JPH0864709A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、詳し
くは、半導体チップを樹脂でモールドしてなり、かつ、
前記チップと樹脂との間には蓋体を介して空間部を設け
てなる半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, more specifically, a semiconductor chip molded with resin, and
The present invention relates to a semiconductor device in which a space is provided between the chip and a resin via a lid and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の技術として、例えば実開
平１−１３９４４１号公報に開示されたものが知られて
いる。この技術では、図１３に示すように、ＩＣ（半導
体集積回路）チップ７１は、ダイパット７２に接着固定
され、このＩＣチップ７１のボンディングパッドとリー
ド７３のワイヤボンディング部（先端部）とがワイヤ７
４によってボンディングされている。このＩＣチップ７
１は、四角箱状の蓋体７５と基板７６とによって密封さ
れ、樹脂体７７との間に空間部７８が設けられるように
配置されている。蓋体７５は、リード７３のワイヤボン
ディング部を含めてＩＣチップ７１を覆うように配設さ
れている。また、基板７６には、リード７３のワイヤボ
ンディング部の裏面及びダイパッド７２の裏面が密着し
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of technology, for example, the one disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-139441 is known. In this technique, as shown in FIG. 13, an IC (semiconductor integrated circuit) chip 71 is bonded and fixed to a die pad 72, and a bonding pad of this IC chip 71 and a wire bonding portion (tip portion) of a lead 73 are connected to a wire 7.
Bonded by 4. This IC chip 7
1 is sealed by a rectangular box-shaped lid 75 and a substrate 76, and is arranged so that a space 78 is provided between the lid 1 and the resin body 77. The lid 75 is arranged so as to cover the IC chip 71 including the wire bonding portion of the lead 73. The back surface of the wire bonding portion of the lead 73 and the back surface of the die pad 72 are in close contact with the substrate 76.
【０００３】上記の半導体装置は、次のようにして製造
される。すなわち、まずダイパッド７２、リード７３及
びこれらを支持する枠体部を備えてなるリードフレーム
を用意する。そして、基板７６をリード７３のワイヤボ
ンディング部の裏面に接着させた後、ＩＣチップ７１を
ダイパッド７２の上面に接着固定する。その後、ＩＣチ
ップ７１のボンディングパッドとリード７３のワイヤボ
ンディング部とをワイヤ７４を用いてボンディングし、
続いて蓋体７５を接着固定する。次に、これを所定の金
型に配置し、この金型のキャビティ内に樹脂を注入し、
ＩＣチップ７１をトランスファモールドした後、この樹
脂を硬化させる。その後、リードフレームの枠体部を切
り落とし、更にリード７３を所定形状に折り曲げること
により、半導体装置が製造される。The above semiconductor device is manufactured as follows. That is, first, a lead frame including the die pad 72, the leads 73, and a frame body portion that supports these is prepared. Then, after the substrate 76 is adhered to the back surface of the wire bonding portion of the lead 73, the IC chip 71 is adhered and fixed to the upper surface of the die pad 72. After that, the bonding pad of the IC chip 71 and the wire bonding portion of the lead 73 are bonded using the wire 74,
Then, the lid 75 is fixed by adhesion. Next, place this in a predetermined mold, inject resin into the cavity of this mold,
After transfer molding the IC chip 71, the resin is cured. Then, the frame portion of the lead frame is cut off, and the leads 73 are further bent into a predetermined shape to manufacture a semiconductor device.
【０００４】かかる構成とすることにより、樹脂体７７
とＩＣチップ７１とが接触せず、樹脂注入時における樹
脂からの応力がＩＣチップ７１に加わることが回避され
る。そのため、製造時にチップクラックが発生するのを
防止できるとともに、ＩＣチップ７１の電気的特性が変
化してしまうのを防止することができる。With this structure, the resin body 77
The IC chip 71 and the IC chip 71 do not come into contact with each other, and it is possible to prevent the stress from the resin from being applied to the IC chip 71 during the resin injection. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of chip cracks during manufacturing and prevent the electrical characteristics of the IC chip 71 from changing.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来技
術では、前記蓋体７５が四角箱状に形成されており、モ
ールド樹脂注入方向に対する面構造が平坦な板状となっ
ていた。また、蓋体７５の側壁は、基板７６に対して略
垂直に接着剤のみによって立設されていた。このため、
蓋体７５の上面は、強度的にさほど強いものでないにも
かかわらず、モールド時の樹脂圧を真っ向から受けてし
まうこととなっていた。従って、蓋体７５自体がその圧
力に耐えることができず、大きく変形してしまうおそれ
があった。また、特に前記蓋体７５が例えばセラミック
ス等の素材よりなっている場合には、その応力によって
蓋体７５が割れてしまうおそれがあった。However, in the above-mentioned conventional technique, the lid 75 is formed in a rectangular box shape, and the surface structure in the mold resin injection direction is a flat plate shape. Further, the side wall of the lid body 75 was erected substantially perpendicular to the substrate 76 only by the adhesive. For this reason,
Although the upper surface of the lid body 75 is not so strong in strength, it receives the resin pressure at the time of molding from the front. Therefore, the lid 75 itself cannot withstand the pressure and may be greatly deformed. Further, particularly when the lid 75 is made of a material such as ceramics, the stress may cause the lid 75 to crack.
【０００６】本発明は前述した事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、半導体チップを樹脂でモール
ドしてなり、かつ、前記チップと樹脂との間には蓋体を
介して空間部を設けてなる半導体装置において、モール
ド時における蓋体の割れ等の損傷を抑制することがで
き、もって当該損傷による不具合の発生を防止すること
のできる半導体装置及びその製造方法を提供することに
ある。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object thereof is to mold a semiconductor chip with a resin, and provide a space between the chip and the resin via a lid. To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof capable of suppressing damage such as cracking of a lid at the time of molding in a semiconductor device having a portion, and thus preventing occurrence of a defect due to the damage. is there.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明においては、土台上に配設さ
れ、樹脂体でモールドされた半導体チップと、前記半導
体チップに電気的に接続され、一端が前記樹脂体から露
出してなるリードと、前記半導体チップと前記樹脂体と
の間に、空間部を形成するべく前記土台上に配設された
蓋体とを備えた半導体装置において、前記蓋体と前記半
導体チップとの間には、前記樹脂体のモールド時におい
て、樹脂から前記蓋体に加わる応力を支持するための支
持手段を設けたことを特徴とする半導体装置をその要旨
としている。In order to achieve the above object, in the invention described in claim 1, a semiconductor chip disposed on a base and molded with a resin body, and the semiconductor chip electrically connected to each other. And a lid body having one end exposed from the resin body and a lid body disposed on the base so as to form a space between the semiconductor chip and the resin body. In the device, a supporting device is provided between the lid and the semiconductor chip to support a stress applied from the resin to the lid when the resin body is molded. The summary is.
【０００８】また、請求項２に記載の発明においては、
請求項１に記載の半導体装置において、前記蓋体に導電
部材を配設して、該導電部材と前記リードとを電気的に
導通させるとともに、かつ、前記支持手段の少なくとも
一部を導電性素材により構成し、当該支持手段によって
前記導電部材と前記半導体チップとの間の電気的導通を
許容せしめたことをその要旨としている。Further, in the invention described in claim 2,
The semiconductor device according to claim 1, wherein a conductive member is disposed on the lid to electrically connect the conductive member and the lead, and at least a part of the supporting means is made of a conductive material. It is characterized in that the supporting means allows electrical conduction between the conductive member and the semiconductor chip.
【０００９】さらに、請求項３に記載の発明において
は、土台上に配設され、樹脂体でモールドされた半導体
チップと、前記半導体チップに電気的に接続され、一端
が前記樹脂体から露出してなるリードと、前記半導体チ
ップと前記樹脂体との間に、空間部を形成するべく前記
土台上に配設された蓋体とを備えた半導体装置におい
て、前記蓋体を前記半導体チップの側とは反対側方向へ
突出するような凸形状とし、樹脂体のモールド時におい
て樹脂から前記蓋体に加わる応力の方向を分散させて該
応力を緩和するようにしたことをその要旨としている。Further, in the invention according to claim 3, a semiconductor chip disposed on a base and molded with a resin body is electrically connected to the semiconductor chip, and one end is exposed from the resin body. In a semiconductor device having a lead disposed on the base to form a space between the semiconductor chip and the resin body. The gist of the present invention is to have a convex shape that protrudes in the direction opposite to the above, and to disperse the direction of the stress applied from the resin to the lid at the time of molding the resin body to alleviate the stress.
【００１０】併せて、請求項４に記載の発明において
は、請求項３に記載の半導体装置において、前記土台に
は、前記蓋体の少なくとも一部の端縁部が係合される係
合部を設けたことをその要旨としている。In addition, in the invention described in claim 4, in the semiconductor device described in claim 3, the base is engaged with at least part of an edge portion of the lid. It is the gist of the establishment.
【００１１】加えて、請求項５に記載の発明において
は、半導体チップを収容するための収容凹部を有する土
台に前記半導体チップを配設し、前記半導体チップに電
気的に接続されるようにした状態で前記土台にリードを
設ける工程と、前記収容凹部内に蒸発性又は昇華性を有
する気化部材を配設する工程と、前記半導体チップとは
離間した状態で、前記収容凹部を覆うようにして前記土
台に蓋体を取付ける工程と、前記蓋体を有する土台を金
型のキャビティ内にセットする工程と、前記キャビティ
内に軟化した樹脂を注入する工程と、前記樹脂を固化さ
せて、モールド樹脂体を得る工程とを備えた半導体装置
の製造方法をその要旨としている。In addition, in the invention described in claim 5, the semiconductor chip is arranged on a base having an accommodating recess for accommodating the semiconductor chip, and is electrically connected to the semiconductor chip. A step of providing a lead on the base in the state, a step of disposing an evaporative or sublimable vaporizing member in the accommodating recess, and a step of covering the accommodating recess in a state of being separated from the semiconductor chip. A step of attaching a lid to the base, a step of setting the base having the lid in a cavity of a mold, a step of injecting a softened resin into the cavity, a step of solidifying the resin, and a molding resin. The gist is a method of manufacturing a semiconductor device including a step of obtaining a body.
【００１２】[0012]
【作用】上記の請求項１に記載の発明によれば、半導体
装置の土台上に配設された半導体チップは、一端が樹脂
体から露出してなるリードに電気的に接続される。この
半導体チップとモールドされた樹脂体との間において配
設された蓋体によって空間部が形成される。この空間部
の存在により、樹脂体と半導体チップとが接触せず、樹
脂注入時における樹脂からの応力が半導体チップに直接
加わることが回避される。According to the invention described in claim 1, the semiconductor chip arranged on the base of the semiconductor device is electrically connected to the lead whose one end is exposed from the resin body. A space is formed by the lid provided between the semiconductor chip and the molded resin body. Due to the existence of this space, the resin body and the semiconductor chip do not come into contact with each other, and it is possible to avoid the stress from the resin being directly applied to the semiconductor chip during the resin injection.
【００１３】さらに、蓋体と半導体チップとの間に設け
られた支持手段により、前記樹脂体のモールド時におい
て、樹脂から蓋体に加わる応力が支持される。このた
め、樹脂体のモールド時における蓋体の損傷が回避され
うる。Further, the stress applied from the resin to the lid is supported by the supporting means provided between the lid and the semiconductor chip when the resin body is molded. Therefore, damage to the lid body during molding of the resin body can be avoided.
【００１４】また、請求項２に記載の発明によれば、請
求項１に記載の発明の作用に加えて、蓋体に導電部材が
配設され、該導電部材とリードとが電気的に導通され
る。また、支持手段の少なくとも一部が導電性素材によ
り構成され、当該支持手段によって前記導電部材と半導
体チップとの間の電気的導通が許容される。このため、
半導体チップとリードとが電気的に導通されうることと
なる。従って、半導体チップとリードとを電気的に接続
するためのワイヤボンディング等が不要となる。According to the invention described in claim 2, in addition to the function of the invention described in claim 1, a conductive member is disposed on the lid, and the conductive member and the lead are electrically connected. To be done. Further, at least a part of the supporting means is made of a conductive material, and the supporting means allows electrical conduction between the conductive member and the semiconductor chip. For this reason,
The semiconductor chip and the leads can be electrically connected. Therefore, wire bonding or the like for electrically connecting the semiconductor chip and the lead becomes unnecessary.
【００１５】さらに、請求項３に記載の発明によれば、
半導体装置の土台上に配設された半導体チップは、一端
が樹脂体から露出してなるリードに電気的に接続され
る。この半導体チップとモールドされた樹脂体との間に
おいて配設された蓋体によって空間部が形成される。こ
の空間部の存在により、樹脂体と半導体チップとが接触
せず、樹脂注入時における樹脂からの応力が半導体チッ
プに直接加わることが回避される。Further, according to the invention of claim 3,
The semiconductor chip arranged on the base of the semiconductor device is electrically connected to a lead whose one end is exposed from the resin body. A space is formed by the lid provided between the semiconductor chip and the molded resin body. Due to the existence of this space, the resin body and the semiconductor chip do not come into contact with each other, and it is possible to avoid the stress from the resin being directly applied to the semiconductor chip during the resin injection.
【００１６】また、蓋体が半導体チップの側とは反対側
方向へ突出するような凸形状となっているため、樹脂体
のモールド時において、樹脂からの応力が、真っ向から
蓋体に加わらず、当該応力の方向が分散され、その応力
が緩和される。このため、樹脂体のモールド時における
蓋体の損傷が回避されうる。Further, since the lid body has a convex shape so as to project in the direction opposite to the side of the semiconductor chip, stress from the resin does not directly apply to the lid body during molding of the resin body. , The direction of the stress is dispersed, and the stress is relaxed. Therefore, damage to the lid body during molding of the resin body can be avoided.
【００１７】併せて、請求項４に記載の発明によれば、
請求項３に記載の発明の作用に加えて、土台に設けられ
た係合部には、蓋体の少なくとも一部の端縁部が係合さ
れる。このため、蓋体が樹脂の注入圧を受けた場合、そ
の応力が蓋体の裾野状の端縁部から係合部に伝えられ、
その応力の一部は土台により支持されることとなる。従
って、蓋体の損傷はより確実に回避されうる。In addition, according to the invention of claim 4,
In addition to the function of the invention described in claim 3, at least part of the edge of the lid is engaged with the engaging portion provided on the base. Therefore, when the lid receives the injection pressure of the resin, the stress is transmitted from the hem-shaped edge of the lid to the engaging portion,
Part of the stress will be supported by the base. Therefore, damage to the lid can be more reliably avoided.
【００１８】また、上記係合により、蓋体と土台との隙
間がより一層狭められ、蓋体と土台との間から樹脂が洩
れてしまう事態が回避されうる。加えて、請求項５に記
載の発明によれば、半導体チップを収容するための収容
凹部を有する土台に半導体チップが配設され、半導体チ
ップに電気的に接続されるようにした状態で土台にリー
ドが設けられる。また、収容凹部内に蒸発性又は昇華性
を有する気化部材が配設される。さらに、半導体チップ
とは離間した状態で、収容凹部を覆うようにして、土台
に蓋体が取付けられる。次に、その蓋体を有する土台が
金型のキャビティ内にセットされる。そして、キャビテ
ィ内に軟化した樹脂が注入され、その後当該樹脂が固化
されて、モールド樹脂体が得られる。これら一連の工程
を経ることにより、半導体装置が製造される。Further, due to the above engagement, the gap between the lid and the base can be further narrowed, and the situation that the resin leaks from between the lid and the base can be avoided. In addition, according to the invention as set forth in claim 5, the semiconductor chip is arranged on a base having an accommodating recess for accommodating the semiconductor chip, and the semiconductor chip is electrically connected to the semiconductor chip on the base. Leads are provided. In addition, a vaporizing member having an evaporative property or a sublimable property is arranged in the accommodation recess. Further, the lid is attached to the base so as to cover the accommodation recess while being separated from the semiconductor chip. Next, the base having the lid is set in the mold cavity. Then, the softened resin is injected into the cavity, and then the resin is solidified to obtain a molded resin body. A semiconductor device is manufactured through these series of steps.
【００１９】さて、本発明によれば、キャビティ内に軟
化した樹脂が注入されるときに、樹脂からの応力が蓋体
に加わることとなる。一方、少なくともキャビティ内に
軟化した樹脂が注入される際の熱により、収容凹部内に
配設された気化部材が蒸発又は昇華する。そして、その
気化圧力が、上記樹脂からの応力とは反対方向に加わる
こととなる。このため、気化圧力と樹脂応力との間であ
る程度の均衡が保たれている場合には、蓋体は、樹脂応
力によってさほど変形されずに済む。Now, according to the present invention, when the softened resin is injected into the cavity, the stress from the resin is applied to the lid. On the other hand, the vaporization member disposed in the accommodation recess evaporates or sublimes due to the heat at least when the softened resin is injected into the cavity. Then, the vaporizing pressure is applied in the direction opposite to the stress from the resin. For this reason, when the vaporization pressure and the resin stress are balanced to some extent, the lid is not so much deformed by the resin stress.
【００２０】[0020]
（第１実施例）以下、本発明のうち、請求項１，２に記
載の半導体装置を具体化した第１実施例を図１〜３に基
づいて詳細に説明する。(First Embodiment) A first embodiment of the present invention, which embodies the semiconductor device described in claims 1 and 2, will be described below in detail with reference to FIGS.
【００２１】図１は本実施例における半導体装置を示す
断面図である。同図に示すように、半導体装置１は、セ
ラミック製の土台としての基板２、半導体チップ３、リ
ード４、蓋体５及び樹脂体６等を備えている。基板２の
上面には、蓋体５を搭載するための凹部７が形成されて
いるとともに、さらにその略中央部には、収容凹部８が
形成されている。収容凹部８内には、半導体チップ３が
固定されている。また、前記凹部７にはセラミック製の
蓋体５が搭載され、固定されている。この蓋体５は平板
状をなし、蓋体５の上面と基板２の上面とは面一となっ
ている。この構成により、蓋体５と半導体チップ３との
間には空間部９が形成されている。樹脂体６は、基板２
及び蓋体５を被覆するようにして公知のモールド成形法
により形成されている。また、複数本の金属製のリード
４の一端側は、基板２及び樹脂体６内に収容された状態
で配設され、リード４の他端側は樹脂体６から外方へ露
出した状態となっている。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to this embodiment. As shown in the figure, the semiconductor device 1 includes a substrate 2 as a ceramic base, a semiconductor chip 3, leads 4, a lid 5, a resin body 6, and the like. A recess 7 for mounting the lid 5 is formed on the upper surface of the substrate 2, and a housing recess 8 is further formed substantially in the center thereof. The semiconductor chip 3 is fixed in the housing recess 8. Further, a ceramic lid 5 is mounted and fixed in the recess 7. The lid 5 has a flat plate shape, and the upper surface of the lid 5 and the upper surface of the substrate 2 are flush with each other. With this configuration, the space 9 is formed between the lid 5 and the semiconductor chip 3. The resin body 6 is the substrate 2
And the lid 5 is formed by a known molding method. Further, one end side of the plurality of metallic leads 4 is arranged so as to be accommodated in the substrate 2 and the resin body 6, and the other end side of the leads 4 is exposed from the resin body 6 to the outside. Has become.
【００２２】さて、前記半導体チップ３の図示しないバ
ンプ上には、複数本の四角柱状の支柱１１が立設されて
いる。この支柱１１は、本実施例において支持手段を構
成している。また、支柱１１は芯部及び鞘部よりなる２
重構造をなし、芯部は導電性の比較的良好な金よりな
り、鞘部は所定の硬度を有するアルミニウムよりなって
いる。この支柱１１の上面は前記蓋体５に当接してい
る。なお、支柱１１は半導体チップ３の図示しないバン
プに対し、及び蓋体５に対し、導電性接着材、はんだ、
金とアルミニウムとの熱圧着等により接着されている。On the bumps (not shown) of the semiconductor chip 3, a plurality of quadrangular pillars 11 are erected. The column 11 constitutes a supporting means in this embodiment. Further, the column 11 is composed of a core portion and a sheath portion 2
It has a heavy structure, the core portion is made of gold having relatively good conductivity, and the sheath portion is made of aluminum having a predetermined hardness. The upper surface of the column 11 is in contact with the lid body 5. The pillars 11 are provided on the bumps (not shown) of the semiconductor chip 3 and on the lid body 5 with a conductive adhesive, solder,
It is adhered by thermocompression bonding of gold and aluminum.
【００２３】より詳しくは、蓋体５の下面側の一部に
は、導電性の素材（例えば金属）よりなる導電部材１２
が設けられており、支柱１１の上面はこの導電部材１２
に当接している。一方、前記リード４の一端側は、基板
２内において図の上方へ折り曲げられ、基板２の凹部７
上面に露出した状態となっている。そして、この露出し
たリード４の一端と、前記導電部材１２とは相互に当接
しあっている。この構成により、半導体チップ３は、支
柱１１、導電部材１２を介してリード４に対し電気的に
接続されている。More specifically, a conductive member 12 made of a conductive material (for example, metal) is provided on a part of the lower surface of the lid 5.
Is provided, and the upper surface of the pillar 11 is provided with the conductive member 12
Is in contact with On the other hand, one end side of the lead 4 is bent upward in the drawing in the substrate 2 to form the recess 7 of the substrate 2.
It is exposed on the top surface. Then, the exposed one end of the lead 4 and the conductive member 12 are in contact with each other. With this configuration, the semiconductor chip 3 is electrically connected to the leads 4 via the columns 11 and the conductive members 12.
【００２４】次に、上記のようにして構成されてなる半
導体装置１において、樹脂体６を成形するための金型装
置について説明する。図２に示すように、金型装置１３
は、それぞれに成形凹部を有してなる固定型１４及び可
動型１５を備える。そして、両成形凹部によって樹脂体
６を成形するためのキャビティ１６が形成されている。
また、キャビティ１６の両側には、前記両型１４，１５
によってリード４の他端側を収容支持するための支持凹
部１７が形成されている。なお、固定型１４には、軟化
した樹脂をキャビティ１６内に射出注入するための図示
しないゲートが形成されている。Next, a mold device for molding the resin body 6 in the semiconductor device 1 configured as described above will be described. As shown in FIG.
Includes a fixed mold 14 and a movable mold 15 each having a molding recess. Then, a cavity 16 for molding the resin body 6 is formed by both molding concave portions.
Further, on both sides of the cavity 16, the two molds 14 and 15 are provided.
A support recess 17 for accommodating and supporting the other end of the lead 4 is formed. The fixed mold 14 is provided with a gate (not shown) for injecting the softened resin into the cavity 16.
【００２５】次に、上記樹脂体６を成形するに際しての
成形方法並びに本実施例の作用及び効果について説明す
る。まず、図２に示すように、基板２に対し、半導体チ
ップ３、リード４、支柱１１及び導電部材１２を有する
蓋体５を配設するとともに、リード４の他端側を、金型
装置１３の支持凹部１７に配設する。すると、前記基板
２等は、キャビティ１６内において、リード４を介して
宙に浮いたような状態で支持される。Next, the molding method for molding the resin body 6 and the operation and effect of this embodiment will be described. First, as shown in FIG. 2, a lid 5 having a semiconductor chip 3, leads 4, columns 11 and a conductive member 12 is arranged on a substrate 2, and the other end side of the leads 4 is attached to a mold device 13 It is disposed in the support recess 17 of Then, the substrate 2 and the like are supported in the cavity 16 via the leads 4 in a state of floating in the air.
【００２６】次に、図３に示すように、軟化した樹脂
を、前記ゲートを介してキャビティ１６内に注入せしめ
る。すると、樹脂はキャビティ１６内を流れ、基板２及
び蓋体５を被覆するようにしてキャビティ１６内に充填
される。Next, as shown in FIG. 3, the softened resin is injected into the cavity 16 through the gate. Then, the resin flows in the cavity 16 and fills the cavity 16 so as to cover the substrate 2 and the lid 5.
【００２７】このとき、半導体チップ３と注入された樹
脂との間には蓋体５が配設され、空間部９が形成されて
いる。この空間部９の存在により、樹脂と半導体チップ
３とが接触せず、樹脂注入時における樹脂からの応力が
半導体チップ３に直接加わることが回避される。このた
め、半導体チップ３が樹脂からの応力により損傷される
のを防止することができる。At this time, the lid 5 is arranged between the semiconductor chip 3 and the injected resin, and the space 9 is formed. Due to the existence of the space portion 9, the resin and the semiconductor chip 3 do not come into contact with each other, and the stress from the resin at the time of resin injection is prevented from being directly applied to the semiconductor chip 3. Therefore, it is possible to prevent the semiconductor chip 3 from being damaged by the stress from the resin.
【００２８】また、本実施例では、蓋体５と半導体チッ
プ３との間に設けられた支柱１１により、前記樹脂の注
入時において、樹脂から蓋体５に加わる応力が支持され
る。このため、蓋体５が割れてしまうといった損傷が発
生するのを防止することができる。その結果、蓋体５が
損傷してしまうことによって半導体チップ３に影響が及
ぶのを防止することができる。Further, in this embodiment, the column 11 provided between the lid 5 and the semiconductor chip 3 supports the stress applied from the resin to the lid 5 during the injection of the resin. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of damage such as the lid body 5 breaking. As a result, it is possible to prevent the semiconductor chip 3 from being affected by the damage to the lid 5.
【００２９】その後、上記樹脂が熱硬化することによ
り、樹脂体６が成形される。そして、金型装置１３が型
開きされ、取り出されることにより、半導体装置１が得
られる。なお、最終的には、前記リード４は樹脂体６成
形後に行われるカット及びベント工程おいて切断、折曲
加工が施され、図１に示すような形状となる。Then, the resin body 6 is molded by thermosetting the resin. Then, the mold device 13 is opened and taken out, so that the semiconductor device 1 is obtained. Finally, the lead 4 is cut and bent in the cutting and venting steps performed after the resin body 6 is molded, and has the shape shown in FIG.
【００３０】このようにして得られた半導体装置１にお
いては、樹脂体６のモールド成形時においては、既に上
述した作用効果を奏する。併せて、本実施例によれば、
上記効果に加えて、蓋体５に導電部材１２を配設すると
ともに、該導電部材１２とリード４とを電気的に導通す
るようにした。また、支柱１１を導電性素材により構成
し、当該支柱１１によって前記導電部材１２と半導体チ
ップ３との間の電気的導通を許容するようにした。この
ため、半導体チップ３とリード４とが電気的に導通され
うることとなる。従って、半導体チップ３とリード４と
を電気的に接続するために、従来では別途必要とされて
いたワイヤボンディング等による接続が不要となる。そ
の結果、著しい集積率の向上を図ることができるととも
に、作業工数の低減及びコストの低減を図ることができ
る。In the semiconductor device 1 obtained in this way, the above-described effects can be obtained when the resin body 6 is molded. In addition, according to the present embodiment,
In addition to the above effects, the conductive member 12 is provided on the lid 5, and the conductive member 12 and the lead 4 are electrically connected. Further, the pillar 11 is made of a conductive material, and the pillar 11 allows electrical conduction between the conductive member 12 and the semiconductor chip 3. Therefore, the semiconductor chip 3 and the leads 4 can be electrically connected. Therefore, in order to electrically connect the semiconductor chip 3 and the lead 4 to each other, connection by wire bonding or the like, which has been separately required in the related art, is unnecessary. As a result, it is possible to significantly improve the integration rate, reduce the number of work steps, and reduce the cost.
【００３１】加えて、本実施例では、支柱１１を芯部及
び鞘部よりなる２重構造とした。従って、、当該２重構
造によって、１本の支柱１１における導電性及び剛性の
双方を充足させることができる。In addition, in this embodiment, the column 11 has a double structure composed of a core portion and a sheath portion. Therefore, both the conductivity and the rigidity of one pillar 11 can be satisfied by the double structure.
【００３２】なお、上記半導体装置１としては、加速度
センサー等の半導体チップ３が中空状態下に維持される
必要のあるものが望ましい適用例として挙げられる（以
下の実施例においても同様）。The semiconductor device 1 is preferably an application example in which the semiconductor chip 3 such as an acceleration sensor needs to be maintained in a hollow state (the same applies to the following embodiments).
【００３３】（第２実施例）次に、請求項３に記載の半
導体装置を具体化した第２実施例を図４〜図６に従って
説明する。なお、本実施例において、既に第１実施例で
記載した事項と重複するものについてはその説明を省略
するものとする。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS. Incidentally, in this embodiment, the description of the matters overlapping with those already described in the first embodiment will be omitted.
【００３４】図４は本実施例における半導体装置を示す
断面図である。同図に示すように、半導体装置１８は、
セラミック製の土台としての基板１９、半導体チップ２
１、リード２２、蓋体２３及び樹脂体２４等を備えてい
る。基板１９の略中央部には、収容凹部２５が形成され
ている。収容凹部２５内には、半導体チップ２１が固定
されている。また、収容凹部２５にはセラミック製の蓋
体２３が搭載され、固定されている。FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor device according to this embodiment. As shown in FIG.
Substrate 19 as a ceramic base, semiconductor chip 2
1, a lead 22, a lid 23, a resin body 24, and the like. An accommodating recess 25 is formed substantially in the center of the substrate 19. The semiconductor chip 21 is fixed in the housing recess 25. A ceramic lid 23 is mounted and fixed in the housing recess 25.
【００３５】この蓋体２３は、図４，５に示すように、
半導体チップ２１の側とは反対側方向（図の上方）へ突
出するような凸形状、すなわち、笠状（四角錐状）をな
し、その端縁は、収容凹部の底面と側面との境のコーナ
ー部分に位置している。従って、半導体チップ２１は蓋
体２３によって覆われるとともに、蓋体２３と半導体チ
ップ２１との間には空間部２６が形成されている。This lid 23 is, as shown in FIGS.
The semiconductor chip 21 has a convex shape projecting in the direction opposite to the semiconductor chip 21 side (upward in the figure), that is, a cap shape (quadrangular pyramid shape), and its edge is at the boundary between the bottom surface and the side surface of the accommodation recess. It is located in the corner. Therefore, the semiconductor chip 21 is covered with the lid 23, and the space 26 is formed between the lid 23 and the semiconductor chip 21.
【００３６】また、第１実施例と同様、樹脂体２４は、
基板１９及び蓋体２３を被覆するようにしてモールド成
形法により形成されている。また、複数本の金属製のリ
ード２２の一端側は基板１９及び樹脂体２４内に収容さ
れた状態で配設され、他端側は樹脂体２４から外方へ露
出した状態となっている。より詳しくは、リード２２の
一端側は、収容凹部２５の方に向かって延びており、該
凹部２５の底面に露出した状態となっている。そして、
このリード２２の一端側と前記半導体チップ２１とがワ
イヤボンディング２７により電気的に接続されている。Further, as in the first embodiment, the resin body 24 is
It is formed by a molding method so as to cover the substrate 19 and the lid 23. Further, one end side of the plurality of metal leads 22 is arranged so as to be accommodated in the substrate 19 and the resin body 24, and the other end side is exposed from the resin body 24 to the outside. More specifically, one end side of the lead 22 extends toward the accommodation recess 25 and is exposed on the bottom surface of the recess 25. And
One end of the lead 22 and the semiconductor chip 21 are electrically connected by wire bonding 27.
【００３７】次に、上記のようにして構成されてなる半
導体装置１８において、樹脂体２４を成形するに際して
の成形方法並びに本実施例の作用及び効果について説明
する。Next, in the semiconductor device 18 configured as described above, a molding method for molding the resin body 24 and the operation and effect of this embodiment will be described.
【００３８】まず、基板１９に対し、半導体チップ２
１、リード２２及び蓋体２３を配設するとともに、リー
ド２２の他端側を、金型装置１３の支持凹部１７に配設
する。すると、第１実施例と同様、基板１９等は、キャ
ビティ１６内において、リード２２を介して宙に浮いた
ような状態で支持される。First, with respect to the substrate 19, the semiconductor chip 2
1, the lead 22 and the lid 23 are provided, and the other end of the lead 22 is provided in the support recess 17 of the mold device 13. Then, as in the first embodiment, the substrate 19 and the like are supported in the cavity 16 via the leads 22 in a state of floating in the air.
【００３９】次に、図６に示すように、ゲートを介して
軟化した樹脂をキャビティ１６内に注入せしめる。する
と、樹脂は、キャビティ１６内を流れ、基板１９及び蓋
体２３を被覆するようにしてキャビティ１６内に充填さ
れる。Next, as shown in FIG. 6, the softened resin is injected into the cavity 16 through the gate. Then, the resin flows in the cavity 16 and fills the cavity 16 so as to cover the substrate 19 and the lid 23.
【００４０】このとき、半導体チップ２１と注入された
樹脂との間には蓋体２３が配設され、空間部２６が形成
されている。この空間部２６の存在により、樹脂と半導
体チップ２１とが接触せず、樹脂注入時における樹脂か
らの応力が半導体チップ２１に直接加わることが回避さ
れる。このため、半導体チップ２１が樹脂からの応力に
より損傷されるのを防止することができる。At this time, the lid 23 is disposed between the semiconductor chip 21 and the injected resin, and the space 26 is formed. Due to the presence of the space 26, the resin and the semiconductor chip 21 do not come into contact with each other, and the stress from the resin at the time of resin injection is prevented from being directly applied to the semiconductor chip 21. Therefore, the semiconductor chip 21 can be prevented from being damaged by the stress from the resin.
【００４１】また、本実施例では、蓋体２３が、半導体
チップ２１の側とは反対側方向へ突出するような凸形
状、すなわち、笠状（四角錐状）となっている。このた
め、樹脂注入時において、樹脂から前記蓋体２３に加わ
る応力は真っ向から蓋体２３に加わらず、応力の方向が
図の鉛直方向及び水平方向等に分散される。また、蓋体
２３の形状が笠状（四角錐状）となっていることから、
平板状の蓋体に比べて支持する点が増加するとともに、
その支持点間の距離が比較的短いものとなる。さらに
は、従来の箱体状の蓋体であれば、図の鉛直方向の応力
しか支持できなかったのに対し、本実施例では、水平方
向に分散された応力が基板１９の収容凹部２５の側壁に
て支持されることとなる。従って、蓋体２３が割れてし
まうといった損傷が発生するのを防止することができ
る。その結果、蓋体２３が損傷してしまうことによって
半導体チップ２１に影響が及ぶのを防止することができ
る。Further, in this embodiment, the lid body 23 has a convex shape that projects in the direction opposite to the semiconductor chip 21 side, that is, a cap shape (quadrangular pyramid shape). Therefore, when the resin is injected, the stress applied from the resin to the lid body 23 is not applied to the lid body 23 from the straight direction, and the stress directions are dispersed in the vertical direction and the horizontal direction in the drawing. In addition, since the shape of the lid 23 is a shade (quadrangular pyramid shape),
The number of supporting points is increased compared to the flat lid,
The distance between the supporting points is relatively short. Further, in the case of the conventional box-shaped lid, only the stress in the vertical direction in the drawing can be supported, whereas in the present embodiment, the stress dispersed in the horizontal direction is stored in the accommodation recess 25 of the substrate 19. It will be supported by the side wall. Therefore, it is possible to prevent the damage such as the lid 23 from being broken. As a result, it is possible to prevent the lid 23 from being damaged and affecting the semiconductor chip 21.
【００４２】（第３実施例）次に、請求項５に記載の半
導体装置の製造方法を具体化した第３実施例を図７〜図
９に従って説明する。なお、本実施例においても、既に
第１、第２実施例で記載した事項と重複するものについ
てはその説明を省略するものとする。(Third Embodiment) Next, a third embodiment embodying the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS. Note that, also in the present embodiment, the description of the items already described in the first and second embodiments will be omitted.
【００４３】図７は本実施例における半導体装置を示す
断面図である。同図に示すように、半導体装置３１は、
セラミック製の土台としての基板３２、半導体チップ３
３、リード３４、蓋体３５及び樹脂体３６等を備えてい
る。基板３２の略中央部には、収容凹部３７が形成され
ている。収容凹部３７内には、半導体チップ３３が固定
されている。また、基板３２には、収容凹部３７を被覆
密閉するようにして樹脂シート製の蓋体３５が熱融着さ
れ、固定されている。より詳しくは、前記蓋体３５は、
所定の耐熱性を有する例えばポリイミド等の樹脂材料に
より構成され、若干の通気性を有している。この蓋体３
５の被覆により、半導体チップ３３と蓋体３５との間に
は空間部３８が形成されている。FIG. 7 is a sectional view showing a semiconductor device according to this embodiment. As shown in FIG.
Substrate 32 as a ceramic base, semiconductor chip 3
3, a lead 34, a lid 35, a resin body 36, and the like. An accommodating recess 37 is formed in a substantially central portion of the substrate 32. The semiconductor chip 33 is fixed in the accommodation recess 37. Further, a lid 35 made of a resin sheet is heat-fused and fixed to the substrate 32 so as to cover and seal the accommodation recess 37. More specifically, the lid 35 is
It is made of a resin material such as polyimide having a predetermined heat resistance, and has a slight air permeability. This lid 3
A space 38 is formed between the semiconductor chip 33 and the lid 35 by the coating of No. 5.
【００４４】また、第１及び第２実施例と同様、樹脂体
３６は、基板３２及び蓋体３５を被覆するようにしてモ
ールド成形法により形成されている。また、複数本の金
属製のリード３４の一端側は基板３２及び樹脂体３６内
に収容された状態で配設され、他端側は樹脂体３６から
外方へ露出した状態となっている。より詳しくは、リー
ド３４の一端側は、収容凹部３７の方に向かって延びて
おり、該凹部３７の底面に露出した状態となっている。
そして、このリード３４の一端側と前記半導体チップ３
３とがワイヤボンディング３９により電気的に接続され
ている。Further, as in the first and second embodiments, the resin body 36 is formed by the molding method so as to cover the substrate 32 and the lid body 35. Further, one end side of the plurality of metal leads 34 is arranged so as to be accommodated in the substrate 32 and the resin body 36, and the other end side is exposed outward from the resin body 36. More specifically, one end of the lead 34 extends toward the accommodation recess 37 and is exposed at the bottom surface of the recess 37.
The one end of the lead 34 and the semiconductor chip 3
3 are electrically connected to each other by wire bonding 39.
【００４５】次に、上記のようにして構成されてなる半
導体装置３１において、その製造方法並びに本実施例の
作用及び効果について説明する。まず、図８に示すよう
に、基板３２に対し、半導体チップ３３、リード３４及
びワイヤボンディング３９を配設する。そして、前記収
容凹部３７内に蒸発性又は昇華性を有する気化部材（本
実施例ではエタノール）を収容する。その後、蓋体３５
を熱融着することにより、前記気化部材を封止し、リー
ド３４の他端側を、金型装置１３の支持凹部１７に配設
する。すると、基板３２等は、キャビティ１６内におい
て、リード３４を介して宙に浮いたような状態で支持さ
れる。Next, in the semiconductor device 31 constructed as described above, its manufacturing method and the operation and effect of this embodiment will be described. First, as shown in FIG. 8, the semiconductor chip 33, the leads 34, and the wire bonding 39 are arranged on the substrate 32. Then, a vaporizing member (ethanol in this embodiment) having evaporation property or sublimation property is housed in the housing recess 37. Then, the lid 35
By heat-sealing, the vaporizing member is sealed, and the other end side of the lead 34 is disposed in the supporting recess 17 of the mold device 13. Then, the substrate 32 and the like are supported in the cavity 16 via the leads 34 in a state of floating in the air.
【００４６】次に、図９に示すように、軟化した樹脂
を、ゲートを介してキャビティ１６内に注入せしめる。
すると、樹脂はキャビティ１６内を流れ、基板３２及び
蓋体３５を被覆するようにしてキャビティ１６内に充填
される。Next, as shown in FIG. 9, the softened resin is injected into the cavity 16 through the gate.
Then, the resin flows in the cavity 16 and fills the cavity 16 so as to cover the substrate 32 and the lid 35.
【００４７】このとき、半導体チップ３３と注入された
樹脂との間には蓋体３５が配設され、空間部３８が形成
されている。この空間部３８の存在により、樹脂と半導
体チップ３３とが接触せず、樹脂注入時における樹脂か
らの応力が半導体チップ３３に直接加わることが回避さ
れる。このため、半導体チップ３３が樹脂からの応力に
より損傷されるのを防止することができる。At this time, the lid 35 is arranged between the semiconductor chip 33 and the injected resin, and the space 38 is formed. Due to the presence of the space 38, the resin and the semiconductor chip 33 do not come into contact with each other, and the stress from the resin at the time of resin injection is prevented from being directly applied to the semiconductor chip 33. Therefore, the semiconductor chip 33 can be prevented from being damaged by the stress from the resin.
【００４８】また、樹脂の注入時において、蓋体３５は
樹脂からの圧力を受けることとなるが、本実施例では、
樹脂等から伝達される熱により、収容凹部３７内に収容
されていた気化部材が気化し、そのときの気化圧が前記
樹脂からの圧力に抗して働く。このため、気化圧力と樹
脂応力との間である程度の均衡が保たれている場合に
は、蓋体３５は、樹脂応力によってさほど変形されずに
済む。その結果、気化圧力と樹脂応力とを適宜に調整す
ることにより、蓋体３５が損傷されるのを回避すること
ができる。Further, when the resin is injected, the lid 35 receives pressure from the resin, but in this embodiment,
The heat transmitted from the resin or the like vaporizes the vaporizing member accommodated in the accommodating recess 37, and the vaporizing pressure at that time works against the pressure from the resin. For this reason, when the vaporization pressure and the resin stress are balanced to some extent, the lid 35 is not significantly deformed by the resin stress. As a result, damage to the lid 35 can be avoided by appropriately adjusting the vaporization pressure and the resin stress.
【００４９】その後、上記樹脂が熱硬化することによ
り、樹脂体３６が成形される。そして、金型装置１３が
型開きされ、取り出されることにより、半導体装置３１
が得られる。なお、前記気化部材は、成形時及び半導体
装置３１の取出後において、徐々に蓋体３５を通過し、
外部へと抜け出る。そのため、図７に示すように、最終
的に得られる半導体装置３１内には、前記気化部材は残
存していないものとなる。Then, the resin body 36 is molded by thermosetting the resin. Then, the mold device 13 is opened and taken out, so that the semiconductor device 31
Is obtained. The vaporizing member gradually passes through the lid 35 during molding and after the semiconductor device 31 is taken out,
Get out. Therefore, as shown in FIG. 7, the vaporization member does not remain in the finally obtained semiconductor device 31.
【００５０】尚、本発明は上記各実施例に限定されず、
例えば次の如く構成してもよい。 （１）前記第１実施例では、蓋体５の下面側の一部に導
電部材１２を設けるとともに、支柱１１の上面とリード
４の一端側とをそれぞれ導電部材１２に当接させ、別途
ワイヤボンディングの配設を省略する構成としたが、図
１０に示すように、蓋体４１に設けた導電部材４２と、
リード４３とを別途ワイヤ４４により接続する構成とし
てもよい。なお、同図においては、基板４５は、例えば
銅等よりなるリードフレームベッド４６上に接着固定さ
れている。The present invention is not limited to the above embodiments,
For example, it may be configured as follows. (1) In the first embodiment, the conductive member 12 is provided on a part of the lower surface side of the lid body 5, and the upper surface of the pillar 11 and one end side of the lead 4 are brought into contact with the conductive member 12 respectively, and a separate wire is provided. Although the arrangement of bonding is omitted, as shown in FIG. 10, the conductive member 42 provided on the lid 41,
The lead 43 may be separately connected by a wire 44. In the figure, the substrate 45 is adhesively fixed on a lead frame bed 46 made of copper or the like.
【００５１】また、第２、第３実施例についても、図１
２に示すように、リードフレームベッド４７上に基板４
８を載せ、基板４８とリード４３との電気的導通はボン
ディングワイヤ４９を使う構造としてももちろんよい。
この構成によれば、コストの低減を図ることができると
いう効果を奏する。The second and third embodiments are also shown in FIG.
2, the substrate 4 is placed on the lead frame bed 47.
Of course, a structure in which a bonding wire 49 is used for electrical connection between the substrate 48 and the lead 43 is provided.
According to this configuration, there is an effect that the cost can be reduced.
【００５２】（２）前記第１実施例では、支柱１１を金
及びアルミニウムよりなる２重構造としたが、アルミニ
ウム等の単一の素材により構成されていても何ら差し支
えない。また、形状についても何ら限定されず、上記実
施例の如く四角柱状以外であっても（例えば円柱状であ
っても）よい。(2) In the first embodiment, the pillar 11 has a double structure made of gold and aluminum, but it may be made of a single material such as aluminum. Further, the shape is not limited at all, and may be a shape other than the quadrangular prism (for example, a cylindrical shape) as in the above embodiment.
【００５３】さらには、支柱１１の上下端部に金、はん
だ、銀、銅等の比較的柔らかい素材よりなる寸法誤差吸
収部材を設けるようにしてもよい。かかる構成とするこ
とにより、収容凹部の深さが比較的小さい場合、寸法誤
差吸収部材がつぶれて緩衝材として作用し、蓋体５を確
実に凹部７内に収容することができる。Further, a dimensional error absorbing member made of a relatively soft material such as gold, solder, silver or copper may be provided at the upper and lower ends of the column 11. With such a configuration, when the accommodation recess has a relatively small depth, the dimensional error absorbing member is crushed and acts as a cushioning member, and the lid 5 can be reliably accommodated in the recess 7.
【００５４】（３）前記第２実施例では、底面と側面と
が直交する収容凹部２５を設け、該収容凹部２５内に、
笠状の蓋体２３を、その端縁が収容凹部の底面と側面と
の境のコーナー部分に位置するよう配設する構成とした
が、図１１に示すように、基板５０の収容凹部５１のコ
ーナー部分に係合部５２を形成するとともに、該係合部
５２内に蓋体２３の端縁を係合せしめるような構成とし
てもよい。かかる構成とすることにより、蓋体２３が樹
脂の注入圧を受けた場合、その応力が蓋体２３の裾野状
の端縁部から係合部５２に伝えられ、その応力の一部は
基板５０により支持されることとなる。従って、蓋体２
３の損傷はより確実に回避されうる。(3) In the second embodiment, a housing recess 25 having a bottom surface and a side surface orthogonal to each other is provided, and in the housing recess 25,
Although the cap-shaped lid 23 is arranged such that the edge thereof is located at the corner portion of the boundary between the bottom surface and the side surface of the accommodation recess, as shown in FIG. The engaging portion 52 may be formed at the corner portion, and the edge of the lid 23 may be engaged with the engaging portion 52. With this configuration, when the lid 23 receives the injection pressure of the resin, the stress is transmitted from the hem-shaped end edge of the lid 23 to the engaging portion 52, and a part of the stress is applied to the substrate 50. Will be supported by. Therefore, the lid 2
Damage of 3 can be avoided more reliably.
【００５５】また、上記係合により、蓋体２３と基板５
０との隙間がより一層狭められ、蓋体２３と基板５０と
の間から樹脂が洩れてしまう事態が回避されうる。 （４）前記第２実施例では、笠状（四角錐状）の蓋体２
３を設ける構成としたが、例えば図１２に示すように、
半球形状の蓋体６１の如く、半導体チップ２１の側とは
反対側方向へ突出するような凸形状となっており、樹脂
注入時において樹脂から加えられる応力の方向を分散す
るような形状となっていればその形状は何ら限定される
ものではない。By the above engagement, the lid 23 and the substrate 5 are
It is possible to prevent the resin from leaking from between the lid body 23 and the substrate 50 by further narrowing the gap between the lid body 23 and the substrate 50. (4) In the second embodiment, the cap-shaped (quadrangular pyramid-shaped) lid body 2 is used.
3 is provided, but as shown in FIG. 12, for example,
Like the lid 61 having a hemispherical shape, it has a convex shape that protrudes in the direction opposite to the semiconductor chip 21 side, and has a shape that disperses the direction of stress applied from the resin during resin injection. If so, the shape is not limited at all.
【００５６】（５）前記第３実施例では、気化部材とし
てエタノールを例に挙げたが、モールド時において昇温
されたときに、蒸発又は昇華し得るものであり、かつ、
半導体チップ３３等に悪影響を及ぼさないものであれ
ば、他のいかなる液体又は固体を用いてもよい。(5) In the third embodiment, ethanol was taken as an example of the vaporizing member, but it can evaporate or sublime when the temperature is raised during molding, and
Any other liquid or solid may be used as long as it does not adversely affect the semiconductor chip 33 and the like.
【００５７】（６）前記第３実施例では、蓋体３５を構
成する素材としてポリイミドを例に挙げたが、その外に
もポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン等の樹脂
素材の外、いかなる素材を用いてもよい。(6) In the third embodiment, polyimide is used as an example of the material forming the lid 35, but any material other than resin materials such as polyamide, polyester, and polyolefin may be used. Good.
【００５８】特許請求の範囲の各請求項に記載されない
ものであって、上記実施例から把握できる技術的思想に
ついて以下にその効果とともに記載する。 （ａ）請求項５に記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記蓋体は可撓性を有することを特徴とする。かか
る構成とすることにより、気化圧力と樹脂応力との間で
多少の圧力差があったとしても、蓋体の撓みによりそれ
が吸収され、蓋体の損傷を防止することができる。The technical idea which is not described in each claim of the claims and which can be understood from the above-mentioned embodiment will be described below together with its effect. (A) In the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, the lid body is flexible. With such a configuration, even if there is a slight pressure difference between the vaporization pressure and the resin stress, it is absorbed by the bending of the lid, and damage to the lid can be prevented.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜４に記
載された半導体装置及び請求項５に記載された半導体装
置の製造方法によれば、半導体チップを樹脂でモールド
してなり、かつ、前記チップと樹脂との間には蓋体を介
して空間部を設けてなる半導体装置において、モールド
時における蓋体の割れ等の損傷を抑制することができ、
もって当該損傷による不具合の発生を防止することがで
きるという優れた効果を奏する。As described above in detail, according to the semiconductor device of the first to fourth aspects and the method of manufacturing the semiconductor device of the fifth aspect, the semiconductor chip is molded with resin. And, in a semiconductor device in which a space is provided between the chip and the resin via a lid, damage such as cracking of the lid during molding can be suppressed,
As a result, the excellent effect of being able to prevent the occurrence of defects due to the damage is exhibited.
【００６０】特に、請求項２に記載の発明によれば、上
記効果に加えて、集積率の著しい向上及びコストの低減
を図ることができるという優れた効果を奏する。さら
に、請求項４に記載の発明によれば、上記効果に加え
て、蓋体の割れ等の損傷を抑制するという効果の確実性
をさらに高めることができるという優れた効果を奏す
る。In particular, according to the second aspect of the invention, in addition to the above effects, there is an excellent effect that the integration rate can be remarkably improved and the cost can be reduced. Further, according to the invention described in claim 4, in addition to the above effect, there is an excellent effect that the certainty of the effect of suppressing damage such as cracking of the lid can be further enhanced.
【図１】 本発明を具体化した第１実施例における半導
体装置を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the invention.
【図２】 第１実施例において、半導体装置の樹脂体を
成形する際に使用される金型装置等を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a mold device and the like used when molding a resin body of a semiconductor device in the first embodiment.
【図３】 第１実施例において、半導体装置の樹脂体を
成形する際の作用を示す金型装置等の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a mold device and the like showing an operation when molding a resin body of a semiconductor device in the first embodiment.
【図４】 本発明を具体化した第２実施例における半導
体装置を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 第２実施例において、半導体装置の基材等を
示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a base material and the like of a semiconductor device in a second embodiment.
【図６】 第２実施例において、半導体装置の樹脂体を
成形する際の作用を示す金型装置等の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a mold device and the like showing an operation when molding a resin body of a semiconductor device in a second embodiment.
【図７】 本発明を具体化した第３実施例における半導
体装置を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the invention.
【図８】 第３実施例において、半導体装置の基材等を
示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a base material and the like of a semiconductor device in a third embodiment.
【図９】 第３実施例において、半導体装置の樹脂体を
成形する際の作用を示す金型装置等の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a mold device and the like showing an operation when molding a resin body of a semiconductor device in the third embodiment.
【図１０】 本発明を具体化した別の実施例における半
導体装置を示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
【図１１】 別の実施例における半導体装置の要部を示
す部分断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing the main parts of a semiconductor device according to another embodiment.
【図１２】 別の実施例における半導体装置を示す断面
図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to another embodiment.
【図１３】 従来技術における半導体装置を示す断面図
である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a semiconductor device in the related art.
２，１９，３２，４５，４８，５０…土台としての基
板、３，２１，３３…半導体チップ、４，２２，３４，
４３…リード、５，２３，３５，４１，６１…蓋体、
６，２４，３６…樹脂体、９，２６，３８…空間部、１
１…支持手段としての支柱、１２…導電部材、１３…金
型装置、１６…キャビティ、３７…収容凹部、５２…係
合部。2, 19, 32, 45, 48, 50 ... Substrate as base, 3, 21, 33 ... Semiconductor chip, 4, 22, 34,
43 ... Reed, 5, 23, 35, 41, 61 ... Lid,
6, 24, 36 ... Resin body, 9, 26, 38 ... Space portion, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Support | pillars as a support means, 12 ... Conductive member, 13 ... Mold device, 16 ... Cavity, 37 ... Housing recess, 52 ... Engagement part.
Claims (5)
れた半導体チップと、 前記半導体チップに電気的に接続され、一端が前記樹脂
体から露出してなるリードと、 前記半導体チップと前記樹脂体との間に、空間部を形成
するべく前記土台上に配設された蓋体とを備えた半導体
装置において、 前記蓋体と前記半導体チップとの間には、前記樹脂体の
モールド時において、樹脂から前記蓋体に加わる応力を
支持するための支持手段を設けたことを特徴とする半導
体装置。1. A semiconductor chip disposed on a base and molded with a resin body, a lead electrically connected to the semiconductor chip and having one end exposed from the resin body, the semiconductor chip and the semiconductor chip. In a semiconductor device including a lid body disposed on the base to form a space between the lid body and the semiconductor chip, a resin body is molded between the lid body and the semiconductor chip. In the semiconductor device, a supporting means is provided for supporting a stress applied from the resin to the lid.
部材と前記リードとを電気的に導通させるとともに、か
つ、前記支持手段の少なくとも一部を導電性素材により
構成し、当該支持手段によって前記導電部材と前記半導
体チップとの間の電気的導通を許容せしめたことを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。2. A conductive member is disposed on the lid to electrically connect the conductive member and the lead, and at least a part of the supporting means is made of a conductive material. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein support means allows electrical conduction between the conductive member and the semiconductor chip.
れた半導体チップと、 前記半導体チップに電気的に接続され、一端が前記樹脂
体から露出してなるリードと、 前記半導体チップと前記樹脂体との間に、空間部を形成
するべく前記土台上に配設された蓋体とを備えた半導体
装置において、 前記蓋体を前記半導体チップの側とは反対側方向へ突出
するような凸形状とし、樹脂体のモールド時において樹
脂から前記蓋体に加わる応力の方向を分散させて該応力
を緩和するようにしたことを特徴とする半導体装置。3. A semiconductor chip disposed on a base and molded with a resin body, a lead electrically connected to the semiconductor chip and having one end exposed from the resin body, the semiconductor chip and the semiconductor chip. A semiconductor device having a lid body disposed on the base to form a space between the resin body and the lid body, wherein the lid body projects in a direction opposite to the side of the semiconductor chip. A semiconductor device having a convex shape to disperse directions of stress applied from the resin to the lid body during molding of the resin body to alleviate the stress.
部の端縁部が係合される係合部を設けたことを特徴とす
る請求項３に記載の半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the base is provided with an engaging portion with which an edge of at least a part of the lid is engaged.
を有する土台に前記半導体チップを配設し、前記半導体
チップに電気的に接続されるようにした状態で前記土台
にリードを設ける工程と、 前記収容凹部内に蒸発性又は昇華性を有する気化部材を
配設する工程と、 前記半導体チップとは離間した状態で、前記収容凹部を
覆うようにして前記土台に蓋体を取付ける工程と、 前記蓋体を有する土台を金型のキャビティ内にセットす
る工程と、 前記キャビティ内に軟化した樹脂を注入する工程と、 前記樹脂を固化させて、モールド樹脂体を得る工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。5. A step of disposing the semiconductor chip on a base having an accommodating recess for accommodating the semiconductor chip, and providing a lead on the base so as to be electrically connected to the semiconductor chip, A step of disposing a vaporizing member having an evaporative property or a sublimable property in the accommodating recess, a step of attaching a lid to the base so as to cover the accommodating recess in a state of being separated from the semiconductor chip, Setting a base having a lid in a cavity of a mold, injecting a softened resin into the cavity, solidifying the resin to obtain a molded resin body,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198578A JPH0864709A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Semiconductor device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198578A JPH0864709A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864709A true JPH0864709A (en) | 1996-03-08 |
Family
ID=16393512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198578A Pending JPH0864709A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Semiconductor device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864709A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7719006B2 (en) | 2007-03-12 | 2010-05-18 | Denso Corporation | Physical quantity sensor and semiconductor device having package and cover |
| JP2015130394A (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 株式会社デンソー | mold package |
| JP2017147280A (en) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 株式会社デンソー | Electronic circuit component |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6198578A patent/JPH0864709A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7719006B2 (en) | 2007-03-12 | 2010-05-18 | Denso Corporation | Physical quantity sensor and semiconductor device having package and cover |
| JP2015130394A (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 株式会社デンソー | mold package |
| JP2017147280A (en) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 株式会社デンソー | Electronic circuit component |
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