JPH08287199A - Device and method for transferring noise reduced noncontact parallel data - Google Patents

Device and method for transferring noise reduced noncontact parallel data

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JPH08287199A
JPH08287199A JP7086637A JP8663795A JPH08287199A JP H08287199 A JPH08287199 A JP H08287199A JP 7086637 A JP7086637 A JP 7086637A JP 8663795 A JP8663795 A JP 8663795A JP H08287199 A JPH08287199 A JP H08287199A
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Nobuo Hamamoto
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武宏 大川
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豊 杵渕
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Abstract

PURPOSE: To provide an electromagnetic coupling type noncontact parallel transfer memory card which attains a fast transfer rate, has a small-sized, high-density, and lightweight structure and is high in reliability. CONSTITUTION: Write data to a memory 8 are grouped in two and after timing delay circuits 4-1 and 4-2 shift the phases and make the data into pulses, a pulse current in the same timing is not supplied to an adjacent transfer coil 1-n. Consequently, the peak value of a pulse current accompanying coil driving is reduced and the influence of crosstalk between coils becomes extremely small, so the noncontact memory card is provided which is small-sized, high in reliability, and fast in transfer rate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は信号および電源を非接触
かつ並列的に転送する低雑音の非接触並列データ転送装
置およびその方法に係わり特にメモリカード等の携帯型
メモリ装置に適した非接触並列データ転送装置およびそ
の方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low noise contactless parallel data transfer apparatus for transferring signals and power supplies in a contactless and parallel manner, and more particularly to a contactless contactless data transfer apparatus suitable for a portable memory device such as a memory card. A parallel data transfer apparatus and method.

【0002】[0002]

【従来の技術】データをメモリカードへ供給する非接触
型の接続手段として,近年,電磁結合コイルを用いた方
式が採用されるようになった。例えば,特開平4−23
9990号公報などで開示されているように,送信コイ
ルと受信コイルとをそれぞれ対応する組合せを2組設
け,1ビットのデータ信号列として必要データを電磁結
合でやり取りする方法である。
2. Description of the Related Art In recent years, a method using an electromagnetic coupling coil has been adopted as a non-contact type connecting means for supplying data to a memory card. For example, JP-A-4-23
As disclosed in Japanese Patent No. 9990, two sets of corresponding transmission coils and reception coils are provided, and necessary data is exchanged by electromagnetic coupling as a 1-bit data signal sequence.

【0003】また,隣接した転送コイル間のクロストー
クを防止するタイプとしては,例えば,特開平3−23
2207号公報などで開示されているように,複数の送
受信コイルを設けて複数ビットを同時に転送し,発生す
るビット間の相互干渉の大きさ(ビット間クロストーク
量)を低減させるためのシールド構造をコイル間に設け
るようにしたものである。
As a type for preventing crosstalk between adjacent transfer coils, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-23 is available.
As disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2207, a shield structure for providing a plurality of transmission / reception coils to transfer a plurality of bits at the same time and reducing the magnitude of mutual interference between bits (amount of crosstalk between bits) generated Is provided between the coils.

【0004】一方,電源線路やアース線路に誘導する雑
音成分を低減するためにデータビット間の駆動タイミン
グをずらす方法も知られており,例えば,特開平4−2
54993号公報などで開示されている。
On the other hand, there is also known a method of shifting the drive timing between data bits in order to reduce the noise component induced in the power supply line or the ground line.
It is disclosed in Japanese Patent No. 54993.

【0005】また,特開平5−114055号公報など
で開示されているように,一対の転送コイルと転送コイ
ルの中間に位置する電力転送コイルから誘起される低周
波成分を電力を受信するカード側でキャンセルする手段
を設けたものもある。
Further, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-114055, a card side which receives electric power from a pair of transfer coils and a low frequency component induced from a power transfer coil located between the transfer coils. Some have a means to cancel.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記特開平4−239
990号公報ならびに特開平3−232207号公報な
どで開示されている従来技術は,第1に高速で大振幅の
情報パルスを電磁結合で並列的に送信する際に必然的に
生ずる極めて大きなピーク電流に対する配慮が欠けてお
り,電磁結合で外部から供給される電源回路の規模が大
きくなるばかりでなく,トータルとして高エネルギのパ
ルス変動が発生し,転送コイル間のクロストーク発生の
原因となるばかりでなく,カード内部での誤動作の確立
が高くなり信頼性を低下させる要因となってしまうとい
う問題がある。特に,複数のコイルを高密度に実装する
程,必然的に発生するコイル間のクロストーク量が増大
し,転送コイルの高密度化を妨げる要因となっていた。
そうした対策として,例えば,特開平3−232207
号公報などで開示されているように,コイル間に電磁シ
ールド手段を講じるとあるが,コイル全面をシールドす
ることは不可能であるため周辺コイルからの漏洩磁界に
よる影響を無視できないという問題があり,電磁誘導コ
イルを用いた非接触並列転送方式実用化のネックとなっ
ていた。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
The prior arts disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 990 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-232207 and the like are, firstly, an extremely large peak current that is inevitably generated when information pulses of high speed and large amplitude are transmitted in parallel by electromagnetic coupling. Is not considered, and not only the scale of the power supply circuit supplied from the outside by electromagnetic coupling becomes large, but also high-energy pulse fluctuations occur as a whole, which not only causes crosstalk between transfer coils. However, there is a problem in that the probability of malfunctions inside the card increases, which causes a decrease in reliability. In particular, as the plurality of coils are mounted at a higher density, the amount of crosstalk between the coils, which is inevitably generated, increases, which is a factor that hinders the transfer coil from having a higher density.
As such measures, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-232207
As disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2003-242242, electromagnetic shield means is provided between the coils, but there is a problem in that it is not possible to shield the entire surface of the coil and the effect of the leakage magnetic field from the peripheral coil cannot be ignored. However, it was a bottleneck in the practical application of the non-contact parallel transfer method using the electromagnetic induction coil.

【0007】第2には,並列転送されるパルス信号が同
じタイミングで同時に転送されるときのエネルギ集中の
問題である。例えば,結合コイル1個(1チャンネル)
当たり10ミリアンペアの駆動電流が必要であると仮定
し,16チャンネル同時に”1”を転送するとした場
合,極めて高い周波数成分を含んだ160ミリアンペア
のパルス電流が生じることになり,駆動源の大容量化に
加えて電源線等に誘導される雑音の雑音源となる。ま
た,そうした瞬時電流ばかりでなくデータ転送レートの
高速化に比例して周辺回路の消費電力が増大するため,
高速転送実現のネックになっていた。
Second, there is a problem of energy concentration when pulse signals transferred in parallel are transferred simultaneously at the same timing. For example, 1 coupling coil (1 channel)
Assuming that a driving current of 10 milliamps is required per unit, and if "1" is transferred simultaneously for 16 channels, a pulse current of 160 milliamps containing extremely high frequency components will be generated, and the capacity of the driving source will be increased. In addition, it becomes a noise source of the noise induced in the power supply line. In addition to such an instantaneous current, the power consumption of peripheral circuits increases in proportion to the increase in data transfer rate.
It was a bottleneck for realizing high-speed transfer.

【0008】更に第3には,せっかく接栓コネクタをな
くした非接触方式にもかかわらず表裏逆挿入に対する配
慮が欠けており,使用者に対する制限事項が付記される
など使い勝手面での向上がなされないという問題があっ
た。
Thirdly, in spite of the non-contact method in which the plug connector is eliminated, consideration for reverse insertion from the front and back is lacking, and restrictions on the user are added, so that the usability is not improved. There was a problem that was not done.

【0009】本発明の目的は,物理的なシールドスペー
スを設けることなくコイル間のクロストークに起因する
誤動作を防止することが可能な小型・高密度で信頼性に
優れた非接触並列データ転送メモリカードを提供するこ
とにある。
An object of the present invention is a non-contact parallel data transfer memory which is small in size, high in density and excellent in reliability and which can prevent malfunction caused by crosstalk between coils without providing a physical shield space. Is to provide a card.

【0010】本発明の他の目的は,電磁結合による非接
触多数ビット並列転送方式を用いてもデータ転送時に発
生するピーク電流の大きさを制限することによって,小
型・高密度で信頼性に優れた非接触並列データ転送メモ
リカードを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a small size, high density and excellent reliability by limiting the magnitude of the peak current generated during data transfer even if the non-contact multi-bit parallel transfer method by electromagnetic coupling is used. Another object is to provide a contactless parallel data transfer memory card.

【0011】本発明の更に他の目的は,高速動作時の大
電力消費に対応すると共に外部装置がカード側へ電力を
真に供給したことを確認してからデータ転送動作を開始
する信頼性に優れた非接触並列データ転送メモリカード
を提供することにある。
Still another object of the present invention is to cope with large power consumption at the time of high speed operation and to improve the reliability of starting the data transfer operation after confirming that the external device has truly supplied the power to the card side. An object is to provide an excellent contactless parallel data transfer memory card.

【0012】本発明の更に他の目的は,メモリカードの
表裏を意識することなくデータ送受信装置(パソコンな
ど)への挿入が可能な使い勝手の良い非接触並列データ
転送メモリカードを提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a convenient non-contact parallel data transfer memory card which can be inserted into a data transmitting / receiving device (such as a personal computer) without being aware of the front and back of the memory card. .

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に,携帯型メモリ装置へのアクセスデータを並列転送す
るために設けた第1のコイル群と,前記携帯型メモリ装
置に少なくも書き込みデータを供給するデータサーバと
該データサーバより前記第1のコイル群にデータを供給
するため該第1のコイル群の各コイルに対向するように
設けられた第2のコイル群と,前記データ転送時に前記
第1のコイル群と前記第2のコイル群を対向状態で近接
して保持せしめる非接触保持手段と,前記第1のコイル
群と前記第2のコイル群間を並列に転送するデータをパ
ルス列として発生する少なくも前記データサーバ内に設
けた遅延手段を有する並列パルス発生手段とを設け,前
記遅延手段は前騎兵列ぱるるを少なくも第1のビット数
からなる第1の並列パルス群と,第2のビット数からな
る第2の並列パルス群とに分割し,且つ,前記代1の並
列パルス群の並列転送タイミングよりも前記第2の並列
パルス群の並列転送タイミングを少なくも各ビットのパ
ルス幅より長い時間遅延させる手段とよりなることを特
徴とする。
In order to achieve the above object, a first coil group provided for parallel transfer of access data to a portable memory device, and at least write data to the portable memory device. For supplying data to the first coil group from the data server, and a second coil group provided so as to face each coil of the first coil group for supplying data from the data server; A non-contact holding means for holding the first coil group and the second coil group close to each other in a facing state, and a pulse train of data for transferring in parallel between the first coil group and the second coil group. And a parallel pulse generating means having a delay means provided at least in the data server, the delay means comprising a first cavalry par at least a first bit number. It is divided into a pulse group and a second parallel pulse group having a second bit number, and the parallel transfer timing of the second parallel pulse group is smaller than the parallel transfer timing of the parallel pulse group of the first generation. Also comprises means for delaying a time longer than the pulse width of each bit.

【0014】更にまた,上記遅延させる手段に替えて,
上記第1のコイル群および上記第2のコイル群の各対向
するコイル対のうちの第1のコイル対に対して隣接する
受信側コイルに生ずるクロストーク成分を打ち消すた
め,前記第1のコイル対の転送信号の一部を前記隣接受
信側コイルに位相を逆転して供給する手段とよりなるこ
とを特徴とする。
Furthermore, instead of the means for delaying,
In order to cancel a crosstalk component generated in the receiving side coil adjacent to the first coil pair of the facing coil pairs of the first coil group and the second coil group, the first coil pair is canceled. And a means for supplying a part of the transfer signal to the adjacent receiving side coil with its phase reversed.

【0015】更に本発明は,上記装置およびその方法に
係わり,またその構成要素である新規なICメモリカー
ドに関する。即ち,本発明によるICメモリカードは,
上記データサーバに設けられた第2のコイル群を構成す
るコイルに対し,各コイル毎に対向してアクセスデータ
を並列転送するために設けた第1のコイル群と,該第1
のコイル群を前記第2のコイル軍を構成する各コイル毎
に近接して対向させて並列にデータを転送させる際に該
データを並列パルスとして発生する手段と並列パルスと
して受信する手段のうちの少なくも一つの手段を設け,
前記並列パルスは,少なくも第1のビット数からなる第
1の並列パルス群と第2のビット数からなる第2の並列
パルス群とに分割し,且つ,該第2の並列パルス群の転
送タイミングは前記第1の並列パルス群の各ビットのパ
ルス幅より少なくも長い時間遅延させる並列パルスより
なることを特徴とする。
Further, the present invention relates to the above-mentioned device and its method, and to a new IC memory card which is a component thereof. That is, the IC memory card according to the present invention is
A first coil group provided to face the respective coils of the second coil group provided in the data server for parallel transfer of access data, and the first coil group.
Of the means for generating data as parallel pulses and the means for receiving data as parallel pulses when the coils of the second coil arm are closely opposed to each other and the data are transferred in parallel. Have at least one means,
The parallel pulse is divided into a first parallel pulse group having at least a first bit number and a second parallel pulse group having a second bit number, and the transfer of the second parallel pulse group. The timing is characterized by the parallel pulse delaying by a time longer than the pulse width of each bit of the first parallel pulse group.

【0016】更にまた本発明によるICメモリカード
は,上記遅延させることに替えて,上記第1のコイル群
および上記第2のコイル群の各対向するコイル対のうち
の第1のコイル対に対して隣接する受信側コイルに生ず
るクロストーク成分を打ち消すため,前記第1のコイル
対の転送信号の一部を前記隣接受信側コイルに位相を逆
転して供給する手段とよりなることを特徴とする。
Furthermore, in the IC memory card according to the present invention, instead of the above-mentioned delay, the first coil pair of the opposing coil pairs of the first coil group and the second coil group is replaced by the first coil pair. In order to cancel out the crosstalk component generated in the adjacent receiving side coil, a part of the transfer signal of the first coil pair is supplied to the adjacent receiving side coil with the phase reversed. .

【0017】上記事項をより具体的に示すと,同一タイ
ミングで設定された並列ビットの転送データを例えば2
乃至4グループに分割(例えば4グループ分割の場合
は,16ビットデータをそれぞれ4ビットずつの4グル
ープに分割)し,各グループごとに異なる遅延時間の遅
延回路とエッジ検出微分回路を挿入するようにした。
More specifically, the transfer data of parallel bits set at the same timing is, for example, 2
To 4 groups (for example, in the case of 4 groups, 16-bit data is divided into 4 groups of 4 bits each), and a delay circuit and an edge detection differentiating circuit having different delay times are inserted in each group. did.

【0018】また,複数の送信コイルの中の隣接するコ
イルには前記異なるタイミンググループのデータ線を接
続するようにした。
Further, the data lines of the different timing groups are connected to adjacent coils of the plurality of transmission coils.

【0019】また,異なるタイミンググループで送られ
てくる複数の受信コイルに対応するゲート回路と前記そ
れぞれのタイミングを予測して定めたタイミング発生回
路を設けるようにした。
Further, a gate circuit corresponding to a plurality of receiving coils sent in different timing groups and a timing generating circuit for predicting and determining the respective timings are provided.

【0020】また,受信コイルに補助受信コイルを設け
隣接する受信コイルに前記補助受信コイルを接続するよ
うにした。
Further, the auxiliary receiving coil is provided in the receiving coil, and the auxiliary receiving coil is connected to the adjacent receiving coil.

【0021】また,送信コイルへの駆動電流よりも少な
い逆位相の電流を隣接する送信コイルへ印加するように
したものである。
Further, a current having an opposite phase smaller than the drive current to the transmitting coil is applied to the adjacent transmitting coil.

【0022】また,電磁結合用コイルの一端に送信用駆
動回路と受信用アンプ回路を接続するようにした。
Also, the transmission drive circuit and the reception amplifier circuit are connected to one end of the electromagnetic coupling coil.

【0023】上記他の目的を達成するために,外部装置
(サーバ)側には電源供給のためのスプリング部材で構
成された電極端子を設け,カード側にはその外壁部に外
部電源受給のための板状電極端子を密接するようにし
た。
In order to achieve the above-mentioned other objects, an electrode terminal composed of a spring member for power supply is provided on the external device (server) side, and an external wall is provided on the card side for receiving the external power supply. The plate-shaped electrode terminals of were closely contacted.

【0024】また,カードの表裏逆挿入防止用の溝部分
に上記外部電源受給のための電極端子を埋め込むことも
適用可能である。
It is also possible to embed the electrode terminals for receiving the external power supply in the groove portions for preventing the card from being inserted in the opposite direction.

【0025】また,外部装置(サーバ)側の電源と外部
カードへの電源供給電極の間に抵抗を挿入しすることも
適用可能である。
It is also possible to insert a resistor between the power supply on the external device (server) side and the power supply electrode for the external card.

【0026】上記他の目的を達成するために,電磁結合
用送信コイル列の一端(最前部,若しくは最後部)に位
置するコイルに供給する信号の位相を前記コイル列の残
る一端側に位置するコイルへ供給する信号に対して90
度遅らせる回路を挿入することも適用可能である。
In order to achieve the above-mentioned other object, the phase of the signal supplied to the coil located at one end (frontmost portion or rearmost portion) of the electromagnetic coupling transmission coil array is located at the remaining one end side of the coil array. 90 for the signal supplied to the coil
It is also applicable to insert a delay circuit.

【0027】また,電磁結合用受信コイル列の最前部に
位置するコイルからの受信信号と最後部に位置するコイ
ルからの受信信号との,即ちコイル列の両端に位置する
コイルで受信した信号の相対的位相差を検出する回路
と,前記コイル列から受信した信号の並び順を入れ替え
るマルチプレクサ回路を設けることも適用可能である。
The received signal from the coil located at the forefront of the electromagnetic coupling receiving coil array and the received signal from the coil located at the rearmost of the array, that is, the signals received by the coils located at both ends of the coil array. It is also applicable to provide a circuit for detecting the relative phase difference and a multiplexer circuit for switching the arrangement order of the signals received from the coil train.

【0028】上記両端部に位置するコイルからの受信信
号出力を整流する手段を設けることも適用可能である。
It is also applicable to provide a means for rectifying the received signal output from the coils located at the both ends.

【0029】[0029]

【作用】並列データビットをグループ別に異なる遅延時
間の遅延回路を通し,そのエッジを微分した波形は,信
号送信用コイルの駆動タイミングパルスとして用いるこ
とができる。それによって,コイル駆動電流のピーク電
流が時間軸方向に分散されることになり,例えば4種類
の遅延時間の遅延回路を設けた事例では前記ピーク電流
の値が4分の1に低減され,外部供給電源の設定容量が
大幅に緩和されると共にメモリカード内部におけるパル
ス性ノイズ源のエネルギが小さくなるため小型で信頼性
に優れた非接触並列データ転送メモリカードシステムを
実現することができるという効果がある。
A waveform obtained by passing parallel data bits through a delay circuit having a different delay time for each group and differentiating its edge can be used as a drive timing pulse for a signal transmitting coil. As a result, the peak current of the coil drive current is dispersed in the time axis direction. For example, in the case where a delay circuit having four types of delay times is provided, the value of the peak current is reduced to 1/4, Since the set capacity of the power supply is greatly eased and the energy of the pulse noise source inside the memory card is reduced, it is possible to realize a compact and highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system. is there.

【0030】また,信号の転送用コイル群(列)の隣接
するコイルに異なるタイミングのパルスを用いて駆動す
ることにより,隣接コイル同士の磁力線(フラックス)
が加算されて強調されることがないため漏洩磁界強度が
小さいことになりその他のコイルに対するクロストーク
量が低減されることになる。それによって,コイル間シ
ールド等の物理的対策が不要となり,小型で信頼性に優
れた非接触並列データ転送メモリカードシステムを実現
することができるという効果がある。
Further, by driving the adjacent coils of the signal transfer coil group (column) using pulses at different timings, magnetic lines of force (flux) between the adjacent coils.
Is not added and emphasized, the leakage magnetic field strength is small, and the amount of crosstalk to other coils is reduced. This eliminates the need for physical measures such as shielding between coils, and has the effect of realizing a compact and highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system.

【0031】また,予測タイミング発生回路では対応す
る受信コイルへ信号が誘導されてくるであろう予測期間
幅のパルスをゲート回路のゲート信号として発生させる
ことにより,前記予測期間外,例えば隣接コイルへの駆
動タイミング時に生じたクロストーク雑音などは前記ゲ
ート回路を通過させないように動作する。それによっ
て,例え大きなクロストーク雑音が隣接コイルなどから
誘導された場合においても,その影響を全く受けること
がないので,小型で信頼性に優れた非接触並列データ転
送メモリカードシステムを実現することができるという
効果がある。
Further, in the prediction timing generation circuit, by generating a pulse having a prediction period width that will induce a signal to the corresponding receiving coil as a gate signal of the gate circuit, outside the prediction period, for example, to an adjacent coil. The crosstalk noise and the like generated at the driving timing of 1 operates so as not to pass through the gate circuit. As a result, even if a large crosstalk noise is induced from an adjacent coil or the like, it is not affected at all, so that it is possible to realize a compact and highly reliable contactless parallel data transfer memory card system. The effect is that you can do it.

【0032】また,補助受信コイルは隣接するコイルへ
のクロストーク誘導電圧量に等しい電圧が受信できるよ
うな巻数に設定し前記隣接コイルと逆位相になるように
直列接続するこにより隣接コイルにおけるクロストーク
成分はプラス・マイナス相殺されるように動作する。そ
れによって,隣接コイルへのクロストークが生じること
に起因する誤動作を防止することができ信頼性に優れた
非接触並列データ転送メモリカードシステムを実現する
ことができるという効果がある。
The auxiliary receiving coil is set to have a number of turns capable of receiving a voltage equal to the amount of crosstalk induced voltage to the adjacent coil, and is connected in series so as to have a phase opposite to that of the adjacent coil so that the crossing in the adjacent coil is increased. The talk components operate so as to cancel each other out. As a result, it is possible to prevent a malfunction due to the occurrence of crosstalk to the adjacent coil, and it is possible to realize a highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system.

【0033】また,隣接する送信コイルへ印加した逆位
相の駆動信号は前記隣接送信コイルと対になって対向す
る隣接受信コイルへのクロストーク成分を相殺するよう
に動作する。それによって,隣接コイルへのクロストー
クが生じることに起因する誤動作を防止することができ
信頼性に優れた非接触並列データ転送メモリカードシス
テムを実現することができるという効果がある。
Further, the anti-phase drive signals applied to the adjacent transmitting coils operate so as to cancel the crosstalk components to the adjacent receiving coils which are paired with the adjacent transmitting coils and face each other. As a result, it is possible to prevent a malfunction due to the occurrence of crosstalk to the adjacent coil, and it is possible to realize a highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system.

【0034】また,同一コイルに送信用駆動回路と受信
用アンプ回路を接続することにより,上記タイミングシ
フトされた駆動信号の隙間部分に前回のサイクルで転送
されてきたデータを送り返すことができる。それによっ
て,メモリへの書き込み後の読みだしチェック,所謂リ
ード・アフタ・ライト・チェックが転送コイルの数を増
やすことなく,またピーク電流の増加を招かずにできる
ので,小型で信頼性に優れた非接触並列データ転送メモ
リカードシステムを実現することができるという効果が
ある。
By connecting the transmission drive circuit and the reception amplifier circuit to the same coil, the data transferred in the previous cycle can be sent back to the gap portion of the timing-shifted drive signal. As a result, the read check after writing to the memory, so-called read-after-write check, can be performed without increasing the number of transfer coils and without increasing the peak current, so it is small and highly reliable. There is an effect that a contactless parallel data transfer memory card system can be realized.

【0035】また,外部装置(サーバ)側からカード側
への電源供給用電極端子はそれぞれ2ピン用意すれば良
いので比較的堅牢な構造を採用することが可能であり,
また,比較的大きな電力を磁気学的にトランス構造で供
給する手法と較べて実装空間が少なくてすむことにな
る。それによって,高速度動作時の大電力消費にも対応
可能な小型で信頼性に優れた非接触並列データ転送メモ
リカードシステムを実現することができるという効果が
ある。
Also, since it is only necessary to prepare two pins for the power supply electrode terminals from the external device (server) side to the card side, it is possible to adopt a relatively robust structure,
In addition, the mounting space is smaller than the method of supplying a relatively large amount of power magnetically with a transformer structure. As a result, there is an effect that it is possible to realize a compact and highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system that can cope with high power consumption during high-speed operation.

【0036】また,カード側の表裏逆挿入防止用切り込
み溝部分に設けた電源供給受け入れ用電極端子の構造に
よれば,カードの狭い凹面部に位置するため手指が接触
することによる汚れに起因する接触不良を予防すること
ができる。それによって,高速度動作時の大電力消費に
も対応可能な小型で信頼性に優れた非接触並列データ転
送メモリカードシステムを実現することができるという
効果がある。
Further, according to the structure of the power supply receiving electrode terminal provided in the front and back reverse insertion preventing notch portion on the card side, it is located in the narrow concave portion of the card, which is caused by contact with fingers and dirt. Contact failure can be prevented. As a result, there is an effect that it is possible to realize a compact and highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system that can cope with high power consumption during high-speed operation.

【0037】また,外部装置側の供給電源ラインに挿入
された抵抗の電位降下をみることにより実際の負荷が接
続されたことを確認すること,即ち,データ送受信を行
なうべきカードが外部装置(サーバ)へ挿入され電力の
供給が始まったことを検出することができる。それによ
って,電源の接続に何らかの異常が発生しカードに対す
る外部からの電源供給がなされないままの状態でデータ
の高速転送が開始されるという事態を防止できるので,
小型で信頼性に優れた非接触並列データ転送メモリカー
ドシステムを実現することができるという効果がある。
Also, by confirming the potential drop of the resistance inserted in the power supply line of the external device side, it is confirmed that the actual load is connected, that is, the card for data transmission / reception is the external device (server). It is possible to detect that the power supply has been started. As a result, it is possible to prevent a situation in which high-speed data transfer is started without any external power supply to the card due to some abnormality in the power connection.
There is an effect that it is possible to realize a compact and highly reliable non-contact parallel data transfer memory card system.

【0038】また,電磁結合送信用コイル列の両端に位
置するコイルへ供給する信号の位相差を90度シフトさ
せるということは,メモリカードの挿入受入れ側(例え
ばパソコンなど)が突起物等による機械的手法によらず
に挿入面の左右位置を宣言することになる。それによっ
て,メモ値カードの誤挿入の検出ならびに修正が容易に
行うことが可能となるため使い勝手の良い非接触並列転
送メモリカードを提供することができるという効果があ
る。
Further, shifting the phase difference of the signals supplied to the coils located at both ends of the electromagnetic coupling transmission coil array by 90 degrees means that the memory card insertion / reception side (for example, a personal computer) has a protrusion or the like. The left and right positions of the insertion surface are declared regardless of the physical method. As a result, it is possible to easily detect and correct the erroneous insertion of the memo value card, so that it is possible to provide a convenient non-contact parallel transfer memory card.

【0039】また,電磁結合受信用コイル列の両端に位
置するコイルへ誘導された信号の位相差を検出する回路
は,メモリカードの表面(6面体の薄板構造からなるメ
モリカードの中で,面積の小さい順に2面の長手方向側
面と2面の横手方向側面,残りの2面を表面と裏面とい
う表現で便宜上呼称する)を上若しくは右にして挿入さ
れたのかそれともその逆で前記メモリカードの表面を下
若しくは左にして挿入されたのかを検出するように動作
する。それによって,前記逆挿入事例(メモリカードの
表面部を下若しくは左にして挿入した状態)であると認
識したときは,受信コイル列の並び順,即ちデータの並
び順を左右入れ替えた状態となるようにマルチプレクサ
回路が動作するので,メモリカード挿入時にメモリカー
ド表裏を考慮する必要がなくなるため使い勝手の良い非
接触並列転送メモリカードを提供することができるとい
う効果がある。
The circuit for detecting the phase difference between the signals induced in the coils located at both ends of the electromagnetically coupled receiving coil array is provided on the surface of the memory card (in the area of the memory card having a hexahedral thin plate structure). 2 in the order of ascending order, the longitudinal side surfaces and the 2 lateral side surfaces, and the remaining 2 surfaces are referred to as front and back sides for convenience) are inserted upward or to the right or vice versa. It operates to detect whether it has been inserted with the surface down or left. As a result, when it is recognized that the case is the reverse insertion case (the state where the surface of the memory card is inserted downward or left), the arrangement order of the receiving coil rows, that is, the data arrangement order is switched left and right. Since the multiplexer circuit operates as described above, it is not necessary to consider the front and back of the memory card when inserting the memory card, and thus it is possible to provide a convenient non-contact parallel transfer memory card.

【0040】また,電磁結合受信用コイル列の両端に位
置するコイルへ誘導された信号を整流する手段は,上記
表裏入替え挿入検出のための信号から直流電圧を発生す
るように動作する。それによって,データ転送時の外部
電源受給用コイルと表裏入替え挿入検出用コイルを兼用
することになり,外部電源受給用コイルの増設手段等を
講ずるまでもなく電源供給面においてもメモリカード挿
入時にメモリカード表裏を考慮する必要がなくなるため
使い勝手の良い非接触並列転送メモリカードを提供する
ことができるという効果がある。
Further, the means for rectifying the signals induced in the coils located at both ends of the electromagnetically coupled reception coil array operates so as to generate a DC voltage from the signal for detecting the front / back interchange insertion. As a result, the external power supply coil for data transfer is also used as the front / backside replacement insertion detection coil, and it is not necessary to take additional measures for the external power supply coil, and the power supply side does not require memory when the memory card is inserted. Since there is no need to consider the front and back of the card, it is possible to provide a convenient non-contact parallel transfer memory card.

【0041】[0041]

【実施例】実施例の具体的構造の説明に先立ち,構造の
緒元を規制する背景要因,特に転送コイル間のクロスト
ークについて述べる。以下,実際に生ずるクロストーク
を調べるために行なった実験のデータならびに外形寸法
上の制約などを勘案して試作し,実験した本実施例相当
の転送コイルモジュールについて,図を用いて説明す
る。
EXAMPLES Prior to the description of the concrete structure of the example, background factors that regulate the specifications of the structure, particularly crosstalk between transfer coils, will be described. Hereinafter, a transfer coil module corresponding to the present embodiment, which has been experimentally manufactured in consideration of data of an experiment conducted to examine actually occurring crosstalk and restrictions on external dimensions, will be described with reference to the drawings.

【0042】図16(a)はチャネル間クロストーク実
験のための測定回路である。一次(送信)側コイルT0
1,T11,T21およびT31に対応する二次(受
信)側コイルT02,T12,T22およびT23は,
それぞれフェライトコアボビンにエナメル被服線を10
ターン乃至20ターン巻取り,相対峙するコイル同士,
例えばT01とT02,T11とT12などの組合せで
一種の電磁結合トランスを形成する。一次側および二次
側それぞれのコイルブロック(コイル列)内でのコイル
用フェライトコア間の間隔寸法を実験変数として可変と
し,一次側コイル用フェライトと二次側コイル用フェラ
イトとの間隙寸法をパラメータとして固定し,幾通りか
調べた。実際の実験ではこのパラメータ値も変数とし
た。図16(a)に示すように一次側駆動信号は,e0
ボルト振幅のパルス信号を抵抗Rd(実験ではe0:+
5V,Rd:470Ω)を介して一次側コイルT01お
よびT31に印加した。なお,T31には図示のように
抵抗Rd(470Ω)とトグルスイッチSWの接点が直
列に挿入されている。二次側コイルT12には負荷抵抗
RL(470Ω)を接続し,正規の受信レベルe1をオ
シロスコープで観測し,隣接コイルT22にも負荷抵抗
RL(470Ω)を接続し,クロストークレベルe2を
同様手段で観測した。図16(b)はその実験結果を示
す測定データである。横軸はコイルを巻きつけたフェラ
イトコアのコイルブロック内の隣接間隔であり,縦軸は
一次側駆動電圧e0を0デシベル(dB)としたときの
二次側への誘導電圧をデシベル表現で示したものである
(例えば,10分の1に減衰して伝送されると,−20
dBになる)。正規の誘導電圧e1即ち2次側への誘起
電圧は,コア間隔やスイッチ(図16(a)参照)開閉
の有無に関係なくほゞ一定の値で−11dB(約1.4
ボルト)となっている。しかし,隣接コイルへの誘導即
ちクロストーク電圧e2は,コア間隔が狭くなるほど大
きな値となっている。例えば,隣接間隔1ミリメートル
のときでは−30dB(約32分の1)であり,156
ミリボルトのクロストークが発生する。ここで,スイッ
チ(図16(a)参照)を閉にしてコイルT31にも駆
動電流を流すと,その両方へ隣接する二次側コイルへの
クロストーク電圧e2は,−24dB(5ボルトの約1
6分の1;312ミリボルト)まで上昇していることが
わかる。
FIG. 16 (a) shows a measuring circuit for an inter-channel crosstalk experiment. Primary (transmission) side coil T0
Secondary (reception) side coils T02, T12, T22 and T23 corresponding to 1, T11, T21 and T31 are
Each of the ferrite core bobbins has 10 enamel clothing wires.
Winding for 20 to 20 turns, coils facing each other,
For example, a combination of T01 and T02, T11 and T12, etc. forms a kind of electromagnetic coupling transformer. The spacing between the ferrite cores for the coils in the primary and secondary coil blocks (coil rows) was made variable as an experimental variable, and the gap between the ferrite for the primary coil and the ferrite for the secondary coil was used as a parameter. I fixed it and investigated several ways. In the actual experiment, this parameter value was also used as a variable. As shown in FIG. 16A, the primary side drive signal is e0.
A pulse signal having a volt amplitude is applied to a resistor Rd (e0: + in the experiment)
5 V, Rd: 470 Ω) was applied to the primary side coils T01 and T31. A resistor Rd (470Ω) and a contact of the toggle switch SW are inserted in series at T31 as shown in the figure. The load resistance RL (470 Ω) is connected to the secondary coil T12, the regular reception level e1 is observed with an oscilloscope, the load resistance RL (470 Ω) is also connected to the adjacent coil T22, and the crosstalk level e2 is measured by the same means. Observed at. FIG. 16B is measurement data showing the experimental result. The abscissa is the adjacency in the coil block of the ferrite core around which the coil is wound, and the ordinate is the decibel representation of the induced voltage to the secondary side when the primary side drive voltage e0 is 0 decibel (dB). (E.g., when transmitted after being attenuated to 1/10,
It becomes dB). The regular induced voltage e1, that is, the induced voltage to the secondary side, is a constant value of -11 dB (about 1.4 dB) regardless of whether the core spacing or the switch (see FIG. 16A) is opened or closed.
Bolt). However, the induction to the adjacent coil, that is, the crosstalk voltage e2 has a larger value as the core interval becomes narrower. For example, when the adjacent distance is 1 millimeter, it is -30 dB (about 1/32), and is 156
Millivolt crosstalk occurs. Here, when the switch (see FIG. 16A) is closed and a drive current is also applied to the coil T31, the crosstalk voltage e2 to the secondary coil adjacent to both is −24 dB (about 5 V). 1
1/6; 312 millivolts).

【0043】図17は,メモリカードの従来規格として
広く実施されているPCMCIA(Personal Computer
Memory Card International Association)規格・タイ
プIIIメモリカードの外観図,および,それに非接触並
列転送コイルを適用した場合を想定した図である。前記
タイプIIメモリカードは,縦85.6ミリメートル,横
54.0ミリメートル,厚さは挿入に必要な周辺部およ
び従来型接触式接栓部で3.3ミリメートル,中央部厚
さで5.0ミリメートルと規定されている。このような
寸法で成形されたカードケース90の内部にはメモリな
どの部品を実装するプリント回路基板91が収納されて
おり,通常は接栓部(図示の下端部)に68ピンの接触
式コネクタが配置される。ここで,本発明のように非接
触転送化をを図るためには,上記接触式68ピンコネク
タの替わりに電磁結合用コイルを取り付ける必要があ
る。なおこの場合,上記規格に合わせつつ上記図16
(b)で示すクロストークを避けて,当初16ぴを採用
することも可能である。上記規格との整合性を考慮し非
接触並列転送コイルを用いる場合も,コアーホルダ92
の長手方向寸法は50ミリメートル以下であることが要
求される。ここで,16チャネルのコイルを配列する場
合,図示のように3ミリメートル以下のピッチでコイル
を配置することが必要となる。
FIG. 17 shows a PCMCIA (Personal Computer) widely used as a conventional standard for memory cards.
Memory Card International Association) Standard / Type III memory card external view and a diagram assuming a non-contact parallel transfer coil is applied to it. The type II memory card has a length of 85.6 mm, a width of 54.0 mm, a thickness of 3.3 mm in the peripheral part required for insertion and a conventional contact type plug, and a thickness of 5.0 in the central part. It is specified as millimeters. A printed circuit board 91 on which components such as a memory are mounted is housed inside a card case 90 molded in such a size, and a 68-pin contact type connector is usually provided at a plug portion (lower end portion in the drawing). Are placed. Here, in order to achieve non-contact transfer as in the present invention, it is necessary to attach an electromagnetic coupling coil instead of the contact type 68-pin connector. In this case, the above-mentioned FIG.
It is also possible to initially adopt 16-pin while avoiding the crosstalk shown in (b). Even when a non-contact parallel transfer coil is used in consideration of conformity with the above standard, the core holder 92
The longitudinal dimension of is required to be 50 mm or less. Here, when arranging coils of 16 channels, it is necessary to arrange the coils at a pitch of 3 mm or less as illustrated.

【0044】図18は,本実施例で使用し,実用化しつ
つあるコイルアレイの外観図である。コアーホルダ92
には,図示のように2ミリメートル角の「コの字」型単
体フェライトコア93を1ミリメートル間隔(図16
(a),(b)の実験結果により実用化可能範囲を決
定)で16個取り付ける。上記コアーホルダ92は,ガ
ラス部材等の非誘電体を使用し,縦4ミリメートル,横
48ミリメートル,厚さ0.3ミリメートルの板状体で
あり,プリント回路基板91に面実装はんだ付けされて
いる。
FIG. 18 is an external view of a coil array used in this embodiment and being put to practical use. Core holder 92
In addition, as shown in the drawing, a "U-shaped" single ferrite core 93 of 2 mm square is spaced by 1 mm (see FIG. 16).
16 pieces are attached according to the experimental results of (a) and (b). The core holder 92 is a plate-like body made of a non-dielectric material such as a glass member and having a length of 4 mm, a width of 48 mm and a thickness of 0.3 mm, and is surface-mounted to the printed circuit board 91 by soldering.

【0045】以上16チャネルのコイルブロックの場合
について詳述したが,接触方式の場合は既に上記PCM
CIA規格にもあるとおり68ピンなどが実用化されて
いるため,非接触方式である本発明の並列転送装置も更
に高密度化が望まれる。その場合,特に問題になるのは
図16(b)に示すような隣接コイル同士のクロストー
クであり,このような電磁誘導ノイズは隣接コイル間隔
が1ミリメートル医かになると急激に増加することが前
記図16(b)からも明らかである。なお,このような
クロストークは高密度化が極度に進んだ場合,単に電磁
結合による電磁誘導だけでなくコイル間の静電結合によ
る静電誘導が生ずることも予測される。
The case of the coil block of 16 channels has been described in detail above.
Since 68 pins and the like have been put into practical use as in the CIA standard, it is desired that the parallel transfer device of the present invention which is a non-contact type has higher density. In that case, a particular problem is crosstalk between adjacent coils as shown in FIG. 16 (b), and such electromagnetic induction noise may increase rapidly when the distance between adjacent coils becomes 1 mm. It is also clear from FIG. 16 (b). It should be noted that it is expected that such crosstalk will not only be electromagnetic induction by electromagnetic coupling but also electrostatic induction by electrostatic coupling between coils when the density is extremely increased.

【0046】本発明は,以上のようなクロストークを避
け,また,パルスエネルギの集中を避けた新規な非接触
並列データ転送装置およびそれを用いた携帯型メモリ装
置を提供するものである。以下,各実施例によりその具
体的公正ないようを詳細に説明する。
The present invention provides a novel non-contact parallel data transfer device which avoids the above-mentioned crosstalk and avoids concentration of pulse energy, and a portable memory device using the same. Hereinafter, each example will be described in detail so as not to be specific.

【0047】先ず,第1の実施例を図を用いて以下説明
する。
First, a first embodiment will be described below with reference to the drawings.

【0048】図1は,第1の実施例で用いたデータ供給
装置(パソコンなどのデータサーバ)と非接触並列転送
メモリカードのブロック図でありデータ転送に関連する
個所のみを抽出したものである。パソコン機能を流用し
たデータ供給装置9の内部バス11に含まれるデータバ
スおよびアドレスバスおよび専用制御線はデータ送信制
御回路3に入力し,8ビットのデータ列並びにリード・
ライト制御信号に変換し出力する。即ち,データ転送の
先頭部分ではメモリカード側の指定アドレス番号(実施
例では20ビットで指定)を8ビット並列データ(バイ
ト単位データ)として3回に分けて先ず出力し,その後
転送すべきデータ列をバイト単位で順次出力し,同時に
メモリへの書き込み要求信号WTREQ(データをパソ
コン側が読み込む場合は読み込み要求信号RDREQ)
データ出力ごとに発生する。ここで,8ビットの出力デ
ータは偶数番号(ビット0,ビット2,ビット4および
ビット6)の4ビットと奇数番号(ビット1,ビット
3,ビット5およびビット7)の4ビットに分割し,前
者の偶数番号ビットデータ列はαタイミング遅延回路4
−1へ,後者である奇数番号ビットのデータ列はβタイ
ミング遅延回路4−2にそれぞれ振り分けて入力され
る。前記αタイミング遅延回路4−1とβタイミング遅
延回路4−2は,2相クロック制御概念(メインクロッ
クの1周期内を基準となる基準相とその基準から180
度遅れた遅延位相の2つのタイミング基準を設けておく
方式)における基準位相タイミングαで制御されるレジ
スタおよびパルス化回路と遅延位相タイミングβで制御
されるレジスタおよびパルス化回路でそれぞれが構成さ
れている(詳細図示省略)。前記αタイミング遅延回路
4−1の出力は,前記αタイミングに同期したパルス化
(最大データ転送周期の4分の1時間幅パルス)RZ
(リターンゼロ;信号レベルは常時「0」を示すレベル
にあり,データが「1」の時にのみ「1」を示すレベル
になるが所定時間経過後には「0」レベルに必ず戻るデ
ータ表現方式)信号であり,α相データバス12−1と
コイル駆動回路5を経由して送信用コイル列1の偶数番
号コイル1−0と1−2と1−4と1−6を駆動(所定
電流をコイルに流す)し,前記一方のβタイミング遅延
回路4−2は前記βタイミングに同期したパルス化RZ
信号を出力し,β相データバス12−2およびコイル駆
動回路5を経由して送信用コイル列1の奇数番号コイル
である1−1と1−3と1−5と1−7を駆動する。前
記送信コイル列1に対応する位置に配置した受信コイル
列2を構成する個々のコイル2−0乃至2−7には,前
記送信コイル1−0乃至1−7への駆動電流の大きさに
比例した電磁誘導信号を受信する。即ち,αタイミング
に同期したパルス化RZ信号は,受信コイル2−0およ
び2−2および2−4および2−6で受信し,一方,β
タイミングに同期したパルス化RZ信号は,受信コイル
2−1および2−3および2−5および2−7で受信
し,受信アンプ回路6および受信データバス13を経由
してそれぞれのタイミングで受信制御回路7の内部を構
成するセットリセット型フリップフロップ(詳細構成の
図示省略)をセット(データが「1」の場合のみ)す
る。ここで,転送データ列の先頭部3バイト分はアドレ
ス情報であることを前記受信制御回路7が認識しメモリ
8に対するアドレスバスデータを更新(書き込み先頭ア
ドレスが設定されたことになる)し,その後の受信デー
タはメモリ8のデータバスに乗せると共に書き込み許可
信号WE(Write Enable)信号を発生(送信コイル1−
8および受信コイル2−8を経て事前に受信した書き込
み要求信号WTREQを受けたことを反映)し,そのW
E信号の後エッジを用いて前記アドレスバスデータをプ
ラス1しておくことで次のメモリアドレスへの書き込み
に備えることになる。なお,前記メモリ8の内容を読み
取るには,パソコン(データ供給装置)9側から読み取
り要求信号RDREQを送信コイル1−9を駆動し受信
コイル2−9経由で受信制御回路7に与えることによっ
てなされるが,その際の読み取り回路系は煩雑となるた
めここでは図示を省略した。図2は非接触転送メモリカ
ードの信号入力部をもう少し詳細に示す論理展開図であ
る。非接触転送メモリカード10の内部は受信コイル列
2と受信アンプ回路6と受信制御回路7のデータ入力関
連部のみを図示し,他の構成ブロックは煩雑さを防ぐた
め省略してある。ゲート信号発生回路41は,システム
クロック2fCLK(データ供給装置側から別途手段で
供給を受ける)をベースとして使用しαタイミングで送
信されてくる信号を受け入れるためのゲート信号(α
G)45およびβタイミングで送信されてくる信号を受
け入れるためのゲート信号(βG)44およびセット/
リセットタイプのフリップフロップ43−0乃至43−
7に対するリセット信号などを発生する。一方,受信コ
イル列2の中でαタイミング送信信号を受信するグルー
プに属するコイル2−0,2−2,2−4および2−6
は,受信アンプ回路6を経由して前記αゲート信号45
を一方の入力とするゲート回路42−0,42−2,4
2−4および42−6にそれぞれ入力しそれらゲートさ
れた信号はフリップフロップ43−0,43−2,43
−4更に43−6のそれぞれのセット端子へ接続し,前
記受信コイル列2の中でβタイミング送信信号を受信す
るグループに属するコイル2−1,2−3,2−5およ
び2−7も,受信アンプ回路6を経由して前記βゲート
信号44を一方の入力とするゲート回路42−1,42
−3,42−5および42−7にそれぞれ入力しそれら
ゲートされた信号はフリップフロップ43−1,43−
3,43−5更に43−7のそれぞれのセット端子へ接
続され,1バイト分の転送データがフリップフロップ4
3−0乃至43−7にセットされる。即ち,ゲート回路
42−0乃至42−7の作用によって転送が予測される
タイミング近傍以外の信号成分はフリップフロップ43
−0乃至43−7へ伝達されることが禁止される。
FIG. 1 is a block diagram of a data supply device (a data server such as a personal computer) and a non-contact parallel transfer memory card used in the first embodiment, in which only parts relevant to data transfer are extracted. . The data bus, the address bus and the dedicated control line included in the internal bus 11 of the data supply device 9 which uses the personal computer function are input to the data transmission control circuit 3 to read an 8-bit data string and read.
It is converted into a write control signal and output. That is, at the beginning of the data transfer, the designated address number on the memory card side (designated with 20 bits in the embodiment) is first output as 8-bit parallel data (byte unit data) in three times, and then the data string to be transferred. Are sequentially output in byte units, and at the same time a write request signal WTREQ to the memory (a read request signal RDREQ when the personal computer side reads the data)
Occurs for each data output. Here, the 8-bit output data is divided into even-numbered (bit 0, bit 2, bit 4 and bit 6) 4 bits and odd-numbered (bit 1, bit 3, bit 5 and bit 7) 4 bits, The former even-numbered bit data string is the α timing delay circuit 4
-1, and the latter data string of odd numbered bits is distributed and input to the β timing delay circuit 4-2. The α-timing delay circuit 4-1 and the β-timing delay circuit 4-2 are based on the concept of two-phase clock control (a reference phase based on one cycle of the main clock and 180 degrees from the reference phase).
In a system in which two timing references of delayed phases delayed by two degrees are provided), each is composed of a register and a pulsing circuit controlled by a reference phase timing α and a register and a pulsing circuit controlled by a delay phase timing β. (Details not shown). The output of the α timing delay circuit 4-1 is pulsed in synchronization with the α timing (1/4 time width pulse of the maximum data transfer period) RZ.
(Return zero; the signal level is always at a level indicating "0", and becomes a level indicating "1" only when the data is "1", but it always returns to "0" level after a lapse of a predetermined time) It is a signal and drives even-numbered coils 1-0, 1-2, 1-4 and 1-6 of the transmission coil array 1 via the α-phase data bus 12-1 and the coil drive circuit 5 (predetermined current And the one β-timing delay circuit 4-2 is pulsed RZ synchronized with the β-timing.
It outputs a signal and drives the odd-numbered coils 1-1, 1-3, 1-5, and 1-7 of the transmission coil array 1 via the β-phase data bus 12-2 and the coil drive circuit 5. . The individual coils 2-0 to 2-7 forming the receiving coil array 2 arranged at the positions corresponding to the transmitting coil array 1 have the same magnitude of the drive current to the transmitting coils 1-0 to 1-7. Receive a proportional electromagnetic induction signal. That is, the pulsed RZ signal synchronized with the α timing is received by the receiving coils 2-0 and 2-2 and 2-4 and 2-6, while β
The pulsed RZ signal synchronized with the timing is received by the reception coils 2-1 and 2-3 and 2-5 and 2-7, and the reception control is performed at each timing via the reception amplifier circuit 6 and the reception data bus 13. A set-reset type flip-flop (detailed configuration is not shown) forming the inside of the circuit 7 is set (only when the data is “1”). Here, the reception control circuit 7 recognizes that the first 3 bytes of the transfer data string is address information, updates the address bus data for the memory 8 (means that the write first address has been set), and then Received data is placed on the data bus of the memory 8 and a write enable signal WE (Write Enable) signal is generated (transmission coil 1-
8 and the receiving coil 2-8 to reflect the reception of the write request signal WTREQ previously received), and the W
By adding 1 to the address bus data using the trailing edge of the E signal, preparation for writing to the next memory address is made. In order to read the contents of the memory 8, a read request signal RDREQ is driven from the personal computer (data supply device) 9 side to drive the transmission coil 1-9 and give it to the reception control circuit 7 via the reception coil 2-9. However, the reading circuit system at that time is complicated, so the illustration is omitted here. FIG. 2 is a logical development view showing the signal input section of the contactless transfer memory card in more detail. Inside the contactless transfer memory card 10, only the receiving coil array 2, the receiving amplifier circuit 6, and the data input-related portion of the receiving control circuit 7 are shown, and the other constituent blocks are omitted for the sake of simplicity. The gate signal generation circuit 41 uses the system clock 2fCLK (supplied by a separate means from the data supply device side) as a base, and receives a signal transmitted at α timing (α signal
G) 45 and a gate signal (βG) 44 for receiving a signal transmitted at β timing and set /
Reset type flip-flops 43-0 to 43-
A reset signal for 7 is generated. On the other hand, the coils 2-0, 2-2, 2-4 and 2-6 belonging to the group that receives the α timing transmission signal in the receiving coil array 2
Is the α gate signal 45 via the reception amplifier circuit 6.
Gate circuits 42-0, 42-2, 4 having one input as
2-4 and 42-6, and the gated signals are input to flip-flops 43-0, 43-2, 43.
-4 Further, the coils 2-1, 2-3, 2-5 and 2-7 which are connected to the respective set terminals of 43-6 and belong to the group for receiving the β timing transmission signal in the receiving coil array 2 are also provided. , Gate circuits 42-1 and 42 which receive the β gate signal 44 as one input via the reception amplifier circuit 6
-3, 42-5 and 42-7, and the gated signals are input to flip-flops 43-1 and 43-, respectively.
3, 43-5 and 43-7 are connected to respective set terminals, and transfer data of 1 byte is transferred to the flip-flop 4
3-0 to 43-7. That is, the signal components other than the vicinity of the timing when the transfer is predicted by the operation of the gate circuits 42-0 to 42-7 are flip-flops 43.
It is forbidden to transmit to 0 to 43-7.

【0049】図3は,上記第1の実施例を説明するデー
タ部分(アドレス部分は省略)のタイムチャート図であ
る。以下,前記図1を参照しながら説明する。送信制御
回路(図1の3)へ与えるクロックは転送周波数の2倍
の周波数(実施例では20メガヘルツ)の矩形波信号2
fCLKであり,ホスト側コントローラ(図1のデータ
供給装置9)から外部メモリカードへの書き込み命令W
TCOMと同時に書き込むべきデータDATA0乃至D
ATA7が与えられる。ここで,前記DATA0乃至D
ATA7が16進表現で「FF」(8ビットデータの総
てのビットが「1」),「0F」(上位4ビットが
「0」で下位4ビットが「1」),「F0」(上位4ビ
ットが「1」で下位4ビットが「0」)最後が「FF」
であったものと仮定し図示した。前記送信制御回路内部
のラッチレジスタにはαタイミングで作動するグループ
(DATA0α,DATA2α,DATA4α,DAT
A6α)とβタイミングで作動するグループ(DATA
1β,DATA3β,DATA5β,DATA7β)に
交互に振り分けられており,それぞれのタイミングの立
ち下がりエッジでデータがセットされる。上記レジスタ
出力DATA0α乃至DATA6αと前記2fCLKの
α部の否定信号との論理積(2fCLKのα部がローレ
ベルの時を「真」とする論理積)を行った出力信号(#
0−DRIVE,#2−DRIVE,#4−DRIVE
および#6−DRIVE)と,同じく上記レジスタの出
力DATA1β乃至DATA7βと前記2fCLKのβ
部の否定信号との論理積を行った出力信号(#1−DR
IVE,#3−DRIVE,#5−DRIVEおよび#
7−DRIVE)は,対応する送信コイル列(図1の
1)の個々のコイル(図1の1−0乃至1−7)への駆
動電流波形となる。
FIG. 3 is a time chart of the data part (address part is omitted) for explaining the first embodiment. Hereinafter, description will be made with reference to FIG. The clock applied to the transmission control circuit (3 in FIG. 1) is a rectangular wave signal 2 having a frequency twice the transfer frequency (20 MHz in the embodiment).
fCLK, which is a write command W from the host-side controller (data supply device 9 in FIG. 1) to the external memory card
Data DATA0 to DATA to be written at the same time as TCOM
ATA7 is given. Here, the DATA0 to DATA
ATA7 is hexadecimal notation "FF" (all bits of 8-bit data are "1"), "0F" (upper 4 bits are "0" and lower 4 bits are "1"), "F0" (upper bits) 4 bits are "1" and lower 4 bits are "0") Last is "FF"
It was assumed that it was. Groups (DATA0α, DATA2α, DATA4α, DAT) that operate at α timing are provided in the latch register inside the transmission control circuit.
A6α) and a group that operates at β timing (DATA
1β, DATA3β, DATA5β, DATA7β), and data is set at the falling edge of each timing. An output signal (#) which is obtained by performing a logical product of the register outputs DATA0α to DATA6α and a negative signal of the α part of the 2fCLK (a logical product of “true” when the α part of the 2fCLK is at a low level).
0-DRIVE, # 2-DRIVE, # 4-DRIVE
And # 6-DRIVE) as well as the outputs DATA1β to DATA7β of the register and β of 2fCLK.
Output signal (# 1-DR
IVE, # 3-DRIVE, # 5-DRIVE and #
7-DRIVE) is a drive current waveform to each coil (1-0 to 1-7 in FIG. 1) of the corresponding transmitting coil array (1 in FIG. 1).

【0050】図4(a),(b)は,本実施例における
データ送受信時の実装状態を示す外観図であり,同図4
(a)は上面からみた断面図,同図4(b)は側面から
みた断面図を示すものである。データ供給装置9の切れ
込み部の最奥部に送信用コイル列1を底面に並行に配置
し,受信用コイル列2を前記送信用コイル列1に対応す
るように配置した非接触並列転送用メモリカード10を
前記切れ込み部に挿入することで,コイルによる電磁結
合作用によりデータが転送される。この時,前記送信用
コイル列1と受信用コイル列2の間隙は可能な限り狭く
することにより転送効率が向上するため,永久磁石によ
る吸引力もしくは機械的なバネの反発力を利用した相互
作用によって前記2組のコイル列1,2を密着させる方
向に力が作用するような構造が採用される(図示省
略)。
4 (a) and 4 (b) are external views showing the mounting state during data transmission / reception in this embodiment.
FIG. 4A is a sectional view seen from the upper surface, and FIG. 4B is a sectional view seen from the side surface. A non-contact parallel transfer memory in which the transmission coil array 1 is arranged in parallel with the bottom surface in the deepest part of the notch of the data supply device 9 and the reception coil array 2 is arranged so as to correspond to the transmission coil array 1. By inserting the card 10 into the notch, data is transferred by the electromagnetic coupling action of the coil. At this time, since the transfer efficiency is improved by making the gap between the transmitting coil array 1 and the receiving coil array 2 as narrow as possible, the interaction using the attractive force of the permanent magnet or the mechanical repulsive force of the spring. Thus, a structure is adopted in which a force acts in the direction in which the two sets of coil rows 1 and 2 are brought into close contact with each other (not shown).

【0051】本第1の実施例によれば,送信コイルへの
駆動に付随する電流のピーク値が2分の1になり,特
に,カード側からデータを送り返すとき,即ち,メモリ
データの読み取り時(図示および説明を省略した)にお
いては電源回路の小型化に寄与するばかりでなく,雑音
信号源のエネルギが半減されることになるため,信頼性
の高い電磁結合方式の非接触並列転送メモリカードシス
テムを実現することができる。また,隣接コイル間は異
なるタイミングで駆動されており,更に,隣接コイルの
駆動タイミングで誘導されるノイズ信号はゲート回路で
排除しているため,誘導コイルを多数用いた場合の致命
的欠陥であるクロストークノイズによる誤動作の心配が
なくなり,極めて信頼性の高い非接触並列転送メモリカ
ードシステムを提供することができるという効果があ
る。
According to the first embodiment, the peak value of the current accompanying the driving of the transmitter coil is halved, especially when the data is sent back from the card side, that is, when the memory data is read. In (not shown and described), not only contributes to downsizing of the power supply circuit, but also the energy of the noise signal source is halved, so a highly reliable electromagnetic coupling type non-contact parallel transfer memory card The system can be realized. Further, since the adjacent coils are driven at different timings, and the noise signal induced at the driving timing of the adjacent coils is eliminated by the gate circuit, this is a fatal defect when a large number of induction coils are used. There is no fear of malfunction due to crosstalk noise, and it is possible to provide an extremely reliable non-contact parallel transfer memory card system.

【0052】なお,上記実施例では2回のタイミングに
振り分けてデータを転送しているが,この振り分けタイ
ミング数を3,4,5と増やして行くことも当然のこと
ながら可能であり,その数が多いほどデータ送受信に要
する時間は長くなるが,その反面でピーク電流値も平準
化されて少なくなるため上記効果が更に強化されるとい
う効果がある。
In the above embodiment, the data is transferred by dividing it into two timings, but it is of course possible to increase the number of distribution timings to 3, 4, and 5, and the number thereof can be increased. The greater the number, the longer the time required for data transmission / reception, but on the other hand, the peak current value is also leveled and reduced, and the above effect is further enhanced.

【0053】次に,第2の実施例を図を用いて説明す
る。第2の実施例はカードの表裏(上下)を逆向きに挿
入(第1の実施例図4参照)しても対処できるように対
策した一例である。
Next, a second embodiment will be described with reference to the drawings. The second embodiment is an example in which measures are taken so that it can be dealt with even when the front and back (upper and lower) of the card are inserted in the opposite direction (see FIG. 4 of the first embodiment).

【0054】図5は,第2の実施例で用いたデータ供給
装置(パソコン)9と非接触並列転送メモリカード10
のデータ転送に関連する個所のみを抽出したブロック図
である。本図は第1の実施例における図1に対応してお
り,そのデータ供給装置9側における図1との主な相違
点は送信用コイル列1を構成するコイル1−0乃至1−
7および1−8,1−9の両端部に特殊信号送信用コイ
ル1−Rと1−Lと該追加コイルに信号を供給するため
の回路などを追加したことであり,メモリカード10側
における主な相違点は受信用コイル列2を構成するコイ
ル2−0乃至2−7および2−8,2−9の両端部に特
殊信号送信用コイル2−Rと2−Lと該追加コイルから
の受信信号を処理するための回路などを追加したことで
ある。従って,前記図1の説明と重複する部分の説明は
基本的に省略する。発信回路21で発生した矩形波信号
は,コイル駆動回路5−Rを経て増設した一方の送信コ
イル1−Rを駆動すると同時に位相遅延回路22で信号
位相を90度遅らせた後コイル駆動回路5−Lを経て残
る一方の増設コイル1−Lに信号を供給する。一方,メ
モリカード10側は,第1の増設受信コイル2−Rで受
信し受信アンプ回路6−Rで増幅し整形した信号と,第
2の増設受信コイル2−Lで受信し受信アンプ回路6−
Lで増幅し整形した信号を位相比較回路23へそれぞれ
入力することによって相対的な位相差を比較し,ビット
並べ替え回路24に対する並べ替え指令信号を発生す
る。ここで,図示のような状態,即ち,第1の送信用増
設コイル1−Rの信号を第1の受信用増設コイル2−R
が受け取り,第2の送信用増設コイル1−Lの信号を第
2の受信用増設コイル2−Lが受けたものと想定した場
合(前記位相比較回路のA入力に対してB入力側の位相
が90度遅れている状態)は,表面を上にしてメモリカ
ード10がデータ供給装置9へ挿入された正常挿入と判
定し,ビット並べ替え回路24に対して並べ替え指令を
発行しないようにする(即ち,第1の実施例における図
1および図2で説明した状態を保持することになる)。
反対にメモリカード10が裏面を上にして挿入されると
メモリカード10側だけがデータ供給装置9に対して図
示状態から180度反転した状態になる。即ち,第1の
送信用増設コイル1−Rは第2の受信用増設コイル2−
Lに対面し,また,送信コイル1−0は受信コイル2−
9と対面し更に送信コイル1−1は受信コイル2−8に
対面することになり,以下同様に図示の上下が入れ替わ
って対面し,最後に第2の送信用増設コイル1−Lは第
1の受信用増設コイル2−Rと向き合わせになる。この
状態(前記のように裏面を上にして挿入した状態)で
は,前記位相比較回路23のA入力はB入力よりも位相
が90度遅れていることになるためビット並べ替え回路
24に対してビット並べ替え指令を発行し,同並べ替え
回路24の出力では前記正常挿入時と同じ信号配列にな
るように上下のビットを順番に入れ替えるように動作さ
せる。即ち,受信コイル2−9の受信データ線は受信コ
イル列2の中心から対称の位置にある受信コイル2−0
の受信データ線と入替え,以下同様に,受信コイル2−
8の受信データ線と受信コイル2−1の受信データ線,
受信コイル2−7の受信データ線と受信コイル2−2の
受信データ線,受信コイル2−6の受信データ線と受信
コイル2−3の受信データ線,受信コイル2−5の受信
データ線と受信コイル2−4の受信データ線,をそれぞ
れ入れ替えることになる。
FIG. 5 shows a data supply device (personal computer) 9 and a non-contact parallel transfer memory card 10 used in the second embodiment.
It is a block diagram which extracted only the part relevant to the data transfer of. This drawing corresponds to FIG. 1 in the first embodiment, and the main difference on the data supply device 9 side from FIG. 1 is that the coils 1-0 to 1- constituting the transmitting coil array 1 are different.
7 and 1-8 and 1-9 are provided with coils for special signal transmission 1-R and 1-L and a circuit for supplying a signal to the additional coils at both ends of the memory card 10 side. The main difference is that the coils 2-0 to 2-7 and 2-8 and 2-9 forming the receiving coil array 2 are provided with special signal transmitting coils 2-R and 2-L and the additional coil. That is, a circuit and the like for processing the reception signal of is added. Therefore, the description of the part overlapping with the description of FIG. 1 is basically omitted. The rectangular wave signal generated by the transmitting circuit 21 drives one of the additional transmitting coils 1-R via the coil driving circuit 5-R, and at the same time delays the signal phase by 90 degrees by the phase delay circuit 22 and then the coil driving circuit 5-R. A signal is supplied to the remaining extension coil 1-L after passing through L. On the other hand, on the memory card 10 side, a signal received by the first additional receiving coil 2-R, amplified by the receiving amplifier circuit 6-R and shaped, and a signal received by the second additional receiving coil 2-L and received by the receiving amplifier circuit 6-R. −
By inputting the signals amplified and shaped by L to the phase comparison circuit 23, relative phase differences are compared, and a rearrangement command signal for the bit rearrangement circuit 24 is generated. Here, the state as shown in the figure, that is, the signal of the first transmission additional coil 1-R is changed to the first reception additional coil 2-R.
When it is assumed that the signal of the second transmission additional coil 1-L is received by the second reception additional coil 2-L (the phase on the B input side with respect to the A input of the phase comparison circuit) Is delayed by 90 degrees), it is determined that the memory card 10 is normally inserted into the data supply device 9 with the front side facing up, and the rearrangement command is not issued to the bit rearrangement circuit 24. (That is, the state described in FIGS. 1 and 2 in the first embodiment is maintained).
On the contrary, when the memory card 10 is inserted with its back side facing upward, only the memory card 10 side is in a state of being inverted 180 degrees from the illustrated state with respect to the data supply device 9. That is, the first transmitting additional coil 1-R is the second receiving additional coil 2-R.
Facing the L, and the transmitting coil 1-0 is the receiving coil 2-
9 and the transmitter coil 1-1 faces the receiver coil 2-8. Similarly, the upper and lower sides in the figure are interchanged to face each other, and finally the second additional transmission coil 1-L is the first. It will face the additional coil for reception 2-R. In this state (the state in which the back side is inserted upward as described above), the phase of the A input of the phase comparison circuit 23 is delayed by 90 degrees from the phase of the B input. A bit rearrangement command is issued, and at the output of the rearrangement circuit 24, the upper and lower bits are switched in order so that the same signal arrangement as that in the normal insertion is obtained. That is, the reception data line of the reception coil 2-9 is located at a symmetrical position from the center of the reception coil array 2 and the reception coil 2-0.
Replaced with the reception data line of
8 receive data lines and receive coil 2-1 receive data lines,
A reception data line of the reception coil 2-7, a reception data line of the reception coil 2-2, a reception data line of the reception coil 2-6, a reception data line of the reception coil 2-3, and a reception data line of the reception coil 2-5. The reception data lines of the reception coil 2-4 are replaced with each other.

【0055】図6は,本実施例で採用したデータ転送時
のカードへの電源供給方法を示すブロック図である。送
信用コイル列1の一方の端部に増設した挿入方向判別用
の第1の送信コイル1−Rには発信回路21の出力信号
をそのまま印加し,他の一方の端部側の送信用第2の増
設コイル1−Lには前記発信回路21の信号を位相遅延
回路22によって位相を90度遅らせた信号を印加して
いる。メモリカード10側では前記送信側増設コイルに
対応する受信用第1の増設コイル2−Rと第2の増設コ
イル2−Lの相対的位相差を位相比較回路で比較する
(前述図5の項を参照,但しこの場合の受信アンプ回路
6−R,6−Lは単なる波形整形回路としてのみ機能す
る)と共に,整流ダイオードD31,D32でそれぞれ
の信号は整流され抵抗R33とコンデンサC34によっ
て平滑化した電力を外部供給電源とし(実際は3端子安
定化電源用ICを経由させて用いたが図示を省略し
た),電源切り替え回路36を用いて内臓電池35と切
り替えてメモリカード10の内部回路へ供給する。
FIG. 6 is a block diagram showing a method of supplying power to the card at the time of data transfer adopted in this embodiment. The output signal of the transmission circuit 21 is directly applied to the first transmitting coil 1-R for determining the insertion direction, which is added to one end of the transmitting coil array 1, and the other transmitting end on the other end side is used. A signal obtained by delaying the phase of the signal of the transmitting circuit 21 by 90 degrees by the phase delay circuit 22 is applied to the second expansion coil 1-L. On the side of the memory card 10, the phase comparison circuit compares the relative phase difference between the first expansion coil 2-R for reception and the second expansion coil 2-L corresponding to the expansion coil on the transmission side (see the section in FIG. 5 described above). (However, the receiving amplifier circuits 6-R and 6-L in this case function only as simple waveform shaping circuits), and the respective signals are rectified by the rectifying diodes D31 and D32 and smoothed by the resistor R33 and the capacitor C34. Electric power is used as an external power supply (actually, it is used via a three-terminal stabilized power supply IC, but not shown), and a power supply switching circuit 36 is used to switch to the internal battery 35 and supply it to the internal circuit of the memory card 10. .

【0056】本第2の実施例によれば,高速データ転送
時に必要とされるカード側の電力供給をパソコン(デー
タ供給装置)側から電磁結合(トランス)で行う手段と
カードの表裏逆転挿入に対処する手段の一部が共用でき
るので,小型・軽量で使い勝手の優れた非接触並列転送
メモリカードを提供することができる。
According to the second embodiment, the means for supplying electric power on the card side required for high-speed data transfer from the personal computer (data supply device) side by electromagnetic coupling (transformer) and the reverse insertion of the card. Since some of the measures can be shared, it is possible to provide a non-contact parallel transfer memory card that is small, lightweight and easy to use.

【0057】次に第3の実施例を図を用いて説明する。Next, a third embodiment will be described with reference to the drawings.

【0058】図7は,転送用のコイルを送受信兼用で用
いるメモリカードシステムのブロック図であり,第1の
実施例における図1に対応しており重複する説明は原則
として省略する。本実施例ではデータ供給装置9側でメ
モリデータの書き込み・読みだしをコントロールする方
式であり,書き込み時にはWTREQを送信コイル1−
8と受信コイル2−8経由で,また,読みだし時にはR
EREQを送信コイル1−9と受信コイル2−9経由で
それぞれメモリカード側の受信制御回路7へ伝達するこ
とによって実行される。メモリ8へのデータ書き込み時
の書き込みデータは送信制御回路3とαタイミング遅延
回路4−1およびβタイミング遅延回路4−2並びにコ
イル駆動回路6を経由し,送信用コイル列1(本実施例
では送受信兼用コイルであるが,第1および第2の実施
例における呼称を便宜上継承する。以下,受信用コイル
列2およびそれらを構成する個々のコイル1−0乃至1
−7,2−0乃至2−7についても同様とし,便宜上従
来呼称を継承する)から受信用コイル列2へ転送し,受
信アンプ回路6並びに受信制御回路7を経由してメモリ
8の所定番地に書き込まれる。一方,メモリ8の所定番
地に書き込まれているデータを読みだすには,メモリカ
ード側に付加(前記第1図との比較で付加したことを意
味する。以下同様)した送信制御回路3bとαタイミン
グ遅延回路4−1bおよびβタイミング遅延回路4−2
b並びにコイル駆動回路5bを経由して受信用コイル列
2の受信コイル2−0乃至2−7を送信コイルに転用す
ることによってデータ供給装置9側へデータを逆送信す
る。逆送信されたメモリ8の所定アドレスデータは,送
信用コイル列1を受信用に転用して転送されてきたデー
タを受信しデータ供給装置9側に付加された受信アンプ
回路6aと同じく付加された受信制御回路7aに伝達さ
れることによって,メモリデータの読みだし動作がなさ
れる。このようにデータ供給装置9側とメモリカード1
0側の双方に送受信機能を有することによって,メモリ
へ書き込んだデータを書き込み直後に読みだしてチェッ
クする機能,いわゆるリード・アフタ・ライト・チェッ
クも容易に実現できることを意味する。
FIG. 7 is a block diagram of a memory card system in which a transfer coil is used for both transmission and reception, and corresponds to FIG. 1 in the first embodiment, and duplicated description will be omitted in principle. In the present embodiment, the data supply device 9 side controls the writing / reading of the memory data, and the WTREQ is transmitted to the transmission coil 1-
8 and the receiving coil 2-8, and R at the time of reading
It is executed by transmitting the EREQ to the reception control circuit 7 on the memory card side via the transmission coil 1-9 and the reception coil 2-9, respectively. The write data at the time of writing data in the memory 8 passes through the transmission control circuit 3, the α timing delay circuit 4-1 and the β timing delay circuit 4-2, and the coil drive circuit 6, and is transmitted through the transmission coil array 1 (in this embodiment, in the present embodiment). Although it is a coil for both transmission and reception, the designation in the first and second embodiments is inherited for the sake of convenience.Hereinafter, the receiving coil array 2 and the individual coils 1-0 to 1 constituting them.
The same applies to -7, 2-0 to 2-7, and for the sake of convenience, the conventional name is inherited) to the receiving coil array 2, and the predetermined address of the memory 8 is passed through the receiving amplifier circuit 6 and the receiving control circuit 7. Written in. On the other hand, in order to read the data written in the predetermined address of the memory 8, the transmission control circuit 3b and α which are added to the memory card side (means that they are added in comparison with FIG. 1 above; the same applies hereinafter). Timing delay circuit 4-1b and β timing delay circuit 4-2
Data is reversely transmitted to the data supply device 9 side by diverting the receiving coils 2-0 to 2-7 of the receiving coil array 2 to the transmitting coils via b and the coil driving circuit 5b. The reversely transmitted predetermined address data of the memory 8 is added in the same manner as the reception amplifier circuit 6a added to the data supply device 9 side by receiving the transferred data by diverting the transmission coil array 1 for reception. The memory data is read out by being transmitted to the reception control circuit 7a. In this way, the data supply device 9 side and the memory card 1
This means that both sides of the 0 side have a transmission / reception function, so that the function of reading and checking the data written in the memory immediately after writing, that is, the so-called read-after-write check can be easily realized.

【0059】図8は,前記リード・アフタ・ライト・チ
ェック機能を作動させたときのタイムチャート図であ
る。前記図7を参照しながら説明する。送信制御回路
(図7の3)へ与えるクロックは転送周波数の2倍の周
波数(実施例では20メガヘルツ)の矩形波信号2fC
LKであり,ホスト側コントローラ(図7のデータ供給
装置9)から外部メモリカードへの書き込み命令WTC
OMと同時に書き込むべきデータDATA0乃至DAT
A7が与えられる。ここでは,前記DATA0乃至DA
TA7が16進表現で「FF」,「0F」,「F0」最
後が「FF」であったものと仮定した。前記送信制御回
路内部のラッチレジスタにはαタイミングで作動するグ
ループ(DATA0α,DATA2α,DATA4α,
DATA6α)とβタイミングで作動するグループ(D
ATA1β,DATA3β,DATA5β,DATA7
β)に交互に振り分けられており,それぞれのタイミン
グの立ち下がりエッジでデータがセットされる。上記レ
ジスタ出力DATA0α,DATA2α,DATA4
α,DATA6αと前記2fCLKのα部の否定信号と
の論理積(2fCLKのα部がローレベルの時を「真」
とする論理積)を行った出力信号(#0−DEIVE,
#2−DRIVE,#4−DRIVEおよび#6−DR
IVE)と,同じく上記レジスタの出力DATA1β,
DATA3β,DATA5β,DATA7βと前記2f
CLKのβ部の否定信号との論理積を行った出力信号
(#1−DEIVE,#3−DRIVE,#5−DRI
VEおよび#7−DRIVE)は,対応する送信コイル
列(図7の1)の個々のコイル(図7の1−0乃至1−
7)への駆動電流波形となる。以上述べてきたデータ書
き込み動作は第1の実施例と全く同じであるが,同図#
0−DRIVE乃至#7−DRIVE波形の中で斜線個
所がメモリへの書き込み直後に同一アドレスから読みだ
したデータの逆送信波形である。即ち,0ビット目(#
0−DRIVE)の一回目の「1」書き込み信号αW0
−0に対応する読みだし逆送信波形はβR0−0であ
り,1ビット目(#1−DRIVE)の一回目の「1」
書き込み信号βW1−0に対応する読みだし逆送信波形
はαR1−0である。このような逆送信データを受けて
データ供給装置9は前回送信データとの比較を実行し転
送系でのエラー発生の有無を調査し,所定のエラー処理
を実行することになる。
FIG. 8 is a time chart when the read-after-write check function is activated. This will be described with reference to FIG. The clock supplied to the transmission control circuit (3 in FIG. 7) is a rectangular wave signal 2fC having a frequency twice the transfer frequency (20 MHz in the embodiment).
LK, a write command WTC from the host-side controller (data supply device 9 in FIG. 7) to the external memory card
Data DATA0 to DAT to be written simultaneously with OM
A7 is given. Here, the DATA0 to DA
It is assumed that TA7 is a hexadecimal representation of "FF", "0F", "F0" and "FF" at the end. A group (DATA0α, DATA2α, DATA4α,
DATA6α) and β timing group (D
ATA1β, DATA3β, DATA5β, DATA7
β) are alternately assigned, and data is set at the falling edge of each timing. Register output DATA0α, DATA2α, DATA4
The logical product of α, DATA6α and the negative signal of the α part of 2fCLK (“true” when the α part of 2fCLK is low level)
Output signal (# 0-DEVIVE,
# 2-DRIVE, # 4-DRIVE and # 6-DR
IVE) as well as the output DATA1β of the above register,
DATA3β, DATA5β, DATA7β and the above 2f
Output signals (# 1-DEVIVE, # 3-DRIVE, # 5-DRI) that are ANDed with the negative signal of the β portion of CLK.
VE and # 7-DRIVE are the individual coils (1-0 to 1- 1 in FIG. 7) of the corresponding transmitter coil array (1 in FIG. 7).
The drive current waveform for 7) is obtained. The data write operation described above is exactly the same as that of the first embodiment, except that in FIG.
In the 0-DRIVE to # 7-DRIVE waveforms, the shaded area is the reverse transmission waveform of the data read from the same address immediately after writing to the memory. That is, the 0th bit (#
0-DRIVE) first write signal "1" αW0
The read reverse transmission waveform corresponding to −0 is βR0-0, and the first “1” of the first bit (# 1-DRIVE).
The read reverse transmission waveform corresponding to the write signal βW1-0 is αR1-0. Upon receiving such reverse transmission data, the data supply device 9 compares the previous transmission data, investigates whether or not an error has occurred in the transfer system, and executes predetermined error processing.

【0060】なお,専用制御ライン(図7のWTREQ
およびRDREQの系統も双方向転送が可能なようにし
ておくことによって,メモリカード側でエラーチェック
を行い(パリティビットの付加若しくはEDC;エラー
ディテクトコードを付加することによって可能),その
結果エラー発生時においてのみ前記WTREQ若しくは
RDREQラインに逆転送することもできる。
A dedicated control line (WTREQ in FIG. 7)
By also allowing bidirectional transfer for the RDREQ and RDREQ systems, an error check is performed on the memory card side (addition of a parity bit or EDC; an error detect code is possible), and as a result, when an error occurs Can also be transferred back to the WTREQ or RDREQ line.

【0061】本第3の実施例によれば,送受信コイルの
員数を増設することなく双方向へのデータ転送が可能に
なるばかりでなく,リード・アフタ・ライト機能やエラ
ー発生時の報知機能などが容易に実現することができる
ので,小型・軽量で極めてデータ転送時の信頼性に優れ
た非接触並列転送メモリカードシステムを実現すること
ができる。
According to the third embodiment, not only is it possible to transfer data in both directions without increasing the number of transmission / reception coils, but also a read-after-write function and a notification function when an error occurs. Since it can be easily realized, it is possible to realize a contactless parallel transfer memory card system that is compact and lightweight and has excellent reliability when transferring data.

【0062】次に第4の実施例を図を用いて説明する。Next, a fourth embodiment will be described with reference to the drawings.

【0063】図9は第4の実施例の特徴部を抽出したブ
ロック構成図である。データ供給装置9は送信用コイル
列1と表裏逆挿入防止用ピン兼電源供給ピン50−V,
50−Gと電流検出抵抗52およびカード挿入信号5
4,出力用コンパレータ53などで構成され,その他省
略部分は第1の実施例を示す図1と基本的に同じ構成と
なっている。非接触転送対応メモリカード10は受信用
コイル列2と表裏逆挿入防止溝内の表面部に配置した外
部電源のカード側受電ピン51ならびにボタン型電池3
5,電源切り替え回路36などで構成され,その他の図
示省略部分は第1の実施例を示す図1と基本的に同じ構
成となっている。ここで,データ供給装置9の所定位置
にメモリカード10が挿入されると,プラス電位(VC
C)供給ピン50−Vと対応する受電ピン51−Vなら
びにマイナス電位(GND)供給ピン50−Gと対応す
る受電ピン51−Gがそれぞれ接触し,電源切り替え回
路36の外部電源側に電圧が印加されると該切り替え回
路36は内臓のボタン型電池35を切離し前記受電ピン
51−Vから供給された電源をカード側の電源として使
用するようになる。このようにデータ供給装置側のVC
Cが電源供給ピン50−Vと51−Vならびに51−G
と50−Gを経由して供給されることにより電流が流れ
ると,検出抵抗52の両端には電位が発生し電圧コンパ
レータ53は反転してカード挿入信号54を出力する。
そのカード挿入信号54を受けてデータ供給装置側のコ
ントローラ(図示ならびに詳細説明は省略する)はデー
タの送受信を開始する。データの送受信は送信コイル1
−0から1−9パルス電流を流すことによって受信コイ
ル2−0から2−9へ電磁結合による誘起電圧が発生す
ることによって非接触で行なわれる。
FIG. 9 is a block diagram showing a characteristic portion of the fourth embodiment extracted. The data supply device 9 includes a transmission coil array 1 and a front / back reverse insertion prevention pin / power supply pin 50-V,
50-G, current detection resistor 52, and card insertion signal 5
4, the output comparator 53, etc., and the other parts omitted are basically the same as those in FIG. 1 showing the first embodiment. The contactless transfer compatible memory card 10 includes a receiving coil row 2 and a card-side power receiving pin 51 of an external power source and a button-type battery 3 which are arranged on the front surface inside the reverse insertion prevention groove.
5, a power supply switching circuit 36, etc., and other parts not shown have basically the same structure as FIG. 1 showing the first embodiment. Here, when the memory card 10 is inserted into a predetermined position of the data supply device 9, a positive potential (VC
C) The power receiving pin 51-V corresponding to the supply pin 50-V and the negative potential (GND) supplying pin 50-G and the power receiving pin 51-G corresponding to each contact, respectively, and a voltage is applied to the external power source side of the power source switching circuit 36. When applied, the switching circuit 36 disconnects the built-in button-type battery 35 and uses the power supplied from the power receiving pin 51-V as the power for the card. In this way, the VC on the data supply device side
C is the power supply pins 50-V, 51-V and 51-G
When a current flows by being supplied via 50 and 50-G, a potential is generated across the detection resistor 52, the voltage comparator 53 is inverted, and the card insertion signal 54 is output.
Upon receiving the card insertion signal 54, the controller (not shown and detailed description is omitted) on the data supply device side starts data transmission / reception. Sending and receiving data is done by the transmitter coil
This is performed in a non-contact manner by generating an induced voltage due to electromagnetic coupling from the receiving coils 2-0 to 2-9 by passing a pulse current of -0 to 1-9.

【0064】図10(a),(b)は第4の実施例を示
す外観イメージ図である。
10 (a) and 10 (b) are external appearance image diagrams showing the fourth embodiment.

【0065】同図10(a)はICメモリカード10の
外観立体図である。図示の上下方向を表裏と規定すると
表裏非対称の位置に刻み込まれた逆挿入防止溝の底辺部
に受電ピン(端子)51−V,51−Gが固着され,受
信用コイル列2が薄いモールド材で被われてカード先端
部に配置されている。なお,前記受電ピン51とカード
10の内部とはモールド材で物理的にシールされてお
り,空気や水などは内部へ浸入できない構造になってい
る。
FIG. 10A is a three-dimensional external view of the IC memory card 10. If the vertical direction in the figure is defined as the front and back sides, the power receiving pins (terminals) 51-V and 51-G are fixed to the bottom of the reverse insertion prevention groove that is carved in asymmetrical positions on the front and back sides, and the receiving coil row 2 is a thin molding material. It is covered with and is placed at the tip of the card. The power receiving pin 51 and the inside of the card 10 are physically sealed with a molding material so that air and water cannot penetrate into the inside.

【0066】同図10(b)はデータ供給装置9へ非接
触カード10を挿入した状態の概念を示す断面図であ
る。送信用コイル列1と受信用コイル列2は約0.5ミ
リメートルの間隙で接近し,X−Y方向の相対的位置位
置決め精度はプラス・マイナス約0.2ミリメートルの
場合を示す。
FIG. 10B is a sectional view showing the concept of the state where the non-contact card 10 is inserted into the data supply device 9. The transmission coil array 1 and the reception coil array 2 approach each other with a gap of about 0.5 mm, and the relative position positioning accuracy in the XY directions is plus or minus about 0.2 mm.

【0067】図11は隣接コイルへのクロストーク発生
の主要原因を示す原理図である。n番目の送信コイル1
−nからの転送信号が対向する受信コイル2−nとそれ
に隣接する2個の受信コイル2−(n−1)と2−(n
+1)にどのように電磁結合され誘起電圧が発生するか
を示している。先ず,コイル駆動回路5によって送信コ
イル1−nに図示のパルス電流Idが流されると該電流
Idと前記受信コイル1−nの巻数に比例した密度の磁
束が発生し,その主要な磁束B81は対向する受信コイ
ル2−nだけを通過して戻ってくるが,一部の漏洩磁束
B’82は隣接する2個の受信コイル2−(n−1)と
2−(n+1)をも通過し送信コイル1−nへ戻ってく
る。その結果,受信コイル2−nには通過した磁束密度
と巻数に比例した誘起電圧が発生し負荷抵抗RLに反比
例したパルス電流Irが発生し正規の信号成分が転送さ
れたことになるが,前記した如く一部の漏洩磁束B’8
2が隣接する2個の受信コイル2−(n−1)と2−
(n+1)を通過するため図示のようなクロストーク電
流Ir’が隣接する前記2個の受信コイル2−(n−
1)と2−(n+1)に生じてしまうことになる。
FIG. 11 is a principle view showing the main cause of the occurrence of crosstalk to adjacent coils. nth transmitter coil 1
-N, the transfer signal from -n is opposite to the receiving coil 2-n and two receiving coils 2- (n-1) and 2- (n adjacent to the receiving coil 2-n.
+1) shows how electromagnetically coupled to generate an induced voltage. First, when the illustrated pulse current Id is passed through the transmission coil 1-n by the coil driving circuit 5, a magnetic flux having a density proportional to the current Id and the number of turns of the receiving coil 1-n is generated, and its main magnetic flux B81 is Although it passes back only through the receiving coils 2-n facing each other, a part of the leakage magnetic flux B'82 also passes through two adjacent receiving coils 2- (n-1) and 2- (n + 1). Return to the transmitter coil 1-n. As a result, an induced voltage proportional to the passing magnetic flux density and the number of turns is generated in the receiving coil 2-n, a pulse current Ir inversely proportional to the load resistance RL is generated, and a normal signal component is transferred. Part of leakage flux B'8
Two receiving coils 2- (n-1) and 2-
The crosstalk current Ir ′ as shown in the figure is adjacent to the two receiving coils 2- (n−) because they pass through (n + 1).
1) and 2- (n + 1).

【0068】図12は本実施例で用いた第1のクロスト
ーク低減方法を示す図である。本図では煩雑さを避ける
ため便宜上1個の送信コイル1−nと隣接する2個の受
信コイル2−(n−1)と2−(n+1)だけを抽出し
て示した。なお,受信コイルへの誘起電圧発生の原理は
前記図11で記述済みであり省略するが,前記図11と
の相違点は受信コイル2−nに補助コイル2a−nと2
b−nを設け,隣接受信コイル2−(n−1)に補助コ
イル2b−(n−1)更にもう一方の隣接コイル2−
(n+1)にも補助コイル2a−(n+1)を設けたこ
と(実際には隣接受信コイル2−(n−1)に補助コイ
ル2a−(n−1),もう一方の隣接コイル2−(n+
1)にも補助コイル2b−(n+1)を設けてあるが図
示を省略した)である。上記補助コイルは漏洩磁束B’
82の作用によって発生する隣接コイルへのクロストー
ク誘起電圧に等しい電圧が磁束B81プラス漏洩磁束
B’82の作用で発生するような巻数に設定してあり,
前記クロストーク誘起電圧を打ち消すように(逆位相と
なるように)前記隣接コイル2−(n−1)および2−
(n+1)に対して接続する。即ち,コイル駆動回路5
による送信データのパルス電流Id(図示波形参照)が
送信コイル1−nに流されることによって,対向する受
信コイル2−nには正規の受信信号電流Irが発生(図
示波形参照)し,例えば隣接コイル2−(n−1)でみ
ると同コイル2−(n−1)に誘導されたクロストーク
電流Ir’と補助コイル2a−nへの誘導電流Icとが
相殺する方向で動作し前記隣接コイル2−(n−1)の
負荷抵抗へ流れる電流ILはほゞゼロになる(図示波形
参照)。
FIG. 12 is a diagram showing a first crosstalk reducing method used in this embodiment. In this figure, for the sake of simplicity, only one transmitting coil 1-n and two adjacent receiving coils 2- (n-1) and 2- (n + 1) are extracted for convenience. It should be noted that although the principle of generation of the induced voltage to the receiving coil has been described in FIG. 11 and is omitted, the difference from FIG. 11 is that the receiving coil 2-n has auxiliary coils 2a-n and 2
b-n is provided, and the auxiliary coil 2b- (n-1) is provided to the adjacent receiving coil 2- (n-1) and the other adjacent coil 2- (n-1).
The auxiliary coil 2a- (n + 1) is also provided in (n + 1) (actually, the auxiliary coil 2a- (n-1) is provided in the adjacent receiving coil 2- (n-1), and the other adjacent coil 2- (n +) is provided.
The auxiliary coil 2b- (n + 1) is also provided in 1), but the illustration is omitted). The auxiliary coil has a leakage magnetic flux B '.
The number of turns is set such that a voltage equal to the crosstalk induced voltage to the adjacent coil generated by the action of 82 is generated by the action of the magnetic flux B81 plus the leakage magnetic flux B'82.
The adjacent coils 2- (n-1) and 2- are arranged so as to cancel the crosstalk induced voltage (to have opposite phases).
Connect to (n + 1). That is, the coil drive circuit 5
When the pulse current Id (see the waveform shown in the figure) of the transmission data is sent to the transmitting coil 1-n, a regular reception signal current Ir is generated in the opposing receiving coil 2-n (see the waveform shown in the figure), and for example, adjacent The coil 2- (n-1) operates in a direction in which the crosstalk current Ir 'induced in the coil 2- (n-1) and the induced current Ic to the auxiliary coils 2a-n cancel each other, and The current IL flowing to the load resistance of the coil 2- (n-1) becomes almost zero (see the waveform shown in the figure).

【0069】図13は本第4の実施例で用いた第2のク
ロストーク低減方法である。先ず,コイル駆動回路5−
(n−1),5−n,5−(n+1)の正側出力は所定
の駆動電流となるように抵抗Rdで電流を制限し,対応
するそれぞれの送信コイル1−(n−1),1−n,1
−(n+1)へ接続される。一方,前記コイル駆動回路
5−(n−1),5−n,5−(n+1)の負側出力は
抵抗Rcを介してそれぞれの隣接する送信コイル,例え
ば図示中央のコイル駆動回路5−nであればその負側出
力は隣接する送信コイル1−(n−1)と1−(n+
1)へそれぞれ個別の抵抗Rc経由で接続する。上記抵
抗Rcと前記抵抗Rdとの比は対向する正規の受信コイ
ル2−nへのみ作用する磁束(密度)B81と隣接する
受信コイル2−(n−1)および2−(n+1)に作用
してクロストーク雑音成分を発生する漏洩磁束(密度)
B’82の比(もう少し正確に表現するとB+B’と
B’の比を基準にし,総合的な磁気伝達損失を勘案して
決定したもの)とほゞ同じにしてあり,前記抵抗Rcを
経て隣接する前記送信コイル1−(n−1)と1−(n
+1)に流されるパルス電流によって発生する磁束Bc
83は前記漏洩磁束B’82とほゞ同じ密度で逆向きに
発生するので,正規の受信コイルに隣接する前記受信コ
イル2−(n−1)および2−(n+1)に作用する磁
束はほとんどゼロとなるためクロストーク雑音成分電流
Ir’も発生することがない。
FIG. 13 shows a second crosstalk reducing method used in the fourth embodiment. First, the coil drive circuit 5-
The positive side outputs of (n-1), 5-n, and 5- (n + 1) limit the current with a resistor Rd so that a predetermined drive current is obtained, and the corresponding transmission coils 1- (n-1), 1-n, 1
-(N + 1). On the other hand, the negative side outputs of the coil drive circuits 5- (n-1), 5-n, 5- (n + 1) are connected to the respective adjacent transmission coils via the resistor Rc, for example, the coil drive circuit 5-n in the center of the drawing. If so, the negative output is the adjacent transmitter coils 1- (n-1) and 1- (n +).
1) are connected to each other via individual resistors Rc. The ratio of the resistance Rc to the resistance Rd acts on the receiving coils 2- (n-1) and 2- (n + 1) adjacent to the magnetic flux (density) B81 acting only on the regular receiving coil 2-n facing each other. Magnetic flux (density) that generates a crosstalk noise component
It is almost the same as the ratio of B'82 (more accurately expressed, the ratio of B + B 'and B'is taken as a reference and the total magnetic transfer loss is taken into consideration), and it is adjacent via the resistance Rc. The transmitter coils 1- (n-1) and 1- (n
Magnetic flux Bc generated by the pulse current flowing in +1)
Since 83 is generated in the opposite direction with the same density as the leakage magnetic flux B'82, almost no magnetic flux acts on the receiving coils 2- (n-1) and 2- (n + 1) adjacent to the regular receiving coil. Since it becomes zero, the crosstalk noise component current Ir ′ is not generated either.

【0070】本第4の実施例によれば,位相シフト手法
(第1乃至3の実施例)によるクロストーク対策に較べ
て約2倍の転送レートを実現することができる(本実施
例では最大20メガバイト毎秒を確認した)という効果
がある。
According to the fourth embodiment, it is possible to realize a transfer rate about twice as high as that of the crosstalk countermeasure by the phase shift method (the first to third embodiments) (in the present embodiment, the maximum transfer rate can be realized). It has the effect of confirming 20 megabytes per second).

【0071】最後に,非接触並列転送ICメモリカード
の具体的応用事例を図14および図15を用いて説明す
る。
Finally, a specific application example of the contactless parallel transfer IC memory card will be described with reference to FIGS. 14 and 15.

【0072】図14は非接触並列転送ICメモリカード
を応用したICプレーヤ10’の外観図である。電源ス
イッチ61をオンの位置にし,圧縮コード情報化した音
響情報を受信用コイル列2から高速転送レート(10メ
ガバイト毎秒)で内部メモリへ書き込み,その後,<P
LAY>スイッチ66の操作でイヤホン70を耳に当て
ることにより順次再生された前記メモリへの収録音響情
報を聴くことができる。複数の音楽情報などがメモリへ
収録されているときには選択用の<+>スイッチ62お
よび同<−>スイッチ63を操作し液晶表示パネル69
で曲名や曲番を確認してから前記<PLAY>スイッチ
66の操作で再生し,早聴きは<FF>スイッチ64,
早戻しは<REW>スイッチ67,一時停止は<PAU
SE>スイッチ6565の操作でそれぞれ実行され,再
生動作終了は<STOP>スイッチ66の操作で行なわ
れる。
FIG. 14 is an external view of an IC player 10 'to which a non-contact parallel transfer IC memory card is applied. With the power switch 61 in the ON position, the acoustic information converted into compressed code information is written from the receiving coil array 2 into the internal memory at a high transfer rate (10 megabytes per second), and then <P
By operating the LAY> switch 66, the earphone 70 is placed on the ear to listen to the acoustic information recorded in the memory that is sequentially reproduced. When a plurality of pieces of music information and the like are recorded in the memory, the <+> switch 62 and the <-> switch 63 for selection are operated to operate the liquid crystal display panel 69.
After confirming the song name and song number with, play by operating the <PLAY> switch 66, and for fast listening, <FF> switch 64,
<REW> switch 67 for fast reverse, <PAU for pause
The SE operation is performed by operating the SE> switch 6565, and the reproduction operation is completed by operating the <STOP> switch 66.

【0073】図15は上記非接触並列転送ICメモリカ
ードを応用したICプレーヤ10’内部の回路構成を示
すブロック図である。圧縮された音響コード情報は受信
用コイル列2から入力し転送制御回路71とマイクロプ
ロセッサ72を経てICメモリ8へ記録される。液晶表
示パネル69で確認しながら各種スイッチ61,62,
63乃至68の操作で再生動作が実行されると前記メモ
リ8に収録されていた圧縮音響コード情報は,マイクロ
プロセッサ72で伸長されDAコンバータ73でアナロ
グ信号に戻され増幅回路兼用のローパスフィルタを経由
して出力される。なお,通常動作時の電源は内臓のボタ
ン型電池35が電源切り替え回路36によって選択され
ているが,データ供給装置(情報サーバ)から情報吸収
のためにセットされたときはカードの表裏(上下)逆挿
入防止溝部に設けられた受電用電極ピン(端子)51−
V,51−G経由で電源が供給され前記電源切り替え回
路36は前記内臓のボタン型電池35を切離し外部凶器
ゅの電源を使用するようになっている。
FIG. 15 is a block diagram showing the internal circuit configuration of an IC player 10 'to which the non-contact parallel transfer IC memory card is applied. The compressed acoustic code information is input from the receiving coil array 2 and recorded in the IC memory 8 via the transfer control circuit 71 and the microprocessor 72. While checking on the liquid crystal display panel 69, various switches 61, 62,
When the reproduction operation is executed by the operations of 63 to 68, the compressed acoustic code information stored in the memory 8 is expanded by the microprocessor 72 and returned to an analog signal by the DA converter 73 and passed through the low pass filter which also serves as an amplifier circuit. And output. As for the power supply during normal operation, the built-in button type battery 35 is selected by the power supply switching circuit 36, but when it is set to absorb information from the data supply device (information server), the front and back of the card (up and down) Power receiving electrode pin (terminal) 51-provided in the reverse insertion prevention groove portion
Power is supplied via V, 51-G, and the power switching circuit 36 disconnects the built-in button type battery 35 to use the power of an external weapon.

【0074】本実施例によれば,32メガバイトのメモ
リに約70分の音声情報が約3秒で収録できる瞬時ダビ
ング機能を有し,かつ,防水性など耐環境性に優れたI
Cレコーダを容易に実現できるという効果がある。
According to the present embodiment, the I information having the instant dubbing function capable of recording about 70 minutes of voice information in about 3 seconds in the memory of 32 megabytes and having excellent environmental resistance such as waterproofness.
There is an effect that a C recorder can be easily realized.

【0075】[0075]

【発明の効果】本発明によれば,複数の電磁結合コイル
を用いる非接触並列転送方式において,並列転送ビット
数の増加に反比例して小さくなる転送コイルの寸法とコ
イル間隙の狭小化等に対しても,最大ネックであったコ
イル間クロストークによる誤動作を完全に防止すること
ができるため,小型・高密度で高速転送が可能な電磁結
合型非接触並列転送カードシステムを高い信頼性で供給
できるという効果がある。
According to the present invention, in the non-contact parallel transfer system using a plurality of electromagnetic coupling coils, the size of the transfer coil and the coil gap are reduced in inverse proportion to the increase in the number of parallel transfer bits. However, since it is possible to completely prevent malfunctions due to crosstalk between coils, which was the biggest bottleneck, it is possible to provide a compact, high-density, electromagnetically coupled contactless parallel transfer card system capable of high-speed transfer with high reliability. There is an effect.

【0076】また,並列同時転送に伴う瞬間ピーク電流
の平準化が図られるため電源回路系の負担が少なくなる
と共にパルス性電流に起因する雑音エネルギーも低減さ
れることになり,小型・高密度で信頼性の高いシステム
を実現できるという効果がある。
Further, since the instantaneous peak currents due to the parallel simultaneous transfer are leveled, the load on the power supply circuit system is reduced, and the noise energy due to the pulsed current is also reduced. This has the effect of realizing a highly reliable system.

【0077】また,データ転送時の電源供給コイルとメ
モリカードの裏返し挿入検出手段とが共用できるため,
小型で使い勝手に優れた電磁結合型非接触並列転送カー
ドシステムを高い信頼性で供給できるという効果があ
る。
Further, since the power supply coil at the time of data transfer and the inside-out insertion detecting means of the memory card can be shared,
There is an effect that a compact and easy-to-use electromagnetic coupling type contactless parallel transfer card system can be supplied with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施例を示すデータ供給装置と非接触並
列転送メモリカードの構成ブロック図である。
FIG. 1 is a configuration block diagram of a data supply device and a non-contact parallel transfer memory card according to a first embodiment.

【図2】非接触並列転送メモリーカードの入力部を示す
論理展開図である。
FIG. 2 is a logical expansion diagram showing an input unit of a contactless parallel transfer memory card.

【図3】第1の実施例の一部を説明するタイムチャート
図である。
FIG. 3 is a time chart diagram for explaining a part of the first embodiment.

【図4】データ供給装置へメモリカードを挿入したとき
の外観図である。
FIG. 4 is an external view when a memory card is inserted into the data supply device.

【図5】第2の実施例を示すデータ供給装置と非接触並
列転送メモリカードの構成ブロック図である。
FIG. 5 is a configuration block diagram of a data supply device and a non-contact parallel transfer memory card according to a second embodiment.

【図6】データ転送時の外部電源供給事例を示すブロッ
ク図である。
FIG. 6 is a block diagram showing an example of external power supply during data transfer.

【図7】第3の実施例を示すデータ供給装置と非接触並
列転送メモリカードの構成ブロック図である。
FIG. 7 is a configuration block diagram of a data supply device and a contactless parallel transfer memory card according to a third embodiment.

【図8】第3の実施例の一部を説明するタイムチャート
図である。
FIG. 8 is a time chart diagram for explaining a part of the third embodiment.

【図9】第4の実施例を示すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram showing a fourth embodiment.

【図10】第4の実施例を示す外観イメージ図である。FIG. 10 is an external image diagram showing a fourth embodiment.

【図11】クロストーク雑音発生メカニズムを示す原理
ブロック図である。
FIG. 11 is a principle block diagram showing a crosstalk noise generation mechanism.

【図12】第4の実施例で用いたクロストーク雑音低減
対策の第1の方法を示すブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing a first method for reducing crosstalk noise used in a fourth embodiment.

【図13】第4の実施例で用いたクロストーク雑音低減
対策の第2の方法を示すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing a second method for reducing crosstalk noise used in the fourth embodiment.

【図14】非接触並列転送カードの具体的応用事例であ
るICプレーヤの外観図である。
FIG. 14 is an external view of an IC player which is a specific application example of a contactless parallel transfer card.

【図15】非接触並列転送カードの具体的応用事例であ
るICプレーヤの回路構成を示すブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing a circuit configuration of an IC player which is a specific application example of a contactless parallel transfer card.

【図16】電磁結合転送コイルのクロストーク実験回路
図,および,その実験データを示す図である。
16A and 16B are a circuit diagram of a crosstalk experiment of the electromagnetic coupling transfer coil and a diagram showing experimental data thereof.

【図17】PCMCIA規格メモリカードの外観および
非接触コイルアレイの実装状態を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing an appearance of a PCMCIA standard memory card and a mounting state of a non-contact coil array.

【図18】実施例で用いた実用化コイルアレイの外観図
である。
FIG. 18 is an external view of a practical coil array used in an example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…送信用コイル列,2…受信用コイル列,3…送信制
御回路 4…タイミング遅延回路,5…コイル駆動回路,6…受
信アンプ回路 7…受信制御回路,8…ICメモリ,9…データ供給装
置(パソコン) 10…非接触並列転送メモリカード,21…発信回路,
22…位相遅延回路 23…位相比較回路,24…ビット並べ替え回路,35
…ボタン型電池 36…電源切り替え回路,41…ゲートタイミング信号
発生回路 42…ゲート回路,43…データセット用セットリセッ
トフリップフロップ 44…αゲート信号(αタイミング信号受付期間設定パ
ルス) 45…βゲート信号(βタイミング信号受付期間設定パ
ルス)
1 ... Transmission coil array, 2 ... Reception coil array, 3 ... Transmission control circuit 4 ... Timing delay circuit, 5 ... Coil drive circuit, 6 ... Reception amplifier circuit 7 ... Reception control circuit, 8 ... IC memory, 9 ... Data Supply device (personal computer) 10 ... Non-contact parallel transfer memory card, 21 ... Oscillation circuit,
22 ... Phase delay circuit 23 ... Phase comparison circuit, 24 ... Bit rearrangement circuit, 35
Button battery 36 Power supply switching circuit 41 Gate timing signal generating circuit 42 Gate circuit 43 Data set reset flip-flop 44 Data set α gate signal (α timing signal acceptance period setting pulse) 45 Gate signal (Β timing signal acceptance period setting pulse)

フロントページの続き (72)発明者 中川 和成 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 浜本 信男 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大川 武宏 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 杵渕 豊 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内Front page continuation (72) Inventor Kazunari Nakagawa 1-88, Torora, Ibaraki-shi, Osaka, Hitachi Maxell Co., Ltd. (72) Inventor Nobuo Hamamoto 1-280, Higashi Koikeku, Kokubunji, Tokyo Hitachi, Ltd. Central (72) Inventor Takehiro Okawa 1-280, Higashi Koikeku, Kokubunji, Tokyo 1-280, Hitachi, Ltd. Central Research Laboratory (72) Inventor, Yutaka Kibuchi 1-280, Higashi Koikeku, Kokubunji, Tokyo Hitachi, Ltd. Central Research Center, Ltd.

Claims (23)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記第1のコイル群と上記第2のコ
イル群間を並列に転送するデータを並列パルスとして発
生する少なくとも上記データサーバ内に設けた遅延手段
を有する並列パルス発生手段と,上記遅延手段は上記並
列パルスを少なくも第1のビット数からなる第1の並列
パルス群と第2のビット数からなる第2の並列パルス群
とに分割し,かつ前記第1の並列パルス群の並列転送タ
イミングより前記第2の並列パルス群の並列転送タイミ
ングを少なくも各ビットのパルス幅より長い時間遅延さ
せる手段を有することを特徴とする雑音低減非接触並列
データ転送装置。
1. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer device having non-contact holding means for holding in proximity to each other, at least in the data server, which generates data for parallel transfer between the first coil group and the second coil group as a parallel pulse. A parallel pulse generating means having a delay means provided in the first parallel pulse group and a second parallel pulse generating means for delaying the parallel pulse by at least a first bit number; And a second parallel pulse group consisting of a number of bits, and the parallel transfer timing of the second parallel pulse group is at least smaller than the parallel transfer timing of the first parallel pulse group and is longer than the pulse width of each bit. A noise reduction contactless parallel data transfer device comprising means for delaying.
【請求項2】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記携帯型メモリ装置がICメモリ
を内蔵するメモリカードであることを特徴とする雑音低
減非接触並列データ転送装置。
2. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. A contactless parallel data transfer device having contactless holding means for holding in proximity, wherein the portable memory device is a memory card having an IC memory built-in.
【請求項3】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,少くも上記第1および第2の並列パ
ルス群は互いに隣接するコイル同士が異なるタイミング
となるよう配分されていることを特徴とする雑音低減非
接触並列データ転送装置。
3. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting / receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer device having non-contact holding means for holding in close proximity to each other, at least the first and second parallel pulse groups are distributed so that adjacent coils have different timings. Noise reduction contactless parallel data transfer device.
【請求項4】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記第1および第2の並列パルス群
を受信するパルス群似たいし各受信コイルごとに対応す
る受信タイミングを選択するゲート手段を設けたことを
特徴とする雑音低減非接触並列データ転送装置。
4. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer, which is provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer apparatus having non-contact holding means for holding the gates in close proximity, a gate for selecting a reception timing corresponding to each pulse group similar to the pulse group for receiving the first and second parallel pulse groups. A noise reduction contactless parallel data transfer device comprising means.
【請求項5】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記第1のコイル群と上記第2のコ
イル群間を並列に転送するデータを並列パルスとして発
生する少なくも上記データサーバ内に設けた並列パルス
発生手段と上記第1と第2のコイル群間の相対向するコ
イル対のうちの第1のコイル対に対し隣接した受信側コ
イルに生ずるクロストーク成分を打ち消すため上記第1
のコイル対のうちの少なくも1つのコイルより転送信号
の一部を上記隣接した受信側コイルに位相を反転して供
給する手段を設けたことを特徴とする雑音低減非接触並
列データ転送装置。
5. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer device having a non-contact holding means for holding in close proximity, at least the data server for generating data for parallel transfer between the first coil group and the second coil group as a parallel pulse. A parallel pulse generating means provided inside the first and second coil groups, and a cross generated in the receiving side coil adjacent to the first coil pair of the coil pairs facing each other. The first to counteract the over-click component
A non-contact noise reduction parallel data transfer apparatus comprising means for supplying a part of the transfer signal from at least one of the coil pairs to the adjacent receiving side coil with its phase inverted.
【請求項6】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記位相を反転して供する手段が上
記第1のコイル対の受信側コイルに隣接する少なくも1
つの受信側コイルに逆位相の相殺電流を供給する手段で
あることを特徴とする雑音低減非接触並列データ転送装
置。
6. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer device having non-contact holding means for holding in proximity to each other, the means for inverting and providing the phase is adjacent to at least the receiving side coil of the first coil pair.
A noise-reducing non-contact parallel data transfer device, characterized in that it is means for supplying a canceling current of opposite phase to one receiving coil.
【請求項7】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記位相を反転して供する手段が上
記第1のコイル対の送信側コイルに隣接する少なくも1
つの送信側コイルに逆位相の相殺電流を供給する手段で
あることを特徴とする雑音低減非接触並列データ転送装
置。
7. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer device having non-contact holding means for holding in proximity to each other, the means for inverting and providing the phase is adjacent to at least the transmitting side coil of the first coil pair.
A noise-reducing non-contact parallel data transfer device, characterized in that it is means for supplying a canceling current of opposite phase to two transmitting side coils.
【請求項8】アドレス情報および書き込み制御信号およ
び書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた並
列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置において,上記携帯型メモリ装置が上記第1の
コイル群と上記第2のコイル群間で並列データを双方向
に転送する手段を有することを特徴とする雑音低減非接
触並列データ転送装置。
8. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact parallel data transfer device having non-contact holding means for holding in close proximity, the portable memory device includes means for bidirectionally transferring parallel data between the first coil group and the second coil group. A noise-reducing non-contact parallel data transfer device having.
【請求項9】請求項2記載の雑音低減非接触並列データ
転送装置において,上記データサーバと上記メモリカー
ドには該データサーバから該メモリカードへ電源および
アース電位を供給するための接触端子を有することを特
徴とする雑音低減非接触並列データ転送装置。
9. The noise reducing contactless parallel data transfer apparatus according to claim 2, wherein the data server and the memory card have contact terminals for supplying power and ground potential from the data server to the memory card. A noise-reduction non-contact parallel data transfer device characterized by the above.
【請求項10】請求項2記載の雑音低減非接触並列デー
タ転送装置において,上記メモリカードの側面部に設け
られている上下逆挿入防止用凹み構造部に電源およびア
ース電位受入れのための電極端子を設けたことを特徴と
する雑音低減非接触並列データ転送装置。
10. The noise reducing contactless parallel data transfer device according to claim 2, wherein an electrode terminal for receiving a power source and a ground potential is provided in a recessed structure portion for preventing vertical reverse insertion provided on a side surface portion of the memory card. A noise-reducing non-contact parallel data transfer device comprising:
【請求項11】請求項2記載の雑音低減非接触並列デー
タ転送装置において,上記データサーバから上記メモリ
カードへの供給電源の電流が予め定めた一定電流を超え
ているか否かを検出し前記メモリカードが前記データサ
ーバに挿入されたことを検出する手段を有することを特
徴とする雑音低減非接触並列データ転送装置。
11. The noise reduction contactless parallel data transfer device according to claim 2, wherein it is detected whether or not a current of a power supply supplied from the data server to the memory card exceeds a predetermined constant current. A noise reducing contactless parallel data transfer device comprising means for detecting that a card has been inserted into the data server.
【請求項12】アドレス情報および書き込み制御信号お
よび書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた
並列転送用の第2のコイル群を設けたデータサーバと,
前記第2のコイル群を構成する複数の単位コイル毎に対
向するように設けられた複数の単位コイルで構成される
第1のコイル群と前記第1のコイル群と第2のコイル群
を近接して対向させてデータを並列転送する際に該デー
タを並列データとして発生する手段と並列データとして
受信する手段のうちの少なくも一つの手段とを有するI
Cメモリ内蔵のICメモリカードにおいて,上記並列パ
ルスは第1のビット数からなる第1の並列パルス群と第
2のビット数からなる第2の並列パルス群とに少なくも
分割し前記第1の並列パルス群の並列転送タイミングよ
り前記第2の並列パルス群の並列転送タイミングを少な
くも各ビットのパルス幅よりも長い時間遅延させる手段
を有することを特徴とするICメモリカード。
12. A data server provided with a second coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like.
A first coil group composed of a plurality of unit coils provided so as to face each of the plurality of unit coils forming the second coil group, and the first coil group and the second coil group are close to each other. And at least one of the means for generating the data as parallel data and the parallel data when the data are transferred in parallel in parallel.
In an IC memory card having a built-in C memory, the parallel pulse is divided into at least a first parallel pulse group having a first bit number and a second parallel pulse group having a second bit number, and the first parallel pulse group is divided into at least the first parallel pulse group. An IC memory card comprising means for delaying the parallel transfer timing of the second parallel pulse group by a time longer than the parallel transfer timing of the parallel pulse group by at least a time longer than the pulse width of each bit.
【請求項13】アドレス情報および書き込み制御信号お
よび書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた
並列転送用の第2のコイル群を設けたデータサーバと,
前記第2のコイル群を構成する複数の単位コイル毎に対
向するように設けられた複数の単位コイルで構成される
第1のコイル群と前記第1のコイル群と第2のコイル群
を近接して対向させてデータを並列転送する際に該デー
タを並列データとして発生する手段と並列データとして
受信する手段のうちの少なくも一つの手段とを有するI
Cメモリ内蔵のICメモリカードにおいて,上記第1お
よび第2のコイル群の各対応する単位コイル対のうちの
第1のコイル対に対し該コイル対に隣接した受信側コイ
ルに生ずるクロストーク成分を打ち消すため前記第1の
単位コイル対の転送信号の一部を前記第1のコイル群の
前記隣接した単位コイルに逆位相で供給する手段を有す
ることを特徴とするICメモリカード。
13. A data server provided with a second coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like.
A first coil group composed of a plurality of unit coils provided so as to face each of the plurality of unit coils forming the second coil group, and the first coil group and the second coil group are close to each other. And at least one of the means for generating the data as parallel data and the parallel data when the data are transferred in parallel in parallel.
In an IC memory card with a built-in C memory, a crosstalk component generated in a reception side coil adjacent to the first coil pair of the corresponding unit coil pairs of the first and second coil groups is generated. An IC memory card, comprising means for supplying a part of the transfer signal of the first unit coil pair to the adjacent unit coils of the first coil group in an opposite phase for canceling.
【請求項14】アドレス情報および書き込み制御信号お
よび書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた
並列転送用の第2のコイル群を設けたデータサーバと,
前記第2のコイル群を構成する複数の単位コイル毎に対
向するように設けられた複数の単位コイルで構成される
第1のコイル群と前記第1のコイル群と第2のコイル群
を近接して対向させてデータを並列転送する際に該デー
タを並列データとして発生する手段と並列データとして
受信する手段のうちの少なくも一つの手段と,前記並列
パルスは第1のビット数からなる第1の並列パルス群と
第2のビット数からなる第2の並列パルス群とに少なく
も分割し前記第1の並列パルス群の並列転送タイミング
より前記第2の並列パルス群の並列転送タイミングを少
なくも各ビットのパルス幅よりも長い時間遅延させる手
段とを有するICメモリ内蔵のICメモリカードにおい
て,上記第1および第2のコイル群を近接して対向させ
るため上記データサーバに設けた上記ICメモリカード
を挿入する挿入面に対し前記第1および第2のコイル群
はそれぞれ前記ICメモリカードの中心線に直行する方
向に対称に振り分けて配置され該配置された前記第1お
よび第2のコイル群の両端部に設けた位相が相対的に9
0度ずれた転送するための単位コイル対を設けたことを
特徴とするICメモリカード。
14. A data server provided with a second coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like.
A first coil group composed of a plurality of unit coils provided so as to face each of a plurality of unit coils forming the second coil group, and the first coil group and the second coil group are close to each other. And at least one of the means for generating the data as parallel data and the means for receiving the data as parallel data when the data are parallelly transferred in opposition to each other, and the parallel pulse has a first bit number. 1 parallel pulse group and at least a second parallel pulse group having a second number of bits, and the parallel transfer timing of the second parallel pulse group is less than the parallel transfer timing of the first parallel pulse group. And an IC memory card having a built-in IC memory having means for delaying a time longer than the pulse width of each bit, in order to make the first and second coil groups closely face each other, the data The first and second coil groups are symmetrically distributed and arranged in a direction orthogonal to the center line of the IC memory card with respect to the insertion surface of the IC memory card into which the IC memory card is inserted. The phases provided at both ends of the first and second coil groups are relatively 9
An IC memory card, which is provided with a unit coil pair for transferring with a shift of 0 degree.
【請求項15】上記第1のコイル群の両端部に設けた上
記メモリカード側の単位コイルが上記90度相対的に位
相のずれた信号を受信し該受信信号に基づいて前記第1
のコイル群の並列パルスの配列順を入れ替える手段を有
することを特徴とする請求項14記載のICメモリカー
ド。
15. A unit coil on the side of the memory card provided at both ends of the first coil group receives the signals 90 degrees out of phase with each other and receives the first signal based on the received signals.
15. The IC memory card according to claim 14, further comprising means for changing the arrangement order of the parallel pulses of the coil group.
【請求項16】上記第1のコイル群の両端部に設けた上
記メモリカード側の単位コイルが上記90度相対的に位
相のずれた信号を受信し該受信信号を前記メモリカード
の外部供給電源として用いる手段を設けたことを特徴と
する請求項14記載のICメモリカード。
16. The unit coils on the memory card side provided at both ends of the first coil group receive the signals whose phases are relatively shifted by 90 degrees, and receive the received signals from an external power source of the memory card. 15. The IC memory card according to claim 14, further comprising means used as.
【請求項17】アドレス情報および書き込み制御信号お
よび書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた
並列転送用の第2のコイル群を設けたデータサーバと,
前記第2のコイル群を構成する複数の単位コイル毎に対
向するように設けられた複数の単位コイルで構成される
第1のコイル群と前記第1のコイル群と第2のコイル群
を近接して対向させてデータを並列転送する際に該デー
タを並列データとして発生する手段と並列データとして
受信する手段のうちの少なくも一つの手段と,前記第1
および第2のコイル群の各対応する単位コイル対のうち
の第1のコイル対に対し該コイル対に隣接した受信側コ
イルに生ずるクロストーク成分を打ち消すため前記第1
の単位コイル対の転送信号の一部を前記第1のコイル群
の前記隣接した単位コイルに逆位相で供給する手段とを
有するICメモリカードにおいて,上記第1および第2
のコイル群を近接して対向させるため上記データサーバ
に設けた上記ICメモリカードを挿入する挿入面に対し
前記第1および第2のコイル群はそれぞれ前記ICメモ
リカードの中心線に直行する方向に対称に振り分けて配
置され該配置された前記第1および第2のコイル群の両
端部に設けた位相が相対的に90度ずれた転送するため
の単位コイル対を設けたことを特徴とするICメモリカ
ード。
17. A data server provided with a second coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like.
A first coil group composed of a plurality of unit coils provided so as to face each of the plurality of unit coils forming the second coil group, and the first coil group and the second coil group are close to each other. And at least one of the means for generating the data as parallel data and the means for receiving the data as parallel data when the data are parallelly transferred in opposition to each other;
And for canceling the crosstalk component generated in the receiving side coil adjacent to the first coil pair of the corresponding unit coil pairs of the second coil group.
And a means for supplying a part of the transfer signal of the unit coil pair to the adjacent unit coils of the first coil group in antiphase.
The first and second coil groups are arranged in the direction perpendicular to the center line of the IC memory card with respect to the insertion surface of the data server in which the IC memory card is inserted in order to make the coil groups closely face each other. An IC characterized in that unit coil pairs for symmetrical transfer are provided at both ends of the arranged first and second coil groups and the phases thereof are relatively shifted by 90 degrees. Memory card.
【請求項18】上記第1のコイル群の両端部に設けた上
記メモリカード側の単位コイルが上記90度相対的に位
相のずれた信号を受信し該受信信号に基づいて前記第1
のコイル群の並列パルスの配列順を入れ替える手段を有
することを特徴とする請求項17記載のICメモリカー
ド。
18. The unit coils on the side of the memory card provided at both ends of the first coil group receive the signals whose phases are relatively shifted by 90 degrees and the first coils are received based on the received signals.
18. The IC memory card according to claim 17, further comprising means for changing the arrangement order of the parallel pulses of the coil group.
【請求項19】上記第1のコイル群の両端部に設けた上
記メモリカード側の単位コイルが上記90度相対的に位
相のずれた信号を受信し該受信信号を前記メモリカード
の外部供給電源として用いる手段を設けたことを特徴と
する請求項17記載のICメモリカード。
19. The unit coils on the memory card side provided at both ends of the first coil group receive the signals whose phases are relatively shifted by 90 degrees, and receive the received signals from an external power supply of the memory card. 18. The IC memory card according to claim 17, further comprising means used as
【請求項20】アドレス情報および書き込み制御信号お
よび書き込むべきデータ列等を送受信するために設けた
並列転送用の第1のコイル群を設けた携帯型メモリ装置
と,上記第1のコイル群に対向するように設けられた第
2のコイル群を有し少なくとも上記携帯型メモリ装置へ
データを供給するデータサーバと,上記第1のコイル群
と上記第2のコイル群間でデータを転送するために近接
して保持する非接触保持手段を有する非接触並列データ
転送装置の非接触データ転送方法において,データを並
列転送するために上記第1のコイル群と上記第2のコイ
ル群を対向するように近接させて保持し,前記第1と第
2のコイル群間を並列に転送するデータを並列パルスと
して発生する少なくも上記データサーバ内において並列
パルスを発生し,該発生した並列パルスを少なくも第1
のビット数からなる第1の並列パルス群と第2のビット
数からなる第2の並列パルス群とに分割し,該分割した
前記第1の並列パルス群の並列転送タイミングよりも前
記第2の並列パルス群の並列転送タイミングを少なくも
前記第1および第2の並列パルス群を構成する各ビット
のパルス幅よりも長い時間だけ遅延させることを特徴と
する非接触並列データ転送装置の非接触データ転送方
法。
20. A portable memory device provided with a first coil group for parallel transfer provided for transmitting and receiving address information, a write control signal, a data string to be written, and the like, and a portable memory device facing the first coil group. A data server having a second coil group provided so as to supply data to at least the portable memory device, and transferring data between the first coil group and the second coil group. In a non-contact data transfer method of a non-contact parallel data transfer device having a non-contact holding means for holding in proximity to each other, the first coil group and the second coil group are opposed to each other in order to transfer data in parallel. Data that is held in close proximity and is transferred in parallel between the first and second coil groups is generated as a parallel pulse, and at least a parallel pulse is generated in the data server, Even less parallel pulse generated first
Is divided into a first parallel pulse group consisting of the number of bits and a second parallel pulse group consisting of the second number of bits, and the second parallel pulse group is divided into the second parallel pulse group from the parallel transfer timing of the divided first parallel pulse group. Non-contact data of a non-contact parallel data transfer device, characterized in that the parallel transfer timing of the parallel pulse group is delayed by at least a time longer than the pulse width of each bit forming the first and second parallel pulse groups. Transfer method.
【請求項21】上記携帯型メモリ装置がICメモリを内
蔵するICメモリカードであり該メモリカードに対して
データをライトしリードすることを特徴とする請求項2
0記載の非接触並列データ転送装置の非接触データ転送
方法。
21. The portable memory device is an IC memory card having a built-in IC memory, and data is written to and read from the memory card.
The contactless data transfer method of the contactless parallel data transfer device according to 0.
【請求項22】上記第1および第2の並列パルス群は少
なくも互いに隣接する単位コイル同士が異なるタイミン
グとなるよう配分されることを特徴とする請求項20記
載の非接触並列データ転送装置の非接触データ転送方
法。
22. The non-contact parallel data transfer apparatus according to claim 20, wherein the first and second parallel pulse groups are distributed so that at least mutually adjacent unit coils have different timings. Contactless data transfer method.
【請求項23】上記第1および第2の並列パルス群を受
信するコイル群に対し各単位受信コイル毎に受信するタ
イミングを取捨選択することを特徴とする請求項20記
載の非接触並列データ転送装置の非接触データ転送方
法。
23. The non-contact parallel data transfer according to claim 20, wherein the receiving timing is selected for each unit receiving coil with respect to the coil group receiving the first and second parallel pulse groups. Contactless data transfer method of device.
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