JPH09283555A - 半導体チップの実装構造および半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ - Google Patents
半導体チップの実装構造および半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージInfo
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- JPH09283555A JPH09283555A JP9416796A JP9416796A JPH09283555A JP H09283555 A JPH09283555 A JP H09283555A JP 9416796 A JP9416796 A JP 9416796A JP 9416796 A JP9416796 A JP 9416796A JP H09283555 A JPH09283555 A JP H09283555A
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- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接続部の導電性が確保された上に、バンプ相互
間の絶縁性に信頼性が得られ、微細化、狭ピッチ化に対
応できる半導体チップの実装構造を提供することにあ
る。 【解決手段】電極となる複数のバンプ３３を有する半導
体チップ３１と、前記半導体チップ３１が前記バンプ３
３を介して接続された配線基板３５と、前記バンプ３３
と前記配線基板３５との間に介挿され導電部となる熱可
塑性導電接着剤３４と、前記半導体チップ３１と前記配
線基板との間に充填された前記バンプ３３及び前記熱可
塑性導電接着剤３４を封止する熱可塑性絶縁樹脂３７と
を具備したことを特徴とする。
間の絶縁性に信頼性が得られ、微細化、狭ピッチ化に対
応できる半導体チップの実装構造を提供することにあ
る。 【解決手段】電極となる複数のバンプ３３を有する半導
体チップ３１と、前記半導体チップ３１が前記バンプ３
３を介して接続された配線基板３５と、前記バンプ３３
と前記配線基板３５との間に介挿され導電部となる熱可
塑性導電接着剤３４と、前記半導体チップ３１と前記配
線基板との間に充填された前記バンプ３３及び前記熱可
塑性導電接着剤３４を封止する熱可塑性絶縁樹脂３７と
を具備したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップの
電極上にバンプを有する半導体チップの実装構造および
半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージに
関する。
電極上にバンプを有する半導体チップの実装構造および
半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの実装の高密度化の要求に
対応し、実装面積をチップサイズにできるＣＳＰ（ｃｈ
ｉｐ ｓｃａｌｅ ｐａｃｋａｇｅ）やフリップチップ
実装が注目を集めている。
対応し、実装面積をチップサイズにできるＣＳＰ（ｃｈ
ｉｐ ｓｃａｌｅ ｐａｃｋａｇｅ）やフリップチップ
実装が注目を集めている。
【０００３】図４（ａ）は、ＣＳＰ構造の第１の従来例
であり、１は半導体チップであり、２はランド電極２ａ
を有するセラミック基板である。半導体チップ１には複
数の電極３が設けられ、これら電極３上にバンプ４が形
成されている。そして、これらバンプ４はセラミック基
板２の配線パターン５に接続され、セラミック基板２に
対して半導体チップ１が実装されている。さらに、半導
体チップ１とセラミック基板２との間には熱硬化性樹脂
６が充填された構造である。
であり、１は半導体チップであり、２はランド電極２ａ
を有するセラミック基板である。半導体チップ１には複
数の電極３が設けられ、これら電極３上にバンプ４が形
成されている。そして、これらバンプ４はセラミック基
板２の配線パターン５に接続され、セラミック基板２に
対して半導体チップ１が実装されている。さらに、半導
体チップ１とセラミック基板２との間には熱硬化性樹脂
６が充填された構造である。
【０００４】図４（ｂ）は、従来の半導体チップの内部
電極と外部電極との間に中間基材を介さないＣＳＰ構造
の第２の例であり、半導体チップ７の内部電極８と外部
電極９が半導体チップ７に形成した配線パターン１０に
より接続されている。半導体チップ７はモールド樹脂１
１によって覆われ、このモールド樹脂１１の下面に前記
外部電極９と接続するバンプ１２が設けられている。
電極と外部電極との間に中間基材を介さないＣＳＰ構造
の第２の例であり、半導体チップ７の内部電極８と外部
電極９が半導体チップ７に形成した配線パターン１０に
より接続されている。半導体チップ７はモールド樹脂１
１によって覆われ、このモールド樹脂１１の下面に前記
外部電極９と接続するバンプ１２が設けられている。
【０００５】図５（ａ）は、従来のフリップチップの実
装構造の第３の例であり、半導体チップ１２には複数の
電極１３が設けられ、これら電極１３にはバンプ１４が
形成されている。そして、これらバンプ１４は配線基板
１５の配線パターン１６に接続され、配線基板１５に対
して半導体チップ１２が実装されている。さらに、半導
体チップ１２と配線基板１５との間には両者の熱膨脹係
数の差によりバンプ１４に集中する熱応力の緩和のため
に熱硬化性樹脂１４ａが充填された構造である。
装構造の第３の例であり、半導体チップ１２には複数の
電極１３が設けられ、これら電極１３にはバンプ１４が
形成されている。そして、これらバンプ１４は配線基板
１５の配線パターン１６に接続され、配線基板１５に対
して半導体チップ１２が実装されている。さらに、半導
体チップ１２と配線基板１５との間には両者の熱膨脹係
数の差によりバンプ１４に集中する熱応力の緩和のため
に熱硬化性樹脂１４ａが充填された構造である。
【０００６】図５（ｂ）は、従来の熱可塑性樹脂を用い
たフリップチップの実装構造の第４の例であり、半導体
チップ１７の電極１８にメタルマスクを用いて熱可塑性
の導電性樹脂バンプ１９が形成されている。導電性樹脂
バンプ１９の上には熱可塑性導電接着剤２０が塗布さ
れ、この熱可塑性導電接着剤２０によって配線基板２１
の電極パッド２２と接続され、配線基板２１に対して半
導体チップ２２が実装された構造である。なお、２３は
シリコン酸化膜、２４は誘電ポリマ保護膜である。
たフリップチップの実装構造の第４の例であり、半導体
チップ１７の電極１８にメタルマスクを用いて熱可塑性
の導電性樹脂バンプ１９が形成されている。導電性樹脂
バンプ１９の上には熱可塑性導電接着剤２０が塗布さ
れ、この熱可塑性導電接着剤２０によって配線基板２１
の電極パッド２２と接続され、配線基板２１に対して半
導体チップ２２が実装された構造である。なお、２３は
シリコン酸化膜、２４は誘電ポリマ保護膜である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のＣＳＰ構造の半導体チップの実装構造の第１の
例では、半導体チップと配線基板との間に中間層として
セラミック基板を用いているため構造が複雑になり、実
装後の接続配線長の短縮化に限界があった。第２および
第３の例では、樹脂封止後、熱硬化性樹脂と半導体チッ
プおよび配線基板とが強固に密着しているため、リペア
が不可能であった。さらに、第４の例では、樹脂供給量
を制御するのが難しく、メタルマスクの厚さがバンプ高
さと同等に厚くなるため、微細化、狭ピッチ化に限界が
あった。
た従来のＣＳＰ構造の半導体チップの実装構造の第１の
例では、半導体チップと配線基板との間に中間層として
セラミック基板を用いているため構造が複雑になり、実
装後の接続配線長の短縮化に限界があった。第２および
第３の例では、樹脂封止後、熱硬化性樹脂と半導体チッ
プおよび配線基板とが強固に密着しているため、リペア
が不可能であった。さらに、第４の例では、樹脂供給量
を制御するのが難しく、メタルマスクの厚さがバンプ高
さと同等に厚くなるため、微細化、狭ピッチ化に限界が
あった。
【０００８】また、従来においては、熱可塑性の異方性
導電シートを用いた実装方法も知られているが、一般に
異方性導電シートは、絶縁材料の中に分散した導電粒子
によって電気的に接続するため、接続部の導電性が悪い
という問題がある。
導電シートを用いた実装方法も知られているが、一般に
異方性導電シートは、絶縁材料の中に分散した導電粒子
によって電気的に接続するため、接続部の導電性が悪い
という問題がある。
【０００９】また、狭ピッチ化した場合、導電粒子が介
在し隣接する電極間でショートしないために、導電粒子
の含有量を少なくしたり、大きさ・形状を適正化するな
どが行われているが、バンプと電極との間に導電粒子を
必ず存在させ、半導体チップと配線基板とを電気的に接
続することが困難となってくる。
在し隣接する電極間でショートしないために、導電粒子
の含有量を少なくしたり、大きさ・形状を適正化するな
どが行われているが、バンプと電極との間に導電粒子を
必ず存在させ、半導体チップと配線基板とを電気的に接
続することが困難となってくる。
【００１０】このため、異方性導電シートを用いた実装
方法は、接続部の導電性は悪いという問題のほか、特に
狭ピッチ電極の半導体チップの実装には対応が難しい。
この発明は、前記事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、バンプを有する半導体チップの微
細ピッチの実装が可能で、接続部の導電性が確保でき、
またバンプの接続部に生じる熱応力による接続の信頼性
低下が緩和でき、実装後にリペアが可能な半導体チップ
の実装構造および半導体パッケージの製造方法および半
導体パッケージを提供することにある。
方法は、接続部の導電性は悪いという問題のほか、特に
狭ピッチ電極の半導体チップの実装には対応が難しい。
この発明は、前記事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、バンプを有する半導体チップの微
細ピッチの実装が可能で、接続部の導電性が確保でき、
またバンプの接続部に生じる熱応力による接続の信頼性
低下が緩和でき、実装後にリペアが可能な半導体チップ
の実装構造および半導体パッケージの製造方法および半
導体パッケージを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、請求項１は、電極となる複数のバンプ
を有する半導体チップと、前記半導体チップが前記バン
プを介して接続された配線基板と、前記バンプと前記配
線基板との間に介挿され導電部となる熱可塑性導電接着
剤と、前記半導体チップと前記配線基板との間に充填さ
れた前記バンプ及び前記熱可塑性導電接着剤を封止する
熱可塑性絶縁樹脂とを具備したことを特徴とする半導体
チップの実装構造にある。
達成するために、請求項１は、電極となる複数のバンプ
を有する半導体チップと、前記半導体チップが前記バン
プを介して接続された配線基板と、前記バンプと前記配
線基板との間に介挿され導電部となる熱可塑性導電接着
剤と、前記半導体チップと前記配線基板との間に充填さ
れた前記バンプ及び前記熱可塑性導電接着剤を封止する
熱可塑性絶縁樹脂とを具備したことを特徴とする半導体
チップの実装構造にある。
【００１２】請求項２は、電極となる複数のバンプを有
する半導体チップの前記各バンプの少なくとも先端部に
熱可塑性導電接着剤を塗布して導電部を形成する第１の
工程と、前記導電部が形成されたバンプが設けられた前
記半導体チップ面を熱可塑性絶縁樹脂により被覆する第
２の工程と、前記半導体チップ面を被覆している熱可塑
性絶縁樹脂の表面層を除去し前記導電部を露出させる第
３の工程とを具備することを特徴とする半導体パッケー
ジの製造方法にある。
する半導体チップの前記各バンプの少なくとも先端部に
熱可塑性導電接着剤を塗布して導電部を形成する第１の
工程と、前記導電部が形成されたバンプが設けられた前
記半導体チップ面を熱可塑性絶縁樹脂により被覆する第
２の工程と、前記半導体チップ面を被覆している熱可塑
性絶縁樹脂の表面層を除去し前記導電部を露出させる第
３の工程とを具備することを特徴とする半導体パッケー
ジの製造方法にある。
【００１３】請求項３は、請求項２の第２の工程におけ
る熱可塑性絶縁樹脂の除去は、バンプを容器中の熱可塑
性絶縁樹脂に浸漬させることにより行うことを特徴とす
る。請求項４は、請求項２の第３の工程における熱可塑
性絶縁樹脂の表面層の除去を研磨により行うことを特徴
とする。
る熱可塑性絶縁樹脂の除去は、バンプを容器中の熱可塑
性絶縁樹脂に浸漬させることにより行うことを特徴とす
る。請求項４は、請求項２の第３の工程における熱可塑
性絶縁樹脂の表面層の除去を研磨により行うことを特徴
とする。
【００１４】請求項５は、電極となる複数のバンプを有
する半導体チップと、前記バンプの少なくとも先端部に
付設された熱可塑性導電接着剤からなる導電部と、前記
半導体チップの前記バンプが設けられている面を被覆す
る熱可塑性絶縁樹脂とを具備し、前記導電部は、前記熱
可塑性絶縁樹脂中に埋設されているとともに先端部を前
記熱可塑性絶縁樹脂から露出させていることを特徴とす
る半導体パッケージにある。請求項６は、請求項５の半
導体チップの配線基板への接続は、導電部の加熱溶融に
より行うことを特徴とする。
する半導体チップと、前記バンプの少なくとも先端部に
付設された熱可塑性導電接着剤からなる導電部と、前記
半導体チップの前記バンプが設けられている面を被覆す
る熱可塑性絶縁樹脂とを具備し、前記導電部は、前記熱
可塑性絶縁樹脂中に埋設されているとともに先端部を前
記熱可塑性絶縁樹脂から露出させていることを特徴とす
る半導体パッケージにある。請求項６は、請求項５の半
導体チップの配線基板への接続は、導電部の加熱溶融に
より行うことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１は半導体チップの実装構造
の第１の実施形態を示し、３１は半導体チップであり、
この半導体チップ３１には複数の電極３２が設けられ、
これら電極３２にはバンプ３３が形成されている。これ
らバンプ３３の先端部もしくは全体には容器に収められ
た熱可塑性導電接着剤３４にバンプ３３を浸漬すること
により、すなわち転写法により熱可塑性導電接着剤３４
が塗布され、この熱可塑性導電接着剤３４を介して配線
基板３５の電極パッド３６にフリップチップ接続されて
いる。
面に基づいて説明する。図１は半導体チップの実装構造
の第１の実施形態を示し、３１は半導体チップであり、
この半導体チップ３１には複数の電極３２が設けられ、
これら電極３２にはバンプ３３が形成されている。これ
らバンプ３３の先端部もしくは全体には容器に収められ
た熱可塑性導電接着剤３４にバンプ３３を浸漬すること
により、すなわち転写法により熱可塑性導電接着剤３４
が塗布され、この熱可塑性導電接着剤３４を介して配線
基板３５の電極パッド３６にフリップチップ接続されて
いる。
【００１６】さらに、半導体チップ３１と配線基板３５
との間におけるバンプ３３および熱可塑性導電接着剤３
４との間には熱可塑性絶縁樹脂３７が充填されている。
そして、熱可塑性絶縁樹脂３７によって隣接するバンプ
３３相互間および熱可塑性導電接着剤３４相互間を絶縁
し、ショートを防止している。
との間におけるバンプ３３および熱可塑性導電接着剤３
４との間には熱可塑性絶縁樹脂３７が充填されている。
そして、熱可塑性絶縁樹脂３７によって隣接するバンプ
３３相互間および熱可塑性導電接着剤３４相互間を絶縁
し、ショートを防止している。
【００１７】このように半導体チップ３１の実装構造
は、バンプを有する半導体チップ３１が熱可塑性導電接
着剤３４および熱可塑性絶縁樹脂３７によって覆われて
いるため、加熱することにより軟化し、半導体チップ３
１または配線基板３５から容易に剥離でき、リペア性に
優れている。
は、バンプを有する半導体チップ３１が熱可塑性導電接
着剤３４および熱可塑性絶縁樹脂３７によって覆われて
いるため、加熱することにより軟化し、半導体チップ３
１または配線基板３５から容易に剥離でき、リペア性に
優れている。
【００１８】しかも、半導体チップ３１と配線基板３５
との間に設けた熱可塑性導電接着剤３４および熱可塑性
絶縁樹脂３７が応力吸収するため、半導体チップ３１と
配線基板３５との両者の熱膨脹係数の差によりバンプ３
３に熱応力が集中することなく、クラック等の発生を防
止できる。
との間に設けた熱可塑性導電接着剤３４および熱可塑性
絶縁樹脂３７が応力吸収するため、半導体チップ３１と
配線基板３５との両者の熱膨脹係数の差によりバンプ３
３に熱応力が集中することなく、クラック等の発生を防
止できる。
【００１９】次に、前記半導体パッケージの製造方法を
図２に基づいて説明する。図２（ａ）（ｂ）に示すよう
に、まず、半導体素子を形成したウェハ３８の複数の電
極３２にはんだめっき等によってバンプ３３を形成す
る。次に、同図（ｃ）に示すようにペースト状の熱可塑
性導電接着剤３４を前記転写法によりバンプ３３の先端
部に付着させて導電部を形成する。
図２に基づいて説明する。図２（ａ）（ｂ）に示すよう
に、まず、半導体素子を形成したウェハ３８の複数の電
極３２にはんだめっき等によってバンプ３３を形成す
る。次に、同図（ｃ）に示すようにペースト状の熱可塑
性導電接着剤３４を前記転写法によりバンプ３３の先端
部に付着させて導電部を形成する。
【００２０】次に、同図（ｄ）に示すように、ウェハ３
８をダイシングにより個別に切断し、複数の半導体チッ
プ３１を形成する。次に、同図（ｅ）に示すように、半
導体チップ３１のバンプ３３および熱可塑性導電接着剤
３４の導電部の周囲にディスペンス法により熱可塑性絶
縁樹脂３７を塗布し、バンプ３３および熱可塑性導電接
着剤３４の全体を覆う。
８をダイシングにより個別に切断し、複数の半導体チッ
プ３１を形成する。次に、同図（ｅ）に示すように、半
導体チップ３１のバンプ３３および熱可塑性導電接着剤
３４の導電部の周囲にディスペンス法により熱可塑性絶
縁樹脂３７を塗布し、バンプ３３および熱可塑性導電接
着剤３４の全体を覆う。
【００２１】熱可塑性絶縁樹脂３７が硬化した後、最後
に、同図（ｆ）に示すように、熱可塑性絶縁樹脂３７を
研磨することにより、熱可塑性絶縁樹脂３７で封止され
た熱可塑性導電接着剤３４からなる導電部が露出し、図
３に示すような半導体パッケージ３９が完成し、熱可塑
性絶縁樹脂３７の表面にバンプ３３に対応した熱可塑性
導電接着剤３４が露出する。
に、同図（ｆ）に示すように、熱可塑性絶縁樹脂３７を
研磨することにより、熱可塑性絶縁樹脂３７で封止され
た熱可塑性導電接着剤３４からなる導電部が露出し、図
３に示すような半導体パッケージ３９が完成し、熱可塑
性絶縁樹脂３７の表面にバンプ３３に対応した熱可塑性
導電接着剤３４が露出する。
【００２２】前述した実装方法で製造された半導体パッ
ケージ３９は、図１に示すように、加熱により短時間で
容易に配線基板３５にフリップチップ実装することがで
きる。また、熱可塑性導電接着剤３４を使用しているた
め、半導体パッケージ３９を配線基板３５に実装した
後、熱を加えることにより、バンプ接続部の形状を保っ
たまま容易に取り外すことができる。
ケージ３９は、図１に示すように、加熱により短時間で
容易に配線基板３５にフリップチップ実装することがで
きる。また、熱可塑性導電接着剤３４を使用しているた
め、半導体パッケージ３９を配線基板３５に実装した
後、熱を加えることにより、バンプ接続部の形状を保っ
たまま容易に取り外すことができる。
【００２３】なお、前記実施形態において、バンプ形成
工程および熱可塑性導電接着剤３４の塗布の工程は、ウ
ェハ３８の状態で一括して行っているが、これに限るこ
となく、個別の半導体チップ３１に切断した後でも実施
することができるため、半導体チップ３１の状態での供
給にも対応できる。
工程および熱可塑性導電接着剤３４の塗布の工程は、ウ
ェハ３８の状態で一括して行っているが、これに限るこ
となく、個別の半導体チップ３１に切断した後でも実施
することができるため、半導体チップ３１の状態での供
給にも対応できる。
【００２４】また、前記実施形態においては、熱可塑性
導電接着剤３４を転写法によりバンプ３３に付着させて
いるが、ポッティング法により付着することもできる。
また、ペースト状ではなく、フィルム状のものを用いて
加熱転写することも可能であり、このような方法により
材料の取扱いが容易である。
導電接着剤３４を転写法によりバンプ３３に付着させて
いるが、ポッティング法により付着することもできる。
また、ペースト状ではなく、フィルム状のものを用いて
加熱転写することも可能であり、このような方法により
材料の取扱いが容易である。
【００２５】
【発明の効果】この発明の請求項１〜４によれば、半導
体チップと配線基板との間におけるバンプおよび熱可塑
性導電接着剤との間を熱可塑性絶縁樹脂により封止した
ことにより、接続部の導電性が確保された上に、バンプ
相互間の絶縁性に信頼性が得られ、微細化、狭ピッチ化
に対応できる半導体チップの実装構造および半導体パッ
ケージの製造方法を提供できる。
体チップと配線基板との間におけるバンプおよび熱可塑
性導電接着剤との間を熱可塑性絶縁樹脂により封止した
ことにより、接続部の導電性が確保された上に、バンプ
相互間の絶縁性に信頼性が得られ、微細化、狭ピッチ化
に対応できる半導体チップの実装構造および半導体パッ
ケージの製造方法を提供できる。
【００２６】請求項５，６によれば、バンプの少なくと
も一部に熱可塑性導電接着剤を付着して外部電極とし、
これら外部電極相互間を熱可塑性絶縁樹脂により封止し
たことにより、半導体パッケージのコンパクトに、しか
も微細化、狭ピッチ化に対応できる。
も一部に熱可塑性導電接着剤を付着して外部電極とし、
これら外部電極相互間を熱可塑性絶縁樹脂により封止し
たことにより、半導体パッケージのコンパクトに、しか
も微細化、狭ピッチ化に対応できる。
【図１】この発明の第１の実施形態の半導体チップの実
装構造の縦断側面図。
装構造の縦断側面図。
【図２】同実施形態の半導体パッケージの製造方法の説
明図。
明図。
【図３】同実施形態の半導体パッケージの斜視図。
【図４】従来の半導体チップの異なる実装構造を示し、
（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は一部切欠した斜視図。
（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は一部切欠した斜視図。
【図５】従来の半導体チップの異なる実装構造を示し、
（ａ）（ｂ）は縦断側面図。
（ａ）（ｂ）は縦断側面図。
３１…半導体チップ ３２…電極 ３３…バンプ ３４…熱可塑性導電接着剤 ３５…配線基板 ３７…熱可塑性絶縁樹脂
Claims (6)
- 【請求項１】 電極となる複数のバンプを有する半導体
チップと、前記半導体チップが前記バンプを介して接続
された配線基板と、前記バンプと前記配線基板との間に
介挿され導電部となる熱可塑性導電接着剤と、前記半導
体チップと前記配線基板との間に充填された前記バンプ
及び前記熱可塑性導電接着剤を封止する熱可塑性絶縁樹
脂とを具備したことを特徴とする半導体チップの実装構
造。 - 【請求項２】 電極となる複数のバンプを有する半導体
チップの前記各バンプの少なくとも先端部に熱可塑性導
電接着剤を塗布して導電部を形成する第１の工程と、前
記導電部が形成されたバンプが設けられた前記半導体チ
ップ面を熱可塑性絶縁樹脂により被覆する第２の工程
と、前記半導体チップ面を被覆している熱可塑性絶縁樹
脂の表面層を除去し前記導電部を露出させる第３の工程
とを具備することを特徴とする半導体パッケージの製造
方法。 - 【請求項３】 第２の工程における熱可塑性絶縁樹脂の
除去は、バンプを容器中の熱可塑性絶縁樹脂に浸漬させ
ることにより行うことを特徴とする請求項２記載の半導
体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】 第３の工程における熱可塑性絶縁樹脂の
表面層の除去を研磨により行うことを特徴とする請求項
２記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項５】 電極となる複数のバンプを有する半導体
チップと、前記バンプの少なくとも先端部に付設された
熱可塑性導電接着剤からなる導電部と、前記半導体チッ
プの前記バンプが設けられている面を被覆する熱可塑性
絶縁樹脂とを具備し、前記導電部は、前記熱可塑性絶縁
樹脂中に埋設されているとともに先端部を前記熱可塑性
絶縁樹脂から露出させていることを特徴とする半導体パ
ッケージ。 - 【請求項６】 半導体チップの配線基板への接続は、導
電部の加熱溶融により行うことを特徴とする請求項５記
載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9416796A JPH09283555A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 半導体チップの実装構造および半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9416796A JPH09283555A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 半導体チップの実装構造および半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283555A true JPH09283555A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14102808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9416796A Pending JPH09283555A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 半導体チップの実装構造および半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283555A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674501B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2007-01-25 | 삼성전자주식회사 | 플립 칩 본딩 기술을 이용한 반도체 칩 실장 방법 |
| WO2008136419A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Nec Corporation | 半導体装置及び製造方法並びにリペア方法 |
| JP2011179958A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Fujitsu Ltd | 半導体回路の試験方法及び試験装置 |
| US8829689B2 (en) | 2010-06-16 | 2014-09-09 | SK Hynix Inc. | Module substrate with feature for replacement of faulty chips, semiconductor module having the same, and method for manufacturing the semiconductor module |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP9416796A patent/JPH09283555A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674501B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2007-01-25 | 삼성전자주식회사 | 플립 칩 본딩 기술을 이용한 반도체 칩 실장 방법 |
| WO2008136419A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Nec Corporation | 半導体装置及び製造方法並びにリペア方法 |
| JP2011179958A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Fujitsu Ltd | 半導体回路の試験方法及び試験装置 |
| US8829689B2 (en) | 2010-06-16 | 2014-09-09 | SK Hynix Inc. | Module substrate with feature for replacement of faulty chips, semiconductor module having the same, and method for manufacturing the semiconductor module |
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