JPH10163214A - Bump bonder and bump formation - Google Patents

Bump bonder and bump formation

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JPH10163214A
JPH10163214A JP8323064A JP32306496A JPH10163214A JP H10163214 A JPH10163214 A JP H10163214A JP 8323064 A JP8323064 A JP 8323064A JP 32306496 A JP32306496 A JP 32306496A JP H10163214 A JPH10163214 A JP H10163214A
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bonding
bump
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work area
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正力 成田
Masahiko Iketani
雅彦 池谷
Yuichi Takakura
裕一 高倉
Masaya Watanabe
雅也 渡辺
Takaharu Mae
貴晴 前
Kiyoshi Mayahara
潔 馬屋原
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To highly precisely form a bump to a wafer by effectively performing position regulation of the wafer by simple constitution. SOLUTION: A carrier which accommodates wafers in the state of lamination keeping suitable intervals is installed in a lifter. The wafers taken out from the carrier sequentially with a taking-out means are positioned in order on a transfer station. To the wafer transferred on a bonding stage from the transfer station, a bump is formed with a bonding head. In this bump bonder, positioning bars 50 regulating the wafer position in the carrier to the lifter, and a movable shutter 51 are installed. An orientation flat position detecting means is installed and detects the position deviation of a shutter 51 when the position of an orientation flat la is deviated. Position regulating means 67, 73 of a wafer 1 are installed in the taking-out means.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はICチップの電極部
に電気接続用のバンプをワイヤボンディング技術によっ
て形成するバンプボンダーに関し、特に各ICチップに
分割する前のウエハの状態でバンプを形成するバンプボ
ンダーに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump bonder for forming a bump for electrical connection on an electrode portion of an IC chip by a wire bonding technique, and more particularly to a bump bonder for forming a bump in a state of a wafer before being divided into each IC chip. About bonders.

【0002】[0002]

【従来の技術】ワイヤボンディング技術によりICチッ
プの電極とパッケージ導体部との電気的接続を行うボン
ダーは、「半導体ハンドブック(第2版)」株式会社オ
ーム社発行に種々紹介されている。従来のワイヤボンデ
ィング装置の一例を図18に示す。この図示したボンダ
ーは、リードフレームタイプのIC、LSIのチップを
対象としたものであり、リードフレームはローダ側マガ
ジンaからユニバーサルフィーダを通ってボンディング
ステーションbへ供給され、ここでボンディングヘッド
cによりワイヤボンディングされる。ワイヤボンディン
グ後のリードフレームは自動外観検査を受けた後、アン
ローダ側マガジンdに収納される。
2. Description of the Related Art Various types of bonders for electrically connecting an electrode of an IC chip to a package conductor by a wire bonding technique are introduced in "Semiconductor Handbook (Second Edition)" published by Ohmsha. FIG. 18 shows an example of a conventional wire bonding apparatus. The illustrated bonder is intended for a chip of a lead frame type IC or LSI. The lead frame is supplied from a magazine a on the loader side to a bonding station b through a universal feeder, where a wire is supplied by a bonding head c. Bonded. The lead frame after the wire bonding is subjected to an automatic appearance inspection and then stored in the unloader side magazine d.

【0003】これら、従来のワイヤボンディングを行う
ボンダーでも、その用い方によってICチップの電極部
に電気接続用のバンプを形成することはでき、例えば特
願平8−249724号等において既に提案されてい
る。
[0003] Even with these conventional bonders for performing wire bonding, it is possible to form bumps for electrical connection on the electrode portion of the IC chip depending on how to use them. For example, Japanese Patent Application No. 8-249724 has proposed this. I have.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の携帯
式電子機器のさらなる小型軽量化の要請に伴い、ICチ
ップに関してもその小型化が著しく、ICチップを1個
づつボンディングステージに移載し、位置決めしてボン
ディングを行うという方式のバンプボンダーでは生産能
率が悪く、ICチップの移載・トレーによる搬送等にお
ける取扱いも困難となり、また精度のよい位置決めも困
難になる等、種々の技術的な困難が一挙に現れてくる。
With the recent demand for smaller and lighter portable electronic devices, IC chips have been significantly reduced in size, and IC chips have been transferred one by one to a bonding stage. Various technical difficulties, such as poor production efficiency, difficulty in handling IC chips during transfer, transfer by tray, etc., as well as accurate positioning, are difficult with a bump bonder that performs positioning and bonding. Appears all at once.

【0005】そこで、ICチップをダイシングにより個
別の分離する前のウエハの状態で、各ICチップに対し
てバンプを形成することが考えられる。しかし、ウエハ
の状態でバンプを形成するには、ICチップの場合とは
異質の種々の技術的問題が発生し、実用化に当たっては
これの問題を解決することが必要となる。
Therefore, it is conceivable to form bumps on each IC chip in a state of the wafer before the IC chips are individually separated by dicing. However, forming a bump in a wafer state involves various technical problems different from those of an IC chip, and it is necessary to solve these problems in practical use.

【0006】例えば、ウエハはキャリアに形成された多
段の棚に積層状態で収容されてバンプボンダーに供給さ
れるが、ウエハはキャリア内にがたつきのある状態で収
容されているので、ウエハをキャリアから引き出して位
置決めテーブル上に引き出して位置規制した後、ボンデ
ィングステージに移載することになるが、ウエハは円板
状でかつ外周部を直線的に切断して形成した異径部(以
下、オリフラと称する)が形成されており、位置決めテ
ーブルではウエハの中心位置を規制するとともにオリフ
ラの周方向位置を正確に規制する必要があり、回転テー
ブル及び4方からの位置規制手段を必要とする等、構成
が複雑になるとともに、位置決めに時間がかかり、また
キャリア内に収容されているウエハが動作中に振動によ
って飛び出す恐れもある等の問題がある。
For example, wafers are accommodated in a stacked state on multi-stage shelves formed in a carrier and supplied to a bump bonder. However, since the wafers are accommodated in the carrier in a state of rattling, the wafers are stored in the carrier. After the wafer is pulled out from the positioning table and is positioned on the positioning table, the wafer is transferred to the bonding stage. The wafer is a disk-shaped part having a different diameter (hereinafter referred to as an orientation flat) formed by linearly cutting the outer periphery. The positioning table needs to regulate the center position of the wafer and accurately regulate the circumferential position of the orientation flat, and requires a rotary table and position regulating means from four directions. The structure becomes complicated, the positioning takes time, and the wafer contained in the carrier may fly out during operation. There are some problems such as.

【0007】また、大面積のウエハを固定してその全面
にバンプを形成するようにすると、ボンディングヘッド
とボンディングステージの相対移動距離が長くなり、ボ
ンディング作業機構の腕の長さを長くする必要があるた
め、十分な精度を出すのが機構上困難になるという問題
があり、そのためウエハを周方向に複数区画に分割し、
ある区画のバンプ形成が終了すると、ウエハをその中心
回りに回転させて次の区画をバンプ形成域に位置決めし
てその区画のバンプ形成を行うことが考えられる。
If a large-area wafer is fixed and bumps are formed on the entire surface, the relative movement distance between the bonding head and the bonding stage becomes longer, and the arm length of the bonding operation mechanism must be increased. Therefore, there is a problem that it is mechanically difficult to obtain sufficient accuracy. Therefore, the wafer is divided into a plurality of sections in the circumferential direction,
When the formation of bumps in a certain section is completed, it is conceivable that the wafer is rotated around its center, the next section is positioned in the bump formation area, and bump formation in that section is performed.

【0008】その際、ウエハを固定したステージを回転
させるようにすると、ステージはバンプ形成のためにヒ
ートアップされているので、回転機構の熱伸縮のために
精度の高い、安定した位置決めが困難であるという問題
があり、またウエハの下面に旋回するエアを吹き出し、
ウエハを浮き上がらせて旋回させ、作業者の目視又はタ
イマーによって旋回止めタイミングを図ることが考えら
れるが、旋回エアの微妙な乱れによってウエハに変則的
な動きが発生し、回転位置むらが生じ易く、安定的に適
正に位置決めするのが困難である等の問題がある。
At this time, if the stage on which the wafer is fixed is rotated, the stage is heated up to form bumps. Therefore, accurate and stable positioning is difficult due to thermal expansion and contraction of the rotating mechanism. There is a problem that there is, and also blows swirling air to the lower surface of the wafer,
It is conceivable that the wafer is lifted up and turned, and the turning stop timing is aimed at by a worker's visual observation or a timer.However, irregular movement of the wafer occurs due to slight turbulence of the swirling air, and rotation position unevenness is likely to occur, There are problems such as difficulty in stably and properly positioning.

【0009】また、ボンディングステージをヒートアッ
プしてウエハの全面を加熱すると、初期に形成されたバ
ンプは長時間高温に保持されることになり、バンプと電
極素材とが冶金的反応を起こしてバンプ強度が低下する
という問題がある。
When the bonding stage is heated up and the entire surface of the wafer is heated, the initially formed bumps are kept at a high temperature for a long time, and the bumps and the electrode material cause a metallurgical reaction, so that the bumps are formed. There is a problem that strength is reduced.

【0010】また、起動時やボール未形成トラブル時に
ワイヤ先端にボールを形成するために捨てボンディング
が必要になリ、ICチップの場合は捨てチップを供給し
てこれに対してボンディングを行えば良いが、ウエハの
場合は捨てウエハを作るのは実際的でない一方、ウエハ
の周囲にはICチップを形成していない領域があるの
で、その場所に捨てボンディングを行うことが考えられ
る。しかし、製品上で捨てボンディングを行うために製
品表面を汚す危険性が大きく、またボール未形成トラブ
ル時に作業者が捨てボンディング位置をさがすことにな
り、作業効率が低下するという問題がある。
Further, at the time of start-up or trouble of ball formation, discard bonding is necessary to form a ball at the tip of the wire. In the case of an IC chip, a discard chip may be supplied and bonding may be performed. However, in the case of a wafer, it is not practical to make a discarded wafer. On the other hand, since there is a region around the wafer where no IC chip is formed, it is conceivable to perform discarding bonding at that location. However, there is a large risk that the surface of the product is soiled due to the discard bonding performed on the product, and the operator has to look for the discard bonding position when a ball is not formed, thus lowering the work efficiency.

【0011】また、ボンディング時には各ICチップの
位置とステージの基準線に対するウエハの基準線の傾き
とを検出してボンディング位置データを補正する必要が
あるが、その傾きの検出方法としては、図17に示すよ
うに、ウエハ1の直径方向両端近傍にありかつウエハ1
の基準線に沿って対向しているICチップ131a、1
31bの中心位置132a、132bを結ぶ直線133
を検出し、その直線133とステージ基準線134との
傾き135を検出する方法が通常考えられる。
In bonding, it is necessary to correct the bonding position data by detecting the position of each IC chip and the inclination of the reference line of the wafer with respect to the reference line of the stage. As shown in FIG.
IC chips 131a, 1a facing each other along the reference line
A straight line 133 connecting the center positions 132a and 132b of 31b.
, And the inclination 135 between the straight line 133 and the stage reference line 134 is usually considered.

【0012】しかし、ボンティングヘッドに搭載されて
いる認識カメラは高精度に位置認識するために視野が狭
く、ウエハ1の傾きは僅かでもその両端近傍では認識す
べきICチップの認識箇所が認識カメラの視野から外れ
てしまうという問題があり、そのため傾き検出専用の視
野の広い認識カメラを必要とし、機構的にはコスト的に
は問題がある。
However, the recognition camera mounted on the bonding head has a narrow field of view in order to recognize the position with high accuracy, and the recognition position of the IC chip to be recognized is near the both ends of the wafer 1 even if the inclination of the wafer 1 is slight. However, there is a problem that the camera deviates from the field of view, and therefore, a recognition camera with a wide field of view dedicated to tilt detection is required, and there is a problem in mechanical cost.

【0013】本発明の目的は、以上のような問題の少な
くとも1つを解消してウエハに対するバンプ形成を首尾
よく達成することができるバンプボンダーを提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a bump bonder which can solve at least one of the above problems and can successfully form a bump on a wafer.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するために、請求項1の発明は、ウエハを互いに適当間
隔をあけて積層状態で収容したキャリアを設置するリフ
タを設けた搬入ステーションと、キャリア内から取出手
段にて順次取り出されたウエハが順次位置決めされる移
載ステーションと、移載ステーションから移載手段にて
ボンディングステージ上に移載されたウエハに対してボ
ンディングヘッドにてバンプを形成するボンディングス
テーションとを有するバンプボンダーにおいて、リフタ
にキャリア内のウエハ位置を規制するとともにウエハの
オリフラ位置を検出するオリフラ位置検出手段を設け、
取出手段にウエハの位置規制手段を設けたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 is a loading station provided with a lifter for installing carriers accommodating stacked wafers at appropriate intervals from each other. A transfer station in which wafers sequentially taken out by the take-out means from the carrier are sequentially positioned; and a bonding head bumps the wafer transferred from the transfer station onto the bonding stage by the transfer means. In a bump bonder having a bonding station for forming a wafer, the lifter is provided with an orientation flat position detection means for controlling the position of the wafer in the carrier and detecting the orientation flat position of the wafer,
The removal means is provided with a wafer position regulating means.

【0015】このような構成により、キャリアをリフタ
に設置した状態でキャリア内のウエハ全体の位置を規制
できるとともに、オリフラの位置を検出できるため、オ
リフラの位置が適正でない場合は作業者が修正すること
によりオリフラの位置が全て正しい状態でウエハを取出
手段に受け渡すことができる。また、リフタを順次下降
させることにより位置決めされたウエハが取出手段上に
適正に受け渡されるとともに、位置規制手段にてウエハ
の位置を規制することができ、取出手段を次の移載ステ
ーションに移動させて位置決めすることによりウエハを
高精度に位置決めすることができる。従って、簡単な構
成であるとともに特に位置決めに時間を要することな
く、キャリアから順次ウエハを取り出して位置決めする
ことができる。また、キャリア内に収容されているウエ
ハが動作中の振動によって飛び出す恐れもない。
With this configuration, the position of the entire wafer in the carrier can be regulated while the carrier is installed on the lifter, and the position of the orientation flat can be detected. Therefore, when the position of the orientation flat is not appropriate, the operator corrects the position. Thus, the wafer can be transferred to the take-out means in a state where the orientation flats are all correct. In addition, the wafer positioned by sequentially lowering the lifter is properly transferred to the unloading means, and the position of the wafer can be regulated by the position regulating means, and the unloading means is moved to the next transfer station. The positioning can be performed with high accuracy. Therefore, the wafers can be sequentially taken out from the carrier and positioned with a simple configuration and without any particular time required for positioning. In addition, there is no possibility that the wafer accommodated in the carrier will jump out due to vibration during operation.

【0016】請求項2の発明は、請求項1の発明におけ
るオリフラ位置検出手段が、キャリア内のウエハのオリ
フラとは反対側縁部に係合する一対の位置決めバーと、
キャリア内のウエハのオリフラに対して略係合する位置
に向けて弾性的に移動付勢されたシャッタと、シャッタ
がオリフラに対して略係合する位置から外れているとき
に検出するセンサとを備えてなるものである。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the orientation flat position detecting means includes a pair of positioning bars which are engaged with the edge of the wafer in the carrier opposite to the orientation flat,
A shutter elastically moved and biased toward a position where the wafer in the carrier substantially engages with the orientation flat, and a sensor that detects when the shutter is out of the position substantially engaged with the orientation flat. It is provided.

【0017】このような構成により、位置決めバーと可
動構成のシャッタとシャッタの位置を検出するセンサを
リフタに設けるだけの簡単な構成で、キャリア内のウエ
ハの位置規制を行うと同時にオリフラの位置が正否かを
検出することができる。
With such a configuration, the positioning of the wafer in the carrier is restricted and the position of the orientation flat is simultaneously controlled by a simple configuration in which the positioning bar, the movable shutter and the sensor for detecting the position of the shutter are simply provided on the lifter. Whether it is correct or not can be detected.

【0018】請求項3の発明は、請求項1の発明におけ
る取出手段の位置規制手段が、キャリアからウエハを受
けて支持するウエハ受け部の先端に適当間隔あけて配設
された一対の位置決めローラと、ウエハ受け部の基端に
対して遠近方向に移動可能でかつウエハのオリフラに係
合する一対の位置規制ローラを配設された規制部とを備
えてなるものである。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the position regulating means of the take-out means has a pair of positioning rollers disposed at an appropriate distance from the tip of a wafer receiving portion for receiving and supporting the wafer from the carrier. And a restricting portion provided with a pair of position restricting rollers that are movable in the direction of the distance from the base end of the wafer receiving portion and engage with the orientation flat of the wafer.

【0019】このような構成により、ウエハ受け部上に
ウエハを受けて規制部をウエハ受け部の基部に向けて接
近動作させるだけの機構と動作によって、ウエハ受け部
先端の一対の位置決めローラと規制部の一対の位置規制
ローラにてオリフラの位置を含めてウエハの位置を高精
度に位置決めすることができる。
With this configuration, the pair of positioning rollers at the front end of the wafer receiving portion and the restricting roller are moved by a mechanism and an operation for merely receiving the wafer on the wafer receiving portion and moving the restricting portion toward the base of the wafer receiving portion. The position of the wafer including the position of the orientation flat can be positioned with high accuracy by the pair of position regulating rollers of the unit.

【0020】請求項4の発明は、ボンディングステージ
上に供給されたウエハに対してボンディングヘッドにて
バンプを形成するバンプボンダーにおいて、ボンディン
グステージ上面の左右両側に、各一対の規制ローラを配
設するとともに、ウエハのオリフラに係合して反対側の
規制ローラに向けてウエハを押し付けてウエハの位置規
制を行う規制部を設け、かつウエハを反転させる反転手
段を設けたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in a bump bonder for forming bumps on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head, a pair of regulating rollers are disposed on both left and right sides of the upper surface of the bonding stage. In addition, there is provided a regulating portion which engages with the orientation flat of the wafer and presses the wafer toward the regulating roller on the opposite side to regulate the position of the wafer, and further comprises a reversing means for reversing the wafer.

【0021】このような構成により、ウエハの半分の領
域にバンプを形成した後ウエハを反転させて残りの半分
の領域にバンプを形成することができ、その結果ウエハ
の全面に連続的にバンプを形成する場合に比してボンデ
ィングヘッドの移動範囲を小さくでき、それだけボンデ
ィングヘッドの剛性及び精度の確保が容易になり、安価
に高精度のバンプ形成を実現することができる。また、
ウエハのオリフラが何れの向きになっている場合にも、
規制部をオリフラに係合させてウエハを規制ローラに押
し付け、規制部と規制ローラにてウエハを位置決めでき
るので、簡単な構成で精度良くウエハを位置決めでき
る。
According to such a configuration, the bumps can be formed in the other half by turning the wafer after forming the bumps in the half area of the wafer, and as a result, the bumps can be continuously formed on the entire surface of the wafer. The range of movement of the bonding head can be reduced as compared with the case of forming, and the rigidity and accuracy of the bonding head can be easily ensured accordingly, and high-precision bump formation can be realized at low cost. Also,
Regardless of the orientation of the wafer orientation flat,
The regulating portion is engaged with the orientation flat to press the wafer against the regulating roller, and the wafer can be positioned by the regulating portion and the regulating roller. Therefore, the wafer can be accurately positioned with a simple configuration.

【0022】なお、反転手段は次の請求項5の記載のよ
うに構成できるが、移載手段に反転機構を設けてそれを
反転手段とすることもできる。
The reversing means can be constructed as described in claim 5, but it is also possible to provide a reversing mechanism in the transfer means and use it as the reversing means.

【0023】請求項5の発明は、請求項4の発明におけ
る反転手段が、ウエハを浮上させる浮上用エア噴出手段
と、ウエハを旋回させる旋回用エア噴出手段と、旋回状
態のウエハを一側の規制ローラ対に当て付ける片寄せ用
エア噴出口と、ウエハが当て付けられる規制ローラ側に
配設されたオリフラ検出センサとを備えたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, the reversing means in the fourth aspect of the present invention comprises: a floating air jetting means for floating the wafer; a turning air jetting means for turning the wafer; The apparatus includes a biasing air ejection port to be applied to the regulating roller pair and an orientation flat detection sensor disposed on the regulating roller side to which the wafer is applied.

【0024】このような構成により、エアにてウエハを
浮上させた状態で旋回エアにて旋回させて反転させるこ
とができて、機械的な回転機構が不要であり、高温のボ
ンディングステージにおいても簡単な構成でウエハを旋
回させることができ、かつその旋回時に片寄せ用エア噴
出口から噴出するエアにてウエハを一側の規制ローラ対
に当て付けるので、旋回エアの微妙な乱れによってウエ
ハに変則的な動きが発生して回転位置むらが生じる恐れ
がなく、オリフラ検出センサでオリフラを検出した時点
で旋回を停止して規制部と規制ローラにてウエハを位置
決めすることによりウエハを安定的に適正に位置決めす
ることができる。
With such a configuration, the wafer can be swung by the swirling air to be inverted while being floated by the air, so that a mechanical rotating mechanism is not required, and the wafer can be easily mounted even at a high-temperature bonding stage. The wafer can be swirled with a simple configuration, and at the time of the swirl, the air blown from the one-sided air ejection port hits the wafer against the pair of regulating rollers on one side, so irregularities on the wafer due to subtle turbulence of the swirling air The rotation is stopped when the orientation flat is detected by the orientation flat detection sensor, and the wafer is stably and properly positioned by positioning the wafer with the regulation unit and the regulation roller. Can be positioned.

【0025】請求項6の発明は、ボンディングステージ
上に供給されたウエハに対してボンディングヘッドにて
バンプを形成するバンプボンダーにおいて、ウエハを反
転させる反転手段と、ボンディングステージのボンディ
ングヘッドに近い半分をボンディング作業領域としてこ
のボンディング作業領域の温度を所定温度に設定し、残
りの非作業領域を所定温度よりも低い温度に設定する手
段を設けたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in a bump bonder for forming bumps on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head, a reversing means for reversing the wafer and a half of the bonding stage close to the bonding head are provided. Means are provided for setting the temperature of the bonding work area to a predetermined temperature as a bonding work area and setting the remaining non-work area to a temperature lower than the predetermined temperature.

【0026】このような構成により、反転手段にてウエ
ハを反転することによりウエハの半分の領域にバンプを
形成した後ウエハを反転させて残りの半分の領域にバン
プを形成することができて請求項4の発明と同様の効果
を発揮するとともに、ボンディング作業領域で先に形成
されたバンプが非作業領域に移動すると、低温状態にさ
れるため、バンプが形成された後長時間高温の晒された
場合に生じるバンプの強度低下を効果的に防止すること
ができる。
With such a configuration, the bump can be formed in a half area of the wafer by inverting the wafer by the inversion means, and then the bump can be formed in the other half area by inverting the wafer. Item 4 exhibits the same effect as the invention of Item 4, and when the bump formed earlier in the bonding work area moves to the non-work area, it is brought to a low temperature state, so that it is exposed to high temperature for a long time after the bump is formed. In this case, it is possible to effectively prevent a decrease in the strength of the bumps caused when the bumps are formed.

【0027】請求項7の発明は、請求項6の発明におけ
るボンディングステージをステージプレートの下部にヒ
ートブロックを配設して構成し、ステージプレートのボ
ンディング作業領域の下部にのみヒートブロックを配設
したものである。
According to a seventh aspect of the present invention, the bonding stage according to the sixth aspect of the present invention is configured by disposing a heat block below the stage plate, and disposing the heat block only below the bonding work area of the stage plate. Things.

【0028】このような構成により、簡単にボンディン
グ作業領域をヒートブロックにて所定温度に制御できる
とともに非作業領域を低温に設定することができる。
With this configuration, the bonding work area can be easily controlled to a predetermined temperature by the heat block, and the non-work area can be set to a low temperature.

【0029】請求項8の発明は、請求項7の発明に加え
て、非作業領域におけるボンディング作業領域と隣接す
る部分の少なくとも一部において、ステージプレートに
切欠を形成したものである。
According to an eighth aspect of the present invention, in addition to the seventh aspect, a notch is formed in the stage plate in at least a portion of the non-working area adjacent to the bonding work area.

【0030】このような構成により、切欠を設けるとい
う簡単な手段にてより効果的にかつ非作業領域の全体を
均等に低温に設定することができる。
With such a configuration, the temperature of the entire non-work area can be set more effectively and evenly by a simple means of providing a notch.

【0031】請求項9の発明は、請求項6の発明におけ
るボンディングステージをステージプレートの下部にヒ
ートブロックを配設して構成し、ヒートブロックの制御
温度を、ステージプレートのボンディング作業領域の下
部では所定のボンディング作業に適した温度に、非作業
領域の下部では所定の予熱温度に設定したものである。
According to a ninth aspect of the present invention, the bonding stage according to the sixth aspect of the present invention is configured such that a heat block is provided below the stage plate, and the control temperature of the heat block is set at a lower portion of the bonding work area of the stage plate. The temperature is set to a temperature suitable for a predetermined bonding operation, and to a predetermined preheating temperature in the lower part of the non-working area.

【0032】このような構成により、非作業領域でウエ
ハを予熱温度に加熱するので、ウエハに急激な温度変化
を与えることなく、かつ形成したバンプの強度低下も確
実に防止することができる。
With this configuration, since the wafer is heated to the preheating temperature in the non-working area, the temperature of the wafer is not suddenly changed, and the reduction in the strength of the formed bumps can be reliably prevented.

【0033】請求項10の発明は、ボンディングステー
ジ上に供給されたウエハに対してボンディングヘッドに
てバンプを形成するバンプボンダーにおいて、ボンディ
ングステージ上の周縁部に捨てボンディング用のチップ
を吸着する吸着穴を有する捨てボンディング部を配設し
たものである。
According to a tenth aspect of the present invention, in a bump bonder for forming a bump on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head, a suction hole for sucking a chip for discarding bonding at a peripheral portion on the bonding stage. Is disposed.

【0034】このような構成により、ボール未形成トラ
ブル時などに作業者が捨てボンディング位置をさがすこ
となく、自動的に捨てボンディング部に移動させて捨て
ボンディング作業を行うことができて作業効率が良く、
また製品のウエハ上で捨てボンディングを行わないため
にその表面を汚す危険性もない。
With such a configuration, the operator can automatically move to the discarding bonding portion and perform the discarding bonding operation without having to search for the discarding bonding position in the event of a ball formation failure or the like. ,
In addition, there is no danger of soiling the surface of the product because the bonding is not performed on the wafer.

【0035】請求項11の発明は、ボンディングステー
ジのボンディングヘッドに近い半分をボンディング作業
領域としてウエハの略半分にバンプを形成した後、ウエ
ハを反転させて残りの略半分にバンプを形成するととも
に、ボンディング作業領域でのバンプ形成時にボンディ
ング作業領域と非作業領域の境界から離れた側から境界
に近い側に向けて順次バンプを形成するものである。
According to the eleventh aspect of the present invention, a bump is formed on substantially half of a wafer by using a half of the bonding stage close to the bonding head as a bonding work area, and then the wafer is inverted to form bumps on substantially the other half. At the time of forming a bump in the bonding work area, bumps are sequentially formed from a side apart from the boundary between the bonding work area and the non-work area from a side close to the boundary.

【0036】このような構成によれば、上記請求項4の
発明と同様の効果を発揮するとともに、バンプ形成をボ
ンディング作業領域と非作業領域の境界から離れた側か
ら先に行うことで、非作業領域のボンディング作業領域
との境界に近い部分はボンディング作業領域の熱影響を
受けて高温に晒されても、ボンディング作業領域と非作
業領域の境界に近い部分に形成されたバンプが高温に晒
される時間が長くなることがなく、ウエハ全面のバンプ
の強度低下を防止することができる。
According to such a configuration, the same effect as that of the fourth aspect of the present invention is exhibited, and the bump formation is performed first from the side distant from the boundary between the bonding work area and the non-work area, so that the non-work area can be formed. Even if the work area near the boundary between the bonding work area and the bonding work area is exposed to high temperature due to the thermal effect of the bonding work area, the bumps formed at the part near the boundary between the bonding work area and the non-work area are exposed to the high temperature. It is possible to prevent a reduction in the strength of the bumps on the entire surface of the wafer without lengthening the time.

【0037】請求項12の発明は、ウエハを複数のIC
チップ毎にグルーピングしたブロックに分割してブロッ
ク毎にバンプを形成し、かつその際のボンディング位置
データの補正に必要なウエハの傾き検出を隣接するブロ
ックにおけるウエハ基準線方向に互いに対応するICチ
ップの中心を結ぶ直線とボンディングステージの基準線
との傾きにて検出するとともに、検出結果により次の傾
き検出時の認識ウインドウ位置を補正するものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, a wafer is mounted on a plurality of ICs.
Divided into blocks grouped for each chip, bumps are formed for each block, and the detection of wafer inclination required for correcting bonding position data at that time is performed for IC chips corresponding to each other in the direction of the wafer reference line in an adjacent block. The detection is performed based on the inclination between the straight line connecting the centers and the reference line of the bonding stage, and the position of the recognition window at the time of detecting the next inclination is corrected based on the detection result.

【0038】このような構成によれば、ブロック毎にI
Cチップの位置とウエハの傾きを認識してボンディング
することにより、ウエハの熱膨張を吸収しながら認識回
数を削減して精度良く、生産性の高いボンディングがで
き、かつその傾き検出に際して隣接するブロック間で検
出するとともに検出結果により次の認識時の認識ウイン
ドウ位置を補正するので、傾き検出専用の視野の広い認
識カメラを必要とせずにかつ短い認識動作で高能率で傾
きを検出できる。
According to such a configuration, I
By recognizing the position of the C chip and the inclination of the wafer and bonding, the number of times of recognition can be reduced while absorbing the thermal expansion of the wafer, and accurate and highly productive bonding can be performed. Since the recognition window position at the time of the next recognition is corrected based on the detection result and the detection result, the tilt can be detected with high efficiency by a short recognition operation without requiring a recognition camera having a wide field of view dedicated to tilt detection.

【0039】[0039]

【発明の実施の形態】以下、本発明の代表的な一実施の
形態について図1〜図16を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a representative embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0040】まず、本実施形態のバンプボンダーの全体
配置構成を図1を参照して説明すると、ウエハ1を収容
したキャリアが搬入される搬入ステーション2と、キャ
リアから引き出したウエハが位置決めされる搬入側の移
載ステーション3と、バンプを形成するボンディングス
テーション4と、バンプを形成されたウエハ1が位置決
めされる搬出側の移載ステーション5と、バンプを形成
されたウエハ1を順次キャリアに収容して搬出する搬出
ステーション6とがライン上に等間隔に配設されてい
る。このウエハ1の移動ラインの前部には、ウエハ1を
搬入ステーション2から搬入側移載ステーション3に取
り出す取出手段7と、ウエハ1を搬出側移載ステーショ
ン5から搬出ステーション6に挿入する挿入手段8が配
設されている。さらに、その前部に搬入側移載ステーシ
ョン3のウエハ1をボンディングステーション4に移載
し、ボンディングステーション4のウエハ1を搬出側移
載ステーション5に移載する移載手段9が配設されてい
る。
First, the overall arrangement of the bump bonder of this embodiment will be described with reference to FIG. 1. A loading station 2 for loading a carrier containing a wafer 1 and a loading station for positioning a wafer pulled out of the carrier. Transfer station 3, a bonding station 4 for forming bumps, an unloading transfer station 5 on which the bumped wafer 1 is positioned, and a wafer 1 on which bumps are formed are sequentially accommodated in a carrier. And an unloading station 6 for unloading are arranged at equal intervals on the line. At the front of the wafer 1 transfer line, there are provided unloading means 7 for unloading the wafer 1 from the loading station 2 to the loading transfer station 3 and insertion means for inserting the wafer 1 from the unloading transfer station 5 to the unloading station 6. 8 are provided. Further, a transfer means 9 for transferring the wafer 1 from the loading-side transfer station 3 to the bonding station 4 and transferring the wafer 1 from the bonding station 4 to the unloading-side transfer station 5 is provided at the front thereof. I have.

【0041】ボンディングステーション4には、超音波
熱圧着によるボンディングのためにヒートステージから
なるボンディングステージ10が配設されるとともにそ
の後部にボンディングヘッド11が配設されている。ボ
ンディングヘッド11は、XY2方向に移動できるよう
に支持されるとともにX軸モータ12a、Y軸モータ1
2bにてX方向とY方向の任意の位置に移動・位置決め
可能なXYテーブル12上に搭載されている。
In the bonding station 4, a bonding stage 10 composed of a heat stage is provided for bonding by ultrasonic thermocompression bonding, and a bonding head 11 is provided behind the bonding stage. The bonding head 11 is supported so as to be movable in the XY2 directions, and has an X-axis motor 12a and a Y-axis motor 1a.
2b, it is mounted on an XY table 12 which can be moved and positioned at any position in the X and Y directions.

【0042】ボンディングヘッド11は、図2に示すよ
うに、ワイヤリール13と、このワイヤリール13から
のワイヤ14を上方から通されて、ボンディングステー
ジ10上のボンディング対象物であるウエハ1にボンデ
ィングを行うボンディング作業機構15との間に、ワイ
ヤリール13からボンディング作業機構15側に至るワ
イヤ14の途中を上向きの湾曲状態にエアー16で吹き
上げてワイヤ14にテンションを与えるワイヤテンショ
ナー17と、ボンディング作業機構15におけるクラン
パ18のワイヤガイド18aの真上でワイヤ14を上方
への吹き上げエアー20にさらしてワイヤ14に上向き
のテンションを掛けるワイヤテンショナー21とが配設
され、ワイヤリール13からのワイヤ14をエアー1
7、20にて所定の供給経路およびテンションを保つよ
うにフローティング支持しながらボンディング作業機構
15に無理なく供給できるように構成されている。
As shown in FIG. 2, the bonding head 11 passes a wire reel 13 and a wire 14 from the wire reel 13 from above to bond the wafer 1 to be bonded on the bonding stage 10 to the wafer 1. A wire tensioner 17 that blows up the middle of the wire 14 from the wire reel 13 to the bonding work mechanism 15 in an upwardly curved state by air 16 to apply tension to the wire 14 between the bonding work mechanism 15 and the bonding work mechanism 15; A wire tensioner 21 is disposed above the wire guide 18a of the clamper 18 at 15 to expose the wire 14 to upward air 20 and apply an upward tension to the wire 14. 1
At 7 and 20, it is configured to be able to supply to the bonding work mechanism 15 without difficulty while floatingly supporting it so as to maintain a predetermined supply path and tension.

【0043】ボンディング作業機構15は、図2、図3
に示すように、ワイヤ14を把持するクランパ18と、
先端にワイヤ14が挿通されるキャピラリ22aを有す
るとともに形成されたボール14aに超音波振動を印加
するホーン22と、放電用のトーチ23とを備えてい
る。また、ボンディング作業の状態を視覚認識する認識
カメラ24が上部に配設され、認識画像を認識用モニタ
(図示せず)に表示するとともにデータ処理装置(図示
せず)に認識信号を入力してデータ処理するように構成
されている。また、ボンディング作業機構15を図示し
ない支点軸を中心に往復回動させて先端部を上下動させ
る上下動電磁駆動部25と、クランパ8を開閉する開閉
電磁駆動部26とが設けられている。
The bonding operation mechanism 15 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 5, a clamper 18 for gripping the wire 14,
A horn 22 for applying ultrasonic vibration to a ball 14a having a capillary 22a through which the wire 14 is inserted at the tip and a formed torch 14a, and a torch 23 for discharging are provided. A recognition camera 24 for visually recognizing the state of the bonding operation is provided at an upper portion, and displays a recognition image on a recognition monitor (not shown) and inputs a recognition signal to a data processing device (not shown). It is configured to process data. Further, there are provided a vertically moving electromagnetic drive unit 25 for reciprocatingly rotating the bonding work mechanism 15 around a fulcrum shaft (not shown) to move the tip end up and down, and an opening and closing electromagnetic drive unit 26 for opening and closing the clamper 8.

【0044】ボンディング作業を、図4を参照して説明
すると、ワイヤ14はキャピラリ22aを通じて送り出
され、これがウエハ1の所定の電極27と対向する位置
にボンディングヘッド11が移動する都度、トーチ23
からのスパーク電流によって先端部が溶かされ、図4の
(a)に示すようなボール14aが形成される。ワイヤ
14の各電極27との対向位置は認識カメラ24の視覚
認識のもとに高精度に制御される。形成されたボール1
4aはウエハ1の電極27上に熱圧着と超音波振動とに
よって図4の(b)に示すように接合される。この際の
圧着力は30g〜50g程度が好適であり、超音波振動
は水平方向にかけられ、振幅0.5μm、振動数60〜
70KHZ (具体例としては63.5KHZ )程度とす
るのが好適である。次いで、ワイヤ14を挟持したクラ
ンパ18およびキャピラリ22aの上動によって、図4
の(c)に示すようにワイヤ14を切断して、電極27
の上にボール14aと、ボール14aから30μm〜4
0μm程度の高さに突出したワイヤ部分14bとからな
る突出長約60μm程度のバンプ28が形成される。ワ
イヤ14は、上記切断が所定位置で確実に行われるよう
に高ヤング率・低熱伝導率のものが用いられる。
The bonding operation will be described with reference to FIG. 4. The wire 14 is sent out through a capillary 22a, and each time the bonding head 11 moves to a position facing a predetermined electrode 27 of the wafer 1, the torch 23 is moved.
The tip portion is melted by the spark current from, and a ball 14a is formed as shown in FIG. The position of the wire 14 facing each electrode 27 is controlled with high precision under the visual recognition of the recognition camera 24. Formed ball 1
4a is bonded to the electrode 27 of the wafer 1 by thermocompression bonding and ultrasonic vibration as shown in FIG. The pressing force at this time is preferably about 30 g to 50 g, the ultrasonic vibration is applied in the horizontal direction, the amplitude is 0.5 μm, and the frequency is 60 to 50 g.
70KH Z (specific examples include 63.5KH Z) is preferred to be about. Next, the upward movement of the clamper 18 and the capillary 22a holding the wire 14 causes
The wire 14 is cut as shown in FIG.
And a ball 14a and 30 μm to 4
A bump 28 having a protrusion length of about 60 μm and a wire portion 14 b protruding to a height of about 0 μm is formed. As the wire 14, a wire having a high Young's modulus and a low thermal conductivity is used so that the above-mentioned cutting is reliably performed at a predetermined position.

【0045】次に、ウエハ1の各ステーション2〜6間
における移動・移載・位置決めについて順次説明して行
くことにし、まず、ウエハ1の搬入及び搬出用のキャリ
ア30について、図5を参照して説明する。キャリア3
0は、ウエハ1を上下に多数段互いに適当間隔あけて積
層状態で収容するもので、前面と後面が開放されるとと
もに後部がウエハ1が後方に抜け出さないように後端に
向けて先細状に絞られた略矩形枠状の枠体から成り、そ
の両側壁31に各ウエハ1の両側部を嵌入させて支持す
る多段(図示例では24段)の受棚列32が形成されて
いる。またH字状の底壁33の下面には左右方向に横断
するリブ34が突設され、その両端の前後の角部が位置
決め部35とされている。
Next, the movement, transfer, and positioning of the wafer 1 between the stations 2 to 6 will be sequentially described. First, the carrier 30 for loading and unloading the wafer 1 will be described with reference to FIG. Will be explained. Carrier 3
Numeral 0 denotes a case where the wafer 1 is accommodated in a stacked state with a plurality of upper and lower wafers spaced at appropriate intervals from each other. The front and rear surfaces are opened and the rear portion is tapered toward the rear end so that the wafer 1 does not come out backward. A multi-stage (24-stage in the illustrated example) receiving shelf row 32 is formed of a narrowed substantially rectangular frame-shaped frame body, and the both side walls 31 are fitted and supported on both sides of each wafer 1. On the lower surface of the H-shaped bottom wall 33, a rib 34 crossing in the left-right direction is protrudingly provided.

【0046】搬入ステーション2には、図6〜図8に示
すようなリフタ40が配設され、その昇降台41上にキ
ャリア30が上方から搭載される。昇降台41は固定フ
レーム42にて上下端が保持された左右2本の垂直なガ
イドシャフト43にてスライドベアリング44を介して
上下動自在に支持され、固定フレーム42の背面に取付
けられたサーボモータ45とこれによって正逆転駆動さ
れるタイミングベルト46とによって昇降動作させるよ
うに構成されている。昇降台41の上面にはキャリア3
0の位置決め部35に係合して位置決めする4本の位置
決めピン47が突設されている。また、昇降台41上の
キャリア30を上方から弾性的に押圧するようにばね4
9にて上方に退避回動可能に水平姿勢に向けて付勢され
た押えレバー48が配設されている。この昇降台41の
昇降動作によって、キャリア30内に収容された各ウエ
ハ1が最下段のものから順次所定の取り出し高さ位置に
位置決めされる。
The carry-in station 2 is provided with a lifter 40 as shown in FIGS. 6 to 8, and the carrier 30 is mounted on the lift table 41 from above. The lifting table 41 is vertically movably supported via two slide guides 44 by two right and left vertical guide shafts 43, the upper and lower ends of which are held by a fixed frame 42, and a servomotor mounted on the back of the fixed frame 42. The lifting and lowering operation is performed by a timing belt 45 driven forward and reverse by the rotation. The carrier 3 is provided on the upper surface of the lift 41.
Four positioning pins 47 for engaging and positioning with the 0 positioning portion 35 are provided in a protruding manner. A spring 4 is provided so as to elastically press the carrier 30 on the lift table 41 from above.
At 9, a holding lever 48 urged toward a horizontal posture so as to be able to retreat and rotate upward is provided. By the elevating operation of the elevating table 41, each wafer 1 accommodated in the carrier 30 is sequentially positioned at a predetermined take-out height position from the lowest one.

【0047】さらに、ウエハ1のキャリア30からの取
り出し方向を前方として、昇降台41の後部(図の右端
部)にはキャリア30内のウエハ1の後端縁両側部に係
合する一対の位置決めバー50が立設されている。ま
た、キャリア30の前面部に入り込んで内部に収容され
ているウエハ1のオリフラ1aにほぼ係合するシャッタ
51が固定フレーム42側から延設されている。このシ
ャッタ51の下端はウエハ1の取り出し高さ位置より若
干上方に位置し、ウエハ1の取り出し動作と干渉しない
ように配設されている。シャッタ51は、図7及び図8
に示すように、固定フレーム42の背面側にスライドガ
イド52にて取り出し方向に移動自在に支持された摺動
部材53に取付けられており、この摺動部材53を取り
出し方向後方側に付勢するばね54と、ウエハ1が位置
決めバー50に当接した状態でシャッタ51がオリフラ
1aとの間に微小隙間(0.5mm程度)をあけた位置
で停止するように摺動部材53が当接するストッパ55
と、摺動部材53がストッパ55に当接する位置まで移
動しないときにそれを検出するセンサ56とが配設され
ている。これら位置決めバー50とシャッタ51にてウ
エハ1が位置決めされるとともに、オリフラ1aの位置
が正しく前方に位置していないときには、摺動部材53
がストッパ55に当接せず、センサ56にて検出され
る。以上の機構により、昇降台41上でウエハ1の概略
位置決めするとともにウエハ1のキャリア30からの飛
び出しを防止し、さらにウエハ1のオリフラ1aの位置
を検出するオリフラ位置検出手段57が構成されてい
る。58は昇降台41の上昇限位置や下降限位置と、そ
れらをオーバーしたときの安全停止位置と、原点位置を
それぞれ検出するためのリミットスイッチである。
Further, with the unloading direction of the wafer 1 from the carrier 30 being the front, a pair of positioning members engaging with both sides of the rear edge of the wafer 1 in the carrier 30 are provided at the rear portion (right end portion in the drawing) of the lift table 41. A bar 50 is provided upright. Further, a shutter 51 that enters the front surface of the carrier 30 and substantially engages with the orientation flat 1a of the wafer 1 housed therein extends from the fixed frame 42 side. The lower end of the shutter 51 is located slightly above the take-out height position of the wafer 1 and is arranged so as not to interfere with the take-out operation of the wafer 1. The shutter 51 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 7, a slide member 53 is mounted on the rear side of the fixed frame 42 by a slide guide 52 so as to be movable in the take-out direction, and urges the slide member 53 rearward in the take-out direction. A stopper against which the sliding member 53 abuts so that the shutter 54 stops at a position where a minute gap (about 0.5 mm) is left between the spring 51 and the orientation flat 1a while the wafer 1 abuts the positioning bar 50. 55
And a sensor 56 for detecting when the sliding member 53 does not move to the position where it contacts the stopper 55. When the wafer 1 is positioned by the positioning bar 50 and the shutter 51, and the position of the orientation flat 1a is not correctly positioned in front, the sliding member 53
Does not come into contact with the stopper 55 and is detected by the sensor 56. The above mechanism constitutes an orientation flat position detecting means 57 for roughly positioning the wafer 1 on the lifting platform 41, preventing the wafer 1 from jumping out of the carrier 30, and detecting the position of the orientation flat 1a of the wafer 1. . Reference numeral 58 denotes a limit switch for detecting the ascending or descending limit position of the elevating platform 41, the safety stop position when the position is exceeded, and the origin position.

【0048】また、図9に搬出ステーション6のリフタ
40Aを示す。このリフタ40Aも搬入ステーション2
におけるリフタ40とほぼ同一の構成であり、対応する
構成要素に同一番号を付して相違点のみを説明する。リ
フタ40Aでは、位置決めバー50や摺動部材53のセ
ンサ56は不要であるために設けられていず、キャリア
30の有無を検出するキャリア有無検出センサ58が設
けられている。なお、このリフタ40Aではシャッタ5
1を固定的に設けてもよい。
FIG. 9 shows a lifter 40A of the unloading station 6. The lifter 40A is also in the loading station 2
Has the same structure as that of the lifter 40, and the corresponding components are denoted by the same reference numerals, and only the differences will be described. In the lifter 40A, since the positioning bar 50 and the sensor 56 of the sliding member 53 are unnecessary, they are not provided, and a carrier presence / absence detection sensor 58 for detecting the presence / absence of the carrier 30 is provided. In this lifter 40A, the shutter 5
1 may be fixedly provided.

【0049】次に、取出手段7及び挿入手段8につい
て、図10、図11を参照して説明する。なお、両者は
ほぼ同一構成であるので、取出手段7を主として説明
し、挿入手段8は相違点のみを説明する。
Next, the removal means 7 and the insertion means 8 will be described with reference to FIGS. Since both have almost the same configuration, the extraction means 7 will be mainly described and the insertion means 8 will be described only on the differences.

【0050】図10において、前部固定フレーム60の
背面側に配設されたスライドガイド61にて可動支持部
材63の下部が左右方向(ウエハ1の取り出し方向)に
往復移動自在に支持され、かつ同じく前部固定フレーム
60の背面側に配設されたロッドレスシリンダ62の可
動部62aに連結されて駆動及び位置決め可能に構成さ
れている。可動支持部材63の上部にはスライドガイド
64を介して支持腕65の基部65aが可動支持部材6
3の移動方向に移動可能に取付けられ、この支持腕65
の昇降台41側に延出された先端部にウエハ1を下方か
ら受けて支持するウエハ受け部66が設けられ、その先
端両側に一対の位置決めローラ67が設けられている。
支持腕65の基部65aは、ばね68にてストッパ69
に当接する位置まで昇降台41側に向けて移動付勢さ
れ、さらに移動時にウエハ受け部66が障害物に衝突し
てばね68に抗して移動したときにこれを検出するセン
サ70が設けられ、直ちに動作を停止して破損防止を図
るように構成されている。
In FIG. 10, the lower portion of the movable support member 63 is supported by a slide guide 61 disposed on the rear side of the front fixed frame 60 so as to be reciprocally movable in the left-right direction (the direction in which the wafer 1 is taken out). Similarly, it is connected to a movable portion 62a of a rodless cylinder 62 disposed on the rear side of the front fixed frame 60 so as to be driven and positioned. A base 65 a of a support arm 65 is provided above the movable support member 63 via a slide guide 64.
3 so as to be movable in the direction of movement.
A wafer receiving portion 66 for receiving and supporting the wafer 1 from below is provided at a leading end extending toward the lift table 41 side, and a pair of positioning rollers 67 are provided on both sides of the leading end.
The base 65 a of the support arm 65 is moved to a stopper 69 by a spring 68.
And a sensor 70 for detecting when the wafer receiving portion 66 collides with an obstacle and moves against the spring 68 during the movement. The operation is immediately stopped to prevent breakage.

【0051】また、支持腕65の基部65aに、ガイド
付きシリンダ71を介して規制腕72の基部72aが可
動支持部材63の移動方向に移動可能に取付けられ、こ
の規制腕72の先端部にはウエハ受け部66の基端側に
適当間隔あけて対向する規制部73が設けられ、その先
端部にウエハ1のオリフラ1aに係合する一対の位置規
制ローラ74が設けられている。そして、ばね71aに
て規制腕72の基部72aが先端の規制部73がウエハ
受け部66側に近付くように常時移動付勢され、かつ上
記ガイド付きシリンダ71にてばね71aの付勢力に抗
して離間駆動するようにするように構成されている。ま
た、規制部73の一側部にオリフラ1aを検出するオリ
フラ検出センサ75が配設されている。
A base 72 a of a regulating arm 72 is attached to a base 65 a of the supporting arm 65 via a cylinder 71 with a guide so as to be movable in the moving direction of the movable supporting member 63. A restricting portion 73 facing the base end of the wafer receiving portion 66 is provided at an appropriate interval, and a pair of position restricting rollers 74 that engage with the orientation flat 1a of the wafer 1 are provided at the distal end thereof. Then, the base 72a of the regulating arm 72 is constantly moved and biased by the spring 71a so that the regulating portion 73 at the distal end approaches the wafer receiving portion 66 side, and the guide cylinder 71 opposes the biasing force of the spring 71a. It is configured to be driven apart. An orientation flat detection sensor 75 for detecting the orientation flat 1a is provided on one side of the regulating section 73.

【0052】かくして、図11に示すように、支持腕6
5先端のウエハ受け部66をキャリア30における現在
最下段のウエハ1の下方に挿入して位置決めローラ67
をウエハ1の外周縁の外側に位置させ、その状態で昇降
台41を下降させてウエハ1をウエハ受け部66上に支
持し、その後規制腕72を支持腕65に対して移動させ
て位置決めローラ67と位置規制ローラ74にてばね7
1aの付勢力による適正な荷重でウエハ1を挟持するこ
とによりウエハ1が位置規制される。さらに、オリフラ
検出センサ75にてオリフラ1aの位置が正しいことが
確認される。また、この規制腕72が位置決めローラ6
7と位置規制ローラ74の間が開いてることを検出する
センサ76とウエハ1が無いために規制腕72がそれよ
りも移動したことを検出するセンサ77と、ウエハ1を
オリフラ1a位置で正しく挟持した位置まで移動したこ
とを検出するセンサ78とが配設されている。そして、
上記位置決めローラ67と位置規制ローラ74にてウエ
ハ1の位置規制手段79が構成されている。
Thus, as shown in FIG.
5 Insert the wafer receiving portion 66 at the leading end below the lowermost wafer 1 in the carrier 30 to position the positioning roller 67.
Is positioned outside the outer peripheral edge of the wafer 1, and in this state, the elevating table 41 is lowered to support the wafer 1 on the wafer receiving portion 66, and then the regulating arm 72 is moved with respect to the supporting arm 65 to position the positioning roller. Spring 7 with 67 and position regulating roller 74
The position of the wafer 1 is regulated by holding the wafer 1 with an appropriate load by the urging force 1a. Further, the orientation flat detection sensor 75 confirms that the position of the orientation flat 1a is correct. In addition, this regulating arm 72 is
A sensor 76 for detecting that the gap between the position 7 and the position regulating roller 74 is open, a sensor 77 for detecting that the regulating arm 72 has moved further since the wafer 1 is not present, and the wafer 1 are properly pinched at the orientation flat 1a position. And a sensor 78 for detecting movement to the specified position. And
The positioning roller 67 and the position regulating roller 74 constitute a position regulating means 79 for the wafer 1.

【0053】挿入手段8においては、ウエハ受け部66
上のウエハ1を搬出ステーション6のキャリア30内に
挿入するだけでで良いので、規制腕72及びそれに関連
する構成要素が設けられていず、その代わりウエハ受け
部66に吸着チャック80が設けられている。
In the insertion means 8, the wafer receiving portion 66
Since it is only necessary to insert the upper wafer 1 into the carrier 30 of the unloading station 6, the regulating arm 72 and its related components are not provided. Instead, the suction chuck 80 is provided in the wafer receiving portion 66. I have.

【0054】次に、移載手段9について、図12を参照
して説明する。ウエハ1の移動ラインと平行な移動手段
81にて駆動されて搬入側移載ステーション3とボンデ
ィングステーション4と搬出側移載ステーション5との
間で移動及び位置決め可能なる移動台82が設けられて
いる。移動手段81はその移動範囲に配設されたボール
ねじ83をサーボモータ84にて回転駆動するように構
成され、このボールねじ83に螺合させたナット体が移
動体82に固定されている。移動体82には昇降体85
が上下移動自在に取付けられ、ばね85aにて常時上限
位置に向けて付勢されるとともに内蔵されたシリンダに
て下限位置に移動駆動される。この昇降体85の上端部
からウエハ1の移動ラインの直上に位置するようにチャ
ック手段86が延設されている。チャック手段86はシ
リンダ86aにて互いに接近離間可能な一対のチャック
杆87を備え、各チャック杆87にそれぞれ一対のチャ
ッキングピン88がフローティング機構89を介して垂
設されている。チャッキングピン88の下端にはウエハ
1の落下防止用の鍔88aが突設されている。
Next, the transfer means 9 will be described with reference to FIG. A moving table 82 is provided, which is driven by moving means 81 parallel to the moving line of the wafer 1 and is capable of moving and positioning between the loading-side transfer station 3, the bonding station 4, and the unloading-side transfer station 5. . The moving means 81 is configured to rotationally drive a ball screw 83 disposed in the moving range by a servomotor 84, and a nut body screwed to the ball screw 83 is fixed to the moving body 82. The moving body 82 includes an elevating body 85
Is movably mounted in the vertical direction, is constantly biased toward the upper limit position by a spring 85a, and is driven to move to the lower limit position by a built-in cylinder. A chuck means 86 extends from the upper end of the elevating body 85 directly above the moving line of the wafer 1. The chuck means 86 includes a pair of chuck rods 87 which can be approached and separated from each other by a cylinder 86a, and a pair of chucking pins 88 are respectively suspended from the chuck rods 87 via a floating mechanism 89. A lower end of the chucking pin 88 is provided with a flange 88a for preventing the wafer 1 from falling.

【0055】かくして、搬入側移載ステーション3又は
ボンディングステーション4においてチャック手段86
を開いた状態で昇降体85を下降させ、チャック手段8
6を閉じることによって4つのチャッキングピン88に
てウエハ1を把持し、次に昇降体85を上限位置まで上
昇させ、移動手段81にて移動体82をボンディングロ
ッドレスシリンダ62の可動部62aに連結されて駆動
及び位置決め可能に構成されている。可動支持部材63
の上部にはスライドガイド64を介して支持腕65の基
部65aが可動支持部材63の移動方向に移動可能に取
付けられ、このステーション4又は搬出側移載ステーシ
ョン5位置まで移動させ、昇降体85を下降させ、チャ
ック手段86を開くことによってウエハ1を移載するこ
とができる。その際、チャッキングピン88がフローテ
ィング機構89を介して垂設されているので、チャック
キング時にウエハ1に欠けを生じる恐れがない。
Thus, the chucking means 86 at the loading-side transfer station 3 or the bonding station 4 is used.
The lifting body 85 is lowered while the chucking means 8 is open.
6 is closed, the wafer 1 is gripped by the four chucking pins 88, and then the elevating body 85 is raised to the upper limit position, and the moving body 82 is connected to the movable portion 62a of the bonding rodless cylinder 62 by the moving means 81. It is configured to be driven and positioned. Movable support member 63
A base 65a of a support arm 65 is movably mounted in the moving direction of the movable support member 63 via a slide guide 64, and is moved to the position of the station 4 or the unloading side transfer station 5 to move the elevating body 85. The wafer 1 can be transferred by lowering it and opening the chuck means 86. At this time, since the chucking pins 88 are vertically provided via the floating mechanism 89, there is no possibility that the wafer 1 will be chipped during chucking.

【0056】次に、ボンディングステージ10につい
て、図13〜図15を参照して説明する。ステージプレ
ート91とその下部のヒートブロック92とを備え、ス
テージプレート91の上面には、ウエハ1が余裕を持っ
て嵌まり込むように両側にそれぞれ各一対合計4つの規
制ローラ93が配設され、さらにステージプレート91
の両側にはオリフラ1aに係合する一対の当接ローラ9
4を有する規制部95がそれぞれ反対側に位置する各対
の規制ローラ93に対向するように配設され、規制部9
5にてウエハ1を規制ローラ93に向けて押し付けてウ
エハ1の位置規制を行うように構成されている。この規
制部95はばね96にて規制方向に向けて常時付勢され
るとともに、規制解除方向に移動駆動させるシリンダ
(図示せず)がステージプレート91の裏面側に配設さ
れている。また、一方(図の右側)の規制部94の近傍
にオリフラ1aを検出するオリフラ検出センサ97が配
設されている。
Next, the bonding stage 10 will be described with reference to FIGS. A stage plate 91 and a heat block 92 below the stage plate 91 are provided. On the upper surface of the stage plate 91, a total of four regulating rollers 93 are provided on each side so that the wafer 1 is fitted with a margin. Stage plate 91
A pair of contact rollers 9 that engage with the orientation flat 1a
4 are provided so as to face the respective pairs of regulating rollers 93 located on opposite sides.
At 5, the position of the wafer 1 is regulated by pressing the wafer 1 against the regulating roller 93. The restricting portion 95 is constantly urged in the restricting direction by a spring 96, and a cylinder (not shown) for driving to move in the restricting release direction is disposed on the back side of the stage plate 91. In addition, an orientation flat detection sensor 97 for detecting the orientation flat 1a is arranged near one of the regulating portions 94 (right side in the drawing).

【0057】また、ステージプレート91には、ウエハ
1の吸着及び浮上用の吸着・浮上兼用エア口101と、
ウエハ1を旋回させるように周方向に同一方向に斜めに
傾斜させて開口させた旋回用エア噴出口102と、ウエ
ハ1の旋回時にウエハ1が振れ回りしてふらつくことが
ないようにウエハ1を一方(図の右側)の一対の規制ロ
ーラ93に向けて付勢する片寄せ用エア噴出口103と
が設けられている。片寄せ用エア噴出口103は、旋回
用エア噴出口102から噴出される旋回気流と干渉し合
わないように、その旋回気流の半径の内側に配置され、
吸着・浮上兼用エア口101は旋回気流の半径の外側と
内側とに配置されている。また、ステージプレート91
の周縁部の適当箇所に捨てボンディング部104が配設
され、捨てボンディング用のチップを吸着する吸着穴1
04aが設けられている。
The stage plate 91 has a suction / floating air port 101 for sucking and floating the wafer 1,
The swirling air jet port 102 is opened by being inclined obliquely in the same direction in the circumferential direction so as to turn the wafer 1, and the wafer 1 is swung so that the wafer 1 does not wobble when the wafer 1 turns. A one-sided air ejection port 103 for urging toward one of the pair of regulating rollers 93 (right side in the figure) is provided. The offset air jet 103 is arranged inside the radius of the swirling airflow so as not to interfere with the swirling airflow ejected from the swirling air jet 102,
The suction / floating air port 101 is disposed outside and inside the radius of the swirling airflow. Also, the stage plate 91
Is disposed at an appropriate position on the periphery of the chip, and a suction hole 1 for sucking a chip for discard bonding is provided.
04a is provided.

【0058】ヒートブロック92には、カートリッジヒ
ータ105が数本挿入されるとともに、熱電対106が
埋設され、270℃程度の温度の制御するように構成さ
れている。ヒートブロック92は左右一対の放熱性の高
い脚部材107によって支持されている。
In the heat block 92, several cartridge heaters 105 are inserted, and a thermocouple 106 is buried, so that the temperature is controlled at about 270 ° C. The heat block 92 is supported by a pair of left and right leg members 107 having high heat dissipation.

【0059】かくして、ウエハ1が移載手段9にてボン
ディングステージ10上の4つの規制ローラ93の内側
にオリフラ1aを図13、図14の左側に向けて移載さ
れると、左側の規制部95を規制動作させ、その当接ロ
ーラ94をオリフラ1aに係合させてウエハ1を右側の
一対の規制ローラ93に向けて押し付け、これら当接ロ
ーラ94と規制ローラ93にてウエハ1を位置規制す
る。その状態で吸着・浮上兼用エア口101にてウエハ
1を吸着固定し、ボンディングヘッド11にてウエハ1
のボンディングヘッド11に近い側の半分の領域のIC
チップに対してバンプ28を形成する。
Thus, when the wafer 1 is transferred by the transfer means 9 to the inside of the four control rollers 93 on the bonding stage 10 toward the left side in FIGS. 95, the contact roller 94 is engaged with the orientation flat 1a to press the wafer 1 against the pair of right regulating rollers 93, and the position of the wafer 1 is regulated by the contact roller 94 and the regulating roller 93. I do. In this state, the wafer 1 is suction-fixed by the suction / floating air port 101, and the wafer 1 is
IC in the half area near the bonding head 11
A bump 28 is formed on the chip.

【0060】次いで、ウエハ1の吸着及び左側の規制部
95による規制を解除し、吸着・浮上兼用エア口101
からエアを吹き出してウエハ1を浮上させるとともに、
片寄せ用エア噴出口103からエアを吹き出してウエハ
1を図の右側の一対の規制ローラ93に係合させ、その
状態で旋回用エア噴出口102からエアを吹き出してウ
エハ1を旋回させる。このようにウエハ1の旋回時にウ
エハ1を一対の規制ローラ93に係合させることにより
ウエハ1が振れ回りしてふらつくことがなく、一定位置
で旋回させることができる。そして、ウエハ1のオリフ
ラ1aが右側の規制部95に対向する位置までウエハ1
が反転旋回すると、オリフラ検出センサ97にて検出さ
れるので直ちに浮上と旋回を停止させ、右側の規制部9
5を規制動作させ、その当接ローラ94をオリフラ1a
に係合させてウエハ1を左側の一対の規制ローラ93に
向けて押し付け、これら当接ローラ94と規制ローラ9
3にてウエハ1を位置規制する。その状態で吸着・浮上
兼用エア口101にてウエハ1を吸着固定し、ボンディ
ングヘッド11にてウエハ1のボンディングヘッド11
に近い側となった残りの半分の領域のICチップに対し
てバンプ28を形成し、ウエハ1の全面に対するバンプ
28の形成が完了する。
Next, the suction of the wafer 1 and the restriction by the restriction part 95 on the left side are released, and the suction / floating air port 101 is used.
Air is blown out from the wafer to float the wafer 1,
Air is blown out from the biasing air outlet 103 to engage the wafer 1 with the pair of regulating rollers 93 on the right side in the figure, and in this state, air is blown out from the turning air outlet 102 to turn the wafer 1. As described above, by engaging the wafer 1 with the pair of regulating rollers 93 when the wafer 1 rotates, the wafer 1 can be swung at a fixed position without whirling and wobbling. Then, the wafer 1 is moved to a position where the orientation flat 1a of the wafer 1
Is detected by the orientation flat detection sensor 97, the levitation and the rotation are immediately stopped, and the right regulating unit 9 is rotated.
5 and the contact roller 94 is moved to the orientation flat 1a.
, And presses the wafer 1 against the pair of left-hand regulating rollers 93, and the contact roller 94 and the regulating roller 9 are pressed.
At 3, the position of the wafer 1 is regulated. In this state, the wafer 1 is suction-fixed by the suction / floating air port 101, and the bonding head 11 of the wafer 1 is
The bumps 28 are formed on the other half of the IC chip on the side closer to the wafer 1, and the formation of the bumps 28 on the entire surface of the wafer 1 is completed.

【0061】このように、ウエハ1を半分の領域づつバ
ンプを形成することにより、ボンディングヘッド11の
移動範囲を小さくでき、それによってボンディングヘッ
ド11の剛性や寸法精度を確保して高精度のバンプ形成
が実現できる。
As described above, by forming the bumps on the wafer 1 in half of the area, the moving range of the bonding head 11 can be reduced, whereby the rigidity and the dimensional accuracy of the bonding head 11 are secured and the bumps are formed with high precision. Can be realized.

【0062】また、バンプ形成動作中にボール未形成ト
ラブル等が発生して捨てボンディングが必要になった場
合には、ボンディングヘッド11をステージプレート9
1上に設定されている専用の捨てボンディング部104
に自動的に移動させて捨てチップに対してボンディング
を行うことによってボールを形成し、速やかに効率良く
正常なバンプ形成動作に復帰することができる。このよ
うな専用の捨てボンディング部104を設けていること
により、ウエハ1の周辺部に捨てボンディング可能な領
域を探して捨てボンディングを行う場合のように作業効
率が低下したり、製品であるウエハ1の表面を汚す恐れ
を無くすことができる。
When a ball unforming trouble or the like occurs during the bump forming operation and discard bonding is required, the bonding head 11 is moved to the stage plate 9.
1 a dedicated discard bonding section 104 set on
Then, the ball is formed by automatically moving the chip and bonding the discarded chip, and the normal bump forming operation can be promptly and efficiently returned to the normal operation. The provision of such a dedicated discarding bonding portion 104 reduces the work efficiency as in the case where discarding bonding is performed by searching for a discardable bonding area around the wafer 1, or the wafer 1 The possibility of soiling the surface can be eliminated.

【0063】ところで、バンプ28を形成した後に長時
間高温に晒すと、バンプ28と電極27の素材との間で
の冶金的な反応によってバンプ28の強度が低下する恐
れがある。しかるに、ウエハ1の全面にバンプ28を形
成するのには長時間を要するとともに、図13、図14
の図示例ではステージプレート91の全面をその下面配
置したヒートブロック92にて均一に所定温度に加熱し
ているため、先に形成したバンプ28の強度が低下する
恐れがある。
If the bump 28 is exposed to a high temperature for a long time after it is formed, the strength of the bump 28 may decrease due to a metallurgical reaction between the bump 28 and the material of the electrode 27. However, it takes a long time to form the bumps 28 on the entire surface of the wafer 1 and, as shown in FIGS.
In the illustrated example, since the entire surface of the stage plate 91 is uniformly heated to a predetermined temperature by the heat block 92 disposed on the lower surface, the strength of the bump 28 formed earlier may be reduced.

【0064】このような課題を解決するには、図15
(a)、(b)に示すように、ステージプレート91の
ボンディングヘッド11に近い側の半分に当たるボンデ
ィング作業領域110(斜線で表示)の下部にのみヒー
トブロック92を配設することにより、残りのボンディ
ングしない非作業領域111ではステージプレート91
及びウエハ1の温度を下げるようにすればよい。その
際、非作業領域111でもボンディング作業領域110
との境界に近い部分ではヒートブロック92の熱影響を
受けて高温に晒されるため、バンプ形成をボンディング
作業領域110と非作業領域111の境界に近い側では
なく、ボンディングヘッド11に近い側の部分から先に
行うようにすることで、ボンディング作業領域110と
非作業領域111の境界に近い部分に形成されたバンプ
28が高温に晒される時間が長くなることがなく、ウエ
ハ1全面のバンプ28の強度低下を防止できる。
To solve such a problem, FIG.
As shown in (a) and (b), by disposing the heat block 92 only in the lower part of the bonding work area 110 (indicated by diagonal lines) corresponding to the half of the stage plate 91 on the side close to the bonding head 11, the remaining In the non-work area 111 where no bonding is performed, the stage plate 91 is used.
In addition, the temperature of the wafer 1 may be reduced. At this time, the bonding work area 110 is used even in the non-work area 111.
In the portion near the boundary between the bonding work area 110 and the non-working area 111, the bumps are formed not on the side near the boundary between the bonding working area 110 and the non-working area 111 but on the side near the bonding head 11, In this case, the time for exposing the bumps 28 formed near the boundary between the bonding work area 110 and the non-work area 111 to a high temperature does not become long, and the bumps 28 on the entire surface of the wafer 1 A decrease in strength can be prevented.

【0065】また、図15(c)に示すように、ステー
ジプレート91の下面全面にヒートブロック92を配置
するとともに、ボンディング作業領域110に対応する
カートリッジヒータ105aと非作業領域111に対応
するカートリッジヒータ105bとで制御温度を異なら
せ、例えばカートリッジヒータ105aは270℃に温
度制御し、カートリッジヒータ105bはウエハ1の予
熱のために100℃程度に温度制御するようにしてもよ
い。さらに、図15(d)に示すように、図15
(a)、(b)の構成に加えて非作業領域111におい
てヒートブロック92の熱影響を受けて高温になり易い
中央部分でステージプレート91に切欠112を形成
し、ステージプレート91による熱伝達を防止し、高温
になるのを防止するようにすることもできる。
As shown in FIG. 15C, a heat block 92 is arranged on the entire lower surface of the stage plate 91, and a cartridge heater 105a corresponding to the bonding work area 110 and a cartridge heater 105 corresponding to the non-work area 111 are provided. For example, the temperature of the cartridge heater 105a may be controlled to 270 ° C., and the temperature of the cartridge heater 105b may be controlled to about 100 ° C. for preheating the wafer 1. Further, as shown in FIG.
In addition to the configurations of (a) and (b), a notch 112 is formed in the stage plate 91 at the central portion where the temperature is likely to be high due to the heat of the heat block 92 in the non-work area 111, and the heat transfer by the stage plate 91 is performed. It is also possible to prevent the temperature from becoming high.

【0066】また、上記ボンディング作業時には、図1
6に示すように、ウエハ1に形成されている多数のIC
チップ121を複数づつグルーピングしてウエハ1を複
数のブロック122に分割し、ブロック122毎に順次
ボンディング作業を行う。そのボンディング作業にあた
っては、各ICチップの位置とボンディングステージ1
0の基準線に対するウエハ1の基準線の傾きを検出して
ボンディング位置データを補正しながらボンディングを
行うが、ウエハ1の基準線を検出するのに、隣接するブ
ロック122、122間でウエハ1の基準線と平行する
方向に互いに対応するICチップ121、121の中心
位置121aを求め、その中心121a、121aを結
ぶ直線123によって求める。そして、その直線123
とボンディングステージ10の基準線124との傾き1
25を求め、そのブロック122内のICチップ121
の検出位置と上記検出した傾き125にてボンディング
位置データを補正して各ICチップ121のボンディン
グ作業を順次行う。
At the time of the bonding operation,
As shown in FIG. 6, a large number of ICs formed on the wafer 1
The wafer 1 is divided into a plurality of blocks 122 by grouping a plurality of chips 121, and a bonding operation is sequentially performed for each block 122. In the bonding operation, the position of each IC chip and the bonding stage 1
Bonding is performed while correcting the bonding position data by detecting the inclination of the reference line of the wafer 1 with respect to the reference line of 0. In order to detect the reference line of the wafer 1, the wafer 1 is moved between adjacent blocks 122, 122. The center position 121a of the IC chips 121, 121 corresponding to each other in the direction parallel to the reference line is obtained, and the center position 121a is obtained by a straight line 123 connecting the centers 121a, 121a. And the straight line 123
Between the reference line 124 of the bonding stage 10 and the reference line 124
25, and the IC chip 121 in the block 122 is obtained.
The bonding position data is corrected based on the detected position and the detected inclination 125, and the bonding operation of each IC chip 121 is sequentially performed.

【0067】1つのブロック122のボンディング作業
が完了すると、次のブロック122に移行して同様の動
作を繰り返すが、その際に上記傾き125を検出するた
めに設定されるICチップ121認識用のウインドウ1
26は、先に検出した傾き125に基づいて補正した位
置に設定することによって、ボンティングヘッド11に
搭載されている認識カメラ24の視野が狭くても隣接す
るブロック122の対応するICチップ121を確実に
視野に収めて傾き125を検出できる。
When the bonding operation of one block 122 is completed, the process moves to the next block 122 and the same operation is repeated. At this time, a window for recognizing the IC chip 121 set for detecting the inclination 125 is set. 1
26 sets the IC chip 121 corresponding to the adjacent block 122 even if the field of view of the recognition camera 24 mounted on the bonding head 11 is narrow by setting the corrected position based on the previously detected tilt 125. The tilt 125 can be reliably detected within the field of view.

【0068】このように、ブロック122毎にICチッ
プ121の位置とウエハ1の傾きを認識してボンディン
グすることにより、ウエハ1の熱膨張を吸収しながら認
識回数を削減して精度良く、生産性の高いボンディング
ができる。また、傾き検出専用の視野の広い認識カメラ
を必要とせずに、また短い認識動作で高能率で傾きを検
出できる。
As described above, bonding is performed by recognizing the position of the IC chip 121 and the inclination of the wafer 1 for each block 122, thereby reducing the number of times of recognition while absorbing the thermal expansion of the wafer 1 and improving the productivity and accuracy. High bonding performance. Further, the tilt can be detected with high efficiency by a short recognition operation without requiring a recognition camera having a wide field of view dedicated to tilt detection.

【0069】[0069]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、リフタにキャ
リア内のウエハ位置を規制するとともにウエハのオリフ
ラ位置を検出するオリフラ位置検出手段を設け、取出手
段にウエハの位置規制手段を設けているので、キャリア
をリフタに設置した状態でキャリア内のウエハ全体の位
置を規制できるとともにオリフラの位置を検出できるた
め、オリフラの位置が適正でない場合に作業者が修正す
ることによりオリフラの位置が全て正しい状態でウエハ
を取出手段に受け渡すことができ、また位置決めされた
ウエハを取出手段上に適正に受け取って位置規制手段に
てウエハの位置を規制し、この取出手段を次の移載ステ
ーションに移動させて位置決めすることによりウエハを
高精度に位置決めすることができる。従って、簡単な構
成にて特に位置決めに時間を要することなく、キャリア
から順次ウエハを取り出して高精度に位置決めすること
ができ、またキャリア内に収容されているウエハが動作
中の振動によって飛び出す恐れもない等の効果を発揮す
る。
According to the first aspect of the present invention, the lifter is provided with the orientation flat position detecting means for regulating the wafer position in the carrier and detecting the orientation flat position of the wafer, and the take-out means is provided with the wafer position regulating means. Since the position of the entire wafer in the carrier can be restricted and the position of the orientation flat can be detected while the carrier is installed on the lifter, the operator corrects the orientation flat when the position of the orientation flat is not appropriate. The wafer can be delivered to the unloading means in a correct state, and the positioned wafer can be properly received on the unloading means, and the position of the wafer can be regulated by the position regulating means, and the unloading means can be transferred to the next transfer station. By moving and positioning, the wafer can be positioned with high accuracy. Therefore, the wafer can be sequentially taken out of the carrier and positioned with high accuracy with a simple configuration and no time is required for the positioning, and there is a possibility that the wafer accommodated in the carrier may fly out due to vibration during operation. It has the effect of not having.

【0070】請求項2の発明によれば、上記オリフラ位
置検出手段を、キャリア内のウエハのオリフラとは反対
側縁部に係合する一対の位置決めバーと、キャリア内の
ウエハのオリフラに対して略係合する位置に向けて弾性
的に移動付勢されたシャッタと、シャッタがオリフラに
対して略係合する位置から外れているときに検出するセ
ンサにて構成しているので、リフタに位置決めバーと可
動構成のシャッタとシャッタの位置を検出するセンサを
設けるだけの簡単な構成で、キャリア内のウエハの位置
規制を行うと同時にオリフラの位置を検出することがで
きる。
According to the second aspect of the present invention, the orientation flat position detecting means is provided between a pair of positioning bars which are engaged with the edge of the wafer in the carrier opposite to the orientation flat, and the orientation flat of the wafer in the carrier. Since it is composed of a shutter elastically moved and biased toward the position where it is substantially engaged and a sensor which detects when the shutter is out of the position where it is substantially engaged with the orientation flat, it is positioned on the lifter. With a simple configuration in which a bar, a movable shutter and a sensor for detecting the position of the shutter are provided, the position of the orientation flat can be detected at the same time as the position of the wafer in the carrier is regulated.

【0071】請求項3の発明によれば、上記取出手段の
位置規制手段を、キャリアからウエハを受けて支持する
ウエハ受け部の先端に適当間隔あけて配設された一対の
位置決めローラと、ウエハ受け部の基端に対して遠近方
向に移動可能でかつウエハのオリフラに係合する一対の
位置規制ローラを配設された規制部にて構成しているの
で、ウエハ受け部上にウエハを受けて規制部をウエハ受
け部の基部に向けて接近動作させるだけの機構と動作に
よって、ウエハ受け部先端の一対の位置決めローラと規
制部の一対の位置規制ローラにてオリフラの位置を含め
てウエハの位置を高精度に位置決めすることができる。
According to the third aspect of the present invention, a pair of positioning rollers disposed at appropriate intervals at the tip of a wafer receiving portion for receiving and supporting a wafer from a carrier, and Since a pair of position regulating rollers, which are movable in the near and far directions with respect to the base end of the receiving portion and engage with the orientation flat of the wafer, are constituted by the disposed regulating portion, the wafer is received on the wafer receiving portion. With a mechanism and operation that merely moves the regulating portion toward the base of the wafer receiving portion, the pair of positioning rollers at the tip of the wafer receiving portion and the pair of position regulating rollers of the regulating portion move the wafer including the orientation flat position. The position can be positioned with high precision.

【0072】請求項4の発明によれば、ボンディングス
テージ上面の左右両側に、各一対の規制ローラを配設す
るとともにウエハのオリフラに係合して反対側の規制ロ
ーラに向けてウエハを押し付けてウエハの位置規制を行
う規制部を設け、かつウエハを反転させる反転手段を設
けているので、ウエハを反転させて半分づつバンプを形
成することができ、その分ボンディングヘッドの移動範
囲を小さくできることによりボンディングヘッドの剛性
及び精度を容易に確保でき、安価に高精度のバンプ形成
を実現することができ、またウエハのオリフラが何れの
向きになっている場合にも規制部と規制ローラにてウエ
ハを位置決めできるので、簡単な構成で精度良くウエハ
を位置決めできる。
According to the fourth aspect of the present invention, a pair of regulating rollers are provided on both left and right sides of the upper surface of the bonding stage, and are engaged with the orientation flat of the wafer to press the wafer toward the opposite regulating roller. Since a regulating portion for regulating the position of the wafer is provided, and a reversing means for reversing the wafer is provided, the wafer can be reversed to form bumps half by half, and the moving range of the bonding head can be reduced accordingly. The rigidity and accuracy of the bonding head can be easily secured, high-precision bump formation can be realized at low cost, and the wafer can be held by the regulating unit and the regulating roller regardless of the orientation of the wafer. Since the positioning can be performed, the wafer can be accurately positioned with a simple configuration.

【0073】請求項5の発明によれば、上記反転手段
を、ウエハを浮上させる浮上用エア噴出手段と、ウエハ
を旋回させる旋回用エア噴出手段と、旋回状態のウエハ
を一側の規制ローラ対に当て付ける片寄せ用エア噴出口
と、ウエハが当て付けられる規制ローラ側に配設された
オリフラ検出センサにて構成したので、エアにてウエハ
を浮上させた状態で旋回させて反転させることができて
高温のボンディングステージにおいても簡単な構成でウ
エハを旋回させることができ、かつウエハを一側の規制
ローラ対に当て付けて旋回させるので、旋回エアの微妙
な乱れによってウエハに変則的な動きが発生する恐れが
なく、オリフラを検出した時点で旋回を停止して規制部
と規制ローラにてウエハを位置決めすることによりウエ
ハを安定的に適正に位置決めすることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the reversing means includes a floating air jetting means for floating the wafer, a swirling air jetting means for turning the wafer, and a pair of regulating rollers for rotating the wafer in one side. It is composed of a one-sided air ejection port to be applied to the wafer and an orientation flat detection sensor arranged on the side of the regulating roller to which the wafer is applied, so that the wafer can be turned and inverted while floating by air. The wafer can be swiveled with a simple configuration even at the high temperature bonding stage, and the wafer is swung by contacting the pair of regulating rollers on one side, so irregular movement of the wafer due to subtle turbulence of the swirling air The rotation is stopped when the orientation flat is detected, and the wafer is stably and properly positioned by positioning the wafer with the regulating unit and the regulating roller. It is possible to fit-decided.

【0074】請求項6の発明によれば、ボンディングス
テージ上でウエハに対してボンディングヘッドにてバン
プを形成するバンプボンダーにおいて、ウエハを反転さ
せる反転手段と、ボンディングステージのボンディング
ヘッドに近い半分をボンディング作業領域としてこのボ
ンディング作業領域の温度を所定温度に設定し、残りの
非作業領域を所定温度よりも低い温度に設定する手段を
設けたので、反転手段にてウエハを反転してウエハの半
分の領域にバンプを形成した後ウエハを反転させて残り
の半分の領域にバンプを形成することができて請求項4
の発明と同様の効果が得られるとともに、ボンディング
作業領域で先に形成されたバンプが非作業領域に移動す
ると低温状態にされるため、バンプが形成された後長時
間高温の晒された場合に生じるバンプの強度低下を効果
的に防止することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in a bump bonder for forming a bump on a wafer by a bonding head on a bonding stage, a reversing means for reversing the wafer and a half of the bonding stage close to the bonding head are bonded. A means for setting the temperature of the bonding work area to a predetermined temperature as a work area and setting the remaining non-work area to a temperature lower than the predetermined temperature is provided. 5. The method according to claim 4, wherein the step of forming the bumps in the region allows the wafer to be turned over to form the bumps in the other half of the region.
The same effect as that of the invention can be obtained, and when the bump formed earlier in the bonding work area is moved to the non-work area, the temperature is set to a low temperature state. The resulting reduction in the strength of the bumps can be effectively prevented.

【0075】請求項7の発明によれば、ボンディングス
テージをステージプレートの下部にヒートブロックを配
設して構成し、ステージプレートのボンディング作業領
域の下部にのみヒートブロックを配設しているので、簡
単にボンディング作業領域をヒートブロックにて所定温
度に制御できるとともに非作業領域を低温に設定するこ
とができる。
According to the seventh aspect of the present invention, the bonding stage is configured by disposing a heat block below the stage plate, and the heat block is disposed only below the bonding work area of the stage plate. The bonding work area can be easily controlled to a predetermined temperature by the heat block, and the non-work area can be set to a low temperature.

【0076】請求項8の発明の発明によれば、非作業領
域におけるボンディング作業領域と隣接する部分の少な
くとも一部において、ステージプレートに切欠を形成し
ているので、切欠を設けるという簡単な手段にてより効
果的にかつ非作業領域の全体を均等に低温に設定するこ
とができる。
According to the eighth aspect of the present invention, the notch is formed in the stage plate in at least a part of the non-working area adjacent to the bonding work area. Therefore, the temperature of the entire non-work area can be set more effectively and uniformly.

【0077】請求項9の発明によれば、ヒートブロック
にてステージプレートのボンディング作業領域の下部で
は所定のボンディング作業に適した温度に、非作業領域
の下部では所定の予熱温度に設定するようにしているの
で、ウエハに急激な温度変化を与えることなく、かつ形
成したバンプの強度低下も確実に防止することができ
る。
According to the ninth aspect of the present invention, a temperature suitable for a predetermined bonding operation is set below the bonding work area of the stage plate in the heat block, and a predetermined preheating temperature is set below the non-working area. Therefore, it is possible to surely prevent a drop in the strength of the formed bumps without giving a rapid temperature change to the wafer.

【0078】請求項10の発明によれば、ボンディング
ステージ上に供給されたウエハに対してボンディングヘ
ッドにてバンプを形成するバンプボンダーにおいて、ボ
ンディングステージ上の周縁部に捨てボンディング用の
チップを吸着する吸着穴を有する捨てボンディング部を
配設したので、ボール未形成トラブル時などに自動的に
捨てボンディング部でボールを形成して正常作業に復帰
できて作業効率を向上でき、また製品のウエハ上で捨て
ボンディングを行わないためにその表面を汚す危険性も
ないという効果を発揮する。
According to the tenth aspect of the present invention, in a bump bonder for forming a bump on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head, a chip for discarding is attracted to a peripheral portion on the bonding stage. Disposal bonding part with suction holes is arranged, so that when a ball is not formed, the ball can be automatically formed at the disposal bonding part and normal operation can be resumed, improving work efficiency and improving product efficiency. The effect is that there is no danger of soiling the surface because the discard bonding is not performed.

【0079】請求項11の発明によれば、ボンディング
ステージのボンディングヘッドに近い半分をボンディン
グ作業領域としてウエハの略半分にバンプを形成した
後、ウエハを反転させて残りの略半分にバンプを形成す
るとともに、ボンディング作業領域でのバンプ形成時に
ボンディング作業領域と非作業領域の境界から離れた側
から境界に近い側に向けて順次バンプを形成するので、
上記請求項4の発明と同様の効果を発揮するとともに、
バンプ形成をボンディング作業領域と非作業領域の境界
から離れた側から先に行うことで、非作業領域のボンデ
ィング作業領域との境界に近い部分はボンディング作業
領域の熱影響を受けて高温に晒されても、ボンディング
作業領域と非作業領域の境界に近い部分に形成されたバ
ンプが高温に晒される時間が長くなることがなく、ウエ
ハ全面のバンプの強度低下を防止することができる。
According to the eleventh aspect of the present invention, after forming a bump on substantially half of the wafer using a half of the bonding stage close to the bonding head as a bonding work area, the wafer is inverted and bumps are formed on substantially the other half. At the same time, when forming bumps in the bonding work area, bumps are sequentially formed from the side distant from the boundary between the bonding work area and the non-work area from the side close to the boundary,
While exhibiting the same effect as the invention of claim 4 above,
By performing bump formation from the side farther from the boundary between the bonding work area and the non-working area, the portion of the non-working area near the boundary with the bonding work area is exposed to high temperature due to the thermal effect of the bonding work area. However, it is possible to prevent the bump formed at the portion near the boundary between the bonding work area and the non-work area from being exposed to a high temperature for a long time, thereby preventing a reduction in the strength of the bump on the entire surface of the wafer.

【0080】請求項12の発明によれば、ウエハを複数
のICチップ毎にグルーピングしたブロックに分割して
ブロック毎にバンプ形成し、かつその際のボンディング
位置データの補正に必要なウエハの傾き検出を、隣接す
るブロックにおけるウエハ基準線方向に互いに対応する
ICチップの中心を結ぶ直線とボンディングステージの
基準線との傾きにて検出するとともに、検出結果により
次の傾き検出時の認識ウインド位置を補正するので、ブ
ロック毎にICチップの位置とウエハの傾きを認識して
ボンディングすることにより、ウエハの熱膨張を吸収し
ながら認識回数を削減して精度良く、生産性の高いボン
ディングができ、また傾き検出専用の視野の広い認識カ
メラを必要とせずにかつ短い認識動作で高能率で傾きを
検出できる。
According to the twelfth aspect of the present invention, the wafer is divided into blocks grouped for each of a plurality of IC chips, bumps are formed for each block, and the inclination of the wafer required for correcting bonding position data at that time is detected. Is detected by the inclination between the straight line connecting the centers of the IC chips corresponding to each other in the direction of the wafer reference line in the adjacent block and the reference line of the bonding stage, and the recognition window position at the time of detecting the next inclination is corrected based on the detection result. Therefore, by performing bonding by recognizing the position of the IC chip and the inclination of the wafer for each block, the number of times of recognition can be reduced while absorbing the thermal expansion of the wafer, and bonding with high accuracy and high productivity can be performed. The tilt can be detected with high efficiency by a short recognition operation without requiring a recognition camera having a wide field of view dedicated to detection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態のバンプボンダーの全体配
置構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing the overall arrangement of a bump bonder according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施形態のボンディングヘッドにおけるワイ
ヤ供給機構の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a wire supply mechanism in the bonding head of the embodiment.

【図3】同実施形態のボンディングヘッドをワイヤ供給
機構を省略して示した斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing the bonding head of the embodiment without a wire supply mechanism;

【図4】同実施形態のボンディング作業工程を示し、
(a)はボール形成工程の断面図、(b)はボールを電
極に接合する工程の断面図、(c)はワイヤを切断して
バンプを形成する工程の断面図である。
FIG. 4 shows a bonding operation process of the embodiment;
(A) is a sectional view of a ball forming step, (b) is a sectional view of a step of bonding a ball to an electrode, and (c) is a sectional view of a step of cutting a wire to form a bump.

【図5】同実施形態におけるウエハ搬送用のキャリアを
示し、(a)は(b)のA−A矢視断面平面図、(b)
は正面図、(c)は底面図である。
FIGS. 5A and 5B show a wafer transfer carrier according to the embodiment, wherein FIG. 5A is a cross-sectional plan view taken along line AA of FIG.
Is a front view, and (c) is a bottom view.

【図6】同実施形態の搬入ステーションに配設されるリ
フタの要部構成を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a main configuration of a lifter provided in the carry-in station of the embodiment.

【図7】図6のリフタを背面側から見た要部の斜視図で
ある。
FIG. 7 is a perspective view of a main part of the lifter of FIG. 6 as viewed from the rear side.

【図8】図6のリフタにおけるオリフラ位置検出手段を
示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing an orientation flat position detecting means in the lifter of FIG. 6;

【図9】同実施形態の搬出ステーションに配設されるリ
フタの要部構成を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a main part of a lifter provided in the unloading station of the embodiment.

【図10】同実施形態の取出手段及び挿入手段の概略構
成を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of an extraction unit and an insertion unit of the embodiment.

【図11】同実施形態の取出手段の動作状態を示し、
(a)は正面図、(b)は平面図である。
FIG. 11 shows an operation state of the extraction unit of the embodiment,
(A) is a front view, (b) is a plan view.

【図12】同実施形態の移載手段の斜視図である。FIG. 12 is a perspective view of the transfer means of the embodiment.

【図13】同実施形態のボンディングステージの斜視図
である。
FIG. 13 is a perspective view of a bonding stage of the embodiment.

【図14】同ボンディングステージの平面図である。FIG. 14 is a plan view of the bonding stage.

【図15】同実施形態のボンディングステージの変形構
成例を示し、(a)は第1の変形例の平面図、(b)は
同斜視図、(c)は第2の変形例の平面図、(d)は第
3の変形例の平面図である。
15A and 15B show a modified configuration example of the bonding stage of the embodiment, wherein FIG. 15A is a plan view of a first modified example, FIG. 15B is a perspective view of the same, and FIG. 15C is a plan view of a second modified example. (D) is a plan view of the third modification.

【図16】同実施形態のボンディング作業方法の説明図
であり、(a)はウエハに対するブロック設定状態の説
明図、(b)はブロックの詳細とウエハの基準線の傾き
検出方法の説明図である。
FIGS. 16A and 16B are explanatory diagrams of the bonding operation method of the embodiment, wherein FIG. 16A is an explanatory diagram of a block setting state for a wafer, and FIG. 16B is an explanatory diagram of a method of detecting the details of a block and the inclination of a reference line of the wafer; is there.

【図17】従来例のウエハの基準線の傾き検出方法の説
明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram of a conventional method for detecting the inclination of a reference line of a wafer.

【図18】従来例のワイヤボンディングを行うボンダー
の正面図である。
FIG. 18 is a front view of a conventional bonder for performing wire bonding.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハ 1a オリフラ 2 搬入ステーション 3 搬入側移載ステーション 4 ボンディングステーション 7 取出手段 9 移載手段 10 ボンディングステージ 11 ボンディングヘッド 30 キャリア 40 リフタ 50 位置決めバー 51 シャッタ 53 摺動部材 54 ばね 55 ストッパ 56 センサ 57 オリフラ位置検出手段 66 ウエハ受け部 67 位置決めローラ 73 規制部 74 位置規制ローラ 79 位置規制手段 91 ステージプレート 92 ヒートブロック 93 規制ローラ 95 規制部 97 オリフラ検出センサ 101 吸着・浮上兼用エア口 102 旋回用エア噴出口 103 片寄せ用エア噴出口 104 捨てボンディング部 104a 吸着穴 110 ボンディング作業領域 111 非作業領域 112 切欠 121 ICチップ 122 ブロック 123 直線 124 ステージ基準線 125 傾き 126 ウインドウ REFERENCE SIGNS LIST 1 wafer 1a orientation flat 2 loading station 3 loading side transfer station 4 bonding station 7 removal means 9 transfer means 10 bonding stage 11 bonding head 30 carrier 40 lifter 50 positioning bar 51 shutter 53 sliding member 54 spring 55 stopper 56 sensor 57 orientation flat Position detecting means 66 Wafer receiving part 67 Positioning roller 73 Restriction part 74 Position restriction roller 79 Position restriction means 91 Stage plate 92 Heat block 93 Restriction roller 95 Restriction part 97 Ori-flat detection sensor 101 Suction / floating air port 102 Swirl air outlet Reference Signs 103 Air ejection port for biasing 104 Discard bonding section 104a Suction hole 110 Bonding work area 111 Non-work area 112 Notch 121 IC chip 122 Lock 123 linear 124 stage reference line 125 tilt 126 window

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 雅也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 前 貴晴 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 馬屋原 潔 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masaya Watanabe 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Kiyoshi Umayahara 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハを互いに適当間隔をあけて積層状
態で収容したキャリアを設置するリフタを設けた搬入ス
テーションと、キャリア内から取出手段にて順次取り出
されたウエハが順次位置決めされる移載ステーション
と、移載ステーションから移載手段にてボンディングス
テージ上に移載されたウエハに対してボンディングヘッ
ドにてバンプを形成するボンディングステーションとを
有するバンプボンダーにおいて、リフタにキャリア内の
ウエハ位置を規制するとともにウエハのオリフラ位置を
検出するオリフラ位置検出手段を設け、取出手段にウエ
ハの位置規制手段を設けたことを特徴とするバンプボン
ダー。
1. A carry-in station provided with a lifter for installing a carrier in which stacked wafers are housed at an appropriate distance from each other, and a transfer station in which wafers sequentially taken out of the carrier by an unloading means are sequentially positioned. And a bonding station for forming a bump with a bonding head on a wafer transferred from a transfer station to a bonding stage by a transfer means, the lifter restricts a wafer position in the carrier. A bump bonder further comprising: an orientation flat position detecting means for detecting the orientation flat position of the wafer; and a wafer position regulating means for the unloading means.
【請求項2】 オリフラ位置検出手段は、キャリア内の
ウエハのオリフラとは反対側縁部に係合する一対の位置
決めバーと、キャリア内のウエハのオリフラに対して略
係合する位置に向けて弾性的に移動付勢されたシャッタ
と、シャッタがオリフラに対して略係合する位置から外
れているときに検出するセンサとを備えたことを特徴と
する請求項1記載のバンプボンダー。
2. An orientation flat position detecting means, comprising: a pair of positioning bars engaged with an edge of the wafer in the carrier opposite to the orientation flat; and a position substantially engaged with the orientation flat of the wafer in the carrier. 2. The bump bonder according to claim 1, further comprising a shutter that is elastically moved and urged, and a sensor that detects when the shutter is out of a position where the shutter is substantially engaged with the orientation flat.
【請求項3】 取出手段の位置規制手段は、キャリアか
らウエハを受けて支持するウエハ受け部の先端に適当間
隔あけて配設された一対の位置決めローラと、ウエハ受
け部の基端に対して遠近方向に移動可能でかつウエハの
オリフラに係合する一対の位置規制ローラを配設された
規制部とを備えたことを特徴とする請求項1記載のバン
プボンダー。
3. A position control means of the unloading means, comprising: a pair of positioning rollers disposed at an appropriate distance from a front end of a wafer receiving portion for receiving and supporting a wafer from a carrier; 2. A bump bonder according to claim 1, further comprising a restricting portion provided with a pair of position restricting rollers movable in a perspective direction and engaging with the orientation flat of the wafer.
【請求項4】 ボンディングステージ上に供給されたウ
エハに対してボンディングヘッドにてバンプを形成する
バンプボンダーにおいて、ボンディングステージ上面の
左右両側に、各一対の規制ローラを配設するとともにウ
エハのオリフラに係合して反対側の規制ローラに向けて
ウエハを押し付けてウエハの位置規制を行う規制部を設
け、かつウエハを反転させる反転手段を設けたことを特
徴とするバンプボンダー。
4. A bump bonder for forming bumps on a wafer supplied onto a bonding stage by a bonding head, wherein a pair of regulating rollers are disposed on both right and left sides of an upper surface of the bonding stage, and a pair of regulating rollers are provided on the wafer orientation flat. A bump bonder provided with a regulating portion that engages and presses a wafer toward a regulation roller on the opposite side to regulate the position of the wafer, and further includes a reversing means for reversing the wafer.
【請求項5】 反転手段は、ウエハを浮上させる浮上用
エア噴出手段と、ウエハを旋回させる旋回用エア噴出手
段と、旋回状態のウエハを一側の規制ローラ対に当て付
ける片寄せ用エア噴出口と、ウエハが当て付けられる規
制ローラ側に配設されたオリフラ検出センサとを備えた
ことを特徴とする請求項4記載のバンプボンダー。
5. A reversing means, a floating air jetting means for floating a wafer, a turning air jetting means for turning a wafer, and a biasing air jet for hitting the turning wafer to a pair of regulating rollers on one side. 5. The bump bonder according to claim 4, further comprising an outlet, and an orientation flat detection sensor disposed on the side of the regulating roller to which the wafer is applied.
【請求項6】 ボンディングステージ上に供給されたウ
エハに対してボンディングヘッドにてバンプを形成する
バンプボンダーにおいて、ウエハを反転させる反転手段
と、ボンディングステージのボンディングヘッドに近い
半分をボンディング作業領域としてこのボンディング作
業領域の温度を所定温度に設定し、残りの非作業領域を
所定温度よりも低い温度に設定する手段を設けたことを
特徴とするバンプボンダー。
6. A bump bonder for forming a bump on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head using a reversing means for reversing the wafer and a half of the bonding stage near the bonding head as a bonding work area. A bump bonder comprising means for setting the temperature of a bonding work area to a predetermined temperature and setting the remaining non-work area to a temperature lower than the predetermined temperature.
【請求項7】 ボンディングステージを、ステージプレ
ートの下部にヒートブロックを配設して構成し、ステー
ジプレートのボンディング作業領域の下部にのみヒート
ブロックを配設したことを特徴とする請求項6に記載の
バンプボンダー。
7. The bonding stage according to claim 6, wherein a heat block is provided below the stage plate, and the heat block is provided only below the bonding work area of the stage plate. Bump bonder.
【請求項8】 非作業領域におけるボンディング作業領
域と隣接する部分の少なくとも一部において、ステージ
プレートに切欠を形成したことを特徴とする請求項7に
記載のバンプボンダー。
8. The bump bonder according to claim 7, wherein a cutout is formed in the stage plate in at least a part of the non-work area adjacent to the bonding work area.
【請求項9】 ボンディングステージをステージプレー
トの下部にヒートブロックを配設して構成し、ヒートブ
ロックの制御温度を、ステージプレートのボンディング
作業領域の下部では所定のボンディング作業に適した温
度に、非作業領域の下部では所定の予熱温度に設定した
ことを特徴とする請求項6に記載のバンプボンダー。
9. A bonding stage comprising a heat block disposed below a stage plate, wherein a control temperature of the heat block is set to a temperature suitable for a predetermined bonding operation in a lower portion of a bonding work area of the stage plate. The bump bonder according to claim 6, wherein a predetermined preheating temperature is set at a lower portion of the work area.
【請求項10】 ボンディングステージ上に供給された
ウエハに対してボンディングヘッドにてバンプを形成す
るバンプボンダーにおいて、ボンディングステージ上の
周縁部に捨てボンディング用のチップを吸着する吸着穴
を有する捨てボンディング部を配設したことを特徴とす
るバンプボンダー。
10. A bump bonder for forming a bump on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head and having a suction hole at a peripheral portion on the bonding stage for sucking a chip for the bonding. The bump bonder characterized by having arranged.
【請求項11】 ボンディングステージ上に供給された
ウエハに対してボンディングヘッドにてバンプを形成す
るバンプ形成方法において、ボンディングステージのボ
ンディングヘッドに近い半分をボンディング作業領域と
してウエハの略半分にバンプを形成した後、ウエハを反
転させて残りの略半分にバンプを形成するとともに、ボ
ンディング作業領域でのバンプ形成時にボンディング作
業領域と非作業領域の境界から離れた側から境界に近い
側に向けて順次バンプを形成することを特徴とするバン
プ形成方法。
11. A bump forming method for forming a bump on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head, wherein a bump near a bonding head of the bonding stage is formed on a substantially half of the wafer as a bonding work area. Then, the wafer is turned over to form bumps in approximately the other half, and bumps are formed sequentially from the side away from the boundary between the bonding work area and the non-working area toward the side closer to the boundary when forming the bumps in the bonding work area. Forming a bump.
【請求項12】 ボンディングステージ上に供給された
ウエハに対してボンディングヘッドにてバンプを形成す
るバンプ形成方法において、ウエハを複数のICチップ
毎にグルーピングしたブロックに分割してブロック毎に
バンプを形成し、かつその際のボンディング位置データ
の補正に必要なウエハの傾き検出を隣接するブロックに
おけるウエハ基準線方向に互いに対応するICチップの
中心を結ぶ直線とボンディングステージの基準線との傾
きにて検出するとともに、検出結果により次の傾き検出
時の認識ウインドウ位置を補正することを特徴とするバ
ンプ形成方法。
12. A bump forming method for forming bumps on a wafer supplied on a bonding stage by a bonding head, wherein the wafer is divided into blocks grouped into a plurality of IC chips and bumps are formed for each block. In addition, the inclination of the wafer required for correcting the bonding position data at that time is detected based on the inclination between the straight line connecting the centers of the IC chips corresponding to each other in the direction of the wafer reference line in the adjacent block and the reference line of the bonding stage. And correcting the position of the recognition window at the time of detecting the next inclination based on the detection result.
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