JPH0851071A - 選択的マスク・フィーチャ鮮鋭化用の多重マスク法 - Google Patents

選択的マスク・フィーチャ鮮鋭化用の多重マスク法

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JPH0851071A
JPH0851071A JP16385195A JP16385195A JPH0851071A JP H0851071 A JPH0851071 A JP H0851071A JP 16385195 A JP16385195 A JP 16385195A JP 16385195 A JP16385195 A JP 16385195A JP H0851071 A JPH0851071 A JP H0851071A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 【構成】 本発明の好ましい実施例は、通常は非鮮鋭化
のフィーチャ・タイプを鮮鋭化する方法である。パター
ン形状は、別個のフィーチャ・タイプを含む単一のマス
クを使用するのではなく、複数の比較的単純な修正され
たマスクに置かれる。これらの修正されたマスク（以
下、「オーバーレイ・マスク」と称する）の上では、フ
ィーチャのすべてが、普通に鮮鋭化されるタイプであ
る。複合パターンが、オーバーレイ・マスクへの連続露
光を介してフォトレジストにプリントされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全般的には微細フィー
チャ・リソグラフィのためのマスキング技法に関し、具
体的には、マスクされる像の解像度またはフォトレジス
ト内の焦点深度（ＤＯＦ）を改善するための回路フィー
チャの集積回路マスキング技法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスク像フィーチャには４つの主要なタ
イプがある。それは、線／スペース・アレイ、分離され
た線、分離されたスペースおよびコンタクト・ホールで
ある。リソグラフィ法で遭遇する一般的な問題は、従来
技術の解像度またはＤＯＦ像改善技法が、４つの主要な
タイプのすべてを均一に鮮鋭化しないことである。逆
に、従来技術の技法は、特定の主要なフィーチャ・タイ
プに最適の鮮鋭化を提供し、その結果、一部のフィーチ
ャが、同一の設計パターン内の他のフィーチャと比較し
て鮮鋭化されることになる。これらの完全に鮮鋭化され
たフィーチャ・タイプを、以下では「鮮鋭化された（en
hanced）」と称する。特定の技法によって完全には鮮鋭
化されないフィーチャを、以下では「非鮮鋭化（unenha
nced）」と称する。従来技術の技法は、選択的に鮮鋭化
された特定のフィーチャ・タイプを優先するので、混合
設計パターンすなわち多数のフィーチャ・タイプを有す
る設計のための均一なマスク像鮮鋭化は、非常に困難で
ある。
【０００３】たとえば、周知の軸外し照明法では、分離
されたフィーチャやコンタクト・ホールよりも、線／ス
ペース・アレイなどの狭い間隔のパターン像がはるかに
強く鮮鋭化される。対照的に、減衰位相シフトマスク
（ＰＳＭ）法では、線／スペース・アレイよりも分離さ
れたフィーチャやコンタクト・ホールでよりよい解像度
とＤＯＦがもたらされる。リムＰＳＭ法は、鮮鋭化され
るフィーチャ・タイプにおいて減衰ＰＳＭ法に類似して
いる。従来技術の像鮮鋭化技法は、全般的に、特定のフ
ィーチャ・タイプの選択的な鮮鋭化だけをもたらし、均
一な像鮮鋭化をもたらさないか、設計または製造可能性
のかなりの困難をもたらす。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、別個
のフィーチャ・タイプを有するパターンに関して均一に
像のフィーチャを鮮鋭化することである。
【０００５】本発明のもう１つの目的は、別個のフィー
チャ・タイプを有するマスクのフォトレジストに鮮鋭化
された像を形成するために、選択されたフィーチャの解
像度またはＤＯＦを改善することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の好ましい実施例
は、別個のフィーチャ・タイプを有するパターンの像鮮
鋭化の方法であり、この方法には、少なくとも１つの鮮
鋭化されたフィーチャ・グループと少なくとも１つの相
対的に非鮮鋭化のフィーチャ・グループとを含む、フィ
ーチャ・タイプによる複数の形状グループにパターン形
状をグループ化するステップと、少なくとも１つの非鮮
鋭化フィーチャ・グループから複数のオーバーレイ・グ
ループを形成するステップと、それぞれが複数のオーバ
ーレイ・グループのうちの異なる１つを含み、そのうち
の１つが少なくとも１つの鮮鋭化されたフィーチャ・グ
ループを含む、複数のオーバーレイ・マスク像を形成す
るステップとが含まれる。レジストの中間現像なしで各
マスク像を連続露光することによって、１つのマスクと
露光を使用して達成できるはずのものを上回る、少なく
とも１つのフィーチャ・グループに関する鮮鋭化された
解像度または焦点深度がもたらされる。１実施例では、
オーバーレイ・マスクをオーバーレイする時に、オーバ
ーレイ・グループをインターリーブしてアレイを形成す
る。第２の実施例では、オーバーレイ・グループを併合
して均一な露光を形成し、分離されたフィーチャだけを
もたらす。
【０００７】
【実施例】本発明の好ましい実施例は、通常は非鮮鋭化
のフィーチャを鮮鋭化する方法である。パターン形状
は、複数の修正されたマスクに置かれる。各マスクに置
く形状が注意深く選択されるので、修正されたマスクの
それぞれは、元の設計パターンよりも少ないタイプのフ
ィーチャを有する。元の設計パターンには、修正された
マスクよりも多数の別個のフィーチャ・タイプが含まれ
る。これらの修正されたマスクの上では、フィーチャの
すべてが、選択されたリソグラフィ技法によって普通に
鮮鋭化されるタイプである。複合パターンが、以下で
「オーバーレイ・マスク」と称する修正されたマスクを
介する連続露光を介してフォトレジストにプリントされ
る。
【０００８】本発明の好ましい実施例では、減衰位相シ
フト・マスクまたはリム位相シフト・マスクの場合に、
分離されたフィーチャとコンタクト・ホールの像が、通
常は同一のマスク・パターン内に存在する線／スペース
・アレイに対して相対的に鮮鋭化されることに留意す
る。逆に、軸外し照明マスクの場合には、線／スペース
・アレイ・フィーチャが、分離されたフィーチャやコン
タクト・ホールに対して相対的に鮮鋭化されることに留
意する。
【０００９】本発明によれば、鮮鋭化されたフィーチャ
・タイプ内の形状を、１つまたは複数のグループにグル
ープ化する。その後、通常は非鮮鋭化の形状、たとえば
線／スペース・アレイ・フィーチャを、複数のオーバー
レイ・グループにグループ化する。オーバーレイ・グル
ープは、オーバーレイ・グループ間で非鮮鋭化の形状を
選択的に分割することによるか、非鮮鋭化の形状を形成
するダミー形状を作成した後にオーバーレイ・グループ
間でダミー形状を選択的に分割することによって、形成
される。したがって、各オーバーレイ・グループは、鮮
鋭化されたフィーチャ（この例では分離された形状）の
グループである。各オーバーレイ・グループを、オーバ
ーレイ・マスク上に形成する。同一フォトレジスト上の
オーバーレイ・マスクの連続露光から形成される複合像
は、元の未分割のパターンであるが、通常は選択された
フィーチャ・タイプだけに関して鮮鋭化が達成されるの
に対して、大半またはすべてのフィーチャに関して相対
的に均一に鮮鋭化されている。
【００１０】図１は、たとえば分離された線やスペース
（図示せず）またはコンタクト・ホール（図示せず）な
どの他のフィーチャ・タイプをも含む、大きな設計の線
／スペース・アレイ部分を表す図である。ここで引用し
た省略されたマスク・フィーチャ・タイプは、本発明が
対処する問題を表さない、すなわち、省略されたフィー
チャ・タイプのフォトレジスト像は、位相シフト・マス
クを使用して形成される時に、通常は鮮鋭化された解像
度または焦点深度（ＤＯＦ）を有するので、図示しな
い。その一方で、線／スペース・アレイ・フィーチャ・
タイプは、周知のとおり、減衰位相シフト・マスクまた
はリム位相シフト・マスクを使用する時に、省略された
フィーチャ・タイプと同一レベルの鮮鋭化を有するレジ
スト像にならない。したがって、本発明の以下の説明で
は、図に示されたタイプ以外のマスク・フィーチャ・タ
イプも、所与のマスク・パターン全体に含まれる可能性
があり、その場合には、そのようなフィーチャ・タイプ
が、これから説明する代理の修正されたマスクのうちの
１つに組み込まれる時に、未変更のまま残されることを
前提とする。
【００１１】本発明の好ましい実施例によれば、線／ス
ペース・アレイは、２つのオーバーレイ・グループに分
割される。図１の符号Ａは、選択された線部分（透明
線）の第１のオーバーレイ・グループを表す。これらの
線部分Ａは、「アレイ」の線ではなく、互いに関して
「分離された」線に見えるのに十分な量だけ互いに等間
隔に離れている。この「分離された」線は、「アレイ」
の線に対して相対的に鮮鋭化されたレジスト像を生じ
る。図１の符号Ｂは、同様に、選択された線部分の第２
のオーバーレイ・グループを表す。これらの線部分Ｂ
も、選択された線が互いに関して「分離された」線にみ
えるのに十分な量だけ互いに等間隔に離れている。陰影
部分Ｏは、位相シフト・マスクの不透明区域であること
を理解されたい。
【００１２】図２は、図１のグループＡの線から導出さ
れた、好ましい実施例の第１のオーバーレイ・マスクを
示す図である。同様に、図３は、図１のグループＢの線
から導出された、好ましい実施例の第２のオーバーレイ
・マスクを示す図である。やはり、陰影の部分は、図２
および図３のオーバーレイ・マスク対で不透明であり、
線ＡおよびＢは透明である。この例では、パターンが２
つのサブパターンに分割される。しかし、パターンは、
線を３つ以上のオーバーレイ・グループにグループ化す
ることによって、３つ以上のオーバーレイ・マスク上の
３つ以上のサブパターンに分割できることがわかる。さ
らに、このような分割は、フィーチャが小さくなり、よ
り多くの鮮鋭化が必要になるにつれて必要になる可能性
がある。したがって、２つのグループへのパターンの分
割は、１つの例にすぎず、制限ではない。
【００１３】本発明の好ましい実施例のマスク対では、
分離されたフィーチャのすべてが、図２または図３のマ
スクのオーバーレイ対のどちらかの適当な区域に、無修
正で含まれる。たとえば、分離されたフィーチャは、図
２のオーバーレイ・マスク上にグループＡの線と共に含
めることができ、図３のオーバーレイ・マスクには、グ
ループＢの線だけを含めることができる。その代わり
に、図３のマスクにグループＢの線と分離された形状を
含め、図２のオーバーレイ・マスクにグループＡの線だ
けを含めることができる。したがって、元のマスクの全
パターンが、フォトレジストへのオーバーレイ・マスク
・パターンの連続露光によってプリントされる。
【００１４】オーバーレイ・マスクは、レジスト（図示
せず）の露光とそれぞれの潜像の作成のために、図１の
元のマスクの代わりに連続して使用される。オーバーレ
イ・マスクは、それぞれの露光ステップの間に位置合せ
され、その結果、結果の像が互いにインターリーブさ
れ、このため、全体としての結果の潜像が、露光された
レジストに作られる。結果の像は、図１に示されたもの
と同一のパターンを有する。しかし、線Ａと線Ｂは、オ
ーバーレイ・マスク対のそれぞれに「分離された線」と
して描かれたので、線Ａと線Ｂは鮮鋭化されている。結
果のアレイ像は、図１の元の従来技術のマスクを使用し
てプリントされた同一のアレイの像よりも、大幅に鮮鋭
化される。
【００１５】さらに、各オーバーレイ・マスクは、ウエ
ハ上の下のパターンに個別に位置合せされるので、結果
の像の各形状は、図１の従来技術マスクと同一のオーバ
ーレイ目標の中にある。予想されるとおり、２つのオー
バーレイ・マスクの互いに対する相対的な位置合せ変動
が多少追加されるが、この変動は、下のパターンに対す
るオーバーレイ・マスクの位置合せからもたらされる変
動よりはるかに小さい。その結果、この対の間の位置合
せの変動の主因は、ウエハのステップ送り精度になる。
ステッパの一貫性の変動は、技術的現状のステッパでは
通常は小さい。通常はオーバーレイ誤差のかなりの部分
を占める下レベルのマッピング誤差は、マスクの対の間
の相対位置合せに影響しない。
【００１６】好ましい実施例の使用に関する懸念がある
とすれば、減衰ＰＳＭが、暗区域を介する固有の低レベ
ル透過率を有することである。本発明のオーバーレイ・
マスク対を使用すると、従来技術の減衰単一マスクに対
して、暗区域で２倍のレジストの露光がもたらされる。
この倍の露光が、暗区域と明（露光）区域の間のコント
ラストをそこなう可能性がある。約４％ないし６％の典
型的な低透過率の場合、オーバーレイ・マスク対暗区域
の二重露光は、約８％ないし１２％の暗線量にすぎない
ので、これは問題にならない可能性がある。この暗線量
は、技術的現状のフォトレジストの感度レベルを十分に
下回る。しかし、任意選択として、減衰ＰＳＭの代わり
にオーバーレイ対のマスクのそれぞれについてリムＰＳ
Ｍを使用することによって、この暗線量を除去すること
ができる。
【００１７】図４は、軸外し照明に適用された本発明の
好ましい実施例の方法を示す図である。前に指摘したよ
うに、軸外し照明は、通常は鮮鋭化された線／スペース
・アレイをもたらすが、相対的に非鮮鋭化の分離された
フィーチャをもたらす。したがって、本発明の好ましい
実施例を軸外し照明に適用する際には、線／スペース・
アレイを修正して分離されたフィーチャにみえるように
するのではなく、分離されたフィーチャを修正してアレ
イにみえるようにする。
【００１８】図４の例では、分離されたフィーチャは不
透明の線２である。このオーバーレイ・パターンに追加
の不透明の「ダミー」線３を追加し、その結果、線２
が、従来技術マスクの軸外し・マスクにプリントされた
はずの元のパターンの単一の分離された線ではなく、図
４のオーバーレイ・マスク１を構成するアレイ内の線の
オーバーレイ・グループを形成するようにする。このオ
ーバーレイ・マスクの軸外し照明からのフォトレジスト
露光は、周期的に反復する（潜像）曲線４によって表さ
れる。曲線４は、オーバーレイ・マスク１の不透明のダ
ミー線３の間を通る、レジストに潜像（区域像）をもた
らす光（第１の露光からの）の強度も表す。
【００１９】オーバーレイ・マスク５が、本発明のオー
バーレイ・マスク対の第２のマスクであり、このオーバ
ーレイ・マスクでは、オーバーレイ・マスク１のダミー
線３のオーバーレイ・グループが、１／２ピッチだけシ
フトされている。オーバーレイ・マスク１の真の線２
は、このオーバーレイ・グループ内で隣接するシフトさ
れたダミー線と併合されて、第２のオーバーレイ・マス
ク５の長い線６を形成する。曲線４によって表される前
に露光されたフォトレジスト・パターンが、その後、オ
ーバーレイ・マスク５を使用する軸外し照明に露光され
る時に、区域潜像の曲線７によって表される元のパター
ンが、レジストにプリントされる。曲線７のパターンか
ら明白なとおり、オーバレイされる区域は、従来技術の
マスク１の真の線２に対応する区域を除いて、どこでも
均一に露光される。オーバーレイ・マスク５からのダミ
ー線３のグループは、マスク１のダミー線３のグループ
と打ち消し合う。したがって、ダミー・フィーチャのす
べてが併合され、除去され、真のフィーチャだけがプリ
ントされる。真の線２のエッジがオーバーレイ・マスク
１だけを用いて露光されたので、線２の解像度とＤＯＦ
は、その露光だけの関数になる。したがって、真の線２
は、実際にはパターン内の分離されたフィーチャである
という事実にもかかわらず、パターンの線／スペース・
アレイ・フィーチャと共に鮮鋭化される。レジスト・タ
イプに応じて、分離された線（ネガティブ・レジストの
場合）または分離されたスペース（ポジティブ・レジス
トの場合）がプリントされる。
【００２０】本発明の好ましい実施例の上記の説明で
は、鮮鋭化を意図されたフィーチャが、オーバーレイ・
マスク対の一方または両方で通常は鮮鋭化されるフィー
チャにみえるようにされる。図２および図３のマスク対
の場合、２つの代理マスク（１および５）の像がオーバ
ーレイされ、その結果、パターンが互いにインターリー
ブされ、真の像がフォトレジストにプリントされる。し
かし、図４のマスク対からは、２つのオーバーレイ・マ
スクのダミー・アレイが一緒に併合され、互いに打ち消
し合い、元の分離されたフィーチャだけがプリントされ
る。
【００２１】本発明は、他の選択的解像度鮮鋭化方法ま
たは選択的ＤＯＦ鮮鋭化方法に適用して、同様の結果を
もたらすこともできる。たとえば、本発明を適用できる
はずの解像度鮮鋭化の他の方法には、回折格子マスク、
位相エッジ・マスクまたは、ひとみフィルタなどのさま
ざまタイプの露光ツール解像度鮮鋭化が含まれる。さら
に、本発明は、本明細書に記載されていない他のフィー
チャ・タイプに適用することができる。そのような他の
フィーチャ・タイプには、たとえば、ダイナミック・ラ
ンダム・アクセス・メモリやスタティック・ランダム・
アクセス・メモリを画定するのに必要なパターンを含め
ることができ、たとえば、記憶プレートなどのアクティ
ブ・エリア、ポリシリコン・ワード線、アクティブ・エ
リアのパターンなどを、本発明による多重露光を使用し
て鮮鋭化できる。
【００２２】好ましい実施例に関して本発明を説明した
が、当業者であれば多数の修正および変形を想定するで
あろう。これらの変形および修正は、請求の範囲に含ま
れるものとみなされる。
【００２３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００２４】（１）パターン形状を、フィーチャ・タイ
プに従って、少なくとも１つの鮮鋭化されるフィーチャ
・グループと少なくとも１つの非鮮鋭化フィーチャ・グ
ループとを含む複数の形状グループにグループ化するス
テップと、少なくとも１つの前記非鮮鋭化フィーチャ・
グループから複数のオーバーレイ・グループを形成する
ステップと、それぞれが前記複数のオーバーレイ・グル
ープのうちの異なる１つを含み、そのうちの１つが前記
少なくとも１つの鮮鋭化されるフィーチャ・グループを
含む、複数のオーバーレイ・マスク像を形成するステッ
プとを含む、別個のフィーチャ・タイプを有するパター
ンの像鮮鋭化の方法。 （２）前記複数の形状グループが、２つの形状グループ
であり、前記複数のオーバーレイ・グループが、２つの
オーバーレイ・グループであり、前記複数のオーバーレ
イ・マスクが、２つのマスクであることを特徴とする、
上記（１）の方法。 （３）前記２つのオーバーレイ・グループが、前記非鮮
鋭化フィーチャ・グループ内の形状を、前記各オーバー
レイ・グループごとに１アレイずつ、前記形状の２つの
アレイに複写することによって形成され、これによっ
て、前記オーバーレイ・グループの両方の形状が、前記
マスクをオーバーレイする時にインターリーブされ、前
記複写された形状を打ち消し、前記パターンをフォトレ
ジスト層内に形成することを特徴とする、上記（２）の
方法。 （４）前記オーバーレイ・マスクが、軸外し照明マスク
であり、前記非鮮鋭化フィーチャ・タイプが、分離され
たフィーチャ・タイプであることを特徴とする、上記
（３）の方法。 （５）前記オーバーレイ・グループの前記１つが、アレ
イを形成するために所定のピッチで前記非鮮鋭化グルー
プ内の分離された形状を複写することによって形成さ
れ、第２の前記オーバーレイ・グループが、前記分離さ
れた形状を複写し、複写のピッチの半分だけ前記複写さ
れた分離された形状をシフトすることによって形成され
ることを特徴とする、上記（３）の方法。 （６）前記２つのオーバーレイ・グループが、前記オー
バーレイ・マスクをオーバーレイする時に、２つのサブ
グループがインターリーブされ、前記非鮮鋭化フィーチ
ャ・グループ内のパターン像が形成されるように、前記
非鮮鋭化フィーチャ・グループ内の形状を前記２つのサ
ブグループにグループ化することによって形成されるこ
とを特徴とする、上記（２）の方法。 （７）前記オーバーレイ・マスクが、位相シフト・マス
クであり、前記フィーチャ・タイプが、アレイ・フィー
チャ・タイプであることを特徴とする、上記（６）の方
法。 （８）前記オーバーレイ・マスクが、減衰位相シフト・
マスクであることを特徴とする、上記（６）の方法。 （９）前記オーバーレイ・マスクが、リム・マスクであ
ることを特徴とする、上記（６）の方法。 （１０）レジスト層内にアレイの第１部分を形成するス
テップと、前記第１部分とインターリーブされるアレイ
の第２部分を、前記レジスト層内に形成するステップと
を含む、半導体チップ製造の方法。 （１１）レジスト層内に第１アレイ層を形成するステッ
プと前記レジスト層内に第２アレイを形成するステップ
とを含み、前記第２アレイが、前記第１アレイおよび前
記第２アレイが併合して少なくとも１つの所定の区域内
を除いて均一の露光を形成するように、前記第１アレイ
とインターリーブされ、前記少なくとも１つの所定の区
域が、分離された形状を形成する半導体チップ製造の方
法。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、別個のフィーチャ・タイ
プを有するパターンに関して均一に像のフィーチャを鮮
鋭化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による、１対の修正されたマスクに副分
割される線／スペース・アレイ・フィーチャ・タイプの
特徴があるマスク設計の部分を簡略化した平面図であ
る。
【図２】図１の原マスクと置換される修正されたマスク
の対の一方を簡略化した平面図である。
【図３】図１の原マスクと置換される修正されたマスク
の対のもう一方を簡略化した平面図である。
【図４】軸外し照明法と共に使用するための、本発明に
従って構成される代理マスク対を簡略化した横断面図で
ある。
【符号の説明】
１ オーバーレイ・マスク ２ 線 ３ ダミー線 ４ 曲線 ５ オーバーレイ・マスク ６ 長い線 ７ 曲線

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】パターン形状を、フィーチャ・タイプに従
    って、少なくとも１つの鮮鋭化されるフィーチャ・グル
    ープと少なくとも１つの非鮮鋭化フィーチャ・グループ
    とを含む複数の形状グループにグループ化するステップ
    と、 少なくとも１つの前記非鮮鋭化フィーチャ・グループか
    ら複数のオーバーレイ・グループを形成するステップ
    と、 それぞれが前記複数のオーバーレイ・グループのうちの
    異なる１つを含み、そのうちの１つが前記少なくとも１
    つの鮮鋭化されるフィーチャ・グループを含む、複数の
    オーバーレイ・マスク像を形成するステップとを含む、
    別個のフィーチャ・タイプを有するパターンの像鮮鋭化
    の方法。
  2. 【請求項２】前記複数の形状グループが、２つの形状グ
    ループであり、前記複数のオーバーレイ・グループが、
    ２つのオーバーレイ・グループであり、前記複数のオー
    バーレイ・マスクが、２つのマスクであることを特徴と
    する、請求項１の方法。
  3. 【請求項３】前記２つのオーバーレイ・グループが、前
    記非鮮鋭化フィーチャ・グループ内の形状を、前記各オ
    ーバーレイ・グループごとに１アレイずつ、前記形状の
    ２つのアレイに複写することによって形成され、これに
    よって、前記オーバーレイ・グループの両方の形状が、
    前記マスクをオーバーレイする時にインターリーブさ
    れ、前記複写された形状を打ち消し、前記パターンをフ
    ォトレジスト層内に形成することを特徴とする、請求項
    ２の方法。
  4. 【請求項４】前記オーバーレイ・マスクが、軸外し照明
    マスクであり、前記非鮮鋭化フィーチャ・タイプが、分
    離されたフィーチャ・タイプであることを特徴とする、
    請求項３の方法。
  5. 【請求項５】前記オーバーレイ・グループの前記１つ
    が、アレイを形成するために所定のピッチで前記非鮮鋭
    化グループ内の分離された形状を複写することによって
    形成され、第２の前記オーバーレイ・グループが、前記
    分離された形状を複写し、複写のピッチの半分だけ前記
    複写された分離された形状をシフトすることによって形
    成されることを特徴とする、請求項３の方法。
  6. 【請求項６】前記２つのオーバーレイ・グループが、前
    記オーバーレイ・マスクをオーバーレイする時に、２つ
    のサブグループがインターリーブされ、前記非鮮鋭化フ
    ィーチャ・グループ内のパターン像が形成されるよう
    に、前記非鮮鋭化フィーチャ・グループ内の形状を前記
    ２つのサブグループにグループ化することによって形成
    されることを特徴とする、請求項２の方法。
  7. 【請求項７】前記オーバーレイ・マスクが、位相シフト
    ・マスクであり、前記フィーチャ・タイプが、アレイ・
    フィーチャ・タイプであることを特徴とする、請求項６
    の方法。
  8. 【請求項８】前記オーバーレイ・マスクが、減衰位相シ
    フト・マスクであることを特徴とする、請求項６の方
    法。
  9. 【請求項９】前記オーバーレイ・マスクが、リム・マス
    クであることを特徴とする、請求項６の方法。
  10. 【請求項１０】レジスト層内にアレイの第１部分を形成
    するステップと、 前記第１部分とインターリーブされるアレイの第２部分
    を、前記レジスト層内に形成するステップとを含む、半
    導体チップ製造の方法。
  11. 【請求項１１】レジスト層内に第１アレイ層を形成する
    ステップと前記レジスト層内に第２アレイを形成するス
    テップとを含み、 前記第２アレイが、前記第１アレイおよび前記第２アレ
    イが併合して少なくとも１つの所定の区域内を除いて均
    一の露光を形成するように、前記第１アレイとインター
    リーブされ、前記少なくとも１つの所定の区域が、分離
    された形状を形成する半導体チップ製造の方法。
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