JPH08273553A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JPH08273553A
JPH08273553A JP7903595A JP7903595A JPH08273553A JP H08273553 A JPH08273553 A JP H08273553A JP 7903595 A JP7903595 A JP 7903595A JP 7903595 A JP7903595 A JP 7903595A JP H08273553 A JPH08273553 A JP H08273553A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grid element
element body
electron
layer
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP7903595A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ichiro Saito
一郎 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP7903595A priority Critical patent/JPH08273553A/en
Publication of JPH08273553A publication Critical patent/JPH08273553A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To reduce the amount of mislanding of electron beams due to earth magnetism so as to restrain a color deflection error by forming a grid element from a multilayer structure including a high-permeability layer. CONSTITUTION: A CRT has a panel 1 on the inner surface of which a phosphor screen 2 is formed, and the panel 1 is welded to a funnel 3 with glass frit or the like. An electron beam 8 from an electron gun 7 attached to the neck of the funnel 3 scans the phosphor screen 2 of the panel 1. Inside the panel 1 is an aperture grille 11 serving as a grid main body. An electron-beam hole 10 comprising slits is formed through the grille 11. While tension is being applied in the direction of the slits of the electron-beam hole 10, the end piece of the grille 11 is welded to a frame 5. An inner magnetic shield 6 is joined to the back of the frame 5. The frame 5, the inner magnetic shield 6, and the aperture grille 11 constitute a magnetic shield structure. The grille 11 comprises a multilayer structure including a high permeability layer 12; i.e., the grille 11 has a base 14 of soft iron, layers 12 on surfaces at both sides of the base 14, and high electron reflectance layers 13 on the surfaces of the layers 12.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、たとえば陰極線管(C
RT)あるいはCRTを有するテレビなどの表示装置に
係り、さらに詳しくは、地磁気による電子ビームのミス
ランディング量を小さくすることができ、色ズレを抑制
することができる表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a cathode ray tube (C
The present invention relates to a display device such as a television having an RT) or a CRT, and more particularly to a display device capable of reducing the mislanding amount of an electron beam due to the earth's magnetism and suppressing color misregistration.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のCRTでは、電子銃から発射され
た電子ビームは、アパーチャグリルのスリット(電子ビ
ーム通過孔)を通って、電子ビームのランディング点に
ある蛍光体に当たり、赤(R)、緑(G)、青(B)の
決められたいがれかの色を発光させる。
2. Description of the Related Art In a conventional CRT, an electron beam emitted from an electron gun passes through a slit (electron beam passage hole) of an aperture grill, hits a fluorescent substance at a landing point of the electron beam, and emits red (R), The desired color of green (G) and blue (B) is emitted.

【0003】ところが、電子銃から蛍光面に至る間に、
電子ビームが地磁気などの外部磁界を受けると、電子ビ
ームは、ローレンツ力による力を受け、その軌道が変化
し、外部磁界がないときのランディング点からズレた点
にランディングし、外部磁界がない時とは異なった蛍光
体にビームスポットの一部または全部が当たり、色ズレ
をおこす。
However, between the electron gun and the fluorescent screen,
When the electron beam receives an external magnetic field such as geomagnetism, the electron beam receives a force due to the Lorentz force and its orbit changes, landing at a point displaced from the landing point when there is no external magnetic field, and when there is no external magnetic field. A part or all of the beam spot hits a phosphor different from that, causing a color shift.

【0004】この色ズレを抑制するために、内部磁気シ
ールドを設け、これとフレームおよびアパーチャグリル
により磁気シールドを形成し、外部磁界を遮蔽し、外部
磁界による電子ビーム軌道の変化を抑え、色ズレを抑制
している。
In order to suppress this color shift, an internal magnetic shield is provided, and a magnetic shield is formed by this, a frame and an aperture grill to shield the external magnetic field and suppress the change in electron beam trajectory due to the external magnetic field. Is suppressed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、アパーチャ
グリルは、その厚さが0.1mm以下と薄く、加えて、パ
ネル面の縦方向に、電子ビームが通過する多くのスリッ
トを有しているため、その実効的な非履歴透磁率は低
く、CRTのパネル面に向かう方向の外部磁界が十分に
シールドされず、パネル面に向かう方向の外部磁界によ
る色ズレが十分に抑制できないと言う課題を有する。
However, the aperture grill has a small thickness of 0.1 mm or less, and has many slits through which the electron beam passes in the vertical direction of the panel surface. However, its effective non-hysteretic permeability is low, and the external magnetic field in the direction toward the panel surface of the CRT is not sufficiently shielded, and the color shift due to the external magnetic field in the direction toward the panel surface cannot be sufficiently suppressed. .

【0006】特に、電子ビーム通過孔がスリット状に形
成されたアパーチャグリルでは、動作時の熱膨張による
スリットの変位を防止するため、アパーチャグリルに張
力を印加した状態で、このアパーチャグリルの端辺をフ
レームに固定する。アパーチャグリルを構成する材料に
張力を加えると、その材料の非履歴透磁率も低下する。
非履歴透磁率が低下すれば、外部磁界の遮蔽効果も低下
する。
Particularly, in an aperture grill having electron beam passage holes formed in a slit shape, in order to prevent displacement of the slit due to thermal expansion during operation, the edge of the aperture grill is applied with tension applied to the aperture grill. To the frame. When tension is applied to the material forming the aperture grille, the non-hysteretic permeability of the material also decreases.
If the non-hysteretic permeability decreases, the effect of shielding the external magnetic field also decreases.

【0007】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、地磁気による電子ビームのミスランディング量を小
さくすることができ、色ズレを抑制することができる表
示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a display device capable of reducing the mislanding amount of an electron beam due to geomagnetism and suppressing color misregistration.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る表示装置は、内面に蛍光面を有するパ
ネルと、このパネルの内側に設けられ、電子ビーム通過
孔を有するグリッド素体と、このグリッド素体を支持す
るフレームと、このフレームに取り付けられた内部磁気
シールドと、前記グリッド素体を通して、前記蛍光面に
向けて電子ビームを出射する電子銃と、前記グリッド素
体、フレーム、内部磁気シールドおよび電子銃を覆うよ
うに前記パネルに接合されるファンネルとを有し、前記
グリッド素体が、高透磁率層を含む多層構造であり、こ
のグリッド素体の端辺が、前記フレームに対して、張力
が印加された状態で接合してあることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a display device according to the present invention comprises a panel having a phosphor screen on its inner surface and a grid element provided inside the panel and having an electron beam passage hole. A body, a frame that supports the grid element body, an internal magnetic shield attached to the frame, an electron gun that emits an electron beam toward the phosphor screen through the grid element body, the grid element body, A frame, an internal magnetic shield, and a funnel joined to the panel so as to cover the electron gun, the grid element body is a multilayer structure including a high magnetic permeability layer, the edge of the grid element body, It is characterized in that it is joined to the frame while tension is applied.

【0009】前記グリッド素体に形成してある電子ビー
ム通過孔は、たとえばスリット状であり、このグリッド
素体の端辺が、前記フレームに対して、前記電子ビーム
通過孔の長手方向に沿った張力が印加された状態で接合
してある。前記グリッド素体は、軟鉄で構成される基板
と、この基板の少なくとも片側表面に形成された高透磁
率層と、前記グリッド素体の電子銃配置側最表面に形成
された高電子反射率層とを有することが好ましい。
The electron beam passage hole formed in the grid element body has, for example, a slit shape, and the edge side of the grid element body extends along the longitudinal direction of the electron beam passage hole with respect to the frame. They are joined with tension applied. The grid element body is a substrate made of soft iron, a high magnetic permeability layer formed on at least one surface of the substrate, and a high electron reflectance layer formed on the outermost surface of the grid element body on the electron gun arrangement side. It is preferable to have and.

【0010】前記高電子反射率層は、前記高透磁率層の
熱酸化、高電子反射率層の蒸着、スパッタ、メッキのう
ちのいずれかで形成することができる。交流磁界の最大
値が2〜5Oeで、直流磁界が0.3〜1Oeの場合
に、前記グリッド素体の非履歴透磁率は、張力が印加さ
れた状態で、1000以上であることが好ましい。非履
歴透磁率は、1000以上であれば、磁気シールド向上
の観点からは、いくらでも良いが、現実的には、100
0〜10000程度である。
The high electron reflectivity layer can be formed by any one of thermal oxidation of the high magnetic permeability layer, vapor deposition of the high electron reflectivity layer, sputtering, and plating. When the maximum value of the AC magnetic field is 2 to 5 Oe and the DC magnetic field is 0.3 to 1 Oe, the non-hysteretic permeability of the grid element body is preferably 1000 or more in the state where tension is applied. From the viewpoint of improving the magnetic shield, the non-hysteretic permeability may be any value as long as it is 1000 or more, but in reality, it is 100.
It is about 0 to 10000.

【0011】前記高透磁率層は、パーマロイ、鉄ニッケ
ル合金、アモルファス磁性体、高純度鉄のうちのいずれ
かで構成することができる。前記高透磁率層は、蒸着、
スパッタ、メッキのうちのいずれかで形成することがで
きる。
The high-permeability layer can be made of any one of permalloy, iron-nickel alloy, amorphous magnetic material and high-purity iron. The high magnetic permeability layer is vapor-deposited,
It can be formed by either sputtering or plating.

【0012】[0012]

【作用】グリッド素体が、スリット状の電子ビーム通過
孔を有するアパーチャグリルなどの場合には、グリッド
素体には、スリット方向に沿って、張力により平均で3
0〜50Kg/mm2 の引っ張り応力が加えられる。これ
は、動作時における熱膨張による電子ビーム通過孔の変
位を防止するためである。ところが、材料の非履歴透磁
率は、張力がない場合に比較して、1/2〜1/5程度
に低下する。このため、従来のグリッド素体では、張力
をかけない状態では、十分な非履歴透磁率を有するが、
張力が加えられた状態で、フレームに取り付けられた後
には、非履歴透磁率が低下し、十分な磁気シールド効果
を奏させることができないおそれがあった。
When the grid element body is an aperture grill or the like having slit-shaped electron beam passage holes, the grid element body has an average of 3 due to tension along the slit direction.
A tensile stress of 0 to 50 Kg / mm 2 is applied. This is to prevent displacement of the electron beam passage hole due to thermal expansion during operation. However, the non-hysteretic magnetic permeability of the material is reduced to about 1/2 to 1/5 as compared with the case without tension. For this reason, the conventional grid element body has a sufficient non-hysteretic permeability in a state where no tension is applied,
After being attached to the frame in a state where tension is applied, the non-hysteretic magnetic permeability is reduced, and there is a possibility that a sufficient magnetic shield effect cannot be obtained.

【0013】本発明に係る表示装置では、グリッド素体
が、高透磁率層を含む多層構造で構成してあるので、こ
のグリッド素体の端辺が、前記フレームに対して、張力
が印加された状態で接合されても、グリッド素体の非履
歴透磁率は、1000以上の高い状態に保持される。こ
のため、グリッド素体が、十分な磁気シールド効果を発
揮し、地磁気により電子ビームの軌跡が変動することを
抑え、電子ビームのランディング点のズレを防止する。
このため、色ズレなどを防止することができる。
In the display device according to the present invention, since the grid element body has a multi-layer structure including a high magnetic permeability layer, tension is applied to the edges of the grid element body with respect to the frame. Even if the grid elements are joined together in the above state, the non-hysteretic magnetic permeability of the grid element body is maintained in a high state of 1000 or more. Therefore, the grid element exerts a sufficient magnetic shield effect, suppresses fluctuation of the trajectory of the electron beam due to geomagnetism, and prevents deviation of the landing point of the electron beam.
For this reason, color misregistration can be prevented.

【0014】グリッド素体の非履歴透磁率が、1000
以上である場合には、電子ビームのミスランディング量
(正規のランディング点からのズレ量)を大幅に抑制す
ることができることは、本発明者によって確認されてい
る。なお、本発明において、非履歴透磁率(μu )と
は、図4(a),(b)に示すように、交流磁界の最大
値が2〜5Oeで、直流磁界が0.3〜1Oeの場合
に、Bru/Hdcと表わせる。ここで、Bruとは、非履歴
過程後の残留磁束密度(Gauss)であり、Hdcとは、磁
性体に印加された直流磁界(Oe)である。
The non-hysteretic magnetic permeability of the grid element is 1000
It has been confirmed by the inventor of the present invention that in the above cases, the mislanding amount of the electron beam (deviation amount from the normal landing point) can be significantly suppressed. In the present invention, the non-hysteretic permeability (μ u ) means that the maximum value of the AC magnetic field is 2 to 5 Oe and the DC magnetic field is 0.3 to 1 Oe, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). In the case of, it can be expressed as B ru / H dc . Here, B ru is the residual magnetic flux density (Gauss) after the non-history process, and H dc is the DC magnetic field (Oe) applied to the magnetic body.

【0015】図4(a)中、横軸が、経過時間に対応
し、縦軸が磁界の強さ(Oe)に対応する。図4(a)
中のグラフは、磁性体に加える直流磁界による交流減衰
磁界を示し、最終的には、地磁気による直流磁界Hdc
落ちつく。図4(b)中、横軸が磁界の強さであり、縦
軸が磁速密度を示す。図4(b)中のグラフは、図4
(a)に示す磁界を磁性体に印加したときの非履歴残留
磁化過程を示し、磁速密度は、地磁気による残留磁速密
度Bruに落ちつく。
In FIG. 4A, the horizontal axis corresponds to the elapsed time and the vertical axis corresponds to the magnetic field strength (Oe). Figure 4 (a)
The middle graph shows an AC attenuation magnetic field due to the DC magnetic field applied to the magnetic material, and finally settles down to the DC magnetic field H dc due to the earth magnetism. In FIG. 4B, the horizontal axis represents the magnetic field strength and the vertical axis represents the magnetic velocity density. The graph in FIG.
The non-hysteresis remanent magnetization process when the magnetic field shown in (a) is applied to a magnetic body is shown, and the magnetic velocity density settles to the residual magnetic velocity density B ru by geomagnetism.

【0016】本発明において、グリッド素体の電子銃配
置側最表面に高電子反射率層を形成することで、グリッ
ド素体の電子ビーム通過孔以外に照射する電子ビームを
反射し、グリッド素体が加熱されることを有効に防止す
ることができる。この高電子反射率層は、高透磁率層の
熱酸化、高電子反射率層の蒸着、スパッタ、メッキなど
の方法により容易に作ることができる。特に、高透磁率
層が、パーマロイ、鉄ニッケル合金、アモルファス磁性
体、高純度鉄のうちのいずれかである場合には、高電子
反射率層は、熱酸化により容易に作ることができる。な
お、本発明において、高純度鉄とは、鉄の純度が99.
8%以上、好ましくは99.99%以上であり、非履歴
透磁率が高いものが望ましい。
In the present invention, the high electron reflectivity layer is formed on the outermost surface of the grid element body on the side where the electron gun is disposed, so that the electron beam irradiating to the area other than the electron beam passage holes of the grid element body is reflected and the grid element body. Can be effectively prevented from being heated. The high electron reflectivity layer can be easily formed by a method such as thermal oxidation of the high magnetic permeability layer, vapor deposition of the high electron reflectivity layer, sputtering or plating. In particular, when the high magnetic permeability layer is one of permalloy, iron-nickel alloy, amorphous magnetic material, and high-purity iron, the high electron reflectance layer can be easily formed by thermal oxidation. In the present invention, high purity iron means that the purity of iron is 99.
It is 8% or more, preferably 99.99% or more, and it is desirable that the non-hysteretic magnetic permeability is high.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明に係る表示装置を、図面に示す
実施例に基づき、詳細に説明する。図1は本発明の一実
施例に係る表示装置としてのCRTの概略断面図、図2
はグリッド素体としてのアパーチャグリルの正面図、図
3は図2に示すアパーチャグリルの要部断面図、図4
(a)は磁性体に加える直流磁界を重畳した交流減衰磁
界を示すグラフ、図4(b)は非履歴残留磁化過程を示
すグラフ、図5はアパーチャグリルの非履歴透磁率とミ
スランディング量との関係を示すグラフ、図6は実効的
な非履歴透磁率と磁界の減衰率との関係を示すグラフ、
図7は磁気シールド性能を試験するためのモデルの概略
図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The display device according to the present invention will be described in detail below with reference to the embodiments shown in the drawings. 1 is a schematic sectional view of a CRT as a display device according to an embodiment of the present invention, FIG.
4 is a front view of an aperture grille as a grid element, FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of the aperture grille shown in FIG. 2, and FIG.
4A is a graph showing an AC decay magnetic field in which a DC magnetic field applied to a magnetic material is superimposed, FIG. 4B is a graph showing a non-hysteretic residual magnetization process, and FIG. 5 is a graph showing non-hysteretic permeability and mislanding amount of an aperture grill. FIG. 6 is a graph showing the relationship between the effective non-hysteretic permeability and the magnetic field attenuation rate.
FIG. 7 is a schematic diagram of a model for testing magnetic shield performance.

【0018】図1に示すように、CRTは、内面に蛍光
面2が形成されたパネル1を有する。パネル1は、ファ
ンネル3とフリットガラスなどにより融着してある。パ
ネル1とファンネル3とで囲まれる空間の内部は、高真
空度に維持され、ファンネル3のネック部に装着された
電子銃7から電子ビーム8がパネル1の蛍光面2に向け
て走査するようになっている。パネル1の蛍光面2に対
向して、パネル1の内側には、グリッド素体としてのア
パーチャグリル11が配置される。
As shown in FIG. 1, the CRT has a panel 1 having a phosphor screen 2 formed on the inner surface thereof. The panel 1 is fused with the funnel 3 by frit glass or the like. The interior of the space surrounded by the panel 1 and the funnel 3 is maintained at a high degree of vacuum so that the electron beam 8 from the electron gun 7 mounted on the neck of the funnel 3 scans toward the fluorescent screen 2 of the panel 1. It has become. An aperture grille 11 serving as a grid element body is arranged inside the panel 1 so as to face the phosphor screen 2 of the panel 1.

【0019】アパーチャグリル11には、図2に示すよ
うに、スリット状の電子ビーム通過孔10が形成してあ
る。このアパーチャグリル11の端辺は、アパーチャグ
リル11に電子ビーム通過孔10のスリット方向に張力
が印加された状態で、フレーム5に溶接固定される。張
力としては、特に限定されないが、たとえば平均で30
〜50Kg/mm2 の引っ張り応力がアパーチャグリル1
1に作用する程度である。このように張力を印加するの
は、動作時の熱膨張により電子ビーム通過孔の位置が変
位しないようにするためである。
As shown in FIG. 2, the aperture grill 11 has a slit-shaped electron beam passage hole 10 formed therein. The edge side of the aperture grill 11 is welded and fixed to the frame 5 in a state where tension is applied to the aperture grill 11 in the slit direction of the electron beam passage hole 10. The tension is not particularly limited, but is, for example, 30 on average.
Aperture grille 1 with a tensile stress of ~ 50Kg / mm 2
It only acts on 1. The reason why the tension is applied in this way is to prevent the position of the electron beam passage hole from being displaced due to thermal expansion during operation.

【0020】図1に示すように、フレーム5の背後(電
子銃側)には、電子ビーム8の通過を阻害しないよう
に、かつ、外周からの地磁気などの外部磁気の影響をシ
ールドするように、内部磁気シールド6が接合してあ
る。電子銃7から放出された電子ビーム8は、アパーチ
ャグリル11の電子ビーム通過孔10を通って、ランデ
ィングポイント9にある蛍光面2上の所望の蛍光体の中
心に当たり、定められた色を発光させる。ところが、電
子ビーム8が電子銃7から蛍光面2に至る間に、地磁気
などの外部磁界を受けると、ローレンツ力による力を受
け、その軌道が変化する。その結果、外部磁界がないと
きのランディング点からずれた点にランディングし、外
部磁界がないときとは異なった蛍光体にビームスポット
の一部または全部が当たり色ズレを起こす。これを防ぐ
ため、CRTでは、図1に示すように、フレーム5、内
部磁気シールド6及びアパーチャグリルによって磁気遮
蔽構造を形成している。
As shown in FIG. 1, behind the frame 5 (on the side of the electron gun), the passage of the electron beam 8 is not obstructed, and the influence of external magnetism such as geomagnetism from the outer circumference is shielded. The internal magnetic shield 6 is joined. The electron beam 8 emitted from the electron gun 7 passes through the electron beam passage hole 10 of the aperture grill 11 and hits the center of the desired phosphor on the phosphor screen 2 at the landing point 9 to emit a predetermined color. . However, when the electron beam 8 receives an external magnetic field such as terrestrial magnetism from the electron gun 7 to the phosphor screen 2, it receives a force due to the Lorentz force and its orbit changes. As a result, landing is performed at a point deviated from the landing point when there is no external magnetic field, and a part or all of the beam spot hits a phosphor different from that when there is no external magnetic field, causing a color shift. In order to prevent this, in the CRT, as shown in FIG. 1, a magnetic shield structure is formed by the frame 5, the internal magnetic shield 6, and the aperture grill.

【0021】従来のCRTでは、外周方向からの外部磁
界の影響は、内部磁気シールドにより良好にシールドで
きたが、画素の微細化と共に、アパーチャグリルも薄膜
化してきており、管軸方向の外部磁界の影響を良好にシ
ールドすることができないと言う課題を有している。ま
た、アパーチャグリル11は、スリット方向に沿って、
張力により平均で30〜50Kg/mm2 の引っ張り応力
が加えられる。このため、アパーチャグリルを構成する
材料の非履歴透磁率は、張力がない場合に比較して、1
/2〜1/5程度に低下する。このため、従来のグリッ
ド素体では、張力をかけない状態では、十分な非履歴透
磁率を有するが、張力が加えられた状態で、フレームに
取り付けられた後には、非履歴透磁率が低下し、十分な
磁気シールド効果を奏させることができないおそれがあ
った。
In the conventional CRT, the influence of the external magnetic field from the outer peripheral direction was satisfactorily shielded by the internal magnetic shield, but the aperture grilles have become thinner with the miniaturization of pixels, and the external magnetic field in the tube axis direction has become smaller. However, there is a problem in that the effect of can not be shielded well. In addition, the aperture grill 11 is
The tension exerts an average tensile stress of 30 to 50 kg / mm 2 . Therefore, the non-hysteretic permeability of the material forming the aperture grill is 1 compared to the case without tension.
/ 2 to about 1/5. Therefore, the conventional grid element has a sufficient non-hysteretic permeability in a state where no tension is applied, but the non-hysteretic permeability decreases after being attached to the frame in a state where tension is applied. However, there is a possibility that a sufficient magnetic shield effect cannot be obtained.

【0022】本実施例では、図3に示すように、アパー
チャグリル11を、高透磁率層12,12を含む多層構
造で構成することにより、前記課題を解決している。す
なわち、本実施例では、アパーチャグリル11は、軟鉄
で構成される基板14と、この基板14の両側表面に形
成された高透磁率層12と、この高透磁率層12の表面
に形成された高電子反射率層13とを有する。
In this embodiment, as shown in FIG. 3, the above-mentioned problem is solved by forming the aperture grill 11 with a multi-layer structure including the high magnetic permeability layers 12 and 12. That is, in this embodiment, the aperture grille 11 is formed of the substrate 14 made of soft iron, the high magnetic permeability layers 12 formed on both side surfaces of the substrate 14, and the surface of the high magnetic permeability layer 12. And a high electron reflectance layer 13.

【0023】軟鉄で構成される基板14の厚さは、特に
限定されないが、100〜25μm程度である。画面の
高密度化のためと、アパーチャグリルに加える張力を低
減するためとの観点からは、基板14は薄いことが好ま
しい。ところが、磁気シールド効果を高める観点から
は、厚いことが好ましい。
The thickness of the substrate 14 made of soft iron is not particularly limited, but is about 100 to 25 μm. It is preferable that the substrate 14 is thin from the viewpoint of increasing the screen density and reducing the tension applied to the aperture grill. However, from the viewpoint of enhancing the magnetic shielding effect, the thickness is preferably thick.

【0024】基板14の両面に形成される高透磁率層1
2は、たとえば、パーマロイ、鉄ニッケル合金、アモル
ファス磁性体、高純度鉄(鉄の純度が99.8%以上、
好ましくは99.99%以上)などで構成される。高透
磁率層12の厚さは、特に限定されないが、たとえば5
〜30μm 程度である。高透磁率層12は、蒸着、スパ
ッタ、メッキなどの方法により、基板14の両面に成膜
される。高透磁率層12の非履歴透磁率は、張力が加え
られない状態で、2000以上である。たとえばパーマ
ロイの非履歴透磁率は、8000〜10000である。
張力が加えられることにより、高透磁率層12の非履歴
透磁率は1/2〜1/5程度に低下するが、もともとの
非履歴透磁率が高いので、張力が加えられた状態でも、
1000以上となる。
High permeability layer 1 formed on both sides of the substrate 14.
2 is, for example, permalloy, iron-nickel alloy, amorphous magnetic material, high-purity iron (iron purity of 99.8% or more,
It is preferably 99.99% or more). The thickness of the high magnetic permeability layer 12 is not particularly limited, but is, for example, 5
It is about 30 μm. The high magnetic permeability layer 12 is formed on both surfaces of the substrate 14 by a method such as vapor deposition, sputtering and plating. The non-hysteretic magnetic permeability of the high magnetic permeability layer 12 is 2000 or more in the state where no tension is applied. For example, the non-hysteretic magnetic permeability of permalloy is 8000 to 10000.
By applying tension, the non-hysteretic permeability of the high-permeability layer 12 is reduced to about 1/2 to 1/5, but since the original non-hysteretic permeability is high, even when tension is applied,
It will be over 1000.

【0025】なお、非履歴透磁率は、図4(a),
(b)に示すように、交流磁界の最大値が2〜5Oe
で、直流磁界が0.3〜1Oeの場合に、Bru/Hdc
表わせる。ここで、Bruとは、非履歴過程後の残留磁束
密度(Gauss)であり、Hdcとは、磁性体に印加される
直流磁界(Oe)である。
The non-hysteretic permeability is shown in FIG.
As shown in (b), the maximum value of the AC magnetic field is 2 to 5 Oe.
Then, when the DC magnetic field is 0.3 to 1 Oe, it can be expressed as B ru / H dc . Here, B ru is the residual magnetic flux density (Gauss) after the non-history process, and H dc is the DC magnetic field (Oe) applied to the magnetic body.

【0026】本実施例では、高透磁率層12を含むアパ
ーチャグリル11の全体の非履歴透磁率は、張力が加え
られた状態でも、1000以上に保持される。図5に
は、アパーチャグリルの非履歴透磁率と、CRT右上コ
ーナーでのミスランディング量との関係を示す。図5に
示すシミュレーションでは、地磁気とほぼ同じ大きさの
0.35Oeの磁界をCRTの管軸方向に印加し、アパ
ーチャグリルの非履歴透磁率と、CRT右上コーナーで
のミスランディング量との関係を求めた。このシミュレ
ーションでは、アパーチャグリルの総厚を0.1μm と
し、図1に示すフレーム5の非履歴透磁率を500、内
部磁気シールド6のそれを7000として計算機により
求めた。ここで、ミスランディング量とは、図1に示す
所望のランディングポイント9に対して、電子ビームの
実際のランディングポイントへのズレ量を示す。
In the present embodiment, the overall non-hysteretic magnetic permeability of the aperture grille 11 including the high magnetic permeability layer 12 is maintained at 1000 or more even when tension is applied. FIG. 5 shows the relationship between the non-hysteretic permeability of the aperture grille and the amount of mislanding at the upper right corner of the CRT. In the simulation shown in FIG. 5, a magnetic field of 0.35 Oe, which is almost the same as the earth's magnetism, is applied in the axial direction of the CRT, and the relationship between the non-hysteretic permeability of the aperture grill and the amount of mislanding at the upper right corner of the CRT is shown. I asked. In this simulation, the total thickness of the aperture grill was set to 0.1 μm, the non-hysteretic permeability of the frame 5 shown in FIG. 1 was set to 500, and that of the inner magnetic shield 6 was set to 7000, and the calculation was performed. Here, the mislanding amount indicates the amount of deviation of the electron beam from the actual landing point with respect to the desired landing point 9 shown in FIG.

【0027】図5に示すように、非履歴透磁率が、10
0以下では、ミスランディング量は、30μm 以上であ
るが、アパーチャグリルの非履歴透磁率が100以上に
なると下がり始め、アパーチャグリルの非履歴透磁率が
1000になれば、20μmまで小さくなる。
As shown in FIG. 5, the non-hysteretic magnetic permeability is 10
At 0 or less, the mislanding amount is 30 μm or more, but begins to decrease when the non-hysteretic permeability of the aperture grill becomes 100 or more, and decreases to 20 μm when the non-hysteretic permeability of the aperture grill becomes 1000.

【0028】蛍光体のピッチが0.25〜0.3mmであ
るCRTの地磁気によるミスランディング量の許容値
は、約20μm 以下であるので、アパーチャグリルの非
履歴透磁率が1000以上になれば、この許容値を満足
し、色ズレを抑制することができる。
The permissible value of the amount of mislanding due to the geomagnetism of a CRT having a phosphor pitch of 0.25 to 0.3 mm is about 20 μm or less, so that if the hysteresis hysteresis magnetic permeability of the aperture grill becomes 1000 or more, This allowable value can be satisfied and color misregistration can be suppressed.

【0029】図6は、図3に示す多層構造のアパーチャ
グリルの磁気シールド性能を、図7に示す無限円筒のモ
デルで計算した結果である。図7において、二重円筒状
高透磁率層16が、図3に示す高透磁率層12に対応
し、図7に示す中間層15が、図3に示す軟鉄製の基板
14に対応する。図6の計算では、多層構成の効果を見
るため、中間層15は空気層として計算した。図6に示
す結果から、高透磁率層の厚さが10μm の場合には、
その非履歴透磁率が約4800以上となり、高透磁率層
の厚さが20μm の場合には、その非履歴透磁率が約2
500以上あれば、0.1μm の厚さの軟鉄単層の非履
歴透磁率1000以上のシールド効果があることが確認
された。図7において、中間層15は、空気層として計
算したが、図3に示すように、高透磁率層12,12の
間には、軟鉄製基板14が配置してあるので、全体とし
ての非履歴透磁率は、仮にアパーチャグリル11に張力
が加えられた状態でも、1000以上とすることができ
る。
FIG. 6 shows the result of calculation of the magnetic shield performance of the aperture grill of the multi-layer structure shown in FIG. 3 using the model of an infinite cylinder shown in FIG. In FIG. 7, the double cylindrical high magnetic permeability layer 16 corresponds to the high magnetic permeability layer 12 shown in FIG. 3, and the intermediate layer 15 shown in FIG. 7 corresponds to the soft iron substrate 14 shown in FIG. In the calculation of FIG. 6, the intermediate layer 15 is calculated as an air layer in order to see the effect of the multilayer structure. From the results shown in FIG. 6, when the thickness of the high magnetic permeability layer is 10 μm,
When the non-hysteretic permeability is about 4800 or more and the thickness of the high-permeability layer is 20 μm, the non-hysteretic permeability is about 2
It has been confirmed that if it is 500 or more, a soft iron single layer having a thickness of 0.1 μm has a shielding effect with an anti-hysteretic permeability of 1000 or more. In FIG. 7, the intermediate layer 15 is calculated as an air layer, but as shown in FIG. 3, since the soft iron substrate 14 is arranged between the high magnetic permeability layers 12 and 12, the non-magnetic layer 15 as a whole is The hysteresis magnetic permeability can be 1000 or more even when tension is applied to the aperture grill 11.

【0030】アパーチャグリル11の非履歴透磁率を1
000以上とすることができれば、図5に示すように、
ミスランディング量を20μm 以下に大幅に小さくする
ことができ、色ズレを抑制することができる。本実施例
では、図3に示すように、高透磁率層12の表面には、
高電子反射率層13が形成してある。高電子反射率層1
3は、たとえば高透磁率層12の表面を熱酸化すること
により形成され、その厚さは、特に限定されないが、た
とえば5〜20nm程度である。高電子反射率層13
は、450°C程度の熱酸化により形成する方法が最も
容易であるが、蒸着、スパッタリング、メッキなどの方
法により形成することもできる。
The non-hysteretic permeability of the aperture grill 11 is set to 1
If it can be 000 or more, as shown in FIG.
The mislanding amount can be significantly reduced to 20 μm or less, and color misregistration can be suppressed. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the surface of the high magnetic permeability layer 12 is
A high electron reflectance layer 13 is formed. High electron reflectance layer 1
3 is formed, for example, by thermally oxidizing the surface of the high magnetic permeability layer 12, and the thickness thereof is not particularly limited, but is, for example, about 5 to 20 nm. High electron reflectance layer 13
Is most easily formed by thermal oxidation at about 450 ° C., but it can also be formed by a method such as vapor deposition, sputtering or plating.

【0031】高電子反射率層13を形成するのは、CR
Tの動作時において、図2に示す電子ビーム通過孔10
以外のアパーチャグリル11の表面に照射した電子ビー
ムを反射させることにより、アパーチャグリル11の加
熱を抑制するためである。なお、本発明は、上述した実
施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々
に改変することができる。
The high electron reflectance layer 13 is formed by CR
During the operation of T, the electron beam passage hole 10 shown in FIG.
This is because the heating of the aperture grill 11 is suppressed by reflecting the electron beam applied to the surface of the aperture grill 11 other than the above. The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the present invention.

【0032】たとえば、図3に示す高透磁率層12は、
基板14の両側に形成することなく、その片側にのみ形
成しても良く、または基板の内部に位置してもよい。ま
た、高電子反射率層13は、アパーチャグリル11の両
面に形成することなく、少なくとも、アパーチャグリル
11の電子銃側表面に形成するのみでも良い。
For example, the high magnetic permeability layer 12 shown in FIG.
It may be formed on only one side of the substrate 14 without being formed on both sides thereof, or may be located inside the substrate. Further, the high electron reflectance layer 13 may be formed on at least the surface of the aperture grill 11 on the side of the electron gun without forming on both sides of the aperture grill 11.

【0033】また、本発明の表示装置に用いるグリッド
素体としては、スリット状の電子ビーム通過孔を有する
アパーチャグリルのみでなく、その他の形状の電子ビー
ム通過孔が形成されたものでも良い。さらに、上述した
実施例では、CRTのみについて説明したが、本発明
は、CRTのみに限定されず、その他の表示装置(テレ
ビを含む)にも適用することができる。
Further, as the grid element used in the display device of the present invention, not only the aperture grill having the slit-shaped electron beam passage hole but also the electron beam passage hole of other shapes may be formed. Furthermore, although only the CRT has been described in the above-described embodiment, the present invention is not limited to the CRT and can be applied to other display devices (including a television).

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、グリッド素体を、高透磁率層を含む多層構造とする
ことにより、グリッド素体に張力が印加された状態で
も、グリッド素体の非履歴透磁率を1000以上に保持
することが容易となる。そのため、グリッド素体の磁気
シールド効果が向上し、管軸方向からの地磁気などによ
る電子ビームのミスランディング量を小さくし、色ズレ
を抑制することができる。
As described above, according to the present invention, the grid element body has a multi-layered structure including a high magnetic permeability layer, so that the grid element body can be applied even when tension is applied to the grid element body. It becomes easy to maintain the non-hysteretic magnetic permeability of the body at 1000 or more. Therefore, the magnetic shield effect of the grid element is improved, the mislanding amount of the electron beam due to the geomagnetism from the tube axis direction is reduced, and the color shift can be suppressed.

【0035】また、高透磁率を持つパーマロイなどで構
成される高価な材料のみでグリッド素体を構成するので
はないので、製造コストの大幅な増大もない。さらに、
グリッド素体として要求される耐張力特性およびエッチ
ング容易性(電子ビーム通過孔を形成のため)などの特
性は、軟鉄などで構成される基板で受け持つので、グリ
ッド素体としての性能も低下しない。
Further, since the grid element body is not composed only of an expensive material composed of permalloy having a high magnetic permeability, the manufacturing cost is not significantly increased. further,
Since the substrate composed of soft iron or the like is responsible for the tensile strength resistance and the easiness of etching (for forming the electron beam passage holes) required for the grid element body, the performance as the grid element body is not deteriorated.

【0036】高透磁率層を二層以上とすれば、さらに非
履歴透磁率が向上し、磁気シールド効果が高まる。この
ため、グリッド素体の薄板化が容易になる。
When the number of high magnetic permeability layers is two or more, the non-hysteretic magnetic permeability is further improved and the magnetic shield effect is enhanced. Therefore, the grid element body can be easily thinned.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例に係る表示装置として
のCRTの概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a CRT as a display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2はグリッド素体としてのアパーチャグリル
の正面図である。
FIG. 2 is a front view of an aperture grille as a grid element body.

【図3】図3は図2に示すアパーチャグリルの要部断面
図である。
FIG. 3 is a sectional view of a main part of the aperture grille shown in FIG.

【図4】図4(a)は磁性体に加える直流磁界を重畳し
た交流減衰磁界を示すグラフ、図4(b)は非履歴残留
磁化過程を示すグラフである。
FIG. 4A is a graph showing an AC damping magnetic field in which a DC magnetic field applied to a magnetic material is superimposed, and FIG. 4B is a graph showing a non-hysteretic residual magnetization process.

【図5】図5はアパーチャグリルの非履歴透磁率とミス
ランディング量との関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the non-hysteretic permeability of the aperture grill and the amount of mislanding.

【図6】図6は実効的な非履歴透磁率と磁界の減衰率と
の関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between effective non-hysteretic permeability and magnetic field attenuation rate.

【図7】図7は磁気シールド性能を試験するためのモデ
ルの概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram of a model for testing magnetic shielding performance.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1… パネル 2… 蛍光面 3… ファンネル 5… フレーム 6… 内部磁気シールド 7… 電子銃 8… 電子ビーム 9… ランディングポイント 10… 電子ビーム通過孔 11… アパーチャグリル 12… 高透磁率層 13… 高電子反射率層 14… 基板 1 ... Panel 2 ... Fluorescent screen 3 ... Funnel 5 ... Frame 6 ... Internal magnetic shield 7 ... Electron gun 8 ... Electron beam 9 ... Landing point 10 ... Electron beam passage hole 11 ... Aperture grill 12 ... High permeability layer 13 ... High electron Reflectivity layer 14 ... Substrate

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内面に蛍光面を有するパネルと、 このパネルの内側に設けられ、電子ビーム通過孔を有す
るグリッド素体と、 このグリッド素体を支持するフレームと、 このフレームに取り付けられた内部磁気シールドと、 前記グリッド素体を通して、前記蛍光面に向けて電子ビ
ームを出射する電子銃と、 前記グリッド素体、フレーム、内部磁気シールドおよび
電子銃を覆うように前記パネルに接合されるファンネル
とを有し、 前記グリッド素体が、高透磁率層を含む多層構造であ
り、このグリッド素体の端辺が、前記フレームに対し
て、張力が印加された状態で接合してあることを特徴と
する表示装置。
1. A panel having a phosphor screen on an inner surface thereof, a grid element body provided inside the panel and having electron beam passage holes, a frame for supporting the grid element body, and an interior attached to the frame. A magnetic shield, an electron gun that emits an electron beam toward the phosphor screen through the grid element body, and a funnel bonded to the panel so as to cover the grid element body, the frame, the internal magnetic shield, and the electron gun. And wherein the grid element body is a multi-layer structure including a high magnetic permeability layer, and an edge of the grid element body is joined to the frame in a state in which tension is applied. And display device.
【請求項2】 前記グリッド素体に形成してある電子ビ
ーム通過孔が、スリット状であり、このグリッド素体の
端辺が、前記フレームに対して、前記電子ビーム通過孔
の長手方向に沿った張力が印加された状態で接合してあ
る請求項1に記載の表示装置。
2. An electron beam passage hole formed in the grid element body is slit-shaped, and an end side of the grid element body extends along a longitudinal direction of the electron beam passage hole with respect to the frame. The display device according to claim 1, wherein the display device and the display device are bonded to each other while being applied with a tension.
【請求項3】 前記グリッド素体が、軟鉄で構成される
基板と、この基板の少なくとも片側表面に形成された高
透磁率層と、前記グリッド素体の電子銃配置側最表面に
形成された高電子反射率層とを有する請求項1または2
に記載の表示装置。
3. The grid element body is formed on a substrate made of soft iron, a high magnetic permeability layer formed on at least one surface of the substrate, and an outermost surface of the grid element body on the electron gun arrangement side. A high electron reflectivity layer and a high electron reflectivity layer.
The display device according to claim 1.
【請求項4】 前記高電子反射率層が、前記高透磁率層
の熱酸化、高電子反射率層の蒸着、スパッタ、メッキの
うちのいずれかで形成される請求項3に記載の表示装
置。
4. The display device according to claim 3, wherein the high electron reflectance layer is formed by any one of thermal oxidation of the high magnetic permeability layer, vapor deposition, sputtering, and plating of the high electron reflectance layer. .
【請求項5】 交流磁界の最大値が2〜5Oeで、直流
磁界が0.3〜1Oeの場合に、前記グリッド素体の非
履歴透磁率が、張力が印加された状態で、1000以上
であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載
の表示装置。
5. When the maximum value of the AC magnetic field is 2 to 5 Oe and the DC magnetic field is 0.3 to 1 Oe, the non-hysteretic permeability of the grid element is 1000 or more in a state where tension is applied. It exists, The display apparatus in any one of Claims 1-4.
【請求項6】 前記高透磁率層が、パーマロイ、鉄ニッ
ケル合金、アモルファス磁性体、高純度鉄のうちのいず
れかである請求項1〜5のいずれかに記載の表示装置。
6. The display device according to claim 1, wherein the high magnetic permeability layer is one of permalloy, iron-nickel alloy, amorphous magnetic material, and high-purity iron.
【請求項7】 前記高透磁率層が、蒸着、スパッタ、メ
ッキのうちのいずれかで形成される請求項1〜6のいず
れかに記載の表示装置。
7. The display device according to claim 1, wherein the high magnetic permeability layer is formed by any one of vapor deposition, sputtering and plating.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100373659B1 (en) * 2000-07-25 2003-02-26 엘지전자 주식회사 magnetic shield structure for color -cathode ray tube

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