JPH09118002A - Laser printing plate engraving apparatus - Google Patents

Laser printing plate engraving apparatus

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JPH09118002A
JPH09118002A JP27787795A JP27787795A JPH09118002A JP H09118002 A JPH09118002 A JP H09118002A JP 27787795 A JP27787795 A JP 27787795A JP 27787795 A JP27787795 A JP 27787795A JP H09118002 A JPH09118002 A JP H09118002A
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JP
Japan
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laser
semiconductor laser
optical system
plate making
making apparatus
Prior art date
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Application number
JP27787795A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsumi Ito
達巳 伊藤
Osamu Majima
修 眞島
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the size and weight of a laser block by providing a fixed semiconductor laser part having at least a semiconductor laser, an imaging optical system part moving corresponding to a laser beam emitted position, and an optical fiber for coupling the laser part to the optical system part. SOLUTION: A semiconductor laser part 31 is connected to one end of an optical fiber 72 through an optical fiber connector 71-1. The other end of the fiber 72 is connected to the focusing optical system part 30 through an optical fiber connector 71-2, and the length of the fiber 72 is formed longer than the width of a printing plate in the axial direction of a plate cylinder. Since only a laser block having the optical system may be mounted at the laser moving stage 28 of the semiconductor laser and optical system, the size and weight of the moving part can be reduced. The problem of the inertia at the time of moving is substantially eliminated by the reduction of the weight of the moving part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、グラビア印刷時に
使用される刷版を作成するレーザ製版装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser plate making apparatus for producing a printing plate used for gravure printing.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

〔レーザ製版装置〕最初に、本発明が関係するレーザ製
版装置について一般的な事項について説明する。レーザ
製版装置は、電子グラビアシステム製版装置とも呼ば
れ、グラビア印刷時に使用される刷版(凹版)を作成す
る装置である。
[Laser Plate Making Apparatus] First, general items of the laser plate making apparatus related to the present invention will be described. The laser plate making device is also called an electronic gravure system plate making device, and is a device for creating a printing plate (intaglio) used at the time of gravure printing.

【0003】従来、グラビア印刷は、印刷に使用される
刷版(凹版)に金属製版シートを用い、この金属製版シ
ートに画像の濃淡を写真製版しエッチング技術を用いて
微小な凹部の集合からなる2次元の網点画像版を形成し
ていた。次の印刷段階では、この刷版をインキ溜に浸し
た後、余分なインキを掻き落とし、紙面に圧着して印刷
が出来上がる。グラビア印刷は、数百枚〜数千枚の印刷
が容易に出来るので多用されている。
Conventionally, in gravure printing, a metal plate is used as a printing plate (intaglio plate) used for printing, and the metal plate sheet is made up of a set of minute recesses by photolithography of the image density and the etching technique. A two-dimensional halftone image plate was formed. In the next printing stage, the printing plate is dipped in an ink reservoir, and then excess ink is scraped off and pressed onto the paper surface to complete printing. Gravure printing is widely used because it can easily print hundreds to thousands of sheets.

【0004】近年、刷版として樹脂製のシート使用する
電子グラビアの技術が実用化されている。このレーザ製
版装置は、図4に示すような装置であり、レーザビーム
を使用し、刷版の樹脂製シートに画像の濃淡に対応した
凹部を形成している。刷版の樹脂製シートは、例えば表
面層に変性ポリエステル等の熱可塑性樹脂をコーティン
グしたものである。
In recent years, an electronic gravure technique using a resin sheet as a printing plate has been put into practical use. This laser plate making apparatus is an apparatus as shown in FIG. 4, which uses a laser beam to form recesses corresponding to the light and shade of an image on a resin sheet of a printing plate. The resin sheet of the printing plate has a surface layer coated with a thermoplastic resin such as modified polyester.

【0005】図4に示すようにレーザ製版装置は、概し
て、主走査部として軸4の周りに(A方向又はB方向
に)回転駆動される版胴部1と、半導体レーザ及び光学
系からなるレーザブロック部10,21と、このレーザ
ブロック部10,21を版胴1の軸方向に(C方向又は
D方向に)直線駆動する副走査部とを備えている。版胴
部1には、被加工物である樹脂製シート2が巻き付けら
れている。
As shown in FIG. 4, the laser plate making apparatus generally comprises a plate body 1 which is driven to rotate about an axis 4 (in the direction A or B) as a main scanning unit, a semiconductor laser and an optical system. The laser block units 10 and 21 and the sub-scanning unit that linearly drives the laser block units 10 and 21 in the axial direction of the plate cylinder 1 (in the C direction or the D direction) are provided. A resin sheet 2, which is a workpiece, is wound around the plate body 1.

【0006】主走査部は、版胴部1,版胴回転駆動用モ
ータ7等よりなる。版胴部1は、複数本のタイミングベ
ルト5及び複数個のプーリ6を介して版胴回転駆動用モ
ータ7に駆動連結されており、A方向又はB方向に回転
駆動される。
The main scanning unit comprises a plate cylinder unit 1, a plate cylinder rotation driving motor 7, and the like. The plate cylinder 1 is drivingly connected to a plate cylinder rotation driving motor 7 via a plurality of timing belts 5 and a plurality of pulleys 6, and is rotationally driven in the A direction or the B direction.

【0007】レーザブロック部は、レーザビームを放射
する半導体レーザ10とこのレーザビームを樹脂製シー
ト(被加工物)2に結像するレーザ光学系21とを有す
る。
The laser block section has a semiconductor laser 10 for emitting a laser beam and a laser optical system 21 for focusing the laser beam on a resin sheet (workpiece) 2.

【0008】副走査部は、レーザブロック移動用モータ
24,このモータ24の回転子(図示せず。)に連結さ
れ軸受部23R,23Lの間に版胴部1の軸方向に橋絡
されたボールネジ26,このボールネジ26に螺合され
た移動子27等よりなり、レーザブロック移動用モータ
24がボールネジ26を回転駆動し、ボールネジ26の
回転運動が移動子27の直線運動に変換される。この直
線運動する移動子27にアーム29を介して連結された
(移動ステージ28上の)レーザブロック10,21
は、2本のレール22によって極めて精確に定められた
軌道を軸方向に平行に(C方向又はD方向に)移動す
る。
The sub-scanning portion is connected to a laser block moving motor 24 and a rotor (not shown) of the motor 24, and is bridged in the axial direction of the plate body portion 1 between bearing portions 23R and 23L. The ball screw 26, the moving element 27 screwed to the ball screw 26, etc., and the laser block moving motor 24 rotationally drives the ball screw 26, and the rotational movement of the ball screw 26 is converted into the linear movement of the moving element 27. The laser blocks 10 and 21 (on the moving stage 28) connected to the linearly moving mover 27 via an arm 29.
Moves along a trajectory defined by two rails 22 in a very precise manner in parallel to the axial direction (direction C or D).

【0009】図5は、図4のレーザ製版装置の主要な機
能のブロック図であり、これを用いてレーザ製版装置の
動作について説明する。
FIG. 5 is a block diagram of the main functions of the laser plate making apparatus of FIG. 4, and the operation of the laser plate making apparatus will be described using this.

【0010】マイクロコンピュータ(CPU)32は、
レーザ製版装置全体を動作を制御する。CPU32に接
続されたデータRAM38には、印刷する画像の画像デ
ータが蓄積されている。例えば、カラー印刷の場合は、
C(シアン),M(マゼンタ),Y(イエロー),BK
(ブラック)別のディジタル画像データ等である。
The microcomputer (CPU) 32 is
Controls the operation of the entire laser plate making device. Image data of an image to be printed is stored in a data RAM 38 connected to the CPU 32. For example, for color printing,
C (cyan), M (magenta), Y (yellow), BK
(Black) different digital image data and the like.

【0011】CPU32に接続されたガンマテーブル4
2は、例えばROM等に蓄積された非線形の変換テーブ
ルである。CPU32は、データRAM38に蓄積され
た画像データ40をガンマテーブル42と比較し、画像
データ40に対応した形状をもつ凹部を樹脂製シート2
上に形成するに必要なレーザ強度及び発光時間の出力関
係の値を決定する。カラー印刷の場合、C(シアン),
M(マゼンタ),Y(イエロー)の各刷版の各画素のレ
ーザ強度及び発光時間の出力関係の値を決定する。必要
に応じて、B(ブラック)の刷版データをも含める。
Gamma table 4 connected to the CPU 32
Reference numeral 2 is a non-linear conversion table stored in, for example, a ROM. The CPU 32 compares the image data 40 stored in the data RAM 38 with the gamma table 42, and determines the concave portion having a shape corresponding to the image data 40 to the resin sheet 2
The value of the output relationship between the laser intensity and the emission time required for forming the above is determined. For color printing, C (cyan),
The value of the output relationship between the laser intensity and the light emission time of each pixel of each of the M (magenta) and Y (yellow) printing plates is determined. If necessary, B (black) printing plate data is also included.

【0012】マイクロコンピュータ(CPU)32によ
り、版胴回転用ドライバ(版胴回転用駆動装置)35に
回転制御信号が送られ、この回転制御信号より版胴回転
用ドライバ35は版胴回転用モータ7に駆動パルス信号
を送り、版胴1はこの駆動パルスに同期して歩進的に回
転する。一方、CPU32は、データRAM38に蓄積
された画像データからガンマテーブル42に従ってレー
ザ強度及び発光時間を決定し、このデータをレーザドラ
イバ(レーザ駆動装置)43に送る。
A rotation control signal is sent from a microcomputer (CPU) 32 to a plate cylinder rotation driver (plate cylinder rotation drive device) 35. From the rotation control signal, the plate cylinder rotation driver 35 drives the plate cylinder rotation motor. A driving pulse signal is sent to 7, and the plate cylinder 1 rotates stepwise in synchronization with this driving pulse. On the other hand, the CPU 32 determines the laser intensity and the light emission time according to the gamma table 42 from the image data stored in the data RAM 38, and sends this data to the laser driver (laser driving device) 43.

【0013】レーザドライバ43は、版胴回転用モータ
7の駆動パルスに同期して、このデータに対応したパル
ス信号を半導体レーザ10に送って半導体レーザ10を
発光させ、樹脂製シート2の照射スポット箇所の樹脂を
溶融飛散及び昇華させて所定の凹部を樹脂製シート2上
に形成する。半導体レーザ10は版胴1に巻き付けられ
た樹脂製シート2の円周に沿って画像データに対応した
凹部を次々と形成する。レーザのスポット形状は、典型
的には50〔ミクロン〕程度の角形で、画像の階調に合
わせて照射され、樹脂製シートに形成される凹部の深さ
は5〜6〔ミクロン〕程度である。
The laser driver 43 sends a pulse signal corresponding to this data to the semiconductor laser 10 to cause the semiconductor laser 10 to emit light in synchronism with the drive pulse of the plate cylinder rotating motor 7, and the irradiation spot on the resin sheet 2 is irradiated. The resin is melted and scattered and sublimated to form a predetermined recess on the resin sheet 2. The semiconductor laser 10 sequentially forms recesses corresponding to image data along the circumference of the resin sheet 2 wound around the plate cylinder 1. The spot shape of the laser is typically a square shape of about 50 [micron], and the depth of the concave portion formed on the resin sheet is 5 to 6 [micron], which is irradiated according to the gradation of the image. .

【0014】版胴1が1回転するまで画像に対応した凹
部を形成し、1回転の終了に同期してレーザブロック1
0,21が1画素分だけ版胴1の軸方向に移動させる移
動制御信号をレーザブロック移動用モータドライバ33
に送り、レーザブロック移動用モータ24を回転駆動し
て、レーザブロック21を移動させる。
A recess corresponding to the image is formed until the plate cylinder 1 makes one rotation, and the laser block 1 is synchronized with the end of one rotation.
A motor driver 33 for moving the laser block transmits a movement control signal for moving 0, 21 in the axial direction of the plate cylinder 1 by one pixel.
To drive the laser block moving motor 24 to move the laser block 21.

【0015】このように版胴1を回転しながら1周分の
凹部を形成し、その後レーザブロック10,21を1画
素分だけ移動する動作を繰り返して、所定の面積の樹脂
製シート2に画像に対応した凹部を形成する。
In this way, while rotating the plate cylinder 1 to form a concave portion for one rotation, and thereafter, the operation of moving the laser blocks 10 and 21 by one pixel is repeated to form an image on the resin sheet 2 having a predetermined area. To form a concave portion corresponding to.

【0016】レーザ製版装置は、上述のように、版胴回
転用モータ35による版胴1の回転及びレーザブロック
移動用モータ24によるレーザブロック21の直線移動
を同期させながら、半導体レーザ10を放射し樹脂製シ
ート2上に画像データ38に対応した凹部の集合を形成
する装置である。
As described above, the laser plate making apparatus radiates the semiconductor laser 10 while synchronizing the rotation of the plate cylinder 1 by the plate cylinder rotating motor 35 and the linear movement of the laser block 21 by the laser block moving motor 24. This is an apparatus for forming a set of concave portions corresponding to the image data 38 on the resin sheet 2.

【0017】図6は、更に高出力の2Wの半導体レーザ
を使用しているレーザ製版装置の要部を示す図である。
図4に示す出力1Wの半導体レーザを使用しているレー
ザ製版装置では、半導体レーザの冷却は自然空冷で足り
ていた。しかし、図6に示すように、更に高出力の出力
2〔W〕の半導体レーザを使用した場合、これを強制冷
却するため半導体レーザに対し半導体冷却装置(ヒート
シンク)70を付設することが必要になる。
FIG. 6 is a view showing a main part of a laser plate making apparatus using a 2 W semiconductor laser having a higher output.
In the laser plate making apparatus using the semiconductor laser having an output of 1 W shown in FIG. 4, natural air cooling is sufficient for cooling the semiconductor laser. However, as shown in FIG. 6, when a semiconductor laser having a higher output of 2 [W] is used, it is necessary to attach a semiconductor cooling device (heat sink) 70 to the semiconductor laser in order to forcibly cool it. Become.

【0018】実際、例えば本出願人であるソニー株式会
社製の近赤外レーザダイオード型番SLD324光出力
2000mWを使用した場合には、これに付設してヒー
トシンクとして大栄精機株式会社製型番APF6020
を使用している。このヒートシンクは、外形形状□60
mm×H20mmであり、矩形の放熱盤にピンが1,7
40本植え込まれ、ピンの先にファンモータが設置され
てピンに送風する構造になっている。
Actually, for example, when a near infrared laser diode model SLD324 with a light output of 2000 mW manufactured by Sony Corporation, which is the applicant of the present invention, is used as a heat sink attached to this model model APF6020 manufactured by Daiei Seiki Co., Ltd.
You are using This heat sink has an external shape of □ 60.
mm × H20mm, with 1,7 pins on the rectangular heat sink
Forty of them are implanted, and a fan motor is installed at the tip of the pin to blow air to the pin.

【0019】図7は、このようなレーザブロックの実際
の構成を示す図である。レーザブロック部は、半導体レ
ーザ10及び光学系21からなる。光学系21は、半導
体レーザ10に隣接して配置されたコリメータレンズ5
0,アナモルフィックプリズム51,対物レンズ52及
びカバーガラス(CG)53が光軸に沿って順次配置さ
れている。
FIG. 7 is a diagram showing an actual configuration of such a laser block. The laser block unit includes the semiconductor laser 10 and the optical system 21. The optical system 21 includes a collimator lens 5 arranged adjacent to the semiconductor laser 10.
0, an anamorphic prism 51, an objective lens 52, and a cover glass (CG) 53 are sequentially arranged along the optical axis.

【0020】半導体レーザ10からレーザビームが放射
される。半導体レーザ10の裏面側には、これを冷却す
るための半導体レーザ冷却装置(ヒートシンク)70が
付設され、動作時には半導体レーザ10を冷却してい
る。
A laser beam is emitted from the semiconductor laser 10. A semiconductor laser cooling device (heat sink) 70 for cooling the semiconductor laser 10 is attached to the back surface side of the semiconductor laser 10 to cool the semiconductor laser 10 during operation.

【0021】半導体レーザ10からのレーザビームはコ
リメータレンズ50により光軸と平行光にコリメートさ
れる。この平行光にされたレーザビームは、アナモルフ
ィックプリズム51で、ビーム整形される。このため、
アナモルフィックプリズム5は、光軸に水平方向及び垂
直方向に独立に像倍率を変えるために、2本の3角柱プ
リズムを有している。
The laser beam from the semiconductor laser 10 is collimated by the collimator lens 50 into light parallel to the optical axis. The laser beam made into this parallel light is beam-shaped by the anamorphic prism 51. For this reason,
The anamorphic prism 5 has two triangular prisms in order to independently change the image magnification in the horizontal and vertical directions along the optical axis.

【0022】アナモルフィックプリズムから出射したレ
ーザビームは、対物レンズ52により集束され、カバー
レンズ53を通過して、版胴部1に巻き付けられた樹脂
製シート(図示せず。)に所望の像を結ぶようにされ
る。
The laser beam emitted from the anamorphic prism is focused by the objective lens 52, passes through the cover lens 53, and a desired image is formed on the resin sheet (not shown) wound around the plate body 1. To tie.

【0023】このような光学系で、半導体レーザ10は
LD(laser diode )ホルダ61に保持され、コリメー
タレンズ50はコリメータレンズホルダ62に保持さ
れ、アナ モルフィックプリズム51はアナモルフィッ
クプリズムホルダ63に保持され、 対物レンズ52は
対物レンズホルダ64に保持されている。
With such an optical system, the semiconductor laser 10 is held by the LD (laser diode) holder 61, the collimator lens 50 is held by the collimator lens holder 62, and the anamorphic prism 51 is held by the anamorphic prism holder 63. The objective lens 52 is held by the objective lens holder 64.

【0024】〔マルチビーム方式レーザ製版装置〕現
在、レーザ製版装置で使用されているレーザビームは、
単一のレーザビーム源(シングルビーム)であり、例え
ばA3サイズの刷版に凹部を形成するのに平均40分の
作業時間を必要としている。そのため製版時間の短縮化
の1つとして、既に本願出願人は複数個のレーザ源を版
胴の周囲に円周方向又は回転軸方向に配設したマルチビ
ーム方式レーザ製版装置を提案した。
[Multi-Beam Type Laser Plate Making Apparatus] The laser beam currently used in the laser plate making apparatus is
It is a single laser beam source (single beam), and requires an average working time of 40 minutes to form a recess on an A3 size printing plate, for example. Therefore, as one of the shortening of the plate making time, the applicant of the present application has already proposed a multi-beam type laser plate making apparatus in which a plurality of laser sources are arranged around the plate cylinder in the circumferential direction or the rotation axis direction.

【0025】図8は、本願出願人により既に提案された
マルチビーム方式レーザ製版装置の全体構成を示す図で
ある。図8に示すマルチビーム方式は、4個のレーザブ
ロック10A及び21A,10B及び21B,10C及
び21C,10D及び21Dを同一のレーザブロック取
付台28上に固定して、レール22に沿って一体に移動
している。ここで、レーザブロック10A及び21Aは
樹脂製シート2の製版エリアの一部の領域Aを、レーザ
ブロック10B及び21Bは領域Bを、レーザブロック
10C及び21Cは領域Cを、レーザブロック10D及
び21Dは領域Dを、夫々受け持って凹部を形成するよ
うに構成されている。このマルチビーム方式は、1個当
たりのレーザビーム源の製版面積が減少し製版時間の短
縮化には有効である。
FIG. 8 is a diagram showing the overall construction of a multi-beam type laser plate making apparatus already proposed by the applicant of the present application. In the multi-beam method shown in FIG. 8, four laser blocks 10A and 21A, 10B and 21B, 10C and 21C, 10D and 21D are fixed on the same laser block mounting base 28 and are integrated along the rail 22. Are moving. Here, the laser blocks 10A and 21A are a partial area A of the plate-making area of the resin sheet 2, the laser blocks 10B and 21B are areas B, the laser blocks 10C and 21C are areas C, and the laser blocks 10D and 21D are The regions D are respectively configured to form the recesses. This multi-beam method reduces the plate making area of each laser beam source and is effective for shortening the plate making time.

【0026】[0026]

【発明が解決しようとする課題】図6を用いて説明した
ように、レーザブロック部には、半導体レーザ冷却装置
70,半導体レーザ10及びレーザ光学系21が一体化
され移動ステージ28に取り付けられている。
As described with reference to FIG. 6, the semiconductor laser cooling device 70, the semiconductor laser 10 and the laser optical system 21 are integrally attached to the moving stage 28 in the laser block portion. There is.

【0027】そのため、レーザブロック移動用モータ7
に連結したボールネジ26によって直線移動させられる
レーザブロック部の寸法が大きく且つ重量が重くなるた
め移動時の運動慣性が大きく精確な位置決めが困難にな
る等の問題が生じている。また、レーザブロックの寸法
が大きくなり大きなスペースを占めるため、設計時に版
胴周囲の自由度が少ない等の問題が生じている。
Therefore, the laser block moving motor 7
Since the laser block portion which is linearly moved by the ball screw 26 connected to is large in size and heavy in weight, there is a problem that the motion inertia during movement is large and accurate positioning becomes difficult. Further, since the size of the laser block becomes large and occupies a large space, there arises a problem that the degree of freedom around the plate cylinder is small in designing.

【0028】更に、図8に示すような半導体レーザの個
数を増やしてマルチビーム化する際にも、レーザブロッ
ク部の寸法がかなり大きいことより、一定の制限が生じ
る。例えば、典型的な例では製版の副走査方向(幅方
向)寸法約318mmの場合、レーザブロックの幅寸法
が約50mmあるので、マルチビーム化はスペースの関
係で6ビームが限度となってしまう(318mm/50
mm=6)。
Further, even when the number of semiconductor lasers as shown in FIG. 8 is increased to form a multi-beam, a certain limitation occurs due to the size of the laser block portion being considerably large. For example, in a typical example, when the dimension of the plate in the sub-scanning direction (width direction) is about 318 mm, the width dimension of the laser block is about 50 mm, so that the number of beams is limited to 6 beams due to space limitations ( 318 mm / 50
mm = 6).

【0029】今後、製版時間の短縮等のため更に高出力
の半導体レーザの使用が計画されているが、半導体レー
ザ10の出力の増大に対応して更に重量及び寸法の大き
な半導体レーザ冷却装置70が必要となり、レーザブロ
ック70,10,21の寸法及び重量が一層増加するこ
とになる。
In the future, it is planned to use a semiconductor laser having a higher output in order to reduce the plate making time. However, in response to the increase in the output of the semiconductor laser 10, a semiconductor laser cooling device 70 having a larger weight and a larger size is provided. This is required, which further increases the size and weight of the laser blocks 70, 10, 21.

【0030】次に、従来の半導体レーザ製版装置は、半
導体レーザのストライプを直接的に刷版上の樹脂製シー
トに結像し、発光ストライプに対応したストライプ状の
スポット形状になっている。半導体レーザでは、一般に
出力に対応して発光ストライプ幅が大きくなる。例えば
ソニー株式会社製の近赤外レーザダイオードで線幅はい
ずれも1μm程度であり、出力1〔W〕の型番SILD
323の発光ストライプ幅(ストライプの長さに相当す
るが、一般に「ストライプ幅」と称される。)は100
〔μm〕,出力2〔W〕の型番SILD324は200
〔μm〕,出力3〔W〕の型番SILD325は500
〔μm〕のように、出力が高いもの程発光ストライプ幅
が大きい性質がある。
Next, in the conventional semiconductor laser plate making apparatus, the stripes of the semiconductor laser are directly imaged on the resin sheet on the printing plate to form a striped spot shape corresponding to the light emitting stripes. In a semiconductor laser, the emission stripe width generally increases with the output. For example, a near infrared laser diode manufactured by Sony Corporation, each having a line width of about 1 μm, and having an output of 1 [W], model number SILD
The emission stripe width of 323 (corresponding to the length of the stripe, but generally referred to as "stripe width") is 100.
[Μm], output 2 [W] model number SILD324 is 200
[Μm], output 3 [W] model number SILD325 is 500
As in [μm], the higher the output, the larger the emission stripe width.

【0031】一方、樹脂製シートに従来と同じ精度の凹
部を形成するには、樹脂製シート上で従来と同じ焦点ス
トライプ幅を実現しなければならない。従って、発光ス
トライプ幅の大きいレーザビームをその後段の光学系に
より補正しなければならず、必然的に光学系の変更を伴
うことになる。
On the other hand, in order to form the concave portion with the same precision as the conventional one on the resin sheet, it is necessary to realize the same focal stripe width as the conventional one on the resin sheet. Therefore, the laser beam having a large emission stripe width must be corrected by the optical system at the subsequent stage, and the optical system is inevitably changed.

【0032】半導体レーザから放射されるレーザビーム
のストライプ幅が大きくなればなるほど、無効ビームが
増加して焦点ストライプ幅を小さく絞るのが難しくな
り、このため所定のカップリング効率を得るには、その
分だけNAの値が大きいレンズ(即ち、明るいレンズ)
を用いた光学系が必要になる。
As the stripe width of the laser beam emitted from the semiconductor laser increases, the ineffective beam increases and it becomes more difficult to narrow the focal stripe width. Therefore, in order to obtain a predetermined coupling efficiency, A lens with a large NA value (that is, a bright lens)
An optical system using is required.

【0033】ここで、カップリング効率とは有効レーザ
ビームの割合をいい、実際にはコンピュータシミュレー
ションにより、半導体レーザの放射から樹脂製シートに
結像するまでのレーザビームの流れをコンピュータで作
画し、発光レーザビーム光量に対する結像レーザビーム
光量の割合を百分率で求めている。
Here, the coupling efficiency means the ratio of the effective laser beam. In practice, a computer simulation is used to draw the laser beam flow from the emission of the semiconductor laser to the image formation on the resin sheet by computer simulation. The ratio of the light amount of the imaging laser beam to the light amount of the emitted laser beam is calculated as a percentage.

【0034】また、NA(numerical aperture)とは開
口数ともいい、レンズなどを含む光学系の明るさと解像
力に関する光学性能を表す量の1つであり、光学系や光
学素子に入射,出射する光線束の最大錐角の半角の正弦
で表される。 NA=n・sinα ここで、n:物体空間の媒質の屈折率(通常、空気で
1) α:物体空間の媒質での最大錐角の半角
NA (numerical aperture) is also called a numerical aperture, and is one of the quantities representing the optical performance relating to the brightness and resolving power of an optical system including a lens, etc., and is a light beam entering or exiting an optical system or an optical element. It is represented by a half-angle sine of the maximum cone angle of the bundle. NA = n · sin α where n: refractive index of medium in object space (usually 1 in air) α: half-angle of maximum cone angle in medium in object space

【0035】例えば、図7に示す従来の光学系では半導
体レーザ10として出力2〔W〕(型番SLD324)
を使用すると、発光ストライプ幅は200μmである。
これを従来と同じ焦点ストライプ幅66.7μmにする
ため、光学系の各校学素子は次の仕様のものを使用して
いる。
For example, in the conventional optical system shown in FIG. 7, the semiconductor laser 10 has an output of 2 [W] (model number SLD324).
Is used, the emission stripe width is 200 μm.
In order to make this the same focal stripe width as the conventional one, 66.7 μm, each school element of the optical system has the following specifications.

【0036】 光学素子 特性値 コリメータレンズ50 焦点距離f1 =4.5mm,NA0.53 アナモルフィックプリズム51 倍率m=6倍 対物レンズ52 焦点距離f2 =9.0mm,NA0.50 Optical element characteristic value Collimator lens 50 Focal length f1 = 4.5 mm, NA0.53 Anamorphic prism 51 Magnification m = 6 times Objective lens 52 Focal length f2 = 9.0 mm, NA0.50

【0037】図7の光学系では、半導体レーザ10の発
光ストライプ幅と焦点ストライプ幅の関係として、次式
が成立する。 (焦点ストライプ幅)/(発光ストライプ幅)=(f2 /f1 )×(1/m )‥‥(1)
In the optical system of FIG. 7, the following equation holds as the relationship between the emission stripe width and the focal stripe width of the semiconductor laser 10. (Focus stripe width) / (Light emission stripe width) = (f2 / f1) × (1 / m) (1)

【0038】またこの光学系(出力2〔W〕の半導体レ
ーザ型番SLD324を使用。)のカップリング効率
を、シミュレーションにより求めると、95.2%とな
る。
Further, the coupling efficiency of this optical system (using a semiconductor laser model number SLD324 having an output of 2 [W]) is 95.2% when obtained by simulation.

【0039】ここで、出力2〔W〕の半導体レーザを出
力3〔W〕の半導体レーザ(型番SLD325)に変更
すると、発光スペクトル幅は200μmから500μm
に拡大し、従来と同じ焦点ストライプ幅66.7μmを
実現するには光学系を変更する必要がある。
When the semiconductor laser having an output of 2 [W] is changed to a semiconductor laser having an output of 3 [W] (model number SLD325), the emission spectrum width is 200 μm to 500 μm.
In order to achieve the same focal stripe width of 66.7 μm as before, it is necessary to change the optical system.

【0040】ここで、光学系を変更する際にその変更が
最小で済むように、コリメータレンズ50及びアナモル
フィックプリズム51は従来と同じものを使用し、対物
レンズのみ変更することにより対処することとする。従
来と同じ焦点ストライプ幅66.7μmを実現するに
は、式(1)より対物レンズの焦点距離f2 の要求仕様
は次のようになる。 焦点距離f2 =(焦点ストライプ幅×f1 ×アナモルフィックプリズムの倍率) ÷(発光ストライプ幅) =(66.7μm×4.5×6)/500μm =3.6mm
Here, the collimator lens 50 and the anamorphic prism 51 are the same as the conventional ones, and only the objective lens is changed so that the change can be minimized when changing the optical system. And In order to realize the same focal stripe width of 66.7 μm as in the conventional case, the required specification of the focal length f2 of the objective lens is as follows from the formula (1). Focal length f2 = (focus stripe width x f1 x anamorphic prism magnification) / (light emission stripe width) = (66.7 µm x 4.5 x 6) / 500 µm = 3.6 mm

【0041】この焦点距離f2 =3.6mmの対物レン
ズを組み込んだ光学系に関して、種々のNAの対物レン
ズに対応してカップリング効率をシミュレーションして
求めてみると、次のような結果が得られる。
With respect to the optical system incorporating the objective lens with the focal length f2 = 3.6 mm, the coupling efficiency is obtained by simulating the objective lens with various NAs, and the following results are obtained. To be

【0042】 半導体 対物レンズ 対物レンズのレーザ 焦点距離 NA(開口数) カップリング効率 パワー増加率 3W 3.6mm 0.5 46.9% 0.76*1 3W 3.6mm 0.7 72.5% 1.14*2 3W 3.6mm 0.9 87.5% 1.38*3 Semiconductor objective lens Laser focal length of objective lens NA (numerical aperture) Coupling efficiency Power increase rate 3W 3.6mm 0.5 46.9% 0.76 * 1 3W 3.6mm 0.7 72.5% 1.14 * 2 3W 3.6mm 0.9 87.5% 1.38 * 3

【0043】 注)パワー増加率の算出 *1…0.76=(3W×46.9%)/(2W×95.2%) *2…1.14=(3W×72.5%)/(2W×95.2%) *3…1.38=(3W×87.5%)/(2W×95.2%)Note) Calculation of power increase rate * 1 ... 0.76 = (3W × 46.9%) / (2W × 95.2%) * 2 ... 1.14 = (3W × 72.5%) / (2W × 95.2%) * 3 ... 1.38 = (3W × 87.5%) / (2W × 95.2%)

【0044】上の表に付いて説明を加える。現在、光デ
ィスク駆動装置等で使用されている対物レンズは最大で
NA 0.5程度である。1枚のレンズを使用した場合
は、NA 0.5程度が一番明るいレンズである。更に
NAが大きい0.7のレンズは従来顕微鏡等で使用され
ているが、1枚のレンズで構成することは難しく複数枚
の組み合わせレンズになる。更にNA 0.9のレンズ
となると、更に数多くの組み合わせレンズとなり、レン
ズの総厚も増し、その分重量が増加する。重量が重くな
ると、レーザ製版装置のレーザブロックとして、実際に
は使用できないものとなる。
A description will be added to the above table. At present, the maximum objective lens used in optical disk drive devices is about 0.5. When one lens is used, NA 0.5 is the brightest lens. Further, a 0.7 lens having a larger NA is conventionally used in a microscope or the like, but it is difficult to form one lens, and a plurality of combined lenses is used. Furthermore, if the lens has an NA of 0.9, the number of combined lenses will increase, and the total thickness of the lenses will increase, and the weight will increase accordingly. When the weight becomes heavy, it cannot be actually used as a laser block for a laser plate making device.

【0045】また、NA 0.5程度の対物レンズで
は、パワー増加率は0.74倍と実際には減少してお
り、レーザ出力の増加になっていない。しかし、NAが
大きくなるにつれ、レンズ自体の製造が難しくなり、製
造コストも高くなる。NAの大きいレンズは複数枚のレ
ンズの組み合わせとなり、寸法及びサイズが大きくなっ
て、レーザ製版装置のレーザブロックとして適さなくな
る。
Further, in the objective lens having NA of about 0.5, the power increase rate is 0.74 times, which is actually decreased, and the laser output is not increased. However, as the NA increases, it becomes difficult to manufacture the lens itself, and the manufacturing cost also increases. A lens having a large NA is a combination of a plurality of lenses, and the size and size increase, which makes it unsuitable as a laser block for a laser plate making apparatus.

【0046】更に、半導体レーザの発光ストライプのプ
ロファイルを変え、アレイ状に並べて高出力化した半導
体レーザ等も検討したが、原理的に使用出来なかった。
Further, a semiconductor laser or the like in which the output stripe profile of the semiconductor laser was changed to be arranged in an array to increase the output was examined, but it could not be used in principle.

【0047】上述の問題点に鑑みて、本発明は、レーザ
製版装置においてレーザブロックの寸法及び重量を軽減
することを目的とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to reduce the size and weight of a laser block in a laser plate making apparatus.

【0048】更に本発明は、半導体レーザの高出力化に
伴い、容易に冷却能力の高い半導体レーザ冷却装置が取
付可能なレーザ製版装置を提供することを目的とする。
A further object of the present invention is to provide a laser plate making apparatus to which a semiconductor laser cooling device having a high cooling capacity can be easily attached as the output power of the semiconductor laser increases.

【0049】更に本発明は、マルチビーム方式を採用す
るに際し、容易にビーム本数を増加することが出来るレ
ーザ製版装置を提供することを目的とする。
A further object of the present invention is to provide a laser plate making apparatus capable of easily increasing the number of beams when adopting the multi-beam method.

【0050】[0050]

【課題を解決するための手段】本発明にかかるレーザ製
版装置は、少なくとも半導体レーザを有する、固定され
た半導体レーザ部分と、レーザビーム照射箇所に対応し
て移動する結像光学系部分と、上記半導体レーザ部分と
上記結像光学系部分とを結合する光ファイバとを備えて
いる。この場合、上記半導体レーザに対して半導体レー
ザ冷却装置が付設することもできる。
A laser plate making apparatus according to the present invention comprises a fixed semiconductor laser portion having at least a semiconductor laser, an imaging optical system portion which moves corresponding to a laser beam irradiation position, and An optical fiber for connecting the semiconductor laser portion and the image forming optical system portion is provided. In this case, a semiconductor laser cooling device can be attached to the semiconductor laser.

【0051】更に本発明にかかるレーザ製版装置は、マ
ルチビーム方式を採用し、各々が少なくとも半導体レー
ザを有する、固定された複数個の半導体レーザ部分と、
上記複数個の半導体レーザ部分の各々に対応して設けら
れ、レーザビーム照射箇所に対応して移動する複数個の
結像光学系部分と、上記半導体レーザ部分の各々とこれ
に対応する上記結像光学系部分とを夫々結合する複数本
の光ファイバとを備えている。この場合、上記半導体レ
ーザの各々に対して半導体レーザ冷却装置が夫々付設す
ることもできる。
Further, the laser plate making apparatus according to the present invention adopts a multi-beam method, and includes a plurality of fixed semiconductor laser portions each having at least a semiconductor laser,
A plurality of image forming optical system portions provided corresponding to the plurality of semiconductor laser portions and moving corresponding to the laser beam irradiation location, and each of the semiconductor laser portions and the image forming corresponding thereto. And a plurality of optical fibers for respectively coupling the optical system part. In this case, a semiconductor laser cooling device may be attached to each of the semiconductor lasers.

【0052】本発明のレーザ製版装置は、移動部分とし
てレーザビームの結像光学系部分のみとして、半導体レ
ーザ部分は別個に配置していることより、移動部分の小
型化及び軽量化が図れる。半導体レーザ部分は移動部分
に存在しないことより、寸法及び重量の制限を受けず、
所望により、半導体レーザに対し一層高性能な半導体レ
ーザ冷却装置を付設することが可能となる。
In the laser plate making apparatus of the present invention, only the image forming optical system portion of the laser beam is arranged as the moving portion, and the semiconductor laser portion is separately arranged, so that the moving portion can be made compact and lightweight. Since the semiconductor laser part does not exist in the moving part, it is not limited in size and weight,
If desired, a semiconductor laser cooling device with higher performance can be attached to the semiconductor laser.

【0053】[0053]

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用するに最適な
レーザ製版装置及び製版方法の実施の態様について、添
付の図面を参照しながら説明する。なお、同一の要素に
対しては同じ参照符号を付して、重複した説明を省略す
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a laser plate making apparatus and a plate making method which are suitable for applying the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.

【0054】〔レーザ製版装置の一実施例〕図1は、本
実施例にかかるレーザ製版装置の要部を示す図である。
本実施例は、従来のレーザ製版装置のレーザブロック
を、半導体レーザ部分31とレーザビームを結像する光
学系部分30とに分離し、両部分を光ファイバ72によ
り結合させたことを特徴としている。
[One Embodiment of Laser Plate Making Apparatus] FIG. 1 is a diagram showing a main part of a laser plate making apparatus according to this embodiment.
This embodiment is characterized in that the laser block of the conventional laser plate making apparatus is separated into a semiconductor laser portion 31 and an optical system portion 30 for focusing a laser beam, and both portions are coupled by an optical fiber 72. .

【0055】図に示すように、レーザブロック移動用モ
ータ24にボールネジ26が駆動連結されている。ボー
ルネジ26には移動子27が螺着され、ボールネジ26
の回転運動によりC方向又はD方向に向かって直線的に
移動する。移動子28には、移動ステージ28が接続さ
れている。移動ステージ28には、従来のレーザブロッ
クの内、結像光学系部分30のみが固定されている。こ
の結像光学系部分30は、コリメータレンズ,対物レン
ズ及び対物レンズ等が含まれている。
As shown in the figure, a ball screw 26 is drivingly connected to the laser block moving motor 24. A mover 27 is screwed onto the ball screw 26,
It moves linearly in the C direction or the D direction by the rotational movement of. The moving stage 28 is connected to the mover 28. Of the conventional laser block, only the imaging optical system portion 30 is fixed to the moving stage 28. The image forming optical system portion 30 includes a collimator lens, an objective lens, an objective lens, and the like.

【0056】一方、残りの半導体レーザ部分31は、移
動ステージ28上には存在しなく、例えばレール22の
端部に配置されている。半導体レーザ部分31には、半
導体レーザ10,半導体レーザ冷却装置70等が含まれ
ているが、半導体レーザ10は半導体レーザ冷却装置7
0の向こう側に隠れて図には現れていない。
On the other hand, the remaining semiconductor laser portion 31 does not exist on the moving stage 28 but is arranged at the end of the rail 22, for example. The semiconductor laser portion 31 includes the semiconductor laser 10 and the semiconductor laser cooling device 70. The semiconductor laser 10 includes the semiconductor laser cooling device 7 and the like.
It is hidden behind 0 and does not appear in the figure.

【0057】この半導体レーザ部分31は光ファイバコ
ネクタ70-1を介して光ファイバ72の一端に接続され
ている。光ファイバ72の他端は、光ファイバコネクタ
71-2を介して結像光学系部分30に接続されている。
光ファイバ72の長さは、版胴軸方向の製版幅より長く
してある。
This semiconductor laser portion 31 is connected to one end of an optical fiber 72 via an optical fiber connector 70-1. The other end of the optical fiber 72 is connected to the imaging optical system portion 30 via an optical fiber connector 71-2.
The length of the optical fiber 72 is longer than the plate-making width in the axial direction of the plate cylinder.

【0058】図2(1)は、半導体レーザ部分31及び
結像光学系部分30の詳細を示す図であり、図2(2)
は結像光学系部分30の詳細を示す図である。図2
(1)に示すように、半導体レーザ部分31は、半導体
レーザ10と、半導体レーザ冷却装置(ヒートシンク)
70とを有する。
FIG. 2 (1) is a diagram showing details of the semiconductor laser portion 31 and the imaging optical system portion 30, and FIG.
FIG. 3 is a diagram showing details of an imaging optical system portion 30. FIG.
As shown in (1), the semiconductor laser portion 31 includes the semiconductor laser 10 and a semiconductor laser cooling device (heat sink).
70.

【0059】結像光学系部分30は、コリメータレンズ
50と、対物レンズ52と、カバーガラス53とを有す
る。
The image forming optical system portion 30 has a collimator lens 50, an objective lens 52, and a cover glass 53.

【0060】半導体レーザ10に対して、光ファイバコ
ネクタ71-1を介して光ファイバ72の一端が接続され
ている。光ファイバ72の他端は光ファイバコネクタ7
1-2を介して結像光学系部分30に、光ファイバ72の
端部がコリメータレンズ50に対し光学的に整合するよ
うに、接続されている。
One end of an optical fiber 72 is connected to the semiconductor laser 10 via an optical fiber connector 71-1. The other end of the optical fiber 72 is the optical fiber connector 7
The end of the optical fiber 72 is connected to the imaging optical system portion 30 via 1-2 so that the end portion of the optical fiber 72 is optically aligned with the collimator lens 50.

【0061】半導体レーザから発光されたレーザビーム
は、光ファイバコネクタ71-1から光ファイバ72に入
射し、光ファイバ72によって導かれて光ファイバコネ
クタ71-2から出射し、結像光学部に入射する。この
時、図1のレーザ製版装置の移動ステージ28に取り付
けられているのは、図2(1)に示す結像光学系部分3
0のみであり、従来の製版装置(図6)に比較して小型
化され又軽量化されている。
The laser beam emitted from the semiconductor laser enters the optical fiber 72 from the optical fiber connector 71-1, is guided by the optical fiber 72, exits from the optical fiber connector 71-2, and enters the imaging optical section. To do. At this time, what is attached to the moving stage 28 of the laser plate making apparatus of FIG. 1 is the imaging optical system part 3 shown in FIG.
Only 0, which is smaller and lighter than the conventional plate making apparatus (FIG. 6).

【0062】また、レーザビームのビームプロファイル
に関しては、光ファイバ72から出射したレーザビーム
のパターン(例えば、2Wの型番SLD324では20
0μm×1μmのP偏光のストライプ)は、光ファイバ
72で導かれる途中でモード変換される。即ち、レーザ
ビームのパターンが、半導体レーザの放射レーザビーム
の特性に依存せず、光ファイバ72のコア径とNAによ
って決まるため、このレーザ製版装置に使用する半導体
レーザの選択の幅が広くなり、レーザ製版装置として性
能向上の可能性が高くなるという利点がある。
As for the beam profile of the laser beam, the pattern of the laser beam emitted from the optical fiber 72 (for example, 20 W for the model SLD324 of 2 W) is used.
The 0 μm × 1 μm P-polarized stripe) is mode-converted while being guided by the optical fiber 72. That is, since the pattern of the laser beam does not depend on the characteristics of the emitted laser beam of the semiconductor laser and is determined by the core diameter and NA of the optical fiber 72, the range of selection of the semiconductor laser used in this laser plate making apparatus becomes wide, As a laser plate making apparatus, there is an advantage that the possibility of performance improvement is high.

【0063】図2(2)に、光ファイバ72以降の光学
系の詳細を示す。光ファイバ72から出射したレーザビ
ームはコリメータレンズ50により平行光にコリメート
され、対物レンズ52で集束され、カバーガラス53を
通して樹脂製シート2に結像する。今回の試作では、各
光学素子は次の使用のものを使用した。
FIG. 2B shows the details of the optical system after the optical fiber 72. The laser beam emitted from the optical fiber 72 is collimated into parallel light by the collimator lens 50, focused by the objective lens 52, and focused on the resin sheet 2 through the cover glass 53. In this prototype, the following optical elements were used.

【0064】 光ファイバ72…ソニー株式会社製型番SLU304XR, GI(great index )形ファイバ,コア径 400μm, NA=0.2,L(長さ)=2m コリメータレンズ50…EFL(有効焦点距離effective focal length) =24mm,NA=0.2 対物レンズ52…EFL=24mm,NA=0.2Optical fiber 72 ... Sony Corporation model number SLU304XR, GI (great index) type fiber, core diameter 400 μm, NA = 0.2, L (length) = 2 m Collimator lens 50 ... EFL (effective focal length effective focal length) length) = 24 mm, NA = 0.2 Objective lens 52 ... EFL = 24 mm, NA = 0.2

【0065】この時の、スポット径dは光ファイバ72
のコア径に依存する。 スポット径d=ファイバコア径×(対物レンズEFL/コリメータEFL) =400μm×(3mm/24mm) =50μm
At this time, the spot diameter d is the optical fiber 72.
Depends on the core diameter. Spot diameter d = fiber core diameter × (objective lens EFL / collimator EFL) = 400 μm × (3 mm / 24 mm) = 50 μm

【0066】スポット径dは50μmとなり、従来のレ
ーザ製版装置における焦点ストライプ幅66.7μmに
略等しくなる。
The spot diameter d is 50 μm, which is approximately equal to the focal stripe width 66.7 μm in the conventional laser plate making apparatus.

【0067】このように半導体レーザの放射ビームの特
性に依存しないので、、例えば、半導体レーザとして、
ソニー株式会社製近赤外レーザダイオード型番SLD4
02の出力15〔W〕のレーザダイオード、米国カリフ
ォルニア州所在のSDL,Inc.製型番DL3450
ーSの出力15〔W〕のリニアアレー・レーザダイオー
ド、同社製型番DL3460ーSの出力20〔W〕のリ
ニアアレー・レーザダイオード、或いは分岐ファイバで
複数個のレーザダイオードを結合したタイプの半導体レ
ーザ等を採用することが可能になる。いずれの半導体レ
ーザも、同じ光ファイバ72を使用し、結像光学系部分
30の変更を伴わずに、採用することが出来る。
As described above, since it does not depend on the characteristics of the radiation beam of the semiconductor laser, for example, as a semiconductor laser,
Near infrared laser diode manufactured by Sony Corporation Model number SLD4
02 laser diode with an output of 15 [W], SDL, Inc. of California, USA. Model number DL3450
-S output linear array laser diode with 15 [W] output, company's model number DL3460-S output 20 [W] linear array laser diode, or semiconductor laser of the type in which a plurality of laser diodes are connected by a branch fiber It becomes possible to adopt. The same optical fiber 72 can be used for both semiconductor lasers without changing the imaging optical system part 30.

【0068】〔マルチビーム方式レーザ製版装置〕図3
は、本発明をマルチビーム方式レーザ製版装置に適用し
た実施例である。ボールネジ26に対して移動子27が
螺着され、ボールネジ26の回転により移動子26は直
線的に移動する。移動子26に対し、10個の移動ステ
ージ28-1〜28-10 が一体となって接続している。移
動ステージ28-1〜28-10 に対して、結像光学系部分
30-1〜30-10 が夫々搭載されている。結像光学系部
分30-1〜30-10 から光ファイバコネクタを介して光
ファイバ72-1〜72-10 の一端が夫々接続されてい
る。光ファイバ72-1〜72-10 の他端は、光ファイバ
コネクタを介して半導体レーザに夫々接続されている。
半導体レーザには、これを冷却する半導体レーザ冷却装
置70-1〜70-10 が夫々付設されている。半導体レー
ザ冷却装置70-1〜70-10 は、レーザ製版装置の任意
の箇所に固定してよい。図3のマルチビーム方式の実施
例は、図1のシングルビーム方式のレーザ製版装置に関
連して説明した効果を全て有し、これに加えて製版時間
が短縮されるという効果を有する。
[Multi-Beam Laser Plate Making Apparatus] FIG. 3
Is an embodiment in which the present invention is applied to a multi-beam type laser plate making apparatus. The mover 27 is screwed onto the ball screw 26, and the mover 26 moves linearly by the rotation of the ball screw 26. Ten moving stages 28-1 to 28-10 are integrally connected to the mover 26. Imaging optical system portions 30-1 to 30-10 are mounted on the moving stages 28-1 to 28-10, respectively. One ends of the optical fibers 72-1 to 72-10 are connected to the imaging optical system portions 30-1 to 30-10 via optical fiber connectors, respectively. The other ends of the optical fibers 72-1 to 72-10 are connected to the semiconductor laser via an optical fiber connector, respectively.
Semiconductor laser cooling devices 70-1 to 70-10 for cooling the semiconductor laser are attached to the semiconductor laser, respectively. The semiconductor laser cooling devices 70-1 to 70-10 may be fixed to any position of the laser plate making device. The multi-beam type embodiment shown in FIG. 3 has all the effects described in connection with the single-beam type laser plate making apparatus shown in FIG. 1, and additionally has the effect that the plate making time is shortened.

【0069】〔実施例の効果〕本実施例にかかるレーザ
製版装置によれば、半導体レーザ及び光学系の内、レー
ザ移動ステージ28には結像光学系を有するレーザブロ
ック21のみを搭載すればよいので、移動部分の寸法及
び重量を減少することが出来る。移動部分の重量の減少
により、移動時の慣性の問題が実質的になくなる。
[Effects of Embodiment] According to the laser plate making apparatus of this embodiment, of the semiconductor laser and the optical system, only the laser block 21 having the imaging optical system needs to be mounted on the laser moving stage 28. Therefore, the size and weight of the moving part can be reduced. The reduced weight of the moving parts substantially eliminates inertial problems during transfer.

【0070】半導体レーザを、移動部分とは別の箇所に
配置することが出来、このため半導体レーザ冷却装置の
寸法に制約が無くなり、冷却能力の大きいものを使用で
きる。冷却能力が大きくなれば、その反射的効果として
一層高出力の半導体レーザを使用することが出来ること
になり、製版速度の更に高速化を達成できる。
The semiconductor laser can be arranged at a position different from the moving part, so that there is no restriction on the size of the semiconductor laser cooling device and a device having a large cooling capacity can be used. If the cooling capacity is increased, a semiconductor laser having a higher output can be used as a reflective effect, and the plate making speed can be further increased.

【0071】半導体レーザと結像光学系の間を光ファイ
バで接続しているので、焦点スポット径が半導体レーザ
の特性に依存せず、光ファイバのコア径及び結像光学系
により決まるため、種々の半導体レーザが使用できる。
Since the semiconductor laser and the imaging optical system are connected by the optical fiber, the focal spot diameter does not depend on the characteristics of the semiconductor laser, but is determined by the core diameter of the optical fiber and the imaging optical system. The semiconductor laser of can be used.

【0072】また、移動部分のサイズの減少により版胴
周囲の設計の自由度が増し、マルチビーム方式において
も従来より一層ビーム数の多いマルチビーム方式を採用
することが出来る。
Further, since the size of the moving portion is reduced, the degree of freedom in designing the periphery of the plate cylinder is increased, and it is possible to adopt a multi-beam system having a larger number of beams than the conventional one.

【0073】半導体レーザ10と結像光学系との間に光
ファイバ28を介在させることにより、半導体レーザ1
0の発光パターンに無関係となり、現在市販されている
種々の高出力半導体レーザの採用が出来る利益がある。
By interposing the optical fiber 28 between the semiconductor laser 10 and the imaging optical system, the semiconductor laser 1
There is an advantage that various high-power semiconductor lasers currently on the market can be adopted regardless of the emission pattern of 0.

【0074】又、所望により、半導体レーザ10と結像
光学系とを結ぶ光ファイバ28を分岐させることによ
り、分岐された光ファイバの先端にに例えばモニタ等を
接続することにより、製版時の樹脂製シートの凹部を確
認しながら製版工程を進めることが出来る。
If desired, by branching the optical fiber 28 connecting the semiconductor laser 10 and the imaging optical system, a monitor or the like may be connected to the tip of the branched optical fiber, so that the resin for platemaking can be obtained. It is possible to proceed with the plate making process while checking the concave portions of the sheet making sheet.

【0075】[0075]

【発明の効果】本発明によれば、レーザ製版装置におい
てレーザブロックの小型化及び軽量化が出来る利益があ
る。
According to the present invention, there is an advantage that the size and weight of the laser block can be reduced in the laser plate making apparatus.

【0076】更に本発明によれば、半導体レーザの高出
力化に伴い、容易に冷却能力の高い半導体レーザ冷却装
置が取付可能なレーザ製版装置を提供できる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a laser plate making apparatus to which a semiconductor laser cooling device having a high cooling capacity can be easily attached as the output power of the semiconductor laser increases.

【0077】更に本発明によれば、マルチビーム方式を
採用するに際し、ビーム本数を増加したレーザ製版装置
を提供できる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a laser plate making apparatus in which the number of beams is increased when the multi-beam method is adopted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかるレーザ製版装置の一実施例の要
部を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a main part of an embodiment of a laser plate making apparatus according to the present invention.

【図2】図2(1)は、図1のレーザ製版装置のレーザ
ブロックの一例を示す図である。図2(2)は、図
(1)の結像光学系部分の詳細を示す図である。
FIG. 2A is a diagram showing an example of a laser block of the laser plate making apparatus of FIG. FIG. 2B is a diagram showing details of the imaging optical system portion of FIG.

【図3】本発明にかかるマルチビーム方式レーザ製版装
置の実施例の要部を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a main part of an embodiment of a multi-beam type laser plate making apparatus according to the present invention.

【図4】レーザ製版装置の全体の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the overall configuration of a laser plate making apparatus.

【図5】図4のレーザ製版装置の主要ブロックを示す図
である。
5 is a diagram showing main blocks of the laser plate making apparatus of FIG.

【図6】シングルビーム方式で2ワット光出力の半導体
レーザを使用した従来のレーザ製版装置の要部を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing a main part of a conventional laser plate making apparatus using a semiconductor laser having a single beam method and a light output of 2 watts.

【図7】図6のレーザブロックの断面構造を示す図であ
る。
7 is a diagram showing a cross-sectional structure of the laser block of FIG.

【図8】従来のマルチビーム方式のレーザ製版装置を示
す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a conventional multi-beam type laser plate making apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 版胴部 2 樹脂製シート 4 軸 7 版胴回転駆動用モータ 10 半導体レーザ 21 レーザ光学系 22 レール 23R,23L 軸受部 24 レーザブロック移動用モータ 26 ボールネジ 27 移動子 28 移動ステージ 30 結像光学系部分 31 半導体レーザ部分 32 マイクロコンピュータ(CPU) 35 版胴回転用ドライバ(版胴回転用駆動装置) 38 RAM 42 ガンマテーブル 50 コリメータレンズ 51 アナモルフィックプリズム 52 対物レンズ 53 カバーガラス(CG) 70 半導体レーザ冷却装置(ヒートシンク) 71,71-1,71-2 光ファイバコネクタ 72 光ファイバ 1 plate body 2 resin sheet 4 axis 7 plate cylinder rotation drive motor 10 semiconductor laser 21 laser optical system 22 rails 23R, 23L bearing part 24 laser block moving motor 26 ball screw 27 mover 28 moving stage 30 imaging optical system Part 31 Semiconductor laser part 32 Microcomputer (CPU) 35 Driver for plate cylinder rotation (drive device for plate cylinder rotation) 38 RAM 42 Gamma table 50 Collimator lens 51 Anamorphic prism 52 Objective lens 53 Cover glass (CG) 70 Semiconductor laser Cooling device (heat sink) 71, 71-1, 71-2 Optical fiber connector 72 Optical fiber

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ製版装置において、 少なくとも半導体レーザを有する固定された半導体レー
ザ部分と、 レーザビーム照射箇所に対応して移動する結像光学系部
分と、 上記半導体レーザ部分と上記結像光学系部分とを結合す
る光ファイバとを備えたことを特徴とするレーザ製版装
置。
1. In a laser plate making apparatus, a fixed semiconductor laser portion having at least a semiconductor laser, an imaging optical system portion that moves corresponding to a laser beam irradiation position, the semiconductor laser portion and the imaging optical system. A laser plate making apparatus, comprising: an optical fiber for connecting a portion to the plate.
【請求項2】 請求項1に記載のレーザ製版装置におい
て、 上記結像光学系部分は、少なくともコリメータレンズ及
び対物レンズを有するレーザ製版装置。
2. The laser plate making apparatus according to claim 1, wherein the imaging optical system portion has at least a collimator lens and an objective lens.
【請求項3】 請求項1に記載のレーザ製版装置におい
て、 上記半導体レーザに対して半導体レーザ冷却装置が付設
されているレーザ製版装置。
3. The laser plate making apparatus according to claim 1, wherein a semiconductor laser cooling device is attached to the semiconductor laser.
【請求項4】 レーザ製版装置において、 各々が少なくとも半導体レーザを有する、固定された複
数個の半導体レーザ部分と、 上記複数個の半導体レーザ部分の各々に対応して設けら
れ、レーザビーム照射箇所に対応して移動する複数個の
結像光学系部分と、 上記半導体レーザ部分の各々とこれに対応する上記結像
光学系部分とを夫々結合する複数本の光ファイバとを備
えたことを特徴とするレーザ製版装置。
4. A laser plate making apparatus, comprising: a plurality of fixed semiconductor laser portions each having at least a semiconductor laser; and a plurality of semiconductor laser portions provided corresponding to each of the plurality of semiconductor laser portions. A plurality of image-forming optical system parts that move correspondingly; and a plurality of optical fibers that respectively couple each of the semiconductor laser parts and the corresponding image-forming optical system parts. Laser plate making equipment.
【請求項5】 請求項4に記載のレーザ製版装置におい
て、 上記半導体レーザの各々に対して半導体レーザ冷却装置
が夫々付設されているレーザ製版装置。
5. The laser plate making apparatus according to claim 4, wherein a semiconductor laser cooling device is attached to each of the semiconductor lasers.
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