JPH09102685A - Heat radiating structure of electronic device - Google Patents

Heat radiating structure of electronic device

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JPH09102685A
JPH09102685A JP7284403A JP28440395A JPH09102685A JP H09102685 A JPH09102685 A JP H09102685A JP 7284403 A JP7284403 A JP 7284403A JP 28440395 A JP28440395 A JP 28440395A JP H09102685 A JPH09102685 A JP H09102685A
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heat
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heat dissipation
shield case
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat radiating structure for an electronic equipment capable of reducing man-hours and cost for assembly and reliably radiating heat regardless of the type and loading state of electronic elements. SOLUTION: Current passes are formed and are arranged with slit-shaped intervals (insulating slit portion IS) for live part conductor pattern C1 coupled electrically and thermally to heating type electronic element PH and also to live part conductor pattern C1, and heat generated in electronic elements dispersed in a substrate 2 near the insulating slit portion IS from the live part conductor pattern C1 is led to themselves by forming heat conducting pattern C2 on the substrate 2. Then, the heat conducting pattern C2 and the shield case 1 are soldered when the substrate 2 is housed in the shield case 1, and the two elements are thermally bridged by the solder SOL.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、内部に発熱性の電
子素子を有する電子装置における、基板の導体パターン
を導熱手段として利用した放熱構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat dissipating structure using a conductor pattern of a substrate as a heat conducting means in an electronic device having a heat generating electronic element therein.

【0002】[0002]

【従来の技術】小型化された電子装置の一例として、一
つの機能回路をコンパクトにまとめ上げ、その機能回路
をパッケージに収めて構成した複合電子部品が数多く存
在する。その中で、トランジスタ等の発熱性素子を内部
に有する場合には、その放熱対策が問題となる。この放
熱対策には、パッケージの外へ放熱するための放熱手段
が必要であり、場合によってはさらに、電子素子に発生
した熱を放熱手段に導く導熱手段が必要となる。従来の
複合電子部品では、パッケージ用のシールドケースに電
子素子に発生した熱を導き、シールドケースを放熱板と
して使用するものが多い。このようなシールドケースを
電子素子の放熱手段に利用した複合電子部品の例とし
て、以下のような放熱構造を有するものが存在する。
2. Description of the Related Art As an example of a miniaturized electronic device, there are many composite electronic components in which one functional circuit is compactly assembled and the functional circuit is housed in a package. Among them, when a heat-generating element such as a transistor is provided inside, heat dissipation measures thereof become a problem. This heat dissipation measure requires a heat dissipation means for dissipating the heat to the outside of the package, and in some cases, a heat conduction means for guiding the heat generated in the electronic element to the heat dissipation means. In many conventional composite electronic components, heat generated in an electronic element is guided to a shield case for a package and the shield case is used as a heat dissipation plate. As an example of a composite electronic component using such a shield case as a heat radiating means of an electronic element, there is one having the following heat radiating structure.

【0003】放熱対策を必要とする素子によって様々な
放熱構造が採られるが、発熱性素子としてパワートラン
ジスタを想定すると、図7に示すような放熱構造がよく
用いられていた。図7において、基板2には各種の電子
素子PE及び発熱性の電子素子PH(パワートランジス
タ)が搭載されて機能回路が構成されている。パワート
ランジスタPHはその長いリードにより基板2の表面よ
り高い位置に持ち上げられ、さらにそのリードが折り曲
げられて本体が基板2と平行になっている。そして基板
2がシールドケース1に収納された時、パワートランジ
スタPHは、その本体の広い一面が天井板と接合するよ
うになされている。
Although various heat dissipation structures are adopted depending on the element requiring heat dissipation measures, assuming a power transistor as the heat generating element, the heat dissipation structure as shown in FIG. 7 has been often used. In FIG. 7, various electronic elements PE and a heat generating electronic element PH (power transistor) are mounted on the substrate 2 to form a functional circuit. The power transistor PH is lifted to a position higher than the surface of the substrate 2 by the long lead, and the lead is bent so that the main body is parallel to the substrate 2. Then, when the substrate 2 is housed in the shield case 1, the power transistor PH is configured such that a wide surface of its main body is joined to the ceiling plate.

【0004】ここで、パワートランジスタPHからシー
ルドケース1へ熱の伝導が良好に行われるよう、パワー
トランジスタPHとシールドケース1との間に導熱性の
高い接着剤を塗布したり、ネジとナットによりパワート
ランジスタPHとシールドケース1を共締めして密着さ
せるという施策を行うことになる。このような図7に示
す放熱構造では、パワートランジスタPHに発生した熱
は、直接にシールドケース1に伝導し、そしてシールド
ケース1の外面より大気中へ放熱が行われることにな
る。なお、複合電子部品を母基板の回路パターンに接続
するために、基板2に設けられる端子ピンや、シールド
ケース1の開口部を塞ぐケース蓋については図示を省略
した。以下に説明する図についても同様とする。
Here, in order to ensure good heat conduction from the power transistor PH to the shield case 1, an adhesive agent having high heat conductivity is applied between the power transistor PH and the shield case 1, or a screw and a nut are used. The measure is to tighten the power transistor PH and the shield case 1 together to bring them into close contact. In the heat dissipation structure shown in FIG. 7, the heat generated in the power transistor PH is directly conducted to the shield case 1, and is dissipated from the outer surface of the shield case 1 to the atmosphere. Illustration of the terminal pins provided on the substrate 2 and the case lid that closes the opening of the shield case 1 in order to connect the composite electronic component to the circuit pattern of the mother board is omitted. The same applies to the figures described below.

【0005】図7に示す放熱構造では、シールドケース
1とパワートランジスタPHを接続するためにパワート
ランジスタPHに長いリードが必要である。しかし近年
においては面接続タイプの素子が数多く出現しており、
面接続型のパワートランジスタには図7の放熱構造は不
向きである。そこで面接続型のパワートランジスタに対
しては図8に示すような放熱構造が提案されている。図
8において、基板2の表面には電流路を形成する導体パ
ターンC1が存在し、その上にパワートランジスタPH
が搭載され、導体パターンC1とパワートランジスタP
Hのコレクタ(下面金属部)が電気的に接続されてい
る。基板2をシールドケース1に収納するのに際して
は、パワートランジスタPHとシールドケース1の天井
板との間にバネ性を有する導熱部品4を挟み込む。する
と導熱部品4は自身の有する復元力によってパワートラ
ンジスタPH及びシールドケース1の天井板と密着する
ことになる。
In the heat dissipation structure shown in FIG. 7, the power transistor PH needs a long lead in order to connect the shield case 1 and the power transistor PH. However, in recent years, many surface connection type devices have appeared,
The heat dissipation structure shown in FIG. 7 is not suitable for a surface connection type power transistor. Therefore, a heat dissipation structure as shown in FIG. 8 has been proposed for the surface connection type power transistor. In FIG. 8, a conductor pattern C1 forming a current path exists on the surface of the substrate 2, and the power transistor PH is formed on the conductor pattern C1.
Is mounted, the conductor pattern C1 and the power transistor P
The H collector (lower surface metal part) is electrically connected. When housing the substrate 2 in the shield case 1, the heat conducting component 4 having a spring property is sandwiched between the power transistor PH and the ceiling plate of the shield case 1. Then, the heat conducting component 4 comes into close contact with the power transistor PH and the ceiling plate of the shield case 1 due to its own restoring force.

【0006】このような図8に示す放熱構造では、パワ
ートランジスタPHに発生した熱は、導熱部品4を通っ
てシールドケース1に伝導し、シールドケース1の外面
より大気中へ放熱される。さらに、面接続型のパワート
ランジスタに適用し得る他の放熱構造としては、パワー
トランジスタが搭載される基板に熱伝導性の高い材質を
使用するというのも存在する(図示せず)。この場合に
は、パワートランジスタPHに発生した熱は導体パター
ンを介して基板へ伝わり、さらに基板からシールドケー
スへ導かれ、シールドケースより放熱が行われることに
なる。
In the heat dissipation structure shown in FIG. 8, the heat generated in the power transistor PH is conducted to the shield case 1 through the heat conducting component 4, and is radiated from the outer surface of the shield case 1 to the atmosphere. Further, as another heat dissipation structure applicable to the surface connection type power transistor, there is also a material (not shown) having a high thermal conductivity used for the substrate on which the power transistor is mounted. In this case, the heat generated in the power transistor PH is transmitted to the substrate via the conductor pattern, is further guided from the substrate to the shield case, and is radiated from the shield case.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】先ず図7に示す放熱構
造では、パワートランジスタに長いリードが必要とな
る。これに加えて、パワートランジスタPHとシールド
ケース1の間に良好な熱伝導を得るためには、以下の点
についても考慮する必要がある。すなわち、パワートラ
ンジスタPHとシールドケース1の接触面が平行に接合
されるよう、パワートランジスタPHのリードの取付長
さや屈曲位置を正確に設定する必要が有り、またネジと
ナットにより共締めする場合には、さらにパワートラン
ジスタPHとシールドケース1に設けられているネジを
挿入するための貫通孔の位置を合わせなければならな
い。現実の機械加工においては、接合や屈曲加工につい
ては他の機械加工に比べて高い加工精度を得るのが困難
であるが、図7に示す放熱構造では接合や屈曲加工に高
い加工精度が要求され、さらにこれに加えて接着剤ある
いはネジ、ナットを必要とするため、コスト及び組立工
数の増加が避けられなかった。
First, in the heat dissipation structure shown in FIG. 7, long leads are required for the power transistor. In addition to this, in order to obtain good heat conduction between the power transistor PH and the shield case 1, the following points must be taken into consideration. That is, it is necessary to accurately set the mounting length and bending position of the leads of the power transistor PH so that the contact surfaces of the power transistor PH and the shield case 1 are joined in parallel, and when tightening together with screws and nuts. In addition, the positions of the power transistor PH and the through hole for inserting the screw provided in the shield case 1 must be aligned. In actual machining, it is difficult to obtain high processing accuracy in joining and bending as compared with other machining, but the heat dissipation structure shown in FIG. 7 requires high processing accuracy in joining and bending. In addition to this, an adhesive, a screw, and a nut are required in addition to this, so that an increase in cost and assembling man-hours cannot be avoided.

【0008】次に図8に示す放熱構造では、独立した部
品である導熱部品4の要求によりコスト及び組立工数が
増加することになる。また実際の製品製造においては、
バネ性を有する導熱部品4は、完成時においてこそシー
ルドケース1とパワートランジスタPHに自身の復元力
で密着するが、組み立て時にはその一方の端面をシール
ドケース1あるいはパワートランジスタPHに固定する
必要があり、通常はシールドケース1側に固定されるこ
とになる。ここで、面接続型の素子の場合には、素子を
基板上へのマウントする時や半田付けを行う時に位置ズ
レ等が発生することがある。これが極端な場合には、シ
ールドケース1に固定された導熱部品4とパワートラン
ジスタ1との間の接触が充分に得られなくなる恐れがあ
り、素子の位置ズレを考慮した余裕のある導熱部品4を
使用する必要がある。
Next, in the heat radiation structure shown in FIG. 8, the cost and the number of assembling steps increase due to the requirement of the heat conducting component 4 which is an independent component. In actual product manufacturing,
The heat-conducting component 4 having a spring property is brought into close contact with the shield case 1 and the power transistor PH by its own restoring force at the time of completion, but at the time of assembly, one end face thereof needs to be fixed to the shield case 1 or the power transistor PH. Normally, it will be fixed to the shield case 1 side. Here, in the case of a surface connection type element, a positional shift or the like may occur when the element is mounted on a substrate or when soldering is performed. In the extreme case, there is a possibility that contact between the heat conducting component 4 fixed to the shield case 1 and the power transistor 1 may not be sufficiently obtained, so that the heat conducting component 4 having a margin in consideration of the positional deviation of the element should be provided. Need to use.

【0009】基板に熱伝導性の高い材質のものを使用す
る放熱構造では、組立工数が増加しない点で他の放熱構
造より格段にすぐれている。しかしその材質の特殊性に
より基板自体の単価が高く、それがために製品全体のコ
スト上昇を招いていた。従って本発明は、発熱性を有す
る電子素子の形式に関わらず使用可能であり、電子素子
の基板上への搭載状態(位置ズレ等)に関わらず確実に
導熱・放熱し得るものであり、かつ、組立工数の増加を
極力抑え、コスト低減を図れる電子装置の放熱構造を提
供することを目的とする。
The heat dissipation structure using a material having a high heat conductivity for the substrate is far superior to other heat dissipation structures in that the number of assembling steps does not increase. However, the unit price of the substrate itself is high due to the peculiarity of the material, which causes the cost increase of the entire product. Therefore, the present invention can be used regardless of the type of electronic element having heat generation property, and can reliably conduct heat and radiate regardless of the mounting state (positional deviation, etc.) of the electronic element on the substrate, and An object of the present invention is to provide a heat dissipation structure for an electronic device, which can suppress the increase in the number of assembly steps as much as possible and can reduce the cost.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に電子
素子を搭載して機能回路を構成し、該基板をシールドケ
ースあるいはそれに類する箱体に収納してなる電子装置
において、発熱性を有する電子素子の端子と電気的、熱
的に結合された電流路を形成する第1の導体パターン、
第1の導体パターンと同じ基板面に第1の導体パターン
にスリット状の間隔を隔てて設けられ、このスリット状
の間隔により第1の導体パターンと電気的には隔絶され
るが熱的には結合し、第1の導体パターンから基板中に
拡散する電子素子に発生した熱を自らに導く第2の導体
パターン、第1の導体パターンと対向する基板面に設け
られ、第1の導体パターンから基板中に拡散する電子素
子に発生した熱を自らに導く第3の導体パターンのう
ち、第1の導体パターンと、少なくとも第2あるいは第
3の導体パターンの一方を基板上に形成し、さらに、第
2あるいは第3の導体パターンを放熱用手段と熱的に結
合させる事を特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an electronic device in which an electronic element is mounted on a substrate to form a functional circuit, and the substrate is housed in a shield case or a similar box body to provide a heat generating property. A first conductor pattern forming a current path electrically and thermally coupled to a terminal of the electronic element having
The first conductor pattern is provided on the same substrate surface as the first conductor pattern with a slit-shaped interval, and is electrically isolated from the first conductor pattern by the slit-shaped interval, but is thermally separated. A second conductor pattern, which is coupled to and guides heat generated in the electronic element diffused from the first conductor pattern into the substrate to the second conductor pattern, which is provided on the substrate surface opposite to the first conductor pattern. Of the third conductor pattern that guides the heat generated in the electronic element diffused in the substrate to itself, the first conductor pattern and at least one of the second and third conductor patterns are formed on the substrate, and further, It is characterized in that the second or third conductor pattern is thermally coupled to the heat radiation means.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】発熱性素子であるパワートランジ
スタPHの端子と電気的に接続される充電部導体パター
ンC1は、パワートランジスタPHと充分な熱的な結合
を得るために、その接触面積が大きくなるよう基板上に
形成する。第1の実施の形態では、この充電部導体パタ
ーンC1に細いスリット状の間隔(絶縁スリット部I
S)を隔てて基板の端部まで延びる導熱用導体パターン
C2を設け、この導熱用導体パターンC2を基板端部で
シールドケース1に半田付けをする。なお、絶縁スリッ
ト部ISを隔てる充電部導体パターンC1と導熱用導体
パターンC2の対向部の縁は、その総延長が長いほど充
電部導体パターンC1から導熱用導体パターンC2への
導熱が充分に行われるようになるため、互いに咬合うよ
うな凹凸形状にしたり、充電部導体パターンC1を導熱
用導体パターンC2で包囲あるいは半包囲することが望
ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In order to obtain sufficient thermal coupling with the power transistor PH, the contact area of the charging portion conductor pattern C1 electrically connected to the terminal of the power transistor PH which is a heat generating element is small. It is formed on the substrate so as to be large. In the first embodiment, a narrow slit-shaped space (insulating slit portion I) is formed on the charging portion conductor pattern C1.
A conductor pattern C2 for heat conduction is provided which extends to the end of the substrate via S), and the conductor pattern C2 for heat conduction is soldered to the shield case 1 at the end of the substrate. In addition, the longer the total length of the edges of the facing portions of the charging conductor pattern C1 and the heat conducting conductor pattern C2 that separate the insulating slit portion IS, the more the heat transfer from the charging conductor pattern C1 to the heat conducting conductor pattern C2 is performed. Therefore, it is preferable that the conductor pattern C1 of the charging portion is surrounded or semi-enclosed by the conductor pattern C2 for heat conduction.

【0012】第2の実施の形態では、充電部導体パター
ンC1と対向する基板表面に、充電部導体パターンC1
に対向する位置から基板の端部に向かって延びる導熱用
導体パターンC3を設け、この導熱用導体パターンC3
を基板端部でシールドケース1に半田付けする。他の実
施の形態では、前述の導熱用導体パターンC2あるいは
C3との間に熱的な結合を得るために、シールドケース
1あるいはケース蓋3に受熱板を設ける。
In the second embodiment, the charging portion conductor pattern C1 is formed on the substrate surface facing the charging portion conductor pattern C1.
Is provided with a heat-conducting conductor pattern C3 extending from a position facing to the end portion of the substrate.
Is soldered to the shield case 1 at the board end. In another embodiment, a heat receiving plate is provided on the shield case 1 or the case lid 3 in order to obtain thermal coupling with the above-mentioned conductor pattern C2 or C3 for heat conduction.

【0013】[0013]

【実施例】組立工数の増加を極力抑え、コスト低減を図
ることのできる、本発明による放熱構造を適用した電子
装置(複合電子部品)の第1の実施例の概略を図1及び
図2に示した。なお、図1は電子装置全体の断面図、図
2は各導体パターン付近の平面図である。図1におい
て、基板2には充電部導体パターンC1、導熱用導体パ
ターンC2、その他の導体パターンが形成されており、
その上に各種電子素子PE及びパワートランジスタPH
(発熱性素子)が搭載されて機能回路が構成されてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An outline of a first embodiment of an electronic device (composite electronic component) to which a heat dissipation structure according to the present invention is applied, in which an increase in the number of assembling steps can be suppressed as much as possible and cost can be reduced, is shown in FIGS. Indicated. 1 is a sectional view of the entire electronic device, and FIG. 2 is a plan view of the vicinity of each conductor pattern. In FIG. 1, a substrate 2 is provided with a charging portion conductor pattern C1, a heat conducting conductor pattern C2, and other conductor patterns,
In addition, various electronic elements PE and power transistors PH
(Exothermic element) is mounted to form a functional circuit.

【0014】ここでパワートランジスタPHは、その本
体の広い一面が充電部導体パターンC1に接合するよう
に搭載され、そのコレクタ端子(本体下部金属板)が充
電部導体パターンC1に半田付けされて電気的に接続さ
れる。充電部導体パターンC1はパワートランジスタP
Hと充分な熱的結合が得られるようパワートランジスタ
PHの接合面と同等以上の広い面積を有しており、また
電流路を形成してその一部が他の電子素子へと延びてい
る。そしてこの充電部導体パターンC1に対してスリッ
ト状の間隔(絶縁スリット部IS)を隔てて、その一部
が基板端部まで延びる導熱用導体パターンC2が形成さ
れている。この基板2をシールドケース1に収納した際
には、シールドケース1の側壁に設けた基板受け1−b
及び係止突起1−aにより基板2の収納位置の固定・保
持を行う。そして基板端部においてシールドケース1の
側壁と導熱用導体パターンC2を半田付けし、半田SO
Lによりこの間を熱的に架橋する。
Here, the power transistor PH is mounted so that a wide surface of its main body is bonded to the charging portion conductor pattern C1, and its collector terminal (lower body metal plate) is soldered to the charging portion conductor pattern C1 to generate electricity. Connected. The charging portion conductor pattern C1 is a power transistor P.
It has a large area equal to or larger than the junction surface of the power transistor PH so that sufficient thermal coupling with H can be obtained, and forms a current path to extend a part thereof to another electronic element. A heat-conducting conductor pattern C2 is formed with a slit-shaped space (insulating slit portion IS) separated from the charging portion conductor pattern C1 and a part of which extends to the end of the substrate. When the substrate 2 is housed in the shield case 1, the substrate receiver 1-b provided on the side wall of the shield case 1
The locking projection 1-a fixes and holds the storage position of the substrate 2. Then, the side wall of the shield case 1 and the conductor pattern C2 for heat conduction are soldered to each other at the end portion of the substrate, and the solder SO
L is used to thermally crosslink between them.

【0015】このような構成とした場合、パワートラン
ジスタPHに発生した熱は、コレクタ端子が半田付けさ
れ、その一面が接合している充電部導体パターンC1に
まず伝わり、そこから基板2中に拡散していくことにな
る。そして導熱用導体パターンC2は、基板2の絶縁ス
リット部IS付近に拡散した熱を自らへ導き、さらにそ
の熱を半田SOLを通して半田SOLで架橋したシール
ドケース1に導熱する。これによりパワートランジスタ
PHに発生した熱は、シールドケース1の外面より大気
中へ放熱される。
In the case of such a structure, the heat generated in the power transistor PH is first transferred to the charging portion conductor pattern C1 to which the collector terminal is soldered and one surface of which is joined, and then diffused into the substrate 2. Will be done. Then, the heat-conducting conductor pattern C2 guides the heat diffused in the vicinity of the insulating slit portion IS of the substrate 2 to itself, and further guides the heat to the shield case 1 cross-linked with the solder SOL through the solder SOL. Thereby, the heat generated in the power transistor PH is radiated from the outer surface of the shield case 1 to the atmosphere.

【0016】一般にトランジスタのコレクタは、その機
能回路の構成上、常時グランド電位ではなく、所定の電
圧の交流電位を有している。そのためシールドケース1
と電気的に接続状態にある導熱用導体パターンC2と充
電部導体パターンC1を絶縁スリット部ISにより電気
的に隔絶する必要がある。しかし充電部導体パターンC
1から導熱用導体パターンC2への導熱作用を考慮する
と、絶縁スリット部ISの幅は極力小さい方が望まし
い。従って、絶縁スリット部ISの幅は導熱作用と絶縁
機能とのバランスを考慮して決定されるが、実用的には
その幅は、最大で基板の厚みの2倍が限度と考える。
In general, the collector of a transistor does not always have the ground potential but has an AC potential of a predetermined voltage because of its functional circuit configuration. Therefore, shield case 1
It is necessary to electrically isolate the heat conduction conductor pattern C2 and the charging portion conductor pattern C1 which are electrically connected to each other by the insulating slit portion IS. However, charging part conductor pattern C
Considering the effect of heat transfer from 1 to the heat conductive pattern C2, it is desirable that the width of the insulating slit portion IS be as small as possible. Therefore, the width of the insulating slit portion IS is determined in consideration of the balance between the heat conducting function and the insulating function, but in practice, the width is considered to be a maximum of twice the thickness of the substrate.

【0017】充電部導体パターンC1から導熱用導体パ
ターンC2への導熱作用を高めるには、絶縁スリット部
ISの幅を小さくすることの他に、充電部導体パターン
C1と導熱用導体パターンC2の対向するそれぞれの縁
の長さを大きくすることでも達成できる。図2において
充電部導体パターンC1と導熱用導体パターンC2は、
その対向するそれぞれの縁が波形状に、かつその波形状
の縁が互いに咬合うように形成されている。このような
形状とすることにより、対向するそれぞれの縁の総延長
が長くなり、充電部導体パターンC1と導熱用導体パタ
ーンC2の面積が小さくとも導熱作用を向上させること
ができるようになる。なお、図2では充電部導体パター
ンC1と導熱用導体パターンC2の対向するそれぞれの
縁を波形状としているが、不定形状や鍵状、ステップ状
あるいは階段状など、様々な応用例が考えられる。電子
素子の発熱量が少なく、目的とする導熱効果が充分に得
られる場合には、対向するそれぞれの縁を直線状として
も構わない。
In order to enhance the heat conducting effect from the charging portion conductor pattern C1 to the heat conducting conductor pattern C2, in addition to reducing the width of the insulating slit portion IS, the charging portion conductor pattern C1 and the heat conducting conductor pattern C2 face each other. It can also be achieved by increasing the length of each edge. In FIG. 2, the charging portion conductor pattern C1 and the heat conducting conductor pattern C2 are
The opposite edges are formed in a wavy shape, and the wavy edges engage each other. With such a shape, the total length of the opposing edges becomes long, and the heat-conducting action can be improved even if the areas of the charging part conductor pattern C1 and the heat-conducting conductor pattern C2 are small. In FIG. 2, the opposing edges of the charging portion conductor pattern C1 and the heat conducting conductor pattern C2 have a wavy shape, but various application examples such as an irregular shape, a key shape, a step shape, or a step shape can be considered. When the amount of heat generated by the electronic element is small and the desired heat-conducting effect is sufficiently obtained, the opposing edges may be linear.

【0018】図3には、本発明による放熱構造を適用し
た電子装置の第2の実施例を示した。図3は図2と同様
に各導体パターン付近の平面図を示しているが、図3に
おいては、充電部導体パターンC1はコの字形に形成さ
れた導熱用導体パターンC2によって半包囲されてお
り、基板2上の配線スペースに余裕が有る場合には導熱
作用を高める手段として非常に有効である。すなわちこ
の様な構造とすれば、対向するそれぞれの縁の総延長が
長くなるのと同時に、充電部導体パターンC1から基板
2へ拡散する熱を効率的に導熱用導体パターンC2へ導
くことができるようになる。なお、図3では導熱用導体
パターンC2をコの字形として充電部導体パターンC1
を半包囲しているが、これに限定されるものでなく、例
えば完全に包囲する形状としても良いし、また複数の導
熱用導体パターンを充電部導体パターンの周囲に配置す
るようにしても良い。
FIG. 3 shows a second embodiment of an electronic device to which the heat dissipation structure according to the present invention is applied. Similar to FIG. 2, FIG. 3 shows a plan view of the vicinity of each conductor pattern, but in FIG. 3, the charging portion conductor pattern C1 is half-enclosed by a heat conducting conductor pattern C2 formed in a U-shape. When the wiring space on the substrate 2 has a margin, it is very effective as a means for enhancing the heat conduction effect. That is, with such a structure, the total length of the opposing edges becomes long, and at the same time, the heat diffused from the charging part conductor pattern C1 to the substrate 2 can be efficiently guided to the heat conducting conductor pattern C2. Like In addition, in FIG. 3, the conductor pattern C2 for heat conduction is formed into a U shape, and the conductor pattern C1 for the charging portion is formed.
However, the present invention is not limited to this, and may be, for example, a completely surrounding shape, or a plurality of heat conducting conductor patterns may be arranged around the charging portion conductor pattern. .

【0019】図4には本発明による放熱構造を適用した
電子装置の第3の実施例(断面)を示した。図4におい
て、基板2の一方の面にパワートランジスタPHが搭載
された充電部導体パターンC1が形成されており、他方
の面にほぼ充電部導体パターンC1に対向する位置まで
基板2の端部から延びる導熱用導体パターンC3が形成
されている。そしてこの基板2をシールドケース1内に
収納した際に、基板2の端部においてシールドケース1
と導熱用導体パターンC3を半田付けし、その間を熱的
に架橋している。
FIG. 4 shows a third embodiment (cross section) of an electronic device to which the heat dissipation structure according to the present invention is applied. In FIG. 4, the charging portion conductor pattern C1 on which the power transistor PH is mounted is formed on one surface of the substrate 2, and from the end portion of the substrate 2 to a position substantially opposite to the charging portion conductor pattern C1 on the other surface. An extended heat-conducting conductor pattern C3 is formed. When the substrate 2 is housed in the shield case 1, the shield case 1 is placed at the end of the substrate 2.
And the heat-conducting conductor pattern C3 are soldered, and the spaces between them are thermally cross-linked.

【0020】このような構成とした場合、パワートラン
ジスタPHに発生した熱は充電部導体パターンC1に先
ず伝わり、充電部導体パターンC1から基板2中に拡散
していく。充電部導体パターンC1とは対向する基板面
に形成された導熱用導体パターンC3は、基板中に拡散
した熱を自らへ導き、さらにその熱を半田SOLを通し
てシールドケース1に導熱する。これによりパワートラ
ンジスタPHに発生した熱は、シールドケース1の外面
から大気中へ放熱される。なお、基板2上の配線スペー
スが許す限りにおいて、導熱用導体パターンC3は充電
部導体パターンC1に対向する位置全体まで広く形成し
た方が効率的な導熱作用を行わせることができる。また
図1の導熱用導体パターンC2と図4の導熱用導体パタ
ーンC3を併用すれば、一層の導熱作用の向上が期待で
きる。
In such a structure, the heat generated in the power transistor PH is first transferred to the charging portion conductor pattern C1 and diffused from the charging portion conductor pattern C1 into the substrate 2. The heat-conducting conductor pattern C3 formed on the surface of the substrate facing the charging portion conductor pattern C1 guides the heat diffused in the substrate to itself and further conducts the heat to the shield case 1 through the solder SOL. Thereby, the heat generated in the power transistor PH is radiated from the outer surface of the shield case 1 to the atmosphere. As long as the wiring space on the substrate 2 allows, the heat-conducting conductor pattern C3 can efficiently perform heat-conducting action if it is formed wide to the entire position facing the charging part conductor pattern C1. Further, if the heat-conducting conductor pattern C2 of FIG. 1 and the heat-conducting conductor pattern C3 of FIG. 4 are used together, further improvement of the heat-conducting action can be expected.

【0021】図1から図4までの本発明の実施例の例示
においては、導熱用導体パターンC2あるいはC3とシ
ールドケース1との間を架橋し、熱的に結合する手段と
して、半田を使用した場合について説明を行った。この
半田を使用するのが最も工数及びコストが少なくて済む
手段ではあるが、図5、図6に示すような構造によって
導熱用導体パターンC2あるいはC3とシールドケース
1とを熱的に結合することも考えられる。
In the examples of the embodiments of the present invention shown in FIGS. 1 to 4, solder is used as a means for bridging between the heat conductive pattern C2 or C3 and the shield case 1 and thermally connecting them. The case was explained. Although the use of this solder is the means that requires the least number of steps and cost, the heat conducting conductor pattern C2 or C3 and the shield case 1 are thermally coupled by the structure as shown in FIGS. Can also be considered.

【0022】図5は、本発明による放熱構造を適用した
電子装置の第4の実施例(断面)であり、シールドケー
ス1には、その側壁の一部を長く切り出し、側壁に沿っ
て折り曲げた後その途中で天井板と平行に折り曲げて形
成した、基板受けを兼用する舌状の受熱板1−cを設け
た構造となっている。基板2をシールドケース1に収納
した時、舌状受熱板1−cと基板2上の導熱用導体パタ
ーンC2が接合するようになすことで、導熱用導体パタ
ーンC2からシールドケース1への導熱が行われる。
FIG. 5 shows a fourth embodiment (cross section) of an electronic device to which the heat dissipation structure according to the present invention is applied. A part of the side wall of the shield case 1 is cut out and bent along the side wall. The structure is such that a tongue-shaped heat receiving plate 1-c, which is formed by being bent in parallel with the ceiling plate in the middle thereof, also serves as a substrate receiver. When the substrate 2 is housed in the shield case 1, the tongue-shaped heat receiving plate 1-c and the heat-conducting conductor pattern C2 on the substrate 2 are joined to each other, so that the heat-conducting conductor pattern C2 transfers heat to the shield case 1. Done.

【0023】また、図6は本発明による放熱構造を適用
した電子装置の第5の実施例(断面)であり、シールド
ケース1の開口部に嵌合されるケース蓋3には、その側
壁の一部の上端部を、底板に平行に折り曲げて形成した
受熱板3−aを設けた構造となっている。基板2をシー
ルドケース1に収納し、シールドケース1の開口部にケ
ース蓋3を嵌合させた時、受熱板3−aと基板2上の導
熱用導体パターンC3が接合するようになすことで、導
熱用導体パターンC3及びスルーホールTHを介して接
合している導熱用導体パターンC2から、ケース蓋3、
シールドケース1への導熱が行われる。
FIG. 6 shows a fifth embodiment (cross section) of the electronic device to which the heat dissipation structure according to the present invention is applied. The case lid 3 fitted in the opening of the shield case 1 has a side wall. It has a structure in which a heat receiving plate 3-a formed by bending a part of the upper end portion in parallel with the bottom plate is provided. When the board 2 is housed in the shield case 1 and the case lid 3 is fitted into the opening of the shield case 1, the heat receiving plate 3-a and the heat conducting conductor pattern C3 on the board 2 are joined together. , The heat-conducting conductor pattern C3 and the heat-conducting conductor pattern C2 joined through the through holes TH to the case lid 3,
Heat is conducted to the shield case 1.

【0024】なお、図5、図6に示した舌状受熱板1−
c及び受熱板3−aは、それぞれ図示した形状、構造の
導熱用導体パターンC2及びC3を有した基板2以外の
基板についても適用できることは言うまでもない。これ
までに説明した本発明による放熱構造の実施例では、適
用する電子装置として複合電子部品を取り上げている
が、これに限らず放熱対策を必要とする他の電子装置に
も適用し得るものである。また、発熱性を有する電子素
子としてはパワートランジスタを想定したが、他の電子
素子、例えばIC、他の半導体素子、抵抗性素子等にも
用い得るものであり、実施例に限定されるものでは無
い。
The tongue-shaped heat receiving plate 1-shown in FIGS.
It goes without saying that the c and the heat receiving plate 3-a can also be applied to substrates other than the substrate 2 having the heat conducting conductor patterns C2 and C3 having the illustrated shapes and structures, respectively. In the embodiments of the heat dissipation structure according to the present invention described so far, the composite electronic component is taken up as an electronic device to be applied, but the present invention is not limited to this and may be applied to other electronic devices that require heat dissipation measures. is there. Further, although the power transistor is assumed as the heat generating electronic element, it can be used for other electronic elements such as ICs, other semiconductor elements, resistive elements, etc., and is not limited to the examples. There is no.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明よる放熱構造は、電子素子と電気
的、熱的に接続された充電部導体パターンに伝わり、さ
らにその充電部導体パターンから基板中に拡散した熱を
導熱用導体パターンに導き、導熱用導体パターンから放
熱手段に熱を伝導することにより放熱を行うようにした
ものである。これにより発熱性を有する電子素子の形状
に依らずに、例えば面接続型の素子でも放熱することが
可能となり、また、電子素子の搭載状態(位置ズレ等)
に関係無く、確実な放熱が可能となる。
According to the heat dissipation structure of the present invention, the heat transmitted to the conductor pattern of the charging portion electrically and thermally connected to the electronic element, and the heat diffused from the conductor pattern of the charging portion into the substrate is transferred to the conductor pattern for heat conduction. The heat is conducted by conducting the heat from the heat conducting conductor pattern to the heat radiating means. This makes it possible to dissipate heat even with a surface-connection type element, regardless of the shape of the electronic element having heat generating properties, and the mounting state of the electronic element (positional deviation, etc.)
Regardless of, reliable heat dissipation is possible.

【0026】また導熱用導体パターンは基板の回路パタ
ーンの作製時に同時に形成されるため、製品製造におけ
る工数及びコストの増加が無く、導熱用導体パターンと
シールドケースを熱的に結合する手段についても、特に
半田を使用すれば組立工数やコストの増加をほとんど生
じない。そのため、非常に安価に電子装置の放熱を行え
るようになる。さらに付随的には、発熱性電子素子と放
熱手段との間に導熱不良を引き起こす要因(位置ズレ
等)が無くなるため、組み立て作業が容易となり、また
不良率が低減され、実質的にコスト低減に寄与する。
Since the heat-conducting conductor pattern is formed at the same time when the circuit pattern of the substrate is formed, there is no increase in man-hours and costs in product manufacturing, and the means for thermally coupling the heat-conducting conductor pattern and the shield case are In particular, if solder is used, the number of assembling steps and the cost are hardly increased. Therefore, the heat dissipation of the electronic device can be performed at a very low cost. Additionally, as a factor (positional deviation, etc.) that causes defective heat conduction is eliminated between the heat-generating electronic element and the heat radiating means, the assembly work is facilitated, the defective rate is reduced, and the cost is substantially reduced. Contribute.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明による放熱構造を適用した電子装置の
第1の実施例の、概略の全体断面図である。
FIG. 1 is a schematic overall cross-sectional view of a first embodiment of an electronic device to which a heat dissipation structure according to the present invention is applied.

【図2】 図1に示す第1の実施例の各導体パターン付
近の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the vicinity of each conductor pattern of the first embodiment shown in FIG.

【図3】 本発明による放熱構造を適用した電子装置の
第2の実施例の、各導体パターン付近の平面図である。
FIG. 3 is a plan view of the vicinity of each conductor pattern of the second embodiment of the electronic device to which the heat dissipation structure according to the present invention is applied.

【図4】 本発明による放熱構造を適用した電子装置の
第3の実施例の、概略の全体断面図である。
FIG. 4 is a schematic overall cross-sectional view of a third embodiment of an electronic device to which a heat dissipation structure according to the present invention is applied.

【図5】 本発明による放熱構造を適用した電子装置の
第4の実施例の、基板端部付近の断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a fourth embodiment of an electronic device to which a heat dissipation structure according to the present invention is applied, in the vicinity of a substrate end portion.

【図6】 本発明による放熱構造を適用した電子装置の
第5の実施例の、基板端部付近の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a fifth embodiment of an electronic device to which a heat dissipation structure according to the present invention is applied, in the vicinity of a substrate end portion.

【図7】 従来の放熱構造を有する電子装置の概略の断
面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an electronic device having a conventional heat dissipation structure.

【図8】 従来の放熱構造を有する別の電子装置の概略
の断面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of another electronic device having a conventional heat dissipation structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シールドケース 1−a 係止突起 1−b 基板受け 1−c 舌状受熱板 2 基板 3 ケース蓋 3−a 受熱板 4 導熱部品 PE 電子素子 PH 発熱性電子素子(パワートランジスタ) C1 充電部導体パターン(第1の導体パター
ン) C2 導熱用導体パターン(第2の導体パター
ン) C3 導熱用導体パターン(第3の導体パター
ン) TH スルーホール IS 絶縁スリット部 SOL 半田
1 Shield case 1-a Locking protrusion 1-b Substrate receiving 1-c Tongue-shaped heat receiving plate 2 Substrate 3 Case lid 3-a Heat receiving plate 4 Heat-conducting component PE electronic element PH Exothermic electronic element (power transistor) C1 Charging part conductor Pattern (1st conductor pattern) C2 Heat conduction conductor pattern (2nd conductor pattern) C3 Heat conduction conductor pattern (3rd conductor pattern) TH Through hole IS Insulation slit part SOL Solder

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に電子素子を搭載して機能回路を
構成し、該基板をシールドケースあるいはそれに類する
箱体に収納してなる電子装置において、 基板上に、発熱性を有する電子素子の端子と電気的、熱
的に結合された電流路を形成する第1の導体パターン及
び、該第1の導体パターンと同じ基板面に該第1の導体
パターンにスリット状の間隔を隔てて設けられ、このス
リット状の間隔により該第1の導体パターンと電気的に
は隔絶されるが熱的には結合し、該第1の導体パターン
から基板中に拡散する前記電子素子に発生した熱を自ら
に導く第2の導体パターンを形成し、 さらに該第2の導体パターンと放熱用手段を熱的に結合
してなる電子装置の放熱構造。
1. An electronic device in which a functional circuit is formed by mounting an electronic element on a substrate, and the substrate is housed in a shield case or a box similar thereto. A first conductor pattern that forms a current path electrically and thermally coupled to the terminal, and is provided on the same substrate surface as the first conductor pattern with a slit-like spacing in the first conductor pattern. , The slit-shaped space electrically isolates the first conductor pattern from the first conductor pattern, but thermally couples the first conductor pattern to the heat generated in the electronic element, which diffuses into the substrate from the first conductor pattern. A heat dissipation structure for an electronic device, which is formed by forming a second conductor pattern that leads to the second conductor pattern, and further thermally coupling the second conductor pattern and the heat dissipation means.
【請求項2】 前記第1の導体パターンと前記第2の導
体パターンの対向するそれぞれの縁を、互いに咬合うよ
うな凹凸状としたことを特徴とする、請求項1に記載し
た電子装置の放熱構造。
2. The electronic device according to claim 1, wherein the opposing edges of the first conductor pattern and the second conductor pattern are formed in a concavo-convex shape that meshes with each other. Heat dissipation structure.
【請求項3】 前記第1の導体パターンを包囲あるいは
半包囲するように前記第2の導体パターンを形成したこ
とを特徴とする、請求項1あるいは請求項2に記載した
電子装置の放熱構造。
3. The heat dissipation structure for an electronic device according to claim 1, wherein the second conductor pattern is formed so as to surround or semi-enclose the first conductor pattern.
【請求項4】 前記第1の導体パターンと前記第2の導
体パターンが設けられた面とは対向する基板面に、基板
端部付近に設けられた導体パターンあるいはスルーホー
ルによって該第2の導体パターンと電気的、熱的に結合
した第3の導体パターンを形成したことを特徴とする、
請求項1、請求項2、請求項3のいずれかに記載した電
子装置の放熱構造。
4. The second conductor is provided by a conductor pattern or a through hole provided in the vicinity of the end of the substrate on the surface of the substrate opposite to the surface on which the first conductor pattern and the second conductor pattern are provided. A third conductor pattern electrically and thermally coupled to the pattern is formed,
A heat dissipation structure for an electronic device according to claim 1, claim 2, or claim 3.
【請求項5】 基板上に電子素子を搭載して機能回路を
構成し、該基板をシールドケースあるいはそれに類する
箱体に収納してなる電子装置において、 基板上に、発熱性を有する電子素子の端子と電気的、熱
的に結合された電流路を形成する第1の導体パターン及
び、該第1の導体パターンと対向する基板面に設けら
れ、該第1の導体パターンから基板中に拡散する前記電
子素子に発生した熱を自らに導く第3の導体パターンを
形成し、 さらに該第3の導体パターンと放熱用手段を熱的に結合
してなる電子装置の放熱構造。
5. An electronic device in which an electronic element is mounted on a substrate to form a functional circuit, and the substrate is housed in a shield case or a similar box body, wherein an electronic element having a heat generating property is provided on the substrate. A first conductor pattern that forms a current path electrically and thermally coupled to the terminal and a substrate surface that faces the first conductor pattern, and diffuses into the substrate from the first conductor pattern. A heat dissipation structure for an electronic device, wherein a third conductor pattern for guiding the heat generated in the electronic element to itself is formed, and the third conductor pattern and the heat dissipation means are thermally coupled.
【請求項6】 シールドケースを前記放熱用手段として
用いることを特徴とする、請求項1から請求項5のいず
れかに記載した電子装置の放熱構造。
6. The heat dissipation structure for an electronic device according to claim 1, wherein a shield case is used as the heat dissipation means.
【請求項7】 前記第2の導体パターンあるいは前記第
3の導体パターンと前記放熱用手段を半田付けすること
により、該第2の導体パターンあるいは該第3の導体パ
ターンと該放熱用手段を熱的に結合することを特徴とす
る、請求項1から請求項6のいずれかに記載した電子装
置の放熱構造。
7. The second conductor pattern or the third conductor pattern and the heat dissipation means are heated by soldering the second conductor pattern or the third conductor pattern to the heat dissipation means. 7. The heat dissipation structure for an electronic device according to claim 1, wherein the heat dissipation structure is electrically coupled.
【請求項8】 前記シールドケースに収納した基板と平
行となるように、該シールドケースに一体に形成した舌
状の受熱板を設け、該受熱板と前記第2の導体パターン
あるいは前記第3の導体パターンを接合することによ
り、該シールドケースと該第2の導体パターンあるいは
該第3の導体パターンを熱的に結合することを特徴とす
る、請求項6に記載した電子装置の放熱構造。
8. A tongue-shaped heat-receiving plate integrally formed with the shield case is provided so as to be parallel to the substrate housed in the shield case, and the heat-receiving plate and the second conductor pattern or the third conductor pattern are provided. The heat dissipation structure for an electronic device according to claim 6, wherein the shield case and the second conductor pattern or the third conductor pattern are thermally coupled by joining conductor patterns.
【請求項9】 前記シールドケースの開口部に嵌合され
るケース蓋に、該シールドケースに収納した基板と平行
となるようにその側壁に一体に形成した受熱板を設け、
該受熱板と前記第2の導体パターンあるいは前記第3の
導体パターンを接合することにより、該シールドケース
と該第2の導体パターンあるいは該第3の導体パターン
を熱的に結合することを特徴とする、請求項6に記載し
た電子装置の放熱構造。
9. A heat receiving plate integrally formed on a side wall of the case lid fitted in the opening of the shield case so as to be parallel to a substrate housed in the shield case,
The shield case and the second conductor pattern or the third conductor pattern are thermally coupled by joining the heat receiving plate and the second conductor pattern or the third conductor pattern. The heat dissipation structure for an electronic device according to claim 6.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936839A (en) * 1997-05-12 1999-08-10 Alps Electric Company, Ltd. Heat radiating structure of electronic device
JP2015213118A (en) * 2014-05-02 2015-11-26 コニカミノルタ株式会社 Electronic apparatus

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147866A (en) * 1998-07-02 2000-11-14 Alps Electric Co., Ltd. Electronic device
JP3960115B2 (en) * 2001-05-24 2007-08-15 松下電器産業株式会社 Portable power amplifier
KR20040032544A (en) * 2002-10-10 2004-04-17 한영수 Sealing structure of solid state relay
KR20200124996A (en) 2019-04-25 2020-11-04 주식회사 엘지화학 Bms circuit and battery pack including the bms circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936839A (en) * 1997-05-12 1999-08-10 Alps Electric Company, Ltd. Heat radiating structure of electronic device
JP2015213118A (en) * 2014-05-02 2015-11-26 コニカミノルタ株式会社 Electronic apparatus

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