JPH10178398A - Potential insulation device between input and output - Google Patents

Potential insulation device between input and output

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JPH10178398A
JPH10178398A JP35355696A JP35355696A JPH10178398A JP H10178398 A JPH10178398 A JP H10178398A JP 35355696 A JP35355696 A JP 35355696A JP 35355696 A JP35355696 A JP 35355696A JP H10178398 A JPH10178398 A JP H10178398A
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JP
Japan
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frequency
input
high frequency
output
potential
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JP35355696A
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Japanese (ja)
Inventor
Hironaga Hori
裕修 堀
Youichi Iriuchijima
洋一 入内嶋
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K D D TECHNOL KK
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K D D TECHNOL KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a miniaturizable inexpensive potential insulation device between input and output in simple constitution. SOLUTION: The primary circuit of a high frequency core T2 is constituted of the secondary side winding 1 of a first high frequency core T1, the primary side winding 2 of a second high frequency core T2 and a balanced modulation circuit network (for instance, SBDB) 3 and high frequency modulates the input signals ei. Also, the secondary circuit of the high frequency core T2 is constituted of the secondary side winding 5 of the first high frequency core T1, the secondary side winding 2 of the second high frequency core T2 and the balanced modulation circuit network 7 and high frequency demodulates the input signals es. A local oscillator 8 is a high frequency oscillator and is connected to the primary side winding 9 of the high frequency core T1. Thus, since magnetic coupling is performed by the second high frequency core T2, high frequency noise generated by an inter-device potential difference is effectively suppressed. Also, the two pieces of high frequency transformers and one piece of a local oscillator are sufficient and miniaturization and cost reduction are performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は入出力間電位絶縁
装置に関し、特に装置間電位差により発生する雑音を効
果的に抑圧できるようにした構成が簡単で低廉な入出力
間電位絶縁装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an input / output potential insulating device, and more particularly to a simple and inexpensive input / output potential insulating device capable of effectively suppressing noise generated by a potential difference between devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、入出力装置間電位に差がある
場合に発生する雑音を抑圧する方法について、各種の提
案がなされている。該入出力装置間の電位差が極めて小
さい場合には、同相雑音線輪を用いる方法が採用されて
いる。また、該入出力装置間の電位差が大きい場合で、
入力信号が直流または低速の信号の場合には、フォトカ
プラや、絶縁増幅器を用いる方法が採られている。ま
た、交流の入力信号に対しては、変成器が用いられてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, various proposals have been made for a method of suppressing noise generated when there is a difference in potential between input / output devices. When the potential difference between the input / output devices is extremely small, a method using a common-mode noise loop is adopted. When the potential difference between the input / output devices is large,
When the input signal is a DC or low-speed signal, a method using a photocoupler or an insulating amplifier is adopted. A transformer is used for an AC input signal.

【0003】一方、直流を含む広帯域信号に対しては、
高周波変調法を用い、周波数ドメイン上で、帯域を交流
信号として扱い伝送する方法がある。その一例を、図7
を参照して簡単に説明する。今、装置Aの信号Si を、
例えば100メートル程度離れた装置Bに伝送する場合
を想定する。装置Aの高周波変調器31は、直流を含む
広帯域信号Si を、局部発振器32からトランス33を
経て供給される局発信号とミキシングすることにより、
該広帯域信号Si を高周波変調する。高周波変調器31
から出力された高周波変調信号は、トランス34を介し
て、伝送線35に送り出される。
On the other hand, for a wideband signal including DC,
There is a method in which a band is treated as an AC signal in the frequency domain and transmitted using a high frequency modulation method. One example is shown in FIG.
This will be briefly described with reference to FIG. Now, the signal Si of the device A is
For example, it is assumed that the data is transmitted to the device B that is about 100 meters away. The high-frequency modulator 31 of the device A mixes the wideband signal Si including the direct current with the local oscillation signal supplied from the local oscillator 32 via the transformer 33,
The wideband signal Si is modulated at a high frequency. High frequency modulator 31
The high-frequency modulated signal output from is transmitted to the transmission line 35 via the transformer 34.

【0004】受信側の装置Bは、トランス36を介して
前記高周波変調信号を受信する。高周波復調器41は局
部発振器42からトランス43を経て供給される局発信
号とミキシングすることにより、該高周波変調信号を復
調し、再生装置44にて、画像、音声などに再生され
る。ここに、局部発振器32と42は、同じ周波数の局
発信号を出力するものが使用される。
[0004] The receiving device B receives the high-frequency modulated signal via the transformer 36. The high-frequency demodulator 41 demodulates the high-frequency modulated signal by mixing with a local signal supplied from a local oscillator 42 via a transformer 43, and the reproduced signal is reproduced by a reproducing device 44 into an image, a sound, or the like. Here, the local oscillators 32 and 42 output local oscillation signals of the same frequency.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】装置間電位は、設置工
事法、装置間距離、他設備の配置、およびアース母線の
布線方法により、定量解が存在しない。このため、従来
技術では、場当り的な対応が必要とされている。直流を
含む広帯域信号に対しては、前記したような、高周波変
調法を用いる方法があるが、局部発振器が2個、トラン
スが4個必要になったり、受信側で、高周波復調が必要
になったりして、装置構成が複雑かつ大型化し、また部
品点数が多くなるという問題、また低廉とならないとい
う問題があった。
There is no quantitative solution for the potential between the devices due to the installation work method, the distance between the devices, the arrangement of other facilities, and the wiring method of the earth bus. For this reason, the prior art requires an ad-hoc response. For wideband signals including direct current, there is a method using the high-frequency modulation method as described above. However, two local oscillators and four transformers are required, and high-frequency demodulation is required on the receiving side. However, there has been a problem that the device configuration is complicated and large, the number of parts is increased, and the cost is not reduced.

【0006】この発明の目的は、前記した従来技術の問
題点を除去し、構成が簡単でかつ小型化でき、低廉な、
入出力間電位絶縁装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems of the prior art, to provide a simple and compact structure, to provide a low-cost device.
An object of the present invention is to provide an input / output potential insulating device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ために、この発明は、複数の異なる電位を持つ装置間を
接続する入出力間電位絶縁装置において、高周波変調を
行い入力信号を帯域変換する高周波トランスの一次回路
と、高周波復調を行い入力信号を再生する該高周波トラ
ンスの二次回路とを具備し、該高周波トランスにより磁
気結合することで、装置間電位の影響が該装置間で発生
するのを防止するようにした点に第1の特徴がある。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention relates to an input / output potential isolating device for connecting a plurality of devices having different potentials to perform high-frequency modulation and convert a frequency of an input signal into a band. And a secondary circuit of the high-frequency transformer that performs high-frequency demodulation and reproduces an input signal, and magnetically couples by the high-frequency transformer, so that the influence of the potential between devices occurs between the devices. There is a first feature in that the operation is prevented.

【0008】また、前記高周波変調を行う装置に平衡変
調回路網を用い、前記前記高周波復調を行う装置に平衡
変調回路網を用い、それぞれの装置に、直流電源を用い
ないようにした点に第2の特徴があり、前記高周波変調
と高周波復調に必要な局部発振器を一個とした点に第3
の特徴があり、前記高周波変調と高周波復調を行う装置
を、不平衡伝送線路で接続される一方の装置のみに設け
るようにした点に第4の特徴がある。
Another aspect is that a balanced modulation network is used for the high-frequency modulation device, a balanced modulation network is used for the high-frequency demodulation device, and a DC power supply is not used for each device. The third feature is that the number of local oscillators required for the high-frequency modulation and the high-frequency demodulation is one.
A fourth feature is that the device for performing the high-frequency modulation and the high-frequency demodulation is provided only in one device connected by an unbalanced transmission line.

【0009】この発明によれば、前記一次回路と二次回
路とを高周波トランスにより磁気結合しているので、装
置間電位の影響が該装置間で発生するのを防止し、装置
間電位差により発生する雑音を効果的に抑圧できるよう
になる。また、高周波変調および高周波復調を行う装置
に直流電源が不要であり、局部発振器が一個であり、前
記高周波変調と高周波復調を行う装置を、不平衡伝送線
路で接続される一方の装置のみに設けるようにしている
ので、構成が簡単でかつ小型化された、低廉な、入出力
間電位絶縁装置を提供することができるようになる。
According to the present invention, since the primary circuit and the secondary circuit are magnetically coupled by the high-frequency transformer, the influence of the potential between the devices is prevented from occurring between the devices, and the influence of the potential difference between the devices is prevented. Noise can be effectively suppressed. Further, a DC power supply is unnecessary for a device that performs high-frequency modulation and high-frequency demodulation, a local oscillator is provided, and a device that performs high-frequency modulation and high-frequency demodulation is provided only on one device connected by an unbalanced transmission line. As a result, it is possible to provide an inexpensive input / output potential insulating device having a simple configuration, a small size, and a low price.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
を詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態の構成
を示す回路図である。図において、入力側信号ei が入
力する一次側回路は、第1の高周波コアT1 の二次側巻
線1と、第2の高周波コアT2 の一次側巻線2と、平衡
変調回路網(リングモジュレータ)であるSBDB(シ
ョットキ・バリア・ダイオード・ブリッジ)3とから構
成されている。また、出力側信号eo が出力する二次側
回路は、第1の高周波コアT1 の二次側巻線5と、第2
の高周波コアT2 の二次側巻線6と、前記SBDB3と
同じ構成のSBDB7とから構成されている。前記第1
の高周波コアT1 の一次側には局部発振器としての高周
波発振器8が設けられ、該高周波コアT1 の一次側巻線
9に接続されている。前記第1、第2の高周波コアT1
、T2 は、例えば5ターン程度の小型な物である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of one embodiment of the present invention. In the figure, a primary circuit to which an input signal ei is inputted includes a secondary winding 1 of a first high-frequency core T1, a primary winding 2 of a second high-frequency core T2, and a balanced modulation network (ring ring). And an SBDB (Schottky barrier diode bridge) 3 which is a modulator. The secondary circuit that outputs the output signal eo is composed of the secondary winding 5 of the first high-frequency core T1,
Of the high-frequency core T2 and an SBDB 7 having the same configuration as the SBDB 3. The first
A high-frequency oscillator 8 as a local oscillator is provided on the primary side of the high-frequency core T1, and is connected to the primary winding 9 of the high-frequency core T1. The first and second high-frequency cores T1
, T2 are small, for example, about 5 turns.

【0011】次に、本実施形態の動作を詳細に説明す
る。入力側信号ei は、次の(1) 式で表すことができ
る。 ei =Vs ・Cos(p・t)[V]…(1) 一方、前記高周波発振器9の出力信号ec は、次の(2)
式で表すことができる。 ec =Vc ・Sin(ω・
t)[V]…(2) ここに、p=2πfp [rad/秒]、ω=2πfc
[rad/秒]である。また、fp は入力信号の周波数
(1/秒)、fc は高周波発振器8の発振周波数(1/
秒)、Vs は入力信号の振幅の最大値[V]、Vcは高
周波発振器8の出力信号の振幅の最大値[V]である。
Next, the operation of this embodiment will be described in detail. The input signal ei can be expressed by the following equation (1). ei = Vs.Cos (pt) [V] (1) On the other hand, the output signal ec of the high-frequency oscillator 9 is expressed by the following (2).
It can be represented by an equation. ec = Vc · Sin (ω ·
t) [V] (2) where p = 2πfp [rad / sec], ω = 2πfc
[Rad / sec]. Fp is the frequency of the input signal (1 / second), and fc is the oscillation frequency of the high-frequency oscillator 8 (1 / sec).
Vs is the maximum value [V] of the amplitude of the input signal, and Vc is the maximum value [V] of the amplitude of the output signal of the high-frequency oscillator 8.

【0012】次に、高周波コアT2 の一次側回路により
生ずる該高周波コアT2 の二次側の電圧es は、下記の
(3) 式のようになる。 es =k・ei ・ec [V]=k・(1/2)・Vs ・Vc ・{Sin(ω+ p)t+Sin(ω−p)t}…(3) ここに、kは比例定数であり、回路の定損失を表してい
る。また、前記(3) 式の右辺の第1項のSin(ω+
p)tはfc を下限とする上側波を、第2項のSin
(ω−p)tはfc を上限とする下側波を表している。
Next, the voltage es on the secondary side of the high-frequency core T2 generated by the primary-side circuit of the high-frequency core T2 is as follows:
Equation (3) is obtained. es = k · ei · ec [V] = k · (・) · Vs · Vc · {Sin (ω + p) t + Sin (ω−p) t} (3) where k is a proportional constant Represents the constant loss of the circuit. In addition, the first term Sin (ω +
p) t is the upper wave whose lower limit is fc,
(Ω-p) t represents a lower side wave whose upper limit is fc.

【0013】これらの関係を周波数ドメインで表現する
と、図2および図3に示すようになる。ここで、fpmax
は、入力信号の最大周波数を表している。さらに、入力
信号が直流の場合にはp=0となるから、前記高周波コ
アT2 の二次側の電圧es は、下記の(4) 式のようにな
る。 es =k・Vs ・Vc・Sin(ω・t)…(4) この関係を周波数ドメインで表現すると、図4に示すよ
うになる。
If these relationships are expressed in the frequency domain, they are as shown in FIGS. Where fpmax
Represents the maximum frequency of the input signal. Further, since p = 0 when the input signal is direct current, the voltage es on the secondary side of the high-frequency core T2 is expressed by the following equation (4). es = kVsVcSin ([omega] t) (4) When this relationship is expressed in the frequency domain, it becomes as shown in FIG.

【0014】次に、該高周波コアT2 の二次側回路から
得られる出力信号eo は次の(5) 式で表すことができ
る。 eo =k・es ・ec =k2 ・ei ・ec 2 =k2 ・Vs ・Vc 2 {Sin(ω・t)2 ・Cos(p・t)} =k2 ・Vs ・Vc 2 ・(1/2)・Cos(p・t)− k2 ・Vs ・Vc 2 ・(1/4)・{Cos(2ω+p)t+Cos (2ω−p)t}…(5) 該(5) 式の第2項を、ローパスフィルタで除去すると、
前記出力信号eo は次の(6) 式のようになる。なお、図
5は、この処理を周波数ドメインで示したものであり、
特性aは該ローパスフィルタ特性を示している。
Next, the output signal eo obtained from the secondary circuit of the high-frequency core T2 can be expressed by the following equation (5). eo = k · es · ec = k 2 · ei · ec 2 = k 2 · Vs · Vc 2 {Sin (ω · t) 2 · Cos (p · t)} = k 2 · Vs · Vc 2 · (1 / 2) · Cos (p · t) −k 2 · Vs · Vc 2 · (1/4) · {Cos (2ω + p) t + Cos (2ω−p) t} (5) The second of the formula (5) When the term is removed with a low-pass filter,
The output signal eo is expressed by the following equation (6). FIG. 5 shows this processing in the frequency domain.
The characteristic a indicates the low-pass filter characteristic.

【0015】 eo =k2 ・Vs ・Vc 2 ・(1/2)・Cos(p・t)…(6) 前記(6) 式は、k2 およびVc が一定であれば、該一定
値を無視して、次の(7) 式のように表すことができる。 eo =Vs ・Cos(p・t)…(7) 前記(1) 式と、(7) 式を比較すれば、前記入力信号ei
の周波数、電圧の両成分が保存されていることは明らか
である。
Eo = k 2 · Vs · Vc 2 · (1/2) · Cos (p · t) (6) In the above equation (6), if k 2 and Vc are constant, the constant value is It can be ignored and expressed as the following equation (7). eo = Vs · Cos (pt) (7) Comparing the expressions (1) and (7), the input signal ei
It is clear that both the frequency and voltage components are preserved.

【0016】上記した本実施形態によれば、前記第2の
高周波コアT2 の一次回路と二次回路は、前記第1、第
2の高周波コアT1 、T2 の磁気結合によって信号の伝
送が行われるため、入力・出力間で異なる電位を持って
いても接続が可能となる。また、高周波発振器8の周波
数をVHF帯以上に選ぶことによって、前記第1、第2
の高周波コアT1 、T2 を極めて小型化することがで
き、また必要となる巻線数を減少することが可能となる
ため、線間の漂遊容量が減少し、交流結合も極小とな
る。また、装置間電位差により発生する高周波雑音を効
果的に抑圧できるようになる。さらに、前記の説明から
明らかなように、直流信号の伝送も可能である。
According to the above-described embodiment, the primary circuit and the secondary circuit of the second high-frequency core T2 perform signal transmission by the magnetic coupling of the first and second high-frequency cores T1, T2. Therefore, connection is possible even if the input and output have different potentials. Further, by selecting the frequency of the high-frequency oscillator 8 to be equal to or higher than the VHF band, the first and second frequencies can be adjusted.
Of the high-frequency cores T1 and T2 can be extremely miniaturized, and the required number of windings can be reduced, so that stray capacitance between lines is reduced and AC coupling is minimized. In addition, high frequency noise generated by the potential difference between the devices can be effectively suppressed. Further, as is clear from the above description, transmission of a DC signal is also possible.

【0017】次に、本発明の入出力間電位絶縁装置10
を、例えば監視カメラシステムに適用した場合の一実施
例につき、図6を参照して説明する。図において、11
は例えば75Ωの同軸ケーブルの入力端子であり、画像
のCVBS(コンポジット・ビデオ・ベース・バンド信
号)が入力してくる。12は固定減衰器であり、不整合
減衰量を低減する目的で挿入されている。この固定減衰
器12により、CVBSの反射を低減し、CVBSを効
率良く、入出力間電位絶縁装置10に供給できるように
なる。
Next, the potential isolation device 10 between the input and output of the present invention will be described.
Will be described with reference to FIG. 6 for an embodiment in which the present invention is applied to, for example, a surveillance camera system. In the figure, 11
Is an input terminal of a 75Ω coaxial cable, for example, to which CVBS (composite video base band signal) of an image is input. Reference numeral 12 denotes a fixed attenuator, which is inserted for the purpose of reducing the amount of mismatch attenuation. The fixed attenuator 12 reduces the reflection of the CVBS, and can efficiently supply the CVBS to the input-output potential isolator 10.

【0018】13は図5のaで説明した特性を有するロ
ーパスフィルタである。該ローパスフィルタ13は、低
廉なバターワース特性のフィルタを用いることができ
る。14、15は第1および第2の増幅器であり、第1
の増幅器14は、入出力間電位絶縁装置10の挿入損失
を補う目的で挿入され、第2の増幅器15は、CVBS
の75Ωを駆動する目的で挿入されている。16は同軸
ケーブルへの出力端子であり、該同軸ケーブルには、例
えば、監視用のテレビ等が接続されることになる。
Reference numeral 13 denotes a low-pass filter having the characteristics described with reference to FIG. As the low-pass filter 13, an inexpensive filter having a Butterworth characteristic can be used. Reference numerals 14 and 15 denote first and second amplifiers.
The amplifier 14 is inserted for the purpose of compensating for the insertion loss of the input-output potential isolator 10, and the second amplifier 15 is connected to the CVBS
Is inserted for the purpose of driving 75Ω. Reference numeral 16 denotes an output terminal to a coaxial cable to which, for example, a television for monitoring is connected.

【0019】このシステムで本発明の入出力間電位絶縁
装置10を評価したところ、直流から7MHzの広帯域
において、帯域内リップルは0.1dBであった。ま
た、入出力間電位絶縁装置10の入力・出力間の絶縁
は、10MΩ以上であった。
When the input-output potential isolator 10 of the present invention was evaluated using this system, the in-band ripple was 0.1 dB in a wide band from DC to 7 MHz. The insulation between the input and output of the input-output potential insulating device 10 was 10 MΩ or more.

【0020】[0020]

【発明の効果】前記した説明から明らかなように、この
発明によれば、前記一次回路と二次回路とを高周波トラ
ンスにより磁気結合しているので、装置間電位差により
発生する高周波雑音を効果的に抑圧できるようになる。
また、高周波トランスは2個、局部発振器は1個で済
み、また前記高周波変調と高周波復調を行う装置は、不
平衡伝送線路で接続される一方の装置のみに設けるよう
にされているので、構成が簡単で小型化でき、かつ低廉
な入出力間電位絶縁装置を提供することができるように
なる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, since the primary circuit and the secondary circuit are magnetically coupled by a high-frequency transformer, high-frequency noise generated by a potential difference between devices can be effectively reduced. Can be suppressed.
Also, only two high-frequency transformers and one local oscillator are required, and the device for performing the high-frequency modulation and the high-frequency demodulation is provided only in one device connected by an unbalanced transmission line. Therefore, it is possible to provide an inexpensive input / output potential insulating device which is simple, compact, and inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】 入力信号を周波数ドメイン上で示した図であ
る。
FIG. 2 is a diagram illustrating an input signal in a frequency domain.

【図3】 二次側回路の電圧を、周波数ドメイン上で示
した図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a voltage of a secondary circuit in a frequency domain.

【図4】 入力信号が直流の場合に、二次側回路に表れ
る信号を周波数ドメイン上で示した図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating, in the frequency domain, a signal appearing in a secondary circuit when an input signal is DC.

【図5】 二次側回路から得られる出力信号eo を、周
波数ドメイン上で示した図である。
FIG. 5 is a diagram showing an output signal eo obtained from a secondary side circuit in a frequency domain.

【図6】 本発明の応用例を示すシステム図である。FIG. 6 is a system diagram showing an application example of the present invention.

【図7】 従来装置の一例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…第1の高周波コアT1 の二次側巻線、2…第2の高
周波コアT2 の一次側巻線、3…平衡変調回路網(SB
DB)、5…第1の高周波コアT1 の二次側巻線、6…
第2の高周波コアT2 の二次側巻線、7…平衡変調回路
網(SBDB)、8…高周波発振器、9…高周波コアT
1 の一次側巻線、12…固定減衰器、13…ローパスフ
ィルタ、14、15…アンプ。
1. Secondary winding of the first high-frequency core T1, 2. Primary winding of the second high-frequency core T2, 3. Balanced modulation network (SB
DB), 5 ... secondary winding of the first high-frequency core T1, 6 ...
Secondary winding of the second high-frequency core T2, 7: Balanced modulation network (SBDB), 8: High-frequency oscillator, 9: High-frequency core T
1 primary winding, 12: fixed attenuator, 13: low-pass filter, 14, 15: amplifier.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の異なる電位を持つ装置間を接続す
る入出力間電位絶縁装置において、 高周波変調を行い入力信号を帯域変換する高周波トラン
スの一次回路と、 高周波復調を行い入力信号を再生する該高周波トランス
の二次回路とを具備し、 該高周波トランスにより磁気
結合することで、装置間電位の影響が該装置間で発生す
るのを防止するようにしたことを特徴とする入出力間電
位絶縁装置。
An input / output potential isolator for connecting between devices having a plurality of different potentials, a primary circuit of a high-frequency transformer for performing high-frequency modulation and band-converting an input signal, and reproducing an input signal by performing high-frequency demodulation. A secondary circuit of the high-frequency transformer, and magnetically coupled by the high-frequency transformer to prevent the influence of the inter-device potential from being generated between the devices. Insulation device.
【請求項2】 請求項1記載の入出力間電位絶縁装置に
おいて、 前記高周波変調を行う装置に平衡変調回路網を用い、前
記前記高周波復調を行う装置に平衡変調回路網を用い、
それぞれの装置に、直流電源を用いないようにしたこと
を特徴とする入出力間電位絶縁装置。
2. The input / output potential insulating device according to claim 1, wherein a balanced modulation network is used for the high-frequency modulation device, and a balanced modulation network is used for the high-frequency demodulation device.
A potential isolation device between input and output, wherein a DC power supply is not used for each device.
【請求項3】 請求項1記載の入出力間電位絶縁装置に
おいて、 前記高周波変調と高周波復調とを同時に行うようにした
ことを特徴とする入出力間電位絶縁装置。
3. The potential insulating device between input and output according to claim 1, wherein the high frequency modulation and the high frequency demodulation are performed simultaneously.
【請求項4】 請求項1記載の入出力間電位絶縁装置に
おいて、 前記高周波変調と高周波復調に必要な局部発振器を一個
としたことを特徴とする入出力間電位絶縁装置。
4. The potential isolation device between input and output according to claim 1, wherein one local oscillator is required for said high-frequency modulation and high-frequency demodulation.
【請求項5】 請求項1記載の入出力間電位絶縁装置に
おいて、 前記複数の異なる電位を持つ装置間は不平衡伝送線路で
接続されるようにされ、同相雑音が除去されるようにし
たことを特徴とする入出力間電位絶縁装置。
5. The potential isolation device between input and output according to claim 1, wherein said plurality of devices having different potentials are connected by an unbalanced transmission line, and common-mode noise is removed. A potential isolation device between input and output characterized by the following.
【請求項6】 請求項5記載の入出力間電位絶縁装置に
おいて、 前記高周波変調と高周波復調を行う装置を、前記不平衡
伝送線路で接続される一方の装置のみに設けるようにし
たことを特徴とする入出力間電位絶縁装置。
6. The input / output potential insulating device according to claim 5, wherein the device for performing the high-frequency modulation and the high-frequency demodulation is provided only in one device connected by the unbalanced transmission line. Input-output potential insulation device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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