JPH09312444A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09312444A JPH09312444A JP8129543A JP12954396A JPH09312444A JP H09312444 A JPH09312444 A JP H09312444A JP 8129543 A JP8129543 A JP 8129543A JP 12954396 A JP12954396 A JP 12954396A JP H09312444 A JPH09312444 A JP H09312444A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- laser
- semiconductor laser
- buried
- phase shift
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いFM変調効率を有する半導体レーザを提供
する。 【解決手段】 InP基板１０上に凹凸を形成し、凹部に
はＩｎＡｓＰが埋め込まれた埋め込み回折格子１１が形
成されている。位相シフト領域１７の両側で位相が4分
の1波長シフトしている。さらに歪MQW活性層１４を含む
構成により共振器構造を形成する。埋め込み回折格子１
１を利用することにより、λ／４の位相シフトを正確に
調整できるので、高いＦＭ変調効率の半導体レーザを実
現できる。
する。 【解決手段】 InP基板１０上に凹凸を形成し、凹部に
はＩｎＡｓＰが埋め込まれた埋め込み回折格子１１が形
成されている。位相シフト領域１７の両側で位相が4分
の1波長シフトしている。さらに歪MQW活性層１４を含む
構成により共振器構造を形成する。埋め込み回折格子１
１を利用することにより、λ／４の位相シフトを正確に
調整できるので、高いＦＭ変調効率の半導体レーザを実
現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コヒーレント光通
信等のキーデバイスとなるＦＭ変調効率の大きい半導体
レーザおよびその製造方法に関するものである。
信等のキーデバイスとなるＦＭ変調効率の大きい半導体
レーザおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＦＭ変調効率の大きな半導体レーザとし
ては、基板にエッチングにより回折格子を形成し、この
回折格子の位相を4分の1波長（λ/4）ずらせたシフト回
折格子を有する分布帰還型(DFB)レーザが用いられてい
る。
ては、基板にエッチングにより回折格子を形成し、この
回折格子の位相を4分の1波長（λ/4）ずらせたシフト回
折格子を有する分布帰還型(DFB)レーザが用いられてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような回折格子を
用いた従来のレーザでは、回折格子の凹凸の形状によっ
てレーザの特性がばらついてしまう。つまり、回折格子
はエッチングにより形成するが、このエッチングによ
り、回折格子の凸部が均一に尖った形状ばかりでなく、
なかには丸みをおびたものとか凸部の先端が平らになる
ものもある。この凹凸上には光導波路層が形成される
が、凹凸が共振器にわたって均一ではなく、回折格子の
凹凸のばらつきにより、レーザの発振特性等もばらつい
てしまうことになる。
用いた従来のレーザでは、回折格子の凹凸の形状によっ
てレーザの特性がばらついてしまう。つまり、回折格子
はエッチングにより形成するが、このエッチングによ
り、回折格子の凸部が均一に尖った形状ばかりでなく、
なかには丸みをおびたものとか凸部の先端が平らになる
ものもある。この凹凸上には光導波路層が形成される
が、凹凸が共振器にわたって均一ではなく、回折格子の
凹凸のばらつきにより、レーザの発振特性等もばらつい
てしまうことになる。
【０００４】そこで本発明は、埋め込み回折格子を用
い、凹凸の凸部の形状によらずに特性の安定な半導体レ
ーザとこのレーザを容易に作製できる製造方法を提供す
ることを目的とする。
い、凹凸の凸部の形状によらずに特性の安定な半導体レ
ーザとこのレーザを容易に作製できる製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決すべく、活性層と下凸形状の埋め込み回折格子
とを有し、前記回折格子が共振器中央付近を介してその
位相が実質的に4分の1波長分だけ位相シフトしており、
かつ回折格子周期で決まるレーザの発振波長に対しが前
記埋込み回折格子の吸収端が短波長にある半導体レーザ
とする。
題を解決すべく、活性層と下凸形状の埋め込み回折格子
とを有し、前記回折格子が共振器中央付近を介してその
位相が実質的に4分の1波長分だけ位相シフトしており、
かつ回折格子周期で決まるレーザの発振波長に対しが前
記埋込み回折格子の吸収端が短波長にある半導体レーザ
とする。
【０００６】位相シフト回折格子の凹部がＷ形状をして
おり、前記Ｗ形状部に埋め込み層が埋め込まれて埋め込
み回折格子とするか、または、位相シフト回折格子の凹
部がＭ形状をしており、前記Ｍ形状部に埋め込み層が埋
め込まれて埋め込み回折格子とした半導体レーザとす
る。
おり、前記Ｗ形状部に埋め込み層が埋め込まれて埋め込
み回折格子とするか、または、位相シフト回折格子の凹
部がＭ形状をしており、前記Ｍ形状部に埋め込み層が埋
め込まれて埋め込み回折格子とした半導体レーザとす
る。
【０００７】さらにFM変調用狭スペクトル線幅レーザと
局発用狭スペクトル線幅用レーザをヘテロダイン検波す
る光伝送方法であって、FM変調用レーザに埋め込み回折
格子を有するl/4位相シフト型DFBレーザを用いるととも
に、局発レーザに位相シフト領域において回折格子の非
形成もしくは結合定数が小さい回折格子の小さいl/4位
相シフト型DFBレーザを用いる光伝送方法とする。
局発用狭スペクトル線幅用レーザをヘテロダイン検波す
る光伝送方法であって、FM変調用レーザに埋め込み回折
格子を有するl/4位相シフト型DFBレーザを用いるととも
に、局発レーザに位相シフト領域において回折格子の非
形成もしくは結合定数が小さい回折格子の小さいl/4位
相シフト型DFBレーザを用いる光伝送方法とする。
【０００８】
（実施の形態１）図１は、本発明の半導体レーザの一実
施例を示す共振器方向の構成断面図である。本実施の形
態では、基板に埋め込み回折格子を形成して実効的に屈
折率分布を形成している。また埋め込み回折格子の位相
が共振器の中央部でλ／４シフトしている。
施例を示す共振器方向の構成断面図である。本実施の形
態では、基板に埋め込み回折格子を形成して実効的に屈
折率分布を形成している。また埋め込み回折格子の位相
が共振器の中央部でλ／４シフトしている。
【０００９】図１に示すように、本半導体レーザの層構
造は、InP基板１０上に埋め込み回折格子11、n-InPクラ
ッド層１3、アンドープ歪MQW活性層１４、p-InPクラッ
ド層（p =7x1017cm-3）１５、p-InGaAsPコンタクト層１
６よりなる。
造は、InP基板１０上に埋め込み回折格子11、n-InPクラ
ッド層１3、アンドープ歪MQW活性層１４、p-InPクラッ
ド層（p =7x1017cm-3）１５、p-InGaAsPコンタクト層１
６よりなる。
【００１０】活性層１４は図２のように共振器方向に幅
1.5mmのストライプ状に加工されており、その共振器長
は1.8mmである。また端面はSiNにより反射率1％以下の
無反射膜でコートされている。歪多重量子活性層１4は3
層のInGaAsP(組成波長λg＝1.62mm、歪量0.9％、膜厚6n
m）井戸層１４ｗおよび４層のInGaAsP(組成波長λg=1.1
5μm、膜厚10nm）障壁層１４ｂの交互に積層されてお
り、活性層からのフォトルミネッセンスピーク波長は1.
58mmである。
1.5mmのストライプ状に加工されており、その共振器長
は1.8mmである。また端面はSiNにより反射率1％以下の
無反射膜でコートされている。歪多重量子活性層１4は3
層のInGaAsP(組成波長λg＝1.62mm、歪量0.9％、膜厚6n
m）井戸層１４ｗおよび４層のInGaAsP(組成波長λg=1.1
5μm、膜厚10nm）障壁層１４ｂの交互に積層されてお
り、活性層からのフォトルミネッセンスピーク波長は1.
58mmである。
【００１１】ここで埋め込み回折格子11は、逆三角形形
状をしており、活性層１4の下側のn-InPクラッド層１3
とn-InP基板１０間に埋め込まれている。また位相シフ
ト領域１７で埋め込み回折格子はつながっており、この
シフト領域１７の両側で位相が4分の1波長分互いにシフ
トしている。埋め込み回折格子はInAsPで構成され、そ
の室温でのフォトルミネッセンスピーク波長は1.4mmで
ある。この回折格子の周期は242nmで発振波長に対応す
るブラッグ波長は1.53mmである。この場合波長ディチュ
ーニングとして-50nmが得られている。
状をしており、活性層１4の下側のn-InPクラッド層１3
とn-InP基板１０間に埋め込まれている。また位相シフ
ト領域１７で埋め込み回折格子はつながっており、この
シフト領域１７の両側で位相が4分の1波長分互いにシフ
トしている。埋め込み回折格子はInAsPで構成され、そ
の室温でのフォトルミネッセンスピーク波長は1.4mmで
ある。この回折格子の周期は242nmで発振波長に対応す
るブラッグ波長は1.53mmである。この場合波長ディチュ
ーニングとして-50nmが得られている。
【００１２】本構造においてしきい値20mA,片端面から
の外部微分量子効率として0.25mW/mAと低しきい値発振
が得られている。またFM変調効率としては８０MHz/mA以
上の高い値が得られている。また本構造における特徴で
ある埋め込み回折格子は、逆三角形状であるため異方性
エッチとマストランスポート法が利用でき、1.8mmの長
共振器構造でも回折格子が性格に形成できるので300mA
以上の高バイアスまでので単一波長動作が得られる。ま
たレーザ光のスペクトル線幅も１００ｋＨｚ以下の狭ス
ペクトル線幅が得られる。
の外部微分量子効率として0.25mW/mAと低しきい値発振
が得られている。またFM変調効率としては８０MHz/mA以
上の高い値が得られている。また本構造における特徴で
ある埋め込み回折格子は、逆三角形状であるため異方性
エッチとマストランスポート法が利用でき、1.8mmの長
共振器構造でも回折格子が性格に形成できるので300mA
以上の高バイアスまでので単一波長動作が得られる。ま
たレーザ光のスペクトル線幅も１００ｋＨｚ以下の狭ス
ペクトル線幅が得られる。
【００１３】図３（a)〜(ｄ)に本発明の構造の製造方法
を示す。まずｎ−ＩｎＰ基板１０表面にポジレジストを
塗布し、位相シフトマスクを密着させ、２光束干渉露光
を行い、（100）面を主面とするn-InP基板1０上に周期2
42nm、中央部に形成された位相シフト領域１７で両側の
位相が4分の1波長分だけシフトした位相シフト型回折格
子１１ａが形成できる。ここで位相シフト回折格子の形
成は、干渉露光法と臭素とりん酸の混合水溶液による異
方性エッチングにより形成され、（111）面を側面とす
るのこぎり型形状が得られている。回折格子の凹凸の凸
部は、位相シフト領域１７で中央部で少し小さくなって
いる（図３（ｄ））。
を示す。まずｎ−ＩｎＰ基板１０表面にポジレジストを
塗布し、位相シフトマスクを密着させ、２光束干渉露光
を行い、（100）面を主面とするn-InP基板1０上に周期2
42nm、中央部に形成された位相シフト領域１７で両側の
位相が4分の1波長分だけシフトした位相シフト型回折格
子１１ａが形成できる。ここで位相シフト回折格子の形
成は、干渉露光法と臭素とりん酸の混合水溶液による異
方性エッチングにより形成され、（111）面を側面とす
るのこぎり型形状が得られている。回折格子の凹凸の凸
部は、位相シフト領域１７で中央部で少し小さくなって
いる（図３（ｄ））。
【００１４】この基板１０を有機金属気相成長（MOVP
E）装置に入れ、ＡｓＨ3ガス(分圧2.0×10-3torr）とPH
3ガス（分圧2.7×10-1torr）の水素混合ガス34中で熱処
理するこによりマストランスポートにより、図３(b)の
ように溝の底部に選択的にＩｎＡｓＰ層が埋めこまれ、
レーザの埋め込み回折格子１１となる。この現象は、マ
ストランスポートと呼ばれ、回折格子（基板）のＩｎと
混合ガスの成分であるＡｓおよびＰによりＩｎＡｓＰ層
が形成できる方法であり、再現性が良く制御性良く均一
にこの層を成長できる。
E）装置に入れ、ＡｓＨ3ガス(分圧2.0×10-3torr）とPH
3ガス（分圧2.7×10-1torr）の水素混合ガス34中で熱処
理するこによりマストランスポートにより、図３(b)の
ように溝の底部に選択的にＩｎＡｓＰ層が埋めこまれ、
レーザの埋め込み回折格子１１となる。この現象は、マ
ストランスポートと呼ばれ、回折格子（基板）のＩｎと
混合ガスの成分であるＡｓおよびＰによりＩｎＡｓＰ層
が形成できる方法であり、再現性が良く制御性良く均一
にこの層を成長できる。
【００１５】引き続いてMOVPE成長によりn-InPクラッド
層１３、InGaAsP歪MQW活性層１4およびp-InP層１5を順
次成長する。さらにメサエッチングとｐーＩｎＰ、ｎー
ＩｎＰの埋め込み成長により幅1.5mmの活性層ストライ
プと電流挟窄構造およびp-InGaAsPコンタクト層１6を形
成したのち上下に電極１８ｐ、１８ｎ1およびSiN無反射
コート膜１２ａ、１２ｂを堆積し図１の構造を得ること
ができる。
層１３、InGaAsP歪MQW活性層１4およびp-InP層１5を順
次成長する。さらにメサエッチングとｐーＩｎＰ、ｎー
ＩｎＰの埋め込み成長により幅1.5mmの活性層ストライ
プと電流挟窄構造およびp-InGaAsPコンタクト層１6を形
成したのち上下に電極１８ｐ、１８ｎ1およびSiN無反射
コート膜１２ａ、１２ｂを堆積し図１の構造を得ること
ができる。
【００１６】ここで本発明による埋め込みInAsP回折格
子11は、異方性エッチングによるばらつきの小さいV溝
底部と、マストランスポート法により溝底部に再現性良
く一辺0.05mmの逆三角形形状が得られるので１．８mm以
上の長共振器構造においても均一性の高い回折格子を得
ることができる。また本発明の製造方法においても、埋
めこみ回折格子を形成するにあたって特別な装置を用い
ることもなく、比較的単純な方法でＦＭ変調効率の大き
な半導体レーザを得ることができる。
子11は、異方性エッチングによるばらつきの小さいV溝
底部と、マストランスポート法により溝底部に再現性良
く一辺0.05mmの逆三角形形状が得られるので１．８mm以
上の長共振器構造においても均一性の高い回折格子を得
ることができる。また本発明の製造方法においても、埋
めこみ回折格子を形成するにあたって特別な装置を用い
ることもなく、比較的単純な方法でＦＭ変調効率の大き
な半導体レーザを得ることができる。
【００１７】本実施の形態のように埋め込み回折格子を
用いる場合は、たとえ基板にのこぎり状の凹凸を形成し
た時点で、この凹凸の凸部が尖らずにまるみを帯びた形
状になったり少し平らになったりしても、凹部をＩｎＡ
ｓＰ結晶で埋め込み、それを回折格子とし、凸部は基板
と同じｎ−ＩｎＰ結晶で埋め込まれてしまうので、凸部
のばらつきが多少あってもレーザの特性に悪影響を及ぼ
すこととはほとんどない。また、製造の面でも多少この
凹凸が所定の凹凸形状になっていなくてもよいので、歩
留まりが向上するという利点がある。またλ／４シフト
した回折格子をほぼ設計通りに形成できるので、ＦＭ変
調効率を大きくすることができる。
用いる場合は、たとえ基板にのこぎり状の凹凸を形成し
た時点で、この凹凸の凸部が尖らずにまるみを帯びた形
状になったり少し平らになったりしても、凹部をＩｎＡ
ｓＰ結晶で埋め込み、それを回折格子とし、凸部は基板
と同じｎ−ＩｎＰ結晶で埋め込まれてしまうので、凸部
のばらつきが多少あってもレーザの特性に悪影響を及ぼ
すこととはほとんどない。また、製造の面でも多少この
凹凸が所定の凹凸形状になっていなくてもよいので、歩
留まりが向上するという利点がある。またλ／４シフト
した回折格子をほぼ設計通りに形成できるので、ＦＭ変
調効率を大きくすることができる。
【００１８】（実施の形態２）実施の形態１では、回折
格子１１ｂの凹凸を位相シフト領域でアルファベットの
Ｗの形状のようになっているが、この実施の形態では、
図４のように位相シフト領域１７ｂでの凹部が小さくＭ
の形状になっている。このシフト領域で位相はλ／４シ
フトしている。この形状であってもこの凹部をＩｎＡｓ
Ｐで埋め込むことによって埋め込み回折格子を形成する
ことができる。埋め込み回折格子の形成、および活性層
の形成は実施の形態１と同様である。
格子１１ｂの凹凸を位相シフト領域でアルファベットの
Ｗの形状のようになっているが、この実施の形態では、
図４のように位相シフト領域１７ｂでの凹部が小さくＭ
の形状になっている。このシフト領域で位相はλ／４シ
フトしている。この形状であってもこの凹部をＩｎＡｓ
Ｐで埋め込むことによって埋め込み回折格子を形成する
ことができる。埋め込み回折格子の形成、および活性層
の形成は実施の形態１と同様である。
【００１９】（実施の形態３）狭スペクトル半導体レー
ザを用いたコヒーレント光通信システムの実施の形態を
図５を用いて説明する。この光通信システムでは、FM変
調用レーザ５０と局発用狭スペクトル線幅レーザ５１を
ヘテロダイン検波する光伝送方式を用いている。
ザを用いたコヒーレント光通信システムの実施の形態を
図５を用いて説明する。この光通信システムでは、FM変
調用レーザ５０と局発用狭スペクトル線幅レーザ５１を
ヘテロダイン検波する光伝送方式を用いている。
【００２０】FM変調用レーザ５０には変調効率（ΔＦ／
ΔＩ：Ｆは周波数、Ｉは電流）の高いレーザを用いる。
たとえば、実施の形態１または２ようなl/4位相シフト
型DFBレーザを用いる。ここでこのレーザのバイアス電
流は300mAで動作させる。
ΔＩ：Ｆは周波数、Ｉは電流）の高いレーザを用いる。
たとえば、実施の形態１または２ようなl/4位相シフト
型DFBレーザを用いる。ここでこのレーザのバイアス電
流は300mAで動作させる。
【００２１】局発レーザ５１には、スペクトル線幅の小
さいレーザを用いる。たとえば、図１の構造において、
位相シフト領域に回折格子の形成していない構造（図
６）のように発振波長のレーザ光の結合定数が小さいl/
4位相シフト型DFBレーザを用いる。バイアス電流を400m
Aで動作をおこなう。このように、ＦＭ変調用レーザに
は４５Ｍｈｚ以上のＦＭ変調効率の大きいレーザを用
い、局発レーザには１００ｋＨｚ以下の狭スペクトルの
レーザを用いることで、ビートスペクトルで50kHz以下
であり、FMレーザに40チャンネルのサブキャリヤに対し
FM一括変換信号のキャリヤ/雑音比CNR>50dB以上が得る
ことができる。
さいレーザを用いる。たとえば、図１の構造において、
位相シフト領域に回折格子の形成していない構造（図
６）のように発振波長のレーザ光の結合定数が小さいl/
4位相シフト型DFBレーザを用いる。バイアス電流を400m
Aで動作をおこなう。このように、ＦＭ変調用レーザに
は４５Ｍｈｚ以上のＦＭ変調効率の大きいレーザを用
い、局発レーザには１００ｋＨｚ以下の狭スペクトルの
レーザを用いることで、ビートスペクトルで50kHz以下
であり、FMレーザに40チャンネルのサブキャリヤに対し
FM一括変換信号のキャリヤ/雑音比CNR>50dB以上が得る
ことができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、埋め込み回折格子を用
いて回折格子を形成しているので、λ／４の位相シフト
を正確に調整できるので、ＦＭ変調効率の大きな半導体
レーザを得ることができる。また、回折格子の凹凸形状
の凸部の形状が多少くずれていても、埋め込み回折格子
は凹部に形成されるため、レーザ特性の変動も少なく、
歩留まりも大きい。さらに本発明のレーザをFM変調用レ
ーザに用い、スペクトル線幅の小さい半導体レーザを局
発レーザに用いた光伝送方式においては、超低雑音特性
を得ることができる。
いて回折格子を形成しているので、λ／４の位相シフト
を正確に調整できるので、ＦＭ変調効率の大きな半導体
レーザを得ることができる。また、回折格子の凹凸形状
の凸部の形状が多少くずれていても、埋め込み回折格子
は凹部に形成されるため、レーザ特性の変動も少なく、
歩留まりも大きい。さらに本発明のレーザをFM変調用レ
ーザに用い、スペクトル線幅の小さい半導体レーザを局
発レーザに用いた光伝送方式においては、超低雑音特性
を得ることができる。
【図１】本発明の半導体レーザの共振器断面構造図
【図２】本発明の半導体レーザの構成斜視図
【図３】本発明の半導体レーザの製造工程断面図
【図４】本発明の半導体レーザの製造工程における共振
器断面図
器断面図
【図５】本発明の光通信システムの構成図
【図６】狭スペクトル半導体レーザの共振器断面構造図
１０ InP基板 １１ 埋め込み回折格子 １３ n-InPクラッド層 １４ InGaAsP歪MQW井戸層 １５ p-InPクラッド層 １６ p-InGaAsPコンタクト層 １７ 位相シフト領域 ３４ AｓH3+PH3混合ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 真嗣 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鬼頭 雅弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】活性層と下凸形状の埋め込み回折格子とを
有し、前記回折格子が共振器中央付近を介してその位相
が実質的に4分の1波長分だけ位相シフトしており、かつ
回折格子周期で決まるレーザの発振波長に対しが前記埋
込み回折格子の吸収端が短波長にある半導体レーザ。 - 【請求項２】位相シフト回折格子の凹部がＷ形状をして
おり、前記Ｗ形状部に埋め込み層が埋め込まれて埋め込
み回折格子とした請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】位相シフト回折格子の凹部がＭ形状をして
おり、前記Ｍ形状部に埋め込み層が埋め込まれて埋め込
み回折格子とした請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】活性層が歪量子井戸構造である請求項１に
記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】低反射コートされた出射端面を有する請求
項１、２または３に記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】基板表面上に位相シフト領域を含む周期的
凹凸形状を形成する工程と、前記凹凸形状を含む基板を
AH3とPH3の混合ガス中で熱処理し埋め込み回折格子とな
る半導体層を形成する工程と、活性層を含むエピタキシ
ャル層を結晶成長する工程とを有する半導体レーザの製
造方法。 - 【請求項７】位相シフト領域で回折格子の位相が実質的
にλ／４シフトしている請求項６に記載の半導体レーザ
の製造方法。 - 【請求項８】FM変調用狭スペクトル線幅レーザと局発用
狭スペクトル線幅用レーザをヘテロダイン検波する光伝
送方法であって、FM変調用レーザに埋め込み回折格子を
有するl/4位相シフト型DFBレーザを用いるとともに、局
発レーザに位相シフト領域において回折格子の非形成も
しくは結合定数が小さい回折格子の小さいl/4位相シフ
ト型DFBレーザを用いる光伝送方法。 - 【請求項９】FM変調用レーザをバイアス電流200mA以上
で動作させ、局発レーザをバイアス電流300mA以上で動
作させる請求項１１に記載の光伝送方法。 - 【請求項１０】発振波長のレーザ光のFM変調効率が８０
MHz/mA以上であり、発振波長のレーザ光のスペクトル線
幅が１００ｋＨｚ以下の狭スペクトルである半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129543A JPH09312444A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129543A JPH09312444A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312444A true JPH09312444A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15012124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129543A Pending JPH09312444A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312444A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453814B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2004-10-20 | 한국전자통신연구원 | 이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조 방법 |
| KR100464359B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변형 레이저 장치 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8129543A patent/JPH09312444A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453814B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2004-10-20 | 한국전자통신연구원 | 이종 회절격자를 가지는 반도체 광소자 및 그 제조 방법 |
| KR100464359B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변형 레이저 장치 |
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