JPH09200077A - Composite high frequency component - Google Patents

Composite high frequency component

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JPH09200077A
JPH09200077A JP8004864A JP486496A JPH09200077A JP H09200077 A JPH09200077 A JP H09200077A JP 8004864 A JP8004864 A JP 8004864A JP 486496 A JP486496 A JP 486496A JP H09200077 A JPH09200077 A JP H09200077A
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JP
Japan
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high frequency
circuit
component
frequency component
composite high
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JP8004864A
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Japanese (ja)
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Kouji Furuya
孝治 降谷
Norio Nakajima
規巨 中島
Ken Tonegawa
謙 利根川
Mitsuhide Katou
充英 加藤
Koji Tanaka
浩二 田中
Tatsuya Ueda
達也 上田
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/20Non-resonant leaky-waveguide or transmission-line antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/26Surface waveguide constituted by a single conductor, e.g. strip conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203Strip line filters
    • H01P1/2039Galvanic coupling between Input/Output
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

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  • Electromagnetism (AREA)
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite high frequency component in which an occupied area and volume for a device to be mounted is reduced so as to improve the flexibility of the circuit arrangement and an impedance matching circuit is not required. SOLUTION: A composite high frequency component 10 includes a multi- layered board, didoes D1, D2 being high frequency switch components, and a printed circuit board. On the outside of the multi-layered board, a transmission circuit use external electrode TX, a reception circuit external electrode RX, an antenna external electrode AN, control external electrodes Vc1, Vc2 and a ground potential external electrode, and in the inside of the multi-layer board, strip lines L1-L3 and capacitors C1-C6 being components of a high frequency switch 1 and strip lines L4, L5 and capacitors C7-C9 being low-pass filter components 2 are formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複合高周波部品に
関し、特に、高周波スイッチ部品等の高周波部品とフィ
ルタ部品とを接続してなる複合高周波部品に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite high frequency component, and more particularly to a composite high frequency component formed by connecting a high frequency component such as a high frequency switch component and a filter component.

【0002】[0002]

【従来の技術】高周波部品である高周波スイッチ部品
は、図10に示すように、デジタル携帯電話などにおい
て、送信回路TXとアンテナANTとの接続及び受信回
路RXとアンテナANTとの接続を切り換えるために用
いられる。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 10, a high frequency switch component, which is a high frequency component, is used to switch the connection between a transmitter circuit TX and an antenna ANT and the connection between a receiver circuit RX and an antenna ANT in a digital mobile phone or the like. Used.

【0003】高周波スイッチ部品1は、図11に示すよ
うに、アンテナANT、送信回路TX及び受信回路RX
に接続される。送信回路TXには、コンデンサC1を介
して、ダイオードD1のアノードが接続される。ダイオ
ードD1のアノードは、分布定数線路L1とコンデンサ
C2の直列回路を介して接地電位に接続される。分布定
数線路L1の線路長としては、送信回路TXからの送信
信号の波長をλとしたとき、λ/4以下となるように設
定される。また、分布定数線路L1とコンデンサC2と
の接続点には、コントロール端子Vc1が接続される。
コントロール端子Vc1には、高周波スイッチ部品1の
切り換えを行うためのコントロール回路が接続される。
そして、ダイオードD1のカソードは、コンデンサC3
を介して、アンテナANTに接続される。さらに、ダイ
オードD1の両端(アノード・カソード間)には、分布
定数線路L2とコンデンサC4の直列回路が接続され
る。
As shown in FIG. 11, the high frequency switch component 1 includes an antenna ANT, a transmitting circuit TX and a receiving circuit RX.
Connected to. The anode of the diode D1 is connected to the transmission circuit TX via the capacitor C1. The anode of the diode D1 is connected to the ground potential via the series circuit of the distributed constant line L1 and the capacitor C2. The line length of the distributed constant line L1 is set to be λ / 4 or less, where λ is the wavelength of the transmission signal from the transmission circuit TX. The control terminal Vc1 is connected to the connection point between the distributed constant line L1 and the capacitor C2.
A control circuit for switching the high frequency switch component 1 is connected to the control terminal Vc1.
The cathode of the diode D1 is connected to the capacitor C3.
Is connected to the antenna ANT via. Further, a series circuit of the distributed constant line L2 and the capacitor C4 is connected to both ends (between the anode and the cathode) of the diode D1.

【0004】アンテナANTに接続されたコンデンサC
3には、さらに分布定数線路L3とコンデンサC5の直
列回路を介して受信回路RXが接続される。分布定数線
路L3の線路長も、分布定数線路L1と同様に、λ/4
以下となるように設定される。また、分布定数線路L2
とコンデンサC5との接続点には、ダイオードD2のア
ノードが接続される。そして、ダイオードD2のカソー
ドは、コンデンサC6を介して接地電位に接続される。
さらに、ダイオードD2とコンデンサC6との接続点に
は、コントロール端子Vc2が接続される。コントロー
ル端子Vc2には、コントロール端子Vc1と同様に、
高周波スイッチ部品1の切り換えを行うためのコントロ
ール回路が接続される。
A capacitor C connected to the antenna ANT
3, a receiving circuit RX is further connected via a series circuit of a distributed constant line L3 and a capacitor C5. The line length of the distributed constant line L3 is also λ / 4, like the distributed constant line L1.
It is set to be as follows. In addition, the distributed constant line L2
The anode of the diode D2 is connected to the connection point between the capacitor C5 and the capacitor C5. The cathode of the diode D2 is connected to the ground potential via the capacitor C6.
Further, the control terminal Vc2 is connected to the connection point between the diode D2 and the capacitor C6. The control terminal Vc2, like the control terminal Vc1,
A control circuit for switching the high frequency switch component 1 is connected.

【0005】このように構成された高周波スイッチ部品
1を用いて送信を行う場合には、コントロール端子Vc
1に正のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Vc
2に負のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオ
ードD1、D2に対し順方向バイアス電圧として働くた
め、ダイオードD1、D2をオンする。このとき、コン
デンサC1〜C6によって直流分がカットされ、ダイオ
ードD1、D2を含む回路にのみコントロール端子Vc
1、Vc2に加えられた電圧が印加される。従って、分
布定数線路L3がダイオードD2により接地されて送信
周波数で共振し、インピーダンスがほぼ無限大となるた
め、送信回路TXからの送信信号は、受信回路RX側に
ほとんど伝送されることなく、コンデンサC1、ダイオ
ードD1、コンデンサC3を経てアンテナANTに伝送
される。なお、分布定数線路L1は、コンデンサC2を
介して接地されているため、送信周波数で共振し、イン
ピーダンスがほぼ無限大となり、送信信号が接地電位側
へ漏れることを防止している。
In the case of transmitting using the high frequency switch component 1 thus constructed, the control terminal Vc
A positive bias voltage is applied to 1 and the control terminal Vc
A negative bias voltage is applied to 2. Since this voltage acts as a forward bias voltage on the diodes D1 and D2, the diodes D1 and D2 are turned on. At this time, the direct current component is cut by the capacitors C1 to C6, and only the circuit including the diodes D1 and D2 has the control terminal Vc.
1, the voltage added to Vc2 is applied. Therefore, the distributed constant line L3 is grounded by the diode D2 and resonates at the transmission frequency, and the impedance becomes almost infinite. Therefore, the transmission signal from the transmission circuit TX is hardly transmitted to the reception circuit RX side and the capacitor is not transmitted. It is transmitted to the antenna ANT via C1, the diode D1, and the capacitor C3. Since the distributed constant line L1 is grounded via the capacitor C2, it resonates at the transmission frequency, the impedance becomes almost infinite, and the transmission signal is prevented from leaking to the ground potential side.

【0006】一方、受信時には、コントロール端子Vc
1に負のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Vc
2に正のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオ
ードD1、D2に対し逆方向バイアス電圧として働くた
め、ダイオードD1、D2はオフ状態になり、アンテナ
ANTからの受信信号は、コンデンサC3、分布定数線
路L3、コンデンサC5を経て受信回路RXに伝送さ
れ、送信回路TX側にほとんど伝送されない。
On the other hand, during reception, the control terminal Vc
A negative bias voltage is applied to 1 and the control terminal Vc
A positive bias voltage is applied to 2. Since this voltage acts as a reverse bias voltage on the diodes D1 and D2, the diodes D1 and D2 are turned off, and the received signal from the antenna ANT passes through the capacitor C3, the distributed constant line L3, and the capacitor C5, and the receiving circuit. It is transmitted to RX, and hardly transmitted to the transmitter circuit TX side.

【0007】このように、高周波スイッチ部品1は、コ
ントロール端子Vc1、Vc2に印加するバイアス電圧
をコントロールすることにより、送受信の信号を切り換
えることができる。
As described above, the high frequency switch component 1 can switch the transmission and reception signals by controlling the bias voltage applied to the control terminals Vc1 and Vc2.

【0008】なお、分布定数線路L2とコンデンサC4
の直列回路は、オフ時のダイオードD1とコンデンサC
4との合成静電容量と、分布定数線路L2のインダクタ
ンス成分とで共振する並列共振回路を形成し、かつ受信
信号の周波数と一致させた周波数で共振させることによ
り、ダイオードD1のオフ時のダイオードD1と分布定
数線路L2との接続点のインピーダンスを増加させ、挿
入損失や反射損失を低減させるのに用いられる。
The distributed constant line L2 and the capacitor C4
The series circuit is a diode D1 and a capacitor C when it is off.
4 and a parallel resonance circuit that resonates with the inductance component of the distributed constant line L2, and resonates at a frequency matched with the frequency of the received signal, thereby turning off the diode when the diode D1 is off. It is used to increase the impedance at the connection point between D1 and the distributed constant line L2 and reduce insertion loss and reflection loss.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の高周
波部品にフィルタ部品を接続して使用するような複合高
周波部品においては、従来は高周波部品とフィルタ部品
とを別々に設計・製作していたため、回路基板上におい
て大きな専有面積・体積を必要とし、回路配置の融通性
を悪くするという問題点があった。
However, in a composite high-frequency component in which a filter component is connected to the above-mentioned high-frequency component for use, the high-frequency component and the filter component have conventionally been designed and manufactured separately. There is a problem that a large occupied area and volume are required on the circuit board, and the flexibility of circuit arrangement is deteriorated.

【0010】また、高周波部品とフィルタ部品のインピ
ーダンスマッチングを行うために、高周波部品とフィル
タ部品に新たにインピーダンスマッチング用回路を付加
しなければならないという問題点もあった。
There is also a problem that an impedance matching circuit must be newly added to the high frequency component and the filter component in order to perform impedance matching between the high frequency component and the filter component.

【0011】さらに、そのインピーダンスマッチング用
回路を設計するための時間も余分に必要になるという問
題点もあった。
Further, there is a problem that extra time is required for designing the impedance matching circuit.

【0012】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、搭載する機器における専有面
積・体積を小さくし、回路配置の融通性を良くするとと
もに、インピーダンスマッチング用回路を不要とする複
合高周波部品を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and reduces the area and volume occupied by the equipment to be mounted, improves the flexibility of circuit arrangement, and provides an impedance matching circuit. It is an object to provide a composite high frequency component that is unnecessary.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、複数の回路素子で構成される高周波部
品と、少なくとも1つに内部電極及び分布定数線路の少
なくとも1つを形成した複数の誘電体層を積層してなる
多層基板で構成されるフィルタ部品からなり、前記高周
波部品を構成する回路素子の少なくとも1つを前記多層
基板とともに回路基板上に実装し、前記回路素子の残り
を前記多層基板に内蔵もしくは搭載したことを特徴とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention forms a high frequency component composed of a plurality of circuit elements and at least one of an internal electrode and a distributed constant line. The filter component is composed of a multilayer substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, and at least one of circuit elements constituting the high-frequency component is mounted on the circuit substrate together with the multilayer substrate, and the rest of the circuit components are provided. Is built in or mounted on the multilayer substrate.

【0014】また、前記高周波部品を高周波スイッチ部
品としたことを特徴とする。
Further, the high frequency component is a high frequency switch component.

【0015】また、前記フィルタ部品をローパスフィル
タ部品としたことを特徴とする。
Further, the filter component is a low-pass filter component.

【0016】本発明の複合高周波部品によれば、高周波
部品を構成する回路素子の少なくとも1つを、フィルタ
部品を構成する多層基板に内蔵するため、全体の寸法が
小さくなる。
According to the composite high frequency component of the present invention, since at least one of the circuit elements constituting the high frequency component is built in the multilayer substrate constituting the filter component, the overall size is reduced.

【0017】また、高周波部品の回路とフィルタ部品の
回路を複合して同時設計することができるため、高周波
部品の回路とフィルタ部品の回路のインピーダンスマッ
チングを施した設計を行うことができる。
Further, since the circuit of the high frequency component and the circuit of the filter component can be combined and designed simultaneously, it is possible to perform the design in which the circuit of the high frequency component and the circuit of the filter component are impedance-matched.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。なお、実施例中において、従来例と同
一もしくは同等の部分には、同一番号を付し、詳細な説
明は省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the embodiments, the same or equivalent parts as those of the conventional example are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0019】図1に、本発明に係る複合高周波部品の一
実施例の回路図を示す。複合高周波部品10は、送信回
路TXと、高周波スイッチ部品1のコンデンサC1の一
端との間に、フィルタ部品、例えばバターワース型のロ
ーパスフィルタ部品2を接続する。ここで、ローパスフ
ィルタ部品2は、分布定数線路L4、L5及びコンデン
サC7、C8、C9から構成される。なお、ローパスフ
ィルタ部品2の接続関係は、周知であるためその説明を
省略する。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of a composite high frequency component according to the present invention. In the composite high frequency component 10, a filter component, for example, a Butterworth type low-pass filter component 2 is connected between the transmission circuit TX and one end of the capacitor C1 of the high frequency switch component 1. Here, the low pass filter component 2 is composed of distributed constant lines L4, L5 and capacitors C7, C8, C9. Note that the connection relationship of the low-pass filter component 2 is well known, and the description thereof is omitted.

【0020】図2に、複合高周波部品10の側面図を示
す。複合高周波部品10は、高周波スイッチ1を構成す
る高周波デバイス、例えばダイオードD1、D2を多層
基板11とともに、回路基板12上に実装することによ
り形成される。多層基板11は、図3に示すように、第
1の誘電体層13〜第15の誘電体層27を上から順次
積層することによって形成され、高周波スイッチ1を構
成するコンデンサC1〜C6、分布定数線路L1〜L3
及びローパスフィルタ部品2が内蔵される。
FIG. 2 shows a side view of the composite high frequency component 10. The composite high-frequency component 10 is formed by mounting a high-frequency device that constitutes the high-frequency switch 1, for example, diodes D1 and D2 on the circuit board 12 together with the multilayer board 11. As shown in FIG. 3, the multilayer substrate 11 is formed by sequentially stacking the first dielectric layer 13 to the fifteenth dielectric layer 27 from above, and the capacitors C1 to C6 constituting the high frequency switch 1 and the distribution. Constant lines L1 to L3
And the low-pass filter component 2 is incorporated.

【0021】第1の誘電体層13には何も搭載されてい
ない。また、第2の誘電体層14上には、内部電極、す
なわちコンデンサ電極C51が、第3の誘電体層15上
には、コンデンサ電極C11、C21、C31が、第4
の誘電体層16上には、コンデンサ電極C12、C2
2、C32が、第5の誘電体層17上には、コンデンサ
電極C13、C33、C61が、第7の誘電体層19上
には、コンデンサ電極、C15、C35、C63が、第
10の誘電体層22上には、コンデンサ電極C41が、
第14の誘電体層26上には、コンデンサ電極C71、
C81、C91がそれぞれ形成される。
Nothing is mounted on the first dielectric layer 13. Further, on the second dielectric layer 14, internal electrodes, that is, capacitor electrodes C51, and on the third dielectric layer 15, capacitor electrodes C11, C21, C31, and fourth electrodes.
On the dielectric layer 16 of the capacitor electrodes C12, C2
2, C32, the capacitor electrodes C13, C33, C61 on the fifth dielectric layer 17, and the capacitor electrodes C15, C35, C63 on the seventh dielectric layer 19, and the tenth dielectric layer. On the body layer 22, the capacitor electrode C41 is
On the 14th dielectric layer 26, a capacitor electrode C71,
C81 and C91 are formed, respectively.

【0022】さらに、第6の誘電体層18上には、コン
デンサ電極C14、C34、C62、分布定数線路、す
なわちストリップラインL31が、第8の誘電体層20
上には、ストリップラインL41、L51が、第12の
誘電体層24上には、ストリップラインL11、L21
がそれぞれ形成される。
Further, on the sixth dielectric layer 18, the capacitor electrodes C14, C34, C62, the distributed constant line, that is, the strip line L31, and the eighth dielectric layer 20 are provided.
Strip lines L41 and L51 are provided on the top, and strip lines L11 and L21 are provided on the twelfth dielectric layer 24.
Are respectively formed.

【0023】また、第9、第11、第13、第15の誘
電体層21、23、25、27上には、内部電極、すな
わちグランド電極G1がそれぞれ形成される。
On the ninth, eleventh, thirteenth, and fifteenth dielectric layers 21, 23, 25, 27, internal electrodes, that is, ground electrodes G1 are formed, respectively.

【0024】さらに、第15の誘電体層27の下面(図
3中に27uと符号を付す)には、送信回路用外部電極
TX1、受信回路用外部電極RX1、アンテナ用外部電
極ANT1、コントロール用外部電極Vc11、Vc2
2、接地電位用外部電極G2が形成される。
Further, on the lower surface of the fifteenth dielectric layer 27 (denoted by 27u in FIG. 3), the transmitter circuit external electrode TX1, the receiver circuit external electrode RX1, the antenna external electrode ANT1, and the control electrode are provided. External electrodes Vc11, Vc2
2. The ground potential external electrode G2 is formed.

【0025】そして、第1の誘電体層13〜第15の誘
電体層27には、信号ライン(図示せず)とビアホール
(図示せず)を必要な箇所に形成し、多層基板11の外
面及び回路基板12上には、外部電極(図示せず)を形
成する。高周波スイッチ1を構成するコンデンサC1〜
C6、分布定数線路L1〜L3及びローパスフィルタ部
品2が内蔵された多層基板11、並びにダイオードD
1、D2を回路基板12の上に実装し、多層基板11と
ダイオードD1、D2とを適宜接続する。これにより、
図1に示す回路構成と等価の複合高周波部品10を構成
することができる。
Then, signal lines (not shown) and via holes (not shown) are formed at necessary locations in the first to fifteenth dielectric layers 13 to 27, and the outer surface of the multilayer substrate 11 is formed. Also, external electrodes (not shown) are formed on the circuit board 12. Capacitors C1 to 1 constituting the high frequency switch 1
C6, the multilayer substrate 11 in which the distributed constant lines L1 to L3 and the low-pass filter component 2 are incorporated, and the diode D
1 and D2 are mounted on the circuit board 12, and the multilayer board 11 and the diodes D1 and D2 are appropriately connected. This allows
A composite high frequency component 10 equivalent to the circuit configuration shown in FIG. 1 can be constructed.

【0026】このような複合高周波部品を構成する多層
基板を製造するにあたっては、誘電体セラミックグリー
ンシートが準備される。そして、誘電体セラミックグリ
ーンシート上に、各内部電極、分布定数線路、信号ライ
ンの形状に応じて金属ペーストが印刷される。次いで、
所定の形状に金属ペーストが印刷された誘電体セラミッ
クグリーンシートを積層し、焼成することによって、誘
電体層が積層してなる多層基板が形成される。
A dielectric ceramic green sheet is prepared for manufacturing a multi-layer substrate that constitutes such a composite high frequency component. Then, a metal paste is printed on the dielectric ceramic green sheet according to the shape of each internal electrode, distributed constant line, and signal line. Then
By laminating the dielectric ceramic green sheets on which the metal paste is printed in a predetermined shape and firing them, a multilayer substrate is formed in which the dielectric layers are laminated.

【0027】この多層基板の外面に金属ペーストが印刷
され、それを焼き付けることによって外部電極が形成さ
れる。この際、誘電体セラミックグリーンシートを積層
した後、外部電極の形状に金属ペーストを印刷し、一体
焼成することによって多層基板を形成してもよい。
A metal paste is printed on the outer surface of this multi-layer substrate, and by baking it, external electrodes are formed. At this time, the multi-layer substrate may be formed by stacking the dielectric ceramic green sheets, printing a metal paste on the shape of the external electrodes, and firing them integrally.

【0028】以上のように、上述の実施例では、高周波
部品を構成するコンデンサ、分布定数線路及びフィルタ
部品を、複数の誘電体層を積層することに形成される一
つの多層基板に内蔵するため、全体の寸法を小さくする
ことができる。従って、回路基板上における占有面積・
体積を小さくすることができる。
As described above, in the above-described embodiment, the capacitor, the distributed constant line and the filter component constituting the high frequency component are built in one multilayer substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers. , The overall size can be reduced. Therefore, the occupied area on the circuit board
The volume can be reduced.

【0029】また、高周波部品の回路とフィルタ部品の
回路を複合して同時設計することができるため、高周波
部品の回路とフィルタ部品の回路のインピーダンスマッ
チングを施した設計を行うことができる。従って、イン
ピーダンスマッチング用回路を新たに付加する必要がな
くなり、回路を簡略することができる。
Further, since the circuit of the high frequency component and the circuit of the filter component can be combined and designed simultaneously, the impedance matching of the circuit of the high frequency component and the circuit of the filter component can be performed. Therefore, it is not necessary to newly add an impedance matching circuit, and the circuit can be simplified.

【0030】さらに、インピーダンスマッチング用回路
を設計するための時間を不要とすることができる。
Further, the time for designing the impedance matching circuit can be eliminated.

【0031】なお、高周波スイッチには、上述した回路
構成の他にも様々なものがあり、例えば、特開平6−1
97042号、特開平6−197043号、特開平7−
74672号に記載された回路構成の高周波スイッチ等
がある。
There are various types of high-frequency switches other than the above-mentioned circuit configuration, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-1.
97042, JP-A-6-197043, JP-A-7-
There is a high frequency switch having a circuit configuration described in No. 74672.

【0032】また、上述の実施例においては、高周波デ
バイスとしてダイオードを用いる場合について説明した
が、ダイオードに換えてトランジスタ、FET等を用い
てもよい。
Further, in the above embodiment, the case where the diode is used as the high frequency device has been described, but a transistor, an FET or the like may be used instead of the diode.

【0033】さらに、分布定数線路としてストリップラ
インを用いる場合について説明したが、ストリップライ
ンに換えてマイクロストリップライン、コープレーナラ
イン等を用いてもよい。
Further, although the case where the strip line is used as the distributed constant line has been described, a micro strip line, a coplanar line or the like may be used instead of the strip line.

【0034】また、多層基板にコンデンサとストリップ
ラインを内蔵する場合について説明したが、回路に応じ
て、印刷抵抗等の抵抗部品を内蔵してもよい。
Although the case where the capacitor and the strip line are built in the multilayer substrate has been described, a resistance component such as a printing resistor may be built in depending on the circuit.

【0035】さらに、ダイオードを回路基板に直接実装
する場合について説明したが、回路に応じて、コンデン
サ、あるいはチップ抵抗等の抵抗部品を直接実装しても
よい。
Further, although the case where the diode is directly mounted on the circuit board has been described, a resistor or a resistance component such as a chip resistor may be directly mounted depending on the circuit.

【0036】また、高周波部品とフィルタ部品の接続関
係として、送信回路TXと高周波スイッチ部品1の間に
ローパスフィルタ部品2を接続する場合について説明し
たが、受信回路RXまたはアンテナANTと、高周波ス
イッチ部品1の間に、任意のローパスフィルタ部品2を
接続しても、上述した実施例と同様の効果が得られる。
Further, as the connection relationship between the high frequency component and the filter component, the case where the low pass filter component 2 is connected between the transmission circuit TX and the high frequency switch component 1 has been described, but the reception circuit RX or the antenna ANT and the high frequency switch component are connected. Even if any low-pass filter component 2 is connected between 1 and 2, the same effect as the above-mentioned embodiment can be obtained.

【0037】例えば、図4に示すように、アンテナAN
Tと高周波スイッチ部品1の間にローパスフィルタ部品
2を接続する場合、図5に示すように、受信回路RXと
高周波スイッチ部品1の間にローパスフィルタ部品2を
接続する場合、図6に示すように、送信回路TXと高周
波スイッチ部品1の間、及びアンテナANTと高周波ス
イッチ部品1の間にローパスフィルタ部品2を接続する
場合、図7に示すように、送信回路TXと高周波スイッ
チ部品1の間、受信回路RXと高周波スイッチ部品1の
間にローパスフィルタ部品2を接続する場合、図8に示
すように、受信回路RXと高周波スイッチ部品1の間、
及びアンテナANTと高周波スイッチ部品1の間にロー
パスフィルタ部品2を接続する場合、図9に示すよう
に、送信回路TXと高周波スイッチ部品1の間、受信回
路RXと高周波スイッチ部品1の間及びアンテナANT
と高周波スイッチ部品1の間にローパスフィルタ部品2
を接続する場合等が挙げられる。
For example, as shown in FIG. 4, the antenna AN
When connecting the low-pass filter component 2 between the T and the high-frequency switch component 1, as shown in FIG. 5, when connecting the low-pass filter component 2 between the receiving circuit RX and the high-frequency switch component 1, as shown in FIG. When the low-pass filter component 2 is connected between the transmitter circuit TX and the high-frequency switch component 1 and between the antenna ANT and the high-frequency switch component 1, as shown in FIG. 7, between the transmitter circuit TX and the high-frequency switch component 1. When connecting the low-pass filter component 2 between the receiving circuit RX and the high-frequency switch component 1, as shown in FIG. 8, between the receiving circuit RX and the high-frequency switch component 1,
When the low-pass filter component 2 is connected between the antenna ANT and the high-frequency switch component 1, as shown in FIG. 9, between the transmitter circuit TX and the high-frequency switch component 1, between the receiver circuit RX and the high-frequency switch component 1, and the antenna. ANT
Between the high-frequency switch component 1 and the low-pass filter component 2
And the like.

【0038】さらに、高周波部品と接続するフィルタ部
品として、ローパスフィルタ部品を用いる場合について
説明したが、ハイパスフィルタ部品、バンドパスフィル
タ部品、バンドエリミネーションフィルタ部品を用いて
高周波部品と複合化することもできる。
Further, although the case where the low-pass filter component is used as the filter component connected to the high-frequency component has been described, it may be combined with the high-frequency component by using the high-pass filter component, the band-pass filter component, and the band elimination filter component. it can.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明の複合高周波部品によれば、高周
波部品を構成する回路素子の少なくとも1つを多層基板
とともに回路基板上に実装し、回路素子の残りとフィル
タ部品とを多層基板に内蔵もしくは搭載するため、全体
の寸法を小さくすることができる。従って、搭載する機
器における占有面積・体積を小さくすることができる。
According to the composite high frequency component of the present invention, at least one of the circuit elements constituting the high frequency component is mounted on the circuit board together with the multilayer substrate, and the rest of the circuit elements and the filter component are built in the multilayer substrate. Alternatively, since it is mounted, the overall size can be reduced. Therefore, the occupied area and volume of the mounted device can be reduced.

【0040】また、高周波部品の回路とフィルタ部品の
回路を複合して同時設計することができるため、高周波
部品の回路とフィルタ部品の回路のインピーダンスマッ
チングを施した設計を行うことができる。従って、イン
ピーダンスマッチング用回路を新たに付加する必要がな
くなり、回路を簡略することができる。
Further, since the circuit of the high frequency component and the circuit of the filter component can be combined and designed at the same time, it is possible to perform the design in which the circuit of the high frequency component and the circuit of the filter component are impedance-matched. Therefore, it is not necessary to newly add an impedance matching circuit, and the circuit can be simplified.

【0041】さらに、インピーダンスマッチング用回路
を設計するための時間を不要とすることができる。
Further, the time for designing the impedance matching circuit can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の複合高周波部品に係る一実施例の回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment according to a composite high frequency component of the present invention.

【図2】図1の複合高周波部品の側面図である。FIG. 2 is a side view of the composite high frequency component of FIG.

【図3】図1の複合高周波部品を構成する多層基板の分
解斜視図である。
FIG. 3 is an exploded perspective view of a multi-layer substrate that constitutes the composite high-frequency component of FIG.

【図4】本発明の複合高周波部品の変形例の回路構成図
である。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a modified example of the composite high frequency component of the present invention.

【図5】本発明の複合高周波部品の別の変形例の回路構
成図である。
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of another modified example of the composite high-frequency device of the present invention.

【図6】本発明の複合高周波部品のさらに別の変形例の
回路構成図である。
FIG. 6 is a circuit configuration diagram of still another modified example of the composite high-frequency device of the present invention.

【図7】本発明の複合高周波部品のさらに別の変形例の
回路構成図である。
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of still another modified example of the composite high-frequency device of the present invention.

【図8】本発明の複合高周波部品のさらに別の変形例の
回路構成図である。
FIG. 8 is a circuit configuration diagram of still another modified example of the composite high-frequency device of the present invention.

【図9】本発明の複合高周波部品のさらに別の変形例の
回路構成図である。
FIG. 9 is a circuit configuration diagram of still another modified example of the composite high-frequency device of the present invention.

【図10】従来の複合高周波部品の回路構成図である。FIG. 10 is a circuit configuration diagram of a conventional composite high frequency component.

【図11】従来の高周波部品の回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram of a conventional high frequency component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高周波部品(高周波スイッチ部品) 2 フィルタ部品(ローパスフィルタ部品) 10 複合高周波部品 11 多層基板 12 回路基板 13〜27 誘電体層 C11〜C15、C21、C22、C31〜C35、C
41、C51、C61〜C63、C71、C81、C9
1、G1 内部電極 L11、L12、L31、L41、L51 分布定
数線路 D1、D2、L1〜L5、C1〜C9 回路素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High-frequency component (high-frequency switch component) 2 Filter component (low-pass filter component) 10 Composite high-frequency component 11 Multilayer substrate 12 Circuit board 13-27 Dielectric layer C11-C15, C21, C22, C31-C35, C
41, C51, C61 to C63, C71, C81, C9
1, G1 internal electrode L11, L12, L31, L41, L51 distributed constant line D1, D2, L1 to L5, C1 to C9 circuit element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 充英 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 田中 浩二 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 上田 達也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Mitsuhide Kato 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Koji Tanaka 2-26-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Tatsuya Ueda 2-26-10 Tenjin Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Company Murata Manufacturing Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の回路素子で構成される高周波部品
と、少なくとも1つに内部電極及び分布定数線路の少な
くとも1つを形成した複数の誘電体層を積層してなる多
層基板で構成されるフィルタ部品からなり、 前記高周波部品を構成する回路素子の少なくとも1つを
前記多層基板とともに回路基板上に実装し、前記回路素
子の残りを前記多層基板に内蔵もしくは搭載したことを
特徴とする複合高周波部品。
1. A multi-layered substrate formed by laminating a high frequency component including a plurality of circuit elements and a plurality of dielectric layers in which at least one of an internal electrode and a distributed constant line is formed. A composite high frequency device comprising a filter component, wherein at least one of circuit elements constituting the high frequency component is mounted on the circuit board together with the multilayer substrate, and the rest of the circuit elements is built in or mounted on the multilayer substrate. parts.
【請求項2】 前記高周波部品を高周波スイッチ部品と
したことを特徴とする請求項1に記載の複合高周波部
品。
2. The composite high frequency component according to claim 1, wherein the high frequency component is a high frequency switch component.
【請求項3】 前記フィルタ部品をローパスフィルタ部
品あるいはバンドパスフィルタ部品としたことを特徴と
する請求項1あるいは請求項2に記載の複合高周波部
品。
3. The composite high frequency component according to claim 1, wherein the filter component is a low pass filter component or a band pass filter component.
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