JPH0837227A - Wafer chuck and aligner using it - Google Patents
Wafer chuck and aligner using itInfo
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを吸着保
持するウエハチャックに関し、特に、該ウエハチャック
に保持された半導体ウエハの反り防止のための技術に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chuck for sucking and holding a semiconductor wafer, and more particularly to a technique for preventing warpage of a semiconductor wafer held by the wafer chuck.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえば、半導体ウエハ上にレジストを
塗布し、原盤であるレチクルなどに形成された１層分の
回路パターンを露光、現像することにより半導体ウエハ
上に所定のレジストパターンを形成する露光装置におい
ては、焦点距離が合っていないことに起因する解像不良
を防止して鮮鋭な回路パターンを形成するために、半導
体ウエハの平坦度が重要な問題となる。このため、平坦
度の良い半導体ウエハを用いて、これを平坦度の良いウ
エハチャックによって裏面から真空吸着することで平坦
な状態を実現し、これに対して露光処理が行われてい
る。2. Description of the Related Art For example, a resist is applied on a semiconductor wafer, and a circuit pattern for one layer formed on a reticle, which is a master, is exposed and developed to form a predetermined resist pattern on the semiconductor wafer. In the device, the flatness of the semiconductor wafer is an important issue in order to prevent a resolution defect due to the improper focal length and to form a sharp circuit pattern. Therefore, a semiconductor wafer having a good flatness is used, and a wafer chuck having a good flatness is used to vacuum-adsorb it from the back surface to realize a flat state, and an exposure process is performed on the flat state.
【０００３】このような、露光装置を詳しく記載してい
る例としては、たとえば、工業調査会発行、「１９９３
年度版 超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック」（平成
４年１１月２０日発行）Ｐ１０９〜Ｐ１１４などがあ
る。As an example in which such an exposure apparatus is described in detail, for example, "1993" published by the Industrial Research Board.
Fiscal year VLSI manufacturing and test equipment guidebook "(published November 20, 1992) P109 to P114.
【０００４】ここで、露光装置など半導体ウエハの平坦
度が問題となるケースにおけるウエハチャックを図７に
示す。本発明者等によって検討されたこのウエハチャッ
ク３１は、外周壁３２に囲まれた吸引室３３内に、半導
体ウエハ４１を支持する複数本の支持ピン３５が設けら
れたものである。そして、半導体ウエハ４１の外周部が
ウエハチャック３１の外周壁３２を覆うようにして載置
され、吸引孔３６に接続された真空ポンプなどによって
吸引室３３内の空気を引いて負圧にし、半導体ウエハ４
１を支持ピン３５および外周壁３２の上面に密着させて
平坦な状態に吸着保持しようとするものである。FIG. 7 shows a wafer chuck in a case where the flatness of a semiconductor wafer is a problem such as an exposure apparatus. The wafer chuck 31 studied by the present inventors has a plurality of support pins 35 for supporting the semiconductor wafer 41 provided in a suction chamber 33 surrounded by an outer peripheral wall 32. Then, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 41 is placed so as to cover the outer peripheral wall 32 of the wafer chuck 31, and the air in the suction chamber 33 is pulled to a negative pressure by a vacuum pump or the like connected to the suction hole 36. Wafer 4
1 is brought into close contact with the upper surfaces of the support pin 35 and the outer peripheral wall 32 so as to be attracted and held in a flat state.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなウ
エハチャック３１では、真空ポンプなどによる吸引力が
半導体ウエハ４１の内平面に対して作用する一方、外周
部に対してはこれが作用しないので、いくら平坦度の良
好なウエハチャック３１と半導体ウエハ４１とを使用し
ても、図示するように外周部において反りが発生するこ
とになる。However, in such a wafer chuck 31, the suction force of a vacuum pump or the like acts on the inner plane of the semiconductor wafer 41, but does not act on the outer peripheral portion. No matter how good the flatness of the wafer chuck 31 and the semiconductor wafer 41 are, the warp occurs at the outer peripheral portion as shown in the figure.
【０００６】そして、このような半導体ウエハ４１の反
りは焦点距離を狂わせ、転写された回路パターンの解像
不良を引き起こし、歩留まり低下の原因となる。特に、
半導体ウエハ４１の大口径化、半導体チップの縮小化の
傾向が著しい今日においては、外周部における解像不良
に起因する歩留まりの低下は、一層大きな問題としてク
ローズアップされてきている。Such a warp of the semiconductor wafer 41 deviates the focal length, causes poor resolution of the transferred circuit pattern, and causes a reduction in yield. In particular,
Nowadays, the tendency of increasing the diameter of the semiconductor wafer 41 and reducing the size of the semiconductor chip is remarkable, and the decrease of the yield due to the poor resolution in the outer peripheral portion has been highlighted as an even greater problem.
【０００７】そこで、本発明の目的は、ウエハチャック
に吸着保持された半導体ウエハの反りを防止することの
できる技術を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of preventing the warp of a semiconductor wafer sucked and held by a wafer chuck.
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.
【００１０】すなわち、本発明によるウエハチャック
は、外周壁に囲まれた吸引室を負圧にすることによって
支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に吸着保持す
るものであって、外周壁の上面に吸気溝が形成され、外
部の気体が吸気溝から吸引室内に吸引されることを特徴
とするものである。この場合、前記した吸気溝は、外周
壁の上面に所定の間隔で複数箇所にわたって形成するこ
とができる。That is, the wafer chuck according to the present invention flatly adsorbs and holds the semiconductor wafer supported by the support pins by setting a negative pressure in the suction chamber surrounded by the outer peripheral wall. Intake grooves are formed in the suction grooves, and external gas is sucked into the suction chamber through the suction grooves. In this case, the intake groove can be formed on the upper surface of the outer peripheral wall at predetermined intervals over a plurality of locations.
【００１１】また、本発明によるウエハチャックは、外
周壁に囲まれた吸引室を負圧にすることによって支持ピ
ンに支持された半導体ウエハを平坦に吸着保持するもの
であって、外周壁が支持ピンより低く形成され、外部の
気体が半導体ウエハと外周壁の上面との間から吸引室内
に吸引されることを特徴とするものである。Further, the wafer chuck according to the present invention flatly adsorbs and holds the semiconductor wafer supported by the support pins by making the suction chamber surrounded by the outer peripheral wall into a negative pressure, and the outer peripheral wall supports the semiconductor wafer. It is characterized in that it is formed lower than the pin, and external gas is sucked into the suction chamber from between the semiconductor wafer and the upper surface of the outer peripheral wall.
【００１２】そして、本発明による露光装置は、前記し
たウエハチャックのいずれかを用いて構成されることを
特徴とするものである。The exposure apparatus according to the present invention is characterized in that it is constructed by using any one of the above-mentioned wafer chucks.
【００１３】[0013]
【作用】上記のような構成のウエハチャックによれば、
吸気溝または半導体ウエハと外周壁上面との空間によっ
て外部からの気体が半導体ウエハの裏面に沿って吸引室
に吸入されることによりベンチュリー効果が発生するの
で、半導体ウエハの外周部に反りを防止しようとする方
向の力が作用することになる。したがって、半導体ウエ
ハは平坦な状態に吸着保持される。According to the wafer chuck having the above structure,
Since the Venturi effect is generated by the gas from the outside being sucked into the suction chamber along the back surface of the semiconductor wafer by the intake groove or the space between the semiconductor wafer and the upper surface of the outer peripheral wall, it is possible to prevent the outer peripheral portion of the semiconductor wafer from being warped. A force in the direction of will act. Therefore, the semiconductor wafer is sucked and held in a flat state.
【００１４】よって、このようなウエハチャックが用い
られた露光装置によれば、保持された半導体ウエハの外
周部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態
になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回
路パターンを半導体ウエハに転写することが可能にな
る。Therefore, according to the exposure apparatus using such a wafer chuck, the occurrence of warpage in the outer peripheral portion of the held semiconductor wafer is prevented and the semiconductor wafer becomes completely flat, so that the focal length is deviated. It becomes possible to transfer a circuit pattern having a good resolution to a semiconductor wafer without any problem.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００１６】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
るウエハチャックが用いられた露光装置を示す概略図、
図２はそのウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視
図、図３は図２のウエハチャックの平面図、図４は図３
のIV−IV線に沿う断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic diagram showing an exposure apparatus using a wafer chuck according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing the wafer chuck and the semiconductor wafer, FIG. 3 is a plan view of the wafer chuck of FIG. 2, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG.
【００１７】図１に示すように、本実施例によるウエハ
チャック１が用いられた露光装置は、露光光源としてた
とえばＨｇランプ２が用いられている。このＨｇランプ
２からのｇ線（光）３は楕円ミラー４により収束されて
リフレクタ５で屈折され、インテグレータ６に入射され
るようになっている。インテグレータ６で所定の面域に
おける照度が均一化されたｇ線３は、再びリフレクタ７
によって屈折されてコンデンサレンズ８で凝縮される。
このような照明系を経た後、ｇ線３はレチクル９に形成
された回路パターンを取り込んで縮小レンズ１０によっ
て縮小され、最後にウエハチャック１に保持された半導
体ウエハ１１上に投影される。これによってレジストが
塗布された半導体ウエハ１１上にレチクル９の回路パタ
ーンが転写されることになる。As shown in FIG. 1, the exposure apparatus using the wafer chuck 1 according to this embodiment uses, for example, an Hg lamp 2 as an exposure light source. The g-line (light) 3 from the Hg lamp 2 is converged by the elliptical mirror 4, refracted by the reflector 5, and incident on the integrator 6. The g-line 3 whose illuminance in the predetermined surface area is made uniform by the integrator 6 is again reflected by the reflector 7
Is refracted by and condensed by the condenser lens 8.
After passing through such an illumination system, the g-line 3 is captured by the circuit pattern formed on the reticle 9 and reduced by the reduction lens 10, and finally projected onto the semiconductor wafer 11 held by the wafer chuck 1. As a result, the circuit pattern of the reticle 9 is transferred onto the semiconductor wafer 11 coated with the resist.
【００１８】ここで、図２に示すように、経時変化や熱
膨張による変形を防止するためにたとえばセラミックに
より形成され、半導体ウエハ１１を保持するウエハチャ
ック１は、外周壁１２に囲まれた吸引室１３がチャック
本体１４に形成されているものである。図３に示すよう
に、外周壁１２は半導体ウエハ１１よりもやや小さく形
成されて、半導体ウエハ１１の裏面に回り込むように塗
布されたレジスト液の付着が防止されている。Here, as shown in FIG. 2, a wafer chuck 1 for holding a semiconductor wafer 11, which is made of ceramic, for example, for preventing deformation due to aging or thermal expansion, holds a semiconductor wafer 11. The chamber 13 is formed in the chuck body 14. As shown in FIG. 3, the outer peripheral wall 12 is formed slightly smaller than the semiconductor wafer 11 to prevent the resist solution applied so as to wrap around the back surface of the semiconductor wafer 11 from adhering.
【００１９】外周壁１２の上面の４箇所には、所定の間
隔をおいて吸気溝１２ａが形成され、載置された半導体
ウエハ１１の裏面と外周壁１２の上面との間に微小な空
間が形成されるようになっている。よって、半導体ウエ
ハ１１が載置された状態でも、吸引室１３は外部とはこ
の吸気溝１２ａを介して連通されていることになる。Intake grooves 12a are formed at four positions on the upper surface of the outer peripheral wall 12 at predetermined intervals, and a minute space is formed between the back surface of the semiconductor wafer 11 placed and the upper surface of the outer peripheral wall 12. To be formed. Therefore, even when the semiconductor wafer 11 is placed, the suction chamber 13 is in communication with the outside through the suction groove 12a.
【００２０】吸引室１３内には半導体ウエハ１１を裏面
から支持する複数本の支持ピン１５が設けられている。
この支持ピン１５は外周壁１２と同一の高さとされてお
り、支持ピン１５および外周壁１２によって半導体ウエ
ハ１１が裏面から支持されるようになっている。A plurality of support pins 15 for supporting the semiconductor wafer 11 from the back surface are provided in the suction chamber 13.
The support pin 15 has the same height as the outer peripheral wall 12, and the semiconductor wafer 11 is supported from the back surface by the support pin 15 and the outer peripheral wall 12.
【００２１】吸引室１３からチャック本体１４の側面に
貫通して、真空ポンプ（図示せず）などの真空源に接続
された吸引孔１６（図４）が開設されている。したがっ
て、真空引きして吸引室１３を負圧にすることによっ
て、支持された半導体ウエハ１１がウエハチャック１に
吸着保持される。A suction hole 16 (FIG. 4) is formed through the suction chamber 13 to the side surface of the chuck body 14 and connected to a vacuum source such as a vacuum pump (not shown). Therefore, the supported semiconductor wafer 11 is sucked and held by the wafer chuck 1 by drawing a vacuum to make the suction chamber 13 have a negative pressure.
【００２２】このようなウエハチャック１により半導体
ウエハ１１を吸着した状態を示しているのが図４であ
る。FIG. 4 shows a state in which the semiconductor wafer 11 is sucked by the wafer chuck 1 as described above.
【００２３】図示するように、半導体ウエハ１１に覆わ
れた吸引室１３を真空ポンプにより真空引きすると、吸
引室１３と外部との圧力差により半導体ウエハ１１の裏
面が支持ピン１５に密着される。また、これと同時に、
外周壁１２の上面に形成された吸気溝１２ａから半導体
ウエハ１１の裏面に沿って外部の気体が高速で吸引室１
３内に吸引される。As shown in the figure, when the suction chamber 13 covered with the semiconductor wafer 11 is evacuated by a vacuum pump, the back surface of the semiconductor wafer 11 is brought into close contact with the support pins 15 due to the pressure difference between the suction chamber 13 and the outside. At the same time,
External gas is sucked from the suction groove 12a formed on the upper surface of the outer peripheral wall 12 along the back surface of the semiconductor wafer 11 at a high speed.
3 is sucked.
【００２４】このように、半導体ウエハ１１の裏面に沿
って気体が流れることにより、内平面が支持ピン１５に
密着されることによって反ろうとする半導体ウエハ１１
の外周部には、ベンチュリー効果によってこれを阻止し
ようとする力Ｆが発生する。したがって、半導体ウエハ
１１の外周部は、支持ピン１５と同一の高さにされた外
周壁１２に密着されて平坦な状態に保持されることにな
る。As described above, the gas flows along the back surface of the semiconductor wafer 11 so that the inner plane is in close contact with the support pins 15 and the semiconductor wafer 11 tends to warp.
A force F that tries to prevent this is generated on the outer peripheral part of V due to the Venturi effect. Therefore, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 11 is brought into close contact with the outer peripheral wall 12 having the same height as the support pins 15 and is held in a flat state.
【００２５】よって、本実施例に示すウエハチャック１
によれば、保持された半導体ウエハ１１の外周部におけ
る反りの発生が防止されて完全に平坦な状態になるの
で、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回路パター
ンを半導体ウエハ１１に転写することが可能になる。こ
れにより、半導体ウエハ１１の外周部領域においても良
品の半導体チップを得ることができ、歩留まりの向上を
図ることが可能になる。Therefore, the wafer chuck 1 shown in the present embodiment.
According to the method described above, the occurrence of warpage in the outer peripheral portion of the held semiconductor wafer 11 is prevented and the semiconductor wafer 11 is completely flattened. Therefore, it is possible to transfer a circuit pattern of good resolution to the semiconductor wafer 11 without changing the focal length. Will be possible. As a result, a good semiconductor chip can be obtained even in the outer peripheral region of the semiconductor wafer 11, and the yield can be improved.
【００２６】（実施例２）図５は本発明の他の実施例に
よるウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視図、図
６はそのウエハチャックによる半導体ウエハの吸着保持
状態を示す断面図である。(Embodiment 2) FIG. 5 is a perspective view showing a wafer chuck and a semiconductor wafer according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer is sucked and held by the wafer chuck.
【００２７】本実施例のウエハチャック２１は、外周壁
２２が支持ピン１５よりも僅かに低く形成されたもので
あり、この点において、外周壁の上面に吸気溝が形成さ
れた実施例１のウエハチャックと相違している。なお、
その他の点においては前記実施例１に開示されたウエハ
チャックと同様であり、従って、同一の部材には同一の
符号を付して説明する。In the wafer chuck 21 of this embodiment, the outer peripheral wall 22 is formed slightly lower than the support pins 15, and in this respect, the suction groove of the first embodiment is formed on the upper surface of the outer peripheral wall. It is different from the wafer chuck. In addition,
The other points are similar to those of the wafer chuck disclosed in the first embodiment, and therefore, the same members will be described with the same reference numerals.
【００２８】図６に示すように、本実施例によるウエハ
チャック２１によれば、載置された半導体ウエハ１１は
支持ピン１５によってのみ支持され、外周壁２２の上面
と半導体ウエハ１１との間には微小な空間が形成される
ことになる。As shown in FIG. 6, according to the wafer chuck 21 of this embodiment, the mounted semiconductor wafer 11 is supported only by the support pins 15, and is placed between the upper surface of the outer peripheral wall 22 and the semiconductor wafer 11. Will form a small space.
【００２９】したがって、吸引室１３を真空引きする
と、この吸引室１３と外部との圧力差により半導体ウエ
ハ１１の裏面が支持ピン１５に密着されると同時に、外
周壁２２の上面と半導体ウエハ１１とで形成された空間
から外部の気体が高速で吸引室１３内に吸引されるよう
になる。よって、半導体ウエハ１１の裏面に沿って気体
が流れるベンチュリー効果が発生し、半導体ウエハ１１
の外周部には反りを阻止しようとする力Ｆが作用してこ
れが平坦な状態に保持されることになる。Therefore, when the suction chamber 13 is evacuated, the back surface of the semiconductor wafer 11 is brought into close contact with the support pins 15 due to the pressure difference between the suction chamber 13 and the outside, and at the same time, the upper surface of the outer peripheral wall 22 and the semiconductor wafer 11 are separated from each other. The external gas is sucked into the suction chamber 13 at a high speed from the space formed in the above. Therefore, a Venturi effect in which gas flows along the back surface of the semiconductor wafer 11 is generated, and the semiconductor wafer 11
The force F for preventing the warpage acts on the outer peripheral portion of the and the flat state is maintained.
【００３０】このように、本実施例に示すウエハチャッ
ク２１によっても、保持された半導体ウエハ１１の外周
部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態に
保持されるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度
の回路パターンを半導体ウエハ１１に転写することが可
能になる。As described above, also by the wafer chuck 21 shown in this embodiment, since the held semiconductor wafer 11 is prevented from being warped in the outer peripheral portion and is held in a completely flat state, the focal length is deviated. It becomes possible to transfer a circuit pattern having a good resolution to the semiconductor wafer 11 without any trouble.
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００３２】たとえば、吸気溝１２ａは前記実施例１に
示すように所定の間隔で４箇所に形成されたものには限
定されない。したがって、必要な数（すなわち、１また
は複数箇所）だけ設けることができ、また、必ずしも規
則正しい間隔を開けて形成する必要もない。溝形状につ
いても本実施例以外の任意の形状とすることが可能であ
る。For example, the intake grooves 12a are not limited to those formed at four places at a predetermined interval as shown in the first embodiment. Therefore, it is possible to provide only the required number (that is, one or a plurality of locations), and it is not always necessary to form them at regular intervals. The groove shape may be any shape other than that of this embodiment.
【００３３】そして、以上の説明では、主として本発明
者によってなされた発明をその背景となった利用分野で
ある光露光装置について説明したが、それに限定される
ものではなく、電子ビーム露光装置などのような他の種
々の露光装置、さらにはこれら露光装置にとどまらず半
導体ウエハを平坦な状態に保持する必要のある他の種々
の半導体製造装置や半導体検査装置に適用することが可
能である。In the above description, the invention mainly made by the present inventor has been described with respect to the photoexposure apparatus which is the field of application of the invention. However, the invention is not limited thereto and the electron beam exposure apparatus and the like are not limited thereto. The present invention can be applied to various other exposure apparatuses as described above, and various other semiconductor manufacturing apparatuses and semiconductor inspection apparatuses that need to hold a semiconductor wafer in a flat state in addition to these exposure apparatuses.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
【００３５】(1).すなわち、本発明のウエハチャックに
よれば、吸気溝または半導体ウエハと外周壁上面との空
間によって外部からの気体が半導体ウエハの裏面に沿っ
て吸引室に吸入されることによりベンチュリー効果が発
生するので、半導体ウエハの外周部に反りを防止しよう
とする方向の力が作用することになる。したがって、半
導体ウエハは平坦な状態に吸着保持される。(1) That is, according to the wafer chuck of the present invention, the gas from the outside is sucked into the suction chamber along the back surface of the semiconductor wafer by the suction groove or the space between the semiconductor wafer and the upper surface of the outer peripheral wall. As a result, a Venturi effect is generated, so that a force in the direction of preventing warpage acts on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. Therefore, the semiconductor wafer is sucked and held in a flat state.
【００３６】(2).よって、本発明によるウエハチャック
が用いられた露光装置によれば、保持された半導体ウエ
ハの外周部における反りの発生が防止されて完全に平坦
な状態になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像
度の回路パターンを半導体ウエハに転写することが可能
になる。(2) Therefore, according to the exposure apparatus using the wafer chuck according to the present invention, the occurrence of the warp in the outer peripheral portion of the held semiconductor wafer is prevented, and the semiconductor wafer is completely flattened. It becomes possible to transfer a circuit pattern having a good resolution onto a semiconductor wafer without changing the distance.
【００３７】(3).前記した(2) により、半導体ウエハの
外周部領域においても良品の半導体チップを得ることが
でき、歩留まりの向上を図ることが可能になる。(3) By the above (2), a good semiconductor chip can be obtained even in the outer peripheral region of the semiconductor wafer, and the yield can be improved.
【図１】本発明の実施例１によるウエハチャックが用い
られた露光装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an exposure apparatus using a wafer chuck according to a first embodiment of the present invention.
【図２】そのウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜
視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the wafer chuck and a semiconductor wafer.
【図３】図２のウエハチャックの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the wafer chuck of FIG.
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図５】本発明の実施例２によるウエハチャックと半導
体ウエハとを示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a wafer chuck and a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.
【図６】そのウエハチャックによる半導体ウエハの吸着
保持状態を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a suction and holding state of a semiconductor wafer by the wafer chuck.
【図７】本発明者等の検討によるウエハチャックを示す
断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a wafer chuck examined by the present inventors.
１ ウエハチャック ２ Ｈｇランプ ３ ｇ線（光） ４ 楕円ミラー ５ リフレクタ ６ インテグレータ ７ リフレクタ ８ コンデンサレンズ ９ レチクル １０ 縮小レンズ １１ 半導体ウエハ １２ 外周壁 １２ａ 吸気溝 １３ 吸引室 １４ チャック本体 １５ 支持ピン １６ 吸引孔 ２１ ウエハチャック ２２ 外周壁 ３１ ウエハチャック ３２ 外周壁 ３３ 吸引室 ３５ 支持ピン ３６ 吸引孔 ４１ 半導体ウエハ Ｆ 力 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer chuck 2 Hg lamp 3 G-line (light) 4 Elliptical mirror 5 Reflector 6 Integrator 7 Reflector 8 Condenser lens 9 Reticle 10 Reduction lens 11 Semiconductor wafer 12 Outer peripheral wall 12a Intake groove 13 Suction chamber 14 Chuck body 15 Support pin 16 Suction hole 21 wafer chuck 22 outer peripheral wall 31 wafer chuck 32 outer peripheral wall 33 suction chamber 35 support pin 36 suction hole 41 semiconductor wafer F force
Claims (4)
とによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に
吸着保持するウエハチャックであって、前記外周壁の上
面に吸気溝が形成され、外部の気体が前記吸気溝から前
記吸引室内に吸引されることを特徴とするウエハチャッ
ク。1. A wafer chuck for flatly sucking and holding a semiconductor wafer supported by a support pin by applying a negative pressure to a suction chamber surrounded by an outer peripheral wall, wherein an intake groove is formed on an upper surface of the outer peripheral wall. And the external gas is sucked into the suction chamber through the suction groove.
の間隔で複数箇所にわたって形成されていることを特徴
とする請求項１記載のウエハチャック。2. The wafer chuck according to claim 1, wherein the suction groove is formed at a plurality of positions on the upper surface of the outer peripheral wall at predetermined intervals.
とによって支持ピンに支持された半導体ウエハを平坦に
吸着保持するウエハチャックであって、前記外周壁が前
記支持ピンより低く形成され、外部の気体が前記半導体
ウエハと前記外周壁の上面との間から前記吸引室内に吸
引されることを特徴とするウエハチャック。3. A wafer chuck for flatly sucking and holding a semiconductor wafer supported by a support pin by applying a negative pressure to a suction chamber surrounded by the outer peripheral wall, wherein the outer peripheral wall is formed lower than the support pin. The external gas is sucked into the suction chamber from between the semiconductor wafer and the upper surface of the outer peripheral wall.
ックを用いて構成されることを特徴とする露光装置。4. An exposure apparatus configured using the wafer chuck according to claim 1.
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