JPH0870496A - Ultrasonic transducer and its manufacture - Google Patents

Ultrasonic transducer and its manufacture

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JPH0870496A
JPH0870496A JP22593594A JP22593594A JPH0870496A JP H0870496 A JPH0870496 A JP H0870496A JP 22593594 A JP22593594 A JP 22593594A JP 22593594 A JP22593594 A JP 22593594A JP H0870496 A JPH0870496 A JP H0870496A
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JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric element
ultrasonic transducer
electrode
thin film
wiring pattern
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP22593594A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihiko Sawada
之彦 沢田
Katsuhiro Wakabayashi
勝裕 若林
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP22593594A priority Critical patent/JPH0870496A/en
Publication of JPH0870496A publication Critical patent/JPH0870496A/en
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Abstract

PURPOSE: To realize the structure of an ultrasonic wave transducer suitable for miniaturization and its manufacture. CONSTITUTION: In the ultrasonic transducer 11 whose basic components are a piezoelectric element 1, a sound matching layer 12 formed on the surface of one side of the piezoelectric element 1, a back damping member 13 formed on the surface of the other side of the piezoelectric element 1, and a package board 9 provided with, at least, two electrode terminals 22, 23 and one wiring pattern two electrode terminals 22, 23 on the package board of the ultrasonic transducer 11 are insulated from each other, and simultaneously, one side is of the same potential as the wiring pattern, and the first electrode terminal 22 on the package board and a surface electrode 3 formed on the surface of one side of the piezoelectric element 1 are connected electrically to each other, and the second electrode terminal 23 on the package board and the surface electrode 4 formed on the surface of the other side of the piezoelectric element 1 are connected electrically to each other through the wiring pattern.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は医療用、または、非破壊
検査用超音波診断装置に用いられる超音波トランスデュ
ーサおよびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ultrasonic transducer used in a medical or nondestructive ultrasonic diagnostic apparatus and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術としては、本出願人が出願し
た、特開平4−126136号がある。同出願では、予
め形成した超音波トランスデューサを、同様に予め形成
した筐体に実装した後、超音波トランスデューサの圧電
素子表面電極と、筐体上の電極端子またはリード線と
を、導電性樹脂または半田により接続することにより、
超音波トランスデューサへの配線を行なっている。
2. Description of the Related Art As a conventional technique, there is JP-A-4-126136 filed by the present applicant. In the same application, a preformed ultrasonic transducer is mounted on a preformed housing in the same manner, and then a piezoelectric element surface electrode of the ultrasonic transducer and an electrode terminal or lead wire on the housing are made of a conductive resin or By connecting with solder,
Wiring to the ultrasonic transducer is done.

【0003】また現在の状況として、膵管・循環器など
の診断が可能な医療用超音波内視鏡や、細管の非破壊検
査を行なう工業用超音波診断装置を実現する要求が高ま
っている。この場合、内臓もしくは細管内に挿入される
プローブの外径が1〜数mm程度と非常に細くなるため、
これに実装される超音波トランスデューサも同時に小型
化する必要がある。さらに循環系用に関しては、感染防
止の観点から、プローブはディスポーザブル化する必要
がある。これらの状況により、超小型の超音波トランス
デューサを、低コストで製造する必要がある。
In the current situation, there is an increasing demand for realizing a medical ultrasonic endoscope capable of diagnosing the pancreatic duct / circulatory organ and an industrial ultrasonic diagnostic apparatus for performing nondestructive inspection of a thin tube. In this case, since the outer diameter of the probe inserted into the internal organs or the narrow tube becomes very small, about 1 to several mm,
At the same time, it is necessary to reduce the size of the ultrasonic transducer mounted on it. Further, for the circulation system, the probe needs to be disposable from the viewpoint of infection prevention. Due to these circumstances, it is necessary to manufacture a microminiature ultrasonic transducer at low cost.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の構
成並びに製造方法では、1mm程度またはそれ以下の小型
の超音波トランスデューサを実装する場合、各部材が極
めて小さくなるために、微小組立技術が要求されるとと
もに、各構成部材の位置決めが極端に困難になる。これ
により、製造コストの上昇、組立精度の相対的な低下と
これによる性能分布幅の拡大に代表される製品の品質の
低下、などの不具合が生じる。
However, in the above-described structure and manufacturing method, when a small ultrasonic transducer of about 1 mm or less is mounted, each member is extremely small, so that a micro assembly technique is required. At the same time, positioning of each component becomes extremely difficult. As a result, problems such as an increase in manufacturing cost, a relative decrease in assembly accuracy, and a decrease in product quality typified by an increase in performance distribution width are caused.

【0005】同様にトランスデューサを1つずつ実装す
ることが可能なだけであり、ディスポーザブル化に対応
できるような、低コスト化の要求には応えられない。
Similarly, it is only possible to mount the transducers one by one, and it is not possible to meet the demand for cost reduction, which is compatible with the disposable structure.

【0006】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、小型化に適した超音波トランスデューサの構造
とその製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a structure of an ultrasonic transducer suitable for miniaturization and a manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に係る本発明の超音波トランスデューサは、
圧電素子と、圧電素子の一方の面に形成された音響整合
層と、圧電素子の他方の面に形成された背面制動材と、
少なくとも2つの電極端子と1つの配線パターンとをも
つ実装基板と、を基本構成要素とする超音波トランスデ
ューサにおいて、超音波トランスデューサの、実装基板
上の2つの電極端子は互いに絶縁されていると同時に一
方は配線パターンと同電位となっており、実装基板上の
第1の電極端子と圧電素子の一方の面に形成された表面
電極とが電気的に接続されており、実装基板上の第2の
電極端子と圧電素子の他方の面に形成された表面電極と
が配線パターンを介して電気的に接続されていることに
より構成されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the ultrasonic transducer of the present invention according to claim 1 is
A piezoelectric element, an acoustic matching layer formed on one surface of the piezoelectric element, a back damping material formed on the other surface of the piezoelectric element,
In an ultrasonic transducer having a mounting substrate having at least two electrode terminals and one wiring pattern as a basic constituent element, the two electrode terminals of the ultrasonic transducer on the mounting substrate are insulated from each other at the same time. Has the same potential as the wiring pattern, the first electrode terminal on the mounting substrate and the surface electrode formed on one surface of the piezoelectric element are electrically connected, and the second electrode on the mounting substrate is connected. It is characterized in that the electrode terminal and the surface electrode formed on the other surface of the piezoelectric element are electrically connected via a wiring pattern.

【0008】また、請求項2に係る本発明の超音波トラ
ンスデューサは、請求項1において、実装基板をトラン
スデューサを実装すべき筐体と同一としたことを特徴と
する。
An ultrasonic transducer according to a second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the mounting substrate is the same as the housing in which the transducer is to be mounted.

【0009】さらに、請求項3に係る本発明の超音波ト
ランスデューサは、請求項1および請求項2において、
実装基板に、トランスデューサの駆動電気回路の少なく
とも一部を実装したことを特徴とする。
Further, the ultrasonic transducer of the present invention according to claim 3 is the ultrasonic transducer according to claim 1 and claim 2,
At least a part of the drive electric circuit of the transducer is mounted on the mounting board.

【0010】また、請求項4に係る本発明の超音波トラ
ンスデューサ製造方法は、圧電素子と、圧電素子の一方
の面に形成された音響整合層と、圧電素子の他方の面に
形成された背面制動材と、少なくとも2つの電極端子と
1つの配線パターンとをもつ実装基板と、を基本構成要
素とする超音波トランスデューサの製造方法において、
超音波トランスデューサを、音響整合層・圧電素子・背
面制動材の積層体を実装基板上に一体化したのち、実装
基板上の第1の電極端子と圧電素子の一方の面に形成さ
れた表面電極と、実装基板上の配線パターンと圧電素子
の他方の面に形成された表面電極とを、それぞれ導体薄
膜により電気的に接続することにより圧電素子への配線
を行なうことにより製造することを特徴とする。
In the ultrasonic transducer manufacturing method of the present invention according to claim 4, the piezoelectric element, the acoustic matching layer formed on one surface of the piezoelectric element, and the back surface formed on the other surface of the piezoelectric element. In a method of manufacturing an ultrasonic transducer, which comprises a damping material and a mounting board having at least two electrode terminals and one wiring pattern as basic components,
The ultrasonic transducer is integrated with the laminated body of the acoustic matching layer, the piezoelectric element, and the back damping material on the mounting board, and then the first electrode terminal on the mounting board and the surface electrode formed on one surface of the piezoelectric element. And a wiring pattern on the mounting substrate and a surface electrode formed on the other surface of the piezoelectric element are electrically connected to each other by a conductive thin film, thereby wiring the piezoelectric element. To do.

【0011】さらに、請求項5に係る本発明の超音波ト
ランスデューサ製造方法は、請求項4において、導体薄
膜をTi,Cr,W単体もしくはこれらを含むものとし
たことを特徴とする。
Further, an ultrasonic transducer manufacturing method according to a fifth aspect of the present invention is characterized in that, in the fourth aspect, the conductor thin film is made of Ti, Cr, W alone or contains them.

【0012】[0012]

【作用】上記構成からなる本発明の超音波トランスデュ
ーサおよびその製造方法の作用は以下の通りである。
The operation of the ultrasonic transducer and the method of manufacturing the same of the present invention having the above-described structure is as follows.

【0013】請求項1では、超音波トランスデューサを
構成する圧電素子表面電極が、実装基板上に形成された
配線パターンを介して、導体薄膜により電気端子と電気
的に接続され、両電気端子を通じて、超音波トランスデ
ューサの駆動が可能になる。
According to the first aspect of the present invention, the piezoelectric element surface electrode constituting the ultrasonic transducer is electrically connected to the electric terminal by the conductor thin film via the wiring pattern formed on the mounting substrate, and through both electric terminals, The ultrasonic transducer can be driven.

【0014】請求項2では、超音波トランスデューサが
筐体と一体となって構成される。
In the second aspect, the ultrasonic transducer is formed integrally with the housing.

【0015】請求項3では、超音波トランスデューサの
駆動回路の一部が、トランスデューサと一体となって構
成される。
In the third aspect, a part of the drive circuit for the ultrasonic transducer is formed integrally with the transducer.

【0016】請求項4では、上記構造の超音波トランス
デューサを製造する。
In the fourth aspect, the ultrasonic transducer having the above structure is manufactured.

【0017】請求項5では、導体薄膜の強度が高まる。In the fifth aspect, the strength of the conductor thin film is increased.

【0018】[0018]

【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明に係る超
音波トランスデューサおよびその製造方法の実施例を説
明する。
Embodiments of an ultrasonic transducer and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0019】(実施例1)図1〜図11を用い、本実施
例を説明する。
(Embodiment 1) This embodiment will be described with reference to FIGS.

【0020】(構成)圧電素子1は、長方形板状のPZ
T圧電セラミックス2の両面に、Ag焼付けにより放射
面側表面電極3および背面側表面電極4を形成すること
により構成されており、分極されている。PZT圧電セ
ラミックス2には、その一方の面(放射面)に音響整合
層12が、他方の面(背面)には背面制動材13が形成
されている。
(Structure) The piezoelectric element 1 is a rectangular plate-shaped PZ.
It is constituted by forming a radiation surface side surface electrode 3 and a back surface side surface electrode 4 on both surfaces of the T piezoelectric ceramic 2 by Ag baking, and is polarized. An acoustic matching layer 12 is formed on one surface (radiation surface) of the PZT piezoelectric ceramics 2, and a back braking material 13 is formed on the other surface (back surface) thereof.

【0021】音響整合層12は、硬質エポキシ樹脂から
なっており、また、背面制動材13は、タングステン粒
子を分散させたエポキシ樹脂からなっている。
The acoustic matching layer 12 is made of a hard epoxy resin, and the back damping material 13 is made of an epoxy resin in which tungsten particles are dispersed.

【0022】圧電素子1の大きさは、その長さが完成後
の超音波トランスデューサの長さと同等以上であるとと
もに、その幅が完成後の超音波トランスデューサの幅と
同一、もしくは複数個分の幅以上である。同時に音響整
合層12および背面制動材13の大きさは、圧電素子1
と一致するものとする。ここでは、圧電素子1の幅方向
を紙面に直交する方向として説明する。
The size of the piezoelectric element 1 is equal to or greater than the length of the ultrasonic transducer after completion, and its width is the same as the width of the ultrasonic transducer after completion, or a width corresponding to a plurality of widths. That is all. At the same time, the sizes of the acoustic matching layer 12 and the backside braking material 13 are determined by the piezoelectric element
Shall match. Here, the width direction of the piezoelectric element 1 will be described as a direction orthogonal to the paper surface.

【0023】これらとは別に、両面に銅箔からなる配線
パターンを持つガラスエポキシ製基板9の表面には、背
面制動材13に概略相当する大きさを持つ凹部27と、
表面の凹部27に近い部分に第1電極端子22と、また
これとは絶縁部7によって電気的に絶縁された部分に第
2電極端子23と、が形成されている。同時にその裏面
全面には、裏面導体24が形成されている。裏面導体2
4と第2電極端子23とは、接続導体25により電気的
に接続されている。
Apart from these, on the surface of the glass epoxy substrate 9 having a wiring pattern made of copper foil on both sides, a concave portion 27 having a size approximately corresponding to the back braking material 13,
The first electrode terminal 22 is formed on a portion of the surface near the recess 27, and the second electrode terminal 23 is formed on a portion electrically insulated from the first electrode terminal 22 by the insulating portion 7. At the same time, the back conductor 24 is formed on the entire back surface. Back conductor 2
4 and the second electrode terminal 23 are electrically connected by a connection conductor 25.

【0024】基板9は、その幅が圧電素子1の幅と同等
とする。
The width of the substrate 9 is equal to that of the piezoelectric element 1.

【0025】(製造方法)以下に、製造方法について説
明する。
(Manufacturing Method) The manufacturing method will be described below.

【0026】図1に示したように、背面側表面電極4に
背面制動材13が、また放射面側表面電極3に音響整合
層12がそれぞれ一体化された圧電素子1を、基板9の
凹部27にエポキシ系接着剤(図示せず)により接合す
る。
As shown in FIG. 1, the piezoelectric element 1 in which the back surface side electrode 4 is integrated with the back surface braking material 13 and the radiation surface side surface electrode 3 is integrated with the acoustic matching layer 12 is formed in the concave portion of the substrate 9. It is joined to 27 by an epoxy adhesive (not shown).

【0027】両部材接合後、図2に示したように、圧電
素子背面側表面電極4の露出部のうち、第1電極端子2
2に隣接した部分を、エポキシ系樹脂からなる絶縁材1
9により封止する。
After joining both members, as shown in FIG. 2, among the exposed portions of the piezoelectric element back surface electrode 4, the first electrode terminal 2 is formed.
Insulation material 1 made of epoxy resin
Seal with 9.

【0028】封止工程終了後、図3に示した、導体薄膜
形成部10a,10bに、Tiからなる厚さ約1μmの
薄膜をスパッタ法により形成する。この時、導体薄膜形
成部10a,10b以外の部分は、マスキング(図示せ
ず)することによりTi薄膜が形成されないようにす
る。またこの時、圧電素子などの温度は、成膜条件を調
整することにより120℃以下にされ、圧電素子がデポ
ールしないようにされている。
After the sealing step is completed, a thin film of Ti having a thickness of about 1 μm is formed on the conductor thin film forming portions 10a and 10b shown in FIG. 3 by the sputtering method. At this time, portions other than the conductor thin film forming portions 10a and 10b are masked (not shown) so that the Ti thin film is not formed. At this time, the temperature of the piezoelectric element or the like is set to 120 ° C. or lower by adjusting the film forming condition so that the piezoelectric element does not depole.

【0029】成膜後、圧電素子1の幅を超音波トランス
デューサ複数個分の幅以上とした場合は、これを紙面に
平行な平面で精密切断砥石などにより裁断することによ
り、図4に示したような構造を持つ、超音波トランスデ
ューサが製造される。
After the film formation, when the width of the piezoelectric element 1 was made wider than the width of a plurality of ultrasonic transducers, it was cut by a precision cutting grindstone or the like in a plane parallel to the paper surface, as shown in FIG. An ultrasonic transducer having such a structure is manufactured.

【0030】(作用)圧電素子1の背面側表面電極4
は、Ti薄膜により裏面導体24および接続導体25を
介して第2電極端子23と電気的に接続される。同時に
放射面側表面電極3は、Ti薄膜により第1電極端子2
2と電気的に接続される。超音波トランスデューサ11
は、両端子22,23にパルサ・観測装置(いずれも図
示せず)を接続することにより、信号の送受を行なう。
(Function) Backside surface electrode 4 of the piezoelectric element 1
Is electrically connected to the second electrode terminal 23 via the back surface conductor 24 and the connection conductor 25 by the Ti thin film. At the same time, the emission surface side surface electrode 3 is made of a Ti thin film, and the first electrode terminal 2 is formed.
2 is electrically connected. Ultrasonic transducer 11
Transmits and receives signals by connecting a pulsar / observer (both not shown) to both terminals 22 and 23.

【0031】(効果)小型化・量産化に適するととも
に、圧電素子表面電極へ直接にリード線を配線すること
を必要としないため、リード線の機械的な負荷、リード
線接合時に圧電素子に熱や応力などが加わること、など
が全くないため、圧電素子にストレスがかかることがな
く、高性能であるとともに高信頼性の超音波トランスデ
ューサを構成することができる。
(Effect) It is suitable for downsizing and mass production, and since it is not necessary to directly connect the lead wire to the surface electrode of the piezoelectric element, the mechanical load of the lead wire and the heat applied to the piezoelectric element at the time of joining the lead wire. Since no stress or the like is applied to the piezoelectric element, the piezoelectric element is not stressed, and an ultrasonic transducer having high performance and high reliability can be configured.

【0032】また導体薄膜をTiを用いて形成すること
により、密着性・強度とも優れた導体薄膜を得ることが
できる。これにより、配線の信頼性を高めることがで
き、トランスデューサを含む製品全体の、信頼性並びに
歩留りを高めることができる。
By forming the conductor thin film using Ti, a conductor thin film having excellent adhesion and strength can be obtained. Thereby, the reliability of the wiring can be improved, and the reliability and the yield of the entire product including the transducer can be improved.

【0033】また大型の圧電素子を用いることにより、
成膜後に裁断する工程を採用した場合は、各構成部材を
組み立てた後に裁断する工程であるため、部材のハンド
リングがより容易となるとともに、組立精度を高めるこ
とができ、小型・高性能の超音波トランスデューサをよ
り容易に製造することができる。
By using a large piezoelectric element,
When the process of cutting after film formation is adopted, since it is the process of cutting after assembling each component member, the handling of the members becomes easier, and the assembly accuracy can be improved, and the compact and high performance Sound wave transducers can be manufactured more easily.

【0034】リード線の配線は、基板上に設けられた端
子に行なうため、端子の材質を最適化することにより、
リード線の接合強度を高めることができる。例えば銅製
のリード線を半田接合する場合は、銅をベースとし、メ
ッキなどにより半田を供給した端子が適当であるし、ま
たアルミニウムワイアをワイアボンディング法により配
線する場合は、銅をベースとし、軟質の金をメッキした
端子が適当である。これらにより、配線も含めた系全体
の信頼性を高めることも可能である。
Since the wiring of the lead wire is performed on the terminal provided on the substrate, by optimizing the material of the terminal,
The bonding strength of the lead wire can be increased. For example, when soldering a copper lead wire, a terminal based on copper and supplied with solder by plating is suitable, and when wiring an aluminum wire by the wire bonding method, copper is used as a base and a soft wire is used. Gold plated terminals are suitable. With these, it is possible to improve the reliability of the entire system including the wiring.

【0035】本実施例においては、圧電素子としてPZ
T系の圧電セラミックスを使用した場合について示した
が、PT系・PLZT系・ニオブ酸鉛系などの他のペロ
ブスカイト型圧電セラミックス、PVDFに代表される
高分子圧電体、圧電セラミックス−樹脂複合材に代表さ
れる複合圧電体、LiNbO3 ・ZnO・ニオブ酸鉛に
代表される結晶系圧電材などの使用も可能である。高分
子および複合圧電体とした場合は、その音響インピーダ
ンスが水並びに人体に近いため、特に医療用に使用した
場合、伝達ロスを少なくすることができること、音響整
合層を省略できること、などの効果がある。また結晶系
圧電材の場合は特に、温度による圧電特性の劣化がない
ため、特に工業用に適用した場合に、耐環境性(高温
下)に優れた超音波トランスデューサを得ることができ
る。
In this embodiment, PZ is used as the piezoelectric element.
Although the case of using T-based piezoelectric ceramics is shown, other perovskite-type piezoelectric ceramics such as PT-based, PLZT-based, and lead niobate-based, polymer piezoelectric materials typified by PVDF, and piezoelectric ceramics-resin composite materials can be used. It is also possible to use a typical composite piezoelectric material, a crystalline piezoelectric material typified by LiNbO 3 .ZnO, and lead niobate. When a polymer and a composite piezoelectric material are used, since the acoustic impedance thereof is close to that of water and the human body, it is possible to reduce the transmission loss and to omit the acoustic matching layer, especially when used for medical purposes. is there. Further, in the case of a crystalline piezoelectric material, there is no deterioration in piezoelectric characteristics due to temperature, so that an ultrasonic transducer excellent in environmental resistance (under high temperature) can be obtained particularly when applied to industrial applications.

【0036】同様にその表面電極についても、本実施例
において示したAgの他に、Au・Cu・Ni・Cr・
Ti・Mo・W・Ta・Zr・Alなどの金属とこれら
の合金またはインジウム酸化物・ITOなどの金属酸化
物、TiB2 ・ZrB2 などのホウ化物、WC・SiC
などの炭化物・MoSi2 ・WSi2 などのケイ化物が
使用可能であり、また形成方法としては焼付け法の他
に、スパッタ・真空蒸着・無電解メッキ・イオンプレー
ティング・CVDなどが使用可能である。また上記の材
料を、2層以上の多層薄膜として形成することも可能で
ある。例えば、Cr薄膜を形成した後にAg薄膜を形成
することにより、膜の密着性と、良好な電気伝導性の双
方を確保することができる。
Similarly, for the surface electrode, in addition to Ag shown in this embodiment, Au, Cu, Ni, Cr,
Metals such as Ti / Mo / W / Ta / Zr / Al and their alloys, metal oxides such as indium oxide / ITO, borides such as TiB 2 / ZrB 2 , WC / SiC
A carbide such as MoSi 2 or a silicide such as WSi 2 can be used, and as a forming method, in addition to the baking method, sputtering, vacuum deposition, electroless plating, ion plating, CVD, or the like can be used. . It is also possible to form the above materials as a multilayer thin film having two or more layers. For example, by forming the Ag thin film after forming the Cr thin film, it is possible to secure both the adhesion of the film and good electrical conductivity.

【0037】また圧電素子の形状についても、方形の平
板に固定されるものではない。例えば、図5に示したよ
うな円形の平板や、図6および図7に示したような円形
に切り取られた円錐状または球状の殻の一部、またはこ
れらを組み合わせたもの、図8〜図10に示したよう
な、円筒状曲面型圧電素子15、曲面−平面型圧電素子
16、両凹曲面型圧電素子17などの各種シリンドリカ
ル凹面板に代表される曲面板、などが使用可能である。
またこの時は、音響整合層および背面制動材の平面形状
および圧電素子との接合部の形状を、圧電素子と同一と
するか、または後述するような注型法により圧電素子に
一体に形成する必要がある。
Also, the shape of the piezoelectric element is not fixed to a rectangular flat plate. For example, a circular flat plate as shown in FIG. 5, a conical or spherical shell cut out in a circular shape as shown in FIGS. 6 and 7, or a combination thereof, FIGS. A curved surface plate represented by various cylindrical concave plates such as the cylindrical curved surface type piezoelectric element 15, the curved surface-flat surface type piezoelectric element 16 and the biconcave curved surface type piezoelectric element 17 as shown in 10 can be used.
Also, at this time, the acoustic matching layer and the backside damping material have the same planar shape as that of the piezoelectric element or the shape of the joint with the piezoelectric element, or are formed integrally with the piezoelectric element by a casting method as described later. There is a need.

【0038】また本実施例においては、各部材を一体化
した後に絶縁材などによりマスキングすることで、圧電
素子の両電極を電気的に絶縁したが、図11に示したよ
うな予め一部の電極を、パタニング・エッチング・研削
などにより除去20,21した圧電素子を用いることに
より、マスキングを一部省略することが可能である。
Further, in this embodiment, both electrodes of the piezoelectric element are electrically insulated by masking them with an insulating material or the like after integrating the respective members, but it is possible to partially insulate them as shown in FIG. Masking can be partially omitted by using the piezoelectric element whose electrodes are removed 20, 21 by patterning, etching, grinding or the like.

【0039】また本実施例においては、工程に先立って
分極した圧電素子を使用することとしたが、導体薄膜成
膜時の温度を150℃以上などの高温とすることによ
り、膜の密着強度を高めるとともに、この温度上昇によ
って消極した圧電素子を、成膜後に再分極する工程を取
ることも可能である。
In this embodiment, the polarized piezoelectric element was used prior to the process. However, by setting the temperature at the time of forming the conductive thin film to a high temperature such as 150 ° C. or higher, the adhesion strength of the film is improved. It is also possible to increase the temperature and take a step of repolarizing the piezoelectric element depolarized by this temperature rise after the film formation.

【0040】また平板状の音響整合層ではなく、曲面を
持つかまたはその内部に音速の分布を持った音響レンズ
も可能であること、単層ではなく複数層の音響整合層と
すること、またこれらの組み合わせとすることも可能で
ある。
Further, instead of a flat plate-like acoustic matching layer, an acoustic lens having a curved surface or having a sound velocity distribution therein is possible, a plurality of acoustic matching layers are used instead of a single layer, and A combination of these is also possible.

【0041】同様に本実施例においては、導体薄膜を、
Tiのスパッタにより形成する方法について示したが、
上述の圧電素子表面電極の材質と同様に、これに限定さ
れるものではない。導体薄膜の材質としては、Ag・A
u・Cu・Ni・Cr・Ti・Zr・Ta・Mo・W・
Alなどの金属とこれらの合金、インジウム酸化物・I
TOなどの金属酸化物、TiB2 ・ZrB2 などのホウ
化物、WC・SiCなどの炭化物・MoSi2 ・WSi
2 などのケイ化物が使用可能である。また形成方法とし
ては真空蒸着・イオンプレーティング・CVD・金属ポ
リマーによる薄膜形成も可能であり、これらを組み合わ
せ、複数層の導体膜を形成することも可能である。また
導体薄膜の成膜後に、導体薄膜の表面を導電性樹脂によ
り覆うことにより、機械的・電気的に強化することも可
能である。
Similarly, in this embodiment, the conductor thin film is
Although the method of forming Ti by sputtering has been described,
Similar to the material of the piezoelectric element surface electrode described above, the material is not limited to this. The material of the conductor thin film is Ag · A
u ・ Cu ・ Ni ・ Cr ・ Ti ・ Zr ・ Ta ・ Mo ・ W ・
Metals such as Al and their alloys, indium oxide / I
Metal oxides such as TO, borides such as TiB 2 · ZrB 2 , carbides such as WC · SiC · MoSi 2 · WSi
A silicide such as 2 can be used. As a forming method, vacuum vapor deposition, ion plating, CVD, and thin film formation by a metal polymer are also possible, and it is also possible to form a multi-layer conductor film by combining these. It is also possible to mechanically and electrically strengthen the surface of the conductor thin film by covering the surface of the conductor thin film with a conductive resin after the formation of the conductor thin film.

【0042】また音響整合層および背面制動材のマトリ
ックス材質については、同様にエポキシ系・ポリイミド
系・フェノール系・シリコーン系などの樹脂が使用可能
である。また特に背面制動材に関しては、マトリックス
として上記の他にシリコーンゴム・ネオプレンゴムに代
表されるゴム質の材料が使用可能である。またフィラー
としては、アルミナ・酸化タングステン・窒化タングス
テン・圧電セラミックスなどのセラミックスや、タング
ステン・銀・フェライトなどの金属および金属化合物、
Ba−フェライト・サマリウムコバルト(SmCo5
Sm2 Co17)などの磁性体粒子または磁性体でコート
した無機物粒子などが使用可能である。
As the matrix material of the acoustic matching layer and the backside damping material, epoxy-based, polyimide-based, phenol-based or silicone-based resins can be similarly used. Further, particularly for the back braking material, in addition to the above, a rubber-like material represented by silicone rubber / neoprene rubber can be used as the matrix. As the filler, ceramics such as alumina, tungsten oxide, tungsten nitride and piezoelectric ceramics, metals and metal compounds such as tungsten, silver and ferrite,
Ba-ferrite / samarium cobalt (SmCo 5 ,
Magnetic particles such as Sm 2 Co 17 ) or inorganic particles coated with a magnetic material can be used.

【0043】また背面制動材および音響整合層の一体化
の方法に関しては、本実施例では特に示さなかったが、
接合によるものの他に、液状の背面制動材および音響整
合層を圧電素子上で直接注型・硬化させることにより一
体化させる方法も可能である。この方法は、前述した平
板以外の圧電素子を用いる場合に特に有効である。
Although the method of integrating the backside damping material and the acoustic matching layer is not particularly shown in this embodiment,
In addition to the bonding method, it is possible to directly cast and cure the liquid backside damping material and the acoustic matching layer on the piezoelectric element to integrate them. This method is particularly effective when a piezoelectric element other than the flat plate described above is used.

【0044】基板の材質に関しては、本実施例で述べた
ガラスエポキシ基板の他に、一般に電気部品実装基板と
して用いられる、アルミナ基板、フレキシブルプリント
基板、フェノール基板などが使用可能である。また本実
施例においては、リード線の接合を基板表面のみで行な
う場合について述べたが、両面にそれぞれ接合する場合
については、基板裏面の導体をそのまま配線端子として
使用し、表面に設ける電極端子および表裏面の接続用導
体を省略することができる。また、接続用導体に関して
は、本実施例においては予めスルーホール等の手法によ
り形成しておくことを想定したが、導体薄膜を形成する
際に、同時に導体薄膜により形成してもよい。
As for the material of the substrate, in addition to the glass epoxy substrate described in this embodiment, an alumina substrate, a flexible printed circuit board, a phenol substrate, etc., which are generally used as electric component mounting boards, can be used. Further, in the present embodiment, the case where the lead wire is joined only on the front surface of the substrate has been described. The connecting conductors on the front and back surfaces can be omitted. Further, in the present embodiment, it is assumed that the connecting conductor is formed by a method such as through-holes in advance, but the conductor thin film may be formed at the same time when the conductor thin film is formed.

【0045】また裁断には、精密切断砥石の他に、パル
ス発振または連続波発振のYAGレーザ・CO2 レーザ
などのレーザ裁断、ワイアカットなどが使用可能であ
る。
In addition to the precision cutting grindstone, laser cutting such as pulse oscillation or continuous wave oscillation YAG laser / CO 2 laser and wire cutting can be used for the cutting.

【0046】また圧電素子の幅をトランスデューサ複数
個分以上とするとともに、裁断工程において、圧電素子
は完全に分離するが基板は一体化している程度までの切
り込みに留めることで、アレイ型超音波トランスデュー
サの製造にも適用可能である。
Further, the width of the piezoelectric element is set to be equal to or more than the width of the transducers, and in the cutting step, the piezoelectric element is completely separated, but the substrate is cut to such an extent that the substrate is integrated. It is also applicable to the manufacturing of.

【0047】(実施例2)図12を用い、本実施例を説
明する。なお図面の説明においては、前述の実施例と同
一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略す
る。
(Embodiment 2) This embodiment will be described with reference to FIG. In the description of the drawings, the same elements as those in the above-described embodiment will be designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0048】(構成)図12に示したように本実施例に
おいては、実施例1とは異なり、放射面側表面電極3が
裏面導体24および接続導体25を介して第2電極端子
23と電気的に接続される。同時に背面側表面電極4
は、Ti薄膜により第1電極端子22と電気的に接続さ
れる。
(Structure) In this embodiment, as shown in FIG. 12, unlike the first embodiment, the radiation surface side surface electrode 3 is electrically connected to the second electrode terminal 23 via the back surface conductor 24 and the connection conductor 25. Connected. At the same time, the back surface electrode 4
Are electrically connected to the first electrode terminal 22 by the Ti thin film.

【0049】このため本実施例においては、背面側表面
電極4の端面側の露出部を、絶縁材19により被覆する
とともに絶縁材19の外側を導体薄膜形成部10bとし
ている。
Therefore, in this embodiment, the exposed portion of the back surface electrode 4 on the end face side is covered with the insulating material 19 and the outside of the insulating material 19 is used as the conductor thin film forming portion 10b.

【0050】(作用)トランスデューサの周囲が、圧電
素子放射面側表面電極3と同電位となる。
(Function) The periphery of the transducer has the same potential as the surface electrode 3 of the piezoelectric element radiating surface side.

【0051】(効果)非測定対象の安全性を確保するた
め、一般に接地される圧電素子放射面側表面電極と同電
位の導体で、トランスデューサ全体が包まれるため、電
磁ノイズに対する耐性が高くなる。これにより、S/N
比が向上するため、高性能化できるとともに、低感度と
なるためにS/N比の向上が要求される小型化に適す
る。
(Effect) In order to secure the safety of the non-measurement target, the entire transducer is wrapped with a conductor having the same potential as the surface electrode of the radiation surface of the piezoelectric element, which is generally grounded, so that the resistance to electromagnetic noise is increased. As a result, S / N
Since the ratio is improved, high performance can be achieved, and the sensitivity is low, which is suitable for miniaturization requiring improvement of the S / N ratio.

【0052】(実施例3)図13を用い、本実施例を説
明する。なお図面の説明においては、前述の実施例と同
一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略す
る。
(Embodiment 3) This embodiment will be described with reference to FIG. In the description of the drawings, the same elements as those in the above-described embodiment will be designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0053】(構成)本実施例においては、基板9を背
面制動材13に銅箔からなる導体を接合して構成した。
ここで背面制動材13は、各電極の絶縁を確実なものと
するため、ジルコニアの粒子を分散させたエポキシ樹脂
とした。この場合、実施例1とは異なり、基板9には凹
部は形成されない。
(Structure) In this embodiment, the substrate 9 is formed by bonding the back braking material 13 with a conductor made of copper foil.
Here, the back braking material 13 is an epoxy resin in which zirconia particles are dispersed in order to ensure the insulation of each electrode. In this case, unlike the first embodiment, no recess is formed in the substrate 9.

【0054】(作用)基板が、背面制動材として機能す
る。
(Operation) The substrate functions as a back braking material.

【0055】(効果)基板の厚さ全てが背面制動材とな
るため、有効に制動が行なわれ、送受信パルスが短縮さ
れる。これにより深さ方向分解能を向上させることがで
きる。
(Effect) Since the entire thickness of the substrate serves as the backside braking material, the braking is effectively performed and the transmission / reception pulse is shortened. Thereby, the resolution in the depth direction can be improved.

【0056】(実施例4)図14を用い、本実施例を説
明する。なお図面の説明においては、前述の実施例と同
一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略す
る。
(Embodiment 4) This embodiment will be described with reference to FIG. In the description of the drawings, the same elements as those in the above-described embodiment will be designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0057】(構成)本実施例においては基板18を、
SUSなどの金属に代表される導体と、絶縁体の一面を
導体化した片面電気実装基板からなる小型基板14とに
より形成した。
(Structure) In this embodiment, the substrate 18 is
It was formed by a conductor typified by a metal such as SUS and a small-sized board 14 made of a single-sided electrical mounting board in which one surface of an insulator was made into a conductor.

【0058】(作用)基板その物が一方の端子として機
能するとともに、基板上の小型基板が他方の端子として
機能する。
(Operation) While the substrate itself functions as one terminal, the small substrate on the substrate functions as the other terminal.

【0059】(効果)金属などの加工性・機械的強度に
優れた材料を基板として使用することができる。このた
めトランスデューサを収める筐体を基板として使用する
ことができ、構造の簡略化が図れるとともに、トランス
デューサと筐体との位置精度を向上させることができ、
高精度のトランスデューサを容易に得ることができる。
(Effect) A material such as metal having excellent workability and mechanical strength can be used as the substrate. Therefore, the housing that houses the transducer can be used as a substrate, the structure can be simplified, and the positional accuracy between the transducer and the housing can be improved.
A highly accurate transducer can be easily obtained.

【0060】(実施例5)図15を用い、本実施例を説
明する。なお図面の説明においては、前述の実施例と同
一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略す
る。
(Embodiment 5) This embodiment will be described with reference to FIG. In the description of the drawings, the same elements as those in the above-described embodiment will be designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.

【0061】(構成)本実施例においては基板9上に、
マッチングコイル26を実装した。
(Structure) In this embodiment, on the substrate 9,
The matching coil 26 is mounted.

【0062】(作用)駆動回路の一部が、トランスデュ
ーサ上に一体化される。
(Operation) A part of the driving circuit is integrated on the transducer.

【0063】(効果)トランスデューサの感度向上・パ
ルス幅の短縮が図れるため、高性能のトランスデューサ
を得ることができる。
(Effect) Since the sensitivity of the transducer can be improved and the pulse width can be shortened, a high performance transducer can be obtained.

【0064】本実施例においては最も図示が容易なマッ
チングコイルについてのみ示したが、アンプ・ICなど
の電気回路部品や、エンコーダ用ピックアップ・医学的
治療用半導体レーザ、などのデバイスの実装も、全く同
様に行なえる。これらを実装する場合は、基板上にこれ
を目的とした配線パターンや電源ラインなどを設ける必
要がある。
In the present embodiment, only the matching coil, which is the easiest to illustrate, is shown, but the mounting of electric circuit parts such as amplifiers and ICs, pickup devices for encoders, semiconductor lasers for medical treatments, etc. You can do the same. When mounting these, it is necessary to provide a wiring pattern, a power supply line, and the like for that purpose on the substrate.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上説明したように本発明の超音波トラ
ンスデューサおよびその製造方法によれば、小型化に適
する超音波トランスデューサを提供することができる。
すなわち、
As described above, according to the ultrasonic transducer and the method of manufacturing the same of the present invention, it is possible to provide an ultrasonic transducer suitable for miniaturization.
That is,

【0066】請求項1に記載した発明では、小型化に適
した構造の超音波トランスデューサを、提供できる。
In the invention described in claim 1, it is possible to provide an ultrasonic transducer having a structure suitable for miniaturization.

【0067】請求項2に記載した発明では、筐体に高精
度に実装できる超音波トランスデューサを提供できる。
According to the invention described in claim 2, it is possible to provide an ultrasonic transducer which can be mounted in a housing with high accuracy.

【0068】請求項3に記載した発明では、駆動回路の
一部が一体化された高性能の超音波トランスデューサを
提供できる。
According to the invention described in claim 3, it is possible to provide a high-performance ultrasonic transducer in which a part of the drive circuit is integrated.

【0069】請求項4に記載した発明では、上記構造の
超音波トランスデューサを生産することが可能になる。
According to the invention described in claim 4, it is possible to produce the ultrasonic transducer having the above structure.

【0070】請求項5に記載した発明では、高信頼性の
超音波トランスデューサを生産することが可能になる。
In the invention described in claim 5, it is possible to produce a highly reliable ultrasonic transducer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1による超音波トランスデュー
サの製造方法を工程順に示す第1の断面図である。
FIG. 1 is a first sectional view showing a method of manufacturing an ultrasonic transducer according to a first embodiment of the present invention in the order of steps.

【図2】本発明の実施例1による超音波トランスデュー
サの製造方法を工程順に示す第2の断面図である。
FIG. 2 is a second cross-sectional view showing the method of manufacturing the ultrasonic transducer according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.

【図3】本発明の実施例1による超音波トランスデュー
サの製造方法を工程順に示す第3の断面図である。
FIG. 3 is a third cross-sectional view showing the method of manufacturing the ultrasonic transducer according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.

【図4】本発明の実施例1による超音波トランスデュー
サの製造方法を工程順に示す第4の断面図である。
FIG. 4 is a fourth cross-sectional view showing the method of manufacturing the ultrasonic transducer according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.

【図5】実施例1の超音波トランスデューサに使用可能
な圧電素子の別例を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing another example of a piezoelectric element that can be used in the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図6】実施例1の超音波トランスデューサに使用可能
な圧電素子のさらに別の例を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing still another example of a piezoelectric element that can be used in the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図7】実施例1の超音波トランスデューサに使用可能
な圧電素子のさらに別の例を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing still another example of a piezoelectric element that can be used in the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図8】実施例1の超音波トランスデューサに使用可能
な圧電素子のさらに別の例を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing still another example of a piezoelectric element that can be used in the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図9】実施例1の超音波トランスデューサに使用可能
な圧電素子のさらに別の例を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing still another example of a piezoelectric element that can be used in the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図10】実施例1の超音波トランスデューサに使用可
能な圧電素子のさらに別の例を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing still another example of a piezoelectric element that can be used in the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図11】実施例1の超音波トランスデューサの変形例
を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing a modified example of the ultrasonic transducer of the first embodiment.

【図12】本発明の実施例2による超音波トランスデュ
ーサを示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing an ultrasonic transducer according to a second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の実施例3による超音波トランスデュ
ーサを示す断面図である。
FIG. 13 is a sectional view showing an ultrasonic transducer according to a third embodiment of the present invention.

【図14】本発明の実施例4による超音波トランスデュ
ーサを示す断面図である。
FIG. 14 is a sectional view showing an ultrasonic transducer according to a fourth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の実施例5による超音波トランスデュ
ーサを示す断面図である。
FIG. 15 is a sectional view showing an ultrasonic transducer according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 圧電素子 2 圧電セラミックス 3 放射面側表面電極 4 背面側表面電極 5 放射面側導体層 6 背面側導体層 7 絶縁部 9 ガラスエポキシ製基板 10a 導体薄膜形成部 10b 導体薄膜形成部 11 超音波トランスデューサ 12 音響整合層 13 背面制動材 14 小型基板 15 円筒状曲面型圧電素子 16 曲面−平面型圧電素子 17 両凹曲面型圧電素子 18 基板 19 絶縁材 20 放射側表面電極未形成部 21 背面側表面電極未形成部 22 第1電極端子 23 第2電極端子 24 裏面導体 25 接続導体 26 マッチングコイル 27 凹部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric element 2 Piezoelectric ceramics 3 Radiation surface side surface electrode 4 Back surface side electrode 5 Radiation surface side conductor layer 6 Back surface conductor layer 7 Insulating part 9 Glass epoxy substrate 10a Conductor thin film forming part 10b Conductor thin film forming part 11 Ultrasonic transducer 12 Acoustic Matching Layer 13 Back Damping Material 14 Small Substrate 15 Cylindrical Curved Piezoelectric Element 16 Curved-Plane Piezoelectric Element 17 Biconcave Curved Piezoelectric Element 18 Substrate 19 Insulating Material 20 Radiation Side Surface Electrode Unformed Part 21 Back Side Surface Electrode Unformed portion 22 First electrode terminal 23 Second electrode terminal 24 Back surface conductor 25 Connection conductor 26 Matching coil 27 Recess

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電素子と、圧電素子の一方の面に形成
された音響整合層と、圧電素子の他方の面に形成された
背面制動材と、少なくとも2つの電極端子と1つの配線
パターンとをもつ実装基板と、を基本構成要素とする超
音波トランスデューサにおいて、超音波トランスデュー
サの、実装基板上の2つの電極端子は互いに絶縁されて
いると同時に一方は配線パターンと同電位となってお
り、実装基板上の第1の電極端子と圧電素子の一方の面
に形成された表面電極とが電気的に接続されており、実
装基板上の第2の電極端子と圧電素子の他方の面に形成
された表面電極とが配線パターンを介して電気的に接続
されていることにより構成されていることを特徴とする
超音波トランスデューサ。
1. A piezoelectric element, an acoustic matching layer formed on one surface of the piezoelectric element, a back braking material formed on the other surface of the piezoelectric element, at least two electrode terminals, and one wiring pattern. In a ultrasonic transducer having a mounting substrate having a and a basic component, the two electrode terminals of the ultrasonic transducer on the mounting substrate are insulated from each other, and at the same time, one has the same potential as the wiring pattern, The first electrode terminal on the mounting board and the surface electrode formed on one surface of the piezoelectric element are electrically connected to each other, and the second electrode terminal on the mounting board and the other surface of the piezoelectric element are formed. An ultrasonic transducer, wherein the ultrasonic transducer is configured by being electrically connected to the formed surface electrode via a wiring pattern.
【請求項2】 請求項1において、実装基板をトランス
デューサを実装すべき筐体と同一としたことを特徴とす
る超音波トランスデューサ。
2. The ultrasonic transducer according to claim 1, wherein the mounting substrate is the same as the housing on which the transducer is to be mounted.
【請求項3】 請求項1および請求項2において、実装
基板にトランスデューサの駆動電気回路の少なくとも一
部を実装したことを特徴とする超音波トランスデュー
サ。
3. The ultrasonic transducer according to claim 1, wherein at least a part of a drive electric circuit of the transducer is mounted on the mounting board.
【請求項4】 圧電素子と、圧電素子の一方の面に形成
された音響整合層と、圧電素子の他方の面に形成された
背面制動材と、少なくとも2つの電極端子と1つの配線
パターンとをもつ実装基板と、を基本構成要素とする超
音波トランスデューサの製造方法において、超音波トラ
ンスデューサを、音響整合層・圧電素子・背面制動材の
積層体を実装基板上に一体化したのち、実装基板上の第
1の電極端子と圧電素子の一方の面に形成された表面電
極と、実装基板上の配線パターンと圧電素子の他方の面
に形成された表面電極とを、それぞれ導体薄膜により電
気的に接続することにより圧電素子への配線を行なうこ
とにより、製造することを特徴とする超音波トランスデ
ューサ製造方法。
4. A piezoelectric element, an acoustic matching layer formed on one surface of the piezoelectric element, a back braking material formed on the other surface of the piezoelectric element, at least two electrode terminals, and one wiring pattern. In a method of manufacturing an ultrasonic transducer having a mounting substrate having a base component, the ultrasonic transducer is integrated with a laminated body of an acoustic matching layer, a piezoelectric element, and a rear damping material on the mounting substrate, and then the mounting substrate The upper first electrode terminal and the surface electrode formed on one surface of the piezoelectric element, and the wiring pattern on the mounting substrate and the surface electrode formed on the other surface of the piezoelectric element are electrically connected by a conductive thin film. A method for manufacturing an ultrasonic transducer, characterized in that the ultrasonic transducer is manufactured by connecting to the piezoelectric element and wiring to the piezoelectric element.
【請求項5】 請求項4において、導体薄膜をTi,C
r,W単体もしくはこれらを含むものとしたことを特徴
とする超音波トランスデューサ製造方法。
5. The conductor thin film according to claim 4, wherein the conductor thin film is made of Ti or C.
A method of manufacturing an ultrasonic transducer, characterized in that r or W is used alone or is included.
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