JPH09212103A - Image forming device with keyboard musical instrument - Google Patents

Image forming device with keyboard musical instrument

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JPH09212103A
JPH09212103A JP8016673A JP1667396A JPH09212103A JP H09212103 A JPH09212103 A JP H09212103A JP 8016673 A JP8016673 A JP 8016673A JP 1667396 A JP1667396 A JP 1667396A JP H09212103 A JPH09212103 A JP H09212103A
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JP
Japan
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image forming
forming apparatus
electron
emitting device
keyboard
Prior art date
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Application number
JP8016673A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Tagawa
昌宏 多川
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image forming device with the keyboard musical instrument which is free from installation conditions such as an installation place, an installing method, etc., in spite of an increase in the weight when the installed image forming device is large in size. SOLUTION: This device is equipped with an image forming device 1, which has a display panel equipped with a rear plate (not shown), a face plate (not shown) equipped with an image forming member and arranged opposite the rear plate, and a support frame (not shown) arranged between the face plate and rear plate, a keyboard musical instrument 3 which generates a sound when the keyboard is hit, and a fixture 2 for fixing the image forming device 1 and keyboard musical instrument 3. The image forming device 1 can be fixed to both the keyboard musical instrument 3 and fixture 2. Further, the image forming device 1 can be fixed to the keyboard musical instrument 3 through the fixture 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面伝導型電子放
出素子、表面伝導型電子放出素子を用いた電子源、電子
源を用いた画像形成装置および画像形成装置の使用方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface conduction electron-emitting device, an electron source using the surface conduction electron-emitting device, an image forming apparatus using the electron source, and a method of using the image forming apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電子放出素子には、大別して熱電
子放出素子および冷陰極電子放出素子の2種類が知られ
ている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型(以下、
FE型と記述する)、金属/絶縁層/金属型(以下、M
IM型と記述する)、表面伝導型等がある。
2. Description of the Related Art There are two types of conventional electron-emitting devices, which are roughly classified into a thermoelectron-emitting device and a cold cathode electron-emitting device. The cold cathode electron emission device includes a field emission type (hereinafter,
FE type), metal / insulating layer / metal type (hereinafter M
IM type) and surface conduction type.

【0003】FE型電子放出素子の例としては、W.P.Dy
ke and W.W.Dolan "Field Emission", Advance in Elec
tron Physics, 8, 89(1956)、C.A.Spindt "Physical Pr
operties of thin-film field emission cathodes with
molybdenium cones", J.Appl.Phys., 47, 5248(1976)
等に開示されたものが知られている。
An example of the FE type electron-emitting device is WPDy
ke and WWDolan "Field Emission", Advance in Elec
tron Physics, 8, 89 (1956), CASpindt "Physical Pr
operties of thin-film field emission cathodes with
molybdenium cones ", J.Appl.Phys., 47, 5248 (1976)
And the like are known.

【0004】MIM型電子放出素子の例としては、C.A.
Mead "Operation of Tunnel-Emission Devices", J.App
l.Phys., 32, 646(1961)等に開示されたものが知られて
いる。
CA is an example of the MIM type electron-emitting device.
Mead "Operation of Tunnel-Emission Devices", J.App
l.Phys., 32, 646 (1961) and the like are known.

【0005】表面伝導型電子放出素子の例としては、M.
I.Elinson, Radio Eng. Electron Phys., 10, 1290(196
5)等に開示されたものが知られている。
As an example of the surface conduction electron-emitting device, M.
I. Elinson, Radio Eng. Electron Phys., 10, 1290 (196
Those disclosed in 5) etc. are known.

【0006】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
って、電子放出が生ずる。この表面伝導型電子放出素子
としては、上述のM.I.Elinson, Radio Eng. Electron P
hys., 10, 1290(1965)等によるSnO2 薄膜を用いたも
の、G.Dittmer:Thin Solid Films, 9, 317(1972)による
Au薄膜を用いたもの、M.Hartwell and C.G.Fonstad:I
EEE Trans. ED Conf.,519(1975)によるIn23 /S
nO2 薄膜を用いたもの、荒木久他:真空,第26巻,
第1号,22頁(1983)によるカーボン薄膜を用い
たもの等が報告されている。
In the surface conduction electron-emitting device, electrons are emitted by passing a current through a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface. As the surface conduction electron-emitting device, the above-mentioned MIElinson, Radio Eng. Electron P
Hys., 10, 1290 (1965), etc. using SnO 2 thin film, G. Dittmer: Thin Solid Films, 9, 317 (1972) using Au thin film, M. Hartwell and CGFonstad: I
In 2 O 3 / S by EEE Trans. ED Conf., 519 (1975)
Using nO 2 thin film, Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26,
No. 1, p. 22 (1983), etc. using a carbon thin film have been reported.

【0007】図15は、従来例における表面伝導型電子
放出素子の構成を示す模式図であり、上述のM.Hartwell
and C.G.Fonstad:IEEE Trans. ED Conf., 519(1975)の
報告によるIn23 /SnO2 薄膜を用いた素子構成
を示している。
FIG. 15 is a schematic diagram showing the structure of a surface conduction electron-emitting device in a conventional example, which is described above in M. Hartwell.
and CGFonstad: IEEE Trans. ED Conf., 519 (1975), shows an element structure using an In 2 O 3 / SnO 2 thin film.

【0008】図15に示した表面伝導型電子放出素子
は、基板51と、素子電極52および53と、導電性薄
膜54と、電子放出部55とを有する構成となってい
る。
The surface conduction electron-emitting device shown in FIG. 15 has a substrate 51, device electrodes 52 and 53, a conductive thin film 54, and an electron-emitting portion 55.

【0009】導電性薄膜54は、H型形状のパターンに
スパッタで形成された金属酸化物薄膜等から成る。電子
放出部55は、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電
処理によって導電性薄膜54に形成される。なお、図中
の素子電極間隔Lは0.5〜1[mm]、W*は0.1
[mm]で設定されている。
The conductive thin film 54 is composed of a metal oxide thin film or the like formed by sputtering in an H-shaped pattern. The electron emitting portion 55 is formed on the conductive thin film 54 by an energization process called energization forming described later. The element electrode spacing L in the figure is 0.5 to 1 [mm], and W * is 0.1.
It is set in [mm].

【0010】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に、あらかじめ通電フォー
ミングと呼ばれる通電処理を導電性薄膜54に行って、
電子放出部55を形成するのが一般的であった。通電フ
ォーミングとは、導電性薄膜54の両端に直流電圧また
は非常にゆっくりとした昇電圧を印加通電し、導電性薄
膜54を局所的に破壊、変形または変質させ、電気的に
高抵抗な状態にした電子放出部55を形成することであ
る。上述の通電フォーミング処理を行った表面伝導型電
子放出素子は、導電性薄膜54に電圧を印加して素子に
電流を流すことによって、電子放出部55が導電性薄膜
54の一部に発生した亀裂付近から電子放出を行う。
Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, a conducting process called energization forming is performed on the conductive thin film 54 in advance before electron emission.
It is common to form the electron emitting portion 55. In the energization forming, a direct current voltage or a very slow rising voltage is applied to both ends of the electroconductive thin film 54 to energize the electroconductive thin film 54 to locally destroy, deform or deteriorate the electroconductive thin film 54 to be in an electrically high resistance state. That is, the electron emitting portion 55 is formed. In the surface conduction electron-emitting device that has been subjected to the energization forming process described above, a voltage is applied to the conductive thin film 54 to cause a current to flow through the device, whereby the electron-emitting portion 55 cracks in a part of the conductive thin film 54. Electrons are emitted from the vicinity.

【0011】上述の表面伝導型電子放出素子は、構造が
単純で製造も容易であることから、大面積にわたって多
数素子を配列形成することができるという利点がある。
そこでこの特徴を活かした荷電ビーム源、表示装置等の
応用研究がなされている。多数の表面伝導型電子放出素
子を配列形成した例としては、特開昭64−03133
2号公報、特開平1−283749号公報、特開平2−
257552号公報等に開示されているように、はしご
型配置の電子源がある。これは、並列に表面伝導型電子
放出素子を配列し、個々の素子の両端を配線(共通配線
とも呼ぶ)によってそれぞれ結線した行を多数行配列し
た電子源である。
The above-mentioned surface conduction electron-emitting device has an advantage that a large number of devices can be arrayed over a large area because it has a simple structure and is easy to manufacture.
Therefore, applied research on charged beam sources, display devices, and the like, which make use of this feature, has been conducted. As an example in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are formed in an array, Japanese Patent Laid-Open No. 64-03133 is known.
No. 2, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 1-283949, Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
As disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 257552, there is a ladder type electron source. This is an electron source in which surface conduction electron-emitting devices are arranged in parallel and a large number of rows in which both ends of each device are connected by wiring (also called common wiring) are arranged.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述の表示装置等を用
いた画像形成装置においては、近年、液晶を用いた平板
型表示装置がCRTに替わって普及してきたが、液晶を
用いた表示装置は自発光型でないので、バックライトを
持たなければならない等の問題点があり、自発光型の表
示装置の開発が望まれてきた。
In the image forming apparatus using the above-mentioned display device or the like, a flat panel display device using liquid crystal has become popular in recent years in place of the CRT, but a display device using liquid crystal is Since it is not a self-luminous type, there are problems such as having to have a backlight, and development of a self-luminous display device has been desired.

【0013】自発光型の表示装置の例としては、米国特
許第5066883号明細書に開示されているように、
表面伝導型電子放出素子を多数配置した電子源と、電子
源から放出された電子によって可視光を発光する蛍光体
とを組み合わせた表示装置である画像形成装置があげら
れる。
As an example of a self-luminous display device, as disclosed in US Pat. No. 5,066,883,
An image forming apparatus is a display device in which an electron source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are arranged and a phosphor which emits visible light by electrons emitted from the electron source are combined.

【0014】また、放電プラズマを生起する放電電極を
有するガス放電型の画像形成装置もある。
There is also a gas discharge type image forming apparatus having a discharge electrode for generating discharge plasma.

【0015】しかし、上述の画像形成装置は、画像形成
装置が大きくなるにつれて重量が増すことが考えられ、
設置場所、設置方法等の設置条件に制限が生じる場合が
あるという問題点がある。
However, the image forming apparatus described above is considered to increase in weight as the image forming apparatus becomes larger,
There is a problem that installation conditions such as installation location and installation method may be restricted.

【0016】このような点に鑑み本発明は、大型の画像
形成装置を設置する際に、重量の増加によって設置場
所、設置方法等の設置条件が制限されない、鍵盤楽器付
き画像形成装置を提供することを目的とする。
In view of the above points, the present invention provides an image forming apparatus with a keyboard instrument in which, when a large-sized image forming apparatus is installed, the installation conditions such as an installation location and an installation method are not limited due to an increase in weight. The purpose is to

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために本発明の鍵盤楽器付き画像形成装置は、リアプレ
ートと、画像形成部材を備え該リアプレートに対向して
配置されているフェースプレートと、該フェースプレー
トと該リアプレートとの間に配置されている支持枠とを
具備する表示パネルを有する画像形成装置と、鍵盤を叩
くことによって音を発する鍵盤楽器と、該画像形成装置
および該鍵盤楽器を固定する取付具とを備える。
In order to solve the above-mentioned problems, an image forming apparatus with a keyboard instrument according to the present invention is provided with a rear plate and an image forming member, and a face plate arranged to face the rear plate. And an image forming apparatus having a display panel including a support frame arranged between the face plate and the rear plate, a keyboard musical instrument that emits sound by hitting a keyboard, the image forming apparatus and the image forming apparatus. A fixture for fixing the keyboard instrument.

【0018】上記本発明の鍵盤楽器付き画像形成装置
は、前記画像形成装置と、前記鍵盤楽器と、前記取付具
とが相互に固定されている。
In the image forming apparatus with a keyboard musical instrument of the present invention, the image forming apparatus, the keyboard musical instrument, and the fixture are fixed to each other.

【0019】また、上記本発明の鍵盤楽器付き画像形成
装置は、前記画像形成装置が前記取付具を介して前記鍵
盤楽器に固定されている。
Further, in the image forming apparatus with a keyboard instrument of the present invention, the image forming apparatus is fixed to the keyboard instrument via the attachment.

【0020】上記本発明の鍵盤楽器付き画像形成装置
は、前記鍵盤楽器が、ピアノ、オルガン、またはエレク
トーンを備えることができる。
In the image forming apparatus with a keyboard instrument according to the present invention, the keyboard instrument may include a piano, an organ, or an electric tone.

【0021】上記本発明の鍵盤楽器付き画像形成装置
は、前記表示パネルが、前記リアプレートと前記フェー
スプレートと前記支持枠とが封着されている密封容器を
備えることができる。
In the image forming apparatus with keyboard musical instrument of the present invention, the display panel may include a hermetically sealed container in which the rear plate, the face plate and the support frame are sealed.

【0022】上記本発明の鍵盤楽器付き画像形成装置
は、前記リアプレートが電子放出素子を備えることがで
きる。
In the image forming apparatus with a keyboard musical instrument according to the present invention, the rear plate may include an electron emitting element.

【0023】上記本発明の鍵盤楽器付き画像形成装置
は、前記電子放出素子が表面伝導型電子放出素子を備え
ることができる。
In the image forming apparatus with a keyboard musical instrument of the present invention, the electron-emitting device may include a surface conduction electron-emitting device.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】図1は本発明の第1の実施例における鍵盤
楽器付き画像形成装置を示す図であると同時に、本発明
の実施態様を示している。図1(a)は装置の模式図で
あり、図1(b)は組立方法を示した模式図である。
FIG. 1 is a view showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a first embodiment of the present invention, and at the same time, showing an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a schematic diagram of the device, and FIG. 1B is a schematic diagram showing an assembling method.

【0026】図1に示した装置は、画像形成装置1と、
取付具2と、鍵盤楽器であるピアノ3とを有する構成と
なっている。
The apparatus shown in FIG. 1 includes an image forming apparatus 1 and
It is configured to have a fixture 2 and a piano 3 which is a keyboard instrument.

【0027】画像形成装置1は、本発明においては表面
伝導型電子放出素子を有する電子源基板を用いて作製さ
れている。取付具2は、画像形成装置1とピアノ3とを
固定する。図1(b)に示すように、画像形成装置1が
取付具2に固定されており、さらに取付具2がピアノ3
に固定されている。
In the present invention, the image forming apparatus 1 is manufactured using an electron source substrate having a surface conduction electron-emitting device. The fixture 2 fixes the image forming apparatus 1 and the piano 3. As shown in FIG. 1B, the image forming apparatus 1 is fixed to a fixture 2, and the fixture 2 is a piano 3.
It is fixed to.

【0028】以下に、本発明の画像形成装置に用いる表
面伝導型電子放出素子について述べる。
The surface conduction electron-emitting device used in the image forming apparatus of the present invention will be described below.

【0029】本発明の表面伝導型電子放出素子の基本的
な構成には、大別して平面型および垂直型の2つがあ
る。
The basic structure of the surface conduction electron-emitting device of the present invention is roughly classified into two types: a plane type and a vertical type.

【0030】[1]平面型表面伝導型電子放出素子平面
型表面伝導型電子放出素子について説明する。
[1] Planar surface conduction electron-emitting device The planar surface conduction electron-emitting device will be described.

【0031】図5は、本発明における平面型表面伝導型
電子放出素子の構成を示す模式図であり、図5(a)は
平面図であり、図5(b)は断面図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing the structure of a flat surface conduction electron-emitting device according to the present invention. FIG. 5 (a) is a plan view and FIG. 5 (b) is a sectional view.

【0032】図5に示した電子放出素子は、基板51
と、互いに対向している素子電極52および53と、導
電性薄膜54と、電子放出部55とを有する構成となっ
ている。
The electron-emitting device shown in FIG.
And the device electrodes 52 and 53 facing each other, the conductive thin film 54, and the electron emission portion 55.

【0033】基板51としては、石英ガラス基板、Na
等の不純物含有量を低減させたガラス基板、青板ガラス
基板、スパッタ法等によってSiO2 を堆積させたガラ
ス基板、アルミナ等のセラミックス基板等を用いること
ができる。
As the substrate 51, a quartz glass substrate, Na
It is possible to use a glass substrate having a reduced content of impurities such as, a soda-lime glass substrate, a glass substrate on which SiO 2 is deposited by a sputtering method, a ceramic substrate such as alumina, or the like.

【0034】素子電極52、53の材料としては一般的
な導電材料を用いることができ、Ni,Cr,Au,M
o,W,Pt,Ti,Al,Cu,Pd等の金属または
合金、Pd,As,Ag,Au,RuO2 ,Pd−Ag
等の金属または金属酸化物とガラス等とで構成される印
刷導体、In23 −SnO2 等の透明導電体、および
ポリシリコン等の半導体材料等から選択することができ
る。
As the material of the device electrodes 52 and 53, a general conductive material can be used. Ni, Cr, Au, M
Metals or alloys such as o, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, Pd, As, Ag, Au, RuO 2 , Pd-Ag
It is possible to select from a printed conductor composed of a metal or a metal oxide such as the above and glass and the like, a transparent conductor such as In 2 O 3 —SnO 2 and a semiconductor material such as polysilicon.

【0035】素子電極間隔L、素子電極長さW、導電性
薄膜54の形状等は、応用される形態等を考慮して設計
することができる。
The element electrode interval L, the element electrode length W, the shape of the conductive thin film 54, etc. can be designed in consideration of the applied form.

【0036】素子電極間隔Lは、数千[Å]〜数百[μ
m]の範囲とするのが好ましく、より好ましくは素子電
極間に印加される電圧等を考慮して1[μm]〜100
[μm]の範囲とする。
The element electrode spacing L is several thousand [Å] to several hundred [μ]
m], more preferably 1 [μm] to 100 in consideration of the voltage applied between the device electrodes and the like.
The range is [μm].

【0037】素子電極長さWは、電極の抵抗値や電子放
出特性を考慮して、数[μm]〜数百[μm]の範囲と
する。
The device electrode length W is in the range of several [μm] to several hundreds of [μm] in consideration of the resistance value of the electrodes and electron emission characteristics.

【0038】素子電極52、53の膜厚dは、100
[Å]〜1[μm]の範囲とする。
The film thickness d of the device electrodes 52 and 53 is 100
The range is from [Å] to 1 [μm].

【0039】なお、図5においては、基板51上に素子
電極52および53、その上に導電性薄膜54という順
序で積層する構成としたが、基板51上に導電性薄膜5
4、その上に対向する素子電極52および53という順
序で積層する構成とすることもできる。
In FIG. 5, the device electrodes 52 and 53 are stacked on the substrate 51 and the conductive thin film 54 is stacked thereon in this order. However, the conductive thin film 5 is formed on the substrate 51.
4, and the device electrodes 52 and 53 facing each other may be laminated in this order.

【0040】導電性薄膜54には、良好な電子放出特性
を得るために、微粒子で構成された微粒子膜を用いるの
が好ましい。その膜厚は素子電極52、53へのステッ
プカバレージ、素子電極52、53間の抵抗値および後
述するフォーミング条件等を考慮して適宜設定すること
ができる。導電性薄膜54の膜厚は、通常は数[Å]〜
数千[Å]の範囲とするのが好ましく、より好ましくは
10[Å]〜500[Å]の範囲とするのが良い。その
抵抗値は、Rsが1×102 〜1×107 [Ω]の値で
ある。Rsは、厚さがt、幅がw、長さがlである薄膜
の抵抗Rを、R=Rs(l/w)としたときに得られる
値で、薄膜材料の抵抗率をρとすると、Rs=ρ/tで
表される。
As the conductive thin film 54, it is preferable to use a fine particle film composed of fine particles in order to obtain good electron emission characteristics. The film thickness can be appropriately set in consideration of the step coverage to the device electrodes 52 and 53, the resistance value between the device electrodes 52 and 53, the forming conditions described later, and the like. The thickness of the conductive thin film 54 is usually several [Å] to
It is preferably in the range of several thousand [Å], more preferably in the range of 10 [Å] to 500 [Å]. The resistance value is such that Rs is 1 × 10 2 to 1 × 10 7 [Ω]. Rs is a value obtained when the resistance R of a thin film having a thickness t, a width w, and a length l is R = Rs (l / w), and the resistivity of the thin film material is ρ. , Rs = ρ / t.

【0041】本発明においては、フォーミング処理とし
て通電処理を例に挙げて説明するが、フォーミング処理
はこれに限られず、膜に亀裂を生じさせて高抵抗状態を
形成する方法であれば、他の方法でも良い。
In the present invention, an energization process will be described as an example of the forming process. However, the forming process is not limited to this, and any other method can be used as long as it is a method of forming cracks in the film to form a high resistance state. The method is also good.

【0042】導電性薄膜54を構成する材料としては、
Pd,Pt,Ru,Ag,Au,Ti,In,Cu,C
r,Fe,Zn,Sn,Ta,W,Pb等の金属、Pd
O,SnO2 ,In23 ,PbO,Sb23 等の酸
化物、HfB2 ,ZrB2 ,LaB6 ,CeB6 ,YB
4 ,GdB4 等の硼化物、TiC,ZrC,HfC,T
aC,SiC,WC等の炭化物、TiN,ZrN,Hf
N等の窒化物、Si,Ge等の半導体、カーボン等の中
から適宜選択することができる。
As a material for forming the conductive thin film 54,
Pd, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, C
metals such as r, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb, Pd
Oxides such as O, SnO 2 , In 2 O 3 , PbO, Sb 2 O 3 , HfB 2 , ZrB 2 , LaB 6 , CeB 6 , YB
4, GdB boride such as 4, TiC, ZrC, HfC, T
carbides such as aC, SiC, WC, TiN, ZrN, Hf
It can be appropriately selected from nitrides such as N, semiconductors such as Si and Ge, and carbon.

【0043】上述の微粒子膜は複数の微粒子が集合した
膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に分散配置し
た状態、あるいは微粒子が互いに隣接または重なり合っ
た状態となっている。後者の状態には、いくつかの微粒
子が集合し、全体として島状構造を形成している場合も
含む。微粒子の粒径は、数[Å]〜1[μm]の範囲、
好ましくは10[Å]〜200[Å]の範囲である。
The above-mentioned fine particle film is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and the fine structure thereof is a state in which the fine particles are individually dispersed and arranged, or a state in which the fine particles are adjacent to each other or overlap each other. The latter state also includes the case where some fine particles are aggregated to form an island structure as a whole. The particle size of the fine particles ranges from several [Å] to 1 [μm],
It is preferably in the range of 10 [Å] to 200 [Å].

【0044】電子放出部55は、導電性薄膜54の一部
に形成された高抵抗の亀裂によって構成され、導電性薄
膜54の膜厚、膜質、材料、後述する通電フォーミング
等のフォーミング処理の手法等に依存する。電子放出部
55の内部には、1000[Å]以下の粒径の導電性微
粒子を含む場合もある。この導電性微粒子は、導電性薄
膜54を構成する材料の元素の一部または全部を含有す
る。電子放出部55およびその近傍の導電性薄膜54に
は、炭素または炭素化合物を含む場合もある。
The electron emitting portion 55 is composed of a crack having a high resistance formed in a part of the conductive thin film 54, and the film thickness, film quality, material of the conductive thin film 54, and a forming treatment method such as energization forming which will be described later. Etc. The inside of the electron emitting portion 55 may contain conductive fine particles having a particle diameter of 1000 [Å] or less. The conductive fine particles contain some or all of the elements of the material forming the conductive thin film 54. The electron emitting portion 55 and the conductive thin film 54 in the vicinity thereof may contain carbon or a carbon compound.

【0045】[2]垂直型表面伝導型電子放出素子垂直
型表面伝導型電子放出素子について説明する。
[2] Vertical type surface conduction electron-emitting device A vertical type surface conduction electron-emitting device will be described.

【0046】図6は、本発明における垂直型表面伝導型
電子放出素子の構成を示す断面図である。図6において
は、図5に示した部位と同じ部位には、図5と同一の符
号を付している。
FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a vertical surface conduction electron-emitting device according to the present invention. 6, the same parts as those shown in FIG. 5 are designated by the same reference numerals as those in FIG.

【0047】図6に示した垂直型表面伝導型電子放出素
子は、段差形成部61と、基板51と、素子電極52お
よび53と、導電性薄膜54と、電子放出部55とを有
する構成となっている。段さ形成部61以外のものは、
図5を用いて説明した平面型表面伝導型電子放出素子と
同様の材料で構成することができる。段差形成部61
は、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等で形成されたS
iO2 等の絶縁性材料で構成することができる。段差形
成部61の膜厚は、先に述べた平面型表面伝導型電子放
出素子の素子電極間隔Lに対応し、数百[Å]〜数十
[μm]の範囲とすることができる。この膜厚は、段差
形成部の製法および素子電極間に印加する電圧を考慮し
て設定することができるが、数千[Å]〜数[μm]の
範囲が好ましい。
The vertical surface conduction electron-emitting device shown in FIG. 6 comprises a step forming portion 61, a substrate 51, device electrodes 52 and 53, a conductive thin film 54, and an electron emitting portion 55. Has become. Except for the step forming portion 61,
It can be made of the same material as the planar surface conduction electron-emitting device described with reference to FIG. Step forming portion 61
Is S formed by vacuum deposition, printing, sputtering, etc.
It can be made of an insulating material such as iO 2 . The film thickness of the step forming portion 61 corresponds to the device electrode distance L of the flat surface conduction electron-emitting device described above, and can be set in the range of several hundred [Å] to several tens [μm]. This film thickness can be set in consideration of the manufacturing method of the step forming portion and the voltage applied between the element electrodes, but is preferably in the range of several thousand [Å] to several [μm].

【0048】導電性薄膜54は、素子電極52および5
3と段差形成部61を作成した後に、素子電極52、5
3の上に積層される。図6においては、電子放出部55
は段差形成部61に形成されているが、形状、位置とも
これに限られず、作成条件、フォーミング条件等に依存
する。
The conductive thin film 54 is used for the device electrodes 52 and 5
3 and the step forming portion 61, the device electrodes 52, 5
3 is stacked on top. In FIG. 6, the electron emission portion 55
Is formed in the step forming portion 61, but the shape and the position are not limited to this, but depend on the forming conditions, forming conditions, and the like.

【0049】上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法
としては様々な方法がある。図7は、本発明における平
面型表面伝導型電子放出素子の製造方法を示す模式図で
ある。
There are various methods for manufacturing the above-mentioned surface conduction electron-emitting device. FIG. 7 is a schematic view showing a method for manufacturing a flat surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【0050】以下、図5および図7を参照しながら、平
面型表面伝導型電子放出素子の製造方法の一例を説明す
る。図7においては、図5に示した部位と同じ部位に
は、図5と同一の符号を付している。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the flat surface conduction electron-emitting device will be described with reference to FIGS. 5 and 7. In FIG. 7, the same parts as those shown in FIG. 5 are designated by the same reference numerals as those in FIG.

【0051】(1)図7(a)に示すように、基板51
を洗剤、純水および有機溶剤等を用いて十分に洗浄し、
真空蒸着法、スパッタ法等によって素子電極材料(不図
示)を堆積後、フォトリソグラフィ技術等を用いて基板
51上に素子電極52、53を形成する。
(1) As shown in FIG. 7A, the substrate 51
Thoroughly clean with a detergent, pure water, organic solvent, etc.
After depositing an element electrode material (not shown) by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or the like, the element electrodes 52 and 53 are formed on the substrate 51 by using a photolithography technique or the like.

【0052】(2)図7(b)に示すように、素子電極
52、53を設けた基板51に、有機金属溶液を塗布し
て、有機金属薄膜(不図示)を形成する。有機金属溶液
としては、図5を用いて説明した導電性薄膜54の材料
に用いられている金属を主元素とする有機金属化合物の
溶液を用いることができる。有機金属薄膜を加熱焼成処
理し、リフトオフ、エッチング等によってパターニング
し、導電性薄膜54を形成する。
(2) As shown in FIG. 7B, an organic metal solution is applied to the substrate 51 provided with the device electrodes 52 and 53 to form an organic metal thin film (not shown). As the organic metal solution, it is possible to use a solution of an organic metal compound whose main element is the metal used for the material of the conductive thin film 54 described with reference to FIG. The organic metal thin film is heated and baked, and is patterned by lift-off, etching or the like to form the conductive thin film 54.

【0053】導電性薄膜54の形成法として、有機金属
溶液の塗布法を挙げて説明したが、形成法はこれに限ら
れず、真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、分
散塗布法、ディッピング法、スピンナ法等を用いること
ができる。
Although the method of forming the conductive thin film 54 has been described by taking the method of applying the organic metal solution, the method of forming the conductive thin film 54 is not limited to this, and the vacuum evaporation method, the sputtering method, the chemical vapor deposition method, and the dispersion coating method are used. The dipping method, the spinner method and the like can be used.

【0054】(3)図7(c)に示すように、導電性薄
膜54にフォーミング処理を施して、電子放出部55を
形成する。
(3) As shown in FIG. 7C, the conductive thin film 54 is subjected to a forming process to form an electron emitting portion 55.

【0055】このフォーミング処理方法の一例として、
通電処理による方法を説明する。素子電極52、53間
に、電源(不図示)を用いて通電を行うと、導電性薄膜
54の一部分に、構造の変化した電子放出部55が形成
される。このように通電フォーミングを行うことによっ
て、導電性薄膜54に局所的に破壊、変形、変質等によ
り構造が変化した部位が形成される。この部位が電子放
出部55となる。
As an example of this forming processing method,
A method using the energization process will be described. When electricity is applied between the device electrodes 52 and 53 by using a power source (not shown), an electron emitting portion 55 having a changed structure is formed in a part of the conductive thin film 54. By carrying out the energization forming in this manner, a portion of which the structure is locally changed due to breakage, deformation, alteration or the like is formed in the conductive thin film 54. This portion becomes the electron emitting portion 55.

【0056】図8は、本発明における表面伝導型電子放
出素子の製造に用いる通電フォーミング処理の電圧波形
を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing voltage waveforms in the energization forming process used for manufacturing the surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【0057】電圧波形は、パルス波形が好ましい。これ
にはパルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加
する図8(a)に示した手法と、パルス波高値を増加さ
せながら電圧パルスを印加する図8(b)に示した手法
とがある。
The voltage waveform is preferably a pulse waveform. For this, the method shown in FIG. 8 (a) in which a pulse having a pulse peak value of a constant voltage is continuously applied, and the method shown in FIG. 8 (b) in which a voltage pulse is applied while increasing the pulse peak value. There is.

【0058】図8(a)におけるT1およびT2は、電
圧波形のパルス幅およびパルス間隔である。通常T1は
1[μs]〜10[ms]、T2は10[μs]〜10
0[ms]の範囲で設定することができる。三角波の波
高値(通電フォーミング時のピーク電圧)は、表面伝導
型電子放出素子の形態に応じて適宜選択することができ
る。このような条件のもとで、例えば、数秒ないし数十
分間電圧を印加する。パルス波形は三角波に限定され
ず、矩形波等の所望の波形を採用することができる。
In FIG. 8A, T1 and T2 are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform. Usually, T1 is 1 [μs] to 10 [ms], and T2 is 10 [μs] to 10 [ms].
It can be set within the range of 0 [ms]. The peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) can be appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device. Under such conditions, for example, a voltage is applied for several seconds to several tens of minutes. The pulse waveform is not limited to the triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave can be adopted.

【0059】図8(b)におけるT1およびT2は、図
8(a)と同様に電圧波形のパルス幅およびパルス間隔
である。三角波の波高値(通電フォーミング時のピーク
電圧)を、例えば0.1[V]ステップ程度づつ増加さ
せている。
T1 and T2 in FIG. 8 (b) are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform, as in FIG. 8 (a). The peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is increased by, for example, about 0.1 [V] step.

【0060】通電フォーミング処理の終了は、パルス間
隔T2中に、導電性薄膜54を局所的に破壊または変形
しない程度の電圧を印加し、電流を測定して検知するこ
とができる。例えば0.1[V]程度の電圧印加によっ
て流れる素子電流を測定し、素子の抵抗値を求めて、1
[MΩ]以上の抵抗値を示した場合に、通電フォーミン
グを終了させる。
The end of the energization forming process can be detected by applying a voltage that does not locally break or deform the conductive thin film 54 during the pulse interval T2 and measure the current. For example, by measuring the element current flowing by applying a voltage of about 0.1 [V], the resistance value of the element is calculated,
When the resistance value is [MΩ] or more, the energization forming is terminated.

【0061】(4)フォーミングを終えた素子には活性
化処理を施すのが好ましい。活性化処理を施すことによ
って、素子電流If、放出電流Ieが著しく変化する。
(4) It is preferable to perform activation processing on the element which has finished forming. By performing the activation process, the device current If and the emission current Ie are significantly changed.

【0062】活性化処理は、例えば有機物質のガスを含
有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様に、パルス
の印加を繰り返すことによって行うことができる。この
雰囲気は、油拡散ポンプやロータリポンプ等を用いて真
空容器内を排気した場合に雰囲気内に残留する有機ガス
を利用して形成することができる。その他に、イオンポ
ンプ等によって一旦十分に排気した真空中に、適当な有
機物質のガスを導入することによっても得られる。この
ときの好ましい有機物質のガス圧は、真空容器の形状、
有機物質の種類等によって異なるので、場合に応じて適
宜設定することができる。適当な有機物質としては、ア
ルカン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香
族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン
類、アミン類、フェノール、カルボン酸、スルホン酸等
の有機酸類等を挙げることができる。具体的には、メタ
ン、エタン、プロパン等のCn2n+2の組成式で表され
る飽和炭化水素、エチレン、プロピレン等のCn2n
組成式で表される不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、メタノール、エタノール、ホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
アミン、エチルアミン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロ
ピオン酸等を使用することができる。この処理によって
雰囲気中に存在する有機物質から炭素または炭素化合物
が素子上に堆積され、素子電流If、放出電流Ieが著
しく変化する。
The activation treatment can be carried out by repeating the application of the pulse in the same manner as the energization forming in the atmosphere containing the gas of the organic substance. This atmosphere can be formed by using the organic gas remaining in the atmosphere when the inside of the vacuum container is evacuated using an oil diffusion pump, a rotary pump, or the like. Alternatively, it can also be obtained by introducing a gas of an appropriate organic substance into a vacuum that has been sufficiently evacuated by an ion pump or the like. The preferable gas pressure of the organic substance at this time is the shape of the vacuum container,
Since it varies depending on the type of organic substance, it can be appropriately set depending on the case. Suitable organic substances include alkanes, alkenes, alkyne aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, alcohols, aldehydes, ketones, amines, phenols, carboxylic acids, organic acids such as sulfonic acids, and the like. Can be mentioned. Specifically, methane, ethane, C n H 2n + 2 saturated hydrocarbons expressed by general formula, ethylene, C n H 2n unsaturated hydrocarbon expressed by a composition formula of propylene such as propane, Benzene, toluene, methanol, ethanol, formaldehyde, acetaldehyde, acetone, methyl ethyl ketone, methyl amine, ethyl amine, phenol, formic acid, acetic acid, propionic acid and the like can be used. By this treatment, carbon or a carbon compound is deposited on the device from the organic substance existing in the atmosphere, and the device current If and the emission current Ie are significantly changed.

【0063】活性化工程の終了判定は、素子電流Ifお
よび放出電流Ieを測定しながら行う。なおパルス幅、
パルス間隔、パルス波高値等は適宜設定することができ
る。
The completion of the activation process is determined while measuring the device current If and the emission current Ie. The pulse width,
The pulse interval, pulse peak value, etc. can be set appropriately.

【0064】炭素または炭素化合物としては、ほぼ完全
な結晶構造をもつグラファイトであるHOPG(Hig
hly Oriented Pyrolytic Gr
aphite)、結晶粒が200[Å]程度で結晶構造
がやや乱れたグラファイトであるPG(Pyrolyt
ic Graphite)、結晶粒が20[Å]程度で
結晶構造の乱れがさらに大きくなったグラファイトであ
るGC(GlassyCarbon)等のグラファイト
が挙げられる。これらは、アモルファスカーボンおよび
アモルファスカーボンと上述のグラファイトの微結晶と
の混合物を含むカーボンである非晶質カーボンであり、
その膜厚は500[Å]以下にするのが好ましく、30
0[Å]以下であれば、より好ましい。
As carbon or a carbon compound, HOPG (Hig) which is graphite having an almost perfect crystal structure is used.
hly Oriented Pyrolytic Gr
aPGite), PG (Pyrolyt), which is graphite with a crystal grain of about 200 [Å] and a slightly disordered crystal structure.
ic Graphite), and graphite such as GC (Glassy Carbon), which is a graphite having a crystal grain of about 20 [Å] and further disordered crystal structure. These are amorphous carbons which are carbons containing amorphous carbon and a mixture of amorphous carbon and the above-mentioned graphite microcrystals,
The film thickness is preferably 500 [Å] or less, and is 30
It is more preferably 0 [Å] or less.

【0065】(5)活性化工程を経て得られた電子放出
素子は、安定化処理を行うことが好ましい。この処理は
真空容器内の有機物質の分圧が、1×10-8[tor
r]以下、望ましくは1×10-10 [torr]以下で
行うのが良い。真空容器内の圧力は、1×10-6.5〜1
×10-7[torr]が好ましく、特に1×10-8[t
orr]以下が好ましい。真空容器内を排気する真空排
気装置は、装置から発生するオイルが素子の特性に影響
を与えないように、オイルを使用しないものを用いるの
が好ましい。具体的にはソープションポンプ、イオンポ
ンプ等の真空排気装置を挙げることができる。さらに真
空容器内を排気するときには、真空容器全体を加熱して
真空容器内壁や電子放出素子に吸着した有機物質分子を
排気しやすくするのが好ましい。このときの加熱した状
態での真空排気条件は、80〜200℃で5時間以上が
望ましいが、特にこの条件に限られず、真空容器の大き
さや形状、電子放出素子の構成等の諸条件によって変化
する。なお、上記有機物質の分圧測定は、質量分析装置
によって質量数が10〜200の、炭素と水素とを主成
分とする有機分子の分圧を測定し、それらの分圧を積算
することによって求める。
(5) The electron-emitting device obtained through the activation process is preferably subjected to a stabilization treatment. In this process, the partial pressure of the organic substance in the vacuum container is 1 × 10 −8 [tor].
r] or less, preferably 1 × 10 −10 [torr] or less. The pressure in the vacuum container is 1 × 10 -6.5 ~ 1
× 10 -7 [torr] is preferable, and 1 × 10 -8 [t] is particularly preferable.
orr] or less is preferable. It is preferable to use a vacuum exhaust device that does not use oil so that the oil generated from the device does not affect the characteristics of the element. Specifically, a vacuum exhaust device such as a sorption pump and an ion pump can be used. Further, when the inside of the vacuum container is evacuated, it is preferable to heat the entire vacuum container so that the organic substance molecules adsorbed on the inner wall of the vacuum container and the electron-emitting device can be easily exhausted. The vacuum evacuation condition in the heated state at this time is preferably 80 to 200 ° C. for 5 hours or more, but is not particularly limited to this condition, and changes depending on various conditions such as the size and shape of the vacuum container and the configuration of the electron-emitting device. To do. The partial pressure of the organic substance is measured by measuring the partial pressure of an organic molecule having a mass number of 10 to 200 and having carbon and hydrogen as main components by a mass spectrometer and integrating the partial pressures. Ask.

【0066】安定化工程を経た後の駆動時の雰囲気は、
上述の安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが好まし
いが、これに限られず、有機物質が十分除去されていれ
ば、真空度自体は多少低下しても、十分に安定な特性を
維持することができる。
The atmosphere during driving after the stabilization process is
It is preferable to maintain the atmosphere at the end of the above-mentioned stabilization treatment, but it is not limited to this, and as long as the organic substance is sufficiently removed, even if the degree of vacuum itself is slightly reduced, sufficiently stable characteristics are maintained. be able to.

【0067】このような真空雰囲気を採用することによ
って、新たな炭素または炭素化合物の堆積を抑制するこ
とができ、結果として素子電流If、放出電流Ieが安
定する。
By adopting such a vacuum atmosphere, the deposition of new carbon or carbon compound can be suppressed, and as a result, the device current If and the emission current Ie are stabilized.

【0068】電子放出素子の配列については種々のもの
を採用することができる。
Various arrangements of electron-emitting devices can be adopted.

【0069】その一例として、はしご型配置のものがあ
る。これは、並列に接続した多数の電子放出素子の行を
複数行配置して(これを行方向の配列と呼ぶ)、この行
方向の配列と直交する列方向で電子放出素子の上方に配
列した制御電極(グリッド)によって、電子放出素子か
らの電子を制御駆動する。
One example is a ladder type arrangement. This is because a plurality of rows of electron-emitting devices connected in parallel are arranged (this is referred to as an array in the row direction), and are arranged above the electron-emitting devices in a column direction orthogonal to the array in the row direction. The control electrode (grid) controls and drives electrons from the electron-emitting device.

【0070】これとは別に、単純マトリクス型配置のも
のがある。これは、電子放出素子をX方向およびY方向
に行列状に複数個配置し、同じ行に配置された複数の電
子放出素子の一方の電極をX方向の配線に共通に接続
し、同じ列に配置された複数の電子放出素子の他方の電
極をY方向の配線に共通に接続する。
Apart from this, there is a simple matrix type arrangement. This is because a plurality of electron-emitting devices are arranged in a matrix in the X and Y directions, one electrode of the plurality of electron-emitting devices arranged in the same row is commonly connected to a wiring in the X direction, and the same column is used. The other electrodes of the arranged electron-emitting devices are commonly connected to the wiring in the Y direction.

【0071】[A]単純マトリクス型配置の電子源基板
まず、単純マトリクス型配置の電子源基板について以下
に詳述する。
[A] Electron Source Substrate of Simple Matrix Type First, the electron source substrate of simple matrix type will be described in detail below.

【0072】図9は、本発明におけるマトリクス型配置
の電子源基板の構成を示す図であり、複数個の電子放出
素子をマトリクス状に配置して得られる電子源基板を示
している。
FIG. 9 is a diagram showing the structure of a matrix-type electron source substrate according to the present invention, showing an electron source substrate obtained by arranging a plurality of electron-emitting devices in a matrix.

【0073】図9に示したマトリクス型配置の電子源基
板は、電子源基板91と、X方向配線92と、Y方向配
線93と、表面伝導型電子放出素子94と、結線95と
を有する構成となっている。また、表面伝導型電子放出
素子94は、図5ないし図7を用いて説明した平面型ま
たは垂直型のどちらであってもよい。
The matrix-type electron source substrate shown in FIG. 9 has an electron source substrate 91, an X-direction wiring 92, a Y-direction wiring 93, a surface conduction electron-emitting device 94, and a connection 95. Has become. Further, the surface conduction electron-emitting device 94 may be either the planar type or the vertical type described with reference to FIGS.

【0074】X方向配線92は、Dx1,Dx2,‥‥
‥,Dxm(mは正の整数)のm本の配線から成り、真
空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成された導
電性金属等で構成することができる。配線の材料、膜
厚、巾は、適宜設計することができる。Y方向配線93
は、Dy1,Dy2,‥‥‥,yn(nは正の整数)の
n本の配線から成り、X方向配線92と同様に形成され
る。これらm本のX方向配線92とn本のY方向配線9
3との間には、層間絶縁層(不図示)が設けられてお
り、両者を電気的に分離している。
The X-direction wiring 92 includes Dx1, Dx2, ...
, Dxm (m is a positive integer), and can be made of a conductive metal or the like formed by a vacuum deposition method, a printing method, a sputtering method, or the like. The material, film thickness, and width of the wiring can be appropriately designed. Y-direction wiring 93
Is composed of n wirings Dy1, Dy2, ..., yn (n is a positive integer), and is formed similarly to the X-direction wiring 92. These m X-direction wirings 92 and n Y-direction wirings 9
An interlayer insulating layer (not shown) is provided between the two and 3 to electrically separate the two.

【0075】層間絶縁層は、真空蒸着法、印刷法、スパ
ッタ法等を用いて形成されたSiO 2 等で構成する。例
えば、X方向配線92を形成した基板91の全面または
一部に層間絶縁層を所望の形状で形成し、特にX方向配
線92とY方向配線93との交差部の電位差に耐え得る
ように、膜厚、材料、および製法を設定する。X方向配
線92およびY方向配線93は、それぞれ外部端子とし
て引き出されている。
The interlayer insulating layer is formed by vacuum vapor deposition, printing, spa
SiO formed by the sputtering method Two Etc. An example
For example, the entire surface of the substrate 91 on which the X-direction wiring 92 is formed, or
Partially form an inter-layer insulation layer in the desired shape, especially in the X direction.
Can withstand the potential difference at the intersection of the line 92 and the Y-direction wiring 93.
, The film thickness, the material, and the manufacturing method are set. X direction
The line 92 and the Y-direction wiring 93 are external terminals, respectively.
Have been pulled out.

【0076】表面伝導型電子放出素子94を構成する一
対の素子電極(不図示)は、m本のX方向配線92とn
本のY方向配線93と導電性金属等から成る結線95と
によって電気的に接続されている。
The pair of device electrodes (not shown) constituting the surface conduction electron-emitting device 94 include m X-direction wirings 92 and n.
The Y-direction wiring 93 of the book is electrically connected to the connection 95 made of a conductive metal or the like.

【0077】X方向配線92およびY方向配線93を構
成する材料、結線95を構成する材料、および一対の素
子電極を構成する材料は、その構成元素の一部または全
部が同一であっても、またそれぞれ異なってもよい。こ
れらの材料は、図5を用いて説明した素子電極52、5
3の材料等の中から適宜選択することができる。素子電
極を構成する材料と配線材料とが同一である場合には、
素子電極に接続した配線も素子電極ということができ
る。
The material forming the X-direction wiring 92 and the Y-direction wiring 93, the material forming the connecting wire 95, and the material forming the pair of element electrodes may be the same or may have some or all of the constituent elements. Also, each may be different. These materials are used as the device electrodes 52 and 5 described with reference to FIG.
It can be appropriately selected from the materials of No. 3, etc. When the material forming the device electrode and the wiring material are the same,
The wiring connected to the element electrode can also be called an element electrode.

【0078】X方向配線92には、X方向に配列した表
面伝導型電子放出素子94の行を選択する走査信号を印
加する走査信号印加手段(不図示)が接続される。一
方、Y方向配線93にはY方向に配列した表面伝導型電
子放出素子94の各列を入力信号に応じて変調する変調
信号発生手段(不図示)が接続される。各電子放出素子
に印加される駆動電圧は、電子放出素子に印加される走
査信号と変調信号との差電圧として供給される。
A scanning signal applying means (not shown) for applying a scanning signal for selecting a row of the surface conduction electron-emitting devices 94 arranged in the X direction is connected to the X-direction wiring 92. On the other hand, the Y direction wiring 93 is connected to a modulation signal generating means (not shown) that modulates each column of the surface conduction electron-emitting devices 94 arranged in the Y direction according to an input signal. The drive voltage applied to each electron-emitting device is supplied as a difference voltage between the scanning signal and the modulation signal applied to the electron-emitting device.

【0079】このような構成においては、単純なマトリ
クス配線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可
能とすることができる。
In such a structure, individual elements can be selected and driven independently by using simple matrix wiring.

【0080】図9に示したような単純マトリクス型配置
の電子源基板を用いて構成した画像形成装置について、
図10ないし図12を用いて説明する。
Regarding the image forming apparatus constituted by using the electron source substrate of the simple matrix type arrangement as shown in FIG.
This will be described with reference to FIGS. 10 to 12.

【0081】図10は、本発明における画像形成装置の
表示パネルの構造を示す模式図である。図11は、図1
0に示した表示パネルで用いる蛍光膜を示す模式図であ
る。図12は、本発明における画像形成装置の駆動回路
の構成を示すブロック図であり、NTSC方式のテレビ
信号に応じてテレビジョン表示を行う駆動回路の一例を
示している。
FIG. 10 is a schematic view showing the structure of the display panel of the image forming apparatus of the present invention. FIG.
It is a schematic diagram which shows the fluorescent film used in the display panel shown in FIG. FIG. 12 is a block diagram showing the configuration of a drive circuit of the image forming apparatus according to the present invention, and shows an example of a drive circuit for performing television display in accordance with an NTSC television signal.

【0082】図10に示した表示パネルは、X方向配線
92とY方向配線93と表面伝導型電子放出素子94と
を複数個配置した電子源基板91と、電子源基板91を
固定するリアプレート101と、支持枠102と、ガラ
ス基板103の内面に蛍光膜104およびメタルバック
105が形成されているフェースプレート106と、リ
アプレート101と支持枠102とフェースプレート1
06とを備える外囲器108とを有する構成となってい
る。
The display panel shown in FIG. 10 has an electron source substrate 91 on which a plurality of X-direction wirings 92, Y-direction wirings 93, and surface conduction electron-emitting devices 94 are arranged, and a rear plate for fixing the electron source substrate 91. 101, a support frame 102, a face plate 106 having a fluorescent film 104 and a metal back 105 formed on the inner surface of a glass substrate 103, a rear plate 101, a support frame 102, and a face plate 1
And an outer package 108 including 06.

【0083】支持枠102には、リアプレート101、
フェースプレート106がフリットガラス等を用いて接
続されている。外囲器108は、大気中、窒素中等で4
00〜500℃の温度範囲で10分以上焼成され、密封
される。
The support frame 102 includes a rear plate 101,
The face plate 106 is connected using frit glass or the like. The envelope 108 is 4 in the atmosphere, nitrogen, etc.
It is baked in a temperature range of 00 to 500 ° C. for 10 minutes or more and sealed.

【0084】表面伝導型電子放出素子94は、図5にお
いて説明した電子放出部55に相当する。X方向配線9
2およびY方向配線93は、表面伝導型電子放出素子9
4の一対の素子電極と接続されている。
The surface conduction electron-emitting device 94 corresponds to the electron-emitting portion 55 described with reference to FIG. X-direction wiring 9
2 and the Y-direction wiring 93 are used for the surface conduction electron-emitting
4 is connected to a pair of device electrodes.

【0085】端子Dx1,Dx2,‥‥‥,Dxm(m
は正の整数)、端子Dy1,Dy2,‥‥‥,Dyn
(nは正の整数)、および高圧端子Hvは、外部の電気
回路に接続されている。
Terminals Dx1, Dx2, ..., Dxm (m
Is a positive integer), terminals Dy1, Dy2, ..., Dyn
(N is a positive integer) and the high voltage terminal Hv are connected to an external electric circuit.

【0086】リアプレート101は主に電子源基板91
の強度を補強する目的で設けられるので、電子源基板9
1自体で十分な強度を持つ場合には、別体のリアプレー
ト101を不要とすることができる。この場合には、基
板91に支持枠102を直接封着し、フェースプレート
106、支持枠102、および基板91で外囲器108
を構成しても良い。一方、フェースプレート106とリ
アプレート101との間に、スペーサ(耐大気圧支持部
材)とよばれる支持体(不図示)を設置することによっ
て、大気圧に対して十分な強度を有する外囲器108を
構成することもできる。
The rear plate 101 is mainly an electron source substrate 91.
Is provided for the purpose of reinforcing the strength of the electron source substrate 9
When the 1 itself has sufficient strength, the separate rear plate 101 can be dispensed with. In this case, the support frame 102 is directly sealed to the substrate 91, and the face plate 106, the support frame 102, and the substrate 91 are used to surround the envelope 108.
May be configured. On the other hand, by installing a support (not shown) called a spacer (anti-atmospheric pressure supporting member) between the face plate 106 and the rear plate 101, an envelope having sufficient strength against atmospheric pressure. 108 can also be configured.

【0087】図11は、図10に示した蛍光膜104の
模式図であり、図11(a),(b)ともに、カラーの
蛍光膜を示している。
FIG. 11 is a schematic diagram of the fluorescent film 104 shown in FIG. 10, and both FIGS. 11A and 11B show a color fluorescent film.

【0088】蛍光膜104は、モノクロームの場合に
は、蛍光体のみで構成することができる。カラーの蛍光
膜の場合には、黒色部材111と蛍光体112とで構成
することができる。その方法としては、蛍光体112の
配列によって、ブラックストライプ、ブラックマトリク
ス等と呼ばれる形状で黒色部材111を構成する。ブラ
ックストライプ、ブラックマトリクス等を設ける目的
は、カラー表示の場合には、必要となる三原色蛍光体の
各蛍光体112間の塗り分け部を黒くすることで混色等
を目立たなくすることと、外光反射によるコントラスト
の低下を抑制することにある。ブラックストライプの材
料としては、通常用いられている黒鉛を主成分とする材
料の他、光の透過および反射が少ない材料を用いること
ができる。
In the case of monochrome, the phosphor film 104 can be composed of only phosphor. In the case of a color fluorescent film, it can be composed of the black member 111 and the phosphor 112. As a method thereof, the black member 111 is formed in a shape called a black stripe, a black matrix, or the like by the arrangement of the phosphors 112. In the case of color display, the purpose of providing the black stripes, the black matrix, and the like is to make the color mixture between the respective phosphors 112 of the three primary color phosphors black so as to make the color mixture inconspicuous and to prevent external light. This is to suppress the decrease in contrast due to reflection. As the material of the black stripe, in addition to a commonly used material containing graphite as a main component, a material that transmits and reflects light little can be used.

【0089】図10に示したガラス基板103に蛍光体
112を塗布する方法は、モノクローム、カラーによら
ず、沈澱法、印刷法等を採用することができる。蛍光膜
104の内面側には、図10に示すように、通常メタル
バック105が設けられる。メタルバック105を設け
る目的は、蛍光体112の発光のうち内面側への光をフ
ェースプレート106側へ鏡面反射させることによって
輝度を向上させること、電子ビーム加速電圧を印加する
電極として作用させること、外囲器108内で発生した
負イオンの衝突によるダメージから蛍光体112を保護
すること等である。メタルバック105は、蛍光膜10
4を作製した後、蛍光膜104の内面側表面の平滑化処
理(フィルミング)を行い、その後真空蒸着等を用いて
Alを堆積させることで作製することができる。
As a method for applying the phosphor 112 to the glass substrate 103 shown in FIG. 10, a precipitation method, a printing method or the like can be adopted regardless of monochrome or color. As shown in FIG. 10, a metal back 105 is usually provided on the inner surface side of the fluorescent film 104. The purpose of providing the metal back 105 is to improve the brightness by specularly reflecting the light toward the inner surface side of the light emission of the phosphor 112 toward the face plate 106 side, and to act as an electrode for applying an electron beam acceleration voltage, This is to protect the phosphor 112 from damage due to collision of negative ions generated in the envelope 108. The metal back 105 is the fluorescent film 10.
4 can be manufactured by performing a smoothing process (filming) on the inner surface of the fluorescent film 104, and then depositing Al using vacuum deposition or the like.

【0090】フェースプレート106には、蛍光膜10
4の導電性をさらに高めるために、蛍光膜104の外面
側、すなわちガラス基板103側に透明電極(不図示)
を設けてもよい。
The fluorescent film 10 is formed on the face plate 106.
In order to further enhance the conductivity of No. 4, a transparent electrode (not shown) on the outer surface side of the fluorescent film 104, that is, the glass substrate 103 side.
May be provided.

【0091】図10を用いて説明した外囲器の密封を行
う際には、カラーの場合には、蛍光膜104上の各色蛍
光体112と電子源基板91上の表面伝導型電子放出素
子94とを対応させる必要があり、十分な位置合わせが
不可欠となる。
When sealing the envelope described with reference to FIG. 10, in the case of color, each color phosphor 112 on the phosphor film 104 and the surface conduction electron-emitting device 94 on the electron source substrate 91. It is necessary to correspond with and, and sufficient alignment is indispensable.

【0092】図10に示した表示パネルを用いる画像形
成装置は、例えば以下のようにして製造される。
The image forming apparatus using the display panel shown in FIG. 10 is manufactured, for example, as follows.

【0093】外囲器108は、前述の安定化工程と同様
に、適宜加熱しながら、イオンポンプ、ソープションポ
ンプ等のオイルを使用しない排気装置によって排気管
(不図示)を通じて排気され、1×10-7[torr]
程度の真空度で、有機物質が十分少ない雰囲気となった
後に封止される。外囲器108の封止後の真空度を維持
するために、ゲッタ処理を行うこともできる。これは、
外囲器108の封止を行う直前または封止後に、抵抗加
熱、高周波加熱等を用いた加熱によって、外囲器108
内の所定の位置に配置されたゲッタ(不図示)を加熱し
て、蒸着膜を形成する処理である。ゲッタは通常Ba等
が主成分であり、蒸着膜の吸着作用によって、例えば1
×10-5〜1×10-7[torr]の真空度を維持す
る。
The envelope 108 is evacuated through an exhaust pipe (not shown) by an oil-free exhaust device such as an ion pump or a sorption pump while being appropriately heated, as in the above-described stabilization process. 10 -7 [torr]
The sealing is performed after the atmosphere has a sufficiently low degree of organic substance and a degree of vacuum. A getter process may be performed to maintain the degree of vacuum after the envelope 108 is sealed. this is,
Immediately before or after sealing the envelope 108, the envelope 108 is heated by resistance heating, high-frequency heating, or the like.
In this process, a getter (not shown) arranged at a predetermined position is heated to form a vapor deposition film. The getter usually has Ba or the like as its main component, and the getter is, for example, 1
The degree of vacuum of × 10 -5 to 1 × 10 -7 [torr] is maintained.

【0094】次に、図12を用いて、単純マトリクス型
配置の電子源を用いて構成した表示パネルに、NTSC
方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行う駆
動回路の構成例について説明する。
Next, referring to FIG. 12, a display panel constructed by using an electron source of a simple matrix type is provided with NTSC.
A configuration example of a drive circuit which performs television display based on a television signal of a system will be described.

【0095】図12に示した画像形成装置の駆動回路
は、画像表示パネル121と、走査回路122と、制御
回路123と、シフトレジスタ124と、ラインメモリ
125と、同期信号分離回路126と、変調信号発生器
127と、直流電圧源VxおよびVaとを有する構成と
なっている。
The drive circuit of the image forming apparatus shown in FIG. 12 includes an image display panel 121, a scanning circuit 122, a control circuit 123, a shift register 124, a line memory 125, a sync signal separation circuit 126, and a modulation circuit. It is configured to have a signal generator 127 and DC voltage sources Vx and Va.

【0096】表示パネル121は、端子Dox1,Do
x2,‥‥‥,Doxm(mは正の整数)、端子Doy
1,Doy2,‥‥‥,Doyn(nは正の整数)、お
よび高圧端子Hvを介して外部の電気回路と接続されて
いる。
The display panel 121 has terminals Dox1 and Dox.
x2, ..., Doxm (m is a positive integer), terminal Doy
, Doy2, ..., Doyn (n is a positive integer) and a high voltage terminal Hv are connected to an external electric circuit.

【0097】端子Dox1〜Doxmには、表示パネル
内に設けられている電子源、すなわち、m行n列の行列
状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群を
一行(n素子)ずつ順次駆動する走査信号が印加され
る。
At terminals Dox1 to Doxm, electron sources provided in the display panel, that is, surface conduction electron-emitting device groups matrix-wired in a matrix of m rows and n columns are sequentially arranged in rows (n elements). A scanning signal for driving is applied.

【0098】端子Doy1〜Doynには、この走査信
号によって選択された一行の表面伝導型電子放出素子の
各素子の出力電子ビームを制御する変調信号が印加され
る。
A modulation signal for controlling the output electron beam of each element of the surface conduction electron-emitting devices of one row selected by this scanning signal is applied to the terminals Doy1 to Doyn.

【0099】高圧端子Hvには、例えば10[kV]の
直流電圧が直流電圧源Vaから供給されるが、これは加
速電圧であり、加速電圧は、表面伝導型電子放出素子か
ら放出される電子ビームに蛍光体を励起するために十分
なエネルギを付与する。
A DC voltage of, for example, 10 [kV] is supplied from the DC voltage source Va to the high voltage terminal Hv, which is an accelerating voltage. The accelerating voltage is an electron emitted from the surface conduction electron-emitting device. Energize the beam with sufficient energy to excite the phosphor.

【0100】走査回路122は、内部にm個のスイッチ
ング素子S1,S2,‥‥‥,Smを備えている。各ス
イッチング素子S1〜Smは、直流電圧源Vxの出力電
圧または0[V](グランドレベル)のいずれか一方を
選択し、表示パネル121の端子Dox1〜Doxmと
電気的に接続される。各スイッチング素子S1〜Sm
は、制御回路123が出力する制御信号Tscanに基
づいて動作し、FETのようなスイッチング素子を組み
合わせることによって構成することができる。
The scanning circuit 122 has m switching elements S1, S2, ..., Sm therein. Each of the switching elements S1 to Sm selects either the output voltage of the DC voltage source Vx or 0 [V] (ground level), and is electrically connected to the terminals Dox1 to Doxm of the display panel 121. Each switching element S1 to Sm
Operates based on the control signal Tscan output from the control circuit 123, and can be configured by combining switching elements such as FETs.

【0101】直流電圧源Vxは、図12においては、表
面伝導型電子放出素子の特性(電子放出しきい値電圧)
に基づき、走査されていない素子に印加される駆動電圧
が電子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出
力するように設定している。
The DC voltage source Vx is the characteristic of the surface conduction electron-emitting device (electron emission threshold voltage) in FIG.
Based on the above, it is set to output a constant voltage such that the driving voltage applied to the non-scanned element is equal to or lower than the electron emission threshold voltage.

【0102】制御回路123は、外部から入力する画像
信号に基づいて適切な表示が行われるように各部の動作
を整合させる機能を有する。制御回路123は、同期信
号分離回路126から送られる同期信号Tsyncに基
づいて制御信号を発生し、走査回路122にはTsca
nを、シフトレジスタ124にはTsftを、ラインメ
モリ125にはTmryを、それぞれ入力する。
The control circuit 123 has a function of matching the operation of each part so that an appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. The control circuit 123 generates a control signal on the basis of the synchronization signal Tsync sent from the synchronization signal separation circuit 126, and the scanning circuit 122 receives Tca.
n, Tsft to the shift register 124, and Tmry to the line memory 125.

【0103】同期信号分離回路126は、外部から入力
されるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離する回路で、一般的な周波数分離回
路(フィルタ)等を用いて構成することができる。同期
信号分離回路126によって分離された同期信号は、垂
直同期信号と水平同期信号とから成るが、図12におい
ては、説明の便宜上Tsync信号として図示してい
る。テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分は、
説明の便宜上DATA信号として図示している。DAT
A信号はシフトレジスタ124に入力される。
The sync signal separation circuit 126 is a circuit for separating a sync signal component and a luminance signal component from an NTSC television signal input from the outside, and is constituted by using a general frequency separation circuit (filter) or the like. be able to. The sync signal separated by the sync signal separation circuit 126 is composed of a vertical sync signal and a horizontal sync signal, but in FIG. 12, it is shown as a Tsync signal for convenience of description. The luminance signal component of the image separated from the TV signal is
For convenience of explanation, it is shown as a DATA signal. DAT
The A signal is input to the shift register 124.

【0104】シフトレジスタ124は、時系列的にシリ
アルに入力されるDATA信号を画像の1ライン毎にシ
リアル/パラレル変換し、制御回路123から送られる
制御信号Tsftに基づいて動作する。すなわち、制御
信号Tsftは、シフトレジスタ124のシフトクロッ
クであるということもできる。シリアル/パラレル変換
された画像1ライン分のデータは、電子放出素子n素子
分の駆動データに相当し、Id1〜Idnのn個の並列
信号としてシフトレジスタ124から出力される。
The shift register 124 serially / parallel converts the DATA signal serially input in time series for each line of the image, and operates based on the control signal Tsft sent from the control circuit 123. That is, it can be said that the control signal Tsft is the shift clock of the shift register 124. The serial / parallel converted image data for one line corresponds to drive data for n electron-emitting devices, and is output from the shift register 124 as n parallel signals Id1 to Idn.

【0105】ラインメモリ125は、画像1ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶する記憶装置であり、制
御回路123から送られる制御信号Tmryに従って適
宜Id1〜Idnの内容を記憶する。ラインメモリ12
5に記憶された内容は、I*d1〜I*dnとして出力
され、変調信号発生器127に入力される。
The line memory 125 is a storage device for storing data for one line of an image only for a required time, and appropriately stores the contents of Id1 to Idn according to the control signal Tmry sent from the control circuit 123. Line memory 12
The contents stored in 5 are output as I * d1 to I * dn and input to the modulation signal generator 127.

【0106】変調信号発生器127は、画像データI*
d1〜I*dnの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調する信号源である。変調信号発
生器127の出力信号は、端子Doy1〜Doynを通
じて表示パネル121内の表面伝導型電子放出素子に印
加される。
The modulation signal generator 127 outputs the image data I *.
The signal source appropriately drives and modulates each of the surface conduction electron-emitting devices according to each of d1 to I * dn. The output signal of the modulation signal generator 127 is applied to the surface conduction electron-emitting device in the display panel 121 through the terminals Doy1 to Doyn.

【0107】本発明における電子放出素子は、放出電流
Ieに対して以下の基本特性を有している。電子放出の
発生には明確なしきい値電圧Vthがあり、Vth以上
の電圧を印加されたときにのみ電子放出が生じる。すな
わち、電子放出しきい値電圧Vth以上の電圧が印加さ
れたときには、素子への印加電圧の変化に応じて放出電
流が変化する。このことから、素子にパルス状の電圧を
印加する場合には、電子放出しきい値電圧Vth以下の
電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子放出しき
い値電圧Vth以上の電圧を印加したときには電子ビー
ムが出力される。その際に、パルスの波高値Vmを変化
させることによって、出力電子ビームの強度を制御する
ことが可能である。また、パルス幅Pwを変化させるこ
とによって、出力される電子ビームの電荷の総量を制御
することが可能である。
The electron-emitting device according to the present invention has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. The occurrence of electron emission has a clear threshold voltage Vth, and electron emission occurs only when a voltage higher than Vth is applied. That is, when a voltage equal to or higher than the electron emission threshold voltage Vth is applied, the emission current changes according to the change in the voltage applied to the element. Therefore, when a pulsed voltage is applied to the device, electron emission does not occur even if a voltage equal to or lower than the electron emission threshold voltage Vth is applied, but a voltage equal to or higher than the electron emission threshold voltage Vth is applied. When applied, an electron beam is output. At this time, the intensity of the output electron beam can be controlled by changing the pulse peak value Vm. Further, by changing the pulse width Pw, it is possible to control the total amount of charges of the output electron beam.

【0108】したがって、入力信号に応じて電子放出素
子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変
調方式等を採用することができる。
Therefore, as the method of modulating the electron-emitting device according to the input signal, the voltage modulation method, the pulse width modulation method or the like can be adopted.

【0109】電圧変調方式を実施するに際しては、変調
信号発生器127として、一定長さの電圧パルスを発生
し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変
調する電圧変調方式の回路を用いることができる。
In carrying out the voltage modulation method, as the modulation signal generator 127, a circuit of a voltage modulation method for generating a voltage pulse of a constant length and appropriately modulating the crest value of the pulse according to the input data is used. Can be used.

【0110】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器127として、一定の波高値の電圧パル
スを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルス
の幅を変調するパルス幅変調方式の回路を用いることが
できる。
When implementing the pulse width modulation method,
As the modulation signal generator 127, a pulse width modulation type circuit that generates a voltage pulse having a constant peak value and appropriately modulates the width of the voltage pulse according to input data can be used.

【0111】シフトレジスタ124やラインメモリ12
5は、デジタル信号式もアナログ信号式も採用すること
ができる。画像信号のシリアル/パラレル変換や記憶が
所定の速度で行われれば良いからである。
The shift register 124 and the line memory 12
The digital signal type 5 and the analog signal type 5 can be adopted. This is because the serial / parallel conversion and storage of the image signal may be performed at a predetermined speed.

【0112】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路126の出力信号であるDATA信号をデジ
タル信号化する必要があるが、これには同期信号分離回
路126の出力部にA/D変換器を設ければ良い。これ
に関連してラインメモリ125の出力信号がデジタル信
号であるかアナログ信号であるかによって、変調信号発
生器127に用いられる回路が若干異なる。
When the digital signal type is used, it is necessary to convert the DATA signal, which is the output signal of the sync signal separation circuit 126, into a digital signal. For this purpose, the output portion of the sync signal separation circuit 126 is A / D converted. It is sufficient to provide a container. In this connection, the circuit used for the modulation signal generator 127 is slightly different depending on whether the output signal of the line memory 125 is a digital signal or an analog signal.

【0113】デジタル信号を用いた電圧変調方式の場合
には、変調信号発生器127には、D/A変換回路等を
用い、必要に応じて増幅回路等を付加する。また、デジ
タル信号を用いたパルス幅変調方式の場合には、変調信
号発生器127には、高速の発振器等と、発振器の出力
する波数を計数する計数器(カウンタ)と、計数器の出
力値とラインメモリ125の出力値とを比較する比較器
(コンパレータ)とを組み合せた回路を用いる。必要に
応じて、比較器が出力するパルス幅変調された変調信号
を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅す
る増幅器を付加することもできる。
In the case of the voltage modulation method using a digital signal, a D / A conversion circuit or the like is used for the modulation signal generator 127, and an amplification circuit or the like is added if necessary. Further, in the case of a pulse width modulation method using a digital signal, the modulation signal generator 127 includes a high-speed oscillator and the like, a counter (counter) for counting the number of waves output by the oscillator, and an output value of the counter. And a comparator that compares the output value of the line memory 125 with the output value of the line memory 125. If necessary, an amplifier for amplifying the pulse-width-modulated modulation signal output from the comparator up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device can be added.

【0114】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場合
には、変調信号発生器127には、オペアンプ等を用い
た増幅回路を採用することができ、必要に応じてレベル
シフト回路等を付加することもできる。また、アナログ
信号を用いたパルス幅変調方式の場合には、電圧制御型
発振回路(VCO)等を採用することができ、必要に応
じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧まで電圧増幅す
る増幅器を付加することもできる。
In the case of the voltage modulation method using an analog signal, the modulation signal generator 127 may be an amplifier circuit using an operational amplifier or the like, and a level shift circuit or the like may be added if necessary. You can also Further, in the case of a pulse width modulation method using an analog signal, a voltage control type oscillation circuit (VCO) or the like can be adopted, and an amplifier for amplifying the voltage up to the driving voltage of the surface conduction electron-emitting device as necessary. Can also be added.

【0115】このような構成をとり得る本発明の画像表
示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Do
x1〜Doxm、Doy1〜Doynを介して電圧を印
加することによって、電子放出が生ずる。高圧端子Hv
を介してメタルバック105または透明電極(不図示)
に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速された電
子は、蛍光膜104に衝突し、発光が生じて画像が形成
される。
In the image display device of the present invention having such a structure, each electron-emitting device has a terminal Do outside the container.
Electrons are emitted by applying a voltage via x1 to Doxm and Doy1 to Doyn. High voltage terminal Hv
Through metal back 105 or transparent electrode (not shown)
To apply a high voltage to accelerate the electron beam. The accelerated electrons collide with the fluorescent film 104 and emit light to form an image.

【0116】ここで述べた画像形成装置の構成は一例で
あり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能で
ある。入力信号についてはNTSC方式を挙げたが、入
力信号はこれに限られず、PAL、SECAM方式等の
他、これよりも多数の走査線から成る、MUSE方式等
の高品位TVのようなTV信号方式をも採用することが
できる。
The configuration of the image forming apparatus described here is an example, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. Although the NTSC system is mentioned as the input signal, the input signal is not limited to this, and the PAL, SECAM system, etc., and a TV signal system such as a high-definition TV such as the MUSE system, which is composed of a larger number of scanning lines than this. Can also be adopted.

【0117】[B]はしご型配置の電子源基板次に、は
しご型配置の電子源および画像形成装置について、図1
3および図14を用いて説明する。
[B] Ladder Arrangement Electron Source Substrate Next, a ladder type electron source and an image forming apparatus will be described with reference to FIG.
3 and FIG. 14.

【0118】図13は、本発明におけるはしご型配置の
電子源基板を示す模式図である。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a ladder type electron source substrate in the present invention.

【0119】図13に示したはしご型配置の電子源基板
は、電子源基板130と、複数の電子放出素子131
と、共通配線132とを有する構成となっている。ま
た、共通配線132は、複数の配線Dx1〜Dx10に
よって複数の電子放出素子131を接続している。
The ladder-shaped electron source substrate shown in FIG. 13 includes an electron source substrate 130 and a plurality of electron-emitting devices 131.
And a common wiring 132. In addition, the common wiring 132 connects the plurality of electron-emitting devices 131 by the plurality of wirings Dx1 to Dx10.

【0120】電子放出素子131は、基板130上に、
X方向に並列に複数個配置されており、これを素子行と
呼ぶ。この素子行が複数行配置されて、電子源を構成し
ている。各素子行の共通配線間に駆動電圧を印加するこ
とで、各素子行を独立に駆動させることができる。すな
わち、電子ビームを放出させたい素子行には電子放出し
きい値以上の電圧を、電子ビームを放出しない素子行に
は電子放出しきい値以下の電圧を印加する。各素子行間
の共通配線Dx2〜Dx9は、例えばDx2とDx3と
を同一配線とすることができる。
The electron-emitting device 131 is formed on the substrate 130 by
A plurality of elements are arranged in parallel in the X direction, which is called an element row. A plurality of these element rows are arranged to form an electron source. By applying a drive voltage between the common wires of each element row, each element row can be driven independently. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold value is applied to the element row where the electron beam is desired to be emitted, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold value is applied to the element row which does not emit the electron beam. For the common wirings Dx2 to Dx9 between the element rows, for example, Dx2 and Dx3 can be the same wiring.

【0121】図14は、図13に示した電子源基板を備
えた画像形成装置の表示パネルの構造を示す模式図であ
る。図14においては、図10および図13に示した部
位と同じ部位には、図10および図13と同一の符号を
付している。
FIG. 14 is a schematic diagram showing the structure of a display panel of an image forming apparatus equipped with the electron source substrate shown in FIG. 14, the same parts as those shown in FIGS. 10 and 13 are designated by the same reference numerals as those in FIGS. 10 and 13.

【0122】図14に示した画像形成装置の表示パネル
は、蛍光膜104と、フェースプレート106と、各素
子行間の共通配線を同一の配線としている電子源基板1
30と、電子放出素子131と、グリッド電極140
と、電子が通過する開口141と、Dox1,Dox
2,‥‥‥,Doxmから成る容器外端子142と、グ
リッド電極140に接続されているG1,G2,‥‥
‥,Gnから成る容器外端子(以下、グリッド容器外端
子と記述する)143とを有する構成となっている。
The display panel of the image forming apparatus shown in FIG. 14 has an electron source substrate 1 in which the fluorescent film 104, the face plate 106, and the common wiring between the respective element rows are the same wiring.
30, electron-emitting device 131, and grid electrode 140
, An opening 141 through which electrons pass, Dox1, Dox
2, ..., Doxm external terminals 142, and G1, G2, ... Connected to the grid electrode 140.
, Gn and the external terminals 143 (hereinafter referred to as grid external terminals) 143.

【0123】図14に示したはしご型配置の画像形成装
置と図10に示した単純マトリクス型配置の画像形成装
置との大きな違いは、電子源基板130とフェースプレ
ート106との間にグリッド電極140を備えているか
否かである。
A major difference between the ladder type image forming apparatus shown in FIG. 14 and the simple matrix type image forming apparatus shown in FIG. 10 is that the grid electrode 140 is provided between the electron source substrate 130 and the face plate 106. It is whether or not it has.

【0124】図14においては、電子源基板130とフ
ェースプレート106との間にグリッド電極140が設
けられている。グリッド電極140は、表面伝導型の電
子放出素子131から放出された電子ビームを変調す
る。はしご型配置の素子行と直交して設けられたストラ
イプ状のグリッド電極140には、円形の開口141
が、電子ビームを通過させる各電子放出素子131に対
応して、その上部に1個ずつ設けられている。グリッド
電極140の形状や設置位置は、図14に示したものに
は限定されない。例えば、開口としてメッシュ状に多数
の通過口を設けることもでき、グリッド電極140を表
面伝導型の電子放出素子131の周囲や近傍に設けるこ
ともできる。
In FIG. 14, a grid electrode 140 is provided between the electron source substrate 130 and the face plate 106. The grid electrode 140 modulates the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device 131. A circular opening 141 is formed in the stripe-shaped grid electrode 140 that is provided orthogonally to the ladder-shaped element rows.
However, one is provided on the upper side of each of the electron-emitting devices 131 that pass the electron beam. The shape and installation position of the grid electrode 140 are not limited to those shown in FIG. For example, a large number of through holes may be provided as openings as meshes, and the grid electrode 140 may be provided around or in the vicinity of the surface conduction electron-emitting device 131.

【0125】容器外端子142およびグリッド容器外端
子143は、制御回路(不図示)と電気的に接続されて
いる。
The outside-container terminal 142 and the grid outside-container terminal 143 are electrically connected to a control circuit (not shown).

【0126】図14に示した画像形成装置においては、
素子行を1列ずつ順次駆動(走査)するのに同期して、
グリッド電極140の列に画像1ライン分の変調信号を
同時に印加する。これによって、各電子ビームの蛍光体
への照射を制御し、画像を1ラインずつ表示することが
できる。
In the image forming apparatus shown in FIG. 14,
In synchronization with sequentially driving (scanning) the element rows one column at a time,
A modulation signal for one image line is simultaneously applied to the columns of the grid electrodes 140. This makes it possible to control the irradiation of each electron beam to the phosphor and display an image line by line.

【0127】本発明の画像形成装置は、テレビジョン放
送の表示装置、テレビ会議システム、コンピュータ等の
表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成される光プ
リンタとしての画像形成装置等にも用いることができ
る。
The image forming apparatus of the present invention can be applied not only to a display apparatus for television broadcasting, a video conference system, a display apparatus such as a computer, but also to an image forming apparatus as an optical printer including a photosensitive drum or the like. Can be used.

【0128】[0128]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳しく説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0129】[第1の実施例]図1は、本発明の第1の
実施例における鍵盤楽器付き画像形成装置を示す図であ
り、本発明の特徴を最も良く表す図である。図1(a)
は装置の模式図であり、図1(b)は組立方法を示した
模式図である。
[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard musical instrument according to the first embodiment of the present invention, and is a view best showing the features of the present invention. FIG. 1 (a)
Is a schematic view of the apparatus, and FIG. 1B is a schematic view showing an assembling method.

【0130】図1に示した鍵盤楽器付き画像形成装置
は、画像形成装置1と、取付具2と、鍵盤楽器であるピ
アノ3とを有する構成となっている。また、取付具2
は、ピアノ3と画像形成装置1とを固定している。
The image forming apparatus with a keyboard instrument shown in FIG. 1 has an image forming apparatus 1, a fixture 2, and a piano 3 which is a keyboard instrument. In addition, mounting fixture 2
Fixes the piano 3 and the image forming apparatus 1.

【0131】第1の実施例においては、表面伝導型電子
放出素子を有する単純マトリクス型配置の電子源基板を
用いて画像形成装置1を作製している。また、取付具2
は金属製のものを使用している。
In the first embodiment, the image forming apparatus 1 is manufactured by using the electron source substrate of the simple matrix type having the surface conduction electron-emitting devices. In addition, mounting fixture 2
Is made of metal.

【0132】図1(b)を用いて、第1の実施例におけ
る鍵盤楽器付き画像形成装置の構成を説明する。画像形
成装置1はL字型の取付具2の先端に、背面をネジ止め
することによって固定されている。取付具2はピアノ3
の背面にネジによって固定されている。すなわち、画像
形成装置1は取付具2とともに、ピアノ3を挟む構造で
固定されている。
The configuration of the image forming apparatus with a keyboard instrument according to the first embodiment will be described with reference to FIG. The image forming apparatus 1 is fixed to the tip of an L-shaped fixture 2 by screwing the back surface. The fixture 2 is a piano 3
Is fixed to the back of the by screws. That is, the image forming apparatus 1 is fixed together with the fixture 2 in a structure that sandwiches the piano 3.

【0133】第1の実施例においては、取付具2の高さ
をピアノ3の高さと等しくし、取付具2がピアノ3の天
板に接するようにしている。また、画像形成装置1の下
方をピアノ3と接触するようにしている。これによって
画像形成装置1の重量が取付具2およびピアノ3の両方
にかかるようになり、構造的に強くすることができた。
In the first embodiment, the height of the fixture 2 is made equal to the height of the piano 3, and the fixture 2 contacts the top plate of the piano 3. The lower part of the image forming apparatus 1 is brought into contact with the piano 3. As a result, the weight of the image forming apparatus 1 is applied to both the fixture 2 and the piano 3, and the structure can be strengthened.

【0134】[第2の実施例]図2は本発明の第2の実
施例における鍵盤楽器付き画像形成装置を示す図であ
り、図2(a)は装置の模式図であり、図2(b)は組
立方法を示した模式図である。
[Second Embodiment] FIG. 2 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a second embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) is a schematic view of the apparatus and FIG. b) is a schematic view showing an assembling method.

【0135】図2に示した鍵盤楽器付き画像形成装置
は、画像形成装置1と、取付具22と、鍵盤楽器である
オルガン23とを有する構成となっている。また、取付
具22は、オルガン23と画像形成装置1とを固定して
いる。
The image forming apparatus with a keyboard instrument shown in FIG. 2 has an image forming apparatus 1, a fixture 22, and an organ 23 which is a keyboard instrument. Further, the fixture 22 fixes the organ 23 and the image forming apparatus 1.

【0136】第2の実施例においては、表面伝導型電子
放出素子を有するはしご型配置の電子源基板を用いて画
像形成装置1を作製している。また、取付具22は金属
製のものを使用している。
In the second embodiment, the image forming apparatus 1 is manufactured using a ladder-type electron source substrate having surface conduction electron-emitting devices. The fixture 22 is made of metal.

【0137】図2(b)を用いて、第2の実施例におけ
る鍵盤楽器付き画像形成装置の構成を説明する。画像形
成装置1は、枠状に組み立てられた取付具22に挿入さ
れ、側面をネジで固定されている。取付具22は、オル
ガン23の背面にネジによって固定されている。
The configuration of the image forming apparatus with a keyboard instrument according to the second embodiment will be described with reference to FIG. The image forming apparatus 1 is inserted into a frame-shaped mounting tool 22, and the side surface is fixed with screws. The fixture 22 is fixed to the rear surface of the organ 23 with screws.

【0138】第2の実施例においては、取付具22をオ
ルガン23の背面に固定しているが、固定する位置はこ
れには限られず、オルガン23の側面に固定しても構わ
ない。また、画像形成装置1をオルガン23に直接は固
定していないが、画像形成装置1および取付具22の両
方をオルガン23に固定しても良い。
In the second embodiment, the fixture 22 is fixed to the rear surface of the organ 23, but the fixing position is not limited to this and may be fixed to the side surface of the organ 23. Although the image forming apparatus 1 is not directly fixed to the organ 23, both the image forming apparatus 1 and the fixture 22 may be fixed to the organ 23.

【0139】[第3の実施例]図3は本発明の第3の実
施例における鍵盤楽器付き画像形成装置を示す図であ
り、図3(a)は装置の模式図であり、図3(b)は組
立方法を示した模式図である。
[Third Embodiment] FIG. 3 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a third embodiment of the present invention. FIG. 3 (a) is a schematic view of the apparatus and FIG. b) is a schematic view showing an assembling method.

【0140】図3に示した鍵盤楽器付き画像形成装置
は、画像形成装置1と、取付具32と、鍵盤楽器である
ピアノ33とを有する構成となっている。また、取付具
32は、ピアノ33と画像形成装置1とを固定してい
る。
The image forming apparatus with a keyboard instrument shown in FIG. 3 comprises an image forming apparatus 1, a fixture 32, and a piano 33 which is a keyboard instrument. Further, the fixture 32 fixes the piano 33 and the image forming apparatus 1.

【0141】第3の実施例においては、ガス放電型の画
像形成装置を用いて画像形成装置1を作製している。ま
た、取付具32は木製のものを使用している。
In the third embodiment, the image forming apparatus 1 is manufactured by using the gas discharge type image forming apparatus. The fixture 32 is made of wood.

【0142】以下に、ガス放電型画像形成装置の製造方
法(不図示)を簡単に説明する。
A method of manufacturing the gas discharge type image forming apparatus (not shown) will be briefly described below.

【0143】まず、ガラス製のリアプレート上に放電プ
ラズマを生起する放電電極を配置する。次に、放電プラ
ズマから電子を引き出す引き出し電極を配置する。引き
出し電極は、規則正しい多数の透孔を有する金属板から
成る。さらに、板状の絶縁基体上に付設された帯状の電
極群から成る制御電極を配置する。なお、制御電極に
は、電子引き出し電極上の透孔と同軸上に透孔を有し、
電子の直進を妨げないようになっている。
First, a discharge electrode for generating discharge plasma is arranged on a glass rear plate. Next, an extraction electrode for extracting electrons from the discharge plasma is arranged. The extraction electrode is made of a metal plate having a large number of regular through holes. Further, a control electrode composed of a band-shaped electrode group attached to the plate-shaped insulating base is arranged. The control electrode has a through hole coaxial with the through hole on the electron extraction electrode,
It is designed so that it does not prevent the electrons from going straight.

【0144】その後、蛍光膜を付設しているガラス製の
フェースプレートを、リアプレート上に形成された引き
出し電極と平行に相対するように配置し、フェースプレ
ートとリアプレートとの間にガラス製の支持枠を挟み、
フェースプレートとリアプレートと支持枠とをフリット
ガラスで封着する。
After that, a glass face plate provided with a fluorescent film is arranged so as to face the extraction electrode formed on the rear plate in parallel, and the glass face plate is placed between the face plate and the rear plate. Sandwich the support frame,
The face plate, the rear plate, and the support frame are sealed with frit glass.

【0145】封着して密封した後に、画像形成装置内の
真空排気を行い、低気圧の稀ガスを封入することでガス
放電型画像形成装置を製造する。
After sealing and sealing, the inside of the image forming apparatus is evacuated and a rare gas having a low atmospheric pressure is filled therein to manufacture a gas discharge type image forming apparatus.

【0146】図3(b)を用いて、第3の実施例におけ
る鍵盤楽器付き画像形成装置の構成を説明する。
The configuration of the image forming apparatus with a keyboard instrument according to the third embodiment will be described with reference to FIG.

【0147】第3の実施例においては、ピアノ33上に
画像形成装置1を取り付けるためのくぼみが設けられて
いる。画像形成装置1は、ピアノ33上に設けられたく
ぼみに位置決めが行われ、L字型の取付具32によって
左右のフレームが固定される。取付具32をピアノ33
に固定する際には、ネジを用いている。
In the third embodiment, a recess for mounting the image forming apparatus 1 is provided on the piano 33. The image forming apparatus 1 is positioned in a recess provided on the piano 33, and the left and right frames are fixed by an L-shaped fixture 32. Attach the fixture 32 to the piano 33
Screws are used when fixing to.

【0148】第3の実施例においては、ピアノ33にく
ぼみを設けて画像形成装置1を組み込む構造を用いてい
るが、取り付ける方法はこれには制限されず、くぼみを
設けずに、表面に取り付けても良い。また、画像形成装
置1をピアノ33に固定する際には、画像形成装置1の
左右のフレームを押さえることによって行っているが、
フレームの上下を押さえることによって行っても良く、
さらに、周辺部全てを押さえても良い。
In the third embodiment, a structure in which the piano 33 is provided with a recess and the image forming apparatus 1 is incorporated is used. However, the mounting method is not limited to this, and the surface is mounted without providing the recess. May be. Further, when fixing the image forming apparatus 1 to the piano 33, the left and right frames of the image forming apparatus 1 are pressed,
You can do it by pressing the top and bottom of the frame,
Furthermore, you may hold down all the peripheral parts.

【0149】[第4の実施例]図4は、本発明の第4の
実施例における鍵盤楽器付き画像形成装置を示す図であ
り、図4(a)は装置の模式図であり、図4(b)は画
像形成装置1と取付具42を拡大表示したものである。
[Fourth Embodiment] FIG. 4 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 4A is a schematic view of the apparatus. (B) is an enlarged view of the image forming apparatus 1 and the fixture 42.

【0150】図4に示した鍵盤楽器付き画像形成装置
は、画像形成装置1と、取付具42と、鍵盤楽器である
ピアノ43とを有する構成となっている。また、取付具
42は、ピアノ43と画像形成装置1とを固定してい
る。
The image forming apparatus with a keyboard instrument shown in FIG. 4 has an image forming apparatus 1, a fixture 42, and a piano 43 which is a keyboard instrument. In addition, the fixture 42 fixes the piano 43 and the image forming apparatus 1.

【0151】第4の実施例においては、液晶を有する画
像形成装置1を用いている。また、取付具42は回転機
構を有するものを使用している。
In the fourth embodiment, the image forming apparatus 1 having a liquid crystal is used. Further, the attachment 42 has a rotation mechanism.

【0152】図4(b)を用いて、第4の実施例におけ
る鍵盤楽器付き画像形成装置の構成を説明する。
The configuration of the image forming apparatus with a keyboard instrument in the fourth embodiment will be described with reference to FIG.

【0153】第4の実施例においては、画像形成装置1
とピアノ43とは回転機構を有する取付具42を介して
固定されている。取付具42は、固定部分がピアノ43
上に接続され、回転機構部分が画像形成装置1の下面に
接続されている。
In the fourth embodiment, the image forming apparatus 1
The piano 43 and the piano 43 are fixed via a fixture 42 having a rotation mechanism. The fixture 42 has a piano 43 in the fixed portion.
It is connected to the upper side, and the rotation mechanism portion is connected to the lower surface of the image forming apparatus 1.

【0154】第4の実施例においては、取付具42が回
転機構を有しているので、画像形成装置1を鍵盤側に倒
すことができ、未使用時に画像形成装置1の表示面を保
護することができる。
In the fourth embodiment, since the fixture 42 has the rotating mechanism, the image forming apparatus 1 can be tilted to the keyboard side, and the display surface of the image forming apparatus 1 is protected when not in use. be able to.

【0155】第1ないし第4の実施例においては、鍵盤
楽器としてピアノまたはオルガンを用いたが、これらに
限らずエレクトーン等の他の楽器を用いても良い。
In the first to fourth embodiments, the piano or organ is used as the keyboard musical instrument, but the keyboard musical instrument is not limited to this, and other musical instruments such as an electric tone may be used.

【0156】[0156]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、以下に示
す効果を有する。
As described above, the present invention has the following effects.

【0157】画像形成装置を重量物であるピアノ等の鍵
盤楽器と一体化することによって、画像形成装置が大型
で重量が増加しても安定性良く設置することができる。
By integrating the image forming apparatus with a heavy weight keyboard instrument such as a piano, the image forming apparatus can be installed in a stable manner even if the image forming apparatus is large and the weight increases.

【0158】また、画像形成装置を安定性良く設置する
ことによって、ディスプレイ(表示パネル)の転倒等を
防ぐことができ、安全性を向上することができるという
効果を有する。
Also, by installing the image forming apparatus with good stability, it is possible to prevent the display (display panel) from falling over and to improve the safety.

【0159】さらに、画像形成装置を鍵盤楽器に一体化
させることによって、設置場所を小さくことができると
いう効果を有する。
Further, by integrating the image forming apparatus with the keyboard instrument, there is an effect that the installation place can be reduced.

【0160】これらのことから、大型の画像形成装置を
設置する際に、重量の増加によって設置場所、設置方法
等の設置条件が制限されないという効果を有する。
From the above, when installing a large-sized image forming apparatus, there is an effect that the installation conditions such as installation site and installation method are not limited due to the increase in weight.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における鍵盤楽器付き画
像形成装置を示す図
FIG. 1 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例における鍵盤楽器付き画
像形成装置を示す図
FIG. 2 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例における鍵盤楽器付き画
像形成装置を示す図
FIG. 3 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例における鍵盤楽器付き画
像形成装置を示す図
FIG. 4 is a diagram showing an image forming apparatus with a keyboard instrument according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明における平面型表面伝導型電子放出素子
の構成を示す模式図
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a planar surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図6】本発明における垂直型表面伝導型電子放出素子
の構成を示す断面図
FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a vertical surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図7】本発明における平面型表面伝導型電子放出素子
の製造方法を示す模式図
FIG. 7 is a schematic diagram showing a method for manufacturing a planar surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図8】本発明における表面伝導型電子放出素子の製造
に用いる通電フォーミング処理の電圧波形を示す図
FIG. 8 is a diagram showing voltage waveforms in an energization forming process used for manufacturing a surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図9】本発明のマトリクス型配置の電子源基板を示す
模式図
FIG. 9 is a schematic diagram showing a matrix type electron source substrate of the present invention.

【図10】本発明における画像形成装置の表示パネルの
構造を示す模式図
FIG. 10 is a schematic diagram showing a structure of a display panel of the image forming apparatus according to the present invention.

【図11】図10に示した表示パネルで用いる蛍光膜を
示す模式図
11 is a schematic diagram showing a fluorescent film used in the display panel shown in FIG.

【図12】本発明における画像形成装置の駆動回路の構
成を示すブロック図
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of a drive circuit of the image forming apparatus according to the present invention.

【図13】本発明におけるはしご型配置の電子源基板を
示す模式図
FIG. 13 is a schematic diagram showing a ladder-type electron source substrate according to the present invention.

【図14】図13に示した電子源基板を備えた画像形成
装置の表示パネルの構造を示す模式図
14 is a schematic diagram showing the structure of a display panel of an image forming apparatus including the electron source substrate shown in FIG.

【図15】従来例における表面伝導型電子放出素子の構
成を示す模式図
FIG. 15 is a schematic diagram showing a configuration of a surface conduction electron-emitting device in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 画像形成装置 2、22、32、42 取付具 3、33、43 ピアノ 23 オルガン 51 基板 52、53 素子電極 54 導電性薄膜 55 電子放出部 61 段差形成部 91 電子源基板 92 X方向配線 93 Y方向配線 94 表面伝導型電子放出素子 95 結線 101 リアプレート 102 支持枠 103 ガラス基板 104 蛍光膜 105 メタルバック 106 フェースプレート 108 外囲器 111 黒色部材 112 蛍光体 121 表示パネル 122 走査回路 123 制御回路 124 シフトレジスタ 125 ラインメモリ 126 同期信号分離回路 127 変調信号発生器 130 電子源基板 131 電子放出素子 132 共通配線(Dx1〜Dx10) 140 グリッド電極 141 開口 142 容器外端子(Dox1,Dox2,‥‥‥,
Doxm) 143 グリッド容器外端子(G1,G2,‥‥‥,
Gn) Vx、Va 直流電圧源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image forming apparatus 2, 22, 32, 42 Fixture 3, 33, 43 Piano 23 Organ 51 Substrate 52, 53 Element electrode 54 Conductive thin film 55 Electron emission part 61 Step difference formation part 91 Electron source substrate 92 X direction wiring 93 Y Directional wiring 94 Surface conduction electron-emitting device 95 Connection 101 Rear plate 102 Support frame 103 Glass substrate 104 Fluorescent film 105 Metal back 106 Face plate 108 Envelope 111 Black member 112 Phosphor 121 Display panel 122 Scanning circuit 123 Control circuit 124 Shift Register 125 Line memory 126 Synchronous signal separation circuit 127 Modulation signal generator 130 Electron source substrate 131 Electron emission element 132 Common wiring (Dx1 to Dx10) 140 Grid electrode 141 Opening 142 Outer container terminals (Dox1, Dox2, ...
Doxm) 143 Grid container external terminals (G1, G2, ...
Gn) Vx, Va DC voltage source

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G10H 1/32 G10H 1/32 Z ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location G10H 1/32 G10H 1/32 Z

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リアプレートと、画像形成部材を備え該
リアプレートに対向して配置されているフェースプレー
トと、該フェースプレートと該リアプレートとの間に配
置されている支持枠とを具備する表示パネルを有する画
像形成装置と、 鍵盤を叩くことによって音を発する鍵盤楽器と、 該画像形成装置および該鍵盤楽器を固定する取付具とを
備える、鍵盤楽器付き画像形成装置。
1. A rear plate, a face plate that includes an image forming member and is disposed to face the rear plate, and a support frame that is disposed between the face plate and the rear plate. An image forming apparatus with a keyboard musical instrument, comprising: an image forming apparatus having a display panel; a keyboard musical instrument that emits a sound by hitting a keyboard; and an image forming apparatus and a fixture for fixing the keyboard musical instrument.
【請求項2】 前記画像形成装置と、前記鍵盤楽器と、
前記取付具とが相互に固定されていることを特徴とす
る、請求項1に記載の鍵盤楽器付き画像形成装置。
2. The image forming apparatus, the keyboard instrument,
The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the fixture is fixed to each other.
【請求項3】 前記画像形成装置が、前記取付具を介し
て前記鍵盤楽器に固定されていることを特徴とする、請
求項1に記載の鍵盤楽器付き画像形成装置。
3. The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the image forming apparatus is fixed to the keyboard instrument via the fixture.
【請求項4】 前記鍵盤楽器がピアノを備える、請求項
1ないし3のいずれか1項に記載の鍵盤楽器付き画像形
成装置。
4. The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the keyboard instrument comprises a piano.
【請求項5】 前記鍵盤楽器がオルガンを備える、請求
項1ないし3のいずれか1項に記載の鍵盤楽器付き画像
形成装置。
5. The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the keyboard instrument comprises an organ.
【請求項6】 前記鍵盤楽器がエレクトーン(登録商
標)を備える、請求項1ないし3のいずれか1項に記載
の鍵盤楽器付き画像形成装置。
6. The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the keyboard instrument comprises an Electone (registered trademark).
【請求項7】 前記表示パネルが、前記リアプレートと
前記フェースプレートと前記支持枠とが封着されている
密封容器を備える、請求項1ないし6のいずれか1項に
記載の鍵盤楽器付き画像形成装置。
7. The image with keyboard instrument according to claim 1, wherein the display panel includes a sealed container in which the rear plate, the face plate, and the support frame are sealed. Forming equipment.
【請求項8】 前記リアプレートが電子放出素子を備え
る、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の鍵盤楽器
付き画像形成装置。
8. The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the rear plate includes an electron-emitting device.
【請求項9】 前記電子放出素子が表面伝導型電子放出
素子を備える、請求項1ないし8のいずれか1項に記載
の鍵盤楽器付き画像形成装置。
9. The image forming apparatus with a keyboard instrument according to claim 1, wherein the electron-emitting device comprises a surface conduction electron-emitting device.
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