JPH088476B2 - Semiconductor integrated circuit timer circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit timer circuit

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JPH088476B2
JPH088476B2 JP63231917A JP23191788A JPH088476B2 JP H088476 B2 JPH088476 B2 JP H088476B2 JP 63231917 A JP63231917 A JP 63231917A JP 23191788 A JP23191788 A JP 23191788A JP H088476 B2 JPH088476 B2 JP H088476B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体集積回路内部に設けられるタイマ回
路に係り、例えば半導体メモリにおけるオートパワーダ
ウンタイマ回路に使用されるものである。
The present invention relates to a timer circuit provided inside a semiconductor integrated circuit, and is used for an auto power down timer circuit in a semiconductor memory, for example. is there.

(従来の技術) 半導体メモリ、例えばスタティック・ランダム・アク
セス・メモリ(SRAM)においては、低消費電力化を図る
ために、各アクセスの所要の動作後に自動的にパワーダ
ウン状態に制御しており、この制御用のパワーダウン信
号のタイミングを設定するためのオートパワーダウンタ
イマ(以下、APDTと略記する)回路が用いられている。
(Prior Art) In a semiconductor memory, for example, a static random access memory (SRAM), in order to reduce power consumption, a power down state is automatically controlled after a required operation of each access. An auto power down timer (hereinafter abbreviated as APDT) circuit for setting the timing of the power down signal for control is used.

即ち、例えば第8図(a)に示すように、アクセス開
始時にアドレスバッファ81の出力の変化に同期してパル
ス発生回路82から出力するパルスがAPDT回路83のパワー
ダウン出力信号によりメモリ内部回路の一部(アドレス
デコーダ84、センスアンプ85)を非活性状態に制御する
ようになっている。なお、この第8図(a)のメモリに
おける動作タイミングを第8図(b)に示している。
That is, for example, as shown in FIG. 8A, the pulse output from the pulse generation circuit 82 in synchronization with the change in the output of the address buffer 81 at the start of access causes the power down output signal of the APDT circuit 83 to output the pulse of the memory internal circuit. A part (address decoder 84, sense amplifier 85) is controlled to an inactive state. The operation timing in the memory of FIG. 8 (a) is shown in FIG. 8 (b).

APDT回路83の構成の一例を第9図(a)に示してお
り、入力信号が直接に二入力ナンド回路91の一方の入力
になると共に、複数(偶数)段のインバータ92…からな
る遅延回路93を介して二入力ナンド回路91の他方の入力
になる。このAPDT回路83の動作タイミングを第9図
(b)に示している。
An example of the configuration of the APDT circuit 83 is shown in FIG. 9 (a). The input signal is directly input to one input of the two-input NAND circuit 91 and a delay circuit including a plurality (even) stages of inverters 92 ... It becomes the other input of the two-input NAND circuit 91 via 93. The operation timing of the APDT circuit 83 is shown in FIG. 9 (b).

上記メモリにおいて、APDT回路83の電源電圧依存性と
メモリセルをアクセスする回路系の電源電圧依存性とは
互いに独立である。ここで、出力データラッチ回路86へ
の格納時間をT1、APDT回路83によってアドレスデコーダ
84、センスアンプ85を非活性状態に制御する時間をT2
表す。
In the above memory, the power supply voltage dependency of the APDT circuit 83 and the power supply voltage dependency of the circuit system that accesses the memory cell are independent of each other. Here, the storage time in the output data latch circuit 86 is T 1 , and the address decoder by the APDT circuit 83
The time during which the 84 and the sense amplifier 85 are controlled to the inactive state is represented by T 2 .

いま、例えば第10図に示すように、電源電圧の高い領
域でT1>T2になると、アクセスしたメモリセルデータが
出力されなくなり、ファンクションエラーとなる。これ
を避けるために、APDT回路83によってアドレスデコーダ
84、センスアンプ85を非活性状態に制御するまでの時間
T2を大きくして電源電圧の低い領域でT1≪T2となるよう
に設定しておくと、消費電流が増大してしまう。
Now, for example, as shown in FIG. 10, when T 1 > T 2 in a region where the power supply voltage is high, the accessed memory cell data is not output and a function error occurs. To avoid this, the address decoder by APDT circuit 83
84, time to control sense amplifier 85 to inactive state
If T 2 is increased and T 1 << T 2 is set in a region where the power supply voltage is low, the current consumption increases.

特に、高速でアクセスする回路の場合、微少電位をセ
ンスする回路系は、電源ノイズ等の影響を受け易く、こ
の回路系の電源電圧依存性と前記APDT回路83の電源電圧
依存性とは異なる場合が多く、上記したようなファンク
ションエラーの発生や消費電流の増大を招いてしまう。
In particular, in the case of a circuit that is accessed at high speed, a circuit system that senses a minute potential is easily affected by power supply noise, and the power supply voltage dependence of this circuit system and the power supply voltage dependence of the APDT circuit 83 are different. In many cases, the above-mentioned function error and current consumption increase.

この問題を解決するために、上記したような互いに独
立な二つの回路系の電源電圧依存性を同じにすることが
考えられる。しかし、ある回路系の電源電圧依存性は、
この回路系を構成するトランジスタの相互コンダクタン
スgmや負荷回路のCR時定数等により決定され、電源電圧
に対して単一の依存性を示すので、従来、互いに独立な
二つの回路系の電源電圧依存性を同じにするように整合
をとることは、非常に困難であった。
In order to solve this problem, it is conceivable to make the power supply voltage dependencies of the two independent circuit systems as described above the same. However, the power supply voltage dependence of a circuit system is
It is determined by the transconductance gm of the transistors that make up this circuit system and the CR time constant of the load circuit, and shows a single dependency on the power supply voltage. It was very difficult to get the same gender.

(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記したようにタイマ回路の電源電圧依存
性と他の回路系の電源電圧依存性との整合をとることが
非常に困難であり、この整合をとらない場合には例えば
ファンクションエラーの発生や消費電流の増大を招いて
しまうという問題点を解決すべくなされたもので、タイ
マ回路を各電源電圧に対して所望の遅延時間となるよう
に容易に調整することが可能となり、タイマ回路の電源
電圧依存性と他の回路系の電源電圧依存性との整合をと
ることが容易になり、半導体集積回路の電源電圧に対す
るマージンを広範囲にわたって保障し得る半導体集積回
路のタイマ回路を提供することを目的とる。
(Problems to be Solved by the Invention) In the present invention, as described above, it is very difficult to match the power supply voltage dependency of the timer circuit with the power supply voltage dependency of another circuit system, and this matching is performed. If this is not the case, the problem was that, for example, the occurrence of a function error or an increase in current consumption would be solved, so that the timer circuit can be easily set to a desired delay time for each power supply voltage. It becomes possible to adjust, the power supply voltage dependency of the timer circuit and the power supply voltage dependency of other circuit systems can be easily matched, and a margin for the power supply voltage of the semiconductor integrated circuit can be ensured over a wide range. An object is to provide a timer circuit of an integrated circuit.

「発明の構成」 (課題を解決するための手段) 本発明は、タイマ回路を内蔵する半導体集積回路であ
って、入力信号を所定時間遅延する複数のインバータ回
路と、これらインバータ回路によって遅延された信号と
前記入力信号の論理積をとる第1の論理回路とを有し、
遅延時間が電源電圧の変化に対して大きく変化する電源
電圧依存性が大きい第1のタイマ回路と、入力信号を所
定時間遅延する複数のインバータ回路と、これらインバ
ータ回路の各出力端と接地間に接続された容量と、これ
らインバータ回路及び容量によって遅延された信号と前
記入力信号の論理積をとる第2の論理回路とを有し、前
記第1のタイマ回路より遅延時間が電源電圧の変化に対
して小さく変化する電源電圧依存性が小さい少なくとも
1個の第2のタイマ回路と、前記第1のタイマ回路の出
力と前記第2のタイマ回路の出力との論理和をとる第3
の論理回路とを具備している。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problem) The present invention is a semiconductor integrated circuit having a timer circuit built therein, and a plurality of inverter circuits delaying an input signal for a predetermined time, and a plurality of inverter circuits delayed by these inverter circuits. A first logic circuit that takes a logical product of a signal and the input signal,
A first timer circuit having a large power supply voltage dependency in which a delay time largely changes with respect to a change in power supply voltage, a plurality of inverter circuits delaying an input signal for a predetermined time, and between each output terminal of these inverter circuits and ground. It has a connected capacitor, a second logic circuit that takes a logical product of the inverter circuit and the signal delayed by the capacitor, and the input signal, and the delay time changes from the first timer circuit to the change of the power supply voltage. A second timer circuit having a small power supply voltage dependency that slightly changes with respect to the third timer circuit;
And a logic circuit of.

また、本発明は、タイマ回路を内蔵する半導体集積回
路であって、入力信号を所定時間遅延する第1のインバ
ータ回路と、この第1のインバータ回路によって遅延さ
れた信号と前記入力信号の論理積をとる第1の論理回路
と、この第1の論理回路の出力信号を所定時間遅延する
第2のインバータ回路と、この第2のインバータ回路に
よって遅延された信号と前記入力信号の論理積をとる第
2の論理回路とが複数個縦続接続され、遅延時間が電源
電圧の変化に対して大きく変化する電源電圧依存性が大
きい第1のタイマ回路と、前記入力信号を所定時間遅延
する第3のインバータ回路と、この第3のインバータ回
路によって遅延された信号と前記入力信号の論理積をと
る第3の論理回路と、この第3の論理回路の出力信号を
所定時間遅延する第4のインバータ回路と、この第4の
インバータ回路によって遅延された信号と前記入力信号
の論理積をとる第4の論理回路と、少なくとも前記第
3、第4の論理回路の出力端と接地間に接続された容量
とが複数個縦続接続され、前記第1のタイマ回路より遅
延時間が電源電圧の変化に対して小さく変化する電源電
圧依存性が小さい少なくとも1個の第2のタイマ回路
と、前記第1のタイマ回路の出力と前記第2のタイマ回
路の出力との論理和をとる第5の論理回路と、前記第5
の論理回路の出力と前記入力信号の論理積をとる第6の
論理回路とを具備している。
The present invention is also a semiconductor integrated circuit having a timer circuit built therein, wherein a first inverter circuit delays an input signal for a predetermined time, and a logical product of the signal delayed by the first inverter circuit and the input signal. And a second inverter circuit for delaying an output signal of the first logic circuit for a predetermined time, and a logical product of the signal delayed by the second inverter circuit and the input signal. A plurality of second logic circuits are cascade-connected, a first timer circuit having a large power supply voltage dependency in which a delay time greatly changes with a change in a power supply voltage, and a third timer circuit delaying the input signal for a predetermined time. An inverter circuit, a third logic circuit that obtains the logical product of the signal delayed by the third inverter circuit and the input signal, and a third delay circuit that delays the output signal of the third logic circuit for a predetermined time. Connected to at least the output terminals of the third and fourth logic circuits, and a fourth logic circuit that performs a logical product of the signal delayed by the fourth inverter circuit and the input signal. At least one second timer circuit that is connected in cascade and that has a smaller delay time than the first timer circuit with respect to a change in the power supply voltage and that has a small power supply voltage dependency and a second timer circuit. A fifth logic circuit for taking the logical sum of the output of the first timer circuit and the output of the second timer circuit;
And a sixth logic circuit which takes the logical product of the output of the logic circuit and the input signal.

(作用) 電源電圧依存性の異なる複数個のタイマ回路の組み合
わせにより、タイマ回路を各電源電圧に対して所望の遅
延時間となるように容易に調整することが可能となる。
従って、タイマ回路の電源電圧依存性と他の回路系の電
源電圧依存性との整合をとることが容易になり、半導体
集積回路の電源電圧に対するマージンを広範囲にわたっ
て保障することが可能となる。
(Operation) By combining a plurality of timer circuits having different power supply voltage dependences, it becomes possible to easily adjust the timer circuit to have a desired delay time for each power supply voltage.
Therefore, it becomes easy to match the power supply voltage dependence of the timer circuit with the power supply voltage dependence of other circuit systems, and it is possible to ensure a wide margin for the power supply voltage of the semiconductor integrated circuit.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明
する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は、例えばSRAMにおけるAPDT回路として設けら
れたタイマ回路を示しており、このタイマ回路は、電源
電圧依存性の異なる複数個(本例では2個)のタイマ回
路の組合わせよりなる。即ち、1は電源電圧依存性の大
きい第1のタイマ回路、2はこの第1のタイマ回路1と
共通の入力信号が入力し、この第1のタイマ回路1より
も電源電圧依存性の小さい第2のタイマ回路、3は第1
のタイマ回路1の出力と第2のタイマ回路2の出力との
論理和をとる論理和回路である。
FIG. 1 shows a timer circuit provided as an APDT circuit in an SRAM, for example, and this timer circuit is composed of a combination of a plurality of timer circuits (two in this example) having different power supply voltage dependencies. That is, 1 is a first timer circuit having a large power supply voltage dependency, 2 is an input signal common to the first timer circuit 1, and a second timer circuit having a smaller power supply voltage dependency than the first timer circuit 1. 2 timer circuits, 3 first
Is a logical sum circuit for calculating the logical sum of the output of the timer circuit 1 and the output of the second timer circuit 2.

第1のタイマ回路1は、入力信号が直接に二入力ナン
ド回路4の一方の入力になると共に、複数(偶数)段の
インバータ5…からなる遅延回路6を介して二入力ナン
ド回路4の他方の入力になるように構成されている。
In the first timer circuit 1, the input signal is directly input to one input of the two-input NAND circuit 4, and the other of the two-input NAND circuit 4 is passed through the delay circuit 6 including a plurality of (even) stages of inverters 5 ... Is configured to be an input of.

第2のタイマ回路2は、入力信号が直接に二入力ナン
ド回路7の一方の入力になると共に、複数(偶数)段の
インバータ8…および段間とVSS電位(接地電位)端と
の間にそれぞれ接続されている容量9…からなる遅延回
路10を介して二入力ナンド回路7の他方の入力になるよ
うに構成されている。
In the second timer circuit 2, the input signal is directly input to one input of the two-input NAND circuit 7, and the plurality of (even) stages of the inverters 8 ... And between the stages and the V SS potential (ground potential) end. It is configured to be the other input of the two-input NAND circuit 7 via a delay circuit 10 composed of capacitors 9 ...

ここで、第1のタイマ回路1における遅延回路6のイ
ンバータ5…それぞれは、VCC電源電位とVSS電位との中
間電位(VCC/2)の回路閾値Vth1を有しているので、各
ノードの電圧波形は第2図に示すようになる。また、こ
の場合、遅延回路6は、トランジスタのみにより構成さ
れているので、その遅延時間の電源電圧依存性は第3図
に示すように大きい。
Here, each of the inverters 5 of the delay circuit 6 in the first timer circuit 1 has a circuit threshold Vth1 which is an intermediate potential (V CC / 2) between the V CC power supply potential and the V SS potential, The voltage waveform of the node is as shown in FIG. Further, in this case, since the delay circuit 6 is composed of only transistors, the power supply voltage dependency of its delay time is large as shown in FIG.

これに対して、第2のタイマ回路2における遅延回路
10のインバータ8…それぞれは、入力の立ち下がりに対
してはVCC/2より低い回路閾値Vth2を有し、入力の立上
がりに対してはVCC/2より高い回路域値Vth3を有してい
るので、各ノードの電圧波形は第4図に示すようにな
り、この第2のタイマ回路2における遅延回路10の遅延
時間は第1のタイマ回路1における遅延回路6の遅延時
間よりも大きくなる。また、この場合、遅延回路10は、
トランジスタと容量により構成されているので、その遅
延時間の電源電圧依存性は第5図に示すように小さい。
On the other hand, the delay circuit in the second timer circuit 2
Each of the ten inverters 8 has a circuit threshold value Vth2 lower than V CC / 2 for the falling edge of the input and a circuit threshold value Vth3 higher than V CC / 2 for the rising edge of the input. Therefore, the voltage waveform of each node becomes as shown in FIG. 4, and the delay time of the delay circuit 10 in the second timer circuit 2 becomes larger than the delay time of the delay circuit 6 in the first timer circuit 1. . In this case, the delay circuit 10
Since it is composed of a transistor and a capacitor, the power supply voltage dependency of the delay time thereof is small as shown in FIG.

なお、第2のタイマ回路2における遅延回路10のイン
バータ8…は、入力の立下がりに対してはVCC/2より低
い回路閾値Vth2を有するインバータと、入力の立上がり
に対してはVCC/2より高い回路域値Vth3を有するインバ
ータとを交互に繰り返すように設けてもよい。あるい
は、入力の立上がりに対してはVCC/2より低い回路閾値V
th2を有するインバータと、VCC/2の回路閾値Vth1を有す
るインバータとを交互に繰り返すように設けてもよい。
あるいは、VCC/2の回路閾値Vth1を有するインバータ
と、入力の立上がりに対してはVCC/2より高い回路閾値V
th3を有するインバータとを交互に繰り返すように設け
てもよい。
In addition, the inverters 8 of the delay circuit 10 in the second timer circuit 2 include an inverter having a circuit threshold value Vth2 lower than V CC / 2 for a falling edge of the input and V CC / for a rising edge of the input. Inverters having a circuit range value Vth3 higher than 2 may be alternately provided. Alternatively, the circuit threshold V below V CC / 2 for input rising.
An inverter having th2 and an inverter having a circuit threshold Vth1 of V CC / 2 may be alternately repeated.
Alternatively, V CC / inverter having a second circuit threshold value Vth1, V CC / 2 higher than the circuit threshold value V for the rising input
An inverter having th3 may be provided so as to be alternately repeated.

上記実施例のタイマ回路によれば、第3図に示すよう
に遅延時間の電源電圧依存性が大きい第1のタイマ回路
1の出力と、第5図に示すように遅延時間の電源電圧依
存性が小さい第2のタイマ回路2の出力との論理和がと
られるので、タイマ出力の電源電圧依存性は、第6図中
に実線で示すようになり、電源電圧の低い領域では第1
のタイマ回路1の出力により支配され、電源電圧の高い
領域では第2のタイマ回路2の出力により支配され、全
体として電源電圧依存性が調整される。
According to the timer circuit of the above embodiment, the output of the first timer circuit 1 in which the delay time has a large power supply voltage dependency as shown in FIG. 3 and the delay time in the power supply voltage dependency as shown in FIG. Since the logical sum is obtained with the output of the second timer circuit 2 having a small value, the dependency of the timer output on the power supply voltage is as shown by the solid line in FIG.
Is controlled by the output of the timer circuit 1, and is controlled by the output of the second timer circuit 2 in a region where the power supply voltage is high, and the power supply voltage dependency is adjusted as a whole.

このように電源電圧依存性の異なる2個のタイマ回路
の組合わせにより、タイマ回路を各電源電圧に対して所
望の遅延時間となるように容易に調整することが可能と
なる。従って、タイマ回路の電源電圧依存性と他の回路
系の電源電圧依存性との整合をとることが容易になり、
半導体集積回路の電源電圧に対するマージンを広範囲に
わたって保障することが可能となる。
In this way, by combining two timer circuits having different power supply voltage dependencies, it becomes possible to easily adjust the timer circuit to have a desired delay time for each power supply voltage. Therefore, it becomes easy to match the power supply voltage dependence of the timer circuit with the power supply voltage dependence of other circuit systems,
It is possible to ensure a wide margin for the power supply voltage of the semiconductor integrated circuit.

なお、上記実施例では、電源電圧依存性の異なる2個
のタイマ回路の組合わせよりなるタイマ回路を示した
が、第2のタイマ回路2よりも電源電圧依存性の小さい
第3のタイマ回路をさらに付加し、これに共通の入力を
与え、この出力を他のタイマ回路の出力と共に論理和処
理を行うようにしても、上記実施例よりもさらに容易に
タイマ時間の電源電圧依存性を所望通り設定することが
できる。
In the above-described embodiment, the timer circuit including the combination of the two timer circuits having different power supply voltage dependences is shown, but the third timer circuit having a smaller power supply voltage dependence than the second timer circuit 2 is used. Further, even if a common input is given to this and the output is logically ORed together with the output of another timer circuit, the power supply voltage dependency of the timer time can be more easily obtained as desired than in the above embodiment. Can be set.

第7図は、前記実施例に比べてより長いタイマ時間を
設定し得る他の実施例に係るタイマ回路を示している。
即ち、入力は二段のインバータ51、52を介して2個のタ
イマ回路53および54に入力する。一方の第1のタイマ回
路53は、トランジスタのみからなり、図示の如く、イン
バータ55および56と、二入力ナンド回路57と、インバー
タ58と、二入力ナンド回路59と、インバータ60と、二入
力ナンド回路61とが接続されている。他方の第2のタイ
マ回路54は、図示の如く、インバータ62および63と、二
入力ナンド回路64と、インバータ65と、二入力ナンド回
路66と、インバータ67の、二入力ナンド回路68とが接続
されている。
FIG. 7 shows a timer circuit according to another embodiment capable of setting a longer timer time as compared with the above embodiment.
That is, the input is input to the two timer circuits 53 and 54 via the two-stage inverters 51 and 52. The first timer circuit 53, which is composed of only transistors, has inverters 55 and 56, a two-input NAND circuit 57, an inverter 58, a two-input NAND circuit 59, an inverter 60, and a two-input NAND circuit as shown in the figure. The circuit 61 is connected. The other second timer circuit 54 is connected to the inverters 62 and 63, the two-input NAND circuit 64, the inverter 65, the two-input NAND circuit 66, and the two-input NAND circuit 68 of the inverter 67 as shown in the figure. Has been done.

さらに、段間のインバータ65および67の各入力端とV
SS電位端との間にそれぞれ容量68および69が接続され、
インバータ65および67の各出力端とVCC電位端との間に
それぞれ容量70および71が接続されている。これらの2
個のタイマ回路53および54の各出力は二入力ノア回路72
に入力し、この二入力ノア回路72の出力は二段のインバ
ータ73,74を介して前記入力と共に二入力ナンド回路75
に入力し、この二入力ナンド回路75の出力がインバータ
76を介して出力されるように構成されている。
In addition, the input terminals of the inverters 65 and 67 between the stages and V
Capacitors 68 and 69 are connected between the SS potential end and
Capacitors 70 and 71 are connected between the output terminals of the inverters 65 and 67 and the V CC potential terminal, respectively. These two
The output of each timer circuit 53 and 54 is a two-input NOR circuit 72.
The output of the two-input NOR circuit 72 is input to the two-input NAND circuit 75 together with the input through the two-stage inverters 73 and 74.
The output of this two-input NAND circuit 75 is input to the inverter.
It is configured to be output via 76.

第7図のタイマ回路においても、前記実施例のタイマ
回路と同様に、2個のタイマ回路53および54の遅延時間
の電源電圧依存性を所望の値に設定することにより、全
体として所望の電源電圧依存性を得ることができる。
In the timer circuit of FIG. 7 as well, similar to the timer circuit of the above-described embodiment, by setting the power supply voltage dependence of the delay time of the two timer circuits 53 and 54 to a desired value, the desired power supply as a whole can be obtained. The voltage dependence can be obtained.

[発明の効果] 上述したように本発明によれば、タイマ回路を各電源
電圧に対して所望の遅延時間となるように容易に調整す
ることが可能となり、タイマ回路の電源電圧依存性と他
の回路系の電源電圧依存性との整合をとることが容易に
なり、半導体集積回路の電源電圧に対するマージンを広
範囲にわたって保障し得る半導体集積回路のタイマ回路
を実現できる。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, it is possible to easily adjust the timer circuit so as to have a desired delay time with respect to each power supply voltage. It becomes easy to match with the power supply voltage dependency of the circuit system, and it is possible to realize the timer circuit of the semiconductor integrated circuit which can ensure a wide margin for the power supply voltage of the semiconductor integrated circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の半導体集積回路におけるタイマ回路の
一実施例を示す回路図、第2図は第1図中の第1のタイ
マ回路における遅延回路の動作を示すタイミングを示す
波形図、第3図は第1図中の第1のタイマ回路の出力の
第2図のインバータの電源電圧依存性を示す特性図、第
4図は第1図中の第2のタイマ回路における遅延回路の
動作を示すタイミングを示す波形図、第5図は第1図中
の第2のタイマ回路の出力の電源電圧依存性を示す特性
図、第6図は第1図のタイマ回路の出力の電源電圧依存
性を示す特性図、第7図は本発明の他の実施例に係るタ
イマ回路を示す回路図、第8図(a)は従来の半導体メ
モリの一部を示す構成説明図、第8図(b)は同図
(a)のメモリにおける動作タイミングを示す波形図、
第9図(a)は第8図(a)中のAPDT回路の一例を示す
回路図、第9図(b)は同図(a)の動作タイミングを
示す波形図、第10図は第8図(a)のメモリにおける出
力データラッチ回路への格納時間T1とAPDT回路によって
アドレスデコーダおよびセンスアンプを非活性状態に制
御する時間T2との電源電圧依存性を示す特性図である。 1、53……第1のタイマ回路、2、54……第2のタイマ
回路、3、72……論理和回路、4、7……二入力ナンド
回路、5、8……インバータ、6、10……遅延回路、9
……容量。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a timer circuit in a semiconductor integrated circuit of the present invention, FIG. 2 is a waveform diagram showing the timing showing the operation of the delay circuit in the first timer circuit in FIG. 1, 3 is a characteristic diagram showing the power supply voltage dependency of the output of the first timer circuit in FIG. 1 of the inverter of FIG. 2, and FIG. 4 is the operation of the delay circuit in the second timer circuit of FIG. 5 is a waveform diagram showing the timing of FIG. 5, FIG. 5 is a characteristic diagram showing the power supply voltage dependence of the output of the second timer circuit in FIG. 1, and FIG. 6 is a power supply voltage dependence of the output of the timer circuit of FIG. FIG. 7 is a circuit diagram showing a timer circuit according to another embodiment of the present invention, FIG. 8 (a) is a configuration explanatory view showing a part of a conventional semiconductor memory, and FIG. b) is a waveform diagram showing the operation timing in the memory of FIG.
9 (a) is a circuit diagram showing an example of the APDT circuit in FIG. 8 (a), FIG. 9 (b) is a waveform diagram showing the operation timing of FIG. 9 (a), and FIG. FIG. 6 is a characteristic diagram showing power supply voltage dependence of a storage time T 1 in an output data latch circuit and a time T 2 for controlling an address decoder and a sense amplifier in an inactive state by an APDT circuit in the memory of FIG. 1, 53 ... first timer circuit, 2, 54 ... second timer circuit, 3, 72 ... logical sum circuit, 4, 7 ... two-input NAND circuit, 5, 8 ... inverter, 6, 10 ... Delay circuit, 9
……capacity.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】タイマ回路を内蔵する半導体集積回路であ
って、 入力信号を所定時間遅延する複数のインバータ回路と、
これらインバータ回路によって遅延された信号と前記入
力信号の論理積をとる第1の論理回路とを有し、遅延時
間が電源電圧の変化に対して大きく変化する電源電圧依
存性が大きい第1のタイマ回路と、 入力信号を所定時間遅延する複数のインバータ回路と、
これらインバータ回路の各出力端と接地間に接続された
容量と、これらインバータ回路及び容量によって遅延さ
れた信号と前記入力信号の論理積をとる第2の論理回路
とを有し、前記第1のタイマ回路より遅延時間が電源電
圧の変化に対して小さく変化する電源電圧依存性が小さ
い少なくとも1個の第2のタイマ回路と、 前記第1のタイマ回路の出力と前記第2のタイマ回路の
出力との論理和をとる第3の論理回路と を具備することを特徴とする半導体集積回路のタイマ回
路。
1. A semiconductor integrated circuit containing a timer circuit, comprising: a plurality of inverter circuits for delaying an input signal for a predetermined time;
A first timer that has a first logic circuit that takes a logical product of a signal delayed by these inverter circuits and the input signal, and that has a large power supply voltage dependency in which the delay time changes significantly with respect to changes in the power supply voltage. A circuit and a plurality of inverter circuits for delaying the input signal for a predetermined time,
And a second logic circuit that performs a logical product of the input signal and the signal delayed by the inverter circuit and the capacitance, the capacitance being connected between each output terminal of the inverter circuit and the ground, and the first logic circuit. At least one second timer circuit whose power supply voltage dependency is smaller than that of the timer circuit, the delay time of which is smaller than that of the power supply voltage, and the output of the first timer circuit and the output of the second timer circuit. And a third logic circuit for obtaining a logical sum of
【請求項2】タイマ回路を内蔵する半導体集積回路であ
って、 入力信号を所定時間遅延する第1のインバータ回路と、
この第1のインバータ回路によって遅延された信号と前
記入力信号の論理積をとる第1の論理回路と、この第1
の論理回路の出力信号を所定時間遅延する第2のインバ
ータ回路と、この第2のインバータ回路によって遅延さ
れた信号と前記入力信号の論理積をとる第2の論理回路
とが複数個縦続接続され、遅延時間が電源電圧の変化に
対して大きく変化する電源電圧依存性が大きい第1のタ
イマ回路と、 前記入力信号を所定時間遅延する第3のインバータ回路
と、この第3のインバータ回路によって遅延された信号
と前記入力信号の論理積をとる第3の論理回路と、この
第3の論理回路の出力信号を所定時間遅延する第4のイ
ンバータ回路と、この第4のインバータ回路によって遅
延された信号と前記入力信号の論理積をとる第4の論理
回路と、少なくとも前記第3、第4の論理回路の出力端
と接地間に接続された容量とが複数個縦続接続され、前
記第1のタイマ回路より遅延時間が電源電圧の変化に対
して小さく変化する電源電圧依存性が小さい少なくとも
1個の第2のタイマ回路と、 前記第1のタイマ回路の出力と前記第2のタイマ回路の
出力との論理和をとる第5の論理回路と、 前記第5の論理回路の出力と前記入力信号の論理積をと
る第6の論理回路と を具備することを特徴とする半導体集積回路のタイマ回
路。
2. A semiconductor integrated circuit containing a timer circuit, the first inverter circuit delaying an input signal for a predetermined time,
A first logic circuit that obtains a logical product of the signal delayed by the first inverter circuit and the input signal;
A plurality of second inverter circuits for delaying the output signal of the logic circuit for a predetermined time, and a plurality of second logic circuits for performing a logical product of the signal delayed by the second inverter circuit and the input signal are cascaded. A first timer circuit having a large power supply voltage dependency in which a delay time greatly changes with respect to a change in a power supply voltage, a third inverter circuit delaying the input signal for a predetermined time, and a delay caused by the third inverter circuit. A third logical circuit that takes the logical product of the generated signal and the input signal, a fourth inverter circuit that delays the output signal of the third logical circuit for a predetermined time, and a fourth inverter circuit that delays the output signal. A plurality of fourth logic circuits that take a logical product of a signal and the input signal, and at least a plurality of capacitors that are connected between the output terminals of the third and fourth logic circuits and the ground are cascade-connected, and At least one second timer circuit whose delay time is smaller than that of the first timer circuit with respect to the change of the power supply voltage and whose power supply voltage dependency is small; and the output of said first timer circuit and said second timer circuit And a sixth logic circuit that obtains the logical product of the output of the fifth logic circuit and the input signal. Timer circuit.
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JPS5250657A (en) * 1975-10-22 1977-04-22 Fujitsu Ltd Timing output generation circuit

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