JPH1012527A - Semiconductor chip and reticle for semiconductor manufacture - Google Patents

Semiconductor chip and reticle for semiconductor manufacture

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JPH1012527A
JPH1012527A JP16555196A JP16555196A JPH1012527A JP H1012527 A JPH1012527 A JP H1012527A JP 16555196 A JP16555196 A JP 16555196A JP 16555196 A JP16555196 A JP 16555196A JP H1012527 A JPH1012527 A JP H1012527A
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JP
Japan
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chip
pattern
semiconductor
area
coordinate
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Application number
JP16555196A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Takagi
裕治 高木
Yukio Matsuyama
幸雄 松山
Takashi Hiroi
高志 広井
Masahiro Watanabe
正浩 渡辺
Maki Tanaka
麻紀 田中
Seiji Ishikawa
誠二 石川
Aritoshi Sugimoto
有俊 杉本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to PCT/JP1997/002196 priority patent/WO1997050111A1/en
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable understanding of the position in a chip from designed coordinate values at an uppermost layer part on a chip material area or a layer detectable at observation by placing a pattern on specified region of the marginal area of the chip in the horizontal and vertical directions. The pattern includes coded positions on each coordinate axis of the designed coordinate system. SOLUTION: A guard ring 8, a region formed at the marginal area of a semiconductor chip 1, is used as a region on which a pattern is formed. The pattern has positions coded on coordinate axes of a designed coordinate system, so that the positions in the chip are known from designed coordinate values. The coordinate system is shown by axes X and Y, defined by the design coordinate origin 3 and scribe center. A coded example using the ring 8 is shown, where section U is a unit of the coded pattern, section D is a delimiter indicating the delimitation of the pattern unit and section B is a bit pattern.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップおよび
半導体製造用レチクルに係わり、特に設計座標位置が半
導体チップに設けられたパターンによって特定容易な半
導体チップおよびその半導体チップを製造するためのレ
チクルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip and a reticle for manufacturing a semiconductor, and more particularly to a semiconductor chip whose design coordinate position can be easily specified by a pattern provided on the semiconductor chip and a reticle for manufacturing the semiconductor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フェイルビット検査で検出される
半導体チップの最終的な機能欠陥はその位置がCADデ
ータで指定され、その欠陥原因を観察・解析するために
目視確認するときは、被観察対象である半導体チップあ
るいはその半導体チップが作り込まれている半導体ウェ
ーハをレビューステーションなどの顕微鏡等が装着され
ているステージにローディングし、前記CADデータで
指定された場所に位置だしをするために、ステッパ等の
他の用途に使用されるアライメントマーカを用いてい
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, the position of a final functional defect of a semiconductor chip detected by a fail bit inspection is designated by CAD data, and when the defect cause is visually checked to observe and analyze the defect, it is difficult to observe the defect. In order to load the target semiconductor chip or the semiconductor wafer on which the semiconductor chip is built into a stage equipped with a microscope or the like such as a review station, and to locate at a location specified by the CAD data, An alignment marker used for other uses such as a stepper has been used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステッ
パ等の他の用途に使用されるアライメントマーカは、仮
想的に存在するスクライブセンターを基準とした設計座
標系とは厳密には一致せず、このアライメントマーカを
用いて位置決めしたとき数十マイクロメートルの狂いを生じる。
このため従来の技術で述べたレビューステーション等を
用いて設計座標値で指示された欠陥を観察するときに、
指示された座標値にステージを移動させても目的の場所
より数から十セル程度離れた場所に位置だしされ、後は
目視で周辺を探すため大変な工数がかかっている。この
ため実際のチップ上に設計座標系との対応がとれるよう
な工夫を施し、前記観察の工数を低減する必要がある。
However, an alignment marker used for another purpose such as a stepper does not exactly coincide with a virtually existing design coordinate system based on a scribe center. Deviations of tens of micrometers occur when positioning with markers.
Therefore, when observing a defect indicated by design coordinate values using a review station or the like described in the related art,
Even if the stage is moved to the designated coordinate value, the stage is located at a location several to ten cells away from the target location, and it takes a lot of man-hours to visually search the surroundings thereafter. For this reason, it is necessary to reduce the man-hour for the observation by devising the actual chip so as to correspond to the design coordinate system.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記課題は、半導体ウェ
ーハ上に形成されるチップの周辺領域を利用して、この
領域に目視観察時において最上層の部分あるいは観察時
に検出可能な層に、チップ内の位置が設計座標値で分か
るよう前記設計座標系の各座標軸上の位置を符号化した
パターンをチップ上の外周部の水平、垂直方向の特定領
域に設けることにより、観察時そのパターンを計算機に
読み込ませ符号化されたパターンからデコーディングに
より各座標軸上の位置情報を読み出し、チップを位置決
めすることにより達成される。
The object of the present invention is to use a peripheral region of a chip formed on a semiconductor wafer to form a chip on the uppermost layer during visual observation or a layer detectable during observation. By providing a pattern in which the position on each coordinate axis of the design coordinate system is coded in a specific area in the horizontal and vertical directions on the outer periphery of the chip so that the position in the area can be identified by the design coordinate value, the pattern can be used for computer observation. This is achieved by reading out the position information on each coordinate axis from the pattern read and encoded by decoding and positioning the chip.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。図1は半導体ウェーハ上に作り込
まれた半導体チップの1つを拡大して図示したものであ
る。1で示される斜線を周囲に施された矩形領域が1個
の半導体チップであり、周囲8近傍に示される斜線領域
は1の半導体チップに隣接して半導体ウェーハ上に作り
込まれた半導体チップを示す。2で示される一点鎖線は
スクライブセンターと呼ばれ、半導体チップ1および周
囲のチップをダイシングして切り離し一個一個の半導体
チップに最終的にするために切断するときの目安となる
線である。図1には2本の垂直に走るスクライブセンタ
ーと2本の水平に走るスクライブセンターが一点鎖線で
示されている。中央に示される半導体チップ1内の位置
は3で示されるスクライブセンターの交点を原点とし、
図1中に示されるX,Y座標で定義されるXY座標系で
示され、その範囲は点3、4、5、6で囲まれる矩形領
域である。3で示される原点は設計原点と呼ばれる。例
えば半導体チップ1の上方に隣接する半導体チップの設
計原点は4となり、同様の座標系、領域が再帰的に定義
される。設計データによっては設計原点を3ではなく、
4、5あるいは6にとることもありうる。またXYの座
標系も図2に示すように定義の仕方としては図1で示し
た方法も含めて8通りが考えられる。以降は図1に示し
た設計原点位置及びXY座標系で定義される設計座標系
を用いて説明を進める。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged view of one of the semiconductor chips formed on a semiconductor wafer. A rectangular area around the diagonal line indicated by 1 is one semiconductor chip, and a diagonal area near the perimeter 8 is a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer adjacent to one semiconductor chip. Show. The dashed line indicated by 2 is called a scribe center, and is a line that is used as a guide when the semiconductor chip 1 and surrounding chips are diced to be separated and finally cut into individual semiconductor chips. In FIG. 1, two vertically running scribe centers and two horizontally running scribe centers are indicated by alternate long and short dash lines. The position in the semiconductor chip 1 shown at the center is the origin at the intersection of the scribe centers shown at 3,
The range is a rectangular area surrounded by points 3, 4, 5, and 6, which is represented by an XY coordinate system defined by X and Y coordinates shown in FIG. The origin indicated by 3 is called the design origin. For example, the design origin of the semiconductor chip adjacent above the semiconductor chip 1 is 4, and the same coordinate system and region are recursively defined. Depending on the design data, the design origin is not 3,
It could be 4, 5 or 6. Also, as shown in FIG. 2, there are eight possible ways to define the XY coordinate system, including the method shown in FIG. Hereinafter, description will be made using the design origin position and the design coordinate system defined by the XY coordinate system shown in FIG.

【0006】半導体チップ内の全ての配線パターン、回
路位置等の設計データは図1で示した設計原点3を原点
としたXY座標値によって記述される。図3は図1に示
した半導体チップ1の拡大図である。7は矩形領域3、
4、5、6と半導体チップ1に挟まれた領域でスクライ
ブ領域と呼ばれる。8は半導体チップ1の外周部に設け
られた領域でガードリング部と呼ばれる。ガードリング
部はチップへの横からの水分や、ナトリウム等の侵入を
防ぐことを目的に設けられ、幅数十マイクロメートル程度のアル
ミあるいは酸化シリコン等各工程で使用される材料によ
り形成されている。10は実際に機能する配線回路パタ
ーンが作り込まれるチップ本体を示す。9は通常ガード
リング部8とチップ10の間の領域で通常100〜20
0マイクロメートルの空白領域となっている。
Design data such as all wiring patterns and circuit positions in a semiconductor chip is described by XY coordinate values having the origin at the design origin 3 shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged view of the semiconductor chip 1 shown in FIG. 7 is a rectangular area 3,
A region sandwiched between the semiconductor chips 1 and 4, 5, and 6 is called a scribe region. Reference numeral 8 denotes a region provided on the outer peripheral portion of the semiconductor chip 1 and is called a guard ring portion. The guard ring portion is provided for the purpose of preventing water or sodium from entering the chip from the side, and is formed of a material used in each step such as aluminum or silicon oxide having a width of about several tens of micrometers. . Reference numeral 10 denotes a chip body in which a wiring circuit pattern that actually functions is formed. Reference numeral 9 denotes an area between the guard ring portion 8 and the chip 10, usually 100 to 20.
It is a blank area of 0 micrometers.

【0007】チップ10内の位置が設計座標値で分かる
よう設計座標系の各座標軸上の位置を符号化したパター
ンを形成する領域としては、スクライブ領域7、ガード
リング部8、空白領域9使用することが考えられる。
A scribe area 7, a guard ring section 8, and a blank area 9 are used as an area for forming a pattern in which the position on each coordinate axis of the design coordinate system is formed so that the position in the chip 10 can be identified by the design coordinate value. It is possible.

【0008】まず、第1の実施例としてガードリング部
8を用いた場合を説明する。図4は図3に示した半導体
チップの左下コーナーをさらに拡大図示したものであ
る。設計座標系が設計座標原点3およびスクライブセン
ターで定義されるX軸およびY軸で表されている。8は
ガードリング部、10はチップである。図4に示したガ
ードリング部8の外周には矩形波上のパターンが切られ
れている。X軸、およびY軸に対応する方向の矩形波の
切り込み位置、矩形波の大きさ、矩形波間の距離を用い
てX軸上の座標値あるいはY軸上の座標値を符号化す
る。ガードリング部を用いた符号化の第1の具体例を図
5に示す。区間Uは符号化されたパターンの1ユニット
を表す。区間Dはパターンのユニットの切れ目を示すデ
リミネーターである。区間Bはビットパターンである。
区間Bの一部に図示したような矩形の切り込みパターン
が存在すれば2進符号の1とし、無ければ0とする。図
5では矩形の切り込み幅をビット領域区間Bの片側半分
としたが、この幅は任意の一定距離であっても構わな
い。デリミネーターとビットパターンは各パターン幅S
1,S2の違いで識別する。図5ではS1:S2=2:
1として表したが、この比率は各パターンユニット間で
同一であれば任意である。さて図5において、パターン
ユニットで符号化されたコードは次のようにして読みと
る。まず、パターン幅S1のデリミネーターを検出しそ
れに続くビットパターンを読みとる。図5では9ビット
幅で書いてあるがこのビット幅も必要に応じて変更して
構わない。図5でのビットパターンは10111001
0であり十進数の370を表す。9ビットパターンでは
0から511までを表すことができるので、図5に示す
ようにX方向で考えれば図3に示すチップ10のX方向
サイズXSを512以下で分割した適当な距離をXun
itと定義し、予めパターンユニットの開始する位置を
図4に示すようにXstartとして決めておけば、図
5でしめすパターンユニットの開始位置Xnは Xn=Xstart + Xunit×370(101110
010:2進表現) で決定することができる。Y軸に関しても同様にしてガ
ードリング部8にY軸座標上の座標位置を符号化したパ
ターンを形成しておけば、ガードリング部8のX方向及
び、Y方向の符号化したパターンからX,Yの位置が決
まり、チップ10内の任意の設計座標で示される位置を
決定することができる。前述したようにもっと細かくX
nの位置を定義したい場合はパターンユニット区間Uの
距離を短くし、且つビット幅を増やせば良い。Y方向に
ついても同様である。
First, a case where the guard ring portion 8 is used will be described as a first embodiment. FIG. 4 is an enlarged view of the lower left corner of the semiconductor chip shown in FIG. The design coordinate system is represented by an X axis and a Y axis defined by a design coordinate origin 3 and a scribe center. Reference numeral 8 denotes a guard ring portion, and reference numeral 10 denotes a chip. A pattern on a rectangular wave is cut on the outer periphery of the guard ring portion 8 shown in FIG. A coordinate value on the X axis or a coordinate value on the Y axis is encoded using the cut position of the rectangular wave in the directions corresponding to the X axis and the Y axis, the size of the rectangular wave, and the distance between the rectangular waves. FIG. 5 shows a first specific example of the encoding using the guard ring unit. Section U represents one unit of the encoded pattern. Section D is a delimiter indicating a break between units of the pattern. Section B is a bit pattern.
If a rectangular cut pattern as shown in the drawing exists in a part of the section B, the binary code is set to 1; In FIG. 5, the cut width of the rectangle is set to one half of one side of the bit area section B, but this width may be an arbitrary fixed distance. Delimiter and bit pattern are each pattern width S
1 and S2. In FIG. 5, S1: S2 = 2:
Although represented as 1, this ratio is arbitrary as long as it is the same between the pattern units. In FIG. 5, the code coded by the pattern unit is read as follows. First, the delimiter having the pattern width S1 is detected, and the subsequent bit pattern is read. In FIG. 5, the data is written with a 9-bit width, but this bit width may be changed as needed. The bit pattern in FIG.
0, which represents 370 in decimal. Since the 9-bit pattern can represent 0 to 511, considering the X-direction as shown in FIG. 5, the X-direction size XS of the chip 10 shown in FIG.
If the start position of the pattern unit is defined in advance as Xstart as shown in FIG. 4, the start position Xn of the pattern unit shown in FIG. 5 is Xn = Xstart + Xunit × 370 (101110
010: binary expression). Similarly, if a pattern in which the coordinate position on the Y-axis coordinate is encoded is formed in the guard ring unit 8 with respect to the Y axis, X, The position of Y is determined, and the position indicated by arbitrary design coordinates in the chip 10 can be determined. As mentioned earlier, X
When it is desired to define the position of n, the distance of the pattern unit section U may be shortened and the bit width may be increased. The same applies to the Y direction.

【0009】ガードリング部を用いた第2の実施例を図
6に示す。区間Uは符号化されたパターンの1ユニット
を表す。区間Dはその長さで符号化されているパターン
P1、P2、P3の切れ目を示すデリミネーターであ
る。P1、P2、P3で示されるパターン長は10段階
で量子化されている。すなわち最小単位距離をdとすれ
ばパターン長Pnは Pn=d×n(n=1、2、…、10) の10段階の長さをとる。よってP1、P2、P3の組
み合わせ数10の3乗すなわち1000通りの組み合わ
せが可能である。よって、一つのデリミネーターから先
三つのパターン長さP1、P2、P3を測定することに
よりそのデリミネーターの位置を特定できる。ただし、
これを実現するためには任意のデリミネーターからはじ
まる次の三つのパターン長の組み合わせはユニークであ
ること、すなわち1チップ内のXあるいはYの1軸方向
に対応するガードリング8にあり、かつ連続した三つの
パターン長の組み合わせに重複はないことが条件であ
る、これを以下重複不可条件と呼ぶ。そのパターン長の
決定にあたっては次のことを勘案する必要がある。第一
に、パターン長は巡回的に決定されなければならない。
すなわち、 P1、P2、P3を決めれば、つぎのパタ
ーンの最初の二つはP2、P3でありその条件のもとで
前述の重複不可条件を満たしながらP2、P3に続く次
のパターンP4を決定する必要がある。第二に三つのパ
ターン長を含む距離Uは全体的に平均化されていること
が必要である。これはある部分は(P1,P2,P3)=(d,d,d)、
また別の部分は(p1,p2,p3)=(10d,10d,10d)であると座標
位置の決定のためのデリミネーターの分布に大きなばら
つきが生じ実用上の不都合が生じるためである。以上の
条件で決定されたP1、P2、P3の組み合わせは実際
の座標値との対応が複雑になるので図7に示すようにP
1、P2、P3の組み合わせをインデックスとして座標
値Xを求められるように予めテーブルデータ化し記憶し
ておき、使用時参照する。 Y軸に関しても同様にして
ガードリング部8にY軸座標上の座標位置を符号化した
パターンを形成しておけば、ガードリング部8のX方向
及び、Y方向の符号化したパターンからX,Yの位置が
決まり、チップ10内の任意の設計座標で示される位置
を決定することができる。前述したようにもっと細かく
Xnの位置を定義したい場合はパターンユニット区間U
の距離を短くし、且つビット幅を増やせば良い。Y方向
についても同様である。以上はパターンの組み合わせを
3、パターンの長さを10段階として説明したがパター
ン組み合わせ数、パターン長の段階数は別の数値であっ
ても構わない。
FIG. 6 shows a second embodiment using a guard ring. Section U represents one unit of the encoded pattern. The section D is a delimiter indicating a break between the patterns P1, P2, and P3 encoded by the length. The pattern lengths indicated by P1, P2, and P3 are quantized in ten stages. That is, assuming that the minimum unit distance is d, the pattern length Pn has ten steps of Pn = d × n (n = 1, 2,..., 10). Therefore, the number of combinations of P1, P2, and P3, which is the third power of 10, that is, 1000 combinations is possible. Therefore, the position of the delimiter can be specified by measuring the first three pattern lengths P1, P2, and P3 from one delimiter. However,
In order to realize this, the combination of the following three pattern lengths starting from an arbitrary delimiter is unique, that is, the combination is in the guard ring 8 corresponding to one axis direction of X or Y in one chip, and is continuous. The condition is that there is no overlap in the combination of the three pattern lengths. This is hereinafter referred to as a non-overlapping condition. In determining the pattern length, it is necessary to consider the following. First, the pattern length must be determined cyclically.
That is, if P1, P2, and P3 are determined, the first two of the next pattern are P2 and P3, and the next pattern P4 following P2 and P3 is determined while satisfying the above-mentioned non-overlapping condition under the conditions. There is a need to. Second, the distance U including the three pattern lengths needs to be averaged as a whole. This is where (P1, P2, P3) = (d, d, d),
Another reason is that if (p1, p2, p3) = (10d, 10d, 10d), the distribution of the delimiters for determining the coordinate position greatly varies, which causes practical inconvenience. The combination of P1, P2, and P3 determined under the above conditions complicates the correspondence with the actual coordinate values. Therefore, as shown in FIG.
Table data is stored in advance so that the coordinate value X can be obtained using the combination of 1, P2, and P3 as an index, and is referred to at the time of use. Similarly, if a pattern in which the coordinate position on the Y-axis coordinate is encoded is formed in the guard ring unit 8 with respect to the Y axis, X, The position of Y is determined, and the position indicated by arbitrary design coordinates in the chip 10 can be determined. If it is desired to define the position of Xn more finely as described above, the pattern unit section U
May be shortened and the bit width may be increased. The same applies to the Y direction. In the above description, the pattern combination is 3 and the pattern length is 10 steps. However, the number of pattern combinations and the number of steps of the pattern length may be different numerical values.

【0010】ガードリング部を用いた第3の実施例を図
8に示す。この方法は図5に示したガードリング部を用
いた第1の実施例を改良したもので、区間Uは符号化さ
れたパターンの1ユニットを表す。区間Dはパターンの
ユニットの切れ目を示すデリミネーターである。区間B
はビットパターンである。区間Bの一部に図示したよう
な矩形の切り込みパターンが存在すれば2進符号の1と
し、無ければ0とする。図8では矩形の切り込み幅をビ
ット領域区間Bの片側半分としたが、この幅は任意の一
定距離であっても構わない。デリミネーターとビットパ
ターンは各パターン幅S1,S2の違いで識別する。図
8ではS1:S2=2:1として表したが、この比率は
各パターンユニット間で同一であれば任意である。ガー
ドリング部を用いた第1の実施例は一つのビットに深さ
dを持たせたことにある。dは6段階で量子化されてい
る。すなわち最小単位距離をwとすればパターン長Pn
は d=w×n(n=0、1、2、…、5) の6段階の長さをとる。これにより1つのビットで6進
数を表現することが可能となり、6の4乗すなわち0か
ら1295までの値を1ユニットの長さはガードリング
部を用いた第1の実施例に比べて約半分で表現できる。
座標値との対応は第1の実施例と同様である。以上ガー
ドリング部を用いた実施例を3つ述べたが、この他の符
号化方法として磁気記録装置等に用いられているNRZ-I,
MFM,MDM等のビットパターンの符号化方式等も適用可能
である。またガードリング部に付されるパターンはガー
ドリングの外側あるいは内側にあってもよい。また、形
成されるパターンは矩形で説明したが、検出可能ならそ
の他の形状、例えば鋸波状、三角形、半円形等でも構わ
ない。
FIG. 8 shows a third embodiment using a guard ring. This method is a modification of the first embodiment using the guard ring unit shown in FIG. 5, and a section U represents one unit of an encoded pattern. Section D is a delimiter indicating a break between units of the pattern. Section B
Is a bit pattern. If a rectangular cut pattern as shown in the drawing exists in a part of the section B, the binary code is set to 1; In FIG. 8, the cut width of the rectangle is one half of the bit area section B, but this width may be an arbitrary fixed distance. The delimiter and the bit pattern are identified based on the difference between the pattern widths S1 and S2. Although FIG. 8 shows S1: S2 = 2: 1, this ratio is arbitrary as long as it is the same between the pattern units. In the first embodiment using the guard ring, one bit has a depth d. d is quantized in six stages. That is, if the minimum unit distance is w, the pattern length Pn
Has six lengths of d = w × n (n = 0, 1, 2,..., 5). As a result, a hexadecimal number can be represented by one bit, and the value of 6 to the fourth power, that is, a value from 0 to 1295, is about half as long as that of the first embodiment using the guard ring unit. Can be expressed by
The correspondence with the coordinate values is the same as in the first embodiment. The three embodiments using the guard ring unit have been described above. As another encoding method, NRZ-I, which is used in a magnetic recording device or the like, is used.
A bit pattern coding method such as MFM and MDM is also applicable. The pattern applied to the guard ring portion may be outside or inside the guard ring. Further, although the pattern to be formed has been described as a rectangle, other shapes such as a sawtooth shape, a triangle, and a semicircle may be used as long as the pattern can be detected.

【0011】次に、第2の実施例としてスクライブ領域
7を用いた場合を説明する。図9は図3に示した半導体
チップの左下コーナーをさらに拡大図示したものであ
る。設計座標系が設計座標原点3およびスクライブセン
ターで定義されるX軸およびY軸で表されている。8は
ガードリング部、10はチップである。図9に示した斜
線の矩形領域11はガードリング部を用いた前述の実施
例のガードリング部の縁に形成されたパターンと同様の
目的で形成されたパターンである。X軸、およびY軸に
対応する方向の矩形パターンの位置、矩形パターンの大
きさ、矩形パターン間の距離を用いてX軸上の座標値あ
るいはY軸上の座標値を符号化する。
Next, a case where the scribe area 7 is used as a second embodiment will be described. FIG. 9 is an enlarged view of the lower left corner of the semiconductor chip shown in FIG. The design coordinate system is represented by an X axis and a Y axis defined by a design coordinate origin 3 and a scribe center. Reference numeral 8 denotes a guard ring portion, and reference numeral 10 denotes a chip. A hatched rectangular area 11 shown in FIG. 9 is a pattern formed for the same purpose as the pattern formed on the edge of the guard ring portion in the above-described embodiment using the guard ring portion. A coordinate value on the X axis or a coordinate value on the Y axis is encoded using the position of the rectangular pattern in the directions corresponding to the X axis and the Y axis, the size of the rectangular pattern, and the distance between the rectangular patterns.

【0012】スクライブ領域を用いた符号化の第1の具
体例を図10に示す。区間Uは符号化されたパターンの
1ユニットを表す。区間Dはパターンのユニットの切れ
目を示すデリミネーターである。区間Bはビットパター
ンである。区間Bの一部に図示したような矩形の切り込
みパターンが存在すれば2進符号の1とし、無ければ0
とする。図10では矩形パターンの幅をビット領域区間
Bの片側半分としたが、この幅は任意の一定距離であっ
ても構わない。デリミネーターとビットパターンは各パ
ターン幅S1,S2の違いで識別する。図10ではS
1:S2=2:1として表したが、この比率は各パター
ンユニット間で同一であれば任意である。さて図10に
おいて、パターンユニットで符号化されたコードは次の
ようにして読みとる。まず、パターン幅S1のデリミネ
ーターを検出しそれに続くビットパターンを読みとる。
図10では9ビット幅で書いてあるがこのビット幅も必
要に応じて変更して構わない。図10でのビットパター
ンは101110010であり十進数の370を表す。
9ビットパターンでは0から511までを表すことがで
きるので、図10に示すようにX方向で考えれば図3に
示すチップ10のX方向サイズXSを512以下で分割
した適当な距離をXunitと定義し、予めパターンユ
ニットの開始する位置を図9に示すようにXstart
として決めておけば、図10でしめすパターンユニット
の開始位置Xnは Xn=Xstart + Xunit×370(101110
010:2進表現) で決定することができる。Y軸に関しても同様にしてス
クライブ領域7にY軸座標上の座標位置を符号化したパ
ターンを形成しておけば、スクライブ領域7のX方向及
び、Y方向の符号化したパターンからX,Yの位置が決
まり、チップ10内の任意の設計座標で示される位置を
決定することができる。前述したようにもっと細かくX
nの位置を定義したい場合はパターンユニット区間Uの
距離を短くし、且つビット幅を増やせば良い。Y方向に
ついても同様である。
FIG. 10 shows a first specific example of encoding using a scribe area. Section U represents one unit of the encoded pattern. Section D is a delimiter indicating a break between units of the pattern. Section B is a bit pattern. If a rectangular cut pattern as shown in the figure exists in a part of the section B, the binary code is set to 1;
And In FIG. 10, the width of the rectangular pattern is set to one half of the bit area section B, but the width may be an arbitrary fixed distance. The delimiter and the bit pattern are identified based on the difference between the pattern widths S1 and S2. In FIG.
1: S2 = 2: 1, but this ratio is arbitrary as long as it is the same between each pattern unit. Now, in FIG. 10, the code coded by the pattern unit is read as follows. First, the delimiter having the pattern width S1 is detected, and the subsequent bit pattern is read.
In FIG. 10, the data is written in a 9-bit width, but this bit width may be changed as needed. The bit pattern in FIG. 10 is 101110010, which represents 370 in decimal.
Since a 9-bit pattern can represent 0 to 511, considering the X direction as shown in FIG. 10, an appropriate distance obtained by dividing the X direction size XS of the chip 10 shown in FIG. Then, the start position of the pattern unit is set in advance to Xstart as shown in FIG.
In this case, the start position Xn of the pattern unit shown in FIG. 10 is Xn = Xstart + Xunit × 370 (101110
010: binary expression). Similarly, if a pattern in which the coordinate position on the Y-axis coordinate is encoded is formed in the scribe area 7 with respect to the Y axis, the X and Y coded patterns in the X direction and the Y direction of the scribe area 7 are formed. The position is determined, and the position indicated by arbitrary design coordinates in the chip 10 can be determined. As mentioned earlier, X
When it is desired to define the position of n, the distance of the pattern unit section U may be shortened and the bit width may be increased. The same applies to the Y direction.

【0013】スクライブ領域を用いた第2の実施例を図
11に示す。区間Uは符号化されたパターンの1ユニッ
トを表す。区間Dはその長さで符号化されているパター
ンP1、P2、P3の切れ目を示すデリミネーターであ
る。P1、P2、P3で示されるパターン長は10段階
で量子化されている。すなわち最小単位距離をdとすれ
ばパターン長Pnは Pn=d×n(n=1、2、…、10) の10段階の長さをとる。よってP1、P2、P3の組
み合わせ数10の3乗すなわち1000通りの組み合わ
せが可能である。よって、一つのデリミネーターから先
三つのパターン長さP1、P2、P3を測定することに
よりそのデリミネーターの位置を特定できる。ただし、
これを実現するためには任意のデリミネーターからはじ
まる次の三つのパターン長の組み合わせはユニークであ
ること、すなわち1チップ内のXあるいはYの1軸方向
に対応するスクライブ領域7にあり、かつ連続した三つ
のパターン長の組み合わせに重複はないことが条件であ
る、これを以下重複不可条件と呼ぶ。そのパターン長の
決定にあたっては次のことを勘案する必要がある。第一
に、パターン長は巡回的に決定されなければならない。
すなわち、 P1、P2、P3を決めれば、つぎのパタ
ーンの最初の二つはP2、P3でありその条件のもとで
前述の重複不可条件を満たしながらP2、P3に続く次
のパターンP4を決定する必要がある。第二に三つのパ
ターン長を含む距離Uは全体的に平均化されていること
が必要である。これはある部分は(P1,P2,P3)=(d,d,d)、
また別の部分は(p1,p2,p3)=(10d,10d,10d)であると座標
位置の決定のためのデリミネーターの分布に大きなばら
つきが生じ実用上の不都合が生じるためである。以上の
条件で決定されたP1、P2、P3の組み合わせは実際
の座標値との対応が複雑になるので図7に示すようにP
1、P2、P3の組み合わせをインデックスとして座標
値Xを求められるように予めテーブルデータ化し記憶し
ておき、使用時参照する。 Y軸に関しても同様にして
スクライブ領域7にY軸座標上の座標位置を符号化した
パターンを形成しておけば、スクライブ領域7のX方向
及び、Y方向の符号化したパターンからX,Yの位置が
決まり、チップ10内の任意の設計座標で示される位置
を決定することができる。前述したようにもっと細かく
Xnの位置を定義したい場合はパターンユニット区間U
の距離を短くし、且つビット幅を増やせば良い。Y方向
についても同様である。以上はパターンの組み合わせを
3、パターンの長さを10段階として説明したがパター
ン組み合わせ数、パターン長の段階数は別の数値であっ
ても構わない。
FIG. 11 shows a second embodiment using a scribe area. Section U represents one unit of the encoded pattern. The section D is a delimiter indicating a break between the patterns P1, P2, and P3 encoded by the length. The pattern lengths indicated by P1, P2, and P3 are quantized in ten stages. That is, assuming that the minimum unit distance is d, the pattern length Pn has ten steps of Pn = d × n (n = 1, 2,..., 10). Therefore, the number of combinations of P1, P2, and P3, which is the third power of 10, that is, 1000 combinations is possible. Therefore, the position of the delimiter can be specified by measuring the first three pattern lengths P1, P2, and P3 from one delimiter. However,
In order to realize this, the combination of the following three pattern lengths starting from an arbitrary delimiter is unique, that is, in the scribe area 7 corresponding to the X or Y axis direction in one chip, and continuously. The condition is that there is no overlap in the combination of the three pattern lengths. This is hereinafter referred to as a non-overlapping condition. In determining the pattern length, it is necessary to consider the following. First, the pattern length must be determined cyclically.
That is, if P1, P2, and P3 are determined, the first two of the next pattern are P2 and P3, and the next pattern P4 following P2 and P3 is determined while satisfying the above-mentioned non-overlapping condition under the conditions. There is a need to. Second, the distance U including the three pattern lengths needs to be averaged as a whole. This is where (P1, P2, P3) = (d, d, d),
Another reason is that if (p1, p2, p3) = (10d, 10d, 10d), the distribution of the delimiters for determining the coordinate position greatly varies, which causes practical inconvenience. The combination of P1, P2, and P3 determined under the above conditions complicates the correspondence with the actual coordinate values. Therefore, as shown in FIG.
Table data is stored in advance so that the coordinate value X can be obtained using the combination of 1, P2, and P3 as an index, and is referred to at the time of use. Similarly, if a pattern in which the coordinate position on the Y-axis coordinate is encoded is formed in the scribe area 7 with respect to the Y axis, the X and Y coded patterns in the X direction and the Y direction of the scribe area 7 are formed. The position is determined, and the position indicated by arbitrary design coordinates in the chip 10 can be determined. If it is desired to define the position of Xn more finely as described above, the pattern unit section U
May be shortened and the bit width may be increased. The same applies to the Y direction. In the above description, the pattern combination is 3 and the pattern length is 10 steps. However, the number of pattern combinations and the number of steps of the pattern length may be different numerical values.

【0014】スクライブ領域を用いた第3の実施例を図
8に示す。この方法は図10に示したスクライブ領域を
用いた第1の実施例を改良したもので、区間Uは符号化
されたパターンの1ユニットを表す。区間Dはパターン
のユニットの切れ目を示すデリミネーターである。区間
Bはビットパターンである。区間Bの一部に図示したよ
うな矩形の切り込みパターンが存在すれば2進符号の1
とし、無ければ0とする。図12では矩形の切り込み幅
をビット領域区間Bの片側半分としたが、この幅は任意
の一定距離であっても構わない。デリミネーターとビッ
トパターンは各パターン幅S1,S2の違いで識別す
る。図12ではS1:S2=2:1として表したが、こ
の比率は各パターンユニット間で同一であれば任意であ
る。ガードリング部を用いた第1の実施例は一つのビッ
トに深さdを持たせたことにある。dは6段階で量子化
されている。すなわち最小単位距離をwとすればパター
ン長Pnは d=w×n(n=0、1、2、…、5) の6段階の長さをとる。これにより1つのビットで6進
数を表現することが可能となり、6の4乗すなわち0か
ら1295までの値を1ユニットの長さはスクライブ領
域を用いた第1の実施例に比べて約半分で表現できる。
座標値との対応はスクライブ領域を用いた第1の実施例
と同様である。以上スクライブ領域を用いた実施例を3
つ述べたが、この他の符号化方法として磁気記録装置等
に用いられているNRZ-I,MFM,MDM等のビットパターンの
符号化方式等も適用可能である。また、形成されるパタ
ーンは矩形で説明したが、検出可能ならその他の形状、
例えば鋸波状、三角形、半円形等でも構わない。
FIG. 8 shows a third embodiment using a scribe area. This method is a modification of the first embodiment using the scribe area shown in FIG. 10, and a section U represents one unit of the encoded pattern. Section D is a delimiter indicating a break between units of the pattern. Section B is a bit pattern. If there is a rectangular cut pattern as shown in a part of section B, the binary code 1
And 0 if none. In FIG. 12, the cut width of the rectangle is set to one half of one side of the bit area section B, but this width may be an arbitrary fixed distance. The delimiter and the bit pattern are identified based on the difference between the pattern widths S1 and S2. Although FIG. 12 shows S1: S2 = 2: 1, this ratio is arbitrary as long as it is the same between the pattern units. In the first embodiment using the guard ring, one bit has a depth d. d is quantized in six stages. That is, assuming that the minimum unit distance is w, the pattern length Pn has six steps of d = w × n (n = 0, 1, 2,..., 5). This makes it possible to represent a hexadecimal number with one bit, and the value of 6 to the fourth power, that is, a value from 0 to 1295, is about half as long as the first embodiment using the scribe area. Can be expressed.
The correspondence with the coordinate values is the same as in the first embodiment using the scribe area. The embodiment using the scribe area is described in 3 above.
As described above, other encoding methods such as bit pattern encoding methods such as NRZ-I, MFM, and MDM used in magnetic recording devices and the like are also applicable. Also, the pattern to be formed has been described as a rectangle, but if it can be detected, other shapes,
For example, the shape may be a sawtooth shape, a triangle, a semicircle, or the like.

【0015】次に、第3の実施例としてガードリング部
8とチップ10の間の空白領域9を用いた場合を説明す
る。図13は図3に示した半導体チップの左下コーナー
をさらに拡大図示したものである。設計座標系が設計座
標原点3およびスクライブセンターで定義されるX軸お
よびY軸で表されている。8はガードリング部、10は
チップ、9はガードリング部8とチップ10の間の空白
領域である。図13に示した斜線の矩形領域12はスク
ライブ領域を用いた前述の実施例に記載のパターンと同
様の目的で形成されたパターンである。 X軸、および
Y軸に対応する方向の矩形パターンの位置、矩形パター
ンの大きさ、矩形パターン間の距離を用いてX軸上の座
標値あるいはY軸上の座標値を符号化する。
Next, a description will be given of a third embodiment in which a blank area 9 between the guard ring portion 8 and the chip 10 is used. FIG. 13 is an enlarged view of the lower left corner of the semiconductor chip shown in FIG. The design coordinate system is represented by an X axis and a Y axis defined by a design coordinate origin 3 and a scribe center. 8 is a guard ring portion, 10 is a chip, and 9 is a blank area between the guard ring portion 8 and the chip 10. A hatched rectangular area 12 shown in FIG. 13 is a pattern formed for the same purpose as the pattern described in the above embodiment using a scribe area. A coordinate value on the X axis or a coordinate value on the Y axis is encoded using the position of the rectangular pattern in the directions corresponding to the X axis and the Y axis, the size of the rectangular pattern, and the distance between the rectangular patterns.

【0016】空白領域9領域を用いた実施例における符
号化されたパターンはスクライブ領域7で開示したパタ
ーンと同一のものが適用できる。図13におけるXst
artはスクライブ領域7で開示したスクライブ領域を
用いた第1の実施例におけるXstartに対応するも
のである。
The same pattern as the pattern disclosed in the scribe area 7 can be applied to the encoded pattern in the embodiment using the blank area 9. Xst in FIG.
“art” corresponds to “Xstart” in the first embodiment using the scribe area disclosed in the scribe area 7.

【0017】以上、位置情報が符号化されたパターンが
ガードリング部に形成される場合、スクライブ領域に形
成される場合、スクライブ領域とチップの間に形成され
る場合について述べたが、前記位置情報が符号化された
パターンは目視観察時において、最上層の部分あるい
は、光学的あるいは電子線を用いた方法によって、超音
波を用いた方法により観察可能な層に形成されていれば
良い。
As described above, the case where the pattern in which the position information is encoded is formed in the guard ring portion, the case where the pattern is formed in the scribe region, and the case where the pattern is formed between the scribe region and the chip have been described. It is sufficient that the pattern encoded with is formed on the uppermost layer portion or a layer that can be observed by a method using an optical or an electron beam by an ultrasonic method at the time of visual observation.

【0018】以上、半導体チップに形成される位置情報
を符号化したパターンについて述べたが、このパターン
をウェーハ上の各チップの前述した所定の位置につくり
込むためには露光工程のステッパに用いられるレチクル
にもそれに対応する位置に形成されていなければならな
い。
In the above, a pattern obtained by encoding position information formed on a semiconductor chip has been described. In order to form this pattern at the above-mentioned predetermined position of each chip on a wafer, it is used for a stepper in an exposure process. The reticle must also be formed at a corresponding position.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明によればチップ内の位置が設計座
標値で分かるよう設計座標系の各座標軸上の位置を符号
化したパターンをチップ上の外周部の水平、垂直方向の
特定領域に設けることにより、観察時にそのパターンを
計算機に読み込ませ画像処理によってパターンを抽出
し、その位置・形状・パターン間の距離等により符号化
されたパターンをデコーディングし各座標軸上の位置情
報を読み出し、チップを位置決めすることが可能となる
ので、フェイルビット検査で検出される半導体チップの
最終的な機能欠陥の原因となる欠陥位置が設計データで
指定されたとき、その欠陥原因を観察・解析するために
目視確認する場合において被観察対象である半導体チッ
プあるいはその半導体チップが作り込まれている半導体
ウェーハをレビューステーションなどの顕微鏡等が装着
されているステージにローディングし、前記CADデー
タで指定された場所に位置出しが正確に行われ、観察の
工数を低減する効果がある。また、半導体チップの最終
的な機能欠陥の原因となる欠陥位置を短時間に観察する
ことが可能となるのでプロセス改善のフィードバックが
速くなることも期待できる。
According to the present invention, a pattern obtained by coding the position on each coordinate axis of the design coordinate system so that the position in the chip can be identified by the design coordinate value is placed in a specific area in the horizontal and vertical directions on the outer periphery of the chip. By providing, the pattern is read by a computer at the time of observation, the pattern is extracted by image processing, the pattern encoded by its position, shape, distance between the patterns, etc. is decoded and the position information on each coordinate axis is read, Since it is possible to position the chip, when the defect position that causes the final functional defect of the semiconductor chip detected by the fail bit inspection is specified in the design data, to observe and analyze the defect cause Review the semiconductor chip to be observed or the semiconductor wafer on which the semiconductor chip is built when visually confirming Loaded onto stage microscope or the like, such as station is installed, search position in the location specified in the CAD data is performed accurately, the effect of reducing the man-hours of observation. In addition, since it is possible to observe a defect position which causes a final functional defect of the semiconductor chip in a short time, it is expected that feedback of process improvement is quickened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】半導体ウェーハ上の半導体チップ配置を示す平
面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an arrangement of semiconductor chips on a semiconductor wafer.

【図2】XY座標系のバリエーションを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a variation of an XY coordinate system.

【図3】半導体チップの概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor chip.

【図4】半導体チップのコーナー部分を拡大して示した
平面図である。
FIG. 4 is an enlarged plan view showing a corner portion of the semiconductor chip.

【図5】ガードリング部におけるパターンの符号化方法
を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing a pattern encoding method in a guard ring unit.

【図6】ガードリング部におけるパターンの符号化方法
を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a pattern encoding method in a guard ring unit.

【図7】符号化パターンとデコード値の対応テーブルを
説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a correspondence table between an encoding pattern and a decode value.

【図8】ガードリング部におけるパターンの符号化方法
を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a pattern encoding method in the guard ring unit.

【図9】半導体チップのコーナー部分を拡大して示した
平面図である。
FIG. 9 is an enlarged plan view showing a corner portion of the semiconductor chip.

【図10】スクライブ領域におけるパターンの符号化方
法を示した平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a method of encoding a pattern in a scribe area.

【図11】スクライブ領域におけるパターンの符号化方
法を示した平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a method of encoding a pattern in a scribe area.

【図12】スクライブ領域におけるパターンの符号化方
法を示した平面図である。
FIG. 12 is a plan view showing a method of encoding a pattern in a scribe area.

【図13】半導体チップのコーナー部分を拡大して示し
た平面図である。
FIG. 13 is an enlarged plan view showing a corner portion of the semiconductor chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体チップ 2…スクライブセンター 3…
設計座標原点 4…スクライブセンター交点 5…スクライブセンタ
ー交点 6…スクライブセンター交点 7…スクライブ領域 8…ガードリング 9…チップとガードリングの間の
空白領域 10…チップ 11…位置情報が符号化されたパター
ン 12…位置情報が符号化されたパターン
1. Semiconductor chip 2. Scribe center 3.
Design coordinate origin 4 ... Scribe center intersection 5 ... Scribe center intersection 7 ... Scribe center intersection 7 ... Scribe area 8 ... Guard ring 9 ... Blank area between chip and guard ring 10 ... Chip 11 ... Pattern with encoded position information 12 ... pattern in which position information is encoded

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 正浩 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 田中 麻紀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 石川 誠二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 杉本 有俊 東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製 作所デバイス開発センタ内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masahiro Watanabe 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd.Production Technology Research Institute (72) Inventor Maki Maki Tanaka 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa (72) Inventor Seiji Ishikawa 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture, Japan Inside (72) Inventor Yusutoshi Sugimoto 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Inside the Manufacturing Device Development Center

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体チップの周辺領域に前記チップ内の
位置が設計座標値で分かるよう前記設計座標系の各座標
軸上の位置を符号化したパターンが前記チップ上の特定
領域に形成されていることを特徴とする半導体チップ。
1. A pattern in which a position on each coordinate axis of the design coordinate system is encoded in a specific region on the chip so that a position in the chip can be identified by a design coordinate value in a peripheral region of the semiconductor chip. A semiconductor chip characterized by the above-mentioned.
【請求項2】請求項1に記載の符号化とは前記チップ上
の特定領域に形成された同一形状のパターンの間隔を用
いて行われていることを特徴とする半導体チップ。
2. The semiconductor chip according to claim 1, wherein the encoding according to claim 1 is performed using an interval between patterns of the same shape formed in a specific area on said chip.
【請求項3】請求項1に記載の符号化とは前記チップ上
の特定領域に形成されたパターンの形状の組み合わせを
用いて行われていることを特徴とする半導体チップ。
3. The semiconductor chip according to claim 1, wherein the encoding according to claim 1 is performed by using a combination of shapes of patterns formed in a specific area on said chip.
【請求項4】請求項1ないしは請求項3に記載のチップ
上の特定領域とは半導体ウェーハ上に形成される各チッ
プのガードリング部であることを特徴とする半導体チッ
プ。
4. The semiconductor chip according to claim 1, wherein the specific region on the chip is a guard ring portion of each chip formed on the semiconductor wafer.
【請求項5】請求項1ないしは請求項3に記載のチップ
上の特定領域とは半導体ウェーハ上に形成される各チッ
プのスクライブ領域であることを特徴とする半導体チッ
プ。
5. A semiconductor chip according to claim 1, wherein the specific area on the chip is a scribe area of each chip formed on a semiconductor wafer.
【請求項6】請求項1ないしは請求項3に記載のチップ
上の特定領域とは半導体ウェーハ上に形成される各チッ
プのガードリング部とチップの間の領域であることを特
徴とする半導体チップ。
6. The semiconductor chip according to claim 1, wherein the specific area on the chip is an area between the guard ring portion of each chip formed on the semiconductor wafer and the chip. .
【請求項7】半導体チップの周辺領域に前記チップ内の
位置が設計座標値で分かるよう前記設計座標系の各座標
軸上の位置を符号化したパターンが前記チップ上の特定
領域に形成できるようにしたことを特徴とする半導体製
造用レチクル。
7. A pattern in which a position on each coordinate axis of the design coordinate system is encoded in a specific region on the chip so that a position in the chip can be identified by a design coordinate value in a peripheral region of the semiconductor chip. A reticle for manufacturing a semiconductor, comprising:
【請求項8】請求項7に記載の符号化とは前記チップ上
の特定領域に形成された同一形状のパターンの間隔を用
いて行えるようにしたことを特徴とする半導体製造用レ
チクル。
8. The reticle according to claim 7, wherein the encoding according to claim 7 can be performed by using an interval between patterns of the same shape formed in a specific area on said chip.
【請求項9】請求項7に記載の符号化とは前記チップ上
の特定領域に形成されたパターンの形状の組み合わせを
用いて行えるようにしたことを特徴とする半導体製造用
レチクル。
9. A reticle according to claim 7, wherein the encoding according to claim 7 can be performed by using a combination of shapes of patterns formed in a specific area on said chip.
【請求項10】請求項7ないしは請求項9に記載のチッ
プ上の特定領域とは半導体ウェーハ上に形成される各チ
ップのガードリング部であるようにしたことを特徴とす
る半導体製造用レチクル。
10. A reticle for manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the specific area on the chip is a guard ring portion of each chip formed on the semiconductor wafer.
【請求項11】請求項7ないしは請求項9に記載のチッ
プ上の特定領域とは半導体ウェーハ上に形成される各チ
ップのスクライブ領域であるようにしたことを特徴とす
る半導体製造用レチクル。
11. A semiconductor manufacturing reticle according to claim 7, wherein the specific area on the chip is a scribe area of each chip formed on the semiconductor wafer.
【請求項12】請求項7ないしは請求項9に記載のチッ
プ上の特定領域とは半導体ウェーハ上に形成される各チ
ップのガードリング部とチップの間の領域であるように
したことを特徴とする半導体製造用レチクル。
12. A specific region on a chip according to claim 7 or 9, wherein the specific region on the chip is a region between the guard ring portion of each chip formed on the semiconductor wafer and the chip. Semiconductor manufacturing reticles.
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