JPH0940587A - New aralkyl resin, its production and its use - Google Patents
New aralkyl resin, its production and its useInfo
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- JPH0940587A JPH0940587A JP19841995A JP19841995A JPH0940587A JP H0940587 A JPH0940587 A JP H0940587A JP 19841995 A JP19841995 A JP 19841995A JP 19841995 A JP19841995 A JP 19841995A JP H0940587 A JPH0940587 A JP H0940587A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、新規にして有用な
アラルキル樹脂、その製造方法及びその用途に関するも
のである。本発明のアラルキル樹脂は、感度及び解像度
に優れた感光性樹脂組成物として有用な、またその構造
からして、可とう性、耐熱性、耐水性に優れたエポキシ
樹脂硬化剤等として有用な化合物である。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel and useful aralkyl resin, a method for producing the same, and its use. The aralkyl resin of the present invention is a compound useful as a photosensitive resin composition having excellent sensitivity and resolution, and, due to its structure, useful as an epoxy resin curing agent having excellent flexibility, heat resistance, and water resistance. Is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】フォトレジスト用樹脂としては、一般
に、フェノールあるいはクレゾールノボラック樹脂が使
用されている。キノンジアジドスルホン酸エステルとノ
ボラック樹脂からなる組成物は、３００〜５００ｎｍの
光照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキシル
基を生ずることにより、アルカリ不溶の状態からアルカ
リ可溶性になることを利用して、ポジ型レジストとして
用いられる。このポジ型レジストは、ネガ型レジストに
比べ解像度が著しく優れているという特徴を有し、ＩＣ
や、ＬＳＩなどの集積回路の作製に利用されている。近
年、集積回路については高集積化に伴う微細化が進み、
現在サブミクロンのパターン形成が要求されている。そ
の結果、ポジ型レジストについても、より優れた解像度
が求められるようになった。しかし、キノンジアジドス
ルホン酸エステルと、ノボラック樹脂からなるレジスト
材料においては、従来からある材料の組み合わせでは、
解像度の向上には限界があった。例えば、解像度を向上
させるには、キノンジアジド化合物の量を増やすことが
考えられる。ところが、キノンジアジド化合物の量を増
やすことは、感度の低下、現像残査の増加といった重大
な欠点がある。従って、解像度の向上には限度があり、
フェノールあるいはクレゾールノボラック樹脂に代わる
樹脂が求められている。2. Description of the Related Art Generally, phenol or cresol novolak resins are used as photoresist resins. A composition comprising a quinonediazide sulfonate and a novolac resin is a positive-type composition utilizing the fact that the quinonediazide group is decomposed to generate a carboxyl group by irradiation with light of 300 to 500 nm, thereby becoming an alkali-insoluble state and an alkali-soluble state. Used as a resist. This positive resist has a feature that the resolution is remarkably superior to that of the negative resist.
It is also used for manufacturing integrated circuits such as LSI. In recent years, the miniaturization of integrated circuits has advanced along with higher integration,
Currently, submicron pattern formation is required. As a result, even for positive resists, higher resolution has been required. However, in a resist material composed of a quinonediazide sulfonic acid ester and a novolak resin, the combination of conventional materials is:
There was a limit to the improvement in resolution. For example, in order to improve the resolution, it is possible to increase the amount of the quinonediazide compound. However, increasing the amount of the quinonediazide compound has serious drawbacks such as reduction in sensitivity and increase in development residue. Therefore, there is a limit to the improvement in resolution,
There is a need for alternatives to phenol or cresol novolac resins.
【０００３】また、レジスト組成物に特定の化合物を配
合することにより、レジストの感度や現像性を改善する
ことも試みられている。例えば、特開昭６１−１４１４
４１には、トリヒドロキシベンゾフェノンを含有するポ
ジ型レジスト組成物が開示されている。このトリヒドロ
キシベンゾフェノンを含有するポジ型フォトレジストで
は、感度および現像性が改善されるが、トリヒドロキシ
ベンゾフェノンの添加により、耐熱性が悪化するという
問題があった。また、特開昭６４−４４４３９、特開平
１−１７７０３２、特開平１−２８０７４８、特開平２
−１０３５０には、トリヒドロキシベンゾフェノン以外
の芳香族ポリヒドロキシ化合物を添加することにより、
耐熱性を悪化させないで、高感度化する工夫が示されて
いるが、現像性の改良については必ずしも十分とはいえ
ない。Attempts have also been made to improve the sensitivity and developability of the resist by adding a specific compound to the resist composition. For example, JP-A-61-1414
41 discloses a positive resist composition containing trihydroxybenzophenone. The positive photoresist containing trihydroxybenzophenone has improved sensitivity and developability, but the addition of trihydroxybenzophenone has a problem that heat resistance is deteriorated. Further, JP-A 64-44439, JP-A 1-177032, JP-A 1-280748 and JP-A 2
By adding an aromatic polyhydroxy compound other than trihydroxybenzophenone to -10350,
Although it has been proposed to improve the sensitivity without deteriorating the heat resistance, it is not always sufficient to improve the developability.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高集
積回路製造時に要求される高解像度、高感度な感光性樹
脂組成物を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition having high resolution and high sensitivity which is required when manufacturing highly integrated circuits.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに到
ったものである。すなわち、本発明は、 一般式（１）（化５）で表されるアラルキル樹脂、 一般式（１）で表されるアラルキル樹脂と、一般式
（３）（化７）で表される化合物を含有してなるアラル
キル樹脂組成物、 一般式（３）で表される化合物と、一般式（４）
（化７）で表されるアラルキル化合物とを反応させる
のアラルキル樹脂、または、のアラルキル樹脂組成物
の製造法、 アルカリ可溶成分および感光性成分を含有してなる
感光性樹脂組成物において、アルカリ可溶成分として
のアラルキル樹脂、または、のアラルキル樹脂組成物
を含む感光性樹脂組成物、 の感光性樹脂組成物を用いて得られるレジストパ
ターン形成物、に関するものである。Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have completed the present invention. That is, the present invention provides an aralkyl resin represented by the general formula (1) (formula 5), an aralkyl resin represented by the general formula (1), and a compound represented by the general formula (3) (formula 7). An aralkyl resin composition containing the compound represented by the general formula (3) and the general formula (4)
An aralkyl resin for reacting with an aralkyl compound represented by the formula (7), or a method for producing the aralkyl resin composition, and a photosensitive resin composition containing an alkali-soluble component and a photosensitive component, wherein: The present invention relates to an aralkyl resin as a soluble component, or a photosensitive resin composition containing the aralkyl resin composition, and a resist pattern formed product obtained by using the photosensitive resin composition.
【０００６】[0006]
【化５】 （式中、Ａは一般式（２）（化６）で表される基であ
り、ｍは１〜１００の整数を表す）Embedded image (In the formula, A is a group represented by the general formula (2) (chemical formula 6), and m represents an integer of 1 to 100).
【０００７】[0007]
【化６】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は、各々独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル基またはアルケニル基、あるいはヒドロキシル基
を表す）[Chemical 6] (In the formula, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group or alkenyl group, or a hydroxyl group)
【０００８】[0008]
【化７】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は、各々独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル基またはアルケニル基、あるいはヒドロキシル基
を表し、Ｘは炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基また
はハロゲン原子を表す）[Chemical 7] (In the formula, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group or alkenyl group, or a hydroxyl group, and X represents a carbon number of 1 ~ 4 represents an alkoxy group, a hydroxyl group or a halogen atom)
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明のアラルキル樹脂およびア
ラルキル樹脂組成物は、一般式（３）で表される化合物
（以降、ＣＤ類とする）と、一般式（４）で表されるア
ラルキル化合物とを、縮合反応させることにより得られ
る。本発明に使用できるＣＤ類の特に好ましい具体例と
しては、1,3,3 −トリメチル−１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−インダン−６−オール1,3,3,5 −テトラメチ
ル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−
オール 1,3,3,5,7 −ペンタメチル−１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−インダン−６−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−インダン−６−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（3,5 −ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3,5 −テトラメチル−１−（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オールBEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The aralkyl resin and the aralkyl resin composition of the present invention include a compound represented by the general formula (3) (hereinafter referred to as CDs) and an aralkyl compound represented by the general formula (4). It is obtained by subjecting and to a condensation reaction. Particularly preferred specific examples of the CDs that can be used in the present invention include 1,3,3-trimethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,5-tetramethyl-1- (4-Hydroxyphenyl) -indan-6-
All 1,3,3,5,7-pentamethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,7-tetramethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6 -Ol 1,3,3,7-tetramethyl-1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,7-tetramethyl-1- (3,5-dimethyl -4-
Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,5-tetramethyl-1- (3 -Methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol
【００１０】1,3,3,5,7 −ペンタメチル−１−（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オー
ル 1,3,3 −トリメチル−１−（3,5 −ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3,5 −テトラメチル−１−（3,5 −ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3,5,7 −ペンタメチル−１−（3,5 −ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）
−インダン−５−オール1,3,3,6 −テトラメチル−１−
（４−ヒドロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3,6,7 −ペンタメチル−１−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−インダン−５−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−インダン−５−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（3,5 −ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）−インダン−５−オール1,3,3,5,7-Pentamethyl-1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- (3,5-dimethyl- 4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,5-tetramethyl-1- (3,5-dimethyl-4-
Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,5,7-pentamethyl-1- (3,5-dimethyl-4)
-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- (4-hydroxyphenyl)
-Indan-5-ol 1,3,3,6-tetramethyl-1-
(4-Hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,6,7-pentamethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,7-tetramethyl-1 -(4-Hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,7-tetramethyl-1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,7- Tetramethyl-1- (3,5-dimethyl-4-
Hydroxyphenyl) -indan-5-ol
【００１１】1,3,3 −トリメチル−１−（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3,6 −テトラメチル−１−（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3,6,7 −ペンタメチル−１−（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（3,5 −ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3,6 −テトラメチル−１−（3,5 −ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3,6,7 −ペンタメチル−１−（3,5 −ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）−インダン−５−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（３−ヒドロキシフェニル）
−インダン−６−オール1,3,3,5 −テトラメチル−１−
（３−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3,5,7 −ペンタメチル−１−（３−ヒドロキシフェ
ニル）−インダン−６−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（３−ヒドロキシフェニ
ル）−インダン−６−オール1,3,3-trimethyl-1- (3-methyl-
4-Hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,6-tetramethyl-1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,6,7- Pentamethyl-1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3-trimethyl-1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1, 3,3,6-Tetramethyl-1- (3,5-dimethyl-4-
Hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3,6,7-pentamethyl-1- (3,5-dimethyl-4
-Hydroxyphenyl) -indan-5-ol 1,3,3-trimethyl-1- (3-hydroxyphenyl)
-Indan-6-ol 1,3,3,5-tetramethyl-1-
(3-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,5,7-pentamethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3,7-tetramethyl-1 -(3-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol
【００１２】1,3,3 −トリメチル−１−（３−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−７−オール1,3,3,5 −テトラ
メチル−１−（３−ヒドロキシフェニル）−インダン−
７−オール 1,3,3,5,7 −ペンタメチル−１−（３−ヒドロキシフェ
ニル）−インダン−７−オール 1,3,3,7 −テトラメチル−１−（３−ヒドロキシフェニ
ル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−エチル−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソプロピル−１−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−メトキシ−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−エトキシ−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−プロピル−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ｔ−ブチル−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール1,3,3-Trimethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3,5-tetramethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-
7-ol 1,3,3,5,7-pentamethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indane-7-ol 1,3,3,7-tetramethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indane -7-ol 1,3,3-trimethyl-5-ethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-isopropyl-1- (4-hydroxyphenyl) -Indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-methoxy-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-ethoxy-1- (4-hydroxy Phenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-propyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-t-butyl-1- (4-Hydroxyphenyl) -indan-6- Lumpur
【００１３】1,3,3 −トリメチル−５−プロポキシ−１
−（４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−クロル−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ブトキシ−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソプロポキシ−１−（４−
ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソブチル−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ｎ−ブチル−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−アリル−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）
−インダン−５，６−ジオール 1,3,3 −トリメチル−７−エチル−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−イソプロピル−１−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−メトキシ−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール1,3,3-trimethyl-5-propoxy-1
-(4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-chloro-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-butoxy -1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-isopropoxy-1- (4-
Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-isobutyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-n-butyl-1 -(4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-allyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- ( 4-hydroxyphenyl)
-Indan-5,6-diol 1,3,3-trimethyl-7-ethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-isopropyl-1- (4 -Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-methoxy-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol
【００１４】1,3,3 −トリメチル−７−エトキシ−１−
（４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−プロピル−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−ｔ−ブチル−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−プロポキシ−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−クロル−１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−ブトキシ−１−（４−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−イソプロポキシ−１−（４−
ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−イソブチル−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−ｎ−ブチル−１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール1,3,3-trimethyl-7-ethoxy-1-
(4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-propyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-t- Butyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-propoxy-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl- 7-Chlor-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-butoxy-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3- Trimethyl-7-isopropoxy-1- (4-
Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-isobutyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-n-butyl-1 -(4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol
【００１５】1,3,3 −トリメチル−７−アリル−１−
（４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）
−インダン−６，７−ジオール 1,3,3 −トリメチル−７−エチル−１−（３−エチル−
４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−アリル−１−（３−アリル−
４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−イソプロピル−１−（３−イ
ソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６
−オール 1,3,3 −トリメチル−７−メトキシ−１−（３−メトキ
シ−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−エトキシ−１−（３−エトキ
シ−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−プロピル−１−（３−プロピ
ル−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール1,3,3-trimethyl-7-allyl-1-
(4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- (4-hydroxyphenyl)
-Indan-6,7-diol 1,3,3-trimethyl-7-ethyl-1- (3-ethyl-
4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-allyl-1- (3-allyl-
4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-isopropyl-1- (3-isopropyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6
-Ol 1,3,3-trimethyl-7-methoxy-1- (3-methoxy-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-ethoxy-1- (3-ethoxy -4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-propyl-1- (3-propyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol
【００１６】1,3,3 −トリメチル−７−ｔ−ブチル−１
−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−イン
ダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−プロポキシ−１−（３−プロ
ポキシ−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オ
ール 1,3,3 −トリメチル−７−クロル−１−（３−クロル−
４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−ブトキシ−１−（３−ｔ−ブ
トキシ−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オ
ール 1,3,3 −トリメチル−７−イソプロポキシ−１−（３−
イソプロポキシ−４−ヒドロキシフェニル）−インダン
−６−オール 1,3,3 −トリメチル−７−イソブチル−１−（３−イソ
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オ
ール 1,3,3 −トリメチル−７−ｎ−ブチル−１−（３−ｎ−
ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オ
ール 1,3,3 −トリメチル−７−アリル−１−（３−アリル−
４−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（３，４−ジヒドロキシフェ
ニル）−インダン−６，７−ジオール1,3,3-trimethyl-7-t-butyl-1
-(3-t-Butyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-propoxy-1- (3-propoxy-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1 , 3,3-Trimethyl-7-chloro-1- (3-chloro-
4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-butoxy-1- (3-t-butoxy-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl -7-isopropoxy-1- (3-
Isopropoxy-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-isobutyl-1- (3-isobutyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3- Trimethyl-7-n-butyl-1- (3-n-
Butyl-4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-7-allyl-1- (3-allyl-
4-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- (3,4-dihydroxyphenyl) -indan-6,7-diol
【００１７】1,3,3 −トリメチル−５−エチル−１−
（３−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソプロピル−１−（３−ヒ
ドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−メトキシ−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−エトキシ−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−プロピル−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ｔ−ブチル−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−プロポキシ−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−クロル−１−（３−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ブトキシ−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソプロポキシ−１−（３−
ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール1,3,3-trimethyl-5-ethyl-1-
(3-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-isopropyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-methoxy- 1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-ethoxy-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5- Propyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-t-butyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3- Trimethyl-5-propoxy-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-chloro-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3, 3-trimethyl- - butoxy-1- (3-hydroxyphenyl) - indan-6-ol 1,3,3 - trimethyl-5-isopropoxy-1- (3-
Hydroxyphenyl) -indan-6-ol
【００１８】1,3,3 −トリメチル−５−イソブチル−１
−（３−ヒドロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ｎ−ブチル−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−５−アリル−１−（３−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−６−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（３−ヒドロキシフェニル）
−インダン−５，６−ジオール 1,3,3 −トリメチル−５−エチル−１−（３−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソプロピル−１−（３−ヒ
ドロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−メトキシ−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−エトキシ−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−７−オール1,3,3-trimethyl-5-isobutyl-1
-(3-Hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5-n-butyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-5 -Allyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol 1,3,3-trimethyl-1- (3-hydroxyphenyl)
-Indan-5,6-diol 1,3,3-trimethyl-5-ethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-isopropyl-1- (3 -Hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-methoxy-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-ethoxy-1- (3-Hydroxyphenyl) -indan-7-ol
【００１９】1,3,3 −トリメチル−５−プロピル−１−
（３−ヒドロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ｔ−ブチル−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−プロポキシ−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−クロル−１−（３−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ブトキシ−１−（３−ヒドロ
キシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソプロポキシ−１−（３−
ヒドロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−イソブチル−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−ｎ−ブチル−１−（３−ヒド
ロキシフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−５−アリル−１−（３−ヒドロキ
シフェニル）−インダン−７−オール 1,3,3 −トリメチル−１−（３−ヒドロキシフェニル）
−インダン−５，７−ジオール 等を挙げることができる。好ましい化合物は1,3,3 −ト
リメチル−１−（４−ヒドロキシフェニル）−インダン
−６−オールである。1,3,3-trimethyl-5-propyl-1-
(3-Hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-t-butyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5- Propoxy-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-chloro-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl 5-Butoxy-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-isopropoxy-1- (3-
Hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-isobutyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-n-butyl-1 -(3-Hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-5-allyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-7-ol 1,3,3-trimethyl-1- ( 3-hydroxyphenyl)
-Indane-5,7-diol etc. can be mentioned. A preferred compound is 1,3,3-trimethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol.
【００２０】また、一般式（４）で表されるアラルキル
化合物の例としては、α，α’−ジヒドロキシ−ｏ−キ
シレン、α，α’−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，
α’−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α’−ジメト
キシ−ｏ−キシレン、α，α’−ジメトキシ−ｍ−キシ
レン、α，α’−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α’
−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α’−ジエトキシ−
ｍ−キシレン、α，α’−ジエトキシ−ｐ−キシレン、
α，α’−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α’
−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α’−ジ−ｎ
−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α’−ジ−ｎ−ブト
キシ−ｍ−キシレン、α，α’−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ
−キシレン、α，α’−ジ−ｓｅｃ−ブトキシ−ｐ−キ
シレン、α，α’−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、
α，α’−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α’−ジクロ
ロ−ｍ−キシレン、α，α’−ジクロロ−ｐ−キシレ
ン、α，α’−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α’−ジ
ブロモ−ｍ−キシレン、α，α’−ジブロモ−ｐ−キシ
レン、α，α’−ジフルオロ−ｏ−キシレン、α，α’
−ジフルオロ−ｍ−キシレン、α，α’−ジフルオロ−
ｐ−キシレン、α，α’−ジヨード−ｏ−キシレン、
α，α’−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α’−ジヨー
ド−ｐ−キシレン等が挙げられ、好ましい化合物として
は、α，α’−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α’
−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α’−ジメトキシ−ｐ
−キシレン、α，α’−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、
α，α’−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α’−ジメト
キシ−ｍ−キシレン等が挙げられる。Further, examples of the aralkyl compound represented by the general formula (4) include α, α′-dihydroxy-o-xylene, α, α′-dihydroxy-m-xylene, α,
α'-dihydroxy-p-xylene, α, α'-dimethoxy-o-xylene, α, α'-dimethoxy-m-xylene, α, α'-dimethoxy-p-xylene, α, α '
-Diethoxy-o-xylene, α, α'-diethoxy-
m-xylene, α, α′-diethoxy-p-xylene,
α, α′-diisopropoxy-m-xylene, α, α ′
-Diisopropoxy-m-xylene, α, α'-di-n
-Propoxy-p-xylene, α, α'-di-n-butoxy-m-xylene, α, α'-di-n-butoxy-p
-Xylene, α, α'-di-sec-butoxy-p-xylene, α, α'-diisobutoxy-p-xylene,
α, α'-dichloro-o-xylene, α, α'-dichloro-m-xylene, α, α'-dichloro-p-xylene, α, α'-dibromo-o-xylene, α, α'-dibromo -M-xylene, α, α′-dibromo-p-xylene, α, α′-difluoro-o-xylene, α, α ′
-Difluoro-m-xylene, α, α'-difluoro-
p-xylene, α, α′-diiodo-o-xylene,
α, α′-diiodo-m-xylene, α, α′-diiodo-p-xylene and the like are mentioned, and preferable compounds are α, α′-dihydroxy-p-xylene and α, α ′.
-Dichloro-p-xylene, α, α'-dimethoxy-p
-Xylene, α, α'-dihydroxy-m-xylene,
Examples include α, α′-dichloro-m-xylene and α, α′-dimethoxy-m-xylene.
【００２１】本発明のアラルキル樹脂及びアラルキル樹
脂組成物は、ＣＤ類１モルに対し、アラルキル化合物を
０．１〜１．０モル、好ましくは０．２〜０．８モルの
範囲で反応させることにより得られる。本発明のＣＤ類
とアラルキル化合物との反応は、無触媒で、または酸触
媒の存在下で行われる。反応温度は５０〜２００℃、好
ましくは８０〜１３０℃で、反応時間は３〜３０時間、
好ましくは３〜２０時間である。使用できる酸触媒とし
ては、無機及び有機の酸が挙げられ、例えば、塩酸、燐
酸、硫酸または硝酸等の無機酸、あるいは塩化亜鉛、塩
化第二錫、塩化アルミニウム、塩化第二鉄のようなフリ
ーデルクラフツ系触媒、メタンスルホン酸、ナフィオン
Ｈ（商品名：デュポン社製）のような超強酸を単独で使
用するか、または併用してもよい。また、活性白土、ゼ
オライト類の固体酸触媒やヘテロポリ酸類も使用でき
る。触媒の使用量は、通常、スピロビインダノール類と
アラルキル化合物の合計に対して、０．０１〜１５重量
％であるが、固体酸触媒の場合は、全原料に対し１〜１
００重量％、好ましくは５〜１００重量％である。この
範囲以上でも反応における問題はないが、経済的でな
い。一般式（４）で表されるアラルキル化合物として、
ビスハロゲノメチル誘導体を用いた場合には、触媒の不
存在下でも反応を行うことが出来るが、反応を速める目
的で酸触媒を用いてもよい。その酸触媒としては、前記
の酸触媒のいずれも使用可能である。The aralkyl resin and the aralkyl resin composition of the present invention are prepared by reacting the aralkyl compound in an amount of 0.1 to 1.0 mol, preferably 0.2 to 0.8 mol, per 1 mol of CDs. Is obtained by The reaction between the CDs of the present invention and the aralkyl compound is carried out without a catalyst or in the presence of an acid catalyst. The reaction temperature is 50 to 200 ° C., preferably 80 to 130 ° C., the reaction time is 3 to 30 hours,
It is preferably 3 to 20 hours. Examples of the acid catalyst that can be used include inorganic and organic acids. For example, inorganic acids such as hydrochloric acid, phosphoric acid, sulfuric acid or nitric acid, or free acids such as zinc chloride, stannic chloride, aluminum chloride and ferric chloride. A super strong acid such as Del Crafts catalyst, methanesulfonic acid, and Nafion H (trade name: manufactured by DuPont) may be used alone or in combination. In addition, activated clay, solid acid catalysts of zeolites and heteropolyacids can also be used. The amount of the catalyst used is usually 0.01 to 15% by weight based on the total amount of the spirobiindanols and the aralkyl compound.
It is 00% by weight, preferably 5 to 100% by weight. Above this range, there is no problem in the reaction, but it is not economical. As the aralkyl compound represented by the general formula (4),
When the bishalogenomethyl derivative is used, the reaction can be performed in the absence of a catalyst, but an acid catalyst may be used for the purpose of accelerating the reaction. As the acid catalyst, any of the above acid catalysts can be used.
【００２２】また、本発明の反応では溶媒を使用しても
よい。溶媒としては、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化
炭化水素、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブ等のセロソルブ類、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、オクタノール等のアルコール類、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル（ダイグライ
ム）、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ス
ルホラン、ジメチルスルホキシド等の含硫溶媒、ＤＭ
Ｉ、ＮＭＰ、ＤＭＦ等の含窒素溶媒が挙げられる。反応
後、触媒や溶媒等を除去することにより、本発明のアラ
ルキル樹脂組成物が得られる。A solvent may be used in the reaction of the present invention. Examples of the solvent include halogenated hydrocarbons such as dichloroethane, trichloroethane, chlorobenzene and dichlorobenzene, cellosolves such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve and butyl cellosolve, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and octanol, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme) and diethylene glycol. Ethers such as diethyl ether and dipropylene glycol dimethyl ether, sulfur-containing solvents such as sulfolane and dimethyl sulfoxide, DM
Nitrogen-containing solvents such as I, NMP and DMF can be mentioned. After the reaction, the catalyst, solvent and the like are removed to obtain the aralkyl resin composition of the present invention.
【００２３】本発明のアラルキル樹脂組成物において、
式（１）で表されるアラルキル樹脂と式（３）で表され
る化合物（ＣＤ類）との割合は、重量比で、（１）：
（３）＝９８：２〜５：９５、好ましくは９８：２〜１
０：９０、より好ましくは９８：２〜３０：７０の範囲
であり、そのアラルキル樹脂組成物の分子量範囲は３０
０〜５００００程度であり、水酸基価は１５０〜２６０
ｇ／ｅｑである。本発明のアラルキル樹脂は、前記反応
で得られたアラルキル樹脂組成物から未反応のＣＤ類を
分離、除去することにより得られ、その分子量範囲は５
００〜５００００程度であり、水酸基価は１５０〜２５
０ｇ／ｅｑである。In the aralkyl resin composition of the present invention,
The ratio of the aralkyl resin represented by the formula (1) and the compound (CDs) represented by the formula (3) is (1):
(3) = 98: 2 to 5:95, preferably 98: 2-1
0:90, more preferably 98: 2 to 30:70, and the aralkyl resin composition has a molecular weight range of 30.
It is about 0 to 50,000, and the hydroxyl value is 150 to 260.
It is g / eq. The aralkyl resin of the present invention is obtained by separating and removing unreacted CDs from the aralkyl resin composition obtained by the above reaction, and its molecular weight range is 5
It is about 00 to 50000, and the hydroxyl value is 150 to 25.
It is 0 g / eq.
【００２４】このアラルキル樹脂またはアラルキル樹脂
組成物を、本発明の感光性樹脂組成物の目的に用いるに
際しては、アラルキル樹脂またはアラルキル樹脂組成物
中のイオン性金属の含有量を極力減少させることが重要
である。従って、本発明のアラルキル樹脂またはアラル
キル樹脂組成物を得るには、反応後の精製工程が必要で
ある。その方法は、イオン性金属を除去できる方法であ
れば、いずれの方法でもよく、例えば、樹脂をトルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチルエチルケトン
（ＭＩＢＫ）、メチルイソブチルケトン等のケトン類、
アミルアルコール、イソアミルアルコール、ヘプタノー
ル、２−ヘプタノール、オクタノール、イソオクタノー
ル等のアルコール類に溶解し、希塩酸で洗浄後、水洗・
中和する方法が挙げられる。When this aralkyl resin or aralkyl resin composition is used for the purpose of the photosensitive resin composition of the present invention, it is important to reduce the content of ionic metal in the aralkyl resin or aralkyl resin composition as much as possible. Is. Therefore, a purification step after the reaction is required to obtain the aralkyl resin or the aralkyl resin composition of the present invention. The method may be any method as long as it can remove the ionic metal, and examples thereof include resins such as aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, ketones such as methyl ethyl ketone (MIBK) and methyl isobutyl ketone,
Dissolve in alcohols such as amyl alcohol, isoamyl alcohol, heptanol, 2-heptanol, octanol, isooctanol, wash with dilute hydrochloric acid, and then wash with water.
A method of neutralization can be mentioned.
【００２５】このようにして得られたアラルキル樹脂ま
たはアラルキル樹脂組成物は、本発明の感光性樹脂組成
物のアルカリ可溶成分として、単独で、あるいは、その
他のアルカリ可溶性樹脂と併用して用いられる。なお、
本発明のアラルキル樹脂中に未反応のＣＤ類が残存して
いても、本発明の感光性樹脂組成物のアルカリ可溶成分
として問題がなく使用することが可能である。本発明の
感光性樹脂組成物において、併用され得るアルカリ可溶
性成分としては、ノボラック、クレゾールノボラック、
ナフトールノボラック等のフェノールおよび／またはナ
フトール類とアルデヒド類を縮合して得られる、いわゆ
るノボラック樹脂、フェノール類または／およびナフト
ール類と一般式（４）で表されるアラルキル化合物とを
縮合して得られる、いわゆるザイロック樹脂、フェノー
ル類または／およびナフトール類とジシクロペンタジエ
ンとの重合樹脂、ポリヒドロキシスチレンおよびその水
素化物、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリメタ
クリレート等が挙げられる。なお、前記樹脂を本発明の
樹脂と混合して使用するのが一般的方法であるが、前記
樹脂と本発明の樹脂をアルデヒド類または／および一般
式（４）で表されるアラルキル化合物とで共縮合して使
用することもできる。The aralkyl resin or the aralkyl resin composition thus obtained is used alone or in combination with another alkali-soluble resin as the alkali-soluble component of the photosensitive resin composition of the present invention. . In addition,
Even if unreacted CDs remain in the aralkyl resin of the present invention, they can be used without any problem as an alkali-soluble component of the photosensitive resin composition of the present invention. In the photosensitive resin composition of the present invention, as an alkali-soluble component that can be used in combination, novolac, cresol novolac,
Obtained by condensing phenol and / or naphthols such as naphthol novolac with aldehydes, and obtained by condensing a so-called novolac resin, phenols or / and naphthols with an aralkyl compound represented by the general formula (4). Examples thereof include so-called Zyloc resins, polymer resins of phenols and / or naphthols and dicyclopentadiene, polyhydroxystyrene and hydrides thereof, styrene-maleic anhydride copolymers, polymethacrylates and the like. In addition, it is a general method to use the resin mixed with the resin of the present invention, but the resin and the resin of the present invention are mixed with an aldehyde or / and an aralkyl compound represented by the general formula (4). It can also be used by co-condensing.
【００２６】本発明の感光性樹脂組成物は、アルカリ可
溶成分及び感光性成分を含有するものである。アルカリ
可溶成分として、本発明のアラルキル樹脂あるいはアラ
ルキル樹脂組成物と前記の他の樹脂とを混合して使用す
る場合、その使用割合は、本発明のアラルキル樹脂の特
徴が表される範囲であり、具体的には、本発明のアラル
キル樹脂またはアラルキル樹脂組成物が、全アルカリ可
溶性成分中の１〜１００重量％、好ましくは２〜６０重
量％の範囲で用いられる。また、本発明の感光性樹脂組
成物には、必要に応じて、添加物として少量の樹脂や染
料等を添加しても良い。The photosensitive resin composition of the present invention contains an alkali-soluble component and a photosensitive component. When the aralkyl resin of the present invention or the aralkyl resin composition of the present invention and a mixture of the other resin are used as the alkali-soluble component, the use ratio is within the range where the characteristics of the aralkyl resin of the present invention are represented. Specifically, the aralkyl resin or the aralkyl resin composition of the present invention is used in the range of 1 to 100% by weight, preferably 2 to 60% by weight, based on the total alkali-soluble components. In addition, a small amount of resin, dye or the like may be added as an additive to the photosensitive resin composition of the present invention, if necessary.
【００２７】本発明において、アルカリ可溶性成分とと
もに用いる感光性成分としては、光照射前ではアルカリ
可溶性樹脂のアルカリ可溶性を抑制する能力を持ち、且
つ、光照射によりその能力を失活する能力を有する公知
の化合物を全て用いることが可能である。具体的に例示
すれば、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド類および
そのエステルが挙げられ、より具体的には、１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド、更にそのエステル類とし
て、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４（５）−
スルホン酸クロライドとフェノール、ｐ−メトキシフェ
ノール、ジメチルフェノール、ハイドロキノン、ｐ−フ
ェニルフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、
２，６−ジヒドロキシナフタレン、ビフェノール、ビス
フェノールＡ、ポリヒドロキシベンゾフェノン、１，３
−ジヒドロキシ−４，６−ビス〔（４−ヒドロキシフェ
ニル−ジメチル）メチル〕−ベンゼン、６，６’−ジヒ
ドロキシ−３，３，３’３’−テトラメチル−１，１’
−スピロビインダン等とのエステル類を挙げることがで
きる。In the present invention, the photosensitive component used together with the alkali-soluble component is known to have the ability to suppress the alkali-solubility of the alkali-soluble resin before light irradiation and to deactivate the ability by light irradiation. It is possible to use all compounds of Specific examples thereof include 1,2-naphthoquinone-2-diazides and esters thereof, and more specifically, 1,2-naphthoquinone-2-diazide, and further, as esters thereof, 1,2-naphthoquinone-2-diazide Naphthoquinone-2-diazide-4 (5)-
Sulfonyl chloride and phenol, p-methoxyphenol, dimethylphenol, hydroquinone, p-phenylphenol, α-naphthol, β-naphthol,
2,6-dihydroxynaphthalene, biphenol, bisphenol A, polyhydroxybenzophenone, 1,3
-Dihydroxy-4,6-bis [(4-hydroxyphenyl-dimethyl) methyl] -benzene, 6,6'-dihydroxy-3,3,3'3'-tetramethyl-1,1 '
Examples thereof include esters with spirobiindane and the like.
【００２８】これらの化合物は、光照射前においては、
アルカリ可溶性樹脂の水酸基と水素結合することにより
そのアルカリ可溶性を抑制し、光照射することにより光
分解し、ケテンへと変性し、さらにレジスト膜中あるい
は空気中の水分と反応してカルボキシル基を急速に生成
することで、露光部分が大きく極性変化し、アルカリ水
溶液に対する溶解性が速やかに著しく増大するものと推
測される。本発明では、これらの性質を利用することに
より、いわゆる、ポジ型のレジストパターンを得ること
を可能とするものである。本発明において、この感光性
成分のアルカリ可溶性樹脂に対する配合量は、アルカリ
可溶性樹脂１００重量部に対し、１〜１００重量部の範
囲、好ましくは５〜９０重量部、より好ましくは１０〜
７０重量部の範囲である。These compounds, prior to light irradiation,
It suppresses its alkali solubility by hydrogen-bonding with the hydroxyl group of the alkali-soluble resin, photodecomposes it by irradiating it with light and modifies it to ketene, and further reacts with water in the resist film or air to rapidly dissolve the carboxyl group. It is presumed that the formation of the compound causes the polarity of the exposed portion to largely change and the solubility in the alkaline aqueous solution to be rapidly and remarkably increased. In the present invention, it is possible to obtain a so-called positive resist pattern by utilizing these properties. In the present invention, the blending amount of the photosensitive component with respect to the alkali-soluble resin is in the range of 1 to 100 parts by weight, preferably 5 to 90 parts by weight, more preferably 10 to 100 parts by weight.
It is in the range of 70 parts by weight.
【００２９】本発明の感光性樹脂組成物は、通常、有機
溶剤に溶解して、１〜５０重量％、好ましくは、５〜３
５％の濃度の溶液として、基板表面上に塗布し、乾燥す
ることにより、均一な感光性樹脂層を形成させることが
できる。例えば、シリコンウェハーのような任意の基板
上に、本発明の感光性樹脂組成物の有機溶剤溶液を、ス
ピンナー等により均一に塗布し、これを５０〜１３０
℃、好ましくは８０〜１１０℃において乾燥させ、感光
性樹脂組成物層を形成させる。この感光性樹脂組成物層
（塗膜ともいう）に、レジストパターンを描くために
は、ポジ型のフォトマスクパターンを介して光照射さ
せ、その後、アルカリ現像液、例えば、１〜１０重量％
濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等
の４級アンモニウムヒドロキシド水溶液、１〜１０重量
％濃度の水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶
液等のアルカリ性水溶液を用いて、現像処理することに
より、任意のレジストパターンを得ることができる。The photosensitive resin composition of the present invention is usually dissolved in an organic solvent to be 1 to 50% by weight, preferably 5 to 3%.
A uniform photosensitive resin layer can be formed by applying a 5% solution on the substrate surface and drying it. For example, an organic solvent solution of the photosensitive resin composition of the present invention is evenly applied onto an arbitrary substrate such as a silicon wafer by a spinner or the like, and this is applied at 50 to 130.
C., preferably at 80 to 110.degree. C. to form a photosensitive resin composition layer. In order to draw a resist pattern on the photosensitive resin composition layer (also referred to as a coating film), the photosensitive resin composition layer is irradiated with light through a positive-type photomask pattern, and then an alkaline developing solution, for example, 1 to 10% by weight.
Concentration of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution such as quaternary ammonium hydroxide aqueous solution, 1-10 wt% concentration of sodium hydroxide aqueous solution, using an alkaline aqueous solution such as potassium hydroxide aqueous solution, by performing development treatment, any resist You can get the pattern.
【００３０】この時用いられる有機溶剤としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
メチルイソアミルケトン、シクロヘキサノン等のような
ケトン類、エチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレング
リコールモノアセテート、プロピレングリコール、ジプ
ロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテ
ート、ジプロピレングリコールモノアセテート、ジプロ
ピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピ
レングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、
ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価ア
ルコール類およびその誘導体、テトラヒドロフラン、ジ
オキサンの様な環状エーテル類、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチ
ル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類等およ
びこれらの混合物などが挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。本発明においては、感光性樹脂組成
物層（塗膜）に対する光照射によりレジストパターンを
得るのであるが、この露光波長は、ｇ線（４３６ｎ
ｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）が好適であり、また、エキシ
マレーザー等の遠紫外線も使用可能である。また、本発
明の感光性樹脂組成物は、光照射により架橋剤となる成
分との組み合わせによる、いわゆるネガ型のフォトレジ
ストとしての利用も可能である。As the organic solvent used at this time, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone,
Ketones such as methyl isoamyl ketone and cyclohexanone, ethylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, dipropylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether,
Dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monopropyl ether,
Polyhydric alcohols such as dipropylene glycol monobutyl ether and derivatives thereof, cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methoxypropion Examples include esters such as methyl acrylate and ethyl ethoxypropionate, and mixtures thereof, but are not limited thereto. In the present invention, a resist pattern is obtained by irradiating the photosensitive resin composition layer (coating film) with light. The exposure wavelength is g-line (436n).
m) and i-line (365 nm) are preferable, and far ultraviolet rays such as excimer laser can also be used. Further, the photosensitive resin composition of the present invention can be used as a so-called negative photoresist by combining with a component which becomes a crosslinking agent when irradiated with light.
【００３１】[0031]
【実施例】次に、本発明を実施例により詳細に説明する
が、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。 合成例１ 温度計、攪拌機および還流冷却管を備えたガラス製容器
に、1,3,3 −トリメチル−１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−インダン−６−オール２４．２ｇ（０．０９モ
ル）、α，α’−ジクロロ−ｐ−キシレン５．３ｇ
（０．０３モル）、ダイグライム１００ｇ、および、塩
化亜鉛０．１８ｇを装入し、内温を１５０℃まで昇温し
た。内温を同温度に保ちつつ、２１時間攪拌を続け、反
応を終了した。次に、内温を２５℃まで冷却し、１００
ｇのＭＩＢＫを加えて有機層を１００ｇのイオン交換水
で３回水洗した。蒸留によりＭＩＢＫを除去し、黄色樹
脂２１ｇを得た。次に、得られた樹脂２０ｇを、１００
ｇのイソアミルアルコールに溶解し、１％塩酸１００ｇ
で２回洗浄後、蒸留水１００ｇで水層が中性になるまで
水洗した。有機層から蒸留によりイソアミルアルコール
を除去し、黄色樹脂２０．５ｇを得た。ＧＰＣによる樹
脂の組成（Ａｒｅａ％）は、一般式（１）において、ｍ
＝１が２４．６％、ｍ＝２が７．２％、ｍ≧３が０．６
％、未反応物が６７．６％であった。EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. Synthesis Example 1 24.2 g (0.09 mol) of 1,3,3-trimethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol was placed in a glass container equipped with a thermometer, a stirrer and a reflux condenser. , Α, α′-dichloro-p-xylene 5.3 g
(0.03 mol), 100 g of diglyme, and 0.18 g of zinc chloride were charged, and the internal temperature was raised to 150 ° C. While maintaining the internal temperature at the same temperature, stirring was continued for 21 hours to complete the reaction. Next, the internal temperature is cooled to 25 ° C., and 100
g of MIBK was added, and the organic layer was washed with 100 g of ion-exchanged water three times. MIBK was removed by distillation to obtain 21 g of a yellow resin. Next, 20 g of the obtained resin is added to 100
dissolved in 1 g of isoamyl alcohol and 100 g of 1% hydrochloric acid
After being washed twice with 100 g of distilled water, 100 g of distilled water was washed until the aqueous layer became neutral. Isoamyl alcohol was removed from the organic layer by distillation to obtain 20.5 g of a yellow resin. The composition (Area%) of the resin by GPC is m
= 1 is 24.6%, m = 2 is 7.2%, and m ≧ 3 is 0.6.
%, And unreacted matter was 67.6%.
【００３２】合成例２ 温度計、攪拌機および還流冷却管を備えたガラス製容器
に、1,3,3 −トリメチル−１−（３−ヒドロキシフェニ
ル）−インダン−６−オール２４．２ｇ（０．０９モ
ル）、α，α’−ジクロロ−ｐ−キシレン５．３ｇ
（０．０３モル）、ダイグライム１００ｇ、および、塩
化亜鉛０．１８ｇを装入し、内温を１５０℃まで昇温し
た。内温を同温度に保ちつつ、１８時間攪拌を続け、反
応を終了した。次に、内温を２５℃まで冷却し、１００
ｇのＭＩＢＫを加えて有機層を１００ｇのイオン交換水
で３回水洗した。蒸留によりＭＩＢＫを除去し、黄色樹
脂２０ｇを得た。得られた樹脂１０ｇを７０ｇのｏ−ジ
クロロベンゼンにより再結晶精製したところ、白色粉末
が析出した。これを濾過により除去し、濾液より蒸留に
よってｏ−ジクロロベンゼンを除去したところ、黄色樹
脂２．５ｇが得られた。得られた樹脂２．５ｇを１５ｇ
のイソアミルアルコール及び１５ｇの１％塩酸を用い
て、合成例１と同様の操作を行い、黄色樹脂２．３ｇを
得た。この樹脂の組成（Ａｒｅａ％）を分析したとこ
ろ、一般式（１）において、ｍ＝１が７３．１％、ｍ＝
２が２１．２％、ｍ≧３が５．７％であった。Synthesis Example 2 In a glass container equipped with a thermometer, a stirrer, and a reflux condenser, 24.2 g (0.1%) of 1,3,3-trimethyl-1- (3-hydroxyphenyl) -indan-6-ol was added. 09 mol), and α, α'-dichloro-p-xylene 5.3 g.
(0.03 mol), 100 g of diglyme, and 0.18 g of zinc chloride were charged, and the internal temperature was raised to 150 ° C. While maintaining the internal temperature at the same temperature, stirring was continued for 18 hours to complete the reaction. Next, the internal temperature is cooled to 25 ° C., and 100
g of MIBK was added, and the organic layer was washed with 100 g of ion-exchanged water three times. MIBK was removed by distillation to obtain 20 g of a yellow resin. When 10 g of the obtained resin was recrystallized and purified with 70 g of o-dichlorobenzene, a white powder was deposited. When this was removed by filtration and o-dichlorobenzene was removed from the filtrate by distillation, 2.5 g of a yellow resin was obtained. 15 g of the obtained resin 2.5 g
The same operation as in Synthesis Example 1 was carried out using the isoamyl alcohol of Example 1 and 15 g of 1% hydrochloric acid to obtain 2.3 g of a yellow resin. When the composition (Area%) of this resin was analyzed, in the general formula (1), m = 1 was 73.1% and m =
2 was 21.2% and m ≧ 3 was 5.7%.
【００３３】合成例３ 温度計、攪拌機および還流冷却器を備えたガラス製反応
容器に、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホン酸クロライド１１８．１ｇ（０．４４モル）、
３，3'，４，4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン２
４．６ｇ（０．１モル）を、ジメチルアセトアミド３０
０ｇに溶解させ、攪拌を行いながら、トリエチルアミン
４２．４ｇを３０分間で滴下し、さらに２時間攪拌を続
けた後、析出物を濾別した。次いで、得られた濾液に、
１％塩酸水溶液２５０ｇを滴下し、反応生成物を析出さ
せた、このものを濾別し、イオン交換水にて十分洗浄
し、乾燥した。ＧＰＣによる純度は１００％であった。Synthesis Example 3 118.1 g (0.44 mol) of 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonic acid chloride was placed in a glass reaction vessel equipped with a thermometer, a stirrer and a reflux condenser.
3,3 ', 4,4'-Tetrahydroxybenzophenone 2
4.6 g (0.1 mol) of dimethylacetamide 30
After dissolving in 0 g and stirring, 42.4 g of triethylamine was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was further stirred for 2 hours, and then the precipitate was filtered off. Then, to the obtained filtrate,
250 g of a 1% hydrochloric acid aqueous solution was added dropwise to precipitate a reaction product. The reaction product was separated by filtration, sufficiently washed with ion-exchanged water, and dried. The purity by GPC was 100%.
【００３４】実施例１ アルカリ可溶性樹脂として、合成例１において得られた
アラルキル樹脂組成物２ｇおよびその他の樹脂としてク
レゾールノボラック樹脂１０ｇ、感光性成分として、合
成例３において得られたテトラナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル３．３ｇを、３５重量％濃度のエチル
セロソルブアセテート溶液に調製して、ポジ型レジスト
液を得た。このレジスト液を、シリコンウェハー上にス
ピンコートし、８０℃のオーブン中で２分間プリベーク
した。膜厚は１μｍであった。この塗膜を、ポジ型パタ
ーンを有するフォトマスクチャートを用いて、ｉ線によ
る露光を行った。露光後、１４０度で５分間ポストベー
クし、２．３重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で１分間現像し、ポジ型のレジストパターン
を得た。得られたレジストパターンについて、下記の評
価法により、レジストの評価を行った。結果を表−１
（表１〜２）に示した。Example 1 2 g of the aralkyl resin composition obtained in Synthesis Example 1 as an alkali-soluble resin and 10 g of cresol novolak resin as another resin, and tetranaphthoquinone diazide sulfonic acid obtained in Synthesis Example 3 as a photosensitive component. 3.3 g of the ester was prepared in a 35 wt% concentration ethyl cellosolve acetate solution to obtain a positive resist solution. This resist solution was spin-coated on a silicon wafer and prebaked in an oven at 80 ° C. for 2 minutes. The film thickness was 1 μm. This coating film was exposed by i-line using a photomask chart having a positive pattern. After the exposure, it was post-baked at 140 ° C. for 5 minutes and developed with a 2.3 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 1 minute to obtain a positive resist pattern. The resist pattern thus obtained was evaluated by the following evaluation methods. The results are shown in Table-1
The results are shown in (Tables 1 and 2).
【００３５】比較例１ 実施例１におけるアルカリ可溶性樹脂を、ノボラック樹
脂〔三井東圧化学（株）製、ミレックス＃２０００〕１
２ｇに代えた以外は、実施例１と同様にしてポジ型パタ
ーンを得た。得られたレジストパターンについて、レジ
ストの評価を行った。結果を表−１に示した。Comparative Example 1 The alkali-soluble resin used in Example 1 was replaced with a novolak resin [Mirex # 2000] manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. 1
A positive type pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2 g was used. The obtained resist pattern was evaluated for resist. The results are shown in Table 1.
【００３６】実施例２〜６ 実施例１におけるアルカリ可溶性樹脂および感光性成分
を、表−１に示す各化合物に代えた以外は、実施例１と
同様にして、ポジ型パターンを得た。得られたレジスト
パターンについて、各レジストの評価を行った。評価結
果を表−１に示した。なお、アルカリ可溶性樹脂は、合
成例１の1,3,3 −トリメチル−１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−インダン−６−オールの代わりに、表−１に
示す各ＣＤ類を用いて合成例１と同様に合成した。ま
た、感光性成分は、合成例３の３，3'，４，4'−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの代わりに、対応するフェノ
ール類を用いて、合成例３と同様に合成した。Examples 2 to 6 Positive type patterns were obtained in the same manner as in Example 1 except that the alkali-soluble resin and the photosensitive component in Example 1 were replaced with the compounds shown in Table 1. Each resist was evaluated for the obtained resist pattern. The evaluation results are shown in Table 1. In addition, the alkali-soluble resin was synthesized by using each CDs shown in Table 1 instead of 1,3,3-trimethyl-1- (4-hydroxyphenyl) -indan-6-ol in Synthesis Example 1. It was synthesized in the same manner as 1. Further, the photosensitive component was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 3 using the corresponding phenols instead of 3,3 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone in Synthesis Example 3.
【００３７】実施例７〜１１ 実施例１におけるアルカリ可溶性樹脂に、表−１に示す
各化合物を用いて合成例２と同様に合成したものを使用
し、表−１に示す感光性成分を使用した以外は、実施例
１と同様にして、ポジ型パターンを得た。得られたレジ
ストパターンについて、各レジストの評価を行った。評
価結果を表−１に示した。Examples 7 to 11 The alkali-soluble resin used in Example 1 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 2 using each compound shown in Table-1, and the photosensitive component shown in Table-1 was used. A positive type pattern was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. Each resist was evaluated for the obtained resist pattern. The evaluation results are shown in Table 1.
【００３８】〔レジストの評価法〕 ・感度：縮小投影露光機〔（株）ニコン ＮＳＲ−１７
５５１ｉ７Ａ 開口数＝０．５０〕を用い、露光時間を
変化させ、波長３６５ｎｍのｉ線により露光した後、
２．４重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液により、２５℃で６０秒間現像し、ウェハー上にポ
ジ型レジストパターンを形成した。その最適露光時間
〔線幅０．３５μｍのライン・アンド・スペースパター
ン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の幅に生成する露光時間〕を感
度とした。 ・解像度：最適露光時間で露光した時に解像されている
最小のレジストパターンの寸法を解像度とし、比較例と
同等のものをＢ、それより寸法の小なるものをＡとし
た。 ・フォーカス許容性：線幅０．３５μｍのライン・アン
ド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を走査型電子顕微鏡
を用いて観察し、解像されるパターン寸法がマスクの設
計寸法の±１０％以内であり、かつ、レジストパターン
の現像前の膜の厚さに対する現像後の厚さの割合（残膜
率）が９０％以上である場合の焦点の振れ幅からフォー
カス許容性を評価した。比較例と同等のものをＢ、それ
より振れ幅の大きいものをＡとした。 ・現像性：走査型電子顕微鏡を用いて、比較例よりスカ
ムや現像残りの少ないものをＡ、比較例と同等のものを
Ｂとした。 ・パターン形状：線幅０．３５μｍのライン・アンド・
スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断面の下辺の寸
法Ｌ1 と上辺の寸法Ｌ2 とを走査型電子顕微鏡を用いて
測定し、０．８５≦Ｌ2 ／Ｌ1 ≦１であり、かつ、パタ
ーン形状が垂直である場合をＡとした。 ・耐熱性：レジストパターンを形成したウェハーをオー
ブンで１３０℃、２分間加熱し、パターン形状が崩れな
い場合をＡとした。[Evaluation Method of Resist] Sensitivity: Reduction projection exposure machine [Nikon NSR-17 Co., Ltd.]
551i7A Numerical Aperture = 0.50], the exposure time was changed, and after exposure with i-line having a wavelength of 365 nm,
A positive type resist pattern was formed on the wafer by developing with a 2.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 60 seconds. The optimum exposure time [exposure time for generating a line-and-space pattern (1L1S) with a line width of 0.35 μm in a one-to-one width] was used as the sensitivity. -Resolution: The dimension of the smallest resist pattern resolved at the time of exposure with the optimum exposure time was defined as the resolution, B was the same as that of the comparative example, and A was smaller than it. Focus tolerance: A line-and-space pattern (1L1S) having a line width of 0.35 μm is observed using a scanning electron microscope, and the resolved pattern dimension is within ± 10% of the mask design dimension. In addition, the focus allowance was evaluated from the range of focus deviation when the ratio of the thickness of the resist pattern after development to the thickness of the film before development (residual film rate) was 90% or more. The one equivalent to the comparative example was designated as B, and the one having a larger swing width was designated as A. -Developability: Using a scanning electron microscope, A having less scum and less development residue than Comparative Example was designated as A, and B equivalent to Comparative Example.・ Pattern shape: Line and line width 0.35μm
The dimension L 1 of the lower side and the dimension L 2 of the upper side of the rectangular cross section of the space pattern (1L1S) were measured using a scanning electron microscope, and 0.85 ≦ L 2 / L 1 ≦ 1 and the pattern The case where the shape was vertical was designated as A. -Heat resistance: A wafer on which a resist pattern was formed was heated in an oven at 130 ° C for 2 minutes, and the case where the pattern shape did not collapse was rated as A.
【００３９】[0039]
【表１】 [Table 1]
【００４０】[0040]
【表２】 表中の感光性成分は下記式（化８）で表される化合物を
表し、略号は下記の通りである。 ＮＢ：クレゾールノボラック樹脂：ｍ−クレゾール・ｐ
−クレゾール＝７／３、クレゾール／ホルマリン＝１／
０．８のモル比でシュウ酸触媒を用いて還流下に反応さ
せて得た重量平均分子量９８００のノボラック樹脂 ＸＬ：ザイロック：三井東圧化学（株）製、ＸＬ−２２
５−３Ｌ[Table 2] The photosensitive component in the table represents a compound represented by the following formula (Formula 8), and the abbreviations are as follows. NB: Cresol novolac resin: m-cresol p
-Cresol = 7/3, cresol / formalin = 1 /
A novolak resin having a weight average molecular weight of 9800, obtained by reacting under reflux with an oxalic acid catalyst at a molar ratio of 0.8 XL: Zyloc: Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd., XL-22
5-3L
【００４１】[0041]
【化８】 Embedded image
【００４２】以上のように、本発明のアラルキル樹脂を
含有してなる感光性樹脂組成物は、高解像度なポジ型パ
ターンを形成するに好適なものであり、従来のノボラッ
ク樹脂を単独でベースレジンとした感光性樹脂組成物に
比べ、加工精度に優れた微細パターンを得ることができ
る。これはかかる産業分野において要求される、より集
積度を増す半導体デバイスの製造に沿うものであり、か
かる産業分野へ大きく寄与するものである。As described above, the photosensitive resin composition containing the aralkyl resin of the present invention is suitable for forming a high-resolution positive pattern, and a conventional novolak resin alone is used as a base resin. As compared with the photosensitive resin composition described above, a fine pattern having excellent processing accuracy can be obtained. This is in line with the manufacturing of semiconductor devices with higher integration, which is required in such industrial fields, and makes a great contribution to such industrial fields.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、加工精度
に優れた微細パターンを得るのに好適なものであり、よ
り高密度な半導体デバイス製造に寄与するものである。INDUSTRIAL APPLICABILITY The photosensitive resin composition of the present invention is suitable for obtaining a fine pattern with excellent processing accuracy, and contributes to the production of higher density semiconductor devices.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 山口 桂三郎 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Keisuke Takuma, Inventor 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. Chemical Co., Ltd.
Claims (5)
アラルキル樹脂。 【化１】 （式中、Ａは下記式（２）（化２）で表される基を表
し、ｍは１〜１００の整数を表す） 【化２】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は、各々独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル基またはアルケニル基、あるいはヒドロキシル基
を表す）1. A novel aralkyl resin represented by the general formula (1) (formula 1). Embedded image (In the formula, A represents a group represented by the following formula (2) (formula 2), and m represents an integer of 1 to 100) (In the formula, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group or alkenyl group, or a hydroxyl group)
式（３）（化３）で表される化合物を含有する新規なア
ラルキル樹脂組成物。 【化３】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は、各々独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル基またはアルケニル基、あるいはヒドロキシル基
を表す）2. A novel aralkyl resin composition containing the aralkyl resin according to claim 1 and a compound represented by the general formula (3) (formula 3). Embedded image (In the formula, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group or alkenyl group, or a hydroxyl group)
と、一般式（４）（化４）で表されるアラルキル化合物
とを、アラルキル化合物／一般式（３）で表される化合
物のモル比＝０．１〜１．０で反応させることを特徴と
する請求項１のアラルキル樹脂または請求項２のアラル
キル樹脂組成物の製造法。 【化４】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 は、各々独立して水素原子、ハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル基またはアルケニル基、あるいはヒドロキシル基
を表し、Ｘは炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基また
はハロゲン原子を表す）3. A compound represented by the general formula (3) (chemical formula 4) and an aralkyl compound represented by the general formula (4) (chemical formula 4) are represented by an aralkyl compound / general formula (3). The method for producing the aralkyl resin according to claim 1 or the aralkyl resin composition according to claim 2, wherein the compound is reacted at a molar ratio of 0.1 to 1.0. Embedded image (In the formula, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted linear or branched alkyl group or alkenyl group, or a hydroxyl group, and X represents a carbon number of 1 ~ 4 represents an alkoxy group, a hydroxyl group or a halogen atom)
有してなる感光性樹脂組成物において、アルカリ可溶成
分として請求項１のアラルキル樹脂または請求項２のア
ラルキル樹脂組成物を必須の成分として１〜１００％含
むことを特徴とする感光性樹脂組成物。4. A photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble component and a photosensitive component, wherein the aralkyl resin of claim 1 or the aralkyl resin composition of claim 2 is an essential component as an alkali-soluble component. A photosensitive resin composition comprising 1 to 100%.
布し、フォトマスクパターンを介して光照射させた後
に、アルカリ現像液を用いて現像処理することにより得
られるレジストパターン形成物。5. A resist pattern-formed product obtained by applying the resin composition according to claim 4 on the surface of a substrate, irradiating the resin composition with light through a photomask pattern, and then developing the resist composition with an alkali developing solution.
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1995
- 1995-08-03 JP JP19841995A patent/JP4136004B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003000821A1 (en) * | 1999-12-27 | 2003-01-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Processes for producing polymeric fluorescent material and polymeric luminescent element |
| US7297415B2 (en) | 1999-12-27 | 2007-11-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Processes for producing polymeric fluorescent material and polymeric luminescent element |
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