circuit 81 and an average value detection circuit 82 are provided. The output terminal of the buffer 74 is connected to one of the input terminals of the exclusive OR circuit 81, and the input terminal IN is connected to the other input terminal. The output terminal of the exclusive OR circuit 81 is connected to the input terminal of the average value detection circuit 82. The delay amount control unit 90 includes a comparator 91 and a variable reference power supply 92. One of the two input terminals of the comparator 91 is connected to the output terminal of the average value detection circuit 82, and the other input terminal is connected to the variable reference power supply 92. The comparator 91 is constituted by a differential amplifier or the like, and differentially amplifies the potential supplied from the variable reference power supply 92 and the potential supplied from the average value detection circuit 82, and uses the differential signals Sa and Sb as control signals to control the NMOS 72a. The power is supplied to the gate of the PMOS 72b.

【0018】次に、図5の可変遅延回路の動作を説明す
る。NMOS72aのオン抵抗をR72a 、PMOS72
bのオン抵抗をR72b 、コンデンサ73のの容量値をC
73とすると、トランスファゲート72とコンデンサ73
の時定数による遅延時間Trc3 は、次の(9)式にな
る。 Trc3 =K3 ・(R72a //R72b )・C73 ・・・(9) K3 ;比例定数 一方、バッファ71の伝搬遅延時間をT71、バッファ7
4の伝搬遅延時間をT74とすると、遅延部70全体での
遅延時間Tall3は、次の(10)式になる。で Tall3=T71+Trc3 +T74 ・・・(10) さらに、入力信号Sinのパルス幅をW3 、排他的論理和
回路81の出力信号の振幅をV3 とすると、平均値検出
回路82の出力電位Vd3は、次の(11)式となる。 Vd3=V3 ・Tall3/W3 ・・・(11) 設定された可変基準電源92の電位をVt3とすると、コ
ンパレータ91は、次の(12)式となるように、差動
信号Sa,Sbを出力して遅延部70を制御する。 Vd3=Vt3 ・・・(12) ここで、電源電位の雑音等の同相雑音による影響に関し
て、この第3の実施形態の可変遅延回路と第1の実施形
態の可変遅延回路とを比較する。
Next, the operation of the variable delay circuit shown in FIG. 5 will be described. The on-resistance of the NMOS 72a is set to R 72a and the PMOS 72
The on resistance of b is R 72b , and the capacitance of capacitor 73 is C
73 , the transfer gate 72 and the capacitor 73
The delay time T rc3 based on the time constant is expressed by the following equation (9). T rc3 = K 3 · (R 72a // R 72b ) · C 73 (9) K 3 ; proportionality constant On the other hand, the propagation delay time of the buffer 71 is T 71 , and the buffer 7 is
4 propagation delay time of when the T 74, the delay time T All3 in the entire delay portion 70 will next (10). T all3 = T 71 + T rc3 + T 74 (10) Further, assuming that the pulse width of the input signal Sin is W 3 and the amplitude of the output signal of the exclusive OR circuit 81 is V 3 , the average value detection circuit 82 Of the output potential V d3 is expressed by the following equation (11). V d3 = V 3 · T all3 / W 3 (11) Assuming that the set potential of the variable reference power supply 92 is V t3 , the comparator 91 calculates the differential signal so that the following equation (12) is obtained. The delay section 70 is controlled by outputting Sa and Sb. V d3 = V t3 (12) Here, the variable delay circuit according to the third embodiment is compared with the variable delay circuit according to the first embodiment with respect to the influence of common-mode noise such as noise at the power supply potential. .

【0019】NMOS72a及びPMOS72bの閾値
電圧をVthとし、該NMOS72aのべータレシオをβ
n 、NMOS72aのゲート・ソース間電圧をVgsn
PMOS72bのベータレシオをβp 、及びPMOS7
2bのゲート・ソース間電圧をVgsp とすると、コンデ
ンサ73を充放電中のNMOS72a及びPMOS72
bのオン抵抗R72a ,R72b は、それぞれ次の(1
3),(14)式に近似される。そして、両方の抵抗値
72a ,R72b を合成した抵抗値Rnpは、(15)式と
なる。 R72a =1/βn (Vgsn −Vth) ・・・(13) R72b =1/βp (Vgsp −Vth) ・・・(14) Rnp=R72a ・R72b /(R72a +R72b ) ・・・(15) 同様に、第1の実施形態におけるNMOS12の閾値電
圧をVth、ベータレシオをβn 、ゲート・ソース間電圧
をVgsn (NMOS72aと同じトランジスタを用い
る)とすると、コンデンサ13を充放電中のNMOS1
2のオン抵抗R12は、次の(16)式と近似できる。 R12=1/βn (Vgsn −Vth) ・・・(16) ここで、両方のVgsn が等しく、β=βn =βp となる
ように回路乗数を設計し、第1の実施形態におけるトラ
ンジスタのオン抵抗を第3の実施形態のトランスファゲ
ート72のオン抵抗と同じ条件にするために、NMOS
12を並列に接続した場合のオン抵抗Rnnは、次の(1
7)式になり、各トランジスタのオン抵抗Rは、(1
8)式になる。
The threshold voltages of the NMOS 72a and the PMOS 72b are set to V th, and the beta ratio of the NMOS 72a is set to β.
n , the gate-source voltage of the NMOS 72a is V gsn ,
The beta ratio of PMOS 72b is β p and PMOS 7
Assuming that the gate-source voltage of 2b is V gsp , the NMOS 72a and the PMOS 72 are charging and discharging the capacitor 73.
b, the on-resistances R 72a and R 72b are given by (1)
3) and (14) are approximated. Then, the resistance value R np obtained by combining the two resistance values R 72a and R 72b is given by the following equation (15). R 72a = 1 / β n (V gsn −V th ) (13) R 72b = 1 / β p (V gsp −V th ) (14) R np = R 72a · R 72b / ( R 72a + R 72b ) (15) Similarly, the threshold voltage of the NMOS 12 in the first embodiment is V th , the beta ratio is β n , and the gate-source voltage is V gsn (the same transistor as the NMOS 72a is used). Then, the NMOS 1 is charging and discharging the capacitor 13.
2 on-resistance R 12 can be approximated by the following equation (16). R 12 = 1 / β n (V gsn −V th ) (16) Here, the circuit multiplier is designed so that both V gsn are equal and β = β n = β p, and the first In order to make the on-resistance of the transistor in this embodiment the same as the on-resistance of the transfer gate 72 of the third embodiment, the NMOS
12 are connected in parallel, the on-resistance R nn becomes
7), and the on-resistance R of each transistor is expressed as (1
8)

【0020】 Rnn=R12・R12/(R12+R12) ・・・(17) R=R12=R72a =R72b ・・・(18) ここで、同相の雑音により、各トランジスタのゲート電
圧が、ΔVg 変動したとすると、各トランジスタのオン
抵抗の変動ΔR(=ΔR12=ΔR72a =−ΔR72b
は、(13),(14)(16)式によって(19)式
になり、第3の実施形態の両トランジスタの合成オン抵
抗Rnpは、(15)及び(18)式から(20)式にな
る。 ΔR=1/β・Vg ・・・(19) Rnp=(R+ΔR)・(R−ΔR)/2 ・・・(20) 同様に、第1の実施形態におけるオン抵抗Rnnは、(1
7)及び(18)式から次の(21)式になり、通常の
雑音レベルに対するRnn及びRnpの変動ΔRnn及びΔR
npは(22)式になる。
R nn = R 12 · R 12 / (R 12 + R 12 ) (17) R = R 12 = R 72a = R 72b (18) Here, each transistor is caused by in-phase noise. Of the gate voltage of each transistor varies by ΔV g, the variation of the on-resistance of each transistor ΔR (= ΔR 12 = ΔR 72a = −ΔR 72b )
Is given by equation (19) according to equations (13), (14), and (16), and the combined on-resistance R np of both transistors of the third embodiment is calculated by using equation (20) from equations (15) and (18). become. ΔR = 1 / β · V g (19) R np = (R + ΔR) · (R−ΔR) / 2 (20) Similarly, the on-resistance R nn in the first embodiment is represented by (R 1
It becomes 7) and from equation (18) to the next (21), the variation [Delta] R nn and [Delta] R of R nn and R np for the normal noise level
np is given by equation (22).

【0021】 Rnn=(R+ΔR)・(R+ΔR)/2/(R+ΔR) =(R+ΔR)/2 ・・・(21) ΔRnn>ΔRnp ・・・(22) 以上のように、この第3の実施形態では、コンパレータ
91が差動信号Sa,Sbを制御信号として出力し、N
MOS72a及びPMOS72bからなるトランスファ
ゲートタ72をそれら差動信号Sa,Sbで差動駆動す
ることにより、遅延量の制御を行うので、第1の実施形
態における制御信号S30に対する同相の雑音がある場
合でも、(22)式のように、そのSN比を改善できる
という効果がある。
R nn = (R + ΔR) · (R + ΔR) / 2 / (R + ΔR) = (R + ΔR) / 2 (21) ΔR nn > ΔR np (22) In the embodiment, the comparator 91 outputs the differential signals Sa and Sb as control signals,
Since the delay amount is controlled by differentially driving the transfer gate 72 composed of the MOS 72a and the PMOS 72b with the differential signals Sa and Sb, even if there is noise in phase with the control signal S30 in the first embodiment. , (22), the SN ratio can be improved.

【0022】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
ず種々の変形が可能である。その変形例としては、例え
ば次のようなものがある。 (1) 第1〜第3の実施形態では、位相差抽出回路と
して排他的論理和回路21,51,81を用いたが、位
相差を抽出できれば他の回路でもよく、NAND等を用
いることも可能である。 (2) コンデンサ13,43,73は、配線容量等の
寄生容量を利用しても、遅延量を調整するためにとくに
設けたものでも、どちらでもよい。 (3) 第1及び第2の実施形態におけるNMOS1
2,42は、抵抗値が制御信号で制御可能であれば他の
可変抵抗で置き換えることが可能であり、PMOS等を
用いてもよい。 (4) 第2の実施形態においも、コンパレータ61が
差動信号を出力する構成とし、NMOS42をトランス
ファゲートに置換することが可能である。この場合も、
第3の実施形態と同様にSN比を改善できる。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, there are the following modifications. (1) In the first to third embodiments, the exclusive OR circuits 21, 51, and 81 are used as the phase difference extraction circuit. However, other circuits may be used as long as the phase difference can be extracted, and NAND or the like may be used. It is possible. (2) The capacitors 13, 43, and 73 may use either a parasitic capacitance such as a wiring capacitance or a capacitor provided particularly for adjusting a delay amount. (3) NMOS 1 in the first and second embodiments
Each of the reference numerals 2 and 42 can be replaced with another variable resistor as long as the resistance can be controlled by a control signal, and a PMOS or the like may be used. (4) Also in the second embodiment, the comparator 61 is configured to output a differential signal, and the NMOS 42 can be replaced with a transfer gate. Again,
As in the third embodiment, the S / N ratio can be improved.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、遅延手段及び波形整形手段を備え、該波形整
形手段の出力側に、位相抽出回路、平均値検出回路、可
変基準電源、及び比較回路を設け、基準電位のレベルの
設定によって所望の遅延量が設定され、かつ、比較回路
の生成する制御信号により、平均値と該基準電位のレベ
ルとが等しくなる制御を行う構成にしたので、遅延量の
設定を平均値検出回路の出力する平均値をモニタしなが
ら行うことにより、オシロスコープ等で直接波形を観察
せずに遅延量の設定ができるようになっている。よっ
て、誤差のない遅延量の設定が可能になる。そのうえ、
負荷を変更する場合や、負荷が変動する場合でも、遅延
量は常に可変基準電源の設定電位に対応するので、遅延
量の再設定を行う必要がないという効果も得られる。
As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, a delay means and a waveform shaping means are provided, and a phase extracting circuit, an average value detecting circuit, a variable reference A configuration in which a power supply and a comparison circuit are provided, and a desired delay amount is set by setting a level of a reference potential, and control is performed such that an average value and the level of the reference potential are equalized by a control signal generated by the comparison circuit. Therefore, by setting the delay amount while monitoring the average value output from the average value detection circuit, the delay amount can be set without directly observing the waveform with an oscilloscope or the like. Therefore, it is possible to set the delay amount without error. Besides,
Even when the load is changed or the load fluctuates, the delay amount always corresponds to the set potential of the variable reference power supply, so that there is also an effect that it is not necessary to reset the delay amount.

【0024】第2の発明によれば、遅延手段及び波形整
形手段と、第2の入力パルス信号と出力パルス信号の位
相差を抽出する位相抽出回路と、平均値検出回路と可変
基準電源と及び比較回路を設けたので、基準電位のレベ
ルの設定によって所望の遅延量が設定され、かつ、比較
回路の生成する制御信号により、平均値と該基準電位の
レベルとが等しくなる制御を行う構成にしたので、遅延
量の設定を平均値検出回路の出力する平均値をモニタし
ながら行うことにより、オシロスコープ等で直接波形を
観察せずに遅延量の設定ができるようなると共に、外部
クロック等の第2の入力パルス信号に対するスキュー補
償を自動的に行うことができる。
According to the second aspect, the delay means and the waveform shaping means, the phase extraction circuit for extracting the phase difference between the second input pulse signal and the output pulse signal, the average value detection circuit, the variable reference power supply, Since the comparison circuit is provided, a desired amount of delay is set by setting the level of the reference potential, and control is performed such that the average value and the level of the reference potential are equalized by a control signal generated by the comparison circuit. Therefore, by setting the delay amount while monitoring the average value output from the average value detection circuit, the delay amount can be set without directly observing the waveform with an oscilloscope or the like, and the delay amount of the external clock or the like can be set. Skew compensation for the two input pulse signals can be automatically performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態を示す可変遅延回路の
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a variable delay circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来の可変遅延回路例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional variable delay circuit.

【図3】図1の動作波形図である。FIG. 3 is an operation waveform diagram of FIG. 1;

【図4】本発明の第2の実施形態を示す可変遅延回路の
回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram of a variable delay circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施形態を示す可変遅延回路の
回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of a variable delay circuit according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,40,70 遅延部 12,42 NMOS 13,43,73 コンデンサ 14,44,74 波形整形用バッファ 20,50,80 遅延量検出部 21,51,81 排他的論理和回路 22,52,82 平均値検出回路 30,60,90 遅延量制御部 31,61,91 コンパレータ 32,62,92 可変基準電源 S30,S60 制御信号 Sa,Sb 差動信号 Sin 入力パルス信号(第1の入力
パルス信号) Sin2 第2の入力パルス信号 Sout 出力パルス信号
10, 40, 70 Delay unit 12, 42 NMOS 13, 43, 73 Capacitor 14, 44, 74 Waveform shaping buffer 20, 50, 80 Delay amount detection unit 21, 51, 81 Exclusive OR circuit 22, 52, 82 Average value detection circuit 30, 60, 90 Delay amount control unit 31, 61, 91 Comparator 32, 62, 92 Variable reference power supply S30, S60 Control signal Sa, Sb Differential signal Sin Input pulse signal (first input pulse signal) Sin2 Second input pulse signal Sout Output pulse signal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力手段から与えられた入力パルス信号
を所望の遅延量だけ遅延し、該入力パルス信号を遅延し
た出力パルス信号を負荷に与える可変遅延回路におい
て、 前記入力手段に接続され、与えられた制御信号に基づき
抵抗値が変化する可変抵抗手段と、該可変抵抗手段に接
続されたコンデンサとを有し、該可変抵抗手段の抵抗値
と該コンデンサの持つ容量値とで前記入力パルス信号を
遅延して遅延信号を生成する遅延手段と、 前記遅延信号に対して波形整形を行い、前記出力パルス
信号を生成して前記負荷に与える波形整形手段と、 前記出力パルス信号と前記入力パルス信号との位相差を
求める位相抽出回路と、 前記位相差の平均値を求めて前記出力パルス信号と前記
入力パルス信号との間の遅延量を検出する平均値検出回
路と、 可変の基準電位を出力する可変基準電源と、 前記平均値と前記基準電位とを比較し、該比較結果に対
応する前記制御信号を生成する比較回路とを備え、 前記基準電位のレベルの設定によって前記所望の遅延量
が設定され、かつ、前記比較回路の生成する前記制御信
号に基づき、前記平均値と該設定された基準電位のレベ
ルとが等しくなる制御を行う構成にしたことを特徴とす
る可変遅延回路。
1. A variable delay circuit for delaying an input pulse signal provided from an input means by a desired delay amount and providing an output pulse signal obtained by delaying the input pulse signal to a load, wherein the variable delay circuit is connected to the input means, And a capacitor connected to the variable resistance means. The input pulse signal comprises a resistance value of the variable resistance means and a capacitance value of the capacitor. Delay means for generating a delay signal by delaying the delay signal; waveform shaping means for performing waveform shaping on the delay signal, generating the output pulse signal and applying the output pulse signal to the load; and the output pulse signal and the input pulse signal. A phase extraction circuit that determines a phase difference between the output pulse signal and the input pulse signal, and an average value detection circuit that determines an average value of the phase difference. A variable reference power supply that outputs a variable reference potential; and a comparison circuit that compares the average value with the reference potential and generates the control signal corresponding to the comparison result. The desired delay amount is set, and control is performed such that the average value is equal to the set level of the reference potential based on the control signal generated by the comparison circuit. Variable delay circuit.
【請求項2】 可変の遅延量を有し、入力手段から与え
られた第1の入力パルス信号を遅延し、該第1の入力パ
ルス信号を遅延した出力パルス信号を負荷に与える可変
遅延回路において、 前記入力手段に接続され、与えられた制御信号に基づき
抵抗値が変化する可変抵抗手段と、該可変抵抗手段に接
続されたコンデンサとを有し、該可変抵抗手段の抵抗値
と該コンデンサの持つ容量値とで前記第1の入力パルス
信号を遅延して遅延信号を生成する遅延手段と、 前記遅延信号に対して波形整形を行い、前記出力パルス
信号を生成して前記負荷に与える波形整形手段と、 外部から与えられ前記第1の入力パルス信号とは異なる
第2の入力パルス信号と前記出力パルス信号との位相差
を求める位相抽出回路と、 前記位相差の平均値を求めて前記出力パルス信号と前記
第2の入力パルス信号との間の遅延量を検出する平均値
検出回路と、 可変の基準電位を出力する可変基準電源と、 前記平均値と前記基準電位とを比較し、該比較結果に対
応する前記制御信号を生成する比較回路とを備え、 前記基準電位のレベルの設定によって前記第1の入力パ
ルス信号に対する前記遅延信号の遅延量が設定され、か
つ、前記比較回路の生成する前記制御信号により、前記
平均値と該基準電位のレベルとが等しくなる制御を行う
構成にしたことを特徴とする可変遅延回路。
2. A variable delay circuit having a variable delay amount, delaying a first input pulse signal provided from an input means, and providing an output pulse signal obtained by delaying the first input pulse signal to a load. A variable resistance means connected to the input means, the resistance value of which changes based on a given control signal; and a capacitor connected to the variable resistance means, wherein the resistance value of the variable resistance means and the Delay means for generating a delay signal by delaying the first input pulse signal with the capacitance value possessed; and performing waveform shaping on the delay signal, generating the output pulse signal and applying the waveform to the load. A phase extraction circuit for obtaining a phase difference between the output pulse signal and a second input pulse signal which is provided from outside and is different from the first input pulse signal; An average value detection circuit for detecting an amount of delay between a pulse signal and the second input pulse signal; a variable reference power supply for outputting a variable reference potential; comparing the average value with the reference potential; A comparison circuit that generates the control signal corresponding to the comparison result, wherein a delay amount of the delay signal with respect to the first input pulse signal is set by setting a level of the reference potential; A variable delay circuit, wherein the control signal controls the average value and the level of the reference potential to be equal.
【請求項3】 前記比較回路は、前記平均値と前記基準
電位とを比較し、該比較結果に対応する差動信号を前記
制御信号として送出する構成とし、前記可変抵抗手段
は、前記差動信号に基づき前記抵抗値が変化する構成に
したことを特徴とする請求項1または2記載の可変遅延
回路。
3. The comparison circuit according to claim 2, wherein the comparison circuit compares the average value with the reference potential, and sends a differential signal corresponding to the comparison result as the control signal. 3. The variable delay circuit according to claim 1, wherein the resistance value changes based on a signal.
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