JPH09185641A - Arrangement design method for standard cell - Google Patents

Arrangement design method for standard cell

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Publication number
JPH09185641A
JPH09185641A JP7351932A JP35193295A JPH09185641A JP H09185641 A JPH09185641 A JP H09185641A JP 7351932 A JP7351932 A JP 7351932A JP 35193295 A JP35193295 A JP 35193295A JP H09185641 A JPH09185641 A JP H09185641A
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JP
Japan
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cell
standard
standard cell
area
group
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Pending
Application number
JP7351932A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Asada
浩二 浅田
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Publication date
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a chip size and to decrease the waste of chip area. SOLUTION: Unit cell areas are made different, plural standard cell groups having different cell forms are registered in a library, and arrangement design is performed by selecting any standard cell group having the minimum cell column area out of the plural standard cell groups for each cell column such as 12A or 12B. As a result, the arrangement design is performed at the cell column 12A while using standard cells in the standard cell group having the small unit cell area and the arrangement layout is performed at the cell column 12B while using standard cells in the standard cell group having the large unit cell area. Thus, the chip size can be reduced and the waste of chip area can be decreased rather than the case of using only one standard cell group.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、LSI等の製造
に用いられる標準セルの配置設計法に関し、特に各セル
列毎にセル列面積を最小とする標準セル群を選択して配
置設計を行なうことによりチップサイズの縮少を可能に
すると共にチップ面積の無駄を少なくしたものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a layout design method for standard cells used in the manufacture of LSIs and the like, and in particular, layout design is performed by selecting a standard cell group having a minimum cell row area for each cell row. This makes it possible to reduce the chip size and reduce the waste of the chip area.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、標準セル方式のIC(集積回路)
構成法としては、1段型又は2段型のいずれか一方の型
式の標準セル群をライブラリに登録しておき、集積化す
べき回路が与えられたら該回路を構成する機能ブロック
の内部レイアウトを表わす標準セルをライブラリから読
出して1又は複数のセル列として半導体チップの表面に
相当する領域(例えば表示装置の画面)に配置するもの
が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, standard cell type ICs (integrated circuits)
As a configuration method, a standard cell group of either one-stage type or two-stage type is registered in a library, and when a circuit to be integrated is given, the internal layout of the functional blocks forming the circuit is represented. It is known that standard cells are read out from a library and arranged in a region corresponding to the surface of a semiconductor chip (for example, a screen of a display device) as one or a plurality of cell columns.

【0003】図7(A)は、1段型標準セル群に属する
インバータ用標準セルNOTを例示するものである。セ
ルNOTは、Nチャンネル及びPチャンネルMOS型ト
ランジスタTN 及びTP からなるインバータQを含むも
ので、トランジスタTN 及びTP をゲート同士で接続す
ると共にドレイン同士で接続し、トランジスタTP のソ
ースを高電位VDDの電源ラインL1 に且つトランジスタ
N のソースを低電位VSSの電源ラインL2 にそれぞれ
接続した内部レイアウトを表わす。
FIG. 7A illustrates an inverter standard cell NOT belonging to the one-stage standard cell group. The cell NOT includes an inverter Q composed of N-channel and P-channel MOS type transistors T N and T P. The transistors T N and T P are connected at their gates and at their drains, and the source of the transistor T P is connected. Is connected to the power supply line L 1 of high potential V DD and the source of the transistor T N is connected to the power supply line L 2 of low potential V SS , respectively.

【0004】1段型標準セル群には、セルNOTの他に
も、NAND回路、フリップフロップ回路等の機能ブロ
ックの内部レイアウトを表わす標準セルが含まれてい
る。
In addition to the cell NOT, the one-stage type standard cell group includes standard cells representing the internal layout of functional blocks such as NAND circuits and flip-flop circuits.

【0005】図7(B)は、2段型標準セル群に属する
インバータ用標準セルNOTを例示するものである。セ
ルNOTは、図7(A)のインバータQと同様の構成の
コンプリメンタリMOS型インバータQ1 ,Q2 を含む
もので、インバータQ1 を高電位VDDの第1の電源ライ
ンL11及び低電位VSSの電源ラインL0 の間に接続する
と共にインバータQ2 を高電位VDDの第2の電源ライン
12及び電源ラインL0 の間に接続した内部レイアウト
を表わす。
FIG. 7B illustrates an inverter standard cell NOT belonging to the two-stage standard cell group. The cell NOT includes complementary MOS type inverters Q 1 and Q 2 having the same configuration as that of the inverter Q of FIG. 7 (A), and the inverter Q 1 is connected to the first power supply line L 11 of high potential V DD and low potential. 7 shows an internal layout in which an inverter Q 2 is connected between a power supply line L 0 of V SS and an inverter Q 2 is connected between a second power supply line L 12 and a power supply line L 0 of high potential V DD .

【0006】2段型標準セル群には、セルNOTの他に
も、NAND回路、フリップフロップ回路等の機能ブロ
ックの内部レイアウトを表わす標準セルが含まれてい
る。
In addition to the cell NOT, the two-stage standard cell group includes standard cells representing the internal layout of functional blocks such as NAND circuits and flip-flop circuits.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】一般に、インバータ、
NAND回路、フリップフロップ回路等の機能ブロック
は、使用するトランジスタ数が異なり、機能が複雑なも
のほど使用するトランジスタ数が多い。従って、複数種
類の機能ブロックの内部レイアウトをそれぞれ表わす複
数の標準セルは、セル面積を異にするのが通例である。
Generally, an inverter,
Functional blocks such as NAND circuits and flip-flop circuits differ in the number of transistors used, and the more complex the function, the greater the number of transistors used. Therefore, it is customary that the plurality of standard cells respectively representing the internal layouts of the plurality of types of functional blocks have different cell areas.

【0008】図8は、一例として、インバータ、NAN
D回路及びフリップフロップ回路にそれぞれ対応する標
準セルNOT、NAN、FFについて標準セル型式に応
じたセル列面積を示すものである。
FIG. 8 shows an inverter and a NAN as an example.
It shows the cell column area according to the standard cell type for the standard cells NOT, NAN, and FF respectively corresponding to the D circuit and the flip-flop circuit.

【0009】1段型標準セル群において、セル面積が最
小の標準セル(単位セル)を標準セルNOT(図7
(A)に対応)とし、その面積をSとすると、標準セル
NAN及びFFの面積は、それぞれ図8(A)に示すよ
うに2S及び6Sと表わすことができる。また、2段型
標準セル群において、セル面積が最小の標準セル(単位
セル)を標準セルNOT(図7(B)に対応)とし、そ
の面積を2Sとすると、標準セルNAN及びFFの面積
は、それぞれ図8(B)に示すように2S及び4Sと表
わすことができる。
In the single-stage standard cell group, the standard cell (unit cell) having the smallest cell area is defined as the standard cell NOT (FIG. 7).
(Corresponding to (A)), and its area is S, the areas of the standard cells NAN and FF can be expressed as 2S and 6S, respectively, as shown in FIG. 8A. Further, in the two-stage standard cell group, if the standard cell (unit cell) having the smallest cell area is the standard cell NOT (corresponding to FIG. 7B) and the area is 2S, the areas of the standard cells NAN and FF are Can be represented as 2S and 4S, respectively, as shown in FIG.

【0010】1つの半導体チップに集積化すべき回路と
して、標準セルNOT、NAN及びFFをそれぞれ7
個、4個及び6個含む回路が与えられたものとする。こ
の場合において、上記した1段型標準セル群を用いて配
置設計を行なうと、図9に示すようにセル列2A〜2C
を含むセル配置が得られる。また、同様の場合におい
て、上記した2段型標準セル群を用いて配置設計を行な
うと、図10に示すようにセル列4A及び4Bを含むセ
ル配置が得られる。
As standardized circuits to be integrated on one semiconductor chip, seven standard cells NOT, NAN and FF are provided.
It is assumed that a circuit including four, six and six is given. In this case, when the layout design is performed by using the above-mentioned one-stage standard cell group, the cell rows 2A to 2C as shown in FIG.
A cell arrangement including is obtained. Further, in the same case, when the layout design is performed using the above-described two-stage standard cell group, a cell layout including the cell rows 4A and 4B is obtained as shown in FIG.

【0011】図9のセル配置において、セル列2A〜2
Cの面積の合計は、15S+18S+18S=51Sと
なる。また、図10のセル配置において、セル列4A及
び4Bの面積の合計は、24S+22S=46Sとな
る。従って、図9のセル配置に係る半導体チップ1のサ
イズは、図10のセル配置に係る半導体チップ3のサイ
ズより大きくする必要がある。
In the cell arrangement of FIG. 9, cell rows 2A-2
The total area of C is 15S + 18S + 18S = 51S. In the cell arrangement of FIG. 10, the total area of the cell rows 4A and 4B is 24S + 22S = 46S. Therefore, the size of the semiconductor chip 1 having the cell arrangement shown in FIG. 9 needs to be larger than the size of the semiconductor chip 3 having the cell arrangement shown in FIG.

【0012】上記した例から明らかなようにある回路を
集積化する場合、1段型標準セル群を使用するか又は2
段型標準セルを使用するかに応じてチップサイズが異な
ることがある。1段型標準セル群は、トランジスタ数が
少ない単純な機能の標準セルを並べて回路を構成するに
はセル列面積が少なくて済むが、フリップフロップ回路
等の複雑な機能の標準セルを並べて回路を構成するとき
はセル列面積が大きくなる。また、2段型標準セル群
は、フリップフロップ回路等の複雑な機能の標準セルを
並べて回路を構成するにはセル列面積が少なくて済む
が、インバータ等の簡単な機能の標準セルを並べて回路
を構成するときは不使用のトランジスタが生ずることが
あり、チップ面積が無駄となる。
As is apparent from the above example, when integrating a circuit, one-stage standard cell groups are used or two
The chip size may differ depending on whether a standard stepped cell is used. The one-stage type standard cell group requires a small cell column area to form a circuit by arranging standard cells having a simple function with a small number of transistors, but a standard cell having complicated functions such as a flip-flop circuit is arranged to form a circuit. When it is constructed, the cell column area becomes large. The two-stage standard cell group requires a small cell column area to form a circuit by arranging standard cells having complicated functions such as a flip-flop circuit, but the standard cells having simple functions such as an inverter are arranged side by side. When configuring the above, the unused transistor may be generated, and the chip area is wasted.

【0013】この発明の目的は、チップサイズの縮少を
可能にすると共にチップ面積の無駄を少なくすることが
できる新規な標準セルの配置設計法を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a novel standard cell layout designing method which can reduce the chip size and reduce the waste of the chip area.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この発明に係る標準セル
の配置設計法は、複数の標準セル群をライブラリに登録
するステップであって、各標準セル群は複数種類の機能
ブロックの内部レイアウトをそれぞれ表わす複数の標準
セルを含んでおり、各標準セル群において複数の標準セ
ルのうちセル面積最小のものを単位セルとすると前記複
数の標準セル群間では互いに単位セルの面積が異なって
いるものと、集積化すべき回路を構成する複数の機能ブ
ロックにそれぞれ対応する複数の標準セルを前記ライブ
ラリから読出して半導体チップの表面に相当する領域に
1又は複数のセル列として配置するステップであって、
各セル列毎にセル列面積を最小とする1つの標準セル群
を前記複数の標準セル群のうちから選択し、各セル列毎
に選択に係る標準セル群に属する標準セルを前記ライブ
ラリから読出して前記領域に配置するものとを含むもの
である。
A standard cell layout design method according to the present invention is a step of registering a plurality of standard cell groups in a library, and each standard cell group has an internal layout of a plurality of types of functional blocks. A plurality of standard cells each of which represents a standard cell group, and a unit cell having the smallest cell area among the plurality of standard cells in each standard cell group has different unit cell areas from each other. And a step of reading a plurality of standard cells respectively corresponding to a plurality of functional blocks forming a circuit to be integrated from the library and arranging them as one or a plurality of cell rows in a region corresponding to the surface of the semiconductor chip,
One standard cell group that minimizes the cell column area for each cell column is selected from the plurality of standard cell groups, and standard cells belonging to the selected standard cell group for each cell column are read from the library. And those arranged in the area.

【0015】この発明の方法によると、各セル列毎にセ
ル列面積を最小とする標準セル群が選択され、選択に係
る標準セル群中の標準セルを用いて配置設計が行なわれ
る。従って、予め定めた1つの標準セル群中の標準セル
を用いる場合に比べてセル列面積の合計を減少させるこ
とができ、チップサイズの縮少が可能となる。また、単
位セル面積の大きい標準セル群が選択されないこともあ
るから、不使用のトランジスタ数が減り、チップ面積の
無駄を少なくすることができる。
According to the method of the present invention, the standard cell group that minimizes the cell row area is selected for each cell row, and the layout design is performed using the standard cells in the standard cell group related to the selection. Therefore, the total cell column area can be reduced and the chip size can be reduced as compared with the case where standard cells in one predetermined standard cell group are used. In addition, since a standard cell group having a large unit cell area may not be selected, the number of unused transistors can be reduced and waste of the chip area can be reduced.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】この発明を実施する際には、ライ
ブラリに複数の標準セル群を登録する。一例として、図
7,8に関して前述したような1段型及び2段型の標準
セル群をライブラリに登録する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION When carrying out the present invention, a plurality of standard cell groups are registered in a library. As an example, the one-stage type and two-stage type standard cell groups as described above with reference to FIGS. 7 and 8 are registered in the library.

【0017】次に、集積化すべき回路を構成する複数の
機能ブロックにそれぞれ対応する標準セルをライブラリ
から読出して半導体チップの表面に相当する領域に1又
は複数のセル列として配置する。この場合、各セル列毎
にセル列面積を最小とする標準セル群をライブラリ中か
ら選択し、選択に係る標準セル群中の標準セルを用いて
配置設計を行なう。
Next, standard cells respectively corresponding to a plurality of functional blocks forming a circuit to be integrated are read from the library and arranged in one or a plurality of cell rows in a region corresponding to the surface of the semiconductor chip. In this case, a standard cell group that minimizes the cell column area is selected from the library for each cell column, and the layout design is performed using the standard cells in the standard cell group related to the selection.

【0018】例えば、集積化すべき回路として、前述例
と同様に標準セルNOT、NAN及びFFをそれぞれ7
個、4個及び6個を含む回路が与えられたものとする。
ライブラリに登録された1段型及び2段型標準セル群を
用いて配置設計を行なうと、図1に示すようにセル列1
2A及び12Bを含むセル配置が得られる。
For example, as a circuit to be integrated, standard cells NOT, NAN, and FF are each provided in the same manner as in the above-described example.
It is assumed that a circuit including four, four and six is given.
When the layout design is performed using the one-stage type and two-stage type standard cell groups registered in the library, as shown in FIG.
A cell arrangement including 2A and 12B is obtained.

【0019】このようなセル配置を得るための手順を図
2〜5を参照して説明する。まず、図2のステップで
は、ライブラリ中の任意の1つの標準セル群を選択して
仮配置を行なう。例えば、1段型標準セル群を選択して
仮配置を行なうと、図2に示すようにセル列12A〜1
2Cを含むセル配置が得られる。このセル配置は、図9
に示したものと同様である。
A procedure for obtaining such a cell arrangement will be described with reference to FIGS. First, in the step of FIG. 2, any one standard cell group in the library is selected and provisionally arranged. For example, if a single-stage standard cell group is selected and provisionally arranged, as shown in FIG.
A cell arrangement including 2C is obtained. This cell arrangement is shown in FIG.
Is the same as that shown in FIG.

【0020】次に、各セル列毎にセル列面積を最小とす
る標準セル群を選択し、必要に応じて標準セルを差替え
る。図3の例では、セル列12A,12B,12Cのた
めにそれぞれ1段型,2段型,2段型の各標準セルが選
択され、セル列12B,12Cについては1段型標準セ
ル群に属する標準セルに代えて2段型標準セル群に属す
る標準セルが配置される。この後、第1の配置変更ステ
ップに移り、短くなったり、長くなったりしたセル列を
まとめたり、分割したりする。図3の例では、セル列1
2B,12Cが短くなったので、矢印に示すようにセル
列12Cをセル列12Bと一緒にする。この結果、図4
に示すようにセル列12A,12Bを含むセル配置が得
られる。
Next, a standard cell group that minimizes the cell row area is selected for each cell row, and the standard cells are replaced if necessary. In the example of FIG. 3, standard cells of the one-stage type, two-stage type, and two-stage type are selected for the cell rows 12A, 12B, and 12C, respectively, and the one-step type standard cell group is selected for the cell rows 12B and 12C. Instead of the standard cell to which it belongs, standard cells belonging to the two-stage standard cell group are arranged. After this, the process moves to the first layout changing step, and the shortened and lengthened cell strings are combined or divided. In the example of FIG. 3, cell row 1
Since 2B and 12C have become shorter, the cell row 12C is combined with the cell row 12B as indicated by the arrow. As a result, FIG.
A cell arrangement including the cell rows 12A and 12B is obtained as shown in FIG.

【0021】次に、第2の配置変更のステップに移り、
配線効率を考慮しながらセル列面積がより小さくなるよ
うに個々の標準セルを差替える。図4の例では、セル列
12Aのフリップフロップ回路用標準セルF1 は、2段
型標準セルとした方が小面積となるので、2段型標準セ
ルとしてセル列12Bのフリップフロップ回路用標準セ
ルF2 の左隣りに移す。また、セル列12BのNAND
回路用標準セルNA1は、1段型標準セルとして標準セ
ルF1 の抜けた位置に移す。さらに、セル列12Bのイ
ンバータ用標準セルN1 ,N2 は、1段型標準セルとし
た方が小面積となるので、1段型標準セルとしてセル列
12Aにおいてインバータ用標準セルN3 とNAND回
路用標準セルNA2 との間に移す。
Next, in the second step of changing the layout,
The individual standard cells are replaced so that the cell column area becomes smaller while considering the wiring efficiency. In the example of FIG. 4, the standard cell F 1 for the flip-flop circuit of the cell array 12A has a smaller area when it is a two-stage standard cell. Move to the left of cell F 2 . Also, the NAND of the cell row 12B
The standard cell NA 1 for a circuit is moved to a position where the standard cell F 1 is removed as a one-stage standard cell. Further, since the inverter standard cells N 1 and N 2 of the cell row 12B have a smaller area when formed as a single-stage standard cell, the inverter standard cell N 3 and NAND in the cell row 12A are formed as a single-stage standard cell. It is moved to the standard cell for circuit NA 2 .

【0022】図5は、このような配置変更の結果を示す
もので、図5のセル配置は、図1のものと同様である。
図1のセル配置によれば、セル列12A及び12Bのセ
ル列面積の合計は、13S+26S=39Sとなり、図
9又は図10のいずれの場合よりも半導体チップ10の
サイズを縮少可能である。また、インバータ用標準セル
NOTは、すべて1段型標準セルとしてセル列12Aに
配置されるので、図9の場合に比べて不使用トランジス
タの数が減り、チップ面積の無駄を少なくすることがで
きる。
FIG. 5 shows the result of such a layout change, and the cell layout of FIG. 5 is the same as that of FIG.
According to the cell arrangement of FIG. 1, the total of the cell row areas of the cell rows 12A and 12B is 13S + 26S = 39S, and the size of the semiconductor chip 10 can be reduced as compared with the case of either FIG. 9 or FIG. Further, since all the inverter standard cells NOT are arranged in the cell row 12A as single-stage standard cells, the number of unused transistors is reduced as compared with the case of FIG. 9, and waste of the chip area can be reduced. .

【0023】図6は、この発明を自動配置設計システム
で実施するのに好適なセル配置処理の一例を示すもので
ある。
FIG. 6 shows an example of a cell placement process suitable for implementing the present invention in an automatic placement design system.

【0024】ステップ20では、ライブラリ中から選択
した1つの標準セル群を用いて仮配置を行なう(図
2)。そして、ステップ22では、各セル列毎にセル列
面積が最小となる標準セル群を選択し、必要に応じて標
準セルを差替える(図3)。このとき、セル列面積を最
小とするのがどの標準セル群であるかは、各標準セル群
毎にセル列面積を算出して複数の標準セル群間で比較す
れば判明する。
At step 20, temporary placement is performed using one standard cell group selected from the library (FIG. 2). Then, in step 22, a standard cell group having the smallest cell row area is selected for each cell row, and the standard cells are replaced if necessary (FIG. 3). At this time, which standard cell group has the smallest cell column area can be determined by calculating the cell column area for each standard cell group and comparing the standard cell groups.

【0025】次に、ステップ24に移り、チップサイズ
が最小か判定する。チップサイズが最小ということは、
セル列面積の合計が最小ということであり、前述した図
1,9,10の例ではセル列面積の合計が39Sである
ことに相当する。
Next, in step 24, it is determined whether the chip size is the smallest. The smallest chip size means
This means that the total cell column area is the minimum, which corresponds to the total cell column area being 39S in the examples of FIGS.

【0026】ステップ24の判定結果が否定的(N)で
あればステップ26に移り、配置変更処理を行なう(図
3,4)。そして、ステップ24に戻り、チップサイズ
が最小と判定されるまでステップ26の配置変更処理を
繰返す。ステップ24の判定結果が肯定的(Y)になっ
たときは、チップサイズ最小のセル配置が得られたこと
になり、処理エンドとする。なお、ステップ26の配置
変更処理の後は、破線で示すようにステップ22に戻る
ようにしてもよい。
If the result of the determination in step 24 is negative (N), the process proceeds to step 26 and the layout changing process is performed (FIGS. 3 and 4). Then, the process returns to step 24, and the arrangement changing process of step 26 is repeated until the chip size is determined to be the minimum. When the determination result of step 24 is affirmative (Y), it means that the cell arrangement with the smallest chip size has been obtained, and the processing ends. It should be noted that after the arrangement changing process in step 26, the process may return to step 22 as indicated by the broken line.

【0027】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能である。例
えば、ライブラリには、単位セル面積を異にすると共に
セル形状を異にする3種以上の標準セル群を登録するよ
うにしてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be implemented in various modified forms. For example, three or more types of standard cell groups having different unit cell areas and different cell shapes may be registered in the library.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、各セ
ル列毎にセル列面積を最小とする標準セル群を選択し、
選択に係る標準セル群中の標準セルを用いて配置設計を
行なうようにしたので、チップサイズの縮少が可能にな
ると共にチップ面積の無駄を減らせる効果が得られるも
のである。
As described above, according to the present invention, a standard cell group that minimizes the cell column area is selected for each cell column,
Since the layout design is performed using the standard cells in the standard cell group related to the selection, the chip size can be reduced and the waste of the chip area can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明に係る標準セル配置の一例を示す平
面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an example of a standard cell arrangement according to the present invention.

【図2】 この発明に係る標準セルの配置設計法におけ
る仮配置ステップを示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a temporary placement step in the standard cell placement design method according to the present invention.

【図3】 図2のステップに続くセル群選択ステップ及
び第1の配置変更ステップを示す平面図である。
3 is a plan view showing a cell group selecting step and a first arrangement changing step following the step of FIG. 2. FIG.

【図4】 図3のステップに続く第2の配置変更ステッ
プを示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a second arrangement changing step following the step of FIG.

【図5】 図4のステップ終了後のセル配置を示す平面
図である。
5 is a plan view showing a cell arrangement after the steps of FIG. 4 are completed. FIG.

【図6】 セル配置処理の一例を示すフローチャートで
ある。
FIG. 6 is a flowchart showing an example of cell placement processing.

【図7】 従来の1段型及び2段型標準セルを示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing conventional one-stage and two-stage standard cells.

【図8】 機能ブロック毎に標準セル型式に応じたセル
面積を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a cell area according to a standard cell type for each functional block.

【図9】 1段型標準セルを用いたセル配置状況を示す
平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a cell arrangement using a single-stage standard cell.

【図10】 2段型標準セルを用いたセル配置状況を示
す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a cell arrangement using a two-stage standard cell.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:半導体チップ、12A,12B:セル列、NO
T:インバータ用標準セル、NAN:NAND回路用標
準セル、FF:フリップフロップ回路用標準セル。
10: semiconductor chip, 12A, 12B: cell row, NO
T: Standard cell for inverter, NAN: Standard cell for NAND circuit, FF: Standard cell for flip-flop circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の標準セル群をライブラリに登録する
ステップであって、各標準セル群は複数種類の機能ブロ
ックの内部レイアウトをそれぞれ表わす複数の標準セル
を含んでおり、各標準セル群において複数の標準セルの
うちセル面積最小のものを単位セルとすると前記複数の
標準セル群間では互いに単位セルの面積が異なっている
ものと、 集積化すべき回路を構成する複数の機能ブロックにそれ
ぞれ対応する複数の標準セルを前記ライブラリから読出
して半導体チップの表面に相当する領域に1又は複数の
セル列として配置するステップであって、各セル列毎に
セル列面積を最小とする1つの標準セル群を前記複数の
標準セル群のうちから選択し、各セル列毎に選択に係る
標準セル群に属する標準セルを前記ライブラリから読出
して前記領域に配置するものとを含む標準セルの配置設
計法。
1. A step of registering a plurality of standard cell groups in a library, each standard cell group including a plurality of standard cells each representing an internal layout of a plurality of types of functional blocks. When the unit cell is the unit cell having the smallest cell area among the plurality of standard cells, the unit cell areas are different between the plurality of standard cell groups and the plurality of functional blocks forming the circuit to be integrated, respectively. A step of reading a plurality of standard cells from the library and arranging them in a region corresponding to the surface of the semiconductor chip as one or a plurality of cell columns, each standard cell having a minimum cell column area A group is selected from the plurality of standard cell groups, and standard cells belonging to the standard cell group related to selection are read out from the library for each cell column, and A layout design method for standard cells including those to be placed in an area.
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